JP4734814B2 - マイクロメカニカル流体制御コンポーネントを取り付ける装置および方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の概略説明】
本発明は一般的には、半導体プロセス装置における流体の正確な制御のような流体の正確な制御に関する。特に、本発明はマイクロメカニカル流体制御コンポーネントの取り付け技術に関する。
【０００２】
【発明の背景】
マイクロメカニカル装置（マイクロエレクトロメカニカル（ＭＥＭ）装置、マイクロマシン装置、及びナノ構造物とも呼ばれる）は半導体プロセス技術を使用して構成されたマイクロスケールの三次元物体である。ここで使用されるように、マイクロメカニカルという用語は、半導体プロセス技術に依存して少なくとも部分的に構成されるどんな三次元物体をも指す。
【０００３】
マイクロメカニカル装置は流体制御装置として利用される。ここで使用されるように、流体という用語は気体又は液体を指す。正確な流体制御は薬デリバリーから半導体プロセス装置までの範囲にわたる多くの応用において重要である。図１は、半導体プロセス装置に使用される従来技術の「ガススティック」２０を示す。ガススティック２０はガスの形態の流体を正確に制御する。ガススティック２０は一組の制御コンポーネント２２を含み、これらの制御コンポーネントは、遮断弁、圧力センサ、質量流量コントローラ、フィルタ、清浄器、圧力ゲージ等を含む。各ガス制御コンポーネント２２はコンポーネント基板２４に取り付けられている。
【０００４】
ガススティック２０はまた個々のマニホルドセグメント２８を含むマニホルド基板２６を有する。マニホルド基板のマニホルドセグメント２８はガスの通るガス導管（ガスチャンネル）３０を構成する。特に、ガスはガス導管３０からガス制御コンポーネント２２に流入してガス導管３０に戻り、そして他のガス制御コンポーネント２２に流入する。
【０００５】
図２はガススティックを構成するのに使用される従来技術のマニホルド基板４０を示す。マニホルド基板４０は、配管４４によって連結された個々のマニホルドセグメント４２を含む。各マニホルドセグメント４２は、制御されたガスを受け入れる第１ガス孔４８及び制御されたガスを伝達する第２ガス孔５０を有するマニホルドセグメント面４６を含む。ガス制御コンポーネント（図示せず）が各マニホルドセグメント４２に取り付けられ、受けたガスを処理し、次いでガスをマニホルド基板４０に伝達する。例示として、図２は１０個のガス制御コンポーネント、即ち６個の遮断弁（ＳＯＶ）、２個の質量流量コントローラ（ＭＦＣ）、１個の圧力センサ（ＰＳ）、及び１個の圧力調整器（ＰＲ）を受け入れるように構成されたマニホルド基板を示す。かくして、マニホルド基板４０は比較的大きなスペースを浪費し且つ比較的高価である。
【０００６】
図３は流入ポート６２及び流出ポート６４を有する流体制御コンポーネント基板６０を含む従来技術の装置を示す。流体制御コンポーネント６０には、常開定比弁の形態の第１マイクロメカニカルガス制御コンポーネント６６及び圧力センサ６７の形態の第２マイクロメカニカルガス制御コンポーネントが取り付けられている。ガス制御コンポーネント６６は膜６８及び膜制御室７０を含む。膜制御室７０内の流体７１は選択的に加熱され、それによって、膜制御室７０の容積を膨張させ、膜６８を撓ませ、それによって、流入ポート６２内の流体の流れを遮断する。圧力センサ６７と関連した膜６９の撓みは制御された流体の圧力を測定するのに使用される。
【０００７】
図３で観察してみると、マイクロメカニカルガス制御コンポーネント６６及び６７はコンポーネント基板６０と平行である（コンポーネント基板と同じ水平面に取り付けられる）。コンポーネント基板６０はマニホルドセグメント面４６と平行である（マニホルドセグメント面と同じ水平面に取り付けられる）。この形態は従来技術に多くの問題をもたらしている。
【０００８】
この従来技術の形態と関連した主たる問題は、コンポーネント６６及び６７を制御された流体以外の源から誘導される応力に曝されることである。例えば、コンポーネント６６及び６７は矢印７２で一般的に示す機械的又は熱的に引き起こされる取付け応力を受ける。取付け応力は、コンポーネントと基板との間の機械的な結合によるのであり、或いはコンポーネントと基板との間の熱膨張のミスマッチによるのである。圧力センサ６７の場合には、これらの応力は制御された流体からの信号として誤って処理され、誤った出力信号をもたらすことになる。
