JP4377944B2 - Optical recording head device, optical recording device, and recording method - Google Patents

Optical recording head device, optical recording device, and recording method Download PDF

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Description

本発明は、光記録ヘッド装置、光記録装置、および記録方法に関する。   The present invention relates to an optical recording head device, an optical recording device, and a recording method.

周知のように、デジタル映像を蓄積する光ディスクとして、DVD(デジタル多用途ディスク)があり、主に映画コンテンツの蓄積・配布(デジタル作品出版物)として全世界で幅広く使われている。また、上記DVD(既存DVDと称する)に比べて、さらに大容量のディスクが実現されている。   As is well known, there is a DVD (Digital Versatile Disc) as an optical disc for storing digital video, and it is widely used all over the world mainly for storing and distributing movie contents (digital work publications). Further, compared with the above-mentioned DVD (referred to as an existing DVD), a disk having a larger capacity is realized.

光ディスクにおいて、大容量化と共に、高転送レートに対する要求は強く、HD DVD−RやHD DVD−RWでも、標準の1倍速(線速度6.61m/s)に対して、2倍速の規格が既に発行されている。今後も、4倍速や8倍速といった高倍速化が期待されている。   In optical discs, there is a strong demand for high transfer rates along with an increase in capacity, and even with HD DVD-R and HD DVD-RW, there is already a standard for double speed compared to standard single speed (linear speed 6.61 m / s). Has been issued. In the future, higher speeds such as 4 times speed and 8 times speed are expected.

光ディスクへデータを記録する際に、レーザ光源に所望のピークパワーを得るためのピーク電流を一定時間印加すると、レーザ光源の出射光強度はピーク電流が印可されるとともに、記録パワーまで強度が引き上げられる。レーザ光源の出射光強度が記録パワーまで引き上げられた際に、定常の記録パワーに安定するまでに、強度が瞬間的に上昇して低下する。これは、レーザ光源の緩和振動によるものであり、通常の記録パルス生成においては、この緩和振動がなるべく小さくなるように制御される。   When recording data on an optical disc, if a peak current for obtaining a desired peak power is applied to the laser light source for a certain period of time, the intensity of the emitted light from the laser light source is increased to the recording power as well as the peak current is applied. . When the emitted light intensity of the laser light source is raised to the recording power, the intensity increases and decreases momentarily until the recording power becomes stable. This is due to the relaxation oscillation of the laser light source. In normal recording pulse generation, the relaxation oscillation is controlled to be as small as possible.

従来、上記の緩和振動を利用して光ディスクにマーク列を記録するレーザ駆動方法およびこれを用いた光ディスク装置が記載されている(特許文献1参照)。
特開2002−123963号公報
Conventionally, a laser driving method for recording a mark row on an optical disk using the above-described relaxation vibration and an optical disk apparatus using the laser driving method have been described (see Patent Document 1).
JP 2002-123963 A

しかし、上記の特許文献1に記載された記録方法は、通常の記録パルスと緩和振動との両者を利用して光ディスクにマーク列を記録するものであって、緩和振動の周期については、およそ2GHzから4GHzであるとの記載があるのみで、レーザ光源の物理的仕様との関係は言及されていない。   However, the recording method described in Patent Document 1 records a mark row on an optical disk using both a normal recording pulse and relaxation oscillation, and the period of relaxation oscillation is about 2 GHz. Only 4 GHz is described, and the relationship with the physical specifications of the laser light source is not mentioned.

本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであって、レーザ光源の緩和振動を用いてビット列に応じたデータマーク列を記録する情報記録装置について、光源のレーザに必要とされる物理的条件(光共振器長)を決定し、高速記録を実現する光記録ヘッド装置、光記録装置、および、記録方法を提供すること目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and relates to an information recording apparatus for recording a data mark string corresponding to a bit string using relaxation oscillation of a laser light source. An object of the present invention is to provide an optical recording head device, an optical recording device, and a recording method that determine conditions (optical resonator length) and realize high-speed recording.

本発明の第1態様に係る光記録ヘッド装置は、単一のパルスの半値全幅が820ps以下の緩和振動パルスを出力する光源と、前記光源を駆動する駆動手段と、前記光源からの出射光を記録媒体の記録層に集光し、前記記録媒体の記録層で反射された反射光を捕捉する対物レンズと、前記光源と前記対物レンズとの間に配置され、入射した光を分配する分配手段と、前記分配手段を介して前記記録媒体の記録層で反射された反射光を受光する光検出手段と、前記光源の共振器長は6560μm以下である光記録ヘッド装置であって、前記緩和振動の1周期分以上3周期分以下のパルス列から構成される一個の記録パルスにより、前記記録媒体の記録層を融点以上に上昇させ、単一のマークを記録する光記録ヘッド装置である。 The optical recording head device according to the first aspect of the present invention includes a light source that outputs a relaxation oscillation pulse having a full width at half maximum of a single pulse of 820 ps or less, drive means for driving the light source, and light emitted from the light source. An objective lens that collects light reflected on the recording layer of the recording medium and captures the reflected light reflected by the recording layer of the recording medium, and a distribution unit that is disposed between the light source and the objective lens and distributes the incident light A light detecting means for receiving the reflected light reflected by the recording layer of the recording medium through the distributing means, and an optical recording head device in which the resonator length of the light source is 6560 μm or less, wherein the relaxation oscillation The optical recording head device records a single mark by raising the recording layer of the recording medium to a melting point or higher by one recording pulse composed of a pulse train of 1 cycle to 3 cycles .

本発明の第2態様に係る光記録装置は、単一のパルスの半値全幅が820ps以下の緩和振動パルスを出力する光源と、前記光源を駆動する駆動手段と、前記光源からの出射光を記録媒体の記録層に集光し、前記記録媒体の記録層で反射された反射光を捕捉する対物レンズと、前記光源と前記対物レンズとの間に配置され、入射した光を分配する分配手段と、前記分配手段を介して前記記録媒体の記録層で反射された反射光を受光する光検出手段と、を備えた光記録ヘッド装置と、前記光検出手段から出力された信号に基づいて、再生信号を演算する演算手段と、前記駆動手段と前記演算手段とを制御する制御手段と、を備え、前記光源の共振器長は6560μm以下である光記録装置であって、前記緩和振動の1周期分以上3周期分以下のパルス列から構成される一個の記録パルスにより、前記記録媒体の記録層を融点以上に上昇させ、単一のマークを記録する光記録装置である。 The optical recording apparatus according to the second aspect of the present invention records a light source that outputs a relaxation oscillation pulse in which the full width at half maximum of a single pulse is 820 ps or less, drive means for driving the light source, and light emitted from the light source. An objective lens that collects light on the recording layer of the medium and captures the reflected light reflected by the recording layer of the recording medium; and a distribution means that is disposed between the light source and the objective lens and distributes incident light. An optical recording head device comprising: a light detecting means for receiving reflected light reflected by the recording layer of the recording medium through the distributing means; and a reproduction based on a signal output from the light detecting means An optical recording apparatus comprising: a calculating means for calculating a signal; and a control means for controlling the driving means and the calculating means, wherein the resonator length of the light source is 6560 μm or less, wherein one cycle of the relaxation oscillation Min. To 3 cycles By one of the recording pulses composed of pulse train, the recording layer of the recording medium is raised above the melting point, which is an optical recording apparatus for recording a single mark.

本発明の第3態様に係る記録方法は、共振器長が6560μm以下である光源を有する光記録装置による記録方法であって、光源の閾値電流よりも低いレベルに設定された駆動電流を生成する生成ステップと、前記駆動電流を前記光源に入力して前記光源を駆動する駆動ステップと、前記駆動電流を所定時間ピーク電流レベルまで引き上げて、前記光源に単一のパルスの半値全幅が820ps以下の緩和振動パルスを出力させる出力ステップと、を備えた記録方法であって、前記出力ステップは、前記光源に緩和振動の1周期分以上3周期分以下のパルス列から構成される一個の記録パルスを出力させて前記記録媒体の記録層を融点以上に上昇させ、単一のマークを記録する記録方法である。 A recording method according to a third aspect of the present invention is a recording method by an optical recording apparatus having a light source having a resonator length of 6560 μm or less, and generates a drive current set at a level lower than the threshold current of the light source. A generation step; a driving step of driving the light source by inputting the driving current to the light source; and raising the driving current to a peak current level for a predetermined time so that the full width at half maximum of a single pulse is 820 ps or less. An output step for outputting a relaxation oscillation pulse , wherein the output step outputs a single recording pulse composed of a pulse train of not less than 1 period and not more than 3 periods of relaxation oscillation to the light source. The recording method of recording a single mark by raising the recording layer of the recording medium above the melting point .

