JP4426548B2

JP4426548B2 - Micro mirror element

Info

Publication number: JP4426548B2
Application number: JP2006157299A
Authority: JP
Inventors: 弘光曽根田; 知史上田; 久雄奥田; 一平佐脇; 修壷井; 義博水野; 悟覚高馬; 義孝中村; 文雄山岸
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 2006-06-06
Filing date: 2006-06-06
Publication date: 2010-03-03
Anticipated expiration: 2022-05-24
Also published as: JP2006251829A

Description

本発明は、複数の光ファイバ間の光路の切り換えを行う光スイッチング装置などに組み込まれる素子であって、光反射によって光の進行方向を変更するためのマイクロミラー素子に関する。 The present invention relates to a micromirror element that is incorporated in an optical switching device that switches an optical path between a plurality of optical fibers and that changes the traveling direction of light by light reflection.

近年、光通信技術が様々な分野で広く利用されるようになってきた。光通信においては、光ファイバを媒体として光信号が伝送され、光信号の伝送経路を或るファイバから他のファイバへと切換えるためには、一般に、いわゆる光スイッチング装置が使用されている。良好な光通信を達成するうえで光スイッチング装置に求められる特性としては、切換え動作における、大容量性、高速性、高信頼性などが挙げられる。これらの観点より、光スイッチング装置に組み込まれるスイッチング素子としては、マイクロマシニング技術によって作製されるマイクロミラー素子が注目を集めている。マイクロミラー素子によると、光スイッチング装置における入力側の光伝送路と出力側の光伝送路との間で、光信号を電気信号に変換せずに光信号のままでスイッチング処理を行うことができ、上述の特性を得るうえで好適だからである。 In recent years, optical communication technology has been widely used in various fields. In optical communication, an optical signal is transmitted using an optical fiber as a medium, and a so-called optical switching device is generally used to switch the transmission path of the optical signal from one fiber to another. Characteristics required for an optical switching device to achieve good optical communication include large capacity, high speed, and high reliability in the switching operation. From these viewpoints, as a switching element incorporated in an optical switching device, a micromirror element manufactured by a micromachining technique has attracted attention. According to the micromirror element, it is possible to perform a switching process between an optical transmission path on the input side and an optical transmission path on the output side in the optical switching device without converting the optical signal into an electrical signal. This is because it is suitable for obtaining the above-mentioned characteristics.

マイクロマシニング技術で作製したマイクロミラー素子を用いた光スイッチング装置は、例えば、例えば下記の特許文献１や非特許文献１に記載されている。 An optical switching device using a micromirror element manufactured by a micromachining technique is described in, for example, Patent Document 1 and Non-Patent Document 1 below.

国際公開第００／２０８９９号パンフレットInternational Publication No. 00/20899 pamphlet 「Fully Provisioned 112×112 Micro-Mechanical Optical Crossconnect with 35.8Tb/sec Demonstrated Capacity」Proc. 25th Optical Fiber Communication Conf. Baltimore. PD12(2000)“Fully Provisioned 112 × 112 Micro-Mechanical Optical Crossconnect with 35.8Tb / sec Demonstrated Capacity” Proc. 25th Optical Fiber Communication Conf. Baltimore. PD12 (2000)

図１８は、一般的な光スイッチング装置５００の概略構成を表す。光スイッチング装置５００は、一対のマイクロミラーアレイ５０１，５０２と、入力ファイバアレイ５０３と、出力ファイバアレイ５０４と、複数のマイクロレンズ５０５，５０６とを備える。入力ファイバアレイ５０３は所定数の入力ファイバ５０３ａからなり、マイクロミラーアレイ５０１には、各入力ファイバ５０３ａに対応するマイクロミラー素子５０１ａが複数配設されている。同様に、出力ファイバアレイ５０４は所定数の出力ファイバ５０４ａからなり、マイクロミラーアレイ５０２には、各出力ファイバ５０４ａに対応するマイクロミラー素子５０２ａが複数配設されている。マイクロミラー素子５０１ａ，５０２ａは、各々、光を反射するためのミラー面を有し、当該ミラー面の向きを制御できるように構成されている。複数のマイクロレンズ５０５は、各々、入力ファイバ５０３ａの端部に対向するように配置されている。同様に、複数のマイクロレンズ５０６は、各々、出力ファイバ５０４ａの端部に対向するように配置されている。 FIG. 18 shows a schematic configuration of a general optical switching device 500. The optical switching device 500 includes a pair of micromirror arrays 501 and 502, an input fiber array 503, an output fiber array 504, and a plurality of microlenses 505 and 506. The input fiber array 503 includes a predetermined number of input fibers 503a, and the micromirror array 501 is provided with a plurality of micromirror elements 501a corresponding to the input fibers 503a. Similarly, the output fiber array 504 includes a predetermined number of output fibers 504a, and the micromirror array 502 is provided with a plurality of micromirror elements 502a corresponding to the respective output fibers 504a. Each of the micromirror elements 501a and 502a has a mirror surface for reflecting light, and is configured so that the direction of the mirror surface can be controlled. The plurality of microlenses 505 are disposed so as to face the end of the input fiber 503a. Similarly, each of the plurality of microlenses 506 is disposed so as to face the end of the output fiber 504a.

光伝送時において、入力ファイバ５０３ａから出射される光Ｌ１は、対応するマイクロレンズ５０５を通過することによって、相互に平行光とされ、マイクロミラーアレイ５０１へ向かう。光Ｌ１は、対応するマイクロミラー素子５０１ａで反射し、マイクロミラーアレイ５０２へと偏向される。このとき、マイクロミラー素子５０１ａのミラー面は、光Ｌ１を所望のマイクロミラー素子５０２ａに入射させるように、予め所定の方向を向いている。次に、光Ｌ１は、マイクロミラー素子５０２ａで反射し、出力ファイバアレイ５０４へと偏向される。このとき、マイクロミラー素子５０２ａのミラー面は、所望の出力ファイバ５０４ａに光Ｌ１を入射させるように、予め所定の方向を向いている。 At the time of optical transmission, the light L1 emitted from the input fiber 503a passes through the corresponding microlens 505 to be converted into parallel light and travels toward the micromirror array 501. The light L1 is reflected by the corresponding micromirror element 501a and deflected to the micromirror array 502. At this time, the mirror surface of the micromirror element 501a is directed in a predetermined direction so that the light L1 is incident on the desired micromirror element 502a. Next, the light L 1 is reflected by the micromirror element 502 a and deflected to the output fiber array 504. At this time, the mirror surface of the micromirror element 502a is directed in a predetermined direction so that the light L1 is incident on the desired output fiber 504a.

このように、光スイッチング装置５００によると、各入力ファイバ５０３ａから出射した光Ｌ１は、マイクロミラーアレイ５０１，５０２における偏向によって、所望の出力ファイバ５０４ａに到達する。すなわち、入力ファイバ５０３ａと出力ファイバ５０４ａは１対１で接続される。そして、マイクロミラー素子５０１ａ，５０２ａにおける偏向角度を適宜変更することによって、光Ｌ１が到達する出力ファイバ５０４ａが切換えられる。 Thus, according to the optical switching device 500, the light L1 emitted from each input fiber 503a reaches the desired output fiber 504a by the deflection in the micromirror arrays 501 and 502. That is, the input fiber 503a and the output fiber 504a are connected on a one-to-one basis. Then, by appropriately changing the deflection angle in the micromirror elements 501a and 502a, the output fiber 504a to which the light L1 reaches is switched.

図１９は、他の一般的な光スイッチング装置６００の概略構成を表す。光スイッチング装置６００は、マイクロミラーアレイ６０１と、固定ミラー６０２と、入出力ファイバアレイ６０３と、複数のマイクロレンズ６０４とを備える。入出力ファイバアレイ６０３は所定数の入力ファイバ６０３ａおよび所定数の出力ファイバ６０３ｂからなり、マイクロミラーアレイ６０１には、各ファイバ６０３ａ，６０３ｂに対応するマイクロミラー素子６０１ａが複数配設されている。マイクロミラー素子６０１ａは、各々、光を反射するためのミラー面を有し、当該ミラー面の向きを制御できるように構成されている。複数のマイクロレンズ６０４は、各々、各ファイバ６０３ａ，６０３ｂの端部に対向するように配置されている。 FIG. 19 shows a schematic configuration of another general optical switching device 600. The optical switching device 600 includes a micro mirror array 601, a fixed mirror 602, an input / output fiber array 603, and a plurality of micro lenses 604. The input / output fiber array 603 includes a predetermined number of input fibers 603a and a predetermined number of output fibers 603b. The micromirror array 601 includes a plurality of micromirror elements 601a corresponding to the fibers 603a and 603b. Each of the micromirror elements 601a has a mirror surface for reflecting light, and is configured so that the direction of the mirror surface can be controlled. The plurality of microlenses 604 are disposed so as to face the ends of the fibers 603a and 603b, respectively.

光伝送時において、入力ファイバ６０３ａから出射された光Ｌ２は、マイクロレンズ６０４を介してマイクロミラーアレイ６０１に向かって出射する。光Ｌ２は、対応する第１のマイクロミラー素子６０１ａで反射されることによって固定ミラー６０２へと偏向され、固定ミラー６０２で反射された後、第２のマイクロミラー素子６０１ａに入射する。このとき、第１のマイクロミラー素子６０１ａのミラー面は、光Ｌ２を所望の第２のマイクロミラー素子６０１ａに入射させるように、予め所定の方向を向いている。次に、光Ｌ２は、第２のマイクロミラー素子６０１ａで反射されることによって、入出力ファイバアレイ６０３へと偏向される。このとき、第２のマイクロミラー素子６０１ａのミラー面は、光Ｌ２を所望の出力ファイバ６０３ｂに入射させるように、予め所定の方向を向いている。 At the time of optical transmission, the light L2 emitted from the input fiber 603a is emitted toward the micromirror array 601 through the microlens 604. The light L2 is reflected by the corresponding first micromirror element 601a to be deflected to the fixed mirror 602, reflected by the fixed mirror 602, and then incident on the second micromirror element 601a. At this time, the mirror surface of the first micromirror element 601a faces in a predetermined direction in advance so that the light L2 is incident on the desired second micromirror element 601a. Next, the light L2 is reflected to the input / output fiber array 603 by being reflected by the second micromirror element 601a. At this time, the mirror surface of the second micromirror element 601a faces in a predetermined direction in advance so that the light L2 enters the desired output fiber 603b.

