JP4752076B2 - Reference voltage circuit and integrated circuit device - Google Patents
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Description
本発明は、基準電圧回路及び集積回路装置に関する。 The present invention relates to a reference voltage circuit and an integrated circuit device.
従来より、基準電圧を出力する基準電圧回路が知られている。例えばスキャナ用のアナログフロントエンド回路では、バンドギャップなどを利用した定電圧回路からの定電圧を受け、A/D変換回路等に基準電圧を供給する基準電圧回路が用いられる。 Conventionally, a reference voltage circuit that outputs a reference voltage is known. For example, an analog front-end circuit for a scanner uses a reference voltage circuit that receives a constant voltage from a constant voltage circuit using a band gap or the like and supplies a reference voltage to an A / D conversion circuit or the like.
そして、この基準電圧回路は、通常動作時(通常使用時)のみならず、プローブ等によるテスト時においても、安定した基準電圧を出力できることが望ましい。
本発明は、以上のような課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、基準電圧の安定出力が可能な基準電圧回路及びこれを含む集積回路装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a reference voltage circuit capable of stably outputting a reference voltage and an integrated circuit device including the reference voltage circuit.
本発明は、その第1の入力端子に、定電圧が入力され、その第2の入力端子に、その出力端子に出力される基準電圧が入力される差動増幅回路を含み、前記差動増幅回路は、前記第1、第2の入力端子を有する差動部と、出力部と、前記出力部の出力端子と前記差動部の出力端子との間に設けられる位相補償用キャパシタと、前記位相補償用キャパシタの一端と前記差動部の出力端子との間に設けられる第1のスイッチ回路とを含み、前記第1のスイッチ回路は、通常動作時には、前記位相補償用キャパシタの一端と前記差動部の出力端子との間の接続をオフにし、テスト時には、前記位相補償用キャパシタの一端と前記差動部の出力端子との間の接続をオンにし、前記出力部の利得は、テスト時における利得より、通常動作時における利得が低く設定される基準電圧回路に関係する。 The present invention includes a differential amplifier circuit in which a constant voltage is input to the first input terminal and a reference voltage output to the output terminal is input to the second input terminal, and the differential amplifier The circuit includes a differential unit having the first and second input terminals, an output unit, a phase compensation capacitor provided between the output terminal of the output unit and the output terminal of the differential unit, A first switch circuit provided between one end of the phase compensation capacitor and the output terminal of the differential unit, and the first switch circuit includes one end of the phase compensation capacitor and the first switch circuit during normal operation. The connection between the output terminal of the differential unit is turned off, and during the test, the connection between one end of the phase compensation capacitor and the output terminal of the differential unit is turned on, and the gain of the output unit is tested. Gain during normal operation than gain during operation It related to a reference voltage circuit that is set lower.
本発明によれば、通常動作時には、位相補償用キャパシタの一端と差動部の出力端子との間の接続がオフにされると共に、出力部が低い利得に設定される。このようにすれば、例えば出力部の利得の極を低周波数側にシフトさせることができ、通常動作時の基準電圧回路の安定動作を実現できる。一方、テスト時には、位相補償用キャパシタの一端と差動部の出力端子との間の接続がオンにされると共に、出力部が高い利得に設定される。このようにすれば、テスト時に位相補償用キャパシタが差動部の出力端子に接続されるようになるため、テスト時の基準電圧回路の安定動作を実現できる。 According to the present invention, during normal operation, the connection between one end of the phase compensation capacitor and the output terminal of the differential unit is turned off, and the output unit is set to a low gain. In this way, for example, the gain pole of the output unit can be shifted to the low frequency side, and stable operation of the reference voltage circuit during normal operation can be realized. On the other hand, during the test, the connection between one end of the phase compensation capacitor and the output terminal of the differential unit is turned on, and the output unit is set to a high gain. In this way, the phase compensation capacitor is connected to the output terminal of the differential section during the test, so that the stable operation of the reference voltage circuit during the test can be realized.
また本発明では、前記出力部は、そのゲートに前記差動部の出力端子が接続される駆動トランジスタと、第2のスイッチ回路と、前記第2のスイッチ回路と電源との間に設けられる負荷素子と、前記第2のスイッチ回路と電源との間に設けられる電流源とを含み、前記第2のスイッチ回路は、通常動作時には、前記駆動トランジスタのドレインと前記負荷素子との間の接続をオンにし、テスト時には、前記駆動トランジスタのドレインと前記電流源との間の接続をオンにするようにしてもよい。 In the present invention, the output section includes a drive transistor having a gate connected to the output terminal of the differential section, a second switch circuit, and a load provided between the second switch circuit and the power source. An element, and a current source provided between the second switch circuit and the power source, and the second switch circuit provides a connection between the drain of the drive transistor and the load element during normal operation. In the test, the connection between the drain of the driving transistor and the current source may be turned on.
このようにすれば、第2のスイッチ回路による接続のオン、オフだけで、出力部の利得を低い利得に設定したり、高い利得に設定することが可能になる。 In this way, the gain of the output unit can be set to a low gain or set to a high gain simply by turning on and off the connection by the second switch circuit.
また本発明では、前記負荷素子は、そのゲートとドレインが接続されたトランジスタ、ダイオード又は抵抗素子であってもよい。 In the present invention, the load element may be a transistor, a diode, or a resistance element whose gate and drain are connected.
また本発明では、前記電流源は、そのゲートにバイアス電圧が入力されるトランジスタであってもよい。 In the present invention, the current source may be a transistor having a bias voltage input to its gate.
