JP4683036B2 - Ion source - Google Patents
Ion source Download PDFInfo
- Publication number
- JP4683036B2 JP4683036B2 JP2007296279A JP2007296279A JP4683036B2 JP 4683036 B2 JP4683036 B2 JP 4683036B2 JP 2007296279 A JP2007296279 A JP 2007296279A JP 2007296279 A JP2007296279 A JP 2007296279A JP 4683036 B2 JP4683036 B2 JP 4683036B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- outer peripheral
- discharge vessel
- ion source
- coil
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Description
本発明は、イオン源に関する。 The present invention relates to an ion source.
放電容器内に生成されたプラズマからイオン粒子を引出してイオンビームを出射するイオン源が知られている。このようなイオン源は、イオンビームエッチング装置(イオンミリング装置ともいう。)等のイオンビーム処理装置に用いられる。イオンビームエッチング装置を用いると、イオン源から出射されたイオンビームを基板の表面に照射することにより、その基板をエッチングすることができる。 There is known an ion source that extracts ion particles from a plasma generated in a discharge vessel and emits an ion beam. Such an ion source is used in an ion beam processing apparatus such as an ion beam etching apparatus (also referred to as an ion milling apparatus). When an ion beam etching apparatus is used, the substrate can be etched by irradiating the surface of the substrate with an ion beam emitted from an ion source.
このようなイオンビーム処理装置は、放電容器内から出射されるイオンビームの強度が均一であることが求められる。イオンビームの強度分布を均一化する方法として、放電容器内におけるプラズマ分布を制御する方法や、放電容器からイオンビームを引出す際にプラズマ分布を均一化する方法等が考えられる。 Such an ion beam processing apparatus is required to have a uniform intensity of the ion beam emitted from the discharge vessel. As a method for making the ion beam intensity distribution uniform, a method for controlling the plasma distribution in the discharge vessel, a method for making the plasma distribution uniform when extracting the ion beam from the discharge vessel, and the like can be considered.
例えば、特許文献1に開示されるイオンビーム処理装置では、放電容器の上面及び側面に沿うような補助電極を設け、放電容器内で生成されたプラズマに対し電界を与えることにより、放電容器内のプラズマ分布を制御している。
しかしながら、上述のイオンビーム処理装置では、既に生成されたプラズマを制御するため、プラズマ密度を均一にするには限界があった。さらに、補助電極が上面及び側面に沿うように設けられているため、放電容器中央部のプラズマ密度を制御することは困難であった。 However, the above-described ion beam processing apparatus has a limit in making the plasma density uniform in order to control the plasma that has already been generated. Furthermore, since the auxiliary electrode is provided along the upper surface and the side surface, it is difficult to control the plasma density in the central portion of the discharge vessel.
そこで、本発明は、放電容器内におけるプラズマ密度分布を均一化できるイオン源を提供することを目的とする。 Accordingly, an object of the present invention is to provide an ion source capable of making the plasma density distribution in the discharge vessel uniform.
上述の課題を解決するため、本発明は、放電容器と、前記放電容器外に設けられ、前記放電容器内に軸心が位置するコイルと、前記コイルに高周波電力を供給する高周波電源と、前記放電容器内であって前記コイルの前記軸心上に設けられ、少なくとも一部が前記コイル内に位置する中心電極と、前記中心電極を囲むように前記放電容器内に設けられ、少なくとも一部が前記コイル内に位置し、前記中心電極に印加される電圧よりも高い電圧が印加される外周電極と、を備え、前記高周波電源は、前記中心電極及び前記外周電極にも高周波電力を供給するイオン源を提供している。 In order to solve the above-described problems, the present invention provides a discharge vessel, a coil provided outside the discharge vessel and having an axial center located in the discharge vessel, a high-frequency power source for supplying high-frequency power to the coil, A central electrode located in the discharge vessel and on the axis of the coil, at least a part of which is located in the coil; and provided in the discharge vessel so as to surround the central electrode, and at least a part of And an outer peripheral electrode to which a voltage higher than a voltage applied to the center electrode is applied , and the high-frequency power source is an ion that supplies high-frequency power to the center electrode and the outer electrode. Providing a source.
