JP4712366B2

JP4712366B2 - Light emitting device

Info

Publication number: JP4712366B2
Application number: JP2004358476A
Authority: JP
Inventors: 久大谷
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2003-12-12
Filing date: 2004-12-10
Publication date: 2011-06-29
Anticipated expiration: 2024-12-10
Also published as: JP2005197239A

Description

本発明は、発光装置に関し、特に異なる色の発光を組み合わせることによって多色で構成される画像を表示できる発光装置に関する。 The present invention relates to a light emitting device, and more particularly to a light emitting device capable of displaying an image composed of multiple colors by combining light emission of different colors.

エレクトロルミネッセンス素子（発光素子）からの発光を利用した発光装置は、高視野角、低消費電力の表示用装置として注目されている装置である。 A light-emitting device using light emission from an electroluminescence element (light-emitting element) is a device that has attracted attention as a display device with a high viewing angle and low power consumption.

近年、発光装置の開発分野では、テレビ受像機やカーナビゲーションを初めとする各種情報処理機器における表示用装置等としての市場を得るべく、高品質なフルカラー画像を提供できる発光装置の研究開発が盛んに行われている。 In recent years, in the field of light-emitting device development, research and development of light-emitting devices that can provide high-quality full-color images has been active in order to obtain a market for display devices in various information processing equipment such as TV receivers and car navigation systems. Has been done.

フルカラー画像を表示するためには、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の三原色の発光を呈する領域を独立に設け、各々の領域における発光時間、発光輝度を変えることによって表示する色の明度および色度を制御しなければならない。 In order to display a full-color image, areas that emit light of the three primary colors of red (R), green (G), and blue (B) are provided independently, and are displayed by changing the light emission time and light emission luminance in each area. You must control the brightness and chromaticity of the color.

明度および色度を変化させる方法としては、発光素子の発光時間を変えることによって変化させる方法と、発光素子の輝度を変えることによって変える方法とがある。前者の方法を用いる場合、発光色ごとに発光時間を変えることによって赤、緑、青の各発光を種々に組み合わせ、明度や色度を変化させている。 As a method of changing the brightness and chromaticity, there are a method of changing by changing the light emission time of the light emitting element and a method of changing by changing the luminance of the light emitting element. In the case of using the former method, lightness and chromaticity are changed by variously combining red, green, and blue light emission by changing the light emission time for each light emission color.

ところで、発光素子の発光効率は発光素子に含まれる発光体やその他の物質の特性によって異なる。一つの発光装置においては、各々の発光色を呈する発光素子ごとに発光効率が異なる。このため、所望の輝度の発光を得るために必要な電流は、発光効率の低い発光素子の方が相対的に多くなる。 By the way, the luminous efficiency of the light emitting element varies depending on the characteristics of the light emitter and other substances contained in the light emitting element. In one light-emitting device, the light-emitting efficiency is different for each light-emitting element exhibiting each emission color. For this reason, the current required for obtaining light emission with a desired luminance is relatively higher in a light emitting element having a lower light emission efficiency.

さらに、人間の眼では発光波長ごとに感度が異なり、一般に、赤や青の発光波長よりも緑の発光波長に対する感度が高い。従って、人間の眼に対し、緑と同等の感度となるように青や赤を発光させるためには、青や赤の輝度を緑の輝度よりも相対的に高くする必要がある。 Furthermore, the human eye has different sensitivities for each emission wavelength, and generally has a higher sensitivity to the green emission wavelength than the red and blue emission wavelengths. Therefore, in order to emit blue and red light so that the human eye has the same sensitivity as green, it is necessary to make the luminance of blue and red relatively higher than the luminance of green.

発光素子の輝度を高くするために発光素子に多くの電流を流すことは、発光素子の劣化を促進し、また表示装置の消費電力の増加を招く。また、発光素子の劣化に起因して発光波長がシフトすると、発光装置の色再現性が低下し画質が低下することもある。このため、効率よく発光でき、また長寿命な発光体や発光素子の開発が試みられている。例えば、特許文献１においては、光路長を調節することによって発光効率を高める工夫がされている。 When a large amount of current is supplied to the light emitting element in order to increase the luminance of the light emitting element, the deterioration of the light emitting element is promoted and the power consumption of the display device is increased. In addition, when the emission wavelength is shifted due to the deterioration of the light emitting element, the color reproducibility of the light emitting device is lowered, and the image quality may be lowered. For this reason, development of a light-emitting body or light-emitting element that can emit light efficiently and has a long lifetime has been attempted. For example, in patent document 1, the device which raises luminous efficiency is adjusted by adjusting the optical path length.

特開平２００２−２９９０６２号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2002-299062

本発明では、発光効率の低い発光素子への負担を軽減し、発光素子の劣化や、それに劣化に伴う色再現性の低下、並びに消費電力の増加を抑制できる発光装置を提供することを課題とする。 It is an object of the present invention to provide a light emitting device that can reduce a burden on a light emitting element with low light emission efficiency and suppress deterioration of the light emitting element, a decrease in color reproducibility accompanying the deterioration, and an increase in power consumption. To do.

本発明の発光装置は、光の三原色に該当する各々の色を発光する発光素子を有するものであり、さらに中間色を発光する発光素子を有することを特徴としている。本発明の発光装置は、光の三原色に該当する各々の色を発光する発光素子と中間色を発光する発光素子とを一組とした複数の画素が配列された構成となっている。 The light-emitting device of the present invention has a light-emitting element that emits each color corresponding to the three primary colors of light, and further has a light-emitting element that emits an intermediate color. The light emitting device of the present invention has a configuration in which a plurality of pixels each having a set of a light emitting element that emits each color corresponding to the three primary colors of light and a light emitting element that emits an intermediate color are arranged.

各画素では、画素内に含まれる各々の発光素子からの発光の発光時間又は輝度を変えて組み合わせ、明度や色度の異なる複数の色を表示する。なお、中間色を発光する発光素子は、一つの画素に少なくとも一つ含まれていればよい。 In each pixel, a plurality of colors having different brightness and chromaticity are displayed by changing the light emission time or luminance of light emitted from each light emitting element included in the pixel and combining them. Note that at least one light-emitting element that emits an intermediate color may be included in one pixel.

光の三原色とは、赤、緑、青の三色である。ここで、赤は、ＣＩＥ−ＸＹＺ表色系で表したときに、色度図のｘが０．６以上、ｙが０．３５以下の領域に座標を有する色をいう。また、緑は、ＣＩＥ−ＸＹＺ表色系で表したときに、色度図のｘが０．３以下、ｙが０．６以上の領域に座標を有する色をいう。青は、ＣＩＥ−ＸＹＺ表色系で表したときに、色度図のｘが０．１５以下、ｙが０．２以下の領域に座標を有する色をいう。なお、ＣＩＥ−ＸＹＺ表色系とは三刺激値Ｘ、Ｙ、Ｚに基づく表色系である。色度図は、三刺激値Ｘ、Ｙ、Ｚに基づいてｘ、ｙ座標空間で色を表したものである。なお、色度とは、明度を除いた光の色の種別を数量的に規定したものである。 The three primary colors of light are the three colors red, green, and blue. Here, red means a color having coordinates in a region where x is 0.6 or more and y is 0.35 or less in the chromaticity diagram when expressed in the CIE-XYZ color system. Green is a color having coordinates in a region where x is 0.3 or less and y is 0.6 or more in the chromaticity diagram when expressed in the CIE-XYZ color system. Blue refers to a color having coordinates in a region where x in the chromaticity diagram is 0.15 or less and y is 0.2 or less when expressed in the CIE-XYZ color system. The CIE-XYZ color system is a color system based on tristimulus values X, Y, and Z. The chromaticity diagram represents colors in x, y coordinate space based on tristimulus values X, Y, Z. Note that chromaticity is a quantitative definition of the type of light color excluding lightness.

また、中間色とは、ＣＩＥ−ＸＹＺ表色系を用いて表したときに、色度図において、上記に示した赤、緑、青を表す領域と異なる領域に座標を有する色をいう。 Further, the intermediate color refers to a color having coordinates in a region different from the above-described regions representing red, green, and blue in the chromaticity diagram when expressed using the CIE-XYZ color system.

中間色を発光する発光素子は、発光効率の高い発光素子の発光と発光効率の低い発光素子の発光とを組み合わせて中間色を表示するときに、発光効率の低い発光素子に対し補助的な役割を担う。従って、発光効率の低い発光素子においては、三原色を組み合わせて中間色を表示する場合よりも表示に必要な輝度を低くすることができ、発光に係る負担が軽減する。このため、特に発光効率の低い発光素子を長寿命化することができ、発光素子の劣化やそれに起因した画質の低下を抑制することができる。さらに、中間色を発光する発光素子を設けることによって、表示可能な色が増加し、発光装置における色再現範囲が広がる。 A light-emitting element that emits an intermediate color plays an auxiliary role for a light-emitting element with a low light-emission efficiency when a light-emitting element with a high light-emission efficiency and a light-emitting element with a low light-emission efficiency are combined to display an intermediate color . Therefore, in a light-emitting element with low light emission efficiency, the luminance necessary for display can be lowered compared to the case where intermediate colors are displayed by combining the three primary colors, and the burden on light emission is reduced. For this reason, the lifetime of a light emitting element with particularly low luminous efficiency can be extended, and deterioration of the light emitting element and degradation of image quality resulting therefrom can be suppressed. Further, by providing a light emitting element that emits an intermediate color, displayable colors are increased and a color reproduction range in the light emitting device is expanded.

本発明によって、発光効率の低い発光素子や、人間の眼に対する感度の低い発光色を呈する発光素子に係る負担を軽減することにより、発光素子の劣化やそれに起因した画質の低下を抑制することができる。また、表示可能な色が増加し、色再現範囲が広がった発光装置を得ることができる。 According to the present invention, it is possible to suppress deterioration of a light emitting element and deterioration of image quality due to lightening by reducing a burden on a light emitting element having low light emission efficiency or a light emitting element exhibiting a light emitting color with low sensitivity to human eyes. it can. In addition, it is possible to obtain a light emitting device in which displayable colors are increased and the color reproduction range is widened.

本発明の発光装置の一態様について、図１、２、１４を用いて説明する。なお、図１４は、三刺激値Ｘ、Ｙ、Ｚに基づいてｘ、ｙ座標空間で色を表した色度図である。 One mode of the light-emitting device of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 14 is a chromaticity diagram showing colors in the x and y coordinate spaces based on the tristimulus values X, Y, and Z.

