JP4399960B2

JP4399960B2 - Workpiece cutting method

Info

Publication number: JP4399960B2
Application number: JP2000162700A
Authority: JP
Inventors: 美知夫亀山; 崇志中山; 輝和東; 孝昌鈴木; 哲章神谷; 慎二向田
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2000-05-31
Filing date: 2000-05-31
Publication date: 2010-01-20
Anticipated expiration: 2020-05-31
Also published as: JP2001341122A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ガラス、水晶、サファイア、炭化珪素等の脆性材料からなる工作物を、分離切断する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、工作物を分離切断する場合、一般的に用いられている方法は、砥石を用いて機械的に切断する方法である。この方法は、砥石の種類、大きさ、加工条件を任意に変えることで幅広い適応性がある。しかし、砥石幅分の切断代が必要であるため、切断代分の工作物が無駄になるという欠点がある。また、硬度の高い工作物は加工性が著しく悪く、砥石の寿命が短くなる等の問題がある。
【０００３】
これらの問題を解決する切断法として、工作物は脆性材に限られるが、側圧による切断方法が知られている。この切断方法では、まず、例えば棒形状にした脆性材である工作物の被切断部位に、ダイヤモンド等の工具を用いて工作物の表面を微少に砕く、或は引っ掻く等して微細な切欠（切欠）を形成する。そして、工作物のうちの切欠を形成した部位を含む部分に、樹脂等でできた側圧伝達筒を被せる。その後、工作物がその軸方向に変形自在な状態で、側圧伝達筒の外周から加圧圧縮することにより切欠部位において切断する。この切断方法の利点としては、切断代が全く無いこと、割断のため加工時間が著しく短いこと等があげられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した側圧による切断方法では、切欠を形成する際に工具等の固体が工作物と接触するため、接触条件によっては接触時に工作物に過大な応力が加わるという問題がある。また、切断の起点となる切欠のみを形成した状態で側圧を加えて切断するため、切断面における最も突出した部分と最も窪んだ部分の差であるうねりが大きくなってしまう。また、切断するにはかなり大きな側圧を加える必要があるため、工作物を薄い部材に切断しようとすると切断されたウェハ状の薄い部材が挫屈する恐れがある。
【０００５】
更に、工作物に切欠を形成するだけでは、側圧の印加方向と切断面の法線とが直角の位置関係に無い平面で工作物を切断（以下、斜めの切断という）したり、切断面が３次元形状になるように切断したりすることは非常に難しい。
【０００６】
本発明は、上記問題点に鑑み、工作物の切断面におけるうねりの発生と工作物の切断時における挫屈の発生とを抑制することができる工作物の切断方法を提供することを目的とする。また、任意の切断面を形成することができる工作物の切断方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、オリエンテーションフラット加工された半導体インゴットをウェハ状に切断する工作物の切断方法として、該半導体インゴットの切断面となる領域における外縁部が位置するオリエンテーションフラット平面（６ａ）から内部に高密度エネルギービーム（８ａ）を照射することにより、半導体インゴットのうちの切断面の全面に切断する部位を指定する破砕領域（９）を形成する工程と、破砕領域において半導体インゴットを切断する工程とを含むことを特徴としている。
【００１１】
本発明によれば、破砕領域を形成して工作物における切断する部位を指定しているため、工作物の切断面におけるうねりの発生を抑制することができる。また、予め破砕領域を形成しているため工作物を切断する際に大きな応力を必要としない。その結果、工作物の挫屈の発生を抑制することができる。また、工作物の内部において切断する部位を指定しているため、工作物を斜めに切断するなど、任意の切断面を形成することができる。
【００１６】
また、破砕領域が平面であり高密度エネルギービームを工作物に照射する際は、請求項２に記載の発明のように、破砕領域の法線に平行な方向を中心軸として半導体インゴットを回動させ高密度エネルギービームの入射角が０度以上４５度以下で照射することにより破砕領域を形成することができる。
【００２１】
このように、半導体インゴットに対する高密度エネルギービームの入射角が０度以上４５度以下であれば、好適に破砕領域を形成することができる。
【００２５】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【００２６】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
以下、図に示す実施形態について説明する。図１に本実施形態に係る側圧切断装置を概略断面図にて示す。まず、本実施形態の側圧切断方法で用いる側圧切断装置の構成を図１を参照して説明する。圧力容器１は高圧に耐え得る材質で構成された中空形状の部材からなり、圧力容器１の中空部によって円柱形状の圧力室１ａが形成されている。また、圧力容器１には、圧力室１ａの内部と外部とを連通する圧力媒体進入孔１ｂが形成されている。また、圧力媒体進入孔１ｂには、配管２を介して圧力装置３が接続されている。この圧力装置３は、後述のように圧力容器１に対して圧力媒体を導入するためのものである。
【００２７】
圧力室１ａには、側圧伝達筒４が配置されている。この側圧伝達筒４は、アクリル樹脂等からなり、後述のように工作物を切断する際に、工作物の側面に圧力を加えるためのものである。側圧伝達筒４の軸方向の両端部と圧力容器１との間には、Ｏリング５が配置されている。このＯリング５は、後述のように圧力媒体を圧力容器１内に充填する際に、圧力媒体が漏れて工作物の両端部にまでおよび、圧力媒体によって工作物に対して軸方向に縮むような圧力が加えられることを防止するためのものである。
【００２８】
そして、このような構成の側圧切断装置における側圧伝達筒４内に、脆性材からなる工作物６を配置してこの工作物６の切断を行う。この工作物６としては、例えば棒状のものを適用することができ、本実施形態では、直径が２５ｍｍ、長さが３０ｍｍの円柱形状のソーダガラスを切断する。
【００２９】