本発明によれば、レーザ光源の緩和振動を用いてビット列に応じたデータマーク列を記録する情報記録装置について、光源のレーザに必要とされる物理的条件(光共振器長)を決定し、高速記録を実現する光記録ヘッド装置、光記録装置、および、記録方法を提供することができる。   According to the present invention, for an information recording apparatus that records a data mark string corresponding to a bit string using relaxation oscillation of a laser light source, a physical condition (optical resonator length) required for the laser of the light source is determined, An optical recording head device, an optical recording device, and a recording method that realize high-speed recording can be provided.

以下に、本発明の一実施形態に係る光記録装置について図面を参照して説明する。本発明の一実施形態に係る光記録装置の構成例を図1に示す。本実施形態に係る光記録装置では、光源には短波長の半導体レーザ20が用いられる。その出射光の波長は、例えば400nm〜410nmの範囲の紫色波長帯のものである。   An optical recording apparatus according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a configuration example of an optical recording apparatus according to an embodiment of the present invention. In the optical recording apparatus according to this embodiment, a short wavelength semiconductor laser 20 is used as a light source. The wavelength of the emitted light is, for example, in the violet wavelength band in the range of 400 nm to 410 nm.

半導体レーザ光源20からの出射光100は、コリメートレンズ21により平行光となり偏光ビームスプリッタ22、λ/4板23を透過する。そして、対物レンズ24に入射する。その後、光ディスク1の基板を透過し、目的とする情報記録層に集光される。光ディスク1の情報記録層による反射光101は、再び光ディスク1のカバー層4を透過し、対物レンズ24、λ/4板23を透過し、偏光ビームスプリッタ22で反射された後、集光レンズ25を透過して光検出器26に入射する。   The emitted light 100 from the semiconductor laser light source 20 becomes parallel light by the collimating lens 21 and passes through the polarization beam splitter 22 and the λ / 4 plate 23. Then, the light enters the objective lens 24. Thereafter, the light passes through the substrate of the optical disc 1 and is focused on the target information recording layer. The reflected light 101 from the information recording layer of the optical disc 1 passes through the cover layer 4 of the optical disc 1 again, passes through the objective lens 24 and the λ / 4 plate 23, and is reflected by the polarization beam splitter 22. And enters the photodetector 26.

光検出器26の受光部は通常複数に分割されており、それぞれの受光部から光強度に応じた電流を出力する。出力された電流は、図示しないI/Vアンプにより電圧に変換された後、演算回路27により、ユーザデータ情報を再生するHF信号及び光ディスク1上の光源によるビームスポット位置を制御するためのフォーカス誤差信号及びトラック誤差信号などに演算処理される。演算回路27は、コントローラCTRによって制御される。   The light receiving part of the photodetector 26 is usually divided into a plurality of parts, and a current corresponding to the light intensity is output from each light receiving part. The output current is converted into a voltage by an I / V amplifier (not shown), and then an arithmetic circuit 27 performs an HF signal for reproducing user data information and a focus error for controlling a beam spot position by a light source on the optical disc 1. Signals and track error signals are arithmetically processed. The arithmetic circuit 27 is controlled by the controller CTR.

対物レンズ24はアクチュエータ28にて上下方向、ディスクラジアル方向に駆動可能であり、サーボドライバSDによって光ディスク1上の情報トラックに追従するように制御される。光ディスク1は情報の書き込みが可能な記録形ディスクであり、半導体レーザ20の出射光100により情報が記録される。半導体レーザ20は半導体レーザ駆動回路29により、出射光100の光量が制御可能であり、光ディスク1への情報記録時には半導体レーザ20の緩和振動パルスが出射されるように制御される。半導体レーザ駆動回路29はコントローラCTRによって制御される。光ディスク1への情報記録時の記録パルスについては後に詳しく述べる。   The objective lens 24 can be driven in the vertical direction and the disk radial direction by an actuator 28, and is controlled to follow the information track on the optical disk 1 by a servo driver SD. The optical disk 1 is a recordable disk on which information can be written, and information is recorded by the emitted light 100 of the semiconductor laser 20. The semiconductor laser 20 can be controlled by the semiconductor laser driving circuit 29 so that the amount of emitted light 100 can be controlled, and when the information is recorded on the optical disc 1, the relaxation oscillation pulse of the semiconductor laser 20 is emitted. The semiconductor laser drive circuit 29 is controlled by the controller CTR. The recording pulse at the time of recording information on the optical disc 1 will be described in detail later.

次に図2に本実施形態に係る光記録装置にて使用する光ディスク1の断面図の例を示す。ポリカーボネートから成る基板11上に誘電体から成る保護層12を介して例えば相変化記録膜である記録層13が形成される。その上にはさらに誘電体から成る保護層12が形成され、さらにその上に導電性の反射層14が形成される。さらに、この上には接着層15を挟んで、ポリカーホネートからなる別の基板11が形成されている。   Next, FIG. 2 shows an example of a cross-sectional view of the optical disc 1 used in the optical recording apparatus according to the present embodiment. For example, a recording layer 13 which is a phase change recording film is formed on a substrate 11 made of polycarbonate via a protective layer 12 made of a dielectric. A protective layer 12 made of a dielectric is further formed thereon, and a conductive reflective layer 14 is further formed thereon. Furthermore, another substrate 11 made of polycarbonate is formed on this with an adhesive layer 15 in between.

全体の構造から言うと、光ディスク1は、少なくとも一方の基板上に記録膜を含む情報記録層が形成されたディスクを2枚反対向きに貼り合わせたものである。1つの基板の厚さは例えば約0.6mmで、光ディスク1全体の厚さは約1.2mmである。   In terms of the overall structure, the optical disc 1 is obtained by bonding two discs each having an information recording layer including a recording film on at least one substrate in opposite directions. The thickness of one substrate is about 0.6 mm, for example, and the entire thickness of the optical disc 1 is about 1.2 mm.

なお、この実施形態では、情報記録層が4層から成る光ディスクの例を示したが、記録層13の上下に界面層を設けるなど、5層以上からなる情報記録層を持つ光ディスクにも本発明は適用可能である。また、この実施形態では情報記録層が1層の場合を示したが、本発明は2層以上の情報記録層を持つ光ディスクにも適用可能である。さらに、本実施形態では、円盤状の光ディスクを記録媒体として用いているが、たとえばカード状の記録媒体でも、本発明は適用可能である。   In this embodiment, an example of an optical disk having four information recording layers is shown. However, the present invention is also applied to an optical disk having five or more information recording layers, such as providing interface layers above and below the recording layer 13. Is applicable. In this embodiment, the information recording layer is a single layer. However, the present invention can also be applied to an optical disc having two or more information recording layers. Furthermore, in the present embodiment, a disk-shaped optical disk is used as a recording medium. However, the present invention can also be applied to, for example, a card-shaped recording medium.

図3は本実施形態に係る光記録装置における光源に用いる半導体レーザ20の例である。図3に図示されているのは、半導体レーザの発光体となる半導体チップ部のみであり、通常はこのチップ部がヒートシンクとなる金属ブロックに固定され、さらに基材およびガラス窓付キャップ等により構成される。   FIG. 3 shows an example of a semiconductor laser 20 used as a light source in the optical recording apparatus according to this embodiment. FIG. 3 shows only a semiconductor chip portion that becomes a light emitting body of a semiconductor laser, and this chip portion is usually fixed to a metal block that becomes a heat sink, and further includes a base material and a cap with a glass window. Is done.

ここでは、レーザ発光に直接関係する半導体チップ部のみを用いて説明する。半導体レーザチップは一例として厚さ(図の面内上下方向)が0.15mm、長さ(図中L)が0.5mm、横幅(図中奥行き方向)が0.2mm程度の微小ブロックである。レーザチップの上端31および下端32はそれぞれ電極であり、上端31が−(マイナス)電極、下端32が+(プラス)電極である。   Here, description will be made using only the semiconductor chip portion directly related to laser emission. As an example, the semiconductor laser chip is a micro block having a thickness (up and down direction in the figure) of 0.15 mm, a length (L in the figure) of 0.5 mm, and a lateral width (depth direction in the figure) of about 0.2 mm. . The upper end 31 and the lower end 32 of the laser chip are electrodes, the upper end 31 is a − (minus) electrode, and the lower end 32 is a + (plus) electrode.

レーザ光を発光するのは中央の活性層33であり、これを挟んで上下に上側クラッド層34および下側クラッド層35が形成されている。上側クラッド層34は電子が多数存在するn型クラッド層、下側クラッド層35は正孔が多数存在するp型クラッド層である。   The central active layer 33 emits laser light, and an upper clad layer 34 and a lower clad layer 35 are formed on the upper and lower sides of the active layer 33. The upper clad layer 34 is an n-type clad layer having many electrons, and the lower clad layer 35 is a p-type clad layer having many holes.

