JP4506701B2 - Multilayer varistor array - Google Patents

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Description

本発明は、積層型バリスタアレイに関する。   The present invention relates to a multilayer varistor array.

従来から、複数のバリスタ層が積層されて形成されたバリスタ素体と、バリスタ素体の外表面に形成された第1〜第8の外部電極と、バリスタ素体内に配されると共に第1の外部電極と電気的に接続された第1の内部電極と、バリスタ素体内に配されると共に第2の外部電極と電気的に接続された第2の内部電極と、バリスタ素体内に配されると共に第3の外部電極と電気的に接続された第3の内部電極と、バリスタ素体内に配されると共に第4の外部電極と電気的に接続された第4の内部電極と、バリスタ素体内に配されると共に第5の外部電極と電気的に接続された第5の内部電極と、バリスタ素体内に配されると共に第6の外部電極と電気的に接続された第6の内部電極と、バリスタ素体内に配されると共に第7の外部電極と電気的に接続された第7の内部電極と、バリスタ素体内に配されると共に第8の外部電極と電気的に接続された第8の内部電極とを備え、第1の内部電極と第2の内部電極とは、バリスタ層を介して互いに対向する第1の対向領域をそれぞれ有し、第3の内部電極と第4の内部電極とは、バリスタ層を介して互いに対向する第2の対向領域をそれぞれ有し、第5の内部電極と第6の内部電極とは、バリスタ層を介して互いに対向する第3の対向領域をそれぞれ有し、第7の内部電極と第8の内部電極とは、バリスタ層を介して互いに対向する第4の対向領域をそれぞれ有する積層型バリスタアレイが知られている(例えば、特許文献1参照)。
特開2000−331805号公報
Conventionally, a varistor element body formed by laminating a plurality of varistor layers, first to eighth external electrodes formed on the outer surface of the varistor element body, a first varistor element body and a first varistor layer A first internal electrode electrically connected to the external electrode, a second internal electrode disposed in the varistor element body and electrically connected to the second external electrode, and disposed in the varistor element body And a third internal electrode electrically connected to the third external electrode, a fourth internal electrode disposed in the varistor element body and electrically connected to the fourth external electrode, and a varistor element body And a fifth internal electrode electrically connected to the fifth external electrode and a sixth internal electrode disposed in the varistor element body and electrically connected to the sixth external electrode; , Arranged in the varistor element body and electrically with the seventh external electrode A seventh internal electrode connected to the varistor element body and an eighth internal electrode electrically connected to the eighth external electrode, the first internal electrode and the second internal electrode Each has a first opposing region that faces each other through a varistor layer, and the third internal electrode and the fourth internal electrode respectively have a second opposing region that faces each other through a varistor layer. The fifth internal electrode and the sixth internal electrode each have a third opposing region facing each other through the varistor layer, and the seventh internal electrode and the eighth internal electrode are A multilayer varistor array having fourth opposing regions that face each other through layers is known (see, for example, Patent Document 1).
JP 2000-331805 A

近年、電子機器の小型化を図るべく、実装基板上に実装される電子部品の小型化の要求が高くなってきている。   In recent years, there has been an increasing demand for downsizing electronic components mounted on a mounting substrate in order to reduce the size of electronic devices.

しかしながら、上記特許文献1に記載されたような従来の積層型バリスタアレイは、各内部電極の対向領域の2倍の数の外部電極を要するものであった。そして、これらの外部電極が互いに絶縁された状態でバリスタ素体の外表面に形成される必要があるから、ある程度のバリスタ素体の大きさを確保する必要があった。そのため、従来の積層型バリスタアレイでは、近年の電子部品の小型化の要求を満足させることが困難であった。   However, the conventional multilayer varistor array as described in Patent Document 1 requires twice as many external electrodes as the opposing region of each internal electrode. Since these external electrodes need to be formed on the outer surface of the varistor element body in a state of being insulated from each other, it is necessary to ensure a certain size of the varistor element body. For this reason, it has been difficult for conventional multilayer varistor arrays to satisfy recent demands for miniaturization of electronic components.

本発明は、従来よりも小型化を図ることが可能な積層型バリスタアレイを提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide a multilayer varistor array that can be made smaller than before.

本発明に係る積層型バリスタアレイは、電圧非直線性を発現するバリスタ層を少なくとも一層含む機能層が複数積層されて形成された積層体と、互いに絶縁された状態で積層体の外表面にそれぞれ形成された第1〜第6の外部電極と、積層体内に配されると共に第1の外部電極と電気的に接続された第1の内部電極と、積層体内に配されると共に第2の外部電極と電気的に接続された第2の内部電極と、積層体内に配されると共に第3の外部電極と電気的に接続された第3の内部電極と、積層体内に配されると共に第4の外部電極と電気的に接続された第4の内部電極と、積層体内に配されると共に第5の外部電極と電気的に接続された第5の内部電極と、積層体内に配されると共に第6の外部電極と電気的に接続された第6の内部電極とを更に備え、第1の内部電極と第3の内部電極とは、バリスタ層を介して互いに対向する第1の対向領域をそれぞれ有し、第2の内部電極と第3の内部電極とは、バリスタ層を介して互いに対向する第2の対向領域をそれぞれ有し、第4の内部電極と第6の内部電極とは、バリスタ層を介して互いに対向する第3の対向領域をそれぞれ有し、第5の内部電極と第6の内部電極とは、バリスタ層を介して互いに対向する第4の対向領域をそれぞれ有することを特徴とする。   The multilayer varistor array according to the present invention includes a multilayer body formed by laminating a plurality of functional layers including at least one varistor layer that exhibits voltage nonlinearity, and an outer surface of the multilayer body in an insulated state. The formed first to sixth external electrodes, a first internal electrode disposed in the multilayer body and electrically connected to the first external electrode, and a second external body disposed in the multilayer body A second internal electrode electrically connected to the electrode, a third internal electrode disposed in the laminate and electrically connected to the third external electrode, and a fourth internal electrode disposed in the laminate. A fourth internal electrode electrically connected to the external electrode, a fifth internal electrode disposed in the laminate and electrically connected to the fifth external electrode, and disposed in the laminate. A sixth internal electrode electrically connected to the sixth external electrode; The first internal electrode and the third internal electrode each have a first opposing region facing each other through the varistor layer, and the second internal electrode and the third internal electrode are each a varistor. Each of the fourth internal electrode and the sixth internal electrode has a third opposing region that opposes each other via the varistor layer, and each of the second opposing regions that oppose each other through the layer. The fifth internal electrode and the sixth internal electrode each have a fourth facing region facing each other through the varistor layer.

本発明に係る積層型バリスタアレイでは、第1の内部電極が第1の外部電極に電気的に接続され、第2の内部電極が第2の外部電極に電気的に接続され、第3の内部電極が第3の外部電極に電気的に接続され、第4の内部電極が第4の外部電極に電気的に接続され、第5の内部電極が第5の外部電極に電気的に接続され、第6の内部電極が第6の外部電極に電気的に接続されている。そして、第1の内部電極と第3の内部電極とは、バリスタ層を介して互いに対向する第1の対向領域をそれぞれ有し、第2の内部電極と第3の内部電極とは、バリスタ層を介して互いに対向する第2の対向領域をそれぞれ有し、第4の内部電極と第6の内部電極とは、バリスタ層を介して互いに対向する第3の対向領域をそれぞれ有し、第5の内部電極と第6の内部電極とは、バリスタ層を介して互いに対向する第4の対向領域をそれぞれ有している。そのため、第1〜第4の4つの対向領域に対して第1〜第6の6つの外部電極を備えていればよいこととなり、対向領域の2倍の数の外部電極が必要であった従来の積層型バリスタアレイに比べて外部電極の数を減らすことができる。その結果、外部電極の数が減った分だけ積層体の大きさを小さくすることができ、従来よりも積層型バリスタアレイの小型化を図ることが可能となる。   In the multilayer varistor array according to the present invention, the first internal electrode is electrically connected to the first external electrode, the second internal electrode is electrically connected to the second external electrode, and the third internal electrode The electrode is electrically connected to the third external electrode, the fourth internal electrode is electrically connected to the fourth external electrode, the fifth internal electrode is electrically connected to the fifth external electrode, The sixth inner electrode is electrically connected to the sixth outer electrode. The first internal electrode and the third internal electrode each have a first opposing region facing each other through the varistor layer, and the second internal electrode and the third internal electrode are the varistor layer. And the fourth internal electrode and the sixth internal electrode each have a third opposing region opposite to each other via the varistor layer, and a fifth opposing region via the varistor layer. The internal electrode and the sixth internal electrode each have a fourth opposing region opposing each other with the varistor layer interposed therebetween. Therefore, the first to sixth external electrodes need only be provided for the first to fourth opposing regions, and the number of external electrodes twice as many as the opposing regions is necessary. The number of external electrodes can be reduced as compared with the multilayer varistor array. As a result, the size of the stacked body can be reduced by the amount of the external electrodes reduced, and the stacked varistor array can be made smaller than before.