また本発明では、入力された前記定電圧を調整する調整回路を含んでもよい。 In the present invention, an adjustment circuit for adjusting the input constant voltage may be included.
このようにすれば、定電圧とは異なる電位の基準電圧を出力できるようになる。 In this way, a reference voltage having a potential different from the constant voltage can be output.
また本発明では、複数の前記差動増幅回路を含み、前記調整回路は、入力された定電圧に基づいて複数の定電圧を出力し、前記複数の差動増幅回路の第1の入力端子の各々には、前記調整回路からの複数の定電圧の各々が入力されるようにしてもよい。 The present invention further includes a plurality of the differential amplifier circuits, and the adjustment circuit outputs a plurality of constant voltages based on the input constant voltages, and the first input terminals of the plurality of differential amplifier circuits Each of the plurality of constant voltages from the adjustment circuit may be input to each.
このようにすれば、複数の定電圧に対応した基準電圧を出力できるようになる。 In this way, a reference voltage corresponding to a plurality of constant voltages can be output.
また本発明では、前記調整回路は、低電位側の第Kの定電圧と高電位側の第Lの定電圧を出力し、前記複数の差動増幅回路のうち、その第1の入力端子に前記第Kの定電圧が入力される第Kの差動増幅回路は、その出力部が第1導電型の駆動トランジスタを含み、前記複数の差動増幅回路のうち、その第1の入力端子に前記第Lの定電圧が入力される第Lの差動増幅回路は、その出力部が第2導電型の駆動トランジスタを含むようにしてもよい。 In the present invention, the adjustment circuit outputs a K-th constant voltage on the low potential side and an L-th constant voltage on the high potential side, and the first input terminal of the plurality of differential amplifier circuits is output to the adjustment circuit. The K-th differential amplifier circuit to which the K-th constant voltage is input has an output portion including a first conductivity type drive transistor, and the first input terminal of the plurality of differential amplifier circuits is connected to the first input terminal. The Lth differential amplifier circuit to which the Lth constant voltage is input may include an output portion including a second conductivity type driving transistor.
このようにすれば、第K、第Lの定電圧に応じた最適な導電型の駆動トランジスタで、基準電圧回路の出力端子に接続される負荷を駆動できるようになる。 In this way, it is possible to drive a load connected to the output terminal of the reference voltage circuit with an optimum conductivity type driving transistor corresponding to the Kth and Lth constant voltages.
また本発明は、上記のいずれかに記載の基準電圧回路と、前記基準電圧回路から出力された基準電圧に基づいて、アナログ電圧をデジタルデータに変換するA/D変換回路と、前記基準電圧回路の出力端子に接続される第1のパッドと、前記A/D変換回路の入力端子に接続され、前記第1のパッドとは分離して形成される第2のパッドとを含む集積回路装置に関係する。 According to another aspect of the present invention, there is provided the reference voltage circuit according to any one of the above, an A / D conversion circuit that converts an analog voltage into digital data based on the reference voltage output from the reference voltage circuit, and the reference voltage circuit. An integrated circuit device including a first pad connected to an output terminal of the A / D converter and a second pad connected to an input terminal of the A / D conversion circuit and formed separately from the first pad. Involved.
このようにすれば、基準電圧回路、A/D変換回路を独立にテストできるようになり、テストの利便性を向上できる。 In this way, the reference voltage circuit and the A / D conversion circuit can be independently tested, and the convenience of the test can be improved.
また本発明では、前記第1、第2のパッドはボンディングワイヤにより接続されるようにしてもよい。 In the present invention, the first and second pads may be connected by a bonding wire.
以下、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお以下に説明する本実施形態は特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成の全てが本発明の解決手段として必須であるとは限らない。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail. The present embodiment described below does not unduly limit the contents of the present invention described in the claims, and all the configurations described in the present embodiment are indispensable as means for solving the present invention. Not necessarily.
