JP4749812B2 - Test equipment - Google Patents

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Description

本発明は、試験装置に関する。特に本発明は、被試験メモリの不良の記憶セルを予備セルに置換するための救済解を求める試験装置に関する。   The present invention relates to a test apparatus. In particular, the present invention relates to a test apparatus for obtaining a repair solution for replacing a defective memory cell of a memory under test with a spare cell.

従来より、半導体メモリの不良の記憶セルを予備セルに置換するための救済解(例えば、非特許文献1参照。)を求めるメモリ試験装置が知られている。従来のメモリ試験装置は、不良の記憶セルを検出する複数のテストユニットと、各テストユニットに対応して設けられた複数の解析処理部とを備える。各解析処理部は、テストユニットが検出した不良の記憶セルに関する情報に基づき、対応する半導体メモリの救済解を求める。
また、メモリ試験装置は、多数のテストユニットを備えることによって、多数の半導体メモリの試験を並行して行い、処理の効率化を図っている。
2. Description of the Related Art Conventionally, there is known a memory test apparatus that calculates a repair solution (for example, see Non-Patent Document 1) for replacing a defective memory cell in a semiconductor memory with a spare cell. A conventional memory test apparatus includes a plurality of test units for detecting defective memory cells and a plurality of analysis processing units provided corresponding to the test units. Each analysis processing unit obtains a repair solution for the corresponding semiconductor memory based on information on the defective memory cell detected by the test unit.
In addition, the memory test apparatus includes a large number of test units, so that a large number of semiconductor memories are tested in parallel to improve processing efficiency.

Jin-Fu Li、他6名、" A Built-In Self-Repair Scheme for Semiconductor Memories with 2-D Redundancy " 、INTERNATONAL TEST CONFERENCE、INTERNATONAL TEST CONFERENCE 2003 PROCEEDINGS 、2003年9月30日、p.393-402Jin-Fu Li, 6 others, "A Built-In Self-Repair Scheme for Semiconductor Memories with 2-D Redundancy", INTERNATONAL TEST CONFERENCE, INTERNATONAL TEST CONFERENCE 2003 PROCEEDINGS, September 30, 2003, p.393-402

ところで、従来のメモリ試験装置においては、テストユニット毎にCPU(Central Processing Unit)等のプロセッサを有する解析処理部が設けられる。このため、従来のメモリ試験装置は、比較的に能力の低いCPU等を解析処理部に用いて、低コスト化が図られている。しかしながら、演算能力の低いCPU等を用いる場合、最新の汎用CPUにおいて利用可能なソフトウェア開発環境を利用することができず、プログラム開発者の負担が大きくなる。また、同時並行して解析している複数のCPUのうち、1つのCPUのみ救済解の解析に時間がかかった場合、他のCPUは次の処理を行わずに待機してなければならず、処理の効率化を図れない。   By the way, in a conventional memory test apparatus, an analysis processing unit having a processor such as a CPU (Central Processing Unit) is provided for each test unit. For this reason, the conventional memory test apparatus uses a CPU with relatively low capacity or the like as the analysis processing unit to reduce the cost. However, when using a CPU or the like having a low computing capability, a software development environment that can be used in the latest general-purpose CPU cannot be used, which increases the burden on the program developer. Also, if it takes time to analyze a repair solution for only one CPU among a plurality of CPUs analyzing in parallel, the other CPUs must wait without performing the next process, Processing efficiency cannot be improved.

そこで本発明は、上記の課題を解決することのできる試験装置を提供することを目的とする。この目的は特許請求の範囲における独立項に記載の特徴の組み合わせにより達成される。また従属項は本発明の更なる有利な具体例を規定する。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a test apparatus that can solve the above-described problems. This object is achieved by a combination of features described in the independent claims. The dependent claims define further advantageous specific examples of the present invention.

