JP4478959B2 - Method for adjusting core / shell structure having void controlled inside, and method for preparing structure having core / shell structure as component - Google Patents
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Description
この発明は、触媒、電子デバイス材料等に用いられる、コア・シェル構造体の調整方法とコア・シェル構造体を構成要素とする構造体の調整方法に関する。 The present invention relates to a method for adjusting a core / shell structure used for a catalyst, an electronic device material, and the like, and a method for adjusting a structure including the core / shell structure as a constituent element.
多孔質材料は、触媒、吸着剤、界面活性剤等に広く利用されている。
多孔質材料は、一定形状の細孔を有した物質であり、細孔の径が２ｎｍ以下の多孔質材料はミクロ多孔体と呼ばれ、細孔の径が２〜５０ｎｍの多孔質材料はメソ多孔体と呼ばれている。ミクロ多孔体は、例えば、ゼオライトが良く知られている。ゼオライトは、ＳｉあるいはＡｌ等の金属原子が酸素を介して結合した結晶体であり、一定形状の細孔を有しており、この細孔を利用して、例えば、重質油をガソリンに分解する接触分解触媒として、また、分岐アルカンは通さずに直鎖アルカンのみを通す分子ふるい吸着剤として利用されている。
Porous materials are widely used for catalysts, adsorbents, surfactants and the like.
A porous material is a substance having pores of a fixed shape, a porous material having a pore diameter of 2 nm or less is called a microporous body, and a porous material having a pore diameter of 2 to 50 nm is a mesoporous material. It is called a porous body. As the microporous material, for example, zeolite is well known. Zeolite is a crystal in which metal atoms such as Si or Al are bonded via oxygen, and has pores with a fixed shape. For example, heavy oil is decomposed into gasoline using these pores. The catalyst is used as a catalytic cracking catalyst, and as a molecular sieve adsorbent that allows only linear alkanes to pass through without passing through branched alkanes.
さらに近年、より大きな空隙を有する多孔体、すなわち、メソ多孔体が、触媒機能の向上と、新しい機能実現のために提案され、シリカなどの金属酸化物からなるメソ多孔体の調製が盛んに研究されている。メソポーラスシリカに代表されるメソ多孔体は、これまで、界面活性剤のミセルや、無機あるいは有機ナノ粒子などの自己組織化有機分子集合体を鋳型として、このまわりに金属酸化物薄膜を形成させた後、鋳型を除去することにより調製されている。鋳型として用いる材料の大きさ、及び、その配列構造を制御することによってメソ多孔体の細孔構造を制御することができ、細孔がランダムに分散したメソ多孔体、細孔が規則的に配列したメソ多孔体、あるいは球状細孔が３次元規則配列したメソ多孔体など、数多く実現されている。
メソ多孔体は、原子レベルの規則性はないものの、メソスケールの空隙が規則的に配列したこれまでにみられない新しいタイプの結晶であり、今後、吸着・分離材（特定の分子を空隙に吸着し、分離する働きを持つ材料）や、触媒、界面活性剤などの工業材料として活用が期待される。また、空隙にさまざまな原子や分子の集合体を導入するなどして、新しいエレクトロニクスデバイス材料としての利用も可能にするなど、さまざまな分野での利用が大いに期待されている。
Furthermore, in recent years, porous bodies having larger voids, that is, mesoporous bodies, have been proposed to improve the catalytic function and realize new functions, and active research is being conducted on the preparation of mesoporous bodies made of metal oxides such as silica. Has been. So far, mesoporous materials represented by mesoporous silica have been used to form metal oxide thin films around them, using surfactant micelles and self-organized organic molecular assemblies such as inorganic or organic nanoparticles as templates. Later, it is prepared by removing the template. The pore structure of the mesoporous material can be controlled by controlling the size of the material used as the template and the arrangement structure thereof. The mesoporous material in which the pores are randomly dispersed and the pores are regularly arranged Many mesoporous materials have been realized, such as a mesoporous material having a three-dimensional regular arrangement of spherical pores.
A mesoporous material is a new type of crystal that has not been observed so far, although it does not have regularity at the atomic level, and mesoscale voids are regularly arranged. It is expected to be used as an industrial material such as a material having a function of adsorbing and separating), a catalyst, and a surfactant. In addition, it is highly expected to be used in various fields, such as introducing a collection of various atoms and molecules into voids to enable use as a new electronic device material.
ところで、ナノ粒子とナノ粒子を包摂する細孔との間に形成される空隙の大きさは、触媒反応・材料合成などの化学反応空間、物質吸着あるいは物質包接場を特徴づける量として極めて重要である。
すなわち、制御された空隙をナノ粒子近傍に有する構造体、及びこの構造体を構成要素とする構造体は、従来の触媒に比べて極めて高効率な触媒となり得ること、触媒反応にあずかる化学種の選択性を付与できること、従来触媒が存在しなかった化学反応の触媒となり得ること、あるいは、ナノデバイスに必要なナノ物質を調製する土台として使用できることが予測できる。
例えば、酸化チタン等の光触媒は、光触媒表面で触媒反応が生起されるので、光触媒をナノ粒子に加工して表面積を増大させ、高効率の光触媒を実現しようとする研究が数多くなされている。しかしながらナノ粒子は、ファンデルワールス力によって凝集してしまうので、触媒反応にあずかる化学種が触媒ナノ粒子に吸着することができず、期待通りの効果が実現できない。すなわち、ナノ粒子近傍に制御された空隙が存在しないために高効率の光触媒を実現できない。
ナノ粒子近傍に空隙を設けることができれば、触媒反応にあずかる化学種が触媒ナノ粒子に吸着することができ、高効率の光触媒を実現できる。また、ナノ粒子近傍の空隙の寸法を制御する、すなわち制御された空隙をナノ粒子近傍に形成すれば、吸着できる分子種を制御できるから、触媒反応にあずかる化学種の選択性を付与できる。また、制御された空隙をナノ粒子近傍に有する構造体を構成要素とする構造体は、構造体の形状に基づく特定の分子種を配列させることができるから、従来触媒が存在しなかった化学反応の触媒となりえ、また、ナノデバイスに必要なナノ物質を調製する土台として使用できる。
By the way, the size of the void formed between the nanoparticles and the pores that enclose the nanoparticles is extremely important as a quantity that characterizes the chemical reaction space such as catalytic reaction and material synthesis, substance adsorption, or substance inclusion field. It is.
That is, a structure having controlled voids in the vicinity of a nanoparticle, and a structure having this structure as a constituent element can be a highly efficient catalyst compared to a conventional catalyst, and a chemical species involved in a catalytic reaction. It can be predicted that selectivity can be imparted, that a catalyst can be used for a chemical reaction for which a conventional catalyst does not exist, or that a nanomaterial necessary for a nanodevice can be prepared.