このように、光スイッチング装置６００によると、各入力ファイバ６０３ａから出射した光Ｌ２は、マイクロミラーアレイ６０１および固定ミラー６０２における偏向によって、所望の出力ファイバ６０３ｂに到達する。すなわち、入力ファイバ６０３ａと出力ファイバ６０３ｂは１対１で接続される。そして、第１および第２のマイクロミラー素子６０１ａにおける偏向角度を適宜変更することによって、光Ｌ２が到達する出力ファイバ６０３ｂが切換えられる。 Thus, according to the optical switching device 600, the light L2 emitted from each input fiber 603a reaches the desired output fiber 603b by the deflection in the micromirror array 601 and the fixed mirror 602. That is, the input fiber 603a and the output fiber 603b are connected on a one-to-one basis. Then, by appropriately changing the deflection angle in the first and second micromirror elements 601a, the output fiber 603b to which the light L2 reaches is switched.

上述のような光スイッチング装置５００，６００においては、光通信網が大規模化するほどファイバ数は増加し、従って、マイクロミラーアレイに組み込まれるマイクロミラー素子ないしミラー面の数も増加する。ミラー面の数が増加するほど、当該ミラー面を駆動するために必要な配線の量は増加するので、単一のマイクロミラーアレイにおいて、配線形成に必要な面積は増大する。同一基板に対してミラー面とともに配線パターンを形成する場合、配線形成領域が拡大するほど、ミラー面間のピッチを大きくする必要がある。その結果、当該基板ないしマイクロミラーアレイが大きなものとなってしまう。また、ミラー面の数が増加すると、同一基板に対してミラー面とともに配線パターンを形成すること自体が困難となる傾向にある。 In the optical switching devices 500 and 600 as described above, the number of fibers increases as the size of the optical communication network increases, and accordingly, the number of micromirror elements or mirror surfaces incorporated in the micromirror array also increases. As the number of mirror surfaces increases, the amount of wiring necessary to drive the mirror surface increases, so that the area required for wiring formation in a single micromirror array increases. When forming a wiring pattern with a mirror surface on the same substrate, it is necessary to increase the pitch between the mirror surfaces as the wiring formation region is enlarged. As a result, the substrate or the micromirror array becomes large. Further, when the number of mirror surfaces increases, it tends to be difficult to form a wiring pattern together with the mirror surface on the same substrate.

本発明は、このような事情のもとで考え出されたものであって、ミラー面の数の増加に伴う素子の大型化を抑制可能なマイクロミラー素子に関する。 The present invention has been conceived under such circumstances, and relates to a micromirror element capable of suppressing an increase in size of the element due to an increase in the number of mirror surfaces.

本発明の第１の側面によるとマイクロミラー素子が提供される。このマイクロミラー素子は、フレーム部と、ミラー部を有する可動部と、フレーム部および可動部を連結するトーションバーとが形成されているマイクロミラー基板と、配線パターンが形成されている配線基板と、マイクロミラー基板および配線基板を離隔させつつフレーム部および配線パターンを電気的に接続するための導電スペーサとを備え、導電スペーサは、積み重なる複数のバンプからなる。 According to a first aspect of the present invention, a micromirror element is provided. The micromirror element includes a frame part, a movable part having a mirror part, a micromirror substrate on which a torsion bar connecting the frame part and the movable part is formed, a wiring board on which a wiring pattern is formed, And a conductive spacer for electrically connecting the frame portion and the wiring pattern while separating the micromirror substrate and the wiring substrate, and the conductive spacer includes a plurality of stacked bumps.

本発明の第１の側面に係るマイクロミラー素子では、ミラー部を有する可動部と、これを駆動するために必要な配線とは、別々の基板に形成されている。したがって、可動部と配線とを同一基板に形成することに起因してマイクロミラー素子が大型化してしまうことはない。例えば、複数のミラー部ないし可動部を有する場合であっても、マイクロミラー基板に形成されるミラー部の数の増加に伴って当該ミラー部の形成ピッチが大きくなることは、適切に回避することができる。また、マイクロミラー基板においては、可動部を駆動するための導電経路が、フレーム部ないし固定部に適宜形成されており、当該導電経路と配線基板上の配線とは、導電スペーサにより電気的に接続されている。そのため、可動部とこれを駆動するために必要な配線とが別々の基板に形成されておっても、当該配線を介しての当該可動部の駆動を行うことができる。加えて、可動部が形成されているマイクロミラー基板と、配線が形成されている配線基板とは、導電スペーサにより離隔されている。そのため、可動部を有するマイクロミラー基板に隣接する配線基板を具備しておっても、マイクロミラー基板と配線基板との間の離隔距離を導電スペーサにより充分に確保することによって、配線基板が可動部に当接して当該可動部の動作を妨げてしまうことは回避される。更に加えて、小径のバンプを複数積み重ねて各導電スペーサを構成することにより、各導電スペーサが幅太となることを回避することができ、従って、所定の複数の導電スペーサを密集して（即ち小領域内に）形成することが可能となる。このように、本発明の第１の側面によると、マイクロミラー素子の大型化を抑制しつつ、マイクロミラー素子の可動部の駆動を適切に行うことができるのである。 In the micromirror element according to the first aspect of the present invention, the movable part having the mirror part and the wiring necessary for driving the mirror part are formed on separate substrates. Therefore, the micromirror element is not enlarged due to the formation of the movable part and the wiring on the same substrate. For example, even in the case of having a plurality of mirror parts or movable parts, appropriately avoiding an increase in the formation pitch of the mirror parts as the number of mirror parts formed on the micromirror substrate increases. Can do. In the micromirror substrate, a conductive path for driving the movable part is appropriately formed in the frame part or the fixed part, and the conductive path and the wiring on the wiring board are electrically connected by a conductive spacer. Has been. Therefore, even if the movable part and the wiring necessary for driving the movable part are formed on different substrates, the movable part can be driven via the wiring. In addition, the micromirror substrate on which the movable part is formed and the wiring substrate on which the wiring is formed are separated by a conductive spacer. Therefore, even if the wiring substrate adjacent to the micromirror substrate having the movable portion is provided, the wiring substrate is made movable by ensuring a sufficient separation distance between the micromirror substrate and the wiring substrate by the conductive spacer. It is avoided that the operation of the movable part is prevented by coming into contact with. In addition, by forming each conductive spacer by stacking a plurality of small-diameter bumps, it is possible to avoid each conductive spacer from becoming thick. In a small area). As described above, according to the first aspect of the present invention, it is possible to appropriately drive the movable portion of the micromirror element while suppressing an increase in size of the micromirror element.

本発明の第２の側面によると別のマイクロミラー素子が提供される。このマイクロミラー素子は、フレーム部と、ミラー部を有する可動部と、フレーム部および可動部を連結するトーションバーとを備える複数のマイクロミラーユニットが一体的に形成されているマイクロミラー基板と、配線パターンが形成されている配線基板と、マイクロミラー基板および配線基板を離隔させつつフレーム部および配線パターンを電気的に接続するための導電スペーサとを備え、導電スペーサは、積み重なる複数のバンプからなる。 According to the second aspect of the present invention, another micromirror device is provided. The micromirror element includes a micromirror substrate in which a plurality of micromirror units each including a frame portion, a movable portion having a mirror portion, and a torsion bar that connects the frame portion and the movable portion are integrally formed, and wiring A wiring board on which a pattern is formed and a conductive spacer for electrically connecting the frame portion and the wiring pattern while separating the micromirror substrate and the wiring board are provided, and the conductive spacer includes a plurality of stacked bumps.

本発明の第２の側面に係るマイクロミラー素子では、複数の可動部と、各可動部を駆動するための配線とは、別々の基板に形成されている。したがって、可動部と配線とを同一基板に形成することに起因してマイクロミラー素子が大型化してしまうことはない。すなわち、マイクロミラー基板に形成されるミラー部の数が増加しても、当該ミラー部の形成ピッチを一定に維持することができ、その結果、素子の過度な大型化を抑制することができる。また、マイクロミラー基板においては、各可動部を駆動するための導電経路が、各フレーム部ないし固定部に適宜形成されており、当該導電経路と配線基板上の配線とは、導電スペーサにより電気的に接続されている。そのため、各可動部とこれを駆動するために必要な配線とが別々の基板に形成されておっても、当該配線を介しての当該可動部の駆動を行うことができる。加えて、各可動部が形成されているマイクロミラー基板と、対応する配線が形成されている配線基板とは、導電スペーサにより離隔されている。そのため、可動部を有するマイクロミラー基板に隣接する配線基板を具備しておっても、マイクロミラー基板と配線基板との間の離隔距離を導電スペーサにより充分に確保することによって、配線基板が可動部に当接して当該可動部の動作を妨げてしまうことは回避される。更に加えて、小径のバンプを複数積み重ねて各導電スペーサを構成することにより、各導電スペーサが幅太となることを回避することができ、従って、所定の複数の導電スペーサを密集して（即ち小領域内に）形成することが可能となる。このように、本発明の第２の側面によると、マイクロミラー素子の大型化を抑制しつつ、マイクロミラーユニットの可動部の駆動を適切に行うことができるのである。 In the micromirror element according to the second aspect of the present invention, the plurality of movable parts and the wiring for driving each movable part are formed on separate substrates. Therefore, the micromirror element is not enlarged due to the formation of the movable part and the wiring on the same substrate. That is, even if the number of mirror portions formed on the micromirror substrate is increased, the formation pitch of the mirror portions can be kept constant, and as a result, excessive increase in size of the element can be suppressed. In the micromirror substrate, a conductive path for driving each movable part is appropriately formed in each frame part or fixed part, and the conductive path and the wiring on the wiring board are electrically connected by a conductive spacer. It is connected to the. Therefore, even if each movable part and the wiring necessary for driving the movable part are formed on different substrates, the movable part can be driven via the wiring. In addition, the micromirror substrate on which each movable part is formed and the wiring substrate on which the corresponding wiring is formed are separated by a conductive spacer. Therefore, even if the wiring substrate adjacent to the micromirror substrate having the movable portion is provided, the wiring substrate is made movable by ensuring a sufficient separation distance between the micromirror substrate and the wiring substrate by the conductive spacer. It is avoided that the operation of the movable part is prevented by coming into contact with. In addition, by forming each conductive spacer by stacking a plurality of small-diameter bumps, it is possible to avoid each conductive spacer from becoming thick. In a small area). Thus, according to the second aspect of the present invention, it is possible to appropriately drive the movable portion of the micromirror unit while suppressing an increase in size of the micromirror element.

本発明の第１および第２の側面において、好ましくは、導電スペーサは、電極パッドを介して配線パターンおよび／またはフレーム部に接続している。このような構成に代えて、又は、このような構成とともに、導電スペーサは、導電性接着剤を介して配線パターンおよび／またはフレーム部に接続しているのが好ましい。これらの構成により、導電スペーサを介しての配線パターンとフレーム部との電気的接続を適切に達成することができる。 In the first and second aspects of the present invention, preferably, the conductive spacer is connected to the wiring pattern and / or the frame portion via the electrode pad. It is preferable that the conductive spacer is connected to the wiring pattern and / or the frame portion via a conductive adhesive instead of or in addition to such a configuration. With these configurations, it is possible to appropriately achieve electrical connection between the wiring pattern and the frame portion via the conductive spacer.