この工作物６の側面（外表面）には、切断する部分を指定する切欠（ノッチ）７が形成されている。切欠７は、工作物６の切断面となる領域における外縁部のうちの一部分に形成されており、本実施形態では２ｍｍ間隔で１０本形成されている。以下に、工作物６に切欠７を形成する方法について説明する。図２は、この切欠７の形成に係る高密度エネルギービーム装置８及び工作物６の模式的な斜視図である。
【００３０】
図２に示すように、高密度エネルギービーム装置８から高密度エネルギービーム（以下、単にビームという）８ａを照射する。ビーム８ａとしては、高調波ＹＡＧレーザを用いている。このレーザの波長は、１．０６４μｍ以下であることが好ましい。これは、波長が１．０６４μｍより大きいと工作物６が割れる可能性があるためである。また、好ましくは、０．５３２μｍ、０．２６６μｍなどの短波長レーザを用いると良く、本実施形態では、０．５３２μｍの波長を採用している。
【００３１】
そして、工作物６の側面にビーム８ａの焦点が合うようにして、出力１Ｗ、送り速度を３００ｍｍ／ｍｉｎの条件で、図２中の矢印の方向に工作物６を移動させながらビーム８ａを照射する。このようにして、工作物６の側面に工作物６の軸と直交するように、長さが約５ｍｍの切欠７を形成する。
【００３２】
次に、工作物６の切断方法について説明する。図１に示すように、上述のようにして全ての切欠７が形成された工作物６を切断装置の側圧伝達筒４内に配置して、切欠７を含む部位を側圧伝達筒４で覆う。そして圧力容器１に対して、圧力装置３を用いて圧力媒体進入孔１ｂから圧力媒体を導入して圧力容器１と側圧伝達筒４との間に圧力媒体を充填する。この圧力媒体によって側圧伝達筒４の外周部が加圧圧縮され、工作物６に応力が加えられて切欠７を起点として工作物６が切断される。
【００３３】
本実施形態では、圧力媒体による液圧を約７００ｋｇ／ｃｍ²にした結果、ガラスを２ｍｍ間隔で９枚に切断することができた。この切断面の法線は、工作物６の軸と平行になっており、工作物６の側面における母線に対して直交する面で工作物６が切断された。切断後に切断面を観察したところ、切欠７が形成されていた部位には欠け等は見受けられず、良好な切断が行われていた。
【００３４】
このように、切欠７の形成をビーム８ａを用いて行っているため、ダイヤモンドカッター等の工具によって砕いたり、引っ掻いたりして切欠を形成する場合のように固体が工作物６と接触する必要が無く、工作物６に過大な応力が加わることを防止することができる。その結果、切欠７を形成する際に、切欠７部位の周囲が欠けることを防止できる。また、割れやひび等の無い良好な切欠７を形成することができるため、特に、工作物６を薄い部材に切断しようとして切欠７の間隔が狭い場合にも、工作物６を切断する際に切欠７部位において挫屈が発生することを防止できる。ただし、工作物６の側面に切欠７を形成して大きな側圧を加えることにより切断しているため、切断面におけるうねりは０．１ｍｍ以上であった。
【００３５】
また、仮に、工作物６の切断面となる領域における外縁部の全て（全周囲）に切欠を形成した状態で切断を行うと、切断が複数の起点から起こることがある。その場合、切断面には段差が現れる。従って、本実施形態のように工作物６の切断面となる領域における外縁部のうちの一部分に切欠７を形成することが好ましい。また、このように一部分に切欠７を形成すると切欠７を形成する際に工作物６を回転させる必要が無く、効率良く切断部位を指定することができる。
【００３６】
また、更に微細な切欠７を形成するためには、ビーム８ａとして電子ビーム８ａを用いると好適である。
【００３７】
（第２実施形態）
第１実施形態の工作物６の切断方法では、切欠７の周辺における工作物６の欠けを防ぐことはできるが、切断面におけるうねりを低減することはできない。また、側圧の印加方向と切断面の法線とが直交し、切断面が平面である切断はできても、側圧の印加方向と切断面の法線とが任意の角度をなす切断を行うことは難しい。本実施形態は、このような不具合を改善するものである。
【００３８】
以下、図に示す実施形態について説明する。図３に本実施形態に係る側圧切断装置を概略断面図にて示す。本実施形態における側圧切断装置は第１実施形態と同様であり、側圧切断装置に配置される工作物６のみ異なるため、側圧切断装置の構成については、図中図１と同一符号を付して説明を省略する。
【００３９】
工作物６としては、第１実施形態と同様のサイズ、材質のものを切断する例について説明する。また、本実施形態は、斜めの切断（工作物６における切断面の法線と工作物６の軸とが平行になっていない切断）を行う例である。また、切断面は平面である。図３に示すように、工作物６には切断する部位を指定する破砕領域９が形成されている。破砕領域９は工作物６内に平面で形成され、破砕領域９の面における法線と工作物６の軸とのなす角αが１０度になっている。
【００４０】
次に、破砕領域９の形成方法について図４を用いて説明する。図４は、破砕領域９の形成に係る高密度エネルギービーム装置８及び工作物６の模式的な斜視図である。図４に示すように、工作物６の外表面のうち工作物６の切断面となる領域における外縁部が位置する面である側面の一部には平面６ａが形成されている。
【００４１】
この平面６ａには鏡面仕上げが施されていることが望ましい。これは、表面が荒れている面にビーム８ａを照射した場合、ビーム８ａが散乱して工作物６の内部への透過を妨げるため、後述のようにビーム８ａをこの平面６ａに照射したときにビーム８ａの透過が好適に行われるようにするためである。本実施形態では、平面６ａの表面粗さはＲｚ０．０１μｍ以下に仕上げてある。また、ビーム８ａの散乱を防ぐため、側面における平面６ａの端部と側面における曲面との接続部分において、面取りを行わないか微少にすることが望ましい。更に、工作物６の表面に汚れが付着していないように、ビーム８ａを照射する前に工作物６の洗浄を行う。
【００４２】
そして、この工作物６を側面における平面６ａが高密度エネルギービーム装置８側に向くような状態でＸＹＺテーブル上に配置する。そして、ビーム８ａが工作物６の側面における平面６ａ側から照射され、ビーム８ａの焦点が工作物６の内部に位置するように、工作物６及び高密度エネルギービーム装置８を位置決めする。その後、高密度エネルギービーム装置８からビーム８ａを照射することにより、ビーム８ａが焦点を結んだ点で微細破壊が起こる。
【００４３】
この際、工作物６における切断面となる領域の全面に破砕領域９を形成するために、工作物６の母線が常に平行な状態で工作物６とビーム８ａとを相対移動する。具体的には、工作物６の軸と平行な方向を中心軸として工作物６を回転したり揺動したり（回動）する。または、工作物６における切断面となる領域を含む平面に対して平行となるようにして工作物６とビーム８ａとを相対移動させても良い。具体的には、切断面となる領域の法線に平行な方向を中心軸として工作物６を回転したり揺動したりする。なお、安定した微細破砕を形成するためには、ビーム８ａの入射角度が０度であることが好ましいが、入射角度が０度以上４５度以下であれば微細破砕を形成することができる。