【０００９】
取付け応力はコンポーネントと基板との間のダイ取付け材料に疲労を生じさせることがある。ある場合には、取付け応力は流体制御コンポーネントを実際に壊すことがある。
【００１０】
これらの問題を回避するために、あるシリコーン圧力センサが、シリコーン或いはＲＴＶのような軟質の従順な材料を使用する表面に取り付けられる。軟質の材料は、コンポーネントを熱的に又は機械的に引き起こされるパッケージ応力から隔離するために使用される。不幸にして、これらの材料は、大きいクラスの応用には不適当である。特に、これらの材料は半導体プロセスのためのガスの制御及び分配に使用するのには不適当である。このような関係においては、ガスは腐蝕性又は毒性である。基板又はパッケージへのセンサの理想的な取付けは密封である。密封シールは典型的には大変硬く、パッケージの応力をセンサに直接伝えてしまう。その結果、流体制御コンポーネントをその基板から機械的に隔絶する代替方法を使用しなければならない。
【００１１】
半導体プロセス装置はまた流体制御コンポーネントの連続清浄を要求する。流体制御装置は腐蝕してはならず、また半導体製造工程に影響を及ぼす粒子を発生させてもいけない。この制約は、事実上全ての軟質の従順な材料を、コンポーネントの取付け用の候補として考慮から排除する。
【００１２】
前述に照らして、流体制御コンポーネントを取り付けるための改良技術を提供することが大変望ましい。理想的には、このような技術は、比較的コンパクトで効率的な流体制御構造物を提供する。
【００１３】
【発明の概要】
本発明の装置は、水平平面に向けられたマニホルド基板と連結するようになったマニホルドインターフェースプレートを含む。マニホルドインターフェースプレートはマニホルド基板から水平平面に沿って取付け応力を受ける。直交型コンポーネントプレートがマニホルド基板の水平平面に関して垂直平面でマニホルドインターフェースプレートに連結される。直交型コンポーネントプレートは直交型取付面を有し、この取付面にマイクロメカニカル流体制御コンポーネントが取り付けられている。直交型取付面上でのマイクロメカニカル流体制御コンポーネントの位置はマイクロメカニカル流体制御コンポーネントを取付け応力から実質的に隔絶する。
【００１４】
本発明の装置の他の実施形態は水平平面に定められたマニホルド基板と直接的連結するようになった直交型コンポーネントプレートを含む。直交型コンポーネントプレートはマニホルド基板の水平平面に関して垂直平面に向けられる。直交型コンポーネントプレートは直交型取付面を有し、この取付面にマイクロメカニカル流体制御コンポーネントが取り付けられている。直交型取付面上でのマイクロメカニカル流体制御コンポーネントの位置はマイクロメカニカル流体制御コンポーネントをマニホルド基板から生じる取付け応力から実質的に隔絶する。
【００１５】
本発明の方法はマニホルドインターフェースプレートを水平平面に向けられたマニホルド基板に取り付ける段階を含む。マニホルドインターフェースプレートはマニホルド基板から水平平面に沿って取付け応力を受ける。次いで、マイクロメカニカル流体制御コンポーネントがマニホルド基板の水平平面に関して垂直平面でマニホルドインターフェースプレートに連結された直交型コンポーネントプレートの直交型取付面に位置決めされる。直交型取付面上でのマイクロメカニカル流体制御コンポーネントの位置はマイクロメカニカル流体制御コンポーネントを取付け応力から実質的に隔絶する。
【００１６】
本発明の取付け技術はマイクロメカニカル流体制御コンポーネントに及ぼす取付け応力を実質的に除去し、それによって、コンポーネントのための信号ドリフト及びコンポーネントの物理的な損傷を減ずる。本発明の実施形態は依然として起こるかもしれないいかなる信号ドリフトをも矯正する。本発明の技術はコンパクトな構成を容易にし、それによって、流体制御コンポーネントのサイズ及び費用を減ずる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明のより良い理解のために、添付図面と共に以下の詳細な説明を参照すべきである。
【００１８】
