JP4313016B2 - Switching power supply - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＤＣ／ＤＣコンバータなどのスイッチング電源に関する。
【０００２】
【従来の技術】
典型的な先行技術は、図１７に示される。フライバック形スイッチング電源において、交流電源１の出力は、整流ブリッジＤ４１で全波整流され、コンデンサＣ４１で平滑され、直流電圧に変換される。この直流電圧は、主スイッチング素子Ｑ４１でオン／オフされ、トランスＴ４１の１次巻線２に与えられ、２次巻線３には、トランスＴ４１の巻数比に比例した高周波交流電圧が発生する。この２次巻線３の出力を、２次側整流ダイオードＤ４２で整流し、コンデンサＣ４２で平滑し、直流電圧Ｖ０を得る。２次側整流ダイオードＤ４２として、高周波整流ダイオードが使用され、整流電圧が低い仕様には、順方向電圧降下が低いショットキーバリヤダイオード（略称ＳＢＤ）が使用され、導通損失を低減することができる。
【０００３】
このような図１７に示される２次側整流ダイオードＤ４２を用いたスイッチング電源では、そのスイッチング電源が用いられる電子機器の低電圧化と大電流化に伴い、スイッチング電源の全損失に占める２次側整流ダイオードＤ４２の損失は、たとえば４０％以上を占め、したがってスイッチング電源の効率を高めるには、ダイオードＤ４２の低損失化が必須のテーマである。たとえばダイオードＤ４２の順方向電圧降下ＶＦ（Ｄ４２）が０．５５Ｖであって、出力電圧Ｖ０が５．０Ｖである場合、このダイオードＤ４２の順方向電圧降下ＶＦ（Ｄ４２）分だけで、１１％（＝０．５５／５．０）の効率を落としていることになる。このダイオードＤ４２に順方向電流ＩＦが１０Ａ流れる場合、ダイオードＤ４２の導通損失Ｐｄは、５．５Ｗ（＝ＶＦ×ＩＦ＝０．５５Ｖ×１０Ａ）という大きな値になる。２次側整流ダイオードＤ４２の損失は、出力電圧仕様にもよるが、２５〜４５％を占めるに至ることがある。
【０００４】
この問題を解決する先行技術（特許文献１参照）は、図１７のダイオードＤ４２に代えて、主スイッチング素子Ｑ４１として、金属酸化膜電界効果トランジスタ（略称ＭＯＳＦＥＴ）が用いられる。同期整流スイッチング素子Ｑ４２としての金属酸化膜電界効果トランジスタＭＯＳＦＥＴを用いることによって、ＭＯＳＦＥＴの導通損失Ｐｄは、ドレンとソース間のオン抵抗値ＲＤＳが、０．０１Ωであり、ドレン電流ＩＤが１０Ａであるとき、１．０Ｗ（＝ＲＤＳ×ＩＤ２＝０．０１Ω×１０Ａ２）となり、ダイオードＤ４２の導通損失の約５分の１に低損失化される。このような同期整流スイッチング素子を用いて整流する回路は、同期整流回路と呼ばれる。
【０００５】
前述の先行技術においてダイオードＤ４２に代えて同期整流スイッチング素子Ｑ４２としてＭＯＳＦＥＴを用いた構成は、新たな問題点を有する。主スイッチング素子Ｑ４１のオン期間に、トランスＴ４１の１次巻線２にエネルギが蓄積され、その期間では、同期整流スイッチング素子Ｑ４２は完全にオフしていなければならない。もしも、同期整流スイッチング素子Ｑ４２のオンからオフになるタイミングが遅れたり、あるいはオンのままであったりすると、短絡電流が流れ、両スイッチング素子Ｑ４１，Ｑ４２の損失が増大し、破壊に至る。
【０００６】
主スイッチング素子Ｑ４１のオフ期間では、オン時に蓄積されたエネルギは２次巻線３に正電圧として発生し、この主スイッチング素子Ｑ４１のオフ期間では、同期整流スイッチング素子Ｑ４２は完全にオンしていなければならない。もしも、同期整流スイッチング素子Ｑ４２がオフからオンになるタイミングが遅れたり、２次巻線３の２次電流の流れている時間に比べて同期整流スイッチング素子Ｑ４２のオンとなっている導通時間が短ければ、この同期整流スイッチング素子Ｑ４２のＭＯＳＦＥＴに内蔵されているダイオードを、２次電流が通過することによって、損失が増大し、ＭＯＳＦＥＴの前述の導通損失が小さいという同期整流効果が失われる結果になる。
【０００７】
【特許文献１】
特開平５―１３７３２６
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、直流電源を周期的にオン／オフする主スイッチング素子と、トランス、コイルなどのインダクタンス成分を有するエネルギ蓄積インダクタンス素子に蓄積された電力を負荷に供給する同期整流スイッチング素子とが、同時にオンになる状態を確実に防ぎ、これによって低損失である同期整流効果を達成し、電子部品の破壊を防ぐようにしたスイッチング電源を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、直流電源に接続される主スイッチング素子Ｑ１を周期的にオン／オフして断続する電力を、主スイッチング素子のオン期間で、エネルギ蓄積インダクタンス素子Ｔ１に蓄積し、同期整流スイッチング素子Ｑ２をオフし、
主スイッチング素子のオフ期間で、同期整流スイッチング素子をオンしてエネルギ蓄積インダクタンス素子の蓄積された電力を負荷に供給するスイッチング電源において、
（ａ）エネルギ蓄積インダクタンス素子に並列に接続される第１直列回路であって、
同期整流インダクタンス素子Ｌ１と、
同期整流インダクタンス素子に直列接続され、主スイッチング素子のオン期間でエネルギ蓄積インダクタンス素子とともに同期整流インダクタンス素子に電力を蓄積するように、方向性結合された同期整流インダクタンス素子用ダイオードＤ１とを含む第１直列回路と、
（ｂ）同期整流用制御回路２７であって、
（ｂ１）同期整流インダクタンス素子と同期整流インダクタンス素子用ダイオードとの接続点Ａに接続される電圧検出用ダイオードＤ２と、
（ｂ２）同期整流インダクタンス素子Ｌ１の電圧検出用ダイオードＤ２とは反対側の端子Ｊの電圧が与えられる制御端子を有するスイッチング素子Ｑ５と、
（ｂ３）一対の導電形式が異なるトランジスタＱ３，Ｑ４が直列接続された第２直列回路であって、
この第２直列回路の一端は、エネルギ蓄積インダクタンス素子Ｔ１の一方端子に接続され、
第２直列回路の他端は、エネルギ蓄積インダクタンス素子Ｔ１の他方端子に、同期整流スイッチング素子Ｑ２を介して接続され、
これらの一対のトランジスタＱ３，Ｑ４の出力の接続点が、同期整流スイッチング素子Ｑ２の制御端子Ｇに接続され、
これらの一対のトランジスタＱ３，Ｑ４の各制御端子は、互いに接続されて、同期整流インダクタンス素子用ダイオードＤ１の出力とスイッチング素子Ｑ５の出力とが共通に与えられる第２直列回路とを含み、
（ｂ４）同期整流インダクタンス素子Ｌ１に蓄えられたエネルギによる電流ＩＬ１１が減衰して（時刻ｔ３）接続点Ａの逆電圧による電圧検出用ダイオードＤ２と一方の前記トランジスタＱ３との働きによって、主スイッチング素子Ｑ１のオン（時刻ｔ６）よりも前に、同期整流スイッチング素子Ｑ２をオフし、
同期整流インダクタンス素子Ｌ１の電圧ＶＬ１が反転して（時刻ｔ２，ｔ７）、スイッチング素子Ｑ５と他方の前記トランジスタＱ４との働きによって、同期整流スイッチング素子Ｑ２をオンする同期整流用制御回路２７とを含むことを特徴とするスイッチング電源である。
【００１０】
本発明を簡単に述べると、スイッチング電源における２次側整流器またはＤＣ／ＤＣコンバータの転流ダイオードに、同期整流用スイッチング素子、たとえば金属酸化膜電界効果トランジスタＭＯＳＦＥＴなどを使用する同期整流回路において、この同期整流スイッチング素子のターンオン信号が、金属酸化膜電界効果トランジスタＭＯＳＦＥＴなどによって実現される主スイッチング素子のターンオン信号と重ならないように、同期整流スイッチング素子のオン／オフを制御する。エネルギ蓄積インダクタンス素子Ｔ１が主スイッチング素子のオン期間Ｔｏｎに発生する電圧時間積Ｓ１とオフ期間Ｔｏｆｆの電圧時間積Ｓ２とが等しく（Ｓ１＝Ｓ２）、同期整流インダクタンス素子Ｌ１，Ｌ１１，Ｌ２１がダイオードＤ１を介して主スイッチング素子のオン期間Ｔｏｎに蓄積する電圧時間積Ｓ１１と、オフ期間Ｔｏｆｆ１でこれを放出する時間積とが等しい（Ｓ１１＝Ｓ１２）という現象を利用し、エネルギ蓄積インダクタンス素子Ｔ１の蓄積電力の放出完了前に、同期整流インダクタンス素子Ｌ１の蓄積電力の放出が完了し、この同期整流インダクタンス素子Ｌ１の蓄積電力の放出完了を検出して、主スイッチング素子の次のターンオン時刻ｔ６よりも前ｔ３に、同期整流スイッチング素子をターンオフさせることを確実にする。