好ましい実施の形態においては、導電スペーサと電極パッドは融着している。好ましい他の実施の形態においては、導電スペーサと電極パッドは圧接している。これらの構成により、配線基板に形成されている電極パッド及び／又はフレーム部に形成されている電極パッドと導電スペーサとの電気的接続および機械的接合を適切に達成することができる。 In a preferred embodiment, the conductive spacer and the electrode pad are fused. In another preferred embodiment, the conductive spacer and the electrode pad are in pressure contact. With these configurations, it is possible to appropriately achieve electrical connection and mechanical joining between the electrode pads formed on the wiring board and / or the electrode pads formed on the frame portion and the conductive spacer.

好ましくは、配線基板は、マイクロミラー基板に対向する第１の面を有し、当該第１の面には、可動部の進入を許容する退避部が形成されている。配線基板に対してこのような退避部を設けることにより、マイクロミラー基板と配線基板との間において導電スペーサにより確保されるべき離隔距離を低減することができる。その結果、導電スペーサのサイズを低減することが可能となる。 Preferably, the wiring board has a first surface facing the micromirror substrate, and a retracting portion that allows the movable portion to enter is formed on the first surface. By providing such a retracting portion for the wiring board, the separation distance to be secured by the conductive spacer between the micromirror substrate and the wiring board can be reduced. As a result, the size of the conductive spacer can be reduced.

好ましくは、配線基板は、第１の面とは反対の第２の面を有し、当該第２の面には、配線パターンの一部が形成されている。より好ましくは、配線基板は、第１の面に形成されている配線パターンと第２の面に形成されている配線パターンとを電気的に接続するように、配線基板を貫通する導電連絡部を有する。本発明では、配線基板の第２の面に対して配線パターンを形成してもよい。特に配線基板の第１の面に退避部を形成する場合、配線パターンを第２の面に形成することによって、配線形成領域を充分に確保することができる。 Preferably, the wiring board has a second surface opposite to the first surface, and a part of the wiring pattern is formed on the second surface. More preferably, the wiring board includes a conductive connecting portion that penetrates the wiring board so as to electrically connect the wiring pattern formed on the first surface and the wiring pattern formed on the second surface. Have. In the present invention, a wiring pattern may be formed on the second surface of the wiring board. In particular, when the retracting portion is formed on the first surface of the wiring board, a sufficient wiring formation region can be secured by forming the wiring pattern on the second surface.

好ましくは、マイクロミラー基板と配線基板との間に接着剤が介在する。好ましくは、フレーム部と配線基板との間に追加スペーサが介在する。より好ましくは、追加スペーサはバンプである。このように、マイクロミラー基板と配線基板との間における、導電スペーサによる機械的連結の強度、および、導電スペーサのスペーサとしての機能を補強してもよい。 Preferably, an adhesive is interposed between the micromirror substrate and the wiring substrate. Preferably, an additional spacer is interposed between the frame portion and the wiring board. More preferably, the additional spacer is a bump. As described above, the strength of mechanical connection by the conductive spacer between the micromirror substrate and the wiring substrate and the function of the conductive spacer as the spacer may be reinforced.

好ましくは、可動部は第１櫛歯電極部を有し、フレーム部は、第１櫛歯電極部との間に静電力を生じさせることにより可動部を変位させるための第２櫛歯電極部を有する。本発明のマイクロミラー素子は、このような櫛歯電極型として構成されているのが好ましい。 Preferably, the movable part has a first comb electrode part, and the frame part is a second comb electrode part for displacing the movable part by generating an electrostatic force between the frame part and the first comb electrode part. Have The micromirror element of the present invention is preferably configured as such a comb-teeth electrode type.

可動部は、トーションバーを介してフレーム部に連結された中継フレームと、当該中継フレームから離隔するミラー形成部と、当該中継フレームおよびミラー形成部を連結する中継トーションバーを備え、中継トーションバーは、トーションバーの延び方向に対して交差する方向に延びている。本発明のマイクロミラー素子は、このような２軸型として構成されているのが好ましい。２軸型マイクロミラーにおいては、１軸型マイクロミラーよりも、可動部を駆動するために必要な配線量は多い。しかしながら、本発明に係るマイクロミラー素子においては、上述したように、配線量の増加はミラー部の形成ピッチに不当な影響を与えない。２軸型マイクロミラー素子においては、ミラー形成部は第３櫛歯電極部を有し、中継フレームは、第３櫛歯電極部との間に静電力を生じさせることによりミラー形成部を変位させるための第４櫛歯電極部を有するのが好ましい。 The movable part includes a relay frame connected to the frame part via a torsion bar, a mirror forming part separated from the relay frame, and a relay torsion bar connecting the relay frame and the mirror forming part. , Extending in a direction intersecting the extending direction of the torsion bar. The micromirror element of the present invention is preferably configured as such a biaxial type. In the biaxial micromirror, the amount of wiring required to drive the movable part is larger than that in the uniaxial micromirror. However, in the micromirror element according to the present invention, as described above, the increase in the wiring amount does not unduly affect the formation pitch of the mirror portion. In the biaxial micromirror element, the mirror forming portion has a third comb electrode portion, and the relay frame displaces the mirror forming portion by generating an electrostatic force with the third comb electrode portion. It is preferable to have a fourth comb electrode part for the purpose.

好ましくは、マイクロミラー基板は、絶縁膜および／または空隙により相互に絶縁された複数の区画を有し、当該複数の区画の一部は、導電スペーサと電気的に接続している。このような構成により、マイクロミラー基板において、良好な導電経路を形成することができる。 Preferably, the micromirror substrate has a plurality of sections insulated from each other by an insulating film and / or a gap, and a part of the plurality of sections is electrically connected to the conductive spacer. With such a configuration, a good conductive path can be formed in the micromirror substrate.

図１は、本発明の第１の実施形態に係るマイクロミラー素子Ｘ１の斜視図である。図２は、マイクロミラー素子Ｘ１の分解斜視図である。図３は、図１の線III−IIIに沿った断面図である。 FIG. 1 is a perspective view of a micromirror element X1 according to the first embodiment of the present invention. FIG. 2 is an exploded perspective view of the micromirror element X1. FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line III-III in FIG.

マイクロミラー素子Ｘ１は、マイクロミラー基板１００と、配線基板２００と、これらの間に介在する導電スペーサ３００とを備える。マイクロミラー基板１００は、ミラー形成部１１０と、これを囲む内フレーム１２０と、内フレーム１２０を囲む外フレーム１３０と、ミラー形成部１１０および内フレーム１２０を連結する一対のトーションバー１４０と、内フレーム１２０および外フレーム１３０を連結する一対のトーションバー１５０とを備える。一対のトーションバー１４０は、内フレーム１２０に対するミラー形成部１１０の回転動作の回転軸心Ａ１を規定する。一対のトーションバー１５０は、外フレーム１３０に対する内フレーム１２０およびこれに伴うミラー形成部１１０の回転動作の回転軸心Ａ２を規定する。回転軸心Ａ１と回転軸心Ａ２は略直交している。このように、マイクロミラー基板１００には、２軸型のマイクロミラーが形成されている。 The micromirror element X1 includes a micromirror substrate 100, a wiring substrate 200, and a conductive spacer 300 interposed therebetween. The micromirror substrate 100 includes a mirror forming part 110, an inner frame 120 surrounding the mirror forming part 110, an outer frame 130 surrounding the inner frame 120, a pair of torsion bars 140 connecting the mirror forming part 110 and the inner frame 120, and an inner frame. 120 and a pair of torsion bars 150 that connect the outer frame 130. The pair of torsion bars 140 defines a rotation axis A1 of the rotation operation of the mirror forming unit 110 with respect to the inner frame 120. The pair of torsion bars 150 define a rotation axis A2 of the rotation operation of the inner frame 120 and the accompanying mirror forming portion 110 with respect to the outer frame 130. The rotation axis A1 and the rotation axis A2 are substantially orthogonal. Thus, the micromirror substrate 100 is formed with a biaxial micromirror.

本実施形態のマイクロミラー基板１００は、厚さ１００μｍの第１シリコン層と、厚さ１００μｍの第２シリコン層と、これらに挟まれた厚さ１μｍの絶縁層とからなる積層構造を有するＳＯＩ（Silicon on Insulator）ウエハから、マイクロマシニング技術により形成されたものである。具体的には、マイクロミラー基板１００は、フォトリソグラフィ、ＤＲＩＥ（Deep Reactive Ion Etching）などのドライエッチング技術、ウエットエッチング技術などを用いて、第１シリコン層、第２シリコン層、および絶縁層の一部をエッチング除去することにより形成されたものである。第１シリコン層および第２シリコン層は、シリコンに対してＰやＡｓなどのｎ型不純物やＢなどのｐ型不純物がドープされて導電性が付与されている。ただし、本発明では、マイクロミラー基板１００は、他の形態の基板から作製してもよい。 The micromirror substrate 100 of this embodiment includes an SOI (stacked structure) including a first silicon layer having a thickness of 100 μm, a second silicon layer having a thickness of 100 μm, and an insulating layer having a thickness of 1 μm sandwiched therebetween. Silicon on Insulator) is formed from a wafer by micromachining technology. Specifically, the micromirror substrate 100 is formed of one of the first silicon layer, the second silicon layer, and the insulating layer using a dry etching technique such as photolithography, DRIE (Deep Reactive Ion Etching), a wet etching technique, or the like. It is formed by etching away the part. The first silicon layer and the second silicon layer are given conductivity by doping silicon with n-type impurities such as P and As and p-type impurities such as B. However, in the present invention, the micromirror substrate 100 may be manufactured from a substrate of another form.

ミラー形成部１１０は、その上面にミラー面（図示略）が薄膜形成されている。また、ミラー形成部１１０の相対向する２つの側面には、櫛歯電極１１０ａ，１１０ｂが設けられている。ミラー形成部１１０は、第１シリコン層に由来する。 The mirror forming unit 110 has a thin mirror surface (not shown) formed on the upper surface thereof. In addition, comb electrodes 110 a and 110 b are provided on two opposite side surfaces of the mirror forming unit 110. The mirror forming part 110 is derived from the first silicon layer.

