JP4583880B2 - Exhaust gas treatment method and treatment apparatus - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 102
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims description 223
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 68
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 42
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 38
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 31
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 claims description 29
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- -1 fluorine ions Chemical class 0.000 claims description 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 253
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 16
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 10
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 9
- 239000002912 waste gas Substances 0.000 description 9
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229940070337 ammonium silicofluoride Drugs 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 3
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 3
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229940043430 calcium compound Drugs 0.000 description 2
- 150000001674 calcium compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 2
- 239000000567 combustion gas Substances 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000001784 detoxification Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 229910015475 FeF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000008234 soft water Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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- Incineration Of Waste (AREA)
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Description
本発明は、排ガスの処理方法およびそれに用いる装置に関し、例えば、半導体や液晶ディスプレイのモジュールの製造工程ないしは成膜工程で使用される排ガスを除害化するのに有効な方法及び装置に関する。 The present invention relates to an exhaust gas treatment method and an apparatus used therefor, and more particularly, to an effective method and apparatus for detoxifying exhaust gas used in a manufacturing process or a film forming process of a semiconductor or liquid crystal display module.
従来、半導体や液晶ディスプレイのモジュールの成膜工程で使用されるガスとしては、例えば、成膜用のシラン(SiH4)及びアンモニア(NH3)、クリーニング用のフッ素系ガスがある。シランやアンモニア等の成膜ガス(可燃系ガスともいう。)は、例えば、チャンバー内においてプラズマ放電されることによって、基板上にSi膜やSiN膜を形成し、クリーニング用のNF3等のフッ素系ガス(支燃系ガスともいう。)は、チャンバー内に残留するSiをSiF4として系外へ放出することができる。 Conventionally, examples of gases used in a film forming process of a semiconductor or liquid crystal display module include silane (SiH 4 ) and ammonia (NH 3 ) for film formation, and a fluorine-based gas for cleaning. A film forming gas such as silane or ammonia (also referred to as a combustible gas) is, for example, plasma-discharged in a chamber to form a Si film or SiN film on the substrate, and fluorine such as NF 3 for cleaning. The system gas (also referred to as a combustion-supporting gas) can release Si remaining in the chamber out of the system as SiF 4 .
このような成膜ガスやクリーニングガスを含む排ガス(成膜系排ガス)は、従来、図6に示すように、成膜装置の後段に備えられる、燃焼式除害手段、洗浄式集塵手段によって順に処理されている。燃焼式除害手段の前段であって真空ポンプを備えた真空ボックスの直後には、クリーニング排ガスからSiF4を除去する手段が備えられることも多い。SiF4除去手段は、真空ポンプからのガス排出口付近に備えられ、排ガスに水分を補給して、SiF4をSi,F,NH3から生成される(NH4)2SiF6として固形化し、固液分離することにより、SiF4を排ガス系から排除するものである。排ガスの燃焼式除害手段では、可燃系ガスや支燃系ガスを燃焼により酸化してそれぞれ式(1)〜(3)に示すような化学反応を生じさせるようにする。
SiH4+2O2→SiO2+2H2O・・・・・・・・・(1)
4NH3+7O2→4NO2+6H2O・・・・・・・・・(2)
2NF3+2O2→2NO2+3F2・・・・・・・・・・(3)
さらに、洗浄式集塵手段では、この燃焼ガスをアルカリを添加した水により中和洗浄しつつ集塵することにより、SiO2を捕集するとともに、酸性成分(NO2やF2)を廃液として分離するようになっている。
As shown in FIG. 6, conventionally, the exhaust gas containing the film forming gas and the cleaning gas (film forming exhaust gas) is provided by a combustion type abatement means and a cleaning type dust collecting means provided at the subsequent stage of the film forming apparatus. It is processed in order. A means for removing SiF 4 from the cleaning exhaust gas is often provided immediately before the combustion type abatement means and immediately after the vacuum box provided with a vacuum pump. SiF 4 removal means is provided in the vicinity of the gas outlet from the vacuum pump, and hydrate the exhaust gas, and solidifying SiF 4 Si, F, as is produced from NH 3 (NH 4) 2 SiF 6, By performing solid-liquid separation, SiF 4 is excluded from the exhaust gas system. In the exhaust gas combustion type abatement means, the combustible gas or the combustion support gas is oxidized by combustion to cause chemical reactions as shown in the formulas (1) to (3), respectively.
SiH 4 + 2O 2 → SiO 2 + 2H 2 O (1)
4NH 3 + 7O 2 → 4NO 2 + 6H 2 O (2)
2NF 3 + 2O 2 → 2NO 2 + 3F 2 (3)
Furthermore, in the cleaning type dust collecting means, the combustion gas is collected while neutralizing and cleaning with alkali-added water to collect SiO 2 and to collect acidic components (NO 2 and F 2 ) as waste liquid. It comes to separate.
しかしながら、従来、成膜装置後段の特に真空ポンプの後段の除害手段に至る配管内に、意図せずして、Si,F,NH3が反応して得られる生成物が析出し、配管内を閉塞させるという問題があった。また、前記SiO2捕集手段やそれ以降の配管の他、洗浄式集塵手段やその後段の配管において析出物が生成し、配管の閉塞や洗浄装置内での目詰まりを起こしていた。このため、頻繁に洗浄式集塵手段の洗浄や配管洗浄などを要していた。また、これらの析出物は、フッ酸でないと洗浄できないため安全に留意する必要があった。さらに、かかる洗浄などのメインテナンス作業のために工程の稼働率が低下するという問題も生じていた。この問題を解決するために、本願出願人は、燃焼式除害工程から排出されるSi含有粉塵を除塵する除塵工程を新たに設けるという技術および析出物が析出しない温度で排ガスを燃焼式除害工程に導入する技術を開発し、別途特許出願している(特許文献1参照)。
しかしながら、排ガスを加温して析出物が析出しないようにした場合、フッ素ラジカルもしくはフッ素イオンと、系内に存在するフッ化反応の反応性の高い成分が、ある温度以上で反応し、この反応は発熱反応であるため、ヒーターの設定温度以上に配管が高温になり、警報装置が作動することがある。例えば、ケイフッ化アンモニウムの昇華温度が137℃であるから、伝熱、放熱を考慮し、ヒーターの設定温度を185℃に設定した場合、210℃に設定した高温警報装置が作動する場合がある。また、高温発生後の加温部の配管内には、配管材成分との反応によるフッ化物が付着しており、より高温である箇所の付着量が多く、配管自体の浸食も見られ、配管の薄肉化が懸念される。そこで、本発明の目的は、成膜系排ガスを排ガス処理装置に導入する場合、析出物付着による閉塞防止の本来の目的が達成でき、配管が必要以上に高温になるのを防止可能で、かつ、途中配管の薄肉化防止および管材との反応によるフッ化物析出による配管の閉塞防止が可能な排ガス処理方法および排ガス処理装置を提供することである。 However, when the exhaust gas is heated to prevent precipitation, the fluorine radicals or fluorine ions react with the highly reactive components of the fluorination reaction present in the system at a certain temperature or higher. Since this is an exothermic reaction, the piping may become hotter than the set temperature of the heater, and the alarm device may be activated. For example, since the sublimation temperature of ammonium silicofluoride is 137 ° C., in consideration of heat transfer and heat dissipation, when the heater set temperature is set to 185 ° C., the high temperature alarm device set to 210 ° C. may operate. In addition, in the piping of the heating section after the occurrence of high temperature, fluorides from the reaction with the piping material components are attached, and there is a large amount of adhesion at higher temperatures, erosion of the piping itself is also seen, There is concern about the thinning of the wall. Therefore, the purpose of the present invention is to achieve the original purpose of preventing clogging due to deposit adhesion when introducing a film-forming exhaust gas into an exhaust gas treatment device, and preventing the piping from becoming unnecessarily hot, and It is another object of the present invention to provide an exhaust gas treatment method and an exhaust gas treatment device capable of preventing the pipe from being thinned and preventing the pipe from being blocked by the precipitation of fluoride due to the reaction with the pipe material.