また、積層体は、複数のバリスタ層を含む機能層が複数積層されて形成され、第1及び第2の内部電極が、複数のバリスタ層のうち一のバリスタ層に共に形成されており、第4及び第5の内部電極が、複数のバリスタ層のうち一のバリスタ層とは異なる他のバリスタ層に共に形成されていることが好ましい。このようにすると、積層体を形成するために要するバリスタ層の数を減らすことができるため、積層型バリスタアレイをより小型化することが可能となる。   The stacked body is formed by stacking a plurality of functional layers including a plurality of varistor layers, and the first and second internal electrodes are formed together on one varistor layer of the plurality of varistor layers. The fourth and fifth internal electrodes are preferably formed together in another varistor layer different from the one varistor layer among the plurality of varistor layers. In this way, since the number of varistor layers required to form the stacked body can be reduced, the stacked varistor array can be further downsized.

また、第3の内部電極が、他のバリスタ層に更に形成されており、第6の内部電極が、一のバリスタ層に更に形成されていることが好ましい。このようにすると、積層体を形成するために要するバリスタ層の数を更に減らすことができるため、積層型バリスタアレイを更に小型化することが可能となる。   In addition, it is preferable that the third internal electrode is further formed on another varistor layer, and the sixth internal electrode is further formed on one varistor layer. In this way, since the number of varistor layers required to form the stacked body can be further reduced, the stacked varistor array can be further reduced in size.

また、積層体は、機能層の積層方向に沿う方向に拡がると共に互いに対向する第1及び第2の外表面を有し、第1〜第3の外部電極が第1の外表面に形成され、第4〜第6の外部電極が第2の外表面に形成されており、第1及び第2の対向領域は、機能層の積層方向から見たときに第1の外表面と第2の外表面との間の中間位置と第2の外表面との間の領域に共に位置し、第3及び第4の対向領域は、機能層の積層方向から見たときに中間位置と第1の外表面との間の領域に共に位置していることが好ましい。   The stacked body has first and second outer surfaces that extend in a direction along the stacking direction of the functional layers and face each other, and first to third external electrodes are formed on the first outer surface, The fourth to sixth external electrodes are formed on the second outer surface, and the first and second opposing regions have the first outer surface and the second outer surface when viewed from the stacking direction of the functional layers. The third and fourth opposing regions are located together in a region between the intermediate position between the surface and the second outer surface, and the third and fourth opposing regions are located between the intermediate position and the first outer surface when viewed from the stacking direction of the functional layer. It is preferred that they are located together in a region between the surface.

このような積層型バリスタアレイは、ZnO等を主成分とするバリスタ層を少なくとも一層含む機能層が積層された積層体を形成後、積層体の外表面の所定領域に各外部電極となる導電性ペーストを転写して焼付け、その焼付け後の導電体に電気めっき(ここでは、例えばバレルめっき)を行うことで形成される。ところが、バリスタ層と、このバリスタ層上に形成されている各内部電極との界面に僅かな隙間があると共に、焼付け後の導電体が多数の細孔を有しているため、バレルめっきの際に、導電体の細孔を通じてこれらのバリスタ層と各内部電極との界面における隙間にめっき液が侵入し、毛細管現象によってその隙間にめっき液が浸透してしまうことがある。   In such a multilayer varistor array, after forming a laminate in which a functional layer including at least one varistor layer mainly composed of ZnO or the like is formed, a conductive material that becomes each external electrode in a predetermined region on the outer surface of the laminate. It is formed by transferring and baking the paste, and performing electroplating (here, for example, barrel plating) on the conductor after baking. However, there is a slight gap at the interface between the varistor layer and each internal electrode formed on the varistor layer, and the conductor after baking has a large number of pores. Furthermore, the plating solution may enter the gaps at the interfaces between these varistor layers and the respective internal electrodes through the pores of the conductor, and the plating solution may penetrate into the gaps due to capillary action.

ところで、バレルめっきでは、バレル内のめっき液中で積層体及びダミーメディアを共に攪拌しつつアノード極(陽極)とカソード極(陰極)との間に電流を流すことにより、アノード極側のめっき用金属を、ダミーメディアを介してカソード極と接続されている導電体の表面にめっきしている。このとき、バリスタ層と各内部電極との界面における隙間にめっき液が侵入しているから、導電体に対してめっきが行われるのと同時に、隙間に侵入しているめっき液中に水素が発生することとなる。そうすると、水素が極めて高い還元性を有するために、めっき液が侵入した部分において、バリスタ層を構成しているZnO粒子の粒界におけるショットキー障壁がその還元作用によって損なわれてしまう。その結果、特に、各対向領域においてショットキー障壁が損なわれることにより、電圧非直線性が劣化してしまうことがあった。   By the way, in barrel plating, a current is passed between the anode electrode (anode) and the cathode electrode (cathode) while stirring the laminate and the dummy medium in the plating solution in the barrel. Metal is plated on the surface of a conductor connected to the cathode electrode via a dummy medium. At this time, since the plating solution has entered the gap at the interface between the varistor layer and each internal electrode, hydrogen is generated in the plating solution that has entered the gap at the same time as plating is performed on the conductor. Will be. Then, since hydrogen has an extremely high reducibility, the Schottky barrier at the grain boundary of the ZnO particles constituting the varistor layer is damaged by the reducing action at the portion where the plating solution has penetrated. As a result, in particular, the voltage nonlinearity may be deteriorated by losing the Schottky barrier in each facing region.

しかしながら、上述のように、第1及び第2の対向領域が、機能層の積層方向から見たときに第1の外表面と第2の外表面との間の中間位置と第2の外表面との間の領域に共に位置しているから、めっき液が侵入してくる第1の外表面から離れるように第1及び第2の対向領域を配置することができる。同じく、第3及び第4の対向領域が、機能層の積層方向から見たときに第1の外表面と第2の外表面との間の中間位置と第1の外表面との間の領域に共に位置しているから、めっき液が侵入してくる第2の外表面から離れるように第3及び第4の対向領域を配置することができる。その結果、めっき液の侵入による電圧非直線性の劣化を抑制することが可能となる。   However, as described above, when the first and second opposing regions are viewed from the stacking direction of the functional layer, the intermediate position between the first outer surface and the second outer surface and the second outer surface The first and second opposing regions can be arranged away from the first outer surface through which the plating solution enters. Similarly, the third and fourth opposing regions are regions between the first outer surface and the intermediate position between the first outer surface and the second outer surface when viewed from the stacking direction of the functional layers. Therefore, the third and fourth opposing regions can be arranged so as to be separated from the second outer surface through which the plating solution enters. As a result, it is possible to suppress degradation of voltage nonlinearity due to penetration of the plating solution.

