JP4668696B2 - Method for producing chirped grating forming substrate - Google Patents

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本発明は、透明基板の一面に凹溝パターンを繰り返し設けて、これをグレーティングとして配設し、該グレーティングのピッチを僅かずつ変化させているチャープトグレーティングの作製方法に関する。   The present invention relates to a method for producing a chirped grating in which a concave groove pattern is repeatedly provided on one surface of a transparent substrate, which is provided as a grating, and the pitch of the grating is changed little by little.

光ファイバーは地球規模の通信に大革新をもたらし、高品質、大容量の大洋横断電話通信を可能にしたが、従来より、この光ファイバーに沿って、コア内に周期的な屈折率分布を作り出し、光ファイバー内にブラック回折格子をつくり、回折格子の周期と長さ、屈折率変調の大きさによって、回折格子の反射率の高低と、波長特性の幅を決めることにより、その回折格子を、光通信用の波長多重分割器、レーザやセンサーに使用される狭帯域の高反射ミラー、ファイバーアンプにおける余分なレーザー波長を採り除く波長選択フィルター等として利用できることが知られている。
しかし、石英ファイバーの減衰が最小となり、長距離通信システムに適している波長が1.55μmであることより、この波長でファイバー回折格子を使用するためには、格子間隔を約500nmとする必要があり、このような細かい構造をコアの中に作ること自体が、当初は難しいとされており、光ファイバーのコア内にブラック回折格子をつくるのに、側面研磨、フオトレジストプロセス、ホログラフィー露光、反応性イオンビームエッチング等からなる何段階もの複雑な工程が採られていた。
この為、作製時間は長く、歩留りも低かった。
Optical fiber has revolutionized global communications and has enabled high-quality, high-capacity transoceanic telephone communications. Conventionally, along this optical fiber, a periodic refractive index profile has been created in the core, which A black diffraction grating is formed inside, and the diffraction grating is used for optical communication by determining the level of reflectance and wavelength characteristics depending on the period and length of the diffraction grating and the size of the refractive index modulation. It is known that it can be used as a wavelength multiplex divider, a narrow-band high-reflecting mirror used in lasers and sensors, a wavelength selection filter that eliminates excess laser wavelengths in fiber amplifiers, and the like.
However, since the attenuation of quartz fiber is minimized and the wavelength suitable for long-distance communication systems is 1.55 μm, in order to use the fiber diffraction grating at this wavelength, it is necessary to set the grating interval to about 500 nm. It is said that making such a fine structure in the core itself is difficult at first, and side polishing, photoresist process, holographic exposure, reactivity are required to create a black diffraction grating in the core of the optical fiber. Many steps of complicated processes such as ion beam etching were employed.
For this reason, the production time was long and the yield was low.

しかし、最近、紫外光をファイバーに照射し、直接コア内に屈折率に変化をもたらし回折格子を作る方法が知られるようになり、この紫外線を照射する方法は複雑なプロセスを必要としないため、周辺技術の進歩とともに次第に実施されるようになってきた。
この紫外光を用いる方法の場合、上記のように格子間隔は約500nmと細かい為、2本の光束を干渉させる干渉方法、(エキシマレーザからのシングルパルスを集光して回折格子面を1枚づつ作る)1点ごとの書き込みによる方法、グレーティングをもつ位相シフトマスクを使って照射する方法等が採られている。
However, recently, a method of making a diffraction grating by irradiating a fiber with ultraviolet light and changing the refractive index directly in the core has been known, and this method of irradiating ultraviolet light does not require a complicated process. It has come to be implemented gradually with the progress of peripheral technology.
In the case of this method using ultraviolet light, since the grating interval is as small as about 500 nm as described above, an interference method in which two light beams interfere with each other (a single diffraction grating surface is formed by condensing a single pulse from an excimer laser). A method using writing for each point, a method using a phase shift mask having a grating, and the like are used.

2光束を干渉させる干渉方法には、横方向のビームの品質、即ち空間コヒーレンスに問題があり、1点ごとの書き込みによる方法には、サブミクロンの大きさの緻密なステップ制御が必要で、且つ、光を小さく絞り込み、多くの面を書き込むことが要求され、作業性にも問題があった。   The interference method that causes the two light beams to interfere has a problem in the quality of the beam in the lateral direction, that is, spatial coherence, and the method by writing point by point requires precise step control of submicron size, and However, it was required to narrow down the light and write many surfaces, and there was a problem in workability.

このため、上記問題に対応できる方法として、位相シフトマスク(以下単に位相マスクとも言う)を用いる照射方法が注目されるようになってきたが、この方法は、図5(a)に示すように、石英基板の1面に凹溝を所定のピッチで、所定の深さに設けた位相シフトマスク21を用い、KrFエキシマレーザ(248nm)23を照射して直接光ファイバー22のコア22Aに屈折率の変化をもたらし、グレーティング(格子)を作製するものである。
尚、図5(a)(ロ)は、コア22Aにおける干渉縞パターン24を分かり易く拡大して示した図であり、図5(b)(イ)、図5(b)(ロ)はそれぞれ位相シフトマスクの断面、上面の全部ないし一部を示したものである。
D、Pはそれぞれ、凹溝26の深さ、ピッチを示している。
この凹溝26の深さは、露光光であるエキシマレーザ光(ビーム)の位相πラジアンだけ変調するように選択されており、0次光(ビーム)25Aは位相シフトマスク21により2%以下に抑えられ、位相シフトマスク21から出る主な光(ビーム)は、回折光の35%以上を含むプラス1次の回折光25Bとマイナス1次の回折光25Cに発散される。 この為、このプラス1次の回折光25Bないしマイナス1次の回折光25Cで所定のピッチでの照射を行い、このピッチでの屈折率変化をファイバー内にもたらすものである
For this reason, an irradiation method using a phase shift mask (hereinafter also simply referred to as a phase mask) has been attracting attention as a method that can cope with the above problem. This method is shown in FIG. Using a phase shift mask 21 in which concave grooves are provided on one surface of a quartz substrate at a predetermined pitch and at a predetermined depth, a KrF excimer laser (248 nm) 23 is irradiated to directly apply a refractive index to the core 22A of the optical fiber 22. It brings about a change and produces a grating (grating).
FIGS. 5A and 5B are enlarged views showing the interference fringe pattern 24 in the core 22A in an easy-to-understand manner. FIGS. 5B and 5B and FIG. 5B and FIG. The cross section of the phase shift mask and all or part of the upper surface are shown.
D and P indicate the depth and pitch of the groove 26, respectively.
The depth of the concave groove 26 is selected so as to be modulated by the phase π radians of the excimer laser light (beam) that is the exposure light, and the 0th-order light (beam) 25A is reduced to 2% or less by the phase shift mask 21. The main light (beam) emitted from the phase shift mask 21 is diverged into plus first-order diffracted light 25B and minus first-order diffracted light 25C including 35% or more of diffracted light. For this reason, irradiation with a predetermined pitch is performed with the plus first-order diffracted light 25B to minus first-order diffracted light 25C, and a refractive index change at this pitch is brought into the fiber.

