JP4501173B2

JP4501173B2 - Semiconductor film manufacturing method and semiconductor element manufacturing method

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Publication number: JP4501173B2
Application number: JP13495499A
Authority: JP
Inventors: 春子桝屋
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1999-05-14
Filing date: 1999-05-14
Publication date: 2010-07-14
Anticipated expiration: 2019-05-14
Also published as: JP2000323407A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光または電子波に対する反射率または吸収率の異なる複数の領域を有する下地部に形成された半導体膜の製造方法、およびそれを備えた半導体素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、表示装置について高精細および高画質な表示が求められている。液晶表示装置では、その要求に応えるために、液晶駆動用のスイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）を利用したアクティブマトリクス方式の液晶表示装置（ＡＭＬＣＤ：Active Matrix Liquid Crystal Display）が用いられている。
【０００３】
このＡＭＬＣＤに用いられるＴＦＴには、能動層であるチャネル領域に非晶質（アモルファス）シリコンを用いるものと、多結晶シリコンを用いるものとがある。このうち、多結晶シリコンを用いたＴＦＴは、非晶質シリコンを用いたものに比べてオン抵抗が低く、応答性や駆動能力に優れており、高精細および高画質な表示を実現するものとして期待されている。また、この多結晶シリコンを用いたＴＦＴは、液晶駆動用のスイッチング素子としてだけではなく、大型液晶表示装置用の液晶駆動用素子としても、更には、駆動回路の論理回路を構成するスイッチング素子としても利用が期待されている。
【０００４】
ところで、この多結晶シリコンを用いたＴＦＴは、例えば、非晶質シリコン膜にエネルギービームを照射して溶融多結晶化する技術を用いることにより、低温で形成することができる。例えば、図１２に示したようにガラス基板１１１の一面にゲート電極１１３を介してチャネル領域１１６ａが形成されるボトムゲート構造のＴＦＴでは、例えば、ガラス基板１１１の一面にゲート電極１１３，絶縁膜１１５および非晶質シリコン膜を積層して形成したのち、この非晶質シリコン膜にエキシマレーザビームを照射して結晶化し、チャネル領域１１６ａ，ソース領域１１６ｂおよびドレイン領域１１６ｃを構成する多結晶シリコン膜１１６を形成していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このようなボトムゲート構造のＴＦＴでは、多結晶シリコン膜１１６のうち、ゲート電極１１３に対応する領域の結晶粒径が他の領域に比べて大きくなったり、あるいは小さくなったり、極端な場合には融解して消失してしまったり、あるいは結晶化が不十分であったりして、均一な多結晶シリコン膜１１６を得ることができなかった。なお、これは、非晶質シリコン膜とガラス基板１１１との間に、ガラス基板１１１に比べてレーザ反射率の高い、あるいはレーザ吸収率の高いゲート電極１１３が形成されていることが原因しているものと考えられる。
【０００６】
例えば、図１３（Ａ）に示したように、ゲート電極１１３をガラス基板１１１よりも高いレーザ反射率を有するモリブデン（Ｍｏ）あるいはタングステン（Ｗ）などの材料により構成する場合には、非晶質シリコン膜１２３のうちゲート電極１１３に対応する領域では、非晶質シリコン膜１２３の側から照射されたエキシマレーザビームＥが非晶質シリコン膜１２３を通過したのちゲート電極１１３によって反射され、再度非晶質シリコン膜１２３を照射することとなる。すなわち、ゲート電極１１３に対応する領域では、エキシマレーザビームＥが１回照射される他の領域に比べてより多く熱処理されてしまう。
【０００７】
これにより、図１３（Ｂ）に示したように、ゲート電極１１３に対応する領域以外の領域において良好な多結晶シリコン膜１１６が得られる条件でエキシマレーザビームＥを照射すると、ゲート電極１１３に対応する領域１１６ｄにおいては、エネルギーの過剰により大結晶粒化したり、かえって結晶粒径が小さくなったり、またははじけてしまったりするものと考えられる。逆に、ゲート電極１１３に対応する領域において良好な多結晶シリコン膜が得られる条件でエキシマレーザビームＥを照射すると、他の領域においては、エネルギーの不足により微結晶となったり、または結晶化しなかったりするものと考えられる。
【０００８】
また、図１４（Ａ）に示したように、ゲート電極１１３をガラス基板１１１よりも高いレーザ吸収率を有するタンタル（Ｔａ）あるいはクロム（Ｃｒ）などの材料により構成する場合には、非晶質シリコン膜１２３のうちゲート電極１１３に対応する領域では、非晶質シリコン膜１２３の側から照射されたエキシマレーザビームＥが非晶質シリコン膜１２３を通過したのちゲート電極１１３により吸収されてしまい、他の領域に比べて反射が少ない。更に、ゲート電極１１３ではエキシマレーザビームＥを吸収することにより熱が発生するが、ゲート電極１１３はガラス基板１１１よりも熱伝導率の高い材料により構成されているので、発生した熱はゲート電極１１３に接続されている図示しない配線を介して放散されてしまう。よって、ゲート電極１１３に対応する領域は、他の領域に比べて熱処理量が少なくなってしまう。
【０００９】
これにより、図１４（Ｂ）に示したように、ゲート電極１１３に対応する領域以外の領域において良好な多結晶シリコン膜１１６が得られる条件でエキシマレーザビームＥを照射すると、ゲート電極１１３に対応する領域１１６ｄにおいては、エネルギーの不足により微結晶となったり、または結晶化しなかったりするものと考えられる。逆に、ゲート電極１１３に対応する領域において良好な多結晶シリコン膜が得られる条件でエキシマレーザビームＥを照射すると、他の領域においては、エネルギーの過剰により大結晶粒化したり、かえって結晶粒径が小さくなったり、またははじけてしまったりするものと考えられる。
【００１０】
すなわち、ゲート電極１１３に対応する領域と他の領域とで均一な多結晶シリコン膜を得ることができず、結晶粒径に依存するオン電流およびシート抵抗にばらつきが生じてしまい、ＴＦＴの特性がばらついてしまっていた。そのため、このＴＦＴを液晶表示装置の画素部に用いた場合、表示にむらが発生してしまい、液晶表示装置の品質に悪影響を与える原因となってしまっていた。
【００１１】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、高い均一性を有する半導体膜の製造方法およびそれを備えた半導体素子の製造方法を提供することにある。
【００１８】
本発明による半導体膜の製造方法は、基板の上にゲート電極を形成し、ゲート電極の上に反射調節膜を形成し、反射調節膜の上に絶縁膜を形成し、絶縁膜の上に半導体膜を形成し、その後、半導体膜の側からレーザビームを照射してその半導体膜を多結晶化し、反射調節膜がゲート電極で反射されるレーザビームの反射光を低減させてゲート電極に対応する領域と他の領域とで半導体膜に反射されるレーザビームの反射量を同等にするようにしたものである。また、本発明による他の半導体膜の製造方法は、ガラス基板の上に反射調節膜を形成し、反射調節膜と反対側におけるガラス基板の上にゲート電極を形成し、ゲート電極の上に絶縁膜を形成し、絶縁膜の上に半導体膜を形成し、その後、半導体膜の側からレーザビームを照射してその半導体膜を多結晶化し、レーザビームに対する反射率がガラス基板および絶縁膜よりも反射調節膜で高く、その反射調節膜がゲート電極に対応する領域と他の領域とで半導体膜に反射されるレーザビームの反射量を同等にするようにしたものである。
【００２１】
本発明による半導体素子の製造方法は、基板の上にゲート電極を形成し、ゲート電極の上に反射調節膜を形成し、反射調節膜の上に絶縁膜を形成し、絶縁膜の上に半導体膜を形成し、その後、半導体膜の側からレーザビームを照射してその半導体膜を多結晶化し、反射調節膜がゲート電極で反射されるレーザビームの反射光を低減させてゲート電極に対応する領域と他の領域とで半導体膜に反射されるレーザビームの反射量を同等にするようにしたものである。また、本発明による他の半導体素子の製造方法は、ガラス基板の上に反射調節膜を形成し、反射調節膜と反対側におけるガラス基板の上にゲート電極を形成し、ゲート電極の上に絶縁膜を形成し、絶縁膜の上に半導体膜を形成し、その後、半導体膜の側からレーザビームを照射してその半導体膜を多結晶化し、レーザビームに対する反射率がガラス基板および絶縁膜よりも反射調節膜で高く、その反射調節膜がゲート電極に対応する領域と他の領域とで半導体膜に反射されるレーザビームの反射量を同等にするようにしたものである。
【００２９】
本発明による半導体膜の製造方法では、レーザビームを照射して半導体膜を多結晶化する際に、ゲート電極に対応する領域と他の領域とで半導体膜に反射されるレーザビームの反射量が同等になる。
【００３２】
本発明による半導体素子の製造方法は、本発明の半導体膜の製造方法を含むものである。
【００３４】
【発明の実施の形態】