また、第1の内部電極は、第1の外表面に引き出されるように伸びる第1の引き出し導体を介して第1の外部電極と電気的に接続され、第2の内部電極は、第1の外表面に引き出されるように伸びる第2の引き出し導体を介して第2の外部電極と電気的に接続され、第3の内部電極は、第1の外表面に引き出されるように伸びる第3の引き出し導体を介して第3の外部電極と電気的に接続され、第4の内部電極は、第2の外表面に引き出されるように伸びる第4の引き出し導体を介して第4の外部電極と電気的に接続され、第5の内部電極は、第2の外表面に引き出されるように伸びる第5の引き出し導体を介して第5の外部電極と電気的に接続され、第6の内部電極は、第2の外表面に引き出されるように伸びる第6の引き出し導体を介して第6の外部電極と電気的に接続され、第1〜第3の引き出し導体における第1の外表面側の端部の幅よりも、第1〜第3の引き出し導体におけるその端部以外の部分の幅が広くなるように設定され、第4〜第6の引き出し導体における第2の外表面側の端部の幅よりも、第4〜第6の引き出し導体におけるその端部以外の部分の幅が広くなるように設定されていることが好ましい。このようにすると、積層体の各外表面に露出する引き出し導体の端部の幅が他の部分よりも狭くなるから、めっき液の積層体内への侵入量が抑制される。また、めっき液が各対向領域に達するまで侵入したとしても、幅が広くなっている各引き出し導体の端部以外の部分においてめっき液が拡散するから、めっき液の積層体内への侵入量が一定である場合には各内部電極の単位面積あたりのめっき液量が少なくなる。そのため、めっき液の侵入による電圧非直線性の劣化をより抑制することが可能となる。 The first internal electrode is electrically connected to the first external electrode via a first lead conductor extending so as to be drawn to the first outer surface, and the second internal electrode is connected to the first external electrode. The third lead electrode is electrically connected to the second external electrode via a second lead conductor extending so as to be drawn to the outer surface, and the third inner electrode extends so as to be drawn to the first outer surface. The fourth external electrode is electrically connected to the third external electrode via a conductor, and the fourth internal electrode is electrically connected to the fourth external electrode via a fourth lead conductor extending so as to be drawn to the second outer surface. The fifth internal electrode is electrically connected to the fifth external electrode via a fifth lead conductor extending so as to be drawn to the second outer surface, and the sixth internal electrode is Through a sixth lead conductor extending so as to be drawn to the outer surface of 2 A portion other than the end portion of the first to third lead conductors, which is electrically connected to the sixth external electrode and is wider than the width of the end portion on the first outer surface side of the first to third lead conductors. The width of the portion other than the end portion of the fourth to sixth lead conductors is wider than the width of the end portion on the second outer surface side of the fourth to sixth lead conductors. Is preferably set to be wide. If it does in this way, since the width | variety of the edge part of the lead conductor exposed to each outer surface of a laminated body becomes narrower than another part, the penetration | invasion amount of the plating solution to the laminated body is suppressed. Even if the plating solution penetrates until it reaches each facing area, the plating solution diffuses in parts other than the ends of the lead conductors that are wide, so the amount of penetration of the plating solution into the laminated body is constant. In this case, the amount of plating solution per unit area of each internal electrode is reduced. Therefore, it is possible to further suppress deterioration of voltage nonlinearity due to penetration of the plating solution.

本発明によれば、従来よりも小型化を図ることが可能な積層型バリスタアレイを提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide a multilayer varistor array that can be made smaller than before.

本発明の好適な実施形態について、図面を参照して説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。   Preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the description, the same reference numerals are used for the same elements or elements having the same function, and a duplicate description is omitted.

(第1実施形態)
図1及び図2を参照して、第1実施形態に係る積層型バリスタアレイ100の構成について説明する。図1は、第1実施形態に係る積層型バリスタアレイを示す斜視図である。図2は、第1実施形態に係る積層型バリスタアレイを構成するバリスタ素体の分解斜視図である。
(First embodiment)
The configuration of the multilayer varistor array 100 according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 1 is a perspective view showing the multilayer varistor array according to the first embodiment. FIG. 2 is an exploded perspective view of the varistor element body constituting the multilayer varistor array according to the first embodiment.

積層型バリスタアレイ100は、図1に示されるように、略直方体形状のバリスタ素体10を備えており、バリスタ素体10によって積層型バリスタアレイ100の本体が構成されている。   As shown in FIG. 1, the multilayer varistor array 100 includes a varistor element body 10 having a substantially rectangular parallelepiped shape, and the varistor element body 10 constitutes a main body of the multilayer varistor array 100.

また、積層型バリスタアレイ100は、バリスタ素体10の第1の外表面10a上に形成された第1〜第3の外部電極12A〜12Cと、第2の外表面10b上に形成された第4〜第6の外部電極12D〜12Fとを備えている。第1〜第3の外部電極12A〜12Cは、後述するバリスタ層A1〜A6の積層方向(以下、単に「積層方向」と称する)に帯状に伸びると共にその両端部が上面10e及び下面10fに回り込んで形成されている。また、第4〜第6の外部電極12D〜12Fは、積層方向に帯状に伸びると共にその両端部が上面10e及び下面10fに回り込んで形成されている。   In addition, the multilayer varistor array 100 includes first to third external electrodes 12A to 12C formed on the first outer surface 10a of the varistor element body 10, and first electrodes formed on the second outer surface 10b. 4 to 6 external electrodes 12D to 12F. The first to third external electrodes 12A to 12C extend in a strip shape in the stacking direction of varistor layers A1 to A6 (hereinafter simply referred to as “stacking direction”), and both ends of the first to third external electrodes 12A to 12C rotate around the upper surface 10e and the lower surface 10f. Formed. The fourth to sixth external electrodes 12D to 12F extend in a strip shape in the stacking direction, and both end portions thereof are formed to wrap around the upper surface 10e and the lower surface 10f.

各外部電極12A〜12Fは、バリスタ素体10の第1及び第2の外表面10a,10b、上面10e並びに下面10fにAg、Cu又はNiを主成分とする電極ペーストをそれぞれ転写した後に所定温度(例えば、700〜800℃)にて焼き付け、更にバレルめっき等の電気めっきによって例えばCu、Ni、Sn等のめっきを施すことにより形成される。なお、第1、第2、第4及び第6の外部電極12A,12B,12D,12Eはそれぞれ入出力電極として機能し、第3及び第4の外部電極12C,12Fはそれぞれグランド電極として機能する。   The external electrodes 12A to 12F are transferred to the first and second outer surfaces 10a and 10b, the upper surface 10e, and the lower surface 10f of the varistor element body 10 after transferring electrode pastes mainly composed of Ag, Cu, or Ni, respectively, to a predetermined temperature. It is formed by baking (for example, 700 to 800 ° C.) and further plating such as Cu, Ni, and Sn by electroplating such as barrel plating. The first, second, fourth and sixth external electrodes 12A, 12B, 12D and 12E function as input / output electrodes, respectively, and the third and fourth external electrodes 12C and 12F function as ground electrodes, respectively. .

バリスタ素体10は、互いに対向する第1及び第2の外表面10a,10bと、互いに対向する第3及び第4の外表面10c、10dと、互いに対向する上面10e及び下面10fとを有しており、これらの各面10a〜10fによって外形が規定されている。バリスタ素体10では、例えば長手方向の長さを1.6mm程度、幅を0.8mm程度、厚みを0.5mm程度に設定することができる。   The varistor element body 10 has first and second outer surfaces 10a and 10b facing each other, third and fourth outer surfaces 10c and 10d facing each other, and an upper surface 10e and a lower surface 10f facing each other. The outer shape is defined by these surfaces 10a to 10f. In the varistor element body 10, for example, the length in the longitudinal direction can be set to about 1.6 mm, the width can be set to about 0.8 mm, and the thickness can be set to about 0.5 mm.