前記目的を達成するために、本発明の排ガス処理方法は、Si成分を含有する成膜系排ガスの処理方法であって、前記排ガスは、真空ポンプによって管を通じて排ガス処理工程に導入され、前記管の途中には逆止弁が設けられており、前記管において、少なくとも前記真空ポンプから前記排ガス処理工程の間が、加温手段により、前記排ガスから析出物が析出しない温度に維持されており、前記加温手段の設定温度を130〜180℃の範囲にするという構成をとる。 In order to achieve the above object, an exhaust gas treatment method of the present invention is a method for treating a film-forming exhaust gas containing a Si component, wherein the exhaust gas is introduced into an exhaust gas treatment process through a pipe by a vacuum pump, and the pipe A check valve is provided in the middle of the pipe, and at least during the exhaust gas treatment step from the vacuum pump in the pipe, the temperature is maintained by the heating means at a temperature at which precipitates do not precipitate from the exhaust gas, The setting temperature of the heating means is in the range of 130 to 180 ° C.
また、本発明の排ガス処理装置は、Si成分を含有する成膜系排ガスの処理装置であって、加温手段と、排ガス処理手段と、前記排ガスを前記排ガス処理手段に導入するための真空ポンプを有し、前記真空ポンプと前記排ガス処理手段は、その途中に逆止弁が設けられた管によって連結され、前記管において、少なくとも前記真空ポンプから前記排ガス処理手段の間が、前記加温手段により、前記排ガスから析出物が析出しない温度に維持されており、前記加温手段の設定温度が130〜180℃の範囲であるという構成である。 The exhaust gas treatment apparatus of the present invention is a film-formation exhaust gas treatment apparatus containing a Si component, and is a heating means, an exhaust gas treatment means, and a vacuum pump for introducing the exhaust gas into the exhaust gas treatment means. The vacuum pump and the exhaust gas treatment means are connected by a pipe provided with a check valve in the middle thereof, and in the pipe, at least the space between the vacuum pump and the exhaust gas treatment means is the heating means. Thus, the temperature is maintained at a temperature at which no precipitate is deposited from the exhaust gas, and the set temperature of the heating means is in the range of 130 to 180 ° C.
本発明者等は、前記課題を解決するために、一連の研究を重ねた。その結果、前記真空ポンプから排ガス処理工程(手段)までの配管(管)において、前記加温手段の設定温度を130〜180℃の範囲にして加温すれば、析出物付着による閉塞防止の本来の目的が達成でき、かつ、異常高温になること、腐食性物質の生成による途中配管の薄肉化および管材との反応によるフッ化物析出による配管の閉塞を防止できることを見出し、本発明を完成するに至った。 The present inventors have made a series of studies in order to solve the above problems. As a result, in the pipe (pipe) from the vacuum pump to the exhaust gas treatment step (means), if the heating means is set at a temperature in the range of 130 to 180 ° C., the original prevention of clogging due to deposit adhesion is achieved. In order to complete the present invention, the object of the present invention can be achieved, and the pipe can be prevented from becoming clogged due to fluoride precipitation due to the reaction with the pipe material and the thinning of the pipe due to the generation of corrosive substances. It came.
後述のように、本発明の排ガス処理方法および装置において、前記逆止弁の少なくとも弁体をフッ素樹脂製にすれば、前記加温手段の設定温度は、前記130℃〜180℃に代えて、130〜190℃とすることができる。 As will be described later, in the exhaust gas treatment method and apparatus of the present invention, if at least the valve body of the check valve is made of a fluororesin, the set temperature of the heating means is changed from 130 ° C to 180 ° C, It can be 130-190 degreeC.
本発明の排ガス処理方法において、前記加温手段が、前記管に設けられたヒーターであることが好ましい。前記管に設けられたヒーターの構成は、特に制限されないが、例えば、電気式のヒーターを前記管にらせん状に巻いて、その上を保温材で覆った構成等が挙げられる。前記電気式のヒーターとしては、例えば、シースヒーター、テープヒーター等がある。なお、前記管に設けられたヒーターの構成を、ジャケット方式(前記管の形状に合わせたマントル状若しくはパイプ状のヒーターと保温材とを層状に一体化させ、結合部をファスナー、クリップ等で脱着容易とした構成)にすれば、更に施工、メインテナンス性を向上させることができる。また、前記加温手段は、前記管にホットガスを導入する手段であってもよい。ホットガスとしては、例えば、加温した窒素ガス等がある。前記ホットガスを用いることで、腐食ガスが希釈されることにより、さらに管の腐食を防止することができる。また、配管内部から排ガスを加温できるため、配管内壁面を必要以上に加温することなく、内壁面のフッ化反応を抑えることができ、これによっても、管の腐食を防止でき、その結果、管の薄肉化を防止できる。このように、不活性なホットガスを導入することは反応性を低下させる意味で有効である。 In the exhaust gas treatment method of the present invention, it is preferable that the heating means is a heater provided in the pipe. Although the structure of the heater provided in the said pipe | tube is not restrict | limited in particular, For example, the structure etc. which wound the electric heater spirally around the said pipe | tube, and covered it with the heat insulating material etc. are mentioned. Examples of the electric heater include a sheath heater and a tape heater. In addition, the structure of the heater provided in the tube is a jacket system (mantle or pipe-shaped heater and heat insulating material matched to the shape of the tube are integrated in a layered manner, and the joint is removed with a fastener, clip, etc. If the configuration is simplified, construction and maintenance can be further improved. Further, the heating means may be means for introducing hot gas into the pipe. An example of the hot gas is a heated nitrogen gas. By using the hot gas, the corrosion gas is diluted, thereby further preventing the corrosion of the pipe. In addition, since exhaust gas can be heated from the inside of the pipe, the fluorination reaction of the inner wall surface can be suppressed without heating the inner wall surface of the pipe more than necessary, which also prevents the pipe from corroding. , Can prevent the thinning of the tube. Thus, introducing an inert hot gas is effective in reducing the reactivity.
本発明の排ガス処理方法において、前記真空ポンプの前に、フッ素ラジカルおよびフッ素イオンの少なくとも一方を吸収するフィルターを設け、前記排ガス中のフッ素ラジカルおよびフッ素イオンの少なくとも一方を吸収除去することが好ましい。これは、クリーニングガスに含まれるフッ素ラジカルやフッ素イオンと、配管材料中の金属イオンとが反応して、フッ化物である、FeF2,CrF2,NiF2等の生成を、フッ素成分を除去することで防止するためである。これにより、より確実に、途中配管の薄肉化防止および管材との反応によるフッ化物析出による配管の閉塞防止が可能となる。前記吸収フィルターとしては、例えば、Si化合物などで形成されたハニカム状フィルターにカルシウム化合物を蒸着若しくは含浸させたものが有効である。このフィルターにおいて、フィルター内のカルシウム化合物が排ガス中の前記フッ素ラジカルおよびフッ素イオンの少なくとも一方と反応することにより、後段に流れていくことを防ぐ、若しくは、後段に流れていく量を低減することができ、後段の配管に対する悪影響を防ぐことが可能となる。また、反応後のフィルター交換を考慮して、二系統化し、容易に配管切替でフィルター交換を可能とすることも有効である。 In the exhaust gas treatment method of the present invention, it is preferable that a filter that absorbs at least one of fluorine radicals and fluorine ions is provided before the vacuum pump to absorb and remove at least one of fluorine radicals and fluorine ions in the exhaust gas. This is because fluorine radicals and fluorine ions contained in the cleaning gas react with metal ions in the piping material to remove the fluorine components from the production of fluorides such as FeF 2 , CrF 2 , and NiF 2. This is to prevent it. Thereby, it becomes possible to prevent the pipe from being thinned and to prevent the pipe from being blocked due to the precipitation of fluoride due to the reaction with the pipe material. As the absorption filter, for example, a honeycomb filter formed of a Si compound or the like is vapor-deposited or impregnated with a calcium compound is effective. In this filter, the calcium compound in the filter reacts with at least one of the fluorine radicals and fluorine ions in the exhaust gas, so that it can be prevented from flowing downstream or the amount flowing downstream can be reduced. It is possible to prevent adverse effects on the downstream piping. In consideration of filter replacement after the reaction, it is also effective to make two systems and easily perform filter replacement by switching pipes.
