JP4739068B2

JP4739068B2 - Piezoelectric thin film device

Info

Publication number: JP4739068B2
Application number: JP2006062945A
Authority: JP
Inventors: 幸久大杉; 省一郎山口; 知義多井
Original assignee: NGK Insulators Ltd
Current assignee: NGK Insulators Ltd
Priority date: 2006-03-08
Filing date: 2006-03-08
Publication date: 2011-08-03
Anticipated expiration: 2026-03-08
Also published as: JP2007243587A

Description

本発明は、単数又は複数の圧電薄膜共振子を含む圧電薄膜デバイスに関する。 The present invention relates to a piezoelectric thin film device including one or more piezoelectric thin film resonators.

図７は、従来の圧電薄膜共振子９の主要部の概略構成を示す斜視図である。図７には、説明の便宜上、左右方向をＸ軸方向、前後方向をＹ軸方向、上下方向をＺ軸方向とするＸＹＺ直交座標系が定義されている。 FIG. 7 is a perspective view showing a schematic configuration of a main part of a conventional piezoelectric thin film resonator 9. For convenience of explanation, FIG. 7 defines an XYZ orthogonal coordinate system in which the left-right direction is the X-axis direction, the front-rear direction is the Y-axis direction, and the up-down direction is the Z-axis direction.

図７に示すように、圧電薄膜共振子９は、圧電体薄膜９１と、励振領域９１１において圧電体薄膜９１を挟んで対向するように圧電体薄膜９１の両主面に形成された上面電極９２及び下面電極９３とを備える。 As shown in FIG. 7, the piezoelectric thin film resonator 9 includes an upper surface electrode 92 formed on both main surfaces of the piezoelectric thin film 91 so as to face the piezoelectric thin film 91 with the piezoelectric thin film 91 sandwiched in the excitation region 911. And a lower surface electrode 93.

圧電体薄膜９１の上面に形成された上面電極９２は、羽子板形状のパターンを有しており、矩形の励振領域９１１から−Ｘ方向に引き出され、その先端は外部配線の接続用のパット９２Ｐとなっている。 The upper surface electrode 92 formed on the upper surface of the piezoelectric thin film 91 has a battledore-shaped pattern, is drawn out from the rectangular excitation region 911 in the −X direction, and the tip thereof is connected to a pad 92P for connecting external wiring. It has become.

また、圧電体薄膜９１の下面に形成された下面電極９３も、羽子板形状のパターンを有しており、励振領域９１１から上面電極９２とは逆の＋Ｘ方向に引き出され、その先端は外部配線の接続用のパット９３Ｐとなっている。 The lower surface electrode 93 formed on the lower surface of the piezoelectric thin film 91 also has a battledore-like pattern, and is drawn out from the excitation region 911 in the + X direction opposite to the upper surface electrode 92, and the tip thereof is an external wiring. It is a connecting pad 93P.

なお、特許文献１は、従来の圧電薄膜共振子に関する先行技術文献である。 Patent Document 1 is a prior art document related to a conventional piezoelectric thin film resonator.

特開２００３−３１８６９５号公報JP 2003-318695 A

しかし、従来の圧電薄膜共振子では、電極パターンの非対称性に起因して、非対称モードや反対称モードの振動が励振され、周波数インピーダンス特性がスプリアスの影響を受けやすくなるという問題があった。 However, the conventional piezoelectric thin film resonator has a problem that due to the asymmetry of the electrode pattern, vibration of an asymmetric mode or an antisymmetric mode is excited, and the frequency impedance characteristic is easily affected by spurious.

本発明は、この問題を解決するためになされたもので、単数又は複数の圧電薄膜共振子を含む圧電薄膜デバイスにおいて、周波数インピーダンス特性がスプリアスの影響を受けにくくすることを目的とする。 The present invention has been made to solve this problem, and an object of the present invention is to make the frequency impedance characteristic less susceptible to spurious effects in a piezoelectric thin film device including one or more piezoelectric thin film resonators.

上記課題を解決するため、請求項１の発明は、単数又は複数の厚み縦振動モード又は厚みすべり振動モードのエネルギー閉じ込め型の圧電薄膜共振子を含む圧電薄膜デバイスであって、圧電体薄膜と、前記圧電体薄膜の一の主面に形成され、励振領域から相反する２方向へ引き出され、引き出し方向と垂直な第１の対称軸に関して全体が軸対称となっている第１の電極と、前記圧電体薄膜の他の主面に形成され、前記励振領域において前記圧電体薄膜を挟んで前記第１の電極と対向し、前記励振領域から相反する２方向へ引き出され、引き出し方向と垂直な第２の対称軸に関して全体が軸対象となっている第２の電極とを備え、前記第１の電極の引き出し方向と前記第２の電極の引き出し方向とが直交し、前記第１の電極の第１の方向に引き出された第１の引き出し部は、伸延方向を前記第１の方向に垂直な第２の方向及び前記第１の方向に反対の第３の方向に順次に折り曲げられ、前記圧電薄膜デバイスの外部と電気的に接続される接続部へ至り、前記第１の電極の前記第３の方向に引き出された第２の引き出し部は、伸延方向を前記第２の方向及び前記第１の方向に順次に折り曲げられ、前記接続部へ至る。 In order to solve the above-mentioned problems, the invention of claim 1 is a piezoelectric thin film device including one or a plurality of thickness longitudinal vibration mode or thickness shear vibration mode energy confining type piezoelectric thin film resonators, comprising: A first electrode formed on one main surface of the piezoelectric thin film, drawn out in two opposite directions from the excitation region, and entirely axisymmetric with respect to a first symmetry axis perpendicular to the drawing direction; Formed on the other main surface of the piezoelectric thin film, opposed to the first electrode across the piezoelectric thin film in the excitation region, extracted in two opposite directions from the excitation region, and perpendicular to the extraction direction. A second electrode that is an object of the whole with respect to two symmetry axes , wherein the lead-out direction of the first electrode and the lead-out direction of the second electrode are orthogonal to each other, and the second electrode of the first electrode Pull in the direction of 1 The extended first lead portion is bent in a second direction that is perpendicular to the first direction and a third direction opposite to the first direction in order to extend the outside of the piezoelectric thin film device. The second lead portion led to the electrically connected connection portion and pulled out in the third direction of the first electrode sequentially extends in the second direction and the first direction. bent, Ru optimum to the connecting portion.