このようなイオン源によれば、中心電極をコイルの軸心上に配置することにより、最も電界が密になる空間を占有してコイルの軸心付近に電子が集中することを防ぐことができる。さらに、中心電極及び外周電極の少なくとも一部はコイル内に位置しているので、中心電極と外周電極との間に電界を発生させて放電を起こし、プラズマを発生させることができる。また、中心電極よりも外周電極に印加される電圧の方が高いので、中心電極から外周電極へ向かう放射状の電磁界が発生し、コイルの軸心付近の電子を外周電極側へと移動させることができる。よって、放電容器内のプラズマ密度を均一にすることができる。また、中心電極及び外周電極に高周波電力を供給するための電源を別途用意する必要がなく、部品点数の増加を防止することができる。 According to such an ion source, by arranging the center electrode on the axis of the coil, it is possible to occupy the space where the electric field is most dense and prevent the electrons from concentrating near the axis of the coil. . Furthermore, since at least a part of the center electrode and the outer peripheral electrode is located in the coil, an electric field can be generated between the central electrode and the outer peripheral electrode to cause a discharge, thereby generating plasma. In addition, since the voltage applied to the outer electrode is higher than that of the center electrode, a radial electromagnetic field from the center electrode to the outer electrode is generated, and electrons near the axis of the coil are moved toward the outer electrode. Can do. Therefore, the plasma density in the discharge vessel can be made uniform. Further, it is not necessary to separately prepare a power source for supplying high frequency power to the center electrode and the outer peripheral electrode, and an increase in the number of components can be prevented.
また、前記外周電極は複数設けられていることが好ましい。 Moreover, it is preferable that a plurality of the outer peripheral electrodes are provided.
このようなイオン源によれば、放電容器内のプラズマ密度の分布偏りに応じて、放電を制御することで、各電極間に発生する電界を調整し、放電容器内のプラズマ密度を均一にすることができる。 According to such an ion source, the electric field generated between the electrodes is adjusted and the plasma density in the discharge vessel is made uniform by controlling the discharge according to the uneven distribution of the plasma density in the discharge vessel. be able to.
また、前記複数の外周電極は、前記中心電極を中心とする円周上において等間隔に配置されていることが好ましい。 The plurality of outer peripheral electrodes are preferably arranged at equal intervals on a circumference centered on the central electrode.
このようなイオン源によれば、複数の外周電極は、中心電極を中心とする円周上において等間隔に配置されているので、各外周電極と中心電極との距離が等しく、さらに、各外周電極間の距離がそれぞれ等しいため、各外周電極の磁界特性は等しくなる。よって、放電容器内のプラズマ密度を均一にするための電力の調整が容易となる。 According to such an ion source, since the plurality of outer peripheral electrodes are arranged at equal intervals on the circumference centered on the center electrode, the distance between each outer peripheral electrode and the center electrode is equal, and each outer peripheral electrode Since the distances between the electrodes are equal, the magnetic field characteristics of the outer peripheral electrodes are equal. Therefore, it is easy to adjust the power for making the plasma density in the discharge vessel uniform.
また、前記高周波電源から供給される電力のうち、前記中心電極に供給される電力及び前記外周電極に供給される電力の少なくとも一方を変更可能な電力分配器を備えることが好ましい。 Moreover, it is preferable to provide a power distributor capable of changing at least one of the power supplied to the center electrode and the power supplied to the outer peripheral electrode among the power supplied from the high-frequency power source.