本発明の排ガス処理方法において、前記逆止弁は、少なくとも弁体がフッ素樹脂製であることが好ましい。フッ素樹脂製とすることで、逆止弁の使用材料のフッ化反応が抑制でき、温度上昇が低減され、その劣化を防ぐことができる。したがって、加温手段の設定温度を、例えば、190℃としても、異常高温を防止でき、かつ管の薄肉化および管材との反応によるフッ化物の析出も防止できる。したがって、前記逆止弁の少なくとも弁体をフッ素樹脂製とした場合の加温手段の設定温度は、130〜190℃の範囲となる。前記フッ素樹脂としては、特に制限されないが、例えば、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)などが挙げられる。特に制限するものではないが、前記逆止弁として、ボールチャッキ弁を用いてもよい。また、弁全体をフッ素樹脂製としてもよい。 In the exhaust gas treatment method of the present invention, it is preferable that at least the valve body of the check valve is made of a fluororesin. By using the fluororesin, the fluorination reaction of the check valve material can be suppressed, the temperature rise can be reduced, and the deterioration thereof can be prevented. Therefore, even if the set temperature of the heating means is, for example, 190 ° C., an abnormally high temperature can be prevented, and precipitation of fluoride due to thinning of the tube and reaction with the tube material can also be prevented. Therefore, the set temperature of the heating means when at least the valve body of the check valve is made of fluororesin is in the range of 130 to 190 ° C. The fluororesin is not particularly limited, and examples thereof include polytetrafluoroethylene (PTFE). Although not particularly limited, a ball check valve may be used as the check valve. The entire valve may be made of a fluororesin.
本発明の排ガス処理方法において、前記管の温度および圧力を測定することが好ましい。例えば、前記逆止弁前の最高温度および前記真空ポンプ直後の最低温度の少なくとも一方を、前記管の中および外表面の少なくとも一方で測定することにより、高温警報装置の作動前に温度上昇を把握することができ、早めに対策を取ることができるようになる。また、前記温度上昇の発生と、排ガスの種類や圧力との相関を把握でき、温度上昇の原因解明も容易となる。そして、例えば、前記逆止弁前後の管内の圧力を測定することにより、弁の作動状態を把握できる。 In the exhaust gas treatment method of the present invention, it is preferable to measure the temperature and pressure of the pipe. For example, by measuring at least one of the maximum temperature before the check valve and the minimum temperature immediately after the vacuum pump at least one of the inside and the outer surface of the tube, the temperature rise can be grasped before the operation of the high temperature alarm device. You will be able to take measures as soon as possible. Further, the correlation between the occurrence of the temperature rise and the type and pressure of the exhaust gas can be grasped, and the cause of the temperature rise can be easily clarified. For example, the operating state of the valve can be grasped by measuring the pressure in the pipe before and after the check valve.
本発明の排ガス処理方法において、前記排ガス処理工程によって生成した排ガスから、Si含有粉塵を除塵する除塵工程と、除塵した排ガスを水性洗浄する洗浄工程とを備えることが好ましい。前記除塵工程では、除塵手段としてバグフィルターを用いることが好ましい。前記バグフィルターの粉塵払い落とし工程において、フィルターに対して圧縮ガスを供給すると同時に、フィルターの外部に対して、フィルター表面近傍から粉塵排出側を指向するガス流を付与することが好ましい。前記除塵工程には、少なくともm台(mは3以上の整数である。)の除塵手段を備えるようにし、それぞれの除塵手段は、少なくとも1台の除塵手段で粉塵払い落とし工程を実施し、最大で(m−1)台の除塵手段で集塵工程を実施するように切替使用することが好ましい。前記除塵工程で除塵されたガスを、当該ガスの排出圧力に応じた風量で排出することが好ましい。 The exhaust gas treatment method of the present invention preferably includes a dust removal step for removing Si-containing dust from the exhaust gas generated by the exhaust gas treatment step, and a cleaning step for aqueous cleaning of the dust exhaust gas. In the dust removing step, it is preferable to use a bag filter as dust removing means. In the dust removal process of the bag filter, it is preferable that a compressed gas is supplied to the filter and, at the same time, a gas flow directed from the vicinity of the filter surface to the dust discharge side is applied to the outside of the filter. The dust removal process includes at least m (m is an integer of 3 or more) dust removal means, and each dust removal means implements a dust removal process with at least one dust removal means. It is preferable to switch and use so that the dust collecting process is performed with (m-1) dust removing means. It is preferable that the gas removed in the dust removal step is discharged with an air volume corresponding to the discharge pressure of the gas.
本発明の排ガス処理方法において、前記洗浄工程で洗浄用に導入される水は、純水〜硬度0の水を用いることが好ましい。このような水を使用すれば、その後の工程でSi含有析出物の析出を防止できる。 In the exhaust gas treatment method of the present invention, it is preferable to use pure water to water having a hardness of 0 as water introduced for washing in the washing step. If such water is used, precipitation of Si-containing precipitates can be prevented in subsequent steps.
本発明の排ガス処理装置において、前記加温手段が、前記管に設けられたヒーターであることが好ましい。前記管に設けられたヒーターの構成としては、前述のとおりである。また、前記加温手段は、前記管にホットガスを導入する手段であってもよい。ホットガスとしては、例えば、加温した窒素ガス等がある。前記ホットガスを用いることで、腐食ガスが希釈されることにより、さらに管の腐食を防止することができる。また、配管内部から排ガスを加温できるため、配管内壁面を必要以上に加温させることなく、内壁面のフッ化反応を抑えることができ、これによっても、管の腐食を防止でき、その結果、管の薄肉化を防止できる。このように、不活性なホットガスを導入することは反応性を低下させる意味で有効である。 In the exhaust gas treatment apparatus of the present invention, it is preferable that the heating means is a heater provided in the pipe. The configuration of the heater provided in the tube is as described above. Further, the heating means may be means for introducing hot gas into the pipe. An example of the hot gas is a heated nitrogen gas. By using the hot gas, the corrosion gas is diluted, thereby further preventing the corrosion of the pipe. In addition, because exhaust gas can be heated from inside the pipe, the fluorination reaction on the inner wall surface can be suppressed without heating the inner wall surface of the pipe more than necessary, which also prevents the pipe from corroding. , Can prevent the thinning of the tube. Thus, introducing an inert hot gas is effective in reducing the reactivity.
本発明の排ガス処理装置において、前述と同様の理由から、前記真空ポンプの前に、フッ素ラジカルおよびフッ素イオンの少なくとも一方を吸収するフィルターを有し、前記排ガス中のフッ素ラジカルおよびフッ素イオンの少なくとも一方を吸収除去することが好ましい。 In the exhaust gas treatment apparatus of the present invention, for the same reason as described above, it has a filter that absorbs at least one of fluorine radicals and fluorine ions before the vacuum pump, and at least one of fluorine radicals and fluorine ions in the exhaust gas. Is preferably absorbed and removed.
本発明の排ガス処理装置において、前述と同様の理由から、前記逆止弁は、少なくとも弁体がフッ素樹脂製であることが好ましい。また、この場合の加温手段の設定温度は、130〜190℃の範囲となる。 In the exhaust gas treatment apparatus of the present invention, for the same reason as described above, it is preferable that at least the valve body of the check valve is made of a fluororesin. Moreover, the preset temperature of the heating means in this case is in the range of 130 to 190 ° C.