【００４４】
そして、このような工作物６の回転と、ＸＹＺテーブルを利用した工作物６のＸＹＺ方向への移動とを調節して微細破壊を連続的に形成する。この際、所望の位置において微細破壊が起こるように工作物６の屈折率を考慮すると良い。このようにして、工作物６の切断面となる領域において破砕領域９を形成する。この破砕領域９は、例えば、工作物６の内部で工作物６が割れているような状態になっており、後述の工作物６の切断の際に、この破砕領域９で切断される。
【００４５】
なお、ビーム８ａの波長や出力の条件は第１実施形態と同様であり、レーザの波長は１．０６４μｍ以下であることが望ましい。これは、波長が１．０６４μｍより大きいと、レーザを工作物に照射することにより形成される破砕領域が大きくなって切断面における表面粗さが大きくなったり、工作物が割れたりする不具合が生じるためである。
【００４６】
この破砕領域９の形成においては、破砕領域９のうち、ビーム８ａを照射する側、つまり、工作物６の側面における平面６ａ側から距離が遠い部位から順に形成するようにする。これは、工作物６において工作物６が破砕された点（以下、単に破砕点という）はビーム８ａの透過性が悪いため、ビーム８ａの照射軸上に破砕点が存在し、この破砕点よりも遠い部位に他の破砕点を形成することは困難であるためである。
【００４７】
このようにして切断面となる領域の全てにおいて破砕領域９を形成した後、第１実施形態と同様にして、工作物６を切断装置における側圧伝達筒４内に配置して切断を行う。本実施形態では、圧力媒体による液圧を約３００ｋｇ／ｃｍ²にした結果、工作物６を破砕領域９において切断することができた。そして、切断面を観察したところ、うねりが０．１ｍｍ以下であった。
【００４８】
ところで、本実施形態のように工作物６の内部に破砕領域９を形成することにより斜めの切断を行うことができる。また、破砕領域９を形成して切断面を指定しているため、工作物６の外表面に切欠を設け、この切欠を起点として切断する場合と比較してうねりの発生を抑制することができる。ただし、切断面におけるうねりよりもミクロな凹凸である表面粗さを観察したところ、破砕領域９を形成した分悪くなっている。しかし、この凹凸は研削で除去することができる。
【００４９】
また、一般に後工程において例えば研削加工を施す等して切断面を平面にするが、切断面のうねりが大きいと、この加工によるウェハ（切断された工作物６）の除去量が多くなる。このため、ウェハの内部にクラックや破砕層が入りやすくなる。その結果、特に工作物６として半導体を用いる場合は、そのクラック等が生じた領域に素子等を形成すると、その素子に不具合が生じる。しかし、本実施形態の切断方法では切断面におけるうねりを小さくすることができるため、研磨等による負荷の小さな加工で後工程を行うことが可能となり、ウェハ内部へのダメージを抑制することができ、信頼性の高いウェハを提供することができる。
【００５０】
また、予め破砕領域９を形成しているため、小さい側圧力で工作物６を切断することができる。その結果、工作物６の切断間隔が小さい場合も工作物６の挫屈の発生を抑制することができる。また、工作物６に対するビーム８ａの入射角が大きいと工作物６の内部にビーム８ａの焦点を結ぶことが困難であるが、工作物６に平面６ａを形成しているためビーム８ａを好適に工作物６の内部に導くことができる。
【００５１】
なお、工作物６の平面６ａからビーム８ａを照射することが望ましいが、曲面にビーム８ａを照射しても工作物６の内部にビーム８ａを導くことはできる。その場合は、ビーム８ａの乱反射を防ぐために工作物６の側面の頂点にビーム８ａを照射するようにすると良い。また、切断面となる領域の全面に破砕領域９を設けるためには、工作物６を回転させながらビーム８ａを照射すれば良い。ただし、この場合は工作物６の回転軸を決定するなどの段取りが必要になるため、一般には、上述のように工作物６の側面に平面６ａを形成してビーム８ａを照射する方が容易である。
【００５２】
また、工作物６として半導体インゴットを用いるときは、インゴットにおけるオリエンテーションフラット加工された部位を上記側面における平面６ａとして利用すると好適である。
【００５３】
（第３実施形態）
第２実施形態では工作物６の側面側から内部にビーム８ａを照射する例について示したが、本実施形態では、工作物６の外表面のうち工作物６の切断面となる領域における外縁部を含む面以外の面である端面側からビーム８ａを照射する例について示す。本実施形態における側圧切断装置は第２実施形態と同様であるため説明を省略する。以下、主として工作物６に対する破砕領域９の形成方法について、第２実施形態と異なる点について述べる。
【００５４】
図５は、破砕領域９の形成に係る高密度エネルギービーム装置８及び工作物６の模式的な斜視図である。本実施形態は、工作物６に対して斜めの切断を行う例であり、切断面は平面である。具体的には、第２実施形態と同様に、工作物６の軸と切断面となる領域の法線とのなす角αが１０度になった平面で切断する。
【００５５】
図５に示すように、円柱形状の工作物６を端面６ｂが高密度エネルギービーム装置８側に向くような状態でＸＹＺテーブル上に配置する。そして、この端面６ｂ側からビーム８ａを照射する。このビーム８ａが照射される端面６ｂは、ビーム８ａの散乱を防止するために鏡面であることが望ましく、本実施形態では表面粗さがＲｚ０．０１μｍ以下になっている。
【００５６】
ビーム８ａを照射する際は、工作物６の内部にビーム８ａの焦点が結ばれて微細破砕が形成されるように位置決めして行う。そして、ＸＹＺテーブル上に工作物６を載せて操作を行うことにより連続的に微細破砕を形成し破砕領域９とする。この場合、第２実施形態と同様に、破砕領域９のうちビーム８ａを照射する側から遠い部位から順に破砕領域９を形成する。
【００５７】
図６は、この工作物６の切断の前後における工作物６の斜視図であって、（ａ）は切断する前の破砕領域９を形成した状態であり、（ｂ）は切断後の状態を示す。上述のようにして全ての破砕領域９を形成した結果、図６（ａ）のように、複数（図示例では７部位）の破砕領域９が形成された状態になる。
【００５８】
その後、第１及び第２実施形態と同様に、工作物６を切断装置の側圧伝達筒４内に配置して切断を行うことにより破砕領域９における工作物６の切断を行う。その結果、本実施形態では、図６（ｂ）に示すように、斜めの切断を良好に行うことができた。切断面は、第２実施形態と同様に、うねりは０．１ｍｍ以下であって良好であり、表面粗さは破砕されている分悪くなっている。
【００５９】