内フレーム１２０は、内フレーム主部１２１と、一対の電極基台１２２と、これらの間の絶縁層とからなる積層構造を有し、内フレーム主部１２１と電極基台１２２は、絶縁層によって電気的に分断されている。一対の電極基台１２２には、内方に延出する櫛歯電極１２２ａ、１２２ｂが設けられている。内フレーム主部１２１には、外方に延出する櫛歯電極１２１ａ，１２１ｂが設けられている。櫛歯電極１２２ａ，１２２ｂは、ミラー形成部１１０の櫛歯電極１１０ａ，１１０ｂの下方に位置しており、ミラー形成部１１０の回転動作時において櫛歯電極１１０ａ，１１０ｂと当接しないように配置されている。内フレーム主部１２１は第１シリコン層に由来し、一対の電極基台１２２は第２シリコン層に由来する。 The inner frame 120 has a laminated structure including an inner frame main part 121, a pair of electrode bases 122, and an insulating layer therebetween. The inner frame main part 121 and the electrode base 122 are formed by an insulating layer. It is electrically disconnected. The pair of electrode bases 122 are provided with comb electrodes 122a and 122b extending inward. The inner frame main part 121 is provided with comb-shaped electrodes 121a and 121b extending outward. The comb electrodes 122a and 122b are positioned below the comb electrodes 110a and 110b of the mirror forming unit 110, and are arranged so as not to come into contact with the comb electrodes 110a and 110b when the mirror forming unit 110 rotates. ing. The inner frame main part 121 is derived from the first silicon layer, and the pair of electrode bases 122 is derived from the second silicon layer.

各トーションバー１４０は、ミラー形成部１１０と内フレーム主部１２１とに接続しており、第１シリコン層に由来する。 Each torsion bar 140 is connected to the mirror forming part 110 and the inner frame main part 121 and is derived from the first silicon layer.

外フレーム１３０は、第１外フレーム部１３１と、第２外フレーム部１３２と、これらの間の絶縁層とからなる積層構造を有し、第１外フレーム部１３１と第２外フレーム部１３２は、絶縁層によって電気的に分断されている。第２外フレーム部１３２には、図４に表すように、空隙を介して第１アイランド１３４、第２アイランド１３５、第３アイランド１３６、および、第４アイランド１３７が設けられている。第１〜第４アイランド１３４〜１３７には、各々、電極パッド１３８ａ〜１３８ｄが設けられている。電極パッド１３８ａ〜１３８ｄは、ＡｕまたはＡｌよりなる。第３アイランド１３６および第４アイランド１３７には、各々、内方に延出する櫛歯電極１３２ａ、１３２ｂが設けられている。櫛歯電極１３２ａ，１３２ｂは、各々、内フレーム主部１２１の櫛歯電極１２１ａ，１２１ｂの下方に位置しているが、内フレーム１２０の回転動作時において、櫛歯電極１２１ａ，１２１ｂの歯と当接しないように配置されている。第１外フレーム部１３１は第１シリコン層に由来し、第２外フレーム部１３２は第２シリコン層に由来する。 The outer frame 130 has a laminated structure including a first outer frame portion 131, a second outer frame portion 132, and an insulating layer therebetween. The first outer frame portion 131 and the second outer frame portion 132 are It is electrically separated by the insulating layer. As shown in FIG. 4, the second outer frame portion 132 is provided with a first island 134, a second island 135, a third island 136, and a fourth island 137 through a gap. The first to fourth islands 134 to 137 are provided with electrode pads 138a to 138d, respectively. The electrode pads 138a to 138d are made of Au or Al. The third island 136 and the fourth island 137 are provided with comb-tooth electrodes 132a and 132b extending inwardly, respectively. The comb-tooth electrodes 132a and 132b are respectively positioned below the comb-tooth electrodes 121a and 121b of the inner frame main portion 121. However, when the inner frame 120 rotates, the teeth of the comb-tooth electrodes 121a and 121b are in contact with each other. It is arranged not to touch. The first outer frame portion 131 is derived from the first silicon layer, and the second outer frame portion 132 is derived from the second silicon layer.

各トーションバー１５０は、上層１５１と、下層１５２と、これらの間の絶縁層とからなる積層構造を有し、上層１５１と下層１５２は、絶縁層によって電気的に分断されている。上層１５１は、内フレーム主部１２１と第１外フレーム部１３１とに接続し、下層１５２は、電極基台１２２と第２外フレーム部１３２とに接続している。上層１５１は第１シリコン層に由来し、下層１５２は第２シリコン層に由来する。 Each torsion bar 150 has a laminated structure including an upper layer 151, a lower layer 152, and an insulating layer therebetween, and the upper layer 151 and the lower layer 152 are electrically separated by an insulating layer. The upper layer 151 is connected to the inner frame main part 121 and the first outer frame part 131, and the lower layer 152 is connected to the electrode base 122 and the second outer frame part 132. The upper layer 151 is derived from the first silicon layer, and the lower layer 152 is derived from the second silicon layer.

配線基板２００は第１面２０１および第２面２０２を有する。第１面２０１には、所定の配線パターン２１０が形成されている。配線パターン２１０には、導通接続用の４つの電極パッド２１１ａ〜２１１ｄおよび外部接続用の４つの電極パッド２１２ａ〜２１２ｄが含まれる。電極パッド２１１ａ〜２１１ｄは、マイクロミラー基板に設けられている電極パッド１３８ａ〜１３８ｄに対応する位置に配置されている。配線基板２００の本体は、厚さ３００μｍのシリコン基板やセラミックス基板などである。配線パターン２１０は、配線基板２００の第１面２０１に対して金属材料を成膜した後にこれをパターニングすることによって、形成される。金属材料としては、ＡｕやＡｌを用いることができる。また、成膜手法としては、スパッタリング法やめっき法を採用することができる。 The wiring substrate 200 has a first surface 201 and a second surface 202. A predetermined wiring pattern 210 is formed on the first surface 201. The wiring pattern 210 includes four electrode pads 211a to 211d for conductive connection and four electrode pads 212a to 212d for external connection. The electrode pads 211a to 211d are arranged at positions corresponding to the electrode pads 138a to 138d provided on the micromirror substrate. The main body of the wiring substrate 200 is a silicon substrate or a ceramic substrate having a thickness of 300 μm. The wiring pattern 210 is formed by forming a metal material on the first surface 201 of the wiring substrate 200 and then patterning the metal material. Au or Al can be used as the metal material. Further, as a film forming method, a sputtering method or a plating method can be employed.

導電スペーサ３００は、マイクロミラー基板の電極パッド１３８ａ〜１３８ｄと配線基板の電極パッド２１１ａ〜２１１ｄとの間に介在している。本実施形態では、導電スペーサ３００は、Ａｕボールバンプが２段に積み重なった構造を有し、電極パッド２１１ａ〜２１１ｄとは融着しており、電極パッド１３８ａ〜１３８ｄとは導電性接着剤３０３を介して接合している。Ａｕボールバンプ間は、超音波ボンディングにより接合されている。 The conductive spacer 300 is interposed between the electrode pads 138a to 138d of the micromirror substrate and the electrode pads 211a to 211d of the wiring substrate. In the present embodiment, the conductive spacer 300 has a structure in which Au ball bumps are stacked in two stages, and is fused to the electrode pads 211a to 211d, and the conductive adhesive 303 is bonded to the electrode pads 138a to 138d. Are joined through. The Au ball bumps are joined by ultrasonic bonding.

このような構成のマイクロミラー素子Ｘ１において、第１外フレーム部１３１をグランド接続すると、第１外フレーム部１３１と同一のシリコン系材料により一体的に成形されている、第１シリコン層由来のトーションバー１５０の上層１５１、内フレーム主部１２１、トーションバー１４０およびミラー形成部１１０を介して、櫛歯電極１１０ａ、１１０ｂと櫛歯電極１２１ａ、１２１ｂとがグランド接続されることとなる。この状態において、櫛歯電極１２２ａまたは櫛歯電極１２２ｂに所望の電位を付与し、櫛歯電極１１０ａと櫛歯電極１２２ａとの間、または、櫛歯電極１１０ｂと櫛歯電極１２２ｂとの間に静電力を発生させることによって、ミラー形成部１１０を、回転軸心Ａ１まわりに揺動させることができる。また、櫛歯電極１３２ａまたは櫛歯電極１３２ｂに所望の電位を付与し、櫛歯電極１２１ａと櫛歯電極１３２ａとの間、または、櫛歯電極１２１ｂと櫛歯電極１３２ｂとの間に静電力を発生させることによって、内フレーム１２０およびミラー形成部１１０を、回転軸心Ａ２まわりに揺動させることができる。 In the micromirror element X1 having such a configuration, when the first outer frame portion 131 is grounded, the torsion derived from the first silicon layer is integrally formed of the same silicon-based material as the first outer frame portion 131. The comb electrodes 110a and 110b and the comb electrodes 121a and 121b are connected to the ground via the upper layer 151 of the bar 150, the inner frame main portion 121, the torsion bar 140, and the mirror forming portion 110. In this state, a desired potential is applied to the comb electrode 122a or the comb electrode 122b, and static electricity is applied between the comb electrode 110a and the comb electrode 122a, or between the comb electrode 110b and the comb electrode 122b. By generating electric power, the mirror forming unit 110 can be swung around the rotation axis A1. Further, a desired potential is applied to the comb electrode 132a or the comb electrode 132b, and an electrostatic force is generated between the comb electrode 121a and the comb electrode 132a or between the comb electrode 121b and the comb electrode 132b. By generating, the inner frame 120 and the mirror forming part 110 can be swung around the rotation axis A2.

櫛歯電極１２２ａへの電位の付与は、図２〜図４を併せて参照するとよく理解できるように、配線基板２００の電極パッド２１２ａ、電極パッド２１１ａ、その上の導電スペーサ３００、マイクロミラー基板１００の電極パッド１３８ａ、第１アイランド１３４、これに接続しているトーションバー１５０の下層１５２、これに接続している電極基台１２２を介して行うことができる。櫛歯電極１２２ｂへの電位の付与は、配線基板２００の電極パッド２１２ｂ、電極パッド２１１ｂ、その上の導電スペーサ３００、マイクロミラー基板１００の電極パッド１３８ｂ、第２アイランド１３５、これに接続しているトーションバー１５０の下層１５２、これに接続している電極基台１２２を介して行うことができる。櫛歯電極１３２ａへの電位の付与は、配線基板２００の電極パッド２１２ｃ、電極パッド２１１ｃ、その上の導電スペーサ３００、マイクロミラー基板１００の電極パッド１３８ｃ、第３アイランド１３６を介して行うことができる。櫛歯電極１３２ｂへの電位の付与は、配線基板２００の電極パッド２１２ｄ、電極パッド２１１ｄ、その上の導電スペーサ３００、マイクロミラー基板１００の電極パッド１３８ｄ、第４アイランド１３７を介して行うことができる。このように４つの導電経路を介して所定の電位を付与することにより、ミラー形成部１１０を所定の方向に向けることができる。 The application of the potential to the comb-shaped electrode 122a can be understood with reference to FIGS. 2 to 4 together, as shown in FIG. 2 to FIG. The electrode pad 138a, the first island 134, the lower layer 152 of the torsion bar 150 connected thereto, and the electrode base 122 connected thereto can be used. Application of a potential to the comb electrode 122b is connected to the electrode pad 212b and the electrode pad 211b of the wiring substrate 200, the conductive spacer 300 thereon, the electrode pad 138b of the micromirror substrate 100, the second island 135, and this. This can be done via the lower layer 152 of the torsion bar 150 and the electrode base 122 connected to the lower layer 152. The potential application to the comb electrode 132a can be performed via the electrode pad 212c and the electrode pad 211c of the wiring substrate 200, the conductive spacer 300 thereon, the electrode pad 138c of the micromirror substrate 100, and the third island 136. . The potential can be applied to the comb electrode 132b through the electrode pad 212d and the electrode pad 211d of the wiring substrate 200, the conductive spacer 300 thereon, the electrode pad 138d of the micromirror substrate 100, and the fourth island 137. . Thus, by applying a predetermined potential via the four conductive paths, the mirror forming unit 110 can be directed in a predetermined direction.

