JP4350445B2 - Piezoelectric resonator and filter - Google Patents

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Description

【0001】
【発明が属する技術分野】
本発明は、レゾネータやフィルタなどに適用されるSH波の表面波を利用した端面反射型の圧電共振子及びフィルタに関するものである。
【0002】
【従来技術】
従来より、通信機器、電子機器にはマイクロコンピュータなどが多用されており、このようなマイクロコンピュータにはクロック発振回路などが接続されていた。
ここで、発振回路は、図9に示す等価回路のように、圧電共振素子1の両端と接地電位との間に2つの負荷容量成分15(C1 、C2) が接続され、さらに、圧電共振素子1の両端間に帰還抵抗13、インバータ14がそれぞれ接続されていた。
一般的に、安定な発振を得る為には、圧電共振素子のメイン振動のP/V値を大きくすることが必要である。尚、P/V値は20×log(Ra/Rb)で表されるもので、Raは反共振インピーダンス、Rbは共振インピーダンスとして定義される。
従来、発振子となる圧電共振素子の小型化を図るために、表面波を利用した端面反射型の表面波共振子やその表面波共振子を外装樹脂で覆ったリード付きタイプの表面波装置などの構造が提案されている。
【0003】
このような端面反射型の表面波フィルタとして、スプリアスを抑制するために、圧電基板に溝又は凹部を設けて、柔軟性を有する被覆層樹脂でIDT及び該溝又は凹部が形成されている領域を覆い、かつ被覆層が溝内に部分的に入り込んでいる端面反射型表面波フィルタが開示されている(例えば、特許文献1参照)。
【0004】
【特許文献1】
特開2003−133888号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のような従来の端面反射型の表面波フィルタでは、被覆層樹脂が溝内に部分的に入り込んでおり、IDTの電極指の重畳部分に隣接する溝内にも被覆層樹脂が入り込み、これによりSHタイプの表面波が溝にて反射されにくくなり、表面波のP/V値が悪化するという問題があった。
また、溝内に部分的に入り込む樹脂量が微妙に異なるため、電極指の重畳部分と隣接する溝ではSHタイプの表面波の反射率が場所により異なり、これにより、スプリアスが発生し易いという問題があった。
さらに、被覆層樹脂が溝内に部分的に入り込んでいるため、一部が開口しており、この開口部から外気が侵入し易く、シール信頼性に乏しいという問題があった。
本発明は上述の問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的は、溝におけるSHタイプの表面波の反射特性が良好で、シール信頼性が高い圧電共振子及びフィルタを提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明は、圧電基板の片側主面の一部に櫛歯電極からなるインターデジタルトランスデユーサ(IDT)を形成し、SHタイプの表面波を利用して駆動する圧電共振子であって、前記圧電基板の片側主面における前記IDTの電極指の外側に、該電極指に隣接して並行に前記SHタイプの表面波を反射させるための溝設けられているとともに、前記圧電基板のIDTが形成された面に対向するように、かつ前記SHタイプの表面波の振動を妨げず、前記電極指の重畳部との隣接部分における前記溝を収容する空間形成されるようにベース基板前記圧電基板に接着されており、さらに前記圧電基板と前記ベース基板との接着部分に存在する前記溝内に合成樹脂充填されており、前記電極指の重量部との隣接部分における溝には合成樹脂が充填されていないことを特徴とする
【0007】
本発明においては、前記圧電共振子は、更に
前記溝が前記圧電基板の端面まで延出されて形成されていること、
前記溝の深さは前記SHタイプ表面波の1波長(λ)以上の深さであること、
前記圧電基板の厚みが320μm以下であること、
前記ベース基板に、容量を形成する電極が形成されていること、
が望ましい。
【0008】
また、本発明は、圧電基板の片側主面の一部に櫛歯電極からなるインターデジタルトランスデユーサ(IDT)を複数形成して、各IDTを電気的に接続し、SHタイプの表面波を利用して駆動するフィルタであって、前記圧電基板の片側主面における前記IDTの電極指の外側に、該電極指に隣接して並行に前記SHタイプの表面波を反射させるための溝設けられているとともに、前記圧電基板のIDTが形成された面に対向するように、かつ前記SHタイプの表面波の振動を妨げず、前記電極指の重畳部との隣接部分における前記溝を収容する空間形成されるようにベース基板を前記圧電基板に接着されており、さらに前記圧電基板と前記ベース基板との接着部分に存在する前記溝内に合成樹脂充填されており、前記電極指の重量部との隣接部分における溝には合成樹脂が充填されていないことを特徴とするフィルタに関するものである
【0009】
【作用】
本発明の圧電共振子によれば、圧電基板の片側主面に部分的に櫛歯電極からなるIDTを備え、SHタイプの表面波を利用することから、振動部を圧電基板の片側のみに集約することができる。そのために、振動を妨げないような振動空間を形成し密閉するための目的で配置されたベース基板や被覆樹脂は、圧電基板の櫛歯電極が形成された片側主面のみに配置すればよく、圧電基板とベース基板や被覆樹脂の2枚の積層構造を基本構造とすることができ、圧電共振子としての厚みを著しく薄くすることが出来る。
特に、本発明では、圧電基板のIDTが形成された面に対向するように、かつSHタイプの表面波の振動を妨げず、電極指の重畳部との隣接部分における溝を収容する空間を形成するようにベース基板や被覆樹脂を圧電基板に接着したため、電極指の重畳部に隣接する部分の溝内には、合成樹脂は充填されておらずに空気が存在しており、SHタイプの表面波を有効に反射できるとともに、溝で均一に反射することができ、表面波のP/V値を低減させることなく、スプリアスの発生を防止できる。
また、電極指の重畳部に隣接する部分以外であって、圧電基板とベース基板や被覆樹脂との接着部分に存在する溝内には合成樹脂が充填されているため、圧電基板とベース基板との固着部分及び溝内の合成樹脂により、ベース基板や被覆樹脂内の空間が完全に密封され、外気とのシール信頼性を向上できる。
【0010】
また、SHタイプの表面波を反射させるための反射端面を構成する溝の長さは、櫛歯電極の電極指の重畳長より長くすると、SHタイプの表面波の反射をより向上でき、スプリアス発生をより効果的に抑えることが出来る。すなわち、共振及び反共振の近傍におけるスプリアスの発生を押さえる事が出来ると共に、大きなP/V値が得られる。
さらに、溝を圧電基板の端面までは延出して形成し、圧電基板の端面近傍の溝内に合成樹脂を充填することにより水分等の侵入を防止することが可能となり、また、合成樹脂を充填することで、溝の部位の強度が弱くなるのを補強するとともに、振動部領域の封止性及び気密性向上を図る事が出来る。
【0011】
また、SHタイプの表面波を反射させるための反射端面を構成する溝の深さを波長λより深くすることが望ましい。これにより、SHタイプの表面波の反射が容易になり、スプリアス発生が生じにくくなる。
【0012】
SHタイプの表面波を利用する場合、SHタイプの表面波の周波数にバルク波振動の周波数が重畳し、SHタイプの表面波のP/Vを著しく低下させてしまう問題があり、SHタイプの表面波の周波数とバルク波振動の周波数とを分離することが重要である。
本発明では、圧電基板を薄くすることで、SHタイプの表面波の周波数は一定であるもののバルク波は高周波に移動することから、SHタイプの表面波とバルク波振動とを分離することがより可能となる。