【００１１】
本発明に従えば、スイッチング電源のＤＣ／ＤＣコンバータに備えられる主スイッチング素子は、周期的にオン／オフして直流電源の電力を断続し、主スイッチング素子のオン期間で、トランスまたはコイルなどのエネルギ蓄積インダクタンスに蓄積し、このとき同期整流スイッチング素子をオフに保ち、主スイッチング素子のオフ期間で、同期整流スイッチング素子をオンしてエネルギ蓄積インダクタンス素子に蓄積されている電力を、負荷に供給する。
【００１２】
エネルギ蓄積インダクタンス素子には並列に、直列回路が接続され、この直列回路は、前記同期整流インダクタンス素子と、ダイオードとを含み、この直列回路における同期整流インダクタンス素子とダイオードとの接続点の電圧または電流を用いて、同期整流用制御回路は、同期整流スイッチング素子を、主スイッチング素子のオンよりも前ｔ３に、オフする。これによって主スイッチング素子がオンとなった時点ｔ６では、同期整流スイッチング素子はオフに保たれており、したがって主スイッチング素子と同期整流スイッチング素子との両者がオンになることを防ぐことができる。
【００１３】
特に本発明では、エネルギ蓄積インダクタンス素子に並列に、直列回路が接続され、したがって主スイッチング素子のオン期間Ｔｏｎで、エネルギ蓄積インダクタンス素子にエネルギが蓄積されると同時に、前記直列回路には、電圧ＶＳが与えられ、したがって同期整流インダクタンス素子には、ダイオードの順方向電圧降下ＶＦ（Ｄ１）だけ低い電圧（−ＶＦ（Ｄ１））が、与えられることになる。主スイッチング素子のオン期間Ｔｏｎにおける同期整流インダクタンス素子の電圧時間積Ｓ１１（＝｛ＶＳ−ＶＦ（Ｄ１）｝・Ｔｏｎ）であり、この電圧時間積は、主スイッチング素子のオフ期間Ｔｏｆｆで、同期整流インダクタンス素子に蓄積された電力が前記ダイオードを経て負荷に供給される電圧時間積Ｓ１２（＝｛Ｖ０＋ＶＦ（Ｄ１）｝・Ｔｏｆｆ１）と等しい。Ｔｏｆｆ１は、主スイッチング素子が遮断した時刻ｔ２から同期整流インダクタンス素子に蓄積された電力の放出を終了する時刻ｔ３までの時間である。
【００１４】
エネルギ蓄積インダクタンス素子の電圧時間積Ｓ１は、主スイッチング素子のオン期間でＶＳ・Ｔｏｎであり、オフ期間でＶ０・Ｔｏｆｆであり、これらのオン期間およびオフ期間での両電圧時間積Ｓ２は、等しい。エネルギ蓄積インダクタンス素子および周期整流インダクタンス素子は、磁気飽和しない範囲で、作用する。
【００１５】
したがって主スイッチング素子のオフ期間で、エネルギ蓄積インダクタンス素子の蓄積された電力が放出を終了する時間Ｔｏｆｆに比べて、同期整流インダクタンス素子の蓄積された電力の放出を終了するまでの時間Ｔｏｆｆ１は短い。すなわち同期整流インダクタンス素子は、ダイオードＤ１がその同期整流インダクタンス素子Ｌ１に直列に接続されていることによって、その同期整流インダクタンス素子に蓄積された電力を放出終了する時間Ｔｏｆｆ１が、エネルギ蓄積インダクタンス素子に蓄積された電力を放出終了するまでの時間Ｔｏｆｆに比べて短くなるので、この同期整流インダクタンス素子とダイオードとの接続点Ａの電圧または電流の変化を、同期整流用制御回路２７によって検出し、たとえばその接続点Ａの電圧が零になった時刻ｔ３で、同期整流スイッチング素子Ｑ２をオンからオフにスイッチング状態を切換える。
【００１６】
主スイッチング素子は、その後、すなわちエネルギ蓄積インダクタンス素子に蓄積された電力が放出終了した後の時刻ｔ６で、再びオンになる。こうして主スイッチング素子が再びオンになる時刻ｔ６では、同期整流スイッチング素子はすでにオフされたままの状態となっている。こうして主スイッチング素子と同期整流スイッチング素子とが同時にオンになることが防がれる。これによって主スイッチング素子と同期整流スイッチング素子とが同時にオンになる現象が発生することによる電力損失の増大および電子回路部品の破壊を防ぐことができ、同期整流スイッチング素子を、たとえばトランジスタなどの能動素子を用いて、導通損失を低下することができるという同期整流効果を上首尾に達成することができる。同期整流インダクタンス素子は、商業的に入手容易なチョークトランスなどを用いて容易に実現することができ、したがってドライブトランス、カレントトランス、トランスドライブ巻線追加などのカスタム部品を使用する必要がなく、本発明の実施が極めて容易である。
【００１７】
また本発明は、（ａ）直流電源と、
（ｂ）１次巻線と２次巻線とを有するトランスＴ１と、
（ｃ）直流電源とトランスの１次巻線との間に介在される主スイッチング素子Ｑ１と、
（ｄ）主スイッチング素子を、周期的にオン／オフする主スイッチング制御回路と、
（ｅ）２次巻線と負荷との間に介在され、制御端子を有し、この制御端子の電圧に依存してオンまたはオフのスイッチング動作をする同期整流スイッチング素子Ｑ２と、
（ｆ）２次巻線に並列に接続される第１直列回路であって、
（ｆ１）同期整流インダクタンス素子Ｌ１と、
（ｆ２）同期整流インダクタンス素子に直列に接続され、主スイッチング素子のオン期間でトランスとともに同期整流インダクタンス素子に電力を蓄積するように方向性結合されたダイオードＤ１とを含む第１直列回路２６と、
（ｇ）同期整流用制御回路２７であって、
（ｇ１）同期整流インダクタンス素子とダイオードＤ１との接続点Ａに接続され、前記ダイオードＤ１のオフ時に順方向となってオンするように方向性結合された電圧検出用ダイオードＤ２と、
（ｇ２）同期整流インダクタンス素子Ｌ１の電圧検出用ダイオードＤ２とは反対側の端子Ｊの電圧が与えられる制御端子を有するスイッチング素子Ｑ５と、
（ｇ３）一対の導電形式が異なるトランジスタＱ３，Ｑ４が直列接続された第２直列回路であって、
この第２直列回路の一端は、エネルギ蓄積インダクタンス素子Ｔ１の一方端子に接続され、
第２直列回路の他端は、エネルギ蓄積インダクタンス素子Ｔ１の他方端子に、同期整流スイッチング素子Ｑ２を介して接続され、
これらの一対のトランジスタＱ３，Ｑ４の出力の接続点が、同期整流スイッチング素子Ｑ２の制御端子Ｇに接続され、
これらの一対のトランジスタＱ３，Ｑ４の各制御端子は、互いに接続されて、同期整流インダクタンス素子用ダイオードＤ１の出力とスイッチング素子Ｑ５の出力とが共通に与えられる第２直列回路とを含み、
（ｇ４）同期整流インダクタンス素子Ｌ１に蓄えられたエネルギによる電流ＩＬ１１が減衰して（時刻ｔ３）接続点Ａの逆電圧によって電圧検出用ダイオードＤ２がオンになり、一方の前記トランジスタＱ３がオンになり、これによって主スイッチング素子Ｑ１のオン（時刻ｔ６）よりも前に、同期整流スイッチング素子Ｑ２をオフし、
同期整流インダクタンス素子Ｌ１の電圧ＶＬ１が反転して（時刻ｔ２，ｔ７）、スイッチング素子Ｑ５がオフになり、他方の前記トランジスタＱ４がオンになり、これによって同期整流スイッチング素子Ｑ２をオンにする同期整流用制御回路２７とを含むことを特徴とするフライバック形スイッチング電源である。
【００１９】
本発明に従えば、図１〜図７に関連して後述されるように、フライバック形スイッチング電源において、エネルギ蓄積インダクタンス素子としてのトランスＴ１に、主スイッチング素子Ｑ１のオン期間、エネルギである電力が蓄積され、主スイッチング素子の次のオフ期間で、トランスＴ１に蓄積された得エネルギが放出され尽くす。本発明の実施の他の形態では、トランスＴ１に蓄積されたエネルギの全てが放出されないうちに、次のエネルギの蓄積が行われるように構成されてもよい。
【００２０】