本発明の排ガス処理装置において、前述と同様の理由から、前記管の温度および圧力を測定する測定手段を有することが好ましい。 In the exhaust gas treatment apparatus of the present invention, it is preferable to have a measuring means for measuring the temperature and pressure of the pipe for the same reason as described above.
本発明の排ガス処理装置において、前記排ガス処理手段によって生成した排ガスからSi含有粉塵を除塵する除塵手段と、除塵した排ガスを水性洗浄する洗浄手段とを備えることが好ましい。前記除塵手段は、バグフィルターが好ましい。前記バグフィルターの粉塵払い落とし手段をさらに有し、前記粉塵払い落とし手段として、フィルターに対して圧縮ガスを供給すると同時に、フィルターの外部に対して、フィルター表面近傍から粉塵排出側を指向するガス流を付与するガス導入手段を備えることが好ましい。前記除塵手段は、少なくともm台(mは3以上の整数である。)の除塵手段を備え、それぞれの除塵手段は、少なくとも1台の除塵手段で粉塵払い落とし工程を実施し、最大で(m−1)台の除塵手段で集塵工程を実施するように切替可能に設けられていることが好ましい。前記除塵手段から排出されるガスの圧力に応じて風量を変量可能な排気手段を備えることが好ましい。 The exhaust gas treatment apparatus of the present invention preferably includes dust removal means for removing Si-containing dust from the exhaust gas generated by the exhaust gas treatment means, and cleaning means for aqueous cleaning of the dust exhaust gas. The dust removing means is preferably a bag filter. The bag filter further includes dust removal means, and as the dust removal means, the compressed gas is supplied to the filter, and at the same time, the gas flow directed from the vicinity of the filter surface to the dust discharge side to the outside of the filter. It is preferable to provide a gas introduction means for imparting. The dust removing means includes at least m (m is an integer of 3 or more) dust removing means, and each dust removing means performs a dust removal process with at least one dust removing means, and at most (m -1) It is preferable to be provided so as to be switchable so that the dust collecting process is performed by the dust removing means of the table. It is preferable to provide exhaust means capable of changing the air volume according to the pressure of the gas discharged from the dust removing means.
本発明の排ガス処理装置において、前述と同様の理由から、前記洗浄手段で洗浄用に導入される水として、純水〜硬度0の水を用いることが好ましい。 In the exhaust gas treatment apparatus of the present invention, for the same reason as described above, it is preferable to use pure water to water having a hardness of 0 as the water introduced for cleaning by the cleaning means.
つぎに、本発明について、さらに詳しく説明する。本発明の排ガス処理方法及び装置は、Si成分含有成膜系排ガスに適用することができる。通常、このような排ガスは、半導体あるいは液晶モジュールの製造工程ないし装置、特に、成膜工程ないし装置において発生するものであり、本発明の方法及び装置はこのような工程ないし装置に適用されることが好ましい。特に、成膜工程においても、CVD、プラズマCVD等の気相蒸着工程ないし装置で発生する排ガスに適用することが好ましい。 Next, the present invention will be described in more detail. The exhaust gas treatment method and apparatus of the present invention can be applied to Si component-containing film-forming exhaust gas. Usually, such exhaust gas is generated in a manufacturing process or apparatus of a semiconductor or liquid crystal module, particularly in a film forming process or apparatus, and the method and apparatus of the present invention is applied to such a process or apparatus. Is preferred. In particular, also in the film forming process, it is preferably applied to a gas phase deposition process such as CVD or plasma CVD or exhaust gas generated in an apparatus.
本発明の排ガス処理方法および装置は、排ガス処理工程(手段)に排ガスを導入する際に、前記排ガスにおいて析出物が析出しないように加温するが、その際の加温手段の設定温度を130〜180℃の範囲(前記逆止弁の少なくとも弁体がフッ素樹脂製の場合は、130〜190℃の範囲)に設定することがポイントである。この設定温度の好ましい範囲は、前記加温手段が前記管に設けられたヒーターである場合には、例えば、165〜180℃の範囲(前記逆止弁の少なくとも弁体がフッ素樹脂製の場合は、165〜190℃の範囲)であり、前記加温手段が前記管にホットガスを導入する手段である場合には、例えば、130〜165℃である。なお、より最適な条件は、導入ホットガス量(希釈倍率)と導入ホットガス温度(排ガスとの温度差)で更に絞り込んで見出すことは可能である。以下に、本発明の実施例について説明するが、本発明は、これらの実施例に限定されない。 In the exhaust gas treatment method and apparatus of the present invention, when introducing exhaust gas into the exhaust gas treatment step (means), the exhaust gas is heated so that precipitates do not precipitate. The point is to set the temperature within a range of ˜180 ° C. (when at least the valve body of the check valve is made of fluororesin, a range of 130 ° C. to 190 ° C.). A preferable range of this set temperature is, for example, a range of 165 to 180 ° C. (when at least the valve body of the check valve is made of a fluororesin) when the heating means is a heater provided in the pipe. When the heating means is means for introducing hot gas into the pipe, the temperature is, for example, 130 to 165 ° C. More optimal conditions can be found by further narrowing down the amount of hot gas introduced (dilution ratio) and the hot gas temperature introduced (temperature difference from the exhaust gas). Examples of the present invention will be described below, but the present invention is not limited to these examples.
