JP4617762B2 - Method for manufacturing rotation detection device - Google Patents
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Description
本発明は、磁気ベクトルの変化を磁気抵抗素子の抵抗値の変化として感知してロータの回転態様を検出する回転検出装置の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a method of manufacturing a rotation detection device that detects a rotation mode of a rotor by sensing a change in magnetic vector as a change in resistance value of a magnetoresistive element.
従来、このように磁気抵抗素子の抵抗値変化を利用して回転検出を行う回転検出装置としては、例えば特許文献1に記載された装置が知られている。図7に、この特許文献1に記載されている回転検出装置も含めて、例えばエンジンのクランク角センサ等の回転検出装置として従来一般に採用されている回転検出装置の平面構造を示す。
Conventionally, for example, a device described in
この図7に示されるように、この回転検出装置は、磁気抵抗素子MRE1およびMRE2からなる磁気抵抗素子対1と磁気抵抗素子MRE3およびMRE4からなる磁気抵抗素子対2とを備えるセンサチップ11が、被検出対象であるロータRTと対向するように配設されている。このセンサチップ11は、その処理回路とともに集積回路化され、モールド部材12により一体に樹脂モールドされている。具体的には、上記センサチップ11は、上記モールド部材12内部で図示しないリードフレームの一端に搭載され、その他端から電源端子T1、出力端子T2、およびGND(接地)端子T3といった各端子が引き出される構造となっている。
As shown in FIG. 7, this rotation detection device includes a
また、上記センサチップ11の近傍には、上記磁気抵抗素子対1および2にバイアス磁界を付与するバイアス磁石13が上記モールド部材12を囲繞するかたちで配設されている。すなわちこのバイアス磁石13は、図8にその詳細を示すように、長手方向に中空部14を備える中空円柱形状に構成され、この中空部14内に上記センサチップ11を含むモールド部材12が収容されて所定の位置で接着剤等により固定されている。なお、このバイアス磁石13としては、その成形性から、磁粉と樹脂とを混合して成形固化した磁石が一般に使用される。
In the vicinity of the
そして、こうした構成からなる回転検出装置では、上記ロータRTが回転するときに上記バイアス磁界と協働して生じる磁気ベクトルの変化が上記各磁気抵抗素子MRE1〜MRE4の抵抗値変化として感知され、その対応する電気信号が上記センサチップ11から出力される。ちなみにこの回転検出装置においては、磁気抵抗素子対1を構成する磁気抵抗素子MRE1およびMRE2と、磁気抵抗素子対2を構成する磁気抵抗素子MRE3およびMRE4とは共に、電気的にはハーフブリッジ回路を構成しており、それら各中点電位の変化が上記処理回路に与えられて、差動増幅、2値化などの各種処理が施された後、上記出力端子T2から取り出される。
ところで、上述した回転検出装置に使用されるバイアス磁石は、検出対象であるロータの形状や回転検出装置の仕様等に応じて所望とする特性(磁束密度、磁束開き角度等)が得られるようにその形状や材料等の成形条件が設定され、その設定された条件に基づき成形される。そして、こうしてバイアス磁石が成形された後、その成形されたバイアス磁石が上記所望とする特性を満たすか否かを測定し、同特性を満たす場合、すなわち良品と判断される場合に、このバイアス磁石と上記モールド部材12とが一体に組み付けられる。なお、上記所望とする特性を満たすか否かの測定は、例えば上記バイアス磁石13の中空部14内に検査用チップを挿入して磁束の開き角度を測定したり、上記バイアス磁石13の中空部14内にプローブを挿入して磁束密度を測定したりすることにより行われる。
By the way, the bias magnet used in the above-described rotation detection device can obtain desired characteristics (magnetic flux density, magnetic flux opening angle, etc.) according to the shape of the rotor to be detected, the specification of the rotation detection device, and the like. Molding conditions such as the shape and material are set, and molding is performed based on the set conditions. Then, after the bias magnet is molded in this way, it is measured whether or not the molded bias magnet satisfies the desired characteristics described above. And the
ところが、上述の成形条件を設定してバイアス磁石を成形したとしても、その成形されたバイアス磁石の示す磁界特性が上記所望とする特性からずれることがある。また近年、上記ロータの微細化や回転検出装置の高精度化などに伴い、バイアス磁石自体にも高い精度が要求されており、その公差の縮小が強く望まれている。そして、こうした実情が回転検出装置を製造するにあたっての歩留まりを低下させる要因の1つとなっている。 However, even if the above-described forming conditions are set and the bias magnet is formed, the magnetic field characteristics exhibited by the formed bias magnet may deviate from the desired characteristics. In recent years, with the miniaturization of the rotor and the high accuracy of the rotation detection device, the bias magnet itself is required to have high accuracy, and the reduction of the tolerance is strongly desired. Such a situation is one of the factors that reduce the yield in manufacturing the rotation detecting device.