このような電位の付与によりミラー形成部１１０および／または内フレーム１２０を揺動駆動させると、これら可動部の何れかの端部は、配線基板２００に向かって変位する。例えば、内フレーム１２０における電極基台１２２の長さＬ３が６００μｍである場合、内フレーム１２０が回転軸心Ａ２まわりに５°回転すると、電極基台１２２の端部は、非回転時の位置から６０μｍ下がることとなる。このような内フレームの変位を阻害しないように、マイクロミラー基板１００および配線基板２００は離隔している必要がある。したがって、本実施形態では、導電スペーサ３００の高さは例えば１００μｍとされている。 When the mirror forming unit 110 and / or the inner frame 120 is driven to swing by applying such a potential, any one end of these movable units is displaced toward the wiring board 200. For example, when the length L3 of the electrode base 122 in the inner frame 120 is 600 μm, when the inner frame 120 rotates 5 ° around the rotation axis A2, the end of the electrode base 122 is moved away from the non-rotating position. It will drop by 60 μm. The micromirror substrate 100 and the wiring substrate 200 need to be separated from each other so as not to hinder the displacement of the inner frame. Therefore, in this embodiment, the height of the conductive spacer 300 is set to 100 μm, for example.

このように、マイクロミラー素子Ｘ１は、マイクロミラー素子の大型化を抑制しつつ、マイクロミラー素子の可動部の駆動を適切に行うための構成を有する。具体的には、導電スペーサ３００により、マイクロミラー基板１００に形成されている導電経路と、配線基板２００に形成されている配線パターン２１０とが電気的に接続されている。それとともに、導電スペーサ３００により、マイクロミラー基板１００および配線基板２００の良好な離隔状態が達成されている。また、ミラー形成部１１０および内フレーム１２０からなる可動部を駆動するための配線は、当該可動部が形成されているマイクロミラー基板１００には形成されていないため、マイクロミラー基板１００ひいてはマイクロミラー素子Ｘ１の小型化が達成されている。 Thus, the micromirror element X1 has a configuration for appropriately driving the movable portion of the micromirror element while suppressing an increase in size of the micromirror element. Specifically, the conductive path formed on the micromirror substrate 100 and the wiring pattern 210 formed on the wiring substrate 200 are electrically connected by the conductive spacer 300. At the same time, a good separation state between the micromirror substrate 100 and the wiring substrate 200 is achieved by the conductive spacer 300. In addition, since the wiring for driving the movable portion including the mirror forming portion 110 and the inner frame 120 is not formed on the micromirror substrate 100 on which the movable portion is formed, the micromirror substrate 100 and thus the micromirror element are formed. Miniaturization of X1 has been achieved.

図５は、本発明の第２の実施形態に係るマイクロミラー素子Ｘ２の斜視図である。図６は、マイクロミラー素子Ｘ２の分解斜視図である。図７は、図５の線VII−VIIに沿った部分断面図である。 FIG. 5 is a perspective view of the micromirror element X2 according to the second embodiment of the present invention. FIG. 6 is an exploded perspective view of the micromirror element X2. 7 is a partial cross-sectional view taken along line VII-VII in FIG.

マイクロミラー素子Ｘ２は、マイクロミラー基板１００と、配線基板２００と、これらの間に介在する導電スペーサ３００とを備える。マイクロミラー基板１００には、合計９個のマイクロミラーユニットＸ２’と、これらを囲む共通外フレーム１３０’とを備える。マイクロミラーユニットＸ２’は、ミラー形成部１１０と、これを囲む内フレーム１２０と、ミラー形成部１１０および内フレーム１２０を連結する一対のトーションバー１４０と、内フレーム１２０および共通外フレーム１３０’を連結する一対のトーションバー１５０とを備える。マイクロミラーユニットＸ２’のミラー形成部１１０、内フレーム１２０、トーションバー１４０，１５０は、マイクロミラー素子Ｘ１のそれと同様の構成を有している。共通外フレーム１３０’は、各マイクロミラーユニットＸ２’ごとに、マイクロミラー素子Ｘ１の外フレーム１３０と同様の構成を有する。 The micromirror element X2 includes a micromirror substrate 100, a wiring substrate 200, and a conductive spacer 300 interposed therebetween. The micromirror substrate 100 includes a total of nine micromirror units X2 'and a common outer frame 130' surrounding them. The micro mirror unit X2 ′ connects the mirror forming part 110, the inner frame 120 surrounding the mirror forming part 110, a pair of torsion bars 140 connecting the mirror forming part 110 and the inner frame 120, and the inner frame 120 and the common outer frame 130 ′. And a pair of torsion bars 150. The mirror forming part 110, the inner frame 120, and the torsion bars 140, 150 of the micromirror unit X2 'have the same configuration as that of the micromirror element X1. The common outer frame 130 ′ has the same configuration as the outer frame 130 of the micromirror element X 1 for each micromirror unit X 2 ′.

配線基板２００は第１面２０１および第２面２０２を有する。第１面２０１には、各マイクロミラーユニットＸ２’を個別に駆動するように配線パターン２１０が形成されている。配線パターン２１０には、各マイクロミラーユニットＸ２’に対応する導通接続用の４つの電極パッド２１１ａ〜２１１ｄおよび外部接続用の４つの電極パッド２１２ａ〜２１２ｄが含まれる。電極パッド２１１ａ〜２１１ｄは、各マイクロミラーユニットＸ２’に設けられている電極パッド１３８ａ〜１３８ｄに相対する位置に配置されている。配線基板２００に関する他の構成については、マイクロミラー素子Ｘ１に関して上述したのと同様である。 The wiring substrate 200 has a first surface 201 and a second surface 202. A wiring pattern 210 is formed on the first surface 201 so as to individually drive each micromirror unit X2 '. The wiring pattern 210 includes four electrode pads 211a to 211d for conduction connection and four electrode pads 212a to 212d for external connection corresponding to each micromirror unit X2 '. The electrode pads 211a to 211d are arranged at positions facing the electrode pads 138a to 138d provided in each micromirror unit X2 '. Other configurations relating to the wiring substrate 200 are the same as those described above with respect to the micromirror element X1.

導電スペーサ３００は、マイクロミラー基板の電極パッド１３８ａ〜１３８ｄと配線基板の電極パッド２１１ａ〜２１１ｄとの間に介在している。導電スペーサ３００に関する他の構成については、マイクロミラー素子Ｘ１に関して上述したのと同様である。 The conductive spacer 300 is interposed between the electrode pads 138a to 138d of the micromirror substrate and the electrode pads 211a to 211d of the wiring substrate. Other configurations related to the conductive spacer 300 are the same as those described above regarding the micromirror element X1.

このように、マイクロミラー素子Ｘ２は、単一のマイクロミラー基板１００および単一の配線基板２００において、９個のマイクロミラー素子Ｘ１が一体的に形成されたものに相当する。したがって、マイクロミラー素子Ｘ２においては、マイクロミラー素子Ｘ１に関して上述したのと同様に、各マイクロミラーユニットＸ２’を駆動して、マイクロミラーユニットＸ２’の可動部すなわちミラー形成部１１０および内フレーム１２０を揺動することができる。 Thus, the micromirror element X2 corresponds to a single micromirror substrate 100 and a single wiring substrate 200 in which nine micromirror elements X1 are integrally formed. Accordingly, in the micromirror element X2, as described above with respect to the micromirror element X1, each micromirror unit X2 ′ is driven to move the movable part of the micromirror unit X2 ′, that is, the mirror forming part 110 and the inner frame 120. Can swing.

このように、マイクロミラー素子Ｘ２は、マイクロミラー素子の大型化を抑制しつつ、マイクロミラー素子の可動部の駆動を適切に行うための構成を有する。具体的には、マイクロミラー素子Ｘ２においては、導電スペーサ３００により、マイクロミラー基板１００に形成されている導電経路と、配線基板２００に形成されている配線パターン２１０とが電気的に接続されている。それとともに、導電スペーサ３００により、マイクロミラー基板１００および配線基板２００の良好な離隔状態が達成されている。また、ミラー形成部１１０および内フレーム１２０からなる可動部を駆動するための配線は、当該可動部が形成されているマイクロミラー基板１００には形成されていないため、マイクロミラー基板１００ひいてはマイクロミラー素子Ｘ２の小型化が達成されている。本実施形態では、マイクロミラー基板１００において、合計９個のマイクロミラーユニットＸ２’が形成されているが、本発明では、これよりも多い数のマイクロミラーユニットＸ２’をマイクロミラー基板１００に一体成形する場合においても、第２の実施形態に関して上述した効果が奏される。 Thus, the micromirror element X2 has a configuration for appropriately driving the movable portion of the micromirror element while suppressing an increase in size of the micromirror element. Specifically, in the micromirror element X2, the conductive path formed in the micromirror substrate 100 and the wiring pattern 210 formed in the wiring substrate 200 are electrically connected by the conductive spacer 300. . At the same time, a good separation state between the micromirror substrate 100 and the wiring substrate 200 is achieved by the conductive spacer 300. In addition, since the wiring for driving the movable portion including the mirror forming portion 110 and the inner frame 120 is not formed on the micromirror substrate 100 on which the movable portion is formed, the micromirror substrate 100 and thus the micromirror element are formed. Miniaturization of X2 has been achieved. In the present embodiment, a total of nine micromirror units X2 ′ are formed on the micromirror substrate 100, but in the present invention, a larger number of micromirror units X2 ′ are integrally formed on the micromirror substrate 100. Even in this case, the effects described above with respect to the second embodiment can be obtained.

図８〜図１２は、マイクロミラー素子Ｘ２の製造工程を表す。マイクロミラー素子Ｘ２の製造においては、まず、図８に示すように、基板２００’の上に配線パターン２１０を形成することによって、配線基板２００を作製する。具体的には、基板２００’に対して、スパッタリング法やめっき法により、金属材料を成膜し、所定のマスクを介して当該金属膜をパターニングする。このとき形成される配線パターン２１０には、電極パッド２１１ａ〜２１１ｄおよび電極パッド２１２ａ〜２１２ｄが含まれる。基板２００’としては、Ｓｉなどの半導体基板、セラミックス基板、ガラス基板などを用いることができる。配線用の金属材料としては、ＡｕやＡｌを用いることができる。 8-12 represents the manufacturing process of the micromirror element X2. In the manufacture of the micromirror element X2, first, as shown in FIG. 8, the wiring substrate 200 is formed by forming the wiring pattern 210 on the substrate 200 '. Specifically, a metal material is formed on the substrate 200 ′ by sputtering or plating, and the metal film is patterned through a predetermined mask. The wiring pattern 210 formed at this time includes electrode pads 211a to 211d and electrode pads 212a to 212d. As the substrate 200 ′, a semiconductor substrate such as Si, a ceramic substrate, a glass substrate, or the like can be used. Au or Al can be used as a metal material for wiring.

