JP4549637B2 - High frequency oscillator - Google Patents

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【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、マイクロ波などの高周波発振器に関し、特に不要な発振周波数を抑制した高周波発振器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の高周波発振器は、ゲートに誘電体共振器４が、またドレインにマイクロストリップライン５、６がそれぞれ接続されると共に、ソースが負荷抵抗器７を介して接地されてマイクロ波帯発振回路を構成するＦＥＴ１のソースに、マイクロストリップラインによるオープンスタブ１１を設け、このオープンスタブ１１の面積を変えることにより、ＦＥＴ１のゲート・ソース間容量を変えて発振回路の帰還量を調整する（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開平６−３１８８１９号公報（第１頁、図１）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上述したような従来の高周波発振器では、反射回路となる帰還調整用のオープンスタブ(反射スタブ)の線路長が所望周波数のλ／４より多少短い程度のため、所望周波数より高い周波数で共振点をもっている。このとき、反射スタブの共振周波数で大きな反射が生じ、反射利得をもつことになる。そのため、ループ利得をもち、不要発振を起こす可能性があるという問題点があった。
【０００５】
この発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、不要発振を抑制することができる高周波発振器を得るものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る高周波発振器は、発振周波数を決定するための共振回路と、前記共振回路に接続された能動回路と、前記能動回路に接続され発振電力を取り出すための出力端子とを設け、前記能動回路は、前記共振回路に第１の端子が接続された能動素子と、この能動素子の第２の端子に接続され発振電力の一部を前記能動素子側に反射させるための反射回路とから構成され、前記反射回路は、前記能動素子の第２の端子に並列接続された第１の先端開放スタブと、前記能動素子の第２の端子に並列接続された第２の先端開放スタブとから構成され、前記能動回路の反射係数をΓａ、前記共振回路の反射係数をΓｔとすると、|Γａ|・|Γｔ|＞１及び∠Γａ＋∠Γｔ＝２ｎ（ｎは整数）πの発振条件式を満足し、かつ、前記能動回路の反射利得２０ｌｏｇ|Γａ|が前記共振回路の反射損失２０ｌｏｇ|Γｔ|より大きい。
【０００７】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
この発明の実施の形態１に係る高周波発振器について図面を参照しながら説明する。図１は、この発明の実施の形態１に係る高周波発振器の構成を示す図である。なお、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
【０００８】
図１において、本高周波発振器は、発振周波数を決定するための共振回路１と、能動回路２と、発振電力を取り出すための出力端子３とを備える。能動回路２は、電力を増幅するための電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）（能動素子）２１と、反射回路２２とから構成されている。また、反射回路２２は、反射スタブ２３ａ、及び２３ｂから構成されている。
【０００９】
つぎに、この実施の形態１に係る高周波発振器の動作について図面を参照しながら説明する。図２は、この発明の実施の形態１に係る高周波発振器の動作を示す図である。
【００１０】
本高周波発振器において、共振回路１と能動回路２とによる閉ループで、ループの利得が得られ、かつループの位相が同相で重ね合わされる周波数で、電力を増幅して発振動作を行う。
【００１１】
発振条件式は、次式となる。式（１）は、ループの利得が得られる条件式である。また、式（２）は、ループの位相が同相で重ね合わされる条件式である。
【００１２】
|Γａ|・|Γｔ|＞１ （１）
【００１３】
∠Γａ＋∠Γｔ＝２ｎπ ｎ：整数 （２）
【００１４】
ここで、Γａは能動回路２の反射係数、Γｔは共振回路１の反射係数である。
条件式（１）を満足するように、ループの利得を得るためには、能動回路２の反射利得２０ｌｏｇ|Γａ|が共振回路１の反射損失２０ｌｏｇ|Γｔ|より大きくなければならない。