本発明の一例(実施例1)について、図1に基づいて説明する。図1に示すように、この装置では、排ガス処理手段105と、これに排ガスを導入するための真空ポンプ(V/P)102と、前記両者を連結する管103と、前記管を加温するヒーター109とを主要構成要素とする。前記管103は、その途中に逆止弁104が配置されており、前記真空ポンプ102と前記排ガス処理手段105との間が、ヒーター109で加温可能になっている。前述のように、特に制限するものではないが、前記逆止弁104として、ボールチャッキ弁を用いてもよい。また、前述のように、前記管を加温するヒーター109の構成としては、例えば、電気式のヒーターを前記管にらせん状に巻いて、その上を保温材で覆った構成等が挙げられる。なお、前述のように、前記管を加温するヒーター109の構成を、ジャケット方式(前記管の形状に合わせたマントル状若しくはパイプ状のヒーターと保温材とを層状に一体化させ、結合部をファスナー、クリップ等で脱着容易とした構成)にすれば、更に施工、メインテナンス性を向上させることができる。前述の、真空ポンプ102、管103、ヒーター109および逆止弁104は、真空ボックス101内に収容されている。そして、成膜装置(プロセスチャンバー(P/C))107が、配管によって真空ポンプ102に連結している。図において、矢印106は、クリーニングガス、成膜ガス等のガスを示す。また、図示していないが、この装置には、高温警報装置が設置されており、例えば、210℃に設定されている。この装置において、成膜装置107に導入されたクリーニングガス等は、所定の工程を経た後、排ガスとして真空ポンプ102に導入される。真空ポンプ102に導入の際の排ガスは、常温であることが好ましいが、析出物が析出しない温度(例えば150℃以上)を維持するように加温してもよい。そして、真空ポンプ102により、管103を通して、排ガス処理手段105に導入され、ここで処理される。この時、排ガス中で析出物が析出しないように、ヒーター109により一定の温度に加温されるが、このときのヒーター109の設定温度は165〜180℃の範囲である。この温度であれば、少なくとも真空ポンプ102と排ガス処理手段105との間の管103において、析出物が析出することなく、かつ管が高温になって高温警報装置が作動することを防止することができる。予測される析出物は、排ガス成分や、クリーニングガスによっても異なるが、Si膜生成において発生するSi成分含有成膜系排ガスの場合には、典型的にはケイフッ化化合物である。特に、可燃系ガスとしてシラン、アンモニアが使用され、支燃系ガスとしてNF3等のフッ素系ガスが使用される場合には、ケイフッ化アンモニウム((NH4)2SiF6)が予測される。ケイフッ化アンモニウムの析出(昇華)温度は、137℃であるため、これを超える温度に管103内を維持することにより、本化合物の析出を回避する。この場合、ヒーターの設定温度を165〜180℃にすれば、管103内の温度を130〜160℃とすることができ、析出物の析出を防止でき、かつ異常高温になることを防止できる。また、さらに、系内の逆止弁の少なくとも弁体をフッ素樹脂製にすることで、逆止弁のフッ化反応を抑制でき、ヒーターの設定温度を165〜190℃でも異常高温に至ることを防止できる等、本発明の目的を達成することが可能となる。なお、図示していないが、管103は、保温材で被覆することが好ましい。また、排ガス処理手段の構成には、例えば、後述の酸化燃焼装置などの燃焼式除害手段がある。なお、本化合物の反応は、Si,F,NH3等で起こり、昇華温度以下においても、反応性ガスをいかに停滞せずに送れるかも一つの析出物防止の要素となる。
An example (Example 1) of the present invention will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 1, in this apparatus, an exhaust gas treatment means 105, a vacuum pump (V / P) 102 for introducing exhaust gas into the exhaust gas treatment means 105, a
つぎに、図2に基づき、本発明の別の例(実施例2)を説明する。図示のように、この装置は、フッ素ラジカルおよびフッ素イオンの少なくとも一方を吸収する吸収フィルター108およびホットガス導入手段110を有する以外は、前記実施例1と同じ構成であり、図1と同じ部分には同じ符号を付している。図示のように、吸収フィルター108は、成膜装置107と真空ポンプ102との間にある管に配置されている。また、ホットガス導入手段110は、管103の真空ポンプ102との連結部分付近に配置されている。前記吸収フィルター108により、排ガス中のフッ素ラジカルやフッ素イオンを吸収除去可能となり、フッ素ラジカルやフッ素イオンと管材質の金属イオンとの反応を防止でき、この結果、腐食性物質の生成が防止できる。また、ホットガス導入手段110により、管103内を直接加温することが可能となり、加温効率が向上する。前述のように、ホットガスとしては、加温した窒素ガスが好ましく、その温度は、例えば、130〜165℃である。この装置において、フッ素ラジカルやフッ素イオンの除去およびホットガスによる加温以外の排ガスの処理プロセスは、実施例1の装置と同様である。
Next, another example (Example 2) of the present invention will be described with reference to FIG. As shown in the figure, this apparatus has the same configuration as that of Example 1 except that it has an
つぎに、さらに、除塵手段および洗浄手段を備えた本発明の装置の一例(実施例3)について、図3に基づき説明する。この排ガス処理装置2は、排ガス処理手段4と、除塵手段14と、洗浄手段44とを備えている。また、図示していないが、この装置では、排ガスを排ガス処理手段4に送る真空ポンプと管を備え、この管は逆止弁を有している。そして、排ガス中で析出物が析出しないように、真空ポンプと排ガス処理手段の間の管部分は、ヒーターにより加温されており、前記ヒーターの設定温度は165〜180℃の範囲(前記逆止弁の少なくとも弁体がフッ素樹脂製の場合は、165〜190℃の範囲、以下同じ)である。なお、図3には、本処理装置が装着あるいは配設される薄膜等の製造装置が付随して記載されているが、この例においては特にプラズマCVDの成膜装置である。
Next, an example (Example 3) of the apparatus of the present invention provided with dust removing means and cleaning means will be described with reference to FIG. The exhaust
排ガス処理手段4は、例えば、従来公知の酸化燃焼装置などの燃焼式除害手段を利用できる。この場合、燃焼用ガスとして酸素を外部から供給し、かつバーナー等で火焔を供給して高熱で排ガス成分を燃焼し酸化するようにする。当該処理手段4においては、前述のように、各種可燃系ガス(シラン、アンモニア、ホスフィン等)や支燃系ガス(三フッ化窒素等)の排ガスは、それぞれ、SiO2(シリカ)や、NO2等の対応する元素の酸化物や水あるいはフッ素等を生じる。したがって、燃焼排ガスは、SiO2粒子の他、これらの各種燃焼排ガスを含んでいる。 As the exhaust gas treatment means 4, for example, a combustion-type abatement means such as a conventionally known oxidation combustion apparatus can be used. In this case, oxygen is supplied from the outside as a combustion gas, and a flame is supplied by a burner or the like to burn and oxidize exhaust gas components with high heat. In the processing means 4, as described above, exhaust gases of various combustible gases (silane, ammonia, phosphine, etc.) and combustion-supporting gases (nitrogen trifluoride, etc.) are SiO 2 (silica), NO, respectively. This produces oxides of corresponding elements such as 2 and water or fluorine. Therefore, the combustion exhaust gas contains these various combustion exhaust gases in addition to the SiO 2 particles.
排ガス処理手段4から排出される排ガスは、除塵手段14に導入されるようになっている。除塵手段14は、従来公知の各種の除塵装置を使用することができる。例えば、遠心分離器、スクラバー、バグフィルター等を用いることができるが、好ましくは、バグフィルターである。バグフィルターは、特に、0.1〜1μm程度の微粒子の除塵効果が高いからである。
The exhaust gas discharged from the exhaust gas treatment means 4 is introduced into the dust removal means 14. As the
バグフィルターには、従来各種方式のものがある。通常は、フィルターからの粉塵の払い落とし機構により、機械的振動方式、逆流洗浄方式、超音波洗浄方式、リバースジェット方式、パルスエアー方式などの各種形態があり、これらのうちから必要に応じて所要のものを採用することができる。好ましくは、パルスエアー方式のバグフィルターである。 There are various conventional bug filters. Usually, there are various forms such as mechanical vibration method, back-flow cleaning method, ultrasonic cleaning method, reverse jet method, pulse air method, etc. depending on the mechanism of dust removal from the filter, and it is required as necessary Can be adopted. Preferably, it is a pulse air type bag filter.