以下、本実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、本発明の半導体膜およびその製造方法は、本発明の半導体素子およびその製造方法に含まれているので、以下の実施の形態においては、半導体素子およびその製造方法の説明において合わせて説明する。また、本発明のエネルギービーム照射装置は、本発明の半導体膜の製造および本発明の半導体素子の製造に用いるものであるので、本発明の半導体素子の製造方法において合わせて説明する。
【００３５】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体素子であるＴＦＴの構成を表すものである。このＴＦＴは、ガラス基板１１の一面に、バッファ層１２を介してゲート電極１３および反射調節膜１４が順次積層されると共に、この反射調節膜１４およびバッファ層１２のガラス基板１１と反対側に、絶縁膜１５および半導体膜１６が順次積層された構造を有している。
【００３６】
バッファ層１２は、例えば、厚さが１μｍであり、二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂），窒化ケイ素（Ｓｉ₃Ｎ₄）あるいはケイ素と酸素と窒素との化合物（ＳｉＯ_xＮ_y；以下、酸化窒化ケイ素と言う）、またはそれらの複数を用いた積層膜により構成されている。
【００３７】
ゲート電極１３は、例えば、厚さが１００ｎｍであり、後述する製造方法において照射されるレーザビームに対する反射率がガラス基板１１および絶縁膜１２に比べて高い導電性材料により構成されている。例えば、モリブデン，アルミニウム（Ａｌ），チタン（Ｔｉ）およびタングステンなどからなる群のうちの１種、またはこれらの少なくとも１種を含む合金あるいは化合物により構成されている。なお、このゲート電極１３は、図示しないが、基板１１の一面にバッファ層１２を介して形成された配線に接続されている。
【００３８】
反射調節膜１４は、例えば、後述する製造方法において半導体膜１６の側からレーザビームが照射された場合に、反射調節膜１４と絶縁膜１５との界面において反射する光と、反射調節膜１４とゲート電極１３との界面において反射する光との干渉を利用して、ゲート電極１３に対応する領域での反射光を低減させる干渉膜である。この干渉膜は、例えば、窒化チタン（ＴｉＮ），ケイ素と酸素との化合物（ＳｉＯ_x），ケイ素と窒素との化合物（ＳｉＮ_x）あるいは水素（Ｈ）が添加された酸化窒化ケイ素などにより構成される。また、それらの複数を用いた積層膜とされていてもよい。干渉膜の厚さは、例えば、構成材料および照射されるレーザビームの波長に応じて、ゲート電極１３に対応する領域での反射光が低減するように調節される。具体的には、５ｎｍから１００ｎｍの範囲内において選択される。
【００３９】
絶縁膜１５は、例えば、厚さが１００ｎｍであり、二酸化ケイ素，窒化ケイ素あるいは酸化窒化ケイ素、またはそれらの複数を用いた積層膜により構成されている。なお、この絶縁膜１５がいわゆるゲート絶縁膜となる。
【００４０】
半導体膜１６は、例えば、厚さが３０ｎｍであり、多結晶のシリコン（Ｓｉ）により構成されている。また、この半導体膜１６は、ゲート電極１３に対応した領域に電流の通路であるチャネル領域１６ａを有すると共に、このチャネル領域１６ａに互いに離間して接続されたソース領域１６ｂとドレイン領域１６ｃとをそれぞれ有している。これらソース領域１６ｂおよびドレイン領域１６ｃは、例えば、リン（Ｐ）などのｎ型不純物、またはボロン（Ｂ）などのｐ型不純物が添加さた不純物領域となっている。
【００４１】
すなわち、この半導体素子では、ガラス基板１１，絶縁膜１２，ゲート電極１３，反射調節膜１４および絶縁膜１５により下地部が構成され、そのうちゲート電極１３が高い反射率を有する高反射領域に該当し、ガラス基板１１および絶縁膜１２，１５が低い反射率を有する低反射領域に該当している。また、反射調節膜１４はゲート電極１３に対応して設けられ、半導体膜１６は反射調節膜１４を間に介して高反射領域であるゲート電極１３と反対側の下地部の表面に形成されている。
【００４２】
なお、この半導体膜１６のガラス基板１１と反対側には、例えば、ゲート電極１３に対応して二酸化ケイ素よりなる絶縁膜１７が設けられており、この絶縁膜１７を介して全面に窒化ケイ素よりなる保護膜１８が設けられている。半導体膜１６のガラス基板１１と反対側には、また、ソース領域１６ｂに対応して保護膜１８に形成された開口１８ａを介してソース電極１９ａが設けられ、ドレイン領域１６ｃに対応して保護膜１８に形成された開口１８ｂを介してドレイン電極１９ｂが設けられている。ソース電極１９ａおよびドレイン電極１９ｂは、例えば、アルミニウムなどの金属により構成されている。
【００４３】
このような構成を有するＴＦＴは、次のようにして製造することができる。
【００４４】
図２乃至図４はその製造方法を工程順に表すものである。まず、例えば、図２（Ａ）に示したように、ガラス基板１１の一面に、スパッタリング法によりバッファ層１２を形成する。次いで、このバッファ層１２の上に、例えば、スパッタリング法により、ゲート電極１３を形成するための電極層２１を後続の工程で照射するレーザビームに対してガラス基板１１およびバッファ層１２よりも高い反射率を有する導電性材料を用いて形成する。続いて、この電極層２１の上に、例えば、スパッタリング法により、反射調節膜１４を形成するための反射調節膜層２２を反射調節膜１４の説明において述べた材料および厚さで形成する。
【００４５】
反射調節膜層２２を形成したのち、例えば、図２（Ｂ）に示したように、リソグラフィ技術を用い、ゲート電極１３の形成予定領域に対応させて反射調節膜層２２および電極層２１を選択的に除去し、ゲート電極２３および反射調節膜１４をそれぞれ形成する。
【００４６】
ゲート電極２３および反射調節膜１４をそれぞれ形成したのち、例えば、図３（Ａ）に示したように、反射調節膜１４および絶縁膜１２の上に、スパッタリング法により絶縁膜１５を形成する。そののち、例えば、この絶縁膜１５の上に、スパッタリング法により、半導体膜１６を形成するための非晶質シリコンよりなる半導体前駆体膜２３を半導体膜１６の説明において述べた厚さで形成する。
【００４７】
半導体前駆体膜２３を形成したのち、例えば、図３（Ｂ）に示したように、半導体前駆体膜２３における吸収率の高い波長のレーザビームＥを半導体前駆体膜２３の側から照射する。具体的には、エキシマレーザビームを用い、その波長にはＸｅＣｌの３０８ｎｍ，ＫｒＦの２４８ｎｍあるいはＡｒＦの１９３ｎｍなどを用いる。これにより、半導体前駆体膜２３が加熱され、溶融結晶化し、多結晶シリコンよりなる半導体膜１６が形成される。
【００４８】
なお、ここでは、ゲート電極１３と半導体前駆体膜２３との間に反射調節膜１４が形成されているので、半導体前駆体膜２３のうち高反射領域であるゲート電極１３に対応する領域では、半導体前駆体膜２３の側から照射されたレーザビームＥが、半導体前駆体膜２３を通過したのち、反射調節膜１４と絶縁膜１５との界面および反射調節膜１４とゲート電極１３との界面においてそれぞれ反射し、干渉により反射光が弱められる。また、半導体前駆体膜２３のうちゲート電極１３と対応しない領域では、レーザビームＥが半導体前駆体膜２３を通過したのちほとんど絶縁膜１２およびガラス基板１１を透過してしまい、反射光は少ない。すなわち、ゲート電極１３に対応する領域と他の領域との反射率の違いが反射調節膜１４により調節され、半導体前駆体膜２３に与えられるエネルギー量が均一となっている。よって、ここでは、均一な多結晶よりなる半導体膜１６が形成される。
【００４９】
半導体膜１６を形成したのち、例えば、図４に示したように、半導体膜１６の上に、スパッタリング法により二酸化ケイ素膜を形成したのち、その上にフォトレジスト膜２４を塗布形成し、このフォトレジスト膜２４に対してガラス基板１１の側からｇ線（波長４３６ｎｍ）による露光（裏面露光）を行う。このとき、ゲート電極１３がマスクとなり、ゲート電極１３と同じ幅のフォトレジスト膜２４が自己整合的に形成される。次いで、このフォトレジスト膜２４をマスクとしてエッチングにより二酸化ケイ素膜を選択的に除去し、ゲート電極１３に対応させて絶縁膜１７を形成する。
【００５０】
そののち、例えば、フォトレジスト膜２４をマスクとして、ＰＨ₃（ホスフィン）あるいはジボラン（Ｂ₂Ｈ₆）などのプラズマを用いたプラズマドーピングＤにより、またはイオンドーピングＤにより不純物を半導体膜１６に選択的に導入する。これにより、ソース領域１６ｂおよびドレイン領域１６ｃがそれぞれ形成されると共に、それらの間にチャネル領域１６ａが形成される。
【００５１】
半導体膜１６に不純物を導入したのち、例えば、フォトレジスト膜２４を除去し、半導体膜１６および絶縁膜１７の上に保護膜１８を形成する。そののち、ソース領域１６ｂおよびドレイン領域１６ｃにそれぞれ対応させて、保護膜１８に開口１８ａ，１８ｂをそれぞれ形成すると共に、ソース電極１９ａおよびドレイン電極１９ｂをそれぞれ選択的に形成する。これにより、図１に示したＴＦＴが形成される。
【００５２】
なお、ここでは、半導体前駆体膜２３にレーザビームＥを照射して半導体膜１６を形成したのち、二酸化ケイ素膜を形成して絶縁膜１７を形成し、不純物の導入を行うようにしたが、半導体前駆体膜２３の上に二酸化ケイ素膜を形成してから二酸化ケイ素膜を介してレーザビームＥを照射して半導体膜１６を形成するようにしてもよく、不純物の導入を行ってからレーザビームＥを照射して半導体膜１６を形成するようにしてもよい。また、保護膜１８を形成してからレーザビームＥを照射して半導体膜１６を形成するようにしてもよい。
【００５３】
このＴＦＴは次のように動作し、作用する。
【００５４】
