JP4639815B2 - Low temperature electronic circuit protection device - Google Patents

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Description

本発明は、特に低温環境下にて配置される電子機器に使用される電子回路を保護する低温時電子回路保護装置に関する。   The present invention relates to a low-temperature electronic circuit protection device that protects an electronic circuit used in an electronic device disposed in a low-temperature environment.

従来、この種の電子回路保護装置は、ヒータの通電により電子回路の雰囲気温度を電子部品の最低動作保証温度（−１０℃程度）まで上昇させるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。   Conventionally, this type of electronic circuit protection device is known to increase the ambient temperature of an electronic circuit to the minimum operation guarantee temperature (about −10 ° C.) of an electronic component by energizing a heater (see, for example, Patent Document 1). ).

以下、その電子回路保護装置について図６を参照しながら説明する。   The electronic circuit protection device will be described below with reference to FIG.

図に示すように、電子回路保護装置はバイメタルスイッチ１０１とヒータ１０２と温度制御回路１０３とコイル１０４とスイッチ１０５からなり、電子部品の最低動作温度付近ではバイメタルスイッチ１０１が通電状態となりヒータ１０２、コイル１０４に電流が流れ電子回路をあたためると同時にスイッチ１０５を切り、温度が上昇するとバイメタルスイッチ１０１は非通電状態になり、スイッチ１０５も閉じ、温度制御回路１０３でヒータ１０２を制御する。   As shown in the figure, the electronic circuit protection device is composed of a bimetal switch 101, a heater 102, a temperature control circuit 103, a coil 104, and a switch 105, and the bimetal switch 101 is energized near the minimum operating temperature of the electronic component. When current flows through 104 and the electronic circuit is heated, the switch 105 is turned off, and when the temperature rises, the bimetal switch 101 is deenergized, the switch 105 is also closed, and the temperature control circuit 103 controls the heater 102.

特開２００２−１０８４６０号公報JP 2002-108460 A

このような従来の低温環境下の電子回路保護装置では、リレーや温度制御回路等の定格電流範囲が狭く広範囲な入力電流に対応できないという課題があり、広範囲な入力電流に対応できることが要求されている。   In such a conventional electronic circuit protection device in a low temperature environment, there is a problem that the rated current range of a relay, a temperature control circuit, etc. is narrow and cannot be applied to a wide range of input current, and it is required to be able to handle a wide range of input current. Yes.

また、温度制御回路やリレー等、部品点数が多く、回路構成が複雑かつ実装スペースが大きくなるという課題があり、回路構成が簡易かつ省スペースであることが要求されている。   In addition, there are problems such as a temperature control circuit, a relay, and the like that have a large number of parts, a complicated circuit configuration, and a large mounting space, and the circuit configuration is required to be simple and save space.

そして、消費電力が大きいという課題があり、省消費電力化が要求されている。   And there exists a subject that power consumption is large, and power-saving is requested | required.

本発明は、このような従来の課題を解決するものであり、広範囲な入力電圧に対応でき、また、回路構成が簡易かつ省スペースにすることができる低温時電子回路保護装置を提供することを目的としている。   The present invention solves such a conventional problem, and provides a low-temperature electronic circuit protection device that can cope with a wide range of input voltages and that can simplify the circuit configuration and save space. It is aimed.

本発明の低温時電子回路保護装置は上記目的を達成するために、供給電源と負荷との間に接続して設定温度以上で通電となる温度スイッチＡと、前記温度スイッチＡが通電状態になる際に発生する突入電流を抑制する突入電流抑制抵抗と、通電時の温度上昇が大きい部品の付近に配置して、設定温度以上で通電状態となり、突入電流抑制抵抗での消費電力をカットする温度スイッチＢと備え、前記温度スイッチＡの設定温度を前記温度スイッチＢの設定温度よりも低くし、前記突入電流抑制抵抗を前記温度スイッチＡと直列に接続し、温度スイッチＢは温度スイッチＡと突入電流抑制抵抗に並列に接続することを特徴としたものである。 In order to achieve the above object, the low-temperature electronic circuit protection device of the present invention is connected between a power supply and a load and is energized at a set temperature or higher, and the temperature switch A is energized. This is the temperature at which the inrush current suppression resistor that suppresses the inrush current that occurs and the current that is placed in the vicinity of a part that has a large temperature rise during energization and that is energized above the set temperature and cuts the power consumption at the inrush current suppression resistor A switch B, the set temperature of the temperature switch A is lower than the set temperature of the temperature switch B, the inrush current suppression resistor is connected in series with the temperature switch A, and the temperature switch B is inrush with the temperature switch A It is characterized in that it is connected in parallel to the current suppression resistor.