尚、特開平9−80738号公報(特許文献1)には、格子状の溝を所定のピッチ、形状に作製することができる、光ファイバー加工用の位相シフトフォトマスクの製造方法が記載されている。
特開平9−80738号公報
Japanese Patent Laid-Open No. 9-80738 (Patent Document 1) describes a method of manufacturing a phase shift photomask for processing an optical fiber, in which lattice-like grooves can be formed in a predetermined pitch and shape. .
Japanese Patent Laid-Open No. 9-80738

このように、従来、光通信システムにおいては、一般に、伝送媒体として、高純度のシリカ光ファイバーが用いられ、典型的に光信号をある波長範囲を用いて伝送するように設計されているため、そのシステムにおいては、より長い波長成分は、より短い波長成分より若干長い伝搬時間の遅延を受ける。
ただし、この分散は、今までは、光信号の情報をそれほど劣化させることはなかった。 これは、初期のシステムにおいては、単一のチャネルを分散の小さい波長領域から選んで使用されていたためである。
As described above, conventionally, in an optical communication system, a high-purity silica optical fiber is generally used as a transmission medium, and is typically designed to transmit an optical signal using a certain wavelength range. In the system, longer wavelength components experience a slightly longer propagation time delay than shorter wavelength components.
However, this dispersion has not so far deteriorated the information of the optical signal. This is because in the initial system, a single channel was selected from a wavelength region having a small dispersion.

ところが、光ファイバーを使った高速伝送技術である波長分割多重(WDM)システムに見られるように、今日では、より多数の情報を運ぶために、多数のチャネルをより広い波長領域に渡って用いることが必要となっており、これに伴って群速度分散をより精密に補償することが要求されるようになってきた。
例えばWDMシステムに関しては、WDMシステム内に提供されるチャネルの数の増加に伴って分散の補償がますます重要な課題となっている。
However, as seen in wavelength division multiplexing (WDM) systems, which are high-speed transmission technologies using optical fibers, today, in order to carry more information, many channels are used over a wider wavelength region. Accordingly, it has become necessary to compensate for the group velocity dispersion more precisely.
For example, for WDM systems, dispersion compensation becomes an increasingly important issue as the number of channels provided in the WDM system increases.

これに伴い、光ファイバー中に形成されるブラッグ回折格子として、格子のピッチが格子状に直交する方向に(格子の繰り返し方向)の位置に応じて線形或いは非線形に増加或いは減少しているグレーティング(以下、チャープ化グレーティング、あるいはチャープトグレーティングとも言う)が要求されることになってきた。
このようなグレーティングは、例えば反射帯域を広げた高反射ミラー、遅延時間を調整する手段等として用いられる。
Accordingly, as a Bragg diffraction grating formed in an optical fiber, a grating (hereinafter referred to as a grating) in which the pitch of the grating increases or decreases linearly or non-linearly in accordance with the position in the direction orthogonal to the grating (repetitive direction of the grating). , Also called chirped grating or chirped grating).
Such a grating is used as, for example, a high reflection mirror having a wide reflection band, a means for adjusting a delay time, and the like.

このように、光ファイバー中に形成されるブラッグ回折格子として、チャープトグレーティングが要求されるようになり、光ファイバー中にブラッグ回折格子を形成するための、グレーティングをもつ位相シフトマスクの作製においても、チャープトグレーティングをもつ位相シフトマスクの作製が求められるようになってきた。
位相シフトマスクに、チャープトグレーティングをパターニングする方法としては、2光束干渉による方法もあるが、電子線描画装置(電子線露光装置とも言う)を用いた描画露光方法が簡単な方法として実施されている。
本発明者は上記のようなチャープ化グレーティングに対する要求が高まったことに対応して、透明基板の1面に格子状の凹溝と凸条の繰り返しパターンが設けられ、その繰り返しパターンによる回折光を光ファイバーに照射して異なる次数の回折光相互の干渉縞により光ファイバー中に回折格子を作製する光ファイバー加工用位相マスクの製造方法において、電子線描画装置を用いた描画露光方法で、ピッチが異なる複数の線条のパターンを並列させて描画し、これより前記格子状の凹溝と凸条の繰り返しパターンを作製する光ファイバー加工用位相マスクの製造方法を、特開平11−72631号公報(特許文献2)において示している。
特開平11−72631号公報 また、特開2003−75620号公報(特許文献3)には、上記のような光ファイバー加工用位相マスクを、電子線描画装置を用いた描画露光方法で品質良く作製する製造方法が開示されている。 この方法は、凹溝と凸条の繰り返しパターンのデータを繰り返しピッチを変調しながら複数配列し、一括化してなる描画用パターンデータを用いるもので、描画時のつなぎの発生に対応するものである。 特開平2003−75620号公報
Thus, a chirped grating is required as a Bragg diffraction grating formed in an optical fiber, and even in the production of a phase shift mask having a grating for forming a Bragg diffraction grating in an optical fiber, a chirp is also required. Fabrication of a phase shift mask having a toggling has been demanded.
As a method of patterning a chirped grating on a phase shift mask, there is a method using two-beam interference, but a drawing exposure method using an electron beam drawing apparatus (also called an electron beam exposure apparatus) has been implemented as a simple method. Yes.
In response to the increase in demand for the chirped grating as described above, the inventor has provided a repetitive pattern of lattice-shaped concave grooves and ridges on one surface of the transparent substrate, and diffracted light by the repetitive pattern is provided. In a manufacturing method of a phase mask for processing an optical fiber that irradiates an optical fiber and produces diffraction gratings in the optical fiber by interference fringes of different orders of diffracted light, a drawing exposure method using an electron beam drawing apparatus, and a plurality of different pitches A method of manufacturing a phase mask for optical fiber processing, in which linear patterns are drawn in parallel and a repetitive pattern of the grid-like concave grooves and convex stripes is produced therefrom, is disclosed in JP-A-11-72631 (Patent Document 2). Is shown.
JP-A-11-72631 In addition, JP-A-2003-75620 (Patent Document 3) prepares the above-described optical fiber processing phase mask with high quality by a drawing exposure method using an electron beam drawing apparatus. A manufacturing method is disclosed. This method uses a pattern data for drawing formed by arranging a plurality of data of repeating patterns of concave grooves and ridges while modulating the pitch repeatedly, and corresponds to the occurrence of connection during drawing. . JP-A-2003-75620