電極32と電極31間に電極32から電極31に対して順方向に電圧を印可する、すなわち、電極32から電極31に向かって電流を流すと、活性層33内で励起した多数の正孔と電子が再結合し、その際に失うエネルギーに相当する光を放出することになる。上側クラッド層34および下側クラッド層35の屈折率は活性層33の屈折率に対して低くなるよう材料選択されており(一例として5%低下)、活性層33にて発生した光は上下のクラッド層34、35との境界を反射しながら活性層33内を図中左右に進行する光波となる。   When a voltage is applied in a forward direction from the electrode 32 to the electrode 31 between the electrode 32 and the electrode 31, that is, when a current is passed from the electrode 32 toward the electrode 31, a large number of holes excited in the active layer 33 The electrons recombine, and light corresponding to the energy lost at that time is emitted. The material of the upper clad layer 34 and the lower clad layer 35 is selected so that the refractive index of the upper clad layer 34 and the lower clad layer 35 is lower than the refractive index of the active layer 33 (for example, 5% lower). The light wave travels left and right in the drawing while reflecting the boundary with the cladding layers 34 and 35 in the active layer 33.

図中左右の端面は鏡面Mとなっており、活性層33はそれ自体で光共振器を形成するものとなる。活性層33内を左右に進行し、かつ左右両端の鏡面にて反射した光波は活性層33内で増幅され、最終的にレーザ光として図の右端(および左端)から放出される。この際、半導体レーザ20の共振器長とは図中の左右方向の長さLである。   The left and right end faces in the figure are mirror surfaces M, and the active layer 33 itself forms an optical resonator. The light wave that travels left and right in the active layer 33 and is reflected by the mirror surfaces at the left and right ends is amplified in the active layer 33 and finally emitted from the right end (and left end) of the figure as laser light. At this time, the resonator length of the semiconductor laser 20 is the length L in the left-right direction in the drawing.

半導体レーザ20は半導体レーザ(LD: Laser Diode)駆動回路29により生成される駆動電流によって、出射波形が制御される。LD駆動回路29の駆動電流により、光ディスク1の記録に用いる記録パルスを生成する様子を図4A乃至図4Dを用いて説明する。   The emission waveform of the semiconductor laser 20 is controlled by a drive current generated by a semiconductor laser (LD: Laser Diode) drive circuit 29. A state in which a recording pulse used for recording on the optical disc 1 is generated by the driving current of the LD driving circuit 29 will be described with reference to FIGS. 4A to 4D.

図4A、および図4Bが通常のLD駆動電流とLD出射波形を表し、図4C、および図4Dが緩和振動パルスを生成する際のLD駆動電流とLD出射波形を表す。駆動電流は、図4A、および図4Cに示すバイアス電流Ibiとピーク電流Ipeの2レベルに制御されている。なお、バイアス電流がさらに2つのレベル、あるいは、3つのレベルに細分化されて制御される場合もあるがここでは、説明の簡易化のため、バイアス電流Ibiとピーク電流Ipeがそれぞれ1レベルずつの場合を用いて説明する。   4A and 4B show a normal LD drive current and an LD emission waveform, and FIGS. 4C and 4D show an LD drive current and an LD emission waveform when a relaxation oscillation pulse is generated. The drive current is controlled to two levels of the bias current Ibi and the peak current Ipe shown in FIGS. 4A and 4C. In some cases, the bias current is further subdivided into two levels or three levels to be controlled. Here, for simplification of explanation, the bias current Ibi and the peak current Ipe are each one level. The case will be described.

通常の記録パルス生成の場合、LD駆動回路29は、図4Aに示すように、半導体レーザ20がレーザ発振を開始する閾値電流Ithよりもやや高いレベルに設定されたバイアス電流Ibiをまず生成し、半導体レーザ20を駆動する。その後、時刻Aにて、所望のピークパワーを得るためのピーク電流Ipeが印可され、一定時間、ピーク電流Ipeが印可されたのち、時刻Bにて再度、バイアス電流Ibiへと引き下げられる。このときの、半導体レーザ20の出射光強度の時間変化を図4Bに示す。   In the case of normal recording pulse generation, the LD drive circuit 29 first generates a bias current Ibi set at a level slightly higher than the threshold current Ith at which the semiconductor laser 20 starts laser oscillation, as shown in FIG. 4A. The semiconductor laser 20 is driven. Thereafter, at time A, a peak current Ipe for obtaining a desired peak power is applied, and after the peak current Ipe is applied for a certain period of time, it is again lowered to the bias current Ibi at time B. FIG. 4B shows the change over time in the intensity of emitted light from the semiconductor laser 20 at this time.

図4Bに示すように、バイアス電流Ibiにより駆動されている時刻Aまでは出射光強度は光ディスク1へデータ記録が不可能な極く低いパワーであるが、ピーク電流Ipeが印可されるとともに、記録パワーまで強度が引き上げられ、時刻Bにて駆動電流がバイアス電流Ibiレベルまで引き下げられるまでこのレベルを維持する。時刻B以降は出射光強度は再び低パワーとなる。こうして時刻AからBまでの期間に記録パルスが出射されるように半導体レーザ20は制御されることとなる。   As shown in FIG. 4B, until the time A driven by the bias current Ibi, the emitted light intensity is extremely low power that data cannot be recorded on the optical disc 1, but the peak current Ipe is applied and the recording is performed. The strength is increased to power, and this level is maintained until the drive current is reduced to the bias current Ibi level at time B. After time B, the emitted light intensity becomes low power again. In this way, the semiconductor laser 20 is controlled so that the recording pulse is emitted during the period from time A to time B.

より詳細に出射光強度を観測すると、時刻Aにおいて強度が記録パワーまで引き上げられた際に、定常の記録パワーに安定するまでに、強度が瞬間的に上昇して低下する様子が伺える(図中の破線円部分)。これが、半導体レーザ20の緩和振動によるものであり、通常の記録パルス生成においては、この緩和振動がなるべく小さくなるように制御を行なう。   When the intensity of the emitted light is observed in more detail, it can be seen that when the intensity is increased to the recording power at time A, the intensity instantaneously increases and decreases until it stabilizes to the steady recording power (in the figure). Broken line circle). This is due to the relaxation oscillation of the semiconductor laser 20, and in normal recording pulse generation, control is performed so that this relaxation oscillation is minimized.

緩和振動とは、このように半導体レーザにおいて、駆動電流があるレベルから、閾値電流を大きく超える一定のレベルまで急激に上昇した際に生ずる、過渡的な振動現象である。緩和振動は、振動を繰り返す毎に小さくなり、やがて振動は収まる。   The relaxation oscillation is a transient oscillation phenomenon that occurs when the drive current suddenly increases from a certain level to a certain level that greatly exceeds the threshold current in the semiconductor laser. The relaxation vibration is reduced every time the vibration is repeated, and the vibration is eventually reduced.

本実施形態に係る光記録装置においては、この緩和振動を積極的に記録に利用するものである。緩和振動を記録パルスとして用いる場合には、図4Cに示すように、LD駆動回路29は半導体レーザ20の閾値電流Ithより低いレベルに設定されたバイアス電流Ibiをまず生成し、半導体レーザ20を駆動する。   In the optical recording apparatus according to the present embodiment, this relaxation vibration is actively used for recording. When the relaxation oscillation is used as a recording pulse, the LD drive circuit 29 first generates a bias current Ibi set to a level lower than the threshold current Ith of the semiconductor laser 20 to drive the semiconductor laser 20 as shown in FIG. 4C. To do.

その後、時刻Aにて、通常の記録パルス生成よりも、早い立ち上がり時間で、急激に駆動電流をピーク電流レベルIpeまで引き上げ、通常の記録パルス生成よりも短い時間ののち、時刻Cにて再度、バイアス電流Ibiへと引き下げられる。このときの、半導体レーザ20の出射光強度の時間変化を図4Dに示す。   Thereafter, at time A, the drive current is suddenly raised to the peak current level Ipe at a rise time earlier than normal recording pulse generation. After a shorter time than normal recording pulse generation, again at time C, Pulled down to bias current Ibi. FIG. 4D shows the change over time in the intensity of emitted light from the semiconductor laser 20 at this time.