本発明は、上記実情に鑑みなされたものであって、その目的は、バイアス磁石の成形精度に起因する歩留まりの低下を抑制することのできる回転検出装置の製造方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a rotation detection device that can suppress a decrease in yield due to the forming accuracy of a bias magnet.
こうした目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、長手方向に中空部を備える中空円柱形状に構成されたバイアス磁石の成形後、前記中空部に収容された磁気抵抗素子にこのバイアス磁石によって付与されるバイアス磁界の特性を測定しつつ、この磁界特性が所望の特性となるまで同バイアス磁石の長手方向の長さを縮小することによってトリミングし、このトリミングしたバイアス磁石にセンサチップを一体に組み付けることとした。
To achieve these objectives, the invention described in
こうした製造方法によれば、所望とする特性からずれた磁界特性を示すバイアス磁石が成形された場合であれ、同バイアス磁石のトリミングを通じて上記所望とする特性に合わせ込むことが可能となる。このため、回転検出装置の製造に際しても、バイアス磁石の成形精度に起因する歩留まりの低下を好適に抑制することができるようになる。 According to such a manufacturing method, even when a bias magnet having a magnetic field characteristic deviated from a desired characteristic is formed, it is possible to match the desired characteristic through trimming of the bias magnet. For this reason, also in manufacture of a rotation detection apparatus, the fall of the yield resulting from the shaping | molding precision of a bias magnet can be suppressed suitably.
そして、前記磁界特性の測定を、前記バイアス磁石から発せられる磁束の開き角度および磁束密度の測定として行うこととすれば、回転検出装置の仕様を決定するうえで重要な特性である磁束の開き角度に加えて、同じく重要な特性の1つである上記磁束密度に関しても良好な特性を示すバイアス磁石が的確に得られるようになる。また、前記バイアス磁石の磁束密度の測定を、同バイアス磁石内に挿入したプローブの出力に基づいて行うこととすれば、このプローブの出力に基づき前記バイアス磁石の磁束密度を的確かつスムーズに測定することができ、これによって的確なトリミングを行うことができるようになる。 Then , if the measurement of the magnetic field characteristic is performed as measurement of the opening angle and magnetic flux density of the magnetic flux emitted from the bias magnet, the opening angle of the magnetic flux which is an important characteristic in determining the specifications of the rotation detection device In addition, a bias magnet that exhibits good characteristics with respect to the magnetic flux density, which is also one of important characteristics, can be obtained accurately. If the magnetic flux density of the bias magnet is measured based on the output of the probe inserted into the bias magnet, the magnetic flux density of the bias magnet is accurately and smoothly measured based on the output of the probe. This makes it possible to perform accurate trimming.