本発明の発光装置は、赤の発光をする第１の発光素子１０１と、緑の発光をする第２の発光素子１０２と、青の発光をする第３の発光素子１０３と、青みを帯びた緑色を発光する第４の発光素子１０４とを有している。なお、第４の発光素子の発光色は上記のものには限定されず、例えば赤紫や黄橙色等でもよい。 The light-emitting device of the present invention includes a first light-emitting element 101 that emits red light, a second light-emitting element 102 that emits green light, a third light-emitting element 103 that emits blue light, and a bluish tinge And a fourth light-emitting element 104 that emits green light. Note that the emission color of the fourth light emitting element is not limited to the above, and may be, for example, reddish purple or yellow orange.

ここで、赤は、ＣＩＥ−ＸＹＺ表色系で表したときに、色度図のｘが０．６以上、ｙが０．３５以下の領域（図１４において、色度図の周囲と点線１５１と点線１５２とで囲まれた領域）に座標を有する色をいう。また、緑は、ＣＩＥ−ＸＹＺ表色系で表したときに、色度図のｘが０．３以下、ｙが０．６以上の領域（図１４において、色度図の周囲と点線１５５と点線１５６とで囲まれた領域）に座標を有する色をいう。青は、ＣＩＥ−ＸＹＺ表色系を表したときに、色度図のｘが０．１５以下、ｙが０．２以下の領域（図１４において、色度図の周囲と点線１５３と点線１５４とで囲まれた領域）に座標を有する色をいう。また、緑と青の中間色は、ＣＩＥ−ＸＹＺ表色系で表したときに、色度図のｘが０．１以下、ｙが０．２５以上０．５以下の領域（図１４において、色度図の周囲と点線１６１と点線１６２と点線１６３で囲まれた領域）に座標を有する色、好ましくはｘが０．１以下ｙが０．３５以上０．４５以下の領域に座標を有する色をいう。 Here, red is a region where x in the chromaticity diagram is 0.6 or more and y is 0.35 or less when expressed in the CIE-XYZ color system (in FIG. 14, the periphery of the chromaticity diagram and the dotted line 151). And an area surrounded by a dotted line 152). Further, when the green color is expressed in the CIE-XYZ color system, x in the chromaticity diagram is 0.3 or less and y is 0.6 or more (in FIG. 14, the periphery of the chromaticity diagram and the dotted line 155 A color having coordinates in a region surrounded by a dotted line 156. When blue represents the CIE-XYZ color system, an area in which chromaticity diagram x is 0.15 or less and y is 0.2 or less (in FIG. 14, the periphery of chromaticity diagram, dotted line 153 and dotted line 154 A color having coordinates in an area surrounded by. Further, when the intermediate color between green and blue is expressed in the CIE-XYZ color system, x is 0.1 or less and y is 0.25 or more and 0.5 or less in the chromaticity diagram (in FIG. Color having coordinates in the periphery of the degree diagram and the area surrounded by dotted lines 161, 162 and 163, preferably color having coordinates in the area where x is 0.1 or less and y is 0.35 or more and 0.45 or less Say.

図１に示すように、本発明の発光装置では、第１の発光素子１０１と第２の発光素子１０２と第３の発光素子１０３と第４の発光素子１０４とを一組とした複数の画素１１０が配列されている。 As illustrated in FIG. 1, in the light-emitting device of the present invention, a plurality of pixels each including a first light-emitting element 101, a second light-emitting element 102, a third light-emitting element 103, and a fourth light-emitting element 104 are combined. 110 are arranged.

なお、図１では、各々の第１の発光素子１０１〜第４の発光素子１０４は行方向に並んで配置されているが、配置の仕方について特に限定はなく、例えば列方向に並べて配置されていても良いし、また、赤を発光する発光素子と青を発光する発光する発光素子とが隣接するように配置されていても構わない。また各発光素子の形状についても、図１に示すような長方形に限らず、例えば正方形やその他の多角形あるいは曲率を有する形状であっても構わない。 In FIG. 1, each of the first light emitting element 101 to the fourth light emitting element 104 is arranged side by side in the row direction. However, there is no particular limitation on the arrangement method, and for example, they are arranged in the column direction. Alternatively, the light emitting element that emits red light and the light emitting element that emits blue light may be adjacent to each other. Also, the shape of each light emitting element is not limited to a rectangle as shown in FIG. 1, but may be a square, other polygons, or a shape having a curvature, for example.

また、図２に示すように、第１の発光素子１０１〜第４の発光素子１０４には各々を駆動するための回路が接続されている。 Further, as shown in FIG. 2, circuits for driving each of the first light emitting element 101 to the fourth light emitting element 104 are connected.

各々の発光素子に接続している回路は、映像信号によって前記発光素子の発光・非発光を決定する駆動用トランジスタ１２１と、前記映像信号の入力を制御するスイッチング用トランジスタ１２２と、前記映像信号に関わらず前記発光素子を非発光状態にする消去用トランジスタ１２３と、ソース信号線１３１と、電流供給線１３２と、第１の走査線１３３と、第２の走査線１３４とで構成されている。 A circuit connected to each light emitting element includes a driving transistor 121 that determines light emission / non-light emission of the light emitting element according to a video signal, a switching transistor 122 that controls input of the video signal, and the video signal. Regardless, it is composed of an erasing transistor 123 that brings the light emitting element into a non-light emitting state, a source signal line 131, a current supply line 132, a first scanning line 133, and a second scanning line 134.

ここで、第２の発光素子１０２が発光するときの駆動方法について説明する。書き込み期間において第１の走査線１３３が選択されると、第１の走査線１３３にゲートが接続されているスイッチング用トランジスタ１２２がオンになる。そして、ソース信号線１３１に入力された映像信号が、スイッチング用トランジスタ１２２を介して駆動用トランジスタ１２１のゲートに入力さることによって電流供給線１３２から第２の発光素子１０２へ電流が流れ、緑の発光をする。この時、第２の発光素子１０２へ流れる電流の大きさによって発光の輝度が決まる。 Here, a driving method when the second light emitting element 102 emits light will be described. When the first scan line 133 is selected in the writing period, the switching transistor 122 whose gate is connected to the first scan line 133 is turned on. Then, when the video signal input to the source signal line 131 is input to the gate of the driving transistor 121 through the switching transistor 122, a current flows from the current supply line 132 to the second light emitting element 102, and the green signal Emits light. At this time, luminance of light emission is determined by the magnitude of current flowing to the second light emitting element 102.

第２の発光素子１０２と同様にして、第１の発光素子１０１、第３の発光素子１０３、第４の発光素子１０４も駆動する。このように、各々の発光素子は、各々の発光素子に接続された回路によって独立に発光時間を制御され、所望の表示色が得られる。ここで、表示色とは、一画素内に含まれ発光色がそれぞれ異なる複数の発光素子から得られる発光が組合わさり、視覚的に混合された色をいう。 Similarly to the second light-emitting element 102, the first light-emitting element 101, the third light-emitting element 103, and the fourth light-emitting element 104 are also driven. In this manner, each light emitting element is independently controlled in light emission time by a circuit connected to each light emitting element, and a desired display color is obtained. Here, the display color refers to a color visually mixed by combining light emission obtained from a plurality of light emitting elements included in one pixel and having different light emission colors.

なお、駆動方法は、本形態で示したものに限定されるものではなく、上記以外のデジタル駆動方式でもよい。また、アナログ駆動方式で動作させてもよい。 Note that the driving method is not limited to that shown in this embodiment, and a digital driving method other than the above may be used. Further, an analog driving method may be used.

また、各トランジスタの素子構造についても特に限定はなく、スタガ型のものでもよいし、逆スタガ型のものでもよい。また、シングルゲート構造のものでもよいし、マルチゲート構造のものでもよい。さらに、ＬＤＤ（ＬｉｇｈｔｌｙＤｏｐｅｄＤｒａｉｎ）構造でもよいし、シングルドレイン構造等でもよい。 The element structure of each transistor is not particularly limited, and may be a staggered type or an inverted staggered type. Further, a single gate structure or a multi-gate structure may be used. Further, an LDD (Lightly Doped Drain) structure or a single drain structure may be used.

以上に示した本発明の発光装置において、青みを帯びた緑、つまり中間色を発光する第４の発光素子１０４は、各々の発光素子からの発光を組み合わせて中間色を表示するときに、例えば、第２の発光素子１０２と第３の発光素子１０３の発光効率が異なる場合、発光効率の低い方の発光素子に対し補助的な役割を担う。従って、三原色のみを組み合わせて中間色を表示する場合と比較して、発光効率の低い素子に係る負担が軽減し、素子を長寿命化することができる。従って、素子の劣化による表示不良の抑制された発光装置を得ることができる。また、第４の発光素子１０４を設けることによって表示可能な色が増加し、発光装置における色再現範囲が広がる。 In the light emitting device of the present invention described above, the fourth light emitting element 104 that emits bluish green, that is, an intermediate color emits light from each light emitting element when displaying the intermediate color, for example, In the case where the light emitting efficiency of the second light emitting element 102 and the third light emitting element 103 are different from each other, it plays an auxiliary role for the light emitting element having the lower light emitting efficiency. Therefore, as compared with the case where intermediate colors are displayed by combining only the three primary colors, the burden on the element having low light emission efficiency is reduced, and the life of the element can be extended. Therefore, a light-emitting device in which display defects due to element deterioration are suppressed can be obtained. In addition, by providing the fourth light-emitting element 104, displayable colors increase, and the color reproduction range in the light-emitting device is expanded.

さらに、本形態のように、第４の発光素子１０４が青みを帯びた緑を発光するものである場合には、次のような効果も生じる。人間の眼は、通常、緑に対する感度が高いため、例えば緑と青とを同等の感度となるようにするためには、緑よりも青の輝度を高くする必要がある。つまり、表示動作においては、緑の発光をする第２の発光素子１０２よりも青の発光をする第３の発光素子１０３への負担が相対的に大きくなる。しかし、本発明の発光装置のように、青みを帯びた緑を発光する第４の発光素子１０４を設けることによって、第４の発光素子１０４が第３の発光素子１０３に対し補助的な役割をし、第３の発光素子１０３に係る負担を軽減することができる。 Furthermore, when the fourth light-emitting element 104 emits bluish green as in this embodiment, the following effects also occur. Since human eyes usually have high sensitivity to green, for example, in order to make green and blue have the same sensitivity, it is necessary to increase the luminance of blue rather than green. That is, in the display operation, the burden on the third light emitting element 103 that emits blue light is relatively greater than that of the second light emitting element 102 that emits green light. However, like the light emitting device of the present invention, by providing the fourth light emitting element 104 that emits bluish green, the fourth light emitting element 104 plays an auxiliary role with respect to the third light emitting element 103. In addition, the burden on the third light-emitting element 103 can be reduced.

