JP4581800B2 - Mark recognition system - Google Patents

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    • H01L2223/54406—Marks applied to semiconductor devices or parts comprising alphanumeric information

Description

本発明はマーク認識システムに関するものである。   The present invention relates to a mark recognition system.

従来、管理対象としている物品に識別マークを付して管理することが行われており、そのために識別マークの認識装置が使用されている（例えば、特許文献１等）。
特許文献１の装置は、以下のような構成を採っている。 Conventionally, management is performed by attaching an identification mark to an article to be managed, and an identification mark recognition device is used for that purpose (for example, Patent Document 1).
The apparatus of Patent Document 1 has the following configuration.

第１のウエハ（２１−１）に記入された文字列（Ａ−１）、第２のウエハ（２１−２）に記入された文字列（Ａ−２），・・・，第Ｎのウエハ（２１−Ｎ）に記入された文字列（Ａ−Ｎ）を順次撮像し、前記文字列（Ａ−１〜Ａ−Ｎ）に１対１で対応する複数の画像信号（Ｇ−１〜Ｇ−Ｎ）を出力する撮像手段と、
前記画像信号（Ｇ−１〜Ｇ−Ｎ）に基づいて前記文字列（Ａ−１〜Ａ−Ｎ）をそれぞれ画像認識し、文字列（Ａ−１〜Ａ−Ｎ）の画像を１対１で対応した文字信号（Ｌ−１〜Ｌ−Ｎ）で出力する画像認識手段と、
前記文字信号（Ｌ−１〜Ｌ−Ｎ）を入力し、文字信号（Ｌ−１〜Ｌ−Ｎ）の中に重複する文字信号が含まれるか否かを識別する識別手段と、
前記識別手段により制御されて前記文字信号（Ｌ−１〜Ｌ−Ｎ）に１対１で対応する文字列（Ａ’−１〜Ａ’−Ｎ）を表示画面上に表示するとともに、重複する文字列には識別符号を付して表示する表示手段と
を具備している。これにより、文字列に重複がないかチェックし、重複がある場合には？等の識別符号を付して表示する。 Character string (A-1) written on the first wafer (21-1), character string (A-2) written on the second wafer (21-2),..., Nth wafer The character strings (A-N) written in (21-N) are sequentially imaged, and a plurality of image signals (G-1 to G) corresponding one-to-one to the character strings (A-1 to A-N). Imaging means for outputting -N);
Based on the image signals (G-1 to GN), the character strings (A-1 to AN) are image-recognized, and the images of the character strings (A-1 to AN) are one-to-one. Image recognition means for outputting the character signals (L-1 to LN) corresponding to
Identification means for inputting the character signals (L-1 to LN) and identifying whether or not duplicate character signals are included in the character signals (L-1 to LN);
The character strings (A′-1 to A′-N), which are controlled by the identification means and correspond to the character signals (L-1 to LN) on a one-to-one basis, are displayed on the display screen and overlapped. The character string is provided with display means for displaying an identification code. This checks if there are duplicates in the string, and what if there are duplicates? Are displayed with an identification code.

また、ウエハ等に識別マークを刻印する方法として、レーザ光線を使用して刻印する方法が知られている。このレーザ光線の出力を大きくすることで、刻印の深度や大きさを大きくすることができ、その結果、誤読取を低減することができることが知られている。
特開平６−７７１００号公報 As a method for marking an identification mark on a wafer or the like, a method for marking using a laser beam is known. It is known that by increasing the output of the laser beam, the depth and size of the marking can be increased, and as a result, erroneous reading can be reduced.
JP-A-6-77100

しかしながら、上記の特許文献１に開示された装置では、複数の重複する文字列を持つウエハが存在することが分かるが、重複する文字列を持つウエハのうち、いずれが正しい文字列を持つウエハで、いずれが誤って読み取られたものであるかの判別がつかない。つまり、物品に付された認識マークを誤って読み取った場合に、いずれが正しく読み取ったものであるかが分からないという問題がある。また、レーザ光線の出力を大きくすることで誤読取を低減しようとすると、刻印の周辺にレーザ光線の照射により飛散した半導体の破片が付着し、その結果、半導体ウエハ等の歩留まりや品質が低下するという問題がある。   However, in the apparatus disclosed in Patent Document 1, it can be seen that there are wafers having a plurality of overlapping character strings. Of the wafers having overlapping character strings, which is a wafer having a correct character string. , It is impossible to determine which one was read in error. That is, when the recognition mark attached to the article is read by mistake, there is a problem that it is not known which is read correctly. In addition, if an attempt is made to reduce misreading by increasing the output of the laser beam, semiconductor debris scattered by the irradiation of the laser beam adheres to the periphery of the engraving, and as a result, the yield and quality of the semiconductor wafer and the like deteriorate. There is a problem.

本発明はこのような背景の下になされたものであり、その目的は、識別用の文字列を撮像して認識する際に文字列について正しく認識することができるマーク認識システムを提供することにある。   The present invention has been made under such a background, and an object of the present invention is to provide a mark recognition system capable of correctly recognizing a character string when the character string for identification is imaged and recognized. is there.

請求項１に記載の発明は、半導体ウエハまたは液晶用ガラス基板に付され、かつ、識別用文字列および誤り検出用情報を有する識別マークと、前記識別マークを撮像する撮像手段と、前記撮像手段により撮像した画像から、前記識別マークの識別用文字列および誤り検出用情報を解読するとともに、前記識別用文字列を構成する文字群の各文字についての確か度合いを算出する解読手段と、前記解読手段により解読した識別マークの誤り検出用情報を用いて、解読した識別用文字列について正誤判定する正誤判定手段と、前記正誤判定手段による正誤判定結果が誤りであると、解読した識別用文字列について前記確か度合いが低い文字を他の文字と入れ替えて訂正する訂正手段と、前記訂正手段により入れ替えた識別用文字列について、誤り検出用情報を用いて正誤判定する再正誤判定手段と、を備え、前記再正誤判定手段において識別用文字列について正しいと判定されるまで、前記訂正手段による文字の入れ替えと前記再正誤判定手段による正誤判定を繰り返すマーク認識システムをその要旨としている。 The invention according to claim 1 is an identification mark attached to a semiconductor wafer or a glass substrate for liquid crystal and having an identification character string and error detection information, an imaging means for imaging the identification mark, and the imaging means Decoding means for decoding the identification character string and the error detection information of the identification mark from the image captured by the above, and calculating a certainty degree for each character of the character group constituting the identification character string; and the decoding Using the error detection information of the identification mark decoded by the means, correct / incorrect determination means for determining the correctness of the decoded identification character string, and if the correct / incorrect determination result by the correctness determination means is incorrect, the decoded identification character string wherein the correcting means certainly degree correct interchanged with other characters low characters, the identification string replaced by the correction means, error in A correctness determining re correctness determination means using the information output comprises, by said at re accuracy determination means until it is determined to be correct for identification string, replaced with the re-accuracy determination unit character by said correcting means The gist is a mark recognition system that repeats correct / incorrect determination .