1.構成
図1に本実施形態の基準電圧回路10の構成例を示す。この基準電圧回路10(電圧出力回路)は差動増幅回路30(演算増幅器)を含む。この差動増幅回路30は、その第1の入力端子IT1(非反転入力端子)に、定電圧回路20からの定電圧VCTが入力される。また、その第2の入力端子IT2(反転入力端子)に、その出力端子AQに出力される基準電圧VREFが入力される。図1のようなボルテージフォロア接続にすることで、差動増幅回路30はインピーダンス変換回路として機能する。そして基準電圧回路10からは、定電圧VCTと同じ電圧の基準電圧VREFが出力されるようになる。
1. Configuration FIG. 1 shows a configuration example of the
なお定電圧回路20としては例えばバンドギャップを利用したバンドギャップリファレンス回路などを採用できる。但し高精度な定電圧を集積回路装置の外部から入力するようにしてもよい。また、後述するような調整回路を基準電圧回路10内に設け、この調整回路によりその電圧が調整された定電圧を差動増幅回路30の入力端子IT1に入力するようにしてもよい。
As the
差動増幅回路30は差動部40(差動段)と出力部50(出力段)を含む。差動部40の出力端子DQは出力部50に接続される。そして差動部40は、入力端子IT1、IT2に入力された電圧の差分を増幅して出力部50に出力する。出力部50は、差動部40から入力された電圧を更に増幅してその出力端子QQに出力する。なお差動部40と出力部50の間に他の回路を挿入してもよい。
The
差動増幅回路30は位相補償用キャパシタCC(コンデンサ)を含む。また第1のスイッチ回路60を含む。位相補償用キャパシタCCは、出力部50の出力端子QQ(差動増幅回路30の出力端子AQ)と差動部40の出力端子DQとの間に設けられる。またスイッチ回路60は、位相補償用キャパシタCCの一端と差動部の出力端子60との間に設けられる。
The
なお出力部50の出力端子QQと位相補償用キャパシタCCの間に、他の回路や他の素子を設けてもよい。例えば出力端子QQと位相補償用キャパシタCCの間にテスト信号によりその接続がオン・オフされるスイッチ回路を設けてもよい。
Another circuit or another element may be provided between the output terminal QQ of the
スイッチ回路60は、基準電圧回路10を通常に動作させる通常動作時(通常使用時)には、位相補償用キャパシタCCの一端と差動部40の出力端子DQとの間の接続をオフにする。一方、ICテスタなどによるテスト時には、位相補償用キャパシタCCの一端と出力端子DQとの間の接続をオンにする。具体的には、テスト信号が非アクティブである場合には、位相補償用キャパシタCCと出力端子DQの間を非接続状態(非導通状態)にし、テスト信号がアクティブである場合には、位相補償用キャパシタCCと出力端子DQの間を接続状態(導通状態)にする。
The
また出力部50の利得(ゲイン)は、通常動作時には低い利得に設定され、テスト時には高い利得に設定される。例えばテスト信号が非アクティブである場合には、出力部50の利得は低くなり、テスト信号がアクティブである場合には、出力部50の利得は高くなる。
The gain of the
出力部50は、駆動トランジスタTD1と第2のスイッチ回路52と負荷素子54と電流源56を含む。なお出力部50が他のトランジスタや他の素子を含むようにしてもよい。
The
駆動トランジスタTD1は、電源VDD(広義には第2の電源)と出力端子QQの間に設けられる。そして、そのゲートに差動部40の出力端子DQが接続される(差動部40の出力電圧が入力される)。
The drive transistor TD1 is provided between the power supply VDD (second power supply in a broad sense) and the output terminal QQ. And the output terminal DQ of the
スイッチ回路52は、駆動トランジスタTD1と負荷素子54及び電流源56との間に設けられる。そしてスイッチ回路52は、通常動作時には、駆動トランジスタTD1のドレインと負荷素子54との間の接続をオンにする。即ち駆動トランジスタTD1のドレインを負荷素子54の一端に接続する。なお負荷素子54の他端は電源VSS(広義には第2の電源)に接続されている。
The
一方、スイッチ回路52は、テスト時には、駆動トランジスタTD1のドレインと電流源56との間の接続をオンにする。即ち駆動トランジスタTD1のドレインを電流源56の一端に接続する。なお電流源56の他端は電源VSS(第2の電源)に接続されている。
On the other hand, the
負荷素子54(負荷回路)はスイッチ回路52と電源VSSとの間に設けられる。この負荷素子54としては、例えば、そのゲートとドレインが接続されたトランジスタ(ダイオード接続のトランジスタ)や、ダイオードや、抵抗素子などを用いることができる。なおスイッチ回路52と負荷素子54の間や、負荷素子54と電源VSSの間に、他の回路や他の素子を設けてもよい。
The load element 54 (load circuit) is provided between the
電流源56(定電流源)はスイッチ回路52と電源VSSとの間に設けられる。この電流源56としては、例えば、そのゲートにバイアス電圧が入力されるトランジスタなどを用いることができる。なおスイッチ回路52と電流源56の間や電流源56と電源VSSの間に他の回路や他の素子を設けてもよい。
The current source 56 (constant current source) is provided between the
図2に比較例の基準電圧回路810を示す。この比較例の基準電圧回路810の差動増幅回路830には、図1のようなスイッチ回路60が設けられていない。また出力部850の利得は可変に制御されない。
FIG. 2 shows a
図3に、図2の比較例のボード線図を示す。図3のA1、A2は、各々、差動部840、出力部850の利得を表し、A3はこれらの合成利得を表す。帰還ループを有する差動増幅回路830の位相余裕は、差動部840の利得の極P1と出力部850の利得の極P2と位相補償用キャパシタCCにより決定される。具体的には、A3の合成利得が0DBの時に位相が180度回っていなければ、差動増幅回路830は発振しない。そのためには、差動部840の利得の極P1は、なるべく低周波数側(図3の左側)にあることが望ましく、出力部850の利得の極P2は、なるべく高周波数側(図3の右側)にあることが望ましい。即ち極P1とP2の間隔を広げることが望ましい。
FIG. 3 shows a Bode diagram of the comparative example of FIG. A1 and A2 in FIG. 3 represent the gains of the
例えば位相補償用キャパシタCCを設けることで、極P1は低周波数側にシフトするため、位相余裕が大きくなる。また出力端子AQに接続されるキャパシタCL(負荷)の容量が小さくなればなるほど、位相余裕が大きくなる。 For example, by providing the phase compensation capacitor CC, the pole P1 is shifted to the low frequency side, so that the phase margin is increased. Also, the phase margin increases as the capacitance of the capacitor CL (load) connected to the output terminal AQ decreases.