トランスの２次巻線には、同期整流インダクタンス素子Ｌ１とダイオードＤ１とを含む直列回路が、並列に接続され、同期整流インダクタンス素子は、トランスと同様に、主スイッチング素子のオン／オフに伴って、電力の蓄積／放出を繰返すが、前記ダイオードＤ１の働きによって、同期整流インダクタンス素子の電力放出完了時刻ｔ３（図３〜図７参照）で同期整流用制御回路は同期整流スイッチング素子Ｑ２をオフし、その後、蓄積された電力の放出が完了して主スイッチング素子が時刻ｔ６でオンになる。これによって同期整流スイッチング素子Ｑ２がオフに保たれている状態で、主スイッチング素子がオンになり、したがってこれらの主スイッチング素子と同期整流スイッチング素子とのいずれもが同時にオンになる状態を回避することが確実である。
【００２１】
本発明に従えば、同期整流スイッチング素子としては、たとえば金属酸化膜電界効果トランジスタＭＯＳＦＥＴなどのスイッチング素子が用いられてもよい。同期整流用制御回路２７は、同期整流インダクタンス素子の蓄積電力の放出完了を検出するために、直列回路２６における同期整流インダクタンス素子Ｑ２とダイオードＤ１との接続点Ａに方向性結合された電圧検出用ダイオードＤ２を有し、この電圧検出用ダイオードＤ２がオンになることによって、同期整流スイッチング素子のゲートまたはベースなどの制御端子に、同期整流スイッチング素子用制御信号発生回路から与える。本発明の実施の他の形態では、同期整流インダクタンス素子に蓄積された電力が放出され尽くす前に、前記接続点の電圧または電流を検出して、同期整流スイッチング素子のオンのための制御信号を発生するように構成してもよい。
【００２２】
また本発明は、直流電源と、
１次巻線と２次巻線とを有するトランスＴ１１と、
直流電源とトランスの１次巻線との間に介在される主スイッチング素子Ｑ１１と、
主スイッチング素子を、周期的にオン／オフする主スイッチング制御回路と、
２次巻線に並列に接続される第１同期整流スイッチング素子Ｑ１２と、
２次巻線と第１同期整流スイッチング素子との間に介在される第２同期整流スイッチング素子Ｑ１３と、
第２同期整流スイッチング素子を、主スイッチング素子のオン期間でオンし、オフ期間でオフする第２同期整流スイッチング素子用制御回路３６と、
第１同期整流スイッチング素子Ｑ１２に関して２次巻線ＬＳとは反対側で負荷との間に直列に接続されるエネルギ蓄積インダクタンス素子Ｌ１０と、
エネルギ蓄積インダクタンス素子に並列に接続される直列回路３７であって、
同期整流インダクタンス素子Ｌ１１と、
同期整流インダクタンス素子に直列に接続され、主スイッチング素子のオン期間でエネルギ蓄積インダクタンス素子とともに電力を蓄積するように、方向性結合されたダイオードＤ１１とを含む直列回路と、
同期整流インダクタンス素子とダイオードとの接続点Ａの電圧または電流に応答して、主スイッチング素子のオンよりも前に、第１同期整流スイッチング素子Ｑ１２をオフする同期整流用制御回路３８とを含むことを特徴とするフォワード形スイッチング電源である。
【００２３】
また本発明は、第１同期整流スイッチング素子Ｑ１２は、制御端子を有し、この制御端子の電圧に依存してオンまたはオフのスイッチング動作をし、
同期整流用制御回路３８は、
同期整流インダクタンス素子Ｌ１１とダイオードＤ１１との接続点Ａに接続され、前記ダイオードのオフ時に順方向となってオンするように方向性結合された電圧検出用ダイオードＤ１２と、
電圧検出用ダイオードＤ１２のオンに応答して、第１同期整流スイッチング素子Ｑ１２の制御端子に、オフするための電圧を有する制御信号を与える同期整流スイッチング素子用制御信号発生回路３９とを含むことを特徴とする。
【００２４】
本発明に従えば、図８〜図１１に関連して後述されるように、フォワード形スイッチング電源において、入力と出力がトランスＴ１１で絶縁され、１次巻線に設けられた主スイッチング素子Ｑ１１のオン期間Ｔｏｎで、２次巻線に並列接続される第１同期整流スイッチング素子Ｑ１２をオフし、かつ２次巻線と第１同期整流スイッチング素子Ｑ１２との間に介在される第２同期整流スイッチング素子Ｑ１３をオンしてエネルギ蓄積インダクタンス素子Ｌ１０に電力を蓄積し、このとき同時に、直列回路の同期整流インダクタンス素子Ｌ１１にも、ダイオードＤ１１を介して電力を蓄積する。
【００２５】
主スイッチング素子Ｑ１１のオフ期間Ｔｏｆｆで、第２同期整流スイッチング素子Ｑ１３を遮断したままに保つ。この主スイッチング素子Ｑ１１のオフ期間で、同期整流インダクタンス素子Ｌ１１の蓄積電力は、ダイオードＤ１１を介して放出されてゆき、その放出完了時刻ｔ１３は、ダイオードＤ１１が介在されることによって、エネルギ蓄積インダクタンス素子Ｌ１０の蓄積電力の放出完了時刻ｔ１６よりも早い。同期整流用制御回路３８は、直列回路の同期整流インダクタンス素子Ｌ１１とダイオードＤ１１との接続点Ａの電圧または電流を検出して、同期整流インダクタンス素子Ｌ１１の蓄積電力の放出完了を時刻ｔ１３で検出し、第１同期整流スイッチング素子Ｑ１２をオフする。エネルギ蓄積インダクタンス素子Ｌ１０の蓄積電力の放出完了後の時刻ｔ１６で、主スイッチング素子が再びオンする。こうして主スイッチング素子と第１同期整流スイッチング素子Ｑ１２とが同時にオンすることが回避される。
【００２６】
フォワード形スイッチング電源の同期整流用制御回路３８では、直列回路の同期整流インダクタンス素子Ｌ１１とダイオードＤ１１との接続点Ａの電圧を検出する電圧検出用ダイオードＤ１２を有し、同期整流インダクタンス素子Ｌ１１の蓄積電力の放出完了時点を検出して同期整流スイッチング素子Ｑ１２の制御端子にオフのための制御信号を同期整流スイッチング素子用制御信号発生回路３９から与える。
【００２７】
また本発明は、直流電源と、
直流電源の一端子に接続される主スイッチング素子Ｑ２１と、
主スイッチング素子を、周期的にオン／オフする主スイッチング制御回路と、
主スイッチング素子と負荷との間に接続されるエネルギ蓄積インダクタンス素子Ｌ２０と、
エネルギ蓄積インダクタンス素子に並列に接続される直列回路５２であって、
同期整流インダクタンス素子Ｌ２１と、
同期整流インダクタンス素子に直列に接続され、主スイッチング素子のオン期間でエネルギ蓄積インダクタンス素子とともに電力を蓄積するように、方向性結合されたダイオードＤ２１とを含む直列回路と、
主スイッチング素子とエネルギ蓄積インダクタンス素子との接続点Ａと、直流電源の他端子とに、接続される同期整流スイッチング素子Ｑ２２と、
同期整流インダクタンス素子とダイオードとの接続点Ａの電圧または電流に応答して、主スイッチング素子のオンよりも前に、同期整流スイッチング素子をオフする同期整流用制御回路５３とを含むことを特徴とするステップダウン形スイッチング電源である。
【００２８】
また本発明は、同期整流スイッチング素子Ｑ２２は、制御端子を有し、この制御端子の電圧に依存してオンまたはオフのスイッチング動作をし、
同期整流用制御回路５３は、
同期整流インダクタンス素子Ｌ２１とダイオードＤ２１との接続点に接続され、前記ダイオードのオフ時に順方向となってオンするように方向性結合された電圧検出用ダイオードＤ２２と、
電圧検出用ダイオードＤ２２のオンに応答して、同期整流スイッチング素子の制御端子に、オフするための電圧を有する制御信号を与える同期整流スイッチング素子用制御信号発生回路５４とを含むことを特徴とする。
【００２９】