【００１５】
反射スタブ２３ａ、及び２３ｂで構成された反射回路２２は、電力の一部を電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）２１へ反射させ、反射利得２０ｌｏｇ|Γａ|及びループ利得を大きくしている。
【００１６】
反射回路２２に反射スタブ２３ａ、及び２３ｂを複数用いて、反射スタブの線路長を短くし、線路幅を広くすることで、図２（ａ）に示すように、所望周波数では従来の反射回路と同等の反射量Γｒを得ることができ、かつ反射スタブ２３ａ、２３ｂの共振周波数を高周波数側に移すことができる。高周波数側では、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）２１の利得が低下するため、図２（ｂ）に示すように、反射スタブ２３ａ、２３ｂの共振周波数で生じる不要な反射利得２０ｌｏｇ|Γａ|を抑制することができる。これにより、所望周波数では従来と同等のループ利得が得られ、不要発振が抑制される。
【００１７】
すなわち、電界効果トランジスタ２１等の能動素子を用いた能動回路２と、上記能動素子と接続され、発振周波数を決定するための共振回路１と、発振電力を取り出すための出力端子３とを備え、さらに上記能動素子と出力端子３との間に接続され、発振電力の一部を能動素子側に反射させるための反射回路２２とで構成した高周波発振器において、反射回路２２を構成する反射スタブ２３を複数用いることで所望の発振周波数以外での能動回路２と共振回路１の接続点からみた能動回路２の反射利得を抑制するものである。
【００１８】
実施の形態２．
この発明の実施の形態２に係る高周波発振器について図面を参照しながら説明する。図３は、この発明の実施の形態２に係る高周波発振器の構成を示す図である。
【００１９】
図３において、本高周波発振器は、発振周波数を決定するための共振回路１と、能動回路２と、発振電力を取り出すための出力端子３とを備える。能動回路２は、電力を増幅するための電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）２１と、反射回路２２とから構成されている。また、反射回路２２は、反射スタブ２３ａ、及び２３ｂと、抵抗２４ａ、及び２４ｂとから構成されている。
【００２０】
上記の実施の形態１では、反射回路２２に反射スタブ２３ａ、２３ｂを複数用いて、反射スタブの線路長を短く、線路幅を広くすることで、所望周波数に対しては従来と同等の反射量を得ることができ、不要発振を抑制することができることを示した。この実施の形態２では、反射回路２２を構成する反射スタブ２３ａ、２３ｂに抵抗２４ａ、２４ｂをそれぞれ装荷することで、所望周波数に対しては従来と同等のループ利得を得ることができ、不要発振を抑制することができることについて示す。
【００２１】
つぎに、この実施の形態２に係る高周波発振器の動作について図面を参照しながら説明する。図４は、この発明の実施の形態２に係る高周波発振器の動作を示す図である。
【００２２】
本高周波発振器において、共振回路１と能動回路２とによる閉ループで、ループの利得が得られ、かつループの位相が同相で重ね合わされる周波数で、電力を増幅して発振動作を行う。発振条件式は、上記実施の形態１と同様である。
【００２３】
反射スタブ２３ａ、２３ｂと抵抗２４ａ、２４ｂで構成された反射回路２２は、電力の一部を電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）２１へ反射させ、反射利得及びループ利得を大きくしている。反射回路２２に反射スタブ２３ａ、２３ｂを複数用いて、反射スタブの線路長を短くし、線路幅を広くすることで、図４（ａ）に示すように、所望周波数では従来の反射回路と同等の反射量を得ることができ、かつ反射スタブ２３ａ、２３ｂの共振周波数を高周波数側に移すことができる。高周波数側では、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）２１の利得が低下するため、図４（ｂ）に示すように、反射スタブ２３ａ、２３ｂの共振周波数で生じる不要な反射利得を抑制することができる。
【００２４】
さらに、反射スタブ２３ａ、２３ｂに抵抗２４ａ、２４ｂを装荷することで、反射スタブの共振周波数での損失を大きくできるため、反射スタブの共振周波数で生じる不要な反射利得を抑制することができる。これにより、所望周波数では従来と同等のループ利得が得られ、不要発振が抑制される。
【００２５】
実施の形態３．