バリスタ素体10は、図2に示されるように、電圧非直線性(以下、「バリスタ特性」と称する)を発現する複数(第1実施形態においては6層)のバリスタ層A1〜A6がシート積層工法によって積層されて形成されている。実際の積層型バリスタアレイ100では、バリスタ層A1〜A6同士の間の境界が視認できない程度に一体化されている。バリスタ層A1〜A6は、ZnO(酸化亜鉛)を主成分として含むと共に、副成分として希土類金属元素、Co、IIIb族元素(B、Al、Ga、In)、Si、Cr、Mo、アルカリ金属元素(K、Rb、Cs)及びアルカリ土類金属元素(Mg、Ca、Sr、Ba)等の金属単体やこれらの酸化物を含む素体からなる。バリスタ層A1〜A6の厚みは、それぞれ30μm程度とすることができる。   As shown in FIG. 2, the varistor element body 10 includes a plurality of (six layers in the first embodiment) varistor layers A1 to A6 that exhibit voltage nonlinearity (hereinafter referred to as “varistor characteristics”). It is formed by being laminated by the lamination method. In the actual laminated varistor array 100, the boundaries between the varistor layers A1 to A6 are integrated so as not to be visually recognized. The varistor layers A1 to A6 contain ZnO (zinc oxide) as a main component, and include rare earth metal elements, Co, group IIIb elements (B, Al, Ga, In), Si, Cr, Mo, and alkali metal elements as subcomponents. It consists of a simple substance such as (K, Rb, Cs) and an alkaline earth metal element (Mg, Ca, Sr, Ba) or an element containing these oxides. The varistor layers A1 to A6 can each have a thickness of about 30 μm.

バリスタ層A3の表面には、それぞれ略矩形状を呈する第1の内部電極14A、第2の内部電極14B及び第6の内部電極14Fが互いに絶縁されるように形成されている。そのため、各内部電極14A,14B,14Fは、それぞれバリスタ素体10内に配されることとなる。第1の内部電極14Aには、バリスタ素体10の第1の外表面10aとなるバリスタ層A3の端面A3aに向けて引き出された第1の引き出し導体16Aが、その一端に一体的に形成されている。第2の内部電極14Bには、バリスタ層A3の端面A3aに向けて引き出された第2の引き出し導体16Bが、その一端に一体的に形成されている。第6の内部電極14Fには、バリスタ素体10の第2の外表面10bとなるバリスタ層A3の端面A3bに向けて引き出された第6の引き出し導体16Fが、その中央部に一体的に形成されている。   On the surface of the varistor layer A3, a first internal electrode 14A, a second internal electrode 14B, and a sixth internal electrode 14F each having a substantially rectangular shape are formed so as to be insulated from each other. Therefore, each internal electrode 14A, 14B, 14F is arranged in the varistor element body 10, respectively. The first inner electrode 14A is integrally formed with one end of the first lead conductor 16A drawn toward the end surface A3a of the varistor layer A3 that becomes the first outer surface 10a of the varistor element body 10. ing. A second lead conductor 16B drawn toward the end surface A3a of the varistor layer A3 is integrally formed at one end of the second internal electrode 14B. A sixth lead conductor 16F drawn toward the end face A3b of the varistor layer A3 that becomes the second outer surface 10b of the varistor element body 10 is integrally formed on the sixth inner electrode 14F at the center thereof. Has been.

第1の引き出し導体16Aは、第1の内部電極14Aと接続されていない他端がバリスタ層A3の端面A3aに露出しており、第1の外部電極12Aと物理的且つ電気的に接続されている。第2の引き出し導体16Bは、第2の内部電極14Bと接続されていない他端がバリスタ層A3の端面A3aに露出しており、第2の外部電極12Bと物理的且つ電気的に接続されている。第6の引き出し導体16Fは、第6の内部電極14Fと接続されていない他端がバリスタ層A3の端面A3bに露出しており、第6の外部電極12Fと物理的且つ電気的に接続されている。そのため、第1の内部電極14Aは、第1の引き出し導体16Aを介して第1の外部電極12Aと電気的に接続され、第2の内部電極14Bは、第2の引き出し導体16Bを介して第2の外部導体12Bと電気的に接続され、第6の内部電極14Fは、第6の引き出し導体16Fを介して第6の外部電極12Fと電気的に接続されることとなる。   The other end of the first lead conductor 16A that is not connected to the first internal electrode 14A is exposed at the end face A3a of the varistor layer A3, and is physically and electrically connected to the first external electrode 12A. Yes. The other end of the second lead conductor 16B that is not connected to the second internal electrode 14B is exposed at the end face A3a of the varistor layer A3, and is physically and electrically connected to the second external electrode 12B. Yes. The other end of the sixth lead conductor 16F that is not connected to the sixth internal electrode 14F is exposed at the end face A3b of the varistor layer A3, and is physically and electrically connected to the sixth external electrode 12F. Yes. Therefore, the first inner electrode 14A is electrically connected to the first outer electrode 12A via the first lead conductor 16A, and the second inner electrode 14B is electrically connected to the first outer electrode 12B via the second lead conductor 16B. The second external conductor 12B is electrically connected, and the sixth internal electrode 14F is electrically connected to the sixth external electrode 12F via the sixth lead conductor 16F.

バリスタ層A4の表面には、それぞれ略矩形状を呈する第3の内部電極14C、第4の内部電極14D及び第5の内部電極14Eが互いに絶縁されるように形成されている。そのため、各内部電極14C,14D,14Eは、それぞれバリスタ素体10内に配されることとなる。第3の内部電極14Cには、バリスタ素体10の第1の外表面10aとなるバリスタ層A4の端面A4aに向けて引き出された第3の引き出し導体16Cが、その中央部に一体的に形成されている。第4の内部電極14Dには、バリスタ層A4の端面A4bに向けて引き出された第4の引き出し導体16Dが、その一端に一体的に形成されている。第5の内部電極14Eには、バリスタ素体10の第2の外表面10bとなるバリスタ層A4の端面A4bに向けて引き出された第5の引き出し導体16Eが、その一端に一体的に形成されている。   On the surface of the varistor layer A4, a third internal electrode 14C, a fourth internal electrode 14D, and a fifth internal electrode 14E each having a substantially rectangular shape are formed so as to be insulated from each other. Therefore, each internal electrode 14C, 14D, 14E is arranged in the varistor element body 10, respectively. A third lead conductor 16C drawn toward the end face A4a of the varistor layer A4 that becomes the first outer surface 10a of the varistor element body 10 is integrally formed in the center portion of the third inner electrode 14C. Has been. A fourth lead conductor 16D drawn toward the end face A4b of the varistor layer A4 is integrally formed at one end of the fourth internal electrode 14D. A fifth lead conductor 16E drawn toward the end surface A4b of the varistor layer A4 that becomes the second outer surface 10b of the varistor element body 10 is integrally formed at one end of the fifth internal electrode 14E. ing.

第3の引き出し導体16Cは、第3の内部電極14Cと接続されていない他端がバリスタ層A4の端面A4aに露出しており、第3の外部電極12Cと物理的且つ電気的に接続されている。第4の引き出し導体16Dは、第4の内部電極14Dと接続されていない他端がバリスタ層A4の端面A4bに露出しており、第4の外部電極12Dと物理的且つ電気的に接続されている。第5の引き出し導体16Eは、第5の内部電極14Eと接続されていない他端がバリスタ層A4の端面A4bに露出しており、第5の外部電極12Eと物理的且つ電気的に接続されている。そのため、第3の内部電極14Cは、第3の引き出し導体16Cを介して第3の外部電極12Cと電気的に接続され、第4の内部電極14Dは、第4の引き出し導体16Dを介して第4の外部導体12Dと電気的に接続され、第5の内部電極14Eは、第5の引き出し導体16Eを介して第5の外部電極12Eと電気的に接続されることとなる。   The other end of the third lead conductor 16C that is not connected to the third internal electrode 14C is exposed at the end face A4a of the varistor layer A4, and is physically and electrically connected to the third external electrode 12C. Yes. The other end of the fourth lead conductor 16D that is not connected to the fourth inner electrode 14D is exposed at the end face A4b of the varistor layer A4, and is physically and electrically connected to the fourth outer electrode 12D. Yes. The other end of the fifth lead conductor 16E that is not connected to the fifth internal electrode 14E is exposed at the end face A4b of the varistor layer A4, and is physically and electrically connected to the fifth external electrode 12E. Yes. Therefore, the third inner electrode 14C is electrically connected to the third outer electrode 12C via the third lead conductor 16C, and the fourth inner electrode 14D is connected to the third outer electrode 12C via the fourth lead conductor 16D. The fourth external conductor 12D is electrically connected, and the fifth internal electrode 14E is electrically connected to the fifth external electrode 12E via the fifth lead conductor 16E.