本発明に従えば、図１２〜図１６に関連して後述されるように、ステップダウン形スイッチング電源において、主スイッチング素子Ｑ２１のオン期間Ｔｏｎでエネルギ蓄積インダクタンス素子Ｌ２１に電力を蓄積し、次のオフ期間Ｔｏｆｆでエネルギ蓄積インダクタンス素子Ｌ２０に蓄積された電力を放出し、その放出を完了し、その後再び主スイッチング素子Ｑ２１がオンになり、動作が繰返される。このオン期間Ｔｏｎでは、同期整流スイッチング素子Ｑ２２はオフしており、オフ期間Ｔｏｆｆでは、同期整流スイッチング素子Ｑ２２はオンし、しかも次に述べるように主スイッチング素子Ｑ２１のオンよりも先にオフに戻る。このエネルギ蓄積インダクタンス素子Ｌ２０に、同期整流インダクタンス素子Ｌ２１とダイオードＤ２１とを含む直列回路５２が、並列に接続され、主スイッチング素子Ｑ２１のオフ期間Ｔｏｆｆで、前述のようにエネルギ蓄積インダクタンス素子Ｌ２０が蓄積電力を放出するとともに、同期整流インダクタンス素子Ｌ２１の蓄積電力がダイオードＤ２１を介して放出され、同期整流インダクタンス素子Ｌ２１には、ダイオードＤ２１が上述のように直列接続されているので、これによって同期整流インダクタンス素子Ｌ２１の蓄積電力の放出完了時刻ｔ２３は、エネルギ蓄積インダクタンス素子Ｌ２０の蓄積電力の放出完了時刻ｔ２６よりも早い。同期整流用制御回路５３は、直列回路の同期整流インダクタンス素子Ｌ２１とダイオードＤ２１との接続点Ａの電圧または電流によって、同期整流インダクタンス素子Ｌ２１の蓄積電力放出完了時刻ｔ２３を検出して同期整流スイッチング素子Ｑ２２をオフする。その後、前述のようにエネルギ蓄積インダクタンス素子Ｌ２０の蓄積電力の放出が時刻ｔ２６で完了して主スイッチング素子Ｑ２１がオンする。したがって主スイッチング素子と同期整流スイッチング素子Ｑ２２との両者が同時にオンすることは回避される。
【００３０】
本発明に従えば、同期整流インダクタンス素子Ｌ２１の蓄積電力の放出完了を検出するために、同期整流用制御回路５３は、直列回路の同期整流インダクタンス素子Ｌ２１とダイオードＤ２１との接続点Ａの電圧を電圧検出用ダイオードＤ２２によって検出し、同期整流インダクタンス素子Ｌ２１の電力放出完了時点で、同期整流スイッチング素子Ｑ２２をオンする制御信号を、同期整流スイッチング素子用制御信号発生回路５４から発生して制御端子に与える。
【００３１】
本発明では、同期整流インダクタンス素子Ｌ１，Ｌ１１，Ｌ２１に蓄積された電力の放出完了時刻ｔ３，ｔ１３，ｔ２３、同期整流スイッチング素子Ｑ２，Ｑ１２，Ｑ２２をオフする構成だけでなく、そのエネルギ蓄積インダクタンス素子Ｌ１，Ｌ１１，Ｌ２１に蓄積された電力の放出完了時刻ｔ６，ｔ１６，ｔ２６よりも前において、前述の接続点の電圧または電流に依存して同期整流スイッチング素子Ｑ２，Ｑ１２，Ｑ２２をオフする構成としてもよい。
【００３２】
本発明は、前述のフライバック形、フォワード形およびステップダウン形の各スイッチング電源に関連して実施されるだけでなく、そのほかの形式、たとえばリンギングチョークＲＣＣ（Ring Choke Converter）形スイッチング電源およびその他の構成に関連しても、実施することができる。
【００３３】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の実施の一形態のフライバック形スイッチング電源の具体的な構成を示す電気回路図であり、図２は図１に示されるフライバック形スイッチング電源の全体の構成を簡略化して示す電気回路図である。直流電源６のライン７，８は、主スイッチング素子Ｑ１を介してフライバックトランスＴ１の１次巻線ＬＰに接続される。主スイッチング素子Ｑ１は、主スイッチング制御回路９によって周期的にオン／オフされる。トランスＴ１は、２次巻線ＬＳを有する。このトランスＴ１は、主スイッチング素子Ｑ１のオンによって、電力であるエネルギを蓄積するエネルギ蓄積インダクタンス素子としての働きを果たす。２次巻線ＬＳにはライン１１，１２が接続され、一方のライン１１には同期整流スイッチング素子Ｑ２が接続され、たとえば接地されてもよい一方の出力端子１３に接続される。他方のライン１２は、他方の出力端子１４に接続される。これらの出力端子１３，１４間には、平滑コンデンサＣ１が接続される。
【００３４】
同期整流スイッチング素子Ｑ２は、同期整流スイッチング制御回路１５によってオン／オフして断続制御される。主スイッチング素子Ｑ１および同期整流スイッチング素子Ｑ２は、たとえば金属酸化膜電界効果トランジスタＭＯＳＦＥＴによって実現され、それらの制御端子であるゲートに、主スイッチング制御回路９および同期整流スイッチング制御回路１５から制御信号がそれぞれ与えられる。
【００３５】
図２を参照して、直流電源６は、たとえば商用交流電源などの交流電源１７の交流電力が、整流回路１８によって全波整流され、平滑コンデンサ１９によって平滑され、その直流出力がライン７，８に導出されて構成される。主スイッチング制御回路９には、トランスＴ１に備えられる主スイッチング制御用巻線ＮＢの出力と、電圧誤差検出回路２１からのフォトカプラ２２を介するライン２３の出力が与えられる。
【００３６】
電圧誤差検出回路２１は、出力端子１３，１４間の電圧を検出し、予め定める基準電圧と比較してその誤差を演算して求め、その誤差を表す信号を導出して前述のようにライン２３から主スイッチング制御回路９に与える。主スイッチング制御回路９は、主スイッチング素子Ｑ１のパルス幅変調ＰＷＭが行われているように制御信号を作成し、前記誤差が零となるように、制御信号のデューティ比を負帰還制御する。図１では、図２に示される電圧誤差検出回路２１およびフォトカプラ２２は、図面を簡略化するために省略されている。
【００３７】
同期整流スイッチング制御回路１５は、図１に具体的な構成が示されるように、トランスＴ１の２次巻線ＬＳにライン２５と前述のライン１２とを介して並列に接続される直列回路２６と、同期整流用制御回路２７とを含む。
【００３８】
直列回路２６は、ダイオードＤ１と、チョークコイルなどによって実現される同期整流インダクタンス素子Ｌ１とが、接続点Ａで直列に接続されて構成される。ダイオードＤ１のカソードは、ライン１２に接続され、アノードは同期整流インダクタンス素子Ｌ１の一方の端子に接続される。この同期整流インダクタンス素子Ｌ１の他方の端子は、ライン２５に接続される。同期整流用制御回路２７は、電圧検出用ダイオードＤ２と、同期整流スイッチング素子用制御信号発生回路２８とを含む。電圧検出用ダイオードＤ２のカソードは、接続点Ｆで前記接続点Ａに接続される。同期整流スイッチング素子用制御信号発生回路２８において、電圧検出用ダイオードＤ２のアノードは、接続点Ｆで抵抗Ｒ４１を介してスイッチング素子であるＮＰＮトランジスタＱ４のベースに接続される。ダイオードＤ２のアノードは、抵抗Ｒ４２を介してライン１２に接続される。トランジスタＱ４のベース、エミッタ間には抵抗Ｒ４３が接続される。
【００３９】
トランジスタＱ４には、そのトランジスタＱ４の導電形式ＮＰＮとは異なるスイッチング素子であるＰＮＰトランジスタＱ３が、同期整流スイッチング素子Ｑ２と一方の出力端子１３との間のライン１９との間に接続される。ダイオードＤ２のアノードはまた、接続点Ｆで抵抗Ｒ３１を介してトランジスタＱ３のベースに接続される。抵抗Ｒ３１には、ベース駆動を高速にするためのスピードアップ用コンデンサＣ３１が接続される。トランジスタＱ３のベース、エミッタ間には、抵抗Ｒ３２が接続される。ライン２５は、接続点Ｊで抵抗Ｒ３１を介してスイッチング素子であるＮＰＮトランジスタＱ５のベースに接続される。抵抗Ｒ５１には、ベース駆動を高速にするためのスピードアップ用コンデンサＣ５１が並列に接続される。このトランジスタＱ５のベースは、ライン２９に接続される。トランジスタＱ５のエミッタは、ライン２９に接続される。トランジスタＱ５のコレクタは、ダイオードＤ２のアノードに接続される。トランジスタＱ３には並列に、抵抗Ｒ３３が接続される。このトランジスタＱ３のエミッタ出力は、制御信号として、同期整流スイッチング素子Ｑ２の制御端子であるゲートＧに与えられる。
換言すると、スイッチング素子としてのトランジスタＱ５は、同期整流インダクタンス素子Ｌ１の電圧検出用ダイオードＤ２とは反対側の端子Ｊの電圧が与えられる制御端子としてのベースを有する。
一対の導電形式が異なるトランジスタＱ３，Ｑ４が直列接続された直列回路の一端は、エネルギ蓄積インダクタンス素子Ｔ１の一方端子に接続され、この直列回路の他端は、エネルギ蓄積インダクタンス素子Ｔ１の他方端子に、同期整流スイッチング素子Ｑ２を介して接続される。これらの一対のトランジスタＱ３，Ｑ４の出力の接続点が、同期整流スイッチング素子Ｑ２の制御端子としてのゲートＧに接続される。これらの一対のトランジスタＱ３，Ｑ４の各制御端子は、互いに接続されて、同期整流インダクタンス素子用ダイオードＤ１の出力とスイッチング素子Ｑ５の出力とが共通に与えられる。
