JP4668817B2 - Surface discharge type plasma display panel - Google Patents
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Description
この発明は、面放電型プラズマディスプレイパネルの構成に関する。 The present invention relates to a structure of a surface discharge type plasma display panel.
一般に、面放電方式交流型プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰという）は、放電空間を挟んで互いに対向する二枚のガラス基板のうちの一方のガラス基板に、行方向に延びる複数の行電極対が列方向に並設されて誘電体層によって被覆され、さらに、この誘電体層の面上に、誘電体層の保護機能と放電空間内への２次電子放出機能とを有する酸化マグネシウム層が蒸着法によって形成されており、他方のガラス基板に、列方向に延びる複数の列電極が行方向に並設されて、行電極対と列電極がそれぞれ交差する部分の放電空間に、パネル面に沿ってマトリックス状に配列される単位発光領域（放電セル）が形成されている。 Generally, a surface discharge AC plasma display panel (hereinafter referred to as PDP) has a plurality of row electrode pairs extending in the row direction on one of two glass substrates facing each other across a discharge space. A magnesium oxide layer having a function of protecting the dielectric layer and a function of emitting secondary electrons into the discharge space is deposited on the surface of the dielectric layer. A plurality of column electrodes extending in the column direction are juxtaposed in the row direction on the other glass substrate, along the panel surface in the discharge space where the row electrode pair and the column electrode intersect each other. Thus, unit light emitting regions (discharge cells) arranged in a matrix are formed.
各放電セル内には、赤，緑，青の三原色に色分けされた蛍光体層が形成されている。 In each discharge cell, phosphor layers that are color-coded into three primary colors of red, green, and blue are formed.
そして、このＰＤＰの放電空間内に、ネオンとキセノンの混合ガスからなる放電ガスが封入されている。 A discharge gas composed of a mixed gas of neon and xenon is enclosed in the discharge space of the PDP.
このような構成のＰＤＰにおいては、以下のような駆動方法によって画像表示が行われる。 In the PDP having such a configuration, image display is performed by the following driving method.
すなわち、対になっている行電極間において一斉にリセット放電が行われ、次に、行電極対の一方の行電極と列電極との間で選択的にアドレス放電が発生されて、放電セルに対向する誘電体層に壁電荷が形成されている発光セルと誘電体層の壁電荷が消去された消灯セルがパネル面に分布され、そして、この後、発光セル内において対になっている行電極間でサステイン放電が行われて、放電空間内の放電ガスに混合されているキセノンから真空紫外線が放射され、この真空紫外線によって赤，緑，青の蛍光体層がそれぞれ励起されて発光することにより、映像信号の画像データに対応した画像がパネル面に形成される。 That is, a reset discharge is simultaneously performed between the pair of row electrodes, and then an address discharge is selectively generated between one row electrode and the column electrode of the row electrode pair, and the discharge cell is discharged. The light emitting cells in which wall charges are formed on the opposing dielectric layer and the extinguished cells from which the wall charges in the dielectric layer have been erased are distributed on the panel surface, and thereafter, a pair of rows in the light emitting cells. Sustain discharge is performed between the electrodes, and vacuum ultraviolet rays are emitted from xenon mixed with the discharge gas in the discharge space, and red, green, and blue phosphor layers are excited by the vacuum ultraviolet rays to emit light. Thus, an image corresponding to the image data of the video signal is formed on the panel surface.
このようなＰＤＰの駆動において、中間調の画像の輝度表示を行うために、サブフィールド法と呼ばれる階調駆動方法が採用されている。 In such PDP driving, a gradation driving method called a subfield method is employed in order to display the luminance of a halftone image.
このサブフィールド法による階調駆動方法は、１フレームの表示期間を、それぞれにアドレス期間とサステイン期間が設けられて輝度の相対比が互いに１：２：４：８：１６：３２：６４：１２８になるように設定されて８個のサブフィールドによって構成し、このサブフィールドを任意に選択して組み合わせて発光を行わせることにより、２５６段階の輝度が表示されるようにしたものである。 In this gray scale driving method based on the subfield method, a display period of one frame is provided with an address period and a sustain period, respectively, and the relative ratio of luminance is 1: 2: 4: 8: 16: 32: 64: 128. The sub-fields are composed of eight sub-fields, and the sub-fields are arbitrarily selected and combined to emit light so that 256 levels of luminance can be displayed.
従来、上記のような構成のＰＤＰは、駆動時のサステイン期間に多数の放電セルが発光セルに設定されて点灯状態になっていることによって、サステイン・パルスの印加によってこの全ての発光セルにおいて同時に放電が生じて、瞬間的に大きな電流が流れることになり、これによって、放電強度が増大することによる輝度残像が発生して画像の表示品質が悪化してしまうという問題を有している。 Conventionally, the PDP having the above-described configuration has a large number of discharge cells set as light emitting cells in a sustain period during driving and is in a lighting state. As a result of the discharge, a large current flows instantaneously, and this causes a problem that a luminance afterimage due to an increase in the discharge intensity occurs and the display quality of the image deteriorates.
特に、上述したようなサブフィールド法による階調表示を行うために１フレームの表示期間内に何度も放電を繰り返すＰＤＰにおいては、この輝度残像の発生が大きな問題となる。 In particular, in a PDP that repeatedly discharges within a display period of one frame in order to perform gradation display by the subfield method as described above, the occurrence of this luminance afterimage becomes a serious problem.
この発明は、上記のような従来のＰＤＰにおける課題を達成することをその解決課題の一つとしている。 The present invention makes it one of the solutions to achieve the above-described problems in the conventional PDP.
この発明（請求項１に記載の発明）による面放電型プラズマディスプレイパネルは、上記課題を解決するために、放電空間を介して対向する一対の基板と、この一対の基板の間に配置されて互いに離間する位置において交差する方向に延びて交差部分の放電空間に単位発光領域を形成する行電極対および列電極と、行電極対を被覆する誘電体層と、この誘電体層を被覆するとともに単位発光領域に対向する保護層とを有し、放電空間内に放電ガスが封入されている面放電型プラズマディスプレイパネルにおいて、前記誘電体層が、比誘電率が６．８のＺｎ−Ｂ−Ｓｉ系アルカリ含有ガラス材料によって形成され、前記放電ガスが、１０パーセントのキセノンを含み、前記保護層が、蒸着またはスパッタリングによって形成される薄膜酸化マグネシウム層と、この薄膜酸化マグネシウム層に積層して形成され、電子線によって励起されることにより波長域２３０〜２５０ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含む結晶酸化マグネシウム層とによって構成され、前記酸化マグネシウム結晶体が、気相酸化法によって生成された酸化マグネシウム単結晶体であり、前記酸化マグネシウム結晶体の平均粒径は２０００オングストローム以上４０００オングストローム以下であり、前記結晶酸化マグネシウム層の前記薄膜酸化マグネシウム層に対する面積比が０．１〜８５％であることを特徴としている。 In order to solve the above problems, a surface discharge type plasma display panel according to the present invention (the invention described in claim 1) is disposed between a pair of substrates facing each other through a discharge space and the pair of substrates. A row electrode pair and a column electrode extending in a crossing direction at positions spaced apart from each other to form a unit light emitting region in a discharge space at the crossing portion, a dielectric layer covering the row electrode pair, and covering the dielectric layer In the surface discharge type plasma display panel having a protective layer facing the unit light emitting region and having a discharge gas sealed in the discharge space, the dielectric layer is made of Zn-B- having a relative dielectric constant of 6.8. A thin film oxide magnet formed of a Si-based alkali-containing glass material , wherein the discharge gas contains 10 percent xenon, and the protective layer is formed by vapor deposition or sputtering. A crystalline magnesium oxide layer comprising a nesium layer and a magnesium oxide crystal formed by laminating on this thin magnesium oxide layer and excited by an electron beam to emit cathode luminescence light having a peak in a wavelength range of 230 to 250 nm The magnesium oxide crystal is a magnesium oxide single crystal produced by a gas phase oxidation method, and the magnesium oxide crystal has an average particle size of 2000 angstroms or more and 4000 angstroms or less. The area ratio of the magnesium layer to the thin magnesium oxide layer is 0.1 to 85% .