以上のように、発光効率の低い発光素子や、人間の眼に対する感度の低い発光色の発光素子に係る負担を軽減することにより、発光素子の劣化やそれに起因した画質の低下を抑制することができる。 As described above, by reducing the burden on light emitting elements with low light emission efficiency or light emitting elements with low light emission sensitivity to human eyes, it is possible to suppress deterioration of the light emitting elements and image quality deterioration caused thereby. it can.

本実施例では、本発明の発光装置について説明する。但し、本発明の発光装置は、本実施例に示すものに限定されない。 In this example, a light-emitting device of the present invention will be described. However, the light-emitting device of the present invention is not limited to that shown in this embodiment.

図３は本発明を適用した発光装置を上面からみた模式図である。図３において、点線で示された６５１０は駆動回路部（ソース側駆動回路）、６５１１は画素部、６５１２は駆動回路部（ゲート側駆動回路）である。画素部６５１１には本発明の発光素子が設けられている。駆動回路部６５１０および６５１２は外部入力端子であるＦＰＣ６５０３と基板６５００上に形成された配線群を介して接続している。ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）６５０３からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取ることによって駆動回路部６５１０及び駆動回路部６５１２に信号が入力される。またＦＰＣ６５０３にはプリント配線基盤（ＰＷＢ）６５１３が取り付けられている。駆動回路部６５１０には、シフトレジスタ６５１５、スイッチ６５１６、メモリ（ラッチ）６５１７，６５１８が設けられており、駆動回路部６５１２にはシフトレジスタ６５１９、バッファ６５２０が設けられている。 FIG. 3 is a schematic view of a light emitting device to which the present invention is applied as viewed from above. In FIG. 3, 6510 indicated by a dotted line is a driver circuit portion (source side driver circuit), 6511 is a pixel portion, and 6512 is a driver circuit portion (gate side driver circuit). The pixel portion 6511 is provided with the light-emitting element of the present invention. The driver circuit portions 6510 and 6512 are connected to an FPC 6503 that is an external input terminal through a wiring group formed on the substrate 6500. When a video signal, a clock signal, a start signal, a reset signal, or the like is received from an FPC (flexible printed circuit) 6503, signals are input to the driver circuit portion 6510 and the driver circuit portion 6512. A printed wiring board (PWB) 6513 is attached to the FPC 6503. The driver circuit portion 6510 is provided with a shift register 6515, a switch 6516, and memories (latch) 6517 and 6518, and the driver circuit portion 6512 is provided with a shift register 6519 and a buffer 6520.

なお、駆動回路部は、上記のように必ずしも画素部６５１１と同一基板上に設けられている必要はなく、例えば、配線パターンが形成されたＦＰＣ上にＩＣチップを実装したもの（ＴＣＰ）等を利用し、基板外部に設けられていてもよい。また、駆動回路部６５１０、６５１２の回路構成についても上記のものに限定されず、上記と異なる機能を有する回路がさらに設けられた構成であってもよい。 Note that the driver circuit portion is not necessarily provided over the same substrate as the pixel portion 6511 as described above. For example, an IC chip mounted on an FPC on which a wiring pattern is formed (TCP) or the like is used. It may be used and provided outside the substrate. Further, the circuit configurations of the driver circuit portions 6510 and 6512 are not limited to those described above, and a configuration in which a circuit having a function different from the above is further provided may be used.

画素部６５１１では、列方向に延びた複数のソース信号線３３１と複数の電流供給線３３２とが行方向に並んで配列している。また、行方向に延びた複数の第１の走査線３３３と複数の第２の走査線３３４とが列方向に並んで配列している。また、第１の発光素子３０１ａと第２の発光素子３０１ｂと第３の発光素子３０１ｃと第４の発光素子３０１ｄとを一組とした複数の画素３０１がマトリクス状に配列している。 In the pixel portion 6511, a plurality of source signal lines 331 and a plurality of current supply lines 332 extending in the column direction are arranged side by side in the row direction. A plurality of first scanning lines 333 and a plurality of second scanning lines 334 extending in the row direction are arranged side by side in the column direction. In addition, a plurality of pixels 301 each including the first light-emitting element 301a, the second light-emitting element 301b, the third light-emitting element 301c, and the fourth light-emitting element 301d are arranged in a matrix.

さらに、画素３１０において、第１の発光素子３０１ａと、第２の発光素子３０１ｂと、第３の発光素子３０１ｃと、第４の発光素子３０１ｄとは、図１で示した発光装置と同様に、行方向に順に並んで配置している。 Further, in the pixel 310, the first light-emitting element 301a, the second light-emitting element 301b, the third light-emitting element 301c, and the fourth light-emitting element 301d are similar to the light-emitting device illustrated in FIG. They are arranged side by side in the row direction.

各発光素子は、一対の電極間に、発光体を含む発光層が挟まれた構造を有するものである。なお、前記発光層は、発光体を含む層のみで構成された単層のものでもよいし、又は発光体を含む層と、キャリア（電子・正孔）輸送性に優れた物質やキャリア注入性に優れた物質等を含む層とを組み合わせた複数の層からなる多層のものでもよい。 Each light emitting element has a structure in which a light emitting layer including a light emitter is sandwiched between a pair of electrodes. The light emitting layer may be a single layer composed of only a layer containing a light emitter, or a layer containing a light emitter and a substance or carrier injection property having excellent carrier (electron / hole) transportability. It may be a multi-layered structure composed of a plurality of layers combined with a layer containing a substance excellent in the above.

第１の発光素子３０１ａは、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル）−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＪＴ）を発光体として含み赤の発光をするものであり、第２の発光素子３０１ｂはＮ，Ｎ’−ジメチルキナクリドン（略称：ＤＭＱｄ）を発光体として含み緑の発光をするものであり、第３の発光素子３０１ｃは９，９’−ビアントリルを発光体として含み青の発光をするものであり、第４の発光素子３０１ｄはクマリン３０を発光体として含み青みを帯びた緑色を発光するものである。なお、各々の発光素子に含まれる発光体は、上記のものには限定されず、他のものでもよい。例えば、赤の発光をする発光体としては４−ジシアノメチレン−２−ｔ−ブチル−６−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル） −４Ｈ−ピラン（略称：ＤＰＡ）やペリフランテン、２，５−ジシアノ−１，４−ビス（１０−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル）ベンゼン等、緑の発光をする発光体としてはクマリン６やクマリン５４５Ｔ、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）等、青を発光する発光体としては９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡ）や９，１０−ビス（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）等、青みを帯びた緑を発光する発光体としてはビス（２−メチル−８−キノリノラト） −４−フェニルフェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）やビス（２−メチル−８−キノリノラト） −４−フェニルフェノラト−ガリウム（略称：ＢＧａｑ）等を用いることができる。 The first light-emitting element 301a includes 4-dicyanomethylene-2-methyl-6- (1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl) -4H-pyran (abbreviation: DCJT) as a light emitter. The second light emitting element 301b emits green light including N, N′-dimethylquinacridone (abbreviation: DMQd) as a light emitter, and the third light emitting element 301c. , Which emits blue light including 9,9′-bianthryl as a light emitter, and the fourth light emitting element 301d emits bluish green light including coumarin 30 as a light emitter. Note that the light emitters included in each light emitting element are not limited to those described above, and other light emitters may be used. For example, as a light-emitting material that emits red light, 4-dicyanomethylene-2-t-butyl-6- (1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl) -4H-pyran (abbreviation: DPA), perifuranthene, 2,5-dicyano-1,4-bis (10-methoxy-1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl) benzene, etc. Are 9,10-diphenylanthracene (abbreviation: DPA) and 9,10-bis (2-naphthyl) as luminescent substances emitting blue, such as coumarin 6, coumarin 545T, and tris (8-quinolinolato) aluminum (abbreviation: Alq). ) Bis (2-methyl-8-quinolinolato) -4-phenylphenolato-aluminum (emitters emitting blue-green, such as anthracene (abbreviation: DNA)) Abbreviations: BAlq), bis (2-methyl-8-quinolinolato) -4-phenylphenolato-gallium (abbreviation: BGaq), and the like can be used.

図４に示すように、第１の発光素子３０１ａ乃至第４の発光素子３０１ｄには、各々の発光素子を駆動するための回路が接続されている。当該回路は、それぞれ、映像信号によって第１の発光素子３０１ａ乃至第４の発光素子３０１ｄのそれぞれの発光・非発光を決定する駆動用トランジスタ３２１（３２１ａ、３２１ｂ、３２１ｃ、３２１ｄ）と、前記映像信号の入力を制御するスイッチング用トランジスタ３２２（３２２ａ、３２２ｂ、３２２ｃ、３２２ｄ）と、前記映像信号に関わらず第１の発光素子３０１ａ乃至第４の発光素子３０１ｄのそれぞれを非発光状態にする消去用トランジスタ３２３（３２３ａ、３２３ｂ、３２３ｃ、３２３ｄ）とを有する。ここで、スイッチング用トランジスタ３２２のソース（又はドレイン）はソース信号線３３１と接続し、駆動用トランジスタ３２１のソース及び消去用トランジスタ３２３のソースはソース信号線３３１（３３１ａ、３３１ｂ、３３１ｃ、３３１ｄ）と並列するように延びた電流供給線３３２（３３２ａ、３３２ｂ、３３２ｃ、３３２ｄ）と接続し、スイッチング用トランジスタ３２２のゲートは第１の走査線３３３と接続し、第１の走査線３３３と並列に延びた消去用トランジスタ３２３のゲートは第２の走査線３３４と接続している。また、駆動用トランジスタ３２１（３２１ａ、３２１ｂ、３２１ｃ、３２１ｄ）と第１の発光素子３０１ａ乃至第４の発光素子３０１ｄのそれぞれとは直列に接続している。各々の発光素子に接続する回路の構成は、ここで述べたものに限定されず、上記と異なる構成のものであってもよい。 As shown in FIG. 4, a circuit for driving each light emitting element is connected to the first light emitting element 301a to the fourth light emitting element 301d. Each of the circuits includes a driving transistor 321 (321a, 321b, 321c, 321d) that determines light emission / non-light emission of each of the first light-emitting element 301a to the fourth light-emitting element 301d according to the video signal, and the video signal. Switching transistors 322 (322a, 322b, 322c, 322d) for controlling the input of each of the first light emitting element 301a to the fourth light emitting element 301d in a non-light emitting state regardless of the video signal 323 (323a, 323b, 323c, 323d). Here, the source (or drain) of the switching transistor 322 is connected to the source signal line 331, and the source of the driving transistor 321 and the source of the erasing transistor 323 are source signal lines 331 (331a, 331b, 331c, 331d). It is connected to a current supply line 332 (332a, 332b, 332c, 332d) extending in parallel, and the gate of the switching transistor 322 is connected to the first scanning line 333 and extends in parallel with the first scanning line 333. The gate of the erasing transistor 323 is connected to the second scanning line 334. The driving transistor 321 (321a, 321b, 321c, 321d) and each of the first light-emitting element 301a to the fourth light-emitting element 301d are connected in series. The configuration of the circuit connected to each light emitting element is not limited to that described here, and may be different from the above configuration.