請求項１に記載の発明によれば、解読手段によって、撮像手段により撮像した画像から、識別マークの識別用文字列および誤り検出用情報が解読され、その際、識別用文字列を構成する文字群の各文字についての確か度合いが算出される。そして、正誤判定手段によって、解読手段により解読した識別マークの誤り検出用情報を用いて、解読した識別用文字列について正誤判定される。さらに、訂正手段によって、正誤判定手段による正誤判定結果が誤りであると、解読した識別用文字列について確か度合いが低い文字が他の文字と入れ替えられて訂正される。そして、再正誤判定手段によって、訂正手段により入れ替えられた識別用文字列について、誤り検出用情報を用いて再び正誤判定され、上記再正誤判定手段において識別用文字列について正しいと判定されるまで、訂正手段による文字の入れ替えと再正誤判定手段による正誤判定が繰り返される。 According to the first aspect of the present invention, the identification character string and the error detection information of the identification mark are decoded from the image picked up by the image pickup means by the decoding means , and at that time, the characters constituting the identification character string A certainty factor for each character in the group is calculated . Then, the correctness / incorrectness is determined by the correctness determination means using the error detection information of the identification mark decoded by the decoding means. Further, if the correctness / incorrectness determination result by the correctness / incorrectness determination means is incorrect, the correction means corrects a character having a low certainty in the decoded identification character string by replacing it with another character. Then, the re-correction determination unit re-corrects the identification character string replaced by the correction unit using the error detection information until the re-correction determination unit determines that the identification character string is correct. The replacement of characters by the correcting means and the correctness / incorrectness determination by the correctness / incorrectness determining means are repeated.

このようにして、識別用の文字列を撮像して認識する際に文字列について正しく認識することができる。また、正誤判定を繰り返すことによって、より精度向上を図ることができる。 In this way, the character string can be correctly recognized when the character string for identification is captured and recognized. Further, the accuracy can be further improved by repeating the correctness determination.

請求項２に記載のように、請求項１に記載のマーク認識システムにおいて、前記解読手段は、撮像した画像から識別マークの識別用文字列および誤り検出用情報を解読する際に、識別用文字列を構成する文字群の文字について解読候補となる文字を準備し、前記訂正手段は、正誤判定手段による正誤判定結果が誤りである場合に、前記解読候補となる文字を入れ替えて解読した識別用文字列を訂正するものであるとよい。 As described in claim 2 , in the mark recognition system according to claim 1 , when the decoding means decodes the identification mark identification character string and the error detection information from the captured image, the identification character Preparing a character to be a decoding candidate for the characters of the character group constituting the column, and the correction means, when the correctness determination result by the correctness determination means is an error, the character that is the decoding candidate is replaced and decoded It is good to correct a character string.

請求項３に記載のように、請求項１または２に記載のマーク認識システムにおいて、前記識別マークの誤り検出用情報は、識別用文字列における各数字の合計値をコード化したもの、または、識別用文字列における各文字コードに対応する数値の合計値をコード化したものを用いるとよい。 As described in claim 3 , in the mark recognition system according to claim 1 or 2 , the error detection information of the identification mark is obtained by encoding a total value of each number in the identification character string, or It is good to use what coded the total value of the numerical value corresponding to each character code in the character string for identification.

請求項４に記載のように、請求項１〜３のいずれか１項に記載のマーク認識システムにおいて、前記識別マークの識別用文字列および誤り検出用情報は、半導体ウエハに対して、波長が５２３ｎｍで、かつ、出力が１８６Ｗ以下のレーザビームを照射することによりマーキングしたものであると、異物の発生を抑制しつつマーキングすることができ、かつ、誤り検出用情報を付すことにより正しく認識することができる。 As described in claim 4, in the mark recognition system according to any one of claims 1 to 3 identification string and the error detection information of the identification mark, to the semi-conductor wafer, the wavelength Is marked by irradiating a laser beam with an output of 186 W or less, and can be marked while suppressing the generation of foreign matter, and is correctly recognized by attaching error detection information. can do.

請求項５に記載のように、請求項１〜４のいずれか１項に記載のマーク認識システムにおいて、前記識別マークの識別用文字列および誤り検出用情報は、半導体ウエハに対してレーザビームを照射することによりマーキングしたものであり、かつ、マーキング中において半導体ウエハの外周面上または外周面から外方へ５ｍｍ以内の領域に吸引ノズルの吸引口を配置してレーザ照射に伴い発生する飛散物を吸引しながらマーキングしたものであると、マーキング中でのレーザ照射に伴い発生する飛散物を吸引して飛散物の半導体ウエハ表面への付着を防止することができる。 As described in claim 5, in the mark recognition system according to any one of claims 1-4, identification string and the error detection information of the identification mark, the laser beam with respect to the semi-conductor wafer Scattering caused by laser irradiation by placing a suction port of the suction nozzle on the outer peripheral surface of the semiconductor wafer or in an area within 5 mm outward from the outer peripheral surface during marking. If the marking is performed while sucking an object, the scattered matter generated with the laser irradiation in the marking can be sucked to prevent the scattered matter from adhering to the surface of the semiconductor wafer.

請求項６に記載のように、請求項１〜３のいずれか１項に記載のマーク認識システムにおいて、前記識別マークの識別用文字列および誤り検出用情報は、半導体ウエハに対してウエハ内部に集光点を合わせてレーザビームを照射してウエハでのレーザビーム入射面から所定距離だけ内方側に多光子吸収による改質領域または多孔質領域を形成することによりマーキングしたものであると、ウエハにおけるレーザビーム入射面から所定距離だけ内方側に形成した変質領域または多孔質領域によりマーキングされ、ウエハ表面においてレーザ照射に伴う異物の発生を防止することができる。 As described in claim 6, in the mark recognition system according to any one of claims 1 to 3 identification string and the error detection information of the identification marks, the wafer internal to the semi conductor wafer It is marked by forming a modified region or porous region by multiphoton absorption on the inner side by a predetermined distance from the laser beam incident surface on the wafer by aligning the focal point with the laser beam. The marking is made by the altered region or the porous region formed inward from the laser beam incident surface of the wafer by a predetermined distance, and the generation of foreign matter accompanying laser irradiation on the wafer surface can be prevented.