上記の電子線描画装置を用いた描画露光方法は、ラスター型の露光装置を用いた描画露光により、グレーティングを表現する基本の特定ピッチのパターンを、パターンデータ処理上で倍率を変化させて、配置させるものである。
しかし、チャープトグレーテインングを有する光ファイバー加工用位相マスクを作製のために、このように、パターンデータ処理上で基本特定ピッチのパターンを連続的に倍率を変化させて配置させる場合、パターンの倍率を表現するためには、μm単位で小数点下6桁以下の桁の精度が必要とされており、パターンデータ処理上でこのような高精度な倍率を持たない、通常の描画露光装置では、精度的に、チャープトグレーティング形成のためのパターニングはできないとされていた。
In the drawing exposure method using the electron beam drawing apparatus described above, a pattern having a basic specific pitch representing a grating is arranged by changing the magnification in pattern data processing by drawing exposure using a raster type exposure apparatus. It is something to be made.
However, in order to fabricate a phase mask for optical fiber processing having chirped grating, when the pattern of the basic specific pitch is continuously changed with the magnification on the pattern data processing, the pattern magnification In order to express the above, it is necessary to have an accuracy of 6 digits below the decimal point in units of μm, and in a normal drawing exposure apparatus that does not have such a high-precision magnification in pattern data processing, Therefore, it was said that patterning for forming chirped grating was impossible.

上記のように、近年、特に、光ファイバー加工用位相マスクのチャープトグレーティングのパターンを形成する方法として、ラスター型の露光装置を用いた描画露光方法が採られるようになってきたが、これらの描画方法においては、パターンデータ処理上で基本特定ピッチのパターンを連続的に倍率を変化させて配置させ、これを用いて描画露光を行うが、パターンの倍率を表現するためには、μm単位で小数点下6桁以下の桁の精度がパターンデータ処理上で必要とされ、このような高精度なパターンの倍率表現を持たない、通常の描画露光装置では、チャープトグレーティング形成用の描画露光はできないとされ、この対応が求められていた。
本発明はこれに対応するもので、パターンデータ処理上、高精度なパターンの倍率表現を持たない、通常の描画露光装置で、特に、光ファイバー加工用の位相マスクにおける目的とするチャープトグレーティングのパターニングを行うことができる、チャープトグレーティング形成基板の作製方法を提供しようとするものである。
同時に、そのようなチャープトグレーティング形成基板の作製方法により作製されたチャープトグレーティング形成マスクを提供しようとするものである。
As described above, a drawing exposure method using a raster type exposure apparatus has recently been adopted as a method for forming a chirped grating pattern of a phase mask for optical fiber processing in recent years. In the method, a pattern having a basic specific pitch is arranged by changing the magnification continuously in pattern data processing, and drawing exposure is performed using this pattern. To express the magnification of the pattern, a decimal point is expressed in μm. The precision of the last six digits or less is required for pattern data processing, and it is necessary to perform drawing exposure for forming a chirped grating with a normal drawing exposure apparatus that does not have such a high-precision pattern magnification expression. This response was sought after.
The present invention corresponds to this, and is an ordinary drawing exposure apparatus that does not have a high-precision pattern magnification expression in pattern data processing, and in particular, patterning of a desired chirped grating in a phase mask for optical fiber processing. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a chirped grating-formed substrate capable of performing the above.
At the same time, an object of the present invention is to provide a chirped grating forming mask manufactured by such a method of manufacturing a chirped grating formed substrate.