次に、図９に示すように、電極パッド２１１ａ〜２１１ｄの上に、ワイヤボンダを用いて、Ａｕ製のボールバンプ３０１を形成する。本工程以降の説明においては、マイクロミラー素子Ｘ２のモデル断面を参照して説明する。次に、図１０に示すように、ワイヤボンダを用いて、ボールバンプ３０１の上にＡｕ製のボールバンプ３０２を形成し、これによって導電スペーサ３００を形成する。ボールバンプ３０１，３０２の形成においては、ワイヤボンダを用いた形成プロセス上、ボールバンプ３０１，３０２の頂部には、図９および図１０に示すような微小な突部が形成される。 Next, as shown in FIG. 9, Au ball bumps 301 are formed on the electrode pads 211a to 211d using a wire bonder. In the description after this step, description will be made with reference to the model cross section of the micromirror element X2. Next, as shown in FIG. 10, Au ball bumps 302 are formed on the ball bumps 301 using a wire bonder, thereby forming the conductive spacers 300. In the formation of the ball bumps 301 and 302, minute protrusions as shown in FIGS. 9 and 10 are formed on the tops of the ball bumps 301 and 302 in the formation process using the wire bonder.

次に、図１１に示すように、レベリングを行うことにより、導電スペーサ３００の高さを揃える。具体的には、ボールバンプ３０２の頂部をガラス板等の平坦な面に対して押し付けることによって、ボールバンプ３０２の有していた微小突部を押し潰し、導電スペーサ３００の高さを一様にする。マイクロミラー素子Ｘ１に関して上述したように、ミラー形成部１１０を含む可動部は、配線基板２００に向かって例えば６０μｍ程度下がる。そのため、駆動時において当該可動部が配線基板２００に当接しないようにするためには、マイクロミラー基板１００と配線基板２００との間を例えば６０μｍ以上離隔する必要がある。本実施形態では、ボールバンプを２段に重ねることによって、導電スペーサ３００幅が拡張されて隣り合う導電スペーサ３００どうしが接してしまうのを回避しつつ、そのような所望の離隔状態が確保されている。具体的には、２段のボールバンプ３０１，３０２からなりレベリング工程を経た導電スペーサ３００により達成される離間距離は、例えば１００μｍである。ただし、本発明では、マイクロミラー基板１００と配線基板２００との間に要求される離隔距離に応じて、導電スペーサを構成するボールバンプの数は適宜選択することができる。小径のボールバンプを複数積み重ねて各導電スペーサ３００を構成することにより、各導電スペーサ３００が幅太となることや、製造過程において隣り合う導電スペーサ３００どうしが接してしまうのを回避することができる。これは、所定の複数の導電スペーサ３００を密集して（即ち小領域内に）形成するうえで好適であり、素子の大型化を抑制するうえで好ましい。 Next, as shown in FIG. 11, the height of the conductive spacer 300 is made uniform by performing leveling. Specifically, by pressing the top of the ball bump 302 against a flat surface such as a glass plate, the minute protrusions of the ball bump 302 are crushed and the height of the conductive spacer 300 is made uniform. To do. As described above with respect to the micromirror element X1, the movable part including the mirror forming part 110 is lowered toward the wiring board 200 by about 60 μm, for example. Therefore, in order to prevent the movable part from coming into contact with the wiring substrate 200 during driving, it is necessary to separate the micromirror substrate 100 and the wiring substrate 200 by, for example, 60 μm or more. In the present embodiment, by overlapping the ball bumps in two steps, the width of the conductive spacer 300 is expanded and the adjacent conductive spacers 300 are prevented from contacting each other, and such a desired separation state is secured. Yes. Specifically, the separation distance achieved by the conductive spacer 300 including the two-stage ball bumps 301 and 302 and subjected to the leveling process is, for example, 100 μm. However, in the present invention, the number of ball bumps constituting the conductive spacer can be appropriately selected according to the separation distance required between the micromirror substrate 100 and the wiring substrate 200. By forming each conductive spacer 300 by stacking a plurality of small-diameter ball bumps, it is possible to avoid each conductive spacer 300 from becoming thick and from contacting adjacent conductive spacers 300 in the manufacturing process. . This is suitable for densely forming a plurality of predetermined conductive spacers 300 (that is, in a small region), and is preferable for suppressing an increase in the size of the element.

次に、図１２に示すように、導電スペーサ３００ないしボールバンプ３０２の頂部に対して、熱硬化性の導電性接着剤３０３を塗布する。例えば、導電性接着剤３０３を厚さ２５μｍに均一に塗布した平坦な基板に対して、導電スペーサ３００を介して配線基板２００を合わせることによって、導電スペーサ３００の頂部に導電性接着剤３０３を転写することができる。 Next, as shown in FIG. 12, a thermosetting conductive adhesive 303 is applied to the tops of the conductive spacers 300 or the ball bumps 302. For example, the conductive adhesive 303 is transferred to the top of the conductive spacer 300 by aligning the wiring substrate 200 via the conductive spacer 300 to a flat substrate on which the conductive adhesive 303 is uniformly applied to a thickness of 25 μm. can do.

次に、フリップチップボンダを用いて、別途形成されるマイクロミラー基板１００と配線基板２００とを位置合わせしつつマイクロミラー基板１００を配線基板２００上に載置した後、加圧および加熱しながら、図７に示すように、マイクロミラー基板１００と配線基板２００とを導電スペーサ３００を介して接合する。このとき、導電性接着剤３０３が硬化することにより、導電スペーサ３００がマイクロミラー基板１００の電極パッド１３８ａ〜１３８ｄに接合される。その結果、配線基板２００の配線パターン２１０と、マイクロミラー基板１００の電極パッド１３８ａ〜１３８ｄが電気的に接続される。このようにして、マイクロミラー素子Ｘ２が製造される。 Next, the micromirror substrate 100 is placed on the wiring substrate 200 while aligning the separately formed micromirror substrate 100 and the wiring substrate 200 using a flip chip bonder, and then, while applying pressure and heating, As shown in FIG. 7, the micromirror substrate 100 and the wiring substrate 200 are bonded via a conductive spacer 300. At this time, the conductive adhesive 303 is cured, so that the conductive spacer 300 is bonded to the electrode pads 138 a to 138 d of the micromirror substrate 100. As a result, the wiring pattern 210 of the wiring substrate 200 and the electrode pads 138a to 138d of the micromirror substrate 100 are electrically connected. In this way, the micromirror element X2 is manufactured.

図１３および図１４は、図１２に続く別の工程を表す。まず、図１３に示す工程では、図１２に示す工程を経た配線基板２００に対して、熱硬化性の接着剤４０１を塗布する。接着剤４０１としては、例えばエポキシ系の接着剤を使用することができる。接着剤４０１は、導電スペーサ３００を被覆しないように、且つ、マイクロミラー基板１００の共通外フレーム１３０’に対向することとなる配線基板２００の所定の箇所にて、所定の量が塗布される。 13 and 14 show another process subsequent to FIG. First, in the process shown in FIG. 13, a thermosetting adhesive 401 is applied to the wiring board 200 that has undergone the process shown in FIG. As the adhesive 401, for example, an epoxy adhesive can be used. A predetermined amount of the adhesive 401 is applied so as not to cover the conductive spacer 300 and at a predetermined portion of the wiring substrate 200 that faces the common outer frame 130 ′ of the micromirror substrate 100.

次に、図１４に示すように、フリップチップボンダを用いて、別途形成されるマイクロミラー基板１００と配線基板２００とを位置合わせしつつマイクロミラー基板１００を配線基板２００上に載置した後、加圧および加熱しながら、マイクロミラー基板１００と配線基板２００とを導電スペーサ３００を介して接合する。このとき、導電性接着剤３０３が硬化することにより、導電スペーサ３００がマイクロミラー基板１００の電極パッド１３８ａ〜１３８ｄに接合される。その結果、配線基板２００の配線パターン２１０と、マイクロミラー基板１００の電極パッド１３８ａ〜１３８ｄが電気的に接続される。マイクロミラー基板１００を配線基板２００上に載置するとき、接着剤４０１の粘着力により、マイクロミラー基板１００は配線基板２００に対して仮固定される。また、加圧および加熱を経て、マイクロミラー基板１００の共通外フレーム１３０’と配線基板２００との間で接着剤４０１が硬化した後には、当該接着剤４０１は、マイクロミラー基板１００と配線基板２００との接合を補強する働きを担う。このようにしてマイクロミラー素子Ｘ２を作製してもよい。 Next, as shown in FIG. 14, the micromirror substrate 100 is placed on the wiring substrate 200 while aligning the separately formed micromirror substrate 100 and the wiring substrate 200 using a flip chip bonder. The micromirror substrate 100 and the wiring substrate 200 are bonded via the conductive spacer 300 while applying pressure and heating. At this time, the conductive adhesive 303 is cured, so that the conductive spacer 300 is bonded to the electrode pads 138 a to 138 d of the micromirror substrate 100. As a result, the wiring pattern 210 of the wiring substrate 200 and the electrode pads 138a to 138d of the micromirror substrate 100 are electrically connected. When the micromirror substrate 100 is placed on the wiring substrate 200, the micromirror substrate 100 is temporarily fixed to the wiring substrate 200 by the adhesive force of the adhesive 401. Further, after the adhesive 401 is cured between the common outer frame 130 ′ of the micromirror substrate 100 and the wiring substrate 200 through pressurization and heating, the adhesive 401 is applied to the micromirror substrate 100 and the wiring substrate 200. Responsible for reinforcing the joint. In this way, the micromirror element X2 may be manufactured.