以下、本発明を具体化した一実施形態を図面に従って説明する。
図１は、本実施形態におけるマーク認識システムの概略構成図であり、当該マーク認識システムはシリコンウエハ１０に付された識別マーク１１（後記する図３参照）を認識して、シリコンウエハ１０を管理するためのものである。本実施形態においては、管理対象としている物品がシリコンウエハ（広義には半導体ウエハ）である。 DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, an embodiment of the invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a mark recognition system according to this embodiment. The mark recognition system recognizes an identification mark 11 (see FIG. 3 to be described later) attached to a silicon wafer 10 and manages the silicon wafer 10. Is to do. In the present embodiment, the article to be managed is a silicon wafer (semiconductor wafer in a broad sense).

図２には本実施形態におけるＩＣ製造プロセスを示す。図２において、シリコンウエハを準備（用意）し、識別マークをレーザマーキングする。この識別マークは各シリコンウエハ毎に異なるものが付され、同マークによりシリコンウエハを特定することができる。マーキングした後において、シリコンウエハを洗浄する。さらに、シリコンウエハに対しＩＣ製造工程（第１回目）を実施する。そして、シリコンウエハの識別マークを、図１に示した認識システムを用いて認識する。さらに、シリコンウエハに対しＩＣ製造工程（第２回目）を実施する。   FIG. 2 shows an IC manufacturing process in this embodiment. In FIG. 2, a silicon wafer is prepared (prepared), and an identification mark is laser-marked. The identification mark is different for each silicon wafer, and the silicon wafer can be specified by the mark. After marking, the silicon wafer is cleaned. Further, an IC manufacturing process (first time) is performed on the silicon wafer. And the identification mark of a silicon wafer is recognized using the recognition system shown in FIG. Further, an IC manufacturing process (second time) is performed on the silicon wafer.

以下、識別マークの認識とＩＣ製造工程（第３回目以降）を繰り返し実施して所望の素子を作り込む。なお、レーザマーキング後の洗浄は、ＩＣ製造工程（第１回目）での熱処理等の前洗浄の意味もある。   Thereafter, the recognition of the identification mark and the IC manufacturing process (from the third time onward) are repeatedly performed to form a desired element. The cleaning after laser marking also means pre-cleaning such as heat treatment in the IC manufacturing process (first time).

図３は、レーザマーキングを行った後のシリコンウエハ１０の平面図である。
図３において、シリコンウエハ１０の中央部分はチップ形成領域となっており、シリコンウエハ１０の一方の面における外周縁には識別マーク１１が付されている。識別マーク１１は、識別用文字列１２と誤り検出用コード（情報）１３とを備えている。識別用文字列１２は、シリコンウエハ１０の表面にマーキングされ、撮像した画像により認識されるものである。図３では文字列１２は６桁の数字にて構成している。具体的には、図３では「０１２３４５」としている。 FIG. 3 is a plan view of the silicon wafer 10 after laser marking.
In FIG. 3, the central portion of the silicon wafer 10 is a chip formation region, and an identification mark 11 is attached to the outer peripheral edge of one surface of the silicon wafer 10. The identification mark 11 includes an identification character string 12 and an error detection code (information) 13. The identification character string 12 is marked on the surface of the silicon wafer 10 and recognized by the captured image. In FIG. 3, the character string 12 is composed of 6-digit numbers. Specifically, it is “012345” in FIG.

誤り検出用コード１３は、文字列１２と共にシリコンウエハ１０の表面にマーキングされ、撮像した画像により認識されるものである。誤り検出用コード１３は、１桁のアルファベットにて構成しており、識別用文字列１２における各数字の合計値をコード化したものである。具体的には、図３では誤り検出用コード１３は、０＋１＋２＋３＋４＋５＝１５であり、合計値「１５」に対応するコードを「Ａ」としている。即ち、「Ａ」とは合計値「１５」を意味している。このコードとして、合計値「１６」を意味する「Ｂ」、合計値「１７」を意味する「Ｃ」、合計値「１８」を意味する「Ｄ」、…等がある。   The error detection code 13 is marked on the surface of the silicon wafer 10 together with the character string 12, and is recognized by the captured image. The error detection code 13 is composed of a one-digit alphabet, and is obtained by coding the total value of each number in the identification character string 12. Specifically, in FIG. 3, the error detection code 13 is 0 + 1 + 2 + 3 + 4 + 5 = 15, and the code corresponding to the total value “15” is “A”. That is, “A” means the total value “15”. This code includes “B” meaning the total value “16”, “C” meaning the total value “17”, “D” meaning the total value “18”, and so on.

図４，５にはレーザマーキング装置の概略構成を示す。
図４は平面図であり、図５は正面図である。図４，５において、テーブル（図示略）の上にはシリコンウエハ１０が載置されている。シリコンウエハ１０よりも上側においてレーザビームＬｂがミラー６０を経てシリコンウエハ１０の上面に照射される。また、吸引ノズル６１が設けられ、吸引ノズル６１の吸引口（開口部）６１ａは水平方向においてシリコンウエハ１０の外周面１０ａから外側に所定距離Ｌだけ離間して配置されている。 4 and 5 show a schematic configuration of the laser marking apparatus.
4 is a plan view and FIG. 5 is a front view. 4 and 5, a silicon wafer 10 is placed on a table (not shown). The laser beam Lb is irradiated on the upper surface of the silicon wafer 10 through the mirror 60 above the silicon wafer 10. Further, a suction nozzle 61 is provided, and a suction port (opening) 61a of the suction nozzle 61 is disposed apart from the outer peripheral surface 10a of the silicon wafer 10 by a predetermined distance L in the horizontal direction.

ここで、識別マーク１１（識別用文字列１２と誤り検出用コード１３）は、シリコンウエハ１０に対して、波長が５２３ｎｍで、かつ、出力が１８６Ｗ以下のレーザビームＬｂを照射することによりマーキングしたものである。これは次の理由による。   Here, the identification mark 11 (identification character string 12 and error detection code 13) is marked by irradiating the silicon wafer 10 with a laser beam Lb having a wavelength of 523 nm and an output of 186 W or less. Is. This is due to the following reason.

