JP4751998B2 - Two-photon absorption material - Google Patents
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Description
本発明は、π共役炭化水素ユニットとホウ素原子が結合している有機ホウ素化合物を含む二光子吸収材料に関するものである。 The present invention relates to a two-photon absorption materials containing organic boron compound π-conjugated hydrocarbon units and boron atoms are bonded.
二光子吸収とは、1個の分子が、一度に2個の光子(フォトン、Photon)を同時に吸収することにより、分子が基底状態から励起状態へ遷移する現象のことである。 Two-photon absorption is a phenomenon in which a molecule transitions from a ground state to an excited state by simultaneously absorbing two photons (photons, Photons) at one time.
このような分子の励起状態への遷移を生じさせる場合、2個の光子のエネルギーは、同じであっても異なっていてもよい。二光子吸収を生じる材料(以下、「二光子吸収材料」と称する。)を用いて光メモリ媒体などの記憶媒体を形成すれば、この記憶媒体の所定の位置に、ビットデータを記録することができる。すなわち、記憶媒体の所定の位置に、その記憶媒体の基底状態と励起状態のエネルギーギャップの半分に相当する波長を有するレーザ光を照射させ、二光子吸収過程により、記憶媒体内に構造変化などに由来する屈折率変化を引き起こさせ、この屈折率変化を所定の位置にビットデータとして記憶することができる。 When causing such a transition to the excited state of the molecule, the energy of the two photons may be the same or different. If a storage medium such as an optical memory medium is formed using a material that generates two-photon absorption (hereinafter referred to as “two-photon absorption material”), bit data can be recorded at a predetermined position of the storage medium. . That is, a laser beam having a wavelength corresponding to half of the energy gap between the ground state and the excited state of the storage medium is irradiated to a predetermined position of the storage medium, and the structure of the storage medium is changed by a two-photon absorption process. The derived refractive index change can be caused, and this refractive index change can be stored as bit data at a predetermined position.
二光子吸収過程は、入射光の光強度の二乗に比例して起こることから、一光子吸収過程に比べて、記憶媒体の所定の位置に形成される屈折率変化によるスポットサイズ、特に光軸方向についてのサイズを小さくすることができる。この光軸方向にビームの広がりを小さく抑えることができるということは、高密度な三次元光記録の実現に益することができる。すなわち、各層にビットデータの光書き込みを行う積層型薄膜素子において、各層のスペースを一光子型に比較して小さくすることが可能となり、その結果、高密度化が達成されることとなる。 Since the two-photon absorption process occurs in proportion to the square of the light intensity of the incident light, compared to the one-photon absorption process, the spot size due to the change in the refractive index formed at a predetermined position of the storage medium, particularly in the optical axis direction. Can be reduced in size. The ability to suppress the spread of the beam in the direction of the optical axis can be beneficial for realizing high-density three-dimensional optical recording. That is, in a stacked thin film element in which bit data is optically written to each layer, the space of each layer can be made smaller than that of the one-photon type, and as a result, high density can be achieved.
従来、二光子吸収型の光記憶媒体を実現するにあたり、主に、以下の二つの方式に関しての研究開発がなされていた。 Conventionally, in order to realize a two-photon absorption type optical storage medium, research and development have been mainly conducted on the following two methods.
(1)従来の一光子吸収型記憶材料を二光子吸収型に転用して用いる方式
(2)二光子吸収型として開発されたπ電子共役分子を適用する方式
ここで、(1)の方式については、アゾベンゼン、スピロピラン、ジアリールエテンなどの光異性化材料を二光子吸収材料に転用して用いていた(例えば、非特許文献1参照。)。また、(2)の方式では、ポリアセチレン、ポリジアセチレン、ポリアリレンビニレン、ポルフィリンなどの三次非線形光学材料を二光子吸収材料として用いていた(例えば、非特許文献2参照。)。
しかしながら、これらの方式による材料には、それぞれの問題があった。すなわち、(1)の方式による材料は、当然、二光子吸収材料として開発されたものではないことから、二光子吸収効率が低く、安価な小型レーザ装置を用いての光記憶が行えず、実用的でないという問題があった。(2)の方式による材料でも、(1)の方式による材料と比べれば、二光子吸収効率は1〜2桁程度大きいものの、実用的な光記憶媒体の性能を考慮すると、十分なレベルに達しておらず、また、二光子吸収係数がある程度高くても、一光子吸収の寄与による熱効果の影響が完全に排除できないという問題があった。もちろん、熱効果の影響は、(1)の方式による材料でも排除できていない。 However, these materials have their respective problems. That is, since the material of the method (1) is not naturally developed as a two-photon absorption material, the two-photon absorption efficiency is low, and optical storage using an inexpensive small laser device cannot be performed. There was a problem that it was not right. Even if the material according to the method (2) is two-photon absorption efficiency is about 1 to 2 orders of magnitude higher than the material according to the method (1), it reaches a sufficient level in consideration of the performance of a practical optical storage medium. In addition, there is a problem that even if the two-photon absorption coefficient is high to some extent, the influence of the thermal effect due to the contribution of one-photon absorption cannot be completely eliminated. Of course, the influence of the thermal effect cannot be eliminated even with the material of the method (1).
(1)および(2)の方式の材料は、有機溶媒への溶解性が低く、このため実用的なデバイス素子である薄膜素子などを簡便に作製するには適さないという問題があった。また、これらの材料系では、一旦励起状態に励起されても、光照射後は速やかに基底状態に戻ることから、そのままでは屈折率変化を定着するのが困難であるという問題もあった。(1)の方式で用いられる材料は、二光子吸収係数(二光子吸収効率)を大きくするためにπ共役系を拡大することによって生じる致命的な欠陥のいずれかを有しており、この致命的な欠陥の全てを有していない理想的な材料は見出されていなかった。 The materials of the methods (1) and (2) have a low solubility in organic solvents, and therefore have a problem that they are not suitable for easily producing a thin film element or the like which is a practical device element. In addition, these material systems have a problem that once they are excited to an excited state, they quickly return to the ground state after light irradiation, and it is difficult to fix the refractive index change as it is. The material used in the method (1) has one of fatal defects caused by expanding the π-conjugated system in order to increase the two-photon absorption coefficient (two-photon absorption efficiency). No ideal material has been found that does not have all of the flaws.
一方、二光子吸収に関する理論検討の分野では、対称性に優れるπ共役系を拡大したり、π共役系の中に窒素原子を導入すると、空軌道(LUMOおよびLUMO+1LUMO)がπ共役系の中心近傍に偏在し、占有軌道(HOMOおよびHOMO−1)がπ共役系の端偏在することにより軌道の歪みが大きくなり、これによって3次の非線形光学効果や二光子吸収効率が増大するとの報告があった。このような現象に関して、実験的にも低分子ながら比較的大きな二光子吸収係数を有する材料が見つかっているが、実用材料の開発指針としては不十分であった。 On the other hand, in the field of theoretical studies on two-photon absorption, when a π-conjugated system with excellent symmetry is expanded or a nitrogen atom is introduced into the π-conjugated system, the empty orbit (LUMO and LUMO + 1LUMO) is near the center of the π-conjugated system. There is a report that orbital distortion increases due to uneven distribution of the occupied orbitals (HOMO and HOMO-1) at the end of the π-conjugated system, thereby increasing the third-order nonlinear optical effect and the two-photon absorption efficiency. It was. Regarding such a phenomenon, a material having a relatively large two-photon absorption coefficient has been found experimentally even though it is a low molecule, but it is insufficient as a guideline for developing a practical material.
このようなことから、二光子吸収材料は、二光子吸収の大きな分子構造を有するとともに、二光子吸収によって生じる励起状態が屈折率変化を誘起する分子構造が必要であった。 For this reason, the two-photon absorption material has a molecular structure in which a two-photon absorption has a large molecular structure and an excited state caused by the two-photon absorption induces a refractive index change.
特に、二光子吸収の大きな分子構造については、上述のようなπ共役系の拡大に起因する実励起や、二光子吸収材料が溶媒に不溶になることを避けながら、実現しなければならなかった。 In particular, a molecular structure with a large two-photon absorption had to be realized while avoiding actual excitation due to the expansion of the π-conjugated system as described above and the two-photon absorbing material becoming insoluble in the solvent. .
本発明は、前記事情に鑑みてなされたもので、二光子吸収効果に寄与する分子軌道の歪を有するとともに、溶媒に可溶な有機ホウ素化合物および二光子吸収材料を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide an organic boron compound and a two-photon absorption material that have a molecular orbital distortion contributing to the two-photon absorption effect and are soluble in a solvent. .
本発明者等は、上述のような実励起や、溶媒への不溶化を回避するために、単にπ共役系を拡大するのではなく、二光子吸収効果に寄与する分子軌道の歪を積極的に作り出すべく、π共役系内にヘテロ原子を導入することを鋭意検討した結果、ホウ素原子がπ共役系と結合した有機ホウ素化合物を含む二光子吸収材料は、LUMOおよびその付近の空軌道でホウ素原子寄りにπ電子の歪みが偏り、実吸収のない波長域で通常に比べ2桁以上大きな二光子吸収効率を有することを見出し、本発明を完成するに至った。 In order to avoid actual excitation and insolubilization in a solvent as described above, the present inventors do not simply expand the π-conjugated system, but actively apply molecular orbital distortion that contributes to the two-photon absorption effect. As a result of intensive investigation into introducing a hetero atom into a π-conjugated system to produce a two-photon absorption material containing an organoboron compound in which a boron atom is bonded to a π-conjugated system, The present inventors have found that two-photon absorption efficiency is larger by two digits or more than usual in a wavelength region where there is no real absorption, and π electron distortion is biased, and the present invention has been completed.
さらに、有機ホウ素化合物のホウ素原子の部位は、他の部位と比べて不安定で解裂しやすいことを見出し、本発明を完成するに至った。ホウ素原子の部位が解裂しやすいということは、光照射により結合分裂が引き起こされ、その結果、他に何の手立てを施すことなく、屈折率変化を定着することが可能であるという特長を有する。 Furthermore, the site | part of the boron atom of the organoboron compound was found to be unstable and easily cleaved as compared with other sites, and the present invention was completed. The fact that the boron atom site is easily cleaved has the feature that bond splitting is caused by light irradiation, and as a result, the refractive index change can be fixed without any other means. .
本発明の二光子吸収材料は、π共役炭化水素ユニットとホウ素原子が結合している有機ホウ素化合物を含み、前記有機ホウ素化合物が下記の式(4)で表されることを特徴とする。 Two-photon absorption material of the present invention, viewed contains an organic boron compound π-conjugated hydrocarbon units and boron atoms are bonded, the organic boron compound is characterized by being represented by the following formula (4).
(但し、式(4)中、X、X´は、同一であっても異なっていてもよく、下記の式(5)(但し、式(5)中、o、pは0または1を表し、qは0以上、4以下の整数を表す。Aは、下記の式(6)(但し、1個の水素原子が非環状の置換基で置換されていてもよい。);下記の式(7)(但し、1個の水素原子が非環状の置換基で置換されていてもよい。);下記の式(8)(但し、1個の水素原子が非環状の置換基で置換されていてもよい。);下記の式(9)(但し、1個の水素原子が非環状の置換基で置換されていてもよい。);下記の式(10)(但し、1個の水素原子が非環状の置換基で置換されていてもよい。);または、下記の式(11)(破線は適宜二重結合を表し;Jは置換基を有していてもよい炭素原子、窒素原子、酸素原子または硫黄原子を表し;Tは置換基を有していてもよい炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子または単結合を表し;Qは置換基を有していてもよい炭素原子、窒素原子、酸素原子または硫黄原子を表し;Mは置換基を有していてもよい炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子または単結合を表し;Lは置換基を有していてもよい炭素原子、窒素原子、酸素原子または硫黄原子を表し;JとTまたはTとQは一緒になって、1,4−ジオキサン環またはベンゼン環を形成していてもよい。)を表す。Dは、炭素数が3以上、10以下のシクロアルキル基;炭素数が2以上、6以下のアルケニレン基;カルバゾリル基;水素原子が、置換基を有していてもよいフェニル基またはアルキル基で置換されていてもよいアミノ基;ピリジニル基;ピラジニレン基;置換基を有していてもよいチオフェニル基;置換基を有していてもよいフェニル基;置換基を有していてもよいフェニレン基を表す。Eは、1個または2個の水素原子が、炭素数が1以上、10以下のアルキル基で置換されていてもよいフェニル基;1個の水素原子が、炭素数が1以上、6以下のアルキル基で置換されていてもよいピリジニル基;1個の水素原子が、炭素数が1以上、6以下のアルキル基で置換されていてもよいチオフェニル基;1個の水素原子が、炭素数が1以上、6以下のアルキル基で置換されていてもよいチオフェニレン基;を表す。Gは、水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数が1以上、4以下のアルキル基;水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数が1以上、12以下のアルコキシ基;ハロゲン原子;シアノ基を表し、q個のGは同一であっても異なっていてもよい。)で表される。)(However, in the formula (4), X and X ′ may be the same or different, and the following formula (5) (in the formula (5), o and p represent 0 or 1). , Q represents an integer of 0 or more and 4 or less, A represents the following formula (6) (wherein one hydrogen atom may be substituted with an acyclic substituent); 7) (However, one hydrogen atom may be substituted with an acyclic substituent.); The following formula (8) (However, one hydrogen atom is substituted with an acyclic substituent.) The following formula (9) (however, one hydrogen atom may be substituted with a non-cyclic substituent); the following formula (10) (however, one hydrogen atom) Or may be substituted with an acyclic substituent.); Or the following formula (11) (the broken line represents a double bond as appropriate; J represents an optionally substituted carbon atom or nitrogen atom) , T represents a carbon atom, nitrogen atom, oxygen atom, sulfur atom or single bond which may have a substituent; Q represents a carbon atom which may have a substituent; Represents a nitrogen atom, an oxygen atom or a sulfur atom; M represents an optionally substituted carbon atom, a nitrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom or a single bond; and L represents an optionally substituted group. Represents a carbon atom, a nitrogen atom, an oxygen atom or a sulfur atom; and J and T or T and Q may be combined to form a 1,4-dioxane ring or a benzene ring. A cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms; an alkenylene group having 2 to 6 carbon atoms; a carbazolyl group; a hydrogen atom substituted with an optionally substituted phenyl group or alkyl group Optionally amino group; pyridini A thiophenyl group which may have a substituent, a phenyl group which may have a substituent, a phenylene group which may have a substituent, and E is one or 2 hydrogen atoms may be substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; one hydrogen atom is substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms An optionally substituted pyridinyl group; a thiophenyl group in which one hydrogen atom may be substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms; one hydrogen atom having 1 to 6 carbon atoms G represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms in which a hydrogen atom may be substituted with a halogen atom; a hydrogen atom substituted with a
本発明の二光子吸収材料は、π共役炭化水素ユニットとホウ素原子が結合している有機ホウ素化合物を含み、前記有機ホウ素化合物が下記の式(20)で表されることを特徴とする。The two-photon absorption material of the present invention includes an organic boron compound in which a π-conjugated hydrocarbon unit and a boron atom are bonded, and the organic boron compound is represented by the following formula (20).