このＴＦＴでは、ゲート電極１３に電圧が印加されると、チャネル領域１６ａを流れる電流が変調される。ここでは、ゲート電極１３と半導体膜１６との間に干渉膜よりなる反射調節膜１４が設けられているので、レーザビームＥを照射して半導体膜１６を形成する際のエネルギー量がチャネル領域１６ａ，ソース領域１６ｂおよびドレイン領域１６ｃで均一となり、均一で良好な半導体膜１６が形成されている。よって、オン電流およびシート抵抗のばらつきが低減され、良好な特性が得られる。
【００５５】
このように、本実施の形態によれば、ゲート電極１３と半導体膜１６との間に干渉膜よりなる反射調節膜１４を設けるようにしたので、レーザビームＥを照射して半導体膜１６を形成する際に、ゲート電極１３に対応する領域におけるレーザビームＥの反射量を干渉の利用により少なくすることができる。よって、半導体膜１６に与えられるエネルギー量をチャネル領域１６ａ，ソース領域１６ｂおよびドレイン領域１６ｃで均一とすることができ、均一で良好な半導体膜１６を形成することができる。従って、オン電流およびシート抵抗のばらつきが低減され、良好な特性を得ることができる。
【００５６】
（第２の実施の形態）
本実施の形態に係るＴＦＴは、反射調節膜１４の構成が異なることを除き、第１の実施の形態と同一の構成を有している。よって、ここでは、図１乃至図４を参照しつつ、対応する構成要素には同一の符号を付し、同一部分についての詳細な説明を省略する。
【００５７】
本実施の形態における反射調節膜１４は、例えば、製造工程において照射されるレーザビームＥに対する吸収率がゲート電極１３よりも高い材料よりなる吸収膜であり、レーザビームＥを吸収することにより高反射領域であるゲート電極１３に対応する領域における反射光を低減させ、ゲート電極１３に対応する領域と他の領域との反射量を同等とするようになっている。この吸収膜は、例えば、クロム，鉄（Ｆｅ），コバルト（Ｃｏ）およびタンタルなどからなる群のうちの１種、またはこれらの少なくとも１種を含む合金あるいは化合物により構成されている。この吸収膜の厚さは、ゲート電極１３に対応する領域と他の領域との反射量が同じくなるような厚さに調節される。
【００５８】
このような構成を有するＴＦＴは、例えば、半導体膜１６を形成する際に、半導体前駆体膜２３の側から照射されたレーザビームＥが半導体前駆体膜２３を通過したのち反射調節膜１４により一部が吸収され、高反射領域であるゲート電極１３に対応する領域における反射率が調節されることを除き、第１の実施の形態と同様にして製造することができる。また、第１の実施の形態と同様に作用し、同様の効果を得ることができる。
【００５９】
（第３の実施の形態）
本実施の形態に係るＴＦＴは、ゲート電極１３を構成する材料が異なり、かつ反射調節膜１４の構成が異なることを除き、第１の実施の形態と同一の構成を有している。よって、ここでは、図１乃至図４を参照しつつ、対応する構成要素には同一の符号を付し、同一部分についての詳細な説明を省略する。
【００６０】
本実施の形態におけるゲート電極１３は、例えば、製造方法において照射されるレーザビームＥに対する吸収率がガラス基板１１および絶縁膜１２に比べて高い導電性材料により構成されている。例えば、クロム，鉄，コバルトおよびタンタルなどからなる群のうちの１種、またはこれらの少なくとも１種を含む合金あるいは化合物により構成されている。すなわち、ここでは、ゲート電極１３が吸収率の高い高吸収領域に該当し、他の領域が低吸収領域に該当している。
【００６１】
反射調節膜１４は、例えば、製造工程において照射されるレーザビームＥに対する反射率がゲート電極１３よりも高い材料よりなる反射膜であり、レーザビームＥを反射することにより高吸収領域であるゲート電極１３に対応する領域における反射光を増加させ、ゲート電極１３に対応する領域と他の領域との反射量を同等とするようになっている。この反射膜は、例えば、モリブデン，アルミニウム，チタンおよびタングステンなどからなる群のうちの１種、またはこれらの少なくとも１種を含む合金あるいは化合物により構成されている。この反射膜の厚さは、高吸収領域であるゲート電極１３に対応する領域と他の領域との反射量が同じくなるような厚さに調節される。例えば、ここでは、ガラス基板１１および絶縁膜１２における反射量が少ないので、反射膜の厚さをレーザビームＥの波長の１／２以下とし、反射膜での反射量は少なくすることが好ましい。
【００６２】
このような構成を有するＴＦＴは、例えば、半導体膜１６を形成する際に、半導体前駆体膜２３の側から照射されたレーザビームＥが半導体前駆体膜２３を通過したのち反射調節膜１４により一部が反射され、高吸収領域であるゲート電極１３に対応する領域における反射率が調節されることを除き、第１の実施の形態と同様にして製造することができる。また、第１の実施の形態と同様に作用し、同様の効果を得ることができる。
【００６３】
（第４の実施の形態）
図５は、本発明の第４の実施の形態に係るＴＦＴの構成を表すものである。このＴＦＴは、第１の実施の形態における反射調節膜１４に代えて、他の反射調節膜３４が設けられたことを除き、第１の実施の形態と同一の構成を有している。よって、ここでは、同一の構成要素には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００６４】
反射調節膜３４は、ガラス基板１１の半導体膜１６と反対側に設けられており、製造工程において照射されるレーザビームＥに対する反射率がガラス基板１１および絶縁膜１２に比べて高い材料により構成されている。すなわち、この反射調節膜３４は、ガラス基板１１および絶縁膜１２，１５を通過してきたレーザビームＥを反射することにより、高反射領域であるゲート電極１３が形成されていない部分に対応する領域の反射光を増加させ、ゲート電極１３に対応する領域における反射量を同等とするためのものである。よって、この反射調節膜３４は、ゲート電極１３と同等の反射率を有する材料により構成することが好ましい。ここでは、例えば、白金（Ｐｔ）または銀（Ａｇ）により構成されている。また、この反射調節膜３４は、少なくとも低反射領域に対応して設けられていればよい。なお、ここではガラス基板１１の半導体膜１６と反対側の全面に対して設けられている。
【００６５】
このような構成を有するＴＦＴは、例えば、次のようにして製造することができる。
【００６６】
図６および図７はその製造方法を工程順に表すものである。まず、例えば、図６（Ａ）に示したように、ガラス基板１１の一面と対向する他面に、反射調節膜３４を蒸着する。次いで、例えば、図６（Ｂ）に示したように、ガラス基板１１の一面に、第１の実施の形態と同様にして、バッファ層１２，ゲート電極１３，絶縁膜１５および半導体前駆体膜２３を順次積層して形成する。
【００６７】
続いて、例えば、図７に示したように、第１の実施の形態と同様にして、半導体前駆体膜２３の側からレーザビームＥを照射し、半導体膜１６を形成する。なお、ここでは、ガラス基板１１の半導体前駆体膜２３と反対側に反射調節膜３４が形成されているので、高反射領域であるゲート電極１３が形成されていない部分に対応する領域では、半導体前駆体膜２３の側から照射されたレーザビームＥが、半導体前駆体膜２３，絶縁膜１２，１５およびガラス基板１１を通過したのち、反射調節膜３４により反射され、再び半導体前駆体膜２３に照射される。また、ゲート電極１３に対応する領域においても、半導体前駆体膜２３の側から照射されたレーザビームＥが、半導体前駆体膜２３を通過したのち、ゲート電極１３により反射され、再び半導体前駆体膜２３に照射される。
【００６８】
よって、反射調節膜３４により高反射領域であるゲート電極１３に対応する領域と他の領域との反射率の違いが調節され、半導体前駆体膜２３に与えられるエネルギー量が均一となっている。また、半導体前駆体膜２３にはレーザビームＥの直接の照射光と反射光とがそれぞれ照射されることになるので、照射するレーザビームＥのエネルギー量（レーザ強度×照射時間）は第１の実施の形態の約１／２で足りることになる。
【００６９】
半導体膜１６を形成したのち、例えば、第１の実施の形態と同様にして、絶縁膜１７，チャネル領域１６ａ，ソース領域１６ｂ，ドレイン領域１６ｃ，保護膜１８，ソース電極１９ａおよびドレイン電極１９ｂをそれぞれ形成する。これにより、図５に示したＴＦＴが形成される。なお、そののち、反射防止膜３４を必要に応じて削除してもよい。
【００７０】
また、このＴＦＴは、反射調節膜３４により絶縁膜１２のうちゲート電極１３が形成されていない部分に対応する低反射領域の反射率が調節されることを除き、第１の実施の形態と同様に作用する。
【００７１】
このように、本実施の形態によれば、ガラス基板１１の半導体膜１６と反対側に反射膜よりなる反射調節膜３４を設けるようにしたので、高反射領域であるゲート電極１３が形成されていない部分に対応する領域の反射量を増加させることができ、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。また、レーザビームＥの直接の照射光と反射光とを利用することができるので、照射するレーザビームＥのエネルギー量を少なくすることができる。更に、反射調節膜３４をガラス基板１１の他面に設けるだけでよいので、第１の実施の形態に比べて簡単に製造することができる。
【００７２】
（第５の実施の形態）
図８は、本発明の第５の実施の形態に係るＴＦＴの構成を表すものである。このＴＦＴは、第１の実施の形態における反射調節膜１４が削除され、半導体膜１６の構成が異なることを除き、第１の実施の形態と同一の構成を有している。よって、ここでは、対応する構成要素には同一の符号を付し、同一部分についての詳細な説明を省略する。
【００７３】
この半導体膜１６は、レーザビームがガラス基板１１の側とその反対側との対向する２方向から照射されることにより形成されたものであることを除き、第１の実施の形態と同一の構成を有している。
【００７４】
このような構成を有するＴＦＴは、例えば、次のようにして製造することができる。