したがって、圧電基板である磁器厚みは、320μm以下、特に300μm以下であることが望ましい。SHタイプの表面波の共振周波数fr及び反共振周波数faとバルク波のスプリアス共振周波数fb1の関係を図8に示す。磁器厚みが薄くなるに従い、バルク波のスプリアスfb1が高周波側に移動するため、SHタイプの表面波のfr、faとバルク波のスプリアスfb1とが分離し易くなる。そのため、SHタイプの表面波のfr、fa間及びその近傍にスプリアスが重畳しないことから、圧電共振子として適用する場合、安定した発振を得ることが可能になる。従って、圧電基板としては薄い方がよいといえる。
【0013】
圧電基板には電気機械結合係数の大きな、チタン酸鉛PbTiOやチタン酸ジルコン酸鉛PbZrTiO及びニオブ酸ナトリウムNaNbOを主成分とした圧電セラミックスを用い、SHタイプの表面波を励振しやすくし、大きなP/V値を得ることができるのである。特に、レゾネータ用途に好適な圧電材料としては、比誘電率が約300以下と小さな値を有する、チタン酸鉛PbTiOやニオブ酸ナトリウムNaNbOを主成分とした圧電セラミックスが望ましい。
【0014】
さらには、圧電共振子のベース基板に誘電体磁器を適用することで容量を2個形成することが可能になり、負荷容量を内蔵した発振子に適した圧電共振子を得る事ができる。
さらには、圧電基板の一面に独立した複数の櫛歯電極を設け、各櫛歯電極の数を変え容量比を調整することで、フィルタとしての減衰特性を有したバンドパスフィルタの機能を得ることができる。
【0015】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明の圧電共振子の外観斜視図であり、図2は図1のA−A線に沿う断面図であり、図4は、図3において櫛歯電極からなるIDTが形成された面の平面図であり、IDTの電極指の外側に隣接して並行に磁器端面部まで溝加工されている。
図1乃至4において、符号1は圧電共振素子、1aは圧電基板、2はベース基板、3は絶縁性接着剤、4は外部端子、5は櫛歯電極(IDT)、5a、5bはIDTと電気的に接続された引き出し電極、6は櫛歯電極からなるIDTと並行に形成された溝、8は導電性バンプである。
尚、合成樹脂は、絶縁性接着剤3と同一でも異なっていてもよいので、図1〜4において、合成樹脂の充填箇所は絶縁性接着剤3の充填箇所として共通して示してある。
【0016】
本発明の圧電共振子は、圧電基板1aの片側主面にIDT5を形成して構成されており、IDT5は一対の櫛歯電極から構成されている。即ち、櫛歯電極は、電極基体55aに複数の電極指55bを平行に形成して構成され、一対の櫛歯電極の電極指55bが交互に配置され、一対の櫛歯電極の電極指55bが圧電基板1a中央部で重畳している。
一対の電極基体55aには引き出し電極5a、5bがそれぞれ接続され、これらの引き出し電極5a、5bには導電性バンプ8がそれぞれ設けられ、外部端子4とそれぞれに電気的に接続されている。
そして、本発明では、最も外側に位置する電極指55bに沿って、言い換えれば電極指55b群の両側に、電極指55bに隣接して並行にSHタイプの表面波を反射させるための溝6が直線状に形成されている。圧電基板1a端面近傍における溝6内には、言い換えれば直線状の溝6の両端部には合成樹脂が充填され、残りの中央部における溝6内には何ら充填されていない。さらに言い換えれば、圧電共振素子1とベース基板2との接着部分(空間Bの周囲)に存在する溝6内には合成樹脂3が充填されている。
この溝6内の合成樹脂3は、圧電共振素子1とベース基板2とを接着する際に充填される(充填剤と同一)。尚、予め溝6内に合成樹脂を充填した後、圧電共振素子1とベース基板2を接着しても良い。その接着領域は、圧電基板端面から図4の破線Aで示すまでの領域である。
この図4から理解されるように、圧電基板1aに、SHタイプの表面波の振動を妨げない空間Bを形成するようにベース基板2が配置され、圧電基板1aとベース基板2とが、電極指55bの重畳部(交差部)に隣接する部分(共振する部分)における溝6を取り囲むように固着されている。即ち、ベース基板2は、電極指55bの重畳部に沿って形成された溝6の両端部に位置する部分のみが合成樹脂で充填されるとともに、合成樹脂で充填された部分が、ベース基板2の外周部に接合され、中央部は何ら充填されていない。言い換えると、矩形板状の圧電共振素子1の外周部が、矩形板状のベース基板2の外周部に接着されており、その中央部は接着されておらず、空間Bが形成されている。
図3において、圧電共振素子1の端面部まで加工された溝6の端面近傍は、合成樹脂の充填、又は圧電共振素子1とベース基板2とを接着する接着剤3の塗布により塞ぐことができ、さらには外部端子形成によっても塞ぐことができるため、櫛歯電極からなるインターデジタルトランスデユーサ(IDT)の駆動部は完全に気密封止することが可能である。
【0017】
圧電基板1aは、PT(チタン酸鉛)、PZT(チタン酸ジルコン酸鉛)やニオブ酸ナトリウムNaNbO等の圧電セラミック材料、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、四棚酸リチウムなどの単結晶材料から形成されているものである。望ましくは、電気機械結合係数の大きな、チタン酸鉛PbTiOやチタン酸ジルコン酸鉛PbZrTiO及びニオブ酸ナトリウムNaNbOを主成分とした圧電セラミックス等であると大きなP/V値を得やすい。さらには、レゾネータ用途の場合、比誘電率が300以下となるチタン酸鉛PbTiO及びニオブ酸ナトリウムNaNbOを主成分とした圧電セラミックスであること望ましい。この場合、圧電基板1aの厚みは、320μm以下、特に300μm以下であることが望ましい。
【0018】
ベース基板2は、絶縁性を有するものであれば特に制限されるものではないが、例えば、チタン酸バリウムを含有した誘電体材料やアルミナ基板等のセラミックス、あるいはポリイミドや液晶ポリマー等の耐熱性に優れた樹脂材などから構成されることが望ましい。
また、櫛歯電極の材質はAlやCr、Ag、Au、Pt、Niなどが好適に使用できる。
また、櫛歯電極の電極指の外側に設けられた溝は、スライサー加工機やレーザー加工機やサンドブラスト機などにより、圧電共振素子端面から端面まで加工することができる。
ここで、櫛歯電極の最外側の電極指における電極幅は約λ/8の幅に設定されると、最外側の電極指は溝に隣接して形成されSHタイプの表面波の端面反射をより効果的にすることが可能になる。さらに、表面波の端面反射の点からは、電極指の外側に隣接した溝の長さは、電極指の重畳長より長くなるように加工されるのが望ましい。さらに、表面波の端面反射の点からも溝の深さは波長λより深く加工されるのが望ましい。
【0019】
溝の充填に使用する合成樹脂は、ヤング率が1×1010Pa以下のものがスプリアスを効果的に抑制できる。このような合成樹脂としては、エポキシ系樹脂、シリコン系樹脂、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂が例示できるがこれらに限定されるものではない。
以上のように構成された圧電共振子では、圧電基板1aのIDT5が形成された面に対向するように、かつSHタイプの表面波の振動を妨げない空間を形成するようにベース基板2を配置し、圧電基板1aとベース基板2とを電極指55bの重畳部に隣接する部分の溝6を取り囲むように固着したため、電極指55bの重畳部の隣接部分の溝6内には空気が存在しており、SHタイプの表面波を有効に反射できるとともに、溝6で均一に反射することができ、表面波のP/V値を低減させることなく、スプリアスの発生を防止できる。
また、圧電基板1aとベース基板2とが接着される部分における溝6内には合成樹脂3が充填されているため、圧電基板1aとベース基板2との固着部分及び溝6内の合成樹脂3により、ベース基板2内の空間が完全に密封され、外気とのシール信頼性を向上できる。
また、圧電共振素子1のIDT5が形成された面に、IDT5で励振されSHタイプの表面波を抑制しないような振動空間を保つようにベース基板2と合成樹脂3により固着封止した構造としたことで、低背化が可能な圧電共振子を得る事が出来る。さらには、IDT5の電極指55bの外側に隣接した溝6を形成することで、SHタイプの表面波の端面反射を可能にし、スプリアスの発生を抑制させP/V値を大きくすることができる。