(但し、式(20)中、X、X´は、同一であっても異なっていてもよく(但し、X´はなくてもよい。)、mは2以上、10000以下の整数を表し、下記の式(21)(但し、式(21)中、o、pは0または1を表し、qは0以上、4以下の整数を表す。Aは、下記の式(22)(但し、1個の水素原子が非環状の置換基で置換されていてもよい。);下記の式(23)(但し、1個の水素原子が非環状の置換基で置換されていてもよい。);下記の式(24)(但し、1個の水素原子が非環状の置換基で置換されていてもよい。);下記の式(25)(但し、1個の水素原子が非環状の置換基で置換されていてもよい。);下記の式(26)(但し、1個の水素原子が非環状の置換基で置換されていてもよい。);または、下記の式(27)(破線は適宜二重結合を表し;Jは置換基を有していてもよい炭素原子、窒素原子、酸素原子または硫黄原子を表し;Tは置換基を有していてもよい炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子または単結合を表し;Qは置換基を有していてもよい炭素原子、窒素原子、酸素原子または硫黄原子を表し;Mは置換基を有していてもよい炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子または単結合を表し;Lは置換基を有していてもよい炭素原子、窒素原子、酸素原子または硫黄原子を表し;JとTまたはTとQは一緒になって、1,4−ジオキサン環またはベンゼン環を形成していてもよい。)を表す。Dは、炭素数が3以上、10以下のシクロアルキル基;炭素数が2以上、6以下のアルケニレン基;カルバゾリル基;水素原子が、置換基を有していてもよいフェニル基またはアルキル基で置換されていてもよいアミノ基;ピリジニル基;ピラジニレン基;置換基を有していてもよいチオフェニル基;置換基を有していてもよいフェニル基;置換基を有していてもよいフェニレン基を表す。Eは、1個または2個の水素原子が、炭素数が1以上、10以下のアルキル基で置換されていてもよいフェニル基;1個の水素原子が、炭素数が1以上、6以下のアルキル基で置換されていてもよいピリジニル基;1個の水素原子が、炭素数が1以上、6以下のアルキル基で置換されていてもよいチオフェニル基を表す。Gは、水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数が1以上、4以下のアルキル基;水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数が1以上、12以下のアルコキシ基;ハロゲン原子;シアノ基を表し、q個のGは同一であっても異なっていてもよい。)で表される。)(In the formula (20), X and X ′ may be the same or different (provided that X ′ may not be present), and m represents an integer of 2 or more and 10,000 or less, The following formula (21) (where, o and p in formula (21) represent 0 or 1, q represents an integer of 0 or more and 4 or less. A represents the following formula (22) (however, 1 Wherein one hydrogen atom may be substituted with an acyclic substituent.); Formula (23) below (wherein one hydrogen atom may be substituted with an acyclic substituent); The following formula (24) (however, one hydrogen atom may be substituted with a non-cyclic substituent); the following formula (25) (where one hydrogen atom is a non-cyclic substituent) The following formula (26) (however, one hydrogen atom may be substituted with an acyclic substituent); or the following formula ( 27) (The broken line represents a double bond as appropriate; J represents an optionally substituted carbon atom, nitrogen atom, oxygen atom or sulfur atom; T represents an optionally substituted carbon atom. Represents a nitrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom or a single bond; Q represents an optionally substituted carbon atom, a nitrogen atom, an oxygen atom or a sulfur atom; M represents an optionally substituted group; Represents a good carbon atom, nitrogen atom, oxygen atom, sulfur atom or single bond; L represents a carbon atom, nitrogen atom, oxygen atom or sulfur atom which may have a substituent; J and T or T and Q Together may form a 1,4-dioxane ring or a benzene ring.) D represents a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms; The following alkenylene group; carbazolyl group; hydrogen atom is a substituent A phenyl group which may have an amino group which may be substituted with an alkyl group; a pyridinyl group; a pyrazinylene group; a thiophenyl group which may have a substituent; a phenyl group which may have a substituent Represents a phenylene group which may have a substituent, and E represents a phenyl group in which one or two hydrogen atoms may be substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; One hydrogen atom may be substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms; one hydrogen atom is substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms; G represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms in which a hydrogen atom may be substituted with a halogen atom, and G represents 1 carbon atom in which a hydrogen atom may be substituted with a halogen atom. More than 12 Alkoxy group, a halogen atom, a cyano group, q number of G may be different even in the same. ). )
本発明の二光子吸収材料において、Jは置換基を有していてもよい炭素原子、窒素原子または硫黄原子を表し、Tは置換基を有していてもよい炭素原子、窒素原子または単結合を表し、Qは置換基を有していてもよい炭素原子、窒素原子または硫黄原子を表し、Mは置換基を有していてもよい炭素原子、窒素原子または単結合を表すことが好ましい。In the two-photon absorption material of the present invention, J represents an optionally substituted carbon atom, nitrogen atom or sulfur atom, and T represents an optionally substituted carbon atom, nitrogen atom or single bond. Q represents an optionally substituted carbon atom, nitrogen atom or sulfur atom, and M preferably represents an optionally substituted carbon atom, nitrogen atom or single bond.
本発明の二光子吸収材料において、Aは、下記の式(36)(但し、1個の水素原子が、水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数が1以上、4以下のアルキル基;水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数が1以上、12以下のアルコキシ基;水素原子が、炭素数が1以上、2以下のアルキル基を有していてもよいフェニル基、または、炭素数が1以上、2以下のアルキル基で置換されていてもよいアミノ基;−B(Mes)In the two-photon absorption material of the present invention, A represents the following formula (36) (wherein one hydrogen atom is an alkyl having 1 to 4 carbon atoms in which the hydrogen atom may be substituted with a halogen atom) A group; an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms in which a hydrogen atom may be substituted with a halogen atom; a phenyl group in which a hydrogen atom may have an alkyl group having 1 to 2 carbon atoms Or an amino group optionally substituted by an alkyl group having 1 to 2 carbon atoms; -B (Mes) 22 (但し、Mesは、下記の式(37)で表される。);−Si(CH(However, Mes is represented by the following formula (37).); —Si (CH 33 )) 33 ;−Si(C-Si (C 66 HH 55 )) 33 ;シアノ基;ハロゲン原子で置換されていてもよい。)で表されることが好ましい。Cyano group; optionally substituted with a halogen atom; ) Is preferable.
本発明の二光子吸収材料において、Aは、下記の式(38)(但し、1個の水素原子が、水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数が1以上、4以下のアルキル基;水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数が1以上、4以下のアルコキシ基で置換されていてもよい。)で表されることが好ましい。In the two-photon absorption material of the present invention, A is represented by the following formula (38) (wherein one hydrogen atom is an alkyl having 1 to 4 carbon atoms in which the hydrogen atom may be substituted with a halogen atom) A hydrogen atom may be substituted with a halogen atom, and may be substituted with an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms.
本発明の二光子吸収材料において、Aは、下記の式(39)(但し、1個の水素原子が、水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数が1以上、4以下のアルキル基で置換されていてもよい。)で表されることが好ましい。 In the two-photon absorption material of the present invention, A is represented by the following formula (39) (wherein one hydrogen atom is an alkyl having 1 to 4 carbon atoms in which the hydrogen atom may be substituted with a halogen atom) It may be substituted with a group .
本発明の二光子吸収材料において、Aは、下記の式(40)(但し、1個の水素原子が、水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数が1以上、4以下のアルキル基で置換されていてもよい。)で表されることが好ましい。In the two-photon absorption material of the present invention, A represents the following formula (40) (provided that one hydrogen atom is an alkyl having 1 to 4 carbon atoms in which the hydrogen atom may be substituted with a halogen atom) It may be substituted with a group.
本発明の二光子吸収材料において、Aは、下記の式(41)(但し、1個の水素原子が、水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数が1以上、8以下のアルキル基で置換されていてもよい。)で表されることが好ましい。In the two-photon absorption material of the present invention, A represents the following formula (41) (wherein one hydrogen atom is an alkyl having 1 to 8 carbon atoms in which the hydrogen atom may be substituted with a halogen atom) It may be substituted with a group.
本発明の二光子吸収材料において、Aは、下記の式(42)(但し、窒素原子が、炭素数が1以上、4以下のアルキル基で置換されていてもよい。)で表されることが好ましい。In the two-photon absorption material of the present invention, A is represented by the following formula (42) (however, the nitrogen atom may be substituted with an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms). Is preferred.
本発明の二光子吸収材料において、Aは、下記の式(43)(但し、窒素原子が、炭素数が1以上、4以下のアルキル基で置換されていてもよい。)で表されることが好ましい。In the two-photon absorption material of the present invention, A is represented by the following formula (43) (however, the nitrogen atom may be substituted with an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms). Is preferred.
本発明の二光子吸収材料において、Aは、下記の式(44)(但し、窒素原子が、炭素数が1以上、4以下のアルキル基で置換されていてもよい。)で表されることが好ましい。 In the two-photon absorption material of the present invention, A is represented by the following formula (44) (however, the nitrogen atom may be substituted with an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms). Is preferred.
本発明の二光子吸収材料において、Dは、炭素数が3以上、6以下のシクロアルキル基;炭素数が2以上、3以下のアルケニレン基;炭素数が1以上、10以下のアルキル基、または、炭素数が1以上、3以下のアルコシキ基で置換されていてもよいフェニル基;1個の水素原子が、炭素数が1以上、4以下のアルキル基で置換されていてもよいフェニル基または炭素数が1以上、4以下のアルキル基で置換されていてもよいアミノ基;1個の水素原子が、炭素数が1以上、4以下のアルキル基で置換されていてもよいチオフェニル基;チオフェニレン基を表すことが好ましい。In the two-photon absorption material of the present invention, D is a cycloalkyl group having 3 to 6 carbon atoms; an alkenylene group having 2 to 3 carbon atoms; an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; or A phenyl group which may be substituted with an alkoxy group having 1 to 3 carbon atoms; a phenyl group in which one hydrogen atom may be substituted with an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or An amino group which may be substituted with an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms; a thiophenyl group in which one hydrogen atom may be substituted with an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms; It preferably represents a phenylene group.
本発明の二光子吸収材料において、Eは、1個または2個の水素原子が、炭素数が1以上、8以下のアルキル基で置換されていてもよいフェニル基;1個の水素原子が、炭素数が1以上、4以下のアルキル基で置換されていてもよいチオフェニル基を表すことが好ましい。In the two-photon absorption material of the present invention, E is a phenyl group in which one or two hydrogen atoms may be substituted with an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms; It preferably represents a thiophenyl group which may be substituted with an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
本発明の二光子吸収材料において、Gは、水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよいメチル基;n−ヘキソキシ基を表すことが好ましい。In the two-photon absorption material of the present invention, G preferably represents a methyl group in which a hydrogen atom may be substituted with a halogen atom; an n-hexoxy group.
本発明の二光子吸収材料において、上記の式(4)、式(20)において、XおよびX´が下記の式(45)〜(114)のいずれかで表されることが好ましい。In the two-photon absorption material of the present invention, in the above formulas (4) and (20), X and X ′ are preferably represented by any of the following formulas (45) to (114).
本発明の二光子吸収材料において、上記の式(4)、式(20)において、Xが式(116)、X´が式(117)で表されるか、もしくはXが式(118)、X´が式(119)で表されるか、もしくはXが式(120)、X´が式(121)で表されるか、もしくはXが式(122)、X´が式(123)で表されるか、またはXが式(124)、X´が式(125)で表されるものであることが好ましい。In the two-photon absorption material of the present invention, in the above formula (4) and formula (20), X is represented by formula (116), X ′ is represented by formula (117), or X is represented by formula (118), X ′ is represented by formula (119), or X is represented by formula (120), X ′ is represented by formula (121), or X is represented by formula (122), and X ′ is represented by formula (123). It is preferable that X is represented by the formula (124) and X ′ is represented by the formula (125).
本発明の二光子吸収材料は、π共役炭化水素ユニットとホウ素原子が結合している有機ホウ素化合物を含むので、紫外光の照射によりホウ素原子近傍の結合が選択的に断裂する。したがって、本発明の二光子吸収材料を用いて光記憶媒体を作製し、二光子吸収過程によって光記憶媒体に結合断裂を生じさせれば、小スポット化および三次元化による、光記憶媒体の大容量化が可能となる。さらに、二光子吸収過程を利用することにより、ビームの小スポット化が可能となるので、光記憶媒体に対する三次元光書込みが容易となる。また、本発明の二光子吸収材料および有機ホウ素化合物は、各種有機溶媒に可溶である。 Since the two-photon absorption material of the present invention contains an organic boron compound in which a π-conjugated hydrocarbon unit and a boron atom are bonded, the bond in the vicinity of the boron atom is selectively broken by irradiation with ultraviolet light. Therefore, if an optical storage medium is produced using the two-photon absorption material of the present invention, and the bond breaks in the optical storage medium by the two-photon absorption process, the size of the optical storage medium can be increased by reducing the spot size and making it three-dimensional. Capacitance can be achieved. In addition, by using the two-photon absorption process, it is possible to reduce the beam spot, so that three-dimensional optical writing to the optical storage medium is facilitated. Moreover, the two-photon absorption material and the organic boron compound of the present invention are soluble in various organic solvents.
以下、本発明の二光子吸収材料および有機ホウ素化合物について詳細に説明する。 Hereinafter, the two-photon absorption material and the organoboron compound of the present invention will be described in detail.
本発明の二光子吸収材料は、π共役炭化水素ユニットとホウ素原子が結合している有機ホウ素化合物を含むものである。 The two-photon absorption material of the present invention contains an organic boron compound in which a π-conjugated hydrocarbon unit and a boron atom are bonded.
有機ホウ素化合物は、好ましくは、下記の式(126)または式(127)で表される。 The organoboron compound is preferably represented by the following formula (126) or formula (127).
但し、上記の式(126)および式(127)中、R2、R3は炭素数が2以上のアルキル基、アリール基またはヘテロアリール基を表す。 However, in the above formula (126) and formula (127), R 2 and R 3 represent an alkyl group, aryl group or heteroaryl group having 2 or more carbon atoms.
炭素数が2以上のアルキル基としては、例えば、エチル基、n−プロピル基、iso−プロピル基、n−ブチル基、2−ブチル基、t−ブチル基、2−メチルブチル基、3−メチルブチル基、シクロヘキシルメチル基、ネオペンチル基、2−エチルブチル基、2−ブチル基、シクロヘキシル基、3−ペンチル基などの直鎖状、分岐鎖状、もしくは、環状のアルキル基などが挙げられる。これらのうち、好ましくは、炭素数2〜12程度のアルキル基、特に好ましくは、炭素数3〜12程度の分岐鎖状のアルキル基である。 Examples of the alkyl group having 2 or more carbon atoms include an ethyl group, an n-propyl group, an iso-propyl group, an n-butyl group, a 2-butyl group, a t-butyl group, a 2-methylbutyl group, and a 3-methylbutyl group. , A cyclohexylmethyl group, a neopentyl group, a 2-ethylbutyl group, a 2-butyl group, a cyclohexyl group, a 3-pentyl group, or a linear, branched, or cyclic alkyl group. Among these, Preferably, it is a C2-C12 alkyl group, Most preferably, it is a C3-C12 branched alkyl group.
アリール基またはヘテロアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フルオレニル基、フェナンスリル基などのアリール基;チオフェニル基、ピリジル基、フラニル基、ピロリル基、ベンゾイミダゾイル基、イミダゾイル基、ピラゾイル基などのヘテロアリール基などが挙げられる。これらのうち、好ましくは、炭素数6〜12程度の単環または縮合二員環式(ヘテロ)アリール基である。これらの中でも特に好ましくは、単環式(ヘテロ)アリール基である。 As the aryl group or heteroaryl group, for example, an aryl group such as phenyl group, naphthyl group, anthranyl group, fluorenyl group, phenanthryl group; thiophenyl group, pyridyl group, furanyl group, pyrrolyl group, benzimidazolyl group, imidazolyl group, Examples include heteroaryl groups such as pyrazoyl groups. Of these, a monocyclic or condensed bimembered (hetero) aryl group having about 6 to 12 carbon atoms is preferred. Among these, a monocyclic (hetero) aryl group is particularly preferable.
また、上記の式(126)および式(127)中、R2、R3を有するベンゼン環は、R2、R3以外にさらに置換基を有していてもよい。
Further, in the above formula (126) and (127), a benzene
R2、R3を有するベンゼン環がさらに有していてもよい置換基の具体例としては、上記のR2、R3の具体例として挙げたものが相当する。 Specific examples of the substituent that the benzene ring having R 2 and R 3 may further have include those listed as specific examples of R 2 and R 3 above.