ところで、本実施形態のように、工作物６の端面６ｂ側からビーム８ａを照射する場合も、第２実施形態と同様の効果を発揮することができる。また、切断面となる領域の全面に破砕領域９を形成する際に、工作物６を回転したり揺動したりする必要が無く、容易に破砕領域９を形成することができる。また、特に、予め端面が平面である工作物６を用いれば、側面に平面を形成しなくてもビーム８ａの乱反射を防止して良好に破砕領域９を形成することができる。
【００６０】
（第４実施形態）
上記第２及び第３実施形態では、切断面となる領域の全面に破砕領域９を設ける例について示したが、切断面となる領域の一部に対して破砕領域９を形成し（以下、このような破砕領域を部分的破砕領域という）ても良い。以下、工作物６の側面側からビーム８ａを照射する場合について図７を用いて説明する。図７は、部分的破砕領域９を形成する際の工作物６の模式図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）における白抜き矢印方向から見た透視図である。
【００６１】
図７に示すように、この工作物６にも側面に平面６ａを形成している。そして、図７（ｂ）に示すように、工作物６の側面における平面６ａをこの平面６ａの法線方向に延長した領域内に部分的破砕領域９を形成している。そして、切断する際には、この部分的破砕領域９を起点として切断が始まり、切断面となる領域に切断が広がっていく。これにより、部分的破砕領域９を形成する際に工作物６を回転したり揺動したりする必要が無いため、効率良く部分的破砕領域９を形成することができる。
【００６２】
この部分的破砕領域９を形成して工作物６を切断する方法は、特に、結晶が規則的に層状に形成された工作物６、例えば、単結晶の炭化珪素を層状の面に沿って切断する場合に適している。
【００６３】
なお、部分的破砕領域９を形成する際も、その形成位置によっては第２実施形態の様に工作物６を回転又は揺動させても良い。
【００６４】
（他の実施形態）
上記各実施形態は、切断面が平面である例について示したが、工作物を載せたＸＹＺテーブルを適宜移動させて３次元の破砕領域を形成することもできる。これにより、切断面が３次元形状の切断を行うこともできる。特に、従来、ガラスレンズを製作する場合ガラスの切断面は平面であったため、切断した後に研削でレンズ形状にしていた。しかし、レンズ形状の３次元の破砕領域を形成することにより、研削でレンズ形状にする工程を省くことができる。このように、ビームを用いて工作物の内部に破砕領域を形成することにより、任意の切断面を形成することができる。
【００６５】
また、上記各実施形態に示す工作物の切断方法では、ガラス以外にも、ＳｉやＳｉＣ等の半導体インゴットや、セラミック、水晶、サファイア等の脆性材料を切断することができる。ただし、第２〜第４実施形態の様に、工作物６の内部に破砕領域９を形成する場合は、ビーム８ａが内部に焦点を結ぶことができるように、工作物６が透過性の物質からなることが必要である。
【００６６】
また、工作物の形状としては、一般的には円柱が望ましいが、円筒形状や六角柱など、様々な形状のものを用いることができる。また、必ずしも棒状の工作物を用いる必要は無く、側圧伝達筒の軸方向、つまり切断面となる領域における外縁部が位置する面である側面の母線方向に短く、ウェハに近い形状の工作物を用いても良い。また、複数の工作物を同時に側圧伝達筒内に嵌入しても良い。
【００６７】
また、第２及び第３実施形態の様に、工作物６の内部に破砕領域９を形成する場合は、側圧切断装置を用いずに他の方法で工作物６に応力を加えても、工作物６を切断することができる。具体的には、工作物６の側面に金属物等を用いて衝撃を与えたり、超音波等の振動を与えたり、加熱による熱膨張に起因する応力を利用したりすることができる。この方法は、場合によっては、第４実施形態のように部分的破砕領域９を形成する場合も可能である。
【００６８】
また、上記第２及び第３実施形態は、斜めの切断を行う例について示したが、工作物の軸と切断面の法線とが平行になるように切断しても良い。また、第２〜第４実施形態においては、破砕領域を形成する際にＸＹＺの方向に移動可能なＮＣコントローラを利用して行うことにより、自動で破砕領域を形成することができる。このとき、予め工作物の屈折率を入力しておけば、自動で屈折率を考慮した補正を行って所望の位置においてビームの焦点を好適に結ぶことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態に係る側圧切断装置の概略断面図である。
【図２】第１実施形態における切欠の形成に係る高密度エネルギービーム装置及び工作物の模式的な斜視図である。
【図３】第２実施形態に係る側圧切断装置の概略断面図である。
【図４】第２実施形態における破砕領域の形成に係る高密度エネルギービーム装置及び工作物の模式的な斜視図である。
【図５】第３実施形態における破砕領域の形成に係る高密度エネルギービーム装置及び工作物の模式的な斜視図である。
【図６】第３実施形態に係る切断前後の工作物の斜視図である。
【図７】部分的破砕領域を形成する際の工作物の模式図である。
【符号の説明】
４…側圧伝達筒、６…工作物、６ａ…平面、６ｂ…端面、７…切欠、
８ａ…ビーム、９…破砕領域。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for separating and cutting a workpiece made of a brittle material such as glass, quartz, sapphire, and silicon carbide.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, when separating and cutting a workpiece, a generally used method is a method of mechanically cutting using a grindstone. This method has wide applicability by arbitrarily changing the type, size, and processing conditions of the grindstone. However, since a cutting allowance for the width of the grindstone is required, there is a disadvantage that a workpiece for the cutting allowance is wasted. In addition, a workpiece having high hardness has problems such as remarkably poor workability and shortening the life of the grindstone.