さらには、複数のIDT5が形成された圧電共振素子のウエハーとベース基板を構成するウエハーを用いて、ウエハー状態で貼り合わせることで、多数個取りが可能になり生産性に優れ、低コスト化を図ることができる。
【0020】
また、ベース基板2に誘電体材料を適用し、積層構造にする事で2個の負荷容量が形成され、負荷容量を内蔵した圧電共振子を得ることができる。また、独立した櫛歯電極を形成し電気的接続を図る事でフィルタを得ることができる。例えば、ラダー型フィルタとする場合、直列に配置される圧電共振素子の共振周波数と並列に配置される反共振周波数とを合わせてフィルタの中心周波数が決定し、保証減衰量を直列列に配置した容量より並列に配置した容量を大きくすることで所望の減衰量を得ることができる。即ち、並列に配置した共振子のIDTの数を直列に配置した共振子のIDTより多くすることで減衰量を大きくすることができる。図5にラダー型フィルタを示す。
さらに、回路母基板上にマイクロコンピュータ用ICチップと圧電共振子とを実装することにより、低背な複合基板を得ることができる。
尚、上記形態では、ベース基板2を用いて空間Bを形成した例について説明したが、ベース基板2の代わりに被覆樹脂を用いて空間Bを形成し、被覆樹脂と圧電基板との間の溝内に合成樹脂を充填して圧電共振子を構成しても同様の効果が得られる。
【0021】
【実施例】
実施例1
PT系圧電磁器ウエハー(L=21mm、W=40mm、t=0.2mm)を(L)方向に分極し、鏡面出した磁器の主面上にAu電極を蒸着した。フォトリソ工程を用いて櫛歯電極からなるIDTと、IDTと電気的に導通する引き出し電極とを複数形成した。IDTは個々の圧電共振素子の中央部に相当する領域に配置した。この時、櫛歯電極からなるIDTの電極指の方向と分極方向は一致させた。その後、SHタイプの表面波を反射させるための溝を、櫛歯電極からなるIDTの最外側にスライサーにて加工して形成した。この時、IDTの重畳電極の数は16対として、電極指の重畳長は400μmとした。さらにIDTの電極指の幅は15μm、電極指と電極指との間は15μmとして、メタライゼーション比(IDT電極幅/電極間の無電極の幅)を1に設定した。IDT電極の最外側電極指の電極幅がλ/8(約7.5μm)であり、SHタイプの表面波を反射させるための溝の深さを120μmとし、溝を圧電基板の端面まで延出するように圧電基板ウエハーを加工した。該溝の両端部に、図4に示すように、ヤング率が1×10Paのエポキシ樹脂を充填した。その後、IDTと電気的に導通が図れた引き出し電極部の一部に導電性バンプを印刷した。
【0022】
次ぎに、BaTiO系誘電体を主成分としたベース基板(L=21mm、W=40mm、t=0.1mm)のウエハーの両主面に端子電極となるAg電極を印刷後焼き付けし2個の容量が形成された(各20〜50pF)負荷容量内蔵のベース基板のウエハーを作製した。その後、ベース基板のウエハー上にエポキシ系樹脂をIDTに対向しないような領域に環状に印刷し(図4に示す)、圧電磁器ウエハーのIDTが形成された面と対向するように貼り合わせ固着した。その後、個々の圧電共振子の形状に(L=2.0mm、W=2.5mm、t=0.35mm)ダイシング加工機で切断した。その後、外部端子をAgスパッタで形成し、IDTと外部端子との電気的導通を行い、図1〜4に示すような圧電共振子を得た。
このときのインピーダンス特性を測定したところ、図6に示すようにメイン周波数帯域内にスプリアスが発生せずP/V値は70dBと大きな値がえられた。この時の圧電共振子のみの容量は16pFであり、従来から使用されるレゾネータの発振素子の15pFとほぼ同等であり、発振特性においても、従来から使用される負荷容量の15〜30pFの範囲で安定した発振を示した。
【0023】
比較例1
SHタイプの表面波を反射させるための溝内全体に、即ち、電極指の重畳部分と隣接する部分にもヤング率1×10Paの合成樹脂を充填した圧電共振子を作製し、そのインピーダンス特性を図7に示す。この図7からP/V値が40dBまで低減しており、レゾネータ用途等には適さないことが判る。
【0024】
実施例2
次ぎに、実施例1において、圧電磁器厚みを変化した場合の、表面波の共振周波数fr及び反共振周波数faとバルク振動のスプリアスの関係を図8に示した。圧電磁器厚みが320μm以下の時、表面波振動のfr及びfa間にバルク波に起因したスプリアス振動が重畳しないことがわかる。従って、圧電磁器厚みは320μm以下である事が望ましい。
【0025】
【発明の効果】
本発明の圧電共振子によれば、圧電基板のIDTが形成された面に対向するように、かつSHタイプの表面波の振動を妨げず、電極指の重畳部との隣接部分における溝を収容する空間を形成するようにベース基板、被覆樹脂を設け、圧電基板とベース基板、被覆樹脂とを接着したため、電極指の重畳部に隣接する部分の溝内には空気が存在しており、SHタイプの表面波を有効に反射できるとともに、溝で均一に反射することができ、表面波のP/V値を低減させることなく、スプリアスの発生を防止できる。
また、電極指の重畳部に隣接する部分以外であって、圧電基板とベース基板、被覆樹脂間に存在する溝内には合成樹脂が充填されているため、圧電基板とベース基板、被覆樹脂との固着部分及び溝内の合成樹脂により、IDTを収容する空間が完全に密封され、外気とのシール信頼性を向上できる。
また、圧電基板の片側主面に部分的に櫛歯電極からなるIDTを備えたSHタイプの表面波を利用することで、振動部を圧電基板の片側主面のみに集約することができる。そのために、振動を妨げないような振動空間を形成し密閉するための目的で配置されたベース基板や被覆樹脂と2つの積層を基本構造とすることから、圧電共振子としての厚みを著しく薄くすることが出来るとともに、IDTと外部端子との電気的接続の信頼性を高める事が出来る。さらに、工数が容易で低コスト化に大きく寄与するものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の圧電共振子を示す外観斜視図
【図2】図1の圧電共振子のA−A線に沿った縦断面図
【図3】溝が圧電基板の端面まで延出している状態を示す圧電共振素子の斜視図
【図4】ベース基板との接着状態を示す平面図
【図5】本発明のフィルタを示す平面図
【図6】実施例1における圧電共振子のインピーダンス特性を示す図
【図7】比較例1における圧電共振子のインピーダンス特性を示す図。
【図8】圧電基板の厚みと共振周波数の関係を示す図。
【図9】本発明の圧電フィルタを示す図。
【符号の説明】
1a 圧電基板
2 ベース基板
3 絶縁性接着剤
5 櫛歯電極(IDT)
6 溝
[0001]
[Technical field to which the invention belongs]
The present invention relates to an end surface reflection type piezoelectric resonator and a filter using SH wave surface waves applied to a resonator, a filter, and the like.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, microcomputers and the like have been frequently used for communication devices and electronic devices, and a clock oscillation circuit or the like has been connected to such microcomputers.
Here, in the oscillation circuit, as shown in the equivalent circuit shown in FIG. 9, two load capacitance components 15 (C1, C2) are connected between both ends of the piezoelectric resonance element 1 and the ground potential. A feedback resistor 13 and an inverter 14 are connected between both ends of 1.