請求項２の発明は、請求項１に記載の圧電薄膜デバイスにおいて、前記第１の電極及び前記第２の電極は、前記励振領域から幅を維持したまま引き出されている。 According to a second aspect of the present invention, in the piezoelectric thin film device according to the first aspect, the first electrode and the second electrode are drawn out from the excitation region while maintaining a width.

請求項１及び請求項２の発明によれば、非対称モード又は反対称モードの振動の励振を抑制することができるので、周波数インピーダンス特性がスプリアスの影響を受けにくくなる。 According to the first and second aspects of the present invention, since the excitation of vibration in the asymmetric mode or antisymmetric mode can be suppressed, the frequency impedance characteristic is hardly affected by spurious.

請求項２の発明によれば、電極の直流抵抗成分を低下させることができるので、圧電薄膜共振子の損失を減らすことができる。
According to the invention of claim 2 , since the direct current resistance component of the electrode can be reduced, the loss of the piezoelectric thin film resonator can be reduced.

＜１圧電薄膜共振子の構成＞
図１は、本発明の望ましい実施形態に係る圧電薄膜共振子（ＦＢＡＲ；Film Bulk Acoustic Resonator）１の概略構成を示す斜視図である。また、図２は、図１のII-IIの切断線における圧電薄膜共振子１の断面を示す断面図である。図１及び図２には、説明の便宜上、左右方向をＸ軸方向、前後方向をＹ軸方向、上下方向をＺ軸方向とするＸＹＺ直交座標系が定義されている。この点は、後述する各図においても同様である。圧電薄膜共振子１は、圧電体薄膜１４に励振される厚み縦振動による電気的な応答を利用した共振子となっている。 <1. Configuration of piezoelectric thin film resonator>
FIG. 1 is a perspective view showing a schematic configuration of a piezoelectric thin film resonator (FBAR; Film Bulk Acoustic Resonator) 1 according to a preferred embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view showing a cross section of the piezoelectric thin film resonator 1 taken along the line II-II in FIG. For convenience of explanation, FIGS. 1 and 2 define an XYZ orthogonal coordinate system in which the left-right direction is the X-axis direction, the front-rear direction is the Y-axis direction, and the up-down direction is the Z-axis direction. This also applies to each drawing described later. The piezoelectric thin film resonator 1 is a resonator using an electrical response due to thickness longitudinal vibration excited by the piezoelectric thin film 14.

図１及び図２に示すように、圧電薄膜共振子１は、支持基板１１の上に、接着層１２、下面電極１３、圧電体薄膜１４及び上面電極１５をこの順序で積層した構造を有している。圧電薄膜共振子１において、圧電体薄膜１４の大きさは支持基板１１より小さくなっており、下面電極１３の一部は露出した状態となっている。 As shown in FIGS. 1 and 2, the piezoelectric thin film resonator 1 has a structure in which an adhesive layer 12, a lower surface electrode 13, a piezoelectric thin film 14 and an upper surface electrode 15 are laminated in this order on a support substrate 11. ing. In the piezoelectric thin film resonator 1, the size of the piezoelectric thin film 14 is smaller than that of the support substrate 11, and a part of the lower surface electrode 13 is exposed.

圧電薄膜共振子１の製造にあたっては、単独で自重に耐え得る圧電体基板を除去加工することにより圧電体薄膜１４を得ているが、除去加工によって得られる圧電体薄膜１４は単独で自重に耐え得ない。このため、圧電薄膜共振子１の製造にあたっては、除去加工に先立って、圧電体基板を含む所定の部材を、支持体となる支持基板１１にあらかじめ接着している。 When the piezoelectric thin film resonator 1 is manufactured, the piezoelectric thin film 14 is obtained by removing the piezoelectric substrate that can withstand its own weight. However, the piezoelectric thin film 14 obtained by the removing process can withstand its own weight. I don't get it. For this reason, in manufacturing the piezoelectric thin film resonator 1, a predetermined member including the piezoelectric substrate is bonded in advance to the support substrate 11 serving as a support prior to the removal processing.

○支持基板；
支持基板１１は、圧電薄膜共振子１の製造途上で圧電体基板を除去加工するときに、下面電極１３が下面に形成された圧電体基板を接着層１２を介して支持する支持体としての役割を有している。加えて、支持基板１１は、圧電薄膜共振子１の製造後に、下面電極１３が下面に形成され、上面電極１５が上面に形成された圧電体薄膜１４を接着層１２を介して支持する支持体としての役割も有している。したがって、支持基板１１には、圧電体基板を除去加工するときに加わる力に耐え得ることと、圧電薄膜共振子１の製造後にも強度が低下しないこととが要請される。 ○ Support substrate;
The support substrate 11 serves as a support for supporting the piezoelectric substrate having the lower surface electrode 13 formed on the lower surface via the adhesive layer 12 when the piezoelectric substrate is removed during the manufacturing process of the piezoelectric thin film resonator 1. have. In addition, the support substrate 11 supports the piezoelectric thin film 14 having the lower electrode 13 formed on the lower surface and the upper electrode 15 formed on the upper surface via the adhesive layer 12 after the piezoelectric thin film resonator 1 is manufactured. It also has a role. Accordingly, the support substrate 11 is required to be able to withstand the force applied when the piezoelectric substrate is removed, and not to decrease in strength even after the piezoelectric thin film resonator 1 is manufactured.

支持基板１１の材料及び厚さは、このような要請を満足するように、適宜選択することができる。ただし、支持基板１１の材料を、圧電体薄膜１４を構成する圧電材料と近い熱膨張率、より望ましくは、圧電体薄膜１４を構成する圧電材料と同じ熱膨張率を有する材料、例えば、圧電体薄膜１４を構成する圧電材料と同じ材料とすれば、圧電薄膜共振子１の製造途上において、熱膨張率の差に起因する反りや破損を抑制することができる。また、圧電薄膜共振子１の製造後において、熱膨張率の差に起因する特性変動や破損を抑制することができる。なお、熱膨張率に異方性がある材料を用いる場合、各方向の熱膨張率がともに同じとなるように配慮することが望ましい。また圧電材料と同じ材料を同じ方位で用いるこ場合もある。 The material and thickness of the support substrate 11 can be appropriately selected so as to satisfy such requirements. However, the material of the support substrate 11 is a material having a thermal expansion coefficient close to that of the piezoelectric material constituting the piezoelectric thin film 14, more preferably a material having the same thermal expansion coefficient as the piezoelectric material constituting the piezoelectric thin film 14, for example, a piezoelectric body If the same material as the piezoelectric material constituting the thin film 14 is used, it is possible to suppress warping and breakage due to the difference in thermal expansion coefficient during the manufacturing of the piezoelectric thin film resonator 1. In addition, after the manufacture of the piezoelectric thin film resonator 1, it is possible to suppress characteristic fluctuations and breakage due to a difference in thermal expansion coefficient. In addition, when using the material which has anisotropy in a thermal expansion coefficient, it is desirable to consider so that the thermal expansion coefficient of each direction may become the same. The same material as the piezoelectric material may be used in the same direction.