以下に、下記の式(128)〜式(133)として、R2、R3を有するベンゼン環の構造を具体的に例示するが、本発明はその要旨を超えない限り、これらに限定されるものではない。なお、下記の式(128)〜式(131)において、Meはメチル基を表す。 Hereinafter, as the following formula (128) to formula (133), the structure of the benzene ring having R 2 and R 3 is specifically exemplified, but the present invention is limited to these as long as the gist thereof is not exceeded. It is not a thing. In the following formulas (128) to (131), Me represents a methyl group.
さらに、上記の式(126)および式(127)中、X、X´は下記の一般式(134)で表される。X、X´は、同一であっても異なっていてもよい。但し、X´はなくてもよい。k個またはl個のXは同一であっても異なっていてもよい。k、lは1以上、10000以下の整数を表す。 Further, in the above formula (126) and formula (127), X and X ′ are represented by the following general formula (134). X and X ′ may be the same or different. However, X ′ may not be present. k or l X may be the same or different. k and l represent an integer of 1 or more and 10,000 or less.
上記の一般式(134)中、o、pは0または1を表し、qは0以上、4以下の整数を表す。Arは、1個以上の水素が非環状の置換基で置換されていてもよいアリール基またはヘテロアリール基を表す。 In the above general formula (134), o and p represent 0 or 1, and q represents an integer of 0 or more and 4 or less. Ar represents an aryl group or heteroaryl group in which one or more hydrogen atoms may be substituted with an acyclic substituent.
アリール基またはヘテロアリール基を構成する芳香環の具体例としては、5員環単環として、フラン環、チオフェン環、ピロール環、イミダゾール環、チアゾール環、オキサジアゾール環、六員環単環として、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、縮合環として、ナフタレン環、フェナンスレン環、ピレン環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、ベンゾフラン環、カルバゾール環、ジベンゾチオフェン環、アントラセン環などが挙げられる。 Specific examples of the aromatic ring constituting the aryl group or heteroaryl group include a 5-membered monocyclic ring, a furan ring, a thiophene ring, a pyrrole ring, an imidazole ring, a thiazole ring, an oxadiazole ring, and a 6-membered monocyclic ring. Examples of the benzene ring, pyridine ring, pyrazine ring and condensed ring include naphthalene ring, phenanthrene ring, pyrene ring, quinoline ring, isoquinoline ring, quinoxaline ring, benzofuran ring, carbazole ring, dibenzothiophene ring and anthracene ring.
Dは、炭素数が3以上、10以下のシクロアルキル基;炭素数が2以上、6以下のアルケニレン基;カルバゾリル基;水素原子が、置換基を有していてもよいフェニル基またはアルキル基で置換されていてもよいアミノ基;ピリジニル基;ピラジニレン基;置換基を有していてもよいチオフェニル基;置換基を有していてもよいフェニル基;置換基を有していてもよいフェニレン基を表す。 D represents a cycloalkyl group having 3 or more and 10 or less carbon atoms; an alkenylene group having 2 or more and 6 or less carbon atoms; a carbazolyl group; a phenyl group or an alkyl group in which a hydrogen atom may have a substituent. An optionally substituted amino group; a pyridinyl group; a pyrazinylene group; a thiophenyl group optionally having a substituent; a phenyl group optionally having a substituent; a phenylene group optionally having a substituent. Represents.
Eは、1個または2個の水素原子が、炭素数が1以上、10以下のアルキル基で置換されていてもよいフェニル基;1個の水素原子が、炭素数が1以上、6以下のアルキル基で置換されていてもよいピリジニル基;1個の水素原子が、炭素数が1以上、6以下のアルキル基で置換されていてもよいチオフェニル基;1個の水素原子が、炭素数が1以上、6以下のアルキル基で置換されていてもよいチオフェニレン基;を表す。 E represents a phenyl group in which one or two hydrogen atoms may be substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; one hydrogen atom has 1 to 6 carbon atoms A pyridinyl group optionally substituted with an alkyl group; one hydrogen atom may be a thiophenyl group optionally substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms; one hydrogen atom has a carbon number A thiophenylene group which may be substituted with 1 or more and 6 or less alkyl groups;
Gは、水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数が1以上、4以下のアルキル基;水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数が1以上、12以下のアルコキシ基;ハロゲン原子;シアノ基を表し、q個のGは同一であっても異なっていてもよい。 G represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms in which a hydrogen atom may be substituted with a halogen atom; an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms in which a hydrogen atom may be substituted with a halogen atom A halogen atom; a cyano group, and q G's may be the same or different.
また、有機ホウ素化合物は、さらに好ましくは、下記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)で表される。 Further, the organic boron compound is more preferably represented by the following formula (135), formula (136), formula (137), or formula (138).
但し、上記の式(136)中、X、X´は、同一であっても異なっていてもよく、下記の式(139)(但し、式(139)中、o、pは0または1を表し、qは0以上、4以下の整数を表す。Aは、下記の式(140)(但し、1個の水素原子が非環状の置換基で置換されていてもよい。);下記の式(141)(但し、1個の水素原子が非環状の置換基で置換されていてもよい。);下記の式(142)(但し、1個の水素原子が非環状の置換基で置換されていてもよい。);下記の式(143)(但し、1個の水素原子が非環状の置換基で置換されていてもよい。);下記の式(144)(但し、1個の水素原子が非環状の置換基で置換されていてもよい。);または、下記の式(145)(破線は適宜二重結合を表し;Jは置換基を有していてもよい炭素原子、窒素原子、酸素原子または硫黄原子を表し;Tは置換基を有していてもよい炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子または単結合を表し;Qは置換基を有していてもよい炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子を表し;Mは置換基を有していてもよい炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子または単結合を表し;Lは置換基を有していてもよい炭素原子、窒素原子、酸素原子または硫黄原子を表し;JとTまたはTとQは一緒になって、1,4−ジオキサン環またはベンゼン環を形成していてもよい。)を表す。 However, in the above formula (136), X and X ′ may be the same or different, and the following formula (139) (however, in formula (139), o and p are 0 or 1). Q represents an integer of 0 or more and 4 or less, A represents the following formula (140) (wherein one hydrogen atom may be substituted with an acyclic substituent); (141) (However, one hydrogen atom may be substituted with an acyclic substituent.); The following formula (142) (However, one hydrogen atom is substituted with an acyclic substituent.) The following formula (143) (wherein one hydrogen atom may be substituted with a non-cyclic substituent); the following formula (144) (where one hydrogen is substituted) The atom may be substituted with an acyclic substituent.); Or the following formula (145) (the broken line represents a double bond as appropriate; J represents a substituent) Represents an optionally substituted carbon atom, nitrogen atom, oxygen atom or sulfur atom; T represents an optionally substituted carbon atom, nitrogen atom, oxygen atom, sulfur atom or single bond; and Q represents a substituted group. An optionally substituted carbon atom, a nitrogen atom, an oxygen atom or a sulfur atom; M represents an optionally substituted carbon atom, a nitrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom or a single bond; L represents an optionally substituted carbon atom, nitrogen atom, oxygen atom or sulfur atom; J and T or T and Q together form a 1,4-dioxane ring or a benzene ring. May be present).
但し、上記の式(137)中、X、X´は、同一であっても異なっていてもよく(但し、X´はなくてもよい。)、mは2以上、10000以下の整数を表し、下記の式(139)(但し、式(139)中、o、pは0または1を表し、qは0以上、4以下の整数を表す。Aは、下記の式(140)(但し、1個の水素原子が非環状の置換基で置換されていてもよい。);下記の式(141)(但し、1個の水素原子が非環状の置換基で置換されていてもよい。);下記の式(142)(但し、1個の水素原子が非環状の置換基で置換されていてもよい。);下記の式(143)(但し、1個の水素原子が非環状の置換基で置換されていてもよい。);下記の式(144)(但し、1個の水素原子が非環状の置換基で置換されていてもよい。);または、下記の式(145)(破線は適宜二重結合を表し;Jは置換基を有していてもよい炭素原子、窒素原子、酸素原子または硫黄原子を表し;Tは置換基を有していてもよい炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子または単結合を表し;Qは置換基を有していてもよい炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子を表し;Mは置換基を有していてもよい炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子または単結合を表し;Lは置換基を有していてもよい炭素原子、窒素原子、酸素原子または硫黄原子を表し;JとTまたはTとQは一緒になって、1,4−ジオキサン環またはベンゼン環を形成していてもよい。)を表す。 However, in said formula (137), X and X 'may be the same or different (however, X' may not be present), and m represents an integer of 2 or more and 10,000 or less. In the formula (139), o and p represent 0 or 1, q represents an integer of 0 or more and 4 or less. A represents the following formula (140) (provided that One hydrogen atom may be substituted with an acyclic substituent.); Formula (141) below (provided that one hydrogen atom may be substituted with an acyclic substituent) The following formula (142) (provided that one hydrogen atom may be substituted with an acyclic substituent); the following formula (143) (provided that one hydrogen atom is acyclic substitution); The following formula (144) (however, one hydrogen atom may be substituted with a non-cyclic substituent): Or the following formula (145) (the broken line represents a double bond as appropriate; J represents an optionally substituted carbon atom, nitrogen atom, oxygen atom or sulfur atom; T represents a substituent); Represents an optionally substituted carbon atom, nitrogen atom, oxygen atom, sulfur atom or single bond; Q represents an optionally substituted carbon atom, nitrogen atom, oxygen atom or sulfur atom; M represents a substituted atom; An optionally substituted carbon atom, a nitrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom or a single bond; L represents an optionally substituted carbon atom, a nitrogen atom, an oxygen atom or a sulfur atom; J and T or T and Q may be combined to form a 1,4-dioxane ring or a benzene ring.
但し、上記の式(138)中、X、X´は、同一であっても異なっていてもよく(但し、X´はなくてもよい。)、nは2以上、10000以下の整数を表し、下記の式(139)(但し、式(139)中、o、pは0または1を表し、qは0以上、4以下の整数を表す。Aは、下記の式(140)(但し、1個の水素原子が非環状の置換基で置換されていてもよい。);下記の式(141)(但し、1個の水素原子が非環状の置換基で置換されていてもよい。);下記の式(142)(但し、1個の水素原子が非環状の置換基で置換されていてもよい。);下記の式(143)(但し、1個の水素原子が非環状の置換基で置換されていてもよい。);下記の式(144)(但し、1個の水素原子が非環状の置換基で置換されていてもよい。);または、下記の式(145)(破線は適宜二重結合を表し;Jは置換基を有していてもよい炭素原子、窒素原子、酸素原子または硫黄原子を表し;Tは置換基を有していてもよい炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子または単結合を表し;Qは置換基を有していてもよい炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子を表し;Mは置換基を有していてもよい炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子または単結合を表し;Lは置換基を有していてもよい炭素原子、窒素原子、酸素原子または硫黄原子を表し;JとTまたはTとQは一緒になって、1,4−ジオキサン環またはベンゼン環を形成していてもよい。)を表す。 However, in said formula (138), X and X 'may be the same or different (however, X' may not be present), and n represents an integer of 2 or more and 10,000 or less. In the formula (139), o and p represent 0 or 1, q represents an integer of 0 or more and 4 or less. A represents the following formula (140) (provided that One hydrogen atom may be substituted with an acyclic substituent.); Formula (141) below (provided that one hydrogen atom may be substituted with an acyclic substituent) The following formula (142) (provided that one hydrogen atom may be substituted with an acyclic substituent); the following formula (143) (provided that one hydrogen atom is acyclic substitution); The following formula (144) (however, one hydrogen atom may be substituted with a non-cyclic substituent): Or the following formula (145) (the broken line represents a double bond as appropriate; J represents an optionally substituted carbon atom, nitrogen atom, oxygen atom or sulfur atom; T represents a substituent); Represents an optionally substituted carbon atom, nitrogen atom, oxygen atom, sulfur atom or single bond; Q represents an optionally substituted carbon atom, nitrogen atom, oxygen atom or sulfur atom; M represents a substituted atom; An optionally substituted carbon atom, a nitrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom or a single bond; L represents an optionally substituted carbon atom, a nitrogen atom, an oxygen atom or a sulfur atom; J and T or T and Q may be combined to form a 1,4-dioxane ring or a benzene ring.
Dは、炭素数が3以上、10以下のシクロアルキル基;炭素数が2以上、6以下のアルケニレン基;カルバゾリル基;水素原子が、置換基を有していてもよいフェニル基またはアルキル基で置換されていてもよいアミノ基;ピリジニル基;ピラジニレン基;置換基を有していてもよいチオフェニル基;置換基を有していてもよいフェニル基;置換基を有していてもよいフェニレン基を表す。 D represents a cycloalkyl group having 3 or more and 10 or less carbon atoms; an alkenylene group having 2 or more and 6 or less carbon atoms; a carbazolyl group; a phenyl group or an alkyl group in which a hydrogen atom may have a substituent. An optionally substituted amino group; a pyridinyl group; a pyrazinylene group; a thiophenyl group optionally having a substituent; a phenyl group optionally having a substituent; a phenylene group optionally having a substituent. Represents.
Eは、1個または2個の水素原子が、炭素数が1以上、10以下のアルキル基で置換されていてもよいフェニル基;1個の水素原子が、炭素数が1以上、6以下のアルキル基で置換されていてもよいピリジニル基;1個の水素原子が、炭素数が1以上、6以下のアルキル基で置換されていてもよいチオフェニル基;1個の水素原子が、炭素数が1以上、6以下のアルキル基で置換されていてもよいチオフェニレン基;を表す。 E represents a phenyl group in which one or two hydrogen atoms may be substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; one hydrogen atom has 1 to 6 carbon atoms A pyridinyl group optionally substituted with an alkyl group; one hydrogen atom may be a thiophenyl group optionally substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms; one hydrogen atom has a carbon number A thiophenylene group which may be substituted with 1 or more and 6 or less alkyl groups;
Gは、水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数が1以上、4以下のアルキル基;水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数が1以上、12以下のアルコキシ基;ハロゲン原子;シアノ基を表し、q個のGは同一であっても異なっていてもよい。 G represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms in which a hydrogen atom may be substituted with a halogen atom; an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms in which a hydrogen atom may be substituted with a halogen atom A halogen atom; a cyano group, and q G's may be the same or different.