この手段により温度スイッチＡが通電状態になる際に発生する突入電流を抑制することができ、前記突入電流抑制抵抗の特性次第で広範囲な入力電流に対応できる低温時電子回路保護装置が得られる。   By this means, an inrush current generated when the temperature switch A is energized can be suppressed, and a low-temperature electronic circuit protection device can be obtained that can handle a wide range of input currents depending on the characteristics of the inrush current suppression resistor.

また、突入電流抑制抵抗を前記温度スイッチＡと直列に接続し、温度スイッチＢは温度スイッチＡと突入電流抑制抵抗に並列に接続することで突入電流減少後の突入電流抑制抵抗での電力消費をカットすることができ、消費電力を小さくすることができる低温時電子回路保護装置が得られる。 In addition, an inrush current suppression resistor is connected in series with the temperature switch A, and the temperature switch B is connected in parallel with the temperature switch A and the inrush current suppression resistor, thereby reducing power consumption in the inrush current suppression resistor after the inrush current is reduced. A low-temperature electronic circuit protection device that can be cut and consumes less power is obtained.

さらに、温度スイッチＢを通電時の温度上昇が大きい部品の付近に配置したことで、温度スイッチＡが通電状態になった後、温度スイッチＢが通電状態になるまでの時間を短くでき、突入電流減少後の突入電流抑制抵抗での電力消費時間を短くすることができ、消費電力を小さくすることができる低温時電子回路保護装置が得られる。   Furthermore, by arranging the temperature switch B in the vicinity of a part where the temperature rise during energization is large, it is possible to shorten the time until the temperature switch B is energized after the temperature switch A is energized. The power consumption time in the inrush current suppression resistor after the reduction can be shortened, and a low-temperature electronic circuit protection device that can reduce the power consumption is obtained.

さらに、温度スイッチＡの設定温度を温度スイッチＢの設定温度よりも低くしたことにより温度スイッチＡを温度スイッチＢよりも早く通電状態にし、突入電流減少後の突入電流抑制抵抗での電力消費をカットすることができ、消費電力を小さくすることができる低温時電子回路保護装置が得られる。 Additionally, the temperature switch A to quickly energized than the temperature switch B by which the set temperature of the temperature switch A lower than the set temperature of the temperature switch B, cut the power consumption in the inrush current suppressing resistance after decreasing the inrush current Thus, a low-temperature electronic circuit protection device that can reduce power consumption can be obtained.

また、本発明の低温時電子回路保護装置は上記目的を達成するために、前記突入電流抑制抵抗をＮＴＣサーミスタとしたものである。   In order to achieve the above object, the low temperature electronic circuit protection device of the present invention uses the inrush current suppression resistor as an NTC thermistor.

この手段により温度スイッチが通電状態になる時に生じる突入電流を抑制した後に、ＮＴＣサーミスタ自身の発熱によりＮＴＣサーミスタの抵抗値は小さくなり、突入電流減少後の突入電流抑制抵抗での電力消費を小さくすることができ、消費電力を小さくすることができる低温時電子回路保護装置が得られる。   After suppressing the inrush current generated when the temperature switch is energized by this means, the resistance value of the NTC thermistor decreases due to the heat generated by the NTC thermistor itself, and the power consumption at the inrush current suppression resistor after the decrease of the inrush current is reduced. Thus, a low-temperature electronic circuit protection device capable of reducing power consumption can be obtained.

また、本発明の低温時電子回路保護装置は上記目的を達成するために、非通電状態の時に温度スイッチＡと温度スイッチＢの雰囲気温度が近くなるように配置したものである。   Further, in order to achieve the above object, the low-temperature electronic circuit protection device of the present invention is arranged so that the ambient temperature of the temperature switch A and the temperature switch B is close when not energized.

この手段により温度スイッチＢが温度スイッチＡよりも早く通電状態になることを防ぎ、突入電流減少後の突入電流抑制抵抗での電力消費をカットすることができ、消費電力を小さくすることができる低温時電子回路保護装置が得られる。   By this means, the temperature switch B can be prevented from being energized earlier than the temperature switch A, the power consumption at the inrush current suppression resistor after the inrush current is reduced can be cut, and the power consumption can be reduced. An electronic circuit protection device is obtained.

