JP4401609B2 - Information processing apparatus, information processing method, program, semiconductor manufacturing system, and semiconductor device manufacturing method - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、情報処理装置及び方法、プログラム、並びに半導体デバイスの製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体集積回路の高集積化・高機能化に伴って、高精度な半導体製造技術が強く求められている。半導体プロセスで用いられている半導体製造装置は、経時変化により、性能が劣化することがある。例えば、半導体製造装置においては、レーザー照射の性能が使用量とともに劣化するということがある。
【0003】
従来では、レーザーを使用した累積時間をカウントし、この値を目安として性能が劣化した部品を交換していた。また、性能の劣化が顕著に現れてから、性能が劣化した部品の交換をしていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、性能が劣化してから性能が劣化した部品を交換する場合、性能が劣化した部品を交換するまでの間、性能が劣化した状態で製造を行うことになる。これによって、半導体製造装置の生産性が低下することになる。
【0005】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、例えば、半導体製造装置の生産性を向上させることを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明の第1の側面は、制御コマンドによって制御される半導体製造装置のユニットの動作のシミュレーションを実行し、前記半導体製造装置の性能を診断する情報処理装置に係り、前記半導体製造装置からの前記制御コマンドを用いて、前記ユニットの動作のシミュレーションを実行するシミュレーション手段と、前記半導体製造装置から取得した、前記制御コマンドを実行したときの前記ユニットの状態と、該制御コマンドを用いて前記シミュレーション手段によりシミュレートされた前記ユニットの状態との差を求める手段と、前記半導体製造装置の性能を診断するためのトレンドデータを予め有し、前記求める手段により継続して得られた前記差のトレンドの情報と前記トレンドデータとの比較に基づいて、前記半導体製造装置の性能を診断する診断手段と、を有することを特徴とする。
【0010】
本発明の第2の側面は、制御コマンドによって制御される半導体製造装置のユニットの動作のシミュレーションを実行し、前記半導体製造装置の性能を診断する情報処理方法に係り、前記半導体製造装置からの前記制御コマンドを用いて、前記ユニットの動作のシミュレーションを実行するシミュレーション工程と、前記半導体製造装置から取得した、前記制御コマンドを実行したときの前記ユニットの状態と、該制御コマンドを用いて前記シミュレーション工程においてシミュレートされた前記ユニットの状態との差を求める工程と、前記半導体製造装置の性能を診断するための予め用意されたトレンドデータと、前記求める工程により継続して得られた前記差のトレンドの情報との比較に基づいて、前記半導体製造装置の性能を診断する診断工程と、を有することを特徴とする。
【0014】
本発明の第3の側面は、制御コマンドによって制御される半導体製造装置のユニットの動作のシミュレーションを実行し、前記半導体製造装置の性能を診断する情報処理方法をコンピュータに実行させるためのプログラムに係り、前記方法は、前記半導体製造装置からの前記制御コマンドを用いて、前記ユニットの動作のシミュレーションを実行するシミュレーション工程と、前記半導体製造装置から取得した、前記制御コマンドを実行したときの前記ユニットの状態と、該制御コマンドを用いて前記シミュレーション工程においてシミュレートされた前記ユニットの状態との差を求める工程と、前記半導体製造装置の性能を診断するための予め用意されたトレンドデータと、前記求める工程により継続して得られた前記差のトレンドの情報との比較に基づいて、前記半導体製造装置の性能を診断する診断工程と、を有することを特徴とする。
【0015】
本発明の第4の側面は、半導体製造システムに係り、制御コマンドによって制御される半導体製造装置と、前記半導体製造装置のユニットの動作のシミュレーションを実行し、前記半導体製造装置の性能を診断する、上記の情報処理装置とを有することを特徴とする。
【0016】
本発明の第5の側面は、半導体デバイスの製造方法に係り、上記の半導体製造システムを用いて半導体デバイスを製造することを特徴とする。
【0017】
【発明の実施の形態】
図1は本発明の好適な実施の形態に係る半導体製造システムにおける全体の構成を示す図である。
【0018】
図1において、半導体製造システムは、半導体製造装置100、バーチャル装置110、故障予防装置120によって構成される。
【0019】
この半導体装置100は、操作端末101、コントローラ102、制御対象ユニット103によって構成される。
【0020】
操作端末101は、人間と機械の間のインタフェースとして用いられ、オペレータが入力した制御手続を受け付けたり、状態表示を行ったりする。
【0021】
コントローラ102は、制御対象ユニット103全体を制御する。コントローラ102は、操作端末101で入力した制御コマンドに従って、全体のフローを構築しながら、複数の制御対象ユニット103に対して制御コマンドを出力する。また、制御対象ユニット103からの返答を装置状態として受け取る。
【0022】
制御対象ユニット103は、例えば、半導体製造装置では、ウェハーステージ、レチクルステージ、レーザーユニット、ウェハー搬送装置、レチクル搬送装置などの制御対象ユニット103によって構成される。制御対象ユニット103は、制御コマンドを受け取ると、それに従ってハードウェアを制御する。例えば、ウェハーステージを駆動する。また、制御対象ユニット103は、制御コマンドに従って動作した後に、その装置状態を返す。
【0023】
バーチャル装置110は、グラフィック端末111、装置状態3D表示部112、ユニット動作シミュレーション部113、ユニット形状データ114によって構成される。
【0024】
グラフィック端末111は、例えば、3D画像を表示するための画像処理機能をもつ。
【0025】
装置状態3D表示部112は、制御対象ユニット103の形状データを3D画像に変換し、その駆動状態をシミュレーションした結果を3D画像として表示する。これによって、制御対象ユニット103における、形状、運動の自由度、運動の範囲などを再現することができる。
【0026】
ユニット動作シミュレーション部113では、半導体製造システムの制御対象ユニット103の動作をシミュレートする。
【0027】
ユニット形状データ114には、3D−CADデータ、ソリッドデータ、ポリゴンデータ、ワイヤフレームデータなどがある。これらは、例えば、バーチャルリアリティ空間を作り出すために、3D−CADで制御対象ユニット103を設計したものなどがある。
【0028】
故障診断装置120は、実動作/シミュレーション動作比較部121、装置状態トレンド処理部122、トレンドデータ124、故障・予防診断部123によって構成される。
【0029】
実動作/シミュレーション動作比較121は、制御対象ユニット103の装置状態と、バーチャル装置の制御対象ユニットの装置状態を取得し、それらの装置状態を比較する機能を持つ。制御対象ユニットの装置状態を取得する方法としては、例えば、制御コマンドを実行した後に返される装置状態に付加した情報を取得する方法がある。
【0030】
装置状態トレンド処理部122は、実動作/シミュレーション動作比較121によって比較された装置状態を統計処理したトレンドを得る。
【0031】
故障・予防診断部123は、装置状態トレンド処理部122で得られたトレンドを予め用意したトレンドデータと照らし合わせて、故障の診断または故障の予測を行う。ここで、トレンドデータとは、故障診断のための基礎データ群である。この方法は、障害を客観的に判定することができるので、ソフトウェア設計における実装上のもれをチェックすることもできる。
【0032】
次に、本発明の好適な実施の形態に係る半導体製造装置のレーザーの劣化を診断を例に説明する。
【0033】
半導体製造装置に使用される露光用エキシマレーザーでは、露光時間がある時間を超えると、出力性能が劣化する。このため、ある出力性能以下であれば寿命に達したとして、劣化した部品を交換することになっている。出力である光量を継続的に計測し、そのトレンドを得ることによって、そのレーザーの劣化の度合いを知ることができる。
【0034】
しかし、発光命令における変形照明などの各種モード、可変の光量絞りなど、出力である光量は劣化以外の要因によっても変化する。そこで、発光命令をシミュレートし、各モードや条件を反映して、出力である光量を予測する。
【0035】
このようにして得られた予測光量と実測光量との差を継続して測定する。
【0036】
図2(a)及び図2(b)は、レーザーの照度をあるポイントで計測した実測値と、同条件でシミュレーションを実行した予測値のグラフを重ね合わせたものである。
【0037】
図2(a)において、予測値のグラフは、発光強度、変形照明などのモード、可変の絞り値により予測した照度をベースに、累積発光量による熱影響が反映されたカーブを描いている。実測値のグラフは、エキシマレーザーの場合、発光毎に照度にバラツキがあるが、予測した照度のカーブに沿って推移している。しかし、実測値では発光回数が増えるにつれて照度が減少する傾向が見られた。これは、出力性能が劣化した可能性が指摘される。
【0038】
図2(b)において、予測値と実測値の差をグラフ化し、トレンドデータと比較したときの差が発散する様子によって、故障の診断、または故障の時期の予測が行われる。
【0039】
次に、本発明の好適な実施の形態に係る半導体製造装置のステージの走り劣化を例に説明する。
【0040】
半導体製造装置に使用されているウェハーステージは、リニアモータによって駆動する。ウェハーステージは走行距離の増加などにより、運動性能が劣化する。
【0041】
特に、静定時間によって運動性能が顕著に劣化する。静定時間とは、ステージが駆動して目標位置に到達してから停止するまでの収束時間のことである。また、ステージは、等加速度運動、等速運動、等加速度運動の順に駆動する。これらを速度と時間のグラフで表すと台形を描く。
【0042】
図3(a)はステージの駆動の様子を、縦軸を速度、横軸を時間として実測値で示した図、図3(b)はステージ駆動の様子を、縦軸を速度、横軸を時間として予測値で示した図、図3(c)はステージ駆動の様子を静定時間の差分(実測値の静定時間−予測値の静定時間)を縦軸、横軸を駆動回数で示した図である。
【0043】
図3(a)は実測値のグラフである。駆動モード、ステージの慣性、リニアモータのトルク、駆動加速度により、静定時間が測定されている。図3(b)は予測値のグラフであり、実測値と、シミュレーションとの予測値では、静定時間に差があることが分かる。静定時間の差分をΔT(n)(=Tr−Ts)として、駆動を行うごとに継続して静定時間のデータを取得し、駆動回数を横軸に、静定時間の差分ΔTを縦軸にして、グラフに示したのが図3(c)である。この図では、グラフは発散しており、性能劣化の為に故障の症状があることが分かる。
【0044】
ここで、実測値のデータのみで故障の症状を判断しようとすると、駆動モードによる静定時間のバラツキがでてしまい、劣化による静定時間への影響が分かりにくい。そのために、シミュレータと比較する必要がある。
【0045】
以上から、装置の性能が劣化した状態のままで稼動する期間を短縮すること、在庫をなるべく持たないでコストを抑えること、劣化した部品の交換時期を予想して生産調整すること、などが実現される。さらに、半導体製造装置とシミュレーションとの特性を比較し、そのトレンドを元に、故障診断や故障予測が可能である。これによって、生産計画が立てやすく、装置の状態を良い状態に維持でき、障害の予防できる、といった利点があり、半導体製造装置の生産性を向上させることができる。
【0046】
以上、実施形態例を詳述したが、本発明は、複数の機器によって構成されるシステムに適用しても良いし、また、一つの機器からなる装置に適用しても良い。
【0047】
なお、本発明は、前述した実施形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムを、システム或いは装置に直接或いは遠隔から供給し、そのシステム或いは装置のコンピュータが該供給されたプログラムコードを読み出して実行することによっても達成される場合を含む。その場合、プログラムの機能を有していれば、形態は、プログラムである必要はない。
【0048】
従って、本発明の機能処理をコンピュータで実現するために、該コンピュータにインストールされるプログラムコード自体も本発明を実現するものである。つまり、本発明のクレームでは、本発明の機能処理を実現するためのコンピュータプログラム自体も含まれる。
【0049】
その場合、プログラムの機能を有していれば、オブジェクトコード、インタプリタにより実行されるプログラム、OSに供給するスクリプトデータ等、プログラムの形態を問わない。
【0050】
プログラムを供給するための記録媒体としては、例えば、フロッピーディスク、ハードディスク、光ディスク、光磁気ディスク、MO、CD−ROM、CD−R、CD−RW、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、ROM、DVD(DVD−ROM、DVD−R)などがある。
【0051】
その他、プログラムの供給方法としては、クライアントコンピュータのブラウザを用いてインターネットのホームページに接続し、該ホームページから本発明のコンピュータプログラムそのもの、もしくは圧縮され自動インストール機能を含むファイルをハードディスク等の記録媒体にダウンロードすることによっても供給できる。また、本発明のプログラムを構成するプログラムコードを複数のファイルに分割し、それぞれのファイルを異なるホームページからダウンロードすることによっても実現可能である。つまり、本発明の機能処理をコンピュータで実現するためのプログラムファイルを複数のユーザに対してダウンロードさせるWWWサーバも、本発明のクレームに含まれるものである。
【0052】
また、本発明のプログラムを暗号化してCD−ROM等の記憶媒体に格納してユーザに配布し、所定の条件をクリアしたユーザに対し、インターネットを介してホームページから暗号化を解く鍵情報をダウンロードさせ、その鍵情報を使用することにより暗号化されたプログラムを実行してコンピュータにインストールさせて実現することも可能である。
【0053】
また、コンピュータが、読み出したプログラムを実行することによって、前述した実施形態の機能が実現される他、そのプログラムの指示に基づき、コンピュータ上で稼動しているOSなどが、実際の処理の一部または全部を行ない、その処理によっても前述した実施形態の機能が実現され得る。
【0054】
さらに、記録媒体から読み出されたプログラムが、コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後、そのプログラムの指示に基づき、その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるCPUなどが実際の処理の一部または全部を行ない、その処理によっても前述した実施形態の機能が実現される。
【0055】
次に上記の露光装置を利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図4は半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。ステップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ2(マスク作製)では設計した回路パターンに基づいてマスクを作製する。一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記のマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の組み立て工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷(ステップ7)する。
【0056】
図5は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸化させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶縁膜を成膜する。ステップ13(電極形成)ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ16(露光)では上記の露光装置によって回路パターンをウエハに転写する。ステップ17(現像)では露光したウエハを現像する。ステップ18(エッチング)では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
【0057】
【発明の効果】
本発明によれば、例えば、半導体製造装置の生産性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の好適な実施の形態に係る半導体製造システムにおける全体の構成を示す図である。
【図2a】、
【図2b】本発明の好適な実施の形態に係る半導体製造装置におけるレーザーの照度推移を示すグラフである。
【図3a】、
【図3b】、
【図3c】本発明の好適な実施の形態に係る半導体製造装置におけるウェハーステージの静定時間を示すグラフである。
【図4】半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。
【図5】ウエハプロセスの詳細なフローを示す図である。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an information processing apparatus and method, a program, and a semiconductor device manufacturing method .
[0002]
[Prior art]
With the high integration and high functionality of semiconductor integrated circuits, highly accurate semiconductor manufacturing technology is strongly demanded. A semiconductor manufacturing apparatus used in a semiconductor process may deteriorate in performance due to a change with time. For example, in a semiconductor manufacturing apparatus, the performance of laser irradiation may deteriorate with the amount used.
[0003]
In the past, the accumulated time of using the laser was counted, and parts with degraded performance were replaced using this value as a guide. In addition, after the deterioration of the performance appears remarkably, the parts whose performance has deteriorated have been replaced.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, when a part with deteriorated performance is replaced after the performance has deteriorated, the manufacture is performed in a state where the performance has deteriorated until the part with deteriorated performance is replaced. This reduces the productivity of the semiconductor manufacturing apparatus.
[0005]
The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is, for example, to improve the productivity of a semiconductor manufacturing apparatus.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
A first aspect of the present invention relates to an information processing apparatus that performs a simulation of the operation of a unit of a semiconductor manufacturing apparatus controlled by a control command and diagnoses the performance of the semiconductor manufacturing apparatus. Simulation means for executing a simulation of the operation of the unit using a control command, the state of the unit when the control command is executed, obtained from the semiconductor manufacturing apparatus, and the simulation means using the control command Means for determining the difference between the unit states simulated by the above and trend data for diagnosing the performance of the semiconductor manufacturing apparatus in advance, and the difference trend obtained continuously by the determining means based on the comparison of the information and the trend data, sex of the semiconductor manufacturing device And having a diagnostic means for diagnosing.
[0010]
A second aspect of the present invention relates to an information processing method for diagnosing the performance of the semiconductor manufacturing apparatus by executing a simulation of the operation of a unit of the semiconductor manufacturing apparatus controlled by a control command. A simulation process for executing a simulation of the operation of the unit using a control command, a state of the unit when the control command is executed, obtained from the semiconductor manufacturing apparatus, and the simulation process using the control command A step of obtaining a difference from the state of the unit simulated in the above, a trend data prepared in advance for diagnosing the performance of the semiconductor manufacturing apparatus, and a trend of the difference continuously obtained by the obtaining step based on the information and comparison of diagnosing the performance of the semiconductor manufacturing device And having a cross-sectional step.
[0014]
A third aspect of the present invention relates to a program for executing a simulation of an operation of a unit of a semiconductor manufacturing apparatus controlled by a control command and causing a computer to execute an information processing method for diagnosing the performance of the semiconductor manufacturing apparatus. The method includes a simulation step of executing a simulation of the operation of the unit using the control command from the semiconductor manufacturing apparatus, and the unit when the control command acquired from the semiconductor manufacturing apparatus is executed. A step of obtaining a difference between the state and the state of the unit simulated in the simulation step using the control command, trend data prepared in advance for diagnosing the performance of the semiconductor manufacturing apparatus, and the obtaining Information on the difference trend obtained continuously by the process Based on the comparison, and having a diagnostic step of diagnosing the performance of the semiconductor manufacturing device.
[0015]
A fourth aspect of the present invention relates to a semiconductor manufacturing system, executes a simulation of the operation of a semiconductor manufacturing apparatus controlled by a control command and a unit of the semiconductor manufacturing apparatus, and diagnoses the performance of the semiconductor manufacturing apparatus. It has the above-mentioned information processor .
[0016]
The fifth aspect of the present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device, characterized by manufacturing a semiconductor device using the semiconductor manufacturing system.
[0017]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
FIG. 1 is a diagram showing an overall configuration of a semiconductor manufacturing system according to a preferred embodiment of the present invention.
[0018]
In FIG. 1, the semiconductor manufacturing system includes a
[0019]
The
[0020]
The
[0021]
The
[0022]
For example, in the semiconductor manufacturing apparatus, the
[0023]
The
[0024]
For example, the
[0025]
The device state
[0026]
The unit
[0027]
The
[0028]
The
[0029]
The actual operation /
[0030]
The device state
[0031]
The failure /
[0032]
Next, laser degradation of a semiconductor manufacturing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention will be described by taking diagnosis as an example.
[0033]
In the excimer laser for exposure used in the semiconductor manufacturing apparatus, the output performance deteriorates when the exposure time exceeds a certain time. For this reason, if the output performance is below a certain level, it is assumed that the lifetime has been reached, and the deteriorated parts are to be replaced. By continuously measuring the amount of light that is output and obtaining the trend, it is possible to know the degree of deterioration of the laser.
[0034]
However, the amount of light that is output varies depending on factors other than deterioration, such as various modes such as modified illumination in the light emission command and a variable light amount diaphragm. Therefore, the light emission command is simulated, and the amount of light that is output is predicted by reflecting each mode and condition.
[0035]
The difference between the predicted light amount obtained in this way and the actually measured light amount is continuously measured.
[0036]
2A and 2B are graphs in which the measured values obtained by measuring the illuminance of the laser at a certain point and the graphs of the predicted values obtained by executing the simulation under the same conditions are superimposed.
[0037]
In FIG. 2A, the predicted value graph depicts a curve reflecting the thermal effect of the accumulated light emission amount based on the illuminance predicted by the light emission intensity, the mode such as modified illumination, and the variable aperture value. In the case of an excimer laser, the measured value graph varies along the predicted illuminance curve, although the illuminance varies for each emission. However, the measured values showed a tendency for the illuminance to decrease as the number of times of light emission increased. This indicates that the output performance may have deteriorated.
[0038]
In FIG. 2B, the difference between the predicted value and the actually measured value is graphed, and the failure diagnosis or the prediction of the failure time is performed depending on how the difference diverges when compared with the trend data.
[0039]
Next, a description will be given of the running deterioration of the stage of the semiconductor manufacturing apparatus according to the preferred embodiment of the present invention as an example.
[0040]
A wafer stage used in a semiconductor manufacturing apparatus is driven by a linear motor. The movement performance of the wafer stage deteriorates due to an increase in travel distance.
[0041]
In particular, the exercise performance is significantly degraded by the settling time. The settling time is the convergence time from when the stage is driven to reach the target position until it stops. The stage is driven in the order of constant acceleration motion, constant speed motion, and constant acceleration motion. If these are represented by a graph of speed and time, a trapezoid is drawn.
[0042]
FIG. 3A is a diagram showing the stage driving state, the vertical axis is the speed, and the horizontal axis is the measured value, and FIG. 3B is the stage driving state, the vertical axis is the speed, and the horizontal axis is the horizontal axis. FIG. 3 (c) is a diagram showing the time as a predicted value, and FIG. 3 (c) shows the stage driving state by the difference between the settling times (the settling time of the actual measurement value-the settling time of the predicted value) on the vertical axis and the horizontal axis on the number of driving times. FIG.
[0043]
FIG. 3A is a graph of actual measurement values. The settling time is measured by the drive mode, stage inertia, linear motor torque, and drive acceleration. FIG. 3B is a graph of the predicted value, and it can be seen that there is a difference in the settling time between the actually measured value and the predicted value of the simulation. The difference in the settling time is set to ΔT (n) (= Tr−Ts), and the data of the settling time is continuously acquired every time driving is performed. FIG. 3C shows the graph as an axis. In this figure, the graph is divergent and it can be seen that there is a failure symptom due to performance degradation.
[0044]
Here, if an attempt is made to determine the symptom of a failure only with measured value data, the settling time varies depending on the drive mode, and the influence on the settling time due to deterioration is difficult to understand. Therefore, it is necessary to compare with a simulator.
[0045]
From the above, it is possible to shorten the operation period with the equipment performance deteriorated, to reduce the cost without having inventory as much as possible, and to adjust the production in anticipation of replacement timing of deteriorated parts Is done. Furthermore, the characteristics of the semiconductor manufacturing apparatus and the simulation are compared, and failure diagnosis and failure prediction are possible based on the trend. As a result, there is an advantage that it is easy to make a production plan, the state of the apparatus can be maintained in a good state, and a failure can be prevented, and the productivity of the semiconductor manufacturing apparatus can be improved.
[0046]
Although the embodiment has been described in detail above, the present invention may be applied to a system constituted by a plurality of devices, or may be applied to an apparatus composed of one device.
[0047]
In the present invention, a software program that realizes the functions of the above-described embodiments is directly or remotely supplied to a system or apparatus, and the computer of the system or apparatus reads and executes the supplied program code. Including the case where it is also achieved by. In that case, as long as it has the function of a program, the form does not need to be a program.
[0048]
Accordingly, since the functions of the present invention are implemented by computer, the program code installed in the computer also implements the present invention. That is, the claims of the present invention include the computer program itself for realizing the functional processing of the present invention.
[0049]
In this case, the program may be in any form as long as it has a program function, such as an object code, a program executed by an interpreter, or script data supplied to the OS.
[0050]
As a recording medium for supplying the program, for example, floppy disk, hard disk, optical disk, magneto-optical disk, MO, CD-ROM, CD-R, CD-RW, magnetic tape, nonvolatile memory card, ROM, DVD (DVD-ROM, DVD-R).
[0051]
As another program supply method, a client computer browser is used to connect to an Internet homepage, and the computer program of the present invention itself or a compressed file including an automatic installation function is downloaded from the homepage to a recording medium such as a hard disk. Can also be supplied. It can also be realized by dividing the program code constituting the program of the present invention into a plurality of files and downloading each file from a different homepage. That is, a WWW server that allows a plurality of users to download a program file for realizing the functional processing of the present invention on a computer is also included in the claims of the present invention.
[0052]
In addition, the program of the present invention is encrypted, stored in a storage medium such as a CD-ROM, distributed to users, and key information for decryption is downloaded from a homepage via the Internet to users who have cleared predetermined conditions. It is also possible to execute the encrypted program by using the key information and install the program on a computer.
[0053]
In addition to the functions of the above-described embodiments being realized by the computer executing the read program, the OS running on the computer based on an instruction of the program is a part of the actual processing. Alternatively, the functions of the above-described embodiment can be realized by performing all of them and performing the processing.
[0054]
Furthermore, after the program read from the recording medium is written to a memory provided in a function expansion board inserted into the computer or a function expansion unit connected to the computer, the function expansion board or The CPU or the like provided in the function expansion unit performs part or all of the actual processing, and the functions of the above-described embodiments are realized by the processing.
[0055]
Next, a semiconductor device manufacturing process using the above exposure apparatus will be described. FIG. 4 shows the flow of the entire manufacturing process of the semiconductor device. In step 1 (circuit design), the semiconductor device circuit is designed. In step 2 (mask production), a mask is produced based on the designed circuit pattern. On the other hand, in step 3 (wafer manufacture), a wafer is manufactured using a material such as silicon. Step 4 (wafer process) is called a pre-process, and an actual circuit is formed on the wafer by lithography using the mask and wafer. The next step 5 (assembly) is called a post-process, and is a process to make a semiconductor chip using the wafer produced in step 4. Assembly such as assembly process (dicing, bonding), packaging process (chip encapsulation), etc. Process. In step 6 (inspection), the semiconductor device manufactured in step 5 undergoes inspections such as an operation confirmation test and a durability test. Through these processes, the semiconductor device is completed and shipped (step 7).
[0056]
FIG. 5 shows a detailed flow of the wafer process. In step 11 (oxidation), the wafer surface is oxidized. In step 12 (CVD), an insulating film is formed on the wafer surface. In step 13 (electrode formation), an electrode is formed on the wafer by vapor deposition. In step 14 (ion implantation), ions are implanted into the wafer. In step 15 (resist process), a photosensitive agent is applied to the wafer. In step 16 (exposure), the circuit pattern is transferred onto the wafer by the exposure apparatus described above. In step 17 (development), the exposed wafer is developed. In step 18 (etching), portions other than the developed resist image are removed. In step 19 (resist stripping), the unnecessary resist after etching is removed. By repeating these steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer.
[0057]
【The invention's effect】
According to the present invention , for example, the productivity of a semiconductor manufacturing apparatus can be improved.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing an overall configuration of a semiconductor manufacturing system according to a preferred embodiment of the present invention.
FIG. 2a,
FIG. 2b is a graph showing the illuminance transition of the laser in the semiconductor manufacturing apparatus according to the preferred embodiment of the present invention.
FIG. 3a,
FIG. 3b;
FIG. 3c is a graph showing the stabilization time of the wafer stage in the semiconductor manufacturing apparatus according to the preferred embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a diagram showing a flow of an entire manufacturing process of a semiconductor device.
FIG. 5 is a diagram showing a detailed flow of a wafer process.
Claims (9)
前記半導体製造装置からの前記制御コマンドを用いて、前記ユニットの動作のシミュレーションを実行するシミュレーション手段と、
前記半導体製造装置から取得した、前記制御コマンドを実行したときの前記ユニットの状態と、該制御コマンドを用いて前記シミュレーション手段によりシミュレートされた前記ユニットの状態との差を求める手段と、
前記半導体製造装置の性能を診断するためのトレンドデータを予め有し、前記求める手段により継続して得られた前記差のトレンドの情報と前記トレンドデータとの比較に基づいて、前記半導体製造装置の性能を診断する診断手段と、
を有することを特徴とする情報処理装置。An information processing apparatus that performs a simulation of the operation of a unit of a semiconductor manufacturing apparatus controlled by a control command and diagnoses the performance of the semiconductor manufacturing apparatus,
Simulation means for performing a simulation of the operation of the unit using the control command from the semiconductor manufacturing apparatus;
Means for obtaining a difference between the state of the unit when the control command is executed acquired from the semiconductor manufacturing apparatus and the state of the unit simulated by the simulation means using the control command;
Trend data for diagnosing the performance of the semiconductor manufacturing apparatus in advance, and based on a comparison between the trend data of the difference obtained continuously by the means for obtaining and the trend data, Diagnostic means for diagnosing performance;
An information processing apparatus comprising:
前記半導体製造装置からの前記制御コマンドを用いて、前記ユニットの動作のシミュレーションを実行するシミュレーション工程と、
前記半導体製造装置から取得した、前記制御コマンドを実行したときの前記ユニットの状態と、該制御コマンドを用いて前記シミュレーション工程においてシミュレートされた前記ユニットの状態との差を求める工程と、
前記半導体製造装置の性能を診断するための予め用意されたトレンドデータと、前記求める工程により継続して得られた前記差のトレンドの情報との比較に基づいて、前記半導体製造装置の性能を診断する診断工程と、
を有することを特徴とする情報処理方法。An information processing method for executing a simulation of the operation of a unit of a semiconductor manufacturing apparatus controlled by a control command and diagnosing the performance of the semiconductor manufacturing apparatus,
Using the control command from the semiconductor manufacturing apparatus, a simulation process for executing a simulation of the operation of the unit;
Obtaining a difference between the state of the unit when the control command is executed, obtained from the semiconductor manufacturing apparatus, and the state of the unit simulated in the simulation step using the control command;
Diagnose the performance of the semiconductor manufacturing apparatus based on a comparison between the trend data prepared in advance for diagnosing the performance of the semiconductor manufacturing apparatus and the trend information of the difference obtained continuously by the obtaining step. Diagnostic process to
An information processing method characterized by comprising:
前記半導体製造装置からの前記制御コマンドを用いて、前記ユニットの動作のシミュレーションを実行するシミュレーション工程と、
前記半導体製造装置から取得した、前記制御コマンドを実行したときの前記ユニットの状態と、該制御コマンドを用いて前記シミュレーション工程においてシミュレートされた前記ユニットの状態との差を求める工程と、
前記半導体製造装置の性能を診断するための予め用意されたトレンドデータと、前記求める工程により継続して得られた前記差のトレンドの情報との比較に基づいて、前記半導体製造装置の性能を診断する診断工程と、
を有することを特徴とするプログラム。A program for executing a simulation of the operation of a unit of a semiconductor manufacturing apparatus controlled by a control command and causing a computer to execute an information processing method for diagnosing the performance of the semiconductor manufacturing apparatus, the method comprising:
Using the control command from the semiconductor manufacturing apparatus, a simulation process for executing a simulation of the operation of the unit;
Obtaining a difference between the state of the unit when the control command is executed, obtained from the semiconductor manufacturing apparatus, and the state of the unit simulated in the simulation step using the control command;
Diagnose the performance of the semiconductor manufacturing apparatus based on a comparison between the trend data prepared in advance for diagnosing the performance of the semiconductor manufacturing apparatus and the trend information of the difference obtained continuously by the obtaining step. Diagnostic process to
The program characterized by having.
前記半導体製造装置のユニットの動作のシミュレーションを実行し、前記半導体製造装置の性能を診断する、請求項1乃至3のいずれか1項に記載の情報処理装置と
を有することを特徴とする半導体製造システム。A semiconductor manufacturing apparatus controlled by a control command;
4. The semiconductor manufacturing apparatus comprising: the information processing apparatus according to claim 1, which executes a simulation of an operation of a unit of the semiconductor manufacturing apparatus and diagnoses a performance of the semiconductor manufacturing apparatus. 5. system.
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