しかしながら、基準電圧回路810の出力電圧VREFは、A/D変換回路、D/A変換回路、プログラマブル・ゲインアンプなどで使用されるため、キャパシタCLの容量値を小さくすることは難しい。例えばスイッチド・キャパシタを用いたA/D変換回路では、スイッチのオン・オフ時に電荷の充放電が行われる。従って、VREFの出力端子AQに接続されるキャパシタCLの容量値を、A/D変換回路の受け側のキャパシタの容量値よりもかなり大きくしないと、スイッチのオン・オフ時に基準電圧VREFが変動してしまい、正しいA/D変換ができなくなるという課題がある。
However, since the output voltage VREF of the
一方、正しいA/D変換を実現するためにキャパシタCLの容量値を大きくすると、位相余裕が少なくなり、差動増幅回路830が発振してしまうという課題がある。
On the other hand, when the capacitance value of the capacitor CL is increased in order to realize correct A / D conversion, there is a problem that the phase margin is reduced and the
この点、図1の本実施形態では、通常動作時とテスト時で出力部50の利得を変化させる構成を採用しているため、上記課題を解決できる。
In this regard, the present embodiment of FIG. 1 employs a configuration in which the gain of the
例えば本実施形態では通常動作時には図4に示すように、スイッチ回路60がオフ状態になり、位相補償用キャパシタCCが切り離され、出力端子DQと非接続状態になる。また出力部50の利得が小さくなる。即ちスイッチ回路52により、駆動トランジスタTD1のドレインに負荷素子54が接続される。
For example, in this embodiment, during normal operation, as shown in FIG. 4, the
図5に通常動作時のボード線図を示す。図5のB1、B2は、各々、差動部40、出力部50の利得を表し、B3はこれらの合成利得を表す。そして帰還ループを有する差動増幅回路30が発振しないためには、B3の合成利得が0DBの時に位相が180度回らないようにする必要があり、そのためには差動部40の利得の極P1と出力部50の利得の極P2の間隔をなるべく離すことが望ましい。
FIG. 5 shows a Bode diagram during normal operation. B1 and B2 in FIG. 5 represent the gains of the
この点、本実施形態では、図3の比較例に比べて極P1、P2の位置関係が変更されている。即ち図3の比較例では、極P1の高周波数側(右側)に極P2があるのに対して、図5の本実施形態では、極P1の低周波数側(左側)に出力部50の極P2がある。更に本実施形態では、図3のA2と図5のB2を比較すれば明らかなように、通常動作時には出力部50の利得が小さな値に設定される。
In this regard, in the present embodiment, the positional relationship between the poles P1 and P2 is changed compared to the comparative example of FIG. That is, in the comparative example of FIG. 3, the pole P2 is on the high frequency side (right side) of the pole P1, whereas in the present embodiment of FIG. 5, the pole of the
図5のように、極P2が低周波数側にシフトすると、B2の利得が、B3の合成利得に支配的な影響を与えるようになる。従って、B2の利得を小さくすることで、B3の合成利得も、より低周波数側で低くなるようになり、0DBのクロスポイントも低周波数側にシフトする。このため図5のように、合成利得が0DBになった時に十分な位相余裕を確保でき、差動増幅回路30の安定動作を実現できる。
As shown in FIG. 5, when the pole P2 is shifted to the low frequency side, the gain of B2 has a dominant influence on the combined gain of B3. Therefore, by reducing the gain of B2, the combined gain of B3 also becomes lower on the lower frequency side, and the cross point of 0DB is also shifted to the lower frequency side. Therefore, as shown in FIG. 5, a sufficient phase margin can be ensured when the combined gain becomes 0 DB, and the stable operation of the
また例えば通常動作時に、スイッチ回路60がオンになると、位相補償用キャパシタCCのミラー容量により、図5のB1の極P1が低周波数側(左側)にシフトしてしまう。そして極P1が低周波数側にシフトすると、位相余裕が減少してしまい、B2の利得を小さくしたとしても、差動増幅回路30が発振するおそれがある。
For example, when the
この点、本実施形態では図4に示すように、通常動作時にはスイッチ回路60がオフになり位相補償用キャパシタCCが切り離される。従って位相補償用キャパシタCCのミラー容量の効果をキャンセルでき、図5のB1の極P1が低周波数側にシフトしなくなるため、差動増幅回路30の安定動作を実現できる。
In this regard, in this embodiment, as shown in FIG. 4, the
また本実施形態ではテストモード時には図6に示すように、スイッチ回路60がオフになり、位相補償用キャパシタCCが出力端子DQに接続される。また出力部50の利得が大きな利得に設定される。即ちスイッチ回路52により、駆動トランジスタTD1のドレインに電流源56が接続される。
In the present embodiment, in the test mode, as shown in FIG. 6, the
図7にテスト時のボード線図を示す。図7のC1、C2は、各々、差動部40、出力部50の利得を表し、C3はこれらの合成利得を表す。そして帰還ループを有する差動増幅回路30が発振しないためには、極P1とP2の間隔をなるべく離すことが望ましい。
FIG. 7 shows a Bode diagram during the test. C1 and C2 in FIG. 7 represent gains of the