なお、図５は、本実施例の発光装置の画素部６５１１の上面図である。図５では、画素部６５１１の一部のみを図示している。なお、発光装置の画素部の構成は、図５に示したものに、限定されるものではなく、その他の構成のものであってもよい。図５において、８１は半導体層、８２は、駆動用トランジスタ３２１、スイッチング用トランジスタ３２２、消去用トランジスタ３２３、第１の走査線３３３、第２の走査線３３４等のゲート（ゲート電極）として機能する導電膜、８３はソース信号線３３１、電流供給線３３２等として機能する導電膜である。また、８４は、一対の電極間に発光層が挟まれた積層構造を有する部分である。 FIG. 5 is a top view of the pixel portion 6511 of the light emitting device of this embodiment. In FIG. 5, only a part of the pixel portion 6511 is illustrated. Note that the configuration of the pixel portion of the light-emitting device is not limited to that illustrated in FIG. 5, and may have other configurations. In FIG. 5, reference numeral 81 denotes a semiconductor layer, and 82 denotes a gate (gate electrode) of a driving transistor 321, a switching transistor 322, an erasing transistor 323, a first scanning line 333, a second scanning line 334, and the like. A conductive film 83 is a conductive film that functions as the source signal line 331, the current supply line 332, and the like. Reference numeral 84 denotes a portion having a laminated structure in which a light emitting layer is sandwiched between a pair of electrodes.

以下に、本実施例の発光装置の動作について図６を用いて説明する。図６は時間経過に伴ったフレームの動作について説明する図であり、図６において、横方向は時間経過を表し、縦方向は走査線の走査方向を表している。 Hereinafter, the operation of the light emitting device of this embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a diagram for explaining the operation of the frame over time. In FIG. 6, the horizontal direction represents the time passage, and the vertical direction represents the scanning direction of the scanning line.

本実施例の発光装置において、１フレームは、図６に示すように書き込み期間５０１ａ、５０２ａ、５０３ａ、５０４ａと保持期間５０１ｂ、５０２ｂ、５０３ｂ、５０４ｂとを含む４つのサブフレーム５０１、５０２、５０３、５０４に時分割されている。発光するための信号を与えられた発光素子は、保持期間において発光状態となっている。各々のサブフレームにおける保持期間の長さの比は、第１のサブフレーム５０１：第２のサブフレーム５０２：第３のサブフレーム５０３：第４のサブフレーム５０４＝２³：２²：２¹：２⁰＝８：４：２：１となっている。これによって４ビット階調を表現することができる。但し、ビット数及び階調数はここに記すものに限定されず、例えば８つのサブフレームを設け８ビット階調を行えるようにしてもよい。 In the light emitting device of this embodiment, one frame includes four subframes 501, 502, 503 including a writing period 501a, 502a, 503a, 504a and a holding period 501b, 502b, 503b, 504b as shown in FIG. 504 is time-divided. A light emitting element to which a signal for emitting light is given is in a light emitting state in the holding period. The ratio of the length of the retention period in each subframe is as follows: first subframe 501: second subframe 502: third subframe 503: fourth subframe 504 = 2 ³ : 2 ² : 2 ¹ : 2 ⁰ = 8: 4: 2: 1. As a result, 4-bit gradation can be expressed. However, the number of bits and the number of gradations are not limited to those described here. For example, eight subframes may be provided so that 8-bit gradation can be performed.

１フレームにおける動作について説明する。まず、サブフレーム５０１において、１行目から最終行まで順に書き込み動作が行われる。従って、行によって書き込み期間の開始時間が異なる。書き込み期間５０１ａが終了した行から順に保持期間５０１ｂへと移る。当該保持期間において、発光するための信号を与えられている発光素子は発光状態となっている。また、保持期間５０１ｂが終了した行から順に次のサブフレーム５０２へ移り、サブフレーム５０１の場合と同様に１行目から最終行まで順に書き込み動作が行われる。以上のような動作を繰り返し、サブフレーム５０４の保持期間５０４ｂ迄終了する。サブフレーム５０４における動作を終了したら次のフレームにおける動作へ移る。このように、各サブフレームにおいて発光した時間の積算時間が、１フレームにおける各々の発光素子の発光時間となる。この発光時間を発光素子ごとに変えて一画素内で様々に組み合わせることによって、明度および色度の異なる様々な表示色を形成することができる。 An operation in one frame will be described. First, in the subframe 501, the write operation is performed in order from the first row to the last row. Therefore, the start time of the writing period differs depending on the row. From the row in which the writing period 501a ends, the storage period 501b is started in order. In the holding period, the light-emitting element to which a signal for emitting light is given is in a light-emitting state. Further, the processing proceeds to the next subframe 502 in order from the row in which the holding period 501b ends, and the writing operation is performed in order from the first row to the last row as in the case of the subframe 501. The operation as described above is repeated until the holding period 504b of the subframe 504 ends. When the operation in the subframe 504 is completed, the operation in the next frame is started. Thus, the accumulated time of the light emission in each subframe is the light emission time of each light emitting element in one frame. Various display colors having different brightness and chromaticity can be formed by changing the light emission time for each light emitting element and combining them in various ways within one pixel.

なお、１行目の書き込み期間から最終行までの書き込み期間を含めた書き込み期間５０１ｃ、５０２ｃ、５０３ｃよりも保持期間が短いサブフレーム５０４においては、保持期間５０４ｂの後に消去期間５０４ｄを設け、強制的に非発光の状態となるように制御している。これによって、サブフレーム５０４の書き込み期間とその次のサブフレームの書き込み期間とが重畳することを防げる。 Note that in the subframe 504 whose holding period is shorter than the writing periods 501c, 502c, and 503c including the writing period from the writing period of the first row to the last row, an erasing period 504d is provided after the holding period 504b to forcibly It is controlled so as to be in a non-light emitting state. This prevents the writing period of the subframe 504 and the writing period of the next subframe from overlapping.

なお、本実施例では、サブフレーム５０１乃至５０４は保持期間の長いものから順に並んでいるが、必ずしも本実施例のような並びにする必要はなく、例えば保持期間の短いものから順に並べられていてもよいし、または保持期間の長いものと短いものとがランダムに並んでいてもよい。 In this embodiment, the subframes 501 to 504 are arranged in order from the longest holding period. However, the subframes 501 to 504 are not necessarily arranged as in this embodiment, and are arranged in order from the shortest holding period, for example. Alternatively, the long holding period and the short holding period may be arranged at random.

次に、書き込み期間における回路動作について説明する。書き込み期間において、ｎ行目（ｎは自然数）の第１の走査線３３３が選択され、当該第１の走査線３３３に接続したスイッチング用トランジスタ３２２がオンになる。この時、１列目から最終列目迄のソース信号線に同時に映像信号が入力される。但し、各列のソース信号線３３１から入力される映像信号は互いに独立したものである。ソース信号線３３１から同時に入力された映像信号は、各々のソース信号線に接続したスイッチング用トランジスタ３２２を介して駆動用トランジスタ３２１のゲートに入力される。この時駆動用トランジスタ３２１に入力された信号に応じて第１の発光素子３０１ａ〜第４の発光素子３０１ｄそれぞれの発光・非発光が決まる。 Next, circuit operation in the writing period will be described. In the writing period, the first scanning line 333 in the n-th row (n is a natural number) is selected, and the switching transistor 322 connected to the first scanning line 333 is turned on. At this time, video signals are simultaneously input to the source signal lines from the first column to the last column. However, the video signals input from the source signal lines 331 in each column are independent from each other. The video signals input simultaneously from the source signal line 331 are input to the gate of the driving transistor 321 through the switching transistor 322 connected to each source signal line. At this time, light emission / non-light emission of each of the first light-emitting element 301 a to the fourth light-emitting element 301 d is determined in accordance with a signal input to the driving transistor 321.

ソース信号線への書き込みが終了すると共に、ｎ行目（ｎは自然数）における書き込み期間は終了し保持期間へと移る。次に、ｎ＋１行目が書き込み期間になり、上記と同様の書き込み動作が行われる。以上のような動作を繰り返して１行目から最終行まで書き込み動作が行われる。 As writing to the source signal line ends, the writing period in the n-th row (n is a natural number) ends and the holding period starts. Next, the (n + 1) th row is a writing period, and a writing operation similar to the above is performed. The writing operation is performed from the first row to the last row by repeating the above operation.

以上のような構成を有する本発明を適用した発光装置は、発光効率の低い発光素子や、人間の眼に対する感度の低い発光色の発光素子に係る負担を軽減することにより、発光素子の劣化やそれに起因した画質の低下を抑制されたものである。また、表示可能な色が増加し、色再現範囲が広がったものである。 A light-emitting device to which the present invention having the above-described structure is applied can reduce deterioration of the light-emitting element by reducing a burden on a light-emitting element with low light emission efficiency or a light-emitting element with low emission sensitivity to human eyes. The deterioration of image quality due to this is suppressed. In addition, the displayable colors are increased and the color reproduction range is expanded.

本実施例では、一画素内における発光素子の配置が、図１に示したものと異なる発光装置について説明する。 In this embodiment, a light-emitting device in which the arrangement of light-emitting elements in one pixel is different from that shown in FIG. 1 will be described.

本実施例の発光装置は、図７に示すように、赤の発光をする第１の発光素子７０１と、緑の発光をする第２の発光素子７０２と、青の発光をする第３の発光素子７０３と、青みを帯びた緑色を発光する第４の発光素子７０４を有するものである。 As shown in FIG. 7, the light-emitting device of this embodiment includes a first light-emitting element 701 that emits red light, a second light-emitting element 702 that emits green light, and a third light-emitting element that emits blue light. An element 703 and a fourth light-emitting element 704 that emits bluish green light are included.