このようなイオン源によれば、高周波電源から供給される電力のうち、中心電極に供給される電力及び外周電極に供給される電力の少なくとも一方を変更可能な電力分配器を備えるので、放電容器内のプラズマ密度分布に応じて、中心電極及び外周電極に供給される電力を最適な値に制御することができる。 According to such an ion source, since the power distributor that can change at least one of the power supplied to the center electrode and the power supplied to the outer peripheral electrode among the power supplied from the high-frequency power source is provided, the discharge vessel The electric power supplied to the center electrode and the outer peripheral electrode can be controlled to an optimum value according to the plasma density distribution inside.
また、前記中心電極及び前記外周電極の少なくとも一方を冷却する冷却手段を備えることが好ましい。 Moreover, it is preferable to provide a cooling means for cooling at least one of the center electrode and the outer peripheral electrode.
このようなイオン源によれば、中心電極及び外周電極の温度上昇による放電特性の変化を抑制することができる。よって、放電容器内におけるプラズマ密度が経時変化することなく、均一に維持することができる。 According to such an ion source, it is possible to suppress a change in discharge characteristics due to a temperature rise of the center electrode and the outer peripheral electrode. Therefore, the plasma density in the discharge vessel can be kept uniform without changing over time.
また、前記冷却手段は、前記中心電極及び前記外周電極の少なくとも一方の内部に冷却媒体の流路を有することが好ましい。 Moreover, it is preferable that the said cooling means has a flow path of a cooling medium inside at least one of the said center electrode and the said outer periphery electrode.
このようなイオン源によれば、中心電極及び外周電極は自身の内部に冷却媒体を流すことにより冷却されるため、効果的に中心電極及び外周電極を冷却できると共に、装置の大型化を抑制することができる。 According to such an ion source, the center electrode and the outer peripheral electrode are cooled by flowing a cooling medium therein, so that the center electrode and the outer peripheral electrode can be effectively cooled, and an increase in the size of the apparatus is suppressed. be able to.
また、前記中心電極及び前記外周電極の少なくとも一方は、前記放電容器に移動可能に支持される基端部と、前記基端部から前記コイルの軸方向に延びる他端部とを有することが好ましい。 Moreover, it is preferable that at least one of the center electrode and the outer peripheral electrode has a base end portion that is movably supported by the discharge vessel, and another end portion that extends from the base end portion in the axial direction of the coil. .
このようなイオン源によれば、基端部を放電容器に対し移動させることにより、コイル内に位置する電極の長さを変更することができる。よって、簡易な構成によって、中心電極及び外周電極が延出する方向における放電量を調整することができる。 According to such an ion source, the length of the electrode located in the coil can be changed by moving the base end portion with respect to the discharge vessel. Therefore, the discharge amount in the direction in which the center electrode and the outer peripheral electrode extend can be adjusted with a simple configuration.
また、前記中心電極及び前記外周電極の少なくとも一方は、前記放電容器に対し着脱可能に構成されていることが好ましい。 Moreover, it is preferable that at least one of the center electrode and the outer peripheral electrode is configured to be detachable from the discharge vessel.
このようなイオン源によれば、中心電極及び外周電極は放電容器に対し着脱可能に構成されているため、要求されるプラズマ密度に応じて最適な外径を有する中心電極及び外周電極を装着することができる。つまり、異なる外径を有する中心電極及び外周電極を用いることにより、放電容器のうちプラズマを発生させない領域を調整し、放電容器内のプラズマ密度を調整することができる。 According to such an ion source, since the center electrode and the outer peripheral electrode are configured to be detachable from the discharge vessel, the center electrode and the outer peripheral electrode having optimum outer diameters are mounted according to the required plasma density. be able to. That is, by using the center electrode and the outer peripheral electrode having different outer diameters, it is possible to adjust a region in the discharge vessel where no plasma is generated, and to adjust the plasma density in the discharge vessel.
また、前記中心電極及び前記外周電極の少なくとも一方は、外周を覆う絶縁部材を備えることが好ましい。 Moreover, it is preferable that at least one of the center electrode and the outer peripheral electrode includes an insulating member that covers the outer periphery.