図６には、波長が５２３ｎｍのレーザビームを用いたときにおけるレーザ出力（ワット）と異物発生の有無との関係についての測定結果を示す。ここで、異物について説明すると、図７に示すようにシリコンウエハ１０の表面に凹部１５を形成してマークを形成する際に、シリコンがレーザビームＬｂにより溶融して異物１６となって凹部１５の外周部や図８に示すように凹部１５の周辺に付着する。図６において、レーザ出力を、１９０Ｗ，１８８Ｗ，１８６Ｗ，１８４Ｗ，１８２Ｗ，１８０Ｗとし、この場合における異物発生の有無を測定した結果、１８６Ｗ以下では異物が発生しなかった。これにより、波長が５２３ｎｍで、かつ、出力が１８６Ｗ以下のレーザビームを照射してマーキングを行うと異物の発生を防止できることが分かる。   FIG. 6 shows the measurement results regarding the relationship between the laser output (watts) and the presence or absence of foreign matter when a laser beam having a wavelength of 523 nm is used. Here, the foreign matter will be described. When forming the mark by forming the recess 15 on the surface of the silicon wafer 10 as shown in FIG. 7, the silicon is melted by the laser beam Lb to become the foreign matter 16. As shown in FIG. 8, it adheres to the periphery of the recess 15. In FIG. 6, the laser output was 190 W, 188 W, 186 W, 184 W, 182 W, and 180 W, and the presence or absence of foreign matter generation in this case was measured. As a result, no foreign matter was generated at 186 W or less. Thus, it can be seen that the generation of foreign matter can be prevented when marking is performed by irradiating a laser beam having a wavelength of 523 nm and an output of 186 W or less.

さらに、図３の識別マーク１１（識別用文字列１２と誤り検出用コード１３）は、シリコンウエハ１０に対してレーザビームＬｂを照射することによりマーキングしたものであり、しかもマーキング中においてシリコンウエハ１０の外周面１０ａ（図４，５参照）上または外周面１０ａから外方へ５ｍｍ以内の領域に吸引ノズル６１の吸引口６１ａを配置してレーザ照射に伴い発生する飛散物（シリコンの破片や塵等）を吸引しながらマーキングしたものである。これは次の理由による。   Further, the identification mark 11 (identification character string 12 and error detection code 13) in FIG. 3 is marked by irradiating the silicon wafer 10 with the laser beam Lb, and the silicon wafer 10 is marked during marking. The suction port 61a of the suction nozzle 61 is arranged on the outer peripheral surface 10a (see FIGS. 4 and 5) or in an area within 5 mm outward from the outer peripheral surface 10a, and scattered matter (silicon debris and dust generated by laser irradiation) Etc.) are marked while sucking. This is due to the following reason.

図９に示す平面図において吸引ノズル６１の吸引口（開口部）６１ａとシリコンウエハ１０の外周面１０ａとの距離Ｌ（図４，５参照）を、−５ｍｍ、０ｍ、５ｍｍ、１０ｍｍと変えつつウエハ表面の文字列の中央および両端の文字をＳＥＭにて観察した。なお、このときの文字列は１８文字である。その結果を図１０に示す。   In the plan view shown in FIG. 9, the distance L (see FIGS. 4 and 5) between the suction port (opening) 61a of the suction nozzle 61 and the outer peripheral surface 10a of the silicon wafer 10 is changed to −5 mm, 0 m, 5 mm, and 10 mm. The characters at the center and both ends of the character string on the wafer surface were observed with an SEM. The character string at this time is 18 characters. The result is shown in FIG.

図１０は集塵機の吸引ノズル６１の位置と異物の除去効果を示すものであって、図１０において、吸引口（ノズル先端部）６１ａとシリコンウエハ１０の外周面１０ａとの距離Ｌを、−５ｍｍ、０ｍ、５ｍｍ、１０ｍｍと変えると、Ｌ＝−５ｍｍの場合にはノズル６１がレーザビームＬｂを遮るためマーキング不可能である。Ｌ＝０ｍｍの場合、即ち、ウエハ外周面１０ａ上に吸引口６１ａがある場合には異物残りは発生しなかった。Ｌ＝５ｍｍの場合には、わずかに異物が残った。Ｌ＝１０ｍｍの場合には、多量の異物が残った。このようにして、集塵機の吸引ノズル６１の吸引口６１ａの位置が、ウエハ外周面１０ａから０〜５ｍｍの範囲で異物を除去することができることが分かる。   FIG. 10 shows the position of the suction nozzle 61 of the dust collector and the effect of removing foreign matter. In FIG. 10, the distance L between the suction port (nozzle tip) 61a and the outer peripheral surface 10a of the silicon wafer 10 is -5 mm. , 0 m, 5 mm, and 10 mm, when L = −5 mm, the nozzle 61 blocks the laser beam Lb and marking is impossible. When L = 0 mm, that is, when the suction port 61a is on the wafer outer peripheral surface 10a, no foreign matter remains. In the case of L = 5 mm, a slight amount of foreign matter remained. When L = 10 mm, a large amount of foreign matter remained. In this way, it can be seen that foreign matter can be removed within the range of 0 to 5 mm from the wafer outer peripheral surface 10a at the position of the suction port 61a of the suction nozzle 61 of the dust collector.

次に、図１に示したマーク認識システムについて説明する。
マーク認識システムは、前述の識別マーク１１（シリコンウエハ１０に付されたマーク）とテーブル１とカメラ２０と画像認識装置３０とパソコン４０とディプレイ５０とにより構成されている。テーブル１の上にはシリコンウエハ１０が載置される。 Next, the mark recognition system shown in FIG. 1 will be described.
The mark recognition system includes the identification mark 11 (mark attached to the silicon wafer 10), the table 1, the camera 20, the image recognition device 30, the personal computer 40, and the display 50. A silicon wafer 10 is placed on the table 1.

図１において、撮像手段としてのカメラ２０によりシリコンウエハ１０に付した識別マーク１１を撮像することができるようになっている。解読手段としての画像認識装置３０はカメラ２０により撮像した画像から識別マーク１１を解読するためのものである。   In FIG. 1, the identification mark 11 attached to the silicon wafer 10 can be imaged by a camera 20 as an imaging means. The image recognition device 30 as a decoding means is for decoding the identification mark 11 from the image captured by the camera 20.