【００７５】
図９は、このＴＦＴの製造に用いるエネルギービーム照射装置の構成を表すものである。このエネルギービーム照射装置は、２つのレーザ発振器４１，４２と、このレーザ発振器４１，４２からそれぞれ発振されたレーザビームを被処理体Ｍに対して照射する処理部５０とを備えている。この処理部５０の内部には、被処理体Ｍを支持すると共に、被処理体Ｍを移動させて処理部５０への挿入および取り出しを行う支持部５１が設けられている。また、処理部５０の外部には、処理部５０の内部に挿入する被処理体Ｍおよび処理部５０の内部から取り出した被処理体Ｍを搬送する搬送ローラ５２が設けられている。
【００７６】
更に、この処理部５０には、レーザ発振器４１，４２からそれぞれ発振されたレーザビームを被処理体Ｍに照射する照射部５３，５４が対向する位置に配設されている。なお、レーザ発振器４１，４２からそれぞれ発振されたレーザビームは、反射板４３，４４などの光学経路を介して照射部５３，５４に導かれるようになっている。
【００７７】
本実施例では、まず、例えば、図１０に示したように、第１の実施の形態と同様にして、ガラス基板１１の一面にバッファ層１２，ゲート電極１３，絶縁膜１５および半導体前駆体膜２３を順次積層して形成する。次いで、例えば、図９に示したエネルギービーム照射装置を用い、図１１に示したように、半導体前駆体膜２３の側およびガラス基板１１の側の対向する２方向からレーザビームＥを同時に照射して半導体膜１６を形成する。
【００７８】
ここにおいて、半導体前駆体膜２３の側から照射されたレーザビームＥ₁は、高反射領域であるゲート電極１３に対応する領域では、半導体前駆体膜２３を通過したのちゲート電極１３により反射され、再び半導体前駆体膜２３に照射される。また、ゲート電極１３が形成されていない部分に対応する領域では、半導体前駆体膜２３を通過したのちほとんどが絶縁膜１２およびガラス基板１１を通過する。一方、ガラス基板１１の側から照射されたレーザビームＥ₂は、ゲート電極１３に対応する領域では、ガラス基板１１を通過したのちゲート電極１３により反射され、半導体前駆体膜２３には照射されない。また、他の領域では、ガラス基板１１および絶縁膜１２を通過したのち、半導体前駆体膜２３に照射される。すなわち、半導体前駆体膜２３に与えられるエネルギー量が均一となっている。
【００７９】
なお、ここでは、半導体前駆体膜２３の側から照射されるレーザビームＥ₁は、ゲート電極１３において反射して再び半導体前駆体膜２３に照射されるので、そのエネルギー量は第１の実施の形態の約１／２で足りることになる。また、ガラス基板１１の側から照射するレーザビームＥ₂のエネルギー量は、ガラス基板１１における散乱を考慮し、半導体前駆体膜２３の側から照射するレーザビームＥ₁よりも若干強くする方が好ましい。
【００８０】
続いて、例えば、第１の実施の形態と同様にして、絶縁膜１７，チャネル領域１６ａ，ソース領域１６ｂ，ドレイン領域１６ｃ，保護膜１８，ソース電極１９ａおよびドレイン電極１９ｂをそれぞれ形成する。これにより、図５に示したＴＦＴが形成される。
【００８１】
なお、ここでは、図９に示したエネルギービーム照射装置を用いてレーザビームＥ₁，Ｅ₂を照射するようにしたが、他の装置を用いて照射するようにしてもよい。例えば、１台のレーザ発振器を用い、半導体前駆体膜２３の側およびガラス基板１１の側のうちの一方からエネルギービームを照射したのち、他の一方からエネルギービームを照射するようにしてもよい。また、２台のレーザ発振器を工程の前後で並べて配置し、半導体前駆体膜２３の側およびガラス基板１１の側のうちの一方からエネルギービームを照射したのち、他の一方からエネルギービームを照射するようにしてもよい。
【００８２】
このように、本実施の形態によれば、半導体前駆体膜２３の側とガラス基板１１の側との対向する２方向からレーザビームＥ₁，Ｅ₂を照射するようにしたので、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。また、新たな工程を設ける必要がなく簡単に製造することができると共に、レーザビームの照射時間を短くでき、製造時間を短縮することができる。
【００８３】
また、本実施の形態に係るエネルギービーム照射装置によれば、対向する２方向からレーザビームを照射する照射部５３，５４を設けるようにしたので、容易に本実施の形態に係るＴＦＴを製造することができると共に、製造時間を短縮することができる。
【００８４】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形可能である。例えば、上記実施の形態においては、半導体膜１６をシリコンにより構成する場合について説明したが、本発明は、半導体膜をゲルマニウム（Ｇｅ），シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）あるいは化合物半導体などの他の半導体により構成することもできる。
【００８５】
また、上記実施の形態では、レーザビームとしてエキシマレーザを照射する場合について説明したが、本発明は、光を照射して半導体膜を形成する場合に広く適用される。更に、光のみでなく、電子波に対する反射率あるいは吸収率が異なる領域を有する下地部の表面に半導体膜を形成する場合において、電子波を照射して半導体膜を形成する場合についても適用される。すなわち、本発明の製造方法およびエネルギービーム照射装置は、電子ビームなどの他のエネルギービームを用いる場合にも適用される。その際、エネルギービーム照射装置は、レーザ発振器４１，４２に代えて、電子ビーム発振器などのエネルギービーム発振器を備える。
【００８６】
加えて、上記実施の形態においては、ガラス基板１１を用いる場合について説明したが、石英ガラスあるいはプラスチックなどの他の材料よりなる基板を用いるようにしてもよく、半導体膜が表面に形成される下地部に光または電子波の反射率または吸収率が異なる複数の領域が存在すれば、本発明による効果を得ることができる。
【００８７】
更にまた、上記実施の形態においては、半導体素子としてＴＦＴを説明したが、本発明は、光または電子波の反射率または吸収率が異なる複数の領域が存在する下地部の表面に半導体膜が形成された他の半導体素子についても広く適用される。
【００８８】
【発明の効果】
以上説明したように半導体膜の製造方法または半導体素子の製造方法によれば、エネルギービームの照射により半導体膜を多結晶化する際に、その半導体膜に与えられるエネルギー量を均一とすることができる。よって、均一で良好な半導体膜を得ることができると共に、特性にばらつきの少ない良好な半導体素子を得ることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るＴＦＴの構成を表す断面図である。
【図２】図１に示したＴＦＴの製造工程を表す断面図である。
【図３】図２に続く製造工程を表す断面図である。
【図４】図３に続く製造工程を表す断面図である。
【図５】本発明の第４の実施の形態に係るＴＦＴの構成を表す断面図である。
【図６】図５に示したＴＦＴの製造工程を表す断面図である。
【図７】図６に続く製造工程を表す断面図である。
【図８】本発明の第５の実施の形態に係るＴＦＴの構成を表す断面図である。
【図９】図８に示したＴＦＴを製造する際に用いるエネルギービーム照射装置を表す構成図である。
【図１０】図８に示したＴＦＴの製造工程を表す断面図である。
【図１１】図１０に続く製造工程を表す断面図である。
【図１２】従来のＴＦＴを表す断面図である。
【図１３】従来のＴＦＴにおける問題点を説明するための断面図である。
【図１４】従来のＴＦＴにおける問題点を説明するための断面図である。
【符号の説明】
１１，１１１…ガラス基板、１２…バッファ層、１３，１１３…ゲート電極、１４，３４…反射調節膜、１５，１７，１１５…絶縁膜、１６…半導体膜、１６ａ，１１６ａ…チャネル領域、１６ｂ，１１６ｂ…ソース領域、１６ｃ，１１６ｃ…ドレイン領域、１８…保護膜、１９ａ…ソース電極、１９ｂ…ドレイン電極、２１…電極層、２２…反射調節膜層、２３…半導体前駆体膜、２４…フォトレジスト膜、４１，４２…レーザ発振器、４３，４４…反射板、５０…処理部、５１…支持部、５２…搬送ローラ、５３，５４…照射部、１１６…多結晶シリコン膜、１２３…非晶質シリコン膜[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
  The present invention provides a base having a plurality of regions having different reflectivities or absorptances for light or electron wavesPartFormed semiconductor filmManufacturing method, And semiconductor element including the sameOf childManufacturing methodTo the lawRelated.
[0002]
[Prior art]
In recent years, display devices with high definition and high image quality have been demanded. In the liquid crystal display device, an active matrix liquid crystal display (AMLCD) using a thin film transistor (TFT) as a switching element for driving the liquid crystal is used to meet the demand. Yes.