この点、本実施形態では、テスト時にはスイッチ回路60がオンになり位相補償用キャパシタCCが接続状態になるため、合成利得が0DBの時に十分な位相余裕を確保できるようになる。
In this respect, in the present embodiment, the
即ち図6に示すように、テスト時にはICテスタのプローブをパッド12に接触させて、基準電圧VREFを測定する。そしてICテスタのプローブにはインダクタンスLP等が寄生する。従って、ICテスタ側に設けられたキャパシタCLは効果が無く、このキャパシタCLにより差動増幅回路30の安定動作を実現することは難しい。
That is, as shown in FIG. 6, during the test, the probe of the IC tester is brought into contact with the
この点、本実施形態では、テスト時には位相補償用キャパシタCCが差動部40の出力端子DQに接続される。従って、この位相補償用キャパシタCCのミラー容量により位相余裕を確保でき、差動増幅回路30の安定動作を実現できる。
In this regard, in the present embodiment, the phase compensation capacitor CC is connected to the output terminal DQ of the
2.詳細な構成
図8(A)に差動増幅回路30の詳細な構成例を示す。図8(A)に示すように差動部40は、電源VDDとノードNA1の間に設けられ、そのゲートがノードNA2に接続されるP型(広義には第2導電型)のトランジスタTA1と、電源VDDとノードNA2の間に設けられ、そのゲートがノードNA2に接続されるP型のトランジスタTA2を含む。またノードNA1とNA3の間に設けられ、そのゲートが入力端子IT1になるN型(広義には第1導電型)のトランジスタTA3と、ノードNA2とNA3の間に設けられ、そのゲートが入力端子IT2になるN型のトランジスタTA4を含む。またノードNA3と電源VSSの間に設けられ、そのゲートにバイアス電圧VBSが入力されるN型のトランジスタTA5を含む。
2. Detailed Configuration FIG. 8A shows a detailed configuration example of the
出力部50は、電源VDDとノードNA4の間に設けられ、そのゲートに差動部40の出力端子DQが接続されるP型の駆動トランジスタTD1を含む。またノードNA4とNA5の間に設けられ、そのゲートに信号TSTが入力されるN型のトランジスタTA6と、ノードNA4とノードNA6の間に設けられ、そのゲートに信号TSTXが入力されるN型のトランジスタTA7を含む。またノードNA5と電源VSSの間に設けられ、そのゲートにバイアス電圧が入力されるN型のトランジスタTA8と、ノードNA6と電源VSSの間に設けられ、そのドレインとゲートが接続されるN型のトランジスタTA9を含む。
The
なお信号TSTXの「X」は負論理を示す。即ちテスト時には、信号TSTはHレベルになり、信号TXTXはLレベルになる。 Note that “X” of the signal TSTX indicates negative logic. That is, during the test, the signal TST is at the H level and the signal TXTX is at the L level.
スイッチ回路60は、位相補償用キャパシタCCの一端であるノードNA7と、差動部40の出力端子DQの間に設けられるN型のトランジスタTA10とP型のトランジスタTA11を含む。そしてトランジスタTA10、TA11のゲートには、各々、信号TST、TSTXが入力される。
The
図8(A)に示すように、図1の負荷素子54は、そのゲートとドレインが接続されたトランジスタTA9(ダイオード接続のトランジスタ)により構成される。また図1の電流源56は、そのゲートにバイアス電圧が入力されたトランジスタTA8により構成される。なお負荷素子54はダイオードや抵抗であってもよい。
As shown in FIG. 8A, the
図8(A)では、通常動作時にはテスト信号TESTがLレベル(非アクティブ)になり、信号TST、TSTXが、各々、Lレベル、Hレベルになる。従ってトランジスタTA7がオンになりTA6がオフになる。従って駆動トランジスタTD1のドレインは、負荷素子54であるトランジスタTA9のドレインに接続される。またスイッチ回路60を構成するトランジスタTA10、TA11がオフになり、位相補償用キャパシタCCと差動部40の出力端子DQは非接続になる。これにより差動増幅回路30の位相特性は図5に示すようになり、B2のように出力部50の利得が下がることで、発振が防止され、安定動作を実現できる。
In FIG. 8A, the test signal TEST becomes L level (inactive) during normal operation, and the signals TST and TSTX become L level and H level, respectively. Therefore, the transistor TA7 is turned on and TA6 is turned off. Therefore, the drain of the driving transistor TD1 is connected to the drain of the transistor TA9 which is the
一方、テスト時には信号TESTがHレベルになり、信号TST、TSTXが、各々、Hレベル、Lレベルになる。従ってトランジスタTA6がオンになりTA7がオフになる。従って駆動トランジスタTD1のドレインは、電流源56であるトランジスタTA8のドレインに接続される。またスイッチ回路60を構成するトランジスタTA10、TA11がオンになり、位相補償用キャパシタCCが差動部40の出力端子DQに接続される。これにより差動増幅回路30の位相特性は図7に示すようになり、位相補償用キャパシタCCにより極P1を低周波数側にシフトすることで、発振が防止され、安定動作を実現できる。
On the other hand, during the test, the signal TEST becomes H level, and the signals TST and TSTX become H level and L level, respectively. Therefore, the transistor TA6 is turned on and TA7 is turned off. Therefore, the drain of the driving transistor TD1 is connected to the drain of the transistor TA8 which is the
なお出力部50のトランジスタTD1とTA6やTA7の間や、TA6とTA8の間や、TA7とTA9の間や、TA8やTA9と電源VSSの間に、他のトランジスタや他の素子を設ける変形実施も可能である。また差動部40の構成も図8(A)に示す構成に限定されず、種々の変形実施が可能である。