図１１は、マーク認識システムの動作を示すフローチャートである。
ステップ１０１でカメラ２０により識別マーク１１を光学的に読み取って画像に変換する（撮像する）。次に、画像認識装置３０はステップ１０２でマーク解読を行う。図１２を用いて、マーク解読処理について説明する。図１２の例において、読み取った画像（識別マーク）について、１文字ずつ文字候補群の中から読み取った画像に近い文字候補を少なくとも１つ選択する。詳しくは、識別マークを構成する７桁の文字に対して１文字ずつ文字毎の確か度合いを求めるとともに確か度合いの低い文字については解読候補を選出する。具体的には、図１２では、文字列の各文字についての確か度合いとして、数字「０」に対して「９０％」、数字「１」に対して「８０％」、数字「２」に対して「７０％」、数字「３」に対して「６０％」、数字「４」に対して「５０％」、数字「６」に対して「１０％」、コードとしてのアルファベット「Ａ」に対して９０％と決定される。また、確か度合いの低い文字である「６」についての解読候補として、「６」、「８」、「５」、「３」が求められ、かつ、その確か度合いとして、数字「６」に対して「９０％」、数字「８」に対して「５０％」、数字「５」に対して「４０％」、数字「３」に対して「２０％」と決定される。換言すれば、「６」、「８」、「５」、「３」のうちの確か度合いが最も高い「６」が選択された状態が図１２である。 FIG. 11 is a flowchart showing the operation of the mark recognition system.
In step 101, the identification mark 11 is optically read by the camera 20 and converted into an image (taken). Next, the image recognition apparatus 30 performs mark decoding in step 102. The mark decoding process will be described with reference to FIG. In the example of FIG. 12, at least one character candidate close to the read image is selected from the character candidate group for each read image (identification mark). Specifically, the degree of certainty for each character is obtained for each of the seven digits constituting the identification mark, and a decoding candidate is selected for a character with a low degree of certainty. Specifically, in FIG. 12, as the certainty for each character of the character string, “90%” for the number “0”, “80%” for the number “1”, and “2” "70%", "60%" for the number "3", "50%" for the number "4", "10%" for the number "6", and the alphabet "A" as a code On the other hand, it is determined to be 90%. In addition, “6”, “8”, “5”, “3” are required as decoding candidates for “6”, which is a character with a low degree of certainty. “90%”, “50” for the number “8”, “40%” for the number “5”, and “20%” for the number “3”. In other words, FIG. 12 shows a state where “6” having the highest degree of certainty among “6”, “8”, “5”, and “3” is selected.

図１１において、パソコン４０はステップ１０３で、解読した識別マーク（１１）におけるコード（１３）を用いて文字列（１２）について正誤判定を行う。詳しくは、文字列（１２）がチェックサム（コード１３）と合致するか判定する。これを、図１３（ａ），（ｂ）を用いて説明するならば、図１３（ａ）の識別マーク１１に対し図１３（ｂ）の読み取り結果を得た場合においては、文字列（１２）が正しく読み取れていると文字列（１２）の総和が「１５」であり、対応するコードが「Ａ」となり、正しいことが分かる。そして、パソコン４０は図１１のステップ１０３において判定結果がＯＫ、即ち、正しければ、ステップ１０６で確定し、ステップ１０７で表示する。   In FIG. 11, in step 103, the personal computer 40 makes a correct / incorrect determination on the character string (12) using the code (13) in the decoded identification mark (11). Specifically, it is determined whether the character string (12) matches the checksum (code 13). This will be described with reference to FIGS. 13A and 13B. When the reading result of FIG. 13B is obtained for the identification mark 11 of FIG. 13A, the character string (12 ) Is correctly read, the sum of the character string (12) is “15”, and the corresponding code is “A”, which indicates that it is correct. If the determination result is OK in step 103 in FIG. 11, that is, if it is correct, the personal computer 40 confirms it in step 106 and displays it in step 107.

一方、ステップ１０３で正誤判定を行った結果、誤りであった場合について説明すると、図１３（ａ）の識別マーク１１に対し図１３（ｃ）の読み取り結果を得た場合においては、文字列（１２）の総和が「１６」であり、対応するコードが「Ｂ」となり、正しくないことが分かる。   On the other hand, the case where there is an error as a result of the correct / incorrect determination in step 103 will be described. When the reading result of FIG. 13C is obtained for the identification mark 11 of FIG. The sum of 12) is “16” and the corresponding code is “B”, which indicates that it is not correct.

パソコン４０は図１１のステップ１０３において誤りであったならばステップ１０４に移行して、解読した文字列（１２）について確か度合いの低い文字に対し文字候補を入れ替えて訂正する。これを、図１２の例で説明するならば、図１３（ｃ）および図１２において、「０」，「１」，「２」，「３」，「４」，「６」についての確か度合いの比較において確か度合いが低い文字「６」に対し、「６」，「８」，「５」，「３」についての文字毎の確か度合いの比較において２番目に確か度合いが高い文字「８」を入れ替えて図１４（ａ）に示すようにする。   If there is an error in step 103 of FIG. 11, the personal computer 40 proceeds to step 104 and replaces the character candidate with a low certainty in the decoded character string (12) and corrects it. If this is explained using the example of FIG. 12, in FIG. 13C and FIG. 12, the degree of certainty about “0”, “1”, “2”, “3”, “4”, “6”. The character “6” having the second lowest degree of certainty in the comparison of the degree of certainty for each character for the characters “6”, “8”, “5”, “3” with respect to the character “6” having the smallest certain degree in the comparison of Are replaced as shown in FIG.

パソコン４０は図１１のステップ１０４の処理を行った後、ステップ１０５に移行する。パソコン４０はステップ１０５において入れ替えた文字列（１２）について前述のステップ１０３と同様にして正誤判定を行う。パソコン４０は図１１のステップ１０５で正しければ、ステップ１０６で確定し、ステップ１０７で表示する。一方、正しくなかった場合について図１４（ａ）を用いて説明するならば、図１４（ａ）のように入れ替え後においては、文字列（１２）の総和が「１８」であり、対応するコードが「Ｄ」となり、正しくないことが分かる。   The personal computer 40 performs the process of step 104 in FIG. The personal computer 40 determines whether the character string (12) replaced in step 105 is correct or incorrect in the same manner as in step 103 described above. If the personal computer 40 is correct in step 105 in FIG. 11, it is confirmed in step 106 and displayed in step 107. On the other hand, if the case where it is not correct is described with reference to FIG. 14A, the sum of the character string (12) is “18” after the replacement as shown in FIG. Becomes “D”, which indicates that it is not correct.

このようにパソコン４０は図１１のステップ１０５で正誤判定を行った結果、誤りであったならば、ステップ１０４に戻り、確か度合いが低い文字に対し文字候補を入れ替える。以下、ステップ１０４，１０５を繰り返してチェックサムが合致するまで（合計値がコードと一致するまで）文字候補の入れ替えとチェックサム判定を繰り返し、ステップ１０６で確定し、ステップ１０７で表示する。   As described above, if the personal computer 40 makes an error in step 105 in FIG. 11, if it is an error, the personal computer 40 returns to step 104 and replaces the character candidates for a character with a low degree of certainty. Thereafter, steps 104 and 105 are repeated until the checksums match (until the total value matches the code), the character candidate replacement and the checksum determination are repeated, determined at step 106, and displayed at step 107.

図１２の例で説明するならば、図１４（ａ）における文字「８」に対し図１２において次に確か度合いが高い文字「５」を図１４（ｂ）のように入れ替え後においては、文字列（１２）の総和が「１５」であり、対応するコードが「Ａ」となり、正しいことが分かる。   In the example of FIG. 12, the character “5” having the next highest degree of certainty in FIG. 12 is replaced with the character “8” in FIG. 14A after replacement as shown in FIG. The sum total of the column (12) is “15”, and the corresponding code is “A”, which shows that it is correct.