図4に、本発明において使用するのに好ましいバグフィルターの一形態を示す。通常、パルスエアー方式のバグフィルターは、フィルター18を保持するハウジング16と、ハウジング上部において区画されて備えられるトッププレナム20と、ハウジング下部に備えられる集塵部30とを備えている。さらに、本発明の除塵手段14は、ガス導入手段40を備えている。
FIG. 4 shows one preferred form of bag filter for use in the present invention. Usually, the pulse air type bag filter includes a
ハウジング16内には、フィルター18が適数本保持されており、フィルター18は、通常、円筒形等の筒状に形成されている。フィルター18内部は、チューブシート21を介してトッププレナム20内部に連通されている。ハウジング16のフィルター18の保持部位には、外部から処理すべき排ガスが導入される導入部を供えている。導入部19は、排ガス導入時には開口されているが、粉塵払い落とし時には、閉口されるようになっている。
An appropriate number of
トッププレナム20は、ハウジング16とチューブシート21を介して備えられており、フィルター18内部と連通されることにより、フィルター18を介して清浄化ガスが導入されるようになっているとともに、フィルター18内部に圧縮ガスを導入できるようになっている。すなわち、フィルター18で除塵された清浄化ガスを排出する排出部22と、フィルター18への圧縮ガスの噴射装置24とを備えている。
The
排出部22は、排ガスが導入されて除塵が実施されている間は開口されているが、粉塵払い落とし時には閉口されるようになっている。また、圧縮ガスの噴射装置24には、外部から圧縮ガス(圧縮空気)が供給されるようになっている。圧縮ガスの供給経路にはパルス弁が備えられており、パルス弁の開閉により瞬間的に圧縮ガスをフィルター18内部に対して供給できるようになっている。さらに、図示はしないが、フィルター18内部には、圧縮ガス供給と同時にフィルター18を膨張させる誘引ガスを導入できるようになっている。
The discharge unit 22 is open while the exhaust gas is introduced and dust is removed, but is closed when dust is removed. Further, compressed gas (compressed air) is supplied to the compressed
さらに、ハウジング16の下部には、下方に行くにつれて徐々に口径が小さくなるテーパー状の集塵部30が形成されている。集塵部30の一部、好ましくは底部には、粉塵排出部32を備え、粉塵排出経路36に連絡されている。粉塵排出部32は、その開閉を手動あるいは自動に制御できるようになっている。通常は、開閉式バルブ34が備えられている。粉塵排出部32は、排ガスが導入されている間は閉口されており、粉塵払い落とし時には、開口されるようになっている。また、粉塵払い落とし時には、粉塵排出経路36には、搬送用のガス(空気)が排出方向に向けて導入されるようになっている。このため、粉塵払い落とし時に粉塵排出部32が開口されると、ハウジング16内の雰囲気ガスが一気に当該排出部32から排出経路36側に抜けるようになっている。すなわち、ハウジング16内から粉塵排出方向を指向するガス流がフィルター18の表面近傍に付与されやすくなっている。
Furthermore, a tapered
さらに、本除塵手段14は、ガス導入手段40を備えている。ガス導入手段40は、ハウジング16内部に外部からガスを導入できるガス導入装置である。構成は特に限定しない。ガス導入量及びガス導入時間等を調整できることが好ましい。ガス導入手段40は、ハウジング16内の、好ましくは、フィルター18設置部位に対応して設けられており、当該部位にガスを供給できるようになっている。すなわち、フィルター18の外側からガスを供給できるようになっている。なお、フィルター18に対しては、その側方からでも上方からでも、フィルター18の外方からガスを導入できるようになっていればよい。装置の構成上からは、フィルター18の側方からガスを導入できるようになっていることが好ましい。ガス導入手段40は、粉塵払い落とし時に作動するようになっており、粉塵排出部32が開口状態であって、圧縮ガス噴射装置24による圧縮ガスの噴射とほぼ同時期にガスを導入するようになっている。ガスの導入は、特に限定しないが、開閉制御可能な開閉式バルブの作動によってコントロールされるようになっている。導入するガスは、特に限定しないが、好ましくは空気である。
Further, the
洗浄手段44は、従来公知の排ガスの液洗浄装置を使用できる。通常は、排ガス中の有害成分を溶解可能な洗浄媒体(水性)を利用して有害成分を洗浄媒体に溶解させて除害し、清浄化したガスを排出できるようになっている。かかる排ガス処理手段としては、各種公知のものを利用できる。排ガスと洗浄媒体との接触形態は、各種公知のものを採用することができる。例えば、洗浄媒体の入った洗浄槽に排ガスを導入する方式、排ガスに対してシャワー形式で洗浄媒体を供給する方式を採用することもできる。 As the cleaning means 44, a conventionally known exhaust gas liquid cleaning apparatus can be used. Normally, a cleaning medium (aqueous) capable of dissolving harmful components in exhaust gas is used to dissolve and remove harmful components in the cleaning medium, and the purified gas can be discharged. Various known devices can be used as the exhaust gas treatment means. Various known forms of contact between the exhaust gas and the cleaning medium can be employed. For example, a method of introducing exhaust gas into a cleaning tank containing a cleaning medium, or a method of supplying a cleaning medium to the exhaust gas in a shower form may be employed.
本発明においては、好ましくは、排ガス中の粉塵も除去できる手段を用いることが好ましい。これにより、より一層後段の手段あるいは工程において安定的な稼動が確保されるからである。かかる洗浄式集塵手段としては、具体的には、洗浄式集塵装置(スクラバー)がある。排ガスと洗浄媒体との接触形態から各種採用することができる。好ましくは、排ガスに対してシャワー形式で洗浄媒体を供給する方式(ジェットスクラバー、スプレー塔、ロートクロン、ベンチュリスクラバー)、所定の担体が充てんされたカラムにガスと洗浄媒体とを導入する形式(典型的には充てん塔)等を採用できるが、好ましくは、充てん塔である。 In the present invention, it is preferable to use means capable of removing dust in the exhaust gas. This is because stable operation is ensured in the means or process at a later stage. As the cleaning type dust collecting means, specifically, there is a cleaning type dust collecting device (scrubber). Various types can be employed depending on the form of contact between the exhaust gas and the cleaning medium. Preferably, a cleaning medium is supplied to the exhaust gas in a shower form (jet scrubber, spray tower, rotoclon, venturi scrubber), a form in which a gas and a cleaning medium are introduced into a column filled with a predetermined carrier (typical) Can be used, but a packed tower is preferable.
洗浄手段44には、洗浄媒体として水が使用されることが好ましい。より好ましくは硬度10以下の軟水であり、特に好ましくは、純水〜硬度0の水である。かかる水であれば、洗浄手段44内においてSi成分を含有していても、Si含有析出物の生成が回避される。当該析出物は、Si成分(典型的にはシリカ)と、排ガスで生成するフッ酸の他、カルシウムを始めとする周期表1族〜2族の金属元素イオンが存在しないと生成しないからである。かかる金属元素イオンは、カルシウム、ナトリウム、カリウム等であり、典型的にはカルシウムである。なお、硬度は、水100cm3中に酸化カルシウムとして1mgを含むとき1度とする。また、通常、フッ酸等が排ガス中に生成しているために、洗浄媒体は、水酸化ナトリウム等のアルカリの水溶液とともに供給されるようになっていることが好ましい。
The cleaning means 44 preferably uses water as a cleaning medium. More preferred is soft water having a hardness of 10 or less, and particularly preferred is pure water to water having a hardness of 0. With such water, even if the cleaning means 44 contains a Si component, generation of Si-containing precipitates is avoided. This is because the precipitate is not generated unless there is a Si element (typically silica) and hydrofluoric acid generated in the exhaust gas, as well as metal element ions of
次に、このような洗浄手段44により実施する排ガスの除害工程について説明する。まず、成膜装置で発生した可燃系ガスおよび/または支燃系ガスは、そのまま、あるいは、予備処理工程を介して、排ガス処理工程が実施される。前記予備処理工程としては、例えば、Si,F,NH3等の反応ガスから燃焼式除害工程でSiO2を生成させ、前記SiO2をフィルターで捕集する工程等が挙げられる。この場合、前記可燃系ガスおよび/または支燃系ガスは、前記予備処理工程を介した後、排ガス用配管を通じて排ガス処理手段4に導入されて、排ガス処理工程が実施される。排ガス処理手段4では、例えば、燃焼性ガスや火焔等による高温が供給されて、排ガス中の可燃性ガスおよび支燃系ガスの少なくとも一方は、燃焼される。 Next, an exhaust gas detoxification process performed by the cleaning means 44 will be described. First, the exhaust gas treatment process is performed on the combustible gas and / or the combustion support gas generated in the film forming apparatus as they are or through a preliminary treatment process. Examples of the pretreatment step include a step of generating SiO 2 from a reaction gas such as Si, F, NH 3 in a combustion type detoxification step and collecting the SiO 2 with a filter. In this case, the combustible gas and / or the combustion-supporting gas are introduced into the exhaust gas treatment means 4 through the exhaust gas pipe after the preliminary treatment step, and the exhaust gas treatment step is performed. In the exhaust gas treatment means 4, for example, a high temperature such as a combustible gas or a flame is supplied, and at least one of the combustible gas and the combustion support gas in the exhaust gas is combusted.