[0003]
As a cutting method for solving these problems, a workpiece is limited to a brittle material, but a cutting method using a lateral pressure is known. In this cutting method, first, the surface of the workpiece is finely crushed or scratched by using a tool such as diamond at a portion to be cut of the workpiece, which is a brittle material having a rod shape, for example. Notch). Then, a side pressure transmission cylinder made of resin or the like is placed on the part of the workpiece including the part where the notch is formed. Thereafter, the workpiece is cut at the notch portion by being compressed from the outer periphery of the side pressure transmission cylinder in a state in which the workpiece is deformable in the axial direction. Advantages of this cutting method include that there is no cutting allowance, and that the processing time is extremely short due to cleaving.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, the above-described cutting method using the side pressure has a problem that a solid such as a tool comes into contact with the workpiece when forming the notch, and therefore, depending on the contact conditions, an excessive stress is applied to the workpiece at the time of contact. Further, since cutting is performed by applying a side pressure in a state where only the notch serving as a starting point of cutting is formed, the undulation that is the difference between the most protruding portion and the most recessed portion on the cutting surface is increased. Moreover, since it is necessary to apply a considerably large lateral pressure to cut, there is a possibility that the cut wafer-like thin member may be bent when the workpiece is cut into a thin member.
[0005]
Furthermore, by simply forming a notch in the work piece, the work piece can be cut (hereinafter referred to as oblique cutting) in a plane where the direction in which the lateral pressure is applied and the normal of the cut surface are not perpendicular to each other. It is very difficult to cut into a three-dimensional shape.
[0006]
The present invention aims at providing a cutting method of the view of the problem, the workpiece can be suppressed and the occurrence of buckling at the time of cutting occurred and the workpiece waviness in the cut surface of the Engineering Crops . Moreover, it aims at providing the cutting method of the workpiece which can form arbitrary cut surfaces.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, as a method for cutting a workpiece that cuts an orientation flat processed semiconductor ingot into a wafer shape, an outer edge portion in a region to be a cutting surface of the semiconductor ingot is positioned. Irradiating a high-density energy beam (8a ) from the orientation flat plane (6a) to form a crushing region (9) designating a portion to be cut across the entire cut surface of the semiconductor ingot ; And a step of cutting the semiconductor ingot in the crushing region.
[0011]
According to the present invention, since the portion to be cut in the workpiece is specified by forming the crushing region, it is possible to suppress the occurrence of waviness on the cut surface of the workpiece. Moreover, since the crushing region is formed in advance, a large stress is not required when cutting the workpiece. As a result, the occurrence of buckling of the workpiece can be suppressed. Moreover, since the site | part to cut | disconnect in the inside of a workpiece is designated, arbitrary cut surfaces, such as cutting a workpiece diagonally, can be formed.
[0016]
In addition, when the crushing region is flat and the workpiece is irradiated with the high-density energy beam, the semiconductor ingot is rotated about the direction parallel to the normal line of the crushing region as the center axis as in the invention described in claim 2. the Rukoto be irradiated below 45 degree incidence angle is 0 degrees or more high density energy beam is capable of forming a fracture region.
[0021]
As this, if 45 degrees or less is greater than zero degrees angle of incidence of the high density energy beam to the semiconductor ingot can be formed suitably crushed area.
[0025]
In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each said means shows the correspondence with the specific means as described in embodiment mentioned later.
[0026]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
(First embodiment)
Hereinafter, embodiments shown in the drawings will be described. FIG. 1 is a schematic sectional view of a lateral pressure cutting device according to this embodiment. First, the configuration of a side pressure cutting device used in the side pressure cutting method of the present embodiment will be described with reference to FIG. The pressure vessel 1 is made of a hollow member made of a material that can withstand high pressure, and a cylindrical pressure chamber 1 a is formed by the hollow portion of the pressure vessel 1. Further, the pressure vessel 1 is formed with a pressure medium entry hole 1b that communicates the inside and the outside of the pressure chamber 1a. A pressure device 3 is connected to the pressure medium entry hole 1b via a pipe 2. The pressure device 3 is for introducing a pressure medium into the pressure vessel 1 as described later.
[0027]
A side pressure transmission cylinder 4 is disposed in the pressure chamber 1a. The side pressure transmission cylinder 4 is made of an acrylic resin or the like, and applies pressure to the side surface of the workpiece when the workpiece is cut as will be described later. An O-ring 5 is disposed between the axial end portions of the side pressure transmission cylinder 4 and the pressure vessel 1. When the pressure medium is filled in the pressure vessel 1 as will be described later, the O-ring 5 leaks up to both ends of the workpiece and contracts in the axial direction with respect to the workpiece by the pressure medium. This is to prevent the application of excessive pressure.
[0028]
And the workpiece 6 which consists of a brittle material is arrange | positioned in the side pressure transmission cylinder 4 in the side pressure cutting apparatus of such a structure, and this workpiece 6 is cut | disconnected. As the workpiece 6, for example, a rod-shaped one can be applied, and in this embodiment, a cylindrical soda glass having a diameter of 25 mm and a length of 30 mm is cut.
[0029]
On the side surface (outer surface) of the workpiece 6, a notch (notch) 7 for designating a portion to be cut is formed. The notches 7 are formed in a part of the outer edge portion in the region to be the cut surface of the workpiece 6, and in the present embodiment, ten notches are formed at intervals of 2 mm. Below, the method of forming the notch 7 in the workpiece 6 will be described. FIG. 2 is a schematic perspective view of the high-density energy beam device 8 and the workpiece 6 according to the formation of the notches 7.
[0030]
As shown in FIG. 2, a high-density energy beam device 8 emits a high-density energy beam (hereinafter simply referred to as a beam) 8 a. A harmonic YAG laser is used as the beam 8a. The wavelength of this laser is preferably 1.064 μm or less. This is because the workpiece 6 may break if the wavelength is larger than 1.064 μm. Moreover, it is preferable to use a short wavelength laser such as 0.532 μm or 0.266 μm, and in this embodiment, a wavelength of 0.532 μm is adopted.
[0031]
Then, the beam 8a is irradiated while moving the workpiece 6 in the direction of the arrow in FIG. 2 under the conditions that the beam 8a is focused on the side surface of the workpiece 6 and the output is 1 W and the feed speed is 300 mm / min. To do. In this way, a notch 7 having a length of about 5 mm is formed on the side surface of the workpiece 6 so as to be orthogonal to the axis of the workpiece 6.