図4Dに示すように、閾値電流Ithより低いバイアス電流Ibiにより駆動されている時刻Aまでは、半導体レーザ20はレーザ発振を開始しておらず、無視レベル程度の発光ダイオードとしての光出射がある程度である。その後、時刻Aにて急激な電流印可に伴い、緩和振動が開始され、出射光強度は急激に上昇する。その後、印可電流が再度閾値電流以下に戻される時刻Cまでの間、緩和振動による光出射が持続する。この例の場合、緩和振動の2周期目のパルスが生成されたタイミングで時刻Cに到達し、記録パルス生成が終了している。   As shown in FIG. 4D, the semiconductor laser 20 does not start laser oscillation until time A when it is driven by the bias current Ibi lower than the threshold current Ith, and the light emission as a light emitting diode of a negligible level is to some extent. It is. After that, with the rapid application of current at time A, relaxation oscillation is started, and the emitted light intensity rapidly increases. Thereafter, light emission by relaxation oscillation continues until time C at which the applied current is returned again below the threshold current. In this example, the time C is reached at the timing when the second pulse of the relaxation oscillation is generated, and the recording pulse generation is completed.

このように、緩和振動によるパルスは、通常の記録パルスに比べて、非常に短い時間で出射光強度が上昇し、半導体レーザの構造によって決まる一定の周期で出射光強度が低下するという特徴を持っている。したがって、緩和振動によるパルスを記録パルスに用いることにより、通常の記録パルスでは得られない、短い立ち上がり・立下り時間を持ち、かつ強いピーク強度を持った短パルスを得ることが可能となるのである。   As described above, the pulse due to relaxation oscillation has a feature that the emitted light intensity increases in a very short time compared to a normal recording pulse, and the emitted light intensity decreases at a certain period determined by the structure of the semiconductor laser. ing. Therefore, by using a pulse due to relaxation oscillation as a recording pulse, it is possible to obtain a short pulse having a short rise / fall time and a strong peak intensity, which cannot be obtained with a normal recording pulse. .

一般的に知られた関係として、LDの共振器長Lと緩和振動周期Tには以下の関係がある。   As a generally known relationship, there is the following relationship between the resonator length L of the LD and the relaxation oscillation period T.

T = k・{2 nL /c} …(1)
ここで、kは定数、nは半導体レーザの活性層の屈折率、cは光速(3.0×10 (m/s))である。したがって、LD共振器長Lと緩和振動周期T、ひいては、緩和振動パルス幅は、比例関係にあることが分かる。
T = k · {2 nL / c} (1)
Here, k is a constant, n is the refractive index of the active layer of the semiconductor laser, and c is the speed of light (3.0 × 10 8 (m / s)). Therefore, it can be seen that the LD resonator length L and the relaxation oscillation period T, and hence the relaxation oscillation pulse width, are in a proportional relationship.

このことから、緩和振動パルス幅を長くしたい場合は、LD共振器長Lを長く、緩和振動パルス幅を短くしたい場合には、LD共振器長Lを短くすればよいことになる。すなわち、緩和振動パルス幅はLD共振器長Lによって制御可能であると言える。   For this reason, when it is desired to increase the relaxation oscillation pulse width, the LD resonator length L may be increased, and when the relaxation oscillation pulse width is desired to be decreased, the LD resonator length L may be decreased. That is, it can be said that the relaxation oscillation pulse width can be controlled by the LD resonator length L.

図5は、共振器長Lが650μmの半導体レーザによる緩和振動波形の計測結果である。緩和振動パルス幅は半値全幅でおよそ81psであることが分かる。上述の式(1)から、LDの共振器長Lと緩和振動パルス幅は比例関係にあることが判っていることから、半導体レーザの共振器長Lと得られる緩和振動パルス幅(FWHM)Wrの変換式として以下の関係が得られる。   FIG. 5 shows the measurement result of the relaxation oscillation waveform by a semiconductor laser having a resonator length L of 650 μm. It can be seen that the relaxation oscillation pulse width is about 81 ps at the full width at half maximum. From the above equation (1), it is known that the cavity length L of LD and the relaxation oscillation pulse width are in a proportional relationship. Therefore, the cavity length L of the semiconductor laser and the relaxation oscillation pulse width (FWHM) Wr obtained. The following relationship is obtained as the conversion formula.

Wr (ps) = L (μm) / 8.0 (μm/ps)…(2)
次に、本実施形態に係る光記録装置における光記録媒体へのデータの記録について述べる。光ディスク1は例えば、DVD−RAM、DVD−RW、HD DVD−RW、HD DVD−RAMといった書換え形ディスクであり、記録層に相変化材料を用いている。相変化形光ディスクでは、データビットの記録と消去とは記録層に集光されるパルス状のレーザ光の強度を制御することによって行なわれる。
Wr (ps) = L (μm) /8.0 (μm / ps) (2)
Next, data recording on the optical recording medium in the optical recording apparatus according to the present embodiment will be described. The optical disc 1 is a rewritable disc such as a DVD-RAM, DVD-RW, HD DVD-RW, or HD DVD-RAM, and uses a phase change material for the recording layer. In the phase change type optical disc, data bits are recorded and erased by controlling the intensity of pulsed laser light focused on the recording layer.

記録は、記録層の結晶状態に初期化された領域にアモルファスのマークを形成することを意味する。アモルファスマークは、相変化材料が溶融し、直後に急冷されることにより形成される。このためには、比較的短くて高いパワーのパルス状レーザ光を相変化記録層に集光し、局所的な温度を相変化材料の融点Tmを超える温度にまで上昇させて、局所的な溶融を生じさせる必要がある。その後、記録パルスが途切れると溶融した局所領域は急激に冷やされ、溶融−急冷過程を経た固体のアモルファスマークが形成される。   Recording means forming an amorphous mark in a region initialized to a crystalline state of the recording layer. The amorphous mark is formed by melting the phase change material and quenching immediately thereafter. For this purpose, a relatively short and high-power pulsed laser beam is condensed on the phase change recording layer, and the local temperature is raised to a temperature exceeding the melting point Tm of the phase change material, thereby causing local melting. Must be generated. Thereafter, when the recording pulse is interrupted, the molten local region is rapidly cooled, and a solid amorphous mark is formed through a melting-quenching process.

一方、記録されたデータビットの消去は、アモルファスマークを再結晶化することにより行なわれる。結晶化は、今度は局所的なアニーリングにより実現される。記録層にレーザ光を集光し、記録パワーよりやや低いレベルに制御することで、相変化記録層の局所的な温度を結晶化温度Tg以上にまで上昇させるとともに、融点Tmよりは低い温度に保つ。   On the other hand, the recorded data bit is erased by recrystallizing the amorphous mark. Crystallization is now achieved by local annealing. By condensing the laser beam on the recording layer and controlling it to a level slightly lower than the recording power, the local temperature of the phase change recording layer is increased to the crystallization temperature Tg or higher, and the temperature is lower than the melting point Tm. keep.

このとき、一定の時間に渡り、局所的な温度を結晶化温度Tgと融点Tmとの間に保つことで、アモルファスマークを結晶状態に相変化させることが出来る。こうして記録マークの消去が可能となるのである。   At this time, by maintaining the local temperature between the crystallization temperature Tg and the melting point Tm for a certain period of time, the amorphous mark can be phase-changed into a crystalline state. In this way, the recording mark can be erased.

なお、このとき結晶化するのに要求される、結晶化温度Tgと融点Tmとの間に保つべき時間を結晶化時間と呼ぶ。記録されたデータビットの再生には、記録層を相変化させない程度に低いパワー、すなわち再生パワーのDCレーザ光を情報記録層に照射する。   Note that the time required for crystallization at this time to be maintained between the crystallization temperature Tg and the melting point Tm is called crystallization time. To reproduce the recorded data bits, the information recording layer is irradiated with a DC laser beam having a low power that does not change the phase of the recording layer, that is, a reproducing power.

本実施形態に係る光記録装置では、データビットの記録に用いる記録パルスを緩和振動パルスのような短パルスとすることを特徴としている。従来の記録パルスによって形成されたアモルファスマークは上述のように相変化材料の溶融−急冷過程を経て形成される際、図6Aに示すようにアモルファスマークの周縁部に再結晶化の環状領域(再結晶化リング)を生ずる。   The optical recording apparatus according to this embodiment is characterized in that a recording pulse used for recording a data bit is a short pulse such as a relaxation oscillation pulse. When the amorphous mark formed by the conventional recording pulse is formed through the process of melting and quenching the phase change material as described above, as shown in FIG. Crystallizing ring).

これは、アモルファスマークの周縁部で一旦溶融された領域が冷却過程で結晶化温度Tgと融点Tmとの間の温度領域を結晶化時間以上経ることで、再結晶化されたものである。これは、アモルファスマークのサイズを結果的に小さくする効果(セルフシャープニング効果)があるものの、マーク周縁部での再生信号のジッタ(ゆらぎ)や、トラック上の前後のマーク同士の熱的干渉や、隣接トラックに形成されたマークの部分的消去(クロスイレーズ)を引き起こす場合がある。   This is because the region once melted at the peripheral portion of the amorphous mark is recrystallized by passing through the temperature region between the crystallization temperature Tg and the melting point Tm in the cooling process for the crystallization time or longer. Although this has the effect of reducing the size of the amorphous mark (self-sharpening effect) as a result, the jitter (fluctuation) of the reproduced signal at the mark periphery, thermal interference between the front and rear marks on the track, In some cases, the mark formed on the adjacent track may be partially erased (cross erase).