このようなイオン源によれば、中心電極及び外周電極の外周は絶縁部材によって覆われているため、放電容器内のプラズマと反応したり、電極が腐食して生成される飛散物によって放電容器内が汚染されたりすることを防止することができる。 According to such an ion source, since the outer periphery of the center electrode and the outer peripheral electrode is covered with the insulating member, it reacts with the plasma in the discharge container or is scattered in the discharge container due to the spatter generated by the corrosion of the electrode. Can be prevented from being contaminated.
本発明によれば、放電容器内におけるプラズマ密度分布を均一化できるイオン源を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the ion source which can make uniform the plasma density distribution in a discharge vessel can be provided.
本発明の実施の形態に係るイオン源について、図1乃至図3に基づき説明する。図1に示されるイオンビームエッチング装置1は、イオンビームBを発生させるイオン源2と、イオンビームBが照射される基板5を収容するチャンバ3とを備える。イオン源2には、プラズマを生成するためのアルゴンガスを供給するガス供給源4が接続されている。イオンビームBはチャンバ3内を進行し、基板5をエッチングする。基板5としては、例えば、薄膜磁気ヘッド等の基板が挙げられ、この場合、薄膜磁気ヘッドのスライダ等をエッチングする。基板5は、接地された基板ホルダ31によって支持されている。
An ion source according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. An ion beam etching apparatus 1 shown in FIG. 1 includes an
チャンバ3内には、イオンビームBを中和するためのニュートライザ32が設置されている。例えばイオンビームBがAr+等の陽イオンの場合には、ニュートライザ32から電子が放出され、チャンバ3内の空間電荷が中和される。また、チャンバ3には、チャンバ3内を所定の圧力に維持するための真空ポンプ33が接続されている。
A
図2に示されるイオン源2は、真空容器20と、開口21aが形成された放電容器21と、放電容器21外に設けられたコイル22と、コイル22に高周波電力を供給する高周波電源61と、放電容器21内に生成されたプラズマ中のイオンを開口21aから引出してイオンビームBを発生させる引出電極25と、を備えている。真空容器20は、チャンバ3(図1)を介して真空ポンプ33と接続され、ステンレス等によって形成されている。
The
放電容器21は、真空容器20内に配置されている。放電容器21は、石英やアルミニウム酸化物等の誘電体材料によって、図の下方に開口部21aを有する円筒状に形成されている。図2における放電容器21の上面には、ガス供給装置4から放電容器21内へとガスを供給する供給管41が接続される供給口21bと、後述の中心電極23及び外周電極24を保持する中心保持部21A及び外周保持部21Bとが設けられている。
The
コイル22は、真空容器20内であって、放電容器21外に設けられている。コイル22は、放電容器21内に軸心が位置するように設けられている。コイル22には、整合器62を介して高周波電源61が接続されている。高周波電源61は、例えば高周波電源又は高周波アンプである。高周波電源61の周波数は、数MHz〜十数MHz(例えば、2〜13.5MHz)であって、本実施の形態では、約4MHzである。高周波電源61は、放電容器21の容量及び形状に応じて、例えば200〜2000Wの電力をコイル22に印加する。
The
また、図3に示されるように、放電容器21内には、コイル22の軸心上に位置する中心電極23と、中心電極23を囲むように配置される複数の外周電極24が設けられている。図2に示されるように、中心電極23及び外周電極24は、その一部がコイル22内に位置するように設けられている。なお、図3において引出電極25は省略されている。
Further, as shown in FIG. 3, the
中心電極23は、基端部23Aと、基端部23Aからコイル22の軸方向に延びる他端部23Bとを有し、円柱状に形成されている。基端部23Aは、放電容器21の上面に設けられた中央保持部21Aによって、中心電極23の軸方向に沿って移動可能に支持されている。また、基端部23Aを中央保持部21Aから取外すことにより、中心電極23は放電容器21に対し着脱可能に構成されている。中心電極23は、内部に自身を冷却するための冷却媒体の流路(図示なし)が形成され、外周は絶縁部材によって覆われている。
The
中心電極23は、整合器62及び電力分配器63を介して高周波電源61に接続されている。整合器62は、高周波電源61から供給される電力を調整する。電力分配器63は、可変コンデンサであって、高周波電源61から供給される電力をコイル22、中心電極23及び外周電極24間で分配する。具体的には、電力分配器63は、中心電極23及び外周電極24に印加される電圧を変更している。
The