[0003]
TFTs used in AMLCD include those using amorphous silicon for the channel region which is an active layer and those using polycrystalline silicon. Of these, TFTs using polycrystalline silicon have lower on-resistance than those using amorphous silicon, have excellent responsiveness and driving capability, and realize high-definition and high-quality display. Expected. The TFT using polycrystalline silicon is not only used as a switching element for driving a liquid crystal, but also as a liquid crystal driving element for a large liquid crystal display device, and further as a switching element constituting a logic circuit of a driving circuit. Is also expected to be used.
[0004]
By the way, this TFT using polycrystalline silicon can be formed at a low temperature by using, for example, a technique of melting and polycrystallizing an amorphous silicon film by irradiating an energy beam. For example, as shown in FIG. 12, in a TFT having a bottom gate structure in which the channel region 116a is formed on one surface of the glass substrate 111 via the gate electrode 113, for example, the gate electrode 113 and the insulating film 115 are formed on one surface of the glass substrate 111. And the amorphous silicon film are stacked and then crystallized by irradiating the amorphous silicon film with an excimer laser beam to form a channel region 116a, a source region 116b, and a drain region 116c. Was forming.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, in such a bottom gate TFT, the crystal grain size in the region corresponding to the gate electrode 113 in the polycrystalline silicon film 116 is larger or smaller than in other regions, or in extreme cases. In this case, it was melted and disappeared, or crystallization was insufficient, so that a uniform polycrystalline silicon film 116 could not be obtained. This is because a gate electrode 113 having a higher laser reflectivity or a higher laser absorption rate than the glass substrate 111 is formed between the amorphous silicon film and the glass substrate 111. It is thought that there is.
[0006]
For example, as shown in FIG. 13A, when the gate electrode 113 is made of a material such as molybdenum (Mo) or tungsten (W) having a laser reflectance higher than that of the glass substrate 111, an amorphous material is used. In the region corresponding to the gate electrode 113 in the silicon film 123, the excimer laser beam E irradiated from the amorphous silicon film 123 side is reflected by the gate electrode 113 after passing through the amorphous silicon film 123, and is again non-exposed. The crystalline silicon film 123 is irradiated. In other words, the region corresponding to the gate electrode 113 is more heat-treated than the other region irradiated once with the excimer laser beam E.
[0007]
Thus, as shown in FIG. 13B, when the excimer laser beam E is irradiated under a condition that a good polycrystalline silicon film 116 is obtained in a region other than the region corresponding to the gate electrode 113, it corresponds to the gate electrode 113. In the region 116d, it is considered that the crystal grain size is increased due to excessive energy, or the crystal grain size is reduced or is repelled. On the contrary, when the excimer laser beam E is irradiated under the condition that a good polycrystalline silicon film can be obtained in the region corresponding to the gate electrode 113, the other region becomes a microcrystal due to lack of energy or does not crystallize. It is thought that.
[0008]
Further, as shown in FIG. 14A, when the gate electrode 113 is made of a material such as tantalum (Ta) or chromium (Cr) having a higher laser absorptivity than the glass substrate 111, it is amorphous. In the region corresponding to the gate electrode 113 in the silicon film 123, the excimer laser beam E irradiated from the amorphous silicon film 123 side is absorbed by the gate electrode 113 after passing through the amorphous silicon film 123. Less reflection than other areas. Further, although heat is generated by absorbing the excimer laser beam E in the gate electrode 113, the generated heat is generated by the gate electrode 113 because the gate electrode 113 is made of a material having higher thermal conductivity than the glass substrate 111. Will be dissipated through a wiring (not shown) connected to the. Therefore, the amount of heat treatment in the region corresponding to the gate electrode 113 is smaller than that in other regions.
[0009]
Accordingly, as shown in FIG. 14B, when the excimer laser beam E is irradiated under a condition that a good polycrystalline silicon film 116 is obtained in a region other than the region corresponding to the gate electrode 113, it corresponds to the gate electrode 113. In the region 116d to be formed, it is considered that the region 116d becomes a microcrystal or does not crystallize due to lack of energy. On the other hand, when the excimer laser beam E is irradiated under the condition that a good polycrystalline silicon film can be obtained in the region corresponding to the gate electrode 113, the other regions may have large crystal grains due to excessive energy, or rather the crystal grain size. Is thought to be small or to pop.
[0010]
That is, a uniform polycrystalline silicon film cannot be obtained in the region corresponding to the gate electrode 113 and other regions, and the on-current and the sheet resistance depending on the crystal grain size vary, resulting in the TFT characteristics. It was scattered. For this reason, when this TFT is used in a pixel portion of a liquid crystal display device, display unevenness occurs, causing a bad influence on the quality of the liquid crystal display device.
[0011]
  The present invention has been made in view of such problems, and the object thereof is a semiconductor film having high uniformity.Manufacturing methodandWith itSemiconductor elementOf childManufacturing methodThe lawIt is to provide.
[0018]
  A method of manufacturing a semiconductor film according to the present invention includes:A gate electrode is formed on the substrate, a reflection adjusting film is formed on the gate electrode, an insulating film is formed on the reflection adjusting film, a semiconductor film is formed on the insulating film, and then the semiconductor film The semiconductor film is polycrystallized by irradiating the laser beam from the side, and the reflection control film reduces the reflected light of the laser beam reflected by the gate electrode, so that the region corresponding to the gate electrode and other regions The reflection amount of the reflected laser beam was made equal.Is.In another method of manufacturing a semiconductor film according to the present invention, a reflection control film is formed on a glass substrate, a gate electrode is formed on the glass substrate on the side opposite to the reflection control film, and insulation is performed on the gate electrode. A film is formed, a semiconductor film is formed on the insulating film, and then the semiconductor film is irradiated with a laser beam to polycrystallize the semiconductor film, so that the reflectance with respect to the laser beam is higher than that of the glass substrate and the insulating film. The reflection adjustment film is high, and the reflection adjustment film has the same amount of reflection of the laser beam reflected by the semiconductor film in the region corresponding to the gate electrode and the other region.
[0021]
  A method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes:A gate electrode is formed on the substrate, a reflection adjusting film is formed on the gate electrode, an insulating film is formed on the reflection adjusting film, a semiconductor film is formed on the insulating film, and then the semiconductor film The semiconductor film is polycrystallized by irradiating the laser beam from the side, and the reflection control film reduces the reflected light of the laser beam reflected by the gate electrode, so that the region corresponding to the gate electrode and other regions The reflection amount of the reflected laser beam was made equal.Is.In another method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, a reflection control film is formed on a glass substrate, a gate electrode is formed on the glass substrate on the side opposite to the reflection control film, and insulation is performed on the gate electrode. A film is formed, a semiconductor film is formed on the insulating film, and then the semiconductor film is irradiated with a laser beam to polycrystallize the semiconductor film, so that the reflectance with respect to the laser beam is higher than that of the glass substrate and the insulating film. The reflection adjustment film is high, and the reflection adjustment film has the same amount of reflection of the laser beam reflected by the semiconductor film in the region corresponding to the gate electrode and the other region.
[0029]
  In the method of manufacturing a semiconductor film according to the present invention,When the semiconductor film is polycrystallized by irradiating the laser beam, the amount of reflection of the laser beam reflected by the semiconductor film is equal between the region corresponding to the gate electrode and the other region.
[0032]
The method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes the method for manufacturing a semiconductor film of the present invention.
[0034]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the present embodiment will be described in detail with reference to the drawings. In addition, since the semiconductor film of this invention and its manufacturing method are contained in the semiconductor element of this invention, and its manufacturing method, in the following embodiment, it demonstrates collectively in description of a semiconductor element and its manufacturing method. . In addition, since the energy beam irradiation apparatus of the present invention is used for manufacturing the semiconductor film of the present invention and for manufacturing the semiconductor element of the present invention, it will be described together with the method for manufacturing a semiconductor element of the present invention.
[0035]
(First embodiment)
FIG. 1 shows a configuration of a TFT which is a semiconductor element according to the first embodiment of the present invention. In this TFT, a gate electrode 13 and a reflection adjusting film 14 are sequentially laminated on one surface of a glass substrate 11 via a buffer layer 12, and on the opposite side of the reflection adjusting film 14 and the buffer layer 12 from the glass substrate 11, The insulating film 15 and the semiconductor film 16 are sequentially stacked.
[0036]
The buffer layer 12 has, for example, a thickness of 1 μm and silicon dioxide (SiO 2₂), Silicon nitride (Si_ThreeN_Four) Or a compound of silicon, oxygen and nitrogen (SiO_xN_yHereinafter referred to as silicon oxynitride), or a laminated film using a plurality of them.
[0037]
The gate electrode 13 has a thickness of, for example, 100 nm, and is made of a conductive material that has a higher reflectivity with respect to a laser beam irradiated in the manufacturing method described later than the glass substrate 11 and the insulating film 12. For example, it is made of one kind selected from the group consisting of molybdenum, aluminum (Al), titanium (Ti), and tungsten, or an alloy or compound containing at least one of these. Although not shown, the gate electrode 13 is connected to a wiring formed on one surface of the substrate 11 via the buffer layer 12.