ここで、第1の内部電極14Aと第3の内部電極14Cとは、バリスタ層A3を介して互いに対向する第1の対向領域18Aをそれぞれ有している。第2の内部電極14Bと第3の内部電極14Cとは、バリスタ層A3を介して互いに対向する第2の対向領域18Bをそれぞれ有している。第4の内部電極14Dと第6の内部電極14Fとは、バリスタ層A3を介して互いに対向する第3の対向領域18Cをそれぞれ有している。第5の内部電極14Eと第6の内部電極14Fとは、バリスタ層A3を介して互いに対向する第4の対向領域18Dをそれぞれ有している。第1実施形態においては、第1及び第2の対向領域18A,18Bが、積層方向から見たときに第1の外表面10aと第2の外表面10bとの間の中間位置Mと第1の外表面10aとの間の領域である第1の領域D1に位置するようになっている。また、第3及び第4の対向領域18C,18Dが、積層方向から見たときに第1の外表面10aと第2の外表面10bとの間の中間位置Mと第2の外表面10bとの間の領域である第2の領域D2に位置するようになっている。なお、これらの第1〜第4の対向領域18A〜18Dは、図2においてそれぞれ斜線で示される部分である。   Here, the first internal electrode 14A and the third internal electrode 14C each have a first opposing region 18A that is opposed to each other via the varistor layer A3. The second internal electrode 14B and the third internal electrode 14C each have a second facing region 18B facing each other through the varistor layer A3. The fourth internal electrode 14D and the sixth internal electrode 14F each have a third facing region 18C facing each other via the varistor layer A3. The fifth internal electrode 14E and the sixth internal electrode 14F have fourth opposing regions 18D that face each other via the varistor layer A3. In the first embodiment, the first and second opposing regions 18A and 18B have the first intermediate position M and the first position between the first outer surface 10a and the second outer surface 10b when viewed from the stacking direction. It is located in the 1st field D1 which is a field between the outer surface 10a of this. Further, when the third and fourth opposing regions 18C and 18D are viewed from the stacking direction, the intermediate position M between the first outer surface 10a and the second outer surface 10b and the second outer surface 10b It is located in the 2nd field D2 which is the field between. In addition, these 1st-4th opposing area | regions 18A-18D are the parts each shown with the oblique line in FIG.

各内部電極14A〜14F及び各引き出し導体16A〜16Fは、導電材を含んでいる。各内部電極14A〜14F及び各引き出し導体16A〜16Fに含まれる導電材としては、特に限定されないが、Pd又はAg−Pd合金からなることが好ましい。各内部電極14A〜14F及び各引き出し導体16A〜16Fでは、その厚みを例えば2μm程度とすることができる。   Each internal electrode 14A-14F and each lead conductor 16A-16F contain a conductive material. Although it does not specifically limit as a electrically conductive material contained in each internal electrode 14A-14F and each extraction conductor 16A-16F, It is preferable to consist of Pd or an Ag-Pd alloy. Each of the internal electrodes 14A to 14F and the lead conductors 16A to 16F can have a thickness of about 2 μm, for example.

以上のように、第1実施形態に係る積層型バリスタアレイ100では、第1の外表面10aに第1〜第3の外部電極12A〜12Cが形成されており、第2の外表面10bに第4〜第6の外部電極12D〜12Fが形成されている。また、第1の内部電極14Aが第1の外部電極12Aに電気的に接続され、第2の内部電極14Bが第2の外部電極12Bに電気的に接続され、第3の内部電極14Cが第3の外部電極12Cに電気的に接続され、第4の内部電極14Dが第4の外部電極12Dに電気的に接続され、第5の内部電極14Eが第5の外部電極12Eに電気的に接続され、第6の内部電極14Fが第6の外部電極12Fに電気的に接続されている。そして、第1の内部電極14Aと第3の内部電極14Cとは、バリスタ層A3を介して互いに対向する第1の対向領域18Aをそれぞれ有しており、第2の内部電極14Bと第3の内部電極14Cとは、バリスタ層A3を介して互いに対向する第2の対向領域18Bをそれぞれ有しており、第4の内部電極14Dと第6の内部電極14Fとは、バリスタ層A3を介して互いに対向する第3の対向領域18Cをそれぞれ有しており、第5の内部電極14Eと第6の内部電極14Fとは、バリスタ層A3を介して互いに対向する第4の対向領域18Dをそれぞれ有している。そのため、第1実施形態に係る積層型バリスタアレイ100では、第1〜第4の4つの対向領域18A〜18Dに対して第1〜第6の6つの外部電極12A〜12Fを備えていればよいこととなり、内部電極対の数の2倍の外部電極が必要であった従来の積層型バリスタアレイに比べて外部電極の数を減らすことができる。その結果、外部電極の数が減った分だけバリスタ素体10の大きさを小さくすることができ、従来よりも積層型バリスタアレイ100の小型化を図りつつ、集積化を図ることが可能となる。   As described above, in the multilayer varistor array 100 according to the first embodiment, the first to third external electrodes 12A to 12C are formed on the first outer surface 10a, and the second outer surface 10b has the first Fourth to sixth external electrodes 12D to 12F are formed. The first internal electrode 14A is electrically connected to the first external electrode 12A, the second internal electrode 14B is electrically connected to the second external electrode 12B, and the third internal electrode 14C is connected to the first external electrode 12B. 3 external electrode 12C, the fourth internal electrode 14D is electrically connected to the fourth external electrode 12D, and the fifth internal electrode 14E is electrically connected to the fifth external electrode 12E. The sixth inner electrode 14F is electrically connected to the sixth outer electrode 12F. The first internal electrode 14A and the third internal electrode 14C have first opposing regions 18A that face each other via the varistor layer A3, and the second internal electrode 14B and the third internal electrode 14C The internal electrode 14C has second opposing regions 18B that are opposed to each other via the varistor layer A3, and the fourth internal electrode 14D and the sixth internal electrode 14F are interposed through the varistor layer A3. Each of the fifth internal electrode 14E and the sixth internal electrode 14F has a fourth counter region 18D that faces each other via the varistor layer A3. is doing. Therefore, the multilayer varistor array 100 according to the first embodiment only needs to include the first to sixth external electrodes 12A to 12F with respect to the first to fourth opposing regions 18A to 18D. As a result, the number of external electrodes can be reduced as compared with the conventional multilayer varistor array that requires twice as many external electrodes as the number of internal electrode pairs. As a result, the size of the varistor element body 10 can be reduced by an amount corresponding to the reduction in the number of external electrodes, and the stacked varistor array 100 can be integrated while achieving a smaller size than in the prior art. .

(第2実施形態)
続いて、図1及び図3を参照して、第2実施形態に係る積層型バリスタアレイ200の構成について説明する。図3は、第2実施形態に係る積層型バリスタアレイを構成するバリスタ素体の分解斜視図である。以下では、第1実施形態に係る積層型バリスタアレイ100との相違点を中心に説明し、重複する説明は省略する。
(Second Embodiment)
Next, the configuration of the multilayer varistor array 200 according to the second embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 3. FIG. 3 is an exploded perspective view of the varistor element body constituting the multilayer varistor array according to the second embodiment. Below, it demonstrates centering around difference with the multilayer varistor array 100 which concerns on 1st Embodiment, and the overlapping description is abbreviate | omitted.