A modification is made in which another transistor or another element is provided between the transistors TD1 and TA6 or TA7 of the
また図8(B)に示すようなスイッチ回路61を設けてもよい。このスイッチ回路61(トランジスタTA12、TA13)は通常動作時にはオフになり、これにより位相補償用キャパシタCCの他端と出力部50の出力端子QQとは非接続になる。一方、スイッチ回路61はテスト時にはオンになり、これにより位相補償用キャパシタCCの他端と出力部50の出力端子QQとが接続されるようになる。
Further, a
3.変形例
図9(A)に基準電圧回路10の第1の変形例を示す。図9(A)では基準電圧回路10は、定電圧回路20等から入力された定電圧VCTを調整する調整回路22を含む。この調整回路22は、例えば定電圧VCTに基づいて、VCTとは異なる電位の定電圧VCT1を生成し、差動増幅回路30に出力する。この場合の電圧調整は例えば抵抗素子などを用いて実現できる。そしてボルテージフォロア接続された差動増幅回路30は、調整回路22からの定電圧VCT1のインピーダンス変換を行って基準電圧VREFを出力する。このような調整回路22を設けることで、定電圧回路20が生成した定電圧VCTとは異なる電位の基準電圧VREFをA/D変換回路等に供給することができ、利便性を向上できる。
3. Modification FIG. 9A shows a first modification of the
図9(B)に基準電圧回路10の第2の変形例を示す。図9(B)では、基準電圧回路10が複数の差動増幅回路31、32、33を含む。そして調整回路22は、入力された定電圧VCTに基づいて複数の定電圧VCT1、VCT2、VCT3を出力する。そして複数の差動増幅回路の入力端子IT1(非反転入力端子)の各々には、調整回路22からの複数の定電圧VCT1、VCT2、VCT3の各々が入力される。そして差動増幅回路31、32、33は定電圧VCT1、VCT2、VCT3のインピーダンス変換を行って、基準電圧VREFH、VREFM、VREFLをA/D変換回路70(或いはD/A変換回路)に出力する。なお調整回路22は、例えば差動増幅回路31、33からの電圧VREFH、VREFLを抵抗分割した電圧を、差動増幅回路32の入力端子IT1に出力するようにしてもよい。
FIG. 9B shows a second modification of the
例えばVREFH、VREFM、VREFLは、各々、2.0V、1.5V、1.0Vの電圧に設定される。ここでVREFH=2.0Vは、A/D変換回路70における最大電圧として使用される。従ってVREFHを出力する差動増幅回路31は、例えば図8(A)に示すようにソース電流負荷のみに特化した回路構成になる。具体的には駆動トランジスタTD1はP型のトランジスタになる。また第1、第2の入力端子IT1、IT2は、N型のトランジスタTA3、TA4のゲートになり、バイアス電流用のトランジスタTA5もN型のトランジスタになる。
For example, VREFH, VREFM, and VREFL are set to voltages of 2.0V, 1.5V, and 1.0V, respectively. Here, VREFH = 2.0 V is used as the maximum voltage in the A /
一方、VREFL=1.0Vは、A/D変換回路70における比較最小電圧として使用される。従ってVREFLを出力する差動増幅回路33は、例えば図10(A)に示すようにシンク電流負荷のみに特化した回路構成になる。即ち図10(A)では、駆動トランジスタTD2はN型のトランジスタになる。またスイッチ回路52を構成するトランジスタTB6、TB7は例えばP型のトランジスタになる。また負荷素子54として機能するトランジスタTB9や電流源56として機能するトランジスタTB8もP型のトランジスタになる。また差動部40の第1、第2の入力端子IT1、IT2は、P型のトランジスタTB3、TB4のゲートになり、バイアス電流用のトランジスタTB5もP型のトランジスタになる。
On the other hand, VREFL = 1.0 V is used as a comparative minimum voltage in the A /
またVREFM=1.5Vを出力する差動増幅回路32は、図10(B)に示すようにソース電流負荷とシンク電流負荷の両方に対応した回路構成になる。例えば図10(B)において出力部50は、直列に接続された抵抗素子RC1、トランジスタTC1、TC2、抵抗素子RC2を含む。また直列に接続されたトランジスタTC3、TC4を含む。そしてノードNC1はトランジスタTC1、TC3のゲートに接続され、ノードNC2は差動部40の出力端子DQに接続され、ノードNC3はトランジスタTC2、TC4のゲートに接続される。そしてノードNC4が出力部50の出力端子QQになる。この10(B)の構成のようにドレイン接地の増幅回路とすることで、出力部50の利得を極力下げることができ、大容量の負荷による安定した出力を得ることができる。
Further, the
以上のように本実施形態では調整回路22が、低電位側の定電圧VCT3(第Kの定電圧)と高電位側の定電圧VCT1(第Lの定電圧)を出力する。そして複数の差動増幅回路31、32、33のうち、その入力端子IT1にVCT3が入力される差動増幅回路33(第Kの差動増幅回路)は、図10(A)に示すように、その出力部50が、N型(第1導電型)の駆動トランジスタTD2を含む。一方、入力端子IT1にVCT1(第Lの定電圧)が入力される差動増幅回路31(第Lの差動増幅回路)は、図8(A)に示すように、その出力部50が、P型(第2導電型)の駆動トランジスタTD1を含む。
As described above, in the present embodiment, the
4.集積回路装置
図11(A)に本実施形態の集積回路装置100の構成例を示す。この集積回路装置100は、図1等で説明した本実施形態の基準電圧回路10を含む。また基準電圧回路10から出力された基準電圧VREF(VREFH、VREFM、VREFL)に基づいて、アナログ電圧をデジタルデータに変換するA/D変換回路70を含む。なお集積回路装置100は、基準電圧回路10、A/D変換回路70以外の回路を含んでもよい。例えばスキャナ用のアナログフロント・エンド回路では、CCDを制御したり駆動するための回路を含むことができる。またCPUやメモリなどの回路を含んでもよい。
4). Integrated Circuit Device FIG. 11A shows a configuration example of the
図11(A)に示すように集積回路装置100は、基準電圧回路10の出力端子に接続されるパッド12(外部端子)と、A/D変換回路70の入力端子に接続されるパッド14(外部端子)を含む。ここでパッド14は、パッド12とは異なる場所に分離して形成される。そして例えばパッド12、14は、集積回路装置100のチップ内部では、配線により接続されていない。そしてICパッケージ内においては、例えばボンディングワイヤ16によりパッド12、14は電気的に接続される。
