JP4485568B2 - Semiconductor device for sensor system - Google Patents

Semiconductor device for sensor system Download PDF

Info

Publication number
JP4485568B2
JP4485568B2 JP2007316817A JP2007316817A JP4485568B2 JP 4485568 B2 JP4485568 B2 JP 4485568B2 JP 2007316817 A JP2007316817 A JP 2007316817A JP 2007316817 A JP2007316817 A JP 2007316817A JP 4485568 B2 JP4485568 B2 JP 4485568B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sensor
power
chip
circuit
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2007316817A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2008173462A (en
Inventor
春造 山下
敬 鈴木
俊之 在塚
祐行 宮崎
定樹 中野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2007316817A priority Critical patent/JP4485568B2/en
Publication of JP2008173462A publication Critical patent/JP2008173462A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4485568B2 publication Critical patent/JP4485568B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Description

本発明は、センサシステム用半導体装置に関し、特に、小型・軽量で電池交換不要なセンサシステム用半導体装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor device for a sensor system, and more particularly to a semiconductor device for a sensor system that is small and light and does not require battery replacement.

近年、健康志向の高まりにより、個人が手軽に体調その他をチェックできる健康管理機器(Personal Vital Assistant(以下、「PVA」という。))への注目が急速に高まりつつある。このPVAの基本的な機能は、従来からある高価な医療用測定機器と同じである。しかし、高価な医療用機器と違い、一般ユーザでも購入できる程度に安価で構成されることが望まれる。また、心臓病などの生活習慣病では、継続的に体温や脈拍や血圧など体調を把握することが重要である。このため、PVA機器では、ユーザがいつでも簡単に自分の体調を測定できるようにすることが必要である。具体的には、持ち運びができる程度に小型・軽量化する必要がある。このため、小型のボードに作成されたPVA機器が開発されている。   2. Description of the Related Art In recent years, due to an increase in health consciousness, attention has been rapidly focused on a health management device (Personal Vital Assistant (hereinafter referred to as “PVA”)) that allows an individual to easily check physical condition and the like. The basic function of this PVA is the same as that of a conventional expensive medical measuring instrument. However, unlike an expensive medical device, it is desired that the device is configured to be inexpensive enough to be purchased by a general user. Also, in lifestyle-related diseases such as heart disease, it is important to continuously grasp the physical condition such as body temperature, pulse and blood pressure. For this reason, it is necessary for a PVA device to enable a user to easily measure his / her physical condition at any time. Specifically, it is necessary to reduce the size and weight so that it can be carried. For this reason, PVA devices created on small boards have been developed.

例えば、特開2001−327472号公報(以下、「特許文献1」という。)、及び、特開2001−344352号公報(以下、「特許文献2」という。)では、GSR(Galvanic Skin Reflex:皮膚電気反射)、加速度、体温、脈拍センサ等のセンサを搭載したセンサボードと、Bluetooth等の小電力無線インタフェースにより、上記センサボードと通信を行ってセンサ情報を収集して、ユーザの体調等を分析するメインボードから構成されたPVA機器が紹介されている。センサボードには、センサの他に、CPU、メモリ、A/D変換器、小電力無線インタフェース、増幅器、及び、小型電池が搭載されており、上記センサの種類毎に専用のボードが用意されている。センサボード内でセンサからの情報(アナログ量)を適当なレベルにまで増幅した後に、A/D変換を行って、ディジタル量に変換した後、CPUにより適切な形式に加工された後に、小電力無線インタフェースチップ経由でメインモジュールに送信される。   For example, in Japanese Patent Laid-Open No. 2001-327472 (hereinafter referred to as “Patent Document 1”) and Japanese Patent Laid-Open No. 2001-344352 (hereinafter referred to as “Patent Document 2”), GSR (Galvanic Skin Reflex: skin) The sensor board is equipped with sensors such as electrical reflection), acceleration, body temperature, pulse sensor, etc. and low power wireless interface such as Bluetooth, etc., communicates with the sensor board to collect sensor information and analyze the user's physical condition etc. PVA equipment composed of a main board is introduced. In addition to the sensors, the sensor board is equipped with a CPU, memory, A / D converter, low-power wireless interface, amplifier, and small battery. A dedicated board is prepared for each type of sensor. Yes. After amplifying the information (analog amount) from the sensor to an appropriate level in the sensor board, A / D conversion is performed to convert the information into a digital amount, and after processing into an appropriate format by the CPU, low power Sent to the main module via the wireless interface chip.

上記センサのうち、GSR電極により、電極経由で検知された皮膚の電気インピーダンスの変化具合が検知可能であり、ユーザの心理状態(怒っている等)が把握できる。また、脈拍センサからは、ユーザの脈拍を検知できる他に、血液中の酸素飽和度も測定可能である。さらに、血糖値等も推定することが可能であり、ユーザの健康状態が把握できる。また、脈拍の間隔からユーザの心理状態もある程度推定可能である。なお、脈拍センサは、赤外/赤色LEDと半導体フォトダイオードの組み合わせで構成される。一方、加速度センサは、3軸方向の加速度センサから構成され、ユーザの姿勢や動き等が推定できる。小電力無線インタフェース経由により、診断結果等を、小電力無線インタフェース内蔵の腕時計、ヘッドセット、携帯電話等に送信して、ユーザに通知することが可能である。   Among the sensors, the GSR electrode can detect the change in the electrical impedance of the skin detected via the electrode, and can grasp the user's psychological state (eg, angry). In addition to detecting the user's pulse, the pulse sensor can also measure oxygen saturation in blood. Furthermore, it is possible to estimate the blood sugar level and the like, and the user's health condition can be grasped. In addition, the user's psychological state can be estimated to some extent from the pulse interval. The pulse sensor is composed of a combination of an infrared / red LED and a semiconductor photodiode. On the other hand, the acceleration sensor is composed of a triaxial acceleration sensor and can estimate the user's posture and movement. Via a low-power wireless interface, it is possible to send a diagnosis result or the like to a wristwatch, headset, mobile phone, or the like with a built-in low-power wireless interface to notify the user.

一方、半導体プロセスの微細化に伴い、簡単なRF回路、低機能のCPU、及び、低容量のメモリ(不揮発メモリ等)を、数mm平方以下の半導体集積回路に集積したRFIDチップが、日経エレクトロニクス2002年2月25日号、pp.112〜pp.137(以下、「非特許文献1」という。)に開示されている。非特許文献1には、RFIDチップがチップ内の不揮発メモリに固有のIDを書き込み、そのIDをRFリーダ経由で外部に読み出して、バーコード等と同様に商品等の識別タグとして利用できる旨が開示されている。RFIDリーダーからIDを読み取る場合には、高周波をRFIDチップに照射し、RFIDチップに接続されたコイルとコンデンサから構成されたLC共振回路のQ値の変化を検出することにより、非接触で実現される。
RFIDチップには、単なるID以外に、商品についての情報等を不揮発メモリに書き込むことも可能である。例えば、特開2001−187611号公報(以下、「特許文献3」という。)には、食品(例えば、ビール樽等。)流通管理システムへの応用例が開示されている。特許文献3では、RFIDチップ、センサボード、及び、小型電池から構成されたセンサ付きIDタグをビール樽に埋め込んで、センサボードで読み取られたビール樽の温度を随時RFIDチップ内の不揮発メモリに書き込んで蓄積する。最終的に、ユーザに届けられた際に、ユーザ側でRFリーダにて流通時の温度情報を読み出す。このような構成により、不適切な温度条件で放置されていなかったか等の情報を電子的に記録し、その記録情報を読み出すことができる。
一方、特開2002−58648号公報(以下、「特許文献4」という。)には、RFIDチップを位置検出に応用した例が開示されている。この例では、マウス等の実験用小動物にRFIDチップを付ける。同時に、マウスの飼育箱を升目状の細かいエリアに区切り、エリア毎にRFIDリーダーを複数配置する。複数のRFIDリーダーのうち、どのRFIDリーダーで読み取られたかを記録することにより、マウスの動きを検出する。さらに、RFIDチップのID情報を活用することにより、個々のマウスを判別することが可能である。このような構成により、どのマウスがどのように活動しているのかを把握することができる。
On the other hand, with the miniaturization of semiconductor processes, an RFID chip in which a simple RF circuit, a low-function CPU, and a low-capacity memory (nonvolatile memory, etc.) are integrated in a semiconductor integrated circuit of several millimeters square or less has become Nikkei Electronics. February 25, 2002, pp. 112-pp. 137 (hereinafter referred to as “Non-Patent Document 1”). Non-Patent Document 1 states that an RFID chip can write a unique ID to a nonvolatile memory in the chip, read the ID to the outside via an RF reader, and use it as an identification tag for a product, etc., like a barcode. It is disclosed. When reading an ID from an RFID reader, it is realized in a non-contact manner by irradiating the RFID chip with a high frequency and detecting a change in the Q value of an LC resonance circuit composed of a coil and a capacitor connected to the RFID chip. The
In addition to simple IDs, information about products and the like can be written in the nonvolatile memory in the RFID chip. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-187611 (hereinafter referred to as “Patent Document 3”) discloses an application example to a food (for example, beer barrel) distribution management system. In Patent Document 3, an ID tag with a sensor composed of an RFID chip, a sensor board, and a small battery is embedded in a beer barrel, and the temperature of the beer barrel read by the sensor board is written to a nonvolatile memory in the RFID chip as needed. Accumulate with. Finally, when it is delivered to the user, temperature information during distribution is read by the RF reader on the user side. With such a configuration, it is possible to electronically record information such as whether it has not been left under an inappropriate temperature condition, and to read the recorded information.
On the other hand, Japanese Patent Laid-Open No. 2002-58648 (hereinafter referred to as “Patent Document 4”) discloses an example in which an RFID chip is applied to position detection. In this example, an RFID chip is attached to a small experimental animal such as a mouse. At the same time, the mouse breeding box is divided into fine grid-like areas, and a plurality of RFID readers are arranged in each area. The movement of the mouse is detected by recording which RFID reader is read out of the plurality of RFID readers. Furthermore, it is possible to identify individual mice by utilizing the ID information of the RFID chip. With such a configuration, it is possible to grasp which mouse is active and how.

また、このような小型の半導体チップを体内に埋め込んで、ユーザの補助に役立てようという試みも提案されている。例えば、特開平5−293128号公報(以下、「特許文献5」という。)には、小型チップを発声器官に埋め込み、発声器官の振動を検知して、RFにて外部の擬似音声発生装置に送信して、ユーザの発声を代行するというアイデアが開示されている。上記チップを、咽頭、喉頭、気道、顔面、口腔、鼻腔等の複数箇所に埋め込み、チップ内の振動センサにより各部の振動を検知して、擬似音声発生装置にてユーザが発語したい音声を分析することが実現される。何らかの障害により、発声器官を損傷したユーザの補助に役立てることが可能となる。   There has also been proposed an attempt to embed such a small semiconductor chip in the body to help the user. For example, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-293128 (hereinafter referred to as “Patent Document 5”), a small chip is embedded in a voicing organ, vibrations of the voicing organ are detected, and an external pseudo sound generating device is detected by RF. The idea of transmitting and acting on behalf of a user's utterance is disclosed. The chip is embedded in multiple locations such as the pharynx, larynx, respiratory tract, face, oral cavity, and nasal cavity, and the vibration of each part is detected by the vibration sensor in the chip, and the voice that the user wants to speak is analyzed by the pseudo-voice generator Is realized. Any obstacle can be used to assist a user who has damaged the vocal organs.

なお、IEEE Computer July 2000、pp.42〜48(以下、「非特許文献2」という。)には、床、壁、人体等は微小ながらも常に振動しており、通常、〜mW/cmのエネルギー密度を有している旨が開示されている。 In addition, IEEE Computer July 2000, pp. In 42 to 48 (hereinafter referred to as “Non-Patent Document 2”), the floor, wall, human body, etc. are constantly vibrating although they are minute, and usually have an energy density of ˜mW / cm 3 . Is disclosed.

IEEE TRANSACTIONS ON VERY LARGE SCALE INTEGRATUION SYSTEMS、VOL.9、NO.1、FEBRUARY 2001、pp.64〜pp.75(以下、「非特許文献3」という。)には、電力回収回路の構成が開示されている。   IEEE TRANSACTIONS ON VERY LARGE SCALE INTEGRATION SYSTEMS, VOL. 9, NO. 1, FEBRUARY 2001, pp. 64-pp. 75 (hereinafter referred to as “Non-Patent Document 3”) discloses a configuration of a power recovery circuit.

EDN Japan、2002.5号、pp.55〜pp.61(以下、「非特許文献4」という。)には、MEMSプロセスによって形成された高周波スイッチが開示されている。   EDN Japan, No. 2002.5, pp. 55-pp. 61 (hereinafter referred to as “Non-Patent Document 4”) discloses a high-frequency switch formed by a MEMS process.

日経エレクトロニクス2002年3月11日号、pp.55〜pp.66(以下、「非特許文献5」という。)には、超広帯域無線通信方式であるUWB(Ultra Wide Band)について開示されている。また、非特許文献5には、UWBにおけるデータ受信の際には、受信機のパルスジェネレータから供給されるパルス列と受信したパルス列との相関をとる相関器が必要となる旨が開示されている。   Nikkei Electronics March 11, 2002, pp. 55-pp. 66 (hereinafter referred to as “Non-Patent Document 5”) discloses UWB (Ultra Wide Band) which is an ultra-wideband wireless communication system. Non-Patent Document 5 discloses that a correlator for correlating the pulse train supplied from the pulse generator of the receiver with the received pulse train is required when receiving data in UWB.

IEEE Proc. Circuits Devices Syst.,Vol.148、No.6、 Decemeber 2001(以下、「非特許文献6」という。)には、電磁誘導を利用して発電を行う発電機が開示されている。   IEEE Proc. Circuits Devices Syst. , Vol. 148, no. 6, December 2001 (hereinafter referred to as “non-patent document 6”) discloses a power generator that generates power using electromagnetic induction.

特開2001−327472号公報JP 2001-327472 A 特開2001−344352号公報JP 2001-344352 A 特開2001−187611号公報JP 2001-187611 A 特開2002−58648号公報JP 2002-58648 A 特開平5−293128号公報Japanese Patent Laid-Open No. 5-293128 日経エレクトロニクス2002年2月25日号、pp.112〜pp.137Nikkei Electronics February 25, 2002, pp. 112-pp. 137 IEEE Computer July 2000、pp.42〜48IEEE Computer July 2000, pp. 42-48 IEEE TRANSACTIONS ON VERY LARGE SCALE INTEGRATUION SYSTEMS、VOL.9、NO.1、FEBRUARY 2001、pp.64〜pp.75IEEE TRANSACTIONS ON VERY LARGE SCALE INTEGRATION SYSTEMS, VOL. 9, NO. 1, FEBRUARY 2001, pp. 64-pp. 75 EDN Japan、2002.5号、pp.55〜pp.61EDN Japan, No. 2002.5, pp. 55-pp. 61 日経エレクトロニクス2002年3月11日号、pp.55〜pp.66Nikkei Electronics March 11, 2002, pp. 55-pp. 66 IEEE Proc. Circuits Devices Syst.,Vol.148、No.6、 Decemeber 2001IEEE Proc. Circuits Devices Syst. , Vol. 148, no. 6, December 2001

特許文献1及び2に開示されているPVA機器は、汎用のCPUとセンサを組み合わせたボードでPVA機器を構成しているため、高価な医療機器を使わなくても手軽に健康管理ができるようになる。しかし、このようなPVA機器では、センサボードとメインボードそれぞれに電池が必要であり、ある程度以上の重量(〜数100グラム)になってしまう。また、複数の半導体集積回路その他の部品をボード上にアセンブルして構成するため、ある程度以上の大きさ(〜カードサイズ)が必要である。このため、長時間使用するには、ユーザの身体に与える負担が大きい。また、電池を電源としているため、電池交換の手間が必要である。さらに、各々のセンサボードとメインボード間は、小電力無線インタフェースにより無線接続されているが、センサとセンサボード間は通常のワイヤで接続されているため、使い勝手及び耐久性の面でやや問題がある。   Since the PVA device disclosed in Patent Documents 1 and 2 is composed of a board that combines a general-purpose CPU and a sensor, health management can be easily performed without using an expensive medical device. Become. However, in such a PVA device, a battery is required for each of the sensor board and the main board, and the weight becomes a certain level (up to several hundred grams). In addition, since a plurality of semiconductor integrated circuits and other components are assembled on the board, a certain size (˜card size) is required. For this reason, when using for a long time, the burden given to a user's body is large. In addition, since the battery is used as a power source, it is necessary to replace the battery. Furthermore, each sensor board and the main board are wirelessly connected by a low-power wireless interface. However, since the sensor and the sensor board are connected by ordinary wires, there are some problems in terms of usability and durability. is there.

一方、非特許文献1に開示されているRFIDチップは、電池が不要であるとともに小型でもある。このため、マウス等の小動物から人間や食品等の商品に至るまで、数多くのものに装着可能である。しかし、従来の技術で説明したとおり、LC共振回路のQ値をコントロールすることによりRFIDリーダーに信号を送信するため、外部のインダクタLに、使用するRF信号の波長(=1/周波数)に応じた大きさのものが必要となる。また、独自の電源を持たないため、動作可能時は、RFIDリーダーでRF信号を照射された時のみである。このため、PVA機器に必要とされるように長時間に渡ってユーザの生体情報(体温、脈拍等)を検知する用途には適さない。   On the other hand, the RFID chip disclosed in Non-Patent Document 1 does not require a battery and is small. For this reason, it can be attached to many things from small animals such as mice to products such as humans and foods. However, as described in the prior art, since the signal is transmitted to the RFID reader by controlling the Q value of the LC resonance circuit, the external inductor L depends on the wavelength (= 1 / frequency) of the RF signal to be used. A large size is required. Further, since it does not have its own power source, the operation is possible only when the RF signal is emitted from the RFID reader. For this reason, it is not suitable for the use which detects a user's biometric information (body temperature, a pulse, etc.) over a long time so that it may be needed for PVA equipment.