この発明の実施の形態３に係る高周波発振器について図面を参照しながら説明する。図５は、この発明の実施の形態３に係る高周波発振器の構成を示す図である。
【００２６】
図５において、本高周波発振器は、発振周波数を決定するための共振回路１と、能動回路２と、発振電力を取り出すための出力端子３とを備える。能動回路２は、電力を増幅するための電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）２１と、反射回路２２とから構成されている。また、反射回路２２は、反射スタブ２３ａ、及び２３ｂと、可変容量素子２５ａ、及び２５ｂとから構成されている。
【００２７】
上記の実施の形態１では、反射回路２２に反射スタブ２３ａ、２３ｂを複数用いて、反射スタブの線路長を短く、線路幅を広くすることで、所望周波数に対しては従来と同等の反射量を得ることができ、不要発振を抑制することができることを示した。この実施の形態３では、反射回路２２を構成する反射スタブ２３ａ、２３ｂに可変容量素子２５ａ、２５ｂをそれぞれ装荷することで、所望周波数が可変の場合、所望周波数に対しては従来と同等のループ利得を得ることができ、不要発振を抑制することができることについて示す。
【００２８】
つぎに、この実施の形態３に係る高周波発振器の動作について図面を参照しながら説明する。図６は、この発明の実施の形態３に係る高周波発振器の動作を示す図である。
【００２９】
本高周波発振器において、共振回路１と能動回路２とによる閉ループで、ループの利得が得られ、かつループの位相が同相で重ね合わされる周波数で、電力を増幅して発振動作を行う。発振条件式は、上記実施の形態１と同様である。
【００３０】
反射スタブ２３ａ、及び２３ｂと、可変容量素子２５ａ、及び２５ｂで構成された反射回路２２は、電力の一部を電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）２１へ反射させ、反射利得及びループ利得を大きくしている。発振周波数を概略決定する共振回路１を制御することで、発振周波数を可変する。反射回路２２に反射スタブ２３ａ、２３ｂを複数用いて、反射スタブの線路長を短くし、線路幅を広くすることで、図６（ａ）に示すように、所望周波数では従来の反射回路と同等の反射量を得ることができ、かつ反射スタブの共振周波数を高周波数側に移すことができる。高周波数側では、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）２１の利得が低下するため、図６（ｂ）に示すように、反射スタブの共振周波数で生じる不要な反射利得を抑制することができる。
【００３１】
さらに、反射回路２２の反射スタブ２３ａ、２３ｂに可変容量素子２５ａ、２５ｂを装荷し、所望周波数にあわせて可変容量素子２５ａ、２５ｂを変化させることで反射スタブの共振周波数を高周波数側に変化させ、反射スタブの共振周波数で生じる不要な反射利得を抑制することができる。これにより、所望周波数では従来と同等のループ利得が得られ、不要発振が抑制される。
【００３２】
【発明の効果】
この発明に係る高周波発振器は、以上説明したとおり、反射回路２２に反射スタブ２３ａ、及び２３ｂを複数用いて、反射スタブの線路長を短くし、線路幅を広くすることで、所望周波数では従来と同等のループ利得が得られ、不要発振を抑制することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の実施の形態１に係る高周波発振器の構成を示す図である。
【図２】 この発明の実施の形態１に係る高周波発振器の動作を示す図である。
【図３】 この発明の実施の形態２に係る高周波発振器の構成を示す図である。
【図４】 この発明の実施の形態２に係る高周波発振器の動作を示す図である。
【図５】 この発明の実施の形態３に係る高周波発振器の構成を示す図である。
【図６】 この発明の実施の形態３に係る高周波発振器の動作を示す図である。
【符号の説明】
１ 共振回路、２ 能動回路、３ 出力端子、２１ 電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、２２ 反射回路、２３ａ、２３ｂ 反射スタブ、２４ａ、２４ｂ 抵抗、２５ａ、２５ｂ 可変容量素子。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a high-frequency oscillator such as a microwave, and particularly to a high-frequency oscillator in which an unnecessary oscillation frequency is suppressed.