さらに、請求項2に記載の発明によるように、前記バイアス磁石から発せられる磁束の開き角度の測定を、同バイアス磁石内に挿入した検査用チップの出力と、同検査用チップに対して様々な磁束の開き角度の磁界を付与して予め採取しておいた前記検査用チップの出力データとを照らし合わせることによって行うこととすれば、この検査用チップの出力に基づき上記バイアス磁石の磁束の開き角度も的確かつスムーズに測定することができ、これによってより的確なトリミングを行うことができるようになる。また、こうした請求項1または2に記載の回転検出装置の検出方法において、請求項3に記載の発明によるように、前記センサチップの近傍にて回転するロータの形状および当該回転検出装置の仕様の少なくとも一方に応じて前記重要な特性である磁束の開き角度および磁束密度を調整することとした。これにより、前記重要な特性である磁束の開き角度および磁束密度をより好適な値に調整することができるようになる。
Furthermore, as according to the invention described in
なお、これらの製造方法は、請求項4に記載の発明によるように、前記センサチップとして予め樹脂モールドされたものを用いるタイプの回転検出装置、すなわち従来例として例示したような回転検出装置の製造方法に適用して特に有効である。
In addition, according to the invention described in
以下、本発明にかかる回転検出装置の製造方法の一実施の形態について図1〜図4を参照して説明する。なお、この方法によって製造される回転検出装置は、先に述べた従来の回転検出装置と基本的に同様であるため、同じ構成要素については同じ符号を付すとともに、その詳細な説明は割愛する。 Hereinafter, an embodiment of a method for manufacturing a rotation detection device according to the present invention will be described with reference to FIGS. Since the rotation detection device manufactured by this method is basically the same as the conventional rotation detection device described above, the same components are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
図1は、バイアス磁石の成形から実際に回転検出装置の完成に至るまでの製造工程フローを示すものである。この図1に示されるように、まず工程S1では、バイアス磁石13(図8)の成形が行われる。このバイアス磁石13の成形は、上述したようにロータの形状や回転検出装置の仕様等に応じて所望とする磁界特性、本実施の形態では所望とする磁束の開き角度及び磁束密度を狙って予めその形状や材料等が設定されて成形される。なお、このバイアス磁石13の成形は、例えば金型を用いて磁粉と樹脂とを混合した磁石材料を固化させることにより行われる。
FIG. 1 shows a manufacturing process flow from forming a bias magnet to actually completing a rotation detecting device. As shown in FIG. 1, first, in step S1, the bias magnet 13 (FIG. 8) is formed. As described above, the
次に、工程S2において、先の工程S1にて成形されたバイアス磁石13の磁束の開き角度及び磁束密度を以下に示す態様で測定する。
上記磁束の開き角度の測定は、成形されたバイアス磁石13の中空部14内に検査用チップを挿入し、その検査用チップから出力される信号に基づき行われる。詳しくは、図2に示されるように、上記磁気抵抗素子対1および2に対応した磁気抵抗素子MREaおよびMREbからなる磁気抵抗素子対A1および磁気抵抗素子MREcおよびMREdからなる磁気抵抗素子対A2を有する検査用チップCを用い、この検査用チップCを上記バイアス磁石13の中空部14内に挿入する。そして、実際に上記磁気抵抗素子対1および2が配置される位置での磁束の開き角度を上記磁気抵抗素子対A1およびA2それぞれが示す電圧値VaおよびVbに基づいて測定する。なお、この測定にあたっては、予め磁気抵抗素子対A1およびA2に対して様々な磁束の開き角度の磁界を付与して各磁界ごとに示す電圧値VaおよびVbのデータを多数採取しておき、上記測定された電圧値VaおよびVbをこの採取されたデータと照らし合わせることにより行う。
Next, in step S2, the magnetic flux opening angle and magnetic flux density of the
The measurement of the opening angle of the magnetic flux is performed based on a signal output from the inspection chip by inserting the inspection chip into the
一方、上記磁束密度の測定は、成形されたバイアス磁石13の中空部14内に磁束密度測定用のプローブを挿入し、実際に上記磁気抵抗素子対1および2が配置される位置での磁束密度を測定することにより行われる。なお、この磁束密度の測定は周知のプローブを用いて行われ、そのプローブから出力される信号に基づき磁束密度が測定される。
On the other hand, the measurement of the magnetic flux density is performed by inserting a probe for measuring the magnetic flux density into the
次に、工程S3においては、先の工程S2において測定された磁束の開き角度及び磁束密度が所望とする磁束の開き角度及び磁束密度であるか否かについて判断する。ここで、先の工程S2において測定された磁束の開き角度及び磁束密度のそれぞれが所望とする磁束の開き角度及び磁束密度であると判断されるときには、工程S4に進む。そして、この工程S4において、実際に上記バイアス磁石13と上記センサチップ11がモールドされた状態にあるモールド部材12とが一体に組み付けられる。