図3に示されるように、外周電極24は複数設けられており、中心電極23を中心とする円周上において等間隔に配置されている。外周電極24は、図2に示されるように、中心電極23と同様に、基端部24Aと、基端部24Aからコイル22の軸方向に延びる他端部24Bとを有し、円筒状に形成されている。基端部24Aは、放電容器21の上面に設けられた外周保持部21Bによって、外周電極24の軸方向に沿って移動可能に支持されている。また、基端部24Aを外周保持部21Bから取外すことにより、外周電極24は放電容器21に対し着脱可能に構成されている。また、外周電極24は、内部に自身を冷却するための冷却媒体の流路(図示なし)が形成され、外周は絶縁部材によって覆われている。
As shown in FIG. 3, a plurality of outer
外周電極24は、整合器62、電力分配器63に加え、インダクタ64を介して高周波電源61と接続されている。インダクタ64は、外周電極24に所定の抵抗を与えることにより、高周波電源61からコイル22に供給される高周波電力の下限値を規定している。
The outer
上記の構成により、高周波電源61は、整合器62、電力分配器63及びインダクタ64によって、コイル22、中心電極23及び外周電極24に所定の高周波電力を供給することができる。なお、本実施の形態では、中心電極23に印加される電圧は、外周電極24に印加される電圧よりも低くなっている。
With the above configuration, the high
引出電極25は、スクリーングリッド26、加速グリッド27及び減速グリッド28を有する。スクリーングリッド26、加速グリッド27及び減速グリッド28は、放電容器21の内側から外側に向けて順に配置される。スクリーングリッド26、加速グリッド27及び減速グリッド28は、それぞれ複数の穴が形成された金属板である。
The
スクリーングリッド26は、プラズマと加速グリッド27とを分離している。スクリーングリッド26には、プラスの高電圧を連続的に印加するための直流電源65が接続されている。スクリーングリッド26に印加される電圧は、例えば400〜1500Vである。スクリーングリッド26に印加される電圧は、イオンビームBのイオンビームエネルギーを決定する。
The
加速グリッド27には、マイナスの高電圧を連続的に印加するための直流電源66が接続されている。加速グリッド27に印加される電圧は、−200〜−1000Vである。また、減速グリッド28は接地されている。引出電極25は、加速グリッド27と減速グリッド28との電位差を調整することにより、レンズ効果を用いてイオンビームBのイオンビーム径を所定の数値範囲内に制御することができる。
A
上記の構成により、次のようにしてイオン源2はイオンビームBを出射する。まず、真空ポンプ33(図1)によって、放電容器21内を約10−5Pa程度の圧力に減圧し、イオンガス供給源4からArガス等のガスを放電容器21内に導入する。続いて、高周波電源61からコイル22に高周波電力を供給することによって、放電容器21内に電磁界を発生させ、放電容器21内にプラズマを生成させる。このプラズマ中のAr+等のイオンを、引出電極25によりイオンビームBとして引出す。
With the above configuration, the
高周波電源61からコイル22に高周波電力を供給する際、つまり、放電容器21内にプラズマを生成させる際には、中心電極23及び外周電極24にも高周波電力が供給される。このとき、中心電極23よりも外周電極24に印加される電圧の方が高いので、中心電極23から外周電極24へ向かう放射状の電磁界が発生し、コイル22の軸心付近の電子を外周電極24側へと移動させる。つまり、中心電極23をコイル22の軸心上に配置することにより、最も電界が密になる空間を占有して、コイル22の軸心付近に電子が集中することを防ぐことができる。さらに、中心電極23及び外周電極24の少なくとも一部はコイル内に位置しているので、中心電極23と外周電極24との間で電磁界を発生させ、電子を外周電極24側へと移動させ、放電を起こすことができる。よって、放電容器21内のプラズマ密度(電子密度)を均一にすることができる。
When high frequency power is supplied from the high
また、複数の外周電極24を設けたため、放電容器21内のプラズマ密度(電子密度)の分布偏りに応じて、放電を制御することで、各電極間に発生する電磁界を調整し、放電容器21内のプラズマ密度(電子密度)を均一にすることができる。
Further, since the plurality of outer
また、複数の外周電極24は、中心電極23を中心とする円周上において等間隔に配置されているので、各外周電極24と中心電極23との距離が等しく、さらに、各外周電極24間の距離がそれぞれ等しいため、各外周電極24の磁界特性は等しくなる。よって、放電容器21内のプラズマ密度を均一にするための電力の調整が容易となる。
Further, since the plurality of outer
また、中心電極23及び外周電極24は高周波電源61に接続されているため、中心電極23及び外周電極24に高周波電力を供給するための電源を別途用意する必要がなく、装置の大型化を抑制することができる。
In addition, since the
また、電力分配器63によって、高周波電源61から供給される電力のうち、中心電極23及び外周電極24に供給される電力を変更可能であるため、放電容器21内のプラズマ密度(電子密度)分布に応じて、中心電極23及び外周電極24に供給される電力を最適な値に制御することができる。
Moreover, since the power supplied to the
また、中心電極23及び外周電極24は、自身の内部に冷却媒体を流すことにより冷却されるため、中心電極23及び外周電極24の温度上昇による放電特性の変化を抑制することができる。よって、放電容器21内におけるプラズマ密度が経時変化することなく、均一に維持することができる。また、効果的に中心電極23及び外周電極24を冷却できると共に、部品点数の増加を抑制することができる。
In addition, since the
また、中心電極23及び外周電極24は、基端部23A及び24Aを放電容器21に対して移動させることにより、コイル22内に位置する両電極の長さを変更することができる。よって、簡易な構成によって、中心電極23及び外周電極24が延出する方向において放電量を調整することができる。