[0002]
[Prior art]
A conventional high-frequency oscillator has a microwave band oscillation circuit in which a dielectric resonator 4 is connected to a gate and microstrip lines 5 and 6 are connected to a drain, and a source is grounded via a load resistor 7. An open stub 11 by a microstrip line is provided at the source of the FET 1 to be changed, and by changing the area of the open stub 11, the gate-source capacitance of the FET 1 is changed to adjust the feedback amount of the oscillation circuit (for example, Patent Documents) 1).
[0003]
[Patent Document 1]
JP-A-6-318819 (first page, FIG. 1)
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
In the conventional high-frequency oscillator as described above, the line length of the feedback adjustment open stub (reflection stub) serving as a reflection circuit is slightly shorter than λ / 4 of the desired frequency, and therefore has a resonance point at a frequency higher than the desired frequency. Yes. At this time, large reflection occurs at the resonance frequency of the reflection stub, and the reflection gain is obtained. Therefore, there is a problem that it has a loop gain and may cause unnecessary oscillation.
[0005]
The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object thereof is to obtain a high-frequency oscillator capable of suppressing unnecessary oscillation.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
A high-frequency oscillator according to the present invention includes a resonance circuit for determining an oscillation frequency, an active circuit connected to the resonance circuit, and an output terminal connected to the active circuit and used to extract oscillation power. circuit, composed of a active element first terminal connected to the resonant circuit, a reflection circuit for being connected to a second terminal of the active device reflects a part of the oscillation power to the active element side is, the reflection circuit, composed of a first open stub connected in parallel to the second terminal of the active element, and a second open stub connected in parallel to the second terminal of the active element When the reflection coefficient of the active circuit is Γ a and the reflection coefficient of the resonance circuit is Γ t , | Γ a | · | Γ t |> 1 and ∠Γ a + ∠Γ t = 2n (n is an integer) satisfies the oscillation condition formula of π and the reflection of the active circuit Resulting 20log | gamma a | reflection loss 20log of the resonance circuit | gamma t | larger.
[0007]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiment 1 FIG.
A high-frequency oscillator according to Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to the drawings. 1 is a diagram showing a configuration of a high-frequency oscillator according to Embodiment 1 of the present invention. In addition, in each figure, the same code | symbol shows the same or equivalent part.
[0008]
In FIG. 1, the high frequency oscillator includes a resonance circuit 1 for determining an oscillation frequency, an active circuit 2, and an output terminal 3 for extracting oscillation power. The active circuit 2 includes a field effect transistor (FET) (active element) 21 for amplifying power and a reflection circuit 22. The reflection circuit 22 includes reflection stubs 23a and 23b.
[0009]
Next, the operation of the high frequency oscillator according to the first embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 2 is a diagram showing the operation of the high-frequency oscillator according to Embodiment 1 of the present invention.
[0010]
In this high-frequency oscillator, a loop gain is obtained in a closed loop by the resonance circuit 1 and the active circuit 2, and an oscillation operation is performed by amplifying power at a frequency at which the phases of the loops are superimposed in the same phase.
[0011]
The oscillation conditional expression is as follows. Expression (1) is a conditional expression for obtaining a loop gain. Expression (2) is a conditional expression in which the phases of the loops are superimposed in the same phase.
[0012]
| Γ a | ・ | Γ t |> 1 (1)
[0013]
∠Γ a + ∠Γ t = 2nπ n: integer (2)
[0014]
Here, Γ a is the reflection coefficient of the active circuit 2, and Γ t is the reflection coefficient of the resonance circuit 1.
In order to obtain the loop gain so as to satisfy the conditional expression (1), the reflection gain 20 log | Γ a | of the active circuit 2 must be larger than the reflection loss 20 log | Γ t | of the resonance circuit 1.