この発明は、基板の内面側に形成された行電極対を被覆する誘電体層が、比誘電率が９以下の誘電材料によって形成され、この誘電体層を被覆する保護層に、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体が含まれているＰＤＰをその最良の実施形態としている。 In the present invention, a dielectric layer covering the row electrode pair formed on the inner surface side of the substrate is formed of a dielectric material having a relative dielectric constant of 9 or less, and the protective layer covering the dielectric layer is formed by an electron beam. A PDP including a magnesium oxide crystal that emits cathode luminescence having a peak in a wavelength range of 200 to 300 nm when excited is included in the best embodiment.
上記実施形態のＰＤＰは、誘電体層が比誘電率９以下の低比誘電率誘電材料によって形成されることによって、パネルの輝度残像の発生が抑制され、さらに、この誘電体層が低比誘電率誘電材料によって形成されることによる放電開始電圧の上昇や放電遅れの発生は、誘電体層を被覆する保護層が、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含むことによって抑制されて、パネルの残像特性の改善と放電遅れ特性の改善、放電開始電圧の上昇の防止を同時に実現することが出来る。 In the PDP of the above embodiment, the dielectric layer is formed of a low relative dielectric constant dielectric material having a relative dielectric constant of 9 or less, so that generation of a luminance afterimage of the panel is suppressed. The rise of the discharge start voltage and the occurrence of the discharge delay due to the formation of the dielectric material are caused by the cathode having a peak in the wavelength range of 200 to 300 nm when the protective layer covering the dielectric layer is excited by the electron beam. -Suppressed by including a magnesium oxide crystal that emits luminescence, it is possible to improve the afterimage characteristics of the panel, improve the discharge delay characteristics, and prevent the rise of the discharge start voltage at the same time.
そして、このパネルの残像特性の改善効果は、特に、サブフィールド法によって階調表示を行うために１フレームの表示期間内に何度も放電を繰り返すＰＤＰにおいて、発揮される。 The effect of improving the afterimage characteristics of the panel is exhibited particularly in a PDP that repeatedly discharges within a display period of one frame in order to perform gradation display by the subfield method.
上記実施形態のＰＤＰにおいて、誘電体層を形成する誘電材料を、比誘電率が８以下の無鉛系ガラス材料とするのが好ましく、例えば、比誘電率が７以下のＺｎ−Ｂ−Ｓｉ系アルカリ含有ガラス材料や比誘電率が６．８のＺｎ−Ｂ−Ｓｉ系アルカリ含有ガラス材料とするのが好ましく、これによって、パネルの残像特性の改善と、放電遅れ特性の改善がさらに図られる。 In the PDP of the above embodiment, the dielectric material forming the dielectric layer is preferably a lead-free glass material having a relative dielectric constant of 8 or less, for example, a Zn—B—Si based alkali having a relative dielectric constant of 7 or less. It is preferable to use a Zn-B-Si-based alkali-containing glass material having a glass material or a relative dielectric constant of 6.8. This further improves the afterimage characteristics of the panel and the discharge delay characteristics.
さらに、上記実施形態のＰＤＰにおいて、放電ガスが、１０パーセントのキセノンを含んでいるようにするのが好ましく、これによって、発光効率の改善が図られる。 Furthermore, in the PDP of the above embodiment, it is preferable that the discharge gas contains 10% xenon, thereby improving the light emission efficiency.
さらに、上記実施形態のＰＤＰにおいて、保護層が、蒸着またはスパッタリングによって形成される薄膜酸化マグネシウム層と、この薄膜酸化マグネシウム層に積層して形成された酸化マグネシウム結晶体を含む結晶酸化マグネシウム層とによって構成されるようにするのが好ましく、これによって、パネルの放電遅れ特性のさらなる改善が図られる。 Furthermore, in the PDP of the above embodiment, the protective layer includes a thin film magnesium oxide layer formed by vapor deposition or sputtering, and a crystalline magnesium oxide layer including a magnesium oxide crystal formed by being laminated on the thin film magnesium oxide layer. It is preferable to be configured so that the discharge delay characteristics of the panel can be further improved.
さらに、上記実施形態のＰＤＰにおいて、酸化マグネシウム結晶体が気相酸化法によって生成された酸化マグネシウム単結晶体であることが好ましく、これによって、パネルの放電遅れ特性のさらなる改善が図られる。 Furthermore, in the PDP of the above-described embodiment, the magnesium oxide crystal is preferably a magnesium oxide single crystal produced by a vapor phase oxidation method, thereby further improving the discharge delay characteristics of the panel.
さらに、上記実施形態のＰＤＰにおいて、酸化マグネシウム結晶体が２３０〜２５０ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う結晶体であることが好ましく、これによって、パネルの放電遅れ特性のさらなる改善が図られる。 Furthermore, in the PDP of the above-described embodiment, the magnesium oxide crystal is preferably a crystal that performs cathode luminescence emission having a peak within 230 to 250 nm, thereby further improving the discharge delay characteristics of the panel. .
さらに、上記実施形態のＰＤＰにおいて、酸化マグネシウム結晶体が２０００オングストローム以上の粒径を有していることが好ましく、これによって、パネルの放電遅れ特性のさらなる改善が図られる。 Furthermore, in the PDP of the above-described embodiment, it is preferable that the magnesium oxide crystal has a particle size of 2000 angstroms or more, thereby further improving the discharge delay characteristics of the panel.
図１ないし３は、この発明によるＰＤＰの実施形態の一実施例を示しており、図１はこの実施例におけるＰＤＰを模式的に示す正面図、図２は図１のＶ−Ｖ線における断面図、図３は図１のＷ−Ｗ線における断面図である。 1 to 3 show an example of an embodiment of a PDP according to the present invention, FIG. 1 is a front view schematically showing the PDP in this example, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line V-V in FIG. FIG. 3 and FIG. 3 are sectional views taken along line WW in FIG.
この図１ないし３に示されるＰＤＰは、表示面である前面ガラス基板１の背面に、複数の行電極対（Ｘ，Ｙ）が、前面ガラス基板１の行方向（図１の左右方向）に延びるように平行に配列されている。 The PDP shown in FIGS. 1 to 3 has a plurality of row electrode pairs (X, Y) in the row direction of the front glass substrate 1 (left and right direction in FIG. 1) on the back surface of the front glass substrate 1 as a display surface. They are arranged in parallel so as to extend.
行電極Ｘは、Ｔ字形状に形成されたＩＴＯ等の透明導電膜からなる透明電極Ｘａと、前面ガラス基板１の行方向に延びて透明電極Ｘａの狭小の基端部に接続された金属膜からなるバス電極Ｘｂとによって構成されている。 The row electrode X includes a transparent electrode Xa made of a transparent conductive film such as ITO formed in a T shape, and a metal film that extends in the row direction of the front glass substrate 1 and is connected to a narrow base end portion of the transparent electrode Xa. And the bus electrode Xb.
行電極Ｙも同様に、Ｔ字形状に形成されたＩＴＯ等の透明導電膜からなる透明電極Ｙａと、前面ガラス基板１の行方向に延びて透明電極Ｙａの狭小の基端部に接続された金属膜からなるバス電極Ｙｂとによって構成されている。 Similarly, the row electrode Y is connected to the transparent electrode Ya made of a transparent conductive film such as ITO formed in a T-shape and the narrow base end portion of the transparent electrode Ya extending in the row direction of the front glass substrate 1. The bus electrode Yb is made of a metal film.
この行電極ＸとＹは、前面ガラス基板１の列方向（図１の上下方向）に交互に配列されており、バス電極ＸｂとＹｂに沿って並列されたそれぞれの透明電極ＸａとＹａが、互いに対となる相手の行電極側に延びて、透明電極ＸａとＹａの幅広部の頂辺が、それぞれ所要の幅の放電ギャップｇを介して互いに対向されている。 The row electrodes X and Y are alternately arranged in the column direction (vertical direction in FIG. 1) of the front glass substrate 1, and the transparent electrodes Xa and Ya arranged in parallel along the bus electrodes Xb and Yb are respectively Extending to the paired row electrode side, the tops of the wide portions of the transparent electrodes Xa and Ya are opposed to each other via a discharge gap g having a required width.
前面ガラス基板１の背面には、列方向において隣接する行電極対（Ｘ，Ｙ）の互いに背中合わせになったバス電極ＸｂとＹｂの間に、このバス電極Ｘｂ，Ｙｂに沿って行方向に延びる黒色または暗色の光吸収層（遮光層）２が形成されている。 The back surface of the front glass substrate 1 extends in the row direction along the bus electrodes Xb and Yb between the bus electrodes Xb and Yb of the row electrode pairs (X, Y) adjacent to each other in the column direction. A black or dark light absorption layer (light shielding layer) 2 is formed.