本発明の第1の形態によると、複数の被試験メモリを試験する試験装置であって、それぞれの被試験メモリに対応してそれぞれ設けられ、対応する被試験メモリを試験するための試験信号を当該被試験メモリに供給する複数の試験信号供給部と、それぞれの被試験メモリに対応してそれぞれ設けられ、対応する被試験メモリから試験信号に応じて読み出されたデータが期待値と一致しない場合に当該被試験メモリの不良を検出する複数の不良検出部と、それぞれの被試験メモリに対応してそれぞれ設けられ、不良検出部が検出した当該被試験メモリにおける不良の記憶セルを特定するフェイル情報を記憶する複数のフェイルメモリと、それぞれの被試験メモリに対応してそれぞれ設けられ、フェイルメモリに記憶されたフェイル情報をバッファメモリにDMA(Direct Memory Access)転送する複数のバッファ部と、2以上の被試験メモリからなるグループごとに対応してそれぞれ設けられ、バッファメモリに転送された当該グループ内の被試験メモリのフェイル情報に基づいて、当該被試験メモリ内の不良の記憶セルを当該被試験メモリが有するいずれかの予備セルに置換することにより当該被試験メモリの不良を救済するための救済解を求める複数の解析処理部と、それぞれの被試験メモリに対応してそれぞれ設けられ、フェイルメモリに記憶されたフェイル情報に基づいて、救済解をハードウェア処理により求める複数のハードウェア解析部とを備え、複数の解析処理部は、対応するグループ内の被試験メモリに対応するハードウェア解析部により救済解が求められないことを条件として、ソフトウェア処理により救済解を求める試験装置を提供する。 According to the first aspect of the present invention, there is provided a test apparatus for testing a plurality of memories under test, each of which is provided corresponding to each memory under test, and a test signal for testing the corresponding memory under test is provided. A plurality of test signal supply units for supplying to the memory under test and the corresponding test memory are provided, and the data read from the corresponding memory under test according to the test signal does not match the expected value. A plurality of defect detectors for detecting a failure of the memory under test, and a fail provided for each memory under test, and a failure for specifying a defective memory cell in the memory under test detected by the defect detector A plurality of fail memories for storing information and a fail information stored in the fail memory are provided for each memory under test. Fail information of the memory under test in the group provided in correspondence with each group of a plurality of buffer units for transferring DMA (Direct Memory Access) to the memory and two or more memory under test, and transferred to the buffer memory A plurality of analysis processes for obtaining a repair solution for repairing a failure of the memory under test by replacing a defective storage cell in the memory under test with any spare cell of the memory under test based on And a plurality of hardware analysis units that are provided corresponding to the respective memories under test and that obtain a repair solution by hardware processing based on the fail information stored in the fail memory. Are repaired by the hardware analysis unit corresponding to the memory under test in the corresponding group. Provided is a test apparatus that obtains a repair solution by software processing on the condition that it is not obtained .

バッファ部は、フェイルメモリにフェイル情報が記憶されたか否かをポーリングにより検出する検出部と、フェイル情報がフェイルメモリに記憶されたことを検出部が検出したことを条件として、フェイルメモリに記憶されたフェイル情報をバッファメモリにDMA転送するDMA部とを有してよい。
バッファ部は、被試験メモリについてのフェイル情報をバッファメモリにDMA転送し終えたことを、当該被試験メモリが属するグループに対応する解析処理部内のプロセッサに対して割り込みにより通知してよい。
The buffer unit is stored in the fail memory on condition that the detection unit detects whether or not the fail information is stored in the fail memory by polling and the detection unit detects that the fail information is stored in the fail memory. And a DMA unit that DMA-transfers the fail information to the buffer memory.
The buffer unit may notify the processor in the analysis processing unit corresponding to the group to which the memory under test belongs by an interrupt that the fail information about the memory under test has been DMA transferred to the buffer memory.

なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。   The above summary of the invention does not enumerate all the necessary features of the present invention, and sub-combinations of these feature groups can also be the invention.

本発明によれば、複数の被試験メモリの救済解を効率的に算出することができる。   According to the present invention, repair solutions for a plurality of memories under test can be efficiently calculated.

以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではなく、また実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。   Hereinafter, the present invention will be described through embodiments of the invention. However, the following embodiments do not limit the invention according to the scope of claims, and all combinations of features described in the embodiments are included. It is not necessarily essential for the solution of the invention.