Next, in step S3, it is determined whether or not the magnetic flux opening angle and magnetic flux density measured in the previous step S2 are the desired magnetic flux opening angle and magnetic flux density. When it is determined that the magnetic flux opening angle and the magnetic flux density measured in the previous step S2 are the desired magnetic flux opening angle and magnetic flux density, the process proceeds to step S4. In step S4, the
一方、先の工程S2において測定された磁束の開き角度及び磁束密度が所望とする磁束の開き角度及び磁束密度でないと判断されるときには工程S5に進む。そして、この工程S5において、所望とする磁束の開き角度及び磁束密度となるまでバイアス磁石13の一部をトリミングする。なお、このトリミングは、例えばレーザトリミングにより行われる。
On the other hand, when it is determined that the magnetic flux opening angle and magnetic flux density measured in the previous step S2 are not the desired magnetic flux opening angle and magnetic flux density, the process proceeds to step S5. In step S5, a part of the
ここで、バイアス磁石13のトリミングとそれによって変化する磁束の開き角度及び磁束密度との関係について説明する。なお本実施の形態では、図3に示されるように、バイアス磁石13をその長さ方向においてトリミング(同図3の斜線部がトリミング部分)することとしている。
Here, the relationship between the trimming of the
図4は、このトリミングにより変化する磁束の開き角度及び磁束密度を示すものである。この図4に示されるように、磁束の開き角度は、バイアス磁石13のトリミング量が多いほど、すなわちバイアス磁石13の長さが短くなるほど小さくなる。これは、バイアス磁石13が短くなることでN極とS極との間の距離が縮まり、N極からS極に向かう磁束が開く方向ではなく閉じる方向に作用することに起因する。このため、バイアス磁石13の長さ方向におけるトリミング量を調整することにより磁束の開き角度を所望とする磁束の開き角度に抑えることが可能である。一方、磁束密度については、バイアス磁石13のトリミング量が多いほど、すなわちバイアス磁石13の長さが短くなるほど大きくなる。このため、バイアス磁石13の長さ方向におけるトリミング量を調整することにより磁束密度を所望とする磁束密度に合わせることが可能である。
FIG. 4 shows the opening angle and magnetic flux density of the magnetic flux that change due to this trimming. As shown in FIG. 4, the opening angle of the magnetic flux becomes smaller as the trimming amount of the
そこで本実施の形態では、上記工程S5において、バイアス磁石13の長さをトリミングにより調整して、同バイアス磁石13の磁束の開き角度及び磁束密度を調整することとしている。ただし、磁束の開き角度及び磁束密度は、上述の通り相反する関係にあるため、バイアス磁石13の長さのみをもって両者を好適な値に調整することは困難なこともある。このため、検出対象であるロータの形状や回転検出装置の仕様等に応じてそれらを比較考量し、適宜好適な値にそれらを調整する。
Therefore, in the present embodiment, in the step S5, the length of the
そして、上記工程S2、S3およびS5を繰り返し行い、工程S3において磁束の開き角度及び磁束密度が上記所望とする磁束の開き角度及び磁束密度となったと判断されると、工程S4に進む。そして、磁束の開き角度等が調整されたバイアス磁石13と上記モールド部材12とが一体に組み付けられる。
The steps S2, S3 and S5 are repeated, and if it is determined in step S3 that the magnetic flux opening angle and magnetic flux density have reached the desired magnetic flux opening angle and magnetic flux density, the process proceeds to step S4. Then, the
そして、工程S6において、先の工程S4において一体に組み付けられた上記モールド部材12およびバイアス磁石13と図示しない本体ケースが一体に成形されて回転検出装置が製造される。
In step S6, the
以上説明した実施の形態によれば、以下に列記する効果が得られるようになる。
(1)成形したバイアス磁石13の磁束の開き角度及び磁束密度を測定しつつ、それらが所望とする磁束の開き角度及び磁束密度になるまでトリミングすることとした。このため、所望とする磁束の開き角度及び磁束密度からずれた特性を示すバイアス磁石13が成形された場合であれ、同バイアス磁石13のトリミングを通じて上記所望とする磁束の開き角度及び磁束密度に合わせ込むことが可能となる。このため、いわゆる不良品の発生が抑えられることとなり、回転検出装置の製造に際しても、バイアス磁石13の成形精度に起因する歩留まりの低下を好適に抑制することができるようになる。
According to the embodiment described above, the effects listed below can be obtained.