バリスタ層A2の表面には、それぞれ略矩形状を呈する第1及び第2の内部電極14A,14Bが互いに絶縁されるように形成されている。第1の内部電極14Aには、バリスタ素体10の第1の外表面10aとなるバリスタ層A2の端面A2aに向けて引き出された第1の引き出し導体16Aが、その一端に一体的に形成されている。第2の内部電極14Bには、バリスタ層A2の端面A2aに向けて引き出された第2の引き出し導体16Bが、その一端に一体的に形成されている。   On the surface of the varistor layer A2, first and second internal electrodes 14A and 14B each having a substantially rectangular shape are formed so as to be insulated from each other. The first inner electrode 14A is integrally formed with one end of a first lead conductor 16A led out toward the end surface A2a of the varistor layer A2 serving as the first outer surface 10a of the varistor element body 10. ing. A second lead conductor 16B drawn toward the end face A2a of the varistor layer A2 is integrally formed at one end of the second internal electrode 14B.

バリスタ層A3の表面には、略矩形状を呈する第3の内部電極14Cが形成されている。第3の内部電極14Cには、バリスタ素体10の第1の外表面10aとなるバリスタ層A3の端面A3aに向けて引き出された第3の引き出し導体16Cが、その中央部に一体的に形成されている。   A third internal electrode 14C having a substantially rectangular shape is formed on the surface of the varistor layer A3. A third lead conductor 16C drawn toward the end face A3a of the varistor layer A3, which becomes the first outer surface 10a of the varistor element body 10, is formed integrally with the third inner electrode 14C at the center thereof. Has been.

バリスタ層A4の表面には、それぞれ略矩形状を呈する第4及び第5の内部電極14D,14Eが互いに絶縁されるように形成されている。第1の内部電極14Dには、バリスタ素体10の第2の外表面10bとなるバリスタ層A4の端面A4bに向けて引き出された第1の引き出し導体16Dが、その一端に一体的に形成されている。第5の内部電極14Eには、バリスタ層A4の端面A4bに向けて引き出された第5の引き出し導体16Eが、その一端に一体的に形成されている。   On the surface of the varistor layer A4, fourth and fifth internal electrodes 14D and 14E each having a substantially rectangular shape are formed so as to be insulated from each other. The first inner electrode 14D is integrally formed with one end of the first lead conductor 16D drawn toward the end surface A4b of the varistor layer A4 that becomes the second outer surface 10b of the varistor element body 10. ing. A fifth lead conductor 16E drawn toward the end face A4b of the varistor layer A4 is integrally formed at one end of the fifth internal electrode 14E.

バリスタ層A5の表面には、略矩形状を呈する第6の内部電極14Fが形成されている。第6の内部電極14Fには、バリスタ素体10の第2の外表面10bとなるバリスタ層A5の端面A5bに向けて引き出された第6の引き出し導体16Fが、その中央部に一体的に形成されている。   A sixth internal electrode 14F having a substantially rectangular shape is formed on the surface of the varistor layer A5. A sixth lead conductor 16F drawn toward the end face A5b of the varistor layer A5 that becomes the second outer surface 10b of the varistor element body 10 is integrally formed in the center portion of the sixth internal electrode 14F. Has been.

第2実施形態においては、第1及び第2の対向領域18A,18Bが、積層方向から見たときに第1の外表面10aと第2の外表面10bとの間の中間位置Mと第2の外表面10bとの間の領域である第2の領域D2に位置するようになっている。また、第3及び第4の対向領域18C,18Dが、積層方向から見たときに第1の外表面10aと第2の外表面10bとの間の中間位置Mと第1の外表面10aとの間の領域である第1の領域D1に位置するようになっている。なお、これらの各対向領域18A〜18Dは、図3においてそれぞれ斜線で示される部分である。   In the second embodiment, the first and second opposing regions 18A and 18B have an intermediate position M and a second position between the first outer surface 10a and the second outer surface 10b when viewed from the stacking direction. It is located in 2nd area | region D2 which is an area | region between the outer surfaces 10b. Further, when the third and fourth opposing regions 18C and 18D are viewed from the stacking direction, the intermediate position M between the first outer surface 10a and the second outer surface 10b and the first outer surface 10a It is located in the 1st field D1 which is the field between. Each of these facing regions 18A to 18D is a portion indicated by hatching in FIG.

以上のように、第2実施形態に係る積層型バリスタアレイ200では、第1実施形態に係る積層型バリスタアレイ100と同様に、従来よりも積層型バリスタアレイ100の小型化を図りつつ、集積化を図ることが可能となる。   As described above, in the multilayer varistor array 200 according to the second embodiment, as in the multilayer varistor array 100 according to the first embodiment, the multilayer varistor array 100 is integrated while achieving a reduction in size. Can be achieved.

また、第2実施形態に係る積層型バリスタアレイ200では、第1及び第2の対向領域18A,18Bが、第2の領域D2に共に位置している。また、第3及び第4の対向領域18C,18Dが、第1の領域D1に共に位置している。そのため、各対向領域18A〜18Dは、めっき液が侵入してくる第1の外表面10a又は第2の外表面10bから離れるように、バリスタ素体10内に配置されることとなる。その結果、各外部電極12A〜12Fとなる導電体の細孔を介してバリスタ素体10と各内部電極14A〜14F及び各引き出し導体16A〜16Fとの界面における隙間にめっき液が侵入してくることによるバリスタ特性の劣化を抑制することが可能となる。   In the multilayer varistor array 200 according to the second embodiment, the first and second opposing regions 18A and 18B are both located in the second region D2. The third and fourth opposing regions 18C and 18D are both located in the first region D1. Therefore, each opposing area | region 18A-18D will be arrange | positioned in the varistor element | base_body 10 so that it may leave | separate from the 1st outer surface 10a or the 2nd outer surface 10b which plating solution penetrate | invades. As a result, the plating solution enters the gaps at the interfaces between the varistor element body 10 and the internal electrodes 14A to 14F and the lead conductors 16A to 16F through the pores of the conductors that form the external electrodes 12A to 12F. Therefore, it is possible to suppress deterioration of the varistor characteristics.

(第3実施形態)
続いて、図1及び図4を参照して、第3実施形態に係る積層型バリスタアレイ300の構成について説明する。図4は、第3実施形態に係る積層型バリスタアレイを構成するバリスタ素体の分解斜視図である。以下では、第1及び第2実施形態に係る積層型バリスタアレイ100との相違点を中心に説明し、重複する説明は省略する。
(Third embodiment)
Next, the configuration of the multilayer varistor array 300 according to the third embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 4. FIG. 4 is an exploded perspective view of the varistor element body constituting the multilayer varistor array according to the third embodiment. Below, it demonstrates centering around difference with the multilayer varistor array 100 which concerns on 1st and 2nd embodiment, and the overlapping description is abbreviate | omitted.

第1〜第3の引き出し導体16A〜16Cは、第1の外表面10aに引き出された第1の外表面10a側の各端部16Aa〜16Caと、これらの各端部16Aa〜16Caと第1〜第3の内部電極14A〜14Cとを接続する各接続部16Ab〜16Cbとをそれぞれ有している。また、第4〜第6の引き出し導体16D〜16Fは、第2の外表面10bに引き出された第2の外表面10b側の各端部16Da〜16Faと、これらの各端部16Da〜16Faと第4〜第6の内部電極14D〜14Fとを接続する各接続部16Db〜16Fbとをそれぞれ有している。そして、各引き出し導体16A〜16Fの各端部16Aa〜16Fa以外の部分である各接続部16Ab〜16Fbの幅は、図4に示されるように、各端部16Aa〜16Faの幅よりも広くなるように設定されている。   The first to third lead conductors 16A to 16C are drawn to the first outer surface 10a, end portions 16Aa to 16Ca on the first outer surface 10a side, and the end portions 16Aa to 16Ca and the first end portions 16Aa to 16Ca. To third connecting electrodes 16Ab to 16Cb for connecting the third inner electrodes 14A to 14C, respectively. Further, the fourth to sixth lead conductors 16D to 16F are respectively drawn from the second outer surface 10b by the end portions 16Da to 16Fa on the second outer surface 10b side, and the end portions 16Da to 16Fa. Each of the connecting portions 16Db to 16Fb connecting the fourth to sixth inner electrodes 14D to 14F is provided. And the width of each connection part 16Ab-16Fb which is parts other than each edge part 16Aa-16Fa of each extraction conductor 16A-16F becomes wider than the width | variety of each edge part 16Aa-16Fa, as FIG. 4 shows. Is set to

以上のように、第3実施形態に係る積層型バリスタアレイ300では、第1実施形態に係る積層型バリスタアレイ100と同様に、従来よりも積層型バリスタアレイ100の小型化を図りつつ、集積化を図ることが可能となる。   As described above, in the multilayer varistor array 300 according to the third embodiment, as in the multilayer varistor array 100 according to the first embodiment, the multilayer varistor array 100 is integrated while achieving a reduction in size. Can be achieved.