さらに、前面ガラス基板１の背面には、行電極対（Ｘ，Ｙ）を被覆するように誘電体層３が形成されており、この誘電体層３の背面には、互いに隣接する行電極対（Ｘ，Ｙ）の背中合わせに隣り合うバス電極ＸｂおよびＹｂに対向する位置およびこの隣り合うバス電極ＸｂとＹｂの間の領域部分に対向する位置に、誘電体層３の背面側に突出する嵩上げ誘電体層３Ａが、バス電極Ｘｂ，Ｙｂと平行に延びるように形成されている。 Further, a dielectric layer 3 is formed on the back surface of the front glass substrate 1 so as to cover the row electrode pair (X, Y), and adjacent row electrode pairs are formed on the back surface of the dielectric layer 3. Raised to protrude toward the back side of the dielectric layer 3 at a position facing the bus electrodes Xb and Yb adjacent to each other (X, Y) back to back and a position facing the region between the adjacent bus electrodes Xb and Yb. Dielectric layer 3A is formed to extend in parallel with bus electrodes Xb and Yb.
この誘電体層３および嵩上げ誘電体層３Ａは、後で詳述するような、比誘電率εが９以下の、例えば、アルカリを含有する無鉛系ガラス材料等の低ε誘電材料によって形成されている。 The dielectric layer 3 and the raised dielectric layer 3A are formed of a low ε dielectric material such as a lead-free glass material containing an alkali having a relative dielectric constant ε of 9 or less, as will be described in detail later. Yes.
この誘電体層３と嵩上げ誘電体層３Ａの背面側には、蒸着法またはスパッタリングによって形成された薄膜の酸化マグネシウム層（以下、薄膜酸化マグネシウム層という）４が形成されていて、誘電体層３と嵩上げ誘電体層３Ａの背面の全面を被覆している。 On the back side of the dielectric layer 3 and the raised dielectric layer 3A, a thin film magnesium oxide layer 4 (hereinafter referred to as a thin film magnesium oxide layer) 4 formed by vapor deposition or sputtering is formed. And the entire back surface of the raised dielectric layer 3A is covered.
この薄膜酸化マグネシウム層４の背面側には、後で詳述するような、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３５ｎｍ付近，２３０〜２５０ｎｍ内）にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光（ＣＬ発光）を行う酸化マグネシウム結晶体を含む酸化マグネシウム層（以下、結晶酸化マグネシウム層という）５が形成されている。 On the back side of the thin-film magnesium oxide layer 4, a cathode having a peak in a wavelength range of 200 to 300 nm (particularly in the vicinity of 235 nm and 230 to 250 nm) when excited by an electron beam, as will be described in detail later. A magnesium oxide layer (hereinafter referred to as a crystalline magnesium oxide layer) 5 containing a magnesium oxide crystal that emits luminescence (CL emission) is formed.
この結晶酸化マグネシウム層５は、薄膜酸化マグネシウム層４の背面の全面または一部、例えば、後述する放電セルに面する部分に形成されている（図示の例では、結晶酸化マグネシウム層５が薄膜酸化マグネシウム層４の背面の全面に形成されている例が示されている）。 The crystalline magnesium oxide layer 5 is formed on the entire back surface of the thin film magnesium oxide layer 4 or a part thereof, for example, a portion facing a discharge cell described later (in the illustrated example, the crystalline magnesium oxide layer 5 is thin film oxidized. An example in which it is formed on the entire back surface of the magnesium layer 4 is shown).
一方、前面ガラス基板１と平行に配置された背面ガラス基板６の表示側の面上には、列電極Ｄが、各行電極対（Ｘ，Ｙ）の互いに対となった透明電極ＸａおよびＹａに対向する位置において行電極対（Ｘ，Ｙ）と直交する方向（列方向）に延びるように、互いに所定の間隔を開けて平行に配列されている。 On the other hand, on the display side surface of the rear glass substrate 6 arranged in parallel with the front glass substrate 1, the column electrode D is connected to the transparent electrodes Xa and Ya that are paired with each other in each row electrode pair (X, Y). They are arranged in parallel at predetermined intervals so as to extend in a direction (column direction) orthogonal to the row electrode pair (X, Y) at the opposing positions.
背面ガラス基板６の表示側の面上には、さらに、列電極Ｄを被覆する白色の列電極保護層(誘電体層）７が形成され、この列電極保護層７上に、隔壁８が形成されている。 A white column electrode protective layer (dielectric layer) 7 covering the column electrode D is further formed on the display side surface of the rear glass substrate 6, and a partition wall 8 is formed on the column electrode protective layer 7. Has been.
この隔壁８は、各行電極対（Ｘ，Ｙ）のバス電極ＸｂとＹｂに対向する位置においてそれぞれ行方向に延びる一対の横壁８Ａと、隣接する列電極Ｄの間の中間位置において一対の横壁８Ａ間を列方向に延びる縦壁８Ｂとによって略梯子形状に形成されており、各隔壁８が、隣接する他の隔壁８の互いに背中合わせに対向する横壁８Ａの間において行方向に延びる隙間ＳＬを挟んで、列方向に並設されている。 The partition wall 8 includes a pair of horizontal walls 8A extending in the row direction at positions facing the bus electrodes Xb and Yb of each row electrode pair (X, Y), and a pair of horizontal walls 8A at an intermediate position between adjacent column electrodes D. The vertical walls 8B extending in the column direction are formed in a substantially ladder shape, and each partition wall 8 sandwiches a gap SL extending in the row direction between the lateral walls 8A of the other adjacent partition walls 8 facing each other back to back. And they are arranged side by side in the column direction.
そして、この梯子状の隔壁８によって、前面ガラス基板１と背面ガラス基板６の間の放電空間Ｓが、各行電極対（Ｘ，Ｙ）において互いに対になっている透明電極ＸａとＹａに対向する部分に形成される放電セルＣ毎に、それぞれ方形に区画されている。 The ladder-shaped partition wall 8 causes the discharge space S between the front glass substrate 1 and the rear glass substrate 6 to face the transparent electrodes Xa and Ya that are paired with each other in each row electrode pair (X, Y). Each discharge cell C formed in the portion is divided into squares.
放電空間Ｓに面する隔壁８の横壁８Ａおよび縦壁８Ｂの側面と列電極保護層７の表面には、これらの五つの面を全て覆うように蛍光体層９が形成されており、この蛍光体層９の色は、各放電セルＣ毎に赤，緑，青の三原色が行方向に順に並ぶように配列されている。 A phosphor layer 9 is formed on the side surfaces of the horizontal and vertical walls 8A and 8B of the partition wall 8 facing the discharge space S and the surface of the column electrode protective layer 7 so as to cover all of these five surfaces. The color of the body layer 9 is arranged so that the three primary colors of red, green, and blue are arranged in order in the row direction for each discharge cell C.
嵩上げ誘電体層３Ａは、この嵩上げ誘電体層３Ａを被覆している結晶酸化マグネシウム層５（または、結晶酸化マグネシウム層５が薄膜酸化マグネシウム層４の背面の放電セルＣに対向する部分にのみ形成されている場合には、薄膜酸化マグネシウム層４）が隔壁８の横壁８Ａの表示側の面に当接される（図２参照）ことによって、放電セルＣと隙間ＳＬの間をそれぞれ閉じているが、縦壁８Ｂの表示側の面には当接されておらず（図３参照）、その間に隙間ｒが形成されて、行方向において隣接する放電セルＣ間がこの隙間ｒを介して互いに連通されている。 The raised dielectric layer 3A is formed only on the portion of the crystalline magnesium oxide layer 5 (or the portion where the crystalline magnesium oxide layer 5 faces the discharge cell C on the back surface of the thin-film magnesium oxide layer 4) covering the raised dielectric layer 3A. In this case, the thin-film magnesium oxide layer 4) is brought into contact with the display side surface of the lateral wall 8A of the partition wall 8 (see FIG. 2), thereby closing the space between the discharge cell C and the gap SL. However, it is not in contact with the display side surface of the vertical wall 8B (see FIG. 3), and a gap r is formed between them, and the discharge cells C adjacent in the row direction are mutually connected via this gap r. It is communicated.