本発明によれば、供給電源と負荷との間に接続して設定温度以上で通電となる温度スイッチＡと、前記温度スイッチＡが通電状態になる際に発生する突入電流を抑制する突入電流抑制抵抗と、通電時の温度上昇が大きい部品の付近に配置して、設定温度以上で通電状態となり、突入電流抑制抵抗での消費電力をカットする温度スイッチＢと備え、前記温度スイッチＡの設定温度を前記温度スイッチＢの設定温度よりも低くし、前記突入電流抑制抵抗を前記温度スイッチＡと直列に接続し、温度スイッチＢは温度スイッチＡと突入電流抑制抵抗に並列に接続することを特徴としたものであり、最低動作保証温度以上でのみ通電状態にすることができ、回路構成が簡易かつ省スペースにできるという効果のある低温時電子回路保護装置を提供できる。 According to the present invention, the temperature switch A that is connected between the power supply and the load and is energized at a set temperature or higher, and the inrush current suppression that suppresses the inrush current that occurs when the temperature switch A is energized. A temperature switch B that is placed near a resistor and a component that has a large temperature rise when energized, becomes energized at a set temperature or higher and cuts power consumption at the inrush current suppression resistor, and the set temperature of the temperature switch A Is lower than the set temperature of the temperature switch B, the inrush current suppression resistor is connected in series with the temperature switch A, and the temperature switch B is connected in parallel with the temperature switch A and the inrush current suppression resistor. Therefore, it is possible to provide a low-temperature electronic circuit protection device that can be energized only above the minimum guaranteed operating temperature, and has the effect of simplifying the circuit configuration and saving space. .

また、突入電流抑制抵抗により、温度スイッチＡが通電状態になる際に発生する突入電流を抑制することができ、前記突入電流抑制抵抗の特性次第で広範囲な入力電流に対応できるという効果のある低温時電子回路保護装置を提供できる。   Also, the inrush current suppression resistor can suppress an inrush current generated when the temperature switch A is energized, and can be used for a wide range of input currents depending on the characteristics of the inrush current suppression resistor. An electronic circuit protection device can be provided.

また、突入電流抑制抵抗を前記温度スイッチＡと直列に接続し、温度スイッチＢは前記温度スイッチＡと前記突入電流抑制抵抗に並列に接続する構成とすることにより、突入電流減少後の突入電流抑制抵抗での電力消費をカットすることができ、消費電力を小さくすることができるという効果のある低温時電子回路保護装置を提供できる。 Further, an inrush current suppression resistor is connected in series with the temperature switch A, and the temperature switch B is connected in parallel to the temperature switch A and the inrush current suppression resistor, thereby suppressing the inrush current after the inrush current is reduced. It is possible to provide a low-temperature electronic circuit protection device that can cut power consumption by a resistor and can reduce power consumption.

さらに、通電状態の時に温度上昇が大きい部品の付近に配置した温度スイッチＢは部品の温度上昇により、より短い時間で通電状態になり、突入電流減少後の突入電流抑制抵抗での電力消費時間を短くすることができ、消費電力を小さくすることができるという効果のある低温時電子回路保護装置を提供できる。   In addition, the temperature switch B placed near a component with a large temperature rise when energized is energized in a shorter time due to the temperature rise of the component, and the power consumption time at the inrush current suppression resistor after the inrush current is reduced. A low-temperature electronic circuit protection device that can be shortened and can reduce power consumption can be provided.

また本発明によれば、温度スイッチＡの設定温度を温度スイッチＢの設定温度よりも低くすることにより、温度スイッチＡを温度スイッチＢよりも早く通電状態にし、突入電流減少後の突入電流抑制抵抗での電力消費をカットすることができ、消費電力を小さくすることができるという効果のある低温時電子回路保護装置を提供できる。   Further, according to the present invention, the temperature switch A is made to be in an energized state earlier than the temperature switch B by making the set temperature of the temperature switch A lower than the set temperature of the temperature switch B, and the inrush current suppressing resistance after the inrush current is reduced. It is possible to provide a low-temperature electronic circuit protection device that can cut the power consumption at the time and can reduce the power consumption.