また、第3実施形態に係る積層型バリスタアレイ300では、第2実施形態に係る積層型バリスタアレイ200と同様に、バリスタ特性の劣化を抑制することが可能となる。   Further, in the multilayer varistor array 300 according to the third embodiment, it is possible to suppress the deterioration of the varistor characteristics, similarly to the multilayer varistor array 200 according to the second embodiment.

さらに、第3実施形態に係る積層型バリスタアレイ300では、各引き出し導体16A〜16Fの各接続部16Ab〜16Fbの幅が、各端部16Aa〜16Faの幅よりも広くなるように設定されているから、めっき液のバリスタ素体10内への侵入量を抑制することが可能となる。また、めっき液が各対向領域18A〜18Dに達するまで侵入したとしても、幅が広くなっている各引き出し導体16A〜16Fの各接続部16Ab〜16Fbにおいてめっき液が拡散するから、めっき液のバリスタ素体10内への侵入量が一定である場合には各内部電極14A〜14Fの単位面積あたりのめっき液量が少なくなる。そのため、めっき液の侵入によるバリスタ特性の劣化をより抑制することが可能となる。   Furthermore, in the multilayer varistor array 300 according to the third embodiment, the widths of the connection portions 16Ab to 16Fb of the lead conductors 16A to 16F are set to be wider than the widths of the end portions 16Aa to 16Fa. Therefore, it is possible to suppress the penetration amount of the plating solution into the varistor element body 10. Even if the plating solution penetrates until it reaches each of the opposing regions 18A to 18D, the plating solution diffuses in each of the connection portions 16Ab to 16Fb of the wide lead conductors 16A to 16F. When the amount of penetration into the element body 10 is constant, the amount of plating solution per unit area of each internal electrode 14A to 14F is reduced. Therefore, it is possible to further suppress the deterioration of the varistor characteristics due to the penetration of the plating solution.

以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記した実施形態に限定されるものではない。例えば、第1実施形態に係る積層型バリスタアレイ100では、第1、第2及び第6の内部電極14A,14B,14Fを同一のバリスタ層A3上に形成し、第3、第4及び第5の内部電極14C,14D,14Eを同一のバリスタ層A4上に形成したが、これに限られない。すなわち、図5に示されるように、第1及び第2の内部電極14A,14Bをバリスタ層A2上に形成し、第3の内部電極14Cをバリスタ層A3上に形成し、第4及び第5の内部電極14D,14Eをバリスタ層A4上に形成し、第6の内部電極14Fをバリスタ層A5上に形成してもよい。また、図6に示されるように、第1の内部電極14Aをバリスタ層A2上に形成し、第3の内部電極14Cをバリスタ層A3上に形成し、第2の内部電極14Bをバリスタ層A4上に形成し、第4の内部電極14Dをバリスタ層A5上に形成し、第6の内部電極14Fをバリスタ層A6上に形成し、第5の内部電極14Eをバリスタ層A7上に形成するものであってもよい。   Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the present invention is not limited to the above-described embodiments. For example, in the multilayer varistor array 100 according to the first embodiment, the first, second and sixth internal electrodes 14A, 14B, 14F are formed on the same varistor layer A3, and the third, fourth and fifth The internal electrodes 14C, 14D, and 14E are formed on the same varistor layer A4, but are not limited thereto. That is, as shown in FIG. 5, the first and second internal electrodes 14A and 14B are formed on the varistor layer A2, the third internal electrode 14C is formed on the varistor layer A3, and the fourth and fifth The internal electrodes 14D and 14E may be formed on the varistor layer A4, and the sixth internal electrode 14F may be formed on the varistor layer A5. Further, as shown in FIG. 6, the first internal electrode 14A is formed on the varistor layer A2, the third internal electrode 14C is formed on the varistor layer A3, and the second internal electrode 14B is formed on the varistor layer A4. The fourth internal electrode 14D is formed on the varistor layer A5, the sixth internal electrode 14F is formed on the varistor layer A6, and the fifth internal electrode 14E is formed on the varistor layer A7. It may be.

また、第1実施形態において、第1〜第3の内部電極14A〜14Cが第1〜第3の引き出し導体16A〜16Cによってそれぞれ第1の外表面10a側に引き出されていたが、第2の外表面10b側に引き出されるものであってもよい。さらに、第1実施形態において、第4〜第6の内部電極14D〜14Fが第4〜第6の引き出し導体16D〜16Fによって第2の外表面10b側に引き出されていたが、第1の外表面10a側に引き出されるものであってもよい。   In the first embodiment, the first to third inner electrodes 14A to 14C are drawn to the first outer surface 10a side by the first to third lead conductors 16A to 16C, respectively. It may be drawn to the outer surface 10b side. Further, in the first embodiment, the fourth to sixth inner electrodes 14D to 14F are drawn to the second outer surface 10b side by the fourth to sixth lead conductors 16D to 16F. It may be drawn to the surface 10a side.

また、第1〜第3実施形態ではバリスタ層A1〜A8を積層することでバリスタ素体10を形成していたが、少なくとも対向領域を形成している内部電極の対によって挟まれる層がバリスタ層となっていればよい。   In the first to third embodiments, the varistor element body 10 is formed by laminating the varistor layers A1 to A8. However, a layer sandwiched by at least a pair of internal electrodes forming the opposing region is a varistor layer. It only has to be.

また、第1〜第3実施形態では第3の内部電極14Cがバリスタ層を介して第1及び第2の内部電極14A,14Bとそれぞれ対向する第1及び第2の対向領域18A,18Bを有し、第6の内部電極14Fがバリスタ層を介して第4及び第5の内部電極14D,14Eとそれぞれ対向する第3及び第4の対向領域18C,18Dを有するものであったが、第3及び第6の内部電極14C,14Fが更に他の内部電極と対向することにより3つ以上の対向領域を有するものであってもよい。   In the first to third embodiments, the third internal electrode 14C has the first and second opposing regions 18A and 18B that face the first and second internal electrodes 14A and 14B through the varistor layer, respectively. The sixth internal electrode 14F has third and fourth opposing regions 18C and 18D that face the fourth and fifth internal electrodes 14D and 14E through the varistor layer. In addition, the sixth internal electrodes 14C and 14F may further have three or more opposing regions by opposing the other internal electrodes.

第1実施形態に係る積層型バリスタアレイを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the lamination type varistor array which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る積層型バリスタアレイを構成するバリスタ素体の分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of the varistor element body constituting the multilayer varistor array according to the first embodiment. 第2実施形態に係る積層型バリスタアレイを構成するバリスタ素体の分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of the varistor element body which comprises the laminated varistor array which concerns on 2nd Embodiment. 第3実施形態に係る積層型バリスタアレイを構成するバリスタ素体の分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of the varistor element body which comprises the multilayer varistor array which concerns on 3rd Embodiment. 第1実施形態に係る積層型バリスタアレイの変形例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the modification of the multilayer varistor array which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る積層型バリスタアレイの別の変形例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows another modification of the multilayer varistor array which concerns on 1st Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

10…バリスタ素体、10a…第1の外表面、10b…第2の外表面、12A〜12F…第1〜第6の外部電極、14A〜14F…第1〜第6の内部電極、16A〜16F…第1〜第6の引き出し導体、18A〜18D…第1〜第4の対向領域、100,200,300…積層型バリスタアレイ、A1〜A8…バリスタ層、D1…第1の領域、D2…第2の領域、M…中間位置。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Varistor element | base_body, 10a ... 1st outer surface, 10b ... 2nd outer surface, 12A-12F ... 1st-6th external electrode, 14A-14F ... 1st-6th internal electrode, 16A- 16F ... first to sixth lead conductors, 18A to 18D ... first to fourth opposing regions, 100, 200, 300 ... multilayer varistor array, A1-A8 ... varistor layer, D1 ... first region, D2 ... second region, M ... intermediate position.