Moreover, the
また、中心電極23及び外周電極24は放電容器21に対し着脱可能に構成されているため、要求されるプラズマ密度に応じて最適な外径を有する中心電極23及び外周電極24を装着することができる。つまり、異なる外径の中心電極及び外周電極を用いて、放電容器21のうちプラズマを発生させない領域を調整し、放電容器21内のプラズマ密度(電子密度)を調整することができる。
Further, since the
また、中心電極23及び外周電極24の外周は絶縁部材によって覆われているため、放電容器21内のプラズマと反応したり、中心電極23及び外周電極24が腐食して生成される飛散物によって放電容器21内が汚染されたりすることを防止することができる。
Moreover, since the outer periphery of the
本発明によるイオン源は、上述した実施の形態に限定されず、種々の変形や改良が可能である。例えば、図4(a)及び(b)に示されるように、全ての外周電極24に接続される環状のフランジ124を設けてもよい。このような構成によれば、全ての外周電極24が接続されることにより、フランジ124から均一な電磁界を発生し、放電の偏りをより防止することができる。なお、図4(b)において引出電極25は省略されている。
The ion source according to the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications and improvements are possible. For example, as shown in FIGS. 4A and 4B, an
また、図5(a)に示されるようなフランジ224を設けてもよい。フランジ224は、環状のフランジ底部224Aと、フランジ底部224Aの周縁に設けられ放電容器21と同軸的に配置されたフランジ壁部224Bとを備えている。上述したフランジ124と比較して、放電容器21の内周に沿うように設けられたフランジ筒壁224Bを設けたことにより、さらに放電の偏りを防止することができる。また、図5(b)に示されるように、フランジ壁部324Bを有するフランジ324を設けてもよい。フランジ壁部324Bは、コイル22の位置する範囲を覆うように設けてもよい。このような構成によれば、低圧下であっても安定した放電を行うことができる。
Moreover, you may provide the flange 224 as shown by Fig.5 (a). The flange 224 includes an annular flange bottom 224 </ b> A and a flange wall 224 </ b> B provided on the periphery of the flange bottom 224 </ b> A and disposed coaxially with the
また、上述した実施の形態では、中心電極23と外周電極24の長さを同一としたが、中心電極及び外周電極の長さはこれに限定されない。例えば、図6(a)に示されるように、中心電極23よりも短い外周電極424を設けてもよいし、図6(b)に示されるように、外周電極24よりも短い中心電極423を設けてもよい。
In the above-described embodiment, the lengths of the
また、上述した実施の形態によれば、引出電極25を3枚構成としたが、減速グリッド28を設けない2枚構成としてもよい。
Further, according to the above-described embodiment, the three
また、上述した実施の形態によれば、中心電極23の外周及び外周電極24の外周の両方に、絶縁部材を設ける構成としたが、本発明はこれに限定されない。例えば、中心電極及び外周電極の材質によっては、中心電極の外周又は外周電極の外周のいずれか一方に絶縁部材を設ける構成としてもよいし、また、中心電極の外周及び外周電極の外周の両方に絶縁部材を設けない構成としてもよい。
Further, according to the above-described embodiment, the insulating member is provided on both the outer periphery of the
本発明は、エッチング装置やスパッタリング装置等のイオンビーム照射装置に好適に利用できる。 The present invention can be suitably used for an ion beam irradiation apparatus such as an etching apparatus or a sputtering apparatus.
1 イオンビームエッチング装置
2 イオン源
3 チャンバ
4 ガス供給源
5 基板
20 真空容器
21 放電容器
21a 開口
22 コイル
23、423 中心電極
23A 基端部
23B 他端部
24、424 外周電極
24A 基端部
24B 他端部
25 引出電極
26 スクリーングリッド
27 加速グリッド
28 減速グリッド
31 基板ホルダ
32 ニュートライザ
33 真空ポンプ
61 高周波電源
62 整合器
63 電力分配器
64 インダクタ
65、66 直流電源
124、224、324 フランジ
224A フランジ底部
224B、324B フランジ壁部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Ion
26
Claims (9)
前記放電容器外に設けられ、前記放電容器内に軸心が位置するコイルと、
前記コイルに高周波電力を供給する高周波電源と、
前記放電容器内であって前記コイルの前記軸心上に設けられ、少なくとも一部が前記コイル内に位置する中心電極と、
前記中心電極を囲むように前記放電容器内に設けられ、少なくとも一部が前記コイル内に位置し、前記中心電極に印加される電圧よりも高い電圧が印加される外周電極と、を備え、