したがって、同期整流用制御回路２７では、次に述べるように、同期整流インダクタンス素子Ｌ１に蓄えられたエネルギによる電流ＩＬ１１が減衰して（時刻ｔ３）接続点Ａの逆電圧によって電圧検出用ダイオードＤ２がオンになり、一方の前記トランジスタＱ３がオンになり、これによって主スイッチング素子Ｑ１のオン（時刻ｔ６）よりも前に、同期整流スイッチング素子Ｑ２をオフする。同期整流インダクタンス素子Ｌ１の電圧ＶＬ１が反転して（時刻ｔ２，ｔ７）、スイッチング素子Ｑ５がオフになり、他方の前記トランジスタＱ４がオンになり、これによって同期整流スイッチング素子Ｑ２をオンにする。
【００４０】
図３（１）は主スイッチング素子Ｑ１のオン／オフのスイッチング状態に対応するドレン、ソース間電圧ＶＤＳを示し、後述の図５（１）に示される波形と同一である。図３（２）は、図１の直列回路２６におけるダイオードＤ１のアノードと上記整流インダクタンス素子Ｌ１との接続点Ａの電圧を示す。図３（３）は、同期整流インダクタンス素子Ｌ１の両端の電位差ＶＬ１を示す。図３（４）は同期整流インダクタンス素子Ｌ１に流れる電流ＩＬ１，Ｌ１１を示す。図３（５）は、同期整流スイッチング素子Ｑ２のオン／オフのスイッチング状態に対応するゲート、ソース間電圧ＶＧＳを示す。
【００４１】
図４（１）は、ダイオードＤ１のスイッチング状態を示し、図４（２）は電圧検出用、ダイオードＤ２のスイッチング状態を示し、図４（３）はトランジスタ素子Ｑ５のスイッチング状態を示し、図４（４）はトランジスタＱ３のスイッチング状態を示し、図４（５）はトランジスタＱ４のスイッチング状態を示す。
【００４２】
図５は、図１および図２に示されるフライバック形スイッチング電源の動作を説明するための波形図である。そのうち、図５（１）は主スイッチング素子Ｑ１のオン／オフのスイッチング状態に対応したドレン、ソース間電圧ＶＤＳを示し、図５（２）はその主スイッチング素子Ｑ１のドレン電流ＩＤを示し、このドレン電流ＩＤは、トランスＴ１の１次巻線ＬＰの電流ＩＬＰと等しく、図５（３）はトランスＴ１の２次巻線ＬＳの両端電圧ＶＳを示し、図５（４）はトランスＴ１の２次巻線ＬＳの同期整流スイッチング素子Ｑ２におけるドレンＤと接続されるライン１１の電圧ＶＣを示し、図５（５）は、トランスＴ１の２次巻線ＬＳの電流ＩＬＳを示す。
【００４３】
フライバック形スイッチング電源の基本的な動作を説明する。時刻ｔ１〜ｔ２において主スイッチング素子Ｑ１がオン状態にあるとき、トランスＴ１の１次巻線ＬＰには、電圧Ｖｉｎが印加され、このオン期間Ｔｏｎの時刻ｔ１〜ｔ２では、２次巻線ＬＳに発生する電圧は、同期整流スイッチング素子Ｑ２がオフ状態であるので（図３（５）参照）、またその同期整流スイッチング素子Ｑ２の金属酸化膜電界効果トランジスタＭＯＳＦＥＴの内蔵ダイオードとは逆方向の電圧が２次巻線ＬＳから発生するので、ライン１１，１２には電流は流れない。したがって１次巻線ＬＰに流れる電流ＩＬＰは、時刻ｔ１〜ｔ２のオン間をＴｏｎとし、１次巻線ＬＰのインダクタンスを同一の参照符ＬＰで示すと、
ＩＬＰ ＝ Ｖｉｎ×Ｔｏｎ／ＬＰ …（１）
であり、したがってトランスＴ１には、エネルギである電力Ｅが蓄積される。
Ｅ ＝ １／２・Ｖｉｎ・Ｔｏｎ・（Ｖｉｎ・Ｔｏｎ／ＬＰ）
＝ １／２・ＬＰ・ＩＬＰ２ …（２）
【００４４】
次に主スイッチング素子Ｑ１が時刻ｔ２〜ｔ６でオフ状態のオフ期間Ｔｏｆｆでは、トランスＴ１でフライバック電圧が発生し、２次巻線ＬＳの発生電圧は、反転し、このとき同期整流スイッチング素子Ｑ２は、図３（５）に示されるように時刻ｔ２〜ｔ３で導通し、そのためオン期間ｔ１〜ｔ２で１次巻線ＬＰに蓄積されたエネルギは、２次巻線ＬＳおよび同期整流スイッチング素子Ｑ２を通り、平滑コンデンサＣ１および負荷に放出されて供給される。
【００４５】
トランスＴ１の１次側と２次側とでは、等アンペア・ターンの法則が成立する。１次巻線ＬＰの巻数をＮＰとし、２次巻線ＬＳの巻数をＮＳとする。
ＩＬＳ ＝ ＮＰ・ＩＬＰ／ＮＳ …（３）
【００４６】
したがって主スイッチング素子Ｑ１のターンオフ直前の時刻ｔ２のピーク電流ＩＬＰ１を有する１次電流ＩＬＰ（図５（２）参照）は、巻数比倍されて２次電流ＩＬＳが、ピーク電流ＩＬＳ１として流れ（図５（５）参照）る。その時刻ｔ２以降、零となるまで、２次電流ＩＬＳは減衰波形となる。したがって１次巻線ＬＰで蓄積されたエネルギが２次巻線ＬＳへ全て放出するのは、
０ ＝ ＩＬＳ−（ＶＳ・Ｔｏｆｆ／ＬＳ） …（４）
の関係から、オフ期間Ｔｏｆｆ（すなわち時刻ｔ２〜ｔ６）後に零となり、こうしてトランスＴ１から、蓄積した全エネルギを放出した直後の時刻ｔ６で、主スイッチング素子Ｑ１は、再度ターンオンし、上述の動作サイクルが繰返される。
【００４７】
同期整流スイッチング素子Ｑ２は、主スイッチング素子Ｑ１のオン期間Ｔｏｎ（すなわち時刻ｔ１〜ｔ２）で、ターンオフさせ、非導通とさせなければならず、また主スイッチング素子Ｑ１がオフであるオフ期間Ｔｏｆｆ（時刻ｔ２〜ｔ６）内で、同期整流スイッチング素子Ｑ２をオンして導通状態としなければならない。特に主スイッチング素子Ｑ１がターンオンのオン期間Ｔｏｎで、同期整流スイッチング素子Ｑ２がターンオフであることを保証させるには、主スイッチング素子Ｑ１がターンオンする時刻ｔ６よりも以前の時刻ｔ３に、同期整流スイッチング素子Ｑ２をターンオフさせ、これらの両者Ｑ１，Ｑ２がいずれもオフしている期間、すなわちデットアングルｔ３〜ｔ６を設ける必要がある。本発明では、この同期整流スイッチング素子Ｑ２のターンオフのためのゲートに与える制御信号を、主スイッチング素子Ｑ１のターンオンの時刻ｔ６に先立って発生させることを確実にする。
【００４８】
図６は図１〜図５に示されるフライバック形スイッチング電源の動作を説明するための波形図であり、図７は図６（３）に示される同期整流インダクタンス素子Ｌ１に流れる電流ＩＬ１，ＩＬ１１の時刻ｔ３〜ｔ６の時間経過を拡大して示す波形図である。前述の図６において、図６（１）は主スイッチング素子Ｑ１のオン／オフのスイッチング状態を示す図であり、図６（２）は同期整流インダクタンス素子Ｌ１に流れる電流ＩＬ１，ＩＬ１１を示し、図６（３）はその同期整流インダクタンス素子Ｌ１に流れる電流ＩＬ１，ＩＬ１１の一方出力端子１３の接地電位と比較して示す図であり、図６（４）は同期整流スイッチング素子Ｑ２のゲート、ソース間電圧ＶＧＳを示す図である。
【００４９】
まず主スイッチング素子Ｑ１のオン期間Ｔｏｎの時刻ｔ１以降、２次巻線ＬＳによって同期整流スイッチング素子Ｑ２のドレンＤには電圧ＶＳ（前述の図５（３）参照）が発生する。
ＶＳ ＝ ＮＳ・Ｖｉｎ／ＮＰ …（５）
【００５０】
この電圧ＶＳで、いち早く、トランジスタＱ３，Ｑ４をオンし、同期整流スイッチング素子Ｑ２のゲート、ソース間電圧ＶＧＳを零にクランプして同期整流スイッチング素子Ｑ２がオンしないように、すなわちオフしたままとなるように、保つ。２次巻線ＬＳのライン１１の電圧が高くなることによって、その電圧はライン２５を介してトランジスタＱ５のベースに与えられ、トランジスタＱ５がオンし、したがってトランジスタＱ５のベースがライン２９の電圧に低下してトランジスタＱ３がオンし、このときトランジスタＱ４のベース電圧は、トランジスタＱ５のオンによって低いので、トランジスタＱ４はオフしている。トランジスタＱ３のオンによって、同期整流スイッチング素子Ｑ２のゲート、ソース間電圧ＶＧＳは、前述のように零となる。
【００５１】
これと同時に、２次巻線ＬＳからライン１１，２５を経て同期整流インダクタンス素子Ｌ１およびダイオードＤ１、さらにライン１２を経て、この閉ループを、電流ＩＬ１が流れる。
ＩＬ１ ＝ （ＶＳ−ＶＦ（Ｄ１））・Ｔｏｎ／Ｌ１ …（６）
【００５２】
ここでＶＦ（Ｄ１）は、ダイオードＤ１の順方向電圧降下であり、Ｌ１は同期整流インダクタンス素子Ｌ１のインダクタンスである。
【００５３】