次に、排ガスは、除塵手段14に導入されて除塵工程が実施される。除塵手段14によって除塵が実施されたガスは、従来に比して粉塵量の低い状態で洗浄手段44に導入され、洗浄工程が実施される。除塵工程で効果的に除塵されていれば、洗浄手段44では、除塵を実施しなくてよい場合もありうる。洗浄手段において同時に除塵も実施すればより効果的である。洗浄工程において、洗浄媒体として、純水〜硬度0の水を用いることにより、洗浄工程においてSi成分が存在していても、析出物の生成が有効に回避され、これに伴うメインテナンス作業も回避され、安定的運転が確保される。
Next, the exhaust gas is introduced into the
以下、図4に示す除塵手段14を用いた除塵工程について特に説明する。まず、除塵工程は、集塵工程と粉塵払い落とし工程とからなる。排ガス導入時には、排ガス導入部19が開口されるとともに、排出部22も開口状態とされる。一方、粉塵排出部32においては、バルブ34が閉じられて、閉口状態となっている。このような状態で導入された排ガスは、フィルター18の外面から内方へと通過し、フィルター18内部、及びトッププレナム20内部を介して、排出部22から清浄化されて排出される。ハウジング16内においては、集塵部30の粉塵排出部32が閉口状態なので、微細な粒子状の粉塵(典型的には、0.1〜1μm程度のシリカ粒子)の多くはハウジング16内で浮遊した状態が形成されている。
Hereinafter, the dust removal process using the dust removal means 14 shown in FIG. 4 will be particularly described. First, the dust removal process includes a dust collection process and a dust removal process. At the time of exhaust gas introduction, the exhaust
排出部22からの排出ガスの排出圧力が一定以下、あるいは圧力損失が一定以上となった場合、集塵工程を停止し、除塵工程を開始する。除塵工程に先立って、排ガスの導入を停止し、導入部19及び排出部22を閉口する。除塵工程は、まず、排出バルブ34を開いて、集塵部30の粉塵排出部32を開口させる。このとき、粉塵排出経路36では、粉塵の排出方向へとガスが供給されている。したがって、ハウジング16内を下方へ向かうガス流が形成され、あるいは形成されやすくなっている。すなわち、フィルター18の表面近傍から粉塵排出方向へ向かうガス流が付与されやすい状態が形成されている。
When the discharge pressure of the exhaust gas from the discharge unit 22 is below a certain level or when the pressure loss is above a certain level, the dust collection process is stopped and the dust removal process is started. Prior to the dust removal step, the introduction of the exhaust gas is stopped, and the
次いで、圧縮ガス噴射装置24のバルブ調整により、フィルター18に圧縮ガスをパルス状に供給する。圧縮ガスのフィルター18への供給と同時に、あるいはこれより少しタイムラグをおいて、ガス導入手段40を作動させて、フィルター18の表面に対して、その外方から外部ガスを供給する。このガスの供給により、もとからハウジング16内を粉塵排出方向へ向かうガス流が形成されやすくなっているところ、より強力にそのようなガス流が形成されることになる。特に、フィルター18の表面近傍においてはそのような方向性を有する安定したガス流が形成されることになる。このようなガス流により、ハウジング内に浮遊する微粒粉塵が集塵部30の排出部32から排出されるようになる。かかるガス流により、ハウジング内の雰囲気ガスに置換され、かつ雰囲気ガスから微粒粉塵が排出される。
Next, the compressed gas is supplied to the
本除塵手段14では、排ガス導入時には、排出部32が閉口状態であり、ハウジング内に浮遊する微粒粉塵を排出する能力はなく、浮遊粉塵は集塵工程中蓄積するが、粉塵払い落とし工程において、フィルター18に付着した粉塵もろともハウジング16内から排出される。このような排出形態としたことにより、相乗的にフィルター18及び雰囲気から良好に粉塵が排出されるようになる。
In this
このような除塵手段14によれば、効果的に排ガスから除塵することができ、本除塵手段14や工程のみならず、後段の処理手段や工程におけるメインテナンス作業を軽減し、安定稼動を確保できるようになる。特に、微細シリカ粒子を排除できるため、除塵手段14におけるフィルターの長寿命化も達成されるとともに、後段の洗浄手段や工程における析出物生成を効果的に回避させることができる。
According to such a
なお、本形態の除塵手段ないしは工程において分離排出された粉塵は、別途、集塵手段ないし工程により、集塵される。集塵は、従来公知の方法によって実施することができる。また、除塵手段ないしは工程からの清浄化ガスの圧力を検知して、この検知した圧力に基づいて、排出手段、典型的には排出用ブロアの風量を調整することが好ましい。フィルターの圧力損失に応じた風量を供給して清浄化ガスを排出するようにすることにより、適切な集塵工程を省コスト(運転コストおよび/または設置コスト)で実施できる。また、清浄化ガスの組成も安定化する。 The dust separated and discharged in the dust removing means or process of this embodiment is separately collected by the dust collecting means or process. Dust collection can be performed by a conventionally known method. It is also preferable to detect the pressure of the cleaning gas from the dust removing means or process and adjust the air volume of the discharge means, typically the discharge blower, based on the detected pressure. By supplying the air volume according to the pressure loss of the filter and discharging the cleaning gas, it is possible to carry out an appropriate dust collection process at low cost (operation cost and / or installation cost). In addition, the composition of the cleaning gas is stabilized.
つぎに、さらに別の本発明の装置の例(実施例4)について、図5に基づき説明する。この例では、特に、除塵手段ないしは工程において、少なくともm台(mは3以上の整数である。)の除塵手段を備えるようにし、それぞれの除塵手段は、少なくとも1台の除塵手段で粉塵払い落とし工程を実施し、最大で(m−1)台の除塵手段で集塵工程を実施するように切替使用するように構成されている。なお、mは、好ましくは6台以下であり、より好ましくは3台である。また、図示していないが、この装置では、排ガスを排ガス処理手段4に送る真空ポンプと管を備え、この管は逆止弁を有している。そして、排ガス中で析出物が析出しないように、真空ポンプと排ガス処理手段の間の管部分は、ヒーターにより加温されており、前記ヒーターの設定温度は165〜180℃の範囲である。 Next, another example of the apparatus of the present invention (Example 4) will be described with reference to FIG. In this example, in particular, in the dust removing means or process, at least m (m is an integer of 3 or more) dust removing means is provided, and each dust removing means is at least one dust removing means to remove dust. The process is carried out, and is configured to be switched and used so that the dust collection process is carried out with a maximum of (m−1) dust removing means. Note that m is preferably 6 or less, and more preferably 3 units. Moreover, although not shown in figure, this apparatus is equipped with the vacuum pump and pipe | tube which send waste gas to the waste gas treatment means 4, and this pipe | tube has a non-return valve. And the pipe | tube part between a vacuum pump and waste gas processing means is heated with the heater so that deposit may not precipitate in waste gas, The preset temperature of the said heater is the range of 165-180 degreeC.