本発明のチャープトグレーティング形成基板の作製方法は、透明基板の一面に直線状の凹溝を繰り返して格子状に設けて、凹溝と凸条の繰り返しパターンを形成し、且つ、凹溝の幅と凸条の幅の比を一定に保つようにして、該繰り返しパターンのピッチを僅かずつ変化させ、これをチャープトグレーティングとして配設している、光ファイバー加工用の位相マスクのチャープトグレーティング形成基板の作製方法であって、前記凹溝を形成するためのパターニングを、前記透明基板の一面側にレジストを配設し、該レジストを描画装置による描画露光にて、前記凹溝の形成領域に対応するレジストの領域を選択的に描画露光し、該レジスト膜を現像処理して行うもので、前記描画装置は可変成形型のEB描画装置で、描画装置の描画動作を制御するための描画動作制御データ上において、各ライン状の矩形領域を露光するショット露光毎に、その位置座標とその開口幅を指定して、描画露光するもので、且つ、前記描画動作制御データ上における各ショット露光の位置座標の作成は、データ上で、描画座標系の単位のグリッドに対して、十分小さい単位で、描画用の単位のパターンデータに対して倍率計算を行い、描画する全てのライン状の矩形領域描画用データについて、各ライン状の矩形領域を露光するショット露光毎の描画用データを、描画座標系のグリッドに丸めた数値で作成するものであることを特徴とするものである。 The method for producing a chirped grating-formed substrate according to the present invention is such that a rectilinear groove is repeatedly formed on one surface of a transparent substrate in a lattice pattern to form a repeating pattern of grooves and ridges, and the width of the groove. And the ratio of the width of the ridges is kept constant, the pitch of the repetitive pattern is changed little by little, and this is arranged as a chirped grating, which is a chirped grating forming substrate of a phase mask for optical fiber processing The patterning method for forming the groove is a resist disposed on one side of the transparent substrate, and the resist is exposed to drawing by a drawing apparatus to correspond to the groove forming region. the areas of the resist selectively drawn exposed to, the resist film intended to be done by developing treatment, in the drawing apparatus variable-shaped EB drawing apparatus, control the drawing operation of the drawing device In the drawing operation control data for performing the drawing exposure, the position coordinates and the opening width are designated for each shot exposure for exposing each line-shaped rectangular area, and the drawing operation control data The position coordinates of each shot exposure in are created by performing magnification calculation on the pattern data of the drawing unit in a sufficiently small unit relative to the grid of the drawing coordinate system unit on the data, The line-shaped rectangular area drawing data is characterized in that the drawing data for each shot exposure for exposing each line-shaped rectangular area is created with a numerical value rounded to the grid of the drawing coordinate system. is there.

(作用)
本発明のチャープトグレーティング形成基板の作製方法は、このような構成にすることにより、パターンデータ処理上、高精度なパターンの倍率表現を持たない、通常の描画露光装置で、特に、光ファイバー加工用の位相マスクにおける目的とするチャープトグレーティングのパターニングを行うことができる、チャープトグレーティング形成基板の作製方法の提供を可能としている。
具体的には、前記凹溝を形成するためのパターニングを、前記透明基板の一面側にレジストを配設し、該レジストを描画装置による描画露光にて、前記凹溝の形成領域に対応するレジストの領域を選択的に描画露光し、該レジスト膜を現像処理して行うもので、前記描画装置は可変成形型のEB描画装置で、描画装置の描画動作を制御するための描画動作制御データ上において、各ライン状の矩形領域を露光するショット露光毎に、その位置座標とその開口幅を指定して、描画露光するもので、且つ、前記描画動作制御データ上における各ショット露光の位置座標の作成は、データ上で、描画座標系の単位のグリッドに対して、十分小さい単位で、描画用の単位のパターンデータに対して倍率計算を行い、描画する全てのライン状の矩形領域描画用データについて、各ライン状の矩形領域を露光するショット露光毎の描画用データを、描画座標系のグリッドに丸めた数値で、即ち、描画座標系のグリッド上にのるような丸めを起こさない数値で、作成するものであることにより、これを達成している。
詳しくは、凹溝と凸条の繰り返しパターンのピッチPxが僅かづつ変化しているが、上記のようにして、描画系のグリッドにのせた数値表示で、描画動作制御データの指示により描画露光を行うため、ピッチPxの変化のバラツキ、即ち、設計データに対する誤差を、描画系のグリッドの単位で1以下とすることができる。
結果として、精度の良い、チャープトグレーティングを配設した位相シフトマスクを形成することができる。
更に具体的には、描画装置は、EB描画装置(電子線描画装置とも言う)である形態が挙げられる。
この場合、勿論、レジスト膜は電子線レジストとなる。
特に、チャープトグレーティングを作製した透明基板は、光ファイバーの中に回折格子を作製する光ファイバー加工用の位相マスクである場合には、有効である。
(Function)
The manufacturing method of the chirped grating forming substrate of the present invention is a normal drawing exposure apparatus that does not have a high-precision pattern magnification expression in pattern data processing, particularly for optical fiber processing. It is possible to provide a method for manufacturing a chirped grating-formed substrate capable of patterning the intended chirped grating in the phase mask.
Specifically, for patterning to form the groove, a resist is provided on one surface side of the transparent substrate, and the resist is exposed by drawing with a drawing apparatus to correspond to the region where the groove is formed. The drawing apparatus is a variable-forming type EB drawing apparatus , and the drawing operation control data for controlling the drawing operation of the drawing apparatus is used. In each of the shot exposures for exposing each linear rectangular region, the position coordinates and the aperture width are designated for drawing exposure, and the position coordinates of each shot exposure on the drawing operation control data are set. Create all line-shaped rectangular areas to be drawn by performing magnification calculation on the pattern data of the drawing unit in a sufficiently small unit relative to the grid of the drawing coordinate system unit on the data For drawing data, the drawing data for each shot exposure that exposes each line-shaped rectangular area is rounded to the drawing coordinate system grid, that is, rounded up on the drawing coordinate system grid. This is achieved by creating something with no numerical value.
Specifically, although the pitch Px of the concave groove and ridge repetitive pattern changes little by little, drawing exposure is performed in accordance with the instruction of the drawing operation control data in the numerical display on the drawing system grid as described above. Therefore, the variation in the pitch Px, that is, the error with respect to the design data can be set to 1 or less in the grid unit of the drawing system.
As a result, a highly accurate phase shift mask provided with a chirped grating can be formed.
More specifically, the drawing apparatus may be an EB drawing apparatus (also referred to as an electron beam drawing apparatus).
In this case, of course, the resist film is an electron beam resist.
In particular, the transparent substrate on which the chirped grating is manufactured is effective when it is a phase mask for processing an optical fiber in which a diffraction grating is formed in the optical fiber.