以上のごとく、本実施形態は下記の特徴を有している。
マーク認識システムは、図１，１１を用いて説明したように、シリコンウエハ１０に付され、かつ、識別用文字列１２および誤り検出用コード（情報）１３を有する識別マーク１１と、撮像手段としてのカメラ２０と、解読手段としての画像認識装置３０と、正誤判定手段および訂正手段としてのパソコン４０とを備えている。そして、カメラ２０は、識別マーク１１を撮像する。画像認識装置３０は、カメラ２０により撮像した画像から、識別マーク１１の識別用文字列１２および誤り検出用コード（情報）１３を解読する。さらに、パソコン４０は、解読した識別マークの誤り検出用コード（情報）を用いて、解読した識別用文字列について正誤判定するとともに（図１１のステップ１０３）、正誤判定結果が誤りであると、解読した識別用文字列について識別用文字列を構成する文字群の一部を他の文字と入れ替えて訂正する（図１１のステップ１０４）。その結果、識別用文字列１２を撮像して認識する際に文字列１２について正しく認識することが可能となる。 As described above, the present embodiment has the following features.
As described with reference to FIGS. 1 and 11, the mark recognition system includes an identification mark 11 attached to a silicon wafer 10 and having an identification character string 12 and an error detection code (information) 13. Camera 20, an image recognition device 30 as decoding means, and a personal computer 40 as correctness determination means and correction means. Then, the camera 20 images the identification mark 11. The image recognition device 30 decodes the identification character string 12 and the error detection code (information) 13 of the identification mark 11 from the image captured by the camera 20. Furthermore, the personal computer 40 makes a correct / incorrect determination on the decoded identification character string using the error detection code (information) of the decoded identification mark (step 103 in FIG. 11), and if the correct / incorrect determination result is incorrect, The decoded character string is corrected by replacing a part of the character group constituting the character string for identification with another character (step 104 in FIG. 11). As a result, the character string 12 can be correctly recognized when the identification character string 12 is captured and recognized.

また、画像認識装置３０は、撮像した画像から識別マーク１１の識別用文字列１２および誤り検出用コード（情報）１３を解読する際に、図１２に示すごとく、識別用文字列１２を構成する文字群の各文字についての確か度合いを算出し（図１１のステップ１０２）、パソコン４０は、確か度合いが低い文字について他の文字と入れ替えて解読した識別用文字列を訂正する（図１１のステップ１０４）。よって、確か度合いを考慮して文字の入れ替えを行うことができる。   Further, when the image recognition device 30 decodes the identification character string 12 and the error detection code (information) 13 of the identification mark 11 from the captured image, the image recognition device 30 forms the identification character string 12 as shown in FIG. The degree of certainty for each character in the character group is calculated (step 102 in FIG. 11), and the personal computer 40 corrects the character string for identification that has been decoded by replacing the character with a certain degree of certainty with another character (step in FIG. 11). 104). Therefore, it is possible to replace characters in consideration of the certainty.

また、画像認識装置３０は、撮像した画像から識別マーク１１の識別用文字列１２および誤り検出用コード（情報）１３を解読する際に、図１２に示すごとく、識別用文字列１２を構成する文字群の文字について解読候補となる文字を準備し（図１１のステップ１０２）、パソコン４０は、正誤判定結果が誤りである場合に、解読候補となる文字を入れ替えて解読した識別用文字列を訂正する（図１１のステップ１０４）。よって、解読候補を準備して容易に文字の入れ替えを行うことができる。   Further, when the image recognition device 30 decodes the identification character string 12 and the error detection code (information) 13 of the identification mark 11 from the captured image, the image recognition device 30 forms the identification character string 12 as shown in FIG. A character to be a decoding candidate is prepared for the characters in the character group (step 102 in FIG. 11). When the correctness determination result is incorrect, the personal computer 40 replaces the character to be a decoding candidate with a decoded character string. Correction is made (step 104 in FIG. 11). Therefore, it is possible to easily replace characters by preparing decoding candidates.

また、再正誤判定手段としてのパソコン４０は、ステップ１０４において入れ替えた識別用文字列について、ステップ１０５で誤り検出用コード（情報）１３を用いて正誤判定する。よって、再判定することにより精度向上を図る上で好ましい。そして、パソコン４０において識別用文字列について正しいと判定されるまで、パソコン４０による解読候補となる文字の入れ替えと正誤判定を繰り返す（図１１のステップ１０４，１０５）。よって、精度向上を図る上でより好ましい。   Further, the personal computer 40 as the re-correction determination means determines whether the identification character string replaced in step 104 is correct or incorrect using the error detection code (information) 13 in step 105. Therefore, it is preferable to improve accuracy by re-determination. Then, until the personal computer 40 determines that the identification character string is correct, the personal computer 40 repeats the replacement of characters as candidates for decoding and the correctness determination (steps 104 and 105 in FIG. 11). Therefore, it is more preferable for improving accuracy.

また、識別マーク１１の識別用文字列１２および誤り検出用コード（情報）１３は、図６を用いて説明したようにシリコンウエハ１０に対して、波長が５２３ｎｍで、かつ、出力が１８６Ｗ以下のレーザビームＬｂを照射することによりマーキングしたものである。こうすることにより、異物の発生を抑制しつつマーキングすることができ、かつ、誤り検出用コード（情報）１３を付すことにより正しく認識することができる。   The identification character string 12 and the error detection code (information) 13 of the identification mark 11 have a wavelength of 523 nm and an output of 186 W or less with respect to the silicon wafer 10 as described with reference to FIG. Marking is performed by irradiating the laser beam Lb. By doing so, it is possible to perform marking while suppressing the generation of foreign matter, and it is possible to recognize correctly by attaching an error detection code (information) 13.

また、識別マーク１１の識別用文字列１２および誤り検出用コード（情報）１３は、シリコンウエハ１０に対してレーザビームＬｂを照射することによりマーキングしたものであり、かつ、図９，１０を用いて説明したようにマーキング中においてシリコンウエハ１０の外周面１０ａ上または外周面１０ａから外方へ５ｍｍ以内の領域に吸引ノズル６１の吸引口６１ａを配置してレーザ照射に伴い発生する飛散物を吸引しながらマーキングしたものである。こうすることにより、マーキング中でのレーザ照射に伴い発生する飛散物を吸引して飛散物のシリコンウエハ表面への付着を防止することができる（シリコンウエハ表面から除去できる）。   Further, the identification character string 12 and the error detection code (information) 13 of the identification mark 11 are marked by irradiating the silicon wafer 10 with the laser beam Lb, and FIGS. As described above, during the marking, the suction port 61a of the suction nozzle 61 is disposed on the outer peripheral surface 10a of the silicon wafer 10 or in an area within 5 mm outward from the outer peripheral surface 10a to suck scattered matter generated by laser irradiation. While marking. By doing so, it is possible to suck the scattered matter generated by the laser irradiation in the marking and prevent the scattered matter from adhering to the silicon wafer surface (can be removed from the silicon wafer surface).