図1は、本実施形態に係る試験装置20の構成を示す。試験装置20は、複数の被試験メモリ10を同時に試験する。そして、試験装置20は、それらの試験結果に基づき、それぞれの被試験メモリ10についての、不良の記憶セルを予備セルに置換するための救済解を効率的に算出する。なお、本実施例において各被試験メモリ10は、半導体デバイス全体に相当するものであってもよいし、半導体メモリのチップ内の記憶領域を分割したブロックに相当するものであってもよい。   FIG. 1 shows a configuration of a test apparatus 20 according to the present embodiment. The test apparatus 20 tests a plurality of memories under test 10 simultaneously. Then, the test apparatus 20 efficiently calculates a repair solution for replacing the defective memory cell with the spare cell for each memory under test 10 based on the test results. In this embodiment, each memory under test 10 may correspond to the entire semiconductor device, or may correspond to a block obtained by dividing the storage area in the chip of the semiconductor memory.

試験装置20は、複数のテストユニット21と、複数のバッファ部22と、複数の解析処理部23と、ホスト制御部24とを備える。
複数のテストユニット21は、共に試験がされる複数の被試験メモリ10の、それぞれに対応してそれぞれ設けられている。各テストユニット21は、試験信号供給部31と、不良検出部32と、フェイルメモリ33と、ハードウェア解析部34とを有する。
The test apparatus 20 includes a plurality of test units 21, a plurality of buffer units 22, a plurality of analysis processing units 23, and a host control unit 24.
The plurality of test units 21 are provided corresponding to each of the plurality of memories under test 10 to be tested together. Each test unit 21 includes a test signal supply unit 31, a defect detection unit 32, a fail memory 33, and a hardware analysis unit 34.

試験信号供給部31は、対応する被試験メモリ10を試験するための試験信号を当該被試験メモリ10に供給する。不良検出部32は、対応する被試験メモリ10から試験信号に応じて読み出されたデータが期待値と一致しない場合に当該被試験メモリ10の不良を検出する。具体的には、不良検出部32は、被試験メモリ10が有する多数の記憶セルのなかから、不良の記憶セルを検出する。不良検出部32は、検出した不良の記憶セルを特定するフェイル情報を、対応するフェイルメモリ33に書き込む。フェイルメモリ33は、不良検出部32により書き込まれた被試験メモリ10のフェイル情報を記憶する。ハードウェア解析部34は、対応するフェイルメモリ33に記憶されているフェイル情報に基づき救済解を算出する。ハードウェア解析部34は、ソフトウェアを実行することによって演算処理をするCPU等のプロセッサを内部に含まず、専用のハードウェアによって救済解を算出する。   The test signal supply unit 31 supplies a test signal for testing the corresponding memory under test 10 to the memory under test 10. The defect detection unit 32 detects a defect of the memory under test 10 when the data read from the corresponding memory under test 10 according to the test signal does not match the expected value. Specifically, the defect detection unit 32 detects a defective memory cell from among a large number of memory cells included in the memory under test 10. The defect detection unit 32 writes fail information that identifies the detected defective memory cell in the corresponding fail memory 33. The fail memory 33 stores the fail information of the memory under test 10 written by the defect detection unit 32. The hardware analysis unit 34 calculates a repair solution based on the fail information stored in the corresponding fail memory 33. The hardware analysis unit 34 does not include a processor such as a CPU that performs arithmetic processing by executing software, and calculates a repair solution using dedicated hardware.

バッファ部22は、それぞれの被試験メモリ10に対応してそれぞれ設けられ、対応するテストユニット21内のフェイルメモリ33に記憶されたフェイル情報を、内部に有するバッファメモリにDMA(Direct Memory Access)転送する。   The buffer unit 22 is provided corresponding to each memory under test 10 and transfers the fail information stored in the corresponding fail memory 33 in the corresponding test unit 21 to the internal buffer memory by DMA (Direct Memory Access). To do.

解析処理部23は、2以上の被試験メモリ10からなるグループごとに対応してそれぞれ設けられる。解析処理部23は、そのグループを構成する複数の被試験メモリ10についてフェイル情報を、バッファ部22内から読み出す。そして、解析処理部23は、読み出したフェイル情報に基づいて、そのグループを構成する複数の被試験メモリ10についてのそれぞれの救済解を算出する。また、解析処理部23は、CPU等のプロセッサを内部に含み、当該プロセッサを用いてソフトウェア処理により救済解の算出を行う。解析処理部23は、ハードウェア解析部34が設けられている場合、当該ハードウェア解析部34により求めることができない救済解の算出を行ってもよい。また、解析処理部23は、ハードウェア解析部34が規定時間内に演算終了しなかった場合に、演算を終了しなかった被試験メモリ10についての演算を引き継いでもよい。
ホスト制御部24は、試験装置20全体を制御及び管理する。
The analysis processing unit 23 is provided for each group of two or more memories under test 10. The analysis processing unit 23 reads fail information from the buffer unit 22 for the plurality of memories under test 10 constituting the group. Then, the analysis processing unit 23 calculates each repair solution for the plurality of memories under test 10 constituting the group based on the read fail information. The analysis processing unit 23 includes a processor such as a CPU, and calculates a repair solution by software processing using the processor. When the hardware analysis unit 34 is provided, the analysis processing unit 23 may calculate a repair solution that cannot be obtained by the hardware analysis unit 34. The analysis processing unit 23 may take over the calculation for the memory under test 10 that has not ended the calculation when the hardware analysis unit 34 does not end the calculation within the specified time.
The host control unit 24 controls and manages the entire test apparatus 20.