放電空間Ｓ内には、後で詳述するように、キセノンを１０パーセント以上含むＮｅ−Ｘｅ系放電ガスが封入されている。 In the discharge space S, as will be described in detail later, a Ne—Xe-based discharge gas containing 10% or more of xenon is enclosed.
上記ＰＤＰの誘電体層３および嵩上げ誘電体層３Ａは、前述したように、比誘電率が９以下の誘電材料によって形成されており、このような誘電材料としては、例えば、日本電気硝子（株）社製の型番「ＴＳ−１０００Ｃ」（比誘電率：６．８）等のＺｎ−Ｂ−Ｓｉ系アルカリガラス材料や、奥野製薬工業（株）社製の型番「Ｇ３−４１５６」（比誘電率が７．５）等のＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−ＺｎＯ系アルカリガラス材料，旭ガラス（株）社製の型番「ＹＦＴ５０６」（比誘電率が８．９）等のＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−ＺｎＯ−ＢａＯ系ガラス材料等の無鉛系アルカリガラス材料が挙げられる。 As described above, the dielectric layer 3 and the raised dielectric layer 3A of the PDP are formed of a dielectric material having a relative dielectric constant of 9 or less. As such a dielectric material, for example, Nippon Electric Glass Co., Ltd. ) Zn-B-Si alkali glass material such as model number “TS-1000C” (relative dielectric constant: 6.8) manufactured by the company, or model number “G3-4156” (relative dielectric constant) manufactured by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd. rate is 7.5) SiO 2 -B 2 O 3 -ZnO -based alkali glass material such as Asahi glass Co., Ltd. model number "YFT506" (SiO 2 having a relative dielectric constant of 8.9), and the like -B 2 A lead-free alkali glass material such as an O 3 —ZnO—BaO glass material may be used.
上記ＰＤＰの結晶酸化マグネシウム層５は、前述したような酸化マグネシウム結晶体が、スプレ法や静電塗布法などの方法によって誘電体層３および嵩上げ誘電体層３Ａを被覆している薄膜酸化マグネシウム層４の背面側の表面に付着されることによって形成される。 The crystalline magnesium oxide layer 5 of the PDP is a thin magnesium oxide layer in which the magnesium oxide crystal as described above covers the dielectric layer 3 and the raised dielectric layer 3A by a method such as spraying or electrostatic coating. 4 is formed by being attached to the surface on the back side.
なお、この実施例においては、誘電体層３および嵩上げ誘電体層３Ａの背面に薄膜酸化マグネシウム層４が形成され、この薄膜酸化マグネシウム層４の背面に結晶酸化マグネシウム層５が形成される例について説明が行われるが、誘電体層３および嵩上げ誘電体層３Ａの背面に結晶酸化マグネシウム層５が形成された後、この結晶酸化マグネシウム層５の背面に薄膜酸化マグネシウム層４が形成されるようにしても良い。 In this embodiment, the thin film magnesium oxide layer 4 is formed on the back surface of the dielectric layer 3 and the raised dielectric layer 3A, and the crystalline magnesium oxide layer 5 is formed on the back surface of the thin film magnesium oxide layer 4. As will be described, after the crystalline magnesium oxide layer 5 is formed on the back surface of the dielectric layer 3 and the raised dielectric layer 3A, the thin film magnesium oxide layer 4 is formed on the back surface of the crystalline magnesium oxide layer 5. May be.
図４は、誘電体層３の背面に薄膜酸化マグネシウム層４が形成され、この薄膜酸化マグネシウム層４の背面に、酸化マグネシウム結晶体がスプレ法や静電塗布法などの方法によって付着されて結晶酸化マグネシウム層５が形成されている状態を示している。 In FIG. 4, a thin film magnesium oxide layer 4 is formed on the back surface of the dielectric layer 3, and a magnesium oxide crystal is attached to the back surface of the thin film magnesium oxide layer 4 by a method such as spraying or electrostatic coating. The state in which the magnesium oxide layer 5 is formed is shown.
また、図５は、誘電体層３の背面に酸化マグネシウム結晶体がスプレ法や静電塗布法などの方法によって付着されて結晶酸化マグネシウム層５が形成された後、薄膜酸化マグネシウム層４が形成されている状態を示している。 Further, FIG. 5 shows that after the magnesium oxide crystal is attached to the back surface of the dielectric layer 3 by a method such as spraying or electrostatic coating to form the crystalline magnesium oxide layer 5, the thin-film magnesium oxide layer 4 is formed. It shows the state being done.
上記ＰＤＰの結晶酸化マグネシウム層５は、下記の材料および方法によって形成されている。 The crystalline magnesium oxide layer 5 of the PDP is formed by the following materials and methods.
すなわち、結晶酸化マグネシウム層５の形成材料となる電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３５ｎｍ付近，２３０〜２５０ｎｍ内）にピークを有するＣＬ発光を行う酸化マグネシウム結晶体とは、例えば、マグネシウムを加熱して発生するマグネシウム蒸気を気相酸化して得られるマグネシウムの単結晶体（以下、このマグネシウムの単結晶体を気相法酸化マグネシウム単結晶体という）を含み、この気相法酸化マグネシウム単結晶体には、例えば、図６のＳＥＭ写真像に示されるような、立方体の単結晶構造を有する酸化マグネシウム単結晶体と、図７のＳＥＭ写真像に示されるような、立方体の結晶体が互いに嵌り込んだ構造（すなわち、立方体の多重結晶構造）を有する酸化マグネシウム単結晶体が含まれる。 That is, a magnesium oxide crystal that emits CL having a peak in a wavelength range of 200 to 300 nm (especially in the vicinity of 235 nm and within a range of 230 to 250 nm) by being excited by an electron beam that is a material for forming the crystalline magnesium oxide layer 5; Includes, for example, a magnesium single crystal obtained by vapor phase oxidation of magnesium vapor generated by heating magnesium (hereinafter, this magnesium single crystal is referred to as a vapor phase magnesium oxide single crystal). The vapor-phase-processed magnesium oxide single crystal includes, for example, a magnesium oxide single crystal having a cubic single crystal structure as shown in the SEM photograph image of FIG. 6 and a SEM photograph image of FIG. Magnesium oxide single crystal having a structure in which cubic crystals are fitted into each other (ie, cubic multiple crystal structure) Body is included.
この気相法酸化マグネシウム単結晶体は、後述するように、放電遅れの減少などの放電特性の改善に寄与する。 This vapor-phase-processed magnesium oxide single crystal contributes to improvement of discharge characteristics such as reduction of discharge delay, as will be described later.
そして、この気相法酸化マグネシウム単結晶体は、他の方法によって得られる酸化マグネシウムと比較すると、高純度であるとともに微粒子が得られ、さらに、粒子の凝集が少ないなどの特徴を備えている。 The vapor-phase-processed magnesium oxide single crystal has characteristics such as high purity, fine particles, and less aggregation of particles as compared with magnesium oxide obtained by other methods.
この実施例においては、ＢＥＴ法によって測定した平均粒径が５００オングストローム以上（好ましくは、２０００オングストローム以上）の気相法酸化マグネシウム単結晶体が用いられる。 In this embodiment, a vapor-phase magnesium oxide single crystal having an average particle size measured by the BET method of 500 angstroms or more (preferably 2000 angstroms or more) is used.
なお、気相法酸化マグネシウム単結晶体の合成については、『材料』昭和６２年１１月号，第３６巻第４１０号の第１１５７〜１１６１頁の『気相法によるマグネシア粉末の合成とその性質』等に記載されている。 In addition, about the synthesis | combination of a vapor-phase-method magnesium oxide single crystal body, "Materials" November, 1987, Volume 36, No. 410, pp. 1157 to 1161, "Synthesis and properties of magnesia powder by vapor phase method". And the like.
この結晶酸化マグネシウム層５は、前述したように、気相法酸化マグネシウム単結晶体がスプレ法や静電塗布法などの方法によって付着されることにより形成される。
このＰＤＰは、画像形成のためのリセット放電およびアドレス放電，サステイン放電が放電セルＣ内において行われる。
As described above, the crystalline magnesium oxide layer 5 is formed by depositing a vapor-phase magnesium oxide single crystal by a spray method, an electrostatic coating method, or the like.
In this PDP, reset discharge, address discharge, and sustain discharge for image formation are performed in the discharge cell C.