また、特許文献3に開示されているビール樽向けRFIDタグは、長時間の使用を可能とするために、小型電池とともに使用されるものである。しかしこの結果、RFIDチップの大きさはボードサイズとなってしまい、RFIDチップの「小型軽量でどこにでもタグとしてつけられる」という特徴が犠牲にされている。   Moreover, the RFID tag for beer barrels disclosed in Patent Document 3 is used with a small battery in order to enable long-time use. However, as a result, the size of the RFID chip becomes the board size, and the feature of the RFID chip that is “small and light and can be attached anywhere as a tag” is sacrificed.

特許文献4では、マウスの動きの検出にRFIDチップを利用しているが、升目毎に配置したRFIDリーダーから常時RF信号を送信し続ける必要がある。RFIDリーダーから送信されるRF信号は、数100mW程度であり、全体を合わせるとかなりの電力になり、低消費電力化を図るのは困難である。   In Patent Document 4, an RFID chip is used to detect the movement of a mouse. However, it is necessary to continuously transmit an RF signal from an RFID reader arranged for each cell. The RF signal transmitted from the RFID reader is about several hundreds mW, and the total power becomes considerable and it is difficult to reduce the power consumption.

特許文献5には、小型の半導体チップを人体に埋め込んで発声器官の代用をさせようとするアイデアが開示されている。しかし、半導体チップを埋め込む際には人体の切除が必須となるため、ユーザへの身体的負担及び心理的負担は大きいものと考えられる。また、特許文献5には、埋め込む半導体チップの具体的な構成、特に、電池を埋め込まない場合に半導体チップの電源をどうするのかという点について、全く開示されていない。   Patent document 5 discloses an idea of substituting a vocal organ by embedding a small semiconductor chip in a human body. However, since the excision of the human body is indispensable when embedding the semiconductor chip, it is considered that the physical burden and psychological burden on the user are large. Further, Patent Document 5 does not disclose a specific configuration of the semiconductor chip to be embedded, in particular, what to do with the power supply of the semiconductor chip when the battery is not embedded.

本発明の目的は、発電機等を内蔵し長時間動作可能で、無線信号により外部機器に検知データを送信できる、小型・軽量のセンサシステム用半導体装置を提供することである。   An object of the present invention is to provide a small and lightweight semiconductor device for a sensor system that has a built-in generator and can operate for a long time and can transmit detection data to an external device by a radio signal.

さらに、本発明の他の目的は、上記センサシステム用半導体装置を用いた、小型の健康管理機器、動き検出装置、食品流通管理装置、及び、家電等の機器の制御装置等を提供することにある。   Furthermore, another object of the present invention is to provide a small health management device, a motion detection device, a food distribution management device, a control device for appliances such as home appliances, etc. using the sensor system semiconductor device. is there.

本発明の代表的なものは下記のとおりである。すなわち、計測の対象となる物理量を検知するセンサと、前記センサにより検知した信号を増幅してディジタル信号に変換するA/D変換回路と、前記ディジタル信号を処理するマイクロプロセッサと、前記センサにより得た情報を格納するメモリと、前記マイクロプロセッサにより処理した信号を外部へ送信する送信回路と、前記センサ、前記A/D変換回路、前記マイクロプロセッサ、前記メモリ、及び、前記送信回路に、電力を供給するための電力発生装置とを有する半導体装置である。   The typical ones of the present invention are as follows. That is, a sensor that detects a physical quantity to be measured, an A / D conversion circuit that amplifies the signal detected by the sensor and converts the signal into a digital signal, a microprocessor that processes the digital signal, and a sensor. A memory for storing received information, a transmission circuit for transmitting a signal processed by the microprocessor to the outside, and power to the sensor, the A / D conversion circuit, the microprocessor, the memory, and the transmission circuit. A semiconductor device having a power generation device for supply.

また、本発明の他の代表的なものは、温度センサ、加速度センサ、及び、赤色/赤外光センサを有するセンサと、前記センサからの信号を増幅してディジタル量に変換するA/D変換回路と、前記センサから情報を取り出して、該情報を加工するマイクロプロセッサと、前記マイクロプロセッサのプログラムコード、及び、前記センサからの前記情報を格納するメモリと、前記マイクロプロセッサに制御され、外部との通信を行う送信回路と、前記センサ、前記A/D変換回路、前記マイクロプロセッサ、前記メモリ、及び、前記送信回路の各回路に、電源を供給するか否かを制御する電源制御回路と、力学振動による可変容量コンデンサの静電エネルギーの増加分を回収して電気エネルギーに変換する電力回収回路とを有し、前記センサ、前記A/D変換回路、前記マイクロプロセッサ、前記メモリ、前記送受信回路、及び、前記電源制御回路は、一つの半導体基板の上に形成されている半導体装置である。   Another representative example of the present invention is a sensor having a temperature sensor, an acceleration sensor, and a red / infrared light sensor, and an A / D conversion that amplifies a signal from the sensor and converts it into a digital quantity. A circuit, a microprocessor that extracts information from the sensor and processes the information, a program code of the microprocessor, a memory that stores the information from the sensor, and a memory controlled by the microprocessor, A transmission circuit that performs communication, and a power control circuit that controls whether to supply power to each of the sensor, the A / D conversion circuit, the microprocessor, the memory, and the transmission circuit; A power recovery circuit that recovers an increase in electrostatic energy of the variable capacitor due to mechanical vibration and converts it into electrical energy, and the sensor, Serial A / D converter circuit, the microprocessor, the memory, the transceiver circuit, and said power supply control circuit is a semiconductor device which is formed on a single semiconductor substrate.

また、本発明のもう一つの代表的なものは、マイクロプロセッサと、情報を格納するメモリと、前記マイクロプロセッサと外部との通信を行う送受信回路とが一つの半導体基板の上に形成されている半導体装置であって、前記半導体装置は、前記マイクロプロセッサ、前記メモリ、及び、前記送受信回路に電力を供給するための電力発生装置を有し、前記半導体装置は、第1外部から第1データを受信し、受信した該第1データを処理して第2データへ変換し、該第1外部とは異なる第2外部へ向けて、該第2データを送信する機能を有する半導体装置である。   In another representative embodiment of the present invention, a microprocessor, a memory for storing information, and a transmission / reception circuit for communicating between the microprocessor and the outside are formed on one semiconductor substrate. The semiconductor device includes a power generation device for supplying power to the microprocessor, the memory, and the transmission / reception circuit, and the semiconductor device receives first data from a first outside. A semiconductor device having a function of receiving, processing the received first data, converting it to second data, and transmitting the second data to a second external different from the first external.

センサ、マイクロプロセッサ、メモリ、送信回路、及び、電力発生装置を備えた本発明の構成を採用することにより、長時間の継続使用が可能で、小型軽量なセンサシステム用半導体装置を提供することができる。   By adopting the configuration of the present invention including a sensor, a microprocessor, a memory, a transmission circuit, and a power generation device, it is possible to provide a small and lightweight semiconductor device for a sensor system that can be used continuously for a long time. it can.

また、このセンサシステム用半導体装置は小型軽量であり、電池交換にも煩わされないため、長時間の装着が要求される健康機器等に適して用いられる。   In addition, since the sensor system semiconductor device is small and light and does not bother with battery replacement, it is suitable for use in health appliances that require long-time wearing.

また、電子ロボット玩具に自分の感情を伝えられる装置、操作者の意図を手振り等で家電機器等に伝達可能なリモコン装置、スポーツ競技の記録装置、または、食品の流通経路での温度状況を監視する記録装置等に応用することが可能となる。   Also, a device that can transmit your emotions to an electronic robot toy, a remote control device that can transmit the operator's intentions to home appliances, etc. by hand gestures, a sports competition recording device, or the temperature status of food distribution channels It can be applied to a recording device or the like.

以下、本発明の実施例につき、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図において、同一符号は同一または類似部分を示すものである。
(実施例1)
センサシステム用半導体装置すなわちセンサチップの構成の一実施例を図1(a)、(b)に示す。図1(a)には、センサチップの一方の主面を、また、図1(b)には、図1(a)とは逆の主面を示している。センサチップ(SCHIP1)は、第1の半導体集積回路(CHIP1)、第2の半導体集積回路(CHIP2)、発光ダイオード(LED)チップ(LED1)、コンデンサ(C1、C2、C3)、インダクタ(L1)、及び、これらを搭載するための基板(BO1)から構成される。このうち、基板(BO1)には、これらのチップ間を結線するための配線パターン、後述する高周波送受信回路で使用するアンテナ(ANT1〜4)パターン、及び、後述するセンサ回路(GS1)で使用する電極(GSR1〜4)パターン等が、銅あるいは金等の金属で描かれている。これらについては、通常、MCP(Multi Chip Package)チップとして用いられているのと同様のもので構成されている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the drawings, the same reference numerals indicate the same or similar parts.
Example 1
One embodiment of the configuration of a semiconductor device for a sensor system, that is, a sensor chip is shown in FIGS. FIG. 1A shows one main surface of the sensor chip, and FIG. 1B shows a main surface opposite to FIG. 1A. The sensor chip (SCHIP1) includes a first semiconductor integrated circuit (CHIP1), a second semiconductor integrated circuit (CHIP2), a light emitting diode (LED) chip (LED1), capacitors (C1, C2, C3), and an inductor (L1). And a substrate (BO1) for mounting them. Among these, the substrate (BO1) is used in a wiring pattern for connecting these chips, antenna (ANT1-4) patterns used in a high-frequency transmission / reception circuit described later, and a sensor circuit (GS1) described later. Electrode (GSR1-4) patterns and the like are drawn with a metal such as copper or gold. These are usually configured in the same manner as those used as an MCP (Multi Chip Package) chip.

センサチップの断面図を図2(a)、(b)に示す。図2に示されるように、第1の半導体集積回路(CHIP1)、及び、第2の半導体集積回路(CHIP2)は、本発明に特有な配置で基板(BO1)に搭載されている。すなわち、CHIP1、CHIP2は、基板上の同一面ではなく、それぞれ、第1の基版面(SIDE1)、及び、第2の基版面(SIDE2)に搭載されている。また、図2に示すように、これらの半導体集積回路チップ、コンデンサ、インダクタ、及び、基板は、防水樹脂(MO1)でモールドされており耐水性である。これらのモールドは、通常のMCPと同様のものが使用可能であるが、CHIP1の上面に、赤色/赤外光を透過する材質のモールド材により、本発明に特有な光学窓(PWIN1)を設置する点に特徴がある。より詳細には、この光学窓(PWIN1)は、基板MO1上に搭載されたLED1及びCHIP1上の専用の光学センサ上に設置される。これは、後述するように、LED1が発生する、赤色あるいは赤外光を外部に向けて照射し、CHIP1に設けられた専用の光学センサにより、反射光等を検知できるようにするためである。   2A and 2B are cross-sectional views of the sensor chip. As shown in FIG. 2, the first semiconductor integrated circuit (CHIP1) and the second semiconductor integrated circuit (CHIP2) are mounted on the substrate (BO1) in an arrangement unique to the present invention. That is, CHIP1 and CHIP2 are not mounted on the same surface on the substrate, but are mounted on the first base plate surface (SIDE1) and the second base plate surface (SIDE2), respectively. Further, as shown in FIG. 2, these semiconductor integrated circuit chip, capacitor, inductor, and substrate are molded with a waterproof resin (MO1) and are water resistant. These molds can be the same as ordinary MCPs, but an optical window (PWIN1) unique to the present invention is installed on the upper surface of CHIP1 with a mold material that transmits red / infrared light. There is a feature in the point to do. More specifically, the optical window (PWIN1) is installed on the LED1 mounted on the substrate MO1 and a dedicated optical sensor on the CHIP1. This is because, as will be described later, the red or infrared light generated by the LED 1 is irradiated outward and the reflected light or the like can be detected by a dedicated optical sensor provided in the CHIP 1.

また、図2(a)に示すように、コンデンサ(C1、C2、C3)及び、インダクタ(L1)には、通常のMCPチップで使用されているものと同様のチップ形態のものが使用可能である。なお、コンデンサについては、図2(b)に示すように、基板を多層基板で形成して、そのうちのいくつかの層をペアで使用する、積層コンデンサ(C1A、C2A、C3A)で構成することも可能である。   Further, as shown in FIG. 2A, the capacitors (C1, C2, C3) and the inductor (L1) can be used in the same chip form as that used in a normal MCP chip. is there. As shown in FIG. 2B, the capacitor is formed of a multilayer capacitor (C1A, C2A, C3A) in which the substrate is formed of a multilayer substrate and some of the layers are used in pairs. Is also possible.

これらの半導体集積回路(CHIP1、CHIP2)を用いたセンサチップ(SCHIP1)を使用することにより、小型・軽量の携帯型健康管理機器を実現することができる。センサチップを健康管理機器へ応用した一例を図3に示す。この実施例では、センサチップは、ばんそうこう等のシール(BA1)により、ユーザ(US1)の皮膚等(SKIN1)に装着するように構成されている。センサチップのSIDE1面を、ユーザの皮膚等に接触させるように装着する。このように装着することで、後述する各種センサにより、ユーザの体調または健康状態を検知することが可能となる。なお、この実施例ではばんそうこう等のシールBA1により装着しているが、皮膚等に接触させることができれば、必ずしもこれに限られない。例えば、腕時計の裏側にセンサチップを装着することによっても、実現可能である。   By using a sensor chip (SCHIP1) using these semiconductor integrated circuits (CHIP1, CHIP2), a small and lightweight portable health care device can be realized. An example in which the sensor chip is applied to a health care device is shown in FIG. In this embodiment, the sensor chip is configured to be attached to the skin (SKIN1) of the user (US1) by a seal (BA1) such as a plaster. The SIDE 1 surface of the sensor chip is mounted so as to contact the user's skin or the like. By wearing in this way, it becomes possible to detect a user's physical condition or a healthy state with the various sensors mentioned later. In this embodiment, it is attached by a seal BA1 such as a plaster, but it is not necessarily limited to this as long as it can be brought into contact with the skin or the like. For example, it can also be realized by mounting a sensor chip on the back side of a wristwatch.

検知されたデータは、第1の半導体集積回路CHIP1上にある、マイクロプロセッサCPU1、及び、高周波送信回路RF1を経由して、無線(WL1)により外部の健康モニタ(MONITOR1)等に送信される。第1の半導体集積回路(CHIP1)は、マイクロプロセッサ(CPU1)、メモリ(MEM1)、外部との通信を行う高周波送受信回路(RF1)、基板(BO1)上に設けられたアンテナ(ANT1〜4)の送受信等を切り替える高周波スイッチ(RW1)、温度センサ(TD1)、加速度センサ(AS1)、赤外/赤色光センサ(PD1)、インピーダンスセンサ(GS1)等で構成されるセンサ回路、センサからの信号を増幅してディジタル量に変換するA/D変換回路(AD1)、基板上に搭載された発光ダイオード(LED1)を駆動するドライバ(LD1)、上記CPU1、MEM1、RF1、RW1、TD1、AS1、PD1、GS1への電源供給を制御する電源制御回路(PC1)、PC1のオン/オフを制御するタイマ回路(TM1)、及び、コンデンサC1に蓄積された電荷量を監視する電荷監視回路(CW1)から構成される。   The detected data is transmitted wirelessly (WL1) to an external health monitor (MONITOR1) or the like via the microprocessor CPU1 and the high-frequency transmission circuit RF1 on the first semiconductor integrated circuit CHIP1. The first semiconductor integrated circuit (CHIP1) includes a microprocessor (CPU1), a memory (MEM1), a high-frequency transmission / reception circuit (RF1) that performs communication with the outside, and antennas (ANT1 to ANT4) provided on the substrate (BO1). Sensor circuit composed of a high-frequency switch (RW1) for switching transmission / reception, etc., a temperature sensor (TD1), an acceleration sensor (AS1), an infrared / red light sensor (PD1), an impedance sensor (GS1), etc., and a signal from the sensor A / D conversion circuit (AD1) that amplifies the signal and converts it into a digital quantity, a driver (LD1) that drives a light emitting diode (LED1) mounted on the substrate, the CPU1, MEM1, RF1, RW1, TD1, AS1, Power supply control circuit (PC1) for controlling power supply to PD1 and GS1, timer for controlling on / off of PC1 Road (TM1), and, and a charge monitor circuit for monitoring the amount of charge stored in the capacitor C1 (CW1).

マイクロプロセッサCPU1は、メモリMEM1上に格納されたプログラム(PR1)に従って、チップ上の各回路の動作モードを設定して制御して、各センサを駆動して検知を行う。また、後述するように、検知されたデータを圧縮する、または、ID情報を付加する等の加工を行った後に、上記高周波送信回路RF1経由で、無線にて外部に送信する。さらに、RF1内蔵の受信回路により、外部からの指令、例えば、マイクロプロセッサCPU1における動作モードのパラメータの設定変更が可能である。また、プログラムPR1に適切なプログラムコードを付加することにより、任意の処理を追加することが可能である。   The microprocessor CPU1 sets and controls the operation mode of each circuit on the chip in accordance with the program (PR1) stored on the memory MEM1, and performs detection by driving each sensor. Further, as will be described later, after processing such as compressing detected data or adding ID information, the data is transmitted to the outside wirelessly via the high-frequency transmission circuit RF1. Further, the setting of the command from the outside, for example, the parameter of the operation mode in the microprocessor CPU1, can be performed by the receiving circuit built in the RF1. Further, arbitrary processing can be added by adding an appropriate program code to the program PR1.