As shown in FIG. 11A, the
例えば図12に比較例の集積回路装置900を示す。この比較例では集積回路装置900の基準電圧回路910の出力端子とA/D変換回路970の入力端子は、チップ内で接続されると共にパッド912に接続される。そして基準電圧回路910、A/D変換回路970を検査する場合には、ICテスタ110のプローブをパッド912に接触させて電圧値を検査する。
For example, FIG. 12 shows an
そしてICテスタ110からA/D変換回路970に基準電圧VREFを供給しない場合、実際のA/D変換回路970の単体での特性が、基準電圧回路910の出力電圧範囲に影響を受けてしまう。従って基準電圧回路910は、A/D変換回路970等の他の回路のテスト時には電圧の出力を停止し、基準電圧回路910の出力端子をハイインピーダンス状態に設定する必要があるという問題がある。
When the reference voltage VREF is not supplied from the
またA/D変換回路970のテスト時に、A/D変換回路970に安定した基準電圧VREFを供給するためには、プローブにキャパシタを接続してA/D変換回路970を検査する必要がある。ところが、図12の比較例で、このようにキャパシタを接続したプローブをパッド912に接触させてテストを行うと、このキャパシタが原因となって基準電圧回路910の動作が不安定になるおそれがある。このため、同一プローブを用いてテストできないという課題がある。
In order to supply a stable reference voltage VREF to the A /
この点、本実施形態では図11(A)に示すように、基準電圧回路10の出力端子が接続されるパッド12と、A/D変換回路70の入力端子が接続されるパッド14が別々に形成される。従って、基準電圧回路10の単体でのテストと、A/D変換回路70の単体でのテストを独立して行うことが可能になる。
In this regard, in this embodiment, as shown in FIG. 11A, the
例えば基準電圧回路10をテストする場合には、図11(B)に示すようにICテスタ110のプローブをパッド12に接触させて基準電圧VREFを測定すればよい。またA/D変換回路70をテストする場合には、図11(C)に示すようにICテスタ110のプローブをパッド14に接触させ、ICテスタ110からA/D変換回路70に基準電圧VREFを供給してテストすればよい。従って本実施形態によれば、A/D変換回路70をテストする場合に、基準電圧回路10の出力端子をハイインピーダンス状態に設定する必要がなく、利便性を向上できる。
For example, when testing the
また本実施形態では図11(C)に示すように、ICテスタ110から基準電圧VREFを供給してA/D変換回路70をテストする。この場合に本実施形態では、集積回路装置100(ICチップ)の内部ではパッド12と14が接続されていない。従ってICテスタ110のプローブに接続されたキャパシタが、基準電圧回路10の安定動作に対して悪影響を及ぼすことがない。従って図12の比較例とは異なり、同一のプローブを用いてテストを行うことが可能になり、テストの利便性を向上できる。
In this embodiment, as shown in FIG. 11C, the reference voltage VREF is supplied from the
なお、上記のように本実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるであろう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。例えば、明細書又は図面において、少なくとも一度、より広義または同義な異なる用語(第1の電源、第2の電源、第1導電型、第2導電型等)と共に記載された用語(VSS、VDD、N型、P型等)は、明細書又は図面のいかなる箇所においても、その異なる用語に置き換えることができる。また基準電圧回路、差動増幅回路、差動部、出力部、スイッチ回路等の構成、動作も本実施形態で説明したものに限定に限定されず、種々の変形実施が可能である。例えば出力部は図8(A)や図10(A)に示す構成に限定されず、他のトランジスタや他の素子を追加する等の変形実施が可能である。 Although the present embodiment has been described in detail as described above, it will be easily understood by those skilled in the art that many modifications can be made without departing from the novel matters and effects of the present invention. Accordingly, all such modifications are intended to be included in the scope of the present invention. For example, in the specification or the drawings, terms (VSS, VDD, VDD), VDD or VDD, which are described together with different terms having a broader meaning or the same meaning (first power supply, second power supply, first conductivity type, second conductivity type, etc.) at least once. N-type, P-type, etc.) can be replaced by the different terms in any part of the specification or drawings. The configurations and operations of the reference voltage circuit, the differential amplifier circuit, the differential unit, the output unit, the switch circuit, and the like are not limited to those described in the present embodiment, and various modifications can be made. For example, the output unit is not limited to the structure shown in FIGS. 8A and 10A, and modifications such as addition of other transistors or other elements are possible.