図４は、本発明の実施形態による直交型（オーソゴナル：orthogonal）流体制御取付装置７８を示す。取付装置７８は、マニホルドインターフェイスプレート８０及び直交型コンポーネントプレート８２を含む。マニホルドインターフェイスプレート８０はマニホルドインターフェイス孔８４を含む。マニホルドインターフェイスプレート８０はマニホルド基板に連結される（例えば、図１の基板２６又は図２の基板４０）。マニホルド基板との連結を達成するために、ボルト又は他の固定装置がマニホルド孔８４の中に位置決めされる。
【００１９】
直交型コンポーネントプレート８２は直交型取付面８５を含む。その名前が含意するように、直交型取付面は、マイクロメカニカル流体制御コンポーネントを取付けるために使用される。マイクロメカニカル流体制御コンポーネントは、マニホルドインターフェイスプレートの水平面に直交する鉛直平面内にあることを観察すべきである。従って、マニホルドインターフェイスプレートによって与えられる取付応力は、流体制御コンポーネントから隔離される。流体制御コンポーネントは、もはや、それらの性能や物理的完全性に影響を与える応力に晒されないので、この構造は、流体制御コンポーネントの精度及び信頼性を改善する。
【００２０】
図４は又、直交型取付面８５のガスポート８８を示す。ガスポート８８は、マイクロメカニカル流体制御コンポーネント（図４には図示せず）と、直交型流体制御取付装置７８の内部通路との間の流体連通を達成する。図４は又、マイクロメカニカル流体制御コンポーネント又は直交型取付面８５に取付けられたコンポーネントを包囲するために使用することができる電子機器ハウジング８６を示す。リボンケーブルコネクタ９０は、電子機器ハウジング８６から外部コンピュータ又は他の電子機器（図示せず）への信号の経路を定めるのに使用することができる。
【００２１】
図４は又、直交型コンポーネントプレート８２をマニホルドインターフェイスプレート８０に取付けるために使用することができるボルト９２を示す。直交型プレート８２及びマニホルドインターフェイスプレート８０は、連続的に取付けられるエレメントを分離することができる。あるいは、マニホルドインターフェイスプレート８０及び直交型コンポーネントプレート８２を単一部品として機械加工しても良い。好ましくは、マニホルドインターフェイスプレート８０は、半導体処理装置への応用に対しては、３１６Ｌステンレススチールで形成される。複製連鎖反応や、液体クロマトグラフィー解析システムのような生物学的適合性が要求される場合には、他の材料、例えば、テフロン（登録商標）を使用することができる。
【００２２】
図５は、マニホルドインターフェイスプレート８０の底面図である。この図はマニホルドインターフェイス装置８４を示す。この図は又、例えば図１に示すタイプのマニホルド基板２６の導管３０との流体連通を達成するために使用される第１ガス孔９４及び第２ガス孔９６を示す。
【００２３】
図６は、本発明の重ねられた装置を示す。特に、この図は、マニホルドインターフェイスプレート８０に位置決めされた第１直交型コンポーネントプレート８２を示す。この図は又、第１直交型コンポーネントプレート８２に関連した電子機器ハウジング８６及びリボンケーブルコネクタ９０を示す。第２直交型コンポーネントプレート１００が第１直交型コンポーネントプレート８２の頂部に位置決めされる。第２直交型コンポーネントプレート１００は第１直交型コンポーネントプレート８２と同一形態のものである。従って、第２直交型コンポーネントプレート１００は、電子機器ハウジング１０２及びリボンケーブルコネクタ１０４を含む。
【００２４】
図７は、図６の装置の正面図である。図７は、第２の直交型コンポーネントプレート１００の上に位置決めされたマイクロメカニカル流体制御装置１０６を示している。図７はまた、第２の直交型コンポーネントプレート１００の上に位置決めされたマイクロコントローラ１０８を示している。
【００２５】
図８は、第１の直交型コンポーネントプレート８２の概略側面図であり、第１の直交型コンポーネントプレート８２は、第１の遮断弁(ＳＯＶ)１１０及び第２の遮断弁(ＳＯＶ)１１２を備えている。第２の直交型コンポーネントプレート１００は、質量流量コントローラ(ＭＦＣ)１１４を含むように図示されている。第１の直交型コンポーネントプレートと第２の直交型コンポーネントプレートの中を通る内部導管１１６が、流入ポート１２０と流出ポート１２２との間の連続流体通路を構成している。
【００２６】