本実施例の発光装置では、行方向及び列方向に２つずつ並べて配置された４つの第１の発光素子７０１〜第４の発光素子７０４を一組とした複数の画素７０５が配列されている。言い換えると、第１の発光素子７０１〜第４の発光素子７０４はそれぞれ４つの発光素子を有しており、それらは行方向及び列方向に２列ずつ並べて配列されている。画素７０５は４つの発光素子、即ち第１の発光素子７０１〜第４の発光素子７０４を有している。複数の画素７０５が配列されている。 In the light emitting device of this embodiment, a plurality of pixels 705 are arranged in which a set of four first light emitting elements 701 to 704 arranged side by side in the row direction and the column direction. . In other words, each of the first light-emitting element 701 to the fourth light-emitting element 704 has four light-emitting elements, which are arranged in two rows in the row direction and in the column direction. The pixel 705 includes four light emitting elements, that is, a first light emitting element 701 to a fourth light emitting element 704. A plurality of pixels 705 are arranged.

また、本実施例の発光装置では、点線７０６で囲まれた第１の発光素子７０１、第１の発光素子７０７、第１の発光素子７０８、第１の発光素子７０９のように、同じ発光色を呈する４つの発光素子を一組として含み、前記４つの発光素子は行方向及び列方向に２つずつ並べて配置された群として設けられている。なお、前記群は、各々の発光色を呈する発光素子ごと（つまり、同色の発光を呈する発光素子ごと）に設けられており、第１の発光素子７０１のように赤の発光をする発光素子を４つ含む第１の群と、第２の発光素子７０２のように緑の発光をする発光素子を４つ含む第２の群と、第３の発光素子７０３のように青の発光をする発光素子を４つ含む第３の群と、第４の発光素子７０４のように青みを帯びた緑色の発光をする発光素子を４つ含む第４の群とを一組とした第５の群７２０において、第１乃至第４の群は行方向及び列方向に２群ずつ並べて配置されている。そして、第１の群に含まれる或るひとつの発光素子と、第２の群に含まれる或るひとつの発光素子と、第３の群に含まれる或るひとつの発光素子と、第４の群に含まれる或るひとつの発光素子とを一組としてひとつの画素を構成している。 In the light-emitting device of this embodiment, the same light-emitting color as in the first light-emitting element 701, the first light-emitting element 707, the first light-emitting element 708, and the first light-emitting element 709 surrounded by a dotted line 706 is used. The four light-emitting elements are provided as a set, and the four light-emitting elements are arranged in groups of two in the row direction and in the column direction. Note that the group is provided for each light emitting element that emits each light emission color (that is, each light emitting element that emits light of the same color), and a light emitting element that emits red light like the first light emitting element 701 is provided. A first group including four, a second group including four light emitting elements that emit green light such as the second light emitting element 702, and light emission that emits blue light such as the third light emitting element 703 A fifth group 720 includes a third group including four elements and a fourth group including four light emitting elements that emit blue-green light such as the fourth light emitting element 704. The first to fourth groups are arranged in groups of two in the row direction and the column direction. And a certain light emitting element included in the first group, a certain light emitting element included in the second group, a certain light emitting element included in the third group, and a fourth One pixel is formed by combining a certain light emitting element included in the group.

なお、ひとつの群に含まれる発光素子の間の幅は、それぞれ異なる群に含まれ隣接した発光素子の素子間の幅よりも狭くなるように構成されている。 Note that the width between light emitting elements included in one group is configured to be narrower than the width between adjacent light emitting elements included in different groups.

換言すると、本実施例の発光装置では、発光色が同じであり且つ隣接した発光素子の素子間の幅は、発光色が異なり且つ隣接した発光素子の素子間の幅よりも狭くなるように発光素子が配置されている。 In other words, in the light emitting device of this embodiment, the light emission colors are the same and the width between adjacent light emitting elements is different so that the light emission color is different and the width between adjacent light emitting elements is narrower. Elements are arranged.

蒸着法により発光層を形成する場合、金属製のマスク等を用いることによって各々の発光色を呈する発光素子に対応した発光層を作り分ける。この時、異なる発光色を呈する発光素子の発光層がマスクの縁から互いに回り込み混色してしまうこと等を防止するために、異なる発光色を呈し互いに隣接した発光素子の素子間の幅は２０〜３０μｍ程度で設けられている。 When forming a light emitting layer by a vapor deposition method, the light emitting layer corresponding to the light emitting element which exhibits each luminescent color is created separately by using metal masks. At this time, in order to prevent the light emitting layers of the light emitting elements exhibiting different light emission colors from wrapping around each other from the edge of the mask, the width between the elements of the light emitting elements adjacent to each other that exhibit different light emission colors is 20 to The thickness is about 30 μm.

しかし、図７に示すような構成の発光装置とすることによって、同じ発光色を呈し互いに隣接した発光素子の素子間においては、混色の防止について考慮する必要がないため、異なる発光色を呈し互いに隣接した発光素子よりも素子間の幅を狭くすることができる。従って、各々の発光素子の発光面積（発光を取り出すことのできる電極面の面積）を拡大することができ、その結果、発光効率、特に発光の取り出し効率を高くすることができる。 However, by using the light emitting device having the structure as shown in FIG. 7, it is not necessary to consider the prevention of color mixing between adjacent light emitting elements that exhibit the same light emission color. The width between elements can be made narrower than adjacent light emitting elements. Therefore, the light emission area (area of the electrode surface from which light emission can be extracted) of each light emitting element can be increased, and as a result, the light emission efficiency, particularly the light emission extraction efficiency can be increased.

なお、図７に示す画素は、正方形の形状をしているが、これに限らず円状のもの等でもよい。特に円状にした場合には、発光素子の劣化が進行しにくいという効果が得られる。 Note that the pixel shown in FIG. 7 has a square shape, but is not limited thereto, and may be a circular shape or the like. In particular, in the case of a circular shape, it is possible to obtain an effect that the deterioration of the light emitting element is difficult to proceed.

以上のような構成を有する本発明を適用した発光装置は、発光効率の低い発光素子や、人間の眼に対する感度の低い発光色の発光素子に係る負担を軽減することにより、発光素子の劣化やそれに起因した画質の低下を抑制されたものである。また、表示可能な色が増加し、発光装置の色再現範囲が広がったものである。 A light-emitting device to which the present invention having the above-described structure is applied can reduce deterioration of the light-emitting element by reducing a burden on a light-emitting element with low light emission efficiency or a light-emitting element with low emission sensitivity to human eyes. The deterioration of image quality due to this is suppressed. In addition, the displayable colors are increased and the color reproduction range of the light emitting device is expanded.

本実施例では、本発明を適用した発光装置の断面構造について説明する。但し、本発明の発光装置の構造および発光装置を構成する物質等は、本実施例に示すものに限定されるものではない。 In this example, a cross-sectional structure of a light-emitting device to which the present invention is applied will be described. However, the structure of the light-emitting device of the present invention and the substances constituting the light-emitting device are not limited to those shown in this embodiment.

図８において、点線で囲まれているのは、発光素子１２を駆動するために設けられているトランジスタ１１である。なお、発光素子１２は実施例１に示す第１の発光素子３０１ａ〜第４の発光素子３０１ｄのいずれかに該当し、トランジスタ１１は、実施例１に示す駆動用トランジスタ３２１ａ〜駆動用トランジスタ３２１ｄのいずれか一に該当する。発光素子１２は第１の電極１３と第２の電極１４とこれらの電極に挟まれた発光層１５で構成されている。トランジスタ１１のドレインと第１の電極１３とは、第１層間絶縁膜１６（１６ａ、１６ｂ、１６ｃ）を貫通している配線１７によって電気的に接続されている。また、発光素子１２は、隔壁層１８によって、隣接して設けられている別の発光素子と分離されている。このような構成を有する本発明の発光装置は、本実施例において、基板１０上に設けられている。 In FIG. 8, a transistor 11 provided for driving the light emitting element 12 is surrounded by a dotted line. Note that the light-emitting element 12 corresponds to any of the first light-emitting element 301a to the fourth light-emitting element 301d shown in Embodiment 1, and the transistor 11 is the driving transistor 321a to the driving transistor 321d shown in Embodiment 1. It corresponds to either one. The light emitting element 12 includes a first electrode 13, a second electrode 14, and a light emitting layer 15 sandwiched between these electrodes. The drain of the transistor 11 and the first electrode 13 are electrically connected by a wiring 17 penetrating the first interlayer insulating film 16 (16a, 16b, 16c). The light emitting element 12 is separated from another light emitting element provided adjacent thereto by a partition wall layer 18. The light emitting device of the present invention having such a configuration is provided on the substrate 10 in this embodiment.

発光素子１２において発光層１５は、発光体とキャリア輸送性に優れた物質とを組み合わせた混合層と、キャリア（電子・正孔）輸送性に優れた物質からなる層と、キャリア注入性に優れた物質からなる層とを積層した複数の層からなる。発光素子１２の発光色は、発光層１５中に含まれる発光体によって決まる。なお、発光層１５を構成する物質の組み合わせは、発光素子ごとに異なっていてもよい。なお、発光体としては、実施の形態において示したものを用いればよい。また、キャリア輸送性に優れた物質のうち、特に電子輸送性に優れた物質としては、例えばトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ₃）、トリス（５−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ₃）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］−キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ₂）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等が挙げられる。また正孔輸送性に優れた物質としては、例えば４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル（略称：α−ＮＰＤ）や４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル（略称：ＴＰＤ）や４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）−トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）などの芳香族アミン系（即ち、ベンゼン環−窒素の結合を有する）の化合物が挙げられる。また、キャリア注入性に優れた物質のうち、特に電子注入性に優れた物質としては、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ₂）等のようなアルカリ金属又はアルカリ土類金属の化合物が挙げられる。また、この他、Ａｌｑ₃のような電子輸送性の高い物質とマグネシウム（Ｍｇ）のようなアルカリ土類金属との混合物であってもよい。また、正孔注入性の高い物質としては、例えば、モリブデン酸化物（ＭｏＯｘ）やバナジウム酸化物（ＶＯｘ）、ルテニウム酸化物（ＲｕＯｘ）、タングステン酸化物（ＷＯｘ）、マンガン酸化物（ＭｎＯｘ）等の金属酸化物が挙げられる。また、この他、フタロシアニン（略称：Ｈ₂Ｐｃ）や銅フタロシアニン（ＣｕＰＣ）等のフタロシアニン系の化合物が挙げられる。 In the light-emitting element 12, the light-emitting layer 15 includes a mixed layer in which a light emitter and a substance having excellent carrier transportability are combined, a layer made of a substance having excellent carrier (electron / hole) transportability, and excellent carrier injectability. A plurality of layers formed by laminating layers made of different materials. The light emission color of the light emitting element 12 is determined by the light emitter included in the light emitting layer 15. In addition, the combination of the substances which comprise the light emitting layer 15 may differ for every light emitting element. Note that any of the light emitters described in the embodiment modes may be used. In addition, among substances having excellent carrier transportability, substances having particularly excellent electron transportability include, for example, tris (8-quinolinolato) aluminum (abbreviation: Alq ₃ ), tris (5-methyl-8-quinolinolato) aluminum ( Abbreviations: Almq ₃ ), bis (10-hydroxybenzo [h] -quinolinato) beryllium (abbreviation: BeBq ₂ ), bis (2-methyl-8-quinolinolato) -4-phenylphenolato-aluminum (abbreviation: BAlq), etc. And metal complexes having a quinoline skeleton or a benzoquinoline skeleton. Examples of the substance having excellent hole transportability include 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenyl-amino] -biphenyl (abbreviation: α-NPD) and 4,4′-bis. [N- (3-methylphenyl) -N-phenyl-amino] -biphenyl (abbreviation: TPD) or 4,4 ′, 4 ″ -tris (N, N-diphenyl-amino) -triphenylamine (abbreviation: Aromatic amine systems such as TDATA), 4,4 ′, 4 ″ -tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenyl-amino] -triphenylamine (abbreviation: MTDATA) (ie, benzene ring— Compound having a nitrogen bond). Among substances having excellent carrier injecting properties, substances having particularly excellent electron injecting properties include alkali metals such as lithium fluoride (LiF), cesium fluoride (CsF), and calcium fluoride (CaF ₂ ). Alternatively, an alkaline earth metal compound can be given. In addition, a mixture of a substance having a high electron transport property such as Alq ₃ and an alkaline earth metal such as magnesium (Mg) may be used. Examples of the material having a high hole injection property include molybdenum oxide (MoOx), vanadium oxide (VOx), ruthenium oxide (RuOx), tungsten oxide (WOx), and manganese oxide (MnOx). A metal oxide is mentioned. In addition, phthalocyanine compounds such as phthalocyanine (abbreviation: H ₂ Pc) and copper phthalocyanine (CuPC) can be given.

