JP4550280B2 - 直線ビーム管における効率と、帯域幅とを高める導波管直列空洞 - Google Patents
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Description
【０００１】
（発明の背景）
１．発明の分野
本発明は、マイクロ波増幅装置から電磁エネルギーを抽出する導波管整合ネットワーク(waveguide matching networks)に関し、特に、クライストロンにおける効率と帯域幅とを高める出力導波管と直列の共振空洞に関する。
【０００２】
２．関連技術の説明
クライストロンなどの直線ビーム管(linear beam tubes)および進行波管が、ＲＦ、あるいはマイクロ波電磁信号の増幅を必要とする高性能な通信方式やレーダー方式に使用されている。クライストロンは、本質的に、入力部分、バンチャ部分(buncher section)および出力部分の３つの部分に分けられるいくつかの空洞を備えている。電子ビームが、クライストロンを通して送られ、電子は、速度変調される。速度が加速されたこれらの電子は、より遅い電子を徐々に追い抜き、結果として電子集群作用を生ずる。バンチャ部分は、電子ビームの速度変調を増幅する。進行電子集群は、電子ビームＲＦ電流を表わしている。ＲＦ電流は、集群されたビームが出力空洞を通過するとき、電磁エネルギーをクライストロンの出力部分に誘導し、電磁エネルギーが出力部分でクライストロンから抽出される。出力導波管は、アンテナなどの出力装置に電磁エネルギーを導く。
【０００３】
クライストロンによって生成される電力は、出力ギャップの全域で生成される抵抗のレベルの関数である。角周波数全域に渡る抵抗の積分は、π／２Ｃを超えることはなく、式中、Ｃは、出力容量である。クライストロンの場合は、Ｃは、主として、出力ギャップのキャパシタンスである。電子ビームによって生成される電流が、ギャップ電圧のインピーダンスである場合、抵抗帯域幅生成物は、ボードの定理(Bode’s theorem)によって定義される理論限界にほぼ等しい、すなわち、Ｒｄωの積分が、π／２Ｃを超えることはなく、式中、Ｒは、抵抗であり、ｄωは、帯域幅である。ボードの定理の詳細な説明は、１９４５年のＶａｎ Ｎｏｓｔｒａｎｄ Ｃｏｍｐａｎｙの彼の本である“Ｎｅｔｗｏｒｋ Ａｎａｌｙｓｉｓ ａｎｄ Ｆｅｅｄｂａｃｋ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ Ｄｅｓｉｇｎ（ネットワークアナリシスおよびフィードバック増幅器）”の２８２頁に記述されている。実際には、とはいえ、ギャップで発生されるＲＦ電圧が、ビーム電圧を超え始めるとき、駆動電流が、実質的に低減される。この効果は、ネットワークの入力インピーダンスが実質的な無効分を有する帯域エッジで最も著しい。レスポンスを改善するために、追加の空洞が、出力に結合されることが可能である。これにより、ギャップの抵抗対周波数特性を“二乗する”一方、通過帯域の中心でリアクタンスを最小にすることが多い。周波数の関数として電力を最大にするために、出力回路が、適切な電圧スタンディング波比(voltage standing wave ratio)（“ＶＳＷＲ”）と移相とで合成されることが可能である場合、出力電力への負荷インピーダンスの効果を決定することにより、さらに拡張することが可能である。
【０００４】
クライストロンの帯域幅は、互いに結合されるいくつかの空洞の出力ギャップを使用することによって、単一ギャップにより生成される帯域幅を超えて増加されることが可能である。エネルギーは、総インピーダンスが第１のギャップで１／Ｎ倍であるＮギャップの電子ビームから抽出され、第１のギャップとそれに続くギャップとにおける電圧の合計は、適切なインピーダンス先細り(tapering）の近くのビーム電圧にほぼ等しくなる。もう一度、ボードの定理は、最大達成可能電力帯域幅生成物を定義しているが、ネットワークへの入力での抵抗分が低いので、類似ギャップの大きさと仮定すれば、単一空洞出力の帯域幅のほぼＮ倍に達成することが可能である。前述のとおり、実験測定に基づき、電力改良は、最適位相とＶＳＷＲとを、それぞれが電子ビームにより駆動されるギャップを有する複数の結合された空洞からなる出力回路に呈するように構成される出力ネットワークの追加によって実現されることが可能である。図１および図２は、終端導波管に結合される単一の空洞出力部分と複数の空洞出力部分とのための等価回路モデルを示している。
【０００５】
帯域全域に渡る電力を高めるのに供給される最適なＶＳＷＲおよび位相を反射する負荷ネットワークを生成することは、一般に手に負えそうにないタスクである。従来技術において、最も多いこのようなネットワーク、すなわち、広帯域クライストロンのための導波管整合ネットワークは、最終空洞絞りから様々な距離をおいてシャント・サセプタンス(shunt susceptances)を使用していた。例えば、ＴＥ１０導波管の狭い寸法を一部横切って延在する目標物(objects)が、シャント容量性サセプタンスを生成し、またＴＥ１０導波管の狭い寸法を完全に横切って延在する目標物が、誘導性サセプタンスを生成する。とはいえ、インピーダンス整合のためにシャント・サセプタンスを利用することに対しては、かなりの欠点がある。いくつかの装置について、理想的な変圧器比は、通過帯域の中心から離れて生ずるインピーダンスの無効分における増加を補償するために、帯域エッジで高くなるべきである。さらに、導波管の分散特性と組み合わされるシャント要素(shunt element)の位置が、出力ギャップで生成されるインピーダンスの位相が狭周波数範囲全体に渡って最適である状態を生成する。その結果、帯域の１つの部分でのあらゆる動作の改善が、ほかの場所（すなわち、反射インピーダンスが位相の範囲外である）での対応する減損によりオフセットされることが可能である。多くの場合、オペレーションの所望の帯域に渡る単一の、あるいは複数のギャップクライストロンの出力電力を最適化するシャント・サセプタンス不連続(shunt susceptive discontinuities)からなる変圧器を構成することは簡単には可能ではない。
【０００６】
それゆえに、オペレーションの所望の帯域全域に渡ってクライストロンの出力電力を最も効果的にするシステムを提供することが望ましい。このようなシステムは、周波数感度がよく、そして周波数範囲に渡って、生成される反射の大きさを局部に制限し、そこでは生成される反射の大きさは出力電力に確実に影響を与える。このようなシステムは、さらに、特定の周波数範囲に渡って電力の増大を可能とし、さらに、この周波数範囲外での不整合の大きさが減少するため、位相反射の外で生ずる電力に及ぼす負の影響を減少する。システムが、指定された周波数で、より高い動作電力を生成し、同時に、クライストロンの帯域幅を増大する。