メモリMEM1は、プログラムPR1の以外にも、例えば、センサからの取得データや、マイクロプロセッサCPU1における動作モードのパラメータ等の情報を保持する。メモリMEM1は、典型的には、低消費電力でデータ保持可能なSRAMや、電源供給オフ時でもメモリ内容が保持されるNOR型あるいはAND型等のフラッシュメモリ等で構成される。しかし、低消費電力でメモリ内容が保持できれば、他のタイプのメモリも使用可能である。   In addition to the program PR1, the memory MEM1 holds information such as acquired data from the sensor and operating mode parameters in the microprocessor CPU1, for example. The memory MEM1 is typically configured by an SRAM capable of holding data with low power consumption, a NOR type or AND type flash memory or the like in which the memory contents are held even when the power supply is turned off. However, other types of memory can be used as long as the memory contents can be held with low power consumption.

第2の半導体集積回路(CHIP2)は、微弱な外部振動を電気エネルギーに変換する小型の発電チップである。非特許文献2に開示されているように、床、壁、人体等の外部振動エネルギーを利用すれば、0.1mW程度の発電が可能となる。以下、本発明の発電チップの動作を具体的に説明す場合の、電圧V(V0→V1)と静電エネルギる。   The second semiconductor integrated circuit (CHIP2) is a small power generation chip that converts weak external vibration into electric energy. As disclosed in Non-Patent Document 2, if external vibration energy such as a floor, a wall, a human body or the like is used, power generation of about 0.1 mW is possible. Hereinafter, the voltage V (V0 → V1) and electrostatic energy when the operation of the power generation chip of the present invention is specifically described.

発電チップCHIP2は、外部の振動により静電容量が変化する可変容量コンデンサ(CM1)、及び、電力回収回路(PC2)から構成される。電力回収回路PC2は、可変容量コンデンサCM1により外部振動の力学エネルギーから変換された電気エネルギーを回収して、基板上のコンデンサ(C3)を充電するように機能する。可変容量コンデンサCM1は、通常、MEMSプロセスによりシリコンチップ上に微細構造で構成される。具体的には、図1(b)に示すように、2つの固定電極(ST1、ST2)及び、可動電極(VT1)から構成される。このうち、可動電極(VT1)はアンカー(PN1〜4)以外のどこにも固定されておらず、CHIP2上に浮いている。このため、CHIP2がある加速度を持って振動等の運動をすると、これにより発生する慣性力により、2つの固定電極(ST1、ST2)間を振動する。この振動により、これらの電極間の距離が変わり、静電容量が変化する。   The power generation chip CHIP2 includes a variable capacitor (CM1) whose capacitance is changed by external vibration and a power recovery circuit (PC2). The power recovery circuit PC2 functions to recover the electrical energy converted from the dynamic energy of the external vibration by the variable capacitor CM1 and charge the capacitor (C3) on the substrate. The variable capacitor CM1 is usually configured with a fine structure on a silicon chip by a MEMS process. Specifically, as shown in FIG. 1B, it is composed of two fixed electrodes (ST1, ST2) and a movable electrode (VT1). Among these, the movable electrode (VT1) is not fixed anywhere other than the anchors (PN1 to PN4) and floats on the CHIP2. For this reason, when the CHIP2 moves with a certain acceleration, such as vibration, the inertial force generated thereby vibrates between the two fixed electrodes (ST1, ST2). This vibration changes the distance between these electrodes and changes the capacitance.

図4に示すのは、可変容量コンデンサ(CM1)の電荷Qを一定のQ1にして、外部振動によりCM1の静電容量がC1→C2(C2<C1)と変化したー(E1→E2)の変化を示す図である。このように、外部振動により静電容量が変化する結果、蓄えられる静電エネルギーが増加する(ΔE=E2−E1)。そして、この静電エネルギーの増加分ΔEを回収することにより、小型発電機としての機能を発揮する。   FIG. 4 shows that the capacitance Q of the variable capacitor (CM1) is set to a constant Q1, and the capacitance of CM1 is changed from C1 to C2 (C2 <C1) due to external vibration (E1 → E2). It is a figure which shows a change. Thus, as a result of the capacitance changing due to external vibration, the stored electrostatic energy increases (ΔE = E2-E1). And the function as a small generator is exhibited by collect | recovering this increase ΔE of electrostatic energy.

CHIP2に形成する電力回収回路の一実施例を図5に示す。この回路は、非特許文献3に開示されているものと同様の構成をしている。可変容量コンデンサCM1の他に、コンデンサC2、C3、インダクタL1、PMOSトランジスタTP1、NMOSトランジスタTN1、及び、これらのトランジスタのオン/オフのタイミングを制御するドライブ回路(PDR1)から構成される。ドライブ回路PDR1は、外部振動による可変容量CM1の静電容量の変化に応じて、図6に示すタイミング(T1〜T5)で、TN1及び、TP1のオン/オフを制御する。電力回収回路の動作は本発明の特徴部分ではないため、ここでは説明を省略する。発生した電力については、最終的には、コンデンサC3、ダイオードD3を経てVDD1ラインに供給され、第1の半導体集積回路CHIP1の電源制御回路PC1に接続されたコンデンサC1に充電される。なお、CM1に元となる電荷を供給するコンデンサC2には初期電荷を与える必要がある。この目的で、本発明のセンサチップにおいては、コンデンサC2の充電をアンテナ(ANT1〜4)及び、整流器(D2)を経由して、RFIDリーダー等により外部から誘導された高周波電力により非接触で充電を行う。   An embodiment of the power recovery circuit formed in CHIP2 is shown in FIG. This circuit has the same configuration as that disclosed in Non-Patent Document 3. In addition to the variable capacitor CM1, the capacitors C2 and C3, the inductor L1, the PMOS transistor TP1, the NMOS transistor TN1, and a drive circuit (PDR1) for controlling the on / off timing of these transistors. The drive circuit PDR1 controls on / off of TN1 and TP1 at the timings (T1 to T5) shown in FIG. 6 according to the change in the capacitance of the variable capacitor CM1 due to external vibration. Since the operation of the power recovery circuit is not a feature of the present invention, description thereof is omitted here. The generated power is finally supplied to the VDD1 line via the capacitor C3 and the diode D3, and charged to the capacitor C1 connected to the power supply control circuit PC1 of the first semiconductor integrated circuit CHIP1. Note that an initial charge must be applied to the capacitor C2 that supplies the original charge to CM1. For this purpose, in the sensor chip of the present invention, the capacitor C2 is charged in a non-contact manner by high frequency power induced from the outside by an RFID reader or the like via the antenna (ANT1 to 4) and the rectifier (D2). I do.

可変容量コンデンサCM1は、半導体プロセスとコンパチブルなMEMSプロセスで作成可能である。このため、1つの半導体集積回路に混載することも可能である。しかし、図4に示されるように、取り出される電気エネルギーは、コンデンサCM1の静電容量(最大容量C2と最小容量C1の差)、及び、初期電荷Qの2つの値に依存する。すなわち、コンデンサCM1の静電容量が大きいほど、また、初期電荷Qが大きいほど、大きな電気エネルギーを取り出すことができる。このため、静電容量は大きいものの方が好適であり、通常、数100pF程度のものが必要とされる。静電容量を大きくするには、図1に示すCM1の面積を大きくするほかに、櫛状に形成された電極間の溝の深さを深くする必要がある。このため、1cm×1cm×0.5mm(深さ)程度のサイズのものが必要とされる。   The variable capacitor CM1 can be formed by a MEMS process compatible with a semiconductor process. For this reason, it can also be mounted on one semiconductor integrated circuit. However, as shown in FIG. 4, the extracted electrical energy depends on two values of the capacitance of the capacitor CM1 (the difference between the maximum capacitance C2 and the minimum capacitance C1) and the initial charge Q. That is, the larger the electrostatic capacity of the capacitor CM1 and the larger the initial charge Q, the larger electric energy can be extracted. For this reason, a thing with a large electrostatic capacitance is suitable, and the thing of about several hundred pF is normally required. In order to increase the capacitance, in addition to increasing the area of CM1 shown in FIG. 1, it is necessary to increase the depth of the groove between the electrodes formed in a comb shape. For this reason, a size of about 1 cm × 1 cm × 0.5 mm (depth) is required.

なお、この溝はエッチングにより形成されるが、通常の半導体集積回路では、0.5mmエッチングは必要とされない。しかし、発電効率の点から考えると、溝は深ければ深いほど、より好ましい。一方、半導体集積回路を作成する際のコストを考えると、コンデンサCM1の面積は小さければ小さいほうがより好ましい。また、エッチングで削る溝も、それほど深くないほうがより好ましい。   This groove is formed by etching, but 0.5 mm etching is not required in a normal semiconductor integrated circuit. However, considering the power generation efficiency, the deeper the groove, the more preferable. On the other hand, in view of the cost for producing a semiconductor integrated circuit, the smaller the area of the capacitor CM1, the more preferable. Further, it is more preferable that the groove to be etched is not so deep.

この相反する問題を解決するため、本発明のセンサチップでは、図1に示すように、可変容量コンデンサCM1及び、発電制御回路と、それ以外の回路を別々の半導体集積回路で構成する。このような2チップ構成により、それぞれのチップに特化した専用プロセスにて作成することが可能となり、溝の深さも任意に形成できる。さらに、本発明に特有な構成として、これらのチップを、MCP構成で基板の裏表両面(SIDE1、SIDE2)に搭載する。このような構成により、可変容量コンデンサCM1の面積を、センサチップと同程度のサイズにまで大きくできるため、大容量のものが実現可能となる。さらに、図1に示すように、基板BO1の他のエリアに電力回収回路として必須となる、コンデンサ(C2、C3)、インダクタ(L1)、また、センサ回路で必要になるLEDチップ、GSR電極、さらに、高周波送受信回路で必要となるアンテナ等を、基板上に搭載するか、または、配線パターンとして形成できる。つまり、本発明に特有な図1の構成により、ほぼチップサイズの大きさ(〜1cm角以下)に、発電機、センサ、CPU、RFを集積したセンサシステムが実現可能となる。この結果、自律的なセンサシステムを実現することができる。   In order to solve this conflicting problem, in the sensor chip of the present invention, as shown in FIG. 1, the variable capacitor CM1, the power generation control circuit, and other circuits are configured by separate semiconductor integrated circuits. Such a two-chip configuration makes it possible to create a dedicated process specialized for each chip, and the groove depth can be arbitrarily formed. Furthermore, as a configuration peculiar to the present invention, these chips are mounted on the front and back sides (SIDE1, SIDE2) of the substrate in an MCP configuration. With such a configuration, since the area of the variable capacitor CM1 can be increased to the same size as the sensor chip, a large-capacity capacitor can be realized. Further, as shown in FIG. 1, capacitors (C2, C3), inductors (L1), which are essential as power recovery circuits in other areas of the substrate BO1, and LED chips, GSR electrodes required for the sensor circuit, Furthermore, an antenna or the like necessary for the high-frequency transmission / reception circuit can be mounted on the substrate or formed as a wiring pattern. In other words, the configuration of FIG. 1 that is unique to the present invention makes it possible to realize a sensor system in which a generator, a sensor, a CPU, and RF are integrated in a chip size (˜1 cm square or less). As a result, an autonomous sensor system can be realized.

以上のように、本発明のセンサチップにおいては、自律的に電源を得ることが可能である。しかし、従来の技術では、1cm角程度のサイズでは、発電電力は0.1mW程度に限られている。一方、CMOSプロセスで作成された半導体集積回路では、マイクロプロセッサ、メモリ(特にSRAM)は、クロック周波数を100KHz程度に下げることにより、消費電力を数10μWのオーダにまで押さえることが可能である。本実施例の場合、マイクロプロセッサが受け持つ一番重い処理は、データの圧縮、程度の作業であり、100KHz程度のクロック周波数でも十分処理可能である(例えば、クロック周波数100KHzならば、1秒間に10万サイクル命令を実行可能。1m秒間でも、100サイクル命令を実行可能である)。このため、上記発電チップにより電源を供給してプロセッサ、メモリその他を動作させることが可能である。   As described above, in the sensor chip of the present invention, a power source can be obtained autonomously. However, in the conventional technology, the generated power is limited to about 0.1 mW at a size of about 1 cm square. On the other hand, in a semiconductor integrated circuit created by a CMOS process, the microprocessor and memory (especially SRAM) can reduce power consumption to the order of several tens of μW by lowering the clock frequency to about 100 KHz. In the case of the present embodiment, the heaviest processing that the microprocessor is responsible for is data compression and work, and can be sufficiently processed even at a clock frequency of about 100 KHz (for example, if the clock frequency is 100 KHz, it is 10 per second). 10,000 cycle instructions can be executed (100 cycle instructions can be executed even in 1 msec). For this reason, it is possible to operate the processor, the memory and the like by supplying power from the power generation chip.

しかし、高周波により無線で外部と通信を行うには、例えば、低消費電力と言われている、Bluetooth等の小電力無線インタフェースでも、1mW程度のRF出力が必要とされている。実際には、供給電力をRFに変換するRFパワー付加効率が50%程度であるので、数mW程度の電力が必要になるものと予想される。このため、従来から、より低消費電力な無線方式が提案されているが、1mW程度の供給電力が必要とされている。このように、RF部分が電力を最も必要としており、上記発電チップからの微小電力そのままでは、高周波により外部と通信を行うのは困難である。   However, in order to communicate with the outside wirelessly by high frequency, for example, a low power wireless interface such as Bluetooth, which is said to have low power consumption, requires an RF output of about 1 mW. Actually, since the RF power added efficiency for converting the supplied power to RF is about 50%, it is expected that a power of about several mW is required. For this reason, conventionally, a wireless system with lower power consumption has been proposed, but a power supply of about 1 mW is required. As described above, the RF portion requires the most electric power, and it is difficult to communicate with the outside at a high frequency with the minute electric power from the power generation chip as it is.

この問題を解決するために、本発明では、コンデンサC1、タイマTM1、スイッチトランジスタTP2、電荷監視回路CW1、及び、電源制御回路PC1から構成された低消費電力動作方式を用いる。すなわち、CHIP1の各回路には常時通電せず、その代わりにコンデンサC1に発電電力を蓄える。タイマTM1により設定された時間間隔が経過したと判断された場合、あるいは、電荷監視回路CW1が十分な電力が蓄えられたと判断した場合のみに、電源制御回路PC1内のスイッチトランジスタを導通させ、他の回路に電力を供給する。つまり、間欠的に検知動作あるいは外部との通信を行う。この超低消費電力動作方式をより具体的に示したのが、図7に示す動作フローチャートである。   In order to solve this problem, in the present invention, a low power consumption operation system including a capacitor C1, a timer TM1, a switch transistor TP2, a charge monitoring circuit CW1, and a power supply control circuit PC1 is used. That is, each circuit of CHIP1 is not always energized, and instead, the generated power is stored in the capacitor C1. Only when it is determined that the time interval set by the timer TM1 has elapsed or when the charge monitoring circuit CW1 determines that sufficient power has been stored, the switch transistor in the power supply control circuit PC1 is made conductive. Supply power to the circuit. That is, intermittent detection operation or communication with the outside is performed. The operation flowchart shown in FIG. 7 shows the ultra-low power consumption operation method more specifically.

図7に示されるように、CPU1は常時スリープ状態P110にある。タイマTM1あるいは電荷監視回路CW1からの割り込みによりP120以降の動作状態に遷移する。動作状態においては、メモリMEM1に格納されたプログラムあるいは動作パラメータに従って以降の動作を決定する。例えば、動作パラメータがデータの検知ならば、データセンスルーチンP200を呼び出し、センサ駆動/サブルーチンP210、データ取り出し/加工(圧縮等)サブルーチンP220、データ書き込みサブルーチンP230を順次実行し、センサからデータを取得し、メモリにデータを書き込む。一方、動作パラメータがデータ送信の場合には、データ送信ルーチンP300を呼び出し、データ読み出しサブルーチンP310、識別子生成サブルーチンP320、パケット生成サブルーチンP330、圧縮/変調サブルーチンP340、パケット送信サブルーチンP350を順次実行し、データを送信する。   As shown in FIG. 7, the CPU 1 is always in the sleep state P110. A transition from the timer TM1 or the charge monitoring circuit CW1 to an operation state after P120 is made by an interrupt. In the operation state, the subsequent operation is determined according to the program or operation parameter stored in the memory MEM1. For example, if the operation parameter is data detection, the data sense routine P200 is called, the sensor driving / subroutine P210, the data extraction / processing (compression etc.) subroutine P220, and the data writing subroutine P230 are sequentially executed to acquire data from the sensor. Write data to memory. On the other hand, when the operation parameter is data transmission, the data transmission routine P300 is called, and the data reading subroutine P310, the identifier generation subroutine P320, the packet generation subroutine P330, the compression / modulation subroutine P340, and the packet transmission subroutine P350 are executed in order. Send.