なお、トランジスタ１１はトップゲート型のものである。但し、トランジスタ１１の構造については、特に限定はなく、例えば図９（Ａ）に示すような逆スタガ型のものでもよい。また逆スタガ型の場合には、図９（Ｂ）のようにチャネルを形成する半導体層の上に保護膜が形成されたもの（チャネル保護型）でもよいし、或いはチャネルを形成する半導体層の一部が凹状になったもの（チャネルエッチ型）でもよい。なお、２１はゲート電極、２２はゲート絶縁膜、２３は半導体層、２４はｎ型の半導体層、２５は電極、２６は保護膜である。 The transistor 11 is a top gate type. However, the structure of the transistor 11 is not particularly limited, and may be, for example, an inverted staggered type as illustrated in FIG. In the case of an inverted staggered type, a semiconductor film in which a protective film is formed on a semiconductor layer for forming a channel (channel protective type) as shown in FIG. 9B may be used, or a semiconductor layer for forming a channel may be used. A part of which is concave (channel etch type) may be used. Note that 21 is a gate electrode, 22 is a gate insulating film, 23 is a semiconductor layer, 24 is an n-type semiconductor layer, 25 is an electrode, and 26 is a protective film.

また、トランジスタ１１を構成する半導体層は、結晶性、非結晶性のいずれのものでもよい。また、セミアモルファス等でもよい。 Further, the semiconductor layer included in the transistor 11 may be either crystalline or non-crystalline. Moreover, a semi-amorphous etc. may be sufficient.

なお、セミアモルファスな半導体とは、次のようなものである。非晶質と結晶構造（単結晶、多結晶を含む）の中間的な構造を有し、自由エネルギー的に安定な第３の状態を有する半導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する結晶質な領域を含んでいるものである。また少なくとも膜中の一部の領域には、０．５〜２０ｎｍの結晶粒を含んでいる。ラマンスペクトルが５２０ｃｍ^-1よりも低波数側にシフトしている。Ｘ線回折ではＳｉ結晶格子に由来するとされる（１１１）、（２２０）の回折ピークが観測される。未結合手（ダングリングボンド）の中和剤として水素またはハロゲンを少なくとも１原子％またはそれ以上含ませている。所謂微結晶半導体（マイクロクリスタル半導体）とも言われている。珪化物気体をグロー放電分解（プラズマＣＶＤ）して形成する。珪化物気体としては、ＳｉＨ₄、その他にもＳｉ₂Ｈ₆、ＳｉＨ₂Ｃｌ₂、ＳｉＨＣｌ₃、ＳｉＣｌ₄、ＳｉＦ₄などを用いることができる。この珪化物気体をＨ₂、又は、Ｈ₂とＨｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｎｅから選ばれた一種または複数種の希ガス元素で希釈しても良い。希釈率は２〜１０００倍の範囲。圧力は概略０．１Ｐａ〜１３３Ｐａの範囲、電源周波数は１ＭＨｚ〜１２０ＭＨｚ、好ましくは１３ＭＨｚ〜６０ＭＨｚ。基板加熱温度は３００℃以下でよく、好ましくは１００〜２５０℃。膜中の不純物元素として、酸素、窒素、炭素などの大気成分の不純物は１×１０²⁰ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下とすることが望ましく、特に、酸素濃度は５×１０¹⁹ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下、好ましくは１×１０¹⁹ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下とする。なお、セミアモルファスなものを有する半導体を用いたＴＦＴ（薄膜トランジスタ）の移動度はおよそ１〜１０ｍ²／Ｖｓｅｃとなる。 The semi-amorphous semiconductor is as follows. A semiconductor having an intermediate structure between amorphous and crystalline (including single crystal and polycrystal) and having a third state that is stable in terms of free energy, has a short-range order, and has a lattice distortion. It contains a crystalline region. Further, at least a part of the region in the film contains crystal grains of 0.5 to 20 nm. The Raman spectrum is shifted to the lower wavenumber side than 520 cm ⁻¹ . In X-ray diffraction, diffraction peaks of (111) and (220) that are derived from the Si crystal lattice are observed. At least 1 atomic% or more of hydrogen or halogen is contained as a neutralizing agent for dangling bonds. It is also called a so-called microcrystalline semiconductor (microcrystal semiconductor). A silicide gas is formed by glow discharge decomposition (plasma CVD). As the silicide gas, SiH ₄ , Si ₂ H ₆ , SiH ₂ Cl ₂ , SiHCl ₃ , SiCl ₄ , SiF ₄ or the like can be used. This silicide gas may be diluted with H ₂ , or H ₂ and one or more kinds of rare gas elements selected from He, Ar, Kr, and Ne. The dilution rate is in the range of 2 to 1000 times. The pressure is generally in the range of 0.1 Pa to 133 Pa, and the power supply frequency is 1 MHz to 120 MHz, preferably 13 MHz to 60 MHz. The substrate heating temperature may be 300 ° C. or less, preferably 100 to 250 ° C. As an impurity element in the film, impurities of atmospheric components such as oxygen, nitrogen, and carbon are desirably 1 × 10 ²⁰ atoms / cm ³ or less, and in particular, the oxygen concentration is preferably 5 × 10 ¹⁹ atoms / cm ³ or less. Is 1 × 10 ¹⁹ atoms / cm ³ or less. Note that the mobility of a TFT (thin film transistor) using a semi-amorphous semiconductor is approximately 1 to 10 m ² / Vsec.

また、半導体層が結晶性のものの具体例としては、単結晶または多結晶性の珪素、或いはシリコンゲルマニウム等から成るものが挙げられる。これらはレーザー結晶化によって形成されたものでもよいし、例えばニッケル等を用いた固相成長法による結晶化によって形成されたものでもよい。 Further, specific examples of the crystalline semiconductor layer include those made of single crystal or polycrystalline silicon, silicon germanium, or the like. These may be formed by laser crystallization, or may be formed by crystallization by a solid phase growth method using nickel or the like, for example.

なお、半導体層が非晶質の物質、例えばアモルファスシリコンで形成される場合には、トランジスタ１１およびその他のトランジスタ（発光素子を駆動するための回路を構成するトランジスタ）は全てＮチャネル型トランジスタで構成された回路を有する発光装置であることが好ましい。それ以外については、Ｎチャネル型またはＰチャネル型のいずれか一のトランジスタで構成された回路を有する発光装置でもよいし、両方のトランジスタで構成された回路を有する発光装置でもよい。 Note that in the case where the semiconductor layer is formed of an amorphous material, for example, amorphous silicon, the transistor 11 and other transistors (transistors constituting a circuit for driving a light emitting element) are all configured by N-channel transistors. It is preferable that the light-emitting device have a structured circuit. Other than that, a light-emitting device having a circuit including any one of an N-channel transistor and a P-channel transistor, or a light-emitting device including a circuit including both transistors may be used.

さらに、第１層間絶縁膜１６は、図８（Ａ）、（Ｃ）に示すように多層でもよいし、または単層でもよい。なお、１６ａは酸化珪素や窒化珪素のような無機物から成り、１６ｂはアクリルやシロキサン（シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む物質）、または塗布成膜可能な酸化珪素等の自己平坦性を有する物質から成る。さらに、１６ｃはアルゴン（Ａｒ）を含む窒化珪素膜から成る。なお、各層を構成する物質については、特に限定はなく、ここに述べたもの以外のものを用いてもよい。また、これら以外の物質から成る層をさらに組み合わせてもよい。このように、第１層間絶縁膜１６は、無機物と有機物の両方を用いて形成されたものでもよいし、または無機膜と有機膜のいずれか一で形成されたものでもよい。 Further, the first interlayer insulating film 16 may be a multilayer as shown in FIGS. 8A and 8C, or may be a single layer. Note that 16a is made of an inorganic material such as silicon oxide or silicon nitride, and 16b is acrylic or siloxane (a substance having a skeletal structure composed of a bond of silicon (Si) and oxygen (O) and containing at least hydrogen as a substituent). Or a material having self-flatness such as silicon oxide that can be coated and formed. Further, 16c is made of a silicon nitride film containing argon (Ar). In addition, there is no limitation in particular about the substance which comprises each layer, You may use things other than what was described here. Moreover, you may further combine the layer which consists of substances other than these. Thus, the 1st interlayer insulation film 16 may be formed using both an inorganic substance and an organic substance, or may be formed by any one of an inorganic film and an organic film.

隔壁層１８は、エッジ部において、曲率半径が連続的に変化する形状であることが好ましい。また隔壁層１８は、アクリルやシロキサン、レジスト、酸化珪素等を用いて形成される。なお隔壁層１８は、無機膜と有機膜のいずれか一で形成されたものでもよいし、または両方を用いて形成されたものでもよい。 The partition layer 18 preferably has a shape in which the radius of curvature continuously changes at the edge portion. The partition layer 18 is formed using acrylic, siloxane, resist, silicon oxide, or the like. The partition wall layer 18 may be formed of any one of an inorganic film and an organic film, or may be formed using both.