図5には、除塵手段72として3台の除塵手段74、76、78を備える形態が示されている。本形態においては、除塵手段74、76、78の種類は問わずに、公知の除塵手段をそれぞれ使用することができるが、好ましくは、全ての除塵手段は、バグフィルター形式であり、より好ましくは、粉塵払い落とし手段がパルスエアー方式のバグフィルターであり、さらに好ましくは、フィルターに対して圧縮ガスを供給すると同時に、フィルターの外部に対して、フィルター表面近傍から粉塵排出側を指向するガス流を形成可能なバグフィルターである。この例において適用する最も好ましい形態は、実施例3において明示される形態である。
FIG. 5 shows a form in which three
少なくとも3台の除塵手段74、76、78は、排ガスの供給経路に対して並列に配列されている。そして、排ガス処理手段に連結される排ガスの供給経路は、各除塵手段74、76、78に対応して分岐され、分岐された配管には、排ガスの供給量ないしは供給の有無を調節するバルブ84、86、88が備えられている。さらに、除塵手段74、76、78から清浄化されたガスの排出用配管がそれぞれ備えられており、排出を調節するバルブ94、96、98が備えられている。
At least three
各除塵手段74,76,78は、いずれか1台が粉塵払い落とし工程ないしはメインテナンスを実施していても、残りの2台あるいは1台で必要除塵能力が確保できるようになっている。備えられるm台の各除塵手段は、それぞれが同じ除塵能力、すなわち、同じろ過面積を有していることが好ましい。本形態においては、各除塵手段74、76、78は、それぞれが同じ除塵能力、すなわち、同じろ過面積を有するように設計されている。同時に、最大で(m−1)台で(好ましくは(m−1)台で)必要な除塵能力、すなわち、必要な全ろ過面積を確保できるように設計されていることが好ましい。したがって、本形態においては、各除塵手段は、必要な除塵能力(ろ過面積)を1とすると、それぞれ0.5の除塵能力(ろ過面積)を備え、全体として1.5の除塵能力(ろ過面積)を備えるようになっている。すなわち、2台(m=3のときの(m−1)である)で必要な除塵能力を備えている。
Even if any one of the
次に、このように構成した除塵手段72を使用して実施する排ガスの除塵工程について説明する。図5では、排ガス処理手段から導入される排ガスは、除塵手段76、78に導入されて除塵工程が実施される。このためバルブ84、94は閉状態であり、バルブ86、88、96、98が開状態となっている。この場合、除塵手段76、78は、それぞれあるいは合計で必要な除塵能力を備えているため、適切な除塵工程が実施される。いずれか一方の除塵手段で必要な除塵能力を備えている場合には、1台の稼動でもよい。一方、除塵手段74の使用は、必要な除塵能力を超えているため、必要に応じて、当該除塵手段74においては粉塵払い落とし工程やメインテナンスを実施できる。
Next, an exhaust gas dust removal process performed using the dust removal means 72 configured as described above will be described. In FIG. 5, the exhaust gas introduced from the exhaust gas treatment means is introduced into the dust removal means 76 and 78, and the dust removal process is performed. Therefore, the
さらに、除塵手段76,78のいずれかが所定の圧力損失を超えるなどの稼動の停止を要する事態が発生したら、その除塵手段への排ガスの導入を停止し、粉塵払い落とし工程ないしはメインテナンスを実施し、除塵手段74への排ガスの導入を開始して、除塵工程を実施するようにする。このように、除塵手段を複数備え、その一部において必要な除塵能力を備えるようにすると、残部の除塵手段を、粉塵払い落とし工程等に使用することにより、従来、除塵手段の圧力損失の許容範囲まで運転を継続し、粉塵払い落とし工程やメインテナンスにかかる時間をできるだけ少なくするようにしなくても、必要に応じて容易に粉塵払い落とし工程やメインテナンスを実施できる。このため、常に圧力損失が低い状態で安定運転が可能となり、さらには、安定した除塵が達成され、安定した組成の清浄化ガスを排出できるようになっている。
Furthermore, if any of the dust removal means 76, 78 exceeds the predetermined pressure loss and needs to be stopped, the introduction of the exhaust gas to the dust removal means is stopped, and the dust removal process or maintenance is performed. Then, the introduction of the exhaust gas into the
特に、本形態においては、全除塵手段m台を全て同じ除塵能力とし、(m−1)台で必要除塵能力を備えるようにしたために、全体として最小限の全除塵能力で効率的な除塵工程の実施が可能となっている。すなわち、少なくとも1台の除塵手段で粉塵払い落とし工程を実施し、最大で(m−1)台の除塵手段で集塵工程を実施するように切り替え使用することにより、圧力損失を低く維持しつつ、効率的かつ良好な除塵工程を実施することができる。 In particular, in this embodiment, all m dust removing means m have the same dust removing capacity, and (m-1) is provided with the necessary dust removing capacity, so that an efficient dust removing process with a minimum total dust removing capacity as a whole. Can be implemented. That is, the pressure loss is kept low by switching and using the dust removal process with at least one dust removal means and the dust collection process with at most (m−1) dust removal means. An efficient and good dust removal process can be carried out.
なお、当然に、必要に応じて、除塵能力を超えて存在する除塵手段を用いて他の除塵手段と同時に除塵工程を実施することもできる。 Of course, if necessary, the dust removing step can be performed simultaneously with other dust removing means using dust removing means that exceeds the dust removing capability.
この例では、特に、除塵手段ないしは工程について説明したが、この例の除塵手段ないしは工程は、実施例1〜3に包含される各種態様を適用することができる。特に、除塵手段から排出される清浄化ガスの圧力に対応して風量を変化可能な排出用ブロアを備えることにより、最適な圧力状態での除塵工程、特に、集塵工程を省コストで実施することができる。 In this example, the dust removing means or process has been particularly described. However, various modes included in Examples 1 to 3 can be applied to the dust removing means or process of this example. In particular, by providing a discharge blower that can change the air volume according to the pressure of the cleaning gas discharged from the dust removal means, the dust removal process, particularly the dust collection process, can be carried out at an optimal pressure. be able to.
本発明によれば、Si成分を含む成膜系排ガスを処理する場合、前記排ガス中の成分が析出物として配管中に析出することなく、かつ排ガス処理装置に導入する管が異常高温になることがなく、さらにフッ素ラジカル等と管材との反応物による管の薄肉化および閉塞も防止される。このため、前記排ガスを効率良くかつ安全に処理することが可能となる。従って、本発明の排ガス処理方法および処理装置は、例えば、半導体や液晶ディスプレイのモジュールの製造工程および成膜工程で使用される排ガスを除害化するのに有効に利用可能である。 According to the present invention, when a film-forming exhaust gas containing a Si component is processed, the components in the exhaust gas are not deposited as precipitates in the pipe, and the pipe introduced into the exhaust gas processing apparatus is at an abnormally high temperature. Furthermore, thinning and clogging of the tube due to a reaction product of fluorine radicals and the tube material can be prevented. For this reason, it becomes possible to treat the exhaust gas efficiently and safely. Therefore, the exhaust gas treatment method and the treatment apparatus of the present invention can be effectively used for detoxifying exhaust gas used in, for example, a semiconductor or liquid crystal display module manufacturing process and film forming process.
2 排ガス処理装置
4 排ガス処理手段
14、74、76、78 除塵手段
16 ハウジング
18 フィルター
19 排ガス導入部
20 トッププレナム
21 チューブシート
22 排出部
24 圧縮ガス噴射装置
30 集塵部
32 粉塵排出部
34 バルブ
36 粉塵排出経路
40 ガス導入手段
44 洗浄手段
101 真空ボックス
102 真空ポンプ
103 管
104 逆止弁
105 排ガス処理手段
106 ガス
107 成膜装置
108 吸収フィルター
109 ヒーター
110 ホットガス導入手段
2 Exhaust gas treatment device 4 Exhaust
Claims (20)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004317689A JP4583880B2 (en) | 2004-11-01 | 2004-11-01 | Exhaust gas treatment method and treatment apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004317689A JP4583880B2 (en) | 2004-11-01 | 2004-11-01 | Exhaust gas treatment method and treatment apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006122863A JP2006122863A (en) | 2006-05-18 |
JP4583880B2 true JP4583880B2 (en) | 2010-11-17 |
Family
ID=36718098
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004317689A Expired - Fee Related JP4583880B2 (en) | 2004-11-01 | 2004-11-01 | Exhaust gas treatment method and treatment apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4583880B2 (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006150260A (en) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Iwatani Internatl Corp | Exhaust gas treatment apparatus in semiconductor manufacturing line |
JP5554482B2 (en) * | 2008-09-08 | 2014-07-23 | 大陽日酸株式会社 | Exhaust gas treatment method |
CN110891933B (en) * | 2017-07-14 | 2021-06-22 | 斯塔米卡邦有限公司 | Urea dressing and exhaust gas treatment plant and method |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2004
- 2004-11-01 JP JP2004317689A patent/JP4583880B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006122863A (en) | 2006-05-18 |
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A621 | Written request for application examination |
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