VSS 第1の電源、VDD 第2の電源、VREF 基準電圧、VCT 定電圧、
IT1、IT2 第1、第2の入力端子、DQ、QQ、AQ 出力端子、
CC 位相補償用トランジスタ、TD1 駆動トランジスタ、
10 基準電圧回路、12、14 パッド、20 定電圧回路、22 調整回路、
30 差動増幅回路、40 差動部、50 出力部、52 スイッチ回路、
54 負荷素子、56 電流源、60 スイッチ回路、70 A/D変換回路
VSS first power supply, VDD second power supply, VREF reference voltage, VCT constant voltage,
IT1, IT2 first and second input terminals, DQ, QQ, AQ output terminals,
CC phase compensation transistor, TD1 drive transistor,
10 reference voltage circuit, 12 and 14 pads, 20 constant voltage circuit, 22 adjustment circuit,
30 differential amplifier circuit, 40 differential section, 50 output section, 52 switch circuit,
54 load elements, 56 current sources, 60 switch circuits, 70 A / D conversion circuits
Claims (9)
前記差動増幅回路は、
前記第1、第2の入力端子を有する差動部と、
出力部と、
前記出力部の出力端子と前記差動部の出力端子との間に設けられる位相補償用キャパシタと、
前記位相補償用キャパシタの一端と前記差動部の出力端子との間に設けられる第1のスイッチ回路とを含み、
前記第1のスイッチ回路は、
通常動作時には、前記位相補償用キャパシタの一端と前記差動部の出力端子との間の接続をオフにし、テスト時には、前記位相補償用キャパシタの一端と前記差動部の出力端子との間の接続をオンにし、
前記出力部の利得は、
テスト時における利得より、通常動作時における利得が低く設定されることを特徴とする基準電圧回路。 A differential amplifier circuit in which a constant voltage is input to the first input terminal, and a reference voltage output to the output terminal is input to the second input terminal;
The differential amplifier circuit is:
A differential section having the first and second input terminals;
An output section;
A phase compensation capacitor provided between the output terminal of the output unit and the output terminal of the differential unit;
A first switch circuit provided between one end of the phase compensation capacitor and the output terminal of the differential unit;
The first switch circuit includes:
During normal operation, the connection between one end of the phase compensation capacitor and the output terminal of the differential unit is turned off, and during testing, between one end of the phase compensation capacitor and the output terminal of the differential unit. Turn on the connection,
The gain of the output unit is
A reference voltage circuit characterized in that a gain in a normal operation is set lower than a gain in a test.
前記出力部は、
そのゲートに前記差動部の出力端子が接続される駆動トランジスタと、
第2のスイッチ回路と、
前記第2のスイッチ回路と電源との間に設けられる負荷素子と、
前記第2のスイッチ回路と電源との間に設けられる電流源とを含み、
前記第2のスイッチ回路は、
通常動作時には、前記駆動トランジスタのドレインと前記負荷素子との間の接続をオンにし、テスト時には、前記駆動トランジスタのドレインと前記電流源との間の接続をオンにすることを特徴とする基準電圧回路。 In claim 1,
The output unit is
A driving transistor whose gate is connected to the output terminal of the differential section;
A second switch circuit;
A load element provided between the second switch circuit and a power source;
A current source provided between the second switch circuit and a power source,
The second switch circuit includes:
A reference voltage characterized in that the connection between the drain of the driving transistor and the load element is turned on during normal operation, and the connection between the drain of the driving transistor and the current source is turned on during testing. circuit.
前記負荷素子は、そのゲートとドレインが接続されたトランジスタ、ダイオード又は抵抗素子であることを特徴とする基準電圧回路。 In claim 2,
The reference voltage circuit, wherein the load element is a transistor, a diode or a resistance element having a gate and a drain connected to each other.
前記電流源は、そのゲートにバイアス電圧が入力されるトランジスタであることを特徴とする基準電圧回路。 In claim 2 or 3,
The reference voltage circuit according to claim 1, wherein the current source is a transistor having a bias voltage input to a gate thereof.
入力された前記定電圧を調整する調整回路を含むことを特徴とする基準電圧回路。 In any one of Claims 1 thru | or 4,
A reference voltage circuit comprising an adjustment circuit for adjusting the inputted constant voltage.
複数の前記差動増幅回路を含み、
前記調整回路は、入力された定電圧に基づいて複数の定電圧を出力し、
前記複数の差動増幅回路の第1の入力端子の各々には、前記調整回路からの複数の定電圧の各々が入力されることを特徴とする基準電圧回路。 In claim 5,
A plurality of the differential amplifier circuits;
The adjustment circuit outputs a plurality of constant voltages based on the input constant voltage,
Each of the plurality of constant voltages from the adjustment circuit is input to each of the first input terminals of the plurality of differential amplifier circuits.
前記調整回路は、低電位側の第Kの定電圧と高電位側の第Lの定電圧を出力し、
前記複数の差動増幅回路のうち、その第1の入力端子に前記第Kの定電圧が入力される第Kの差動増幅回路は、その出力部が第1導電型の駆動トランジスタを含み、
前記複数の差動増幅回路のうち、その第1の入力端子に前記第Lの定電圧が入力される第Lの差動増幅回路は、その出力部が第2導電型の駆動トランジスタを含むことを特徴とする基準電圧回路。 In claim 6,
The adjustment circuit outputs a low-potential-side Kth constant voltage and a high-potential-side Lth constant voltage,
Of the plurality of differential amplifier circuits, the Kth differential amplifier circuit in which the Kth constant voltage is input to the first input terminal includes an output portion including a first conductivity type drive transistor,
Of the plurality of differential amplifier circuits, the L-th differential amplifier circuit in which the L-th constant voltage is input to the first input terminal has an output portion including a drive transistor of the second conductivity type. Reference voltage circuit characterized by.
前記基準電圧回路から出力された基準電圧に基づいて、アナログ電圧をデジタルデータに変換するA/D変換回路と
前記基準電圧回路の出力端子に接続される第1のパッドと、
前記A/D変換回路の入力端子に接続され、前記第1のパッドとは分離して形成される第2のパッドとを含むことを特徴とする集積回路装置。 A reference voltage circuit according to any one of claims 1 to 7;
An A / D conversion circuit that converts an analog voltage into digital data based on a reference voltage output from the reference voltage circuit; a first pad connected to an output terminal of the reference voltage circuit;
An integrated circuit device comprising: a second pad connected to an input terminal of the A / D conversion circuit and formed separately from the first pad.
前記第1、第2のパッドはボンディングワイヤにより接続されることを特徴とする集積回路装置。
In claim 8,
The integrated circuit device, wherein the first and second pads are connected by a bonding wire.
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