前記高周波電源は、前記中心電極及び前記外周電極にも高周波電力を供給することを特徴とするイオン源。 A discharge vessel;
A coil provided outside the discharge vessel and having an axial center located in the discharge vessel;
A high frequency power source for supplying high frequency power to the coil;
A central electrode provided in the discharge vessel and on the axis of the coil, at least a portion of which is located in the coil;
An outer peripheral electrode provided in the discharge vessel so as to surround the central electrode, at least a part of which is located in the coil and to which a voltage higher than a voltage applied to the central electrode is applied ,
The high-frequency power source supplies high-frequency power to the central electrode and the outer peripheral electrode .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007296279A JP4683036B2 (en) | 2007-11-15 | 2007-11-15 | Ion source |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007296279A JP4683036B2 (en) | 2007-11-15 | 2007-11-15 | Ion source |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009123522A JP2009123522A (en) | 2009-06-04 |
JP4683036B2 true JP4683036B2 (en) | 2011-05-11 |
Family
ID=40815459
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007296279A Expired - Fee Related JP4683036B2 (en) | 2007-11-15 | 2007-11-15 | Ion source |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4683036B2 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109087840B (en) * | 2018-09-27 | 2023-11-07 | 中山市博顿光电科技有限公司 | Water-cooled radio frequency neutralizer |
CN109755085B (en) * | 2018-12-06 | 2020-12-01 | 兰州空间技术物理研究所 | Radio frequency ion source device convenient to maintain and adjust |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000040475A (en) * | 1998-07-22 | 2000-02-08 | Nissin Electric Co Ltd | Self-electron emitting ecr ion plasma source |
JP2004281230A (en) * | 2003-03-14 | 2004-10-07 | Ebara Corp | Beam source and beam treatment device |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH088159B2 (en) * | 1986-11-07 | 1996-01-29 | 理化学研究所 | Plasma generator |
JPH0256832A (en) * | 1988-08-23 | 1990-02-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Microwave plasma device |
JPH02278633A (en) * | 1989-04-19 | 1990-11-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ion source |
JPH0479141A (en) * | 1990-07-20 | 1992-03-12 | Sharp Corp | Ion injection apparatus |
-
2007
- 2007-11-15 JP JP2007296279A patent/JP4683036B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000040475A (en) * | 1998-07-22 | 2000-02-08 | Nissin Electric Co Ltd | Self-electron emitting ecr ion plasma source |