図８は、本発明と関連した多数の利益を明示している。第１に、図８は、１以上の流体制御コンポーネントが１つの直交型コンポーネントプレートの上に取付けられることを明示している。図８はまた、本発明の積み重ね形態と関連した有効性を明示している。第２の直交型コンポーネントプレート１００は更に、他の流体制御コンポーネントを単一のコンポーネント基板に取付けることを可能にする。これは、流体制御設備の寸法を縮小し、そのコストを削減する。
【００２７】
図９は、図８の装置の断面図である。図９は、流入ポート１２０に隣接して位置決めされた第１のマイクロメカニカル遮断弁１１０を示している。第１の直交型コンポーネントプレート８２はまた、流出ポート１２２に隣接した第２のマイクロメカニカル遮断弁１１２を含む。第２の直交型コンポーネントプレート１００は、定比弁１２８、圧力センサ１３０、オリフィス１３２、第２の圧力センサ１３４及び温度センサ１３５を含み、それらを組合せて、質量流量コントローラ１１４を形成している。
【００２８】
当業者は、広範囲にわたる変形の流体制御構成が本発明に従って行われ得ることを認めるであろう。例示として、図１０は、１つのそのような変形構成を示す。図１０は、遮断弁１４０及び１４４と関連している質量流量コントローラ１４２の周りの流体の経路を選択的に定めるためのバイパス遮断弁(ＳＯＶ)１４６を示している。
【００２９】
図１１は、質量流量コントローラ１５４の概略図であり、質量流量コントローラ１５４は、一組の圧力センサ、定比弁、一組の応力センサ及びマイクロコントローラを含んでいる。遮断弁１５０及び１５２は、質量流量コントローラ１５４の両側に位置決めされている。
【００３０】
図１２は、図１１の質量流量コントローラ１５４の実施例を示す。図１２は、マニホルドインターフェースプレート１６０及び直交型コンポーネントプレート１６２を示している。ひずみセンサ１６４が、マニホルドインターフェースプレート１６０及び直交型コンポーネントプレート１６２の上に位置決めされている。後述するように、ひずみセンサ１６４は、流体制御コンポーネント出力に影響を及ぼすことがある取付け応力を測定するのに使用される。ひずみセンサ１６４からのひずみ信号は、取付け応力に起因する誤差を含む出力を補償するために、マイクロコントローラ１７０によって処理される。図１２はまた、圧力センサ１６６及び定比弁１６８を示しており、これらの各々は、ボンディングパッド１７４を含むプリント回路基板１７２に隣接して位置決めされている。
【００３１】
マイクロコントローラ１７０の動作を、図１３を参照して説明する。図１３は、マイクロコントローラ１７０が、ひずみセンサ１６４、圧力センサ１６６及び定比弁１６８から入力信号を受信することを示している。マイクロコントローラ１７０は、ひずみ補正モジュール１７６の形態をなして実行可能なプログラムを記憶しているメモリ１７５に接続されている。ひずみ補正モジュール１７６は、ハードワイヤード回路（配線接続回路）をなしていても良いし、不揮発性メモリであっても良い。図１３の実施例では、ひずみ補正モジュール１７６をマイクロコントローラ１７０によって実行し、応力によるセンサ信号のドリフトを同定する。
【００３２】
図１４は、所定の誤差帯域１８１の外にドリフトしている波形１８０を示している。マイクロコントローラ１７０は、(圧力センサ１６６、定比弁１６８、又はその他の流体制御コンポーネントから生じた)このドリフト信号を同定する。誤差帯域１８１からドリフトしている信号に応答して、アラーム信号１８２を出力として生じさせるのが良い。アラーム信号は、装置に取付けられている発光ダイオードを作動させても良いし、監視用コンピュータへの接続を確立しても良い。
【００３３】
波形１８４は、未補正の出力された出力誤差を示している。この観測信号に基づいて、マイクロコントローラ１７０は、波形１８６で示すように、補正信号を発生させる。波形１８４と１８６とを組合せることによって、マイクロコントローラは、補正後の出力信号１８８を生じさせる。従って、本発明の観点では、マイクロコントローラ１７０は、ひずみセンサ１６４からの応力信号に応答して、流体制御コンポーネントからの出力信号を調整する。
【００３４】
図１５は、本発明の変形実施形態を示す。図１５の実施形態では、直接取付け直交型コンポーネントプレート１８０が、マニホルド基板１８２に直接取付けられている。換言すれば、マニホルドインターフェースプレートは使用されていない。この直接連結のために、ボルト１８４を使用するのが良い。個々の流体制御コンポーネントは、直接取付け直交型コンポーネントプレート１８０の上に前述の仕方で取付けられている。この実施形態によれば、流体制御コンポーネントは更に、マニホルド基板によって生じる取付け応力から隔絶される。