また、マイクロミラー素子Ｘ２においては、図１５に示すように、マイクロミラー基板１００と配線基板２００との間において、追加スペーサ３００’を形成してもよい。この場合、追加スペーサ３００’は、マイクロミラー基板１００の共通外フレーム１３０’と配線基板２００の間に形成される。追加スペーサ３００’は、ハンダバンプ、金属めっき、ドライフィルムレジスト、および、ガラス製または樹脂製の球状スペーサなどにより構成することができる。ハンダバンプなどの金属材料により追加スペーサ３００’を構成する場合には、共通外フレーム１３０’および配線基板２００の追加スペーサ形成箇所において、予め金属パッドを形成しておくのが好ましい。共通外フレーム１３０’および配線基板２００と追加スペーサ３００’との間において充分な接合強度を得るためである。また、ハンダバンプなどの金属材料により追加スペーサ３００’を構成する場合には、配線基板２００上の配線パターン２１０とマイクロミラー基板１００に形成されている導電経路とが、追加スペーサ３００’によりショートしないように、追加スペーサ３００’を形成する。 Further, in the micromirror element X2, as shown in FIG. 15, an additional spacer 300 'may be formed between the micromirror substrate 100 and the wiring substrate 200. In this case, the additional spacer 300 ′ is formed between the common outer frame 130 ′ of the micromirror substrate 100 and the wiring substrate 200. The additional spacer 300 ′ can be composed of solder bumps, metal plating, dry film resist, glass or resin spherical spacers, and the like. When the additional spacer 300 ′ is made of a metal material such as a solder bump, it is preferable to form a metal pad in advance at the additional spacer formation portion of the common outer frame 130 ′ and the wiring substrate 200. This is to obtain sufficient bonding strength between the common outer frame 130 ′ and the wiring substrate 200 and the additional spacer 300 ′. Further, when the additional spacer 300 ′ is formed of a metal material such as a solder bump, the wiring pattern 210 on the wiring substrate 200 and the conductive path formed in the micromirror substrate 100 are not short-circuited by the additional spacer 300 ′. Then, an additional spacer 300 ′ is formed.

導電スペーサ３００の電極パッド２１１ａ〜２１１ｄおよび／または電極パッド１３８ａ〜１３８ｄに対する接合については、上述のような方法に代えて、ＡｕパッドとＡｕバンプとの間の超音波ボンディングにより達成してもよい。或は、パッドと導電スペーサ３００を圧接することにより達成してもよい。この場合、マイクロミラー基板１００と配線基板２００の機械的接合は、他の箇所に形成される例えば図１４に示すような接着剤４０１により達成される。導電スペーサ３００については、Ａｕ製のバンプボール３０１，３０２に代えて、図１６に示すように、単一のハンダバンプ３０４を採用することもできる。めっき法やスクリーン印刷法により電極上に供給するハンダバンプ形成材料を調整することにより、単一のハンダバンプ３０４により導電スペーサ３００を形成することが可能である。 The bonding of the conductive spacer 300 to the electrode pads 211a to 211d and / or the electrode pads 138a to 138d may be achieved by ultrasonic bonding between the Au pad and the Au bump instead of the above method. Alternatively, it may be achieved by press-contacting the pad and the conductive spacer 300. In this case, mechanical bonding between the micromirror substrate 100 and the wiring substrate 200 is achieved by an adhesive 401 as shown in FIG. As for the conductive spacer 300, a single solder bump 304 may be employed instead of the Au bump balls 301 and 302 as shown in FIG. The conductive spacer 300 can be formed by a single solder bump 304 by adjusting the solder bump forming material supplied onto the electrode by plating or screen printing.

図１７は、本発明の第３の実施形態に係るマイクロミラー素子Ｘ３の部分断面図である。マイクロミラー素子Ｘ３は、配線基板２００についてはマイクロミラー素子Ｘ２と異なる構成を有し、マイクロミラー基板１００および導電スペーサ３００についてはマイクロミラー素子Ｘ２と同様の構成を有する。ただし、本実施形態では、導電スペーサ３００としては単一ハンダバンプ３０４を採用する。 FIG. 17 is a partial cross-sectional view of a micromirror element X3 according to the third embodiment of the present invention. The micromirror element X3 has a configuration different from the micromirror element X2 with respect to the wiring substrate 200, and the micromirror substrate 100 and the conductive spacer 300 have the same configuration as the micromirror element X2. However, in this embodiment, a single solder bump 304 is employed as the conductive spacer 300.

マイクロミラー素子Ｘ３の配線基板２００は、第１の面２０１および第２の面２０２を有する。第１の面２０１には、退避部２０３が形成されている。この退避部２０３は、マイクロミラー基板１００のミラー形成部１１０や内フレーム１２０の進入を許容するような箇所および深さで形成されている。このように退避部２０３が形成されているため、同一サイズのミラー形成部１１０および内フレーム１２０を前提とすると、マイクロミラー素子Ｘ３の導電スペーサ３００に要求される高さは、マイクロミラー素子Ｘ１およびマイクロミラー素子Ｘ２の導電スペーサ３００に要求される高さよりも低い。したがって、比較的低い単一のハンダバンプ３０４によっても、導電スペーサ３００としての機能を良好に果たすことができる。 The wiring substrate 200 of the micromirror element X3 has a first surface 201 and a second surface 202. A retracting portion 203 is formed on the first surface 201. The retracting portion 203 is formed at a location and depth that allows entry of the mirror forming portion 110 and the inner frame 120 of the micromirror substrate 100. Since the retracting portion 203 is formed in this way, assuming the same size of the mirror forming portion 110 and the inner frame 120, the height required for the conductive spacer 300 of the micromirror element X3 is as follows. The height is lower than that required for the conductive spacer 300 of the micromirror element X2. Therefore, the function as the conductive spacer 300 can be satisfactorily performed even by the relatively low single solder bump 304.

退避部２０３の形成によって、配線基板２００の第１の面２０１において、配線パターン２１０を形成するための領域は小さくなる。これに対応するべく、マイクロミラー素子Ｘ３では、配線パターン２１０は、配線基板２００の第２の面２０２にも形成されている。このような構成の配線パターン２１０においては、第１の面２０１の配線パターン２１０と第２の面２０２の配線パターン２１０は、配線基板２００を貫通する導電連絡部２２０によって電気的に接続されている。第１の面２０１の配線パターン２１０は、導電スペーサ３００が接合する電極パッド２１１ａ〜２１１ｄのみとしてもよい。また、第２の面２０２の配線パターン２１０には、外部接続用の電極パッド２１２ａ〜２１２ｄが含まれる。電極パッド２１２には、外部接続用の例えばハンダバンプ２３０が形成されている。 By forming the retracting portion 203, an area for forming the wiring pattern 210 is reduced on the first surface 201 of the wiring substrate 200. In order to cope with this, in the micromirror element X3, the wiring pattern 210 is also formed on the second surface 202 of the wiring board 200. In the wiring pattern 210 having such a configuration, the wiring pattern 210 on the first surface 201 and the wiring pattern 210 on the second surface 202 are electrically connected by the conductive connecting portion 220 penetrating the wiring substrate 200. . The wiring pattern 210 on the first surface 201 may be only the electrode pads 211a to 211d to which the conductive spacer 300 is bonded. Further, the wiring pattern 210 on the second surface 202 includes electrode pads 212a to 212d for external connection. For example, solder bumps 230 for external connection are formed on the electrode pads 212.

上述の第１〜第３の実施形態では、２軸型であって櫛歯電極型のマイクロミラーについて示したが、本発明では、平行平板型マイクロミラー等について実施してもよい。また、上述のマイクロミラー素子Ｘ２の製造方法においては、マイクロミラー基板１００と配線基板２００の接合の前に、導体スペーサ３００を配線基板２００に対して形成しておく手法を説明したが、本発明では、マイクロミラー基板１００と配線基板２００の接合の前に、導電スペーサ３００は、マイクロミラー基板２００に対して形成しておいてもよい。或は、両基板に対して導電スペーサ３００の一部を形成しておき、マイクロミラー基板１００と配線基板２００の接合の際に導電スペーサ３００が形成される手法を採用してもよい。マイクロミラー素子Ｘ１，Ｘ３は、これらの手法を含むマイクロミラー素子Ｘ２に関して説明した製造方法と同様な方法により、製造することができる。 In the above-described first to third embodiments, the biaxial type and comb electrode type micromirrors are shown, but in the present invention, parallel plate type micromirrors and the like may be used. Further, in the above-described manufacturing method of the micromirror element X2, the method of forming the conductive spacer 300 on the wiring substrate 200 before joining the micromirror substrate 100 and the wiring substrate 200 has been described. Then, the conductive spacer 300 may be formed on the micromirror substrate 200 before joining the micromirror substrate 100 and the wiring substrate 200. Alternatively, a method may be employed in which a part of the conductive spacer 300 is formed on both substrates, and the conductive spacer 300 is formed when the micromirror substrate 100 and the wiring substrate 200 are joined. The micromirror elements X1 and X3 can be manufactured by a method similar to the manufacturing method described for the micromirror element X2 including these techniques.

以上のまとめとして、本発明の構成およびそのバリエーションを以下に付記として列挙する。 As a summary of the above, the configurations of the present invention and variations thereof are listed below as supplementary notes.