Aが、上記の式(140)、式(141)、式(142)、式(143)、式(144)で表され、1個の水素原子が非環状の置換基で置換されている場合、その置換基は、水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数が1以上、10以下のアルキル基;水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数が1以上、12以下のアルコキシ基;水素原子が、炭素数が1以上、4以下のアルキル基を有していてもよいフェニル基、または、炭素数が1以上、4以下のアルキル基で置換されていてもよいアミノ基;ハロゲン原子などが挙げられる。このような置換基としては、例えば、−CH3、−CH2CH3、−(CH2)2CH3、−(CH2)3CH3、−(CH2)4CH3、−(CH2)5CH3、−(CH2)6CH3、−(CH2)7CH3、−(CH2)8CH3、−(CH2)9CH3、−OCH3、−OCH2CH3、−O(CH2)2CH3、−O(CH2)3CH3、−O(CH2)4CH3、−O(CH2)5CH3、−O(CH2)6CH3、−O(CH2)7CH3、−O(CH2)8CH3、−O(CH2)9CH3、−O(CH2)10CH3、−O(CH2)11CH3、−CF3、−CF2CF3、−(CF2)2CF3、−(CF2)3CF3、−(CF2)4CF3、−(CF2)5CF3、−(CF2)6CF3、−(CF2)7CF3、−(CF2)8CF3、−(CF2)9CF3、−OCF3、−OCF2CF3、−O(CF2)2CF3、−O(CF2)3CF3、−O(CF2)4CF3、−O(CF2)5CF3、−O(CF2)6CF3、−O(CF2)7CF3、−O(CF2)8CF3、−O(CF2)9CF3、−O(CF2)10CF3、−O(CF2)11CF3、−B(Mes)2(但し、Mesは、下記の式(146)で表されるメチシル基(2,4,6−トリメチルフェニル基)を表す。)、−Si(CH3)3、−Si(C6H5)3、シアノ基、フッ素、塩素、臭素などが挙げられる。 A is represented by the above formula (140), formula (141), formula (142), formula (143), formula (144), and one hydrogen atom is substituted with an acyclic substituent The substituent is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms in which hydrogen atoms may be substituted with halogen atoms; 1 to 12 carbon atoms in which hydrogen atoms may be substituted with halogen atoms An alkoxy group; a hydrogen atom, a phenyl group which may have an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an amino group optionally substituted with an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms Group; halogen atom and the like. As such a substituent, for example, —CH 3 , —CH 2 CH 3 , — (CH 2 ) 2 CH 3 , — (CH 2 ) 3 CH 3 , — (CH 2 ) 4 CH 3 , — (CH 2) 5 CH 3, - ( CH 2) 6 CH 3, - (CH 2) 7 CH 3, - (CH 2) 8 CH 3, - (CH 2) 9 CH 3, -OCH 3, -OCH 2 CH 3 , —O (CH 2 ) 2 CH 3 , —O (CH 2 ) 3 CH 3 , —O (CH 2 ) 4 CH 3 , —O (CH 2 ) 5 CH 3 , —O (CH 2 ) 6 CH 3 , —O (CH 2 ) 7 CH 3 , —O (CH 2 ) 8 CH 3 , —O (CH 2 ) 9 CH 3 , —O (CH 2 ) 10 CH 3 , —O (CH 2 ) 11 CH 3 , —CF 3 , —CF 2 CF 3 , — (CF 2 ) 2 CF 3 , — (CF 2 ) 3 CF 3 ,-(CF 2 ) 4 CF 3 ,-(CF 2 ) 5 CF 3 ,-(CF 2 ) 6 CF 3 ,-(CF 2 ) 7 CF 3 ,-(CF 2 ) 8 CF 3 ,-(CF 2) 9 CF 3, -OCF 3 , -OCF 2 CF 3, -O (CF 2) 2 CF 3, -O (CF 2) 3 CF 3, -O (CF 2) 4 CF 3, -O (CF 2) 5 CF 3, -O ( CF 2) 6 CF 3, -O (CF 2) 7 CF 3, -O (CF 2) 8 CF 3, -O (CF 2) 9 CF 3, -O (CF 2 ) 10 CF 3 , —O (CF 2 ) 11 CF 3 , —B (Mes) 2 (where Mes is a methicyl group (2,4,6-trimethylphenyl group) represented by the following formula (146) ) represents a), -. Si (CH 3 ) 3, -Si (C 6 H 5) 3, cyano group, fluorine Chlorine, bromine, and the like.
また、Aが、上記の式(140)で表される場合、上記の置換基の中でも、水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数が1以上、4以下のアルキル基;水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数が1以上、4以下のアルコキシ基;水素原子が、炭素数が1以上、2以下のアルキル基を有していてもよいフェニル基、または、炭素数が1以上、2以下のアルキル基で置換されていてもよいアミノ基;−B(Mes)2;−Si(CH3)3;−Si(C6H5)3;シアノ基;ハロゲン原子などが好ましい。このような置換基としては、例えば、−CH3、−CH2CH3、−(CH2)2CH3、−(CH2)3CH3、−OCH3、−OCH2CH3、−O(CH2)2CH3、−O(CH2)3CH3、−CF3、−CF2CF3、−(CF2)2CF3、−(CF2)3CF3、−OCF3、−OCF2CF3、−O(CF2)2CF3、−O(CF2)3CF3、−B(Mes)2、−Si(CH3)3、−Si(C6H5)3、シアノ基、フッ素などが挙げられる。
In addition, when A is represented by the above formula (140), among the above substituents, a hydrogen atom may be substituted with a halogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms; a hydrogen atom Is an alkoxy group having 1 or more and 4 or less carbon atoms that may be substituted with a halogen atom; a hydrogen atom is a phenyl group or carbon that may have an alkyl group having 1 or more and 2 or less carbon atoms An amino group which may be substituted with an alkyl group having a number of 1 or more and 2 or less; -B (Mes) 2 ; -Si (CH 3 ) 3 ; -Si (C 6 H 5 ) 3 ; cyano group; halogen atom Etc. are preferable. As such a substituent, for example, —CH 3 , —CH 2 CH 3 , — (CH 2 ) 2 CH 3 , — (CH 2 ) 3 CH 3 , —OCH 3 , —OCH 2 CH 3 , —O (CH 2) 2 CH 3, -O (CH 2) 3
Aが、上記の式(141)で表される場合、上記の置換基の中でも、水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数が1以上、4以下のアルキル基;水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数が1以上、4以下のアルコキシ基が好ましい。このような置換基としては、例えば、−CH3、−CH2CH3、−(CH2)2CH3、−(CH2)3CH3、−OCH3、−OCH2CH3、−O(CH2)2CH3、−O(CH2)3CH3、−CF3、−CF2CF3、−(CF2)2CF3、−(CF2)3CF3、−OCF3、−OCF2CF3、−O(CF2)2CF3、−O(CF2)3CF3などが挙げられる。
When A is represented by the above formula (141), among the above substituents, a hydrogen atom may be substituted with a halogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms; An alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms which may be substituted with atoms is preferred. As such a substituent, for example, —CH 3 , —CH 2 CH 3 , — (CH 2 ) 2 CH 3 , — (CH 2 ) 3 CH 3 , —OCH 3 , —OCH 2 CH 3 , —O (CH 2) 2 CH 3, -O (CH 2) 3
Aが、上記の式(142)で表される場合、上記の置換基の中でも、水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数が1以上、4以下のアルキル基が好ましい。このような置換基としては、例えば、−CH3、−CH2CH3、−(CH2)2CH3、−(CH2)3CH3、−CF3、−CF2CF3、−(CF2)2CF3、−(CF2)3CF3などが挙げられる。 When A is represented by the above formula (142), among the above substituents, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms in which a hydrogen atom may be substituted with a halogen atom is preferable. As such a substituent, for example, —CH 3 , —CH 2 CH 3 , — (CH 2 ) 2 CH 3 , — (CH 2 ) 3 CH 3 , —CF 3 , —CF 2 CF 3 , — ( CF 2) 2 CF 3, - (CF 2) such as 3 CF 3 and the like.
Aが、上記の式(143)で表される場合、上記の置換基の中でも、水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数が1以上、4以下のアルキル基が好ましい。このような置換基としては、例えば、−CH3、−CH2CH3、−(CH2)2CH3、−(CH2)3CH3、−CF3、−CF2CF3、−(CF2)2CF3、−(CF2)3CF3などが挙げられる。 When A is represented by the above formula (143), among the above substituents, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms in which a hydrogen atom may be substituted with a halogen atom is preferable. As such a substituent, for example, —CH 3 , —CH 2 CH 3 , — (CH 2 ) 2 CH 3 , — (CH 2 ) 3 CH 3 , —CF 3 , —CF 2 CF 3 , — ( CF 2) 2 CF 3, - (CF 2) such as 3 CF 3 and the like.
Aが、上記の式(144)で表される場合、上記の置換基の中でも、水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数が1以上、8以下のアルキル基が好ましい。このような置換基としては、例えば、−CH3、−CH2CH3、−(CH2)2CH3、−(CH2)3CH3、−(CH2)4CH3、−(CH2)5CH3、−(CH2)6CH3、−(CH2)7CH3、−CF3、−CF2CF3、−(CF2)2CF3、−(CF2)3CF3、−(CF2)4CF3、−(CF2)5CF3、−(CF2)6CF3、−(CF2)7CF3などが挙げられる。
When A is represented by the above formula (144), among the above substituents, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms in which a hydrogen atom may be substituted with a halogen atom is preferable. As such a substituent, for example, —CH 3 , —CH 2 CH 3 , — (CH 2 ) 2 CH 3 , — (CH 2 ) 3 CH 3 , — (CH 2 ) 4 CH 3 , — (CH 2) 5 CH 3, - ( CH 2) 6
また、Aが、上記の式(145)で表される場合、Jは置換基を有していてもよい炭素原子、窒素原子または硫黄原子を表し、Tは置換基を有していてもよい炭素原子、窒素原子または単結合を表し、Qは置換基を有していてもよい炭素原子、窒素原子または硫黄原子を表し、Mは置換基を有していてもよい炭素原子、窒素原子または単結合を表すことが好ましい。このようなAとしては、例えば、置換基を有していてもよいフェニル基;置換基を有していてもよいピリジニル基;置換基を有していてもよいチオフェニル基;置換基を有していてもよいフラニル基;置換基を有していてもよいピリダジニル基;置換基を有していてもよいピリミジニル基;置換基を有していてもよいピラジニル基などが挙げられる。 Moreover, when A is represented by said Formula (145), J represents the carbon atom which may have a substituent, a nitrogen atom, or a sulfur atom, and T may have a substituent. Represents a carbon atom, a nitrogen atom or a single bond, Q represents an optionally substituted carbon atom, a nitrogen atom or a sulfur atom, and M represents an optionally substituted carbon atom, nitrogen atom or It preferably represents a single bond. Examples of such A include, for example, a phenyl group which may have a substituent; a pyridinyl group which may have a substituent; a thiophenyl group which may have a substituent; A furanyl group which may have a substituent; a pyridazinyl group which may have a substituent; a pyrimidinyl group which may have a substituent; a pyrazinyl group which may have a substituent.
さらに、Aは、下記の式(147)(但し、1個の水素原子が、水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数が1以上、4以下のアルキル基で置換されていてもよい。)で表されることが好ましい。この場合、置換基としては、例えば、−CH3、−CH2CH3、−(CH2)2CH3、−(CH2)3CH3、−CF3、−CF2CF3、−(CF2)2CF3、−(CF2)3CF3などが挙げられる。 Further, A represents the following formula (147) (wherein one hydrogen atom may be substituted with an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms in which the hydrogen atom may be substituted with a halogen atom). Preferably). In this case, examples of the substituent include —CH 3 , —CH 2 CH 3 , — (CH 2 ) 2 CH 3 , — (CH 2 ) 3 CH 3 , —CF 3 , —CF 2 CF 3 , — ( CF 2) 2 CF 3, - (CF 2) such as 3 CF 3 and the like.
Aは、下記の式(148)(但し、1個の水素原子が、水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数が1以上、8以下のアルキル基で置換されていてもよい。)で表されることが好ましい。この場合、置換基としては、例えば、−CH3、−CH2CH3、−(CH2)2CH3、−(CH2)3CH3、−(CH2)4CH3、−(CH2)5CH3、−(CH2)6CH3、−(CH2)7CH3、−CF3、−CF2CF3、−(CF2)2CF3、−(CF2)3CF3、−(CF2)4CF3、−(CF2)5CF3、−(CF2)6CF3、−(CF2)7CF3などが挙げられる。
A represents the following formula (148) (wherein one hydrogen atom may be substituted with an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms in which the hydrogen atom may be substituted with a halogen atom). ) Is preferable. In this case, examples of the substituent include —CH 3 , —CH 2 CH 3 , — (CH 2 ) 2 CH 3 , — (CH 2 ) 3 CH 3 , — (CH 2 ) 4 CH 3 , — (CH 2) 5 CH 3, - ( CH 2) 6
Aは、下記の式(149)(但し、窒素原子が、炭素数が1以上、4以下のアルキル基で置換されていてもよい。)で表されることが好ましい。この場合、置換基としては、例えば、−CH3、−CH2CH3、−(CH2)2CH3、−(CH2)3CH3、−CF3、−CF2CF3、−(CF2)2CF3、−(CF2)3CF3などが挙げられる。 A is preferably represented by the following formula (149) (wherein the nitrogen atom may be substituted with an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms). In this case, examples of the substituent include —CH 3 , —CH 2 CH 3 , — (CH 2 ) 2 CH 3 , — (CH 2 ) 3 CH 3 , —CF 3 , —CF 2 CF 3 , — ( CF 2) 2 CF 3, - (CF 2) such as 3 CF 3 and the like.
Aは、下記の式(150)(但し、窒素原子が、炭素数が1以上、4以下のアルキル基で置換されていてもよい。)で表されることが好ましい。この場合、置換基としては、例えば、−CH3、−CH2CH3、−(CH2)2CH3、−(CH2)3CH3、−CF3、−CF2CF3、−(CF2)2CF3、−(CF2)3CF3などが挙げられる。 A is preferably represented by the following formula (150) (wherein the nitrogen atom may be substituted with an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms). In this case, examples of the substituent include —CH 3 , —CH 2 CH 3 , — (CH 2 ) 2 CH 3 , — (CH 2 ) 3 CH 3 , —CF 3 , —CF 2 CF 3 , — ( CF 2) 2 CF 3, - (CF 2) such as 3 CF 3 and the like.
Aは、下記の式(151)(但し、窒素原子が、炭素数が1以上、4以下のアルキル基で置換されていてもよい。)で表されることが好ましい。この場合、置換基としては、例えば、−CH3、−CH2CH3、−(CH2)2CH3、−(CH2)3CH3、−CF3、−CF2CF3、−(CF2)2CF3、−(CF2)3CF3などが挙げられる。 A is preferably represented by the following formula (151) (wherein the nitrogen atom may be substituted with an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms). In this case, examples of the substituent include —CH 3 , —CH 2 CH 3 , — (CH 2 ) 2 CH 3 , — (CH 2 ) 3 CH 3 , —CF 3 , —CF 2 CF 3 , — ( CF 2) 2 CF 3, - (CF 2) such as 3 CF 3 and the like.
また、Dは、炭素数が3以上、6以下のシクロアルキル基;炭素数が2以上、3以下のアルケニレン基;炭素数が1以上、10以下のアルキル基、または、炭素数が1以上、3以下のアルコシキ基で置換されていてもよいフェニル基;1個の水素原子が、炭素数が1以上、4以下のアルキル基で置換されていてもよいフェニル基または炭素数が1以上、4以下のアルキル基で置換されていてもよいアミノ基;1個の水素原子が、炭素数が1以上、4以下のアルキル基で置換されていてもよいチオフェニル基;チオフェニレン基を表すことが好ましい。このようなDとしては、例えば、−CH=CH−、−CH=C=CH−、−N(CH3)2、−N(CH2CH3)2、−N(CH2CH2CH3)2、−N(CH2CH2CH2CH3)2、下記の式(152)〜(183)で表されるものなどが挙げられる。
D represents a cycloalkyl group having 3 to 6 carbon atoms; an alkenylene group having 2 to 3 carbon atoms; an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; A phenyl group optionally substituted with 3 or less alkoxy groups; one hydrogen atom may be substituted with an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or 1 to 4 carbon atoms An amino group which may be substituted with the following alkyl group; preferably a thiophenyl group where one hydrogen atom may be substituted with an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms; a thiophenylene group. . Such D, for example, -CH = CH -, - CH = C = CH -, - N (CH 3) 2, -N (
Eは、1個または2個の水素原子が、炭素数が1以上、8以下のアルキル基で置換されていてもよいフェニル基;1個の水素原子が、炭素数が1以上、4以下のアルキル基で置換されていてもよいチオフェニル基を表すことが好ましい。このようなEとしては、例えば、上記の式(156)〜(163)で表されるもの、上記の式(180)〜(183)で表されるもの、下記の式(184)〜(191)で表されるものなどが挙げられる。 E represents a phenyl group in which one or two hydrogen atoms may be substituted with an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms; one hydrogen atom has 1 to 4 carbon atoms It preferably represents a thiophenyl group that may be substituted with an alkyl group. Examples of such E include those represented by the above formulas (156) to (163), those represented by the above formulas (180) to (183), and the following formulas (184) to (191). ) And the like.