[0015]
Reflection stub 23a, and the reflection circuit 22 constructed in 23b causes the reflected part of the power to the field effect transistor (FET) 21, reflection gain 20 log | is large and the loop gain | gamma a.
[0016]
A plurality of reflection stubs 23a and 23b are used in the reflection circuit 22, and the line length of the reflection stub is shortened and the line width is widened. As shown in FIG. it is possible to obtain the same reflection amount gamma r, and can be transferred reflection stub 23a, the resonant frequency of the 23b to the high frequency side. On the high frequency side, the gain of the field effect transistor (FET) 21 is reduced, so that unnecessary reflection gain 20 log | Γ a | generated at the resonance frequency of the reflection stubs 23a and 23b is suppressed as shown in FIG. can do. As a result, the loop gain equivalent to the conventional one is obtained at the desired frequency, and unnecessary oscillation is suppressed.
[0017]
That is, an active circuit 2 using an active element such as a field effect transistor 21, a resonance circuit 1 connected to the active element for determining an oscillation frequency, and an output terminal 3 for extracting oscillation power, Further, in the high frequency oscillator which is connected between the active element and the output terminal 3 and is configured by the reflection circuit 22 for reflecting a part of the oscillation power to the active element side, a reflection stub 23 constituting the reflection circuit 22 is provided. By using a plurality, the reflection gain of the active circuit 2 viewed from the connection point between the active circuit 2 and the resonance circuit 1 at a frequency other than the desired oscillation frequency is suppressed.
[0018]
Embodiment 2. FIG.
A high frequency oscillator according to Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a high-frequency oscillator according to Embodiment 2 of the present invention.
[0019]
In FIG. 3, the high-frequency oscillator includes a resonance circuit 1 for determining an oscillation frequency, an active circuit 2, and an output terminal 3 for extracting oscillation power. The active circuit 2 includes a field effect transistor (FET) 21 for amplifying power and a reflection circuit 22. The reflection circuit 22 includes reflection stubs 23a and 23b and resistors 24a and 24b.
[0020]
In the first embodiment, a plurality of reflection stubs 23a and 23b are used in the reflection circuit 22, and the line length of the reflection stub is shortened and the line width is widened. It was shown that unnecessary oscillation can be suppressed. In the second embodiment, the resistors 24a and 24b are loaded on the reflection stubs 23a and 23b constituting the reflection circuit 22, respectively, so that a loop gain equivalent to the conventional one can be obtained for a desired frequency, and unnecessary oscillation is performed. It will be shown that can be suppressed.
[0021]
Next, the operation of the high-frequency oscillator according to the second embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 4 is a diagram showing the operation of the high-frequency oscillator according to Embodiment 2 of the present invention.
[0022]
In this high-frequency oscillator, a loop gain is obtained in a closed loop by the resonance circuit 1 and the active circuit 2, and an oscillation operation is performed by amplifying power at a frequency at which the phases of the loops are superimposed in the same phase. The oscillation conditional expression is the same as that in the first embodiment.
[0023]
The reflection circuit 22 including the reflection stubs 23a and 23b and the resistors 24a and 24b reflects a part of the power to the field effect transistor (FET) 21 to increase the reflection gain and the loop gain. By using a plurality of reflection stubs 23a and 23b in the reflection circuit 22, the line length of the reflection stub is shortened and the line width is widened, and as shown in FIG. Can be obtained, and the resonance frequency of the reflection stubs 23a, 23b can be shifted to the high frequency side. On the high frequency side, the gain of the field effect transistor (FET) 21 decreases, so that unnecessary reflection gain generated at the resonance frequency of the reflection stubs 23a and 23b can be suppressed as shown in FIG. 4B.
[0024]
Furthermore, since the loss at the resonance frequency of the reflection stub can be increased by loading the resistors 24a and 24b on the reflection stubs 23a and 23b, an unnecessary reflection gain generated at the resonance frequency of the reflection stub can be suppressed. As a result, the loop gain equivalent to the conventional one is obtained at the desired frequency, and unnecessary oscillation is suppressed.