[0032]
Next, a method for cutting the workpiece 6 will be described. As shown in FIG. 1, the workpiece 6 in which all the notches 7 are formed as described above is disposed in the side pressure transmission cylinder 4 of the cutting apparatus, and the portion including the notches 7 is covered with the side pressure transmission cylinder 4. Then, the pressure medium is introduced into the pressure vessel 1 from the pressure medium entry hole 1 b using the pressure device 3, and the pressure medium is filled between the pressure vessel 1 and the side pressure transmission cylinder 4. The pressure medium compresses and compresses the outer periphery of the lateral pressure transmission cylinder 4, stress is applied to the workpiece 6, and the workpiece 6 is cut starting from the notch 7.
[0033]
In the present embodiment, as a result of setting the hydraulic pressure by the pressure medium to about 700 kg / cm ² , the glass could be cut into nine pieces at intervals of 2 mm. The normal line of the cut surface is parallel to the axis of the workpiece 6, and the workpiece 6 is cut along a plane orthogonal to the generatrix on the side surface of the workpiece 6. When the cut surface was observed after the cutting, no chipping or the like was found in the portion where the notch 7 was formed, and a good cutting was performed.
[0034]
Thus, since the notch 7 is formed using the beam 8a, the solid needs to contact the workpiece 6 as in the case where the notch is formed by crushing or scratching with a tool such as a diamond cutter. In addition, it is possible to prevent an excessive stress from being applied to the workpiece 6. As a result, when the notch 7 is formed, the periphery of the notch 7 portion can be prevented from being lost. Moreover, since the favorable notch 7 without a crack, a crack, etc. can be formed, when cutting the workpiece 6, especially when the space | interval of the notch 7 is narrow when trying to cut the workpiece 6 into a thin member, It is possible to prevent the occurrence of buckling at the notch 7 site. However, since the cut was formed by forming a notch 7 on the side surface of the workpiece 6 and applying a large lateral pressure, the undulation at the cut surface was 0.1 mm or more.
[0035]
Further, if the cutting is performed in a state where notches are formed in all of the outer edge portions (entire circumference) in the region serving as the cutting surface of the workpiece 6, cutting may occur from a plurality of starting points. In that case, a step appears on the cut surface. Therefore, it is preferable to form the notch 7 in a part of the outer edge portion in the region to be the cut surface of the workpiece 6 as in the present embodiment. Further, when the notch 7 is formed in a part in this way, it is not necessary to rotate the workpiece 6 when forming the notch 7, and the cutting site can be designated efficiently.
[0036]
In order to form a finer cutout 7, it is preferable to use an electron beam 8a as the beam 8a.
[0037]
(Second Embodiment)
In the cutting method of the workpiece 6 according to the first embodiment, the chipping of the workpiece 6 around the notch 7 can be prevented, but the waviness on the cut surface cannot be reduced. In addition, cutting is performed in which the direction in which the side pressure is applied and the normal to the cut surface are perpendicular to each other and the cutting surface is a plane, but the direction in which the side pressure is applied and the normal to the cut surface form an arbitrary angle. Is difficult. This embodiment improves such a problem.
[0038]
Hereinafter, embodiments shown in the drawings will be described. FIG. 3 is a schematic sectional view of the lateral pressure cutting device according to the present embodiment. Since the side pressure cutting device in this embodiment is the same as that of the first embodiment, and only the workpiece 6 arranged in the side pressure cutting device is different, the configuration of the side pressure cutting device is denoted by the same reference numerals as those in FIG. Description is omitted.
[0039]
As the workpiece 6, an example in which a workpiece having the same size and material as in the first embodiment is cut will be described. Further, the present embodiment is an example of performing oblique cutting (cutting in which the normal of the cut surface of the workpiece 6 and the axis of the workpiece 6 are not parallel). The cut surface is a plane. As shown in FIG. 3, the workpiece 6 is formed with a crushing region 9 for designating a part to be cut. The crushing region 9 is formed in a plane in the workpiece 6, and the angle α formed by the normal line on the surface of the crushing region 9 and the axis of the workpiece 6 is 10 degrees.
[0040]
Next, the formation method of the crushing area | region 9 is demonstrated using FIG. FIG. 4 is a schematic perspective view of the high-density energy beam device 8 and the workpiece 6 according to the formation of the crushing region 9. As shown in FIG. 4, a flat surface 6 a is formed on a part of the side surface, which is the surface on which the outer edge portion is located in the region that becomes the cut surface of the workpiece 6, of the outer surface of the workpiece 6.
[0041]
The flat surface 6a is preferably mirror-finished. This is because when the beam 8a is irradiated onto a rough surface, the beam 8a is scattered and hinders transmission to the inside of the workpiece 6. Therefore, when the beam 8a is irradiated onto the plane 6a as described later, This is because the transmission of the beam 8a is preferably performed. In the present embodiment, the surface roughness of the flat surface 6a is finished to Rz 0.01 μm or less. In order to prevent scattering of the beam 8a, it is desirable that chamfering is not performed or made minute at the connection portion between the end of the flat surface 6a on the side surface and the curved surface on the side surface. Further, the workpiece 6 is cleaned before the beam 8a is irradiated so that the surface of the workpiece 6 is not contaminated.
[0042]
And this workpiece 6 is arrange | positioned on an XYZ table in the state in which the plane 6a in a side surface faces the high-density energy beam apparatus 8 side. Then, the workpiece 6 and the high-density energy beam device 8 are positioned so that the beam 8 a is irradiated from the side of the plane 6 a on the side surface of the workpiece 6 and the focal point of the beam 8 a is located inside the workpiece 6. Thereafter, by irradiating the beam 8a from the high-density energy beam apparatus 8, fine destruction occurs at the point where the beam 8a is focused.
[0043]
At this time, in order to form the crushing region 9 on the entire surface of the workpiece 6 as a cutting surface, the workpiece 6 and the beam 8a are relatively moved while the bus bar of the workpiece 6 is always parallel. Specifically, the workpiece 6 is rotated or rocked (turned) about a direction parallel to the axis of the workpiece 6 as a central axis. Alternatively, the workpiece 6 and the beam 8a may be moved relative to each other so as to be parallel to a plane including a region to be a cut surface in the workpiece 6. Specifically, the workpiece 6 is rotated or oscillated with the direction parallel to the normal line of the region to be a cut surface as the central axis. In order to form stable fine crushing, it is preferable that the incident angle of the beam 8a is 0 degree. However, if the incident angle is 0 degree or more and 45 degrees or less, the fine crushing can be formed.