このような試験装置20は、ハードウェア解析部34及び解析処理部23により求められた救済解を被試験メモリ10内に設定することにより、対応する被試験メモリ10に当該救済解をフィードバックする。救済解が設定されることにより、被試験メモリ10は、不良の記憶セルに対してデータの書き込み又は読み出し等のアクセスがあった場合に、そのアクセス先を不良の記憶セルから予備セルに置き換えることができる。   Such a test apparatus 20 feeds back the repair solution to the corresponding memory under test 10 by setting the repair solution obtained by the hardware analysis unit 34 and the analysis processing unit 23 in the memory under test 10. When the repair solution is set, the memory under test 10 replaces the access destination from the defective storage cell to the spare cell when there is an access such as data writing or reading to the defective storage cell. Can do.

図2は、試験装置20の各テストユニット21による不良検出処理の流れを示す。
まず、試験信号供給部31及び不良検出部32は、対応する被試験メモリ10の不良の記憶セルを検出し、不良の記憶セルを特定するフェイル情報を求める(ステップS11)。続いて、試験信号供給部31及び不良検出部32は、フェイル情報をフェイルメモリ33に書き込む(ステップS12)。続いて、フェイルメモリ33は、記憶しているフェイル情報がDMA転送により読み出されて、バッファ部22に転送される(ステップS13)。
FIG. 2 shows a flow of defect detection processing by each test unit 21 of the test apparatus 20.
First, the test signal supply unit 31 and the defect detection unit 32 detect a defective memory cell in the corresponding memory under test 10 and obtain fail information for specifying the defective memory cell (step S11). Subsequently, the test signal supply unit 31 and the defect detection unit 32 write fail information in the fail memory 33 (step S12). Subsequently, the fail memory 33 reads the stored fail information by DMA transfer and transfers it to the buffer unit 22 (step S13).

続いて、不良の記憶セルの検出の対象となる被試験メモリ10が、新たな被試験メモリ10に交換され、各テストユニット21に接続される(ステップS14)。その後、各テストユニット21は、再度ステップS11に戻り、新たな被試験メモリ10に対して、不良の記憶セルの記憶検出をする。以上のように、テストユニット21は、ステップS11からステップS14までの処理を繰り返す。   Subsequently, the memory under test 10 which is a target for detecting defective memory cells is replaced with a new memory under test 10 and connected to each test unit 21 (step S14). Thereafter, each test unit 21 returns to step S11 again, and performs memory detection of a defective memory cell for the new memory under test 10. As described above, the test unit 21 repeats the processing from step S11 to step S14.

図3は、バッファ部22のブロック構成を示す。
それぞれのバッファ部22は、バス制御部41と、バスブリッジ42と、バッファメモリ43と、検出部44と、DMA部45とを有する。バス制御部41は、フェイルメモリ33が接続されたバスと当該バッファ部22の内部バスとの間で転送されるデータのフォーマットを変換する。バスブリッジ42は、当該バッファ部22が接続される解析処理部23とのデータの送受信を制御する。バッファメモリ43は、対応するフェイルメモリ33から転送されたフェイル情報を記憶する。
FIG. 3 shows a block configuration of the buffer unit 22.
Each buffer unit 22 includes a bus control unit 41, a bus bridge 42, a buffer memory 43, a detection unit 44, and a DMA unit 45. The bus control unit 41 converts the format of data transferred between the bus to which the fail memory 33 is connected and the internal bus of the buffer unit 22. The bus bridge 42 controls data transmission / reception with the analysis processing unit 23 to which the buffer unit 22 is connected. The buffer memory 43 stores the fail information transferred from the corresponding fail memory 33.