なお、前記実施形態は以下のように変更してもよい。
識別用文字列１２と誤り検出用コード（情報）１３の形成に関して、図１５に示すように、シリコンウエハ１０に対して表面から所定距離ｄだけ内方に集光点を合わせてレーザビームＬｂを照射して、図１６に示すようにウエハ内部に多光子吸収による領域１７を形成する。領域１７は、レーザ加熱によりシリコンが改質された領域（改質領域）、具体的にはポリシリコン領域である。または、領域１７はレーザ加熱によりシリコンが多孔質となった領域（多孔質領域）である。この領域（改質領域または多孔質領域）１７によってウエハ１０でのレーザビーム入射面から所定距離ｄだけ内方側にマークを形成する。 In addition, you may change the said embodiment as follows.
With respect to the formation of the identification character string 12 and the error detection code (information) 13, as shown in FIG. 15, the laser beam Lb is focused on the silicon wafer 10 inward by a predetermined distance d from the surface. Irradiation is performed to form a region 17 by multiphoton absorption inside the wafer as shown in FIG. The region 17 is a region where silicon is modified by laser heating (modified region), specifically, a polysilicon region. Alternatively, the region 17 is a region (porous region) in which silicon is made porous by laser heating. With this region (modified region or porous region) 17, a mark is formed on the inner side by a predetermined distance d from the laser beam incident surface on the wafer 10.

このように、識別用文字列１２と誤り検出用コード（情報）１３は、シリコンウエハ１０に対してウエハ内部に集光点を合わせてレーザビームを照射してウエハ１０でのレーザビーム入射面から所定距離ｄだけ内方側に多光子吸収による領域（改質領域または多孔質領域）１７を形成することによりマーキングしたものである。よって、シリコンウエハ１０におけるレーザビーム入射面から所定距離ｄだけ内方側に形成した領域（改質領域または多孔質領域）１７によりマーキングされ、ウエハ表面においてレーザ照射に伴う異物の発生を防止することができる。   As described above, the identification character string 12 and the error detection code (information) 13 are emitted from the laser beam incident surface on the wafer 10 by irradiating the silicon wafer 10 with the laser beam with the focusing point inside the wafer. Marking is performed by forming a region (modified region or porous region) 17 by multiphoton absorption on the inner side by a predetermined distance d. Therefore, the silicon wafer 10 is marked by the region (modified region or porous region) 17 formed on the inner side by a predetermined distance d from the laser beam incident surface of the silicon wafer 10 to prevent the generation of foreign matter due to laser irradiation on the wafer surface. Can do.

これまでの説明においてはシリコンウエハ（半導体ウエハ）を管理対象とした場合について説明してきたが、これに限ることなく、他にも、例えば液晶用ガラス基板にマークを付けて管理する場合等に適用することができる。   In the description so far, the case where a silicon wafer (semiconductor wafer) is a management target has been described. However, the present invention is not limited to this, and is applicable to other cases, for example, when a glass substrate for liquid crystal is marked and managed. can do.

また、識別用文字列１２は図３では６桁の数字で構成したが、桁数は５桁以下でも７桁以上でもよく、また、数字以外の文字、例えばアルファベットや漢字文字や特殊文字（♯、％、＝、等）等でもよい。誤り検出用コード（情報）１３に関して、図３では０＋１＋２＋３＋４＋５＝１５であり、合計値「１５」に対応するコード「Ａ」を付与した。これに代わり、識別用文字列１２における各文字がアルファベットや漢字文字や特殊文字等の場合においてはＡＳＣＩＩ文字コードやＪＩＳの符号表のように各文字を数字で符号化したものの合計値をコード化してもよい。このように、誤り検出用コード（情報）は、識別用文字列における各数字の合計値をコード化したものでも、識別用文字列における各文字コードに対応する数値の合計値をコード化したものでもよい。   Further, although the identification character string 12 is composed of 6-digit numbers in FIG. 3, the number of digits may be 5 digits or less or 7 digits or more, and characters other than numbers, such as alphabets, kanji characters, special characters (# ,%, =, Etc.). Regarding the error detection code (information) 13, in FIG. 3, 0 + 1 + 2 + 3 + 4 + 5 = 15, and the code “A” corresponding to the total value “15” is given. Instead, in the case where each character in the identification character string 12 is an alphabet, a kanji character, a special character, etc., the total value of the characters encoded with numbers as in the ASCII character code or JIS code table is encoded. May be. As described above, the error detection code (information) is obtained by encoding the total value of each number in the identification character string, even if the total value of each number in the identification character string is encoded. But you can.

また、誤り検出用情報（１３）としてコード化したものを用いたが、これに限らずコード化せずに、例えば文字列１２の合計値をそのまま、誤り検出用情報としてもよい。
また、識別マーク１１（識別用文字列１２および誤り検出用コード（情報）１３）は刻印でなく印刷で形成してもよい。 Further, although encoded information is used as the error detection information (13), the present invention is not limited to this. For example, the total value of the character string 12 may be used as the error detection information without being encoded.
The identification mark 11 (the identification character string 12 and the error detection code (information) 13) may be formed by printing instead of engraving.

実施形態におけるマーク認識システムの概略構成図。1 is a schematic configuration diagram of a mark recognition system in an embodiment. ＩＣ製造プロセスを示す図。The figure which shows IC manufacturing process. レーザマーキングを行った後のシリコンウエハの平面図。The top view of the silicon wafer after performing laser marking. レーザマーキング装置の概略構成図。The schematic block diagram of a laser marking apparatus. レーザマーキング装置の概略構成図。The schematic block diagram of a laser marking apparatus. レーザ出力（ワット）と異物発生の有無との関係についての測定結果を示す図。The figure which shows the measurement result about the relationship between a laser output (watt) and the presence or absence of foreign material generation | occurrence | production. シリコンウエハにレーザビームを照射したときの状況を示す縦断面図。The longitudinal cross-sectional view which shows the condition when a laser beam is irradiated to a silicon wafer. シリコンウエハにレーザビームを照射したときの状況を示す縦断面図。The longitudinal cross-sectional view which shows the condition when a laser beam is irradiated to a silicon wafer. 測定に用いた吸引ノズルとシリコンウエハの位置関係を示す平面図。The top view which shows the positional relationship of the suction nozzle used for the measurement, and a silicon wafer. ノズル位置と異物の発生状況の測定結果を示す図。The figure which shows the measurement result of the nozzle position and the generation | occurrence | production state of a foreign material. マーク認識システムの動作を示すフローチャート。The flowchart which shows operation | movement of a mark recognition system. マークの解読の際の確か度合いおよび解読候補の抽出についての説明図。Explanatory drawing about extraction of the certainty degree at the time of decoding of a mark, and a decoding candidate. （ａ），（ｂ），（ｃ）は正誤判定の説明図。(A), (b), (c) is explanatory drawing of a correct / incorrect determination. （ａ），（ｂ）は正誤判定の説明図。(A), (b) is explanatory drawing of a correct / incorrect determination. シリコンウエハへのレーザビームの照射状況を示す縦断面図。The longitudinal cross-sectional view which shows the irradiation condition of the laser beam to a silicon wafer. シリコンウエハの縦断面図。The longitudinal cross-sectional view of a silicon wafer.