なお、図８（Ａ）、（Ｃ）では、第１層間絶縁膜１６のみがトランジスタ１１と発光素子１２の間に設けられた構成であるが、図８（Ｂ）のように、第１層間絶縁膜１６（１６ａ、１６ｂ）の他、第２層間絶縁膜１９（１９ａ、１９ｂ）が設けられた構成のものであってもよい。図８（Ｂ）に示す発光装置においては、第１の電極１３は第２層間絶縁膜１９を貫通し、配線１７と接続している。 In FIGS. 8A and 8C, only the first interlayer insulating film 16 is provided between the transistor 11 and the light-emitting element 12, but as shown in FIG. 8B, the first interlayer insulating film 16 is provided. In addition to the insulating film 16 (16a, 16b), the second interlayer insulating film 19 (19a, 19b) may be provided. In the light emitting device shown in FIG. 8B, the first electrode 13 penetrates through the second interlayer insulating film 19 and is connected to the wiring 17.

第２層間絶縁膜１９は、第１層間絶縁膜１６と同様に、多層でもよいし、または単層でもよい。１９ａはアクリルやシロキサン（シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む物質）、塗布成膜可能な酸化珪素等の自己平坦性を有する物質から成る。さらに、１９ｂはアルゴン（Ａｒ）を含む窒化珪素膜から成る。なお、各層を構成する物質については、特に限定はなく、ここに述べたもの以外のものを用いてもよい。また、これら以外の物質から成る層をさらに組み合わせてもよい。このように、第２層間絶縁膜１９は、無機物と有機物の両方を用いて形成されたものでもよいし、または無機膜と有機膜のいずれか一で形成されたものでもよい。 Similar to the first interlayer insulating film 16, the second interlayer insulating film 19 may be a multilayer or a single layer. 19a is a substance having self-flatness such as acrylic or siloxane (a substance having a skeletal structure composed of a bond of silicon (Si) and oxygen (O) and having at least hydrogen as a substituent), silicon oxide capable of being coated and formed. Consists of. Further, 19b is made of a silicon nitride film containing argon (Ar). In addition, there is no limitation in particular about the substance which comprises each layer, You may use things other than what was described here. Moreover, you may further combine the layer which consists of substances other than these. As described above, the second interlayer insulating film 19 may be formed using both an inorganic material and an organic material, or may be formed of any one of an inorganic film and an organic film.

発光素子１２において、第１の電極１３および第２の電極１４がいずれもインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）のような透光性を有する物質で構成されている場合、図８（Ａ）の白抜きの矢印で表されるように、第１の電極１３側と第２の電極１４側の両方から発光を取り出すことができる。また、第２の電極１４のみが透光性を有する物質で構成されている場合、図８（Ｂ）の白抜きの矢印で表されるように、第２の電極１４側のみから発光を取り出すことができる。この場合、第１の電極１３は反射率の高い材料で構成されているか、または反射率の高い材料から成る膜（反射膜）が第１の電極１３の下方に設けられていることが好ましい。また、第１の電極１３のみが透光性を有する物質で構成されている場合、図８（Ｃ）の白抜きの矢印で表されるように、第１の電極１３側のみから発光を取り出すことができる。この場合、第２の電極１４は反射率の高い材料で構成されているか、または反射膜が第２の電極１４の上方に設けられていることが好ましい。 In the light-emitting element 12, when both the first electrode 13 and the second electrode 14 are formed using a light-transmitting material such as indium tin oxide (ITO), white dots in FIG. As shown by the arrow, light emission can be extracted from both the first electrode 13 side and the second electrode 14 side. In addition, in the case where only the second electrode 14 is formed using a light-transmitting substance, light emission is extracted only from the second electrode 14 side as represented by a white arrow in FIG. 8B. be able to. In this case, it is preferable that the first electrode 13 is made of a material having a high reflectivity, or a film (reflective film) made of a material having a high reflectivity is provided below the first electrode 13. In addition, in the case where only the first electrode 13 is formed using a light-transmitting substance, light emission is extracted only from the first electrode 13 side as represented by a white arrow in FIG. 8C. be able to. In this case, it is preferable that the second electrode 14 is made of a highly reflective material, or a reflective film is provided above the second electrode 14.

また、発光素子１２は、第１の電極１３が陽極として機能し、第２の電極１４が陰極として機能する構成であってもよいし、或いは第１の電極１３が陰極として機能し、第２の電極１４が陽極として機能する構成であってもよい。但し、前者の場合、トランジスタ１１はＰチャネル型トランジスタであり、後者の場合、トランジスタ１１はＮチャネル型トランジスタである。 The light-emitting element 12 may have a configuration in which the first electrode 13 functions as an anode and the second electrode 14 functions as a cathode, or the first electrode 13 functions as a cathode, and the second The electrode 14 may function as an anode. However, in the former case, the transistor 11 is a P-channel transistor, and in the latter case, the transistor 11 is an N-channel transistor.

本実施例では、図４に示したものと異なる回路構成を有する発光素子について図１０を用いて説明する。 In this example, a light-emitting element having a circuit configuration different from that illustrated in FIG. 4 will be described with reference to FIG.

図１０に示すように、発光素子８０１には、各々の発光素子を駆動するための回路が接続されている。当該回路は、映像信号によって発光素子８０１の発光・非発光を決定する駆動用トランジスタ８２４と、前記映像信号の入力を制御するスイッチング用トランジスタ８２２と、前記映像信号に関わらず発光素子８０１を非発光状態にする消去用トランジスタ８２３と、発光素子８０１に供給される電流の大きさを制御するための電流制御用トランジスタ８２１とを有する。ここで、スイッチング用トランジスタ８２２のソース（又はドレイン）はソース信号線８３１と接続し、駆動用トランジスタ８２４のソース及び消去用トランジスタ８２３のソースはソース信号線８３１と並列するように延びた電流供給線８３２と接続し、スイッチング用トランジスタ８２２のゲートは第１の走査線８３３と接続し、第１の走査線８３３と並列に延びた消去用トランジスタ８２３のゲートは第２の走査線８３４と接続している。また、駆動用トランジスタ８２４と発光素子８０１と間に電流制御用トランジスタ８２１を挟み、直列に接続している。電流制御用トランジスタ８２１のゲートは、電源線８３５に接続している。なお、電流制御用トランジスタ８２１は、電圧−電流（Ｖｄ−Ｉｄ）特性における飽和領域において電流が流れるように構成、制御されたものであり、これによって、当該電流制御用トランジスタ８２１に流れる電流値の大きさを決定することができる。 As shown in FIG. 10, the light emitting element 801 is connected to a circuit for driving each light emitting element. The circuit includes a driving transistor 824 that determines light emission / non-light emission of the light-emitting element 801 according to a video signal, a switching transistor 822 that controls input of the video signal, and a light-emitting element 801 that does not emit light regardless of the video signal. It has an erasing transistor 823 to be put in a state and a current control transistor 821 for controlling the magnitude of the current supplied to the light emitting element 801. Here, the source (or drain) of the switching transistor 822 is connected to the source signal line 831, and the source of the driving transistor 824 and the source of the erasing transistor 823 are extended in parallel with the source signal line 831. 832, the gate of the switching transistor 822 is connected to the first scanning line 833, and the gate of the erasing transistor 823 extending in parallel with the first scanning line 833 is connected to the second scanning line 834. Yes. Further, a current control transistor 821 is sandwiched between the driving transistor 824 and the light emitting element 801 and connected in series. The gate of the current control transistor 821 is connected to the power supply line 835. Note that the current control transistor 821 is configured and controlled so that a current flows in a saturation region in the voltage-current (Vd-Id) characteristic. Thus, the current value of the current flowing through the current control transistor 821 The size can be determined.

発光素子８０１が発光するときの駆動方法について説明する。書き込み期間において第１の走査線８３３が選択されると、第１の走査線８３３にゲートが接続されているスイッチング用トランジスタ８２２がオンになる。そして、ソース信号線８３１に入力された映像信号が、スイッチング用トランジスタ８２２を介して駆動用トランジスタ８２４のゲートに入力さる。さらに、駆動用トランジスタ８２４と、電源線８３５からの信号を受けてオン状態になった電流制御用トランジスタ８２１とを介して電流供給線８３２から発光素子８０１へ電流が流れ、発光に至る。このとき、発光素子へ流れる電流の大きさは、電流制御用トランジスタ８２１によって決まる。 A driving method when the light-emitting element 801 emits light will be described. When the first scan line 833 is selected in the writing period, the switching transistor 822 whose gate is connected to the first scan line 833 is turned on. Then, the video signal input to the source signal line 831 is input to the gate of the driving transistor 824 through the switching transistor 822. Further, current flows from the current supply line 832 to the light-emitting element 801 through the driving transistor 824 and the current control transistor 821 which is turned on in response to a signal from the power supply line 835, and light emission is performed. At this time, the magnitude of the current flowing to the light emitting element is determined by the current control transistor 821.

なお、図１０では、ひとつの発光素子８０１について記載しているが、本実施例の発光装置では、当該発光素子に接続されたものと同じ回路によって動作する発光素子が、図４と同様に４つ並んで配置され、これらを一組とした複数の画素が配列されている。なお、一画素内に含まれる発光素子は、それぞれ異なる発光色を呈するものである。 10 illustrates one light-emitting element 801. In the light-emitting device of this embodiment, four light-emitting elements that are operated by the same circuit as that connected to the light-emitting element are the same as in FIG. A plurality of pixels are arranged in a line and arranged as a set. Note that light-emitting elements included in one pixel exhibit different emission colors.

図１１は、本実施例に示すような回路構成を有する発光装置の画素部の上面図である。図１１では、画素部の一部のみを図示している。なお、発光装置の画素部の構成は、図１１に示したものに、限定されるものではなく、その他の構成のものであってもよい。図１１において、９１は半導体層、９２は、電流制御用トランジスタ８２１、スイッチング用トランジスタ８２２、消去用トランジスタ８２３、駆動用トランジスタ８２４や第１の走査線８３３、８３４等のゲート（ゲート電極）として機能する導電膜、９３はソース信号線８３１、電流供給線８３２、電源線８３５等として機能する導電膜である。また、９４は、一対の電極間に発光層が挟まれた積層構造を有する部分である。 FIG. 11 is a top view of a pixel portion of a light emitting device having a circuit configuration as shown in this embodiment. In FIG. 11, only a part of the pixel portion is illustrated. Note that the configuration of the pixel portion of the light-emitting device is not limited to that illustrated in FIG. 11, and may have other configurations. In FIG. 11, 91 is a semiconductor layer, and 92 is a gate (gate electrode) for the current control transistor 821, switching transistor 822, erasing transistor 823, driving transistor 824, first scan lines 833 and 834, and the like. A conductive film 93 is a conductive film functioning as a source signal line 831, a current supply line 832, a power supply line 835, and the like. Reference numeral 94 denotes a portion having a laminated structure in which a light emitting layer is sandwiched between a pair of electrodes.