本発明は、上記のように、パターンデータ処理上、高精度なパターンの倍率表現を持たない、通常の描画露光装置で、特に、光ファイバー加工用の位相マスクにおける目的とするチャープトグレーティングのパターニングを行うことができる、チャープトグレーティング形成基板の作製方法の提供を可能とした。
結果、ファイバー加工用の位相マスクにおける目的とするチャープトグレーティングのパターニングを配設するチャープトグレーティング形成マスクの提供を可能とした。
As described above, the present invention is an ordinary drawing exposure apparatus that does not have a high-precision pattern magnification expression in pattern data processing, and in particular, performs the intended chirped grating patterning in a phase mask for optical fiber processing. It is possible to provide a method for manufacturing a chirped grating-formed substrate that can be performed.
As a result, it is possible to provide a chirped grating forming mask in which a target chirped grating patterning is provided in a fiber processing phase mask.

本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。
図1は本発明のチャープトグレーティング形成基板の作製方法の実施の形態の1例の処理フローを示した図で、図2はチャープトグレーティングを有する位相マスクの断面図で、図3は描画動作制御データを作製する際の、データ上の処理を説明するための図で、図4は図1に示す処理フローS14、S7〜S10に対応するプロセス処理を示した処理断面図である。
図2〜図4中、110は透明基板、111は凹溝(凹溝パターンとも言う)、112は凸条、120はCr膜、121はCr開口、130はレジスト(レジスト膜とも言う)、131はレジスト開口、140は電子線、210は単位のパターンデータ(単に、単位のパターンとも言う)、211はライン状のパターン、220、230は単位のパターンデータに倍率をかけたパターンデータ、W0は凹溝の幅、W1は凸条の幅、H0は凹溝の深さ(凸条の高さとも言う)、Gxはx方向のグリッド、Gyはy方向のグリッドである。
Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a diagram showing a processing flow of an example of an embodiment of a method for manufacturing a chirped grating forming substrate according to the present invention, FIG. 2 is a sectional view of a phase mask having a chirped grating, and FIG. 3 is a drawing operation. FIG. 4 is a process cross-sectional view showing process processes corresponding to the process flows S14 and S7 to S10 shown in FIG. 1.
2 to 4, 110 is a transparent substrate, 111 is a groove (also referred to as a groove pattern), 112 is a protrusion, 120 is a Cr film, 121 is a Cr opening, 130 is a resist (also referred to as a resist film), 131. Is a resist opening, 140 is an electron beam, 210 is a unit pattern data (also simply referred to as a unit pattern), 211 is a line pattern, 220 and 230 are pattern data obtained by multiplying unit pattern data by a magnification, and W0 is The width of the groove, W1 is the width of the ridge, H0 is the depth of the groove (also referred to as the height of the ridge), Gx is a grid in the x direction, and Gy is a grid in the y direction.

はじめに、本発明のチャープトグレーティング形成基板の作製方法の実施の形態の1例を、図1、図2に基づいて説明する。
本例のチャープトグレーティング形成基板の作製方法は、石英からなる透明基板110の一面に直線状の凹溝111を繰り返して格子状に設けて、凹溝111と凸条112の繰り返しパターンを形成し、且つ、凹溝111の幅W0と凸条112の幅W1の比(W1/W0)を一定に保つようにして、該繰り返しパターンのピッチを僅かずつ変化させ、これをチャープトグレーティングとして配設している、チャープトグレーティング形成基板の作製方法であって、前記凹溝111を形成するためのパターニングを、前記透明基板の一面側にレジストを配設し、該レジストを描画装置による描画露光にて、前記凹溝パターン形成領域に対応するレジストの領域を選択的に描画露光し、該レジスト膜を現像処理して行うものである。
特に、光ファイバーの中に回折格子を作製する光ファイバー加工用の位相マスクとして用いられるチャープトグレーティング形成基板を作製するものである。
本例では、描画装置は可変成形型のEB描画装置(電子線描画装置とも言う)露光装置で、描画装置の描画動作を制御するための描画動作制御データ(JOBデータ)上において、各ライン状の矩形領域を露光するショット露光毎に、その位置座標とその開口幅を指定して、描画露光するもので、ベクター型EB描画装置とも言われるものである。
そして、前記描画動作制御データ(JOBデータ)上における各ショット露光の位置座標の作成は、データ上で、描画座標系の単位のグリッドに対して、十分小さい単位で、描画用の単位のパターンデータに対して倍率計算を行い、描画する全てのライン状の矩形領域描画用データについて、各ライン状の矩形領域を露光するショット露光毎の描画用データを、描画座標系のグリッドに丸めた数値で作成する。
First, an example of an embodiment of a method for producing a chirped grating forming substrate of the present invention will be described with reference to FIGS.
The method for producing the chirped grating forming substrate of this example is to form a repeating pattern of concave grooves 111 and ridges 112 by providing linear concave grooves 111 in a lattice pattern on one surface of a transparent substrate 110 made of quartz. Further, the ratio of the width W0 of the groove 111 to the width W1 of the ridge 112 (W1 / W0) is kept constant, and the pitch of the repetitive pattern is changed little by little, and this is arranged as a chirped grating. A method for producing a chirped grating-formed substrate, wherein patterning for forming the concave groove 111 is performed by arranging a resist on one surface side of the transparent substrate, and using the resist for drawing exposure by a drawing apparatus. Then, the resist region corresponding to the concave groove pattern forming region is selectively drawn and exposed, and the resist film is developed.
In particular, a chirped grating forming substrate used as a phase mask for optical fiber processing for producing a diffraction grating in an optical fiber is produced.
In this example, the drawing apparatus is a variable shaping type EB drawing apparatus (also referred to as an electron beam drawing apparatus) exposure apparatus, and each line shape is drawn on drawing operation control data (JOB data) for controlling the drawing operation of the drawing apparatus. For each shot exposure for exposing the rectangular area, the position coordinates and the aperture width are designated and the drawing exposure is performed. This is also called a vector-type EB drawing apparatus.
Then, the position coordinates of each shot exposure on the drawing operation control data (JOB data) are created in pattern data of drawing units in a sufficiently small unit with respect to the grid of drawing coordinate system units on the data. For all the line-shaped rectangular area drawing data to be drawn, the drawing data for each shot exposure that exposes each line-shaped rectangular area is rounded to the grid of the drawing coordinate system. create.