【００３５】
図１５はまた、第１ケーブルコネクタ１８８を備えた第１電子機器ハウジング１８６と、第２ケーブルコネクタ１９２を備えた第１電子機器ハウジング１９０とを示す。かくして、この実施形態では、流体制御コンポーネントは、単一の直交型コンポーネントプレート１８０の両側に取り付けられる。
【００３６】
上記記載は、本発明を全体的に理解させるように、説明の目的で特定の名称を使用した。しかし、本発明を実施するのに特定の細部が必要とされないことは当業者にとって明らかである。他の例では、基本をなす発明からの不必要な散心を回避するため、周知の回路、装置はブロック図の形態で示されている。かくして、本発明の特定実施形態の上記記載は、例示及び説明の目的で提供されている。上記記載は、包括的であるようには、また、本発明を上述した寸分違わない形態に限定するようには意図されておらず、上記教示から多くの変形と変更が可能であることは明らかである。本発明の原理及びその実際的な使用を最良に説明し、これにより、当業者が本発明及び企図された特定の用途に適するように種々の変更を伴った種々の実施形態を最良に利用することができるようにするために、上記実施形態が選択され、説明された。本発明の範囲は請求の範囲及びその均等の範囲によって定められるように意図されている。
【図面の簡単な説明】
【図１】 従来のガススティックを示す。
【図２】 従来のマニホルド基板を示す。
【図３】 定比弁及び圧力センサを含む、従来のマイクロメカニカル流体制御コンポーネントを示す。
【図４】 本発明の実施形態による流体制御装置用直交型取付装置を示す。
【図５】 図４の装置について用いられるマニホルドインターフェイスプレートの底面図である。
【図６】 本発明の実施形態による積重ねた直交型取付装置の側面図を示す。
【図７】 図６の装置の正面図である。
【図８】 本発明の積重ねた直交型取付装置に組み込んだ種々の流体制御コンポーネントの略図である。
【図９】 本発明の積重ねた直交型取付装置の中の流体制御通路及び流体制御コンポーネントの断面図である。
【図１０】 本発明の積重ねた直交型取付装置に組み込むことのできる種々の流体制御コンポーネントの略図である。
【図１１】 本発明の直交型取付装置に組み込むことのできる種々の流体制御コンポーネントの略図である。
【図１２】 本発明の直交型取付装置に組み込まれた図１１の流体制御コンポーネントを示す。
【図１３】 本発明の実施形態による、信号補正用に使用されるマイクロコントローラの略図である。
【図１４】 図１３の装置によって処理された流体制御コンポーネント出力信号を示す。
【図１５】 本発明の実施形態による直接取付け直交型コンポーネントプレートを示す。

Claims (16)

1. マイクロメカニカル流体制御コンポーネントを取り付けるための装置であって、
   水平平面に差し向けられたマニホルド基板に連結することができるようになったマニホルドインターフェースプレートと、
   前記マニホルド基板及び前記マニホルドインターフェースプレートの前記水平平面に対して垂直に連結された直交型コンポーネントプレートと、
   前記直交型コンポーネントプレートの側面に形成され、前記マニホルド基板及び前記マニホルドインターフェースプレートに対して垂直でマイクロメカニカル流体制御コンポーネントの取り付けられる直交型取付面と、
   前記直交型取付面に位置決めされ、取付応力を受信してドリフト信号を同定するマイクロコントローラと、
   を有し、
   前記マニホルドインターフェースプレートが、前記水平平面に沿って前記マニホルド基板から前記取付応力を受け、前記直交型取付面における前記マイクロメカニカル流体制御コンポーネントの位置が、前記マイクロメカニカル流体制御コンポーネントを前記取付応力から隔絶することを特徴とする装置。
2. 前記直交型コンポーネントプレートに位置決めされた第２直交型コンポーネントプレートを有し、該第２直交型コンポーネントプレートが第２直交型取付面を有し、該第２直交型取付面には第２マイクロメカニカル流体制御コンポーネントが取り付けられることを特徴とする請求項１に記載の装置。