[0025]
Embodiment 3 FIG.
A high-frequency oscillator according to Embodiment 3 of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 5 is a diagram showing a configuration of a high-frequency oscillator according to Embodiment 3 of the present invention.
[0026]
In FIG. 5, the high frequency oscillator includes a resonance circuit 1 for determining an oscillation frequency, an active circuit 2, and an output terminal 3 for extracting oscillation power. The active circuit 2 includes a field effect transistor (FET) 21 for amplifying power and a reflection circuit 22. The reflection circuit 22 includes reflection stubs 23a and 23b and variable capacitance elements 25a and 25b.
[0027]
In the first embodiment, a plurality of reflection stubs 23a and 23b are used in the reflection circuit 22, and the line length of the reflection stub is shortened and the line width is widened. It was shown that unnecessary oscillation can be suppressed. In the third embodiment, when the desired frequency is variable by loading the variable capacitance elements 25a and 25b on the reflection stubs 23a and 23b constituting the reflection circuit 22, respectively, the loop equivalent to the conventional loop is obtained for the desired frequency. It will be shown that gain can be obtained and unnecessary oscillation can be suppressed.
[0028]
Next, the operation of the high-frequency oscillator according to the third embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 6 is a diagram showing the operation of the high-frequency oscillator according to Embodiment 3 of the present invention.
[0029]
In this high-frequency oscillator, a loop gain is obtained in a closed loop by the resonance circuit 1 and the active circuit 2, and an oscillation operation is performed by amplifying power at a frequency at which the phases of the loops are superimposed in the same phase. The oscillation conditional expression is the same as that in the first embodiment.
[0030]
The reflection circuit 22 including the reflection stubs 23a and 23b and the variable capacitance elements 25a and 25b reflects a part of the power to the field effect transistor (FET) 21 to increase the reflection gain and the loop gain. . By controlling the resonance circuit 1 that roughly determines the oscillation frequency, the oscillation frequency is varied. By using a plurality of reflection stubs 23a and 23b in the reflection circuit 22, the line length of the reflection stub is shortened, and the line width is widened. As shown in FIG. Can be obtained, and the resonant frequency of the reflective stub can be shifted to the high frequency side. On the high frequency side, the gain of the field effect transistor (FET) 21 decreases, so that unnecessary reflection gain generated at the resonance frequency of the reflection stub can be suppressed as shown in FIG. 6B.
[0031]
Furthermore, the variable capacitance elements 25a and 25b are loaded on the reflection stubs 23a and 23b of the reflection circuit 22, and the resonance frequency of the reflection stub is changed to the high frequency side by changing the variable capacitance elements 25a and 25b according to a desired frequency. Unnecessary reflection gain generated at the resonance frequency of the reflection stub can be suppressed. As a result, the loop gain equivalent to the conventional one is obtained at the desired frequency, and unnecessary oscillation is suppressed.
[0032]
【The invention's effect】
As described above, the high-frequency oscillator according to the present invention uses a plurality of the reflection stubs 23a and 23b in the reflection circuit 22, shortens the line length of the reflection stub, and widens the line width. Equivalent loop gain can be obtained, and there is an effect that unnecessary oscillation can be suppressed.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a high-frequency oscillator according to Embodiment 1 of the present invention.
FIG. 2 is a diagram showing an operation of the high frequency oscillator according to the first embodiment of the invention.
FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a high-frequency oscillator according to Embodiment 2 of the present invention.
FIG. 4 is a diagram showing an operation of a high frequency oscillator according to Embodiment 2 of the present invention.
FIG. 5 is a diagram showing a configuration of a high-frequency oscillator according to Embodiment 3 of the present invention.