[0038]
The reflection adjusting film 14 is formed by, for example, reflecting light reflected at the interface between the reflection adjusting film 14 and the insulating film 15 when a laser beam is irradiated from the semiconductor film 16 side in the manufacturing method described later, This is an interference film that reduces reflected light in a region corresponding to the gate electrode 13 by utilizing interference with light reflected at the interface with the gate electrode 13. This interference film is made of, for example, titanium nitride (TiN), a compound of silicon and oxygen (SiO_x), Compound of silicon and nitrogen (SiN_x) Or silicon oxynitride to which hydrogen (H) is added. Moreover, you may be set as the laminated film using those two or more. The thickness of the interference film is adjusted so as to reduce the reflected light in the region corresponding to the gate electrode 13 according to, for example, the constituent material and the wavelength of the irradiated laser beam. Specifically, it is selected within the range of 5 nm to 100 nm.
[0039]
The insulating film 15 has a thickness of, for example, 100 nm, and is formed of a laminated film using silicon dioxide, silicon nitride, silicon oxynitride, or a plurality thereof. This insulating film 15 becomes a so-called gate insulating film.
[0040]
The semiconductor film 16 has a thickness of 30 nm, for example, and is made of polycrystalline silicon (Si). The semiconductor film 16 has a channel region 16a as a current path in a region corresponding to the gate electrode 13, and a source region 16b and a drain region 16c connected to the channel region 16a at a distance from each other. Have. The source region 16b and the drain region 16c are impurity regions to which, for example, an n-type impurity such as phosphorus (P) or a p-type impurity such as boron (B) is added.
[0041]
That is, in this semiconductor element, the glass substrate 11, the insulating film 12, the gate electrode 13, the reflection adjusting film 14, and the insulating film 15 constitute a base portion, and the gate electrode 13 corresponds to a high reflection region having a high reflectance. The glass substrate 11 and the insulating films 12 and 15 correspond to a low reflection region having a low reflectance. The reflection control film 14 is provided corresponding to the gate electrode 13, and the semiconductor film 16 is formed on the surface of the base portion opposite to the gate electrode 13, which is a highly reflective region, with the reflection control film 14 interposed therebetween. Yes.
[0042]
For example, an insulating film 17 made of silicon dioxide is provided on the side opposite to the glass substrate 11 of the semiconductor film 16 so as to correspond to the gate electrode 13, and the entire surface is made of silicon nitride via the insulating film 17. A protective film 18 is provided. A source electrode 19a is provided on the side opposite to the glass substrate 11 of the semiconductor film 16 through an opening 18a formed in the protective film 18 corresponding to the source region 16b, and a protective film corresponding to the drain region 16c. A drain electrode 19 b is provided through an opening 18 b formed in 18. The source electrode 19a and the drain electrode 19b are made of a metal such as aluminum, for example.
[0043]
A TFT having such a configuration can be manufactured as follows.
[0044]
2 to 4 show the manufacturing method in the order of steps. First, for example, as shown in FIG. 2A, the buffer layer 12 is formed on one surface of the glass substrate 11 by a sputtering method. Next, a reflection higher than that of the glass substrate 11 and the buffer layer 12 with respect to the laser beam irradiated on the buffer layer 12 in a subsequent process by the electrode layer 21 for forming the gate electrode 13 by sputtering, for example. A conductive material having a rate is used. Subsequently, a reflection adjusting film layer 22 for forming the reflection adjusting film 14 is formed on the electrode layer 21 by sputtering, for example, with the material and thickness described in the description of the reflection adjusting film 14.
[0045]
After the reflection adjustment film layer 22 is formed, for example, as shown in FIG. 2B, the reflection adjustment film layer 22 and the electrode layer 21 are selected in accordance with the region where the gate electrode 13 is to be formed by using a lithography technique. The gate electrode 23 and the reflection adjusting film 14 are formed respectively.
[0046]
After forming the gate electrode 23 and the reflection adjusting film 14, respectively, for example, as shown in FIG. 3A, the insulating film 15 is formed on the reflection adjusting film 14 and the insulating film 12 by sputtering. After that, for example, a semiconductor precursor film 23 made of amorphous silicon for forming the semiconductor film 16 is formed on the insulating film 15 with the thickness described in the description of the semiconductor film 16 by sputtering. .
[0047]
After forming the semiconductor precursor film 23, for example, as shown in FIG. 3B, a laser beam E having a wavelength with a high absorption rate in the semiconductor precursor film 23 is irradiated from the semiconductor precursor film 23 side. Specifically, an excimer laser beam is used, and the wavelength of XeCl is 308 nm, KrF is 248 nm, or ArF is 193 nm. As a result, the semiconductor precursor film 23 is heated and melted and crystallized to form the semiconductor film 16 made of polycrystalline silicon.
[0048]
Here, since the reflection adjusting film 14 is formed between the gate electrode 13 and the semiconductor precursor film 23, in the region corresponding to the gate electrode 13 which is a highly reflective region in the semiconductor precursor film 23, After the laser beam E irradiated from the semiconductor precursor film 23 side passes through the semiconductor precursor film 23, at the interface between the reflection control film 14 and the insulating film 15 and at the interface between the reflection control film 14 and the gate electrode 13. Each is reflected and the reflected light is weakened by interference. In the region of the semiconductor precursor film 23 that does not correspond to the gate electrode 13, the laser beam E passes through the semiconductor precursor film 23 and then passes through the insulating film 12 and the glass substrate 11, and the reflected light is small. That is, the difference in reflectance between the region corresponding to the gate electrode 13 and other regions is adjusted by the reflection adjusting film 14, and the amount of energy applied to the semiconductor precursor film 23 is uniform. Therefore, here, the semiconductor film 16 made of a uniform polycrystal is formed.
[0049]
After forming the semiconductor film 16, for example, as shown in FIG. 4, a silicon dioxide film is formed on the semiconductor film 16 by a sputtering method, and a photoresist film 24 is formed thereon by coating. The resist film 24 is exposed (backside exposure) by g-line (wavelength 436 nm) from the glass substrate 11 side. At this time, the gate electrode 13 is used as a mask, and a photoresist film 24 having the same width as the gate electrode 13 is formed in a self-aligning manner. Next, the silicon dioxide film is selectively removed by etching using the photoresist film 24 as a mask, and an insulating film 17 is formed corresponding to the gate electrode 13.
[0050]
After that, for example, using the photoresist film 24 as a mask, PH_Three(Phosphine) or diborane (B₂H₆Impurities are selectively introduced into the semiconductor film 16 by plasma doping D using plasma or the like or by ion doping D. Thereby, the source region 16b and the drain region 16c are formed, and the channel region 16a is formed between them.
[0051]
After introducing impurities into the semiconductor film 16, for example, the photoresist film 24 is removed, and a protective film 18 is formed on the semiconductor film 16 and the insulating film 17. Thereafter, openings 18a and 18b are respectively formed in the protective film 18 so as to correspond to the source region 16b and the drain region 16c, respectively, and the source electrode 19a and the drain electrode 19b are selectively formed. Thereby, the TFT shown in FIG. 1 is formed.
[0052]
Here, after the semiconductor film 16 is formed by irradiating the semiconductor precursor film 23 with the laser beam E, the silicon dioxide film is formed to form the insulating film 17, and the impurity is introduced. The semiconductor film 16 may be formed by forming a silicon dioxide film on the semiconductor precursor film 23 and then irradiating the laser beam E through the silicon dioxide film to form the semiconductor film 16. The semiconductor film 16 may be formed by irradiation with E. Alternatively, the semiconductor film 16 may be formed by irradiating the laser beam E after forming the protective film 18.
[0053]
This TFT operates and acts as follows.
[0054]
In this TFT, when a voltage is applied to the gate electrode 13, the current flowing through the channel region 16a is modulated. Here, since the reflection adjusting film 14 made of an interference film is provided between the gate electrode 13 and the semiconductor film 16, the energy amount when forming the semiconductor film 16 by irradiating the laser beam E is the channel region 16a. , The source region 16b and the drain region 16c are uniform, and a uniform and good semiconductor film 16 is formed. Therefore, variations in on-current and sheet resistance are reduced, and good characteristics can be obtained.
[0055]
Thus, according to the present embodiment, since the reflection adjusting film 14 made of the interference film is provided between the gate electrode 13 and the semiconductor film 16, the semiconductor film 16 is formed by irradiating the laser beam E. In this case, the amount of reflection of the laser beam E in the region corresponding to the gate electrode 13 can be reduced by using interference. Therefore, the amount of energy applied to the semiconductor film 16 can be made uniform in the channel region 16a, the source region 16b, and the drain region 16c, and a uniform and good semiconductor film 16 can be formed. Therefore, variations in on-current and sheet resistance are reduced, and good characteristics can be obtained.
[0056]
(Second Embodiment)
The TFT according to the present embodiment has the same configuration as that of the first embodiment except that the configuration of the reflection adjusting film 14 is different. Therefore, here, with reference to FIGS. 1 to 4, the corresponding components are denoted by the same reference numerals, and detailed description of the same parts is omitted.
[0057]
The reflection adjustment film 14 in the present embodiment is an absorption film made of a material having an absorption rate higher than that of the gate electrode 13 with respect to the laser beam E irradiated in the manufacturing process, and is highly reflective by absorbing the laser beam E. The reflected light in the region corresponding to the gate electrode 13 which is the region is reduced, and the amount of reflection between the region corresponding to the gate electrode 13 and the other region is made equal. The absorption film is made of, for example, one of the group consisting of chromium, iron (Fe), cobalt (Co), tantalum, and the like, or an alloy or compound containing at least one of these. The thickness of the absorption film is adjusted so that the amount of reflection between the region corresponding to the gate electrode 13 and the other region is the same.