また本発明によれば、前記突入電流抑制抵抗をＮＴＣサーミスタとすることにより、温度スイッチが通電状態になる時に生じる突入電流を抑制した後に、ＮＴＣサーミスタ自身の発熱によりＮＴＣサーミスタの抵抗値は小さくなり、突入電流減少後の突入電流抑制抵抗での電力消費を小さくすることができ、消費電力を小さくすることができるという効果のある低温時電子回路保護装置を提供できる。   According to the present invention, the inrush current suppression resistor is an NTC thermistor, so that after the inrush current generated when the temperature switch is energized is suppressed, the resistance value of the NTC thermistor decreases due to the heat generated by the NTC thermistor itself. Thus, it is possible to provide a low-temperature electronic circuit protection device that can reduce the power consumption at the inrush current suppression resistor after the inrush current is reduced and can reduce the power consumption.

また本発明によれば、非通電状態の時に温度スイッチＡと温度スイッチＢの雰囲気温度が近くなるように配置することにより、温度スイッチＢが温度スイッチＡよりも早く通電状態になることを防ぎ、突入電流減少後の突入電流抑制抵抗での電力消費をカットすることができ、消費電力を小さくすることができるという効果のある低温時電子回路保護装置を提供できる。   Further, according to the present invention, the temperature switch A and the temperature switch B are arranged so that the ambient temperature is close when not energized, thereby preventing the temperature switch B from being energized earlier than the temperature switch A. It is possible to provide a low-temperature electronic circuit protection device that can cut power consumption at the inrush current suppression resistor after the inrush current is reduced and can reduce power consumption.

本発明の実施の形態１の低温時電子回路保護装置を示すブロック図1 is a block diagram showing a low-temperature electronic circuit protection device according to a first embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態２の低温時電子回路保護装置を示すブロック図The block diagram which shows the electronic circuit protection apparatus at the time of low temperature of Embodiment 2 of this invention 本発明の実施の形態２の低温時電子回路保護装置のバイメタルサーモスタット３ａが通電状態の時のブロック図Block diagram when the bimetal thermostat 3a of the low-temperature electronic circuit protection device of Embodiment 2 of the present invention is energized 本発明の実施の形態２の低温時電子回路保護装置のバイメタルサーモスタット３ａ、３ｂが通電状態の時のブロック図Block diagram when the bimetal thermostats 3a and 3b of the low-temperature electronic circuit protection device according to the second embodiment of the present invention are energized. 本発明の実施の形態２の低温時電子回路保護装置のバイメタルサーモスタット３ｂの接続位置が異なる時のブロック図The block diagram when the connection position of the bimetal thermostat 3b of the electronic circuit protection apparatus at the time of low temperature of Embodiment 2 of this invention differs 従来の低温時電子回路保護装置を示すブロック図Block diagram showing a conventional low-temperature electronic circuit protection device

本発明の請求項１記載の発明は、供給電源と負荷との間に接続して設定温度以上で通電となる温度スイッチＡと、前記温度スイッチＡが通電状態になる際に発生する突入電流を抑制する突入電流抑制抵抗と、通電時の温度上昇が大きい部品の付近に配置して、設定温度以上で通電状態となり、突入電流抑制抵抗での消費電力をカットする温度スイッチＢと備え、前記温度スイッチＡの設定温度を前記温度スイッチＢの設定温度よりも低くし、前記突入電流抑制抵抗を前記温度スイッチＡと直列に接続し、温度スイッチＢは温度スイッチＡと突入電流抑制抵抗に並列に接続するものであり、温度スイッチＡが通電状態になる際に発生する突入電流を抑制することができ、前記突入電流抑制抵抗の特性次第で広範囲な入力電流に対応できるという作用を有する。 According to the first aspect of the present invention, a temperature switch A connected between a power supply and a load and energized at a set temperature or higher, and an inrush current generated when the temperature switch A is energized. An inrush current suppression resistor that suppresses and a temperature switch B that is placed in the vicinity of a component that has a large temperature rise during energization, enters an energized state at a set temperature or higher and cuts power consumption at the inrush current suppression resistor, and the temperature The set temperature of the switch A is set lower than the set temperature of the temperature switch B, the inrush current suppression resistor is connected in series with the temperature switch A, and the temperature switch B is connected in parallel with the temperature switch A and the inrush current suppression resistor. The inrush current generated when the temperature switch A is energized can be suppressed, and a wide range of input currents can be handled depending on the characteristics of the inrush current suppression resistor. Having an iodine.