図８は、従来の誘電体層を備えたＰＤＰの画像形成時に発生する輝度残像と上記構成のＰＤＰの画像形成時に発生する輝度残像の発生状態を比較したグラフである。 FIG. 8 is a graph comparing luminance afterimages generated during image formation of a PDP having a conventional dielectric layer and luminance afterimages generated during image formation of a PDP having the above configuration.
図８において、（ａ）のグラフが、誘電体層が、比誘電率εが１０．５の日本電気硝子（株）製の型番ＬＳ−３２３２Ｆの有鉛のＰｂ−Ｂ−Ｓｉ系非アルカリガラス材料によって形成され、この誘電体層を被覆する保護層が薄膜酸化マグネシウム層と結晶酸化マグネシウム層を有し、キセノンを１５パーセント含むＮｅ−Ｘｅ系の放電ガスが封入されている従来のＰＤＰにおける輝度残像の発生状態（画面の残像発生部分とその周囲の部分との輝度比）を示している。 In FIG. 8, the graph of (a) shows the leaded Pb—B—Si non-alkaline glass of model number LS-3232F manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd. whose dielectric constant is 10.5. Brightness in a conventional PDP formed of a material and having a thin film magnesium oxide layer and a crystalline magnesium oxide layer as a protective layer covering the dielectric layer and enclosing a Ne—Xe-based discharge gas containing 15% xenon The afterimage generation state (luminance ratio between the afterimage generation portion of the screen and the surrounding portion) is shown.
図８において、（ｂ）のグラフが、誘電体層３が、比誘電率εが６．８の日本電気硝子（株）製の型番ＴＳ−１０００Ｃの無鉛のＺｎ−Ｂ−Ｓｉ系アルカリガラス材料によって形成され、この誘電体層３を被覆する保護層が薄膜酸化マグネシウム層４と結晶酸化マグネシウム層５を有し、キセノンを１５パーセント含むＮｅ−Ｘｅ系の放電ガスが封入されている上記構成のＰＤＰにおける輝度残像の発生状態を示している。 In FIG. 8, the graph of (b) shows that the dielectric layer 3 is a lead-free Zn-B-Si-based alkali glass material of model number TS-1000C manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd., having a relative dielectric constant ε of 6.8. The protective layer covering the dielectric layer 3 has a thin film magnesium oxide layer 4 and a crystalline magnesium oxide layer 5 and is filled with a Ne—Xe-based discharge gas containing 15% xenon. The state of occurrence of a luminance afterimage in the PDP is shown.
この図８の（ａ）と（ｂ）のグラフの比較から、上記構成のＰＤＰは、画像形成時に発生する輝度残像（図８（ｂ）の縦軸によって示される輝度比）が従来のＰＤＰにおいて発生する輝度残像（図８（ａ）の縦軸によって示される輝度比）よりも小さく、比誘電率εが９以下の低ε誘電材料によって誘電体層３が形成されることによって、画像形成時に発生する輝度残像が少なくなっていることが分かる。 From the comparison of the graphs of FIGS. 8A and 8B, the PDP having the above configuration has a luminance afterimage (luminance ratio indicated by the vertical axis in FIG. 8B) generated during image formation in the conventional PDP. The dielectric layer 3 is formed of a low ε dielectric material that is smaller than the generated luminance afterimage (the luminance ratio indicated by the vertical axis in FIG. 8A) and has a relative dielectric constant ε of 9 or less, so that an image is formed. It can be seen that less luminance afterimages are generated.
すなわち、従来のように比誘電率εが９よりも高い高ε誘電材料によって誘電体層が形成されているＰＤＰにおいては、駆動パルス（サステイン・パルス）が印加される際に多数の発光セルにおいてほぼ同時に放電が発生し、瞬間的に大きな電流が流れることによって輝度残像が発生してしまい、特に、サブフィールド法によって階調表示を行うために１フレームの表示期間内に何度も放電を繰り返すＰＤＰにおいては、この輝度残像の発生によって画像の表示品質が悪化する虞があるが、上記構成のＰＤＰは、比誘電率εが９以下の低ε誘電材料によって誘電体層３が形成されることによって、輝度残像の発生が抑制される。 That is, in a conventional PDP in which a dielectric layer is formed of a high ε dielectric material having a relative dielectric constant ε higher than 9, in many light emitting cells when a driving pulse (sustain pulse) is applied. Discharge occurs almost at the same time, and a large current flows instantaneously, resulting in a luminance afterimage. In particular, in order to perform gradation display by the subfield method, the discharge is repeated many times within a display period of one frame. In the PDP, there is a risk that the display quality of the image is deteriorated due to the occurrence of the luminance afterimage. However, in the PDP having the above configuration, the dielectric layer 3 is formed of a low ε dielectric material having a relative dielectric constant ε of 9 or less. Thus, the occurrence of a luminance afterimage is suppressed.
さらに、この低ε誘電材料による誘電体層３の形成によって、パネルの発光効率も向上される。 Further, the formation of the dielectric layer 3 from this low ε dielectric material improves the luminous efficiency of the panel.
そして、この誘電体層３が低ε誘電材料によって形成されただけでは、放電開始電圧の上昇や放電遅れを発生させることになるが、この放電開始電圧の上昇と放電遅れの発生は、誘電体層３を被覆する保護層が気相法酸化マグネシウム単結晶体を含む結晶酸化マグネシウム層５を有していることによって抑制され、この低比誘電率の誘電体層３と結晶酸化マグネシウム層５の組み合わせによって、上記構成のＰＤＰは、パネルの残像特性の改善と放電遅れ特性の改善、放電開始電圧の上昇の防止を同時に実現することが出来る。 If the dielectric layer 3 is only formed of a low ε dielectric material, an increase in the discharge start voltage and a discharge delay will occur. The increase in the discharge start voltage and the occurrence of the discharge delay The protective layer covering the layer 3 is suppressed by having the crystalline magnesium oxide layer 5 containing the vapor phase magnesium oxide single crystal, and the low relative dielectric constant dielectric layer 3 and the crystalline magnesium oxide layer 5 Depending on the combination, the PDP having the above configuration can simultaneously realize improvement of the afterimage characteristic of the panel, improvement of the discharge delay characteristic, and prevention of increase of the discharge start voltage.
上記構成のＰＤＰにおける残像特性の改善は、以下のような理由によって為されるものと推測される。 It is estimated that the afterimage characteristics of the PDP having the above configuration are improved for the following reason.
すなわち、比誘電率が高い誘電材料によって誘電体層が形成されたＰＤＰにおいては、放電時に強電界が発生し、保護層が酸化マグネシウム結晶体を含んでいる場合には、電子がこの酸化マグネシウム結晶体中に存在する電子トラップサイトにトラップされて酸化マグネシウム結晶体の内部が負に帯電されて、この酸化マグネシウム結晶体の表面が放電によって発生する陽イオンによって覆われることにより、通常の放電の成長が妨げられるようになって、パネル面に部分的に表示輝度差が生じて、これが残像として認識されるようになるのではないかと予想される。 That is, in a PDP in which a dielectric layer is formed of a dielectric material having a high relative dielectric constant, a strong electric field is generated during discharge, and when the protective layer includes a magnesium oxide crystal, electrons are converted into the magnesium oxide crystal. Normal discharge growth occurs when the inside of the magnesium oxide crystal is negatively charged by being trapped by electron trap sites existing in the body and the surface of the magnesium oxide crystal is covered with cations generated by the discharge. As a result, it is expected that a display luminance difference is partially generated on the panel surface and this is recognized as an afterimage.
これに対して、上記構成のＰＤＰのように、誘電体層３が低ε誘電材料によって形成されている場合には、誘電体層３が保持できる電荷量が小さくなって、発生する電界強度が弱くなり、電子が、酸化マグネシウム結晶体の内部奥深くの電子トラップサイトではなく、比較的表面側の電子トラップサイトにトラップされるようになると考えられる。 On the other hand, when the dielectric layer 3 is formed of a low ε dielectric material as in the PDP having the above-described configuration, the amount of electric charge that can be held by the dielectric layer 3 is reduced, and the generated electric field strength is reduced. It is considered that the electrons become weaker and the electrons are trapped not by the electron trap sites deep inside the magnesium oxide crystal but by the electron trap sites relatively on the surface side.