圧電体薄膜１４の励振領域１４１に対向する支持基板１１の所定の領域には、正方形の孔形状を有する陥没（凹部又は掘り込み）１１１が形成されている。陥没１１１は、圧電体薄膜１４の励振領域１４１の下方にキャビティ（空洞）を形成し、圧電体薄膜１４の励振領域１４１を支持基板１１から離隔させ、励振領域１４１に励振された振動が支持基板１１と干渉しないようにする役割を果たしている。 In a predetermined region of the support substrate 11 that faces the excitation region 141 of the piezoelectric thin film 14, a depression (recess or digging) 111 having a square hole shape is formed. The depression 111 forms a cavity (cavity) below the excitation region 141 of the piezoelectric thin film 14, separates the excitation region 141 of the piezoelectric thin film 14 from the support substrate 11, and vibrations excited by the excitation region 141 are supported by the support substrate. 11 plays a role in preventing interference.

○接着層；
接着層１２は、圧電薄膜共振子１の製造途上で圧電体基板を除去加工するときに、下面電極１３が下面に形成された圧電体基板を支持基板１１に接着固定する役割を有している。加えて、接着層１２は、圧電薄膜共振子１の製造後に、下面電極１３が下面に形成され、上面電極１５が上面に形成された圧電体薄膜１４を支持基板１１に接着固定する役割も有している。したがって、接着層１２には、圧電体基板を除去加工するときに加わる力に耐え得ることと、圧電薄膜共振子１の製造後にも接着力が低下しないこととが要請される。 ○ Adhesive layer;
The adhesive layer 12 serves to bond and fix the piezoelectric substrate having the lower surface electrode 13 formed on the lower surface to the support substrate 11 when the piezoelectric substrate is removed during the manufacturing of the piezoelectric thin film resonator 1. . In addition, the adhesive layer 12 also has a role of bonding and fixing the piezoelectric thin film 14 having the lower electrode 13 formed on the lower surface and the upper electrode 15 formed on the upper surface to the support substrate 11 after the manufacture of the piezoelectric thin film resonator 1. is doing. Therefore, the adhesive layer 12 is required to be able to withstand the force applied when the piezoelectric substrate is removed and that the adhesive force does not decrease even after the piezoelectric thin film resonator 1 is manufactured.

このような要請を満足する接着層１２の望ましい例としては、有機接着剤、望ましくは、充填効果を有し、接着対象が完全に平坦ではなくても十分な接着力を発揮するエポキシ接着剤（熱硬化性を利用するエポキシ樹脂の接着剤）やアクリル接着剤（光硬化性及び熱硬化性を併用するアクリル樹脂の接着剤）により形成された接着層１２を挙げることができる。このような樹脂を採用することにより、圧電体基板と支持基板１１との間に期待しない空隙が生じることを防止し、当該空隙により圧電体基板の除去加工時にクラック等が発生することを防止可能である。ただし、このことは、これ以外の接着層１２によって圧電体薄膜１４と支持基板１１とが接着固定されることを妨げるものではない。 Desirable examples of the adhesive layer 12 satisfying such requirements include an organic adhesive, preferably an epoxy adhesive having a filling effect and exhibiting sufficient adhesive force even if the object to be bonded is not completely flat ( Examples thereof include an adhesive layer 12 formed of an epoxy resin adhesive using thermosetting) and an acrylic adhesive (an acrylic resin adhesive using both photo-curing property and thermosetting property). By adopting such a resin, it is possible to prevent an unexpected gap from being generated between the piezoelectric substrate and the support substrate 11 and to prevent a crack or the like from being generated during the removal processing of the piezoelectric substrate by the gap. It is. However, this does not prevent the piezoelectric thin film 14 and the support substrate 11 from being bonded and fixed by the other adhesive layer 12.

○圧電体薄膜；
圧電体薄膜１４は、圧電体基板を除去加工することにより得られる。より具体的には、圧電体薄膜１４は、単独で自重に耐え得る厚み（例えば、５０μｍ以上）を有する圧電体基板を、単独で自重に耐え得ない膜厚（例えば、１０μｍ以下）まで除去加工で薄肉化することにより得られる。 ○ Piezoelectric thin films;
The piezoelectric thin film 14 is obtained by removing the piezoelectric substrate. More specifically, the piezoelectric thin film 14 removes a piezoelectric substrate having a thickness that can withstand its own weight (for example, 50 μm or more) to a thickness that cannot withstand its own weight (for example, 10 μm or less). It can be obtained by thinning.

圧電体薄膜１４を構成する圧電材料としては、所望の圧電特性を有する圧電材料を選択することができるが、水晶（SiO₂）、ニオブ酸リチウム(LiNbO₃）、タンタル酸リチウム（LiTaO₃）、四ホウ酸リチウム（Li₂B₄O₇）、酸化亜鉛（ZnO）、ニオブ酸カリウム（KNbO₃）及びランガサイト（La₃Ga₃SiO₁₄）等の粒界を含まない単結晶材料を選択することが望ましい。圧電体薄膜１４を構成する圧電材料として単結晶材料を用いることにより、圧電体薄膜１４の電気機械結合係数及び機械的品質係数を向上させることができるからである。 As the piezoelectric material constituting the piezoelectric thin film 14, a piezoelectric material having desired piezoelectric characteristics can be selected, but quartz (SiO ₂ ), lithium niobate (LiNbO ₃ ), lithium tantalate (LiTaO ₃ ), Select single crystal materials that do not contain grain boundaries such as lithium tetraborate (Li ₂ B ₄ O ₇ ), zinc oxide (ZnO), potassium niobate (KNbO ₃ ) and langasite (La ₃ Ga ₃ SiO ₁₄ ) It is desirable. This is because by using a single crystal material as the piezoelectric material constituting the piezoelectric thin film 14, the electromechanical coupling coefficient and the mechanical quality factor of the piezoelectric thin film 14 can be improved.