検出部44は、フェイルメモリ33にフェイル情報が記憶されているか否かを、テストユニット21に対してポーリングにより確認する。検出部44は、フェイルメモリ33に記憶されているフェイル情報を、当該フェイルメモリ33からバッファメモリ43へDMA転送するタイミングを、DMA部45に通知する。DMA部45は、検出部44から転送タイミングの通知を受けた後に、フェイルメモリ33に記憶されているフェイル情報を、当該フェイルメモリ33からバッファメモリ43へDMA転送する。また、検出部44は、フェイル情報をバッファメモリ43へDMA転送した後、バッファメモリ43内にフェイル情報が記憶されていることを、解析処理部23内のプロセッサに対して割り込みにより通知する。   The detecting unit 44 confirms whether or not the fail information is stored in the fail memory 33 by polling the test unit 21. The detection unit 44 notifies the DMA unit 45 of the timing at which the fail information stored in the fail memory 33 is DMA-transferred from the fail memory 33 to the buffer memory 43. After receiving the transfer timing notification from the detection unit 44, the DMA unit 45 DMA-transfers the fail information stored in the fail memory 33 from the fail memory 33 to the buffer memory 43. In addition, after the DMA transfer of the fail information to the buffer memory 43, the detection unit 44 notifies the processor in the analysis processing unit 23 by interruption that the fail information is stored in the buffer memory 43.

図4は、バッファ部22の処理の流れを具体的に示す。
検出部44は、対応するテストユニット21に対してポーリングし、当該テストユニット21のステータスを確認する(ステップS21)。例えば、検出部44は、テストユニット21の所定のレジスタに書き込まれているデータを読み出して、当該テストユニット21のステータスを確認する。検出部44は、フェイルメモリ33内にフェイル情報が格納されている状態であると確認した場合には(ステップS22 YES)、DMA部45に対して転送開始指示を与える(ステップS23)。検出部44は、フェイルメモリ33内にフェイル情報が格納されていない状態であると確認した場合には、所定時間経過後にステップS21に戻り再度ポーリングする(ステップS22 NO)。
FIG. 4 specifically shows the flow of processing of the buffer unit 22.
The detection unit 44 polls the corresponding test unit 21 and confirms the status of the test unit 21 (step S21). For example, the detection unit 44 reads data written in a predetermined register of the test unit 21 and confirms the status of the test unit 21. When it is confirmed that the fail information is stored in the fail memory 33 (YES in step S22), the detection unit 44 gives a transfer start instruction to the DMA unit 45 (step S23). When it is confirmed that the fail information is not stored in the fail memory 33, the detection unit 44 returns to step S21 after a predetermined time and polls again (NO in step S22).

続いて、DMA部45は、検出部44から転送開始指示を受けると、フェイルメモリ33からフェイル情報を読み出して、バッファメモリ43にDMA転送する(ステップS24)。具体的には、DMA部45は、フェイルメモリ33の所定の記憶領域に記憶されているデータを、バッファメモリ43にバースト転送する。   Subsequently, when receiving a transfer start instruction from the detection unit 44, the DMA unit 45 reads the fail information from the fail memory 33 and performs DMA transfer to the buffer memory 43 (step S24). Specifically, the DMA unit 45 burst-transfers data stored in a predetermined storage area of the fail memory 33 to the buffer memory 43.