3. 前記マニホルドインターフェースプレート及び前記直交型コンポーネントプレートが、連続流体経路を形成する内部導管を有することを特徴とする請求項１に記載の装置。
4. 前記直交型取付面が前記連続流体流路と流体連通しているポートを有することを特徴とする請求項３に記載の装置。
5. 前記マイクロメカニカル流体制御コンポーネントは、前記ポートと整列された孔を有することを特徴とする請求項４に記載の装置。
6. 前記直交型取付面に位置決めされた電子機器ハウジングを有することを特徴とする請求項１に記載の装置。
7. 前記直交型取付面に位置決めされた複数の流体制御コンポーネントを有することを特徴とする請求項１に記載の装置。
8. 前記直交型コンポーネントプレートが第２直交型取付面を有し、該第２直交型取付面には第２マイクロメカニカル流体制御コンポーネントが取り付けられることを特徴とする請求項１に記載の装置。
9. 前記直交型コンポーネントプレートに位置決めされた応力センサを有し、該応力センサが直交型コンポーネントプレートに加えられた応力に応答して応力信号を発生し、前記マイクロコントローラが、前記応力信号に応答して前記流体制御コンポーネントからの出力信号を調節することを特徴とする請求項８に記載の装置。
10. マイクロメカニカル流体制御コンポーネントを取り付けるための装置であって、
    水平平面に構成されたマニホルド基板に直接連結することができるようになった直交型コンポーネントプレートと、
    前記直交型コンポーネントプレートの直交型取付面に位置決めされ、取付応力を受信してドリフト信号を同定するマイクロコントローラと、
    を有し、
    前記直交型コンポーネントプレートが、前記マニホルド基板の前記水平平面に対して垂直な平面に差し向けられ、前記マニホルド基板及びマニホルドインターフェースプレートに対して垂直な直交型取付面を有し、該直交型取付面にはマイクロメカニカル流体制御コンポーネントが取り付けられ、前記直交型取付面における前記マイクロメカニカル流体制御コンポーネントの位置が、前記マイクロメカニカル流体制御コンポーネントを前記マニホルド基板から生ずる取付応力から隔絶することを特徴とする装置。
11. 前記直交型コンポーネントプレートが、第２マイクロメカニカル流体制御コンポーネントを取付けた第２直交型取付面を含む請求項１０に記載の装置。
12. 前記直交型コンポーネントプレートに位置決めされた第２直交型コンポーネントプレートを更に有する請求項１０に記載の装置。
13. 前記直交型コンポーネントプレートに位置決めされた応力センサを更に有し、前記応力センサは、前記直交型コンポーネントプレートに負荷された応力に応答して応力信号を生成し、前記マイクロコントローラは、前記応力信号に応答して前記流体制御コンポーネントからの出力信号を調整する請求項１２に記載の装置。
14. マニホルドインターフェースプレートを、水平面に向けられたマニホルド基板に取付け、前記マニホルドインターフェースプレートが、前記水平面に沿った前記マニホルド基板からの取付応力を受ける段階と、
    マイクロメカニカル流体制御コンポーネントを、前記マニホルド基板の前記水平面に対して、鉛直面内の前記マニホルドインターフェースプレートに連結された直交型コンポーネントプレートの直交型取付面に位置決めし、前記直交型取付面上の前記マイクロメカニカル流体制御コンポーネントの位置が、前記マイクロメカニカル流体制御コンポーネントを前記取付応力から隔絶する段階と、
    前記直交型コンポーネントプレートに負荷された前記取付応力に応答して、応力信号を収集する段階と、
    前記応力信号に応答して前記流体制御コンポーネントからの出力信号を調整する段階と、
    を含むことを特徴とするマイクロメカニカル流体制御コンポーネントの取付方法。
15. 第２直交型コンポーネントプレートを第１直交型コンポーネントプレートに位置決めする段階を更に含み、前記第２直交型コンポーネントプレートが第２マイクロメカニカル流体制御コンポーネントを取付けた第２直交型取付面を含むことを特徴とする請求項１４記載の方法。
16. 前記マニホルドインターフェースプレート及び前記直交型コンポーネントプレートを通る連続的な流体通路を構成する段階を更に含むことを特徴とする請求項１４記載の方法。

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