時刻ｔ２では、主スイッチング素子Ｑ１がターンオフすることによって、２次巻線ＬＳの２次巻線電圧ＶＳ（図５（３）参照）が低下し、これによってトランジスタＱ５が完全にターンオフし、その後、トランジスタＱ３がオフし、トランジスタＱ４がオンするので、同期整流スイッチング素子Ｑ２のゲートＧに高い電圧を有する制御信号が与えられて、同期整流スイッチング素子Ｑ２がオンに駆動される。こうして主スイッチング素子Ｑ１のオフ後、同期整流スイッチング素子Ｑ２がオンになることが確実であり、両スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２が同時にオン状態になることはない。
【００５４】
同期整流スイッチング素子Ｑ２が、時刻ｔ２以降、ターンオンされることによって、トランスＴ１に蓄えられた２次巻線ＬＳの電力による２次巻線電流ＩＬＳは、平滑コンデンサＣ１を充電し、負荷に流れて供給される。これと同時に、時刻ｔ２では、主スイッチング素子Ｑ１のオン期間Ｔｏｎ中、同期整流インダクタンス素子Ｌ１に蓄積されたエネルギは、図１の電流ＩＬ１１が転流して流れる閉ループをたどり、減衰してゆく。同期整流インダクタンス素子Ｌ１からの電流ＩＬ１１は、平滑コンデンサＣ１を充電し、ライン２９からオン状態の同期整流スイッチング素子Ｑ２を経て、ライン１１，２５をたどって流れる。
ＩＬ１１ ＝ −（Ｖ０＋ＶＦ（Ｄ１））・Ｔｏｆｆ／Ｌ１ …（７）
【００５５】
この電流ＩＬ１１は、前述のオン期間Ｔｏｎ時に蓄積された電圧時間積Ｓ１１と同一の電圧時間積Ｓ１２に対応して流れ、時刻ｔ３で零に戻る。
【００５６】
さらに注目すべきは、オフ期間Ｔｏｆｆで、同期整流インダクタンス素子Ｌ１に流れる前述の電流ＩＬ１１は、時刻ｔ３で零に戻った後、図３（４）、図６（３）および図７に示されるように、時刻ｔ３以降、マイナス方向に流れる。これによって時刻ｔ３以降、同期整流インダクタンス素子Ｌ１には、逆電圧が発生し、接続点Ａは負電圧となる。この逆電圧の発生する動作は、後述する。接続点Ａ１で同期整流インダクタンス素子Ｌ１による逆電圧の発生を、電圧検出用ダイオードＤ２のオンによって検出し（図４（２）参照）、したがって同期整流スイッチング素子用制御信号発生回路２８では、トランジスタＱ４がターンオフされ、これと同時にトランジスタＱ３がターンオンされる。したがって同期整流スイッチング素子Ｑ２のゲートＧのゲート電荷が急速に放電され、同期整流スイッチング素子Ｑ２がターンオフされる。
【００５７】
直列回路２６の接続点Ａで同期整流インダクタンス素子Ｌ１の働きによって前述の逆電圧が発生する動作を説明する。フライバック形スイッチング電源のトランスＴ１では、主スイッチング素子Ｑ１のオン期間Ｔｏｎにおける２次巻線ＬＳに関する電圧時間積Ｓ１と、主スイッチング素子Ｑ１のオフ期間Ｔｏｆｆの電圧電圧時間積Ｓ２は、原理的に等しい。オン期間Ｔｏｎの電圧時間積Ｓ１は、２次巻線ＬＳの電圧ＶＳとオン期間Ｔｏｎの積（＝ＶＳ×Ｔｏｎ）である。オフ期間Ｔｏｆｆの電圧時間積Ｓ２は、出力電圧Ｖ０とオフ期間Ｔｏｆｆの積（＝Ｖ０×Ｔｏｆｆ）である。この基本原理を、本発明に従う同期整流インダクタンス素子Ｌ１に置換え、主スイッチング素子Ｑ１のオン期間Ｔｏｎで、電圧時間積Ｓ１１（＝２次巻線ＬＳの電圧ＶＳ×Ｔｏｎ）を同期整流インダクタンス素子Ｌ１に蓄積する。オフ期間Ｔｏｆｆで、出力電圧Ｖ０に転流させ、同期整流インダクタンス素子Ｌ１に流れる電流ＩＬ１１が零までオフ期間Ｔｏｆｆ１で減衰し、前述の逆電圧が発生するまでの電圧時間積Ｓ１２とするとき、オン期間Ｔｏｎの電圧時間積Ｓ１１と、オフ期間Ｔｏｆｆ１の電圧時間積Ｓ１２とは、等しい。これらの電圧時間積Ｓ１１，Ｓ１２は、前述のトランスＴ１に関する電圧時間積Ｓ１，Ｓ２とも等しい。
【００５８】
図６（３）に示されるオン期間Ｔｏｎの同期整流インダクタンス素子Ｌ１に流れる電流ＩＬ１は前述の式６のとおり、時間経過に伴って右上がり傾斜であって、これによって同期整流インダクタンス素子Ｌ１が励磁される。
【００５９】
主スイッチング素子Ｑ１のターンオン時刻ｔ１以降、トランスＴ１の２次巻線ＬＳに発生する電圧ＶＳと、そのオン時間Ｔｏｎとに比例して、同期整流インダクタンス素子Ｌ１の電流ＩＬ１が増加して流れる。
【００６０】
主スイッチング素子７の時刻ｔ２〜ｔ６のオフ期間Ｔｏｆｆでは、時刻ｔ２以降、同期整流インダクタンス素子Ｌ１に流れる電流ＩＬ１１は、前述の式７のとおり、右に肩下がりの傾斜を有し、励磁されて蓄積されたエネルギを放出する。
【００６１】
こうして同期整流インダクタンス素子Ｌ１では、前述の式６に示される励磁されたエネルギは、出力電圧Ｖ０で転流し、オフ期間Ｔｏｆｆで時刻ｔ２以降、時間経過に伴って減少する。前述の式６および式７におけるダイオードＤ１の順方向電圧降下ＶＦ（Ｄ１）を除いた電圧時間積は、トランスＴ１のオン期間Ｔｏｎの電圧時間積ＶＳ・Ｔｏｎであり、トランスＴ１のオフ期間Ｔｏｆｆの電圧時間積（＝Ｖ０・Ｔｏｆｆ）と等しい。
ＶＳ・Ｔｏｎ ＝ Ｖ０・Ｔｏｆｆ …（８）
【００６２】
同期整流インダクタンス素子Ｌ１に関してオン期間Ｔｏｎとオフ期間Ｔｏｆｆにおける各電圧時間積は、ダイオードＤ１が理想ダイオードであって、すなわち順方向電圧降下ＶＦ（Ｄ１）が零であると仮定すれば、
(ＶＳ−ＶＦ(Ｄ１))・Ｔｏｎ ＝ (Ｖ０＋ＶＦ(Ｄ１))・Ｔｏｆｆ…（９）
が成立し、したがってダイオードＤ１が前述のように理想ダイオードであると仮定したとき、ダイオードＤ１に関して＋ＶＦ（Ｄ１）を零としたのと同様な前述の式８が、ダイオードＤ１に関しても成立することになる。
【００６３】
しかし実際には、ダイオードＤ１には、順方向電圧降下ＶＦ（Ｄ１）が存在し、式６では負に、式７では正に、順方向電圧降下ＶＦ（Ｄ１）が作用するので、同期整流インダクタンス素子Ｌ１に関してオン期間Ｔｏｎとオフ期間Ｔｏｆｆとでは、電圧時間積Ｓ１１，Ｓ１２に、わずかな差が生じる。すなわち式６では、電圧−ＶＦ（Ｄ１）の分だけ、電流ＩＬ１の傾斜は緩やかである。これに対して式７では、電圧＋ＶＦ（Ｄ１）だけ、電流ＩＬ１１の傾斜は急勾配となる。したがってダイオードＤ１の順方向電圧降下ＶＦ（Ｄ１）を含めた電圧時間積は、式６に比べて式７の方がわずかに大きくなる。したがって式８のトランスＴ１に関するオフ時間Ｔｏｆｆより短いオフ時間Ｔｏｆｆ１で、同期整流インダクタンス素子Ｌ１の蓄積された励磁エネルギの放出を時刻ｔ３で終了し、その電流ＩＬ１１は、零を経て、逆方向に流れる。
【００６４】
主スイッチング素子Ｑ１のオフ期間Ｔｏｆｆで、時刻ｔ２から同期整流インダクタンス素子Ｌ１が、時刻ｔ２で転流を開始し、その後、蓄積したエネルギの放出を終了して、逆方向へ流れ始める時刻ｔ３までのオフ期間Ｔｏｆｆ１は、
Ｔｏｆｆ１ ＝ （ＶＳ−ＶＦ(Ｄ１)）・Ｔｏｎ／(Ｖ０＋ＶＦ(Ｄ１))…（10）
である。
【００６５】
時刻ｔ３で同期整流インダクタンス素子Ｌ１の電流ＩＬ１１が逆方向に流れると、ダイオードＤ１が遮断し（図４（１）参照）、接続点Ａの電圧ＶＬ１が低下し（図３（２）参照）、これによって電圧検出用ダイオードＤ２がオンし（図４（２）参照）、したがってトランジスタＱ４は遮断し、トランジスタＱ３がオンすることになり、同期整流スイッチング素子Ｑ２がターンオフされる。時刻ｔ３〜ｔ６の期間で、同期整流インダクタンス素子Ｌ１の電流ＩＬ１１への値ΔＩＬ１１（図７参照）は、電圧検出用ダイオードＤ２を経てトランジスタ素子Ｑ３，Ｑ４に流れるベース電流の和にほぼ等しい値であり、たとえば約２０〜３０ｍＡである。
【００６６】
この逆流する電流ΔＩＬ１１は、トランジスタ素子Ｑ３，Ｑ４のベースバイアス分であって、ダイオードＤ１を流れ、同期整流インダクタンス素子Ｌ１を経由して逆流する。逆バイアス源に能力があれば、図７に示されるように電流ＩＬ１１は、時刻ｔ３で零（０Ａ）に到達した後、さらにライン３１で示されるように逆流し続け、時刻ｔ６で主スイッチング素子Ｑ１がオンする時刻ｔ６で上昇に転じてライン３２のように増加していく。実際には、時刻ｔ６よりも先に、電流ＩＬ１１が時間経過に伴って増加し始め、主スイッチング素子Ｑ１がオンする時刻ｔ６で零となり、その時刻ｔ６以降で、トランスＴ１の２次巻線ＬＳとともに同期整流インダクタンス素子Ｌ１に電流ＩＬ１が流れて電力の蓄積が行われる。
【００６７】
時刻ｔ３〜ｔ６における両スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２をいずれもオフに保つ時刻ｔ３〜ｔ６を長く設定するには、ダイオードＤ１の順方向電圧降下ＶＦ（Ｄ１）を大きくすればよく、そのためにはたとえばダイオードＤ１を同一方向に複数個、直列接続してもよく、これによって図３（４）および図６（３）の点線３３で示される特性を達成することができる。すなわちデッドアングルである時刻ｔ３〜ｔ６の時間を拡大するには、同期整流インダクタンス素子Ｌ１のオフ時の電圧時間積Ｓ１２の時間ｔ２〜ｔ３を短縮すればよく、そのためには前述のようにダイオードＤ１の順方向電圧降下ＶＦ（Ｄ１）を増やせばよい。
【００６８】
こうして同期整流スイッチング素子Ｑ２のゲート、ソース間電圧ＶＧＳを、時刻ｔ３ａ（図３（５）および図６（４）参照）で、時刻ｔ３よりも、もっと早くオフすることができる。
【００６９】
要約すると、トランスＴ１の２次巻線電流ＩＬＳが零になったことを、同期整流インダクタンス素子Ｌ１で等価的に検出することができる。したがって主スイッチング素子Ｑ１のオフ期間Ｔｏｆｆで時刻ｔ２以降、同期整流インダクタンス素子Ｌ１に流れる電流ＩＬ１１が零になった時刻ｔ３で、同期整流スイッチング素子Ｑ２を、ターンオフさせ、トランスＴ１のエネルギ放出を完了した２次巻線電流ＩＬＳが零となった時点、すなわち図５（５）の点Ｂで、同期整流スイッチング素子Ｑ２をターンオフするのと理論的に同タイミングとなる。主スイッチング素子Ｑ１と同期整流スイッチング素子Ｑ２とは、ターンオンが理論的に重なることはなく、理想的な同期整流スイッチング素子Ｑ２の制御が可能になる。
【００７０】
フライバック形スイッチング電源では、前述の式１と出力電圧Ｖ０とが決定されれば、主スイッチング素子Ｑ１のオフ時間Ｔｏｆｆは、すでに決まっている。トランスＴ１では、式８に関して前述したように、
（ＯＮ時間・ＯＮ電圧） ＝ （ＯＦＦ時間・ＯＦＦ電圧） …（11）
であるので、出力電圧Ｖ０でオフ期間Ｔｏｆｆが決まる。
【００７１】
同期整流インダクタンス素子Ｌ１のオン期間Ｔｏｎにおける電流ＩＬ１では、前述の式６で示されるように、励磁されたエネルギは、前述の式７で減衰し、電圧（ＶＯ＋ＶＦ（Ｄ１））の分だけ、トランスＴ１のオフ時間Ｔｏｆｆ後縁よりも先に、零（すなわち０Ａ）を通過し、逆電圧が発生する。こうして両主スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２が同時にオンすることが回避される。こうして主スイッチング素子Ｑ１のオン／オフ時に発生する電圧時間積Ｓ１，Ｓ２から、主スイッチング素子Ｑ１のターンオフ後縁、すなわち主スイッチング素子Ｑ１のターンオン前縁を、チョークコイルなどの同期整流インダクタンス素子Ｌ１で等価的に検出することができる。これによって主スイッチング素子Ｑ１のオンする時刻ｔ６よりも前ｔ３，ｔ３ａに、同期整流スイッチング素子Ｑ２をターンオフすることは可能になる。しかも本発明では、トランスＴ１に、制御巻線を追加する必要はなく、またパルストランスおよび専用集積回路ＩＣが不要であり、さらに動作周波数が固定／変動いずれにも柔軟に適応することができる。本発明は、前述のフライバックコンバータに限らず、オン／オフの電圧時間積が等価な回路方式に全て、実施することができる。
【００７２】
このように主スイッチング素子Ｑ１のターンオンよりも前に、同期整流スイッチング素子Ｑ２をターンオフさせる動作を実現するには、少なくとも主スイッチング素子Ｑ１のターンオンタイミングを、何らかの手段で予測、把握できていなければ、同期整流スイッチング素子Ｑ２を事前にターンオフすることは不可能である。本発明が属する技術分野の当業者によれば、主スイッチング素子Ｑ１のターンオンの時刻ｔ１から、タイマによって設定された一定時間後に、同期整流スイッチング素子Ｑ２をターンオフする構成を採用することが容易に考えられよう。このような構成によれば、主スイッチング素子Ｑ１のオン／オフの周期が変われば、同期整流スイッチング素子Ｑ２のオン期間Ｔｏｎ２が相対的に短くなるか、または同期整流スイッチング素子Ｑ２のターンオンが主スイッチング素子Ｑ１のターンオンとオーバラップするなどの問題点が生じる。
【００７３】
当業者によれば、パルス幅変調ＴＷＭ制御集積回路ＩＣなどを用いた発振器を用いて三角波によるＰＷＭ変換を行い、主スイッチング素子Ｑ１のターンオンより先に同期整流スイッチング素子Ｑ２をターンオフさせることは原理的に可能であり、このような構成が容易に思いつくであろう。この構成は、同期整流スイッチング素子Ｑ２のオン／オフ制御のための制御信号を２次側へ伝達する絶縁パルストランスなどを必要とする。したがって、汎用性が劣り、しかもコスト低減に劣る。本発明は、このような当業者に容易な構成における前述の問題点を全て解決する。
【００７４】
図８は本発明の実施の他の形態のフォワード形スイッチング電源の具体的な構成を示す電気回路図であり、図９は図８に示されるフォワード形スイッチング電源の全体の構成を示す簡略化したブロック図である。この図８および図９に示されるフォワード形スイッチング電源は、前述の図１〜図７に示されるフライバック形スイッチング電源と類似の構成を有し、対応する部分には同一のまたは類似の参照符を用い、または英文字の添字として付して示すことがある。直流電源６には、トランスＴ１１の１次巻線ＬＰが、ライン７に介在された主スイッチング素子Ｑ１１を介して接続され、主スイッチング制御回路９によって周期的にオン／オフされる。トランスＴ１１の２次巻線ＬＳには並列に、ライン１２，２９に第１同期整流スイッチング素子Ｑ１２が接続される。２次巻線ＬＳと第１同期整流スイッチング素子Ｑ１２との間には、第２同期整流スイッチング素子Ｑ１３が介在される。これらの第１および第２同期整流スイッチング素子Ｑ１２，Ｑ１３は、たとえば金属酸化膜電界効果トランジスタＭＯＳＦＥＴによって実現される。
【００７５】
第１および第２同期整流スイッチング素子Ｑ１２，Ｑ１３の各制御端子であるゲートには、同期整流スイッチング制御回路３４を構成する２つの第１および第２同期整流スイッチング制御回路３５，３６からオン／オフの制御のための制御信号が与えられる。ライン１２には、第１同期整流スイッチング素子Ｑ１２に関して２次巻線ＬＳとは反対側で出力端子１４、したがって負荷との間に直列に、エネルギ蓄積インダクタンス素子Ｌ１０が介在されて接続される。
【００７６】
第１同期整流スイッチング制御回路３５は、直列回路３７と、同期整流用制御回路３８とを有する。直列回路３７は、エネルギ蓄積インダクタンス素子Ｌ１０に並列に接続される。この直列回路３７は、同期整流インダクタンス素子Ｌ１１と、この同期整流インダクタンス素子Ｌ１１に直列に接続されるダイオードＤ１１とを有する。同期整流インダクタンス素子Ｌ１１は、たとえばチョークコイルなどによって実現することができる。
【００７７】
同期整流用制御回路３８は、電圧検出用ダイオードＤ１２と、同期整流スイッチング素子用制御信号発生回路３９とを有する。電圧検出用ダイオードＤ１２のカソードは、同期整流インダクタンス素子Ｌ１１とダイオードＤ１１との接続点Ａに接続される。この電圧検出用ダイオードＤ１２は、ダイオードＤ１１のオフ時に順方向となってオンするように方向性結合される。同期整流スイッチング素子用制御信号発生回路３９は、電圧検出用ダイオードＤ１２のアノードに接続されており、第１同期整流スイッチング素子Ｑ１２の制御端子であるゲートに、オフするための電圧を有する制御信号を与える。同期整流スイッチング素子用制御信号発生回路３９は、前述の図１に示される同期整流スイッチング素子用制御信号発生回路に２８に類似し、トランジスタＱ３〜Ｑ５、抵抗Ｒ３１〜Ｒ５２、コンデンサＣ３１，Ｃ３２を含む。
【００７８】
接続点Ｆは抵抗Ｒ４２を介して、またトランジスタＱ４のコレクタは、接続端子１４に接続される。トランジスタＱ５のベースに接続される抵抗Ｒ５１およびコンデンサＣ５１の並列回路は、接続点Ｊでライン４１を介して、２次巻線ＬＳのライン１２に接続される。