Gは、水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよいメチル基;n−ヘキソキシ基を表すことが好ましい。このようなGとしては、例えば、−CF3、−CCl3、−CBr3、−O(CH2)5CH3などが挙げられる。 G preferably represents a methyl group in which a hydrogen atom may be substituted with a halogen atom; an n-hexoxy group. Such G, for example, -CF 3, -CCl 3, -CBr 3, and the like -O (CH 2) 5 CH 3 .
また、上記の式(137)において、mは2以上、10000以下の整数であるが、各種溶媒への溶解性に優れ、取り扱い易いことなどから、4以上、500以下であることが好ましい。 In the above formula (137), m is an integer of 2 or more and 10000 or less, and is preferably 4 or more and 500 or less because of excellent solubility in various solvents and easy handling.
同様に、上記の式(138)において、nは2以上、10000以下の整数であるが、各種溶媒への溶解性に優れ、取り扱い易いことなどから、4以上、500以下であることが好ましい。 Similarly, in the above formula (138), n is an integer of 2 or more and 10000 or less, and is preferably 4 or more and 500 or less from the viewpoint of excellent solubility in various solvents and easy handling.
このような有機ホウ素化合物の中でも、上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(192)で表されることが好ましい。 Among such organic boron compounds, in the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (192). .
同様に、上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(193)で表されることが好ましい。 Similarly, in the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (193).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(194)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (194).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(195)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (195).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(196)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (196).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(197)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (197).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(198)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (198).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(199)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (199).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(200)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (200).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(201)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (201).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(202)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), it is preferable that X and X ′ are represented by the following formula (202).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(203)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (203).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(204)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (204).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(205)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (205).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(206)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (206).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(207)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (207).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(208)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (208).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(209)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (209).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(210)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), it is preferable that X and X ′ are represented by the following formula (210).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(211)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (211).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(212)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (212).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(213)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (213).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(214)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (214).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(215)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (215).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(216)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (216).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(217)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (217).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(218)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (218).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(219)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (219).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(220)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (220).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(221)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (221).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(222)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (222).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(223)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (223).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(224)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (224).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(225)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (225).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(226)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), it is preferable that X and X ′ are represented by the following formula (226).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(227)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), it is preferable that X and X ′ are represented by the following formula (227).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(228)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (228).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(229)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (229).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(230)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), it is preferable that X and X ′ are represented by the following formula (230).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(231)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (231).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(232)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), it is preferable that X and X ′ are represented by the following formula (232).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(233)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (233).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(234)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (234).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(235)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (235).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(236)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (236).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(237)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (237).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(238)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (238).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(239)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (239).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(240)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (240).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(241)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (241).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(242)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (242).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(243)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (243).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(244)で表されることが好ましい。 In Formula (135), Formula (136), Formula (137), and Formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following Formula (244).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(245)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), it is preferable that X and X ′ are represented by the following formula (245).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(246)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (246).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(247)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (247).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(248)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (248).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(249)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (249).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(250)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (250).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(251)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), it is preferable that X and X ′ are represented by the following formula (251).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(252)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (252).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(253)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (253).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(254)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (254).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(255)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), it is preferable that X and X ′ are represented by the following formula (255).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(256)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (256).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(257)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (257).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(258)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (258).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(259)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X and X ′ are preferably represented by the following formula (259).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(260)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), it is preferable that X and X ′ are represented by the following formula (260).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、XおよびX´が下記の式(261)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), it is preferable that X and X ′ are represented by the following formula (261).
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、Xが下記の式(263)で表され、X´が下記の式(264)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X is represented by the following formula (263), and X ′ is represented by the following formula (264). preferable.
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、Xが下記の式(265)で表され、X´が下記の式(266)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X is represented by the following formula (265), and X ′ is represented by the following formula (266). preferable.
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、Xが下記の式(267)で表され、X´が下記の式(268)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X is represented by the following formula (267), and X ′ is represented by the following formula (268). preferable.
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、Xが下記の式(269)で表され、X´が下記の式(270)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X is represented by the following formula (269), and X ′ is represented by the following formula (270). preferable.
上記の式(135)、式(136)、式(137)、式(138)において、Xが下記の式(271)で表され、X´が下記の式(272)で表されることが好ましい。 In the above formula (135), formula (136), formula (137), and formula (138), X is represented by the following formula (271), and X ′ is represented by the following formula (272). preferable.
このような本発明の二光子吸収材料に含まれる有機ホウ素化合物は、π共役骨格として、ホウ素の空のp軌道を介して拡張されるπ共役構造をなしており、さらに、二光子吸収の発現に寄与するホウ素原子による分子軌道の歪をより効果的に制御するために、分子内に電子供与基や電子吸引基を備えている。そして、本発明の二光子吸収材料に含まれる有機ホウ素化合物は、紫外光の照射によりホウ素原子近傍の結合が選択的に断裂する(一光子過程による)。したがって、本発明の二光子吸収材料を用いて光記憶媒体を作製し、二光子吸収過程によって光記憶媒体に結合断裂を生じさせれば、小スポット化および三次元化による、光記憶媒体の大容量化が可能となる。さらに、二光子吸収過程を利用すると、一光子吸収過程の場合と比べて、ビームの集光スポットの広がりのうち、特に光軸方向についての広がりが大幅に短くなることから、小スポット化が可能となるので、光記憶媒体に対する三次元光書込みが容易となる。 The organoboron compound contained in such a two-photon absorption material of the present invention has a π-conjugated structure that is extended through an empty p-orbital of boron as a π-conjugated skeleton, and further exhibits two-photon absorption. In order to more effectively control the distortion of molecular orbitals caused by boron atoms contributing to the structure, electron donating groups and electron withdrawing groups are provided in the molecule. And the organic boron compound contained in the two-photon absorption material of the present invention selectively breaks the bond in the vicinity of the boron atom when irradiated with ultraviolet light (by a one-photon process). Therefore, if an optical storage medium is produced using the two-photon absorption material of the present invention, and the bond breaks in the optical storage medium by the two-photon absorption process, the size of the optical storage medium can be increased by reducing the spot size and making it three-dimensional. Capacitance can be achieved. Furthermore, when using the two-photon absorption process, compared to the case of the one-photon absorption process, the spread of the focused spot of the beam, especially in the direction of the optical axis, is significantly shortened, enabling a smaller spot. Therefore, three-dimensional optical writing to the optical storage medium is facilitated.
また、本発明の二光子吸収材料に含まれる有機ホウ素化合物は、各種有機溶媒に可溶である。この有機ホウ素化合物を溶解する有機溶媒としては、当該化合物の分子構造と構造相関の大きなベンゼン系の有機溶媒が好ましく用いられ、ベンゼン系の有機溶媒としては、トルエン、キシレン、メシチレン(トリメチルベンゼン)、ジエチルベンゼン、イソプロピルベンゼンなどが挙げられる。また、当該化合物のうち、分子中に電子供与性やヘテロ原子などを有する置換基が付与された場合には、クロロホルム、塩化メチレン、アセトン、ジオキサン、酢酸エチル、テトラヒドロフランなどの極性溶媒を、好ましい溶媒として追加して挙げることができる。さらに、高分子媒質中に当該化合物を分子分散するに際して、特に極性の高い高分子の場合は、N−メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、トリメチルフォスフェート、メチルエチルケトンなどの極性溶媒を使用することができる。ただし、これらの極性溶媒は、水分を含み易いため、脱水状態で使用するように注意しなければならない。なぜならば、当該化合物は光ばかりでなく、水によっても分解される可能性があるためである。 Moreover, the organoboron compound contained in the two-photon absorption material of the present invention is soluble in various organic solvents. As the organic solvent for dissolving the organic boron compound, a benzene-based organic solvent having a large structure correlation with the molecular structure of the compound is preferably used. As the benzene-based organic solvent, toluene, xylene, mesitylene (trimethylbenzene), Examples thereof include diethylbenzene and isopropylbenzene. In addition, among the compounds, when a substituent having an electron donating property, a hetero atom or the like is added to the molecule, polar solvents such as chloroform, methylene chloride, acetone, dioxane, ethyl acetate, and tetrahydrofuran are used as preferred solvents. Can be added as: Further, when the compound is dispersed in a polymer medium, a polar solvent such as N-methylpyrrolidone, dimethylformamide, dimethylacetamide, trimethyl phosphate, or methyl ethyl ketone may be used in the case of a highly polar polymer. it can. However, since these polar solvents easily contain moisture, care must be taken to use them in a dehydrated state. This is because the compound can be decomposed not only by light but also by water.
この有機ホウ素化合物は、各種絶縁材などからなる基材の上に薄膜状に形成され、この薄膜が二光子吸収材料として用いられる。 This organoboron compound is formed in a thin film on a substrate made of various insulating materials, and this thin film is used as a two-photon absorption material.
この有機ホウ素化合物を基材の上に薄膜状に形成するには、まず、この有機ホウ素化合物を上記のような有機溶媒に溶解して、この有機ホウ素化合物を含む溶液を調製する。 In order to form the organoboron compound in a thin film on a substrate, first, the organoboron compound is dissolved in the organic solvent as described above to prepare a solution containing the organoboron compound.
次いで、基材の上に、この溶液をスピンコート法などにより塗布した後、乾燥することにより、有機ホウ素化合物からなる薄膜を得る。 Next, this solution is applied onto a substrate by a spin coating method or the like and then dried to obtain a thin film made of an organic boron compound.
次に、図1を参照して、有機ホウ素化合物の製造方法の第一の例を示す。 Next, with reference to FIG. 1, the 1st example of the manufacturing method of an organoboron compound is shown.
ここでは、有機ホウ素化合物として、上記の式(136)において、XおよびX´がフェニル基である場合について説明する。 Here, the case where X and X ′ in the above formula (136) are phenyl groups as the organic boron compound will be described.
四つ口フラスコに、マグネシウム(Mg)を投入した後、窒素ラインに接続した三方コックを装着し、この四つ口フラスコ内の窒素置換および減圧乾燥を行う。 After putting magnesium (Mg) into a four-necked flask, a three-way cock connected to a nitrogen line is attached, and nitrogen substitution in this four-necked flask and drying under reduced pressure are performed.
次いで、この四つ口フラスコ内に、脱水テトラヒドロフラン(以下、「THF」と略す。)を滴下した後、1,2−ジブロモエタンを投入して攪拌し、気泡が出るのを確認して、1−ブロモ−2,4,6−トリイソプロピルベンゼン(図1に示す化合物(α))を溶解した脱水THFをゆっくり滴下する。 Next, dehydrated tetrahydrofuran (hereinafter abbreviated as “THF”) was dropped into the four-necked flask, and then 1,2-dibromoethane was added thereto and stirred. Dehydrated THF in which bromo-2,4,6 - triisopropylbenzene (compound (α) shown in FIG. 1) is dissolved is slowly added dropwise.
化合物(α)を溶解した脱水THFの滴下を終了した後、この四つ口フラスコをオイルバスにより78℃にて2時間加熱しながら、反応させた後、室温で放冷する。 After the dropwise addition of dehydrated THF in which the compound (α) is dissolved, the four-necked flask is reacted at 78 ° C. for 2 hours in an oil bath, and then allowed to cool at room temperature.
また、上述の方法と同様にして、別の四つ口フラスコ内の窒素置換および減圧乾燥を行った後、この四つ口フラスコ内に、トリメトキシボラン(Trimethoxyborane)を投入して、氷浴により−10℃に冷却する。 In the same manner as described above, after nitrogen substitution in another four-necked flask and drying under reduced pressure, trimethoxyborane (Trimethoxyborane) was put into this four-necked flask, and the ice-bath was added. Cool to -10 ° C.
その後、このトリメトキシボランを投入した四つ口フラスコ内に、上述の化合物(α)を反応させた反応液をゆっくり滴下した後、1時間反応させた後、四つ口フラスコ内の反応液を室温まで昇温する。 Then, after slowly dropping the reaction solution obtained by reacting the above compound (α) into the four-necked flask charged with this trimethoxyborane, the reaction solution in the four-necked flask was reacted for 1 hour. Raise to room temperature.
次いで、この四つ口フラスコ内の反応液を吸引濾過し、反応液に含まれる結晶を脱水ペンタンで洗浄し、濾液を全て濃縮して、透明な油分を得る。 Next, the reaction liquid in the four-necked flask is filtered by suction, the crystals contained in the reaction liquid are washed with dehydrated pentane, and all the filtrate is concentrated to obtain a transparent oil.
得られた油分を減圧蒸留することにより、図1に示す化合物(β)を得る。 The obtained oil is distilled under reduced pressure to obtain the compound (β) shown in FIG.
また、別の四つ口フラスコに、窒素ラインに接続した三方コックを装着し、この四つ口フラスコ内の窒素置換および減圧乾燥を行う。 In addition, a three-way cock connected to a nitrogen line is attached to another four-necked flask, and nitrogen substitution in this four-necked flask and vacuum drying are performed.
次いで、この四つ口フラスコ内に、化合物(β)、脱水エーテルおよび脱水ペンタンを投入し、氷浴により0℃に冷却しながら攪拌する。 Next, the compound (β), dehydrated ether and dehydrated pentane are charged into the four-necked flask and stirred while cooling to 0 ° C. with an ice bath.
次いで、この四つ口フラスコ内に、水素化アルミニウムリチウム(LiAlH4)の20%エーテル溶液を滴下し、0℃にて1.5時間反応させる。 Next, a 20% ether solution of lithium aluminum hydride (LiAlH 4 ) is dropped into the four-necked flask and reacted at 0 ° C. for 1.5 hours.
次いで、この四つ口フラスコ内の反応液を室温まで昇温させた後、この反応液をガラスフィルターにより濾過しながら、その濾液を別の乾燥した四つ口フラスコ内に移す。 Next, after raising the temperature of the reaction solution in the four-necked flask to room temperature, the filtrate is transferred to another dry four-necked flask while filtering the reaction solution through a glass filter.
次いで、この反応液を移した四つ口フラスコ内に、トリメチルクロロシラン(TMSCl)を滴下し、室温にて2時間反応させる。 Next, trimethylchlorosilane (TMSCl) is dropped into the four-necked flask to which the reaction solution has been transferred, and is reacted at room temperature for 2 hours.
次いで、この四つ口フラスコ内の反応液を、ガラスフィルターにより濾過しながら、その濾液を別の乾燥した四つ口フラスコ内に移す。 Next, while filtering the reaction solution in the four-necked flask through a glass filter, the filtrate is transferred into another dry four-necked flask.
その後、この四つ口フラスコ内に移した反応液を、加温、減圧しながら濃縮して、図1に示す化合物(γ)を得る。 Thereafter, the reaction solution transferred into the four-necked flask is concentrated while heating and decompressing to obtain the compound (γ) shown in FIG.
次いで、化合物(γ)が入っている四つ口フラスコ内に、脱水THFを投入して溶液を調製した後、4−エチニル−N,N´−ジメチルアニリン(4−Ethynyl−N,N´−Dimethylaniline)を投入して、水浴により40℃にて5時間、加温しながら攪拌する。 Next, after dehydrating THF was introduced into a four-necked flask containing the compound (γ) to prepare a solution, 4-ethynyl-N, N′-dimethylaniline (4-Ethynyl-N, N′— Dimethylylline) is added and stirred while warming at 40 ° C. for 5 hours in a water bath.
次いで、四つ口フラスコ内の反応液を、加温、減圧しながら濃縮した後、四つ口フラスコ内の濃縮物を、冷ヘキサンを加えて結晶化させ、さらに冷ヘキサンによりこの結晶を洗浄し、図1に示す化合物(δ)を得る。 Next, after concentrating the reaction solution in the four-necked flask while heating and reducing the pressure, the concentrate in the four-necked flask is crystallized by adding cold hexane, and this crystal is washed with cold hexane. To obtain the compound (δ) shown in FIG.