また、圧電体薄膜１４における結晶方位も、所望の圧電特性を有する結晶方位を選択することができる。ここで、圧電体薄膜１４における結晶方位は、圧電薄膜共振子１の共振周波数や反共振周波数の温度特性が良好となる結晶方位とすることが望ましく、周波数温度係数が「０」となる結晶方位とすることがさらに望ましい。 Further, as the crystal orientation in the piezoelectric thin film 14, a crystal orientation having desired piezoelectric characteristics can be selected. Here, the crystal orientation in the piezoelectric thin film 14 is preferably a crystal orientation in which the temperature characteristics of the resonance frequency and antiresonance frequency of the piezoelectric thin film resonator 1 are favorable, and the crystal orientation in which the frequency temperature coefficient is “0”. Is more desirable.

圧電体基板の除去加工は、切削、研削及び研磨等の機械加工並びにエッチング等の化学加工等により行う。ここで、複数の除去加工方法を組み合わせ、加工速度が速い除去加工方法から、加工対象に生じる加工変質が小さい除去加工方法へと除去加工方法を段階的に切り替えながら圧電体基板を除去加工すれば、高い生産性を維持しつつ、圧電体薄膜１４の品質を向上し、圧電薄膜共振子１の特性を向上することができる。例えば、圧電体基板を固定砥粒に接触させて削る研削及び圧電体基板を遊離砥粒に接触させて削る研磨を順次行った後に、当該研磨によって圧電体基板に生じた加工変質層を仕上げ研磨により除去するようにすれば、圧電体基板を削る速度が早くなり、圧電薄膜共振子１の生産性を向上可能であるとともに、圧電体薄膜１４の品質を向上することにより、圧電薄膜共振子１の特性を向上可能である。なお、圧電体基板の除去加工のより具体的な方法については、後述する実施例において説明する。 The removal processing of the piezoelectric substrate is performed by mechanical processing such as cutting, grinding and polishing, and chemical processing such as etching. Here, if a plurality of removal processing methods are combined and the piezoelectric substrate is removed while switching the removal processing method step by step from the removal processing method with a high processing speed to the removal processing method with a small process alteration occurring on the processing target. The quality of the piezoelectric thin film 14 can be improved and the characteristics of the piezoelectric thin film resonator 1 can be improved while maintaining high productivity. For example, after performing grinding in which a piezoelectric substrate is brought into contact with fixed abrasive grains and polishing in which a piezoelectric substrate is brought into contact with loose abrasive grains in order, a work-affected layer generated on the piezoelectric substrate by the polishing is finished and polished. If it removes by this, the speed at which the piezoelectric substrate is cut can be increased, the productivity of the piezoelectric thin film resonator 1 can be improved, and the quality of the piezoelectric thin film 14 can be improved, whereby the piezoelectric thin film resonator 1 is improved. The characteristics can be improved. Note that a more specific method of removing the piezoelectric substrate will be described in an example described later.

このような圧電薄膜共振子１では、圧電体薄膜１４をスパッタリング等により成膜した場合と異なり、圧電体薄膜１４を構成する圧電材料や圧電体薄膜１４における結晶方位が下地の制約を受けないので、圧電体薄膜１４を構成する圧電材料や圧電体薄膜１４における結晶方位の選択の自由度が高くなっている。したがって、圧電薄膜共振子１では、所望の特性を実現することが容易になっている。 In such a piezoelectric thin film resonator 1, unlike the case where the piezoelectric thin film 14 is formed by sputtering or the like, the piezoelectric material constituting the piezoelectric thin film 14 and the crystal orientation in the piezoelectric thin film 14 are not subject to the restrictions of the base. The degree of freedom in selecting the crystal orientation of the piezoelectric material and the piezoelectric thin film 14 constituting the piezoelectric thin film 14 is high. Therefore, the piezoelectric thin film resonator 1 can easily achieve desired characteristics.

○上面電極及び下面電極；
以下では、図３を参照しながら、上面電極１５及び下面電極１３について説明する。ここで、図３は、上面電極１５及び下面電極１３のパターンを示す図であり、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）は、それぞれ、上方から見た場合の上面電極１５及び下面電極１３のパターンを示している。 ○ Top and bottom electrodes;
Below, the upper surface electrode 15 and the lower surface electrode 13 are demonstrated, referring FIG. Here, FIG. 3 is a diagram showing a pattern of the upper surface electrode 15 and the lower surface electrode 13, and FIGS. 3A and 3B are the upper surface electrode 15 and the lower surface electrode 13 when viewed from above, respectively. Shows the pattern.

上面電極１５及び下面電極１３は、導電材料を成膜することにより得られた導電体薄膜である。 The upper surface electrode 15 and the lower surface electrode 13 are conductive thin films obtained by forming a conductive material.

上面電極１５及び下面電極１３の膜厚は、圧電体薄膜１４への密着性、電気抵抗及び耐電力等を考慮して決定される。なお、圧電体薄膜１４の音速や膜厚のばらつきに起因する圧電薄膜共振子１の共振周波数や反共振周波数のばらつきを抑制するため、上面電極１５及び下面電極１３の膜厚を適宜調整するようにしてもよい。 The film thicknesses of the upper surface electrode 15 and the lower surface electrode 13 are determined in consideration of adhesion to the piezoelectric thin film 14, electrical resistance, power resistance, and the like. In order to suppress variations in the resonance frequency and anti-resonance frequency of the piezoelectric thin film resonator 1 due to variations in the sound velocity and film thickness of the piezoelectric thin film 14, the film thicknesses of the upper surface electrode 15 and the lower surface electrode 13 are appropriately adjusted. It may be.