一方、本実施形態に係る光記録装置の緩和振動パルスのような短パルスにより形成されたアモルファスマークは図6Bのように、アモルファスマークの周縁部に再結晶化リングを生じない。これは、短パルスにより短時間に高いパワーのレーザ光を照射することで、レーザ光照射直後に相変化層を溶融させ、溶融領域が熱伝導により周縁部に有意に広がる前に照射を終了させることにより、レーザ光照射直後の溶融部のみをアモルファスマーク化することによるものである。   On the other hand, the amorphous mark formed by a short pulse such as the relaxation oscillation pulse of the optical recording apparatus according to the present embodiment does not cause a recrystallization ring at the peripheral portion of the amorphous mark as shown in FIG. 6B. By irradiating a high-power laser beam in a short time with a short pulse, the phase-change layer is melted immediately after the laser beam irradiation, and the irradiation is terminated before the molten region spreads significantly to the peripheral part due to heat conduction. As a result, only the melted part immediately after laser beam irradiation is formed into an amorphous mark.

このように、短パルスによる再結晶化リングを生じないアモルファスマークでは、マーク周縁部のジッタが低減することや、トラック上の前後のマーク同士の熱的干渉によるマーク変形やエッジシフトや、隣接トラックに形成されたマークのクロスイレーズが生じないといった利点がある。   As described above, in an amorphous mark that does not cause a recrystallization ring due to a short pulse, jitter at the peripheral edge of the mark is reduced, mark deformation or edge shift due to thermal interference between front and rear marks on the track, and adjacent tracks. There is an advantage that the cross-erasing of the mark formed on the substrate does not occur.

勿論、短パルスによる記録には上記のような記録マークの質的向上といった利点があると共に、短時間にマークを記録出来ることから、高転送レート記録に適しているという利点があることは言うまでもない。   Of course, recording with a short pulse has the advantage of improving the quality of the recording mark as described above, and since it can record the mark in a short time, it is needless to say that it is suitable for high transfer rate recording. .

光ディスクにおいて、大容量化と共に、高転送レートに対する要求は強く、HD DVD−RやHD DVD−RWでも、標準の1倍速(線速度 6.61m/s)に対して、2倍速の規格が既に発行されている。今後も、4倍速や8倍速といった高倍速化が期待されている状況である。   In optical discs, there is a strong demand for high transfer rates along with an increase in capacity, and the standard for double speed is already available for HD DVD-R and HD DVD-RW compared to the standard single speed (linear speed 6.61 m / s). Has been issued. In the future, it is expected that higher speeds such as 4 times speed and 8 times speed will be expected.

高転送レートを達成するためには、記録マークを高速に、すなわち短時間に記録する必要がある。相変化形ディスクでは、これはとりもなおさずアモルファスマークを短パルスにより記録することを意味する。例えば、HD DVDでは、8倍速になるとチャネルクロックレートは、518.4Mbpsとなり、1チャネルビットに相当する時間は1.929nsとなる。   In order to achieve a high transfer rate, it is necessary to record the recording mark at a high speed, that is, in a short time. In the phase change disk, this means that the amorphous mark is recorded by a short pulse. For example, in HD DVD, the channel clock rate is 518.4 Mbps at 8 × speed, and the time corresponding to one channel bit is 1.929 ns.

本実施形態に係る光記録装置で言う短パルス記録に要求されるパルス幅は、アモルファスマーク形成時に再結晶化リングを生じないようなパルス幅である。アモルファスマーク形成時に再結晶化リングとなる領域は、上述のようにアモルファスマーク周縁部で一旦溶融された、すなわち、相変化材料の融点を超えた、領域である。このとき、融点をわずかに超えた領域のみが、再結晶化される。   The pulse width required for short pulse recording in the optical recording apparatus according to this embodiment is a pulse width that does not cause a recrystallization ring when an amorphous mark is formed. The region that becomes the recrystallization ring when the amorphous mark is formed is a region that is once melted at the periphery of the amorphous mark as described above, that is, the region that exceeds the melting point of the phase change material. At this time, only the region slightly exceeding the melting point is recrystallized.

なぜなら、融点を大きく超えた温度まで昇温された領域は、温度低下の勾配が大きく、比較的急峻に冷却されるため、アモルファス化されるからである。これは、温度勾配δT/δx と、熱流量密度 q(W/m)との良く知られた関係(フーリエの熱伝導則)q=K・δT/δx から分かるように、温度勾配が大きいほど、温度が高い領域から低い領域への熱流量が大きくなるからである。ここでK(W/m・K)は熱伝導率、xは温度差を持った界面での熱伝導の方向(界面の法線ベクトル方向)の距離である。 This is because a region where the temperature has been raised to a temperature greatly exceeding the melting point has a large temperature decrease gradient and is cooled relatively steeply, and thus becomes amorphous. This is because the temperature gradient δT / δx and the heat flow density q (W / m 2 ) are well known (Fourier's heat conduction law) q = K · δT / δx This is because the heat flow from the high temperature region to the low temperature region increases. Here, K (W / m · K) is the thermal conductivity, and x is the distance in the direction of thermal conduction (interface normal vector direction) at the interface having a temperature difference.

短パルス記録の場合、レーザ光照射直後に光スポット中央部が融点を超えるように、高いパワーのレーザ光を照射する。図7は、記録トラック上の温度分布を説明する図であり、上段が記録パルス照射直後のトラック上の融点超過領域、中段が記録パルス終了時の融点超過領域、下段が中段のA−A’断面での温度分布を表している。   In the case of short pulse recording, high-power laser light is irradiated so that the center of the light spot exceeds the melting point immediately after laser light irradiation. FIG. 7 is a view for explaining the temperature distribution on the recording track. The upper part is the melting point excess region on the track immediately after the recording pulse irradiation, the middle part is the melting point excess region at the end of the recording pulse, and the lower part is AA ′. The temperature distribution in the cross section is shown.

図7Aが短パルス記録の場合、図7Bが従来の記録パルスによる記録の場合を表している。なお、本来は、記録ビームスポット(図7Aで破線で表した領域)は、パルス照射中に図の上下方向に移動するが、この例では説明の簡易化のため、移動しないものとした。   FIG. 7A shows a case of short pulse recording, and FIG. 7B shows a case of recording by a conventional recording pulse. Originally, the recording beam spot (the area indicated by the broken line in FIG. 7A) moves in the vertical direction in the figure during pulse irradiation. However, in this example, it is assumed that it does not move for the sake of simplicity of explanation.

いずれの記録パルスの場合も、パルス照射直後からパルスが終了するまでの間に、光スポット中央の融点を超えた領域は、伝熱により拡大する。しかし、短パルスの場合は、パルス照射時間が短いため、ほとんど拡大しない。   In any recording pulse, the region beyond the melting point at the center of the light spot is enlarged by heat transfer immediately after the pulse irradiation until the end of the pulse. However, in the case of a short pulse, since the pulse irradiation time is short, it hardly expands.

短パルス記録の場合、パルス終了時の光スポット中央を含む断面における温度分布は、光ビーム照射直後とほぼ同一のガウス分布形状となっており、融点以上と融点以下の境界前後では急峻な温度勾配となっている。このため、再結晶化する領域、すなわち融点をわずかに超える範囲の領域(図中、融点Tmと温度Tm2との間の温度を持つ領域)は、平面方向にはほとんど広がりを持っていない。したがって、伝熱による光スポット中央の融点以上の領域の拡大が無視できる程度の時間でレーザパワーが0となれば、再結晶化リングはごく狭い領域に限られることとなる。   In the case of short pulse recording, the temperature distribution in the cross section including the center of the light spot at the end of the pulse has almost the same Gaussian distribution as that immediately after the light beam irradiation, and a steep temperature gradient before and after the boundary between the melting point and the melting point It has become. For this reason, a region to be recrystallized, that is, a region slightly exceeding the melting point (in the figure, a region having a temperature between the melting point Tm and the temperature Tm2) has almost no spread in the planar direction. Therefore, if the laser power becomes zero within a time period in which expansion of the region above the melting point at the center of the light spot due to heat transfer is negligible, the recrystallization ring is limited to a very narrow region.