更に、図1にしたがい、本例の処理フローの1例を説明する。
目的とするチャープトグレーティングの設計データ(S1)に基づき、これを作製するための、単位のパターンデータ(S2)と倍率データ(S3)とを用意する。
ここでは、描画座標系の単位のグリッドに対して、十分小さい単位で、描画用の単位のパターンデータに対して倍率計算を行い、描画する全てのライン状の矩形領域描画用データについて、各ライン状の矩形領域を露光するショット露光毎の描画用データを、描画座標系のグリッド上に丸めを起こさない数値で作成する。(S4〜S5)
例えば、エクセル(市販の表計算ソフト)上で、このようなデータの作成を行う。
そして、作成されたデータを用いて、描画動作制御データ(JOBデータ)を作成する。(S6)
ここでは、描画系のグリッドにのせた座標位置で、描画動作制御データ(JOBデータ)は表現される。
Furthermore, an example of the processing flow of this example will be described with reference to FIG.
Based on the target chirped grating design data (S 1), unit pattern data (S 2) and magnification data (S 3) are prepared for producing the design data.
Here, the magnification is calculated for the pattern data of the drawing unit in a sufficiently small unit with respect to the grid of the drawing coordinate system unit, and each line is drawn for all the line-shaped rectangular area drawing data to be drawn. The drawing data for each shot exposure for exposing the rectangular area is created with numerical values that do not cause rounding on the grid of the drawing coordinate system. (S4-S5)
For example, such data is created on Excel (commercially available spreadsheet software).
Then, drawing operation control data (JOB data) is created using the created data. (S6)
Here, the drawing operation control data (JOB data) is expressed by the coordinate position on the drawing grid.

ここで、単位のパターンデータ(図3(a)の210に相当)が、例えば、図3(a)に示すように、ライン状のパターン211を3個、有するパターンデータである場合について、このようなデータ上の処理を説明しておく。
この場合、ライン幅とライン間幅との比は一定とし、ライン幅とライン間幅とは、設計データ上で倍率がかかっていない基本のデータ部と同じサイズとする。
図3(b)に示すように、設計データの仕様にしたがい、単位のパターンデータ210と、これに、それぞれ、所定の倍率をかけたパターンデータ220、230とを、配置し、各ライン状のパターン、それぞれについて、その位置座標と、幅、高さを計算する。
ここでは、描画座標系の単位のグリッドに対して、十分小さい単位で、描画用の単位のパターンデータに対して倍率計算を行う。
そして、図3(c)に示すように、各ライン状のパターン、それぞれについて、その位置座標が、描画系のグリッド上にのるように、データを丸める。
このようにして、各ライン状のパターンについて、それぞれ、その位置座標が、描画系のグリッド上にのるようにされた、データを用いて、描画動作制御データ(JOBデータ)を作成する。
Here, when the unit pattern data (corresponding to 210 in FIG. 3A) is, for example, pattern data having three line-shaped patterns 211 as shown in FIG. Such processing on data will be described.
In this case, the ratio between the line width and the inter-line width is constant, and the line width and the inter-line width are the same size as the basic data part that is not scaled on the design data.
As shown in FIG. 3B, according to the design data specifications, unit pattern data 210 and pattern data 220 and 230 each multiplied by a predetermined magnification are arranged, and each line-shaped pattern data 210 is arranged. For each pattern, its position coordinates, width and height are calculated.
Here, the magnification is calculated for the pattern data of the drawing unit in a sufficiently small unit with respect to the grid of the drawing coordinate system unit.
Then, as shown in FIG. 3C, the data is rounded so that the position coordinates of each line-shaped pattern are on the drawing grid.
In this way, drawing operation control data (JOB data) is created using the data in which the position coordinates of each line pattern are placed on the drawing grid.

一方、目的とする光ファイバー加工用の位相マスクを形成するための素材である石英からなる透明基板を用意しておき(S11)、該基板の凹溝パターン形成面側に、透明基板のエッチングにおいて耐エッチング膜となるCr膜をスパッタ等により形成し(S12)、更に、該Cr膜上に電子線に感光するレジスト膜を配設し(S13)、描画露光処理に供する処理用基板を準備しておく。(S14)
次いで、処理用基板(S14)を電子線描画装置の描画用のステージ上 (図示していない)に載置した状態で、先に作成されている描画動作制御データ(JOBデータ)の指示の下、描画露光を行う。(S7)
描画動作制御データ(JOBデータ)の指示により描画露光を行う際、電子線描画装置は、描画動作制御データ(JOBデータ)の指示に対応した、描画系の座標にて、即ち、高精度で座標位置管理がされている描画系でのグリッドの座標位置で描画を行う。
全ての描画露光を終えた後、露光済の処理用基板に対し現像処理を行い(S8)、該レジストの開口から露出した、Cr膜をエッチング除去して、レジスト開口部にCr開口を形成し、更に、該Cr開口から露出した透明基板をエッチングして、所定の深さの凹部を形成し(S9)、チャープトグレーティングを配設した位相マスクを形成する。(S10)
ここでは、凹溝と凸条の繰り返しパターンのピッチPxが僅かづつ変化しているが、その変化のバラツキは、即ち、設計データに対する誤差は、上記のように、描画系のグリッドにのせた数値表示で、描画動作制御データ(JOBデータ)の指示により描画露光を行うため、描画系のグリッドの単位で1以下となる。
このようにして、精度の良い、チャープトグレーティングを配設した位相シフトマスクを形成することができる。
On the other hand, a transparent substrate made of quartz, which is a material for forming a target optical fiber processing phase mask, is prepared (S11). A Cr film to be an etching film is formed by sputtering or the like (S12), and a resist film sensitive to an electron beam is disposed on the Cr film (S13), and a processing substrate for drawing exposure processing is prepared. deep. (S14)
Next, in a state where the processing substrate (S14) is placed on the drawing stage (not shown) of the electron beam drawing apparatus, under the instruction of the previously created drawing operation control data (JOB data). Then, drawing exposure is performed. (S7)
When performing the drawing exposure according to the instruction of the drawing operation control data (JOB data), the electron beam drawing apparatus uses the coordinates of the drawing system corresponding to the instruction of the drawing operation control data (JOB data), that is, coordinates with high accuracy. Drawing is performed at the coordinate position of the grid in the drawing system in which position management is performed.
After all the drawing exposure is completed, the exposed processing substrate is developed (S8), and the Cr film exposed from the resist opening is removed by etching to form a Cr opening in the resist opening. Further, the transparent substrate exposed from the Cr opening is etched to form a recess having a predetermined depth (S9), and a phase mask provided with a chirped grating is formed. (S10)
Here, the pitch Px of the repeating pattern of the groove and the ridge changes little by little, but the variation of the change, that is, the error with respect to the design data is a numerical value placed on the drawing system grid as described above. In the display, since drawing exposure is performed in accordance with an instruction of drawing operation control data (JOB data), the number of grids in the drawing system is 1 or less.
In this way, a highly accurate phase shift mask provided with a chirped grating can be formed.