上面電極１５及び下面電極１３を構成する導電材料は、特に制限されないが、アルミニウム（Al）、銀（Ag）、銅（Cu）、白金（Pt）、金（Au）、クロム（Cr）、ニッケル（Ni）、モリブデン（Mo）、タングステン(W)及びタンタル（Ta）等の金属から選択することが望ましい。もちろん、上面電極１５及び下面電極１３を構成する導電材料として合金を用いてもよい。また、複数種類の導電材料を重ねて成膜することにより、上面電極１５及び下面電極１３を形成してもよい。 The conductive material constituting the upper surface electrode 15 and the lower surface electrode 13 is not particularly limited, but aluminum (Al), silver (Ag), copper (Cu), platinum (Pt), gold (Au), chromium (Cr), nickel It is desirable to select from metals such as (Ni), molybdenum (Mo), tungsten (W) and tantalum (Ta). Of course, an alloy may be used as the conductive material constituting the upper electrode 15 and the lower electrode 13. Alternatively, the upper electrode 15 and the lower electrode 13 may be formed by stacking a plurality of types of conductive materials.

上面電極１５及び下面電極１３は、励振信号が印加される励振電極となっており、振動が励振される正方形の励振領域１４１において、圧電体薄膜１４を挟んで対向している。 The upper surface electrode 15 and the lower surface electrode 13 are excitation electrodes to which an excitation signal is applied, and face each other across the piezoelectric thin film 14 in a square excitation region 141 where vibration is excited.

圧電体薄膜１４の上面に形成された上面電極１５は、励振領域１４１から、＋方向及び−Ｘ方向の両方向に直線的に引き出されている。−Ｘ方向に引き出された上面電極１５は、圧電薄膜共振子１の外部と電気的に接続される外部配線の接続用のパット１５Ｐに至っている。 The upper surface electrode 15 formed on the upper surface of the piezoelectric thin film 14 is linearly drawn from the excitation region 141 in both the + direction and the −X direction. The upper surface electrode 15 drawn in the −X direction reaches a pad 15 </ b> P for connecting an external wiring that is electrically connected to the outside of the piezoelectric thin film resonator 1.

圧電体薄膜１４の下面に形成された下面電極１３は、励振領域１４１から、＋Ｙ方向及び−Ｙ方向の両方向に直線的に引き出されている。＋Ｙ方向に引き出された下面電極１３は、伸延方向を＋Ｘ方向及び−Ｙ方向に順次折り曲げられ、圧電薄膜共振子１の外部と電気的に接続される外部配線の接続用のパット１３Ｐに至っている。一方、下面電極１３の、−Ｙ方向に引き出された引き出し部は、伸延方向を＋Ｘ方向及び＋Ｙ方向に順次折り曲げられ、パット１３Ｐに至っている。 The lower surface electrode 13 formed on the lower surface of the piezoelectric thin film 14 is linearly drawn from the excitation region 141 in both the + Y direction and the −Y direction. The lower surface electrode 13 drawn in the + Y direction is bent in the extending direction in the + X direction and the −Y direction in sequence, and reaches a pad 13P for connecting external wiring that is electrically connected to the outside of the piezoelectric thin film resonator 1. . On the other hand, the lead-out portion of the lower surface electrode 13 drawn in the −Y direction is bent in the + X direction and the + Y direction sequentially to reach the pad 13P.

このように、上面電極１５及び下面電極１３を、励振領域１４１から、相反する（１８０°異なる）２方向へ引き出すことにより、励振領域１４１及びその近傍における電極質量の分布の非対称性を緩和することができるので、非対称モードや反対称モードの振動の励振を抑制することができ、圧電薄膜共振子１の周波数インピーダンス特性がスプリアスの影響を受けにくくなる。 In this way, the upper electrode 15 and the lower electrode 13 are pulled out from the excitation region 141 in two opposite directions (180 ° different), thereby reducing the asymmetry of the electrode mass distribution in the excitation region 141 and its vicinity. Therefore, excitation of vibrations in the asymmetric mode and the antisymmetric mode can be suppressed, and the frequency impedance characteristics of the piezoelectric thin film resonator 1 are hardly affected by spurious.

さらに、上面電極１５のパターンを、引き出し方向と垂直な±Ｙ方向に伸びる対称軸Ｓ１に関して軸対称となるようにし、下面電極１３のパターンを、引き出し方向と垂直な±Ｘ方向に伸びる対称軸Ｓ２に関して軸対称となるようにすれば、励振領域１４１及びその近傍における質量の分布の非対称性をさらに緩和することができるので、周波数インピーダンス特性がさらにスプリアスの影響を受けにくくなる。 Further, the pattern of the upper surface electrode 15 is axially symmetric with respect to the symmetry axis S1 extending in the ± Y direction perpendicular to the extraction direction, and the pattern of the lower surface electrode 13 is symmetric axis S2 extending in the ± X direction perpendicular to the extraction direction. As a result, the asymmetry of the mass distribution in the excitation region 141 and the vicinity thereof can be further relaxed, so that the frequency impedance characteristic is further less affected by spurious.

ここで、図３に示すように、上面電極１５及び下面電極１３のパターンの全体が、それぞれ、対称軸Ｓ１及びＳ２に関して軸対称となるようにすることが最も望ましいが、励振領域１４１へのエネルギー閉じ込めが実現している場合には、励振領域１４１から遠く離れた部分の電極質量の分布が、励振領域１４１に励振される振動へ与える影響は小さいため、励振領域１４１及びその近傍における上面電極１５及び下面電極１３のパターンが、それぞれ、対称軸Ｓ１及びＳ２に関して軸対称となっており、上面電極１５及び下面電極１３が、それぞれ、対称軸Ｓ１及びＳ２の両側に軸対称に引き出されているようにすれば、十分なスプリアス抑制効果を得ることができる。 Here, as shown in FIG. 3, it is most desirable that the entire pattern of the upper surface electrode 15 and the lower surface electrode 13 is axially symmetric with respect to the symmetry axes S1 and S2, respectively. When confinement is realized, the influence of the distribution of the electrode mass in the portion far from the excitation region 141 on the vibration excited in the excitation region 141 is small, and therefore the upper surface electrode 15 in the excitation region 141 and the vicinity thereof. The patterns of the lower electrode 13 and the lower electrode 13 are axially symmetric with respect to the symmetry axes S1 and S2, respectively, and the upper electrode 15 and the lower electrode 13 are drawn out symmetrically on both sides of the symmetry axes S1 and S2, respectively. In this case, a sufficient spurious suppression effect can be obtained.