検知データは、図8(a)に示すように、識別子(PS1)+データ(PD1)から構成されたパケット(SPAT1)形式で送信される。このように、送信データに識別子を付加することにより、例えば、本発明のセンサチップが、複数同時に使用された場合においても、外部機器、例えば、図3のMONITOR1側で、どのセンサチップから来たデータなのか判別が可能になる。識別子PS1には、例えば、半導体集積回路CHIP1の出荷時において、メモリMEM1の不揮発メモリ部分に書き込まれた固有のID等チップ固有の情報を使用できる。さらに、図8(b)に示されるように、識別子PS1の他にも、例えば、この情報がセンサチップのどのセンサからの情報なのかの識別情報(センサ種別、PS2)を付加することも可能である。   As shown in FIG. 8A, the detection data is transmitted in a packet (SPAT1) format composed of an identifier (PS1) + data (PD1). In this way, by adding an identifier to transmission data, for example, even when a plurality of sensor chips of the present invention are used at the same time, which sensor chip comes from an external device, for example, the MONITOR1 side in FIG. It is possible to determine whether it is data. As the identifier PS1, for example, chip-specific information such as a unique ID written in the nonvolatile memory portion of the memory MEM1 when the semiconductor integrated circuit CHIP1 is shipped can be used. Further, as shown in FIG. 8B, in addition to the identifier PS1, for example, identification information (sensor type, PS2) from which sensor of the sensor chip can be added. It is.

また、動作モード設定ルーチンP120においては、この他にも、電荷監視回路CW1の充電状態を記録したレジスタCR1の読み出しや、あるいは、タイマTM1の時間間隔設定レジスタTR1の書き込みを行う。このようにすることにより、発電チップCHIP2の状況に合わせた動作設定が可能である。   In addition, in the operation mode setting routine P120, reading of the register CR1 in which the charge state of the charge monitoring circuit CW1 is recorded or writing of the time interval setting register TR1 of the timer TM1 is performed. By doing in this way, the operation | movement setting according to the condition of electric power generation chip CHIP2 is possible.

図9に示すのは、上記電源制御において使用する、本発明に特有な電源制御回路PC1、電荷監視回路CW1、及び、タイマTM1の構成である。この図に示すように、電源制御回路PC1は、制御論理回路PCC1、スイッチトランジスタTP2から構成される。電荷監視回路CW1あるいはタイマTM1からの信号EP1及び、EP2がローレベルの場合のみ、制御論理PCC1の出力がローレベルとなり、スイッチトランジスタTP2が導通状態となり、VDD2ラインに電源が供給される。その結果、VDD2から電源を供給されている、メモリMEM1、高周波送受信回路RF1、A/D変換回路AD1、センサその他の回路が起動する。   FIG. 9 shows the configuration of the power supply control circuit PC1, the charge monitoring circuit CW1, and the timer TM1 unique to the present invention used in the power supply control. As shown in this figure, the power supply control circuit PC1 includes a control logic circuit PCC1 and a switch transistor TP2. Only when the signals EP1 and EP2 from the charge monitoring circuit CW1 or the timer TM1 are at a low level, the output of the control logic PCC1 is at a low level, the switch transistor TP2 is turned on, and power is supplied to the VDD2 line. As a result, the memory MEM1, the high frequency transmission / reception circuit RF1, the A / D conversion circuit AD1, the sensor, and other circuits that are supplied with power from VDD2 are activated.

電荷監視回路CW1は、典型的には、抵抗R1、R2、基準電圧発生回路VREF1、及び、電圧比較回路COMP1で構成される。電圧比較回路COMP1により、以下の式で与えられるしきい値電圧Vt1と比較し、VDD1>Vt1の場合に、出力EP1をローレベル(=GNDレベル)にプルダウンする。   The charge monitoring circuit CW1 typically includes resistors R1 and R2, a reference voltage generation circuit VREF1, and a voltage comparison circuit COMP1. The voltage comparison circuit COMP1 compares with the threshold voltage Vt1 given by the following equation, and when VDD1> Vt1, the output EP1 is pulled down to a low level (= GND level).

Figure 0004485568
Figure 0004485568

この基準電圧VR0の電圧値は、バスインタフェースVCNT1経由で、CPU1から変更することも可能である。なお、VREF1、COMP1については、常時給電されるため、例えば、抵抗R1、R2には、高抵抗(数10MΩ以上)等で設計すること等が必要である。これらについては、CMOSプロセスで形成されるのが一般的である。   The voltage value of the reference voltage VR0 can be changed from the CPU 1 via the bus interface VCNT1. Since VREF1 and COMP1 are always supplied with power, for example, the resistors R1 and R2 need to be designed with a high resistance (several tens of MΩ or more). These are generally formed by a CMOS process.

タイマTM1は、発振回路OSC1、プリセットカウンタCOUNT1、COUNT1のプリセット値を保持するレジスタREG1、電荷監視回路CW1が規定電圧になるまでのカウント値を保持するレジスタREG2、及び、CPU1とのバスインタフェースTIF1で構成される。プリセットカウンタCOUNT1は、レジスタREG1に設定されたプリセット値までカウントアップし、出力EP2のローレベルの信号を出力する。このレジスタREG1、REG2の内容は、バスインタフェースTIF1経由で、CPU1から書き込みあるいは読み出しが可能である。なお、これらのレジスタの値は、図7のルーチンP130において設定される。これらの各回路は本発明特有なものではないのでここでは詳細については説明を省略する。なお、このタイマ回路も常時通電されるため、低電力化が必要である。低電力化には、発振回路OSC1の発振周波数を低く押さえるのが好適である。例えば、32KHz程度に設定することにより、タイマTM1の消費電流を、1μA以下に抑えることができる。   The timer TM1 is an oscillation circuit OSC1, a preset counter COUNT1, a register REG1 that holds a preset value of the COUNT1, a register REG2 that holds a count value until the charge monitoring circuit CW1 reaches a specified voltage, and a bus interface TIF1 with the CPU1. Composed. The preset counter COUNT1 counts up to a preset value set in the register REG1, and outputs a low level signal of the output EP2. The contents of the registers REG1 and REG2 can be written or read from the CPU 1 via the bus interface TIF1. Note that the values of these registers are set in the routine P130 of FIG. Since each of these circuits is not unique to the present invention, a detailed description thereof will be omitted here. Since this timer circuit is always energized, it is necessary to reduce the power consumption. In order to reduce the power consumption, it is preferable to keep the oscillation frequency of the oscillation circuit OSC1 low. For example, the current consumption of the timer TM1 can be suppressed to 1 μA or less by setting it to about 32 KHz.

PC1、CW1、TM1により実現される本発明の超低消費電力動作方式を図10に示す。図10に示されるように、半導体集積回路CHIP1の大部分の回路は、通常は動作しておらず(SLP)、短い時間のみ間欠的に動作する(OPR)。このような間欠動作ににより、前述した電力の問題も解決可能である。例えば、コンデンサC1には、典型的には、1μF程度のものが使用可能であり、例えば、1Vで充電すれば1μクーロンすなわち、1mA程度の電流を1m秒程度、供給可能である。つまり、コンデンサC1の充電電圧を数V(通常3V程度)と設定した場合には、RFパワー付加効率を50%とした場合にも、1mW程度の送信電力で外部にデータを送信することも実現可能である。一方、発電チップの発電電力を0.1mW、コンデンサC1の静電容量を1μFとした場合に、充電をするには、以下の計算式に基づく時間がかかる。   FIG. 10 shows an ultra-low power consumption operation method of the present invention realized by PC1, CW1, and TM1. As shown in FIG. 10, most of the circuits of the semiconductor integrated circuit CHIP1 are not normally operated (SLP) and operate intermittently (OPR) only for a short time. Such intermittent operation can also solve the power problem described above. For example, a capacitor of about 1 μF can be typically used as the capacitor C1. For example, when charged with 1 V, a current of about 1 μcoulomb, that is, about 1 mA can be supplied for about 1 ms. In other words, when the charging voltage of the capacitor C1 is set to several V (usually about 3V), even when the RF power added efficiency is set to 50%, data can be transmitted to the outside with a transmission power of about 1 mW. Is possible. On the other hand, when the generated power of the power generation chip is 0.1 mW and the capacitance of the capacitor C1 is 1 μF, charging takes time based on the following calculation formula.

Figure 0004485568
Figure 0004485568

余裕を見て充電に100m秒かかってとしても、1秒間に10回以上、チップを駆動して
、検知あるいは高周波により無線でデータを送信することが可能である。本実施例のように、健康管理機器に使用する場合は、検知に要求される間隔は、最短でも、1秒間に10回も取れれば充分であると考えられる(例えば、比較的周期が短い脈拍でも1秒程度の周期である)。このため、本発明のように、0.1秒(=100m秒)間隔で間欠動作を行ったとしても、実用上何の支障も来たさない。さらに、図7の動作モード設定ルーチンP120で、例えば、10回に1回だけに絞る等の設定を行うことも可能である。最も電力が要求されるデータ送信の頻度を減らせば、コンデンサC1に蓄えられた電荷の消費が押さえられ、充電にかかる時間を短縮でき、検知の回数を増やすことも可能である。このように、本発明のセンサチップでは、本発明に特有な電源制御回路と、MEMSプロセスで作成された超小型発電機を組み合わせることにより、電池なしで自律的に動作することが可能である。
Even if it takes 100 milliseconds to charge with a margin, it is possible to drive the chip 10 times or more per second and transmit data wirelessly by detection or high frequency. As in this embodiment, when used for a health care device, the interval required for detection is considered to be sufficient if it can be taken 10 times per second (for example, a pulse with a relatively short cycle). But the cycle is about 1 second). For this reason, even if intermittent operation is performed at intervals of 0.1 seconds (= 100 milliseconds) as in the present invention, there is no practical problem. Further, in the operation mode setting routine P120 of FIG. 7, for example, it is possible to perform setting such as limiting to only once in 10 times. If the frequency of data transmission that requires the most power is reduced, the consumption of electric charge stored in the capacitor C1 can be suppressed, the time required for charging can be shortened, and the number of detections can be increased. As described above, the sensor chip of the present invention can operate autonomously without a battery by combining the power supply control circuit unique to the present invention and the micro-generator created by the MEMS process.

図11に示すのは、より高い電源電圧が必要な場合に、本電源制御回路にて使用可能な昇圧レギュレータ(RG1)の構成例である。なお、このレギュレータは必ずしも必要なものではなく、例えば、発電チップの出力電圧を適切に設定すれば不要である。   FIG. 11 shows a configuration example of a boost regulator (RG1) that can be used in the power supply control circuit when a higher power supply voltage is required. Note that this regulator is not necessarily required. For example, it is not necessary if the output voltage of the power generation chip is appropriately set.

図12に示すのは、本発明のセンサチップにおける、第1の半導体集積回路上に作成される各種センサの構成である。以下、各センサの構成を説明する。図12(a)は、温度センサであり、ダイオードD4、定電流回路CS1、増幅器A1で構成される。増幅器A1によりダイオードD4の順方向電圧の温度による変動(A/D変換回路経由でマイクロプロセッサCPU1に読み込み、適温度係数:〜−2mV/℃)を測定し、後述する宜補正することにより、温度を測定する。これらの増幅器、定電流回路その他については、特に本発明に特有なものではないので、ここでは詳細な説明は省略する(以下でも同様)。本センサチップは非常に小型(典型的には、5mm角以下)であり、チップ自身の熱容量は、例えば、人体等と比べると無視できる値である。さらに、本センサチップは非常に低消費電力であるため、チップ自身の発熱は無視できる。このため、本センサチップを図3に示す形態で人体に接触させれば、本温度センサにより、正確に体温を測定することが可能である。なお、この図に示しているのは、温度センサの構成の一例であり、他の構成のセンサも使用可能である。   FIG. 12 shows the configuration of various sensors created on the first semiconductor integrated circuit in the sensor chip of the present invention. Hereinafter, the configuration of each sensor will be described. FIG. 12A shows a temperature sensor, which includes a diode D4, a constant current circuit CS1, and an amplifier A1. By measuring the fluctuation due to the temperature of the forward voltage of the diode D4 by the amplifier A1 (read into the microprocessor CPU1 via the A / D conversion circuit, the appropriate temperature coefficient: ˜−2 mV / ° C.), the temperature is corrected as described later. Measure. Since these amplifiers, constant current circuits and the like are not particularly specific to the present invention, detailed description thereof will be omitted here (the same applies hereinafter). This sensor chip is very small (typically 5 mm square or less), and the heat capacity of the chip itself is negligible compared to, for example, the human body. Furthermore, since this sensor chip has very low power consumption, the heat generation of the chip itself can be ignored. For this reason, if this sensor chip is brought into contact with the human body in the form shown in FIG. 3, the body temperature can be accurately measured by this temperature sensor. In addition, what is shown in this figure is an example of the structure of a temperature sensor, The sensor of another structure can also be used.

一方、加速度センサは、図12(b)に示されるように、MEMSプロセスで作成された可変容量コンデンサCAS1〜CAS4、及び、差動増幅器A2から構成される。この可変容量コンデンサは、前述した発電チップCHIP2上に構成される発電用コンデンサCM1と、基本的には同じ構造である。図1のCM1と同様に、加速度により生じた慣性力により、可動電極と固定電極間の距離が変わることによりCAS1〜CAS4の静電容量が変化する。例えば、図12(b)で、紙面の上から下へ向かう方向で加速度が生じたとすると、可動電極VT2及び、VT3は、紙面上方へ移動する。このため、CAS1及び、CAS3の静電容量は増加し、CAS2及び、CAS4の静電容量は減少する。したがって、B1の電位は上昇するが、逆に、B2の電位は下降することになる。この結果、差動増幅器A2の出力電位は上昇し、加速度が加わったことが検出できる。   On the other hand, as shown in FIG. 12B, the acceleration sensor includes variable capacitors CAS1 to CAS4 created by the MEMS process and a differential amplifier A2. This variable capacitor has basically the same structure as the power generation capacitor CM1 configured on the power generation chip CHIP2. Similar to CM1 in FIG. 1, the capacitances of CAS1 to CAS4 change due to the change in the distance between the movable electrode and the fixed electrode due to the inertial force generated by the acceleration. For example, in FIG. 12B, if acceleration occurs in the direction from the top to the bottom of the paper surface, the movable electrodes VT2 and VT3 move upward in the paper surface. For this reason, the capacitance of CAS1 and CAS3 increases, and the capacitance of CAS2 and CAS4 decreases. Therefore, the potential of B1 increases, but conversely, the potential of B2 decreases. As a result, the output potential of the differential amplifier A2 increases and it can be detected that acceleration has been applied.

このように、発電チップで使用する可変容量コンデンサCM1とは違い、本加速度センサでは容量の変化の相対値が重要であるので、大きな容量は必要とされない。このため、CPUその他の回路と同一の半導体集積回路上に集積することが可能である。なお、検出される電位差は、加えられた加速度に対して線形ではない。このため、場合によっては、後述するA/D変換回路経由でマイクロプロセッサCPU1に読み込んだ後に、CPU1でソフトウエア的に補正する必要がある。このような場合には、メモリMEM1に補正テーブルを格納しておくことが好適である。   Thus, unlike the variable capacitor CM1 used in the power generation chip, since the relative value of the change in the capacitance is important in the present acceleration sensor, a large capacitance is not required. Therefore, it can be integrated on the same semiconductor integrated circuit as the CPU and other circuits. Note that the detected potential difference is not linear with respect to the applied acceleration. For this reason, in some cases, it is necessary to perform correction by software in the CPU 1 after reading into the microprocessor CPU 1 via an A / D conversion circuit described later. In such a case, it is preferable to store the correction table in the memory MEM1.

本加速度センサを使用することにより、例えば、ユーザがどのような動作(座っている、歩いている、走っている)を行っているのかを把握することが可能となる。また、90度で直交する方向(XY方向)に2個使用することにより、二次元の加速度がわかり、ユーザがどちらの方向に向かおうとしているかというような情報が把握できる。さらに、例えば、ユーザの心拍測定等、単純に振動の有無を捉えるセンサとしても利用することが可能となる。   By using this acceleration sensor, for example, it is possible to grasp what kind of operation (sitting, walking, running) the user is performing. Moreover, by using two in 90 degrees and orthogonal directions (XY directions), two-dimensional acceleration is known, and information such as which direction the user is going can be grasped. Furthermore, for example, it can be used as a sensor that simply detects the presence or absence of vibration, such as measurement of a user's heartbeat.

図12(c)に示すのは、インピーダンスセンサの構成例である。定電流源CS2、増幅器A3により、本半導体集積回路の外部に設けられた電極GSR1、GSR2間の電圧降下を測定する。定電流源GS2に設定されている電流値で測定された電圧降下を除算することにより、この2つの電極間の電気インピーダンスを測定する。本インピーダンスセンサにより、例えば、ユーザの皮膚SKIN1の電気インピーダンスを測定することができる。マイクロプロセッサCPU1によるデータ処理を併用することにより、Galvanic Skin Reflexが求められ、ユーザの感情状態(怒っている、喜んでいる、悲しんでいる等)、または、ユーザのストレス状態を把握することが可能である。   FIG. 12C shows a configuration example of the impedance sensor. A voltage drop between the electrodes GSR1 and GSR2 provided outside the semiconductor integrated circuit is measured by the constant current source CS2 and the amplifier A3. The electrical impedance between the two electrodes is measured by dividing the voltage drop measured by the current value set in the constant current source GS2. With this impedance sensor, for example, the electrical impedance of the user's skin SKIN1 can be measured. In combination with data processing by the microprocessor CPU1, Galvanic Skin Reflex is required, and it is possible to grasp the user's emotional state (angry, delighted, sad, etc.) or the user's stress state. It is.