(1) While measuring the magnetic flux opening angle and magnetic flux density of the formed
(2)上記検査用チップCおよびプローブを用いて実際に磁気抵抗素子対1および2が配置される位置での磁束の開き角度及び磁束密度を測定しつつ、バイアス磁石13のトリミングを行うこととした。このため、磁束の開き角度および磁束密度を的確に測定することができ、その測定結果に基づき行われるトリミングにより、上記磁束の開き角度および磁束密度を上記所望とするものに的確に合わせ込むことができるようになる。
(2) Trimming the
(3)検査用チップCを用いた磁束の開き角度の測定にあたって、予め磁気抵抗素子対A1およびA2に対して様々な磁束の開き角度の磁界を付与して各磁界ごとに示す電圧値Va,Vbのデータを採取しておき、そのデータを参照して磁束の開き角度を測定することとした。このため、工程S2をスムーズに行うことができるようになる。 (3) When measuring the opening angle of the magnetic flux using the inspection chip C, a magnetic field having various opening angles of the magnetic flux is applied to the magnetoresistive element pairs A1 and A2 in advance, and the voltage value Va, shown for each magnetic field, Vb data was collected in advance and the magnetic flux opening angle was measured with reference to the data. For this reason, process S2 can be performed smoothly.
なお、上記実施の形態は以下のように変更して実施することもできる。
・上記実施の形態では、バイアス磁石13の長さを短くする態様で同バイアス磁石13をトリミングして磁束の開き角度及び磁束密度を調整することとしたが、例えば図5(a)〜(c)に示すような各態様でバイアス磁石13をトリミングして磁束の開き角度や磁束密度を調整してもよい。なお、これらの図においても、斜線で表す部分がトリミング部分である。すなわち、図5(a)に示すように、バイアス磁石13の上面から側面にかけてトリミングしたり、図5(b)に示すように、バイアス磁石13の上面部にV字溝等の溝を形成する態様でトリミングしたり、図5(c)に示すように、バイアス磁石13の径を縮める態様でトリミングしたりしてもよい。このように、バイアス磁石13の磁束の開き角度及び磁束密度を測定しつつトリミングするのであれば、そのトリミング態様がいかなる場合であれ、バイアス磁石13の磁束の開き角度や磁束密度といった磁界特性を所望とする特性に調整することは可能であり、これにより上記実施の形態とほぼ同等の効果を得ることができる。
In addition, the said embodiment can also be changed and implemented as follows.
In the above embodiment, the
・上記実施の形態では、モールド部材12を囲繞する態様からなるバイアス磁石13を備える回転検出装置の製造に際して本発明を適用することとしたが、図6(a)および(b)に示される回転検出装置の製造に際して本発明を適用してもよい。この図6に示す回転検出装置は、センサチップ21a及び処理回路チップ21bとバイアス磁界を発生するバイアス磁石22とがリードフレーム23の表裏にそれぞれ組み付けられ、それらがモールド部材24により一体に樹脂モールドされて構成されている。上記センサチップ21aは、上記実施の形態と同じく磁気抵抗素子MRE1〜MRE4により構成される磁気抵抗素子対1および2を備えて構成されている。また、上記処理回路チップ21bは、上記センサチップ21aと配線25aを介して電気的に接続されており、センサチップ21aから出力される電気信号の差動増幅、2値化等の信号処理を行うものである。上記バイアス磁石22は、直方体形状からなり、上記センサチップ21aに近い側がN極、その反対側がS極に着磁されている。そして、この回転検出装置では、上記センサチップ21aからの信号が上記処理回路チップ21bにおいて差動増幅や2値化などの処理が施された後、その信号が配線25bを介して端子TaおよびTbから取り出されるようになっている。なお、この回転検出装置では、バイアス磁石22が上記実施の形態と異なり直方体形状からなっているものの、そのトリミングによって上記磁束の開き角度や磁束密度を調整することは可能である。すなわち、このようなタイプの回転検出装置にも本発明の適用は可能であり、上記実施の形態と同等の効果を得ることができる。また、図示は割愛するが、例えばU字型のバイアス磁石にセンサチップを直接取り付けるタイプの回転検出装置にも、この発明は同様に適用可能である。
In the above embodiment, the present invention is applied in the manufacture of the rotation detection device including the
・上記実施の形態では、バイアス磁石13の磁束の開き角度を測定する検査用チップとして磁気抵抗素子対A1およびA2を有する検査用チップCを用いていたが、この磁気抵抗素子対A1およびA2に代えて、例えばホール素子を有する検査用チップを用いて磁束の開き角度を測定してもよい。すなわち、上記磁気抵抗素子対1および2が配置される位置での磁束の開き角度が測定できるものであれば、検査用チップとしては他の構成からなるものを採用してもよい。また、必ずしも上記磁気抵抗素子対1および2が配置される位置での磁束の開き角度を測定する必要はなく、それらと異なる位置での磁束の開き角度を測定して上記位置での磁束の開き角度を推定するようにしてもよい。これは磁束密度を測定する際にも同様である。
In the above embodiment, the inspection chip C having the magnetoresistive element pairs A1 and A2 is used as the inspection chip for measuring the opening angle of the magnetic flux of the