加えて、圧電薄膜共振子１においては、上面電極１５の引き出し方向と下面電極１３の引き出し方向が直交しており、帯状の上面電極１５及び下面電極１３が励振領域１４１において十字交差する構造になっていることも、励振領域１４１及びその近傍における質量の分布の非対称性を緩和し、周波数インピーダンス特性がスプリアスの影響を受けにくくすることに寄与している。 In addition, in the piezoelectric thin film resonator 1, the lead-out direction of the upper surface electrode 15 and the lead-out direction of the lower surface electrode 13 are orthogonal to each other, and the belt-like upper surface electrode 15 and the lower surface electrode 13 cross each other in the excitation region 141. This also contributes to alleviating the asymmetry of the mass distribution in and around the excitation region 141 and making the frequency impedance characteristic less susceptible to spurious effects.

なお、従来の圧電薄膜共振子では、図７に示したように、励振領域からの電極の引き出しは、細幅の引き出し部によって行われていたが、本実施形態の圧電薄膜共振子１では、上面電極１４１及び下面電極１４２は、励振領域１４１から幅を維持したまま引き出されている。これにより、圧電薄膜共振子１では、上面電極１５及び下面電極１３の直流抵抗成分を低下させ、圧電薄膜共振子１の損失を減らしている。 In the conventional piezoelectric thin film resonator, as shown in FIG. 7, the electrode is extracted from the excitation region by the narrow extraction portion. However, in the piezoelectric thin film resonator 1 of the present embodiment, The upper surface electrode 141 and the lower surface electrode 142 are extracted from the excitation region 141 while maintaining the width. Thereby, in the piezoelectric thin film resonator 1, the direct current resistance components of the upper surface electrode 15 and the lower surface electrode 13 are reduced, and the loss of the piezoelectric thin film resonator 1 is reduced.

また、圧電薄膜共振子１では、励振領域１４１から±Ｙ方向に引き出された下面電極１３の両方の引き出し先がいずれもパット１３Ｐに接続されている。これにより、圧電薄膜共振子１では、下面電極１３の直流抵抗成分をさらに低下させている。 Further, in the piezoelectric thin film resonator 1, both the drawing destinations of the lower surface electrode 13 drawn in the ± Y direction from the excitation region 141 are connected to the pad 13P. Thereby, in the piezoelectric thin film resonator 1, the DC resistance component of the lower surface electrode 13 is further reduced.

なお、圧電薄膜共振子１では、パット１３Ｐへの外部配線の接続を可能ならしめるために、パット１３Ｐの近傍の圧電体薄膜１４（図１において点線で図示した部分）が除去され、パット１３Ｐが露出した状態となっている。このような上面電極１５及び下面電極１３により、圧電薄膜共振子１では、パット１５Ｐ及び１３Ｐを介して上面電極１５及び下面電極１３に励振信号が印加されると、上面電極１５と下面電極１３とが対向する励振領域１４１において圧電体薄膜１４の内部に電界Ｅが発生し、励振領域１４１に振動が励振される。 In the piezoelectric thin film resonator 1, the piezoelectric thin film 14 (portion shown by a dotted line in FIG. 1) in the vicinity of the pad 13P is removed so that the external wiring can be connected to the pad 13P. It is in an exposed state. With the upper surface electrode 15 and the lower surface electrode 13, in the piezoelectric thin film resonator 1, when excitation signals are applied to the upper surface electrode 15 and the lower surface electrode 13 via the pads 15 </ b> P and 13 </ b> P, the upper surface electrode 15, the lower surface electrode 13, In the excitation region 141 facing each other, an electric field E is generated inside the piezoelectric thin film 14, and vibration is excited in the excitation region 141.

以下では、本発明の望ましい実施形態に係る実施例と本発明の範囲外の比較例とについて説明する。 Hereinafter, examples according to preferred embodiments of the present invention and comparative examples outside the scope of the present invention will be described.

［実施例］
実施例では、支持基板１１及び圧電体薄膜１４を構成する圧電材料としてニオブ酸リチウムの単結晶、接着層１２を構成する材料としてエポキシ接着剤、下面電極１３を構成する導電材料としてモリブデン及びタンタル、上面電極１５を構成する導電材料としてクロム及び金を用いて圧電薄膜共振子１を作製した。 [Example]
In the embodiment, a single crystal of lithium niobate is used as the piezoelectric material constituting the support substrate 11 and the piezoelectric thin film 14, an epoxy adhesive is used as the material constituting the adhesive layer 12, and molybdenum and tantalum are used as the conductive materials constituting the lower surface electrode 13. The piezoelectric thin film resonator 1 was fabricated using chromium and gold as the conductive material constituting the upper surface electrode 15.

実施例の圧電薄膜共振子１は、図４の断面図に示すように、製造原価の低減のために、多数の圧電薄膜共振子１を一体化した集合体Ｕを作製した後に、集合体Ｕをダイシングソーで切断して個々の圧電薄膜共振子１へ分離することによって得られている。なお、図４には、３個の圧電薄膜共振子１が集合体Ｕに含まれる例が示されているが、集合体Ｕに含まれる圧電薄膜共振子１の数は、４個以上であってもよく、典型的に言えば、集合体Ｕには、数１００個〜数１０００個の圧電薄膜共振子１が含まれる。 As shown in the cross-sectional view of FIG. 4, the piezoelectric thin film resonator 1 of the example is manufactured after the assembly U in which a large number of piezoelectric thin film resonators 1 are integrated in order to reduce the manufacturing cost. Is cut by a dicing saw and separated into individual piezoelectric thin film resonators 1. FIG. 4 shows an example in which three piezoelectric thin film resonators 1 are included in the assembly U, but the number of piezoelectric thin film resonators 1 included in the assembly U is four or more. Typically, the assembly U includes several hundred to several thousand piezoelectric thin film resonators 1.

以下では、便宜上、集合体Ｕに含まれる１個の圧電薄膜共振子１に着目して説明を進めるが、集合体に含まれる他の圧電薄膜共振子１も着目した圧電薄膜共振子１と同時平行して製造されている。 In the following, for the sake of convenience, the description will be focused on one piezoelectric thin film resonator 1 included in the assembly U. However, other piezoelectric thin film resonators 1 included in the assembly are also simultaneously focused on the piezoelectric thin film resonator 1 focused on. Manufactured in parallel.

続いて、図５及び図６を参照しながら、実施例に係る圧電薄膜共振子１の製造方法を説明する。なお、図５（Ａ）〜図５（Ｄ）及び図６（Ｅ）〜図６（Ｇ）は、図１のII-IIの切断面における製造途上の圧電薄膜共振子１の断面図となっている。 Next, a method for manufacturing the piezoelectric thin film resonator 1 according to the embodiment will be described with reference to FIGS. 5 and 6. 5 (A) to 5 (D) and FIGS. 6 (E) to 6 (G) are cross-sectional views of the piezoelectric thin film resonator 1 in the process of being manufactured at the section II-II in FIG. ing.