[0058]
In the TFT having such a configuration, for example, when the semiconductor film 16 is formed, the laser beam E irradiated from the semiconductor precursor film 23 side passes through the semiconductor precursor film 23 and then is reflected by the reflection control film 14. It can be manufactured in the same manner as in the first embodiment except that the portion is absorbed and the reflectance in the region corresponding to the gate electrode 13 which is a highly reflective region is adjusted. Moreover, it acts similarly to 1st Embodiment and can acquire the same effect.
[0059]
(Third embodiment)
The TFT according to the present embodiment has the same configuration as that of the first embodiment except that the material constituting the gate electrode 13 is different and the configuration of the reflection adjusting film 14 is different. Therefore, here, with reference to FIGS. 1 to 4, the corresponding components are denoted by the same reference numerals, and detailed description of the same parts is omitted.
[0060]
The gate electrode 13 in the present embodiment is made of, for example, a conductive material that has higher absorptance with respect to the laser beam E irradiated in the manufacturing method than the glass substrate 11 and the insulating film 12. For example, it is comprised by the alloy or compound containing 1 type in the group which consists of chromium, iron, cobalt, a tantalum, etc., or at least 1 type of these. That is, here, the gate electrode 13 corresponds to a high absorption region having a high absorption rate, and the other region corresponds to a low absorption region.
[0061]
The reflection control film 14 is, for example, a reflection film made of a material having a higher reflectance than the gate electrode 13 with respect to the laser beam E irradiated in the manufacturing process, and reflects the laser beam E to form a gate electrode that is a high absorption region. The reflected light in the region corresponding to 13 is increased, and the amount of reflection between the region corresponding to the gate electrode 13 and the other region is made equal. This reflective film is made of, for example, one of the group consisting of molybdenum, aluminum, titanium and tungsten, or an alloy or compound containing at least one of these. The thickness of the reflective film is adjusted so that the amount of reflection between the region corresponding to the gate electrode 13 which is a high absorption region and the other region is the same. For example, here, since the amount of reflection on the glass substrate 11 and the insulating film 12 is small, it is preferable that the thickness of the reflection film is ½ or less of the wavelength of the laser beam E and the amount of reflection on the reflection film is small.
[0062]
In the TFT having such a configuration, for example, when the semiconductor film 16 is formed, the laser beam E irradiated from the semiconductor precursor film 23 side passes through the semiconductor precursor film 23 and then is reflected by the reflection control film 14. It can be manufactured in the same manner as in the first embodiment except that the portion is reflected and the reflectance in the region corresponding to the gate electrode 13 which is a high absorption region is adjusted. Moreover, it acts similarly to 1st Embodiment and can acquire the same effect.
[0063]
(Fourth embodiment)
FIG. 5 shows the structure of a TFT according to the fourth embodiment of the present invention. This TFT has the same configuration as that of the first embodiment except that another reflection adjustment film 34 is provided in place of the reflection adjustment film 14 in the first embodiment. Therefore, here, the same reference numerals are given to the same components, and detailed description thereof is omitted.
[0064]
The reflection adjusting film 34 is provided on the opposite side of the glass substrate 11 from the semiconductor film 16 and is made of a material that has a higher reflectivity with respect to the laser beam E irradiated in the manufacturing process than the glass substrate 11 and the insulating film 12. ing. That is, the reflection adjusting film 34 reflects the laser beam E that has passed through the glass substrate 11 and the insulating films 12 and 15, thereby forming a region corresponding to a portion where the gate electrode 13, which is a highly reflective region, is not formed. This is to increase the reflected light and make the amount of reflection in the region corresponding to the gate electrode 13 equal. Therefore, the reflection adjusting film 34 is preferably made of a material having a reflectance equivalent to that of the gate electrode 13. Here, for example, it is made of platinum (Pt) or silver (Ag). The reflection adjusting film 34 may be provided corresponding to at least the low reflection region. Here, it is provided on the entire surface of the glass substrate 11 opposite to the semiconductor film 16.
[0065]
A TFT having such a configuration can be manufactured, for example, as follows.
[0066]
6 and 7 show the manufacturing method in the order of steps. First, for example, as shown in FIG. 6A, a reflection adjusting film 34 is deposited on the other surface opposite to one surface of the glass substrate 11. Next, for example, as shown in FIG. 6B, the buffer layer 12, the gate electrode 13, the insulating film 15, and the semiconductor precursor film 23 are formed on one surface of the glass substrate 11 in the same manner as in the first embodiment. Are sequentially stacked.
[0067]
Subsequently, for example, as shown in FIG. 7, in the same manner as in the first embodiment, the semiconductor film 16 is formed by irradiating the laser beam E from the semiconductor precursor film 23 side. Here, since the reflection adjusting film 34 is formed on the opposite side of the glass substrate 11 from the semiconductor precursor film 23, the semiconductor in the region corresponding to the portion where the gate electrode 13, which is a high reflection region, is not formed. The laser beam E irradiated from the side of the precursor film 23 passes through the semiconductor precursor film 23, the insulating films 12 and 15, and the glass substrate 11, is reflected by the reflection adjusting film 34, and is again reflected on the semiconductor precursor film 23. Irradiated. Also in the region corresponding to the gate electrode 13, the laser beam E irradiated from the semiconductor precursor film 23 side passes through the semiconductor precursor film 23, is reflected by the gate electrode 13, and is again reflected in the semiconductor precursor film. 23 is irradiated.
[0068]
Therefore, the reflection adjustment film 34 adjusts the difference in reflectance between the region corresponding to the gate electrode 13, which is a highly reflective region, and other regions, and the amount of energy applied to the semiconductor precursor film 23 is uniform. Further, since the semiconductor precursor film 23 is irradiated with the direct irradiation light and the reflected light of the laser beam E, respectively, the energy amount (laser intensity × irradiation time) of the irradiation laser beam E is the first. About 1/2 of the embodiment is sufficient.
[0069]
After forming the semiconductor film 16, for example, the insulating film 17, the channel region 16a, the source region 16b, the drain region 16c, the protective film 18, the source electrode 19a, and the drain electrode 19b are respectively formed in the same manner as in the first embodiment. Form. Thereby, the TFT shown in FIG. 5 is formed. After that, the antireflection film 34 may be deleted as necessary.
[0070]
Further, this TFT is the same as the first embodiment except that the reflectance of the low reflection region corresponding to the portion of the insulating film 12 where the gate electrode 13 is not formed is adjusted by the reflection adjusting film 34. Act on.
[0071]
Thus, according to the present embodiment, since the reflection adjusting film 34 made of the reflection film is provided on the opposite side of the glass substrate 11 from the semiconductor film 16, the gate electrode 13 that is a highly reflective region is formed. It is possible to increase the amount of reflection in the region corresponding to the non-existing portion, and to obtain the same effect as in the first embodiment. Moreover, since the direct irradiation light and reflected light of the laser beam E can be used, the energy amount of the laser beam E to be irradiated can be reduced. Furthermore, since it is only necessary to provide the reflection adjusting film 34 on the other surface of the glass substrate 11, it can be manufactured more easily than in the first embodiment.
[0072]
(Fifth embodiment)
FIG. 8 shows a structure of a TFT according to the fifth embodiment of the present invention. This TFT has the same configuration as that of the first embodiment except that the reflection adjusting film 14 in the first embodiment is omitted and the configuration of the semiconductor film 16 is different. Therefore, here, corresponding components are denoted by the same reference numerals, and detailed description of the same parts is omitted.
[0073]
The semiconductor film 16 has the same configuration as that of the first embodiment except that the semiconductor film 16 is formed by irradiating a laser beam from two opposing directions, ie, the glass substrate 11 side and the opposite side. have.
[0074]
A TFT having such a configuration can be manufactured, for example, as follows.
[0075]
FIG. 9 shows a configuration of an energy beam irradiation apparatus used for manufacturing the TFT. The energy beam irradiation apparatus includes two laser oscillators 41 and 42 and a processing unit 50 that irradiates the workpiece M with laser beams emitted from the laser oscillators 41 and 42, respectively. Inside the processing unit 50, there is provided a support unit 51 that supports the object to be processed M and moves the object to be processed M to insert into and remove from the processing unit 50. Further, outside the processing unit 50, a processing object M to be inserted into the processing unit 50 and a transporting roller 52 for transporting the processing target M taken out from the processing unit 50 are provided.
[0076]
Further, in the processing unit 50, irradiation units 53 and 54 for irradiating the workpiece M with laser beams oscillated from the laser oscillators 41 and 42 are arranged at opposing positions. The laser beams oscillated from the laser oscillators 41 and 42 are guided to the irradiation units 53 and 54 through optical paths such as the reflectors 43 and 44, respectively.
[0077]
In this example, first, for example, as shown in FIG. 10, the buffer layer 12, the gate electrode 13, the insulating film 15 and the semiconductor precursor film are formed on one surface of the glass substrate 11 in the same manner as in the first embodiment. 23 are sequentially laminated. Next, for example, using the energy beam irradiation apparatus shown in FIG. 9, as shown in FIG. 11, the laser beam E is simultaneously irradiated from two opposing directions on the semiconductor precursor film 23 side and the glass substrate 11 side. Thus, the semiconductor film 16 is formed.