【０００７】
（発明の概要）
本発明の説明によれば、電力および動作周波数帯を高めるために、最適な位相およびＶＳＷＲを生成するクライストロンなどの直線ビーム管に使用される負荷ネットワークを形成するためのシステムおよび方法が提供される。より正確には、狭い周波数範囲に渡って電力を高め、そして動作周波数帯のほかの場所での対応する減損を最小にするシステムおよび方法が提供される。
【０００８】
システムの実施形態は、クライストロンの出力ギャップに結合される出力導波管と、出力導波管に沿って配置される１つ以上の共振空洞と、各共振空洞に使用される同調装置とを備えている。クライストロンは、重ね合わされるＲＦ信号を有する集群(bunched)電子ビームを生ずる直列の共振空洞を通して電子ビームを通過させる。クライストロンの出力信号は、出力導波管を通過する出力ギャップで生成される。
【０００９】
共振空洞は、出力ギャップに対する位置による反射の位相を設定する絞りを通して出力導波管に誘導的に結合されている。共振空洞は、クライストロンの動作周波数帯で、あるいはその近くで共振するように同調される。共振空洞のレスポンス特性が、インピーダンス不整合を生成することによって、帯域内の、例えば、高い端部と低い端部における、特定の周波数で電力を高める。帯域内の他の周波数で電力への最小効果がある。調整可能な同調ダイヤフラムが、さらに、共振空洞の共振周波数を同調するために設けられることが可能であり、それによって、反射の大きさ(magnitude)と位相とを変える。
【００１０】
該方法は、クライストロンの出力部分に結合される出力導波管に沿って１つまたはそれ以上の共振空洞を配置する工程を含んでいる。該方法は、さらに、クライストロン周波数動作帯における、あるいはその近くでの周波数で１つまたはそれ以上の共振空洞の共振を選択する工程と、所望位相の反射を生ずるのに十分なクライストロンの出力ギャップから少し離れて共振空洞を配置する工程とを含んでいる。
【００１１】
クライストロンに使用される共振空洞についてのより完全な理解と、その付加的な利点および目的の実現とは、好ましい実施形態の下記の詳細な説明を考慮すると、当業者に与えられるであろう。最初に、簡単に記述されている添付の図面を参照にされたい。
【００１２】
（好ましい実施形態の詳細な説明）
本発明は、クライストロンの動作可能な帯域内にインピーダンス不整合を故意に生成するクライストロンの出力導波管に共振空洞を結合することによって、クライストロンの高められた効率と帯域幅とを供給する装置および方法を提供する。インピーダンス不整合の大きさおよび位相は、動作可能帯域内にクライストロンの出力電力に確実にも影響するように選択される。下記の詳細な説明において、同一の要素符号は、１つ以上の図で図示される同一要素を記述するのに使用されている。
【００１３】
先ず図１を参照すると、クライストロンの等価電気回路が図示されている。クライストロンは、出力空洞と、出力空洞を出力導波管に結合する導波管結合絞りと、出力導波管とを備えている。対応する相互作用ギャップを有する出力空洞は、ギャップのキャパシタンスによってほとんど全体に渡り供給される空洞キャパシタンスＣ１によって表わされている。空洞インダクタンスＬ１の第１の部分は、空洞キャパシタンスＣ１と並列に設けられ、空洞インダクタンスＬ２の第２の部分は、空洞キャパシタンスＣ１を導波管結合絞り(waveguide coupling iris) に結合している。導波管結合絞りは、絞り全体に渡って設けられる絞りインダクタンスＬ３とシャントキャパシタンスＣ２とを含む並列ＬＣ回路によって表わされている。抵抗Ｒは、特性インピーダンスで適切に終端される出力導波管の負荷を表わしている。
【００１４】
同様に、図２は、２つの空洞を有する延長された相互作用出力回路（“ＥＩＯＣ”）の電気等価回路を図示している。ＥＩＯＣは、第１の空洞と、空洞間(intercavity)結合絞りと、第２の空洞と、導波管結合絞りと、出力導波管とを備えている。上記に論じられたクライストロンの出力空洞の等価電気回路におけるように、対応する相互作用ギャップ（ギャップ１）を有する第１の空洞は、空洞キャパシタンスＣ１と、空洞インダクタンスの第１の部分Ｌ１と、空洞インダクタンスの第２の部分Ｌ２とでそれぞれに表わされている。空洞間の結合絞りは、並列に配置される結合インダクタンスＬ４とシャントキャパシタンスＣ３とで表わされている。対応するギャップ（ギャップ２）を有する第２の空洞は、空洞キャパシタンスＣ４と、空洞インダクタンスの第１の部分Ｌ５と、空洞インダクタンスの第２の部分Ｌ６とで表わされている。ギャップ１およびギャップ２は、それぞれの空洞の磁界を有する電子ビームの相互作用のギャップである。導波管結合絞りは、上記に論じられたクライストロンのものに類似しており、絞りインダクタンスＬ７と、シャントキャパシタンスＣ５によって表わされている。上記のように、抵抗Ｒは、特性インピーダンスで適切に終端される出力導波管の負荷を表わしている。
【００１５】
一般に、出力空洞と、単一空洞出力のクライストロンおよびＥＩＯＣのための出力導波管との間の結合は、導波管結合絞りの共振周波数の関数である。動作帯に向かう絞りの共振周波数を同調すると、結合を強め、低い方の外部のＱを結果として生ずる。逆に、動作帯から離れている絞りの共振周波数を同調すると、結合が低下し、高い方の外部のＱを結果として生ずる。外部のＱを低下させる従来の方法は、絞りの共振周波数がＬＣの平方根に反比例するので、結合絞りの幅を変えることによって絞りインダクタンスを変えることである。
【００１６】
図３は、本発明の教示による導波管に結合される共振空洞を有するクライストロンの出力導波管の電気接続図を図示している。図１および図２の記述に類似するクライストロンは、図１の第１の出力空洞か、あるいは図２の延長された相互作用空洞のいずれかに対応する出力回路と、導波管結合絞りとを備えている。さらに、図１および図２に類似する導波管結合絞りは、絞りインダクタンスとシャントキャパシタンスとを表している。図３の接続図は、さらに、インダクタンスＬ８で表わされる導波管インダクタンスを示している。本発明の共振空洞は、インダクタンスＬ９と、誘導同調器Ｌ１１と、キャパシタンスＣ６と、誘導結合絞りＬ１０とで表わされている。もう一度、上記のように、抵抗Ｒは、特性インピーダンスで適切に終端される(terminated)出力導波管の負荷を表わしている。
【００１７】
図４は、本発明の教示による出力導波管と共振空洞２０とを有するクライストロン１０の出力回路を図示している。クライストロン１０は、フェルール(ferrules)３によって画定されるドリフト管部分２、４を備えている。空洞６、８は、図２について上記に論じられた第１の空洞および第２の空洞に対応する。電子ガン（図示せず）は、ドリフト管部分２の端部に配置され、ドリフト管部分２を通って電子ビーム１を発射する。