このような図1に示す処理フローにて、例えば、図2に示すようなチャープトグレーティングを配設した位相マスクが作成される。
先に述べた、特開平11−72631号公報(特許文献2)、特開2003−75620号公報(特許文献3)に開示されている方法では、データ上でピッチを同じように変化させて、これを描画系の座標にて表現して描画動作制御データ(JOBデータ)とした場合における、データ上の最小単位(インクリメントとも言う)による丸め誤差が、描画系の座標のグリッドの単位に比べて大きく、光ファイバーの中に回折格子を作製する光ファイバー加工用の位相マスクとして品質的に無視できないものであったが、本例において作製された光ファイバーの中に回折格子を作製する光ファイバー加工用の位相マスクは、上記のように、凹溝と凸条の繰り返しパターンのピッチPxの設計データに対する誤差は、描画系のグリッドの単位で1以下となるため、品質的に対応できる。
In the process flow shown in FIG. 1, for example, a phase mask having a chirped grating as shown in FIG. 2 is created.
In the method disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-72631 (Patent Document 2) and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-75620 (Patent Document 3) described above, the pitch is similarly changed on the data, When this is expressed by drawing system coordinates and used as drawing operation control data (JOB data), the rounding error due to the minimum unit (also called increment) on the data is larger than the grid unit of the drawing system coordinates. Although the phase mask for optical fiber processing for producing a diffraction grating in an optical fiber was not negligible in quality, the phase mask for optical fiber processing for producing a diffraction grating in the optical fiber manufactured in this example is As described above, the error with respect to the design data of the pitch Px of the repetitive pattern of the concave grooves and the convex stripes is 1 or less per grid unit of the drawing system. , And therefore, the quality to cope.

次に、処理用基板(図1のS14)の加工の実施例を、図4に基づいて、更に、具体的に説明する。
実施例は、図2に示す位相マスクを、図1に示す位相マスクの製造方法により作製したものである。
ピッチ1. 06μmの凹溝パターン(回折格子パターン)を長さ10mmに、作製したものである。
石英基板からなる透明基板110上に、クロムからなる遮光膜を1100Å厚に配設した基板(図4(a))の、遮光膜120上に、ポジ型の電子ビームレジストである市販の化学増幅型レジストを厚さ400nmnmに塗布、乾燥して配設した。(図4(b))
次いで、電子線描画装置EBM3000(東芝機械社製)により、所定の露光量(ドーズ量とも言う)5.4μC/cm2 で、凹溝形成部を露光する露光を行なう。(図4(c)) 露光後、現像処理を行ない、凹溝形成箇所にレジストの開口131を設け、更に、レジスト130の開口131から露出したクロム膜(遮光膜120)を、CH2 Cl2 ガスを用いてドライエッチングし、開口121を設けた。(図4(d))
次いで、クロム(遮光膜120)をマスクとして、レジスト130の開口131、クロム(遮光膜120)の開口121から露出した透明基板110を、CF4ガスを用いてドライエッチングし、光ファイバー作製における露光波長248nmの半波長である、深さ250nmに形成した。(図4(e))
この後、70℃の硫酸にて残存するレジスト130を剥離し、更に、硝酸第二セリウムアンモニウム溶液により遮光膜120をエッチング除去し、洗浄処理を経て、ピッチ1. 06μmの凹溝部パターンを長さ10mmに、且つ、その幅を座標位置により変えて作製した。(図4(f))
このようにして、図2に示す位相マスクを作製した。
Next, an example of processing of the processing substrate (S14 in FIG. 1) will be described more specifically based on FIG.
In the embodiment, the phase mask shown in FIG. 2 is produced by the method of manufacturing the phase mask shown in FIG.
A concave groove pattern (diffraction grating pattern) with a pitch of 1.06 μm was produced to a length of 10 mm.
A commercially available chemical amplification that is a positive electron beam resist on the light-shielding film 120 of the substrate (FIG. 4A) in which a light-shielding film made of chromium is disposed on the transparent substrate 110 made of a quartz substrate to a thickness of 1100 mm. The mold resist was applied to a thickness of 400 nm and dried. (Fig. 4 (b))
Next, the electron beam drawing apparatus EBM3000 (manufactured by Toshiba Machine Co., Ltd.) performs exposure for exposing the groove forming portion at a predetermined exposure amount (also referred to as a dose amount) of 5.4 μC / cm 2 . (FIG. 4 (c)) After the exposure, development processing is performed to provide a resist opening 131 at a groove forming portion, and further, a chromium film (light shielding film 120) exposed from the opening 131 of the resist 130 is replaced with CH 2 Cl 2. An opening 121 was provided by dry etching using a gas. (Fig. 4 (d))
Next, using the chromium (light-shielding film 120) as a mask, the transparent substrate 110 exposed from the opening 131 of the resist 130 and the opening 121 of the chromium (light-shielding film 120) is dry-etched using CF4 gas, and an exposure wavelength of 248 nm in optical fiber fabrication. It was formed at a depth of 250 nm, which is a half wavelength. (Fig. 4 (e))
Thereafter, the remaining resist 130 is removed with sulfuric acid at 70 ° C., and the light-shielding film 120 is removed by etching with a ceric ammonium nitrate solution, followed by a cleaning process, so that a groove pattern having a pitch of 1.06 μm is obtained. It was manufactured by changing the width to 10 mm depending on the coordinate position. (Fig. 4 (f))
In this way, the phase mask shown in FIG. 2 was produced.