[0078]
Here, the laser beam E irradiated from the semiconductor precursor film 23 side.₁In the region corresponding to the gate electrode 13, which is a highly reflective region, after passing through the semiconductor precursor film 23, it is reflected by the gate electrode 13 and is irradiated again on the semiconductor precursor film 23. Further, in the region corresponding to the portion where the gate electrode 13 is not formed, most passes through the insulating film 12 and the glass substrate 11 after passing through the semiconductor precursor film 23. On the other hand, the laser beam E irradiated from the glass substrate 11 side.₂In the region corresponding to the gate electrode 13, after passing through the glass substrate 11, it is reflected by the gate electrode 13 and is not irradiated to the semiconductor precursor film 23. In other regions, the semiconductor precursor film 23 is irradiated after passing through the glass substrate 11 and the insulating film 12. That is, the amount of energy given to the semiconductor precursor film 23 is uniform.
[0079]
Here, the laser beam E irradiated from the semiconductor precursor film 23 side is used here.₁Is reflected at the gate electrode 13 and irradiated again onto the semiconductor precursor film 23, so that the energy amount thereof is about ½ of that in the first embodiment. Further, a laser beam E irradiated from the glass substrate 11 side.₂The amount of energy of the laser beam E irradiated from the semiconductor precursor film 23 side in consideration of scattering in the glass substrate 11.₁It is preferable to make it slightly stronger.
[0080]
Subsequently, for example, the insulating film 17, the channel region 16a, the source region 16b, the drain region 16c, the protective film 18, the source electrode 19a, and the drain electrode 19b are formed in the same manner as in the first embodiment. Thereby, the TFT shown in FIG. 5 is formed.
[0081]
Here, the laser beam E is used by using the energy beam irradiation apparatus shown in FIG.₁, E₂However, you may make it irradiate using another apparatus. For example, one laser oscillator may be used to irradiate the energy beam from one of the semiconductor precursor film 23 side and the glass substrate 11 side and then irradiate the energy beam from the other one. Further, two laser oscillators are arranged side by side before and after the process, and after irradiating the energy beam from one of the semiconductor precursor film 23 side and the glass substrate 11 side, the other one is irradiated with the energy beam. You may do it.
[0082]
As described above, according to the present embodiment, the laser beam E is viewed from the two opposite directions of the semiconductor precursor film 23 side and the glass substrate 11 side.₁, E₂Therefore, the same effect as that of the first embodiment can be obtained. Further, it is not necessary to provide a new process and it can be easily manufactured, and the irradiation time of the laser beam can be shortened and the manufacturing time can be shortened.
[0083]
In addition, according to the energy beam irradiation apparatus according to the present embodiment, the irradiation units 53 and 54 that irradiate the laser beam from the two opposing directions are provided, so that the TFT according to the present embodiment is easily manufactured. And the manufacturing time can be shortened.
[0084]
The present invention has been described with reference to the embodiment. However, the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made. For example, in the above embodiment, the case where the semiconductor film 16 is made of silicon has been described. However, in the present invention, the semiconductor film is made of another semiconductor such as germanium (Ge), silicon germanium (SiGe), or a compound semiconductor. You can also
[0085]
In the above embodiment, the case where an excimer laser is irradiated as a laser beam has been described. However, the present invention is widely applied to the case where a semiconductor film is formed by irradiation with light. Furthermore, in the case where a semiconductor film is formed on the surface of a base portion having a region where the reflectance or absorption rate with respect to not only light but also an electron wave is different, the present invention is also applied to the case where a semiconductor film is formed by irradiating an electron wave. . That is, the manufacturing method and the energy beam irradiation apparatus of the present invention are also applied when other energy beams such as an electron beam are used. In this case, the energy beam irradiation apparatus includes an energy beam oscillator such as an electron beam oscillator instead of the laser oscillators 41 and 42.
[0086]
In addition, although the case where the glass substrate 11 is used has been described in the above embodiment, a substrate made of another material such as quartz glass or plastic may be used, and a base on which a semiconductor film is formed on the surface. If there are a plurality of regions having different reflectivities or absorptances of light or electron waves in the portion, the effect of the present invention can be obtained.
[0087]
Furthermore, in the above embodiment, a TFT is described as a semiconductor element. However, in the present invention, a semiconductor film is formed on the surface of a base portion where a plurality of regions having different reflectances or absorption rates of light or electron waves exist. The present invention is also widely applied to other semiconductor devices.
[0088]
【The invention's effect】
  As described above, according to the semiconductor film manufacturing method or the semiconductor element manufacturing method,, DBy energy beam irradiationSemiconductor filmPolycrystalTurn intoWhenThatThe amount of energy given to the semiconductor film can be made uniform. Therefore, it is possible to obtain a uniform and good semiconductor film and to obtain a good semiconductor element with little variation in characteristics.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a TFT according to a first embodiment of the invention.
2 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the TFT shown in FIG. 1. FIG.
3 is a cross-sectional view showing a manufacturing step that follows FIG. 2; FIG.
4 is a cross-sectional view showing a manufacturing step that follows FIG. 3; FIG.
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a configuration of a TFT according to a fourth embodiment of the invention.
6 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the TFT shown in FIG. 5. FIG.
7 is a cross-sectional view illustrating a manufacturing process subsequent to FIG. 6. FIG.
FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a TFT according to a fifth embodiment of the invention.
9 is a configuration diagram showing an energy beam irradiation apparatus used when manufacturing the TFT shown in FIG.
10 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the TFT shown in FIG. 8. FIG.
11 is a cross-sectional view illustrating a manufacturing process subsequent to FIG.
FIG. 12 is a cross-sectional view showing a conventional TFT.
FIG. 13 is a cross-sectional view for explaining a problem in a conventional TFT.
FIG. 14 is a cross-sectional view for explaining a problem in a conventional TFT.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11,111 ... Glass substrate, 12 ... Buffer layer, 13, 113 ... Gate electrode, 14, 34 ... Reflection control film, 15, 17, 115 ... Insulating film, 16 ... Semiconductor film, 16a, 116a ... Channel region, 16b, 116b ... Source region, 16c, 116c ... Drain region, 18 ... Protective film, 19a ... Source electrode, 19b ... Drain electrode, 21 ... Electrode layer, 22 ... Reflection control film layer, 23 ... Semiconductor precursor film, 24 ... Photoresist Films 41, 42 ... Laser oscillators 43,44 ... Reflector plate 50 ... Processing part 51 ... Supporting part 52 ... Conveying roller 53,54 ... Irradiating part 116 ... Polycrystalline silicon film 123 ... Amorphous Silicon film

Claims

Forming a gate electrode on the substrate, forming a reflection adjusting film on the gate electrode, forming an insulating film on the reflection adjusting film, forming a semiconductor film on the insulating film; The semiconductor film is polycrystallized by irradiating a laser beam from the semiconductor film side,
The reflection control film reduces the reflected light of the laser beam reflected by the gate electrode, so that the reflection amount of the laser beam reflected by the semiconductor film is equal between the region corresponding to the gate electrode and the other region. A method for manufacturing a semiconductor film.

To interfere with light reflected by the light and the other surface to be reflected on the one forming the reflective adjustment layer by the interference film to weaken the reflected light, a method of manufacturing a semiconductor film according to claim 1, wherein.

Forming the reflective adjusting film by absorbing film having a high absorptance for light or electron wave than said gate electrode, a method of manufacturing a semiconductor film according to claim 1, wherein.

Forming a reflection adjusting film on the glass substrate; forming a gate electrode on the glass substrate on the opposite side of the reflection adjusting film; forming an insulating film on the gate electrode; and Form a semiconductor film, and then irradiate a laser beam from the semiconductor film side to polycrystallize the semiconductor film,
The reflectance of the laser beam is higher in the reflection adjusting film than in the glass substrate and the insulating film, and the reflection adjusting film reflects the semiconductor film in the region corresponding to the gate electrode and the other region. Make the amount of reflection equal
A method for manufacturing a semiconductor film.

Forming a gate electrode on the substrate, forming a reflection adjusting film on the gate electrode, forming an insulating film on the reflection adjusting film, forming a semiconductor film on the insulating film; The semiconductor film is polycrystallized by irradiating a laser beam from the semiconductor film side,
The reflection control film reduces the reflected light of the laser beam reflected by the gate electrode, so that the reflection amount of the laser beam reflected by the semiconductor film is equal between the region corresponding to the gate electrode and the other region. A method for manufacturing a semiconductor device.

To interfere with light reflected by the light and the other surface to be reflected on the one forming the reflective adjustment layer by the interference film to weaken the reflected light, a method of manufacturing a semiconductor device according to claim 5, wherein.

6. The method of manufacturing a semiconductor element according to claim 5 , wherein the reflection control film is formed of an absorption film having a higher absorption rate for light or electron waves than the gate electrode .

Forming a reflection adjusting film on the glass substrate; forming a gate electrode on the glass substrate on the opposite side of the reflection adjusting film; forming an insulating film on the gate electrode; and Form a semiconductor film, and then irradiate a laser beam from the semiconductor film side to polycrystallize the semiconductor film,
The reflectance of the laser beam is higher in the reflection adjustment film than in the glass substrate and the insulating film, and the reflection adjustment film reflects the semiconductor film at a region corresponding to the gate electrode and the other region. Make the amount of reflection equal
A method for manufacturing a semiconductor device.