また、通電状態の時に温度上昇が大きい部品の付近に配置した温度スイッチＢにより突入電流抑制抵抗での電力消費を突入電流減少後の短い時間でカットすることができ、消費電力を小さくすることができるという作用を有する。   In addition, the power consumption at the inrush current suppression resistor can be cut in a short time after the inrush current is reduced by the temperature switch B arranged in the vicinity of a component having a large temperature rise in the energized state, and the power consumption can be reduced. Has the effect of being able to.

さらに、温度スイッチＡの設定温度を温度スイッチＢの設定温度よりも低くしたものであり、温度スイッチＡを温度スイッチＢよりも早く通電状態にし、突入電流減少後の突入電流抑制抵抗での電力消費をカットすることができ、消費電力を小さくすることができるという作用を有する。 Furthermore , the temperature switch A is set to a temperature lower than that of the temperature switch B, the temperature switch A is energized earlier than the temperature switch B, and power consumption at the inrush current suppression resistor after the inrush current is reduced. Can be cut and power consumption can be reduced.

また請求項２記載の発明は、前記突入電流抑制抵抗をＮＴＣサーミスタとしたものであり、温度スイッチが通電状態になる時に生じる突入電流を抑制した後に、ＮＴＣサーミスタ自身の発熱によりＮＴＣサーミスタの抵抗値は小さくなり、突入電流減少後の突入電流抑制抵抗での電力消費を小さくすることができ、消費電力を小さくすることができるという作用を有する。 According to a second aspect of the present invention, the inrush current suppression resistor is an NTC thermistor, and after the inrush current generated when the temperature switch is energized is suppressed, the NTC thermistor itself generates heat and the resistance value of the NTC thermistor. The power consumption at the inrush current suppression resistor after the inrush current is reduced can be reduced, and the power consumption can be reduced.

また請求項３記載の発明は、非通電状態の時に温度スイッチＡと温度スイッチＢの雰囲気温度が近くなるように配置したものであり、温度スイッチＢが温度スイッチＡよりも早く通電状態になることを防ぎ、突入電流減少後の突入電流抑制抵抗での電力消費をカットすることができ、消費電力を小さくすることができるという作用を有する。 Further, the invention according to claim 3 is arranged so that the ambient temperature of the temperature switch A and the temperature switch B is close to each other in the non-energized state, and the temperature switch B enters the energized state earlier than the temperature switch A. , The power consumption at the inrush current suppression resistor after the inrush current is reduced can be cut, and the power consumption can be reduced.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

（実施の形態１）
図１において負荷に電流および電圧を供給する電源としての交流電源１と、負荷としての電子回路２を備えた電子回路装置において、交流電源１と電子回路２の間に設定温度以上で通電状態となる温度スイッチＡとしてのバイメタルサーモスタット３ａと、バイメタルサーモスタット３ａが通電状態となった時の突入電流を抑制する突入電流抑制抵抗としてのＮＴＣサーミスタ４を、直列に接続することにより構成される。 (Embodiment 1)
In an electronic circuit device having an AC power source 1 as a power source for supplying current and voltage to a load and an electronic circuit 2 as a load in FIG. 1, an energized state between the AC power source 1 and the electronic circuit 2 at a set temperature or higher. A bimetal thermostat 3a as a temperature switch A and an NTC thermistor 4 as an inrush current suppressing resistor for suppressing an inrush current when the bimetal thermostat 3a is energized are connected in series.

電子回路２中の電子部品の最低動作保証温度とバイメタルサーモスタット３ａの設定温度公差を考慮して、バイメタルサーモスタット３ａの設定温度を決定する。以下、電子回路２中の電子部品の最低動作保証温度を−１０℃、バイメタルサーモスタット３ａの設定温度公差を±３℃、設定温度を−７℃として説明する。
上記構成において、バイメタルサーモスタット３ａの周囲温度が−１０℃未満の時、バイメタルサーモスタット３ａは非通電状態であり電子回路２には通電されず、電子回路２中の電子部品の最低動作保証温度を下回り電子部品が不安定な状態での通電を防ぐこととなる。 The set temperature of the bimetal thermostat 3a is determined in consideration of the minimum guaranteed operating temperature of the electronic components in the electronic circuit 2 and the set temperature tolerance of the bimetal thermostat 3a. In the following description, it is assumed that the minimum operation guaranteed temperature of the electronic components in the electronic circuit 2 is −10 ° C., the set temperature tolerance of the bimetal thermostat 3a is ± 3 ° C., and the set temperature is −7 ° C.
In the above configuration, when the ambient temperature of the bimetal thermostat 3a is less than −10 ° C., the bimetal thermostat 3a is in a non-energized state and is not energized to the electronic circuit 2 and falls below the minimum operation guaranteed temperature of the electronic components in the electronic circuit 2. This prevents energization when the electronic component is unstable.