Claims (3)

電圧非直線性を発現する複数のバリスタ層を含む機能層が複数積層されて形成された積層体と、
互いに絶縁された状態で前記積層体の外表面にそれぞれ形成された第1〜第6の外部電極と、
前記積層体内に配されると共に前記第1の外部電極と電気的に接続された第1の内部電極と、
前記積層体内に配されると共に前記第2の外部電極と電気的に接続された第2の内部電極と、
前記積層体内に配されると共に前記第3の外部電極と電気的に接続された第3の内部電極と、
前記積層体内に配されると共に前記第4の外部電極と電気的に接続された第4の内部電極と、
前記積層体内に配されると共に前記第5の外部電極と電気的に接続された第5の内部電極と、
前記積層体内に配されると共に前記第6の外部電極と電気的に接続された第6の内部電極とを備え、
前記第1の内部電極と前記第3の内部電極とは、前記バリスタ層を介して互いに対向する第1の対向領域をそれぞれ有し、
前記第2の内部電極と前記第3の内部電極とは、前記バリスタ層を介して互いに対向する第2の対向領域をそれぞれ有し、
前記第4の内部電極と前記第6の内部電極とは、前記バリスタ層を介して互いに対向する第3の対向領域をそれぞれ有し、
前記第5の内部電極と前記第6の内部電極とは、前記バリスタ層を介して互いに対向する第4の対向領域をそれぞれ有し、
前記第1及び第2の内部電極が、前記複数のバリスタ層のうち一のバリスタ層に共に形成されており、
前記第4及び第5の内部電極が、前記複数のバリスタ層のうち前記一のバリスタ層とは異なる他のバリスタ層に共に形成されており、
前記第3の内部電極が、前記他のバリスタ層に更に形成されており、
前記第6の内部電極が、前記一のバリスタ層に更に形成されていることを特徴とする積層型バリスタアレイ。
A laminated body formed by laminating a plurality of functional layers including a plurality of varistor layers expressing voltage nonlinearity;
First to sixth external electrodes respectively formed on the outer surface of the laminate in a state of being insulated from each other;
A first internal electrode disposed in the laminate and electrically connected to the first external electrode;
A second internal electrode disposed in the laminate and electrically connected to the second external electrode;
A third internal electrode disposed in the laminate and electrically connected to the third external electrode;
A fourth internal electrode disposed in the laminate and electrically connected to the fourth external electrode;
A fifth internal electrode disposed in the laminate and electrically connected to the fifth external electrode;
A sixth internal electrode disposed in the laminate and electrically connected to the sixth external electrode;
The first internal electrode and the third internal electrode each have a first opposing region facing each other through the varistor layer,
The second internal electrode and the third internal electrode each have a second opposing region facing each other through the varistor layer,
The fourth internal electrode and the sixth internal electrode each have a third opposing region facing each other through the varistor layer,
The fifth internal electrode and the sixth internal electrode each have a fourth opposing region facing each other through the varistor layer,
The first and second internal electrodes are formed together in one varistor layer of the plurality of varistor layers;
The fourth and fifth internal electrodes are formed together in another varistor layer different from the one varistor layer among the plurality of varistor layers;
The third internal electrode is further formed on the other varistor layer;
The multilayer varistor array, wherein the sixth internal electrode is further formed on the one varistor layer.
電圧非直線性を発現するバリスタ層を少なくとも一層含む機能層が複数積層されて形成されており、前記機能層の積層方向に沿う方向に拡がると共に互いに対向する第1及び第2の外表面を有する積層体と、
互いに絶縁された状態で前記第1の外表面にそれぞれ形成された第1〜第3の外部電極と、
互いに絶縁された状態で前記第2の外表面にそれぞれ形成された第4〜第6の外部電極と、
前記積層体内に配されると共に前記第1の外部電極と電気的に接続された第1の内部電極と、
前記積層体内に配されると共に前記第2の外部電極と電気的に接続された第2の内部電極と、
前記積層体内に配されると共に前記第3の外部電極と電気的に接続された第3の内部電極と、
前記積層体内に配されると共に前記第4の外部電極と電気的に接続された第4の内部電極と、
前記積層体内に配されると共に前記第5の外部電極と電気的に接続された第5の内部電極と、
前記積層体内に配されると共に前記第6の外部電極と電気的に接続された第6の内部電極とを備え、
前記第1の内部電極と前記第3の内部電極とは、前記バリスタ層を介して互いに対向する第1の対向領域をそれぞれ有し、
前記第2の内部電極と前記第3の内部電極とは、前記バリスタ層を介して互いに対向する第2の対向領域をそれぞれ有し、
前記第4の内部電極と前記第6の内部電極とは、前記バリスタ層を介して互いに対向する第3の対向領域をそれぞれ有し、
前記第5の内部電極と前記第6の内部電極とは、前記バリスタ層を介して互いに対向する第4の対向領域をそれぞれ有し、
前記第1及び第2の対向領域は、前記機能層の積層方向から見たときに前記第1の外表面と前記第2の外表面との間の中間位置と前記第の外表面との間の領域に共に位置し、
前記第3及び第4の対向領域は、前記機能層の積層方向から見たときに前記中間位置と前記第の外表面との間の領域に共に位置していることを特徴とする積層型バリスタアレイ。
A plurality of functional layers including at least one varistor layer that exhibits voltage non-linearity are stacked, and have first and second outer surfaces that extend in a direction along the stacking direction of the functional layers and face each other. A laminate,
First to third external electrodes respectively formed on the first outer surface in a state of being insulated from each other;
Fourth to sixth external electrodes respectively formed on the second outer surface in a state of being insulated from each other;
A first internal electrode disposed in the laminate and electrically connected to the first external electrode;
A second internal electrode disposed in the laminate and electrically connected to the second external electrode;
A third internal electrode disposed in the laminate and electrically connected to the third external electrode;
A fourth internal electrode disposed in the laminate and electrically connected to the fourth external electrode;
A fifth internal electrode disposed in the laminate and electrically connected to the fifth external electrode;
A sixth internal electrode disposed in the laminate and electrically connected to the sixth external electrode;
The first internal electrode and the third internal electrode each have a first opposing region facing each other through the varistor layer,
The second internal electrode and the third internal electrode each have a second opposing region facing each other through the varistor layer,
The fourth internal electrode and the sixth internal electrode each have a third facing region facing each other through the varistor layer,
The fifth internal electrode and the sixth internal electrode each have a fourth opposing region facing each other through the varistor layer,
Said first and second opposing region, the intermediate position and the first outer surface between said between said first outer surface when viewed from the laminating direction of the functional layer second outer surface Located in the area between,
The stacked type, wherein the third and fourth opposing regions are located together in a region between the intermediate position and the second outer surface when viewed from the stacking direction of the functional layers. Varistor array.
前記積層体は、複数のバリスタ層を含む機能層が複数積層されて形成され、
前記第1及び第2の内部電極が、前記複数のバリスタ層のうち一のバリスタ層に共に形成されており、
前記第4及び第5の内部電極が、前記複数のバリスタ層のうち前記一のバリスタ層とは異なる他のバリスタ層に共に形成されていることを特徴とする請求項2に記載された積層型バリスタアレイ。
The laminate is formed by laminating a plurality of functional layers including a plurality of varistor layers,
The first and second internal electrodes are formed together in one varistor layer of the plurality of varistor layers;
3. The stacked type according to claim 2, wherein the fourth and fifth internal electrodes are formed together in another varistor layer different from the one varistor layer among the plurality of varistor layers. Varistor array.
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