【００１８】
変調された集群電子ビーム１は、ドリフト管部分２と、出力回路の第１の空洞６のギャップ７とを通って出力回路によって受信される。ビーム１は、次に、フェルール５によって画定される第２のドリフト管部分４と、出力回路の第２の空洞８のギャップ９とを通過する。ギャップ９は、クライストロンのための最終出力ギャップを設けている。ビーム１の使用済み電子は、ドリフト管部分４を出て、第１のドリフト管部分２の対向する端部でコレクタ（図示せず）内に集められる。集群電子ビーム１は、第１の空洞６を励磁し、空洞間結合絞り１１を通して第２の空洞８に伝搬するＲＦ電磁波を生ずる電磁界を生成する。同様に、変調された電子ビーム１は、第２の空洞８のギャップ全域に渡って通過するので、同調された電子ビーム１は、さらに、ＲＦ電磁波を強化する。
【００１９】
クライストロン内に生成されるＲＦエネルギーは、結合絞り１２を通してドリフト管部分４から、クライストロンの外側でＲＦエネルギーを結合する出力導波管３０に移動される。当技術において周知のように、出力導波管３０は、アンテナ、回転接合(rotary joint)、あるいは、その他のこのような装置などの出力装置に増幅されたＲＦエネルギーを結合することを可能にする増幅されたＲＦエネルギーのための出力伝送回線として働く。出力導波管３０は、その遠位端部(distal end)に、出力装置、あるいは別の伝送回線に出力導波管を機械的に結合することを可能にするフランジを備えている。
【００２０】
図４に図示されているように、出力導波管３０は、さらに、クライストロン１０のＲＦエネルギーを、クライストロンの中央軸に平行な方向に向けさせることを可能にするマイタベンド(miter bend)３２を含んでいる。その上、出力導波管は、また、クライストロン１０と出力導波管３０とのための真空シールを設けるＲＦ透明窓３６を備えている。窓３６は、蝋付けジョイント３４でマイタベンド３２に結合されるほぼ円形のハウジング３７内に設けられている。ハウジング３７は、さらに、クライストロン１０とは反対側の窓の端部にフランジ３８を備えている。マイタベンド３２およびＲＦ透明窓３６は別の方法では、出力導波管３０の性能に、あるいはここに論じられる本発明に影響を及ぼさず、またこれは好ましい実施形態の操作上の環境を明確にするためだけに記述されていることは明らかである。伝搬するＲＦ電力のあらゆる意図していない摂動、あるいは反射を回避するように、出力導波管３０およびフランジ３８は、他の導波管部分、あるいはそれに結合される伝送回線と均一に整合するように意図される矩形であると同時に、円形などの他の形状も有利には使用可能であることは明らかである。
【００２１】
図４は、さらに、出力導波管３０に結合される共振空洞２０を示している。共振空洞２０は、クライストロン１０の出力ギャップ９から所定の距離をおいて配置されている。ここでは、図５を参照すると、共振空洞２０および、クライストロン１０に使用される負荷ネットワークを生成する方法の説明が、より詳細になされている。共振空洞２０は、出力導波管３０に沿って配置され、そして出力導波管３０と共振空洞２０との間に、ＲＦエネルギーを結合する結合絞り２２を備えている。結合絞り２２は、大きな円形開口から狭いスリットまでのあらゆる形状でよいが、最適な性能は、このような構造の高電圧スタンドオフ(standoff)可能性のため、形状が楕円形であるときに達成される。共振空洞２０は、高温蝋付け、あるいは溶接などの従来の接合テクニックによって導波管３０に固定されている。図５に図示されるように、共振空洞２０は、矩形の形状であるが、他の形状もまた有利には使用可能である。
【００２２】
共振空洞２０は、内部寸法、例えば、容量によって決定される共振周波数を有している。共振空洞２０の共振周波数を同調する調整可能な同調器は、共振空洞２０に付着されている。調整可能な同調器は、ダイヤフラム２４、２６と同調ポスト(tuning posts)２８、２９とを備えている。ダイヤフラム２４、２６が、銅などの導電性材料で構成され、厚さがほぼ２０−２５０００インチであることが予想される。同調器は、ダイヤフラム２４、２６をそれぞれ内外に移動させるために、軸方向にポスト２８、２９を押し入れて、引き出すことによって動作する。ダイヤフラム２４、２６を内外に移動することによって、共振空洞２０の容量が変化する。この同調方法が、共振空洞２０のレスポンス特性の位相および大きさの細密調整を可能にする。とはいえ、同調器は、共振空洞２０を微同調することは必要でないが、望ましいことには留意すべきである。
【００２３】
共振空洞２０の共振周波数が、温度変化に応じて変動し、それがまた、共振空洞の内部寸法の変化を結果として生ずることは明らかである。従って、近接一定温度で温度を維持するために、冷却流体が、共振空洞２０の側壁周りに配置される冷却剤通路２７に供給されることができる。
【００２４】
好ましい実施形態において、動作中、共振空洞２０は、帯域エッジで電力増加の所望量を供給する方法で、クライストロン１０の動作帯の外側で最高度まで上げる電圧反射を供給する。適切に構成されて、周波数での電圧反射係数の大きさの変化は、最適な負荷特性を生成するために、出力回路の需要に整合される。とはいえ、帯域内反射が、ある場合において、出力電力特性を最適にすることは認識されるべきである。通過帯域の中心に向かって移動するとき不整合の大きさが減少する程度は、出力導波管３０への誘導結合の量によって、すなわち、結合絞り２２のサイズおよび形状によって決定される。その上、不整合の位相は、結合絞り２２とクライストロン１０の出力ギャップ９との間の距離によって決定される。結合絞り２２のサイズは、共振空洞２０のための所望のレスポンス曲線に基づいて選択される。結合絞り２２のサイズを増大することによって、共振空洞２０のＱは低下され、共振空洞の周波数レスポンス曲線を広げさせる。逆に、結合絞り２２のサイズを減少すると、共振空洞２０のＱを増大させ、周波数レスポンス曲線のエッジを狭くする傾向がある。共振空洞２０のＱは、クライストロン１０の動作帯の所望の部分を覆うように、周波数レスポンス曲線の形状を操作するために選択される。
【００２５】
図６は、動作帯上で同調される単一共振空洞を有するクライストロンのために、反射された電圧対周波数の不整合の測定された大きさを示す図である。図６から、本システムが、クライストロンの周波数動作帯の高い端部で周波数全域に渡って局所化される大きなインピーダンス不整合を生成することが明らかである。帯域内の残留周波数での電圧反射の大きさは最小である。図７に示されるように、上述のように構成される共振空洞２０によって、帯域幅の高い端部での電力は、共振空洞２０なしで達成される電力を超えてかなり増大される。
【００２６】
上記に記述された実施形態は、１つの共振空洞を有する構成を図示している。とはいえ、１つ以上の共振空洞は、例えば、上方帯域部分および下方帯域部分（帯域エッジ）などの２つの異なる周波数範囲全域に渡って電力を増大するのに使用されることも可能であることが明らかである。さらに、１つ以上のシャント(shunt)サセプタンスが、１つの共振空洞、あるいは複数の共振空洞と関連して使用されることができる。これらのシャントサセプタンスは、出力導波管に結合され、出力ギャップと導波管との間に所望のインピーダンス変成をさらに適合させるのに十分な距離をおいてクライストロン出力空洞ギャップ９と導波管端末結合３４との間に配置されている。シャントサセプタンス（容量性か誘導性かのいずれか）は、この領域の共振空洞２０の効果をオフセットすることによって、帯域の中間全域に渡る電圧反射係数の大きさを低く保つ効果を有している。
【００２７】
図８乃至図１０は、本発明のこの別の実施形態を図示している。特に、図８は、本発明の２つの導波管共振空洞とシャントサセプタンスとを有するクライストロンの出力導波管の電気接続図を図示している。同様に、図９は、本発明の教示による出力導波管３０に結合される２つの共振空洞２０、４０を有するクライストロン１０を図示している。第２の共振空洞４０は、図４について上記に論じられた共振空洞２０と実質的に同一である結合絞り４２と、ダイヤフラム４４およびポスト４８を有する調整可能な同調器とを含む。さらに、シャントサセプタンス６０は、クライストロン１０の結合絞り１２に隣接して配置されている。また、これにより、生成された反射の大きさが、出力電力に確実に影響する周波数範囲全域に渡ってのみ局所化されるネットワークの構成を可能にする。シャントサセプタンス６０は、結合絞り１２とそれぞれの共振空洞２０、４０との間に配置される必要はないが、むしろ、所望の動作を達成するように、出力導波管３０に沿うどこにでも配置されてよい。
【００２８】
図１０は、本発明の１つのシャント・サセプタンス要素と組み合わされる二重の共振空洞のための反射大きさ対帯域幅を示す図である。本システムが、帯域の高い端部および低い端部の両方で電圧反射の大きさを増大することによって、広帯域幅全域に渡って比較的高電力出力を生成することが可能であることを図は示している。また、帯域幅内の残留周波数での電圧反射は、この場合最小である。とはいえ、シャントサセプタンスは、別の方法で、シャントサセプタンスなしで達成されるものと比べて、帯域の中間での電圧反射の大きさを低く維持している。
【００２９】
共振空洞の好ましい実施形態を記述してきたが、前述のシステムの特定の利点が達成されることは当業者には明らかである。さらに、様々な変更、改変、それらの別の実施形態などは、本発明の範囲および主旨内で行われることができることは明らかである。例えば、上記に開示された調整可能な同調器は、共振空洞のインダクタンスを変えるように構成される誘導性タイプであるが、調整可能な同調器は、別の方法として、容量性タイプであることが可能である。そのうえ、ダイヤフラム同調器が図示されているが、別のタイプの同調器が使用されることが可能である。
【００３０】
本発明は、さらに、請求の範囲によって定義されている。
【図面の簡単な説明】
【図１】 端末出力導波管(terminated output waveguide)に結合される単一空洞出力クライストロンの電気接続図を図示している。
【図２】 端末出力導波管に結合される２つの空洞出力クライストロンの電気接続図を図示している。
【図３】 本発明の共振空洞を有するクライストロンの出力導波管の電気接続図を図示している。
【図４】 クライストロンの出力導波管に沿って配置される本発明の共振空洞の側断面図である。
【図５】 クライストロンの出力部分に１方の端部で結合されている出力導波管に沿って配置される共振空洞の斜視図である。
【図６】 動作帯上で同調される本発明の単一共振空洞のための反射大きさ対周波数を示す図である。
【図７】 単一共振空洞を有するクライストロンの出力導波管と、単一共振導波管を有さないクライストロンの出力導波管のための正規化(normalized)出力電力対帯域幅を比較する図である。
【図８】 本発明の２つの共振空洞を有するクライストロンの出力導波管の電気接続図を図示している。
【図９】クライストロンの出力導波管に沿って配置される２つの共振空洞の側断面図である。
【図１０】 本発明の１つのシャント・サセプタンス要素と組み合わされる二重の共振空洞のための反射大きさ対帯域幅を示す図である。
（発明の背景）
１．発明の分野
本発明は、マイクロ波増幅装置から電磁エネルギーを抽出する導波管整合ネットワーク(waveguide matching networks)に関し、特に、クライストロンにおける効率と帯域幅とを高める出力導波管と直列の共振空洞に関する。
【０００２】
２．関連技術の説明
クライストロンなどの直線ビーム管(linear beam tubes)および進行波管が、ＲＦ、あるいはマイクロ波電磁信号の増幅を必要とする高性能な通信方式やレーダー方式に使用されている。クライストロンは、本質的に、入力部分、バンチャ部分(buncher section)および出力部分の３つの部分に分けられるいくつかの空洞を備えている。電子ビームが、クライストロンを通して送られ、電子は、速度変調される。速度が加速されたこれらの電子は、より遅い電子を徐々に追い抜き、結果として電子集群作用を生ずる。バンチャ部分は、電子ビームの速度変調を増幅する。進行電子集群は、電子ビームＲＦ電流を表わしている。ＲＦ電流は、集群されたビームが出力空洞を通過するとき、電磁エネルギーをクライストロンの出力部分に誘導し、電磁エネルギーが出力部分でクライストロンから抽出される。出力導波管は、アンテナなどの出力装置に電磁エネルギーを導く。
【０００３】
クライストロンによって生成される電力は、出力ギャップの全域で生成される抵抗のレベルの関数である。角周波数全域に渡る抵抗の積分は、π／２Ｃを超えることはなく、式中、Ｃは、出力容量である。クライストロンの場合は、Ｃは、主として、出力ギャップのキャパシタンスである。電子ビームによって生成される電流が、ギャップ電圧のインピーダンスである場合、抵抗帯域幅生成物は、ボードの定理(Bode’s theorem)によって定義される理論限界にほぼ等しい、すなわち、Ｒｄωの積分が、π／２Ｃを超えることはなく、式中、Ｒは、抵抗であり、ｄωは、帯域幅である。ボードの定理の詳細な説明は、１９４５年のＶａｎ Ｎｏｓｔｒａｎｄ Ｃｏｍｐａｎｙの彼の本である“Ｎｅｔｗｏｒｋ Ａｎａｌｙｓｉｓ ａｎｄ Ｆｅｅｄｂａｃｋ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ Ｄｅｓｉｇｎ（ネットワークアナリシスおよびフィードバック増幅器）”の２８２頁に記述されている。実際には、とはいえ、ギャップで発生されるＲＦ電圧が、ビーム電圧を超え始めるとき、駆動電流が、実質的に低減される。この効果は、ネットワークの入力インピーダンスが実質的な無効分を有する帯域エッジで最も著しい。レスポンスを改善するために、追加の空洞が、出力に結合されることが可能である。これにより、ギャップの抵抗対周波数特性を“二乗する”一方、通過帯域の中心でリアクタンスを最小にすることが多い。周波数の関数として電力を最大にするために、出力回路が、適切な電圧スタンディング波比(voltage standing wave ratio)（“ＶＳＷＲ”）と移相とで合成されることが可能である場合、出力電力への負荷インピーダンスの効果を決定することにより、さらに拡張することが可能である。
【０００４】
クライストロンの帯域幅は、互いに結合されるいくつかの空洞の出力ギャップを使用することによって、単一ギャップにより生成される帯域幅を超えて増加されることが可能である。エネルギーは、総インピーダンスが第１のギャップで１／Ｎ倍であるＮギャップの電子ビームから抽出され、第１のギャップとそれに続くギャップとにおける電圧の合計は、適切なインピーダンス先細り(tapering）の近くのビーム電圧にほぼ等しくなる。もう一度、ボードの定理は、最大達成可能電力帯域幅生成物を定義しているが、ネットワークへの入力での抵抗分が低いので、類似ギャップの大きさと仮定すれば、単一空洞出力の帯域幅のほぼＮ倍に達成することが可能である。前述のとおり、実験測定に基づき、電力改良は、最適位相とＶＳＷＲとを、それぞれが電子ビームにより駆動されるギャップを有する複数の結合された空洞からなる出力回路に呈するように構成される出力ネットワークの追加によって実現されることが可能である。図１および図２は、終端導波管に結合される単一の空洞出力部分と複数の空洞出力部分とのための等価回路モデルを示している。
【０００５】
帯域全域に渡る電力を高めるのに供給される最適なＶＳＷＲおよび位相を反射する負荷ネットワークを生成することは、一般に手に負えそうにないタスクである。従来技術において、最も多いこのようなネットワーク、すなわち、広帯域クライストロンのための導波管整合ネットワークは、最終空洞絞りから様々な距離をおいてシャント・サセプタンス(shunt susceptances)を使用していた。例えば、ＴＥ１０導波管の狭い寸法を一部横切って延在する目標物(objects)が、シャント容量性サセプタンスを生成し、またＴＥ１０導波管の狭い寸法を完全に横切って延在する目標物が、誘導性サセプタンスを生成する。とはいえ、インピーダンス整合のためにシャント・サセプタンスを利用することに対しては、かなりの欠点がある。いくつかの装置について、理想的な変圧器比は、通過帯域の中心から離れて生ずるインピーダンスの無効分における増加を補償するために、帯域エッジで高くなるべきである。さらに、導波管の分散特性と組み合わされるシャント要素(shunt element)の位置が、出力ギャップで生成されるインピーダンスの位相が狭周波数範囲全体に渡って最適である状態を生成する。その結果、帯域の１つの部分でのあらゆる動作の改善が、ほかの場所（すなわち、反射インピーダンスが位相の範囲外である）での対応する減損によりオフセットされることが可能である。多くの場合、オペレーションの所望の帯域に渡る単一の、あるいは複数のギャップクライストロンの出力電力を最適化するシャント・サセプタンス不連続(shunt susceptive discontinuities)からなる変圧器を構成することは簡単には可能ではない。
【０００６】
それゆえに、オペレーションの所望の帯域全域に渡ってクライストロンの出力電力を最も効果的にするシステムを提供することが望ましい。このようなシステムは、周波数感度がよく、そして周波数範囲に渡って、生成される反射の大きさを局部に制限し、そこでは生成される反射の大きさは出力電力に確実に影響を与える。このようなシステムは、さらに、特定の周波数範囲に渡って電力の増大を可能とし、さらに、この周波数範囲外での不整合の大きさが減少するため、位相反射の外で生ずる電力に及ぼす負の影響を減少する。システムが、指定された周波数で、より高い動作電力を生成し、同時に、クライストロンの帯域幅を増大する。
【０００７】
（発明の概要）
本発明の説明によれば、電力および動作周波数帯を高めるために、最適な位相およびＶＳＷＲを生成するクライストロンなどの直線ビーム管に使用される負荷ネットワークを形成するためのシステムおよび方法が提供される。より正確には、狭い周波数範囲に渡って電力を高め、そして動作周波数帯のほかの場所での対応する減損を最小にするシステムおよび方法が提供される。
【０００８】
システムの実施形態は、クライストロンの出力ギャップに結合される出力導波管と、出力導波管に沿って配置される１つ以上の共振空洞と、各共振空洞に使用される同調装置とを備えている。クライストロンは、重ね合わされるＲＦ信号を有する集群(bunched)電子ビームを生ずる直列の共振空洞を通して電子ビームを通過させる。クライストロンの出力信号は、出力導波管を通過する出力ギャップで生成される。
【０００９】
共振空洞は、出力ギャップに対する位置による反射の位相を設定する絞りを通して出力導波管に誘導的に結合されている。共振空洞は、クライストロンの動作周波数帯で、あるいはその近くで共振するように同調される。共振空洞のレスポンス特性が、インピーダンス不整合を生成することによって、帯域内の、例えば、高い端部と低い端部における、特定の周波数で電力を高める。帯域内の他の周波数で電力への最小効果がある。調整可能な同調ダイヤフラムが、さらに、共振空洞の共振周波数を同調するために設けられることが可能であり、それによって、反射の大きさ(magnitude)と位相とを変える。
【００１０】
該方法は、クライストロンの出力部分に結合される出力導波管に沿って１つまたはそれ以上の共振空洞を配置する工程を含んでいる。該方法は、さらに、クライストロン周波数動作帯における、あるいはその近くでの周波数で１つまたはそれ以上の共振空洞の共振を選択する工程と、所望位相の反射を生ずるのに十分なクライストロンの出力ギャップから少し離れて共振空洞を配置する工程とを含んでいる。
【００１１】
クライストロンに使用される共振空洞についてのより完全な理解と、その付加的な利点および目的の実現とは、好ましい実施形態の下記の詳細な説明を考慮すると、当業者に与えられるであろう。最初に、簡単に記述されている添付の図面を参照にされたい。
【００１２】
（好ましい実施形態の詳細な説明）