JP2004281230A (en) * | 2003-03-14 | 2004-10-07 | Ebara Corp | Beam source and beam treatment device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009123522A (en) | 2009-06-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0884760B1 (en) | Electron-beam excited plasma generator | |
US9055661B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
US9422623B2 (en) | Ion beam generator and ion beam plasma processing apparatus | |
US10867775B2 (en) | Apparatus and method for treating substrate | |
JP2010500470A (en) | ECR plasma source | |
US11244847B2 (en) | Substrate treating apparatus and substrate treating method | |
US10153137B2 (en) | Support unit, substrate treating apparatus including the same, and method for treating a substrate | |
US10580622B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
JP4919082B2 (en) | Ion beam processing apparatus and ion beam processing method | |
JP4683036B2 (en) | Ion source | |
JP2006236772A (en) | Neutral particle beam source and neutral particle beam processing apparatus | |
KR20200072933A (en) | A substrate processing apparatus | |
US20120196051A1 (en) | Deposition Apparatus and Methods | |
KR101885102B1 (en) | Ntenna unit and substrate treating apparatus including the unit | |
KR101909473B1 (en) | Apparatus for treating substrate | |
JP5325623B2 (en) | Electron source | |
KR102344528B1 (en) | Apparatus and method for treating substrate | |
JP3169134U (en) | Plasma processing equipment | |
KR101754563B1 (en) | Ion beam producing apparatus, substrate treatment apparatus and method for controlling ion beam utilizing the same | |
KR102262107B1 (en) | Substrate treating apparatus | |
KR20210002192A (en) | Apparatus and method for treating substrate | |
KR101784387B1 (en) | Plasma chamber being capable of controlling the homogenization of plasma potential distribution for a charged particle beam output apparatus | |
KR102290910B1 (en) | Apparatus and method for treating substrate | |
KR101989847B1 (en) | Line Type Electron Beam Emission Device Using Plasma | |
KR101772427B1 (en) | Apparatus for generating electric field, apparatus for treating substrate comprising the same, and method for controlling the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100531 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100608 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100809 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100907 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101108 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110111 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110124 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140218 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |