JP4421054B2 - 半導体薄膜の表面形状測定方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体薄膜の表面形状を測定する方法に関し,特に半導体基板上に形成されるキャパシタ電極としてのポリシリコン膜の表面形状を測定する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば,DRAM(ダイナミックランダムアクセスメモリ)のようなメモリ素子は,多数のキャパシタを備えている。このようなメモリ素子に形成されるキャパシタは,半導体基板上に下方電極,誘電体膜及び上方電極を積層して構成されている。また近年,メモリ素子に形成されるキャパシタの容量の増大をはかるべく,ポリシリコン膜からなるキャパシタ電極の誘電体膜に対向する面を凹凸に形成して誘電体膜の表面積を増やすことが行われている。
【0003】
ここで,キャパシタの蓄積電荷容量はキャパシタ電極の表面に形成される凹凸の程度によって左右されるため,キャパシタの蓄積電荷容量を一定にするためには,このようにキャパシタ電極の表面に形成される凹凸の程度を一定にしなければならない。このため,キャパシタ電極の表面形状を測定することが必要となる。
【0004】
従来,このキャパシタ電極の表面形状を直接的に測定する代わりに,ポリシリコン膜の膜厚を測定する方法が採られている。一方,キャパシタ電極の表面形状を直接観察する場合は,AFM(原子間力顕微鏡)では観察が不可能であり,専らSEM(走査型電子顕微鏡)を使用して観察している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら,ポリシリコン膜の膜厚を測定する方法では,キャパシタ容量と密接な関係にあるキャパシタ電極の表面形状を正確に知ることができない。このため,半導体素子の製造において極めて重要なキャパシタ電極の表面形状を管理する上で,例えばポリシリコン膜の膜厚に異常値が生じたような場合には,ポリシリコン膜の生成条件をどのように制御すれば良いか瞬時に判断できなくなってしまう。
【0006】
一方,キャパシタ電極の表面形状をSEMを使用して観察する方法は,非常に多くの時間と労力が必要であり,半導体素子の製造において生産性の低下を招く原因となっている。
【0007】
本発明の目的は,ポリシリコン膜の如き半導体薄膜の表面形状を容易かつ短時間に測定できる方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するために,請求項1の発明は,半導体基板の表面に形成された半導体薄膜の表面形状を測定する方法であって,半導体薄膜について、基板表面に平行な振動成分であるS偏光成分及び光の進行方向および当該S偏光成分に垂直な振動成分であるP偏光成分を所定の振幅比で含む光の入射に対する反射光のS偏光成分とP偏光成分との振幅の大きさの比を示すTan(PSI)及び当該反射光のS偏光成分とP偏光成分との位相差を示すDeltaに関し,分光エリプソメトリを用いてTan(PSI)と測定波長の関係を示す第1のグラフと,Cos(Delta)と測定波長の関係を示す第2のグラフと、を測定結果から作成する第1工程と,半導体基板の表面にそれぞれ所定の光学定数を有する薄膜材料がそれぞれ所定の膜厚で5層積層されているものと仮定し,Cauchy Modelのモデル関数に含まれる各係数を実測値から決定する第2工程と,第2工程で決定された各係数を有するCauchy Modelのモデル関数の波長依存性を考慮し,各層の膜厚及び各層のVoid率をパラメータとして含むTan(PSI),Cos(DELTA)のモデル関数を利用し,当該モデル関数によって波長毎に得られるTan(PSI),Cos(DELTA)の値が,第1のグラフ及び第2のグラフに最も近くなるようにグラフフィッティングにより各層の膜厚及び各層のVoid率を決定する第3工程と,第3工程で決定された第k層の膜厚T k 及びVoid率V k (k=1〜3)を下記の式(1)に代入してTotal Void率Xを算出する第4工程と,を含み,
X=(T1×V1+T2×V2+T3×V3)/(T1+T2+T3) ・・・ (1)
Total Void率Xとポリシリコン膜の表面形状との相関関係を表したグラフを利用して,第4工程で算出されたTotal Void率Xから,5層で仮定した薄膜材料の層にできた凹凸の度合いを推定することを特徴としている。
この請求項1の発明において,半導体薄膜の表面形状とは,例えば半導体薄膜の表面積を示し,DRAM(ダイナミックランダムアクセスメモリ)のような多数のキャパシタを備えたメモリ素子について言えば,キャパシタ容量,即ち実効膜厚の指標となるものを指す。
【0009】
また,請求項2の発明は,半導体基板の表面に形成された半導体薄膜の表面にイソプロピルアルコールを一様に付着させ,半導体薄膜の表面から放出されるイソプロピルアルコールを定量分析し,当該定量分析によって得られたイソプロピルアルコールの検出量と,予め実験で得られた半導体薄膜の実効膜厚とイソプロピルアルコールの検出量との関係を表したグラフとを利用して,半導体薄膜の表面形状を測定することを特徴とする,半導体薄膜の表面形状測定方法である。
この請求項2の発明においても同様に,半導体薄膜の表面形状とは,例えば半導体薄膜の表面積を示し,DRAM(ダイナミックランダムアクセスメモリ)のような多数のキャパシタを備えたメモリ素子について言えば,キャパシタ容量,即ち実効膜厚の指標となるものを指す。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下,本発明の好ましい実施の形態を図面を用いて説明する。図1は,本発明の実施の形態に用いる半導体素子1の断面図である。半導体基板11の表面(図1では上面)に熱酸化膜12が例えば50nm程度の厚さに成長され,その上に半導体薄膜としてのポリシリコン膜13が成膜されている。
【0011】
本発明の第1の実施の形態では,このような半導体素子1において,分光エリプソメトリを用いて,波長0.25〜0.85nmの領域で測定することにより,Tan(PSI)と測定波長の関係を示すグラフ及びCos(DELTA)と測定波長の関係を示すグラフを求める。エリプソメトリとは,物体の表面に楕円偏光であるレーザ光を入射し,その反射光である楕円偏光の状態変化(Tan(PSI),Cos(DELTA))を求め,Tan(PSI),Cos(DELTA)によって物体表面の性質(膜厚,屈折率)を知る解析法である。分光エリプソメトリは0.25〜0.85umまでの波長領域で波長を任意に分割してTan(PSI),Cos(DELTA)を求める点で,0.633umの波長にて測定を行うと単波長エリプソメトリとは異なる。分光エリプソメトリでは,試料となる半導体素子1を試料台に載置し,光を例えば偏光子及び1/4波長板を通過させた後に半導体素子1に入射させる。半導体素子1からの反射光を,例えば検光子を通過させた後に検出器に入射させる。
【0012】
分光エリプソメトリ(エリプソメトリ膜厚計)において,半導体素子1の表面に入射した光は入射面に対して平行な反射係数と垂直な反射係数が存在し,測定値はこの係数比で表される。Tan(PSI)とCos(DELTA)はこの係数比を指し,分光エリプソメトリでは全波長域での係数比が求められることから,Tan(PSI)とCos(DELTA)は,後に説明する図3,4のような曲線であらわされる。即ち,物体の表面(試料面)に平行な振動成分であるS偏光成分と,光の進行方向およびS偏光成分に垂直な振動成分のP偏光成分との振幅比が等しい光を入射し,その後に,反射光の偏光状態を検出する。測定結果である振幅反射率比ρの大きさはTan(PSI)で得られ,その位相はCos(DELTA)で得られる。Tan(PSI)は,P偏光成分に対するS偏光成分の振幅の反射の比(振幅反射比)を示し,Cos(DELTA)は,P偏光成分とS偏光成分の位相差を示す。
【0013】
また半導体素子1において,半導体基板11の表面に5層の膜が積層されているとみなし,Cauchy modelのモデル関数において係数を最適化してポリシリコン膜13の最適化を行い,前記Tan(PSI)と測定波長の関係を示すグラフ及びCos(DELTA)と測定波長の関係を示すグラフにグラフフィッティングすることにより,前記5層の内の半導体薄膜の表面側から数えて第1層,第2層,第3層及び第4層までの各膜厚T1,T2,T3及びT4と各Void率V1,V2,V3及びV4を求める。Cauchy modelのモデル関数は,Δn(λ)=A+B/λ2(Δn:複屈折異方性,A,B:定数,λ:測定光の波長)で与えられる。
【0014】
図2に半導体基板11の表面に積層された5層の膜の定義を示す。図2に示すように,半導体基板11の表面において熱酸化膜12の上に形成されたポリシリコン膜13を4つの層に分け,熱酸化膜12を第5層とする。ポリシリコン膜13の表面側から数えて,第1層,第2層,第3層まではポリシリコンの粒(粗面粒)14の部分であり,第4層は熱酸化膜12とポリシリコン膜13の遷移領域(a−Si)である。ポリシリコン膜13において第1層から第3層までは凹凸な構造であり,ポリシリコンの粒14の周りの斜線部分15は大気が存在し,Voidを形成している。
【0015】
Cauchy modelのように多項式近似を用いるモデルはこの他に,Sellmeier model,Lorentz model,Drude modelなどがあるが,本発明のように半導体基板11の表面に積層された膜の光学定数が予め分かっている場合は,Cauchy modelを使用するのがよい。
【0016】
係数の最適化とはグラフフィッティングと同義であり,グラフフィッティングとは,光学定数が分かっている既知の膜について,理論的に求めた(あるいは設定した)膜の光学定数を,実際に測定した結果にあてはめ,全波長域での光学定数を実測値に合せ込んだときの膜厚を求めることを意味する。具体的には,グラフフィッティングとは,ポリシリコン膜13の標準モデルにおけるTan(PSI)とCos(DELTA)曲線が測定した膜の曲線により近づくように,標準モデルの各層の膜厚とConcentrationを変更して合せ込むことを意味する。このようにグラフフィッティングを行う場合,ポリシリコン膜13の標準モデルが必要となるが,熱酸化膜12上に標準条件で成膜したときのポリシリコン膜13を標準モデルとする。標準モデルを設定する理由は,ポリシリコン膜13を4分割させており,各層の膜厚とConcentrationに本来とかけ離れた数値を用いると,グラフフィッティングの際に変化させる因子が多くなるため,良好なグラフフィッティングが得られないからである。標準モデルとなるポリシリコン膜13は,ある決められた平面のなかで最も高い表面積を有し,標準モデルとならないポリシリコン膜13は,成膜を行い際にパラメータ変動(圧力,ガス流量,温度)が起き,低い表面積(キャパシタとして容量を低下させてしまう)を有している。
【0017】
なお図2に示すようにポリシリコンの粒14を第1〜3層までに分割したのは次の理由による。即ち,予めポリシリコンの粒14を2層,3層,4層のそれぞれに分割した場合を仮定してそれぞれ標準モデルを求め,ポリシリコン膜13の表面形状を測定したところ,ポリシリコンの粒14を3層に分割して考えたときが最も信頼性の高い値を示した。この信頼性の確認は次のように行った。先ず,ポリシリコン膜13の成膜条件を意図的に変化させて,最適なポリシリコン膜13とは異なる膜を成膜した。次に,ポリシリコン膜13を下地である熱酸化膜12(SiO21000A)に成膜してモニタとデバイスを作成した。そして,作成したモニタについてポリシリコンの粒14を2層,3層,4層のそれぞれに分割してVoid率を測定した。また一方で,作成したデバイスについてキャパシタ容量を測定し,モニタから得られるVoid率とデバイスから得られるキャパシタ容量との関係の規則性を調べた。その結果,ポリシリコンの粒14を3層に分割したモデルが,Void率とデバイスから得られるキャパシタ容量との関係について最も規則性が高かった。
【0018】
そして,標準となる設定値を分光エリプソメトリに入力し,グラフフィッティングを行う。その結果,第1層,第2層,第3層及び第4層までの各膜厚T1,T2,T3及びT4を求め,第1層,第2層,第3層及び第4層までの各Void率V1,V2,V3及びV4を求める。
【0019】
次に,これらの値を次式(1)に代入し,Total Void率Xを求める。
X = (T1×V1+T2×V2+T3×V3)/(T1+T2+T3) ・・・ (1)
【0020】
こうして求めたTotal Void率Xとポリシリコン膜13の表面形状との相関関係に基づいて,ポリシリコン膜13の表面形状を測定することが可能となる。
【0021】
次に,本発明の第2の実施の形態では,先ず,先に図1に示した半導体素子1の表面にIPAを一様に付着させる。この場合,IPAの付着が一様でないと,後に行うIPAを定量分析の再現性が低下するので,半導体素子1の表面にIPAを一様に付着させるのが良い。IPAを一様に付着させるには,例えばIPA(イソプロピルアルコール)Vaporに半導体素子1の表面をさらして乾燥させると良い。
【0022】
その後,GC.Mass(ガスクロマトグラフィー)により,ポリシリコン膜13の表面から放出されるIPAを定量分析する。そして,IPA検出量とポリシリコン膜13の表面形状との相関関係に基づいて,ポリシリコン膜13の表面形状を測定することが可能となる。
【0023】
これら本発明の第1,2の実施の形態によれば,図1に示した半導体素子1などにおいて,半導体基板11の表面に成膜されたポリシリコン膜13の如き半導体薄膜の表面形状を,容易かつ短時間に測定できる。これら第1,2の実施の形態で求めたポリシリコン膜13の表面形状は,ポリシリコン膜13の表面積を示し,これはDRAM(ダイナミックランダムアクセスメモリ)のような多数のキャパシタを備えたメモリ素子について言えば,キャパシタ容量,即ち実効膜厚の指標となるものである。このため第1,2の実施の形態によれば,DRAMなどにおいてキャパシタ電極の表面に形成される凹凸の程度を正確に把握でき,例えば蓄積電荷容量を一定にすることもできるようになる。
【0024】
なお,これら本発明の第1,2の実施の形態においては,ポリシリコン膜の表面形状を測定する場合について説明したが,例えば半導体素子を構成する部位の1つである層間絶縁膜の表面形状の測定など,ポリシリコン膜以外の他の半導体薄膜の表面形状の測定に適用して,膜中の異常なVoidなどを測定することも可能である。特に,第2の実施の形態によれば,半導体素子の層間絶縁膜を間においた2つの配線層を接続するためのコンタクトホール形状の定量化による測定も行えるようになる。
【0025】
【実施例】
次に,先に図1に示した半導体素子1について実施例を行い,本発明の効果を調べた。
(実施例1)
先ず,半導体薄膜としてのポリシリコン膜について表面形状を測定した。先に図1で説明したように,半導体基板11の表面に熱酸化膜12を50nmの厚さに成長させ,その上に半導体薄膜としてのポリシリコン膜13を成膜した。このポリシリコン膜13について,分光エリプソメトリを使用して,波長0.25〜0.85nmの領域で測定することにより,図3のようにTan(PSI)を求め,図4のようにCos(DELTA)を求た。図3中,縦軸はTan(PSI),横軸は分光エリプソメトリの測定波長であり,図4中の縦軸はCos(DELTA),横軸は分光エリプソメトリの測定波長である。これら図3,4は,グラフフィッティングを行った後のTan(PSI),Cos(DELTA)と測定波長の関係を示している。図3,4では,理論曲線とそれにグラフフィッティングされた曲線の2本が示されている(但し,理論曲線とそれにグラフフィッティングされた曲線とは,精度の高いグラフフィッティングがなされているために,図3,4において両者はほとんど重なって示されている)。
【0026】
また,先に図2で説明したように,半導体基板11の表面において熱酸化膜12の上に形成されたポリシリコン膜13を,ポリシリコンの粒の部分である第1層,第2層,第3層と,熱酸化膜12とポリシリコン膜13の遷移領域である第4層に分け,熱酸化膜12を第5層として,半導体基板11の表面に5層の膜が積層されているとみなし,Cauchy modelをモデル関数において係数を最適化し,同時にポリシリコン膜の膜厚の最適化を行い,グラフフィッティングした。分光エリプソメトリに入力してフィッティングを行うための標準となる設定値を図5に示した。図5中において,「Comp.1」は,各層の成分を示し,r−polyは粗面ポリシリコン膜,SiO2はシリコン酸化膜,sicrはSi−Sub(シリコン基板)である。「Comp.2」は,「Comp.1」で定義した各層の膜質を示しており,voidは膜中に空孔をもつもの,siam2はアモルファス状態を示す。各層のConcentration(濃度)とThickness(膜厚)は,標準的な粗面ポリシリコンを測定したときに得られたTan(PSI)とCos(DELTA)に対して最も良好なグラフフィッティングが得られるような標準値を模索した。その結果,図6に示す第1層,第2層,第3層及び第4層までの各膜厚T1,T2,T3及びT4と,第1層,第2層,第3層及び第4層までの各Void率V1,V2,V3及びV4を求めた。これらの値を次の(1)式に代入し,Total Void率Xを求めた。
X = (T1×V1+T2×V2+T3×V3)/(T1+T2+T3) ・・・ (1)
即ち,層の膜厚は,光の反射に影響を与える。層中の空孔は光を吸収することがあるので,層のConcentrationは,光の反射に影響を与える。反射光の偏光状態を示す振幅反射率比ρは,各膜厚T1〜T4と,各Void率V1,V2,V3及びV4の関数として捉えることができる。
ρ = f(T1,T2,T3,T4,V1,V2,V3,V4,)・・・ (2)
また振幅反射率比ρは,Tan(PSI)a,Cos(DELTA)aから得ることができる。ポリシリコン膜13について,分光エリプソメトリにより測定値Tan(PSI)a,Cos(DELTA)aを検出する。各膜厚T1,T2,T3,T4と各Void率V1,V2,V3及びV4の適当な値を,係数が最適化された所定のモデル関数式に代入し,その結果得られる計算値Tan(PSI)b,Cos(DELTA)bを算出する。測定値であるTan(PSI)a,Cos(DELTA)aと計算値であるTan(PSI)b,Cos(DELTA)bがほぼ一致すれば,そのときの各膜厚T1,T2,T3,T4と各Void率V1,V2,V3及びV4を,第1層,第2層,第3層及び第4層の膜厚,Void率の測定値であると推定する。一方,測定値であるTan(PSI)a,Cos(DELTA)aと計算値であるTan(PSI)b,Cos(DELTA)bに誤差があれば,モデル関数式に代入する各値を適宜変え,その誤差を小さくなるようにグラフフィッティングを繰り返す。こうして,図6に示すようにグラフフィッティングから得た各膜厚T1,T2,T3,T4と各Void率V1,V2,V3及びV4を,上記(1)の式に代入して,Total Void率Xを求める。
【0027】
このTotal Void率Xとポリシリコン膜の表面形状との相関関係に基づいて,ポリシリコン膜の表面形状を測定することが可能となる。図7は,分光エリプソメトリで測定して求めたTotal Void率Xと,それぞれの条件を用いてポリシリコン膜を成膜したときの酸化膜厚換算の実効膜厚Toxとの関係を示すグラフである。この図7中に示した(a),(b),(c)及び(d)のポリシリコン膜の各SEM観察写真を図8(a),(b),(c),(d)にそれぞれ示した。実効膜厚Toxは,Total Void率Xが45〜50%の範囲で最も薄く(つまり,最も容量が高く),その時のポリシリコン膜のSEM観察写真は図8(c)のようになった。Total Void率Xの変化にともない,ポリシリコン膜の形状も変化していることがわかる。DRAMなどのキャパシタを有する半導体装置において,キャパシタの容量を増加させることはデータ保持時間を長くすることができ,デバイスそのものの性能向上となる。容量を増加させる方法としては,キャパシタに使用する膜(電荷を蓄積する膜,ここではSi窒化膜)により誘電率の高い膜にするか,面積を増加させることが一般的にである。微細化技術が進みにつれてキャパシタの面積を広く確保することが難しくなる一方,電極に表面積を広く確保できるポリシリコン膜を用いることで,その上に堆積させるSi窒化膜の表面積を広く確保し,容量増加を図るようにしている。Total Void率Xが45〜50%であれば,容量増加が最も高いポリシリコン膜を実現することができる。このようなポリシリコン膜がキャパシタの下部電極として最適である。
【0028】
ポリシリコン膜の成膜条件において温度を変化させたときの,Total Void率Xと実効膜厚Toxの変化を図9に示し,各温度におけるポリシリコン膜のSEM観察写真を図10(a),(b),(c)にそれぞれ示した。また,ポリシリコン膜の成膜条件において圧力を変化させたときのTotal Void率Xと実効膜厚Toxの変化を図11に示し,各圧力におけるポリシリコン膜のSEM観察写真を図12(a),(b),(c)にそれぞれ示した。また,ポリシリコン膜の成膜条件において時間を変化させたときのTotal Void率Xと実効膜厚Toxの変化を図13に示し,各時間におけるポリシリコン膜のSEM観察写真を図14(a),(b),(c),(d)にそれぞれ示した。このように,Total Void率Xの管理を行うことで,ポリシリコン膜を適正な表面形状にすることができるようになる。
【0029】
(実施例2)
次に,半導体薄膜としてのポリシリコン膜をIPA(イソプロピルアルコール)Vaporにさらして乾燥させた後,GC.Mass(ガスクロマトグラフィー)により,ポリシリコン膜から放出されるIPAを定量分析し,ポリシリコン膜の表面形状を間接的に測定した。実施例1と同様に,半導体基板の表面に熱酸化膜を50nmの厚さに成長させ,その上に半導体薄膜としてのポリシリコン膜を成膜した。このポリシリコン膜について,GC.Mass測定を行った。実施例1と同様に,種々の条件で半導体基板上にポリシリコン膜を形成させ,測定を行った。
【0030】
GC.Massで測定して求めたIPA検出量(Area Count)と,各条件下において形成させたポリシリコン膜の酸化膜厚換算の実効膜厚Toxとの関係を図15に示す。IPA検出量の増加に従い,実効膜厚Toxが増加することが確認された。IPA検出量によって,ポリシリコン膜の表面形状を間接的に測定することが可能になる。
【0031】
(実施例3)
次に,半導体薄膜としてのポリシリコン膜について膜厚値,反射率及びG.O.F(Good of fit:測定結果の信頼性数値)を,UV光を利用した膜厚測定器として例えばプロメトリックス社製「UV−1050」を用いて測定した。実施例1,2と同様に,半導体基板の表面に熱酸化膜を50nmの厚さに成長させ,その上に半導体薄膜としてのポリシリコン膜を成膜した。UV光の反射率からポリシリコン膜の表面形状を測定した。実施例1,2と同様に,種々の条件で半導体基板上にポリシリコン膜を形成させ,測定を行った。
【0032】
図16は,各ポリシリコン膜についてUV−1050で測定して求めた反射率Refと,酸化膜厚換算の実効膜厚Toxの関係を示すグラフである。この図16中に示した(a),(b),(c)及び(d)のポリシリコン膜の各SEM観察写真を図17(a),(b),(c),(d)にそれぞれ示した。図16から分かるように,反射率Refが30%前後で最も実効膜厚Toxは薄く(つまり,最も容量が高く),その時のポリシリコン膜の表面形状は図17(b)のようになる。反射率Refの上昇に従い,ポリシリコンの粒は小さくなっていることがわかる。
【0033】
ポリシリコン膜の成膜条件において温度を変化させたときの,反射率Refと実効膜厚Toxの変化を図18に示し,各温度におけるポリシリコン膜のSEM観察写真を図19(a),(b),(c)にそれぞれ示した。また,ポリシリコン膜の成膜条件において圧力を変化させたときの反射率Refと実効膜厚Toxの変化を図20に示し,各圧力におけるポリシリコン膜のSEM観察写真を図21(a),(b),(c)にそれぞれ示した。また,ポリシリコン膜の成膜条件において時間を変化させたときの反射率Refと実効膜厚Toxの変化を図22に示し,各時間におけるポリシリコン膜のSEM観察写真を図23(a),(b),(c)にそれぞれ示した。このように,反射率の管理を行うことで,ポリシリコン膜を適正な表面形状にすることができるようになる。
【0034】
【発明の効果】
以上説明したように,本発明によれば,半導体基板の表面に成膜された半導体薄膜のTotal Void率や,半導体薄膜から放出されるIPA検出量によって半導体薄膜の表面形状を,容易かつ短時間に測定でき,半導体薄膜の表面形状を管理することが可能である。このため,DRAMなどにおいてキャパシタ電極の表面に形成される凹凸の程度を一定にでき,蓄積電荷容量を一定にすることができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】半導体素子の断面図である。
【図2】分光エリプソメトリにおける5層の膜の定義の説明図である。
【図3】実施例1で求めたTan(PSI)のグラフである。
【図4】実施例1で求めたCos(DELTA)のグラフである。
【図5】実施例1において分光エリプソメトリに入力してフィッティングを行うための標準となる設定値を示す表である。
【図6】実施例1において求めた第1層,第2層,第3層及び第4層までの各膜厚と各Void率を示す表である。
【図7】実施例1において分光エリプソメトリで測定して求めたTotal Void率Xと,それぞれの条件を用いてポリシリコン膜を成膜したときの酸化膜厚換算の実効膜厚Toxとの関係を示すグラフである。
【図8】図7中に示した(a),(b),(c)及び(d)のポリシリコン膜の各SEM観察写真である。
【図9】実施例1においてポリシリコン膜の成膜条件において温度を変化させたときの,Total Void率Xと実効膜厚Toxの変化を示すグラフである。
【図10】図9中に示した(a),(b)及び(c)のポリシリコン膜の各SEM観察写真である。
【図11】実施例1においてポリシリコン膜の成膜条件において圧力を変化させたときのTotal Void率Xと実効膜厚Toxの変化を示すグラフである。
【図12】図11中に示した(a),(b)及び(c)のポリシリコン膜の各SEM観察写真である。
【図13】実施例1においてポリシリコン膜の成膜条件において時間を変化させたときのTotal Void率Xと実効膜厚Toxの変化を示すグラフである。
【図14】図13中に示した(a),(b),(c)及び(d)のポリシリコン膜の各SEM観察写真である。
【図15】実施例2において求めたIPA検出量と各条件下において形成させたポリシリコン膜の酸化膜厚換算の実効膜厚Toxとの関係を示すグラフである。
【図16】実施例3において求めた反射率Refと酸化膜厚換算の実効膜厚Toxの関係を示すグラフである。
【図17】図16中に示した(a),(b),(c)及び(d)のポリシリコン膜の各SEM観察写真である。
【図18】実施例3においてポリシリコン膜の成膜条件において温度を変化させたときの,反射率Refと実効膜厚Toxの変化を示すグラフである。
【図19】図18中に示した(a),(b)及び(c)のポリシリコン膜の各SEM観察写真である。
【図20】実施例3においてポリシリコン膜の成膜条件において圧力を変化させたときの,反射率Refと実効膜厚Toxの変化を示すグラフである。
【図21】図20中に示した(a),(b)及び(c)のポリシリコン膜の各SEM観察写真である。
【図22】実施例3においてポリシリコン膜の成膜条件において時間を変化させたときの,反射率Refと実効膜厚Toxの変化を示すグラフである。
【図23】図22中に示した(a),(b)及び(c)のポリシリコン膜の各SEM観察写真である。
【符号の説明】
1 半導体素子
11 半導体基板
12 熱酸化膜
13 ポリシリコン膜
Claims (2)
- 半導体基板の表面に形成された半導体薄膜の表面形状を測定する方法であって、
前記半導体薄膜について、基板表面に平行な振動成分であるS偏光成分及び光の進行方向および当該S偏光成分に垂直な振動成分であるP偏光成分を所定の振幅比で含む光の入射に対する反射光のS偏光成分とP偏光成分との振幅の大きさの比を示すTan(PSI)及び当該反射光のS偏光成分とP偏光成分との位相差を示すDeltaに関し、分光エリプソメトリを用いて前記Tan(PSI)と測定波長の関係を示す第1のグラフと、Cos(Delta)と測定波長の関係を示す第2のグラフと、を測定結果から作成する第1工程と、
前記半導体基板の表面にそれぞれ所定の光学定数を有する前記薄膜材料がそれぞれ所定の膜厚で5層積層されているものと仮定し、Cauchy Modelのモデル関数に含まれる各係数を実測値から決定する第2工程と、
前記第2工程で決定された各係数を有する前記Cauchy Modelのモデル関数の波長依存性を考慮し、前記各層の膜厚及び前記各層のVoid率をパラメータとして含むTan(PSI)、Cos(DELTA)のモデル関数を利用し、当該モデル関数によって波長毎に得られるTan(PSI)、Cos(DELTA)の値が、前記第1のグラフ及び前記第2のグラフに最も近くなるようにグラフフィッティングにより前記各層の膜厚及び前記各層のVoid率を決定する第3工程と、
前記第3工程で決定された第k層の膜厚Tk及びVoid率Vk(k=1〜3)を下記の式(1)に代入してTotal Void率Xを算出する第4工程と、
を含み、
X=(T1×V1+T2×V2+T3×V3)/(T1+T2+T3) ・・・(1)
Total Void率Xとポリシリコン膜の表面形状との相関関係を表したグラフを利用して、前記第4工程で算出されたTotal Void率Xから、前記5層で仮定した薄膜材料の層にできた凹凸の度合いを推定することを特徴とする、半導体薄膜の表面形状測定方法。 - 半導体基板の表面に形成された半導体薄膜の表面にイソプロピルアルコールを一様に付着させ、前記半導体薄膜の表面から放出されるイソプロピルアルコールを定量分析し、当該定量分析によって得られた前記イソプロピルアルコールの検出量と、予め実験で得られた半導体薄膜の実効膜厚とイソプロピルアルコールの検出量との関係を表したグラフとを利用して、半導体薄膜の表面形状を測定することを特徴とする、半導体薄膜の表面形状測定方法。
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