本発明は、クライストロンの動作可能な帯域内にインピーダンス不整合を故意に生成するクライストロンの出力導波管に共振空洞を結合することによって、クライストロンの高められた効率と帯域幅とを供給する装置および方法を提供する。インピーダンス不整合の大きさおよび位相は、動作可能帯域内にクライストロンの出力電力に確実にも影響するように選択される。下記の詳細な説明において、同一の要素符号は、１つ以上の図で図示される同一要素を記述するのに使用されている。
【００１３】
先ず図１を参照すると、クライストロンの等価電気回路が図示されている。クライストロンは、出力空洞と、出力空洞を出力導波管に結合する導波管結合絞りと、出力導波管とを備えている。対応する相互作用ギャップを有する出力空洞は、ギャップのキャパシタンスによってほとんど全体に渡り供給される空洞キャパシタンスＣ１によって表わされている。空洞インダクタンスＬ１の第１の部分は、空洞キャパシタンスＣ１と並列に設けられ、空洞インダクタンスＬ２の第２の部分は、空洞キャパシタンスＣ１を導波管結合絞り(waveguide coupling iris) に結合している。導波管結合絞りは、絞り全体に渡って設けられる絞りインダクタンスＬ３とシャントキャパシタンスＣ２とを含む並列ＬＣ回路によって表わされている。抵抗Ｒは、特性インピーダンスで適切に終端される出力導波管の負荷を表わしている。
【００１４】
同様に、図２は、２つの空洞を有する延長された相互作用出力回路（“ＥＩＯＣ”）の電気等価回路を図示している。ＥＩＯＣは、第１の空洞と、空洞間(intercavity)結合絞りと、第２の空洞と、導波管結合絞りと、出力導波管とを備えている。上記に論じられたクライストロンの出力空洞の等価電気回路におけるように、対応する相互作用ギャップ（ギャップ１）を有する第１の空洞は、空洞キャパシタンスＣ１と、空洞インダクタンスの第１の部分Ｌ１と、空洞インダクタンスの第２の部分Ｌ２とでそれぞれに表わされている。空洞間の結合絞りは、並列に配置される結合インダクタンスＬ４とシャントキャパシタンスＣ３とで表わされている。対応するギャップ（ギャップ２）を有する第２の空洞は、空洞キャパシタンスＣ４と、空洞インダクタンスの第１の部分Ｌ５と、空洞インダクタンスの第２の部分Ｌ６とで表わされている。ギャップ１およびギャップ２は、それぞれの空洞の磁界を有する電子ビームの相互作用のギャップである。導波管結合絞りは、上記に論じられたクライストロンのものに類似しており、絞りインダクタンスＬ７と、シャントキャパシタンスＣ５によって表わされている。上記のように、抵抗Ｒは、特性インピーダンスで適切に終端される出力導波管の負荷を表わしている。
【００１５】
一般に、出力空洞と、単一空洞出力のクライストロンおよびＥＩＯＣのための出力導波管との間の結合は、導波管結合絞りの共振周波数の関数である。動作帯に向かう絞りの共振周波数を同調すると、結合を強め、低い方の外部のＱを結果として生ずる。逆に、動作帯から離れている絞りの共振周波数を同調すると、結合が低下し、高い方の外部のＱを結果として生ずる。外部のＱを低下させる従来の方法は、絞りの共振周波数がＬＣの平方根に反比例するので、結合絞りの幅を変えることによって絞りインダクタンスを変えることである。
【００１６】
図３は、本発明の教示による導波管に結合される共振空洞を有するクライストロンの出力導波管の電気接続図を図示している。図１および図２の記述に類似するクライストロンは、図１の第１の出力空洞か、あるいは図２の延長された相互作用空洞のいずれかに対応する出力回路と、導波管結合絞りとを備えている。さらに、図１および図２に類似する導波管結合絞りは、絞りインダクタンスとシャントキャパシタンスとを表している。図３の接続図は、さらに、インダクタンスＬ８で表わされる導波管インダクタンスを示している。本発明の共振空洞は、インダクタンスＬ９と、誘導同調器Ｌ１１と、キャパシタンスＣ６と、誘導結合絞りＬ１０とで表わされている。もう一度、上記のように、抵抗Ｒは、特性インピーダンスで適切に終端される(terminated)出力導波管の負荷を表わしている。
【００１７】
図４は、本発明の教示による出力導波管と共振空洞２０とを有するクライストロン１０の出力回路を図示している。クライストロン１０は、フェルール(ferrules)３によって画定されるドリフト管部分２、４を備えている。空洞６、８は、図２について上記に論じられた第１の空洞および第２の空洞に対応する。電子ガン（図示せず）は、ドリフト管部分２の端部に配置され、ドリフト管部分２を通って電子ビーム１を発射する。
【００１８】
変調された集群電子ビーム１は、ドリフト管部分２と、出力回路の第１の空洞６のギャップ７とを通って出力回路によって受信される。ビーム１は、次に、フェルール５によって画定される第２のドリフト管部分４と、出力回路の第２の空洞８のギャップ９とを通過する。ギャップ９は、クライストロンのための最終出力ギャップを設けている。ビーム１の使用済み電子は、ドリフト管部分４を出て、第１のドリフト管部分２の対向する端部でコレクタ（図示せず）内に集められる。集群電子ビーム１は、第１の空洞６を励磁し、空洞間結合絞り１１を通して第２の空洞８に伝搬するＲＦ電磁波を生ずる電磁界を生成する。同様に、変調された電子ビーム１は、第２の空洞８のギャップ全域に渡って通過するので、同調された電子ビーム１は、さらに、ＲＦ電磁波を強化する。
【００１９】
クライストロン内に生成されるＲＦエネルギーは、結合絞り１２を通してドリフト管部分４から、クライストロンの外側でＲＦエネルギーを結合する出力導波管３０に移動される。当技術において周知のように、出力導波管３０は、アンテナ、回転接合(rotary joint)、あるいは、その他のこのような装置などの出力装置に増幅されたＲＦエネルギーを結合することを可能にする増幅されたＲＦエネルギーのための出力伝送回線として働く。出力導波管３０は、その遠位端部(distal end)に、出力装置、あるいは別の伝送回線に出力導波管を機械的に結合することを可能にするフランジを備えている。
【００２０】
図４に図示されているように、出力導波管３０は、さらに、クライストロン１０のＲＦエネルギーを、クライストロンの中央軸に平行な方向に向けさせることを可能にするマイタベンド(miter bend)３２を含んでいる。その上、出力導波管は、また、クライストロン１０と出力導波管３０とのための真空シールを設けるＲＦ透明窓３６を備えている。窓３６は、蝋付けジョイント３４でマイタベンド３２に結合されるほぼ円形のハウジング３７内に設けられている。ハウジング３７は、さらに、クライストロン１０とは反対側の窓の端部にフランジ３８を備えている。マイタベンド３２およびＲＦ透明窓３６は別の方法では、出力導波管３０の性能に、あるいはここに論じられる本発明に影響を及ぼさず、またこれは好ましい実施形態の操作上の環境を明確にするためだけに記述されていることは明らかである。伝搬するＲＦ電力のあらゆる意図していない摂動、あるいは反射を回避するように、出力導波管３０およびフランジ３８は、他の導波管部分、あるいはそれに結合される伝送回線と均一に整合するように意図される矩形であると同時に、円形などの他の形状も有利には使用可能であることは明らかである。
【００２１】
図４は、さらに、出力導波管３０に結合される共振空洞２０を示している。共振空洞２０は、クライストロン１０の出力ギャップ９から所定の距離をおいて配置されている。ここでは、図５を参照すると、共振空洞２０および、クライストロン１０に使用される負荷ネットワークを生成する方法の説明が、より詳細になされている。共振空洞２０は、出力導波管３０に沿って配置され、そして出力導波管３０と共振空洞２０との間に、ＲＦエネルギーを結合する結合絞り２２を備えている。結合絞り２２は、大きな円形開口から狭いスリットまでのあらゆる形状でよいが、最適な性能は、このような構造の高電圧スタンドオフ(standoff)可能性のため、形状が楕円形であるときに達成される。共振空洞２０は、高温蝋付け、あるいは溶接などの従来の接合テクニックによって導波管３０に固定されている。図５に図示されるように、共振空洞２０は、矩形の形状であるが、他の形状もまた有利には使用可能である。
【００２２】
共振空洞２０は、内部寸法、例えば、容量によって決定される共振周波数を有している。共振空洞２０の共振周波数を同調する調整可能な同調器は、共振空洞２０に付着されている。調整可能な同調器は、ダイヤフラム２４、２６と同調ポスト(tuning posts)２８、２９とを備えている。ダイヤフラム２４、２６が、銅などの導電性材料で構成され、厚さがほぼ２０−２５０００インチであることが予想される。同調器は、ダイヤフラム２４、２６をそれぞれ内外に移動させるために、軸方向にポスト２８、２９を押し入れて、引き出すことによって動作する。ダイヤフラム２４、２６を内外に移動することによって、共振空洞２０の容量が変化する。この同調方法が、共振空洞２０のレスポンス特性の位相および大きさの細密調整を可能にする。とはいえ、同調器は、共振空洞２０を微同調することは必要でないが、望ましいことには留意すべきである。
【００２３】
共振空洞２０の共振周波数が、温度変化に応じて変動し、それがまた、共振空洞の内部寸法の変化を結果として生ずることは明らかである。従って、近接一定温度で温度を維持するために、冷却流体が、共振空洞２０の側壁周りに配置される冷却剤通路２７に供給されることができる。
【００２４】
好ましい実施形態において、動作中、共振空洞２０は、帯域エッジで電力増加の所望量を供給する方法で、クライストロン１０の動作帯の外側で最高度まで上げる電圧反射を供給する。適切に構成されて、周波数での電圧反射係数の大きさの変化は、最適な負荷特性を生成するために、出力回路の需要に整合される。とはいえ、帯域内反射が、ある場合において、出力電力特性を最適にすることは認識されるべきである。通過帯域の中心に向かって移動するとき不整合の大きさが減少する程度は、出力導波管３０への誘導結合の量によって、すなわち、結合絞り２２のサイズおよび形状によって決定される。その上、不整合の位相は、結合絞り２２とクライストロン１０の出力ギャップ９との間の距離によって決定される。結合絞り２２のサイズは、共振空洞２０のための所望のレスポンス曲線に基づいて選択される。結合絞り２２のサイズを増大することによって、共振空洞２０のＱは低下され、共振空洞の周波数レスポンス曲線を広げさせる。逆に、結合絞り２２のサイズを減少すると、共振空洞２０のＱを増大させ、周波数レスポンス曲線のエッジを狭くする傾向がある。共振空洞２０のＱは、クライストロン１０の動作帯の所望の部分を覆うように、周波数レスポンス曲線の形状を操作するために選択される。
【００２５】
図６は、動作帯上で同調される単一共振空洞を有するクライストロンのために、反射された電圧対周波数の不整合の測定された大きさを示す図である。図６から、本システムが、クライストロンの周波数動作帯の高い端部で周波数全域に渡って局所化される大きなインピーダンス不整合を生成することが明らかである。帯域内の残留周波数での電圧反射の大きさは最小である。図７に示されるように、上述のように構成される共振空洞２０によって、帯域幅の高い端部での電力は、共振空洞２０なしで達成される電力を超えてかなり増大される。
【００２６】
上記に記述された実施形態は、１つの共振空洞を有する構成を図示している。とはいえ、１つ以上の共振空洞は、例えば、上方帯域部分および下方帯域部分（帯域エッジ）などの２つの異なる周波数範囲全域に渡って電力を増大するのに使用されることも可能であることが明らかである。さらに、１つ以上のシャント(shunt)サセプタンスが、１つの共振空洞、あるいは複数の共振空洞と関連して使用されることができる。これらのシャントサセプタンスは、出力導波管に結合され、出力ギャップと導波管との間に所望のインピーダンス変成をさらに適合させるのに十分な距離をおいてクライストロン出力空洞ギャップ９と導波管端末結合３４との間に配置されている。シャントサセプタンス（容量性か誘導性かのいずれか）は、この領域の共振空洞２０の効果をオフセットすることによって、帯域の中間全域に渡る電圧反射係数の大きさを低く保つ効果を有している。
【００２７】
図８乃至図１０は、本発明のこの別の実施形態を図示している。特に、図８は、本発明の２つの導波管共振空洞とシャントサセプタンスとを有するクライストロンの出力導波管の電気接続図を図示している。同様に、図９は、本発明の教示による出力導波管３０に結合される２つの共振空洞２０、４０を有するクライストロン１０を図示している。第２の共振空洞４０は、図４について上記に論じられた共振空洞２０と実質的に同一である結合絞り４２と、ダイヤフラム４４およびポスト４８を有する調整可能な同調器とを含む。さらに、シャントサセプタンス６０は、クライストロン１０の結合絞り１２に隣接して配置されている。また、これにより、生成された反射の大きさが、出力電力に確実に影響する周波数範囲全域に渡ってのみ局所化されるネットワークの構成を可能にする。シャントサセプタンス６０は、結合絞り１２とそれぞれの共振空洞２０、４０との間に配置される必要はないが、むしろ、所望の動作を達成するように、出力導波管３０に沿うどこにでも配置されてよい。
【００２８】
図１０は、本発明の１つのシャント・サセプタンス要素と組み合わされる二重の共振空洞のための反射大きさ対帯域幅を示す図である。本システムが、帯域の高い端部および低い端部の両方で電圧反射の大きさを増大することによって、広帯域幅全域に渡って比較的高電力出力を生成することが可能であることを図は示している。また、帯域幅内の残留周波数での電圧反射は、この場合最小である。とはいえ、シャントサセプタンスは、別の方法で、シャントサセプタンスなしで達成されるものと比べて、帯域の中間での電圧反射の大きさを低く維持している。
【００２９】
共振空洞の好ましい実施形態を記述してきたが、前述のシステムの特定の利点が達成されることは当業者には明らかである。さらに、様々な変更、改変、それらの別の実施形態などは、本発明の範囲および主旨内で行われることができることは明らかである。例えば、上記に開示された調整可能な同調器は、共振空洞のインダクタンスを変えるように構成される誘導性タイプであるが、調整可能な同調器は、別の方法として、容量性タイプであることが可能である。そのうえ、ダイヤフラム同調器が図示されているが、別のタイプの同調器が使用されることが可能である。
【００３０】
本発明は、さらに、請求の範囲によって定義されている。
【図面の簡単な説明】
【図１】 端末出力導波管(terminated output waveguide)に結合される単一空洞出力クライストロンの電気接続図を図示している。
【図２】 端末出力導波管に結合される２つの空洞出力クライストロンの電気接続図を図示している。
【図３】 本発明の共振空洞を有するクライストロンの出力導波管の電気接続図を図示している。
【図４】 クライストロンの出力導波管に沿って配置される本発明の共振空洞の側断面図である。
【図５】 クライストロンの出力部分に１方の端部で結合されている出力導波管に沿って配置される共振空洞の斜視図である。
【図６】 動作帯上で同調される本発明の単一共振空洞のための反射大きさ対周波数を示す図である。
【図７】 単一共振空洞を有するクライストロンの出力導波管と、単一共振導波管を有さないクライストロンの出力導波管のための正規化(normalized)出力電力対帯域幅を比較する図である。
【図８】 本発明の２つの共振空洞を有するクライストロンの出力導波管の電気接続図を図示している。
【図９】クライストロンの出力導波管に沿って配置される２つの共振空洞の側断面図である。
【図１０】 本発明の１つのシャント・サセプタンス要素と組み合わされる二重の共振空洞のための反射大きさ対帯域幅を示す図である。
Claims (24)
- 動作周波数帯を有する直線ビーム管において、負荷ネットワークが、
前記直線ビーム管の出力信号を伝送する出力導波管であって、前記直線ビーム管の出力部分に結合される第１のそれぞれの端部と、負荷に結合するように構成される第２のそれぞれの端部とを有する出力導波管と、
前記出力導波管と誘導結合される少なくとも１つの共振空洞と、なお、前記少なくとも１つの共振空洞は、前記出力導波管内で電力の反射を生成し、また前記直線ビーム管の前記動作周波数帯のエッジに隣接して同調される共振周波数を有する、前記共振周波数は、前記動作周波数帯の特定の部分にインピーダンス不整合を生成するように選択される、
を具備する負荷ネットワーク。 - 前記共振空洞が、さらに、結合絞りを備え、前記結合絞りは、所定位相の反射を生成するために、前記直線ビーム管の出力空洞ギャップから予め定められた距離をおいて配置されている請求項１に記載の負荷ネットワーク。
- 前記結合絞りが、さらに、所望の大きさの反射を生成するように、予め定められたサイズを備えている請求項２に記載の負荷ネットワーク。
- 前記結合絞りが、さらに、楕円形状を備えている請求項２に記載の負荷ネットワーク。
- 前記負荷ネットワークが、さらに、前記共振空洞の前記共振周波数を同調する手段を備えている請求項１に記載の負荷ネットワーク。
- 前記同調手段が、さらに、誘導同調器を備えている請求項５に記載の負荷ネットワーク。
- さらに、前記共振空洞の熱安定性を維持する手段を備えている請求項１に記載の負荷ネットワーク。
- さらに、前記出力導波管に結合される少なくとも１つのシャント・サセプタンス要素を備えている請求項１に記載の負荷ネットワーク。
- 前記少なくとも１つのシャント・サセプタンス要素が、前記出力導波管の壁と直交し、前記出力部分と前記出力導波管の前記第２のそれぞれの端部との間で所望位相の反射を生成するように選択された距離に配置される請求項８に記載の負荷ネットワーク。
- 前記動作周波数帯の前記特定の部分が、前記動作周波数帯の上方部分である請求項１に記載の負荷ネットワーク。
- 前記動作周波数帯の前記特定の部分が、前記動作周波数帯の下方部分である請求項１に記載の負荷ネットワーク。
- 前記動作周波数帯の前記特定部分が、前記動作周波数帯の中間部分である請求項１に記載の負荷ネットワーク。
- 前記共振空洞の前記共振周波数が、前記直線ビーム管の前記動作周波数帯の外側で同調される請求項１に記載の負荷ネットワーク。
- 前記共振空洞の前記共振周波数が、前記直線ビーム管の前記動作周波数帯内で同調される請求項１に記載の負荷ネットワーク。
- クライストロンからのエネルギーを負荷に結合する方法であって、前記クライストロンが、出力空洞ギャップを有する、前記方法は、
前記クライストロンの出力信号を伝送する出力導波管を供給すること、
前記出力導波管内に電力の反射を生成すること、なお、前記反射は、動作周波数帯内でインピーダンス不整合が生成されるように、前記クライストロンの前記動作周波数帯のエッジに隣接して同調される共振周波数を有し、クライストロンの出力電力に確実に影響する大きさと位相を有する、
を具備する。 - 前記生成する工程が、さらに、少なくとも１つの共振空洞を前記出力導波管に結合することを含む請求項１５に記載の方法。
- さらに、少なくとも１つのシャント・サセプタンス要素を前記出力導波管に結合することを含む請求項１５に記載の方法。
- さらに、前記少なくとも１つの共振空洞の前記共振周波数を同調することを含む請求項１６に記載の方法。
- さらに、前記少なくとも１つの共振空洞の熱安定性を維持することを含む請求項１６に記載の方法。
- 反射を生成する前記工程が、前記動作周波数帯の上方部分においてのみ前記反射を生成することを備える請求項１５に記載の方法。
- 反射を生成する前記工程が、前記動作周波数帯の下方部分においてのみ前記反射を生成することを備える請求項１５に記載の方法。
- 反射を生成する前記工程が、前記動作周波数帯の中間部分においてのみ前記反射を生成することを備える請求項１５に記載の方法。
- さらに、前記クライストロンの前記出力空洞から予め定められた距離をおいて前記少なくとも１つの共振空洞の結合絞りを配置することによって前記反射の所望位相を決定することを含む請求項１６に記載の方法。
- さらに、前記共振空洞の結合絞りのサイズを選択することによって、所望の大きさの反射を決定することを備える請求項１６に記載の方法。
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