また、バイメタルサーモスタット３ａの周囲温度が−１０℃以上の時、バイメタルサーモスタット３ａは通電状態となり、ＮＴＣサーミスタ４での電圧降下により突入電流を抑制した後、ＮＴＣサーミスタ４はＮＴＣサーミスタ４自身に流れる電流により発熱し、ＮＴＣサーミスタ４の抵抗値は小さくなり、バイメタルサーモスタット３ａが通電状態でのＮＴＣサーミスタ４の消費電力を小さくすることができる。さらにＮＴＣサーミスタの抵抗値次第で広範囲な突入電流を抑制することができ、広範囲な入力電流に対応することができる。   Also, when the ambient temperature of the bimetal thermostat 3a is -10 ° C or higher, the bimetal thermostat 3a is energized, and after the inrush current is suppressed by the voltage drop in the NTC thermistor 4, the NTC thermistor 4 flows through the NTC thermistor 4 itself. As a result, the resistance value of the NTC thermistor 4 is reduced, and the power consumption of the NTC thermistor 4 when the bimetal thermostat 3a is energized can be reduced. Furthermore, a wide inrush current can be suppressed depending on the resistance value of the NTC thermistor, and a wide range of input current can be handled.

なお、実施の形態１では電源として交流電源１を用いたが、交流電源１に限らず直流電源であってもよく、その作用効果に差異を生じない。   In the first embodiment, the AC power source 1 is used as the power source. However, the power source is not limited to the AC power source 1 and may be a DC power source.

さらに、負荷として電子回路２を用いたが、モータ負荷であってもよい。   Furthermore, although the electronic circuit 2 is used as a load, it may be a motor load.

（実施の形態２）
図２に示すように、実施の形態１において突入電流抑制抵抗をＮＴＣサーミスタ４の代わりに抵抗５とし、さらに抵抗５と並列に接続された設定温度以上で通電状態となる温度スイッチＢとしてのバイメタルサーモスタット３ｂを備えた構成である。 (Embodiment 2)
As shown in FIG. 2, in Embodiment 1, the inrush current suppression resistor is a resistor 5 instead of the NTC thermistor 4, and further, a bimetal as a temperature switch B that is energized at a set temperature or higher connected in parallel with the resistor 5. It is the structure provided with the thermostat 3b.

電子回路２中の電子部品の最低動作保証温度とバイメタルサーモスタット３ａ、３ｂの設定温度公差を考慮して、バイメタルサーモスタット３ａがバイメタルサーモスタット３ｂよりも早く通電状態となるように、バイメタルサーモスタット３ａ、３ｂの設定温度Ｔａ、ＴｂをＴａ＜Ｔｂとなるように決定する。以下、電子回路２中の電子部品の最低動作保証温度を−１０℃、バイメタルサーモスタット３ａ、３ｂの設定温度公差を共に±３℃、バイメタルサーモスタット３ａの設定温度を−７℃、バイメタルサーモスタット３ｂの設定温度を０℃として説明する。   Considering the minimum operation guarantee temperature of the electronic components in the electronic circuit 2 and the set temperature tolerance of the bimetal thermostats 3a, 3b, the bimetal thermostats 3a, 3b The set temperatures Ta and Tb are determined so that Ta <Tb. Hereinafter, the minimum guaranteed operating temperature of the electronic components in the electronic circuit 2 is −10 ° C., the set temperature tolerances of the bimetal thermostats 3a and 3b are both ± 3 ° C., the set temperature of the bimetal thermostat 3a is −7 ° C., and the set temperature of the bimetal thermostat 3b. Description will be made assuming that the temperature is 0 ° C.

上記構成において、バイメタルサーモスタット３ａの周囲温度が−１０℃未満の時、バイメタルサーモスタット３ａは非通電状態であり電子回路２には通電されず、電子回路２中の電子部品の最低動作保証温度を下回り電子部品が不安定な状態での通電を防ぐこととなる。   In the above configuration, when the ambient temperature of the bimetal thermostat 3a is less than −10 ° C., the bimetal thermostat 3a is in a non-energized state and is not energized to the electronic circuit 2 and falls below the minimum guaranteed operating temperature of the electronic components in the electronic circuit 2. This prevents energization when the electronic component is unstable.