[0044]
And fine rotation is continuously formed by adjusting the rotation of the workpiece 6 and the movement of the workpiece 6 in the XYZ directions using the XYZ table. At this time, it is preferable to consider the refractive index of the workpiece 6 so that microfracture occurs at a desired position. In this way, the crushing region 9 is formed in the region that becomes the cut surface of the workpiece 6. For example, the crushing region 9 is in a state in which the workpiece 6 is broken inside the workpiece 6, and is cut in the crushing region 9 when the workpiece 6 described later is cut.
[0045]
The wavelength of the beam 8a and the output conditions are the same as in the first embodiment, and the laser wavelength is preferably 1.064 μm or less. This is because if the wavelength is larger than 1.064 μm, the crushing region formed by irradiating the workpiece with laser becomes large, and the surface roughness at the cut surface becomes large, or the workpiece is broken. Because.
[0046]
In the formation of the crushing region 9, the crushing region 9 is formed in order from the side far from the side irradiated with the beam 8 a, that is, the plane 6 a side of the side surface of the workpiece 6. This is because the point at which the workpiece 6 is crushed in the workpiece 6 (hereinafter simply referred to as the crushing point) has poor permeability of the beam 8a, and therefore there is a crushing point on the irradiation axis of the beam 8a. This is because it is difficult to form another crushing point at a far site.
[0047]
After the crushing region 9 is formed in the entire region to be the cut surface in this way, the workpiece 6 is placed in the side pressure transmission cylinder 4 in the cutting device and cut in the same manner as in the first embodiment. In this embodiment, as a result of setting the hydraulic pressure by the pressure medium to about 300 kg / cm ² , the workpiece 6 could be cut in the crushing region 9. And when the cut surface was observed, the wave | undulation was 0.1 mm or less.
[0048]
By the way, the oblique cutting can be performed by forming the crushing region 9 inside the workpiece 6 as in the present embodiment. Moreover, since the crushing region 9 is formed and the cut surface is specified, the occurrence of waviness can be suppressed as compared with the case where a cut is provided on the outer surface of the workpiece 6 and the cut is made from the cut. . However, when the surface roughness which is micro unevenness | corrugation rather than the wave | undulation in a cut surface is observed, it has deteriorated because the crushing area | region 9 was formed. However, this unevenness can be removed by grinding.
[0049]
In general, the cut surface is flattened by, for example, grinding in a subsequent process. However, if the waviness of the cut surface is large, the removal amount of the wafer (cut workpiece 6) by this processing increases. For this reason, cracks and crushed layers easily enter the wafer. As a result, particularly when a semiconductor is used as the workpiece 6, if an element or the like is formed in a region where the crack or the like is generated, a defect occurs in the element. However, in the cutting method of the present embodiment, it is possible to reduce the waviness in the cut surface, so it is possible to perform a post-process with a small processing load such as polishing, and can suppress damage to the inside of the wafer, A highly reliable wafer can be provided.
[0050]
Further, since the crushing region 9 is formed in advance, the workpiece 6 can be cut with a small side pressure. As a result, the occurrence of buckling of the workpiece 6 can be suppressed even when the cutting interval of the workpiece 6 is small. Further, if the incident angle of the beam 8a with respect to the workpiece 6 is large, it is difficult to focus the beam 8a inside the workpiece 6. However, since the plane 6a is formed on the workpiece 6, the beam 8a is preferably used. It can be led into the workpiece 6.
[0051]
Although it is desirable to irradiate the beam 8a from the plane 6a of the workpiece 6, the beam 8a can be guided to the inside of the workpiece 6 even if the curved surface is irradiated with the beam 8a. In that case, in order to prevent irregular reflection of the beam 8a, it is preferable to irradiate the apex of the side surface of the workpiece 6 with the beam 8a. Further, in order to provide the crushing region 9 over the entire region to be a cut surface, the beam 8a may be irradiated while the workpiece 6 is rotated. However, in this case, since it is necessary to set up the rotational axis of the workpiece 6, it is generally easier to irradiate the beam 8a by forming the flat surface 6a on the side surface of the workpiece 6 as described above. It is.
[0052]
Further, when a semiconductor ingot is used as the workpiece 6, it is preferable to use a portion of the ingot that has been subjected to orientation flat processing as the plane 6a on the side surface.
[0053]
(Third embodiment)
In the second embodiment, an example in which the beam 8a is irradiated to the inside from the side surface side of the workpiece 6 has been shown. However, in this embodiment, the outer edge portion in the region that becomes the cutting surface of the workpiece 6 on the outer surface of the workpiece 6 An example in which the beam 8a is irradiated from the end face side which is a surface other than the surface including the beam will be described. Since the side pressure cutting device in this embodiment is the same as that of 2nd Embodiment, description is abbreviate | omitted. In the following, the method of forming the crushing region 9 for the workpiece 6 will be described mainly with respect to differences from the second embodiment.
[0054]
FIG. 5 is a schematic perspective view of the high-density energy beam device 8 and the workpiece 6 according to the formation of the crushing region 9. The present embodiment is an example in which the workpiece 6 is cut obliquely, and the cut surface is a plane. Specifically, similarly to the second embodiment, cutting is performed on a plane in which the angle α formed by the axis of the workpiece 6 and the normal line of the region to be a cutting surface is 10 degrees.
[0055]
As shown in FIG. 5, a cylindrical workpiece 6 is placed on an XYZ table with the end face 6b facing the high-density energy beam device 8 side. And the beam 8a is irradiated from this end surface 6b side. The end face 6b irradiated with the beam 8a is preferably a mirror surface to prevent scattering of the beam 8a. In this embodiment, the surface roughness is Rz 0.01 μm or less.
[0056]
When irradiating the beam 8a, positioning is performed so that the focal point of the beam 8a is formed inside the workpiece 6 and fine crushing is formed. Then, the workpiece 6 is placed on the XYZ table and operated to continuously form fine crushing to obtain a crushing region 9. In this case, as in the second embodiment, the crushing region 9 is formed in order from the site far from the side irradiated with the beam 8a in the crushing region 9.
[0057]
FIGS. 6A and 6B are perspective views of the workpiece 6 before and after cutting the workpiece 6. FIG. 6A shows a state in which a crushing region 9 before cutting is formed, and FIG. 6B shows a state after cutting. Show. As a result of forming all the crushing regions 9 as described above, a plurality (7 in the illustrated example) of crushing regions 9 are formed as shown in FIG.