本発明のチャープトグレーティング形成基板の作製方法の実施の形態の1例の処理フローを示した図である。It is the figure which showed the processing flow of one example of embodiment of the manufacturing method of the chirped grating formation board | substrate of this invention. チャープトグレーティングを有する位相マスクの断面図である。It is sectional drawing of the phase mask which has a chirped grating. 描画動作制御データを作製する際の、データ上の処理を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the process on data at the time of producing drawing operation control data. 図1に示す処理フローS14、S7〜S10に対応するプロセス処理を示した処理断面図である。It is process sectional drawing which showed the process process corresponding to process flow S14, S7-S10 shown in FIG. 位相マスクによる光ファイバーへの回折格子の形成と、位相マスクを説明するための図である。It is a figure for demonstrating formation of the diffraction grating to the optical fiber by a phase mask, and a phase mask.

符号の説明Explanation of symbols

110 透明基板
111 凹溝(凹溝パターンとも言う)
112 凸条
120 Cr膜
121 Cr開口
130 レジスト(レジスト膜とも言う)
131 レジスト開口
140 電子線
210 単位のパターンデータ(単に、単位のパターンとも言う)
211 ライン状のパターン
220、230 単位のパターンデータに倍率をかけたパターンデータ
W0 凹溝の幅
W1 凸条の幅
H0 凹溝の深さ(凸条の高さとも言う)
Gx x方向のグリッド
Gy y方向のグリッド
21 位相マスク
22 光ファイバー
22A コア
22B クラッド
23 KrFエキシマレーザ光
24 干渉縞パターン
25A 0次光(ビーム)
25B プラス1次の回折光
25C マイナス1次の回折光
26 凹溝
D (凹溝26の)深さ
P (凹溝26の)ピッチ


110 Transparent substrate 111 Groove (also called groove pattern)
112 ridge 120 Cr film 121 Cr opening 130 resist (also referred to as resist film)
131 resist opening 140 electron beam 210 unit pattern data (also simply referred to as unit pattern)
211 Line data 220, 230 Pattern data obtained by multiplying unit pattern data W0 Groove width W1 Convex width H0 Convex groove depth (also referred to as convex height)
Gx Grid in the x direction Gy Grid in the y direction 21 Phase mask 22 Optical fiber 22A Core 22B Cladding 23 KrF excimer laser light 24 Interference fringe pattern 25A Zero order light (beam)
25B plus first-order diffracted light 25C minus first-order diffracted light 26 concave groove D (of concave groove 26) depth P (of concave groove 26) pitch


Claims (1)

透明基板の一面に直線状の凹溝を繰り返して格子状に設けて、凹溝と凸条の繰り返しパターンを形成し、且つ、凹溝の幅と凸条の幅の比を一定に保つようにして、該繰り返しパターンのピッチを僅かずつ変化させ、これをチャープトグレーティングとして配設している、光ファイバー加工用の位相マスクのチャープトグレーティング形成基板の作製方法であって、前記凹溝を形成するためのパターニングを、前記透明基板の一面側にレジストを配設し、該レジストを描画装置による描画露光にて、前記凹溝の形成領域に対応するレジストの領域を選択的に描画露光し、該レジスト膜を現像処理して行うもので、前記描画装置は可変成形型のEB描画装置で、描画装置の描画動作を制御するための描画動作制御データ上において、各ライン状の矩形領域を露光するショット露光毎に、その位置座標とその開口幅を指定して、描画露光するもので、且つ、前記描画動作制御データ上における各ショット露光の位置座標の作成は、データ上で、描画座標系の単位のグリッドに対して、十分小さい単位で、描画用の単位のパターンデータに対して倍率計算を行い、描画する全てのライン状の矩形領域描画用データについて、各ライン状の矩形領域を露光するショット露光毎の描画用データを、描画座標系のグリッドに丸めた数値で作成するものであることを特徴とするチャープトグレーティング形成基板の作製方法。 A linear groove is repeatedly formed on one surface of the transparent substrate in a lattice pattern to form a repeating pattern of the groove and the ridge, and the ratio of the width of the groove to the width of the ridge is kept constant. Then, the pitch of the repetitive pattern is changed little by little, and this is disposed as a chirped grating, which is a method for producing a chirped grating forming substrate of a phase mask for optical fiber processing , wherein the concave groove is formed For the patterning, a resist is provided on one surface side of the transparent substrate, and the resist is selectively drawn and exposed in a resist region corresponding to the formation region of the concave groove by drawing exposure by a drawing device, resist film intended to be done by developing, the drawing device is a variable-shaped EB drawing device, on the drawing operation control data for controlling the drawing operation of the drawing apparatus, each linear For each shot exposure that exposes the shape area, the position coordinates and the aperture width are specified and drawing exposure is performed, and the position coordinates of each shot exposure on the drawing operation control data are created on the data. The magnification calculation is performed on the pattern data of the drawing unit in a sufficiently small unit with respect to the grid of the drawing coordinate system unit, and for each line-shaped rectangular area drawing data to be drawn, A method for producing a chirped grating forming substrate, wherein drawing data for each shot exposure for exposing a rectangular region is created by rounding a drawing coordinate system to a grid value.
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