For example, since a photocatalyst such as titanium oxide causes a catalytic reaction on the surface of the photocatalyst, many studies have been made to realize a highly efficient photocatalyst by increasing the surface area by processing the photocatalyst into nanoparticles. However, since the nanoparticles are aggregated by van der Waals force, chemical species involved in the catalytic reaction cannot be adsorbed on the catalyst nanoparticles, and the expected effect cannot be realized. That is, since there is no controlled void in the vicinity of the nanoparticles, a highly efficient photocatalyst cannot be realized.
If voids can be provided in the vicinity of the nanoparticles, chemical species involved in the catalytic reaction can be adsorbed on the catalyst nanoparticles, and a highly efficient photocatalyst can be realized. Further, if the size of the voids in the vicinity of the nanoparticles is controlled, that is, if the controlled voids are formed in the vicinity of the nanoparticles, the molecular species that can be adsorbed can be controlled, so that the selectivity of the chemical species involved in the catalytic reaction can be imparted. In addition, a structure having a structure having controlled voids in the vicinity of the nanoparticles as a constituent element can arrange a specific molecular species based on the shape of the structure, so that a chemical reaction in which no catalyst has existed in the past. And can be used as a basis for preparing nanomaterials necessary for nanodevices.
従来、制御された空間をナノ粒子近傍に有する多孔質材料は、メソ多孔体と金属あるいは半導体のナノ粒子とを複合させたものである。
メソ多孔体内にナノ粒子を形成させる従来の方法は、メソ多孔体にナノ粒子の原料となる反応ガスを導入して反応・分解させ、メソ多孔体の細孔内にナノ粒子を成長させるものである。
しかしながら、この方法で作製したナノ粒子・メソ多孔体複合体では、ナノ粒子の粒径がメソ多孔体内の場所によって異なり、それ故、粒径を制御することは極めて困難である。このため、制御されたナノ空間をナノ粒子近傍に有する多孔質材料を調製するのは、従来技術によっては極めて困難である。
Conventionally, a porous material having a controlled space in the vicinity of nanoparticles is a composite of a mesoporous material and metal or semiconductor nanoparticles.
The conventional method of forming nanoparticles in a mesoporous material is to introduce a reaction gas that is a raw material of nanoparticles into the mesoporous material, to react and decompose, and to grow the nanoparticles in the pores of the mesoporous material. is there.
However, in the nanoparticle / mesoporous composite produced by this method, the particle size of the nanoparticles varies depending on the location in the mesoporous body, and therefore it is extremely difficult to control the particle size. For this reason, it is extremely difficult to prepare a porous material having a controlled nanospace in the vicinity of the nanoparticles, depending on the prior art.
すなわち、制御されたナノ空間をナノ粒子近傍に有する構造体、及び、この構造体を構成単位とした構造体は、その有用性が予測されるにもかかわらず、従来の方法では調製することが困難であった。 That is, a structure having a controlled nanospace in the vicinity of a nanoparticle, and a structure using this structure as a constituent unit can be prepared by a conventional method, although its usefulness is predicted. It was difficult.
本発明は上記課題に鑑み、内部に制御された空隙を有するコア・シェル構造体の調整方法と、そのコア・シェル構造体を構成要素とする構造体の調整方法を提供することを目的とする。 In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a method for adjusting a core / shell structure having an internally controlled gap, and a method for adjusting a structure including the core / shell structure as a constituent element. .
本発明の内部に制御された空隙を有するコア・シェル構造体の調製方法は、光溶解する固体からなる粒子の粒径を制御してコアを形成し、上記粒子表面と結合する元素と光溶解しない酸化物の成分元素を含む基とを含む化学物質で化学修飾して上記粒子表面に上記基を導入し、この基を加水分解して上記酸化物からなりかつ多数のマイクロ孔を有する被膜を形成し、この被膜をシェルとするコア・シェル構造体を形成し、このコア・シェル構造体に光溶解液中で所望の粒径に対応する吸収端波長の光を照射し上記コアを光溶解して、コア・シェル構造体内部に制御された空隙を形成することを特徴とする。この方法によれば、内部に制御された空隙を有するコア・シェル構造体が調製できる。 The method for preparing a core / shell structure having controlled voids in the present invention is a method of controlling the particle size of particles made of light-dissolving solids to form a core, and light-dissolving with the elements bonded to the particle surface. A film containing a large number of micropores made of the oxide by hydrolyzing the group by chemical modification with a chemical substance containing a group containing a component element of the oxide that is not modified and introducing the group onto the particle surface. Then, a core / shell structure is formed with the coating as a shell, and the core / shell structure is irradiated with light having an absorption edge wavelength corresponding to a desired particle diameter in a photodissolving solution to photodissolve the core. Then, a controlled gap is formed inside the core-shell structure. According to this method, a core-shell structure having a controlled void can be prepared.
また、加水分解した後に、親水基または疎水基を有する化学物質を添加してさらに化学修飾することにより、水に可溶または有機溶媒に可溶に形成することができる。この構成によれば、水に可溶または有機溶媒に可溶な、内部に制御された空隙を有するコア・シェル構造体が調製できる。 Further, after hydrolysis, a chemical substance having a hydrophilic group or a hydrophobic group is added and further chemically modified, so that it can be formed soluble in water or soluble in an organic solvent. According to this configuration, it is possible to prepare a core / shell structure having an internally controlled void that is soluble in water or soluble in an organic solvent.
好ましくは、光溶解する固体からなる粒子はＣｄＳ（硫化カドミウム）であり、粒子表面と結合する元素はＳ（イオウ）元素であり、光溶解しない酸化物の成分元素はＳｉであり、基はＳｉ（シリコン）を含む（ＣＨ3 Ｏ）3 Ｓｉ−（トリメトキシシリル）基であり、化学物質は（ＣＨ3 Ｏ）3 Ｓｉ（ＣＨ2 ）3 ＳＨ（３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン）であり、加水分解して形成する被膜はＳｉＯx （シリコン酸化物，０＜ｘ）である。この構成によれば、制御された粒径のＣｄＳナノ粒子からなるコアと、コアを制御された空間を介して覆うＳｉＯx 膜からなるシェルが形成される。シェル厚は十分に薄く、溶質、溶媒が透過できる。 Preferably, the particle composed of a solid that is photodissolved is CdS (cadmium sulfide), the element that is bonded to the particle surface is an S (sulfur) element, the component element of the oxide that is not photodissolved is Si, and the group is Si (CH 3 O) 3 Si- (trimethoxysilyl) group containing (silicon), and the chemical substance is (CH 3 O) 3 Si (CH 2 ) 3 SH (3-mercaptopropyltrimethoxysilane), The film formed by hydrolysis is SiO x (silicon oxide, 0 <x). According to this configuration, a core made of CdS nanoparticles having a controlled particle diameter and a shell made of a SiO x film covering the core through the controlled space are formed. The shell is thin enough to allow permeation of solutes and solvents.