[0058]
Thereafter, similarly to the first and second embodiments, the workpiece 6 is placed in the side pressure transmission cylinder 4 of the cutting device and cut to cut the workpiece 6 in the crushing region 9. As a result, in this embodiment, as shown in FIG. 6B, the oblique cutting could be performed satisfactorily. Similar to the second embodiment, the cut surface has a good swell of 0.1 mm or less, and the surface roughness is deteriorated because it is crushed.
[0059]
By the way, also when irradiating the beam 8a from the end surface 6b side of the workpiece 6 like this embodiment, the effect similar to 2nd Embodiment can be exhibited. Further, when the crushing region 9 is formed on the entire surface to be a cut surface, it is not necessary to rotate or swing the workpiece 6, and the crushing region 9 can be easily formed. In particular, if the workpiece 6 whose end face is a plane is used in advance, the crushing region 9 can be satisfactorily formed by preventing the irregular reflection of the beam 8a without forming a plane on the side surface.
[0060]
(Fourth embodiment)
In the second and third embodiments, the example in which the crushing region 9 is provided on the entire surface of the region to be the cut surface has been described. However, the crushing region 9 is formed on a part of the region to be the cut surface (hereinafter, this Such a crushing region may be referred to as a partial crushing region). Hereinafter, the case where the beam 8a is irradiated from the side surface side of the workpiece 6 will be described with reference to FIG. FIGS. 7A and 7B are schematic views of the workpiece 6 when the partial crushing region 9 is formed. FIG. 7A is a perspective view, and FIG. 7B is a perspective view seen from the direction of the white arrow in FIG.
[0061]
As shown in FIG. 7, the workpiece 6 also has a flat surface 6a on the side surface. And as shown in FIG.7 (b), the partial crushing area | region 9 is formed in the area | region which extended the plane 6a in the side surface of the workpiece 6 in the normal line direction of this plane 6a. And when cut | disconnecting, cutting | disconnection starts from this partial crushing area | region 9, and cutting | disconnection spreads to the area | region used as a cut surface. Thereby, since it is not necessary to rotate or rock the workpiece 6 when forming the partial crushing region 9, the partial crushing region 9 can be formed efficiently.
[0062]
The method of cutting the workpiece 6 by forming the partial crushing region 9 particularly cuts the workpiece 6 in which crystals are regularly formed in layers, for example, single crystal silicon carbide along a layered surface. Suitable for you.
[0063]
When forming the partial crushing region 9, the workpiece 6 may be rotated or rocked as in the second embodiment depending on the formation position.
[0064]
(Other embodiments)
Although each said embodiment showed about the example whose cut surface is a plane, it can also move a XYZ table which mounted the workpiece suitably, and can also form a three-dimensional crushing area | region. Thereby, the cut surface can also cut | disconnect three-dimensional shape. In particular, conventionally, when a glass lens is manufactured, the cut surface of the glass is a flat surface. However, by forming a three-dimensional crushing region having a lens shape, it is possible to omit the process of forming a lens shape by grinding. In this way, an arbitrary cut surface can be formed by forming the crushing region inside the workpiece using the beam.
[0065]
In addition, in the method for cutting a workpiece shown in each of the above embodiments, a semiconductor ingot such as Si or SiC, or a brittle material such as ceramic, crystal, or sapphire can be cut in addition to glass. However, when the crushing region 9 is formed inside the workpiece 6 as in the second to fourth embodiments, the workpiece 6 is a transparent material so that the beam 8a can be focused on the inside. It is necessary to consist of
[0066]
In general, the shape of the workpiece is preferably a column, but various shapes such as a cylindrical shape and a hexagonal column can be used. Also, it is not always necessary to use a bar-shaped workpiece, and a workpiece having a shape close to the wafer is short in the axial direction of the side pressure transmission cylinder, that is, in the generatrix direction of the side surface where the outer edge portion is located in the region to be the cut surface. It may be used. A plurality of workpieces may be simultaneously inserted into the side pressure transmission cylinder.
[0067]
Further, when the crushing region 9 is formed inside the workpiece 6 as in the second and third embodiments, even if stress is applied to the workpiece 6 by another method without using the side pressure cutting device, the workpiece The object 6 can be cut. Specifically, it is possible to apply a shock to the side surface of the workpiece 6 using a metal object or the like, to apply vibration such as ultrasonic waves, or to use stress caused by thermal expansion due to heating. In some cases, this method can also be used to form the partially fractured region 9 as in the fourth embodiment.
[0068]
Moreover, although the said 2nd and 3rd embodiment showed about the example which performs diagonal cutting | disconnection, you may cut | disconnect so that the axis | shaft of a workpiece and the normal line of a cut surface may become parallel. Moreover, in 2nd-4th embodiment, when forming a crush area | region, a crush area | region can be formed automatically by performing using the NC controller which can move to the direction of XYZ. At this time, if the refractive index of the workpiece is input in advance, the correction of the refractive index is automatically performed and the beam can be focused at a desired position.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a lateral pressure cutting device according to a first embodiment.
FIG. 2 is a schematic perspective view of a high-density energy beam device and a workpiece related to formation of notches in the first embodiment.
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a lateral pressure cutting device according to a second embodiment.
FIG. 4 is a schematic perspective view of a high-density energy beam device and a workpiece related to formation of a crushing region in a second embodiment.
FIG. 5 is a schematic perspective view of a high-density energy beam device and a workpiece related to formation of a crushing region in a third embodiment.
FIG. 6 is a perspective view of a workpiece before and after cutting according to a third embodiment.
FIG. 7 is a schematic view of a workpiece when forming a partially fractured region.
[Explanation of symbols]
4 ... side pressure transmission cylinder, 6 ... workpiece, 6a ... flat surface, 6b ... end face, 7 ... notch
8a ... beam, 9 ... crushing region.

Claims

As a method of cutting a workpiece for cutting a semiconductor ingot subjected to orientation flat processing into a wafer shape, a high-density energy beam (8a ) To form a crushing region (9) for designating a portion to be cut on the entire cutting surface of the semiconductor ingot ;
And a step of cutting the semiconductor ingot in the crushing region.

The crushing region is a plane, and when the high-density energy beam is irradiated, the semiconductor ingot is rotated about a direction parallel to the normal line of the crushing region, and the incident angle of the high-density energy beam is 0. The method of cutting a workpiece according to claim 1 , wherein the irradiation is performed at an angle of not less than 45 degrees and not more than 45 degrees .