（付記１）フレーム部と、ミラー部を有する可動部と、前記フレーム部および前記可動部を連結するトーションバーとが形成されているマイクロミラー基板と、
配線パターンが形成されている配線基板と、
前記マイクロミラー基板および前記配線基板を離隔させつつ前記フレーム部および前記配線パターンを電気的に接続するための導電スペーサと、を備えることを特徴とする、マイクロミラー素子。
（付記２）フレーム部と、ミラー部を有する可動部と、前記フレーム部および前記可動部を連結するトーションバーとを備える複数のマイクロミラーユニットが一体的に形成されているマイクロミラー基板と、
配線パターンが形成されている配線基板と、
前記マイクロミラー基板および前記配線基板を離隔させつつ前記フレーム部および前記配線パターンを電気的に接続するための導電スペーサと、を備えることを特徴とする、マイクロミラー素子。
（付記３）前記導電スペーサは、単一のバンプ、または、積み重なる複数のバンプからなる、付記１または２に記載のマイクロミラー素子。
（付記４）前記導電スペーサは、電極パッドを介して前記配線パターンおよび／または前記フレーム部に接続している、付記１から３のいずれか１つに記載のマイクロミラー素子。
（付記５）前記導電スペーサは、導電性接着剤を介して前記配線パターンおよび／または前記フレーム部に接続している、付記１から４のいずれか１つに記載のマイクロミラー素子。
（付記６）前記導電スペーサと前記電極パッドは融着している、付記４に記載のマイクロミラー素子。
（付記７）前記導電スペーサと前記電極パッドは圧接している、付記４に記載のマイクロミラー素子。
（付記８）前記配線基板は、前記マイクロミラー基板に対向する第１の面を有し、当該第１の面には、前記可動部の進入を許容する退避部が形成されている、付記１から７のいずれか１つに記載のマイクロミラー素子。
（付記９）前記配線基板は、前記第１の面とは反対の第２の面を有し、当該第２の面には、前記配線パターンの一部が形成されている、付記８に記載のマイクロミラー素子。
（付記１０）前記配線基板は、前記第１の面に形成されている配線パターンと前記第２の面に形成されている配線パターンとを電気的に接続するように、前記配線基板を貫通する導電連絡部を有する、付記９に記載のマイクロミラー素子。
（付記１１）前記マイクロミラー基板と前記配線基板との間に接着剤が介在する、付記１から１０のいずれか１つに記載のマイクロミラー素子。
（付記１２）前記フレーム部と前記配線基板との間に追加スペーサが介在する、付記１から１１のいずれか１つに記載のマイクロミラー素子。
（付記１３）前記追加スペーサはバンプである、付記１２に記載のマイクロミラー素子。
（付記１４）前記可動部は第１櫛歯電極部を有し、前記フレーム部は、前記第１櫛歯電極部との間に静電力を生じさせることにより前記可動部を変位させるための第２櫛歯電極部を有する、付記１から１３のいずれか１つに記載のマイクロミラー素子。
（付記１５）前記可動部は、前記トーションバーを介して前記フレーム部に連結された中継フレームと、当該中継フレームから離隔するミラー形成部と、当該中継フレームおよびミラー形成部を連結する中継トーションバーとを備え、前記中継トーションバーは、前記トーションバーの延び方向に対して交差する方向に延びている、付記１から１４のいずれか１つに記載のマイクロミラー素子。
（付記１６）前記ミラー形成部は第３櫛歯電極部を有し、前記中継フレームは、前記第３櫛歯電極部との間に静電力を生じさせることにより前記ミラー形成部を変位させるための第４櫛歯電極部を有する、付記１５に記載のマイクロミラー素子。
（付記１７）前記マイクロミラー基板は、絶縁膜および／または空隙により相互に絶縁された複数の区画を有し、当該複数の区画の一部は、前記導電スペーサと電気的に接続している、付記１から１６のいずれか１つに記載のマイクロミラー素子。 (Appendix 1) A micromirror substrate on which a frame part, a movable part having a mirror part, and a torsion bar connecting the frame part and the movable part are formed,
A wiring board on which a wiring pattern is formed;
And a conductive spacer for electrically connecting the frame portion and the wiring pattern while separating the micromirror substrate and the wiring substrate.
(Appendix 2) A micromirror substrate in which a plurality of micromirror units including a frame portion, a movable portion having a mirror portion, and a torsion bar connecting the frame portion and the movable portion are integrally formed,
A wiring board on which a wiring pattern is formed;
And a conductive spacer for electrically connecting the frame portion and the wiring pattern while separating the micromirror substrate and the wiring substrate.
(Additional remark 3) The said conductive spacer is a micromirror element of Additional remark 1 or 2 which consists of a single bump or several bumps | stacks piled up.
(Supplementary Note 4) The micromirror element according to any one of Supplementary Notes 1 to 3, wherein the conductive spacer is connected to the wiring pattern and / or the frame portion via an electrode pad.
(Supplementary Note 5) The micromirror element according to any one of Supplementary Notes 1 to 4, wherein the conductive spacer is connected to the wiring pattern and / or the frame portion via a conductive adhesive.
(Supplementary note 6) The micromirror element according to supplementary note 4, wherein the conductive spacer and the electrode pad are fused.
(Supplementary note 7) The micromirror element according to supplementary note 4, wherein the conductive spacer and the electrode pad are in pressure contact.
(Supplementary Note 8) The wiring board has a first surface facing the micromirror substrate, and a retraction portion that allows entry of the movable portion is formed on the first surface. The micromirror element according to any one of 7 to 7.
(Supplementary note 9) The supplementary note 8, wherein the wiring board has a second surface opposite to the first surface, and a part of the wiring pattern is formed on the second surface. Micromirror element.
(Additional remark 10) The said wiring board penetrates the said wiring board so that the wiring pattern currently formed in the said 1st surface and the wiring pattern currently formed in the said 2nd surface may be electrically connected. The micromirror element according to appendix 9, which has a conductive communication part.
(Supplementary note 11) The micromirror element according to any one of supplementary notes 1 to 10, wherein an adhesive is interposed between the micromirror substrate and the wiring substrate.
(Supplementary note 12) The micromirror element according to any one of supplementary notes 1 to 11, wherein an additional spacer is interposed between the frame portion and the wiring board.
(Additional remark 13) The said additional spacer is a micromirror element of Additional remark 12 which is a bump.
(Additional remark 14) The said movable part has a 1st comb-tooth electrode part, and the said frame part is the 1st for displacing the said movable part by producing an electrostatic force between the said 1st comb-tooth electrode part. 14. The micromirror element according to any one of appendices 1 to 13, having two comb-tooth electrode portions.
(Supplementary Note 15) The movable portion includes a relay frame connected to the frame portion via the torsion bar, a mirror forming portion spaced from the relay frame, and a relay torsion bar connecting the relay frame and the mirror forming portion. The micromirror element according to any one of appendices 1 to 14, wherein the relay torsion bar extends in a direction intersecting with an extending direction of the torsion bar.
(Supplementary Note 16) The mirror forming portion has a third comb electrode portion, and the relay frame displaces the mirror forming portion by generating an electrostatic force between the relay frame and the third comb electrode portion. The micromirror element according to supplementary note 15, having the fourth comb electrode portion.
(Supplementary Note 17) The micromirror substrate has a plurality of sections insulated from each other by an insulating film and / or a gap, and a part of the plurality of sections is electrically connected to the conductive spacer. The micromirror element according to any one of appendices 1 to 16.

本発明の第１の実施形態に係るマイクロミラー素子の斜視図である。1 is a perspective view of a micromirror element according to a first embodiment of the present invention. 図１に示すマイクロミラー素子の分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of the micromirror element shown in FIG. 図１に示すマイクロミラー素子の断面図である。It is sectional drawing of the micromirror element shown in FIG. 図１に示すマイクロミラー素子のマイクミラー基板の裏面図である。It is a reverse view of the microphone mirror board | substrate of the micromirror element shown in FIG. 本発明の第２の実施形態に係るマイクロミラー素子の斜視図である。It is a perspective view of the micromirror element which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 図５に示すマイクロミラー素子の分解斜視図である。FIG. 6 is an exploded perspective view of the micromirror element shown in FIG. 5. 図５に示すマイクロミラー素子の部分断面図である。It is a fragmentary sectional view of the micromirror element shown in FIG. 図５に示すマイクロミラー素子の製造工程一部を表す。6 represents a part of the manufacturing process of the micromirror element shown in FIG. 図８に続く工程を表す。The process following FIG. 8 is represented. 図９に続く工程を表す。The process following FIG. 9 is represented. 図１０に続く工程を表す。The process following FIG. 10 is represented. 図１１に続く工程を表す。The process following FIG. 11 is represented. 図１２に続く別の工程を表す。It represents another process following FIG. 図１３に続く工程を表す。The process following FIG. 13 is represented. マイクロミラー基板と配線基板との間に追加スペーサが介在する場合の断面図である。It is sectional drawing when an additional spacer interposes between a micromirror substrate and a wiring board. 導電スペーサの別の態様を表す。4 represents another aspect of the conductive spacer. 本発明の第３の実施形態に係るマイクロミラー素子の部分断面図である。It is a fragmentary sectional view of the micromirror element concerning a 3rd embodiment of the present invention. 光スイッチング装置の一例の概略構成図である。It is a schematic block diagram of an example of an optical switching apparatus. 光スイッチング装置の他の例の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the other example of an optical switching apparatus.

Explanation of symbols

Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３マイクロミラー素子
Ｘ２’ マイクロミラーユニット
１００マイクロミラー基板
１１０ミラー形成部
１２０内フレーム
１３０外フレーム
１３０’ 共通外フレーム
１３８ａ〜１３８ｄ電極パッド
１４０，１５０トーションバー
２００配線基板
２１０配線パターン
２１１ａ〜２１１ｄ，２１２ａ〜２１２ｄ電極パッド
３００導電スペーサ
３００’ 追加スペーサ
３０１，３０２ボールバンプ
３０３導電性接着剤
４０１接着剤 X1, X2, X3 Micromirror element X2 'Micromirror unit 100 Micromirror substrate 110 Mirror forming part 120 Inner frame 130 Outer frame 130' Common outer frame 138a to 138d Electrode pads 140, 150 Torsion bar 200 Wiring substrate 210 Wiring pattern 211a 211d, 212a to 212d Electrode pad 300 Conductive spacer 300 ′ Additional spacer 301, 302 Ball bump 303 Conductive adhesive 401 Adhesive

Claims

A micro mirror substrate on which a frame part, a movable part having a mirror part, and a torsion bar connecting the frame part and the movable part are formed;
A wiring board on which a wiring pattern is formed;
A first conductive spacer and a second conductive spacer that are electrically separated from each other and electrically connect the frame portion and the wiring pattern while separating the micromirror substrate and the wiring substrate;
The movable part has a first electrode part and a second electrode part,
The frame portion has a third electrode portion for generating an electrostatic force with the first electrode portion and a fourth electrode portion for generating an electrostatic force with the second electrode portion. The third electrode portion and the fourth electrode portion are electrically separated from each other,
The micromirror element, wherein the first conductive spacer is electrically connected to the third electrode portion, and the second conductive spacer is electrically connected to the fourth electrode portion.

A micromirror substrate integrally formed with a plurality of micromirror units each including a frame portion, a movable portion having a mirror portion, and a torsion bar connecting the frame portion and the movable portion;
A wiring board on which a wiring pattern is formed;
The frame part and the wiring pattern are electrically connected while the micromirror substrate and the wiring substrate are separated from each other, and the first conductive spacer and the second conductive which are electrically separated from each other and provided for each of the micromirror units. A spacer, and
The movable part has a first electrode part and a second electrode part,
The frame portion has a third electrode portion for generating an electrostatic force with the first electrode portion and a fourth electrode portion for generating an electrostatic force with the second electrode portion. The third electrode portion and the fourth electrode portion are electrically separated from each other,
The micromirror element, wherein the first conductive spacer is electrically connected to the third electrode portion, and the second conductive spacer is electrically connected to the fourth electrode portion.

The conductive spacer, the said wiring pattern comma other via the electrode pads are connected to the frame portion, the micro-mirror device according to claim 1 or 2.

The conductive spacer, the wiring pattern comma other via the conductive adhesive is connected to the frame portion, the micro-mirror device according to any one of claims 1 to 3.

5. The wiring board according to claim 1, wherein the wiring board has a first surface that faces the micromirror substrate, and a retraction portion that allows entry of the movable portion is formed on the first surface. The micromirror element according to any one of the above.

The micromirror element according to any one of claims 1 to 5, wherein an adhesive is interposed between the micromirror substrate and the wiring substrate.

The movable part includes a relay frame connected to the frame part via the torsion bar, a mirror forming part separated from the relay frame, and a relay torsion bar connecting the relay frame and the mirror forming part, The micromirror element according to any one of claims 1 to 6, wherein the relay torsion bar extends in a direction intersecting with an extending direction of the torsion bar.

The micro mirror substrate, the insulating Makuma other has a plurality of compartments that are insulated from each other by an air gap, a portion of the plurality of compartments are connected the conductive spacers and electrically, from claims 1 8. The micromirror element according to any one of 7.