または、光溶解する固体からなる粒子はＣｄＳ（硫化カドミウム）であり、粒子表面と結合する元素はＳ（イオウ）元素であり、光溶解しない酸化物の成分元素はＳｉであり、基はＳｉを含む（ＣＨ3 Ｏ）3 Ｓｉ−（トリメトキシシリル）基であり、化学物質は（ＣＨ3 Ｏ）3 Ｓｉ（ＣＨ2 ）3 ＳＨ（３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン）であり、被膜の成分元素を含む基と反応しない化合物はアルキルチオール等のチオール化合物であってもよい。この構成によれば、制御された粒径のＣｄＳナノ粒子からなるコアと、コアを制御された空間を介して覆うＳｉＯx 膜からなるシェルが形成される。シェルには所望の形状の開口が形成されており、選択的に溶質、溶媒を透過できる。 Alternatively, the particle made of a solid that is photodissolved is CdS (cadmium sulfide), the element that is bonded to the particle surface is an S (sulfur) element, the component element of the oxide that is not photodissolved is Si, and the group is Si. (CH 3 O) 3 Si- (trimethoxysilyl) group contained, the chemical substance is (CH 3 O) 3 Si (CH 2 ) 3 SH (3-mercaptopropyltrimethoxysilane), and the component element of the coating The compound that does not react with the group containing thiol may be a thiol compound such as alkylthiol. According to this configuration, a core made of CdS nanoparticles having a controlled particle diameter and a shell made of a SiO x film covering the core through the controlled space are formed. An opening having a desired shape is formed in the shell, and the solute and the solvent can selectively pass therethrough.
光溶解する固体からなる粒子がＣｄＳ（硫化カドミウム）で、粒子表面と結合する元素がＳ（イオウ）元素で、光溶解しない酸化物の成分元素がＳｉで、基がＳｉ（シリコン）を含む（ＣＨ3 Ｏ）3 Ｓｉ−（トリメトキシシリル）基で、化学物質が（ＣＨ3 Ｏ）3 Ｓｉ（ＣＨ2 ）3 ＳＨ（３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン）で、親水基を有する化学物質が、カルボシキル基、４級アンモニウム基、アミノ基、スルホン酸基、ヒドロキシル基を有するアルキルシランで、疎水基を有する化学物質が、ｎ−オクタデシルトリメトキシシランであってもよい。この場合にも、制御された粒径のＣｄＳナノ粒子からなるコアと、コアを制御された空間を介して覆うＳｉＯx 膜からなるシェルが形成される。シェルには所望の官能基が形成されており、所望の溶媒に溶かすことができる。 Particles made of a light-dissolving solid are CdS (cadmium sulfide), an element bonded to the particle surface is an S (sulfur) element, a component element of an oxide that is not light-dissolving is Si, and a group includes Si (silicon) ( CH 3 O) 3 Si- (trimethoxysilyl) group, the chemical substance is (CH 3 O) 3 Si (CH 2 ) 3 SH (3-mercaptopropyltrimethoxysilane), and the chemical substance having a hydrophilic group is The chemical substance having a hydrophobic group, which is an alkylsilane having a carboxyl group, a quaternary ammonium group, an amino group, a sulfonic acid group, or a hydroxyl group, may be n-octadecyltrimethoxysilane. In this case, a core of CdS nanoparticles of controlled particle size, the shell is formed consisting of SiO x film covering over a space which is controlled core. A desired functional group is formed on the shell and can be dissolved in a desired solvent.
波長を制御した光照射によるコア・シェル構造体内部の制御された空隙は、粒子の所望の粒径に対応する吸収端波長の光で光溶解して所望の粒径を得ることができる。この構成によれば、コア・シェル構造体のコアが光を吸収して光溶解し、粒径が小さくなる。粒径が小さくなると、量子サイズ効果により、コアの吸収端波長がより短波長側に移動し、照射光の波長よりコアの吸収端波長が短くなるとコアは光溶解しなくなる。照射光の波長を選択することにより、粒子の径を所望の大きさにできる。粒子の径を所望の大きさにできるので、内部に制御された空隙を有するコア・シェル構造を調製することができる。 The controlled voids in the core-shell structure by light irradiation with controlled wavelength can be photodissolved with light having an absorption edge wavelength corresponding to the desired particle size of the particle to obtain a desired particle size. According to this configuration, the core of the core-shell structure absorbs light and dissolves, and the particle size is reduced. When the particle size is reduced, the absorption edge wavelength of the core shifts to a shorter wavelength side due to the quantum size effect, and when the absorption edge wavelength of the core becomes shorter than the wavelength of the irradiation light, the core does not dissolve. By selecting the wavelength of the irradiation light, the particle diameter can be set to a desired size. Since the particle diameter can be set to a desired size, it is possible to prepare a core-shell structure having a controlled void inside.
また、本発明の内部に制御された空隙を有するコア・シェル構造体を構成要素とする構造体の調製方法は、上記のいずれかの方法で調製した内部に制御された空隙を有する複数のコア・シェル構造体を溶媒に分散し、この溶媒を徐々に蒸発させて自己組織化させ、上記コア・シェル構造体を構成要素とする構造体を形成することを特徴とする。
また、本発明の内部に制御された空隙を有するコア・シェル構造体を構成要素とする構造体の調製方法は、上記のいずれかの方法で調製した内部に制御された空隙を有する複数のコア・シェル構造体を気・液界面に展開し、形成された上記コア・シェル構造体からなる２次元膜を圧縮して組織化することを特徴とする。
また、本発明の内部に制御された空隙を有するコア・シェル構造体を構成要素とする構造体の調製方法は、上記のいずれかの方法で調製した内部に制御された空隙を有する複数のコア・シェル構造体をＤＮＡをテンプレートとして配列することを特徴とする。
また、本発明の内部に制御された空隙を有するコア・シェル構造体を構成要素とする構造体の調製方法は、光溶解する固体からなる粒子と、粒子表面を覆う光溶解しない膜とからなる複数のコア・シェル構造体を溶媒に分散し、溶媒を徐々に蒸発させて複数のコア・シェル構造体を自己組織化し、光溶解液中で自己組織化したコア・シェル構造体に粒子の所望の粒径に対応する吸収端波長の光を照射して光溶解し所望の空隙を形成することを特徴とする。
また、本発明の内部に制御された空隙を有するコア・シェル構造体を構成要素とする構造体の調製方法は、光溶解する固体からなる粒子と、粒子表面を覆う光溶解しない膜とからなる複数のコア・シェル構造体を気・液界面に展開し、形成されたコア・シェル構造体からなる２次元膜を圧縮して組織化し、光溶解液中で自己組織化したコア・シェル構造体に粒子の所望の粒径に対応する吸収端波長の光を照射して光溶解し所望の空隙を形成することを特徴とする。
また、本発明の内部に制御された空隙を有するコア・シェル構造体を構成要素とする構造体の調製方法は、光溶解する固体からなる粒子と、粒子表面を覆う光溶解しない膜とからなる複数のコア・シェル構造体をＤＮＡをテンプレートとして配列し、光溶解液中で配列したコア・シェル構造体に粒子の所望の粒径に対応する吸収端波長の光を照射して光溶解し、所望の空隙を形成することを特徴とする。
上記何れの方法によっても、内部に制御された空隙を有するコア・シェル構造体を構成要素とする構造体を調製することができる。
In addition, a method for preparing a structure including a core / shell structure having a controlled void in the present invention as a constituent element is a plurality of cores having a controlled void prepared in any of the above methods. The shell structure is dispersed in a solvent, and the solvent is gradually evaporated to self-assemble to form a structure having the core / shell structure as a constituent element.
In addition, a method for preparing a structure including a core / shell structure having a controlled void in the present invention as a constituent element is a plurality of cores having a controlled void prepared in any of the above methods. The shell structure is developed at the gas / liquid interface, and the formed two-dimensional film composed of the core / shell structure is compressed and organized.
In addition, a method for preparing a structure including a core / shell structure having a controlled void in the present invention as a constituent element is a plurality of cores having a controlled void prepared in any of the above methods. The shell structure is arranged using DNA as a template.
In addition, a method for preparing a structure including a core / shell structure having controlled voids in the present invention includes a light-soluble solid particle and a non-light-soluble film covering the particle surface. Dispersing multiple core / shell structures in a solvent, gradually evaporating the solvent to self-assemble multiple core / shell structures, and desired particles in the core / shell structure self-assembled in a photodissolving solution It is characterized in that a desired void is formed by irradiating light having an absorption edge wavelength corresponding to the particle size of the material and dissolving the light.
In addition, a method for preparing a structure including a core / shell structure having controlled voids in the present invention includes a light-soluble solid particle and a non-light-soluble film covering the particle surface. A core / shell structure in which a plurality of core / shell structures are developed at the gas / liquid interface, a two-dimensional film composed of the formed core / shell structures is compressed and organized, and self-organized in a photodissolved solution The light is melted by irradiating light having an absorption edge wavelength corresponding to the desired particle size of the particles to form a desired void.
In addition, a method for preparing a structure including a core / shell structure having controlled voids in the present invention includes a light-soluble solid particle and a non-light-soluble film covering the particle surface. A plurality of core / shell structures are arranged using DNA as a template, and the core / shell structure arranged in the photolysis solution is irradiated with light having an absorption edge wavelength corresponding to the desired particle size of the particles, and photodissolved. A desired void is formed.
By any of the above methods, a structure having a core / shell structure having a controlled void inside as a component can be prepared.
本発明によれば、内部に制御された空隙を有するコア・シェル構造体と、このコア・シェル構造体を構成要素とする構造体の調製方法を提供することができる。従来技術では調製できなかった新規な触媒の調製、従来の触媒に比べて極めて高効率な触媒の調製が可能になり、また、ナノデバイスに必要なナノ物質を調製する土台に使用すれば極めて有用である。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the preparation method of the structure which has the core shell structure which has the space | gap controlled inside, and this core shell structure can be provided. It is possible to prepare a new catalyst that could not be prepared by the conventional technology, to prepare a catalyst with extremely high efficiency compared to the conventional catalyst, and to be extremely useful if used as a foundation for preparing nanomaterials necessary for nanodevices. It is.
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実質的に同一の部材には同一の符号を付して説明する。
図１は本発明の、内部に制御された空隙を有するコア・シェル構造体の構成を示す模式断面図である。
図１（ａ）に示すように、本発明の、内部に制御された空隙を有するコア・シェル構造体１は、ナノ微粒子からなるコア２と、コア２を空隙３を介して覆うシェル４とからなる。空隙３の寸法は、用途に応じて任意の大きさに制御される。図示しないが、シェル４は多数のマイクロ孔（数オングストローム程度の径を有する孔）を有している。
図１（ｂ）は本発明の、内部に制御された空隙を有するコア・シェル構造体の他の実施形態を示すものであり、コア・シェル構造体５は、図１（ａ）のコア・シェル構造体１に比べ、シェル４に所定の形状の開口、すなわち、シェル孔６を有することが異なる。
コア２は、光吸収端を有する固体であれば何でも良く、好ましくは、金属カルコゲナイド半導体、例えば、ＣｄＳ（硫化カドミウム）であってよい。コア径は数十ナノメーターから１ナノメーター程度の所望の値に制御される。
シェル４は、光溶解しない物質であれば何でも良く、例えばＳｉＯx （シリカ、０＜ｘ）であってよい。シェル４の径、及び、シェル孔６の径は、用途に応じて数十ナノメーターから数ナノメーター程度の所望の値に制御される。空隙３は、数十ナノメーターから１ナノメーター程度の所望の値に制御される。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Note that substantially the same members will be described with the same reference numerals.
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a core / shell structure having a controlled void in the present invention.
As shown in FIG. 1 (a), a core / shell structure 1 having an internally controlled void according to the present invention includes a core 2 made of nanoparticles, and a shell 4 that covers the core 2 with a void 3 interposed therebetween. Consists of. The dimension of the gap 3 is controlled to an arbitrary size according to the application. Although not shown, the shell 4 has a large number of micropores (holes having a diameter of several angstroms).
FIG. 1 (b) shows another embodiment of the core / shell structure of the present invention having an internally controlled gap, and the core / shell structure 5 is the core / shell structure of FIG. 1 (a). Compared to the shell structure 1, the shell 4 has an opening having a predetermined shape, that is, a shell hole 6.
The core 2 may be any solid as long as it has a light absorption edge, and may preferably be a metal chalcogenide semiconductor such as CdS (cadmium sulfide). The core diameter is controlled to a desired value of about several tens of nanometers to about 1 nanometer.
The shell 4 may be anything as long as it does not dissolve in light, and may be, for example, SiO x (silica, 0 <x). The diameter of the shell 4 and the diameter of the shell hole 6 are controlled to desired values of about several tens of nanometers to several nanometers depending on the application. The air gap 3 is controlled to a desired value of about several tens of nanometers to about 1 nanometer.
本発明の、内部に制御された空隙を有するコア・シェル構造体は、例えば、次に示す用途に使用することができる。
内部に制御された空隙を有するコア・シェル構造体１は、シェル４にマイクロ孔を有し、特定の金属イオンを選択的に通過させる。この機能を利用して、空隙３に特定の金属を析出させることができる。空隙３は所望の大きさに制御されているから、大きさの揃った一定形状の金属微粒子を生成することができる。例えば、バナジウム等の触媒金属微粒子の生成に使用すれば、最も触媒活性が高い形状の触媒金属微粒子を精度良く大量に生成することができる。
また、内部に制御された空隙３を有するコア・シェル構造体５は、シェル４に制御された形状のシェル孔６を有しているので、シェル孔６と空隙３を介して特定の構造を有する特定の物質を選択的に吸着させることができ、コア２を構成する物質を触媒、または光触媒として吸着物質間に反応をおこさせることにより、あるいは、吸着物質とコア２を構成する物質を反応させることにより、従来の調製手段では調製できない化合物を調製できる。
The core / shell structure of the present invention having an internally controlled void can be used, for example, in the following applications.
The core-shell structure 1 having a controlled void inside has micropores in the shell 4 and allows specific metal ions to selectively pass therethrough. Using this function, a specific metal can be deposited in the gap 3. Since the gap 3 is controlled to a desired size, it is possible to generate metal particles having a uniform shape and a uniform shape. For example, when used for the production of catalyst metal fine particles such as vanadium, a large amount of catalyst metal fine particles having the highest catalytic activity can be produced with high accuracy.
Further, the core / shell structure 5 having the controlled gap 3 inside has the shell hole 6 of the shape controlled by the shell 4, so that a specific structure is formed through the shell hole 6 and the gap 3. A specific substance can be selectively adsorbed, and the substance constituting the core 2 is used as a catalyst or photocatalyst to cause a reaction between the adsorbing substances, or the adsorbing substance and the substance constituting the core 2 are reacted. Thus, a compound that cannot be prepared by conventional preparation means can be prepared.
次に、本発明の、内部に制御された空隙を有するコア・シェル構造体を構成要素とする構造体を説明する。
図２は、本発明の、内部に制御された空隙を有するコア・シェル構造体を構成要素とする構造体の構成を示す模式断面図であり、図２（ａ）は図１（ａ）に示したコア・シェル構造体１を構成要素とする構造体７を示し、図２（ｂ）は図１（ｂ）に示したコア・シェル構造体５を構成要素とする構造体８を示している。 本発明の、内部に制御された空隙を有するコア・シェル構造体を構成要素とする構造体７または８は、図１に示した複数のコア・シェル構造体１または５を規則的に配列した構造体である。図においては、最密に積層した構造体を示しているが、これに限らず、種々の形状の構造体が可能である。
構造体７または８によれば、例えば、複雑な反応過程からなる特異な光触媒反応において、コア・シェル構造体に選択的に吸着された反応基質が、構造体７または８の形状に基づいて規則的に配列されるので、光触媒反応に最適な反応場を構築することができる。
Next, the structure of the present invention that includes a core / shell structure having an internally controlled gap will be described.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a structure having a core / shell structure having a controlled internal gap according to the present invention as a constituent element, and FIG. 2 (a) is shown in FIG. 1 (a). FIG. 2B shows a structure 7 having the core-shell structure 1 shown as a constituent element, and FIG. 2B shows a structure 8 having the core-shell structure 5 shown in FIG. 1B as a constituent element. Yes. In the structure 7 or 8 having the core / shell structure having a controlled air gap in the present invention as a constituent element, the plurality of core / shell structures 1 or 5 shown in FIG. 1 are regularly arranged. It is a structure. In the figure, the densely stacked structure is shown, but the present invention is not limited to this, and various shapes of structures are possible.
According to the structure 7 or 8, for example, in a specific photocatalytic reaction consisting of a complicated reaction process, the reaction substrate selectively adsorbed on the core-shell structure is ordered based on the shape of the structure 7 or 8. Therefore, an optimal reaction field for the photocatalytic reaction can be constructed.
次に、本発明の、内部に制御された空隙を有するコア・シェル構造体の調製方法を説明する。なお、説明の途中で図４〜６を参照する。
図３は、本発明の、内部に制御された空隙を有するコア・シェル構造体の調製方法のプロセスを示す図である。
初めに、図３（ａ）に示すように、所望の粒径を有する光溶解する微粒子２を用意する。微粒子２は、例えば、液相沈殿法、あるいはＣＶＤ（化学気相成長）法で生成しても良く、あるいは他の手段で生成したものを用いても良い。
次に、図３（ｂ）に示すように、微粒子２の表面を光溶解しない物質からなるシェル４で被覆する。この際、図１（ａ）に示した構造体１を形成する場合には、シェル４の厚さを十分薄くし、マイクロ孔が残存するようにする。
Next, a method for preparing a core / shell structure having an internally controlled void according to the present invention will be described. Note that FIGS. 4 to 6 are referred to during the description.
FIG. 3 is a diagram showing a process of a method for preparing a core-shell structure having an internally controlled void according to the present invention.
First, as shown in FIG. 3A, photodissolved fine particles 2 having a desired particle diameter are prepared. The fine particles 2 may be generated by, for example, a liquid phase precipitation method or a CVD (chemical vapor deposition) method, or may be generated by other means.
Next, as shown in FIG. 3B, the surface of the fine particles 2 is covered with a shell 4 made of a substance that does not dissolve light. At this time, when the structure 1 shown in FIG. 1A is formed, the thickness of the shell 4 is sufficiently reduced so that the micropores remain.
例えば、微粒子２が金属カルコゲナイド半導体の場合には以下に示す方法が可能である。硫化カドミウム（ＣｄＳ）の場合を例にとって説明する。
図４はＣｄＳ微粒子からなるコアにＳｉＯx からなるシェルを被覆する工程を模式的に示す図である。
図４（ａ）に示すように、チオール化合物の一つである３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン（（ＣＨ3 Ｏ）3 Ｓｉ（ＣＨ2 ）3 ＳＨ ）を用いてＣｄＳ微粒子２の表面を化学修飾することにより、図４（ｂ）に示すように、トリメトキシシリル基（Ｓｉ（ＯＭｅ）3 ）をＣｄＳ微粒子２の表面に導入する（Ｓｉ（ＯＭｅ）3 −／ＣｄＳ）。３−メルカプトプロピルトリメトキシシランは、チオール化合物であるのでチオール化合物のＳを介してＣｄＳに結合することができる。
つづいて、トリメトキシシリル（Ｓｉ（ＯＭｅ）3 ）基を加水分解することにより、図４（ｃ）に示すようにＣｄＳ微粒子２をコア（核）とし、シリカ（ＳｉＯx ）単分子層をシェル（殻）４としたコア・シェル構造体が形成される（ＳｉＯx −／ＣｄＳ）。
表面に導入されたトリメトキシシリル基は、Ｓｉを構成元素として含むので加水分解によってＳｉＯx 膜ができる。ＳｉＯx 膜は光溶解しない。
For example, when the fine particles 2 are a metal chalcogenide semiconductor, the following method is possible. A case of cadmium sulfide (CdS) will be described as an example.
FIG. 4 is a view schematically showing a process of coating a core made of CdS fine particles with a shell made of SiO x .
As shown in FIG. 4A, the surface of the CdS fine particles 2 is chemically modified using 3-mercaptopropyltrimethoxysilane ((CH 3 O) 3 Si (CH 2 ) 3 SH), which is one of thiol compounds. Thus, as shown in FIG. 4B, a trimethoxysilyl group (Si (OMe) 3 ) is introduced into the surface of the CdS fine particles 2 (Si (OMe) 3 − / CdS). Since 3-mercaptopropyltrimethoxysilane is a thiol compound, it can be bonded to CdS via S of the thiol compound.
Subsequently, by hydrolyzing the trimethoxysilyl (Si (OMe) 3 ) group, as shown in FIG. 4C, the CdS fine particles 2 become the core (nucleus), and the silica (SiO x ) monomolecular layer becomes the shell. A core-shell structure with (shell) 4 is formed (SiO x − / CdS).
Since the trimethoxysilyl group introduced on the surface contains Si as a constituent element, a SiO x film can be formed by hydrolysis. The SiO x film is not photo-dissolved.
また、図１（ｂ）に示したシェル孔は以下の方法で形成する。
図５は、ＣｄＳコアとＳｉＯx シェルからなるコア・シェル構造体のシェルにシェル孔を形成する工程を模式的に示す図である。
化学修飾の際に、トリメトキシシリル基等のシラノール基と反応しないアルキルチオール等のチオール化合物を混入し、シラノール基とチオール化合物を競争的に粒子表面に結合させ、図５（ｂ）に示すようにチオール化合物の集合を形成する。加水分解すると、図５（ｃ）に示すようにシラノール基はＳｉＯx シェル４を形成するがチオール化合物の集合はそのまま残留する。次に、ＣｄＳ微粒子を下記に説明するサイズ選択光エッチング法によって粒径を制御して光溶解し、図５（ｄ）に示すようにコア２とシェル４の間に寸法が制御された空間を形成する。つづいて、図５（ｅ）に示すようにチオール化合物の集合を酸化脱離させてシェル孔６を形成する。
Moreover, the shell hole shown in FIG.1 (b) is formed with the following method.
FIG. 5 is a diagram schematically illustrating a process of forming a shell hole in a shell of a core / shell structure including a CdS core and a SiO x shell.
During chemical modification, a thiol compound such as an alkylthiol that does not react with a silanol group such as a trimethoxysilyl group is mixed, and the silanol group and the thiol compound are competitively bound to the particle surface, as shown in FIG. To form an aggregate of thiol compounds. When hydrolyzed, the silanol group forms the SiO x shell 4 as shown in FIG. 5C, but the aggregate of thiol compounds remains as it is. Next, the CdS fine particles are photo-dissolved by controlling the particle size by a size selective photoetching method described below, and a space whose size is controlled between the core 2 and the shell 4 as shown in FIG. Form. Subsequently, as shown in FIG. 5E, the assembly of thiol compounds is oxidatively desorbed to form shell holes 6.
また、水に可溶または有機溶媒に可溶な内部に制御された空間を有するコア・シェル構造体は以下の方法で形成する。
図６は、ＣｄＳコアとＳｉＯx シェルからなるコア・シェル構造体を水に可溶または有機溶媒に可溶に形成する工程を模式的に示す図である。
加水分解した後に、アルキルトリメトキシシラン（Ｘ−Ｒ−Ｓｉ（ＯＭｅ）3 ）等の様々な官能基（Ｘ）を持ったアルキル基を有するアルキルシラン化合物を添加してさらに表面を化学修飾すれば、図６（ｃ）に示すようにＣｄＳ微粒子２の表面のシリカ単分子層をさらに化学修飾することができ（Ｘ−Ｒ−（ＳｉＯx ）−／ＣｄＳ）、アルキル基の有する官能基（Ｘ）の種類によって、ＣｄＳ微粒子２の表面特性を制御することができる。例えば、アルキルシラン化合物にｎ−オクタデシルトリメトキシシランを用いれば、トルエン、ジメチルホルムアルデヒド、クロロホルム、四塩化炭素等に均一に溶解するコア・シェル構造体が得られる。また、官能基Ｘが、カルボキシル基、４級アンモニウム基、アミノ基、スルホン酸基、ヒドロキシル基等を持つアルキルシランを用いれば、水に可溶なコア・シェル構造体が得られる。
A core / shell structure having a controlled space soluble in water or soluble in an organic solvent is formed by the following method.
FIG. 6 is a diagram schematically showing a process of forming a core / shell structure composed of a CdS core and a SiO x shell so as to be soluble in water or soluble in an organic solvent.
After hydrolysis, an alkylsilane compound having an alkyl group having various functional groups (X) such as alkyltrimethoxysilane (X—R—Si (OMe) 3 ) is added to further chemically modify the surface. 6 (c), the silica monolayer on the surface of the CdS fine particles 2 can be further chemically modified (XR— (SiO x ) − / CdS), and the functional group (X ) Can control the surface properties of the CdS fine particles 2. For example, when n-octadecyltrimethoxysilane is used as the alkylsilane compound, a core / shell structure that can be uniformly dissolved in toluene, dimethylformaldehyde, chloroform, carbon tetrachloride or the like can be obtained. If an alkylsilane having a functional group X having a carboxyl group, a quaternary ammonium group, an amino group, a sulfonic acid group, a hydroxyl group or the like is used, a water-soluble core / shell structure can be obtained.
次に、図３（ｃ）に示すように、光溶解液９中で微粒子２に特定の波長の光１０を照射して、コア・シェル構造体の空隙３を制御して形成する。
微粒子２の吸収端波長の光１０を照射すると、微粒子２は光１０を吸収して光溶解反応を生起し、微粒子２の表面が光溶解液に溶解して徐々に径が小さくなる。微粒子２の粒径が約１０ｎｍ以下になると量子サイズ効果が顕著となり、微粒子２の粒径が小さくなるにつれて吸収端波長が短波長側に移動し、吸収端波長が照射光１０の波長より短くなると、光溶解反応が停止し、微粒子２の粒径は一定値に止まる。このように、照射光１０の波長を選択することによって、微粒子２の粒径を制御する。従って、所望の空隙３に応じた微粒子２の粒径を求め、その粒径に応じた波長の光１０を照射することによって、内部に制御された空隙３を有するコア・シェル構造体１または５を調製できる。
なお、本発明の空隙の制御方法は、本発明者らによって既に提案されたサイズ選択光エッチング法（非特許文献１及び２参照）を利用している。このサイズ選択光エッチング法は、半導体ナノ粒子が量子サイズ効果により粒径減少に伴ってエネルギーギャップが増大すること、および金属カルコゲナイド半導体が溶存酸素下の光照射により酸化溶解することを利用しており、広い粒径分布を有する半導体ナノ粒子に、その吸収端の波長よりも短い波長の単色光を照射することで、粒径の大きな半導体ナノ粒子のみを選択的に光励起し溶解させ、より小さな半導体ナノ粒子へと粒径をそろえる方法である。
Next, as shown in FIG. 3C, the fine particles 2 are irradiated with light 10 having a specific wavelength in the photodissolving solution 9 to control and form the voids 3 of the core / shell structure.
When the light 10 having the absorption edge wavelength of the fine particle 2 is irradiated, the fine particle 2 absorbs the light 10 to cause a photodissolution reaction, and the surface of the fine particle 2 is dissolved in the photodissolving solution so that the diameter gradually decreases. When the particle size of the fine particles 2 is about 10 nm or less, the quantum size effect becomes remarkable. As the particle size of the fine particles 2 becomes smaller, the absorption edge wavelength moves to the short wavelength side, and the absorption edge wavelength becomes shorter than the wavelength of the irradiation light 10. The photodissolution reaction stops and the particle diameter of the fine particles 2 remains at a constant value. Thus, the particle diameter of the fine particles 2 is controlled by selecting the wavelength of the irradiation light 10. Therefore, the core / shell structure 1 or 5 having the void 3 controlled inside is obtained by obtaining the particle size of the fine particles 2 corresponding to the desired void 3 and irradiating the light 10 having a wavelength corresponding to the particle size. Can be prepared.
In addition, the control method of the space | gap of this invention utilizes the size selective light etching method (refer nonpatent literature 1 and 2) already proposed by the present inventors. This size-selective photoetching method utilizes the fact that semiconductor nanoparticles have an energy gap that increases as the particle size decreases due to the quantum size effect, and that metal chalcogenide semiconductors are oxidized and dissolved by light irradiation under dissolved oxygen. By irradiating semiconductor nanoparticles having a wide particle size distribution with monochromatic light having a wavelength shorter than the absorption edge wavelength, only the semiconductor nanoparticles having a large particle size are selectively photoexcited and dissolved, resulting in a smaller semiconductor. This is a method of aligning the particle size into nanoparticles.
次に、図２に示した本発明の、内部に制御された空隙を有するコア・シェル構造体を構成要素とした構造体の調製方法を説明する。
図１に示した内部に制御された空隙を有するコア・シェル構造体１または５の複数個を自己組織化法により組織化して所望の形状の構造体を調製する。
以下の自己組織化法が適用できる。
（１）３次元組織化法
コア・シェル構造体１または５を溶媒に分散させ、溶媒を徐々に蒸発させることにより、コア・シェル構造体間のファンデルワールス力によって自己組織化する（非特許文献３参照）。
（２）２次元組織化法
コア・シェル構造体１または５を気−液界面に展開してできた２次元粒子膜を圧縮して組織化する（非特許文献４参照）。
（３）１次元組織化法
ＤＮＡをテンプレートとして、コア・シェル構造体１または５をＤＮＡに沿って配列する（非特許文献５参照）。
次に、自己組織化されたこれらの構造体を熱処理、架橋剤分子等による化学処理、あるいはシェル同士の直接反応によってシェル間を結合し、構造体を安定化する。例えば、シェルがＳｉＯx の場合には、トリエチルシランによりＳｉＯx 薄膜間の架橋を行うことにより、構造体を安定化する。
また、上記説明では、内部に制御された空隙を有するコア・シェル構造体１または５を用いて構造化する方法を説明したが、図３（ｂ）に示した、内部に制御された空隙を形成する前の構造体を用いて上記の方法で所望の形状の構造体を調製した後に、サイズ選択光エッチング法で所望の空隙を形成しても良い。
Next, a method of preparing the structure of the present invention shown in FIG. 2 using the core / shell structure having a controlled void inside as a constituent element will be described.
A plurality of core / shell structures 1 or 5 having controlled internal voids shown in FIG. 1 are organized by a self-organization method to prepare a structure having a desired shape.
The following self-organization methods can be applied.
(1) Three-dimensional organization method The core-shell structure 1 or 5 is dispersed in a solvent, and the solvent is gradually evaporated to self-assemble by van der Waals force between the core-shell structures (non-patent) Reference 3).
(2) Two-dimensional organization method A two-dimensional particle film formed by developing the core-shell structure 1 or 5 at the gas-liquid interface is compressed and organized (see Non-Patent Document 4).
(3) One-dimensional organization method Core-shell structure 1 or 5 is arranged along DNA using DNA as a template (see Non-Patent Document 5).
Next, these self-assembled structures are bonded between shells by heat treatment, chemical treatment with a crosslinking agent molecule or the like, or direct reaction between shells to stabilize the structures. For example, when the shell is SiO x , the structure is stabilized by crosslinking between the SiO x thin films with triethylsilane.
In the above description, the method of structuring using the core / shell structure 1 or 5 having an internally controlled gap has been described. However, the internally controlled gap shown in FIG. After a structure having a desired shape is prepared by the above method using the structure before being formed, a desired void may be formed by a size selective photoetching method.
次に、実施例を説明する。
チオール化合物の１つである３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン（（ＣＨ3 Ｏ）3 Ｓｉ（ＣＨ2 ）3 ＳＨ ）を用いて、硫化カドミウム（ＣｄＳ）ナノ粒子表面を化学修飾することにより、トリメトキシシリル基（（ＣＨ3 Ｏ）3 Ｓｉ−）をナノ粒子表面に導入したあと、トリメトキシシリル基を加水分解することにより、硫化カドミウム（ＣｄＳ）ナノ粒子の表面をシリカ層で被覆するとともにシェル間をＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合で架橋した、コア・シェル構造体を構成要素とする構造体を形成した。得られたコア・シェル構造体に単色光（４５７．９ｎｍ）を照射することで、コア・シェル構造体内部の硫化カドミウム（ＣｄＳ）ナノ粒子にサイズ選択光エッチングを適用し、硫化カドミウム（ＣｄＳ）ナノ粒子の粒径を約２．８ｎｍにまで減少させ、内部に制御された空隙を有するコア・シェル構造体を調製した。
図７は、本実施例で調製した、内部に制御された空隙を有するコア・シェル構造体を構成要素とする構造体の透過電子顕微鏡写真である。
図において、黒い固まり部分が、コアである硫化カドミウム（ＣｄＳ）ナノ粒子であり、その回りに細いリング状の黒い部分はシェルであるシリカ（ＳｉＯx ）であり、その間の白い部分が空隙である。
図から明らかなように、内部に制御された空隙を有するコア・シェル構造体が形成されている。
Next, examples will be described.
By chemically modifying the surface of cadmium sulfide (CdS) nanoparticles with 3-mercaptopropyltrimethoxysilane ((CH 3 O) 3 Si (CH 2 ) 3 SH), which is one of thiol compounds, trimethoxy is obtained. After introducing a silyl group ((CH 3 O) 3 Si—) onto the surface of the nanoparticle, the surface of the cadmium sulfide (CdS) nanoparticle is covered with a silica layer by hydrolyzing the trimethoxysilyl group and between the shells. A structure having a core / shell structure as a constituent element was formed by cross-linking with a Si—O—Si bond. By irradiating the obtained core / shell structure with monochromatic light (457.9 nm), size selective photoetching is applied to the cadmium sulfide (CdS) nanoparticles inside the core / shell structure, and cadmium sulfide (CdS). The core-shell structure was prepared with nano-particle size reduced to about 2.8 nm and with controlled voids inside.
FIG. 7 is a transmission electron micrograph of a structure having a core / shell structure having an internally controlled void prepared in this example.
In the figure, the black solid portion is the core cadmium sulfide (CdS) nanoparticles, the thin ring-shaped black portion around it is the shell silica (SiO x ), and the white portion in between is the void. .
As is apparent from the figure, a core-shell structure having a controlled air gap inside is formed.
１ 内部に制御された空隙を有するコア・シェル構造体
２ ナノ粒子（コア）
３ 空隙
４ シェル（シリカ膜）
５ シェル孔を有する内部に制御された空隙を有するコア・シェル構造体
６ シェル孔
７ 内部に制御された空隙を有するコア・シェル構造体を構成要素とする構造体
８ シェル孔を有する内部に制御された空隙を有するコア・シェル構造体を構成要素とする構造体
９ 光溶解液
１０ 照射光
1 Core-shell structure with controlled voids inside 2 Nanoparticle (core)
3 void 4 shell (silica film)
5 Core-shell structure 6 having a controlled void in the interior having a shell hole 6 Shell hole 7 Structure 8 having a core-shell structure having a controlled void in the interior 8 Controlled in the interior having a shell hole Structure having a core / shell structure having a formed void as a constituent element 9 Photodissolved solution 10 Irradiation light
Claims (11)
上記粒子表面と結合する元素と光溶解しない酸化物の成分元素を含む基とを含む化学物質で化学修飾して上記粒子表面に上記基を導入し、この基を加水分解して上記酸化物からなりかつ多数のマイクロ孔を有する被膜を形成し、この被膜をシェルとするコア・シェル構造体を形成し、
このコア・シェル構造体に光溶解液中で所望の粒径に対応する吸収端波長の光を照射し上記コアを光溶解して、コア・シェル構造体内部に制御された空隙を形成することを特徴とする、内部に制御された空隙を有するコア・シェル構造体の調製方法。 The core is formed by controlling the particle size of particles made of a solid that dissolves light,
The group is introduced into the particle surface by chemical modification with a chemical substance containing an element that binds to the particle surface and a group that contains a constituent element of an oxide that does not dissolve in light. Forming a coating film having a large number of micropores, and forming a core-shell structure having the coating film as a shell,
The core-shell structure is irradiated with light having an absorption edge wavelength corresponding to a desired particle size in a photo-dissolving solution, and the core is photo-dissolved to form a controlled void inside the core-shell structure. A method for preparing a core-shell structure having a controlled void inside.
前記粒子表面と結合する元素はＳ（イオウ）元素であり、
前記光溶解しない酸化物の成分元素はＳｉ（シリコン）であり、前記基はＳｉを含む（ＣＨ3 Ｏ）3 Ｓｉ（トリメトキシシリル）基であり、
前記化学物質は（ＣＨ3 Ｏ）3 Ｓｉ（ＣＨ2 ）3 ＳＨ（３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン）であり、
前記加水分解して形成する被膜はＳｉＯx （シリコン酸化物，０＜ｘ）であることを特徴とする、請求項１に記載の内部に制御された空隙を有するコア・シェル構造体の調製方法。 The particles made of the photo-dissolving solid are CdS (cadmium sulfide),
The element bonded to the particle surface is an S (sulfur) element,
The component element of the oxide that does not dissolve light is Si (silicon), and the group is a (CH 3 O) 3 Si (trimethoxysilyl) group containing Si,
The chemical substance is (CH 3 O) 3 Si (CH 2 ) 3 SH (3-mercaptopropyltrimethoxysilane),
2. The method of preparing a core-shell structure having an internally controlled void according to claim 1, wherein the coating formed by hydrolysis is SiO x (silicon oxide, 0 <x). .
前記粒子表面と結合する元素はＳ（イオウ）元素であり、
前記光溶解しない酸化物の成分元素はＳｉ（シリコン）であり、前記基はＳｉを含む（ＣＨ3 Ｏ）3 Ｓｉ（トリメトキシシリル）基であり、
前記化学物質は（ＣＨ3 Ｏ）3 Ｓｉ（ＣＨ2 ）3 ＳＨ（３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン）であり、
前記親水基を有する化学物質は、カルボシキル基、４級アンモニウム基、アミノ基、スルホン酸基、ヒドロキシル基等を有するアルキルシランであり、
前記疎水基を有する化学物質は、ｎ−オクタデシルトリメトキシシランであることを特徴とする、請求項２に記載の内部に制御された空隙を有するコア・シェル構造体の調製方法。 The particles made of the photodissolving solid are CdS (cadmium sulfide) ,
The element bonded to the particle surface is an S (sulfur) element,
The constituent element of the oxide not dissolved by light is Si (silicon) , and the group is a (CH 3 O) 3 Si (trimethoxysilyl) group containing Si,
The chemical substance is (CH 3 O) 3 Si (CH 2 ) 3 SH (3-mercaptopropyltrimethoxysilane) ,
The chemical substance having a hydrophilic group is an alkylsilane having a carboxyl group, a quaternary ammonium group, an amino group, a sulfonic acid group, a hydroxyl group, and the like.
The method for preparing a core-shell structure having an internally controlled void according to claim 2 , wherein the chemical substance having a hydrophobic group is n-octadecyltrimethoxysilane.
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