符号の説明Explanation of symbols

１０…シリコンウエハ、１１…識別マーク、１２…識別用文字列、１３…誤り検出用コード、１７…領域、２０…カメラ、３０…画像処理装置、４０…パソコン、６１…吸引ノズル、６１ａ…吸引口、Ｌｂ…レーザビーム。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Silicon wafer, 11 ... Identification mark, 12 ... Identification character string, 13 ... Error detection code, 17 ... Area, 20 ... Camera, 30 ... Image processing device, 40 ... Personal computer, 61 ... Suction nozzle, 61a ... Suction Mouth, Lb ... Laser beam.

Claims (6)

半導体ウエハまたは液晶用ガラス基板に付され、かつ、識別用文字列および誤り検出用情報を有する識別マークと、
前記識別マークを撮像する撮像手段と、
前記撮像手段により撮像した画像から、前記識別マークの識別用文字列および誤り検出用情報を解読するとともに、前記識別用文字列を構成する文字群の各文字についての確か度合いを算出する解読手段と、
前記解読手段により解読した識別マークの誤り検出用情報を用いて、解読した識別用文字列について正誤判定する正誤判定手段と、
前記正誤判定手段による正誤判定結果が誤りであると、解読した識別用文字列について前記確か度合いが低い文字を他の文字と入れ替えて訂正する訂正手段と、
前記訂正手段により入れ替えた識別用文字列について、誤り検出用情報を用いて正誤判定する再正誤判定手段と、
を備え、前記再正誤判定手段において識別用文字列について正しいと判定されるまで、前記訂正手段による文字の入れ替えと前記再正誤判定手段による正誤判定を繰り返すことを特徴とするマーク認識システム。 An identification mark attached to a semiconductor wafer or a liquid crystal glass substrate , and having an identification character string and error detection information;
Imaging means for imaging the identification mark;
A decoding unit that decodes the identification character string and the error detection information of the identification mark from the image captured by the imaging unit, and calculates a certainty degree for each character of the character group constituting the identification character string ; ,
Using the error detection information of the identification mark decoded by the decoding means, correct / incorrect determination means for determining correctness of the decoded identification character string,
If the correct / incorrect determination result by the correct / incorrect determination means is incorrect, the correcting means for correcting the character string with a low certainty with respect to the decoded identification character string by replacing it with other characters,
Re-correction determination means for determining correctness using error detection information for the identification character string replaced by the correction means;
The mark recognition system is characterized in that the re-correction determination unit repeats the character replacement by the correction unit and the correct-error determination by the re-correction determination unit until it is determined that the identification character string is correct . 前記解読手段は、撮像した画像から識別マークの識別用文字列および誤り検出用情報を解読する際に、識別用文字列を構成する文字群の文字について解読候補となる文字を準備し、前記訂正手段は、正誤判定手段による正誤判定結果が誤りである場合に、前記解読候補となる文字を入れ替えて解読した識別用文字列を訂正することを特徴とする請求項１に記載のマーク認識システム。 The decoding means prepares a character to be a decoding candidate for a character of a character group constituting the identification character string when decoding the identification character string of the identification mark and the error detection information from the captured image, and the correction 2. The mark recognition system according to claim 1, wherein the means corrects the decoded character string by replacing the character as the decoding candidate when the correctness determination result by the correctness determination means is incorrect. 前記識別マークの誤り検出用情報は、識別用文字列における各数字の合計値をコード化したもの、または、識別用文字列における各文字コードに対応する数値の合計値をコード化したものであることを特徴とする請求項１または２に記載のマーク認識システム。 The error detection information of the identification mark is obtained by encoding the total value of each number in the identification character string, or by encoding the total value of numerical values corresponding to each character code in the identification character string. mark recognition system according to claim 1 or 2, characterized in that. 前記識別マークの識別用文字列および誤り検出用情報は、半導体ウエハに対して、波長が５２３ｎｍで、かつ、出力が１８６Ｗ以下のレーザビームを照射することによりマーキングしたものであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のマーク認識シス
テム。 Identification string and the error detection information of the identification mark, to the semi-conductor wafer, and wherein the wavelength at 523 nm, and the output is one that was marked by irradiating the following laser beam 186W The mark recognition system according to any one of claims 1 to 3 . 前記識別マークの識別用文字列および誤り検出用情報は、半導体ウエハに対してレーザビームを照射することによりマーキングしたものであり、かつ、マーキング中において半導体ウエハの外周面上または外周面から外方へ５ｍｍ以内の領域に吸引ノズルの吸引口を配置してレーザ照射に伴い発生する飛散物を吸引しながらマーキングしたものであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のマーク認識システム。 Identification string and the error detection information of the identification mark is intended to mark by irradiating a laser beam to the semi-conductor wafer, and, out of the outer peripheral surface or on the outer peripheral surface of a semiconductor wafer during marking according to any one of claims 1 to 4, characterized in that by placing the suction opening of the suction nozzle in the area within 5mm towards is obtained by marking with suction debris generated due to the laser irradiation Mark recognition system. 前記識別マークの識別用文字列および誤り検出用情報は、半導体ウエハに対してウエハ内部に集光点を合わせてレーザビームを照射してウエハでのレーザビーム入射面から所定距離だけ内方側に多光子吸収による改質領域または多孔質領域を形成することによりマーキングしたものであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のマーク認識システム。 The identification string and the error detection information of the identification mark, by irradiating a laser beam inside the wafer with its focusing point with respect to the semi-conductor wafer from a laser beam incident surface of the wafer by a predetermined distance inwardly The mark recognition system according to any one of claims 1 to 3 , wherein the mark recognition system is marked by forming a modified region or a porous region by multiphoton absorption.
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