次に、図2を参照して、有機ホウ素化合物の製造方法の第二の例を示す。 Next, with reference to FIG. 2, the 2nd example of the manufacturing method of an organoboron compound is shown.
ここでは、有機ホウ素化合物として、上記の式(136)において、XおよびX´が上記の式(206)で表される場合について説明する。 Here, the case where X and X ′ in the above formula (136) are represented by the above formula (206) will be described as the organoboron compound.
四つ口フラスコに、窒素ラインに接続した三方コックを装着し、この四つ口フラスコ内の窒素置換および減圧乾燥を行う。 A four-necked flask is equipped with a three-way cock connected to a nitrogen line, and nitrogen substitution in the four-necked flask and vacuum drying are performed.
次いで、この四つ口フラスコ内に、化合物(β)、脱水エーテルおよび脱水ペンタンを投入し、氷浴により0℃に冷却しながら攪拌する。 Next, the compound (β), dehydrated ether and dehydrated pentane are charged into the four-necked flask and stirred while cooling to 0 ° C. with an ice bath.
次いで、この四つ口フラスコ内に、水素化アルミニウムリチウムの20%エーテル溶液を滴下し、0℃にて2時間反応させる。 Next, a 20% ether solution of lithium aluminum hydride is dropped into the four-necked flask and reacted at 0 ° C. for 2 hours.
次いで、この四つ口フラスコ内の反応液を室温まで昇温させた後、この反応液をガラスフィルターにより濾過しながら、その濾液を別の乾燥した四つ口フラスコ内に移す。 Next, after raising the temperature of the reaction solution in the four-necked flask to room temperature, the filtrate is transferred to another dry four-necked flask while filtering the reaction solution through a glass filter.
次いで、この反応液を移した四つ口フラスコ内に、トリメチルシリルクロライド(Trimethylsilylchloride)を滴下し、室温にて2時間反応させる。 Next, trimethylsilyl chloride is dropped into the four-necked flask to which the reaction solution has been transferred, and the mixture is reacted at room temperature for 2 hours.
次いで、この四つ口フラスコ内の反応液を、ガラスフィルターにより濾過しながら、その濾液を別の乾燥した四つ口フラスコ内に移す。 Next, while filtering the reaction solution in the four-necked flask through a glass filter, the filtrate is transferred into another dry four-necked flask.
その後、この四つ口フラスコ内に移した反応液を、加温、減圧しながら濃縮して、化合物(γ)を得る。 Thereafter, the reaction solution transferred into the four-necked flask is concentrated while heating and decompressing to obtain a compound (γ).
次いで、化合物(γ)が入っている四つ口フラスコ内に、脱水THFを投入して溶液を調製した後、4−エチニル−N,N´−ジメチルアニリン(4−Ethynyl−N,N´−Dimethylaniline)を投入して、水浴により40℃にて5時間、加温しながら攪拌する。 Next, after dehydrating THF was introduced into a four-necked flask containing the compound (γ) to prepare a solution, 4-ethynyl-N, N′-dimethylaniline (4-Ethynyl-N, N′— Dimethylylline) is added and stirred while warming at 40 ° C. for 5 hours in a water bath.
次いで、四つ口フラスコ内の反応液を、加温、減圧しながら濃縮した後、四つ口フラスコ内の濃縮物を、冷ヘキサンを加えて結晶化させ、さらに冷ヘキサンによりこの結晶を洗浄し、図2に示す化合物(ε)を得る。 Next, after concentrating the reaction solution in the four-necked flask while heating and reducing the pressure, the concentrate in the four-necked flask is crystallized by adding cold hexane, and this crystal is washed with cold hexane. The compound (ε) shown in FIG. 2 is obtained.
次に、図3を参照して、有機ホウ素化合物の製造方法の第三の例を示す。 Next, with reference to FIG. 3, the 3rd example of the manufacturing method of an organoboron compound is shown.
ここでは、有機ホウ素化合物として、上記の式(138)で表される場合について説明する。 Here, a case where the organic boron compound is represented by the above formula (138) will be described.
四つ口フラスコに、窒素ラインに接続した三方コックを装着し、この四つ口フラスコ内の窒素置換および減圧乾燥を行う。 A four-necked flask is equipped with a three-way cock connected to a nitrogen line, and nitrogen substitution in the four-necked flask and vacuum drying are performed.
次いで、この四つ口フラスコ内に、図3に示す化合物(ζ)および脱水THFを投入する。 Next, the compound (ζ) shown in FIG. 3 and dehydrated THF are introduced into the four-necked flask.
次いで、化合物(γ)を脱水THFに溶解して溶液を調製し、この溶液を化合物(ζ)が投入された四つ口フラスコ内に滴下した後、室温にて5時間、攪拌しながら反応させる。 Next, a compound (γ) is dissolved in dehydrated THF to prepare a solution. This solution is dropped into a four-necked flask containing the compound (ζ), and then reacted at room temperature with stirring for 5 hours. .
その後、四つ口フラスコ内の反応液を、加温、減圧しながら濃縮した後、四つ口フラスコ内の濃縮物を、少量のクロロホルムに溶解した後、メタノールに再沈殿させる。 Then, after concentrating the reaction solution in the four-necked flask while heating and reducing the pressure, the concentrate in the four-necked flask is dissolved in a small amount of chloroform and then reprecipitated in methanol.
その後、得られた沈殿物をベンゼンに溶解して凍結乾燥することにより、図3に示す化合物(η)を得る。なお、化合物(η)を表す化学式において、rは2以上、10000以下の整数である。 Thereafter, the resulting precipitate is dissolved in benzene and freeze-dried to obtain the compound (η) shown in FIG. In the chemical formula representing the compound (η), r is an integer of 2 or more and 10,000 or less.
次に、図4を参照して、有機ホウ素化合物の製造方法の第四の例を示す。 Next, with reference to FIG. 4, the 4th example of the manufacturing method of an organoboron compound is shown.
ここでは、有機ホウ素化合物として、上記の式(138)で表される場合について説明する。 Here, a case where the organic boron compound is represented by the above formula (138) will be described.
四つ口フラスコに、窒素ラインに接続した三方コックを装着し、この四つ口フラスコ内の窒素置換および減圧乾燥を行う。 A four-necked flask is equipped with a three-way cock connected to a nitrogen line, and nitrogen substitution in the four-necked flask and vacuum drying are performed.
次いで、この四つ口フラスコ内に、図4に示す化合物(θ)および脱水THFを投入する。 Next, the compound (θ) and dehydrated THF shown in FIG. 4 are charged into the four-necked flask.
次いで、化合物(γ)を脱水THFに溶解して溶液を調製し、この溶液を化合物(θ)が投入された四つ口フラスコ内に滴下した後、室温にて12時間、攪拌しながら反応させる。 Next, the compound (γ) is dissolved in dehydrated THF to prepare a solution. This solution is dropped into the four-necked flask containing the compound (θ), and then reacted at room temperature with stirring for 12 hours. .
その後、四つ口フラスコ内の反応液を、加温、減圧しながら濃縮した後、四つ口フラスコ内の濃縮物を、冷ヘキサンを加えて結晶化させ、さらに冷ヘキサンによりこの結晶を洗浄し、図4に示す化合物(ι)を得る。なお、化合物(ι)を表す化学式において、sは2以上、10000以下の整数である。 Then, after concentrating the reaction solution in the four-necked flask while heating and reducing the pressure, the concentrate in the four-necked flask is crystallized by adding cold hexane, and this crystal is washed with cold hexane. The compound (ι) shown in FIG. 4 is obtained. In the chemical formula representing the compound (ι), s is an integer of 2 or more and 10,000 or less.
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further more concretely, this invention is not limited to a following example.
(実施例1)
有機ホウ素化合物として、上記の式(136)において、XおよびX´がフェニル基である化合物を合成した。
Example 1
As the organic boron compound, a compound in which X and X ′ in the above formula (136) are phenyl groups was synthesized.
容量300mLの四つ口フラスコに、マグネシウム3.48gを投入した後、窒素ラインに接続した三方コックを装着し、この四つ口フラスコ内の窒素置換および減圧乾燥を行った。 After putting 3.48 g of magnesium into a four-necked flask with a capacity of 300 mL, a three-way cock connected to a nitrogen line was attached, and nitrogen substitution in this four-necked flask and drying under reduced pressure were performed.
次いで、この四つ口フラスコ内に、脱水THF10mLを滴下した後、1,2−ジブロモエタンを投入して攪拌し、気泡が出るのを確認して、1−ブロモ−2,4,6−イソプロピルベンゼン(図1に示す化合物(α))を溶解した脱水THFをゆっくり滴下した。 Next, 10 mL of dehydrated THF was dropped into the four-necked flask, and then 1,2-dibromoethane was added and stirred. After confirming that bubbles were generated, 1-bromo-2,4,6-isopropyl was used. Dehydrated THF in which benzene (compound (α) shown in FIG. 1) was dissolved was slowly added dropwise.
化合物(α)を溶解した脱水THFの滴下を終了した後、この四つ口フラスコをオイルバスにより78℃にて2時間加熱しながら、反応させた後、室温で放冷した。 After completion of the dropwise addition of dehydrated THF in which the compound (α) was dissolved, this four-necked flask was reacted while being heated at 78 ° C. for 2 hours in an oil bath, and then allowed to cool at room temperature.
また、上述の方法と同様にして、別の容量300mLの四つ口フラスコ内の窒素置換および減圧乾燥を行った後、この四つ口フラスコ内に、トリメトキシボラン30mLを投入して、氷浴により−10℃に冷却した。 Further, in the same manner as described above, after nitrogen substitution and vacuum drying in another 300 mL four-necked flask were performed, 30 mL of trimethoxyborane was introduced into this four-necked flask, and an ice bath was added. To -10 ° C.
その後、このトリメトキシボランを投入した四つ口フラスコ内に、上述の化合物(α)を反応させた反応液をゆっくり滴下した後、1時間反応させた後、四つ口フラスコ内の反応液を室温まで昇温した。 Then, after slowly dropping the reaction solution obtained by reacting the above compound (α) into the four-necked flask charged with this trimethoxyborane, the reaction solution in the four-necked flask was reacted for 1 hour. The temperature was raised to room temperature.
次いで、この四つ口フラスコ内の反応液を吸引濾過し、反応液に含まれる結晶を脱水ペンタン100mLで洗浄し、濾液を全て濃縮して、透明な油分を得た。 Next, the reaction liquid in the four-necked flask was filtered with suction, the crystals contained in the reaction liquid were washed with 100 mL of dehydrated pentane, and the filtrate was all concentrated to obtain a transparent oil.
得られた油分を減圧蒸留することにより、図1に示す化合物(β)を得た。 The obtained oil was distilled under reduced pressure to obtain the compound (β) shown in FIG.
得られた化合物(β)の沸点は106〜108℃(1mmHg)、収量は10.8g、収率は36%であった。 The resulting compound (β) had a boiling point of 106 to 108 ° C. (1 mmHg), a yield of 10.8 g, and a yield of 36%.
また、別の容量100mLの四つ口フラスコに、窒素ラインに接続した三方コックを装着し、この四つ口フラスコ内の窒素置換および減圧乾燥を行った。 In addition, a three-way cock connected to a nitrogen line was attached to another four-necked flask with a volume of 100 mL, and nitrogen substitution in this four-necked flask and vacuum drying were performed.
次いで、この四つ口フラスコ内に、化合物(β)、脱水エーテル80mLおよび脱水ペンタン20mLを投入し、氷浴により0℃に冷却しながら攪拌した。
Next, the compound (β),
次いで、この四つ口フラスコ内に、水素化アルミニウムリチウムの20%エーテル溶液11mLを滴下し、0℃にて1.5時間反応させた。 Next, 11 mL of a 20% ether solution of lithium aluminum hydride was dropped into the four-necked flask and reacted at 0 ° C. for 1.5 hours.
次いで、この四つ口フラスコ内の反応液を室温まで昇温させた後、この反応液をガラスフィルターにより濾過しながら、その濾液を別の乾燥した容量100mLの四つ口フラスコ内に移した。 Subsequently, after raising the temperature of the reaction solution in the four-necked flask to room temperature, the filtrate was transferred to another dry 100-mL four-necked flask while filtering the reaction solution through a glass filter.
次いで、この反応液を移した四つ口フラスコ内に、トリメチルクロロシラン1.4mLを滴下し、室温にて2時間反応させた。 Next, 1.4 mL of trimethylchlorosilane was dropped into the four-necked flask to which the reaction solution was transferred, and reacted at room temperature for 2 hours.
次いで、この四つ口フラスコ内の反応液を、ガラスフィルターにより濾過しながら、その濾液を別の乾燥した容量100mLの四つ口フラスコ内に移した。 Next, while filtering the reaction solution in the four-necked flask through a glass filter, the filtrate was transferred into another dry four-necked flask having a volume of 100 mL.
その後、この四つ口フラスコ内に移した反応液を、加温、減圧しながら濃縮して、白色結晶の図1に示す化合物(γ)を得た。 Thereafter, the reaction solution transferred into the four-necked flask was concentrated while warming and decompressing to obtain the compound (γ) shown in FIG. 1 as white crystals.
次いで、化合物(γ)が入っている四つ口フラスコ内に、脱水THF22mLを投入して溶液を調製した後、4−エチニル−N,N´−ジメチルアニリン2.0gを投入して、水浴により40℃にて5時間、加温しながら攪拌した。 Next, in a four-necked flask containing the compound (γ), 22 mL of dehydrated THF was added to prepare a solution, and then 2.0 g of 4-ethynyl-N, N′-dimethylaniline was added, The mixture was stirred at 40 ° C. for 5 hours while warming.
次いで、四つ口フラスコ内の反応液を、加温、減圧しながら濃縮した後、四つ口フラスコ内の濃縮物を、冷ヘキサンを加えて結晶化させ、さらに冷ヘキサンによりこの結晶を洗浄し、黄色結晶の図1に示す化合物(δ)を得た。 Next, after concentrating the reaction solution in the four-necked flask while heating and reducing the pressure, the concentrate in the four-necked flask is crystallized by adding cold hexane, and this crystal is washed with cold hexane. As a result, a yellow crystal compound (δ) shown in FIG. 1 was obtained.
得られた化合物(δ)の収量は1.75gであった。 The yield of the obtained compound (δ) was 1.75 g.
また、化合物(δ)を1H−NMRにより分析したところ、7.59(d,4H)ppm、7.30−7.45(m,10H)ppm、7.00(s,2H)ppm、2.95(m,1H)ppm、2.50(m,2H)ppm、1.33(d,6H)ppm、1.13(d,12H)ppmにピークが観測された(溶媒:重水素化クロロホルム、基準物質:テトラメチルシラン、周波数400MHz)。分析結果を、図5に示す。
Further, when the compound (δ) was analyzed by 1 H-NMR, 7.59 (d, 4H) ppm, 7.30-7.45 (m, 10H) ppm, 7.00 (s, 2H) ppm, Peaks were observed at 2.95 (m, 1H) ppm, 2.50 (m, 2H) ppm, 1.33 (d, 6H) ppm, and 1.13 (d, 12H) ppm (solvent: deuterium). Chloroform, reference material: tetramethylsilane,
よって、得られた化合物は、化合物(δ)に間違いないことが確認された。 Therefore, it was confirmed that the obtained compound was definitely the compound (δ).
また、化合物(δ)を質量分析計により分析した。分析結果を、図6に示す。 In addition, compound (δ) was analyzed by a mass spectrometer. The analysis results are shown in FIG.
分析の結果、化合物(δ)の重量平均分子量(Mw)は420.44であった。 As a result of analysis, the weight average molecular weight (Mw) of the compound (δ) was 420.44.
(実施例2)
有機ホウ素化合物として、上記の式(136)において、XおよびX´が上記の式(206)である化合物を合成した。
(Example 2)
As the organic boron compound, a compound in which X and X ′ in the above formula (136) are the above formula (206) was synthesized.