そして、この酸化マグネシウム結晶体の表面側の電子トラップサイトにトラップされた電子は、放電によって比較的容易にそのトラップ状態が解除されるので、パネルのγ特性に及ぼす影響も小さくなって、パネル面において表示輝度差が生じ難くなるので、従来と比べて輝度残像の発生が抑制されるようになると考えられる。 The electrons trapped in the electron trap sites on the surface side of the magnesium oxide crystal are released from the trap state relatively easily by the discharge, so the influence on the γ characteristics of the panel is reduced, and the panel surface Therefore, it is considered that the occurrence of a luminance afterimage is suppressed as compared with the conventional case.
上記構成のＰＤＰは、さらに、誘電体層３が低ε誘電材料によって形成されることによって、放電電流の密度が低くなり、これによって保護層を形成する酸化マグネシウム層に対するスパッタリングが抑えられることによっても、残像特性の大幅な改善が図られ、さらに、パネル寿命の向上も図られる。 In the PDP having the above-described configuration, the dielectric layer 3 is formed of a low ε dielectric material, thereby reducing the density of the discharge current, thereby suppressing the sputtering of the magnesium oxide layer forming the protective layer. As a result, the afterimage characteristics can be greatly improved, and the panel life can be improved.
図９と１０は、従来の誘電体層を備えたＰＤＰにおける放電遅れ時間と上記構成のＰＤＰにおける放電遅れ時間を比較したグラフであり、図９がプライミング２発のときの放電遅れ時間の比較を示しており、図１０がプライミング１６発のときの放電遅れ時間の比較を示しており、何れも、左側部分がサステイン放電時の放電遅れ時間を、右側部分がアドレス放電時の放電遅れ時間をそれぞれ示している。 FIGS. 9 and 10 are graphs comparing the discharge delay time in a PDP having a conventional dielectric layer and the discharge delay time in a PDP having the above-described configuration. FIG. 9 is a comparison of the discharge delay time when priming is performed twice. FIG. 10 shows a comparison of the discharge delay time at the time of 16 priming shots. In each case, the left portion shows the discharge delay time at the sustain discharge, and the right portion shows the discharge delay time at the address discharge. Show.
この図９および１０において、グラフａ１，ａ２，ａ３，ａ４が、誘電体層３が、比誘電率εが６．８の日本電気硝子（株）製の型番ＴＳ−１０００Ｃの無鉛のＺｎ−Ｂ−Ｓｉ系アルカリガラス材料によって形成されており、この誘電体層を被覆する保護層が薄膜酸化マグネシウム層４と結晶酸化マグネシウム層５を有し、キセノンを１５パーセント含むＮｅ−Ｘｅ系の放電ガスが封入されている上記構成のＰＤＰの放電遅れ時間を示している。 9 and 10, graphs a1, a2, a3, and a4 show the lead-free Zn-B of model number TS-1000C manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd., whose dielectric layer 3 has a relative dielectric constant ε of 6.8. A protective layer covering the dielectric layer has a thin-film magnesium oxide layer 4 and a crystalline magnesium oxide layer 5, and a Ne—Xe-based discharge gas containing 15% xenon is formed of a Si-based alkali glass material. The discharge delay time of the PDP having the above-described configuration is shown.
そして、グラフｂ１，ｂ２，ｂ３，ｂ４が、誘電体層が、比誘電率εが１０．５の日本電気硝子（株）製の型番ＬＳ−３２３２Ｆの有鉛のＰｂ−Ｂ−Ｓｉ系非アルカリガラス材料によって形成され、この誘電体層を被覆する保護層が薄膜酸化マグネシウム層と結晶酸化マグネシウム層を有し、キセノンを１５パーセント含むＮｅ−Ｘｅ系の放電ガスが封入されている従来のＰＤＰの放電遅れ時間を示している。 Graphs b1, b2, b3, and b4 show the leaded Pb—B—Si non-alkali model number LS-3232F manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd., whose dielectric constant is 10.5. A conventional PDP formed of a glass material and having a thin film magnesium oxide layer and a crystalline magnesium oxide layer as a protective layer covering the dielectric layer and enclosing a Ne—Xe-based discharge gas containing 15% xenon. The discharge delay time is shown.
この図９および１０から、比誘電率εが９以下の低ε誘電材料によって誘電体層３が形成されている上記構成のＰＤＰにおいても、保護層が気相法酸化マグネシウム単結晶体を含む結晶酸化マグネシウム層５を有していることによって、放電遅れ時間が従来のＰＤＰとほぼ同じか、従来のＰＤＰよりも改善されていることが分かる。 9 and 10, even in the PDP having the above-described configuration in which the dielectric layer 3 is formed of a low ε dielectric material having a relative dielectric constant ε of 9 or less, the protective layer is a crystal including a vapor phase magnesium oxide single crystal. It can be seen that by including the magnesium oxide layer 5, the discharge delay time is almost the same as that of the conventional PDP or improved compared to the conventional PDP.
なお、上記構成のＰＤＰは、アドレス放電の前に行われるリセット放電が放電セルＣ内において発生される際に、この放電セルＣ内に結晶酸化マグネシウム層５が形成されていることによって、リセット放電によるプライミング効果が長く持続して、これによりアドレス放電が高速化されるという効果も併せて備えている。 In the PDP having the above configuration, when the reset discharge that is performed before the address discharge is generated in the discharge cell C, the reset discharge is caused by the formation of the crystalline magnesium oxide layer 5 in the discharge cell C. The priming effect due to is sustained for a long time, and the address discharge is thereby accelerated.
以下、上記構成のＰＤＰの放電遅れ特性が、気相法酸化マグネシウム単結晶体を含む結晶酸化マグネシウム層５を備えていることによって改善される理由について、説明する。 Hereinafter, the reason why the discharge delay characteristic of the PDP having the above-described structure is improved by including the crystalline magnesium oxide layer 5 including the vapor-phase magnesium oxide single crystal will be described.
すなわち、上記構成のＰＤＰは、図１１および１２に示されるように、結晶酸化マグネシウム層５が、上述したような気相法酸化マグネシウム単結晶体によって形成されていることにより、放電によって発生する電子線の照射によって、結晶酸化マグネシウム層５に含まれる粒径の大きな気相法酸化マグネシウム単結晶体から、３００〜４００ｎｍにピークを有するＣＬ発光に加えて、波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３５ｎｍ付近，２３０〜２５０ｎｍ内）にピークを有するＣＬ発光が励起される。 That is, in the PDP having the above configuration, as shown in FIGS. 11 and 12, the crystal magnesium oxide layer 5 is formed of the vapor phase magnesium oxide single crystal as described above, so that electrons generated by discharge are generated. In addition to CL emission having a peak at 300 to 400 nm from a vapor phase magnesium oxide single crystal having a large particle size contained in the crystalline magnesium oxide layer 5 by irradiation with rays, within a wavelength range of 200 to 300 nm (particularly 235 nm). CL emission having a peak in the vicinity (within 230 to 250 nm) is excited.
この２３５ｎｍにピークを有するＣＬ発光は、図１３に示されるように、通常の蒸着法によって形成される酸化マグネシウム層（この実施例における薄膜酸化マグネシウム層４）からは励起されず、３００〜４００ｎｍにピークを有するＣＬ発光のみが励起される。 The CL emission having a peak at 235 nm is not excited from the magnesium oxide layer (thin film magnesium oxide layer 4 in this embodiment) formed by a normal vapor deposition method as shown in FIG. Only CL emission with a peak is excited.
また、図１１および１２から分かるように、波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３５ｎｍ付近，２３０〜２５０ｎｍ内）にピークを有するＣＬ発光は、気相法酸化マグネシウム単結晶体の粒径が大きくなるほどそのピーク強度が大きくなる。 Further, as can be seen from FIGS. 11 and 12, CL emission having a peak in the wavelength range of 200 to 300 nm (particularly in the vicinity of 235 nm and within 230 to 250 nm) increases as the particle diameter of the vapor phase magnesium oxide single crystal increases. The peak intensity increases.
この波長域２００〜３００ｎｍにピークを有するＣＬ発光の存在によって、放電特性の改善（放電遅れの減少，放電確率の向上）がさらに図られるものと推測される。 The presence of CL emission having a peak in this wavelength range of 200 to 300 nm is presumed to further improve the discharge characteristics (decrease in discharge delay and increase in discharge probability).