さらに、図12(d)に示すのは、脈拍センサの構成である。本脈拍センサは、フォトダイオードD5、負荷抵抗R4、及び、増幅器A4から構成される光学センサPD1、及び、光学センサPD1の光源となる基板上に搭載された赤色/赤外LED(LED1)、及び、バスインタフェースLIF1とLED1のドライブトランジスタTN3から構成されたドライブ回路LD1から構成される。本脈拍センサでは、測定時にのみ、バスBU1経由でマイクロプロセッサCPU1からの制御信号に基づいて、トランジスタTN3を導通させて、LED1を発光させ、ユーザの皮膚SKIN1に赤色光あるいは赤外光を照射する。照射光(LR1)の反射光/散乱光(LR2)その他をフォトダイオードD5にて受信する。増幅器A4で増幅後、A/D変換回路経由で、マイクロプロセッサCPU1で受信光の強度を測定して、血流量に応じた赤色光/赤外光の減衰量の推移(=脈拍)を測定する。なお、通常のLEDでは、十分な強度の赤外光あるいは赤色光を得るためには、少なくとも1mA程度のドライブ電流が必要である。このため、高周波送受信回路を駆動する場合と同様に、本脈拍センサもコンデンサC1に蓄積した電荷により間欠的に動作させる、本発明に特有な超低消費電力動作方式は必須である。   Further, FIG. 12D shows the configuration of the pulse sensor. This pulse sensor includes an optical sensor PD1 including a photodiode D5, a load resistor R4, and an amplifier A4, a red / infrared LED (LED1) mounted on a substrate serving as a light source of the optical sensor PD1, and The drive circuit LD1 includes the bus interface LIF1 and the drive transistor TN3 of the LED1. In this pulse sensor, only at the time of measurement, based on a control signal from the microprocessor CPU1 via the bus BU1, the transistor TN3 is turned on to cause the LED1 to emit light, and the user's skin SKIN1 is irradiated with red light or infrared light. . The reflected light / scattered light (LR2) of the irradiation light (LR1) and others are received by the photodiode D5. After amplification by the amplifier A4, the intensity of the received light is measured by the microprocessor CPU1 via the A / D conversion circuit, and the transition of the attenuation of red light / infrared light (= pulse) according to the blood flow is measured. . Note that a normal LED requires a drive current of at least about 1 mA in order to obtain sufficiently intense infrared light or red light. For this reason, as in the case of driving a high-frequency transmission / reception circuit, an ultra-low power consumption operation method peculiar to the present invention in which this pulse sensor is also intermittently operated by charges accumulated in the capacitor C1 is essential.

本脈拍センサの測定原理は、赤色光あるいは赤外光を、血液中のヘモグロビンが吸収するため、その吸収量(=光の減衰量)を測定すれば、どの程度の血液が皮膚中に流れているのかがわかるという原理に基づいている。また、ヘモグロビンの光吸収特性は、酸素を吸着している場合とそうでない場合に、吸収特性が変化することが知られており、赤外光と赤色光の2通りについてそれぞれの吸収値を測定すれば、簡単な数式により、血液中の酸素飽和度が推定できることが広く知られている。この酸素飽和度を活用すれば、血糖値その他が推定可能である。   The measurement principle of this pulse sensor is that red blood or infrared light is absorbed by hemoglobin in the blood. If the amount of absorption (= light attenuation) is measured, how much blood flows into the skin. It is based on the principle that you know if you are. In addition, the light absorption characteristics of hemoglobin are known to change depending on whether oxygen is adsorbed or not, and the respective absorption values of infrared light and red light are measured. Then, it is widely known that oxygen saturation in blood can be estimated by a simple mathematical formula. By utilizing this oxygen saturation, blood sugar level and the like can be estimated.

本発明のセンサチップにおいても、LEDを赤色あるいは赤外光の2系統用意して、時分割にて測定することにより、この酸素飽和度を測定することが可能である。また、脈拍間隔は、ユーザが緊張状態にある、または、リラックス状態にある等の感情状態と深い相関関係がある。本センサチップに搭載のマイクロプロセッサCPU1を活用することにより、単にユーザの脈拍のみではなく、ユーザの健康状態や、感情等についての情報を把握することが可能となる。   Also in the sensor chip of the present invention, it is possible to measure the oxygen saturation by preparing two systems of red or infrared light and measuring in time division. Further, the pulse interval has a deep correlation with an emotional state such that the user is in a tense state or in a relaxed state. By utilizing the microprocessor CPU 1 mounted on the sensor chip, it is possible to grasp not only the user's pulse but also information on the user's health condition, emotions, and the like.

以上のセンサの出力はアナログ値であるため、CPUに取り込んで、RF経由で無線で外部機器に送信するためには、ディジタル値に変換する必要がある。このアナログ値からディジタル値への変換は、それぞれのセンサの出力に、A/D変換器を接続すれば実現されるが、チップ面積や消費電力の点で、複数のA/D変換回路を設置するのは好ましくない。このため、図13に示すA/D変換回路にて、一括してディジタル値への変換を行うほうがより好ましい。   Since the output of the above sensor is an analog value, it is necessary to convert it into a digital value in order to capture it in the CPU and transmit it to an external device wirelessly via RF. This conversion from analog value to digital value can be realized by connecting an A / D converter to the output of each sensor, but multiple A / D conversion circuits are installed in terms of chip area and power consumption. It is not preferable to do so. For this reason, it is more preferable that the A / D conversion circuit shown in FIG.

図13に示すように、A/D変換回路(AD1)は、バスインタフェース回路ADIF1、A/D変換回路本体であるADC1、及び、SW1〜SW3で構成される入力切替スイッチASW、プログラマブルゲインコントロール増幅器PGA1、これらの回路の動作パラメータを設定するA/D変換制御回路ADCONT1から構成される。本発明に特有な入力切替スイッチASW、及び、プログラマブルゲインコントロール増幅器PGA1は、バスBU1経由でCPU1から送信される制御コマンドに応じて、制御回路ADCONT1にて動作パラメータを設定する。   As shown in FIG. 13, the A / D conversion circuit (AD1) includes a bus interface circuit ADIF1, an ADC 1 serving as the A / D conversion circuit body, an input changeover switch ASW including SW1 to SW3, and a programmable gain control amplifier. The PGA 1 includes an A / D conversion control circuit ADCONT 1 that sets operation parameters of these circuits. The input changeover switch ASW and the programmable gain control amplifier PGA1 unique to the present invention set operation parameters in the control circuit ADCONT1 in accordance with a control command transmitted from the CPU1 via the bus BU1.

例えば、温度を測定する場合には、測定に先立ち、CPU1により、入力切替スイッチASWがI1を選択(SW1:D1、SW3:D1)し、プログラマブルゲインコントロール増幅器PGA1の設定ゲインが温度センサに相応しいゲインになるように、バスBU1経由で、ADCONT1内の制御レジスタを設定する。このように設定することにより、温度センサの出力STをPGA1経由でA/D変換器に取り込んでディジタル値に変換し、バスインタフェースADIF1経由でCPUに取り込む。同様に、他のセンサの出力を読み込みたい場合には、ADCONT1内の制御レジスタに、目的のセンサに合わせたゲイン設定及び、入力切替スイッチ設定を書き込んで、ADC1を駆動する。このような構成により、チップサイズの増加を抑え、さらに、消費電力の増加を抑えることが可能である。   For example, when measuring temperature, prior to the measurement, the CPU 1 selects the input switch ASW I1 (SW1: D1, SW3: D1), and the set gain of the programmable gain control amplifier PGA1 is a gain suitable for the temperature sensor. The control register in the ADCONT1 is set via the bus BU1. By setting in this way, the output ST of the temperature sensor is taken into the A / D converter via PGA1, converted into a digital value, and taken into the CPU via the bus interface ADIF1. Similarly, when reading the output of another sensor, the ADC 1 is driven by writing the gain setting and the input switch setting corresponding to the target sensor in the control register in the ADCONT 1. With such a configuration, it is possible to suppress an increase in chip size and further suppress an increase in power consumption.

なお、入力切替スイッチを構成するSW1〜3には、アナログ信号をロスなく通過させるスイッチが必要であり、例えば、図14に示す、PMOSトランジスタ及び、NMOSトランジスタから構成されたパストランジスタタイプのスイッチが使用可能である。また、本センサチップでは、検知すべき情報が人体の生体情報に限られているので、A/D変換回路ADC1には、低速なタイプのもので十分である。   Note that the switches SW1 to SW3 constituting the input changeover switch require a switch that allows an analog signal to pass without loss. For example, a pass transistor type switch composed of a PMOS transistor and an NMOS transistor shown in FIG. It can be used. Further, in the present sensor chip, since the information to be detected is limited to the biological information of the human body, a low-speed type is sufficient for the A / D conversion circuit ADC1.

図15は、本発明のセンサチップにおいて、外部機器に検知した情報を送信するために使用する高周波送受信回路RF1、及び、RF1とアンテナ等との接続関係を切り替える高周波スイッチRW1の構成例を示した図である。高周波送受信回路RF1は、バスインタフェースRFIF1、送信に使用する変調回路MOD1、送信アンプPSA1、及び、受信に使用する復調回路DMOD1、受信アンプPRA1、及び、これらの回路の動作パラメータをCPU1によりバスインタフェースRFIF1により設定された制御レジスタの内容に応じて制御する制御回路RFCONT1から構成される。これらの各回路は特に本発明に特有なものではないので、ここでは詳細は説明しないが、データ送信時には、CPU1がRFCONT1内の制御レジスタを送信モードに設定し、バスインタフェース経由で変調器MOD1に送信データを送る。MOD1は送られてきたデータを元に発振回路VCO1で生成された搬送波を変調する。変調方式には、PSK(Phase Shift Keying)、QAM(Quadrature Amplitude Modulation)等の様々な方式が存在するが、本発明に特有なものではないので、ここでは詳細な説明は省略する。以上のようにして、変調された搬送波は、RFCONT1にてゲインコントロールされた送信アンプPSA1により増幅され、高周波切替スイッチRW1に送られる。   FIG. 15 shows a configuration example of a high-frequency transmission / reception circuit RF1 used for transmitting detected information to an external device and a high-frequency switch RW1 for switching the connection relationship between RF1 and an antenna or the like in the sensor chip of the present invention. FIG. The high frequency transmission / reception circuit RF1 includes a bus interface RFIF1, a modulation circuit MOD1 used for transmission, a transmission amplifier PSA1, a demodulation circuit DMOD1 used for reception, a reception amplifier PRA1, and operating parameters of these circuits by the CPU 1 via the bus interface RFIF1. The control circuit RFCONT1 is configured to control in accordance with the contents of the control register set by. Since each of these circuits is not particularly specific to the present invention, details will not be described here. However, at the time of data transmission, the CPU 1 sets the control register in the RFCONT 1 to the transmission mode and sends it to the modulator MOD1 via the bus interface. Send transmission data. MOD1 modulates the carrier wave generated by the oscillation circuit VCO1 based on the transmitted data. There are various modulation schemes such as Phase Shift Keying (PSK) and Quadrature Amplitude Modulation (QAM), but they are not specific to the present invention, so detailed description thereof is omitted here. As described above, the modulated carrier wave is amplified by the transmission amplifier PSA1 whose gain is controlled by the RFCONT1 and sent to the high frequency changeover switch RW1.

高周波スイッチRW1は、非特許文献4に開示されているように、通常、PINダイオードの半導体素子やCM1及びCASと同様に、半導体チップ表面にMEMSプロセスによって作成された微細接点等により構成される。コントロール端子RC1からの制御信号により、PINダイオードあるいはMEMS微細接点のバイアス電圧を制御して、RF信号の行き先を切り替える。具体的には、送信時には、CPU1経由で設定されたRFCONT1内部の設定レジスタの内容に従って、RC1端子経由で、RS1とRS3間が導通するように設定される。同様に、受信時には、RS3とRS2間を導通状態に設定して、復調回路DMOD1により、アンテナからの高周波信号を復調する。復調された信号は、バスインタフェースRFIF1経由でCPU1が読み取ることが可能である。以上の受信機能を、メモリMEM1内に格納される動作パラメータの設定に使用することもできる。例えば、センサチップの検知の起動間隔や、各センサの動作パラメータ(増幅器のゲイン等)を変更可能である。   As disclosed in Non-Patent Document 4, the high-frequency switch RW1 is generally configured by a semiconductor element of a PIN diode, a fine contact formed on the surface of a semiconductor chip by a MEMS process, and the like, like the CM1 and CAS. The bias signal of the PIN diode or the MEMS fine contact is controlled by the control signal from the control terminal RC1, and the destination of the RF signal is switched. Specifically, at the time of transmission, RS1 and RS3 are set to be conductive via the RC1 terminal according to the contents of the setting register inside RFCONT1 set via CPU1. Similarly, during reception, RS3 and RS2 are set in a conductive state, and the demodulation circuit DMOD1 demodulates a high frequency signal from the antenna. The demodulated signal can be read by the CPU 1 via the bus interface RFIF1. The above reception function can also be used for setting operation parameters stored in the memory MEM1. For example, it is possible to change the sensor chip detection start interval and the operational parameters (amplifier gain, etc.) of each sensor.

RW1は、データ送信時あるいはデータ受信時以外の場合においては、RS3とRS4が導通状態に設定される。このため、アンテナから受信した高周波電力は、整流器D2を通して発電チップに元となる電荷を供給するコンデンサC2、及び、整流器D1を通じて本センサチップの間欠動作を実現するコンデンサC1に蓄えられる。このように、本発明のセンサチップでは、外部からアンテナ経由で電力を供給することも可能である。   In RW1, RS3 and RS4 are set in a conductive state when data is not transmitted or received. For this reason, the high frequency power received from the antenna is stored in the capacitor C2 for supplying the original charge to the power generation chip through the rectifier D2, and the capacitor C1 for realizing the intermittent operation of the sensor chip through the rectifier D1. Thus, in the sensor chip of the present invention, power can be supplied from the outside via the antenna.

前述したように、RF送信には比較的大きな電力が必要である。このため、通常は、データの検知だけを実行し、メモリにデータを蓄えておき、例えば、1日に一回だけ、外部の健康管理機器(MONITOR1等)に送信するという方式により電力消費を抑えることも可能である。   As described above, RF transmission requires a relatively large amount of power. For this reason, normally, only the data detection is performed, the data is stored in the memory, and the power consumption is reduced by a method of transmitting the data to an external health management device (MONITOR 1 or the like) only once a day. It is also possible.

また、非特許文献5に開示されているような、超広帯域無線通信方式であるUWB(Ultra Wide Band)を用いることにより、さらなる低消費電力化も可能である。UWBでは、前述したPSKやASK等とは異なり、高周波パルス信号そのものを変調してデータを送受信する。例えば、送信したいデータが“1”の時はパルスを送出し、“0”の時は、パルスを100ps遅らせて送出する等により、パルス列を送信データにて変調する。このため、図16の高周波送受信回路RF2に示されるように、パルスを発生するパルスジェネレータPGEN1と、そのパルスを送出するかどうかをコントロールする変調器MOD2のみで構成可能である。すなわち、図15で示したPSKやQAM等の狭帯域の通信方式では必須であった送信アンプが不要となり、高周波送受信回路の回路規模を小さく抑えることが可能である。この結果、チップの製造コストを抑えられると同時に、チップの低消費電力化が実現できる。   Further, by using UWB (Ultra Wide Band), which is an ultra-wideband wireless communication system as disclosed in Non-Patent Document 5, further reduction in power consumption is possible. In UWB, unlike PSK and ASK described above, data is transmitted and received by modulating the high frequency pulse signal itself. For example, when the data to be transmitted is “1”, a pulse is transmitted, and when it is “0”, the pulse train is modulated with the transmission data by transmitting the pulse with a delay of 100 ps. Therefore, as shown in the high-frequency transmission / reception circuit RF2 of FIG. 16, it can be configured only by a pulse generator PGEN1 for generating a pulse and a modulator MOD2 for controlling whether or not to transmit the pulse. That is, a transmission amplifier that is essential in a narrowband communication method such as PSK or QAM shown in FIG. 15 is not required, and the circuit scale of the high-frequency transmission / reception circuit can be reduced. As a result, the manufacturing cost of the chip can be suppressed, and at the same time, the power consumption of the chip can be reduced.

さらに、UWBでは、比較的短い通信距離しか要求されない場合、RF送信電力を抑えることが可能である。このようなセンサチップでは、例えば、腕に貼り付けたセンサチップから、胸ポケットに入れた携帯型健康機器にデータを送信できれば十分である(例えば、通信距離は数10cm程度で十分である。)。このため、RF送信電力を、例えば、数10μWに設定することも可能である。このように、UWBは本発明のセンサチップにより望ましい無線通信方式である。   Further, in UWB, when only a relatively short communication distance is required, it is possible to suppress RF transmission power. In such a sensor chip, for example, it is sufficient if data can be transmitted from a sensor chip attached to an arm to a portable health device in a breast pocket (for example, a communication distance of about several tens of centimeters is sufficient). . For this reason, it is also possible to set RF transmission power to several 10 microwatts, for example. Thus, UWB is a desirable wireless communication method with the sensor chip of the present invention.

なお、UWBでは、データ受信の際に、相関器(図16のCOR1)が必要となる。この相関器は、通常、受信チップ内のパルスジェネレータから供給されるパルス列と、受信されたパルス列の相関をとる。具体的には、例えば、パルス列が100ps遅れた位置にあるかを検出して、データを再生する働きをする回路である。この相関器には、一般には、複数のA/D変換器が必要となり、複雑かつ規模の大きい回路が必要となる。このため、UWBの持つ「送信機が簡単に構成可能」という利点を十分生かすことができない可能性もある。   Note that UWB requires a correlator (COR1 in FIG. 16) when receiving data. This correlator usually correlates the pulse train supplied from the pulse generator in the receiving chip and the received pulse train. Specifically, for example, it is a circuit that detects whether the pulse train is at a position delayed by 100 ps and plays back data. This correlator generally requires a plurality of A / D converters, and requires a complicated and large-scale circuit. For this reason, there is a possibility that the advantage of “a transmitter can be easily configured” that UWB has cannot be fully utilized.