また、バイメタルサーモスタット３ａの周囲温度が−１０℃以上の時、図３に示すように、バイメタルサーモスタット３ａは通電状態となり、抵抗５での電圧降下により突入電流を抑制した後、抵抗５や電子回路２は通電状態であるため発熱する。これにより、バイメタルサーモスタット３ｂの周囲温度が上昇しバイメタルサーモスタット３ｂの設定温度０℃以上になると、図４に示すように、バイメタルサーモスタット３ｂは通電状態となり、抵抗５はバイメタルサーモスタット３ｂによりショートされ、抵抗５での消費電力をカットすることができる。したがって、バイメタルサーモスタット３ｂが通電状態のとき、実施の形態２では０℃以上のとき、低温時電子回路保護装置としては電子回路２以外では電力を消費しないため、消費電力を削減できる。さらにＮＴＣサーミスタの抵抗値次第で広範囲な突入電流を抑制することができ、広範囲な入力電流に対応することができる。   When the ambient temperature of the bimetal thermostat 3a is -10 ° C. or higher, as shown in FIG. 3, the bimetal thermostat 3a is energized, and after the inrush current is suppressed by the voltage drop across the resistor 5, the resistor 5 and the electronic circuit Since 2 is energized, it generates heat. As a result, when the ambient temperature of the bimetal thermostat 3b rises and the set temperature of the bimetal thermostat 3b becomes 0 ° C. or higher, the bimetal thermostat 3b is energized as shown in FIG. The power consumption at 5 can be cut. Therefore, when the bimetal thermostat 3b is in an energized state and in the second embodiment, when the temperature is 0 ° C. or higher, the low-temperature electronic circuit protection device does not consume power except for the electronic circuit 2, and thus power consumption can be reduced. Furthermore, a wide inrush current can be suppressed depending on the resistance value of the NTC thermistor, and a wide range of input current can be handled.

なお、実施の形態２ではバイメタルサーモスタット３ｂを図２に示すように接続したが、図５のように接続してもよい。
なお、実施の形態２では突入電流抑制抵抗を抵抗５としたが、ＮＴＣサーミスタ４であってもよい。 In the second embodiment, the bimetal thermostat 3b is connected as shown in FIG. 2, but it may be connected as shown in FIG.
In the second embodiment, the inrush current suppression resistor is the resistor 5, but an NTC thermistor 4 may be used.

（実施の形態３）
実施の形態２において、バイメタルサーモスタット３ａ、３ｂを非通電時に周囲温度が近くなるように隣り合わせに配置したものであり、これによりバイメタルサーモスタット３ａがバイメタルサーモスタット３ｂよりも早く通電状態になり、突入電流を抑制し、その後突入電流抑制抵抗での電力消費をカットすることができる。 (Embodiment 3)
In the second embodiment, the bimetal thermostats 3a and 3b are arranged next to each other so that the ambient temperature is close when de-energized. As a result, the bimetal thermostat 3a is energized earlier than the bimetal thermostat 3b, and the inrush current is reduced. Then, the power consumption at the inrush current suppression resistor can be cut.

なお、実施の形態３ではバイメタルサーモスタット３ａ、３ｂを隣り合わせに配置したが、バイメタルサーモスタット３ａ、３ｂの周囲温度の差がバイメタルサーモスタット３ａ、３ｂの設定温度公差の和の最大値以上、実施の形態２では６℃以上、であれば、必ずしも隣り合っていなくてもよく、その作用効果に差異を生じない。   In the third embodiment, the bimetal thermostats 3a and 3b are arranged adjacent to each other. However, the difference in ambient temperature between the bimetal thermostats 3a and 3b is equal to or larger than the maximum value of the sum of the set temperature tolerances of the bimetal thermostats 3a and 3b. Then, if it is 6 degreeC or more, it does not necessarily need to adjoin and does not produce the difference in the effect.

（実施の形態４）
実施の形態２において、バイメタルサーモスタット３ａ、３ｂの周囲温度の差がバイメタルサーモスタット３ａ、３ｂの設定温度公差以上、実施の形態２では６℃以上、であり、バイメタルサーモスタット３ｂを通電時の周囲温度の温度上昇が比較的大きい箇所に配置したものである。 (Embodiment 4)
In the second embodiment, the difference in the ambient temperature between the bimetal thermostats 3a and 3b is equal to or greater than the set temperature tolerance of the bimetal thermostats 3a and 3b, and in the second embodiment is 6 ° C. or more. It is placed at a location where the temperature rise is relatively large.