・上記実施の形態では、バイアス磁石13の磁界特性として磁束の開き角度及び磁束密度をトリミングにより調整することとしたが、他の磁界特性をトリミングにより調整することも可能である。また、単に成形したバイアス磁石の寸法が設計寸法と異なるような場合にトリミングにより上記設計寸法に合わることもできる。
In the above embodiment, the magnetic flux opening angle and magnetic flux density are adjusted by trimming as the magnetic field characteristics of the
1,2…磁気抵抗素子対、11…センサチップ、12…モールド部材、13…バイアス磁石、14…中空部、21a…センサチップ、21b…処理回路チップ、22…バイアス磁石、23…リードフレーム、24…モールド部材、25a…配線、25b…配線、C…検査用チップ、MRE1〜MRE4…磁気抵抗素子、T1…電源端子、T2…出力端子、T3…接地(GND)端子、RT…ロータ、Ta,Tb…端子。
DESCRIPTION OF
Claims (4)
前記バイアス磁石の成形後、前記中空部に検査用チップを挿入して前記磁気抵抗素子が配設される位置での同バイアス磁石から発せられる磁束の開き角度を測定するとともに、同じく前記中空部に磁束密度測定用のプローブを挿入して前記バイアス磁石から発せられる前記磁気抵抗素子が配設される位置での磁束密度を測定しつつ、これら測定される磁束の開き角度および磁束密度の値が所望の値となるまで同バイアス磁石の長手方向の長さをトリミングによって縮小する工程と、このトリミングしたバイアス磁石に前記センサチップを一体に組み付ける工程とを備える
ことを特徴とする回転検出装置の製造方法。 A bias magnet that is configured in a hollow cylindrical shape with a hollow portion in the longitudinal direction, and a sensor chip having a magnetoresistive element that is accommodated in the hollow portion bias magnetic field by the bias magnet is applied, the sensor chip For detecting a rotation mode of the rotor by detecting a change in the magnetic vector generated in cooperation with the bias magnetic field as a change in the resistance value of the magnetoresistive element when the rotor rotates in the vicinity of the rotor Because
After forming the bias magnet, an inspection chip is inserted into the hollow portion to measure the opening angle of the magnetic flux emitted from the bias magnet at the position where the magnetoresistive element is disposed. While measuring the magnetic flux density at the position where the magnetoresistive element emitted from the bias magnet is inserted by inserting a probe for measuring the magnetic flux density, the opening angle of the magnetic flux and the value of the magnetic flux density to be measured are desired. And a step of reducing the length of the bias magnet in the longitudinal direction by trimming until the value reaches the value of the above, and a step of assembling the sensor chip integrally with the trimmed bias magnet. .
請求項1に記載の回転検出装置の製造方法。 The magnetic flux opening angle is measured in advance by applying a signal output from the inspection chip inserted into the hollow portion and a magnetic field having various magnetic flux opening angles to the inspection chip. The method of manufacturing a rotation detecting device according to claim 1, wherein the rotation detecting device is performed by comparing output data of the inspection chip with respect to each of the magnetic fields .
請求項1または2に記載の回転検出装置の製造方法。 Method of manufacturing a rotation detecting device according to claim 1 or 2 that adjust the desired value in accordance with at least one of the shape and specifications of the rotation detecting device of the rotor.
請求項1〜3のいずれか一項に記載の回転検出装置の製造方法。 Method of manufacturing a rotation detecting device according to claim 1 to 3 any one of Ru with those previously resin mold as the sensor chip.
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