そこで、ハイブリット構成の高周波送受信回路RF3を図17に示す。この構成では、送信だけを図16で説明したUWB通信方式で行う(パルスジェネレータPGEN1、変調器MOD2)。一方、受信は、図15で説明したPSKやQAM等の狭帯域の通信方式で行う(受信アンプPRA3、発振器VCO1、復調器DMO3)。このようなハイブリット構成により、UWBの受信には必須であった複雑な相関器が不要になり、回路規模が小さく、かつ、消費電力(〜RF送信電力)を抑えることができる。このように、図17に示すハイブリット構成の高周波送受信回路RF3は、本発明の目的に好適な構成の送受信回路である。   Accordingly, FIG. 17 shows a high-frequency transmission / reception circuit RF3 having a hybrid configuration. In this configuration, only transmission is performed by the UWB communication method described in FIG. 16 (pulse generator PGEN1, modulator MOD2). On the other hand, reception is performed by the narrow band communication method such as PSK or QAM described with reference to FIG. 15 (reception amplifier PRA3, oscillator VCO1, demodulator DMO3). Such a hybrid configuration eliminates the need for a complex correlator essential for UWB reception, reduces the circuit scale, and suppresses power consumption (˜RF transmission power). As described above, the high-frequency transmission / reception circuit RF3 having a hybrid configuration shown in FIG. 17 is a transmission / reception circuit having a configuration suitable for the object of the present invention.

以上のセンサチップを用いて健康管理機器を構成したものを図3に示す。この図において、健康モニタMONITOR1は、通常、高周波送受信回路(RF10)、変復調回路(MOD10、DMOD10)、プロセッサ(CPU10)、メモリ(MEM10)、表示装置(DISP10)から構成される(図18)。これらの各回路については、本発明に特有なものではないのでここでは詳細な説明は省略する。   FIG. 3 shows a health management device configured using the above sensor chip. In this figure, the health monitor MONITOR1 is usually composed of a high frequency transmission / reception circuit (RF10), a modulation / demodulation circuit (MOD10, DMOD10), a processor (CPU10), a memory (MEM10), and a display device (DISP10) (FIG. 18). Since these circuits are not specific to the present invention, a detailed description thereof will be omitted here.

MONITOR1の動作フローチャートを図19に示す。データ読み取りルーチン(P400)及び、データ受信ルーチン(P410〜413)により、RF10にて、無線接続WL1経由でセンサチップからの信号を受信し、DMOD10にて復調してセンスデータ(SD1)を取り出す。   FIG. 19 shows an operation flowchart of MONITOR1. By the data reading routine (P400) and the data receiving routine (P410 to 413), the RF 10 receives a signal from the sensor chip via the wireless connection WL1, and the DMOD 10 demodulates and takes out the sense data (SD1).

以上のようにして復調されたセンスデータのデータ構造を図20に示す。図20に示すように、センスデータSD1は、チップID(CID)、センサID(SID)、データ(DATA)の組で構成され、どのチップのどのセンサからのデータなのかを判別できるように構成されている。以下、体調診断ルーチン(P420)にて、体調を診断し、結果表示ルーチン(P430)にて、診断結果をDISP10上に表示する。なお、図3及び、図19に示すように、体調診断ルーチンP420においては、無線接続WL2にて、携帯電話網あるいはインターネット等の広域ネットワーク網(WAN1)上に接続された健康情報データベースサーバ(DSV1、DB1)に接続して、体調情報を照会して、より正確な診断結果を得ることも可能である。   The data structure of sense data demodulated as described above is shown in FIG. As shown in FIG. 20, the sense data SD1 is composed of a set of a chip ID (CID), a sensor ID (SID), and data (DATA), and is configured so that it can be determined from which sensor of which chip. Has been. Thereafter, the physical condition is diagnosed in the physical condition diagnosis routine (P420), and the diagnosis result is displayed on the DISP 10 in the result display routine (P430). As shown in FIGS. 3 and 19, in the physical condition diagnosis routine P420, a health information database server (DSV1) connected to a wide area network (WAN1) such as a cellular phone network or the Internet through a wireless connection WL2. , DB1) to inquire about physical condition information and obtain a more accurate diagnosis result.

また、図21に示すように、センサチップの送受信手順を簡素化することも可能である。例えば、図21(a)は、データを検知したらメモリに蓄積せずにそのまま送信する例である。図21(b)は、チップID等の識別子データを加えずに、そのまま送信する例である。送受信手続きを簡素化することにより、例えば、メモリ容量を小さくでき、CPUの機能を削ってチップ面積及び電力を減らすことが可能である。このため、用途によっては、このような構成を取ることもできる。   Further, as shown in FIG. 21, it is possible to simplify the transmission / reception procedure of the sensor chip. For example, FIG. 21A shows an example in which when data is detected, it is transmitted as it is without being stored in the memory. FIG. 21B shows an example of transmitting as it is without adding identifier data such as a chip ID. By simplifying the transmission / reception procedure, for example, the memory capacity can be reduced, and the CPU area can be reduced to reduce the chip area and power. For this reason, such a structure can also be taken depending on a use.

以上のように、本発明のセンサチップを使用することにより、電池不要な小型かつ軽量のメンテナンスフリーな健康管理機器が実現できる。本発明のセンサチップを用いれば、ユーザが長時間装着することが可能となり、継続的にデータを取得できる健康管理機器が実現できる。また、本発明のセンサチップでは、チップ内にすべてのセンサを内蔵し、検知データは、無線にて外部に送信される。このため、センサと本体を接続するワイヤ等は全く必要がない。このため、非常に使い勝手がよく、ユーザは全く無負荷で本発明のセンサチップをつけて、各自の生体データを長時間継続的に取り続けることが可能である。また、半導体集積回路で作成することにより、大量生産が可能となる。このため、非常に安価な価格で製造することが可能となる。
(実施例2)
実施例1では、MCP構成により、本発明のセンサチップを構成する例を説明した。一方、MEMSプロセスは半導体プロセス互換であるため、MEMS可変容量コンデンサを、センサ、マイクロプロセッサ等の他の回路とともに、1チップ上に集積することが可能である。MEMS可変容量コンデンサをセンサ、マイクロプロセッサ等の他の回路と混載して形成したセンサチップを図22に示す。このような構成にしてもセンサチップの小型化を図ることができる。しかし、MEMS可変容量コンデンサに要求される面積は比較的大きい。このため、図22に示すような構成を採ると、大きなMEMS可変容量コンデンサを用いる場合には、センサチップの十分な小型化が図りにくい。
As described above, by using the sensor chip of the present invention, a small and lightweight maintenance-free health management device that does not require a battery can be realized. By using the sensor chip of the present invention, a user can wear it for a long time, and a health management device that can continuously acquire data can be realized. In the sensor chip of the present invention, all the sensors are built in the chip, and the detection data is transmitted to the outside wirelessly. For this reason, the wire etc. which connect a sensor and a main body are unnecessary at all. For this reason, it is very easy to use, and the user can attach the sensor chip of the present invention with no load at all and can continuously take their biometric data for a long time. In addition, mass production is possible by using a semiconductor integrated circuit. For this reason, it becomes possible to manufacture at a very inexpensive price.
(Example 2)
In Example 1, the example which comprises the sensor chip of this invention by MCP structure was demonstrated. On the other hand, since the MEMS process is compatible with a semiconductor process, a MEMS variable capacitor can be integrated on one chip together with other circuits such as a sensor and a microprocessor. FIG. 22 shows a sensor chip formed by mixing a MEMS variable capacitor with other circuits such as a sensor and a microprocessor. Even with this configuration, the sensor chip can be downsized. However, the area required for the MEMS variable capacitor is relatively large. For this reason, when the configuration shown in FIG. 22 is adopted, when a large MEMS variable capacitor is used, it is difficult to sufficiently reduce the size of the sensor chip.

そこで、小型化を図る上でより望ましい態様を図23(a)〜(c)に示す。これらの図において、各回路PC1、PC2、CPU1は、実施例1で説明したものと同様の構成である。このセンサチップでは、MEMS可変容量コンデンサをチップの裏面(SIDE2)に形成する。すなわち、チップの表面(SIDE1)にセンサ、マイクロプロセッサ等の回路を形成し、チップの裏面(SIDE2)にMEMS可変容量コンデンサを形成するという、分離型構造によりセンサチップを形成するものである。このような構造を採用することにより、半導体回路とMEMS可変容量コンデンサを同じ面に形成するセンサチップ(図22)と比較して、チップ面積をより小さくすることができる。   Therefore, a more desirable mode for miniaturization is shown in FIGS. In these drawings, the circuits PC1, PC2, and CPU1 have the same configuration as that described in the first embodiment. In this sensor chip, a MEMS variable capacitor is formed on the back surface (SIDE2) of the chip. That is, a sensor chip is formed by a separation type structure in which circuits such as a sensor and a microprocessor are formed on the front surface (SIDE 1) of the chip and a MEMS variable capacitor is formed on the back surface (SIDE 2) of the chip. By adopting such a structure, the chip area can be further reduced as compared with the sensor chip (FIG. 22) in which the semiconductor circuit and the MEMS variable capacitor are formed on the same surface.

また、チップの裏面にMEMS可変容量コンデンサを形成するという上記方法ではなく、MEMS可変容量コンデンサを他のチップ上にあらかじめ形成しておき、そのMEMS可変容量コンデンサが形成されているチップと、センサ、マイクロプロセッサ等が形成されているチップとの裏面同士を貼り合わせることにより、上記方法によるものと同程度まで面積を小さくしたセンサチップを実現することもできる。   Further, instead of the above method of forming the MEMS variable capacitor on the back surface of the chip, the MEMS variable capacitor is formed in advance on another chip, the chip on which the MEMS variable capacitor is formed, the sensor, By attaching the back surfaces of the chip on which a microprocessor or the like is formed, a sensor chip having a smaller area to the same extent as that obtained by the above method can be realized.

さらに、図には示さないが、センサ、マイクロプロセッサ等を集積したチップの表面(SIDE1)の上をパッシベーション膜で覆い、その上に、MEMS可変容量コンデンサを形成することによっても、面積をより小さくしたセンサチップを実現することが可能となる。
(実施例3)
実施例1では、図1に示すように、本発明のセンサチップに特有なMCP構成で、MEMS可変容量を使用した小型発電機、センサ、マイクロプロセッサ、メモリ、高周波回路、電源制御回路等を集積することにより、小型・軽量の健康管理機器を実現できることを示した。一方、これ以外にも、同程度のサイズで、0.1mW程度の電力を供給可能な発電機または電池が存在する。
Further, although not shown in the figure, the area can be further reduced by covering the surface of the chip (SIDE1) on which the sensor, the microprocessor, etc. are integrated with a passivation film and forming a MEMS variable capacitor thereon. It becomes possible to realize the sensor chip.
(Example 3)
In the first embodiment, as shown in FIG. 1, the MCP configuration unique to the sensor chip of the present invention is used to integrate a small generator, a sensor, a microprocessor, a memory, a high-frequency circuit, a power supply control circuit, and the like using a MEMS variable capacitor. By doing so, it was shown that a small and lightweight health care device can be realized. On the other hand, there are other power generators or batteries that have the same size and can supply about 0.1 mW of power.

例えば、電磁誘導を利用する発電機を用いた実施例を図24(a)、(b)に示す。図24(a)はチップ断面を、また、図24(b)は、チップ裏面を表している。この発電機は、非特許文献6に開示されているものと同様の構成である。基板BO2のSIDE2面に、中空の領域(=キャビティ)CA1を形成する。キャビティCA1内に、永久磁石MA1、及び、MA1を基板BO2に吊すスプリング等の支持材ST1を装備する。さらに、基板BO2のSIDE2面上に配線パターンによりスパイラルタイプのインダクタSL1を形成する。外部振動により支持材ST1で保持された永久磁石MA1が慣性運動を行い、この慣性運動による磁束の変化を電磁誘導の原理により、インダクタSL1により電気エネルギーに変換される。実施例1で説明した本発明の超低消費電力制御方式を併用することにより、実施例1と同様の小型センサチップを実現することができる。   For example, an embodiment using a generator utilizing electromagnetic induction is shown in FIGS. FIG. 24A shows a chip cross section, and FIG. 24B shows a chip back surface. This generator has the same configuration as that disclosed in Non-Patent Document 6. A hollow region (= cavity) CA1 is formed on the SIDE2 surface of the substrate BO2. In the cavity CA1, a permanent magnet MA1 and a support material ST1 such as a spring for suspending the MA1 on the substrate BO2 are provided. Further, a spiral type inductor SL1 is formed on the SIDE2 surface of the substrate BO2 by a wiring pattern. Permanent magnet MA1 held by support member ST1 due to external vibration performs inertial motion, and the change of magnetic flux due to this inertial motion is converted into electrical energy by inductor SL1 based on the principle of electromagnetic induction. By using together the ultra-low power consumption control method of the present invention described in the first embodiment, a small sensor chip similar to that in the first embodiment can be realized.

太陽電池BA3を使用してセンサチップを構成した実施例を図24(c)、(d)に示す。図24(c)はチップ断面を、また、図24(d)はチップ裏面を表している。基板BO3のSIDE2面に太陽電池を搭載する。この図に示すように、太陽電池BA3は、モールドMO3を露出させる必要がある。もしくは、CHIP1の上部に形成された光学窓PWIN1と同様の素材により、BA3上に光学窓を形成する必要がある。照射される光の強さにより変動するが、太陽電池自体は、0.05〜1mW/cm程度の発電能力を有する。使用時には、ある程度の光を照射する必要がある。このため、図24(c)に示すように、太陽電池BA3は人体に接触されるSIDE1面とは逆のSIDE2面に配置されることがより望ましい。 An embodiment in which a sensor chip is configured using the solar cell BA3 is shown in FIGS. FIG. 24C shows a chip cross section, and FIG. 24D shows a chip back surface. A solar cell is mounted on the SIDE2 surface of the substrate BO3. As shown in this figure, the solar cell BA3 needs to expose the mold MO3. Alternatively, it is necessary to form an optical window on BA3 by using the same material as optical window PWIN1 formed on the top of CHIP1. Although it varies depending on the intensity of the irradiated light, the solar cell itself has a power generation capacity of about 0.05 to 1 mW / cm 2 . In use, it is necessary to irradiate a certain amount of light. For this reason, as shown in FIG.24 (c), it is more desirable for solar cell BA3 to be arrange | positioned on the SIDE2 surface opposite to the SIDE1 surface which contacts a human body.

温度差で発電可能なゼーベック素子BA4を使用した実施例を図24(e)、(f)に示す。図24(e)はチップ断面を、また、図24(f)はチップ裏面を表している。ゼーベック素子は、半導体の一種であるN型BiTe及びP型BiTeから構成されるPN接合からなり、PN接合に温度差を与えると、起電力(〜20mV)が発生するという物理現象を利用して、熱エネルギーを電気エネルギーに変換する素子である。図24(e)に示すように、本実施例のセンサチップSCHIP5では、ゼーベック素子による発電機BA4は、基板BO4のSIDE2面に配置されている。このゼーベック素子の両端は、良好な熱伝導特性を有するヒートスプレッタHT1、HT2を介して、基板BO4あるいは外気と熱的に結合され、これらの温度差により発電を行う。このため図24(e)のように、ヒートスプレッタHT1、HT2間は、断熱材INS1により熱的に絶縁状態にする必要がある。実使用時には、図3に示すように、HT1側には人体の体温、HT2側には外気温という状態で使用され、ユーザの体温と外気温の差を利用して発電を行う。   Examples using the Seebeck element BA4 capable of generating power with a temperature difference are shown in FIGS. FIG. 24E shows a chip cross section, and FIG. 24F shows a chip back surface. The Seebeck element is composed of a PN junction composed of N-type BiTe and P-type BiTe, which are a kind of semiconductor, and utilizes a physical phenomenon that an electromotive force (˜20 mV) is generated when a temperature difference is given to the PN junction. An element that converts thermal energy into electrical energy. As shown in FIG. 24E, in the sensor chip SCHIP5 of the present embodiment, the generator BA4 based on the Seebeck element is arranged on the SIDE2 surface of the substrate BO4. Both ends of the Seebeck element are thermally coupled to the substrate BO4 or the outside air through heat spreaders HT1 and HT2 having good heat conduction characteristics, and power is generated by the temperature difference between them. Therefore, as shown in FIG. 24E, the heat spreader HT1 and HT2 must be thermally insulated by the heat insulating material INS1. In actual use, as shown in FIG. 3, the human body temperature is used on the HT1 side and the outside air temperature is used on the HT2 side, and power is generated using the difference between the user body temperature and the outside air temperature.

小型のボタン電池BA5を使用した実施例を図24(g)、(h)に示す。図24(g)はチップ断面を、また、図24(h)はチップ裏面を表している。図24(a)〜(f)に示す実施例とは異なり、発電機構を持たないため永遠に使用することはできない。しかし、ボタン電池は、時計で使われる小型のものでも20mAH程度の容量(LR41)があるため、本発明の低消費電力制御方式と併用すれば、電池交換せずに数年間使用することができる。   Examples using the small button battery BA5 are shown in FIGS. 24 (g) and 24 (h). FIG. 24G shows the cross section of the chip, and FIG. 24H shows the back surface of the chip. Unlike the embodiment shown in FIGS. 24A to 24F, since it does not have a power generation mechanism, it cannot be used forever. However, since the button battery has a capacity (LR41) of about 20 mAH even if it is a small one used in a watch, it can be used for several years without replacing the battery when used in combination with the low power consumption control method of the present invention. .