すなわち、この結晶酸化マグネシウム層５による放電特性の改善は、波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３５ｎｍ付近，２３０〜２５０ｎｍ内）にピークを有するＣＬ発光を行う気相法酸化マグネシウム単結晶体が、そのピーク波長に対応したエネルギ準位を有し、そのエネルギ準位によって電子を長時間（数ｍｓｅｃ以上）トラップすることができ、この電子が電界によって取り出されることで、放電開始に必要な初期電子が得られことによって為されるものと推測される。 That is, the improvement of the discharge characteristics by this crystalline magnesium oxide layer 5 is that a vapor phase magnesium oxide single crystal that performs CL emission having a peak in a wavelength range of 200 to 300 nm (especially in the vicinity of 235 nm, within 230 to 250 nm) It has an energy level corresponding to the peak wavelength, and can trap electrons for a long time (several milliseconds or more) by the energy level, and the electrons are taken out by an electric field, so that the initial electrons necessary for starting discharge It is assumed that this is done by obtaining
そして、この気相法酸化マグネシウム単結晶体による放電特性の改善効果が、波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３５ｎｍ付近，２３０〜２５０ｎｍ内）にピークを有するＣＬ発光の強度が大きくなるほど大きくなるのは、ＣＬ発光強度と気相法酸化マグネシウム単結晶体の粒径との間にも相関関係があるためである。 And the improvement effect of the discharge characteristic by this vapor phase method magnesium oxide single crystal increases as the intensity of CL emission having a peak in the wavelength range of 200 to 300 nm (especially in the vicinity of 235 nm and within 230 to 250 nm) increases. This is because there is a correlation between the CL emission intensity and the particle diameter of the vapor-phase-process magnesium oxide single crystal.
すなわち、大きな粒径の気相法酸化マグネシウム単結晶体を形成しようとする場合には、マグネシウム蒸気を発生させる際の加熱温度を高くする必要があるため、マグネシウムと酸素が反応する火炎の長さが長くなり、この火炎と周囲との温度差が大きくなることによって、粒径の大きい気相法酸化マグネシウム単結晶体ほど上述したようなＣＬ発光のピーク波長（例えば、２３５ｎｍ付近，２３０〜２５０ｎｍ内）に対応したエネルギ準位が多数形成されるものと考えられる。 That is, when a vapor phase magnesium oxide single crystal having a large particle size is to be formed, it is necessary to increase the heating temperature when generating magnesium vapor, so the length of the flame in which magnesium and oxygen react As the temperature difference between the flame and the surroundings increases, the vapor phase magnesium oxide single crystal having a larger particle size has a peak wavelength of CL emission as described above (for example, around 235 nm, within 230 to 250 nm). It is thought that many energy levels corresponding to () are formed.
また、立方体の多重結晶構造の気相法酸化マグネシウム単結晶体については、結晶面欠陥を多く含んでいて、その面欠陥エネルギ準位の存在が放電確率の改善に寄与しているとも推測される。 In addition, the cubic multicrystal structure vapor phase magnesium oxide single crystal has many crystal plane defects, and it is speculated that the existence of the plane defect energy level contributes to the improvement of the discharge probability. .
なお、結晶酸化マグネシウム層５を形成する気相法酸化マグネシウム単結晶体の粒子径（ＤBET）は、窒素吸着法によってＢＥＴ比表面積（ｓ）が測定され、この値から次式によって算出される。 The particle diameter (D BET ) of the vapor-phase method magnesium oxide single crystal forming the crystalline magnesium oxide layer 5 is calculated by the following equation from the BET specific surface area (s) measured by the nitrogen adsorption method. .
ＤBET＝Ａ／ｓ×ρ
Ａ：形状計数（Ａ＝６）
ρ：マグネシウムの真密度
図１４は、ＣＬ発光強度と放電遅れとの相関関係を示すグラフである。
D BET = A / s × ρ
A: Shape counting (A = 6)
ρ: True density of magnesium FIG. 14 is a graph showing the correlation between CL emission intensity and discharge delay.
この図１４から、結晶酸化マグネシウム層５から励起される２３５ｎｍのＣＬ発光によって、ＰＤＰでの放電遅れが短縮されることが分かり、さらに、この２３５ｎｍのＣＬ発光強度が強いほどこの放電遅れが短縮されることが分かる。 From FIG. 14, it can be seen that the CL emission of 235 nm excited from the crystalline magnesium oxide layer 5 shortens the discharge delay in the PDP, and the discharge delay is shortened as the CL emission intensity of 235 nm increases. I understand that
図１５は、上記のようにＰＤＰが薄膜酸化マグネシウム層４と結晶酸化マグネシウム層５の二層構造を備えている場合（グラフα）と、従来のＰＤＰのように蒸着法によって形成された酸化マグネシウム層のみが形成されている場合（グラフβ）の放電遅れ特性を比較したものである。 FIG. 15 shows a case where the PDP has a two-layer structure of the thin film magnesium oxide layer 4 and the crystalline magnesium oxide layer 5 as described above (graph α), and magnesium oxide formed by vapor deposition as in the conventional PDP. This is a comparison of the discharge delay characteristics when only the layer is formed (graph β).
この図１５から分かるように、ＰＤＰが薄膜酸化マグネシウム層４と結晶酸化マグネシウム層５の二層構造を備えていることによって、放電遅れ特性が、従来の蒸着法によって形成された薄膜酸化マグネシウム層のみを備えているＰＤＰに比べて、著しく改善されていることが分かる。 As can be seen from FIG. 15, since the PDP has the two-layer structure of the thin-film magnesium oxide layer 4 and the crystalline magnesium oxide layer 5, the discharge delay characteristic is only the thin-film magnesium oxide layer formed by the conventional vapor deposition method. It can be seen that it is remarkably improved as compared with the PDP provided with.
以上のように、上記構成のＰＤＰは、蒸着法等によって形成された従来の薄膜酸化マグネシウム層４に加えて、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するＣＬ発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含む結晶酸化マグネシウム層５が積層されて形成されていることによって、放電遅れなどの放電特性の改善が図られて、良好な放電特性を備えることが出来る。 As described above, in addition to the conventional thin film magnesium oxide layer 4 formed by vapor deposition or the like, the PDP having the above structure emits CL light having a peak in the wavelength range of 200 to 300 nm by being excited by an electron beam. Since the crystalline magnesium oxide layer 5 including the magnesium oxide crystal to be formed is laminated, discharge characteristics such as discharge delay can be improved, and good discharge characteristics can be provided.
この結晶酸化マグネシウム層５を形成する酸化マグネシウム結晶体には、ＢＥＴ法によって測定したその平均粒径が５００オングストローム以上のものが使用され、好ましくは、２０００〜４０００オングストロームのものが使用される。 As the magnesium oxide crystal forming the crystalline magnesium oxide layer 5, those having an average particle diameter measured by the BET method of 500 angstroms or more are used, preferably those having 2000 to 4000 angstroms.
結晶酸化マグネシウム層５は、前述したように、必ずしも薄膜酸化マグネシウム層４の全面を覆うように形成する必要はなく、例えば行電極Ｘ，Ｙの透明電極Ｘａ，Ｙａに対向する部分や逆に透明電極Ｘａ，Ｙａに対向する部分以外の部分などように、部分的にパターン化して形成するようにしても良い。 As described above, the crystalline magnesium oxide layer 5 is not necessarily formed so as to cover the entire surface of the thin-film magnesium oxide layer 4. For example, the portions of the row electrodes X and Y facing the transparent electrodes Xa and Ya, or conversely transparent It may be formed by partially patterning, such as a portion other than the portion facing the electrodes Xa and Ya.
この結晶酸化マグネシウム層５を部分的に形成する場合には、結晶酸化マグネシウム層５の薄膜酸化マグネシウム層４に対する面積比は、例えば、０．１〜８５パーセントに設定される。 When this crystalline magnesium oxide layer 5 is partially formed, the area ratio of the crystalline magnesium oxide layer 5 to the thin-film magnesium oxide layer 4 is set to 0.1 to 85 percent, for example.