フェイル情報をバッファメモリ43にDMA転送し終えると、続いて、DMA部45は、転送が終了したことを、被試験メモリ10が属するグループに対応する解析処理部23内のプロセッサに対して割り込みにより通知する(ステップS25)。解析処理部23内のプロセッサは、転送終了の旨が割り込みにより通知された場合、その割り込み通知をしたバッファ部22内に対してアクセスし、当該バッファ部22のバッファメモリ43に記憶されたフェイル情報を読み出す(ステップS26)。解析処理部23は、読み出したフェイル情報に基づき、対応した被試験メモリ10の救済解を算出する。そして、検出部44は、解析処理部23によるフェイル情報の読み出しが完了したと判断すると(ステップS27)、再度ステップS21に戻りポーリングを行う。
以上のように、バッファ部22は、ステップS21からステップS27までの処理を繰り返すことにより、フェイル情報を、フェイルメモリ33から解析処理部23へ逐次転送することができる。
When the DMA transfer of the fail information to the buffer memory 43 is completed, the DMA unit 45 subsequently notifies the processor in the analysis processing unit 23 corresponding to the group to which the memory under test 10 belongs by an interruption. Notification is made (step S25). When the processor in the analysis processing unit 23 is notified of the end of transfer by an interrupt, the processor accesses the buffer unit 22 that has notified the interrupt, and stores the fail information stored in the buffer memory 43 of the buffer unit 22. Is read (step S26). The analysis processing unit 23 calculates a repair solution for the corresponding memory under test 10 based on the read fail information. When the detection unit 44 determines that reading of the fail information by the analysis processing unit 23 is completed (step S27), the detection unit 44 returns to step S21 again to perform polling.
As described above, the buffer unit 22 can sequentially transfer the fail information from the fail memory 33 to the analysis processing unit 23 by repeating the processing from step S21 to step S27.

以上のような試験装置20によれば、2以上の被試験メモリ10のグループ毎に解析処理部23を設けている。このため、試験装置20によれば、解析処理部23に高速のプロセッサを適用しても、装置全体としては低コストにできる。従って、試験装置20によれば、高速のプロセッサを用いることができるので当該解析処理部23により実行されるプログラムの開発等を容易に行うことができ、また、開発が容易な汎用のオペレーションシステムを搭載することもできる。   According to the test apparatus 20 as described above, the analysis processing unit 23 is provided for each group of two or more memories 10 to be tested. For this reason, according to the test apparatus 20, even if a high-speed processor is applied to the analysis processing unit 23, the cost of the entire apparatus can be reduced. Therefore, according to the test apparatus 20, since a high-speed processor can be used, a program executed by the analysis processing unit 23 can be easily developed, and a general-purpose operation system that is easy to develop can be provided. It can also be installed.

また、試験装置20によれば、テストユニット21から解析処理部23に対してフェイル情報をDMA転送するバッファ部22を、それぞれの被試験メモリ10に対応させて設けている。このため、試験装置20によれば、フェイルメモリ33にフェイル情報が格納されてから読み出しが完了するまでの時間を短縮することができ、試験のスループットを向上させることができる。
また、試験装置20によれば、1つの解析処理部23が処理する被試験メモリ10の数、及び、グループに含まれる被試験メモリ10の組み合わせは任意でよく、当該試験装置20の解析性能及び被試験メモリ10に対する試験内容等に応じて、適切な設定で試験することができる。
Further, according to the test apparatus 20, a buffer unit 22 that DMA-transfers fail information from the test unit 21 to the analysis processing unit 23 is provided corresponding to each memory under test 10. For this reason, according to the test apparatus 20, it is possible to reduce the time from when the fail information is stored in the fail memory 33 to when the reading is completed, and to improve the test throughput.
Further, according to the test apparatus 20, the number of the memory under test 10 processed by one analysis processing unit 23 and the combination of the memory under test 10 included in the group may be arbitrary, and the analysis performance of the test apparatus 20 and The test can be performed with an appropriate setting according to the test contents for the memory under test 10 and the like.

以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。   As mentioned above, although this invention was demonstrated using embodiment, the technical scope of this invention is not limited to the range as described in the said embodiment. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications or improvements can be added to the above-described embodiment. It is apparent from the scope of the claims that the embodiments added with such changes or improvements can be included in the technical scope of the present invention.

本実施形態に係る試験装置20の構成を示す。1 shows a configuration of a test apparatus 20 according to the present embodiment. 試験装置20の各テストユニット21による不良検出処理の流れを示す。The flow of the defect detection process by each test unit 21 of the test apparatus 20 is shown. バッファ部22のブロック構成を示す。The block structure of the buffer part 22 is shown. バッファ部22の処理の流れを示す。The flow of processing of the buffer unit 22 is shown.