一方、従来の記録パルスによるマーク形成の場合、比較的低いパワーを長時間照射するため、光スポット中央の融点を超える領域は徐々に拡大していく(図7B上段から中段)。この際、光スポット中央を含む断面における温度分布はもはやガウス分布ではなく、よりなだらかな温度勾配を有する形状となる(図7B下段)。   On the other hand, in the case of mark formation by a conventional recording pulse, since a relatively low power is irradiated for a long time, the region exceeding the melting point at the center of the light spot is gradually enlarged (from the upper stage to the middle stage in FIG. 7B). At this time, the temperature distribution in the cross section including the center of the light spot is no longer a Gaussian distribution but a shape having a gentler temperature gradient (lower part of FIG. 7B).

このため、再結晶化する領域は、平面方向に比較的大きな広がりを持つこととなる。図7B中段の破線は再結晶化限界を示しており、この破線の内部がアモルファスマークとなる領域である。このように、従来の記録パルスでは、マーク形成時に大きな再結晶化リングを伴うこととなる。   For this reason, the region to be recrystallized has a relatively large extent in the plane direction. The broken line in the middle of FIG. 7B indicates the recrystallization limit, and the inside of this broken line is an area where an amorphous mark is formed. Thus, the conventional recording pulse is accompanied by a large recrystallization ring during mark formation.

この再結晶化リングの平面方向の幅は、パルス照射時間における融点領域の平面方向の拡散距離とほぼ同様になると考えられる。一般的な相変化材料として、熱伝導率K=0.005 J/cm/s/℃、 比熱 C=1.5 J/cm/℃、とすると、パルス照射時間内における熱拡散距離を推定することが出来る。即ち、時間tの間に、熱は距離L = (Kt/C)1/2だけ拡散すると考えられる。 The width in the planar direction of the recrystallization ring is considered to be substantially the same as the diffusion distance in the planar direction of the melting point region during the pulse irradiation time. As a general phase change material, assuming that thermal conductivity K = 0.005 J / cm / s / ° C. and specific heat C = 1.5 J / cm 3 / ° C., the thermal diffusion distance within the pulse irradiation time is estimated. I can do it. That is, during time t, heat is considered to diffuse by the distance L = (Kt / C) 1/2 .

一方、短パルス記録に要求されるパルス照射時間の上限は、この再結晶化リングの平面方向の幅が実用上問題無い程度に小さいことから定められる。   On the other hand, the upper limit of the pulse irradiation time required for short pulse recording is determined from the fact that the width in the plane direction of the recrystallization ring is so small that there is no practical problem.

図9は、HD DVD−RWの再生信号のアシンメトリと最短マーク(2T;Tはチャネルビット長 = 0.102μm)のマーク長変動量(負符号はマークが短くなる方向)との関係を示した図である。アシンメトリとは、再生信号中に含まれる最疎信号(11T)と最密信号(2T)のそれぞれの信号中心レベルの差を最疎信号振幅で除したものである。   FIG. 9 shows the relationship between the asymmetry of the playback signal of the HD DVD-RW and the mark length variation (the negative sign is the direction in which the mark becomes shorter) of the shortest mark (2T; T is the channel bit length = 0.102 μm). FIG. Asymmetry is obtained by dividing the difference between the signal center levels of the sparsest signal (11T) and the sparsest signal (2T) included in the reproduction signal by the sparsest signal amplitude.

アシンメトリの絶対値が大きいと、再生信号データのエラー率が大きくなることが判っており、HD DVD−RWでは、アシンメトリの限界値は±0.10である。図9から読み取れるように、最短マークのマーク長が変動する(この場合、マーク長が短くなる)とアシンメトリが負方向に増大し、マーク長が0.325T変動する(短くなる)とアシンメトリの下限である−0.10に達してしまう。1T(チャネルビット長)は0.102μmであるため、この0.325Tの変動は、33nmの変動に相当する。   It is known that when the absolute value of the asymmetry is large, the error rate of the reproduction signal data becomes large. In HD DVD-RW, the limit value of the asymmetry is ± 0.10. As can be seen from FIG. 9, the asymmetry increases in the negative direction when the mark length of the shortest mark fluctuates (in this case, the mark length becomes shorter), and the lower limit of the asymmetry when the mark length fluctuates by 0.325T (becomes shorter). Which is -0.10. Since 1T (channel bit length) is 0.102 μm, the fluctuation of 0.325T corresponds to the fluctuation of 33 nm.

短パルス記録では、再結晶化リングが実用上問題無いレベルまでしか生じないと仮定していることから再結晶化リングによるマーク長の変動は最大でもこの33nm以下であることが要求される。   In short pulse recording, since it is assumed that the recrystallization ring is generated only to a level where there is no practical problem, the mark length variation due to the recrystallization ring is required to be at most 33 nm or less.

なお、再結晶化リングによるマーク長短縮は、マークの前後方向に均等に生ずると考えてよいから、再結晶化リングの幅は、16.5nm以下であることが要求されると言い換えられる。熱拡散距離16.5nmに相当するパルス照射時間は上述の関係から0.82nsとなることから、これが短パルス記録に要求される上限のパルス幅と言える。   In addition, since it may be considered that the mark length shortening due to the recrystallization ring occurs uniformly in the front-rear direction of the mark, it can be said that the width of the recrystallization ring is required to be 16.5 nm or less. The pulse irradiation time corresponding to the thermal diffusion distance of 16.5 nm is 0.82 ns from the above relationship, and this can be said to be the upper limit pulse width required for short pulse recording.

既に述べたように、半導体レーザの共振器長Lと得られる緩和振動パルス幅Wrの関係
として式(2)が得られていることから、短パルス記録には、820ps以下のパルス幅
を用いること、すなわち、共振器長6560μm以下の半導体レーザを用いる必要がある
ことが分かった。
As already described, since the equation (2) is obtained as the relationship between the resonator length L of the semiconductor laser and the obtained relaxation oscillation pulse width Wr, a pulse width of 820 ps or less should be used for short pulse recording. That is, it was found that it was necessary to use a semiconductor laser having a resonator length of 6560 μm or less.

なお、上述の条件は、マーク長短縮が再結晶化リング形成によってのみ生ずる場合の例である。実際には、再結晶化リング形成というディスク記録膜要因の他に、マーク長変動を生ずる要因として、LD駆動回路が発生する駆動パルス幅の電気的変動、および、ディスク移動速度の変動(ディスク回転モータの回転速度変動)が考えられる。これら3要素が均等な変動要素であると考え、その自乗和平方根による変動が上述のアシンメトリ絶対値限界値である0.10に相当するような事態を考えると、再結晶化リング形成によってのみ生ずるマーク長変動の条件は上述の例よりも厳しい条件となる。3要素の自乗和平方根が0.10に相当するには、1変動要素による変動は、((0.1)/3)1/2 = 0.06となる。図9より絶対値0.06のアシンメトリ変動が生ずるマーク長変動は−0.2Tである。したがって、マーク長変動は、HD DVD−RWの最短マーク長2T=0.204μmの10%以下、すなわち、一方向で、10.2nm以下の範囲に限られることが望ましいと言える。一方向で10.2nm以下のマーク長短縮に限られるためには、上述の熱拡散距離とパルス照射時間の関係から、パルス照射時間は0.31nsとなる。すなわち、このパルス照射時間にて、短パルス記録を行なうことが望ましいことになる。 The above-described conditions are examples where the mark length is shortened only by forming the recrystallization ring. Actually, in addition to the disk recording film factor of recrystallization ring formation, the factors causing the mark length fluctuation are the electric fluctuation of the driving pulse width generated by the LD driving circuit and the fluctuation of the disk moving speed (disk rotation speed). (Motor speed fluctuation)). Considering that these three elements are equal fluctuation elements, and the situation where the fluctuation due to the square sum of squares corresponds to the above asymmetry absolute value limit value of 0.10, it occurs only by recrystallization ring formation. The condition for the mark length variation is more severe than the above example. When the square root sum of the three elements corresponds to 0.10, the fluctuation due to one fluctuation element is ((0.1 2 ) / 3) 1/2 = 0.06. From FIG. 9, the mark length variation that causes asymmetry variation with an absolute value of 0.06 is -0.2T. Therefore, it can be said that the mark length variation is desirably limited to 10% or less of the shortest mark length 2T = 0.204 μm of HD DVD-RW, that is, limited to 10.2 nm or less in one direction. In order to be limited to shortening the mark length of 10.2 nm or less in one direction, the pulse irradiation time is 0.31 ns from the above-described relationship between the thermal diffusion distance and the pulse irradiation time. That is, it is desirable to perform short pulse recording during this pulse irradiation time.

この場合、既に述べたように、半導体レーザの共振器長Lと得られる緩和振動パルス幅Wrの関係として式(2)が得られていることから、短パルス記録には、310ps以下のパルス幅を用いること、すなわち、共振器長2480μm以下の半導体レーザを用いる必要があることが分かった。   In this case, as already described, since the equation (2) is obtained as the relationship between the cavity length L of the semiconductor laser and the obtained relaxation oscillation pulse width Wr, a pulse width of 310 ps or less is used for short pulse recording. That is, it is necessary to use a semiconductor laser having a resonator length of 2480 μm or less.

一方、再結晶化リングを縮小する観点から言えば、パルス照射時間は短いほど良いことになるが、現実には相変化材料を融点以上に昇温するためのエネルギーを与えるのが困難になる。すなわち極めて高いパワーを短時間に照射する必要が生じる。したがって、現実的にはパルス照射時間は50ps程度以上は必要と考えてよい。これは、式(2)の関係を用いると、共振器長400μm以上の半導体レーザが必要となることに相当する。   On the other hand, from the viewpoint of reducing the recrystallization ring, the shorter the pulse irradiation time, the better. However, in reality, it is difficult to give energy for raising the temperature of the phase change material above the melting point. That is, it is necessary to irradiate extremely high power in a short time. Therefore, in reality, it may be considered that the pulse irradiation time is required to be about 50 ps or more. This corresponds to the need for a semiconductor laser having a resonator length of 400 μm or more when using the relationship of equation (2).

式(2)から分かるように、緩和振動パルスを光ディスク1への情報記録に用いるとき、光記録装置に用いる半導体レーザ20の共振器長が決まると、緩和振動パルス幅が一意に決まることになる。上述したように、パルス幅が短い場合には、高いパワーを照射することで相変化材料を融点以上に昇温することになるが、半導体レーザ20の最高パワーで照射しても融点以上に達しない場合もある。このような場合には、緩和振動パルスを複数回照射することが有用である。   As can be seen from Equation (2), when the relaxation oscillation pulse is used for information recording on the optical disc 1, the relaxation oscillation pulse width is uniquely determined when the resonator length of the semiconductor laser 20 used in the optical recording apparatus is determined. . As described above, when the pulse width is short, the phase change material is heated to the melting point or higher by irradiating high power. However, even if the semiconductor laser 20 is irradiated at the highest power, it reaches the melting point or higher. Sometimes not. In such a case, it is useful to irradiate the relaxation oscillation pulse a plurality of times.

図8は、緩和振動パルスが3回発生するように、半導体レーザ20の駆動パルスを制御した場合の、光パルス波形である。緩和振動パルスを3回発生させることでパルスによる照射エネルギー(図中のパルスによる時間積分値)が増加することで、相変化材料を融点以上に上昇させることが可能となる。しかし、図からわかるように、1回目の緩和振動パルスに比べて、2回目、3回目のパルス強度が徐々に低下する。このため、これ以上の複数回のパルスの照射は、余り有効でない。   FIG. 8 shows an optical pulse waveform when the driving pulse of the semiconductor laser 20 is controlled so that the relaxation oscillation pulse is generated three times. By generating the relaxation oscillation pulse three times, the irradiation energy by the pulse (time integration value by the pulse in the figure) is increased, so that the phase change material can be raised above the melting point. However, as can be seen from the figure, the second and third pulse intensities gradually decrease compared to the first relaxation oscillation pulse. For this reason, irradiation of a plurality of pulses more than this is not very effective.

このように、半導体レーザ20の緩和振動パルスを用いて光記録媒体にデータを記録する光記録装置では、レーザの共振器長に応じて、緩和振動パルスのパルス数を加減することが必要となる。また、半導体レーザの定格出力が低いレーザを用いる場合にも、複数回の緩和振動パルスを用いることは有用である。   As described above, in the optical recording apparatus that records data on the optical recording medium using the relaxation oscillation pulse of the semiconductor laser 20, it is necessary to adjust the number of relaxation oscillation pulses according to the resonator length of the laser. . Even when a laser having a low rated output of the semiconductor laser is used, it is useful to use a plurality of relaxation oscillation pulses.

なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。例えば、上述の実施例では、相変化材料を用いた書換え形光ディスクを例に用いたが、これは例えば1回記録形(追記形)の光ディスクであっても、本発明は適用可能である。   Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment as it is, and can be embodied by modifying the constituent elements without departing from the scope of the invention in the implementation stage. For example, in the above-described embodiments, a rewritable optical disk using a phase change material is used as an example. However, the present invention can be applied even to a one-time recording (recordable) optical disk.

また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合わせてもよい。   Further, various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of constituent elements disclosed in the embodiment. For example, some components may be deleted from all the components shown in the embodiment. Furthermore, you may combine the component covering different embodiment suitably.

本発明の一実施形態に係る光記録装置の構成例を概略的に示す図。1 is a diagram schematically showing a configuration example of an optical recording apparatus according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態にて使用する光ディスクの断面図の一例を示す図。The figure which shows an example of sectional drawing of the optical disk used in one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る光記録装置における光源に用いる半導体レーザの一例を示す図。1 is a diagram showing an example of a semiconductor laser used as a light source in an optical recording apparatus according to an embodiment of the present invention. 通常の記録を行う際の半導体レーザの駆動電流の波形の一例を示す図。The figure which shows an example of the waveform of the drive current of the semiconductor laser at the time of performing normal recording. 通常の記録を行う際の半導体レーザの出射波形の一例を示す図。The figure which shows an example of the emitted waveform of the semiconductor laser at the time of performing normal recording. 緩和振動パルスを生成する際の半導体レーザの駆動電流の波形の一例を示す図。The figure which shows an example of the waveform of the drive current of a semiconductor laser at the time of producing | generating a relaxation oscillation pulse. 緩和振動パルスを生成する際の半導体レーザの出射波形の一例を表す図。The figure showing an example of the outgoing waveform of a semiconductor laser at the time of generating relaxation oscillation pulse. 共振器長が650μmの半導体レーザによる緩和振動波形の計測結果の一例を示す図。The figure which shows an example of the measurement result of the relaxation oscillation waveform by the semiconductor laser whose resonator length is 650 micrometers. 従来の記録パルスにより形成されたアモルファスマークについて説明するための図。The figure for demonstrating the amorphous mark formed of the conventional recording pulse. 短パルスにより形成されたアモルファスマークについて説明するための図。The figure for demonstrating the amorphous mark formed of the short pulse. 短パルス記録の場合の記録トラック上の温度分布の一例を説明するための図。The figure for demonstrating an example of the temperature distribution on the recording track in the case of short pulse recording. 従来の記録パルスによる記録の場合の記録トラック上の温度分布の一例を説明するための図。The figure for demonstrating an example of the temperature distribution on the recording track in the case of the recording by the conventional recording pulse. 緩和振動パルスが3回発生するように、半導体レーザの駆動パルスを制御した場合の光パルス波形の一例を示す図。The figure which shows an example of the optical pulse waveform at the time of controlling the drive pulse of a semiconductor laser so that a relaxation oscillation pulse may generate | occur | produce 3 times. 再結晶化リングの許容範囲の一例について説明するための図。The figure for demonstrating an example of the tolerance | permissible_range of a recrystallization ring.

符号の説明Explanation of symbols

Ibi…バイアス電流、Ipe…ピーク電流、Ith…閾値電流、L…共振器長、1…光ディスク(記録媒体)、20…半導体レーザ光源、21…コリメートレンズ、24…対物レンズ、26…光検出器、27…演算回路、29…半導体レーザ駆動回路   Ibi ... bias current, Ipe ... peak current, Ith ... threshold current, L ... resonator length, 1 ... optical disk (recording medium), 20 ... semiconductor laser light source, 21 ... collimator lens, 24 ... objective lens, 26 ... photodetector 27 ... arithmetic circuit, 29 ... semiconductor laser driving circuit

Claims (9)