なお、上記においては、この発明を、前面ガラス基板に行電極対を形成して誘電体層によって被覆し背面ガラス基板側に蛍光体層と列電極を形成した反射型交流ＰＤＰに適用した例について説明を行ったが、この発明は、前面ガラス基板側に行電極対と列電極を形成して誘電体層によって被覆し、背面ガラス基板側に蛍光体層を形成した反射型交流ＰＤＰや、前面ガラス基板側に蛍光体層を形成し背面ガラス基板側に行電極対および列電極を形成して誘電体層によって被覆した透過型交流ＰＤＰ，放電空間の行電極対と列電極の交差部分に放電セルが形成される三電極型交流ＰＤＰ，放電空間の行電極と列電極の交差部分に放電セルが形成される二電極型交流ＰＤＰなどの種々の形式のＰＤＰに適用することが出来る。 In the above description, the present invention is applied to a reflective AC PDP in which a row electrode pair is formed on a front glass substrate and covered with a dielectric layer, and a phosphor layer and a column electrode are formed on the back glass substrate side. As described above, the present invention is a reflective AC PDP in which a row electrode pair and a column electrode are formed on the front glass substrate side and covered with a dielectric layer, and a phosphor layer is formed on the rear glass substrate side. A transmissive AC PDP in which a phosphor layer is formed on the glass substrate side, a row electrode pair and a column electrode are formed on the back glass substrate side, and is covered with a dielectric layer. Discharge occurs at the intersection of the row electrode pair and the column electrode in the discharge space. The present invention can be applied to various types of PDPs such as a three-electrode AC PDP in which cells are formed and a two-electrode AC PDP in which discharge cells are formed at intersections between row electrodes and column electrodes in the discharge space.
また、上記においては、結晶酸化マグネシウム層５をスプレ法や静電塗布法などの方法によって付着させることにより形成する例について説明を行ったが、結晶酸化マグネシウム層５は、酸化マグネシウム結晶体の粉末を含有するペーストを、スクリーン印刷法またはオフセット印刷法，ディスペンサ法，インクジェット法，ロールコート法などの方法によって塗布することによって形成するようにしても良く、または、酸化マグネシウム結晶体を含有するペーストを支持フィルム上に塗布した後に乾燥させることによってフィルム状にし、これを薄膜酸化マグネシウム層上にラミネートするようにしても良い。 Further, in the above description, an example in which the crystalline magnesium oxide layer 5 is formed by adhering by a method such as spraying or electrostatic coating has been described. However, the crystalline magnesium oxide layer 5 is a powder of magnesium oxide crystal. May be formed by coating by a screen printing method or an offset printing method, a dispenser method, an ink jet method, a roll coating method or the like, or a paste containing a magnesium oxide crystal The film may be formed by drying after coating on the support film, and this may be laminated on the thin magnesium oxide layer.
さらに、上記においては、酸化マグネシウム結晶体を含む結晶酸化マグネシウム層５が形成される例について説明が行われているが、酸化マグネシウム結晶体が誘電体層上に散布されているだけで、層を形成していない場合であっても、同様の効果を得ることが出来る。 Further, in the above description, an example in which the crystalline magnesium oxide layer 5 including the magnesium oxide crystal is formed is described. However, the magnesium oxide crystal is merely scattered on the dielectric layer, and the layer is formed. Even if it is not formed, the same effect can be obtained.
上記実施形態のＰＤＰは、基板の内面側に形成された行電極対を被覆する誘電体層が、比誘電率が９以下の誘電材料によって形成され、この誘電体層を被覆する保護層に、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体が含まれている実施形態のＰＤＰを、その上位概念の実施形態としている。 In the PDP of the above embodiment, the dielectric layer covering the row electrode pair formed on the inner surface side of the substrate is formed of a dielectric material having a relative dielectric constant of 9 or less, and the protective layer covering this dielectric layer is A PDP according to an embodiment including a magnesium oxide crystal that emits cathode luminescence having a peak in a wavelength range of 200 to 300 nm when excited by an electron beam is used as an embodiment of the superordinate concept.
この上位概念を構成するＰＤＰは、誘電体層が比誘電率９以下の低比誘電率誘電材料によって形成されていることによって、パネルの輝度残像の発生が抑制され、さらに、この誘電体層が低比誘電率誘電材料によって形成されることによる放電開始電圧の上昇や放電遅れの発生は、誘電体層を被覆する保護層が、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含むことによって抑制されて、パネルの残像特性の改善と放電遅れ特性の改善、放電開始電圧の上昇の防止を同時に実現することが出来る。 In the PDP constituting this superordinate concept, since the dielectric layer is formed of a low relative dielectric constant dielectric material having a relative dielectric constant of 9 or less, the generation of a luminance afterimage of the panel is suppressed. The rise of the discharge start voltage and the occurrence of discharge delay due to the formation of the low relative dielectric constant dielectric material peak in the wavelength range of 200 to 300 nm when the protective layer covering the dielectric layer is excited by the electron beam. It is suppressed by including a magnesium oxide crystal that emits cathode luminescence, and it is possible to simultaneously improve the afterimage characteristics of the panel, improve the discharge delay characteristics, and prevent the rise of the discharge start voltage.
１ …前面ガラス基板（基板）
３ …誘電体層
４ …薄膜酸化マグネシウム層（保護層）
５ …単結晶酸化マグネシウム層（保護層）
６ …背面ガラス基板（基板）
７ …列電極保護層
Ｃ …放電セル
Ｘ，Ｙ …行電極
Ｄ …列電極
1 ... Front glass substrate (substrate)
3 ... Dielectric layer 4 ... Thin magnesium oxide layer (protective layer)
5 ... Single crystal magnesium oxide layer (protective layer)
6 ... Back glass substrate (substrate)
7 ... Column electrode protective layer C ... Discharge cell X, Y ... Row electrode D ... Column electrode
Claims (1)
前記誘電体層が、比誘電率が６．８のＺｎ−Ｂ−Ｓｉ系アルカリ含有ガラス材料によって形成され、
前記放電ガスが、１０パーセントのキセノンを含み、
前記保護層が、蒸着またはスパッタリングによって形成される薄膜酸化マグネシウム層と、この薄膜酸化マグネシウム層に積層して形成され、電子線によって励起されることにより波長域２３０〜２５０ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含む結晶酸化マグネシウム層とによって構成され、
前記酸化マグネシウム結晶体が、気相酸化法によって生成された酸化マグネシウム単結晶体であり、
前記酸化マグネシウム結晶体の平均粒径は２０００オングストローム以上４０００オングストローム以下であり、
前記結晶酸化マグネシウム層の前記薄膜酸化マグネシウム層に対する面積比が０．１〜８５％であることを特徴とする面放電型プラズマディスプレイパネル。 A pair of substrates facing each other through the discharge space, and a row electrode pair and a column which are arranged between the pair of substrates and extend in a crossing direction at positions separated from each other to form a unit light emitting region in the discharge space at the crossing portion A surface discharge plasma having an electrode, a dielectric layer covering the pair of row electrodes, and a protective layer covering the dielectric layer and facing the unit light emitting region, in which a discharge gas is sealed in the discharge space In the display panel,
The dielectric layer is formed of a Zn—B—Si based alkali-containing glass material having a relative dielectric constant of 6.8 ,
The discharge gas comprises 10 percent xenon;
The protective layer is a thin film magnesium oxide layer formed by vapor deposition or sputtering, and is formed by laminating the thin film magnesium oxide layer, and has a peak in a wavelength range of 230 to 250 nm when excited by an electron beam. A crystalline magnesium oxide layer containing a magnesium oxide crystal that emits luminescence; and
The magnesium oxide crystal is a magnesium oxide single crystal produced by a gas phase oxidation method,
The average particle diameter of the magnesium oxide crystal is 2000 angstroms or more and 4000 angstroms or less,
An area ratio of the crystalline magnesium oxide layer to the thin-film magnesium oxide layer is 0.1 to 85% .
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| JP2001332176A (en) * | 2000-05-22 | 2001-11-30 | Dainippon Printing Co Ltd | Back plate for plasma display panel and plasma display panel using the same |
| JP2006040637A (en) * | 2004-07-23 | 2006-02-09 | Mitsubishi Electric Corp | Plasma display panel |
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000226232A (en) * | 1999-02-08 | 2000-08-15 | Okuno Chem Ind Co Ltd | Leadless low-melting glass composition |
| JP2001195989A (en) * | 1999-04-28 | 2001-07-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Plasma display panel |
| JP2001236884A (en) * | 1999-12-14 | 2001-08-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Plasma display panel and its drive method |
| JP2001332176A (en) * | 2000-05-22 | 2001-11-30 | Dainippon Printing Co Ltd | Back plate for plasma display panel and plasma display panel using the same |
| JP2006059786A (en) * | 2004-03-19 | 2006-03-02 | Pioneer Electronic Corp | Plasma display panel |
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