容量100mLの四つ口フラスコに、窒素ラインに接続した三方コックを装着し、この四つ口フラスコ内の窒素置換および減圧乾燥を行った。 A four-necked flask with a capacity of 100 mL was equipped with a three-way cock connected to a nitrogen line, and the nitrogen in the four-necked flask was replaced and dried under reduced pressure.
次いで、この四つ口フラスコ内に、化合物(β)、脱水エーテル45mLおよび脱水ペンタン11mLを投入し、氷浴により0℃に冷却しながら攪拌した。
Next, the compound (β), dehydrated ether 45 mL and
次いで、この四つ口フラスコ内に、水素化アルミニウムリチウムの20%エーテル溶液5.0mLを滴下し、0℃にて2時間反応させた。 Next, 5.0 mL of a 20% ether solution of lithium aluminum hydride was dropped into the four-necked flask and reacted at 0 ° C. for 2 hours.
次いで、この四つ口フラスコ内の反応液を室温まで昇温させた後、この反応液をガラスフィルターにより濾過しながら、その濾液を別の乾燥した容量100mLの四つ口フラスコ内に移した。 Subsequently, after raising the temperature of the reaction solution in the four-necked flask to room temperature, the filtrate was transferred to another dry 100-mL four-necked flask while filtering the reaction solution through a glass filter.
次いで、この反応液を移した四つ口フラスコ内に、トリメチルシリルクロライド(Trimethylsilylchloride)0.48mLを滴下し、室温にて2時間反応させた。 Next, 0.48 mL of trimethylsilyl chloride (Trimethylsilyl chloride) was dropped into the four-necked flask to which the reaction solution was transferred, and reacted at room temperature for 2 hours.
次いで、この四つ口フラスコ内の反応液を、ガラスフィルターにより濾過しながら、その濾液を別の乾燥した四つ口フラスコ内に移した。 Next, while filtering the reaction solution in the four-necked flask through a glass filter, the filtrate was transferred into another dry four-necked flask.
その後、この四つ口フラスコ内に移した反応液を、加温、減圧しながら濃縮して、白色結晶の化合物(γ)を得た。 Thereafter, the reaction solution transferred into the four-necked flask was concentrated while warming and decompressing to obtain a white crystalline compound (γ).
次いで、化合物(γ)が入っている四つ口フラスコ内に、脱水THF22mLを投入して溶液を調製した後、4−エチニル−N,N´−ジメチルアニリン1.45gを投入して、水浴により40℃にて5時間、加温しながら攪拌した。 Next, in a four-necked flask containing the compound (γ), 22 mL of dehydrated THF was added to prepare a solution, and then 1.45 g of 4-ethynyl-N, N′-dimethylaniline was added, The mixture was stirred at 40 ° C. for 5 hours while warming.
次いで、四つ口フラスコ内の反応液を、加温、減圧しながら濃縮した後、四つ口フラスコ内の濃縮物を、冷ヘキサンを加えて結晶化させ、さらに冷ヘキサンによりこの結晶を洗浄し、黄色結晶の図2に示す化合物(ε)を得た。 Next, after concentrating the reaction solution in the four-necked flask while heating and reducing the pressure, the concentrate in the four-necked flask is crystallized by adding cold hexane, and this crystal is washed with cold hexane. As a result, a yellow crystal compound (ε) shown in FIG. 2 was obtained.
得られた化合物(ε)の収量は0.73gであった。 The yield of the obtained compound (ε) was 0.73 g.
また、化合物(ε)を1H−NMRにより分析したところ、7.47(d,4H)ppm、7.22(d,2H)ppm、7.11(d,2H)ppm、6.98(s,2H)ppm、6.66(d,4H)ppm、2.99(s,12H)ppm、2.96(m,1H)ppm、2.58(m,2H)ppm、1.32(d,6H)ppm、1.1(d,12H)ppmにピークが観測された(溶媒:重水素化クロロホルム、基準物質:テトラメチルシラン、周波数400MHz)。分析結果を、図7に示す。
Further, when the compound (ε) was analyzed by 1 H-NMR, 7.47 (d, 4H) ppm, 7.22 (d, 2H) ppm, 7.11 (d, 2H) ppm, 6.98 ( s, 2H) ppm, 6.66 (d, 4H) ppm, 2.99 (s, 12H) ppm, 2.96 (m, 1H) ppm, 2.58 (m, 2H) ppm, 1.32 ( Peaks were observed at d, 6H) ppm and 1.1 (d, 12H) ppm (solvent: deuterated chloroform, reference material: tetramethylsilane,
よって、得られた化合物は、化合物(ε)に間違いないことが確認された。 Therefore, it was confirmed that the obtained compound was definitely the compound (ε).
また、化合物(ε)を質量分析計により分析した。分析結果を、図8に示す。 Further, the compound (ε) was analyzed by a mass spectrometer. The analysis results are shown in FIG.
分析の結果、化合物(ε)の重量平均分子量(Mw)は506.57であった。 As a result of analysis, the weight average molecular weight (Mw) of the compound (ε) was 506.57.
(実施例3)
有機ホウ素化合物として、上記の式(138)で表される化合物を合成した。
(Example 3)
As the organic boron compound, the compound represented by the above formula (138) was synthesized.
容量100mLの四つ口フラスコに、窒素ラインに接続した三方コックを装着し、この四つ口フラスコ内の窒素置換および減圧乾燥を行った。 A four-necked flask with a capacity of 100 mL was equipped with a three-way cock connected to a nitrogen line, and the nitrogen in the four-necked flask was replaced and dried under reduced pressure.
次いで、この四つ口フラスコ内にて、図3に示す化合物(ζ)0.03785gを脱水THF1.0mLに溶解して溶液を調製した。 Next, in this four-necked flask, 0.03785 g of the compound (ζ) shown in FIG. 3 was dissolved in 1.0 mL of dehydrated THF to prepare a solution.
次いで、化合物(γ)を脱水THFに溶解して調製した、トリピルボランテトラヒドロフラン溶液(0.525M)0.6mLを、上記の溶液が入っている四つ口フラスコ内に30分以上かけて滴下した後、室温にて5時間、攪拌しながら反応させた。 Next, 0.6 mL of a tripyrborane tetrahydrofuran solution (0.525M) prepared by dissolving the compound (γ) in dehydrated THF was dropped into the four-necked flask containing the above solution over 30 minutes. Then, the reaction was carried out at room temperature for 5 hours with stirring.
その後、四つ口フラスコ内の反応液を、加温、減圧しながら濃縮した後、四つ口フラスコ内の濃縮物を、少量のクロロホルムに溶解した後、メタノールに再沈殿させた。 Thereafter, the reaction liquid in the four-necked flask was concentrated while warming and decompressing, and then the concentrate in the four-necked flask was dissolved in a small amount of chloroform and then reprecipitated in methanol.
その後、得られた沈殿物をベンゼンに溶解して凍結乾燥することにより、図3に示す高分子化合物(η)を得た。 Thereafter, the resulting precipitate was dissolved in benzene and freeze-dried to obtain a polymer compound (η) shown in FIG.
得られた高分子化合物(η)の収率は36%であった。 The yield of the obtained polymer compound (η) was 36%.
高分子化合物(η)を1H−NMRにより分析したところ、7.21−7.69(8H,Ar−H,B−CH=CH)ppm、6.92−7.08(2H,Ar−H(トリピル基))ppm、2.86−3.00(1H,CH(トリピル基))ppm、2.39−3.00(2H,CH(トリピル基))ppm、1.02−1.41(18H,CH3(トリピル基))ppmにピークが観測された(溶媒:重水素化クロロホルム、基準物質:テトラメチルシラン、周波数400MHz)。
When the polymer compound (η) was analyzed by 1 H-NMR, 7.21-7.69 (8H, Ar—H, B—CH═CH) ppm, 6.92-7.08 (2H, Ar— H (tripyl group)) ppm, 2.86-3.00 (1H, CH (tripyl group)) ppm, 2.39-3.00 (2H, CH (tripyl group)) ppm, 1.02-1. A peak was observed at 41 (18H, CH 3 (tripyl group)) ppm (solvent: deuterated chloroform, reference substance: tetramethylsilane,
また、高分子化合物(η)を13C−NMRにより分析したところ、153.1(Ar)ppm、149.3(Ar)ppm、147.8(Ar)ppm、138.7(Ar(トリピル基))ppm、135.1(Ar(トリピル基))ppm、132.3(Ar(トリピル基))ppm、127.2−128.8(−CH=CH−)ppm、119.8(−CH=CH−)ppm、34.8−35.6(−CH−)ppm、34.3(−CH−)ppm、23.8−24.9(−CH2−)ppmにピークが観測された(溶媒:重水素化クロロホルム、基準物質:テトラメチルシラン、周波数100MHz)。
Further, when the polymer compound (η) was analyzed by 13 C-NMR, it was found that 153.1 (Ar) ppm, 149.3 (Ar) ppm, 147.8 (Ar) ppm, 138.7 (Ar (tripyl group) )) Ppm, 135.1 (Ar (tripyl group)) ppm, 132.3 (Ar (tripyl group)) ppm, 127.2-128.8 (-CH = CH-) ppm, 119.8 (-CH = CH-) ppm, 34.8-35.6 (-CH- ) ppm, 34.3 (-CH-) ppm, 23.8-24.9 (-CH 2 -) peak was observed in ppm (Solvent: deuterated chloroform, reference material: tetramethylsilane,
よって、得られた化合物は、高分子化合物(η)に間違いないことが確認された。 Therefore, it was confirmed that the obtained compound was definitely a polymer compound (η).
(実施例4)
有機ホウ素化合物として、上記の式(138)で表される化合物を合成した。
Example 4
As the organic boron compound, the compound represented by the above formula (138) was synthesized.
容量100mLの四つ口フラスコに、窒素ラインに接続した三方コックを装着し、この四つ口フラスコ内の窒素置換および減圧乾燥を行った。 A four-necked flask with a capacity of 100 mL was equipped with a three-way cock connected to a nitrogen line, and the nitrogen in the four-necked flask was replaced and dried under reduced pressure.
次いで、この四つ口フラスコ内に、図4に示す化合物(θ)0.163gおよび脱水THFを投入した。 Next, 0.163 g of the compound (θ) shown in FIG. 4 and dehydrated THF were charged into the four-necked flask.
次いで、化合物(γ)0.114gを脱水THF1mLに溶解して溶液を調製し、この溶液を化合物(θ)が投入された四つ口フラスコ内に滴下した後、室温にて12時間、攪拌しながら反応させた。 Next, 0.114 g of the compound (γ) is dissolved in 1 mL of dehydrated THF to prepare a solution. This solution is dropped into the four-necked flask containing the compound (θ), and then stirred at room temperature for 12 hours. It was made to react.
その後、四つ口フラスコ内の反応液を、加温、減圧しながら濃縮した後、四つ口フラスコ内の濃縮物を、冷ヘキサンを加えて結晶化させ、さらに冷ヘキサンによりこの結晶を洗浄し、黄色結晶の図4に示す化合物(ι)を得た。 Then, after concentrating the reaction solution in the four-necked flask while heating and reducing the pressure, the concentrate in the four-necked flask is crystallized by adding cold hexane, and this crystal is washed with cold hexane. The compound (ι) shown in FIG. 4 was obtained as yellow crystals.
得られた高分子化合物(ι)の収量は0.192g、収率は71%であった。 The yield of the obtained polymer compound (ι) was 0.192 g, and the yield was 71%.
また、元素分析の結果は、炭素81.22(理論値81.89)、水素10.29(理論値10.22)であり、理論値とよく一致した。 The results of elemental analysis were 81.22 carbon (theoretical value 81.89) and 10.29 hydrogen (theoretical value 10.22), which were in good agreement with the theoretical value.
高分子化合物(ι)を1H−NMRにより分析したところ、7.81(2H,−CH=CH−)ppm、6.97(4H,Ar)ppm、4.00−3.75(4H,−OCH2−)ppm、2.89(3H,Ar−CH(トリピル基))ppm、2.49(3H,Ar−CH(トリピル基))ppm、1.82−0.86(31H,−C5H11−,−CCH3(トリピル基))ppmにピークが観測された(溶媒:重水素化クロロホルム、基準物質:テトラメチルシラン、周波数400MHz)。
When the polymer compound (ι) was analyzed by 1 H-NMR, 7.81 (2H, —CH═CH—) ppm, 6.97 (4H, Ar) ppm, 4.00 to 3.75 (4H, -OCH 2 -) ppm, 2.89 ( 3H, Ar-CH ( Toripiru group)) ppm, 2.49 (3H, Ar-CH ( Toripiru group)) ppm, 1.82-0.86 (31H, - C 5 H 11 -, - peak CCH 3 (Toripiru group)) ppm were observed (solvent: deuterated chloroform, reference: tetramethylsilane,
また、高分子化合物(ι)を13C−NMRにより分析したところ、151.72(Ar)ppm、121.81(Ar)ppm、110.63(Ar)ppm、148.96(Ar(トリピル基))ppm、147.236(Ar(トリピル基))ppm、119.30(Ar(Tripyl))ppm、129.05(−CH=CH−)ppm、69.02(−OCH2−)ppm、35.00(−CH−)ppm、34.31(−CH−)ppm、29.24(−CH2−)ppm、28.81(−CH2−)ppm、25.59(−CH2−)ppm、22.51(−CH2−)ppm、24.56(−CH3(トリピル基))ppm、14.01(−CH3)ppmにピークが観測された(溶媒:重水素化クロロホルム、基準物質:テトラメチルシラン、周波数100MHz)。
Further, when the polymer compound (ι) was analyzed by 13 C-NMR, 151.72 (Ar) ppm, 121.81 (Ar) ppm, 110.63 (Ar) ppm, 148.96 (Ar (tripyl group) )) ppm, 147.236 (Ar (Toripiru group)) ppm, 119.30 (Ar ( Tripyl)) ppm, 129.05 (-CH = CH-) ppm, 69.02 (-OCH 2 -) ppm, 35.00 (—CH—) ppm, 34.31 (—CH—) ppm, 29.24 (—CH 2 —) ppm, 28.81 (—CH 2 —) ppm, 25.59 (—CH 2 — ) ppm, 22.51 (-CH 2 - ) ppm, 24.56 (-CH 3 ( Toripiru group)) ppm, 14.01 (-CH 3 ) peaks ppm was observed (solvent: deuterated chloroform Reference substance: tetramethyl silane,
よって、得られた化合物は、高分子化合物(ι)に間違いないことが確認された。 Therefore, it was confirmed that the obtained compound was definitely a polymer compound (ι).
実施例で得られた化合物からなる薄膜を用いて、一光子吸収過程に基づく光照射による結合断裂を調べた。 Using the thin film made of the compound obtained in the example, bond breakage due to light irradiation based on the one-photon absorption process was examined.
実施例1で得られた化合物(δ)をゼオネックス(日本ゼオン社製)に分散させた後、スピンコート法により、基板上にこの分散液を塗布し、化合物(δ)からなる薄膜を形成した。得られた薄膜における化合物(δ)の含有率は1.02重量%、薄膜の厚みは3.5μmであった。 After the compound (δ) obtained in Example 1 was dispersed in ZEONEX (manufactured by ZEON Corporation), this dispersion was applied onto the substrate by a spin coating method to form a thin film composed of the compound (δ). . The content of the compound (δ) in the obtained thin film was 1.02% by weight, and the thickness of the thin film was 3.5 μm.
結合断裂の測定は、通常のUV照射装置から波長365nmの光を出射させ、上記のスピンコート薄膜に照射し、吸収スペクトル測定装置により、波長240nmから510nmの領域における吸収スペクトルを測定することにより行った。このとき、照射光のパワを15mW/cm2とした。 Bond breakage is measured by emitting light with a wavelength of 365 nm from a normal UV irradiation apparatus, irradiating the spin coat thin film, and measuring an absorption spectrum in a wavelength range of 240 nm to 510 nm with an absorption spectrum measurement apparatus. It was. At this time, the power of irradiation light was set to 15 mW / cm 2 .