単一のパルスの半値全幅が820ps以下の緩和振動パルスを出力する光源と、
前記光源を駆動する駆動手段と、
前記光源からの出射光を記録媒体の記録層に集光し、前記記録媒体の記録層で反射された反射光を捕捉する対物レンズと、
前記光源と前記対物レンズとの間に配置され、入射した光を分配する分配手段と、
前記分配手段を介して前記記録媒体の記録層で反射された反射光を受光する光検出手段と、
前記光源の共振器長は6560μm以下である光記録ヘッド装置であって、
前記緩和振動の1周期分以上3周期分以下のパルス列から構成される一個の記録パルスにより、前記記録媒体の記録層を融点以上に上昇させ、単一のマークを記録する光記録ヘッド装置。
A light source that outputs a relaxation oscillation pulse having a full width at half maximum of a single pulse of 820 ps or less;
Driving means for driving the light source;
An objective lens that collects the light emitted from the light source on the recording layer of the recording medium and captures the reflected light reflected by the recording layer of the recording medium;
A distribution means disposed between the light source and the objective lens, for distributing incident light;
Light detecting means for receiving reflected light reflected by the recording layer of the recording medium through the distributing means;
An optical recording head device having a resonator length of the light source of 6560 μm or less,
An optical recording head device for recording a single mark by raising the recording layer of the recording medium to a melting point or higher by one recording pulse composed of a pulse train of 1 cycle to 3 cycles of the relaxation oscillation .
単一のパルスの半値全幅が310ps以下の緩和振動パルスを出力する光源と、
前記光源を駆動する駆動手段と、
前記光源からの出射光を記録媒体の記録層に集光し、前記記録媒体の記録層で反射された反射光を捕捉する対物レンズと、
前記光源と前記対物レンズとの間に配置され、入射した光を分配する分配手段と、
前記分配手段を介して前記記録媒体の記録層で反射された反射光を受光する光検出手段と、
前記光源の共振器長は2480μm以下である光記録ヘッド装置であって、
前記緩和振動の1周期分以上3周期分以下のパルス列から構成される一個の記録パルスにより、前記記録媒体の記録層を融点以上に上昇させ、単一のマークを記録する光記録ヘッド装置。
A light source that outputs a relaxation oscillation pulse having a full width at half maximum of a single pulse of 310 ps or less;
Driving means for driving the light source;
An objective lens that collects the light emitted from the light source on the recording layer of the recording medium and captures the reflected light reflected by the recording layer of the recording medium;
A distribution means disposed between the light source and the objective lens, for distributing incident light;
Light detecting means for receiving reflected light reflected by the recording layer of the recording medium through the distributing means;
An optical recording head device in which a resonator length of the light source is 2480 μm or less,
An optical recording head device for recording a single mark by raising the recording layer of the recording medium to a melting point or higher by one recording pulse composed of a pulse train of 1 cycle to 3 cycles of the relaxation oscillation .
前記緩和振動パルスの単一のパルスの半値全幅は50ps以上である請求項1または請求項2記載の光記録ヘッド装置。 3. The optical recording head device according to claim 1, wherein a full width at half maximum of a single pulse of the relaxation oscillation pulse is 50 ps or more. 単一のパルスの半値全幅が820ps以下の緩和振動パルスを出力する光源と、前記光源を駆動する駆動手段と、前記光源からの出射光を記録媒体の記録層に集光し、前記記録媒体の記録層で反射された反射光を捕捉する対物レンズと、前記光源と前記対物レンズとの間に配置され、入射した光を分配する分配手段と、前記分配手段を介して前記記録媒体の記録層で反射された反射光を受光する光検出手段と、を備えた光記録ヘッド装置と、 前記光検出手段から出力された信号に基づいて、再生信号を演算する演算手段と、
前記駆動手段と前記演算手段とを制御する制御手段と、を備え、
前記光源の共振器長は6560μm以下である光記録装置であって、
前記緩和振動の1周期分以上3周期分以下のパルス列から構成される一個の記録パルスにより、前記記録媒体の記録層を融点以上に上昇させ、単一のマークを記録する光記録装置。
A light source that outputs a relaxation oscillation pulse with a full width at half maximum of a single pulse of 820 ps or less, a driving means that drives the light source, and light emitted from the light source is condensed on a recording layer of the recording medium, An objective lens that captures reflected light reflected by the recording layer, a distribution unit that is disposed between the light source and the objective lens, distributes incident light, and a recording layer of the recording medium via the distribution unit An optical recording head device comprising: a light detection unit that receives the reflected light reflected by the light detection unit; a calculation unit that calculates a reproduction signal based on a signal output from the light detection unit;
Control means for controlling the driving means and the computing means,
An optical recording apparatus in which a resonator length of the light source is 6560 μm or less,
An optical recording apparatus for recording a single mark by raising the recording layer of the recording medium to a melting point or higher by one recording pulse composed of a pulse train of 1 cycle to 3 cycles of the relaxation oscillation .
単一のパルスの半値全幅が310ps以下の緩和振動パルスを出力する光源と、前記光源を駆動する駆動手段と、前記光源からの出射光を記録媒体の記録層に集光し、前記記録媒体の記録層で反射された反射光を捕捉する対物レンズと、前記光源と前記対物レンズとの間に配置され、入射した光を分配する分配手段と、前記分配手段を介して前記記録媒体の記録層で反射された反射光を受光する光検出手段と、を備えた光記録ヘッド装置と、 前記光検出手段から出力された信号に基づいて、再生信号を演算する演算手段と、
前記駆動手段と前記演算手段とを制御する制御手段と、を備え、
前記光源の共振器長は2480μm以下である光記録装置であって、
前記緩和振動の1周期分以上3周期分以下のパルス列から構成される一個の記録パルスにより、前記記録媒体の記録層を融点以上に上昇させ、単一のマークを記録する光記録装置。
A light source that outputs a relaxation oscillation pulse with a full width at half maximum of a single pulse of 310 ps or less, a driving means that drives the light source, and light emitted from the light source is condensed on a recording layer of the recording medium, An objective lens that captures reflected light reflected by the recording layer, a distribution unit that is disposed between the light source and the objective lens, distributes incident light, and a recording layer of the recording medium via the distribution unit An optical recording head device comprising: a light detection unit that receives the reflected light reflected by the light detection unit; a calculation unit that calculates a reproduction signal based on a signal output from the light detection unit;
Control means for controlling the driving means and the computing means,
An optical recording apparatus in which a resonator length of the light source is 2480 μm or less,
An optical recording apparatus for recording a single mark by raising the recording layer of the recording medium to a melting point or higher by one recording pulse composed of a pulse train of 1 cycle to 3 cycles of the relaxation oscillation .
前記緩和振動パルスの単一のパルスの半値全幅は50ps以上である請求項4または請求項5記載の光記録装置。 6. The optical recording apparatus according to claim 4, wherein a full width at half maximum of a single pulse of the relaxation oscillation pulse is 50 ps or more. 共振器長が6560μm以下である光源を有する光記録装置による記録方法であって、
光源の閾値電流よりも低いレベルに設定された駆動電流を生成する生成ステップと、
前記駆動電流を前記光源に入力して前記光源を駆動する駆動ステップと、
前記駆動電流を所定時間ピーク電流レベルまで引き上げて、前記光源に単一のパルスの半値全幅が820ps以下の緩和振動パルスを出力させる出力ステップと、を備えた記録方法であって、
前記出力ステップは、前記光源に緩和振動の1周期分以上3周期分以下のパルス列から構成される一個の記録パルスを出力させて前記記録媒体の記録層を融点以上に上昇させ、単一のマークを記録する記録方法。
A recording method by an optical recording apparatus having a light source having a resonator length of 6560 μm or less,
Generating step for generating a drive current set at a level lower than the threshold current of the light source;
A drive step of driving the light source by inputting the drive current to the light source;
An output step of raising the drive current to a peak current level for a predetermined time and outputting a relaxation oscillation pulse having a full width at half maximum of a single pulse of 820 ps or less to the light source,
In the output step, the recording layer of the recording medium is raised above the melting point by causing the light source to output one recording pulse composed of a pulse train of one period or more and three periods or less of relaxation oscillation, and a single mark Recording method to record.
共振器長が2480μm以下である光源を有する光記録装置による記録方法であって、
光源の閾値電流よりも低いレベルに設定された駆動電流を生成する生成ステップと、
前記駆動電流を前記光源に入力して前記光源を駆動する駆動ステップと、
前記駆動電流を所定時間ピーク電流レベルまで引き上げて、前記光源に単一のパルスの半値全幅が310ps以下の緩和振動パルスを出力させる出力ステップと、を備えた記録方法であって、
前記出力ステップは、前記光源に緩和振動の1周期分以上3周期分以下のパルス列から構成される一個の記録パルスを出力させて前記記録媒体の記録層を融点以上に上昇させ、単一のマークを記録する記録方法。
A recording method by an optical recording apparatus having a light source having a resonator length of 2480 μm or less,
Generating step for generating a drive current set at a level lower than the threshold current of the light source;
A drive step of driving the light source by inputting the drive current to the light source;
An output step of raising the drive current to a peak current level for a predetermined time and outputting a relaxation oscillation pulse having a full width at half maximum of a single pulse of 310 ps or less to the light source,
In the output step, the recording layer of the recording medium is raised above the melting point by causing the light source to output one recording pulse composed of a pulse train of one period or more and three periods or less of relaxation oscillation, and a single mark Recording method to record.
前記出力ステップで前記光源から出力される前記緩和振動パルスの単一のパルスの半値全幅は50ps以上である請求項7または請求項8記載の記録方法。 The recording method according to claim 7 or 8, wherein a full width at half maximum of a single pulse of the relaxation oscillation pulse output from the light source in the output step is 50 ps or more.
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