符号の説明Explanation of symbols

10 被試験メモリ
20 試験装置
21 テストユニット
22 バッファ部
23 解析処理部
24 ホスト制御部
31 試験信号供給部
32 不良検出部
33 フェイルメモリ
34 ハードウェア解析部
41 バス制御部
42 バスブリッジ
43 バッファメモリ
44 検出部
45 DMA部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Memory under test 20 Test apparatus 21 Test unit 22 Buffer part 23 Analysis processing part 24 Host control part 31 Test signal supply part 32 Defect detection part 33 Fail memory 34 Hardware analysis part 41 Bus control part 42 Bus bridge 43 Buffer memory 44 Detection Part 45 DMA part

Claims (3)

複数の被試験メモリを試験する試験装置であって、
それぞれの前記被試験メモリに対応してそれぞれ設けられ、対応する前記被試験メモリを試験するための試験信号を当該被試験メモリに供給する複数の試験信号供給部と、
それぞれの前記被試験メモリに対応してそれぞれ設けられ、対応する前記被試験メモリから前記試験信号に応じて読み出されたデータが期待値と一致しない場合に当該被試験メモリの不良を検出する複数の不良検出部と、
それぞれの前記被試験メモリに対応してそれぞれ設けられ、前記不良検出部が検出した当該被試験メモリにおける不良の記憶セルを特定するフェイル情報を記憶する複数のフェイルメモリと、
それぞれの前記被試験メモリに対応してそれぞれ設けられ、前記フェイルメモリに記憶されたフェイル情報をバッファメモリにDMA(Direct Memory Access)転送する複数のバッファ部と、
2以上の前記被試験メモリからなるグループごとに対応してそれぞれ設けられ、前記バッファメモリに転送された当該グループ内の前記被試験メモリの前記フェイル情報に基づいて、当該被試験メモリ内の不良の記憶セルを当該被試験メモリが有するいずれかの予備セルに置換することにより当該被試験メモリの不良を救済するための救済解を求める複数の解析処理部と
それぞれの前記被試験メモリに対応してそれぞれ設けられ、前記フェイルメモリに記憶された前記フェイル情報に基づいて、前記救済解をハードウェア処理により求める複数のハードウェア解析部とを備え、
前記複数の解析処理部は、対応する前記グループ内の前記被試験メモリに対応する前記ハードウェア解析部により前記救済解が求められないことを条件として、ソフトウェア処理により前記救済解を求める試験装置。
A test apparatus for testing a plurality of memories under test,
A plurality of test signal supply units that are provided corresponding to the respective memories under test and supply test signals for testing the corresponding memories under test to the memories under test;
A plurality of detection circuits for detecting a failure of the memory under test when the data read out from the corresponding memory under test according to the test signal does not match an expected value. A defect detection unit of
A plurality of fail memories that are provided corresponding to the respective memories under test and store fail information for specifying defective storage cells in the memories under test detected by the defect detector;
A plurality of buffer units provided corresponding to each of the memories under test, for transferring fail information stored in the fail memory to a buffer memory by DMA (Direct Memory Access);
Based on the fail information of the memory under test in the group provided corresponding to each group of two or more memory under test and transferred to the buffer memory, a failure in the memory under test is determined. A plurality of analysis processing units for obtaining a repair solution for repairing a defect of the memory under test by replacing the memory cell with any spare cell of the memory under test ;
A plurality of hardware analysis units which are provided corresponding to the respective memories under test and obtain the repair solution by hardware processing based on the fail information stored in the fail memory,
The test apparatus that obtains the repair solution by software processing, on the condition that the repair solution is not obtained by the hardware analysis unit corresponding to the memory under test in the corresponding group .
前記バッファ部は、
前記フェイルメモリに前記フェイル情報が記憶されたか否かをポーリングにより検出する検出部と、
前記フェイル情報が前記フェイルメモリに記憶されたことを前記検出部が検出したことを条件として、前記フェイルメモリに記憶されたフェイル情報を前記バッファメモリにDMA転送するDMA部と
を有する請求項1に記載の試験装置。
The buffer unit is
A detecting unit for detecting by polling whether the fail information is stored in the fail memory;
A DMA unit that DMA-transfers the fail information stored in the fail memory to the buffer memory on the condition that the detection unit detects that the fail information is stored in the fail memory. The test apparatus described.
前記バッファ部は、前記被試験メモリについての前記フェイル情報を前記バッファメモリにDMA転送し終えたことを、当該被試験メモリが属する前記グループに対応する前記解析処理部内のプロセッサに対して割り込みにより通知する請求項1又は2に記載の試験装置。 The buffer unit notifies the processor in the analysis processing unit corresponding to the group to which the memory under test belongs by an interrupt that the fail information about the memory under test has been DMA transferred to the buffer memory. The test apparatus according to claim 1 or 2 .
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