実施例１〜４で示したような、本発明を適用した発光装置は、外部入力端子の装着および封止後、各種電子機器に実装される。 The light emitting device to which the present invention is applied as shown in Examples 1 to 4 is mounted on various electronic devices after the external input terminal is mounted and sealed.

本発明を適用した電子機器は、本発明を適用した発光装置ことによって、発光素子の劣化やそれに起因した画質の低下を抑制され、良好な表示を得ることができるものである。また、表示可能な色が増加し、色再現範囲が広がったものである。 In the electronic device to which the present invention is applied, the light emitting device to which the present invention is applied can suppress the deterioration of the light emitting element and the deterioration of the image quality caused by the light emitting element and can obtain a good display. In addition, the displayable colors are increased and the color reproduction range is expanded.

本実施例では、本発明を適用した発光装置およびその発光装置を実装した電子機器について図１２、１３を用いて説明する。但し、図１２、１３に示したものは一実施例であり、発光装置および電子機器の構成はこれに限定されるものではない。 In this embodiment, a light-emitting device to which the present invention is applied and an electronic device in which the light-emitting device is mounted will be described with reference to FIGS. However, what is shown in FIGS. 12 and 13 is an example, and the configurations of the light-emitting device and the electronic device are not limited thereto.

図１２は、本発明を適用した発光装置の封止後の断面図である。なお、図１２の上面模式図が先に説明した図３に該当する。トランジスタおよび本発明の発光素子とを間に挟むように基板６５００および封止基板６５０１とがシール材６５０２によって貼り合わされている。また基板６５００の端部には外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）６５０３が装着されている。なお、基板６５００と封止基板６５０１とに挟まれた領域には、窒素などの不活性ガスまたは樹脂材料で充填された状態となっている。 FIG. 12 is a cross-sectional view after sealing a light emitting device to which the present invention is applied. 12 corresponds to FIG. 3 described above. A substrate 6500 and a sealing substrate 6501 are attached to each other with a sealant 6502 so that the transistor and the light-emitting element of the present invention are interposed therebetween. Further, an FPC (flexible printed circuit) 6503 serving as an external input terminal is attached to an end portion of the substrate 6500. Note that a region sandwiched between the substrate 6500 and the sealing substrate 6501 is filled with an inert gas such as nitrogen or a resin material.

本発明を適用した発光装置を実装した電子機器の一実施例を図１３に示す。 An example of an electronic device in which the light-emitting device to which the present invention is applied is shown in FIG.

図１３は、本発明を適用して作製したノート型のパーソナルコンピュータであり、本体５５２１、筐体５５２２、表示部５５０３、キーボード５５２４などによって構成されている。本発明の発光素子を有する発光装置をパーソナルコンピュータに組み込むことで表示装置を完成できる。 FIG. 13 illustrates a laptop personal computer manufactured by applying the present invention, which includes a main body 5521, a housing 5522, a display portion 5503, a keyboard 5524, and the like. A display device can be completed by incorporating a light-emitting device having the light-emitting element of the present invention into a personal computer.

なお、本実施例では、ノート型のパーソナルコンピュータについて述べているが、この他に携帯電話やテレビ受像機、カーナビゲイション、或いは照明機器等に本発明の発光素子を有する発光装置を実装しても構わない。 Note that in this embodiment, a laptop personal computer is described; however, in addition to this, a light emitting device having the light emitting element of the present invention is mounted on a mobile phone, a television receiver, a car navigation system, or a lighting device. It doesn't matter.

本発明の発光装置に設けられた画素および画素を構成する発光素子の配置について説明する図。3A and 3B each illustrate a pixel provided in a light-emitting device of the present invention and an arrangement of light-emitting elements that form the pixel. 本発明の発光装置に設けられた発光素子とそれを駆動するための回路について説明する図。4A and 4B illustrate a light-emitting element provided in a light-emitting device of the present invention and a circuit for driving the light-emitting element. 本発明を適用した発光装置を上面からみた模式図。The schematic diagram which looked at the light-emitting device to which this invention was applied from the upper surface. 本発明を適用した発光装置に設けられた発光素子とそれを駆動するための回路について説明する図。4A and 4B illustrate a light-emitting element provided in a light-emitting device to which the present invention is applied and a circuit for driving the light-emitting element. 本発明を適用した発光装置の画素部の上面図。FIG. 6 is a top view of a pixel portion of a light emitting device to which the present invention is applied. 本発明を適用した発光装置の時間経過に伴ったフレームの動作について説明する図。The figure explaining operation | movement of the flame | frame with progress of time of the light-emitting device to which this invention is applied. 本発明を適用した発光装置に設けられた画素および画素を構成する発光素子の配置について説明する図。4A and 4B illustrate a pixel provided in a light-emitting device to which the present invention is applied and an arrangement of light-emitting elements that form the pixel. 本発明を適用した発光装置の断面構造について説明する図。4A and 4B illustrate a cross-sectional structure of a light-emitting device to which the present invention is applied. 本発明を適用した発光装置の断面構造について説明する図。4A and 4B illustrate a cross-sectional structure of a light-emitting device to which the present invention is applied. 本発明を適用した発光装置に設けられた発光素子とそれを駆動するための回路について説明する図。4A and 4B illustrate a light-emitting element provided in a light-emitting device to which the present invention is applied and a circuit for driving the light-emitting element. 本発明を適用した発光装置の画素部の上面図。FIG. 6 is a top view of a pixel portion of a light emitting device to which the present invention is applied. 本発明を適用した発光装置の封止後の断面図。Sectional drawing after sealing of the light-emitting device to which this invention is applied. 本発明を適用して作製した発光装置を実装した電子機器の図。FIG. 14 is a diagram of an electronic device mounted with a light-emitting device manufactured by applying the present invention. 三刺激値Ｘ、Ｙ、Ｚに基づいてｘ、ｙ座標空間で色を表した図。The figure which represented the color in x, y coordinate space based on tristimulus value X, Y, Z.

Explanation of symbols

１０１第１の発光素子
１０２第２の発光素子
１０３第３の発光素子
１０４第４の発光素子
１１０画素
１５１点線
１５２点線
１５３点線
１５４点線
１５５点線
１５６点線
１６１点線
１６２点線
１６３点線
１２１駆動用トランジスタ
１２２スイッチング用トランジスタ
１２３消去用トランジスタ
１３１ソース信号線
１３２電流供給線
１３３第１の走査線
１３４第２の走査線
３０１画素
３０１ａ第１の発光素子
３０１ｂ第２の発光素子
３０１ｃ第３の発光素子
３０１ｄ第４の発光素子
３１０画素
３２１駆動用トランジスタ
３２２スイッチング用トランジスタ
３２３消去用トランジスタ
３３１ソース信号線
３３２電流供給線
３３３第１の走査線
３３４第２の走査線
５０１サブフレーム
５０２サブフレーム
５０３サブフレーム
５０４サブフレーム
５０１ａ書き込み期間
５０２ａ書き込み期間
５０３ａ書き込み期間
５０４ａ書き込み期間
５０１ｂ保持期間
５０２ｂ保持期間
５０３ｂ保持期間
５０４ｂ保持期間
５０１ｃ期間
５０４ｄ消去期間
７０１第１の発光素子
７０２第２の発光素子
７０３第３の発光素子
７０４第４の発光素子
７０５画素
７０６点線
101 First light emitting element 102 Second light emitting element 103 Third light emitting element 104 Fourth light emitting element 110 Pixel 151 Dotted line 152 Dotted line 153 Dotted line 154 Dotted line 155 Dotted line 161 Dotted line 162 Dotted line 163 Dotted line 121 Driving transistor 122 Switching Transistor 123 erasing transistor 131 source signal line 132 current supply line 133 first scanning line 134 second scanning line 301 pixel 301a first light emitting element 301b second light emitting element 301c third light emitting element 301d fourth Light emitting element 310 Pixel 321 Driving transistor 322 Switching transistor 323 Erasing transistor 331 Source signal line 332 Current supply line 333 First scanning line 334 Second scanning line 501 Subframe 502 Subframe 503 Subframe 504 subframe 501a writing period 502a writing period 503a writing period 504a writing period 501b holding period 502b holding period 503b holding period 504b holding period 501c period 504d erasing period 701 first light emitting element 702 second light emitting element 703 third light emitting element 704 Fourth light emitting element 705 Pixel 706 Dotted line

Claims

A light-emitting device having a plurality of light-emitting elements having different emission colors,
A first group including four first light emitting elements that emit light of a first color, wherein the first light emitting elements are arranged two by two in a row direction and a column direction;
A second group including four second light emitting elements that emit light of the second color, wherein the second light emitting elements are arranged two by two in the row direction and the column direction;
A third group including four third light-emitting elements that emit light of the third color, wherein the third light-emitting elements are arranged two by two in the row direction and the column direction;
A fourth group including four fourth light emitting elements emitting light of the fourth color, wherein the fourth light emitting elements are arranged two by two in the row direction and the column direction,
The first group and the second group are adjacent in the row direction;
The first group and the third group are adjacent in the column direction;
The second group and the fourth group are adjacent in a column direction;
The third group and the fourth group are adjacent in the row direction;
One of the first light emitting elements included in the first group, one of the second light emitting elements included in the second group, and one of the third light emitting elements included in the third group; A light-emitting device, wherein one pixel is formed by one of the fourth light-emitting elements included in the fourth group.

In claim 1 ,
A light emitting device, wherein a width between adjacent light emitting elements included in the same group is smaller than a width between adjacent light emitting elements included in different groups.

In claim 1 or 2,
The first color is a color having coordinates in a region where x is 0.6 or more and y is 0.35 or less in the chromaticity diagram when expressed in the CIE-XYZ color system.
The second color is a color having coordinates in a region where x in the chromaticity diagram is 0.3 or less and y is 0.6 or more when expressed in the CIE-XYZ color system.
The third color is a color having coordinates in a region where x in the chromaticity diagram is 0.15 or less and y is 0.2 or less when expressed in the CIE-XYZ color system.
The fourth color is a color having coordinates in a region where x is 0.1 or less and y is 0.25 or more and 0.5 or less when expressed in the CIE-XYZ color system. A light emitting device characterized.

Electronic equipment comprising a light emitting device according to any one of claims 1 to 3.