UV光照射に伴う吸収スペクトルの時間変化を図9に示す。 The time change of the absorption spectrum accompanying UV light irradiation is shown in FIG.
図9から、波長340nm近傍の吸収ピークが時間の経過とともに顕著に減少する一方、波長270nm近傍の吸収ピークが増大することが観測された。この吸収ピークの減少または増加は、化合物(δ)内において、UV光照射により結合断裂が引き起こされ、それにより分子内のπ電子共役長が短くなったことに対応している。波長340nmの吸収は、化合物(δ)自体の構造に由来し、波長270nm近傍の吸収は、化合物(δ)の結合断裂により短くなった分子構造に由来する。結合断裂は、ホウ素原子近傍で起こると想定される。 From FIG. 9, it was observed that the absorption peak near the wavelength of 340 nm significantly decreased with the passage of time, while the absorption peak near the wavelength of 270 nm increased. This decrease or increase in the absorption peak corresponds to the fact that bond breakage is caused by UV light irradiation in the compound (δ), thereby shortening the π-electron conjugate length in the molecule. Absorption at a wavelength of 340 nm is derived from the structure of the compound (δ) itself, and absorption near the wavelength of 270 nm is derived from a molecular structure shortened by bond breaking of the compound (δ). Bond breaking is assumed to occur in the vicinity of the boron atom.
以上の一光子吸収過程に基づく吸収スペクトル変化の結果を活用すると、二光子吸収過程に基づく結合断裂を導くことが可能となる。すなわち、図10に示すメカニズムにより、照射する光源の波長を上記の倍にすれば(波長700〜800nm)、一光子吸収過程ではなく、二光子吸収過程によって結合断裂を起こし得ることに想到しえる。図10では、波長の異なる二波長の光吸収によって化合物(δ)が励起状態となり、結合断裂が起こるケースについて表しているが、同波長の光を照射してもよい。なお、化合物(δ)においては、波長700〜800nmにおいては、ほとんど一光子吸収は見られない。
By utilizing the result of the absorption spectrum change based on the above one-photon absorption process, it is possible to lead to bond breakage based on the two-photon absorption process. That is, if the wavelength of the illuminating light source is doubled by the mechanism shown in FIG. 10 (
このことを確認するために、本発明者らは、図11に示す白色光ポンプ・プローブ系を構築した。 In order to confirm this, the present inventors constructed a white light pump / probe system shown in FIG.
図11中、符号10は白色光ポンプ・プローブ系、11はチタンサファイアレーザ、12はキセノンランプ(連続光)、13,14は反射鏡、15,16は集光レンズ、17は検出器、18は試料(薄膜)、19はポンプ光、20はプローブ光をそれぞれ示す。
In FIG. 11,
この系では、チタンサファイアレーザ11から発せられるポンプ光19であるチタンサファイアレーザ光(波長796nm、パルス幅130fs、繰返し周波数1kHz)を、試料18に照射することにより、試料18にて生じた光の吸収(吸光度)の変化を、プローブ光20である白色光(連続光)によって、波長330nm近傍から550nm近傍まで一度に調べることができる。試料18に結合断裂が生じた場合、それに伴う吸収ピークの変化を検出器17により検出することが可能である。
In this system, the
図12に、化合物(δ)からなるスピンコート薄膜を用いて、二光子吸収過程に基づく吸収スペクトルの時間変化を調べた結果を示す。 FIG. 12 shows the results of examining the time change of the absorption spectrum based on the two-photon absorption process using the spin coat thin film made of the compound (δ).
ポンプ光の強度を13.6mJ・cm−2・pulse−1とした。化合物(δ)の濃度は9.9重量%、膜厚は3.0μmである。図12に示すように、波長796nmの光照射によっても、図9に示した波長365nmの光照射によると同様に、波長340nm近傍の吸収ピークの強度が次第に減少していくことが確認された。この結果は、図10に示すメカニズムにしたがって、チタンサファイアレーザ光の照射により、分子内に二光子吸収過程により結合断裂が引き起こされてπ電子共役長が短くなったことを意味する。図13は、波長350nmから360nmにおける吸光度の時間依存性を平均してプロットした結果である。吸光度は、照射時間に比例して単調に減少することが判明した。二光子吸収過程により、照射時間に比例して励起状態に励起され、そのまま結合断裂が起こることが分かった。 The intensity of the pump light was 13.6 mJ · cm −2 · pulse −1 . The concentration of the compound (δ) is 9.9% by weight, and the film thickness is 3.0 μm. As shown in FIG. 12, it was confirmed that the intensity of the absorption peak in the vicinity of the wavelength of 340 nm gradually decreased by light irradiation with a wavelength of 796 nm as well as light irradiation with a wavelength of 365 nm shown in FIG. This result means that, according to the mechanism shown in FIG. 10, irradiation with titanium sapphire laser light caused bond breakage in the molecule due to the two-photon absorption process, resulting in a shortened π-electron conjugate length. FIG. 13 shows the results of plotting the time dependence of absorbance at wavelengths from 350 nm to 360 nm on average. It was found that the absorbance monotonously decreases in proportion to the irradiation time. It was found that, due to the two-photon absorption process, the excited state was excited in proportion to the irradiation time, and bond breakage occurred as it was.
図12および図13に示した結果が、二光子吸収過程によるものであって、一光子吸収過程によるものではないことを検証する実験を行った。 An experiment was conducted to verify that the results shown in FIGS. 12 and 13 were due to the two-photon absorption process, not the one-photon absorption process.
図14は、実験系を示す模式図である。実験は、波長660nmの半導体励起固体レーザをポンプ光とし、波長410nmのGaNレーザをプローブ光として用い、プローブ光の透過率変化を検出器で調べることにより行った。試料に入射するポンプ光の強度を20mW(100W/cm2)とし、プローブ光の強度を7nW(35mW/cm2)とした。このプローブ光パワを7nWに低く設定したのは、プローブ光自体の入射により透過率の変化が起こらないようにするためである。 FIG. 14 is a schematic diagram showing an experimental system. The experiment was performed by using a semiconductor-excited solid laser with a wavelength of 660 nm as pump light, a GaN laser with a wavelength of 410 nm as probe light, and examining the change in transmittance of the probe light with a detector. The intensity of the pump light incident on the sample was 20 mW (100 W / cm 2 ), and the intensity of the probe light was 7 nW (35 mW / cm 2 ). The reason why the probe light power is set to a low value of 7 nW is to prevent a change in transmittance due to the incidence of the probe light itself.
結果を、図15に示す。 The results are shown in FIG.
参考のために、同様の実験系により、ポンプ光を波長410nmのGaNレーザとした結果も併せて示す。この場合のGaNレーザのパワを500mW(50mW/cm2)とした。波長410nmの光照射では、ポリマー特有の吸収ピークの減少に呼応して、波長410nmでも透過率は、次第に増大していくものの(図9の吸収ピークの減少に相当する)、波長660nmの光照射では、波長410nmにおける透過率はほとんど変化しないことが分かった。ポンプ光波長を830nmとし、その光強度を、ポンプ光波長660nmの場合に比べて、5倍とした同様の実験によっても、透過率変化は図15と同じように、ほとんど起こらなかった。もし、波長660nmおよび830nm帯において、一光子吸収過程により結合断裂が起こるのであれば、二光子吸収過程との効率の圧倒的な相違から考えて(数桁以上と推察される)、図15において、透過率変化が見られるはずである。 For reference, the result of using a GaN laser with a wavelength of 410 nm as the pump light is also shown in the same experimental system. The power of the GaN laser in this case was set to 500 mW (50 mW / cm 2 ). In light irradiation with a wavelength of 410 nm, the transmittance gradually increases even at a wavelength of 410 nm in response to a decrease in the absorption peak peculiar to the polymer (corresponding to a decrease in the absorption peak in FIG. 9). Then, it turned out that the transmittance | permeability in wavelength 410nm hardly changes. Even in the same experiment in which the pump light wavelength was set to 830 nm and the light intensity was set to five times that in the case of the pump light wavelength of 660 nm, the transmittance change hardly occurred as in FIG. If bond breakage occurs due to the one-photon absorption process at wavelengths of 660 nm and 830 nm, considering the overwhelming difference in efficiency from the two-photon absorption process (it is estimated to be several digits or more), FIG. A change in transmittance should be seen.
なお、以上の結果は、化合物(δ)の分散媒としてゼオネックスを用いたが、ポリメチルメタクリレート(PMMA)によっても、同様の結果が得られた。 In addition, although the above result used ZEONEX as a dispersion medium of a compound ((delta)), the same result was obtained also with polymethylmethacrylate (PMMA).
ここでも、結果は、有機ホウ素化合物は、波長660nmおよび830nmの領域では、一光子吸収が起こらない、すなわち熱効果を排除でき得る材料であることも示している。 Again, the results show that the organoboron compound is a material that does not cause one-photon absorption, i.e., can eliminate the thermal effect, in the wavelength region of 660 nm and 830 nm.
実施例2で得られた化合物(ε)をゼオネックス(日本ゼオン社製)に分散させて作製したスピンコート薄膜を用いても、図11に示す実験系によって、図13と同様の実験を行った。 The same experiment as FIG. 13 was conducted by the experimental system shown in FIG. 11 using the spin coat thin film prepared by dispersing the compound (ε) obtained in Example 2 in ZEONEX (manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd.). .
化合物(ε)の濃度は9.8重量%、膜厚は3.0μmである。ポンプ光の強度を13.6mJ・cm−2・pulse−1とした。図16に、波長350nmから360nmにおける吸光度の時間依存性を平均してプロットした結果を示す。 The concentration of the compound (ε) is 9.8% by weight, and the film thickness is 3.0 μm. The intensity of the pump light was 13.6 mJ · cm −2 · pulse −1 . In FIG. 16, the result of having averaged the time dependence of the light absorbency in wavelength 350nm to 360nm is plotted.
この結果、化合物(ε)においても、チタンサファイアレーザ光の照射により、分子内に二光子吸収過程により結合断裂が引き起こされて、π電子共役長が短くなったことを意味する。吸光度が照射時間に比例して単調に減少するのは、化合物(δ)と同様であったが、その減少の仕方(割合)は、化合物(δ)よりも2〜3%大きかった。これは、吸光度の平均する波長域のとり方による影響でもあるが、化合物(ε)の分子構造も関係していると推測される。すなわち、化合物(ε)は、化合物(δ)に比べて、基本構造を同じくする上で、ジメチルアミノ基が加わっていることから、π電子共役長が増大しており、このため、より大きな吸光度の変化をもたらしたと考えることができる。 As a result, also in the compound (ε), irradiation with titanium sapphire laser light caused bond breakage in the molecule due to the two-photon absorption process, which means that the π-electron conjugate length was shortened. The absorbance decreased monotonously in proportion to the irradiation time in the same manner as in the compound (δ), but the manner (ratio) of the decrease was 2-3% greater than that in the compound (δ). This is also influenced by the way of taking the wavelength range in which the absorbance is averaged, but it is presumed that the molecular structure of the compound (ε) is also related. That is, the compound (ε) has the same basic structure as that of the compound (δ), and a dimethylamino group is added to increase the π-electron conjugation length. It can be thought that this brought about a change.
実施例3で得られた高分子化合物(η)からなるスピンコート薄膜を用いても、図10に示す実験系によって、図12と同様の実験を行った。 Even when the spin coat thin film made of the polymer compound (η) obtained in Example 3 was used, an experiment similar to that shown in FIG. 12 was performed using the experimental system shown in FIG.
高分子化合物(η)は、単独でスピンコート膜を形成できるので、濃度は100重量%である。 Since the polymer compound (η) can form a spin coat film by itself, the concentration is 100% by weight.
高分子化合物(η)からなるスピンコート膜の厚みは0.1μmであった。 The thickness of the spin coat film made of the polymer compound (η) was 0.1 μm.
ポンプ光の強度を10mJ・cm−2・pulse−1とした。 The intensity of the pump light was set to 10 mJ · cm −2 · pulse −1 .
図17に、波長365nmから375nmにおける吸光度の時間依存性を平均してプロットした結果を示す。 In FIG. 17, the result of having averaged the time dependence of the light absorbency in wavelength 365nm to 375nm is plotted.
図17の結果から、二光子吸収を経由して、照射時間の増大と共に、初期の早い吸光度の減少と、その後の単調な吸光度の減少を観測することができた。 From the results shown in FIG. 17, it was possible to observe an initial rapid decrease in absorbance and subsequent monotonous decrease in absorbance with an increase in irradiation time via two-photon absorption.
実施例4で得られた高分子化合物(ι)からなるスピンコート薄膜を用いても、図10に示す実験系によって、図12と同様の実験を行った。 Even when the spin coat thin film made of the polymer compound (ι) obtained in Example 4 was used, the experiment similar to that shown in FIG. 12 was conducted using the experimental system shown in FIG.
高分子化合物(ι)は、単独でスピンコート膜を形成できるので、濃度は100重量%である。 Since the polymer compound (ι) can form a spin coat film alone, its concentration is 100% by weight.
高分子化合物(ι)からなるスピンコート膜の厚みは0.2μmであった。 The thickness of the spin coat film made of the polymer compound (ι) was 0.2 μm.
ポンプ光の強度を19mJ・cm−2・pulse−1とした。 The intensity of the pump light was 19 mJ · cm −2 · pulse −1 .
図18に、波長415nmから425nmにおける吸光度の時間依存性を平均してプロットした結果を示す。 FIG. 18 shows the result of plotting the time dependence of absorbance at wavelengths from 415 nm to 425 nm on average.
図18の結果から、二光子吸収を経由して、照射時間の増大と共に、初期の早い吸光度の減少と、その後の単調な吸光度の減少を観測することができた。 From the results shown in FIG. 18, it was possible to observe an initial rapid decrease in absorbance and subsequent monotonous decrease in absorbance with an increase in irradiation time via two-photon absorption.
本発明の二光子吸収材料は、その高い二光子吸収係数および結合断裂を引き起こす特長により、例えば、二光子吸収薄膜を積層した三次元型の光記憶媒体に適用することができる。この他に、本発明の二光子吸収材料は、二光子吸収材料を均等に分散した三次元媒体において、レーザ光の照射スポットを任意に移動させ、三次元描写を行わせるデバイスにも適用することが可能である。 The two-photon absorption material of the present invention can be applied to, for example, a three-dimensional optical storage medium in which two-photon absorption thin films are laminated due to its high two-photon absorption coefficient and the feature of causing bond breakage. In addition, the two-photon absorption material of the present invention can be applied to a device that performs three-dimensional drawing by arbitrarily moving a laser beam irradiation spot in a three-dimensional medium in which the two-photon absorption material is uniformly dispersed. Is possible.
10・・・白色光ポンプ・プローブ系、11・・・チタンサファイアレーザ、12・・・キセノンランプ、13,14・・・反射鏡、15,16・・・集光レンズ、17・・・検出器、18・・・試料、19・・・ポンプ光、20・・・プローブ光。
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11255902A (en) * | 1998-03-12 | 1999-09-21 | Tdk Corp | Pi-conjugate polymer containing boron, luminescent material, containing the same polymer and nonlinear optical material containing the same polymer |
JP2005284107A (en) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Mitsubishi Chemicals Corp | Triaryl boron compound and organic nonlinear optical material |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11255902A (en) * | 1998-03-12 | 1999-09-21 | Tdk Corp | Pi-conjugate polymer containing boron, luminescent material, containing the same polymer and nonlinear optical material containing the same polymer |
JP2005284107A (en) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Mitsubishi Chemicals Corp | Triaryl boron compound and organic nonlinear optical material |
JP2006131835A (en) * | 2004-11-09 | 2006-05-25 | Kyoto Univ | Organoboron macromolecular compound |
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