以上の実施例のとおり、本発明のセンサチップは、種々の発電機または電池により構成することが可能である。また、これらの異なるタイプの発電機または電池を組み合わせて使用することもできる。   As described above, the sensor chip of the present invention can be configured by various generators or batteries. These different types of generators or batteries can also be used in combination.

例えば、図1のMEMS可変容量型の発電機と、図24(g)、(h)のボタン電池を組み合わせて使用して、検知動作はMEMS可変容量型の発電機からの電力で行い、無線により検知データを外部機器に送信する場合にはボタン電池を補助的な電源として利用するというような、ハイブリット構成にすることも可能である。このようなハイブリット構成のセンサチップを用いれば、到達可能距離を伸ばすことや、送信時間を拡大する、ということがより容易に実現できる。
(実施例4)
以上の実施例では、センサチップに内蔵する微小電力RF送信回路によりセンサデータを直接、外部機器(例えば、図3の健康管理モニタ)に送信する例を説明した。しかし、実施例1でも説明したように、送信できるRF電力が限られている。このため、外部機器との無線接続距離は、通常、1〜2mとされている。さらに、実施例3で説明したようなボタン電池とのハイブリット構成を採用した場合にも、電池寿命を考慮すると、送信電力をむやみに増加させることもできない。この問題を解決する目的で使用するのが、本実施例で説明する小型無線中継チップである。
For example, the MEMS variable capacity generator shown in FIG. 1 and the button battery shown in FIGS. 24G and 24H are used in combination, and the detection operation is performed by the electric power from the MEMS variable capacity generator. Therefore, when transmitting detection data to an external device, it is possible to use a hybrid configuration in which a button battery is used as an auxiliary power source. By using a sensor chip having such a hybrid configuration, it is possible to more easily realize an increase in reachable distance and an increase in transmission time.
Example 4
In the above embodiment, an example has been described in which sensor data is directly transmitted to an external device (for example, the health management monitor in FIG. 3) by the micro power RF transmission circuit built in the sensor chip. However, as described in the first embodiment, the RF power that can be transmitted is limited. For this reason, the wireless connection distance with the external device is normally set to 1 to 2 m. Further, even when the hybrid configuration with the button battery as described in the third embodiment is adopted, the transmission power cannot be increased excessively in consideration of the battery life. The small wireless relay chip described in this embodiment is used for the purpose of solving this problem.

小型無線中継チップの一実施例を図25に示す。小型無線中継チップRCHIP1は、例えば、部屋RM1の床または壁などに設置され、実施例1〜3で説明したようなセンサチップ(SCHIP1〜3)が送信するパケットデータ(PD10〜PD13)を受信し、1つにまとめた後に外部機器MA10に再度送信(=中継)する。この無線中継チップを使用して、順次、データを中継して行くことにより、データの到達距離を拡大することができる。   An example of a small wireless relay chip is shown in FIG. The small wireless relay chip RCHIP1 is installed, for example, on the floor or wall of the room RM1, and receives packet data (PD10 to PD13) transmitted by the sensor chips (SCHIP1 to SCHIP3) as described in the first to third embodiments. After being combined into one, it is transmitted again (= relayed) to the external device MA10. By using this wireless relay chip and sequentially relaying data, the data reachable range can be increased.

小型無線中継チップのメインチップが配置された面(SIDE1)の構成を図26に示す。この図では示していないが、チップ面と逆のSIDE2面には、通常、図1(b)に示すものと同様のMEMS可変容量型発電機チップ、または、図24(a)〜(d)の発電機または電池が、MCP構成で1チップ上に集積されている。この他にも、アンテナ、コンデンサその他を集積してもよく、特に電源等を必要とせずに、このチップ単体で動作することが可能である。   The configuration of the surface (SIDE1) on which the main chip of the small wireless relay chip is arranged is shown in FIG. Although not shown in this figure, a MEMS variable capacity generator chip similar to that shown in FIG. 1B or a SIDE2 surface opposite to the chip surface is usually used, or FIGS. 24A to 24D. Generators or batteries are integrated on one chip in an MCP configuration. In addition to this, an antenna, a capacitor, and the like may be integrated, and it is possible to operate the chip alone without requiring a power source or the like.

図26のように、本実施例の特徴部分であるCHIP5は、マイクロプロセッサCPU1、メモリMEM1、高周波送受信回路RF1、電荷監視回路CW1、タイマTM1、及び、電源制御回路PC1から構成される。これらの各回路の構成は、通常、実施例1で説明したセンサチップのメインチップCHIP1のものと同様のものである。   As shown in FIG. 26, the CHIP5 which is a characteristic part of the present embodiment includes a microprocessor CPU1, a memory MEM1, a high frequency transmission / reception circuit RF1, a charge monitoring circuit CW1, a timer TM1, and a power supply control circuit PC1. The configuration of each of these circuits is usually the same as that of the main chip CHIP1 of the sensor chip described in the first embodiment.

小型無線中継チップの動作フローチャートを図27に示す。実施例1で示したセンサチップと同様の低消費電力動作方式により、通常はスリープ状態P110にあり、タイマTM1、及び、電荷監視回路CW1からの起動信号により、間欠的に立ち上がり、データ受信P410、データ送信を行う。なお、図25の動作フローチャートにおいては、データ受信P410を、データ送信P120よりもより高い頻度で起動させる必要がある。これは、あらかじめ余裕を持ってデータ受信をすることにより、センサチップSCHIP1〜3からのデータの取りこぼしを回避するためである。しかし、このように、データ受信P410の起動頻度を密にしたとしても、受信動作は送信動作よりも低消費電力であるので、問題にならない。   An operation flowchart of the small wireless relay chip is shown in FIG. By the low power consumption operation method similar to that of the sensor chip shown in the first embodiment, it is normally in the sleep state P110, and rises intermittently by the start signal from the timer TM1 and the charge monitoring circuit CW1, and the data reception P410, Send data. In the operation flowchart of FIG. 25, it is necessary to activate the data reception P410 more frequently than the data transmission P120. This is to avoid missing data from the sensor chips SCHIP1 to SCHIP3 by receiving data with a margin in advance. However, even if the activation frequency of the data reception P410 is made dense as described above, there is no problem because the reception operation consumes less power than the transmission operation.

また、図27のP320ルーチンにおいて、センサチップからのセンサデータに、本無線中継チップの固有のID(RID20)を付加することも可能である。次の実施例5で説明するとおり、この中継チップIDを受信側で取り出すことにより、どの経路を経由して、データが受信されたのかを認識することが可能になる。
(実施例5)
次に、本発明のセンサチップまたは無線中継チップを用いた応用例について、図28に従って説明する。
Further, in the P320 routine of FIG. 27, the unique ID (RID20) of the wireless relay chip can be added to the sensor data from the sensor chip. As will be described in the fifth embodiment, by extracting the relay chip ID on the receiving side, it becomes possible to recognize the route through which the data has been received.
(Example 5)
Next, an application example using the sensor chip or the wireless relay chip of the present invention will be described with reference to FIG.

図28(a)は、家電、ゲーム機、ロボット型玩具等の機器(EM50)の制御に、本発明のセンサチップを応用した例である。この図に示されるように、ユーザUS50は、本発明のセンサチップSCHIP50、51を、例えば、図3に示す形態で体に装着して機器EM50を使用する。機器EM50は、本発明のセンサチップSCHIP50、51から無線接続WL50経由で制御信号を受信するRF50、及び、受信された制御信号に従って、EM50の動作や動作パラメータを設定する、マイクロプロセッサCPU50、メモリMEM50、表示装置DISP50、データベースDB50、及び、携帯電話網またはインターネット等の広域ネットワーク網に接続するネットワークインタフェースNI50、さらに、機器EM50の移動などに使用されるモーターMO50から構成される。機器EM50には、典型的には、電子ロボット玩具等が想定され、例えば、本発明のセンサチップSCHIP50、51で検知されたユーザの情報に応じて、動作を変えることにより、あたかも、ユーザの意図を汲み取って動作しているかのような、高品位の動作が実現できる。   FIG. 28A shows an example in which the sensor chip of the present invention is applied to control of a device (EM50) such as a home appliance, a game machine, or a robot type toy. As shown in this figure, the user US50 uses the device EM50 by attaching the sensor chips SCHIP50, 51 of the present invention to the body, for example, in the form shown in FIG. The device EM50 receives the control signal from the sensor chips SCHIP50 and 51 of the present invention via the wireless connection WL50, and sets the operation and operation parameters of the EM50 according to the received control signal. The microprocessor CPU50 and the memory MEM50 , A display device DISP50, a database DB50, a network interface NI50 connected to a wide area network such as a mobile phone network or the Internet, and a motor MO50 used for moving the device EM50. The device EM50 is typically assumed to be an electronic robot toy or the like. For example, by changing the operation according to the user information detected by the sensor chips SCHIP50 and 51 of the present invention, High-quality operation can be realized as if it were pumping up.

具体的には、本発明のセンサチップ内の脈拍センサあるいはインピーダンスセンサから取得された脈拍情報、GSR情報を元に、CPU50にて、ユーザの感情あるいは心理状態を推定する。ユーザが悲しんでいると判断した場合には、モーター50を起動してなぐさめる等の動作を行う。また、ユーザが緊張状態にあると判断した場合には、緊張を和らげる鳴声をスピーカSP50から発声させる等の行動を行う。この他にも、センサチップ内の加速度センサにより検知されたユーザの手振り等の動き情報により、例えば、ユーザの意図する方向を向く等の動作をさせることが可能である。さらに、この手振り等の情報を、家電機器へのボタン入力の代りとして利用することも可能である。このように、本センサチップの応用範囲を非常に広い。   Specifically, the user's emotion or psychological state is estimated by the CPU 50 based on the pulse information and GSR information acquired from the pulse sensor or impedance sensor in the sensor chip of the present invention. When it is determined that the user is sad, an operation such as starting the motor 50 and pacing it is performed. In addition, when it is determined that the user is in a tension state, an action such as uttering a cry to relieve tension from the speaker SP50 is performed. In addition to this, it is possible to perform an operation such as facing a direction intended by the user based on movement information such as a user's hand gesture detected by the acceleration sensor in the sensor chip. Furthermore, information such as hand gestures can be used instead of button input to the home appliance. Thus, the application range of this sensor chip is very wide.

なお、ここで説明したのは代表的な一実施例であり、ユーザの生体情報により家電機器の制御するような応用例、例えば、ユーザの体温に応じてエアコンの冷房設定を変えるといった用途等にも、本発明のセンサチップは応用可能である。   Note that what has been described here is a representative example, and is applied to an application in which home appliances are controlled based on the user's biological information, for example, to change the cooling setting of an air conditioner according to the user's body temperature. However, the sensor chip of the present invention is applicable.

センサチップ及び無線中継チップを、サッカー等のスポーツ競技の記録に応用した一実施例を図28(b)に示す。この実施例では、サッカー選手US60は、足などに本発明のセンサチップ(SCHIP60、SCHIP61)を装着している。SCHIP60、61において検知された情報は、サッカー競技場PI60内に規則的に設置された、本発明の無線中継チップRCHIP60〜64により受信され、実施例4で説明したとおり、無線中継チップのIDを付加されて、最終的には、基地局BSTA60において受信される。基地局BSTA60は、無線中継チップRCHIP60〜64から、無線接続WL60経由でセンスデータを受信するRF60、センスデータを解析して、選手の動きまたは脈拍等の健康状態を解析する、マイクロプロセッサCPU60、メモリMEM60、データベースDB60、及び、携帯電話網、インターネット、または、専用ネットワーク網等の広域ネットワークWAN60に接続するための、ネットワークインタフェースNI60から構成される。基地局BSTA60では、パケットデータの解析を行い、無線中継チップにおいて付加された中継チップのIDからセンサチップの発信場所を特定し、各選手が現在競技場のどの地点にいるかをリアルタイムで解析する。同時に、検知された脈拍等の生体情報から各選手の疲労度が推定でき、例えば、選手交代等の判断に使用することも可能である。さらに、広域ネットワークWAN60経由で、解析された情報を転送することにより、WANに接続された、例えば、BS60等のテレビ放送局でテレビ放送等に活用することが可能である。   FIG. 28B shows an embodiment in which the sensor chip and the wireless relay chip are applied to the recording of a sporting event such as soccer. In this embodiment, a soccer player US60 wears the sensor chip (SCHIP60, SCHIP61) of the present invention on a foot or the like. The information detected in the SCHIPs 60 and 61 is received by the wireless relay chips RCHIP60 to 64 of the present invention regularly installed in the soccer stadium PI60. As described in the fourth embodiment, the ID of the wireless relay chip is set. In addition, it is finally received by the base station BSTA60. The base station BSTA60 is a microprocessor CPU60, a memory that analyzes RF60 that receives sense data from the wireless relay chips RCHIP60 to 64 via the wireless connection WL60, analyzes the sense data, and analyzes the health state of the athlete's movement or pulse, etc. It comprises a MEM 60, a database DB 60, and a network interface NI 60 for connecting to a wide area network WAN 60 such as a mobile phone network, the Internet, or a dedicated network network. The base station BSTA 60 analyzes the packet data, specifies the transmission location of the sensor chip from the ID of the relay chip added in the wireless relay chip, and analyzes in real time which point each player is currently on the stadium. At the same time, the degree of fatigue of each player can be estimated from the detected biological information such as the pulse, and for example, it can also be used for the determination of a player change or the like. Furthermore, by transferring the analyzed information via the wide area network WAN 60, it is possible to use it for television broadcasting or the like at a television broadcasting station such as BS 60 connected to the WAN.

なお、ここで説明したのはサッカー競技だけであるが、その他のスポーツ競技にも使用可能であることは言うまでもない。このように、本発明のセンサチップ及び、無線中継チップを活用することにより、スポーツ競技において、各選手の位置をリアルタイムでモニタすることが可能となる。なお、従来から、RFIDチップを使用してマウス等の実験動物の動きを検出する装置は提案されている。しかし、サッカー競技場のような広いエリアで使用するには、高価なRFIDリーダーが大量に必要になる。また、莫大な電力を消費するという問題がある。これに対して、本発明のセンサチップ/無線中継チップは非常に低消費電力で実現可能である。このように、本発明のセンサチップ/無線中継チップを使用することにより、実用的なスポーツ競技記録装置を提供することができる。   Note that although only the soccer competition is described here, it is needless to say that it can be used for other sports competitions. Thus, by utilizing the sensor chip and the wireless relay chip of the present invention, it is possible to monitor the position of each player in real time in a sports competition. Conventionally, an apparatus for detecting the movement of a laboratory animal such as a mouse using an RFID chip has been proposed. However, a large amount of expensive RFID readers are required for use in a large area such as a soccer field. There is also a problem of consuming enormous power. In contrast, the sensor chip / wireless relay chip of the present invention can be realized with very low power consumption. Thus, by using the sensor chip / wireless relay chip of the present invention, a practical sports competition recording device can be provided.

食品流通管理向けに、本発明のセンサチップを使用した一実施例を図28(c)に示す。この図に示されるように、食品FOOD70に本発明のセンサチップを付加する。食品FOOD70は、典型的には、ワインあるいはビール等が想定される。この図に示されるように、本発明のセンサチップは、ワインビンまたはビールビン等に添付され、実施例1で説明したように、ある一定期間でセンサを起動して、内蔵温度センサにより温度を継続的に測定し、メモリMEM70上に蓄積する。最終的に、消費者の手元に渡った段階にて、リーダーREADER70にて、メモリに蓄積された情報を読み取る。READER70は、センサチップから無線接続WL70にて、検知データを読み取るRF70、及び、読み取られたデータを解析して表示するマイクロプロセッサCPU70、メモリMEM70、表示装置DISP70から構成される。このREADER70には、ネットワーク装置NI70を内蔵することも可能であり、NI70経由で、携帯電話網またはインターネット等の広帯域ネットワーク網WAN70を経由して、データ管理サーバSV70内のデータベースDB70にアクセスすることが可能である。すなわち、受信されたセンサチップのチップIDを、サーバSV70内のデータベースDB70に照会することにより、ユーザの手元にてFOOD70の生産者情報等を得ることができる。   An example using the sensor chip of the present invention for food distribution management is shown in FIG. As shown in this figure, the sensor chip of the present invention is added to the food FOOD 70. The food FOOD 70 is typically assumed to be wine or beer. As shown in this figure, the sensor chip of the present invention is attached to a wine bottle, a beer bottle, or the like. As described in the first embodiment, the sensor is started for a certain period and the temperature is continuously maintained by the built-in temperature sensor. And stored in the memory MEM70. Finally, the information stored in the memory is read by the reader READER 70 when it reaches the consumer. The READER 70 includes an RF 70 that reads detection data from the sensor chip through a wireless connection WL 70, a microprocessor CPU 70 that analyzes and displays the read data, a memory MEM 70, and a display device DISP 70. This READER 70 can also incorporate a network device NI70, and can access the database DB70 in the data management server SV70 via the NI70 via the broadband network network WAN70 such as a mobile phone network or the Internet. Is possible. That is, by referring to the database DB 70 in the server SV 70 for the received chip ID of the sensor chip, the producer information of the FOOD 70 can be obtained at the user's hand.