Generally, in order to obtain stable oscillation, it is necessary to increase the P / V value of the main vibration of the piezoelectric resonant element. The P / V value is expressed by 20 × log (Ra / Rb), where Ra is defined as an anti-resonance impedance and Rb is defined as a resonance impedance.
Conventionally, in order to reduce the size of a piezoelectric resonator element as an oscillator, an end surface reflection type surface wave resonator using a surface wave or a surface wave device with a lead in which the surface wave resonator is covered with an exterior resin, etc. The structure is proposed.
[0003]
As such an end surface reflection type surface acoustic wave filter, in order to suppress spurious, a groove or a recess is provided in the piezoelectric substrate, and an IDT and a region where the groove or the recess is formed with a flexible coating layer resin. An end surface reflection type surface acoustic wave filter that covers and a coating layer partially enters a groove is disclosed (for example, see Patent Document 1).
[0004]
[Patent Document 1]
JP 2003-133888 A
[Problems to be solved by the invention]
However, in the conventional end surface reflection type surface acoustic wave filter as described above, the coating layer resin partially enters the groove, and the coating layer resin also enters the groove adjacent to the overlapping portion of the electrode finger of the IDT. As a result, there is a problem that the SH type surface wave is hardly reflected by the groove, and the P / V value of the surface wave is deteriorated.
In addition, since the amount of resin that partially enters the groove is slightly different, the reflectivity of the SH type surface wave differs depending on the groove in the groove adjacent to the overlapping portion of the electrode finger, and this tends to cause spurious. was there.
Further, since the coating layer resin partially enters the groove, a part of the resin is opened, and there is a problem that outside air easily enters from the opening and seal reliability is poor.
The present invention has been devised in view of the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a piezoelectric resonator and a filter having good SH-type surface wave reflection characteristics in a groove and high sealing reliability. With the goal.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
The present invention is a piezoelectric resonator in which an interdigital transducer (IDT) composed of comb-teeth electrodes is formed on a part of one side main surface of a piezoelectric substrate and driven using SH type surface waves, outside of the IDT electrode fingers in one main surface of the piezoelectric substrate, grooves provided Rutotomoni for reflecting the surface wave of the SH type in parallel and adjacent to the electrode fingers, IDT of the piezoelectric substrate as opposed to the formed surface, and the not hinder the vibration of the SH type surface wave, the base substrate so that a space for housing the grooves in the adjacent portion of the overlapped portion of the electrode fingers is formed a is bonded to the piezoelectric substrate, further wherein being a synthetic resin in the groove present in the adhesive portion filled between the piezoelectric substrate and the base substrate, the grooves in adjacent parts of the parts of the electrode fingers is synthesized resin And wherein the unfilled.
[0007]
In the present invention, the piezoelectric resonator may further (1) that the groove is formed is extended to the end surface of the piezoelectric substrate,
(2) the depth of the groove is 1 wavelength (lambda) or more of the depth of the SH type surface wave,
(3) the thickness of the piezoelectric substrate is less than 320 .mu.m,
(4) to the base substrate, that the electrodes forming a capacitor are formed,
Is desirable.
[0008]
In the present invention, a plurality of interdigital transducers (IDTs) composed of comb-teeth electrodes are formed on a part of one main surface of the piezoelectric substrate, and each IDT is electrically connected to generate SH type surface waves. a filter which is driven by utilizing, on the outside of the IDT electrode fingers in one main surface of the piezoelectric substrate, grooves for reflecting the surface wave of the SH type in parallel and adjacent to the electrode fingers provided It is not Rutotomoni, so as to face the surface on which IDT is formed of the piezoelectric substrate, and does not interfere with the vibration of the surface wave of the SH type, accommodating the grooves in the adjacent portion of the overlapped portion of the electrode fingers space are bonded to the base substrate to the piezoelectric substrate so that is formed, is further synthetic resin filled in the groove present in the bonding portion between the piezoelectric substrate and the base substrate, the electrode fingers weight The grooves in the adjacent portion of the relate filter, wherein the synthetic resin is not filled.
[0009]
[Action]
According to the piezoelectric resonator of the present invention, an IDT consisting of a comb-teeth electrode is partially provided on one side main surface of the piezoelectric substrate, and an SH type surface wave is used. Therefore, the vibration part is concentrated only on one side of the piezoelectric substrate. can do. Therefore, the base substrate and the coating resin arranged for the purpose of forming and sealing a vibration space that does not hinder vibration may be arranged only on one side main surface on which the comb electrode of the piezoelectric substrate is formed, A laminated structure of two sheets of a piezoelectric substrate, a base substrate and a coating resin can be used as a basic structure, and the thickness as a piezoelectric resonator can be remarkably reduced.
In particular, in the present invention, a space for accommodating a groove in a portion adjacent to the overlapping portion of the electrode finger is formed so as to face the surface on which the IDT of the piezoelectric substrate is formed and does not disturb the vibration of the SH type surface wave. Since the base substrate and the coating resin are bonded to the piezoelectric substrate, air is present in the groove in the portion adjacent to the overlapping portion of the electrode finger without being filled with the synthetic resin. Waves can be reflected effectively, and can be uniformly reflected by the grooves, and spurious generation can be prevented without reducing the P / V value of surface waves.
In addition, since the groove existing in the bonding portion between the piezoelectric substrate and the base substrate or the coating resin other than the portion adjacent to the overlapping portion of the electrode finger is filled with the synthetic resin, the piezoelectric substrate and the base substrate The space in the base substrate and the coating resin is completely sealed by the fixing portion and the synthetic resin in the groove, and the reliability of sealing with the outside air can be improved.
[0010]
In addition, if the length of the groove constituting the reflection end surface for reflecting the SH type surface wave is longer than the overlapping length of the electrode fingers of the comb-teeth electrode, the reflection of the SH type surface wave can be further improved and spurious is generated. Can be suppressed more effectively. That is, spurious generation near the resonance and anti-resonance can be suppressed, and a large P / V value can be obtained.
Furthermore, it is possible to prevent the intrusion of moisture etc. by filling the groove in the vicinity of the end face of the piezoelectric substrate and filling the groove with the synthetic resin, and extending the groove to the end face of the piezoelectric substrate. By doing so, it is possible to reinforce that the strength of the groove portion is weakened, and to improve the sealing property and the air tightness of the vibration part region.
[0011]
Further, it is desirable that the depth of the groove constituting the reflection end face for reflecting the SH type surface wave is deeper than the wavelength λ. Thereby, the reflection of the SH type surface wave is facilitated, and spurious generation is less likely to occur.
[0012]
When using an SH type surface wave, there is a problem that the frequency of the bulk wave vibration is superimposed on the frequency of the SH type surface wave and the P / V of the SH type surface wave is significantly reduced. It is important to separate the wave frequency from the bulk wave vibration frequency.
In the present invention, by thinning the piezoelectric substrate, the frequency of the SH type surface wave is constant, but the bulk wave moves to a high frequency, so it is more possible to separate the SH type surface wave from the bulk wave vibration. It becomes possible.
Accordingly, it is desirable that the thickness of the porcelain as the piezoelectric substrate is 320 μm or less, particularly 300 μm or less. FIG. 8 shows the relationship between the resonance frequency fr and antiresonance frequency fa of the SH type surface wave and the spurious resonance frequency fb1 of the bulk wave. As the thickness of the porcelain decreases, the spurious fb1 of the bulk wave moves to the high frequency side, so that the SH type surface wave fr and fa and the spurious fb1 of the bulk wave are easily separated. Therefore, since spurious waves do not overlap between the fr and fa of the SH type surface wave and in the vicinity thereof, when applied as a piezoelectric resonator, stable oscillation can be obtained. Therefore, it can be said that a thinner piezoelectric substrate is better.
[0013]
Big electromechanical coupling coefficient of the piezoelectric substrate, a piezoelectric ceramic mainly composed of lead titanate PbTiO 3 and lead zirconate titanate PbZrTiO 3 and sodium niobate NaNbO 3, and easier to excite SH type surface acoustic wave A large P / V value can be obtained. In particular, suitable piezoelectric material in resonator applications, the dielectric constant has a smaller value of about 300 or less, the piezoelectric ceramic is preferable that a main component of lead titanate PbTiO 3 and sodium niobate NaNbO 3.
[0014]
Furthermore, it is possible to form two capacitors by applying a dielectric ceramic to the base substrate of the piezoelectric resonator, and a piezoelectric resonator suitable for an oscillator having a built-in load capacitor can be obtained.
Furthermore, by providing a plurality of independent comb-teeth electrodes on one surface of the piezoelectric substrate, and changing the number of each comb-teeth electrode and adjusting the capacitance ratio, the function of a bandpass filter having an attenuation characteristic as a filter can be obtained. Can do.
[0015]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
1 is an external perspective view of the piezoelectric resonator of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 1, and FIG. 4 is an IDT formed of comb-shaped electrodes in FIG. FIG. 5 is a plan view of the surface, and is grooved in parallel to the outer surface of the electrode finger of the IDT to the end face of the porcelain.
1 to 4, reference numeral 1 is a piezoelectric resonance element, 1a is a piezoelectric substrate, 2 is a base substrate, 3 is an insulating adhesive, 4 is an external terminal, 5 is a comb electrode (IDT), and 5a and 5b are IDTs. Electrically connected lead electrodes, 6 are grooves formed in parallel with the IDT made of comb-teeth electrodes, and 8 are conductive bumps.
Since the synthetic resin may be the same as or different from the insulating adhesive 3, the filling location of the synthetic resin is commonly shown as the filling location of the insulating adhesive 3 in FIGS.
[0016]
The piezoelectric resonator of the present invention is configured by forming IDT 5 on one side main surface of piezoelectric substrate 1a, and IDT 5 is configured by a pair of comb-tooth electrodes. That is, the comb electrode is configured by forming a plurality of electrode fingers 55b in parallel on the electrode base 55a, a pair of comb electrode electrodes 55b are alternately arranged, and a pair of comb electrode electrodes 55b are arranged. The piezoelectric substrate 1a is overlapped at the center.
Lead electrodes 5a and 5b are connected to the pair of electrode bases 55a, and conductive bumps 8 are provided on the lead electrodes 5a and 5b, respectively, and are electrically connected to the external terminals 4, respectively.
In the present invention, there are grooves 6 for reflecting SH type surface waves in parallel with the electrode fingers 55b along the outermost electrode fingers 55b, in other words, on both sides of the electrode fingers 55b group. It is formed in a straight line. In the groove 6 near the end surface of the piezoelectric substrate 1a, in other words, both ends of the linear groove 6 are filled with synthetic resin, and the groove 6 in the remaining central portion is not filled at all. Furthermore, in other words, the synthetic resin 3 is filled in the groove 6 existing in the bonded portion (around the space B) between the piezoelectric resonant element 1 and the base substrate 2.
The synthetic resin 3 in the groove 6 is filled when the piezoelectric resonant element 1 and the base substrate 2 are bonded (the same as the filler). In addition, after filling the groove 6 with the synthetic resin in advance, the piezoelectric resonant element 1 and the base substrate 2 may be bonded. The adhesion region is a region from the end face of the piezoelectric substrate to a position indicated by a broken line A in FIG.
As can be understood from FIG. 4, the base substrate 2 is disposed in the piezoelectric substrate 1a so as to form a space B that does not hinder the vibration of the SH type surface wave, and the piezoelectric substrate 1a and the base substrate 2 are provided with electrodes. It is fixed so as to surround the groove 6 in the portion (resonating portion) adjacent to the overlapping portion (intersection portion) of the finger 55b. That is, the base substrate 2 is filled with the synthetic resin only at the portions located at both ends of the groove 6 formed along the overlapping portion of the electrode fingers 55b, and the portion filled with the synthetic resin is filled with the synthetic resin. The central part is not filled at all. In other words, the outer peripheral portion of the rectangular plate-shaped piezoelectric resonance element 1 is bonded to the outer peripheral portion of the rectangular plate-shaped base substrate 2, and the central portion is not bonded, and a space B is formed.
In FIG. 3, the vicinity of the end face of the groove 6 processed to the end face portion of the piezoelectric resonance element 1 can be closed by filling with synthetic resin or by applying an adhesive 3 that bonds the piezoelectric resonance element 1 and the base substrate 2. In addition, since it can be closed by forming an external terminal, the driving part of the interdigital transducer (IDT) composed of comb electrodes can be completely hermetically sealed.
[0017]
The piezoelectric substrate 1a is, PT (lead titanate), PZT (lead zirconate titanate) or a piezoelectric ceramic material such as sodium niobate NaNbO 3, lithium tantalate, lithium niobate, a single crystal material such as Yontanasan lithium Is formed. Preferably, the electromechanical coupling factor large, easy to obtain a large P / V value If it is piezoelectric ceramics mainly composed of lead titanate PbTiO 3 and lead zirconate titanate PbZrTiO 3 and sodium niobate NaNbO 3. Furthermore, if the resonator applications, the dielectric constant is desirable piezoelectric ceramic mainly composed of lead titanate PbTiO 3 and sodium niobate NaNbO 3 to be 300 or less. In this case, the thickness of the piezoelectric substrate 1a is desirably 320 μm or less, particularly 300 μm or less.
[0018]
The base substrate 2 is not particularly limited as long as it has an insulating property. For example, the base substrate 2 has a heat resistance such as a dielectric material containing barium titanate, ceramics such as an alumina substrate, polyimide, liquid crystal polymer, or the like. It is desirable to be composed of an excellent resin material.
Moreover, the material of the comb electrode can be suitably used Al, Cr, Ag, Au, Pt, Ni or the like.
Further, the groove provided on the outer side of the electrode finger of the comb-teeth electrode can be processed from the end face to the end face of the piezoelectric resonant element by a slicer processing machine, a laser processing machine, a sand blasting machine, or the like.
Here, when the electrode width of the outermost electrode finger of the comb-teeth electrode is set to a width of about λ / 8, the outermost electrode finger is formed adjacent to the groove to reflect the end face reflection of the SH type surface wave. It becomes possible to be more effective. Further, from the point of end face reflection of the surface wave, it is desirable that the length of the groove adjacent to the outside of the electrode finger is processed to be longer than the overlapping length of the electrode finger. Further, it is desirable that the depth of the groove is processed to be deeper than the wavelength λ from the point of reflection of the end face of the surface wave.
[0019]
As for the synthetic resin used for filling the groove, spurious can be effectively suppressed when the Young's modulus is 1 × 10 10 Pa or less. Examples of such a synthetic resin include, but are not limited to, epoxy resins, silicon resins, acrylic resins, and urethane resins.
In the piezoelectric resonator configured as described above, the base substrate 2 is disposed so as to face the surface of the piezoelectric substrate 1a where the IDT 5 is formed and to form a space that does not hinder the vibration of the SH type surface wave. Since the piezoelectric substrate 1a and the base substrate 2 are fixed so as to surround the groove 6 adjacent to the overlapping portion of the electrode finger 55b, air exists in the groove 6 adjacent to the overlapping portion of the electrode finger 55b. In addition, the SH type surface wave can be effectively reflected, and the groove 6 can be reflected uniformly, and the occurrence of spurious can be prevented without reducing the P / V value of the surface wave.
Since the groove 6 in the portion where the piezoelectric substrate 1a and the base substrate 2 are bonded is filled with the synthetic resin 3, the fixing portion between the piezoelectric substrate 1a and the base substrate 2 and the synthetic resin 3 in the groove 6 are filled. Thus, the space in the base substrate 2 is completely sealed, and the sealing reliability with the outside air can be improved.
Further, the surface of the piezoelectric resonator element 1 on which the IDT 5 is formed is fixed and sealed with the base substrate 2 and the synthetic resin 3 so as to maintain a vibration space that is excited by the IDT 5 and does not suppress the SH type surface wave. Thus, a piezoelectric resonator that can be reduced in height can be obtained. Furthermore, by forming the groove 6 adjacent to the outside of the electrode finger 55b of the IDT 5, it is possible to reflect the end face of the SH type surface wave, suppress the occurrence of spurious, and increase the P / V value.
Furthermore, by using the wafer constituting the wafer and the base substrate of the piezoelectric resonator element in which a plurality of IDT5 is formed by bonding at the wafer state, high productivity enables multi-cavity, the cost Can be planned.
[0020]
In addition, by applying a dielectric material to the base substrate 2 to form a laminated structure, two load capacitors are formed, and a piezoelectric resonator having a built-in load capacitor can be obtained. Moreover, a filter can be obtained by forming an independent comb-tooth electrode and achieving electrical connection. For example, in the case of a ladder filter, the center frequency of the filter is determined by combining the resonance frequency of the piezoelectric resonance element arranged in series with the anti-resonance frequency arranged in parallel, and the guaranteed attenuation amount is arranged in a series row. A desired attenuation can be obtained by increasing the capacitance arranged in parallel to the capacitance. That is, the amount of attenuation can be increased by increasing the number of IDTs of the resonators arranged in parallel to the IDTs of the resonators arranged in series. FIG. 5 shows a ladder type filter.
Furthermore, a low-profile composite substrate can be obtained by mounting a microcomputer IC chip and a piezoelectric resonator on a circuit mother substrate.
In the above embodiment, the example in which the space B is formed using the base substrate 2 has been described. However, the space B is formed using a coating resin instead of the base substrate 2, and a groove between the coating resin and the piezoelectric substrate is formed. The same effect can be obtained even if a piezoelectric resonator is formed by filling a synthetic resin inside.
[0021]
【Example】
Example 1
A PT-based piezoelectric ceramic wafer (L = 21 mm, W = 40 mm, t = 0.2 mm) was polarized in the (L) direction, and an Au electrode was vapor-deposited on the main surface of the mirrored ceramic. A plurality of IDTs composed of comb-tooth electrodes and lead electrodes that are electrically connected to the IDTs were formed using a photolithography process. The IDT is disposed in a region corresponding to the central portion of each piezoelectric resonant element. At this time, the direction of the electrode finger of the IDT composed of comb-teeth electrodes was matched with the polarization direction. Thereafter, a groove for reflecting the SH type surface wave was formed by processing with a slicer on the outermost side of the IDT composed of comb-tooth electrodes. At this time, the number of IDT overlap electrodes was 16 pairs, and the electrode finger overlap length was 400 μm. Furthermore, the width of the electrode finger of the IDT was 15 μm, the distance between the electrode finger was 15 μm, and the metallization ratio (IDT electrode width / no electrode width between electrodes) was set to 1. The electrode width of the outermost electrode finger of the IDT electrode is λ / 8 (about 7.5 μm), the depth of the groove for reflecting the SH type surface wave is 120 μm, and the groove extends to the end face of the piezoelectric substrate The piezoelectric substrate wafer was processed as described above. Both ends of the groove were filled with an epoxy resin having a Young's modulus of 1 × 10 9 Pa as shown in FIG. Thereafter, conductive bumps were printed on a part of the lead electrode portion that was electrically connected to the IDT.
[0022]
Next, an Ag electrode serving as a terminal electrode is printed and printed on both main surfaces of a wafer of a base substrate (L = 21 mm, W = 40 mm, t = 0.1 mm) based on a BaTiO 3 system dielectric as a main component. A base substrate wafer with a built-in load capacitance (20 to 50 pF each) was fabricated. Thereafter, an epoxy resin was printed in a ring shape on the base substrate wafer so as not to face the IDT (shown in FIG. 4), and bonded and fixed so as to face the surface of the piezoelectric ceramic wafer on which the IDT was formed. . Then, it cut | disconnected with the dicing machine to the shape of each piezoelectric resonator (L = 2.0mm, W = 2.5mm, t = 0.35mm). Thereafter, an external terminal was formed by Ag sputtering, and electrical conduction between the IDT and the external terminal was performed to obtain a piezoelectric resonator as shown in FIGS.
When the impedance characteristic at this time was measured, spurious was not generated in the main frequency band as shown in FIG. 6, and the P / V value was as large as 70 dB. At this time, the capacitance of only the piezoelectric resonator is 16 pF, which is substantially equivalent to 15 pF of the resonator element used in the related art, and also in the oscillation characteristics within the range of 15 to 30 pF of the load capacity used conventionally. Stable oscillation was shown.
[0023]
Comparative Example 1
A piezoelectric resonator in which a synthetic resin having a Young's modulus of 1 × 10 9 Pa is filled in the entire groove for reflecting an SH type surface wave, that is, a portion adjacent to the overlapping portion of the electrode finger, and its impedance is produced. The characteristics are shown in FIG. As can be seen from FIG. 7, the P / V value is reduced to 40 dB, which is not suitable for a resonator.
[0024]
Example 2
Next, in Example 1, the relationship between the resonance frequency fr and anti-resonance frequency fa of the surface wave and the spurious of the bulk vibration when the thickness of the piezoelectric ceramic is changed is shown in FIG. It can be seen that when the thickness of the piezoelectric ceramic is 320 μm or less, spurious vibration due to the bulk wave is not superimposed between fr and fa of the surface wave vibration. Accordingly, the thickness of the piezoelectric ceramic is desirably 320 μm or less.
[0025]
【The invention's effect】
According to the piezoelectric resonator of the present invention, the groove in the portion adjacent to the overlapping portion of the electrode finger is accommodated so as to face the surface of the piezoelectric substrate on which the IDT is formed and does not disturb the vibration of the SH type surface wave. Since the base substrate and the coating resin are provided so as to form a space to be bonded and the piezoelectric substrate, the base substrate, and the coating resin are bonded, air exists in the groove in the portion adjacent to the overlapping portion of the electrode finger, and SH The surface wave of the type can be effectively reflected and can be uniformly reflected by the groove, and spurious can be prevented without reducing the P / V value of the surface wave.
In addition, since the synthetic resin is filled in the grooves existing between the piezoelectric substrate, the base substrate, and the coating resin, except for the portion adjacent to the overlapping portion of the electrode fingers, the piezoelectric substrate, the base substrate, and the coating resin The space where the IDT is accommodated is completely sealed by the fixing portion and the synthetic resin in the groove, and the reliability of sealing with the outside air can be improved.
Further, by using SH type surface waves provided with IDTs that are partially composed of comb-teeth electrodes on one side main surface of the piezoelectric substrate, it is possible to concentrate the vibration part only on one side main surface of the piezoelectric substrate. For this purpose, the thickness of the piezoelectric resonator is remarkably reduced because the base substrate and the coating resin disposed for the purpose of forming and sealing a vibration space that does not hinder vibration and a two-layer structure are used as a basic structure. In addition, the reliability of the electrical connection between the IDT and the external terminal can be increased. Furthermore, the man-hours are easy and greatly contribute to cost reduction.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an external perspective view showing a piezoelectric resonator according to the present invention. FIG. 2 is a longitudinal sectional view taken along line AA of the piezoelectric resonator shown in FIG. FIG. 4 is a plan view showing an adhesion state with a base substrate. FIG. 5 is a plan view showing a filter of the present invention. FIG. 6 is an impedance characteristic of a piezoelectric resonator in Example 1. FIG. 7 is a diagram showing impedance characteristics of the piezoelectric resonator in Comparative Example 1;
FIG. 8 is a diagram showing the relationship between the thickness of the piezoelectric substrate and the resonance frequency.
FIG. 9 is a view showing a piezoelectric filter of the present invention.
[Explanation of symbols]
1a Piezoelectric substrate 2 Base substrate 3 Insulating adhesive 5 Comb electrode (IDT)
6 groove

Claims (7)

圧電基板の片側主面の一部に櫛歯電極からなるインターデジタルトランスデユーサ(IDT)を形成し、SHタイプの表面波を利用して駆動する圧電共振子であって、前記圧電基板の片側主面における前記IDTの電極指の外側に、該電極指に隣接して並行に前記SHタイプの表面波を反射させるための溝設けられているとともに、前記圧電基板の前記IDTが形成された面に対向するように、かつ前記SHタイプの表面波の振動を妨げず、前記電極指の重畳部との隣接部分における前記溝を収容する空間形成されるようにベース基板前記圧電基板に接着されており、さらに前記圧電基板と前記ベース基板との接着部分に存在する前記溝内に合成樹脂充填されており、前記電極指の重量部との隣接部分における溝には合成樹脂が充填されてないことを特徴とする圧電共振子。A piezoelectric resonator in which an interdigital transducer (IDT) composed of comb-teeth electrodes is formed on a part of one side main surface of a piezoelectric substrate and driven using SH type surface waves. outside of the IDT electrode fingers in the main surface, Rutotomoni have grooves provided for reflecting the surface wave of the SH type in parallel and adjacent to the electrode fingers, the IDT of the piezoelectric substrate is formed as opposed to the face, and the not hinder the vibration of the SH type surface wave, the base substrate so that a space for housing the grooves in the adjacent portion of the overlapped portion of the electrode fingers is formed the piezoelectric substrate are bonded, further the piezoelectric substrate and the base substrate synthetic resin in the groove present in the adhered portion is filled with the synthetic resin is filled in the grooves in the adjacent parts of the parts of the electrode fingers Piezoelectric resonator, characterized in that not. 前記溝が前記圧電基板の端面まで延出されて形成されていることを特徴とする請求項1記載の圧電共振子。Claim 1 Symbol placement of the piezoelectric resonator, wherein said groove is formed extending to the end surface of the piezoelectric substrate. 前記溝の深さは前記SHタイプの表面波の1波長(λ)以上の深さであることを特徴とする請求項1又は2記載の圧電共振子。 3. The piezoelectric resonator according to claim 1, wherein a depth of the groove is a depth of one wavelength (λ) or more of the SH type surface wave. 4. 前記圧電基板の厚みが320μm以下である請求項1乃至のいずれかに記載の圧電共振子。The piezoelectric resonator according to any one of claims 1 to 3 the thickness of the piezoelectric substrate is less than 320 .mu.m. 前記ベース基板に、容量を形成する電極が形成されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の圧電共振子。 The base substrate, the piezoelectric resonator according to any one of claims 1 to 4, characterized in that the electrode forming the capacitance is formed. 圧電基板の片側主面の一部に櫛歯電極からなるインターデジタルトランスデユーサ(IDT)を複数形成して、各IDTを電気的に接続し、SHタイプの表面波を利用して駆動するフィルタであって、前記圧電基板の片側主面における前記IDTの電極指の外側に、該電極指に隣接して並行に前記SHタイプの表面波を反射させるための溝設けられているとともに、前記圧電基板のIDTが形成された面に対向するように、かつ前記SHタイプの表面波の振動を妨げず、前記電極指の重畳部との隣接部分における前記溝を収容する空間形成されるようにベース基板を前記圧電基板に接着されており、さらに前記圧電基板と前記ベース基板との接着部分に存在する前記溝内に合成樹脂充填されており、前記電極指の重量部との隣接部分における溝には合成樹脂が充填されてないことを特徴とするフィルタ。A filter in which a plurality of interdigital transducers (IDTs) composed of comb-teeth electrodes are formed on a part of one side main surface of a piezoelectric substrate, each IDT is electrically connected, and driven using SH type surface waves a is, the outside of the IDT electrode fingers in one main surface of the piezoelectric substrate, grooves for reflecting the surface wave of the SH type in parallel and adjacent to the electrode fingers provided Rutotomoni, wherein as opposed to the surface on which the IDT is formed of a piezoelectric substrate, and wherein not hinder the vibration of SH-type surface wave, so that a space is formed for accommodating the grooves in the adjacent portion of the overlapped portion of the electrode fingers adjacent portions of the base substrate said is bonded to the piezoelectric substrate, further the piezoelectric substrate and the base substrate synthetic resin in the groove present in the adhered portion is filled with, parts of the electrode fingers In Filter takes the groove synthetic resin and wherein the unfilled. 前記溝が前記圧電基板の端面まで延出されて形成されていることを特徴とする請求項6記載のフィルタ。The filter according to claim 6, wherein the groove is formed to extend to an end surface of the piezoelectric substrate.
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