上記構成において、バイメタルサーモスタット３ｂがバイメタルサーモスタット３ａよりも早く通電状態になることはないが、バイメタルサーモスタット３ａが通電状態になり、抵抗５で突入電流を抑制した後、バイメタルサーモスタット３ｂが通電状態になるまでの時間を短くすることになり、バイメタルサーモスタット３ｂが通電状態になるまでの抵抗５での消費電力を小さくできる。   In the above configuration, the bimetal thermostat 3b is not energized earlier than the bimetal thermostat 3a, but after the bimetal thermostat 3a is energized and the rush current is suppressed by the resistor 5, the bimetal thermostat 3b is energized. The power consumption at the resistor 5 until the bimetal thermostat 3b is energized can be reduced.

なお、実施の形態４では突入電流抑制抵抗を抵抗５としたが、抵抗５にかえてＮＴＣサーミスタであってもよい。   In the fourth embodiment, the inrush current suppression resistor is the resistor 5, but an NTC thermistor may be used instead of the resistor 5.

携帯電話の基地局のように周囲温度が氷点下になるような場所で、電子機器や空調等を設置した環境において、供給電源と負荷との間に直列に温度スイッチを接続することにより、電子部品の動作保証温度以下での不安定な状態を抑制する用途にも適用できる。   By connecting a temperature switch in series between the power supply and the load in an environment where the ambient temperature is below freezing, such as a mobile phone base station, where electronic equipment or air conditioning is installed, electronic components It can also be applied to applications that suppress unstable conditions below the guaranteed operating temperature.

１ 交流電源
２ 電子回路
３ａ バイメタルサーモスタット
３ｂ バイメタルサーモスタット
４ ＮＴＣサーミスタ
５ 抵抗
１０１ バイメタルスイッチ
１０２ ヒータ
１０３ 温度制御回路
１０４ コイル
１０５ スイッチ
１０６ 直流電源
１０７ 通信回路
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 AC power supply 2 Electronic circuit 3a Bimetal thermostat 3b Bimetal thermostat 4 NTC thermistor 5 Resistance 101 Bimetal switch 102 Heater 103 Temperature control circuit 104 Coil 105 Switch 106 DC power supply 107 Communication circuit

Claims (3)

供給電源と負荷の間に接続して設定温度以上で通電となる温度スイッチＡと、前記温度スイッチＡが通電状態になる際に発生する突入電流を抑制する突入電流抑制抵抗と、通電時の温度上昇が大きい部品の付近に配置して、設定温度以上で通電状態となり、突入電流抑制抵抗での消費電力をカットする温度スイッチＢと備え、前記温度スイッチＡの設定温度を前記温度スイッチＢの設定温度よりも低くし、前記突入電流抑制抵抗を前記温度スイッチＡと直列に接続し、温度スイッチＢは温度スイッチＡと突入電流抑制抵抗に並列に接続することを特徴とする低温時電子回路保護装置。 A temperature switch A that is connected between a power supply and a load and is energized at a set temperature or higher, an inrush current suppression resistor that suppresses an inrush current that is generated when the temperature switch A is energized, and a temperature during energization The temperature switch B is arranged near a part with a large rise , becomes energized at a temperature higher than the set temperature, and cuts power consumption at the inrush current suppression resistor. The set temperature of the temperature switch A is set to the temperature switch B. lower than the temperature, to connect the rush current suppressing resistor in the temperature switch a series, temperature switch B at low temperatures electronic circuit protection device, characterized in that connected in parallel with the inrush current suppressing resistor and the temperature switch a . 突入電流抑制抵抗がＮＴＣサーミスタであることを特徴とする請求項１に記載の低温時電子回路保護装置。 2. The low temperature electronic circuit protection device according to claim 1, wherein the inrush current suppression resistor is an NTC thermistor. 非通電状態の時に温度スイッチＡと温度スイッチＢの雰囲気温度が近くなるように配置することを特徴とする請求項１または２に記載の低温時電子回路保護装置。 3. The low-temperature electronic circuit protection device according to claim 1, wherein the temperature switch A and the temperature switch B are arranged so that the ambient temperature is close when in a non-energized state.
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