圧電薄膜共振子１の製造にあたっては、最初に、厚み０．５ｍｍ、直径３インチのニオブ酸リチウムの単結晶の円形ウエハ（３６度カットＹ板）を支持基板１１及び圧電体基板１７として準備した。 In manufacturing the piezoelectric thin film resonator 1, first, a lithium niobate single crystal circular wafer (36 ° cut Y plate) having a thickness of 0.5 mm and a diameter of 3 inches was prepared as the support substrate 11 and the piezoelectric substrate 17. .

そして、陥没１１１を形成すべき領域が開口部となっているマスク（クロム膜と金膜とからなる積層膜）Ｍ１を支持基板１１の上面に形成し（図５（Ａ））、温度６０℃の１：１バッファードフッ酸溶液に支持基板１１を浸漬することにより、陥没１１１が形成された支持基板１１を得た（図５（Ｂ））。 Then, a mask (laminated film made of a chromium film and a gold film) M1 in which the region where the depression 111 is to be formed is an opening is formed on the upper surface of the support substrate 11 (FIG. 5A), and the temperature is 60 ° C. The support substrate 11 in which the depression 111 was formed was obtained by immersing the support substrate 11 in the 1: 1 buffered hydrofluoric acid solution (FIG. 5B).

その後、圧電体基板１７の下面に、厚さ０．０５７μｍのモリブデン膜と厚さ０．０２μｍのタンタル膜とをスパッタリングにより成膜し、フォトリソグラフィにより、図３（Ｂ）に示すパターンを有する下面電極１３を得た（図５（Ｃ））。 Thereafter, a molybdenum film having a thickness of 0.057 μm and a tantalum film having a thickness of 0.02 μm are formed on the lower surface of the piezoelectric substrate 17 by sputtering, and the lower surface having the pattern shown in FIG. An electrode 13 was obtained (FIG. 5C).

続いて、支持基板１１の上面に接着層１２となるエポキシ接着剤を塗布し、支持基板１１の上面と、圧電体基板１７の下面とを張り合わせた。そして、支持基板１１及び圧電体基板１７に圧力を印加してプレス圧着を行い、接着層１２の厚みを０．５μｍとした。しかる後に、張り合わせた支持基板１１及び圧電体基板１７を２００℃の環境下で１時間放置してエポキシ接着剤を硬化させ、支持基板１１と圧電体基板１７とを接着した（図５（Ｄ））。 Subsequently, an epoxy adhesive serving as the adhesive layer 12 was applied to the upper surface of the support substrate 11, and the upper surface of the support substrate 11 and the lower surface of the piezoelectric substrate 17 were bonded together. Then, pressure was applied to the support substrate 11 and the piezoelectric substrate 17 to perform press-bonding, and the thickness of the adhesive layer 12 was set to 0.5 μm. Thereafter, the bonded support substrate 11 and piezoelectric substrate 17 are allowed to stand in an environment of 200 ° C. for 1 hour to cure the epoxy adhesive, thereby bonding the support substrate 11 and the piezoelectric substrate 17 (FIG. 5D). ).

支持基板１１と圧電体基板１７との接着が完了した後、圧電体基板１７を支持基板１１に接着した状態を維持したまま、支持基板１１の下面を炭化ケイ素（SiC）で作製した研磨治具に固定し、圧電体基板１７の上面を固定砥粒の研削機で研削加工し、圧電体基板１７の厚さを５０μｍまで薄肉化した。さらに、圧電体基板１７の上面をダイヤモンド砥粒で研磨加工し、圧電体基板１７の厚さを２μｍまで薄肉化した。最後に、ダイヤモンド砥粒による研磨加工で圧電体基板１７に生じた加工変質層を除去するために、遊離砥粒及び不繊布系研磨パッドを使用して圧電体基板１７の仕上げ研磨を行い、厚さが１μｍの圧電体薄膜１４を得た（図６（Ｅ））。 After the bonding between the support substrate 11 and the piezoelectric substrate 17 is completed, a polishing jig in which the lower surface of the support substrate 11 is made of silicon carbide (SiC) while maintaining the state where the piezoelectric substrate 17 is bonded to the support substrate 11. The upper surface of the piezoelectric substrate 17 was ground with a fixed abrasive grinder to reduce the thickness of the piezoelectric substrate 17 to 50 μm. Furthermore, the upper surface of the piezoelectric substrate 17 was polished with diamond abrasive grains, and the thickness of the piezoelectric substrate 17 was reduced to 2 μm. Finally, in order to remove the work-affected layer generated on the piezoelectric substrate 17 by the polishing process using diamond abrasive grains, the final polishing of the piezoelectric substrate 17 is performed using the loose abrasive grains and the non-woven cloth polishing pad. A piezoelectric thin film 14 having a thickness of 1 μm was obtained (FIG. 6E).

続いて、圧電体薄膜１４の上面（研磨面）を有機溶剤で洗浄し、厚さ０．０２μｍのクロム膜と厚さ０．０５１５μｍの金膜とをスパッタリングにより成膜し、フォトリソグラフィにより、図３（１）に示すパターンを有する上面電極１５を得た（図６（Ｆ））。 Subsequently, the upper surface (polished surface) of the piezoelectric thin film 14 is washed with an organic solvent, and a chromium film having a thickness of 0.02 μm and a gold film having a thickness of 0.0515 μm are formed by sputtering. An upper surface electrode 15 having the pattern shown in 3 (1) was obtained (FIG. 6F).

さらに、圧電体薄膜１４の、下面電極１３のパット１３Ｐを被覆する部分をフッ酸によるエッチングで除去し、パット１３Ｐが露出された圧電薄膜共振子１を得た（図６（Ｇ））。 Further, the portion of the piezoelectric thin film 14 that covers the pad 13P of the lower surface electrode 13 was removed by etching with hydrofluoric acid to obtain the piezoelectric thin film resonator 1 with the pad 13P exposed (FIG. 6G).

このようにして得られた圧電薄膜共振子１について、ネットワークアナライザ及びプローバーを用いて周波数インピーダンス特性を評価したところ、スプリアスの影響のほとんどない単一共振波形を観察することができた。 When the frequency impedance characteristics of the piezoelectric thin film resonator 1 thus obtained were evaluated using a network analyzer and a prober, it was possible to observe a single resonance waveform having almost no spurious influence.