なお、従来から、RFIDと電池を備えた装置を使用すれば、ビール樽の流通管理その他が実現可能である。しかし、本発明のセンサチップと違い、ワインビンまたはビールビンに添付可能な程度にサイズを小さくすることは困難であった。さらに、電池により動作電源を賄うため、電池が切れた場合にはデータが取得できない恐れがあり、その結果、データを収集できる期間も限られている。このため、飲食店等で業務用に使用されるビール樽等の、比較的短期間で回収されるものにしか使用することができなかった。これに対して、本発明のセンサチップを使用すれば、ワインビンなどの比較的小さいものにも添付可能であり、また、長期間センス可能であるため、業務用ビール樽以外にも様々な用途に応用可能である。   Conventionally, if a device including an RFID and a battery is used, distribution management of beer barrels and the like can be realized. However, unlike the sensor chip of the present invention, it has been difficult to reduce the size to such an extent that it can be attached to a wine bottle or a beer bottle. Furthermore, since the operating power supply is covered by the battery, there is a possibility that data cannot be acquired when the battery runs out. As a result, the period during which data can be collected is limited. For this reason, it could be used only for things collected in a relatively short period of time such as beer barrels used for business in restaurants and the like. On the other hand, if the sensor chip of the present invention is used, it can be attached to relatively small items such as wine bottles, and since it can be sensed for a long time, it can be used for various purposes other than commercial beer barrels. Applicable.

以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。例えば、上記実施例では、送受信回路を有するセンサチップについて具体的に説明したが、無線による受信の必要がないセンサチップである場合には、送受信回路のうち送信回路を備えていればよい。したがって、このようなセンサチップにおいては、受信回路を省略することができる。   As mentioned above, although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. For example, in the above-described embodiment, the sensor chip having the transmission / reception circuit has been specifically described. However, in the case of a sensor chip that does not require wireless reception, the transmission circuit may be included in the transmission / reception circuit. Therefore, the receiving circuit can be omitted in such a sensor chip.

また、上記実施例では、センサとして、温度センサTD1、加速度センサAS1、赤外/赤色光センサPD1、及び、インピーダンスセンサGS1を備えたセンサチップについて具体的に説明したが、必ずしも、これらのセンサを全て備えている必要はない。目的に応じて、上記各センサの一部のみを備えているもの、または、上記各センサ以外のセンサを利用するものであってもよい。   In the above-described embodiment, the sensor chip including the temperature sensor TD1, the acceleration sensor AS1, the infrared / red light sensor PD1, and the impedance sensor GS1 is specifically described as the sensor. It is not necessary to have everything. Depending on the purpose, only a part of each sensor may be provided, or a sensor other than each sensor may be used.

また、上記実施例では、センサチップを主に人間に利用することを前提として説明したが、必ずしも人間を対象とするだけでなく、犬、猫等その他の動植物を対象とすることも可能である。   In the above-described embodiments, the sensor chip has been described on the assumption that it is mainly used by humans. However, the present invention is not limited to humans, and other animals and plants such as dogs and cats can also be used. .

本発明のセンサチップの望ましい一実施形態を示す図。The figure which shows one desirable embodiment of the sensor chip of this invention. 図1に示すセンサチップの断面図。Sectional drawing of the sensor chip shown in FIG. 実施例1で説明する、本発明のセンサチップを用いた健康管理機器。A health management device using the sensor chip of the present invention, which will be described in Example 1. 本発明のセンサチップにおける可変容量コンデンサの静電容量が外部振動により変化した場合の電圧変化と静電エネルギーの増加分を示す図。The figure which shows the increase in a voltage change and an electrostatic energy when the electrostatic capacitance of the variable capacitor in the sensor chip of this invention changes with external vibrations. 図4に示す静電エネルギーの増加分を回収して電力に変える電力回収回路の構成図。The block diagram of the electric power collection | recovery circuit which collects the increase of the electrostatic energy shown in FIG. 4, and changes it into electric power. 図5に示す電力回収回路の動作を説明する図。The figure explaining operation | movement of the electric power collection | recovery circuit shown in FIG. 本発明のセンサチップの動作概要を示す図。The figure which shows the operation | movement outline | summary of the sensor chip of this invention. 本発明のセンサチップから外部機器に送信されるデータ形式を示す図。The figure which shows the data format transmitted to the external apparatus from the sensor chip of this invention. 本発明のセンサチップの一部をなす、電源制御回路、タイマ回路、電荷監視回路の構成図。FIG. 3 is a configuration diagram of a power supply control circuit, a timer circuit, and a charge monitoring circuit that form part of the sensor chip of the present invention. 図9に示す電源制御回路により実現される低消費電力動作方式を示す図。The figure which shows the low power consumption operation system implement | achieved by the power supply control circuit shown in FIG. 図9に示す電源制御回路のレギュレータRG1の構成図。The block diagram of regulator RG1 of the power supply control circuit shown in FIG. 本発明のセンサチップの一部をなす、温度センサ、加速度センサ、インピーダンスセンサ、脈拍センサの構成を示す図。The figure which shows the structure of the temperature sensor which makes a part of sensor chip of this invention, an acceleration sensor, an impedance sensor, and a pulse sensor. 本発明のセンサチップの一部をなす選択機能付きA/D変換回路の構成図。The block diagram of the A / D conversion circuit with a selection function which makes a part of sensor chip of this invention. 図13に示す選択機能付きA/D変換回路で用いるマルチプレクサの構成図。FIG. 14 is a configuration diagram of a multiplexer used in the A / D conversion circuit with a selection function shown in FIG. 13. 本発明のセンサチップの一部をなす高周波送受信回路、高周波切替スイッチの構成図。1 is a configuration diagram of a high-frequency transmission / reception circuit and a high-frequency changeover switch that form part of the sensor chip of the present invention. 本発明のセンサチップの一部をなす高周波送受信回路の第2の構成図。The 2nd block diagram of the high frequency transmission / reception circuit which makes a part of sensor chip of this invention. 本発明のセンサチップの一部をなす高周波送受信回路の第3の構成図。The 3rd block diagram of the high frequency transmission / reception circuit which makes a part of sensor chip of this invention. 図3の健康管理機器で使用する、携帯型健康モニタの構成の一例を示す図。The figure which shows an example of a structure of the portable health monitor used with the health care apparatus of FIG. 図18に示す携帯型健康モニタにおける処理の流れの概要を示す図。The figure which shows the outline | summary of the flow of a process in the portable health monitor shown in FIG. 本発明のセンサチップが外部機器に送信するパケットデータの一例を示す図。The figure which shows an example of the packet data which the sensor chip of this invention transmits to an external device. 本発明のセンサチップの検知データ送信方法についての別の例を示す図。The figure which shows another example about the detection data transmission method of the sensor chip of this invention. 実施例2で説明する、コンデンサ、インダクタ、LED以外を1つの半導体集積回路にて構成したセンサチップの一例を示す図。The figure which shows an example of the sensor chip comprised in one semiconductor integrated circuit other than a capacitor | condenser, an inductor, and LED demonstrated in Example 2. FIG. 実施例2で説明する、コンデンサ、インダクタ、LED以外を1つの半導体集積回路にて構成したセンサチップついての別の一例を示す図。FIG. 6 is a diagram illustrating another example of a sensor chip configured by one semiconductor integrated circuit other than the capacitor, the inductor, and the LED described in the second embodiment. 実施例3で説明する、センサチップの一部をなす電力発生器の構成例を示す図。FIG. 6 is a diagram illustrating a configuration example of a power generator that forms part of a sensor chip, which is described in a third embodiment. 実施例4で説明する、無線中継チップによる検知データの中継の概念を示す図。The figure which shows the concept of the relay of the detection data by the wireless relay chip | tip demonstrated in Example 4. FIG. 実施例4で説明する、無線中継チップの構成例を示す図。FIG. 10 is a diagram illustrating a configuration example of a wireless relay chip, which will be described in a fourth embodiment. 図26に示す無線中継チップの動作例の概要を示す図。The figure which shows the outline | summary of the operation example of the radio | wireless relay chip | tip shown in FIG. 実施例5で説明する、本発明のセンサチップ及び無線中継チップの応用例を示す図。The figure which shows the application example of the sensor chip and wireless relay chip | tip of this invention demonstrated in Example 5. FIG.

符号の説明Explanation of symbols

SCHIP1,SCHIP2,SCHIP3,SCHIP4,SCHIP5,SCHIP6,SCHIP10,SCHIP11,SCHIP12,SCHIP50,SCHIP51,SCHIP60,SCHIP61,SCHIP62,SCHIP63,SCHIP64,SCHP70…センサチップ、
CHIP1,CHIP2,CHIP3,CHIP4…半導体集積回路、
CM1…可変容量コンデンサ、
CPU1…マイクロプロセッサ、
AD1…A/D変換回路、
MEM1…メモリ、
PC1…電源供給回路、
RF1,RF2,RF3…高周波送受信回路、
TD1…温度センサ、
AS1…加速度センサ、
PD1…赤外/赤色光センサ、
MA1…永久磁石、
BA3…太陽電池、
BA4…ゼーベック素子、
BA5…ボタン電池、
RCHIP1,RCHIP60,RCHIP61,RCHIP62,RCHIP63,RCHIP64…無線中継チップ。
SCHIP1, SCHIP2, SCHIP3, SCHIP4, SCHIP5, SCHIP6, SCHIP10, SCHIP11, SCHIP12, SCHIP50, SCHIP51, SCHIP60, SCHIP61, SCHIP62, SCHIP63, SCHIP64, SCHP70 ... sensor chip,
CHIP1, CHIP2, CHIP3, CHIP4 ... Semiconductor integrated circuit,
CM1: Variable capacitor,
CPU1 ... microprocessor,
AD1 A / D conversion circuit,
MEM1 ... memory,
PC1: Power supply circuit,
RF1, RF2, RF3 ... high frequency transmission / reception circuit,
TD1 ... temperature sensor,
AS1 ... acceleration sensor,
PD1: infrared / red light sensor,
MA1 ... permanent magnet,
BA3 ... solar cell,
BA4 ... Seebeck element,
BA5 ... button battery,
RCHIP1, RCHIP60, RCHIP61, RCHIP62, RCHIP63, RCHIP64 ... wireless relay chip.

Claims (7)

基板と、
センサと、
上記センサにより検知したデータを処理するマイクロプロセッサと、
上記処理されたデータを外部へ無線送信する送信回路と、
上記センサ、上記マイクロプロセッサ、上記送信回路に電力を供給するための発電装置と、
上記発電装置からの電力の供給を制御する電源制御回路と、を有し
上記電源制御回路は、上記センサ、上記マイクロプロセッサ、及び上記送信回路に間欠的に電力を供給し、
上記センサ、上記マイクロプロセッサ、及び上記送信回路は上記電力の供給を受けて動作し、
上記センサ、上記マイクロプロセッサ、上記送信回路、及び上記電源制御回路は、上記基板の第1の面に実装され、
上記発電装置は、上記基板の第1の面に対向する第2の面に実装される半導体装置。
A substrate,
A sensor,
A microprocessor for processing data detected by the sensor;
A transmission circuit for wirelessly transmitting the processed data to the outside;
A power generator for supplying power to the sensor, the microprocessor, and the transmission circuit;
A power supply control circuit that controls supply of power from the power generation device, the power supply control circuit intermittently supplies power to the sensor, the microprocessor, and the transmission circuit,
The sensor, the microprocessor, and the transmission circuit operate by receiving the power supply ,
The sensor, the microprocessor, the transmission circuit, and the power supply control circuit are mounted on the first surface of the substrate,
The power generating device includes a first semiconductor device that will be mounted on the second surface opposite to the surface of the substrate.
請求項1記載の半導体装置において、
上記基板にアンテナを備える半導体装置。
The semiconductor device according to claim 1,
The semiconductor device Ru an antenna on the substrate.
請求項1又は2記載の半導体装置において、
上記発電装置で発生した電力により充電されるコンデンサを有し、
上記基板は多層基板で形成され、上記多層基板を用いて上記コンデンサを構成する半導体装置。
The semiconductor device according to claim 1 or 2 Symbol placement,
It has a capacitor that is charged by the power generated by the power generator ,
A semiconductor device, wherein the substrate is formed of a multilayer substrate, and the capacitor is configured using the multilayer substrate .
請求項1又は2記載の半導体装置において、
上記発電装置で発生した電力により充電されるコンデンサと、
上記コンデンサに蓄積される電荷量を監視する電荷監視回路をさらに有し、
上記電荷監視回路が上記コンデンサに十分な電力が蓄えられたと判断した場合に、上記電源制御回路は、上記センサ、上記マイクロプロセッサ、及び上記送信回路に上記電力を供給する半導体装置。
The semiconductor device according to claim 1 or 2 ,
A capacitor that is charged by the electric power generated by the power generation device;
A charge monitoring circuit for monitoring the amount of charge accumulated in the capacitor ;
When the charge monitoring circuit determines that sufficient power is accumulated in the capacitor, the power supply control circuit, upper Symbol sensor, the microprocessor, and a semiconductor device for supplying the power to the transmission circuit.
請求項1乃至の何れかに記の半導体装置において、
上記発電装置は、振動を利用して発電するものである半導体装置。
In serial mounting the semiconductor device to any one of claims 1 to 4,
The power generating apparatus, der Ru semiconductor device which generates power by utilizing vibration.
請求項1乃至の何れかに記載の半導体装置において、
上記発電装置は、光エネルギーを利用して発電するものである半導体装置。
The semiconductor device according to any one of claims 1 to 4,
The power generation device is a semiconductor device that generates power using light energy .
請求項1乃至の何れかに記載の半導体装置において、
上記発電装置は、温度差を利用して発電するものである半導体装置。
The semiconductor device according to any one of claims 1 to 4,
The power generator is a semiconductor device that generates power using a temperature difference .
JP2007316817A 2007-12-07 2007-12-07 Semiconductor device for sensor system Expired - Fee Related JP4485568B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007316817A JP4485568B2 (en) 2007-12-07 2007-12-07 Semiconductor device for sensor system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007316817A JP4485568B2 (en) 2007-12-07 2007-12-07 Semiconductor device for sensor system

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002185450A Division JP2004024551A (en) 2002-06-26 2002-06-26 Semiconductor device for sensor system

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008173462A JP2008173462A (en) 2008-07-31
JP4485568B2 true JP4485568B2 (en) 2010-06-23

Family

ID=39700929

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007316817A Expired - Fee Related JP4485568B2 (en) 2007-12-07 2007-12-07 Semiconductor device for sensor system

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4485568B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9357957B2 (en) 2010-01-21 2016-06-07 Arkray, Inc. Measuring apparatus, measuring system, electric power supply apparatus, and electric power supply method

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8569861B2 (en) 2010-12-22 2013-10-29 Analog Devices, Inc. Vertically integrated systems
US20130162402A1 (en) * 2011-12-27 2013-06-27 Mathias Amann Apparatus and Method for Providing Product Information
JP6321967B2 (en) * 2014-01-17 2018-05-09 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Semiconductor integrated circuit and operation method thereof
JP6429149B2 (en) * 2014-11-21 2018-11-28 株式会社人間と科学の研究所 Biological information detection device
JP6554533B2 (en) 2015-03-02 2019-07-31 株式会社半導体エネルギー研究所 Environmental sensor
US10557881B2 (en) 2015-03-27 2020-02-11 Analog Devices Global Electrical overstress reporting
CN104922890B (en) * 2015-07-06 2017-10-17 王继军 Smart motion protector
US10365322B2 (en) 2016-04-19 2019-07-30 Analog Devices Global Wear-out monitor device
US10338132B2 (en) 2016-04-19 2019-07-02 Analog Devices Global Wear-out monitor device
JP6870955B2 (en) * 2016-10-27 2021-05-12 日本電信電話株式会社 Sensing system, portable wireless relay device and user identification method
US11024525B2 (en) 2017-06-12 2021-06-01 Analog Devices International Unlimited Company Diffusion temperature shock monitor
US10730743B2 (en) 2017-11-06 2020-08-04 Analog Devices Global Unlimited Company Gas sensor packages
US11587839B2 (en) 2019-06-27 2023-02-21 Analog Devices, Inc. Device with chemical reaction chamber

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9357957B2 (en) 2010-01-21 2016-06-07 Arkray, Inc. Measuring apparatus, measuring system, electric power supply apparatus, and electric power supply method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008173462A (en) 2008-07-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4485568B2 (en) Semiconductor device for sensor system
JP2004024551A (en) Semiconductor device for sensor system
JP5224546B2 (en) System and portable device for transmission of identification signals
US20200323489A1 (en) Wearable electronic device including biometric sensor and wireless charging module
US9572532B2 (en) Button sensor
Jung et al. Enabling technologies for disappearing electronics in smart textiles
Paradiso Systems for human-powered mobile computing
US20210397257A1 (en) Epidermal virtual reality devices
WO2005065524A1 (en) Capsule-type medical device
Selvarathinam et al. Energy harvesting from the human body for biomedical applications
US20160106367A1 (en) Wearable health sensor
CN107870589B (en) Robot, robot control method, and recording medium
WO2014024626A1 (en) Biological information measuring device and pulse oximeter
Bharatula et al. Towards wearable autonomous microsystems
Wang et al. Wireless Health
US10372179B1 (en) Performing a power cycle reset in response to a change in charging power applied to an electronic device
Kiran SkinnySensor: Enabling Battery-Less Wearable Sensors Via Intrabody Power Transfer
Cho et al. An Intra-Body Power Transfer System With $> $1-mW Power Delivered to the Load and 3.3-V DC Output at 160-cm of on-Body Distance
JP2001307268A (en) System for measuring physical quantities in surrounding atmosphere
US9985479B2 (en) Information collection circuit and information collection module
Beniwal et al. Walk-to-Charge Technology: Exploring Efficient Energy Harvesting Solutions for Smart Electronics
WO2018043158A1 (en) Artificial nail system
US20210393214A1 (en) Apparatus and method for generating blood pressure estimation model, and apparatus for estimating blood pressure
Yano et al. Life thermoscope: integrated microelectronics for visualizing hidden life rhythm
Gutruf Miniaturized Battery-Free Wireless Bio-Integrated Systems

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091208

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100208

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100309

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100324

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130402

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees