JP4471911B2 - Connection method of wavelength conversion element - Google Patents

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Description

本発明は、波長変換素子の接続方法に関し、より詳細には、波長変換素子に形成された導波路と光ファイバとを光学的に結合するための波長変換素子の接続方法に関する。   The present invention relates to a method for connecting wavelength conversion elements, and more particularly to a method for connecting wavelength conversion elements for optically coupling a waveguide formed in the wavelength conversion element and an optical fiber.

従来、光の波長を変換する波長変換素子として、半導体光増幅器を応用した素子、四光波混合を利用する素子、二次非線形光学効果である第二高調波発生、和周波発生、差周波発生を利用した波長変換素子等が知られている(例えば、特許文献1参照)。この中で、ニオブ酸リチウムを用いた擬似位相整合型波長変換素子(以下、QPM−LN素子という)は、QPM−LN素子に入力する1つまたは2つの波長の入射光の組み合わせと、周期的な分極反転構造の周期を変化させることによって、任意の波長の変換光を取り出すことができる。QPM−LN素子を用いた光源により、可視光領域または中赤外領域におけるレーザ光源の実用化が期待されている。   Conventionally, as a wavelength conversion element that converts the wavelength of light, an element that uses a semiconductor optical amplifier, an element that uses four-wave mixing, second harmonic generation, sum frequency generation, and difference frequency generation that are second-order nonlinear optical effects A utilized wavelength conversion element or the like is known (for example, see Patent Document 1). Among them, a quasi phase matching wavelength conversion element (hereinafter referred to as a QPM-LN element) using lithium niobate has a combination of incident light of one or two wavelengths input to the QPM-LN element and a periodicity. By changing the period of a simple domain-inverted structure, converted light having an arbitrary wavelength can be extracted. A light source using a QPM-LN element is expected to put a laser light source into practical use in the visible light region or the mid-infrared region.

QPM−LN素子を用いた光源のモジュール化のためには、1つまたは2つの半導体レーザの出力する励起光を、光ファイバを介してQPM−LN素子の導波路に入射することが必要である。そこで、半導体レーザが1つの場合は、出力用のファイバピグテイルを有する半導体レーザを用意し、ファイバピグテイルをQPM−LN素子の導波路に接続する。半導体レーザが2つの場合は、入出力用の光ファイバを備えた波長合分波器により、2つの励起光を合波して、QPM−LN素子の導波路に接続する。それぞれ、光ファイバと導波路との接続は、レンズを用いた光学系により、光学的に結合していた。   In order to modularize a light source using a QPM-LN element, it is necessary that the pumping light output from one or two semiconductor lasers is incident on the waveguide of the QPM-LN element via an optical fiber. . Therefore, when there is one semiconductor laser, a semiconductor laser having a fiber pigtail for output is prepared, and the fiber pigtail is connected to the waveguide of the QPM-LN element. When there are two semiconductor lasers, two pumping lights are multiplexed by a wavelength multiplexer / demultiplexer including an input / output optical fiber and connected to the waveguide of the QPM-LN element. In each case, the connection between the optical fiber and the waveguide is optically coupled by an optical system using a lens.

例えば、波長2μm帯である中赤外光を発生するためには、波長1.5μmの半導体レーザと波長0.94μmの半導体レーザとから出力された励起光を、波長合波器を用いて合波して、QPM−LN素子の導波路に入射する。QPM−LN素子の差周波発生によって得られた変換光を取り出すことにより、中赤外光を出力する。   For example, in order to generate mid-infrared light having a wavelength of 2 μm, excitation light output from a semiconductor laser having a wavelength of 1.5 μm and a semiconductor laser having a wavelength of 0.94 μm is combined using a wavelength multiplexer. Wave and enter the waveguide of the QPM-LN element. The mid-infrared light is output by taking out the converted light obtained by the difference frequency generation of the QPM-LN element.

特開2003−140214号公報JP 2003-140214 A

しかしながら、レンズを用いた光学系の光回路は、レンズ部品、レンズ部品をYAG溶接するためのホルダ、金属フェルールなどの部品点数が多く、モジュール化のための作業工程が煩雑であるという問題があった。また、レンズ部品等の個々の部品の値段が高く、モジュールの低価格化が難しいという問題もあった。   However, the optical circuit of an optical system using a lens has a problem that the number of parts such as a lens part, a holder for YAG welding the lens part, and a metal ferrule is large, and the work process for modularization is complicated. It was. There is also a problem that the price of individual parts such as lens parts is high and it is difficult to reduce the price of the module.

また、QPM−LN素子のリッジ構造を有する導波路は、中赤外光が導波路外にもしみだして伝播するので、光ファイバと導波路との接続部において、導波路周囲に接着剤などが付着すると、減衰してしまうという問題もあった。   Further, in the waveguide having the ridge structure of the QPM-LN element, the mid-infrared light oozes out of the waveguide and propagates, so that an adhesive or the like is present around the waveguide at the connection portion between the optical fiber and the waveguide. There was also a problem that it would attenuate when attached.

本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、結合部における損失を低減し、簡便な構造で接続が容易な波長変換素子の接続方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide a method for connecting a wavelength conversion element that can be easily connected with a simple structure by reducing loss at a coupling portion. is there.

本発明は、このような目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、周期分極反転構造を有する擬似位相整合型波長変換素子に形成されているリッジ構造を有する導波路と光ファイバとを接続する波長変換素子の接続方法であって、前記波長変換素子を固定するベース基板に凹部を形成し、前記波長変換素子の前記導波路と前記凹部とを対向させ、前記ベース基板を下側に前記波長変換素子を上側にして、前記導波路が前記凹部の底面と接触しないように、前記波長変換素子と前記ベース基板とを接着剤で固定し、前記波長変換素子の前記導波路が形成された面と反対の面に第1のやといを固定し、基板に形成されたV溝に前記光ファイバを把持し、第2のやといを前記基板に固定して前記光ファイバを支持し、前記導波路の端面前記ベース基板の端面および前記第1のやといの端面が同一の面上に形成された第1の面と、前記光ファイバの端面前記基板の端面および前記第2のやといの端面が同一の面上に形成された第2の面とを接合して、前記導波路と前記光ファイバとを光学的に結合することを特徴とする。 In order to achieve the above object, the present invention provides a waveguide and an optical fiber having a ridge structure formed in a quasi phase matching wavelength conversion element having a periodically poled structure. And a concave portion is formed in a base substrate for fixing the wavelength converting element, the waveguide of the wavelength converting element is opposed to the concave portion, and the base substrate is placed below the base substrate. The wavelength conversion element and the base substrate are fixed with an adhesive so that the waveguide does not come into contact with the bottom surface of the recess , with the wavelength conversion element facing upward, and the waveguide of the wavelength conversion element is The first sheath is fixed to the surface opposite to the formed surface, the optical fiber is held in the V-groove formed in the substrate, and the second sheath is fixed to the substrate to support the optical fiber. and, the end face of the waveguide, wherein A first surface and an end face of the optical fiber, the end face and the end face of the second Hire of the substrate is identical to end face and the end face of the first hiring over scan substrate are formed on the same plane The waveguide and the optical fiber are optically coupled by joining a second surface formed on the surface .

請求項に記載の発明は、請求項に記載の前記凹部の深さは、10μm以上100μm以下であることを特徴とする。 The invention described in claim 2 is characterized in that the depth of the recess according to claim 1 is not less than 10 μm and not more than 100 μm.

請求項3に記載の発明は、周期分極反転構造を有する擬似位相整合型波長変換素子に形成されているリッジ構造を有する導波路と光ファイバとを接続する波長変換素子の接続方法であって、前記波長変換素子を固定するベース基板に凹部を形成し、前記波長変換素子の前記導波路が形成された面と反対の面を前記凹部の底面に固定し、前記波長変換素子が前記凹部の側面と接触しないように、前記波長変換素子と前記ベース基板とを固定し、前記波長変換素子の前記導波路と対向して、第1のやといを前記ベース基板に接着剤で固定することであって、前記第1のやといおよびベース基板を水平に保ち、前記導波路と第1のやといとが接触しないように固定し、基板に形成されたV溝に前記光ファイバを把持し、第2のやといを前記基板に固定して前記光ファイバを支持し、前記導波路の端面前記ベース基板の端面および前記第1のやといの端面が同一の面上に形成された第1の面と、前記光ファイバの端面前記基板の端面および前記第2のやといの端面が同一の面上に形成された第2の面とを接合して、前記導波路と前記光ファイバとを光学的に結合することを特徴とする。 The invention according to claim 3 is a method of connecting a wavelength conversion element for connecting a waveguide having a ridge structure formed in a quasi phase matching type wavelength conversion element having a periodically poled structure and an optical fiber, A concave portion is formed in a base substrate for fixing the wavelength conversion element, a surface of the wavelength conversion element opposite to a surface on which the waveguide is formed is fixed to a bottom surface of the concave portion, and the wavelength conversion element is a side surface of the concave portion. The wavelength conversion element and the base substrate are fixed so as not to come into contact with each other, and the first sheath is fixed to the base substrate with an adhesive so as to face the waveguide of the wavelength conversion element. The first sheath and the base substrate are kept horizontal, the waveguide and the first sheath are fixed so as not to contact each other, the optical fiber is held in a V-groove formed in the substrate, 2 to the substrate The end faces of and support the said optical fiber, said end surface of the waveguide, a first surface end face and the end face of the first hiring the base substrate is formed on the same plane, said optical fiber, An end face of the substrate and an end face of the second sheath are joined to a second face formed on the same face to optically couple the waveguide and the optical fiber. To do.

請求項に記載の発明は、請求項に記載の前記凹部の深さは、前記波長変換素子の厚さに10μm以上200μm以下を加えた深さであることを特徴とする。 According to a fourth aspect of the present invention, the depth of the concave portion according to the third aspect is a depth obtained by adding 10 to 200 μm to the thickness of the wavelength conversion element.

以上説明したように、本発明によれば、導波路の周囲に空隙を設けたので、結合部における損失を低減することができ、導波路と光ファイバとを光学的に直接結合するので、簡便な構造で接続することが可能となる。   As described above, according to the present invention, since the gap is provided around the waveguide, the loss in the coupling portion can be reduced, and the waveguide and the optical fiber are directly coupled optically. It becomes possible to connect with a simple structure.

以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図1に、本発明の実施例1にかかる波長変換素子の接続方法を示す。図1(a)は、波長変換素子15と光ファイバ14が固定された光ファイバ固定部材11とを側面から見た図であり、図1(b)は、上面から見た図である。図2に、光ファイバ固定部材11の断面を示す。光ファイバ固定部材11は、深さ175μmのV溝21が形成された、石英またはパイレックス(登録商標)製の基板12と、やとい13とにより構成されている。V溝21には、外径125μmの光ファイバ14が把持され、接着剤によって固定され、基板12上部には、やとい13が接着剤によって固定されている。V溝21両側の斜面とやとい13の底面とにより形成される三角形の中に、円形の光ファイバ14が3点で支持されるように固定されている。   FIG. 1 shows a method for connecting wavelength conversion elements according to Example 1 of the present invention. FIG. 1A is a view of the wavelength conversion element 15 and the optical fiber fixing member 11 to which the optical fiber 14 is fixed as viewed from the side, and FIG. 1B is a view as viewed from the top. FIG. 2 shows a cross section of the optical fiber fixing member 11. The optical fiber fixing member 11 includes a substrate 12 made of quartz or Pyrex (registered trademark) in which a V groove 21 having a depth of 175 μm is formed, and a sheath 13. An optical fiber 14 having an outer diameter of 125 μm is held in the V-groove 21 and fixed with an adhesive, and the sheath 13 is fixed on the substrate 12 with an adhesive. A circular optical fiber 14 is fixed so as to be supported at three points in a triangle formed by the slopes on both sides of the V-groove 21 and the bottom surface of the sheath 13.

図3に、波長変換素子15の断面を示す。波長変換素子15は、ベース基板16上に、QPM−LN素子22が接着剤によって固定されており、その上部には、やとい17が接着剤によって固定されている。QPM−LN素子22の導波路23は、リッジ構造を有している。やとい13,17は、波長変換素子16と光ファイバ固定部材11との接合面積を大きくするための部材である。   FIG. 3 shows a cross section of the wavelength conversion element 15. In the wavelength conversion element 15, the QPM-LN element 22 is fixed on the base substrate 16 with an adhesive, and the end 17 is fixed on the upper part with the adhesive. The waveguide 23 of the QPM-LN element 22 has a ridge structure. Reference numerals 13 and 17 are members for increasing the bonding area between the wavelength conversion element 16 and the optical fiber fixing member 11.

図1(b)を参照して、接続部の詳細を示す。なお、図1(b)においては、やとい13,17を省略している。波長変換素子15の端面は、斜め12度にカットして研磨されている。相対する光ファイバ固定部材11の端面は斜め18度に研磨されている。これは、QPM−LN素子22の屈折率が2.1であるのに対して、石英ガラスの屈折率が1.48であり、スネルの法則で満足される光の伝播方向に導波路の向きを一致させるためである。   With reference to FIG.1 (b), the detail of a connection part is shown. In FIG. 1B, reference numerals 13 and 17 are omitted. The end face of the wavelength conversion element 15 is cut and polished at an angle of 12 degrees. The end surfaces of the opposing optical fiber fixing members 11 are polished at an oblique angle of 18 degrees. This is because the refractive index of the QPM-LN element 22 is 2.1, whereas the refractive index of quartz glass is 1.48, and the direction of the waveguide is in the light propagation direction that is satisfied by Snell's law. This is because of matching.

導波路端面を斜めにカットすることにより、端面での反射戻り光を少なくすることができる。垂直にカットされている場合、石英ガラスの屈折率を1.5とすると、フレネル反射によって光ファイバ14の端面から4%(14dB)の反射戻り光が発生する。40dB以上の反射減衰量を得るためには、8度より大きい角度で、端面を斜めにカットする必要がある。   By cutting the end face of the waveguide obliquely, the reflected return light at the end face can be reduced. In the case of being cut vertically, if the refractive index of quartz glass is 1.5, 4% (14 dB) of reflected return light is generated from the end face of the optical fiber 14 by Fresnel reflection. In order to obtain a return loss of 40 dB or more, it is necessary to cut the end face obliquely at an angle larger than 8 degrees.

図3を参照して、波長変換素子15の構造を説明する。QPM−LN素子22は、導波路23が形成された面と、ザグリ加工が施されたベース基板16とを対向させ、QPM−LN素子22の端部とベース基板16とが接着剤によって固定されている。導波路23はリッジ構造を有するので、導波路23を伝播する中赤外光は、導波路外にもしみだして伝播する。このとき、導波路23の周りに有機物あるいは接着剤が存在すると、しみだした中赤外光の光電界が接着剤により吸収され、減衰してしまう。従って、QPM−LN素子22の導波路23上部には、接着剤が流れ込んではならない。   The structure of the wavelength conversion element 15 will be described with reference to FIG. In the QPM-LN element 22, the surface on which the waveguide 23 is formed and the base substrate 16 subjected to counterboring are opposed to each other, and the end portion of the QPM-LN element 22 and the base substrate 16 are fixed by an adhesive. ing. Since the waveguide 23 has a ridge structure, the mid-infrared light propagating through the waveguide 23 oozes out of the waveguide and propagates. At this time, if an organic substance or an adhesive is present around the waveguide 23, the leaked optical field of mid-infrared light is absorbed by the adhesive and attenuates. Accordingly, the adhesive should not flow into the upper portion of the waveguide 23 of the QPM-LN element 22.

そこで、ベース基板16にザグリ加工を施して、QPM−LN素子22とベース基板16とを接合する接着剤が漏れ出しても、ザグリ加工されたベース基板凹部24に流し込むことにより、導波路23に影響を与えないようにする。ベース基板凹部24の深さは、10μm以上、100μm以下であることが望ましい。深さを10μm以下とすると、QPM−LN素子22を固定したときに、確実にベース基板16との間に空隙を維持するのが難しい。また、深さ100μm以上とすると、導波路端面を研磨するときに導波路にかけが発生する可能性がある。好ましくは深さ50μmのベース基板凹部24を形成することが好適である。また、ベース基板凹部24には、乾燥空気、希ガス、乾燥窒素などの中赤外域に吸収を持たないガスを充填することが望ましい。   Therefore, even if the adhesive which joins the QPM-LN element 22 and the base substrate 16 leaks by applying a counterbore process to the base substrate 16, it flows into the recess 23 of the counterbore base substrate 24 and flows into the waveguide 23. Avoid impact. The depth of the base substrate recess 24 is desirably 10 μm or more and 100 μm or less. If the depth is 10 μm or less, it is difficult to reliably maintain a gap with the base substrate 16 when the QPM-LN element 22 is fixed. Further, when the depth is 100 μm or more, there is a possibility that application of the waveguide to the waveguide when the end face of the waveguide is polished. Preferably, the base substrate recess 24 having a depth of 50 μm is formed. The base substrate recess 24 is preferably filled with a gas that does not absorb in the mid-infrared region, such as dry air, rare gas, or dry nitrogen.

図4に、本発明の実施例2にかかる波長変換素子の構成を示す。QPM−LN素子34は、導波路35が形成された面と、やとい33とを対向させ、ザグリ加工が施されたベース基板32に接着剤によって固定されている。導波路35の周りに接着剤が流れ込まないように、ベース基板凹部36を形成する。ベース基板凹部36の深さは、QPM−LN素子34の高さよりも高いことが望ましく、QPM−LN素子34の厚さに10μmから200μmを加えた深さであることが望ましい。10μmを加えただけでは、QPM−LN素子34とやとい33とが接触する恐れがある。また、200μm以上加えると、導波路端面を研磨するときに導波路にかけが発生する可能性がある。好ましくはQPM−LN素子34の厚さに50μmを加えた深さのベース基板凹部36を形成することが好適である。また、ベース基板凹部36には、乾燥空気、希ガス、乾燥窒素などの中赤外域に吸収を持たないガスを充填することが望ましい。
FIG. 4 shows a configuration of a wavelength conversion element according to Example 2 of the present invention. The QPM-LN element 34 is fixed to the base substrate 32 subjected to counterboring with an adhesive, with the surface on which the waveguide 35 is formed facing the edge 33. A base substrate recess 36 is formed so that the adhesive does not flow around the waveguide 35. The depth of the base substrate recess 36 is preferably higher than the height of the QPM-LN element 34, and is preferably a depth obtained by adding 10 μm to 200 μm to the thickness of the QPM-LN element 34. If only 10 μm is added, there is a possibility that the QPM-LN element 34 and the heel 33 come into contact with each other. Further, when 200 μm or more is added, there is a possibility that application of the waveguide to the waveguide when the end face of the waveguide is polished. Preferably it is preferable to form the base substrate recess 36 having a depth plus 50μm in the thickness of the QPM-LN element 34. The base substrate recess 36 is preferably filled with a gas that does not absorb in the mid-infrared region, such as dry air, rare gas, or dry nitrogen.

なお、実施例2では、ベース基板32にベース基板凹部36を形成したが、やとい33に凹部を形成し、QPM−LN素子34の導波路35をやとい33と対向させて固定してもよい。   In the second embodiment, the base substrate recess 36 is formed in the base substrate 32, but the recess 33 is formed in the end 33, and the waveguide 35 of the QPM-LN element 34 is opposed to the end 33 and fixed. Good.

ベース基板32またはやとい33に用いる部材は、熱膨張係数がLNの値17×10−6(1/K)に近い部材が、接着応力を少なくする意味で望ましい。熱膨張係数が極端に異なる場合、例えば、石英ガラス(熱膨張係数<10×10−7)を用いた場合、接着後の温度上昇または冷却によって導波路に熱ひずみが発生し、最悪の場合には、導波路が破損する恐れがある。LN基板を用いることがもっとも望ましいが、タンタル酸リチウム(以下、LTという)基板(熱膨張係数15×10−6)、または多成分ガラス(例えば、住田光学PFK85、PFK75ガラス)などを用いることができる。 As a member used for the base substrate 32 or the heel 33, a member having a thermal expansion coefficient close to the LN value of 17 × 10 −6 (1 / K) is desirable in the sense of reducing the adhesive stress. If the thermal expansion coefficient of extremely different, for example, when a quartz glass (thermal expansion coefficient of <10 × 10 -7), thermal strain is generated in the waveguide by the temperature rise or cooling after adhesion, in the worst case May damage the waveguide. Although it is most preferable to use an LN substrate, it is preferable to use a lithium tantalate (hereinafter referred to as LT) substrate (thermal expansion coefficient 15 × 10 −6 ), a multicomponent glass (for example, Sumita Optical PFK85, PFK75 glass), or the like. it can.

ベース基板32の厚さは、QPM−LN素子34の厚さに400μm以上加えた厚さであることが望ましい。ザグリ加工したベース基板凹部36の部分の基板厚が400μm以下であると、部材の強度が十分でなく、端面研磨の研磨冶具に固定するさいに破損する恐れがある。また、QPM−LN素子34の厚さに2mm以上加えた厚さとすると、部材の熱伝導が悪くなり、QPM−LN素子34の温度制御が難しくなる。QPM−LN素子34の厚さが500μmである場合は、ベース基板32の厚さは、1.0mmから1.5mmとすることが望ましい。   The thickness of the base substrate 32 is desirably a thickness obtained by adding 400 μm or more to the thickness of the QPM-LN element 34. If the substrate thickness of the counter-bored base substrate recess 36 is 400 μm or less, the strength of the member is not sufficient, and there is a risk of damage when fixing to a polishing jig for end face polishing. Further, when the thickness of the QPM-LN element 34 is 2 mm or more, the heat conduction of the member is deteriorated, and the temperature control of the QPM-LN element 34 becomes difficult. When the thickness of the QPM-LN element 34 is 500 μm, the thickness of the base substrate 32 is desirably 1.0 mm to 1.5 mm.

図5に、実施例3にかかるQPM−LN素子の製造方法を示す。実施例3おいては、ZnドープLiNbOを用いてリッジ導波路型のQPM−LN素子22,34を作製する。最初に、予め周期分極反転構造が作製されているZカットZnドープLiNbO基板41と、ZカットMgドープLiNbO基板42とを用意する。基板41,42は、いずれも両面が光学研磨されてある3インチウエハであり、厚さは500μmである。 FIG. 5 illustrates a method for manufacturing the QPM-LN element according to the third embodiment. In Example 3, ridge waveguide type QPM-LN elements 22 and 34 are fabricated using Zn-doped LiNbO 3 . First, a Z-cut Zn-doped LiNbO 3 substrate 41 and a Z-cut Mg-doped LiNbO 3 substrate 42 on which a periodically poled structure is prepared in advance are prepared. The substrates 41 and 42 are both 3-inch wafers whose surfaces are optically polished and have a thickness of 500 μm.

基板41,42の表面を通常の酸洗浄またはアルカリ洗浄によって親水性にした後、2つの基板を清浄雰囲気中で重ね合わせる。重ね合わせた基板を電気炉に入れ、500℃で3時間熱処理することにより接合を行う(第1の工程)。接合された基板はボイドフリーであり、室温に戻してもクラックなどは発生しない。次に、グラインダなどの研削装置および研磨装置を用いて、基板41の厚さが8μmになるまで薄膜化する。基板41の研磨加工の後に、ポリッシング加工を行うことにより、鏡面の研磨表面を得る(第2の工程)。   After making the surfaces of the substrates 41 and 42 hydrophilic by normal acid cleaning or alkali cleaning, the two substrates are superposed in a clean atmosphere. The superposed substrates are put in an electric furnace and bonded by heat treatment at 500 ° C. for 3 hours (first step). The bonded substrates are void-free, and cracks do not occur even when returned to room temperature. Next, the thickness of the substrate 41 is reduced to 8 μm using a grinding device such as a grinder and a polishing device. After polishing the substrate 41, polishing is performed to obtain a mirror-polished surface (second step).

次に、研磨された薄膜基板をダイシングソーにセットし、粒子径が4ミクロン以下のダイアモンドブレードを用いた精密加工により、コア幅7μmのリッジ導波路を作製する(第3の工程)。ダイシング加工によって形成された溝43a,43bは、深さは20μm程度である。溝43a,43bの深さは、コアの膜厚、すなわち11μmよりも深いことが望ましい。コアの膜厚よりも浅い場合には、導波路進行方向の溝加工深さのわずかな変動により、導波路の等価屈折率が変化するので、発生する位相整合条件のずれによって変換効率が劣化するからである。好適な溝43a,43bの深さは、コアの膜厚の2倍程度から40μm以下である。40μmを超えて深く加工することは、導波路自体の機械的強度が劣化するので好ましくない。作製された基板を短冊状に切りだし、導波路端面を光学研磨することにより、長さ50mmのQPM−LN素子22,34が得られる。   Next, the polished thin film substrate is set on a dicing saw, and a ridge waveguide having a core width of 7 μm is manufactured by precision processing using a diamond blade having a particle diameter of 4 microns or less (third step). The grooves 43a and 43b formed by dicing have a depth of about 20 μm. The depth of the grooves 43a and 43b is desirably deeper than the core film thickness, that is, 11 μm. When the film thickness is shallower than the core thickness, the waveguide's equivalent refractive index changes due to slight fluctuations in the groove depth in the direction of travel of the waveguide. Because. A preferable depth of the grooves 43a and 43b is about twice the thickness of the core to 40 μm or less. Processing deeper than 40 μm is not preferable because the mechanical strength of the waveguide itself deteriorates. The manufactured substrates are cut into strips, and the end faces of the waveguide are optically polished, whereby QPM-LN elements 22 and 34 having a length of 50 mm are obtained.

なお、予め周期分極反転構造が作製されているZカットZnドープLiNbO基板41と、LT基板とを用いてもよい。また、ノンドープLiNbO基板とLT基板とを用いてもよいし、ZカットMgドープLiNbO基板とLT基板とを組み合わせても、QPM−LN素子22,34を作製することができる。 Note that the Z-cut Zn-doped LiNbO 3 substrate 41 in advance periodically poled structure is formed, may be used and LT substrate. Further, the non-doped LiNbO 3 substrate and the LT substrate may be used, or the QPM-LN elements 22 and 34 can be manufactured by combining the Z-cut Mg-doped LiNbO 3 substrate and the LT substrate.

基板の厚さは、500μmに限らず、厚さ200μm以上1mm以下の基板を用いることができる。基板厚さが200μm以下の場合には、基板自体のソリによって接合時に接合界面にボイドが発生する恐れがある。また、1mmより厚い基板を用いた場合には、基板自体の材料費が高くなり、製造原価を押し上げる原因となる。   The thickness of the substrate is not limited to 500 μm, and a substrate having a thickness of 200 μm to 1 mm can be used. When the substrate thickness is 200 μm or less, voids may occur at the bonding interface during bonding due to warpage of the substrate itself. In addition, when a substrate thicker than 1 mm is used, the material cost of the substrate itself becomes high, which increases the manufacturing cost.

実施例3で作製したQPM−LN素子34を用いて、実施例2の波長変換素子31を作製する。PFK85ガラスからなるベース基板32にザグリ加工を施したベース基板凹部36を形成する。QPM−LN素子34の厚さは500μmであり、ベース基板凹部36の深さは550μmである。QPM−LN素子34を、ベース基板凹部36にUV効果樹脂を用いて接着固定する。次に、やとい33とベース基板32とを、UV効果樹脂を用いて接着固定する。波長変換素子31の端面を斜め12度にカットし、光学研磨する。このとき、QPM−LN素子34の導波路35にカケなどは発生しない。なお、導波路35のカケを防止するために、UV接着剤を用いて、端面から1mm程度の長さまで導波路35の上部を埋め込んでから研磨することもできる。   Using the QPM-LN element 34 manufactured in Example 3, the wavelength conversion element 31 of Example 2 is manufactured. A base substrate recess 36 is formed in the base substrate 32 made of PFK85 glass. The thickness of the QPM-LN element 34 is 500 μm, and the depth of the base substrate recess 36 is 550 μm. The QPM-LN element 34 is bonded and fixed to the base substrate recess 36 using a UV effect resin. Next, the adhesive 33 and the base substrate 32 are bonded and fixed using a UV effect resin. The end face of the wavelength conversion element 31 is cut at an angle of 12 degrees and optically polished. At this time, no chipping or the like occurs in the waveguide 35 of the QPM-LN element 34. In order to prevent chipping of the waveguide 35, it is also possible to polish after embedding the upper portion of the waveguide 35 to a length of about 1 mm from the end face using a UV adhesive.

実施例1に示した光ファイバ14が固定された光ファイバ固定部材11を用意し、光ファイバ14に波長1.5μmの光を入力し、調芯を行った後、接続損失が最小になる位置で波長変換素子31と光ファイバ固定部材11とを接着固定する。光ファイバカプラを用いて波長1.54μmの光と波長0.94μmの光とを合波し、光ファイバ14に入力したところ50%/Wの効率で波長2.4μmの中赤外光を得ることができる。   The position at which the connection loss is minimized after the optical fiber fixing member 11 to which the optical fiber 14 shown in the first embodiment is fixed is prepared, light having a wavelength of 1.5 μm is input to the optical fiber 14 and alignment is performed. Then, the wavelength conversion element 31 and the optical fiber fixing member 11 are bonded and fixed. Using an optical fiber coupler, the light of wavelength 1.54 μm and the light of wavelength 0.94 μm are combined and input to the optical fiber 14 to obtain mid-infrared light of wavelength 2.4 μm with an efficiency of 50% / W. be able to.

実施例3で作製したQPM−LN素子22を用いて、実施例1の波長変換素子15を作製する。LT基板である、ベース基板16にザグリ加工を施して、深さ50μmのベース基板凹部24を形成する。QPM−LN素子22の導波路23が形成された面と、ベース基板凹部24とが相対するように配置して、QPM−LN素子22の端部とベース基板16とをUV効果樹脂によって固定する。次に、やとい17とQPM−LN素子22とを、UV効果樹脂を用いて接着固定する。波長変換素子15の端面を斜め12度にカットし、光学研磨する。このとき、QPM−LN素子22の導波路23にカケなどは発生しない。なお、導波路23のカケを防止するために、UV接着剤を用いて、端面から1mm程度の長さまで導波路23の上部を埋め込んでから研磨することもできる。   Using the QPM-LN element 22 produced in Example 3, the wavelength conversion element 15 of Example 1 is produced. The base substrate 16, which is an LT substrate, is counterbored to form a base substrate recess 24 having a depth of 50 μm. The surface of the QPM-LN element 22 on which the waveguide 23 is formed and the base substrate recess 24 are arranged so as to face each other, and the end of the QPM-LN element 22 and the base substrate 16 are fixed with a UV effect resin. . Next, the short 17 and the QPM-LN element 22 are bonded and fixed using a UV effect resin. The end face of the wavelength conversion element 15 is cut at an angle of 12 degrees and optically polished. At this time, no chipping or the like occurs in the waveguide 23 of the QPM-LN element 22. In order to prevent chipping of the waveguide 23, it is also possible to polish after embedding the upper portion of the waveguide 23 to a length of about 1 mm from the end face using a UV adhesive.

実施例1に示した光ファイバ14が固定された光ファイバ固定部材11を用意し、光ファイバ14に波長1.5μmの光を入力し、調芯を行った後、接続損失が最小になる位置で波長変換素子31と光ファイバ固定部材11とを接着固定する。光ファイバカプラを用いて波長1.54μmの光と波長0.94μmの光とを合波し、光ファイバ14に入力したところ50%/Wの効率で波長2.4μmの中赤外光を得ることができる。   The position at which the connection loss is minimized after the optical fiber fixing member 11 to which the optical fiber 14 shown in the first embodiment is fixed is prepared, light having a wavelength of 1.5 μm is input to the optical fiber 14 and alignment is performed. Then, the wavelength conversion element 31 and the optical fiber fixing member 11 are bonded and fixed. Using an optical fiber coupler, the light of wavelength 1.54 μm and the light of wavelength 0.94 μm are combined and input to the optical fiber 14 to obtain mid-infrared light of wavelength 2.4 μm with an efficiency of 50% / W be able to.

本発明の実施例1にかかる波長変換素子の接続方法を示す構成図である。It is a block diagram which shows the connection method of the wavelength conversion element concerning Example 1 of this invention. 光ファイバ固定部材の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of an optical fiber fixing member. 波長変換素子の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of a wavelength conversion element. 本発明の実施例2にかかる波長変換素子の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the wavelength conversion element concerning Example 2 of this invention. 本発明の実施例3にかかるQPM−LN素子の製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the QPM-LN element concerning Example 3 of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

11 光ファイバ固定部材
12 基板
13,17,33 やとい
14 光ファイバ
15,31 波長変換素子
16,32 ベース基板
21 V溝
22,34 QPM−LN素子
23,35 導波路
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Optical fiber fixing member 12 Board | substrate 13, 17, 33 Yato 14 Optical fiber 15, 31 Wavelength conversion element 16, 32 Base board 21 V groove | channel 22, 34 QPM-LN element 23, 35 Waveguide

Claims (4)

周期分極反転構造を有する擬似位相整合型波長変換素子に形成されているリッジ構造を有する導波路と光ファイバとを接続する波長変換素子の接続方法であって、
前記波長変換素子を固定するベース基板に凹部を形成し、前記波長変換素子の前記導波路と前記凹部とを対向させ、前記ベース基板を下側に前記波長変換素子を上側にして、前記導波路が前記凹部の底面と接触しないように、前記波長変換素子と前記ベース基板とを接着剤で固定し、前記波長変換素子の前記導波路が形成された面と反対の面に第1のやといを固定し、
基板に形成されたV溝に前記光ファイバを把持し、第2のやといを前記基板に固定して前記光ファイバを支持し、
前記導波路の端面前記ベース基板の端面および前記第1のやといの端面が同一の面上に形成された第1の面と、前記光ファイバの端面前記基板の端面および前記第2のやといの端面が同一の面上に形成された第2の面とを接合して、前記導波路と前記光ファイバとを光学的に結合することを特徴とする波長変換素子の接続方法。
A method for connecting a wavelength conversion element for connecting an optical fiber and a waveguide having a ridge structure formed in a quasi phase matching wavelength conversion element having a periodically poled structure,
A recess is formed in a base substrate to which the wavelength conversion element is fixed, the waveguide of the wavelength conversion element is opposed to the recess, the base substrate is on the lower side, the wavelength conversion element is on the upper side, and the waveguide The wavelength conversion element and the base substrate are fixed with an adhesive so that they do not come into contact with the bottom surface of the concave portion, and a first mirror is provided on the surface opposite to the surface on which the waveguide of the wavelength conversion element is formed. Fixed,
Holding the optical fiber in a V-groove formed in the substrate, fixing a second sheath to the substrate, and supporting the optical fiber;
An end face of the waveguide, an end face of the base substrate and an end face of the first sheath are formed on the same face , an end face of the optical fiber, an end face of the substrate , and the second face the end face of Hire is by joining a second surface formed on the same plane, the connection method of the wavelength conversion element, which comprises coupling the optical fiber and the waveguide optically.
前記凹部の深さは、10μm以上100μm以下であることを特徴とする請求項1に記載の波長変換素子の接続方法。   2. The method for connecting wavelength conversion elements according to claim 1, wherein the depth of the recess is 10 [mu] m to 100 [mu] m. 周期分極反転構造を有する擬似位相整合型波長変換素子に形成されているリッジ構造を有する導波路と光ファイバとを接続する波長変換素子の接続方法であって、
前記波長変換素子を固定するベース基板に凹部を形成し、前記波長変換素子の前記導波路が形成された面と反対の面を前記凹部の底面に固定し、前記波長変換素子が前記凹部の側面と接触しないように、前記波長変換素子と前記ベース基板とを固定し、
前記波長変換素子の前記導波路と対向して、第1のやといを前記ベース基板に接着剤で固定することであって、前記第1のやといおよびベース基板を水平に保ち、前記導波路と第1のやといとが接触しないように固定し、
基板に形成されたV溝に前記光ファイバを把持し、第2のやといを前記基板に固定して前記光ファイバを支持し、
前記導波路の端面前記ベース基板の端面および前記第1のやといの端面が同一の面上に形成された第1の面と、前記光ファイバの端面前記基板の端面および前記第2のやといの端面が同一の面上に形成された第2の面とを接合して、前記導波路と前記光ファイバとを光学的に結合することを特徴とする波長変換素子の接続方法。
A method for connecting a wavelength conversion element for connecting an optical fiber and a waveguide having a ridge structure formed in a quasi phase matching wavelength conversion element having a periodically poled structure,
A concave portion is formed in a base substrate for fixing the wavelength conversion element, a surface of the wavelength conversion element opposite to a surface on which the waveguide is formed is fixed to a bottom surface of the concave portion, and the wavelength conversion element is a side surface of the concave portion. Fixing the wavelength conversion element and the base substrate so as not to come into contact with
The first sheath is fixed to the base substrate with an adhesive so as to face the waveguide of the wavelength conversion element, and the first sheath and the base substrate are kept horizontal, and the waveguide Fixed so that it does not come into contact with the first
Holding the optical fiber in a V-groove formed in the substrate, fixing a second sheath to the substrate, and supporting the optical fiber;
An end face of the waveguide, an end face of the base substrate and an end face of the first sheath are formed on the same face , an end face of the optical fiber, an end face of the substrate , and the second face the end face of Hire is by joining a second surface formed on the same plane, the connection method of the wavelength conversion element, which comprises coupling the optical fiber and the waveguide optically.
前記凹部の深さは、前記波長変換素子の厚さに10μm以上200μm以下を加えた深さであることを特徴とする請求項3に記載の波長変換素子の接続方法。   4. The wavelength conversion element connection method according to claim 3, wherein the depth of the concave portion is a depth obtained by adding 10 to 200 [mu] m to the thickness of the wavelength conversion element.
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