［比較例］
比較例では、上面電極及び下面電極のパターンを図７に示す羽子板形状としたこと以外は、実施例と同様の手順で圧電薄膜共振子を製造した。このようにして得られた圧電薄膜共振子について、ネットワークアナライザ及びプローバーを用いて、周波数インピーダンス特性を評価したところ、スプリアスが重畳した波形しか観察できず、スプリアスの影響により、共振抵抗は実施例の圧電薄膜共振子１より劣化していた。 [Comparative example]
In the comparative example, a piezoelectric thin film resonator was manufactured in the same procedure as in the example except that the pattern of the upper surface electrode and the lower surface electrode was made into the shape of a battledore shown in FIG. The piezoelectric thin film resonator thus obtained was evaluated for frequency impedance characteristics using a network analyzer and a prober. As a result, only a waveform in which spurious waves were superimposed could be observed. It was deteriorated from the piezoelectric thin film resonator 1.

＜変形例＞
上述の説明では、単数の圧電薄膜共振子からなる圧電薄膜デバイスについて説明を行ったが、本発明における圧電薄膜デバイスとは、一般的に言えば、単数又は複数の圧電薄膜共振子を含む圧電薄膜デバイス全般を意味しており、単一の圧電薄膜共振子を含む発振子及びトラップ等並びに複数の圧電薄膜共振子を含むフィルタ、デュプレクサ、トリプレクサ及びトラップ等を含んでいる。 <Modification>
In the above description, a piezoelectric thin film device composed of a single piezoelectric thin film resonator has been described. Generally speaking, a piezoelectric thin film device in the present invention is a piezoelectric thin film including one or more piezoelectric thin film resonators. The term “device” generally means an oscillator and a trap including a single piezoelectric thin film resonator, and a filter, a duplexer, a triplexer and a trap including a plurality of piezoelectric thin film resonators.

また、上述の説明では、圧電体薄膜に励振される厚み縦振動による電気的な応答を利用した圧電薄膜共振子について説明したが、厚み縦振動以外のモード、例えば、厚みすべり振動等も利用可能である。 In the above description, the piezoelectric thin film resonator using the electrical response due to the thickness longitudinal vibration excited by the piezoelectric thin film has been described. However, modes other than the thickness longitudinal vibration, such as thickness shear vibration, can also be used. It is.

さらに、上述の説明では励振領域が正方形であるとして説明を進めたが、励振領域は正方形に制限されず、他の形状（例えば、円形や正方形以外の多角形）であってもよい。なお、励振領域を多角形とする場合、多角形の最長の対角線の長さは、典型的には、３０μｍ〜３００μｍであり、励振領域を円形とする場合、円の直径は、典型的には、３０μｍ〜３００μｍである。 Further, in the above description, the description has been made on the assumption that the excitation region is a square, but the excitation region is not limited to a square, and may be another shape (for example, a circle or a polygon other than a square). When the excitation region is a polygon, the length of the longest diagonal line of the polygon is typically 30 μm to 300 μm. When the excitation region is a circle, the diameter of the circle is typically 30 μm to 300 μm.

本発明の望ましい実施形態に係る圧電薄膜共振子１の概略構成を示す斜視図である。1 is a perspective view showing a schematic configuration of a piezoelectric thin film resonator 1 according to a preferred embodiment of the present invention. 図のII-IIの切断線における圧電薄膜共振子１の断面を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the cross section of the piezoelectric thin film resonator 1 in the cutting line of II-II of a figure. 上面電極１５及び下面電極１３のパターンを示す図である。It is a figure which shows the pattern of the upper surface electrode 15 and the lower surface electrode 13. FIG. 多数の圧電薄膜共振子１を一体化した集合体Ｕを切断して個々の圧電薄膜共振子１へ分離する様子を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a state in which an assembly U in which a large number of piezoelectric thin film resonators 1 are integrated is cut and separated into individual piezoelectric thin film resonators 1. 実施例の圧電薄膜共振子１の製造方法を説明する図である。It is a figure explaining the manufacturing method of the piezoelectric thin film resonator 1 of an Example. 実施例の圧電薄膜共振子１の製造方法を説明する図である。It is a figure explaining the manufacturing method of the piezoelectric thin film resonator 1 of an Example. 従来の圧電薄膜共振子の主要部の概略構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows schematic structure of the principal part of the conventional piezoelectric thin film resonator.

Explanation of symbols

１圧電薄膜共振子
１１支持基板
１２接着層
１３下面電極
１３Ｐパット
１４圧電体薄膜
１５上面電極
１５Ｐパット
１７圧電体基板
１４１励振領域
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Piezoelectric thin film resonator 11 Support substrate 12 Adhesive layer 13 Lower surface electrode 13P pad 14 Piezoelectric thin film 15 Upper surface electrode 15P pad 17 Piezoelectric substrate 141 Excitation area

Claims

A piezoelectric thin film device including an energy confinement type piezoelectric thin film resonator of one or a plurality of thickness longitudinal vibration modes or thickness shear vibration modes ,
A piezoelectric thin film;
A first electrode formed on one main surface of the piezoelectric thin film, drawn out in two opposite directions from the excitation region, and entirely axisymmetric with respect to a first symmetry axis perpendicular to the drawing direction;
It is formed on the other main surface of the piezoelectric thin film, faces the first electrode across the piezoelectric thin film in the excitation region, is extracted in two opposite directions from the excitation region, and is perpendicular to the extraction direction. A second electrode that is entirely subject to a second symmetry axis;
Equipped with a,
The lead-out direction of the first electrode and the lead-out direction of the second electrode are orthogonal to each other,
The first lead portion pulled out in the first direction of the first electrode has a distraction direction in a second direction perpendicular to the first direction and a third direction opposite to the first direction. Sequentially bent, leading to a connection part electrically connected to the outside of the piezoelectric thin film device,
Second extraction portion drawn in the third direction of the first electrode is sequentially folded to the extending direction in the second direction and the first direction, the optimum Rukoto to the connecting portion Characteristic piezoelectric thin film device.

The piezoelectric thin film device according to claim 1, wherein
The piezoelectric thin film device, wherein the first electrode and the second electrode are drawn from the excitation region while maintaining a width.