FIG. 6 is a diagram showing an operation of a high-frequency oscillator according to Embodiment 3 of the present invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Resonance circuit, 2 Active circuit, 3 Output terminal, 21 Field effect transistor (FET), 22 Reflection circuit, 23a, 23b Reflection stub, 24a, 24b Resistance, 25a, 25b Variable capacitance element.

Claims (4)

発振周波数を決定するための共振回路と、
前記共振回路に接続された能動回路と、
前記能動回路に接続され発振電力を取り出すための出力端子とを備え、
前記能動回路は、
前記共振回路に第１の端子が接続された能動素子と、
この能動素子の第２の端子に接続され発振電力の一部を前記能動素子側に反射させるための反射回路とから構成され、
前記反射回路は、
前記能動素子の第２の端子に並列接続された第１の先端開放スタブと、
前記能動素子の第２の端子に並列接続された第２の先端開放スタブとから構成され、 前記能動回路の反射係数をΓａ、前記共振回路の反射係数をΓｔとすると、
|Γａ|・|Γｔ|＞１
及び
∠Γａ＋∠Γｔ＝２ｎ（ｎは整数）π
の発振条件式を満足し、かつ、
前記能動回路の反射利得２０ｌｏｇ|Γａ|が前記共振回路の反射損失２０ｌｏｇ|Γｔ|より大きい
ことを特徴とする高周波発振器。A resonant circuit for determining the oscillation frequency;
An active circuit connected to the resonant circuit;
An output terminal connected to the active circuit for extracting oscillation power;
The active circuit is:
An active element having a first terminal connected to the resonant circuit;
This is connected to the second terminal of the active element is constituted by a reflection circuit for reflecting a portion of the oscillation power to the active element side,
The reflection circuit is
A first open-ended stub connected in parallel to the second terminal of the active element ;
Wherein is composed of a second open stub connected in parallel to the second terminal of the active device, the reflection coefficient of the active circuit gamma a, when the reflection coefficient of the resonant circuit and gamma t,
| Γ a | ・ | Γ t |> 1
And ∠Γ a + ∠Γ t = 2n (n is an integer) π
Satisfy the oscillation condition of
The high-frequency oscillator characterized in that the reflection gain 20 log | Γ a | of the active circuit is larger than the reflection loss 20 log | Γ t | of the resonance circuit. 前記反射回路は、前記第１及び第２の先端開放スタブの共振周波数で損失を大きくするために、
前記能動素子の第２の端子と前記第１の先端開放スタブの開放端とは反対側の一端との間に挿入された第１の抵抗と、
前記能動素子の第２の端子と前記第２の先端開放スタブの開放端とは反対側の一端との間に挿入された第２の抵抗とをさらに有する
ことを特徴とする請求項１記載の高周波発振器。In order to increase the loss at the resonance frequency of the first and second open end stubs, the reflection circuit
A first resistor inserted between one end opposite to the open end of the second terminal a first open stub of the active element,
According to claim 1, further comprising a second resistor inserted between one end opposite to the open end of the second terminal and the second open stub of the active element High frequency oscillator. 前記反射回路は、前記第１及び第２の先端開放スタブの共振周波数を可変できるように、
前記第１の先端開放スタブの開放端及びアースの間に挿入された第１の可変容量素子と、
前記第２の先端開放スタブの開放端及びアースの間に挿入された第２の可変容量素子とをさらに有する
ことを特徴とする請求項１記載の高周波発振器。The reflection circuit can vary the resonance frequency of the first and second tip open stubs.
A first variable capacitance element inserted between the open end of the first open end stub and the ground;
The high-frequency oscillator according to claim 1, further comprising a second variable capacitance element inserted between the open end of the second open end stub and the ground. 前記能動素子は、電界効果トランジスタであり、前記第１の端子は、ゲートであり、かつ前記第２の端子は、ドレインである
ことを特徴とする請求項１、２又は３記載の高周波発振器。The high-frequency oscillator according to claim 1, 2 or 3, wherein the active element is a field effect transistor, the first terminal is a gate, and the second terminal is a drain.
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