【００７９】
第２同期整流スイッチング素子Ｑ１３のための第２同期整流スイッチング制御回路３６は、そのスイッチング素子Ｑ１３のゲートとライン１２とを接続する抵抗Ｒ１１と、ゲート、ソース間に接続される抵抗Ｒ１２とを有する。
【００８０】
図１０および図１１は、図８および図９に示されるフォワード形スイッチング電源の動作を説明するための波形図である。図１０（１）は主スイッチング素子Ｑ１１のオン／オフのスイッチング状態とともに、ドレンソース間の電圧ＶＤＳを示す。図１０（２）は第２同期整流スイッチング素子Ｑ１３のオン／オフのスイッチング状態を示す図であり、図１０（３）は第１同期整流スイッチング素子Ｑ１２のオン／オフのスイッチング状態を示す図である。図１０（４）はエネルギ蓄積インダクタンス素子Ｌ１０のエネルギ蓄積時の電流ＩＬＳと蓄積したエネルギを放出する負荷電流Ｉｆとを示す図である。図１０（５）は、同期整流インダクタンス素子Ｌ１１への接続点Ａにおける電圧を示す。図１０（６）は、同期整流インダクタンス素子Ｌ１１の両端の電位差ＶＬ１を示す図であり、オン期間の電圧時間積Ｓ１１とオフ期間Ｔｏｆｆ１の電圧時間積Ｓ１２は等しい。図１０（７）は、同期整流インダクタンス素子Ｌ１１に流れる電流ＩＬ１，ＩＬ１１を示す。図１０（８）は第１同期整流スイッチング素子Ｑ１２のオン／オフのスイッチング状態とゲート、ソース間電圧ＶＧＳを示す。図１１（１）は直列回路３７のダイオードＤ１１のオン／オフのスイッチング状態を示す。図１１（２）は電圧検出用ダイオードＤ１２のオン／オフのスイッチング状態を示す。図１１（３）はトランジスタＱ５のオン／オフのスイッチング状態を示し、図１１（４）はトランジスタＱ３のオン／オフのスイッチング状態を示し、図１１（５）はトランジスタＱ５のオン／オフのスイッチング状態を示す。
【００８１】
動作中、主スイッチング素子Ｑ１１の時刻ｔ１１〜ｔ１２におけるオン期間Ｔｏｎでは、第２同期整流スイッチング素子Ｑ１３はオンし（図１０（２）参照）、このとき第１同期整流スイッチング素子Ｑ１２はオフし（図１０（３）参照）、エネルギ蓄積インダクタンス素子Ｌ１０に、トランスＴ１１からの電力が蓄積され、その電圧時間積Ｓ１１は、図１０（６）に前述のように示されている。このオン期間Ｔｏｎで、エネルギ蓄積インダクタンス素子Ｌ１０に電力が蓄積されると同時に、同期整流インダクタンス素子Ｌ１１にも、電流ＩＬ１で示されるように（図１０（７）参照）、ダイオードＤ１１を介して流れる。エネルギ蓄積インダクタンス素子Ｌ１０に供給される電力の電流ＩＬＳは、時間経過に伴って増大する（図１０（４）参照）。
【００８２】
主スイッチング素子Ｑ１１には、時刻ｔ１２〜ｔ１６のオフ期間Ｔｏｆｆで、第２同期整流スイッチング素子Ｑ１３はオフし（図１０（２）参照）、このとき時刻ｔ１２以降、第１同期整流スイッチング素子Ｑ１２はオンし、エネルギ蓄積インダクタンス素子Ｌ１０の負荷電流ＩＦが平滑コンデンサＣ１および負荷に供給され、これと同時に同期整流インダクタンス素子Ｌ１１から蓄積電力が供給され、その電流ＩＬ１１は時間経過に伴って減少する。
【００８３】
主スイッチング素子Ｑ１１のオフ期間Ｔｏｆｆで、同期整流インダクタンス素子Ｌ１１の電流ＩＬ１１は、時刻ｔ１３で零となる。こうして同期整流インダクタンス素子Ｌ１１に流れるオン期間Ｔｏｎとオフ期間Ｔｏｆｆ１（すなわち時刻ｔ１２〜ｔ１３）とにおける各電流ＩＬ１，ＩＬ１１は、次のとおりである。
ＩＬ１ ＝ (ＶＳ−ＶＦ(Ｄ１１)−Ｖ０)・Ｔｏｎ／Ｌ１１ …（12）
ＩＬ１１ ＝ −(Ｖ０＋ＶＦ(Ｄ１１))・Ｔｏｆｆ１／Ｌ１１ …（13）
【００８４】
フォワード形スイッチング電源においても、前述のフライバック形スイッチング電源と同様に、同期整流インダクタンス素子Ｌ１１に直列にダイオードＤ１１が接続されることによって、その順方向電圧降下ＶＦ（Ｄ１１）に起因して、主スイッチング素子Ｑ１１がオンする時刻ｔ１６よりも前の時刻ｔ１３で、電流ＩＬ１１が零となって第１同期整流スイッチング素子Ｑ１２がオフする。これによって主スイッチング素子Ｑ１１と第１同期整流主スイッチング素子Ｑ１２とが同時にオンすることが回避される。
【００８５】
直列回路３７のダイオードＤ１１を多段化して複数個、直列接続し、式１２および式１３における合計の順方向電圧降下ＶＦ（Ｄ１１）を増大し、これによって図１０（７）および図１０（８）の点線で示される特性を得て、時刻ｔ１３を、時刻t１３ａに早めることができる。
【００８６】
図１２は本発明の一形態のステップダウン形スイッチング電源の具体的な電気的構成を示す電気回路図であり、図１３は図１２に示されるステップダウン形スイッチング電源の全体の構成を簡略化して示す電気回路図である。図１２および図１３に示されるステップダウン形スイッチング電源は、前述の図１〜図１１に示される実施の各形態に類似し、対応する部分には同一の参照符を付す。直流電源６の一端子が接続されるライン４４には、主スイッチング素子Ｑ２１が接続され、さらにライン４５には出力端子１４が接続されるライン４６との間に、エネルギ蓄積インダクタンス素子Ｌ２０が介在されて接続される。主スイッチング素子Ｑ２１とエネルギ蓄積インダクタンス素子Ｌ２０との間の接続点を構成するライン４５には、直流電源６の他端子と出力端子１３とを接続するライン４７とに、同期整流スイッチング素子Ｑ２２が接続される。主スイッチング素子Ｑ２１および同期整流スイッチング素子Ｑ２２は、金属酸化膜電界効果トランジスタＭＯＳＦＥＴによって実現される。主スイッチング制御回路４８は、ライン４７に接続されるとともに、出力端子１４にライン４９を介して接続され、ゲートに周期的にオン／オフする制御信号を発生して与える。同期整流スイッチング素子Ｑ２２のゲートには、同期整流スイッチング制御回路５１から、制御信号が与えられて、オン／オフ制御される。
【００８７】
同期整流スイッチング制御回路５１は、エネルギ蓄積インダクタンス素子Ｌ２０に並列に、ライン４５，４６に接続される直列回路５２と、同期整流用制御回路５３とを有する。同期整流用制御回路５３は、電圧検出用ダイオードＤ２２と、同期整流スイッチング素子用制御信号発生回路５４とを有する。電圧検出用ダイオードＤ２２のカソードは、同期整流インダクタンス素子Ｌ２１とダイオードＤ２１との接続点Ａに接続される。この電圧検出用ダイオードＤ２２のアノードは、同期整流スイッチング素子用制御信号発生回路５４のベースに抵抗Ｒ４１を介して接続点Ｆに接続される。トランジスタＱ４のコレクタは、抵抗Ｒ４４を介して接続点Ｆに接続されるとともに、ライン５６を介して、出力端子１４のライン４６に接続される。トランジスタＱ５のベースは、抵抗Ｒ５１、コンデンサＣ５１を介して接続点Ｊからライン４５に接続される。
【００８８】
図１４および図１５は、図１２および図１３に示されるステップダウン形スイッチング電源の動作を説明するための波形図である。図１４（１）は同期整流インダクタンス素子Ｌ２１の両端の電位差ＶＬ１を示す。主スイッチング素子Ｑ２１の時刻ｔ２１〜ｔ２２におけるオン期間Ｔｏｎの電圧時間積Ｓ１１は、主スイッチング素子Ｑ２１が時刻ｔ２２〜ｔ２７のオフ期間Ｔｏｆｆで、同期整流スイッチング素子Ｑ２２が時刻ｔ２２からオフするオフ期間Ｔｏｆｆ１の電圧時間積Ｓ１２と等しい。
【００８９】
図１４（２）は、同期整流スイッチング素子Ｑ２２のゲート、ソース間電圧ＶＧＳを示し、図１４（３）はこの同期整流スイッチング素子Ｑ２２のオン／オフのスイッチング状態を示す。図１４（４）は主スイッチング素子Ｑ２１のオン／オフのスイッチング状態を示す。
【００９０】
図１４（５）は、エネルギ蓄積インダクタンス素子Ｌ２０に流れるオン期間Ｔｏｎの電流ＩＬＳと、オフ期間Ｔｏｆｆで流れる負荷電流Ｉｆを示す。エネルギ蓄積インダクタンス素子Ｌ２０は、オン期間Ｔｏｎで電流ＩＬＳの時間経過に伴う増加によって蓄積したエネルギを、オフ期間Ｔｏｆｆで時間経過に伴って負荷電流Ｉｆが経過して放出する。
【００９１】
図１４（６）は、同期整流インダクタンス素子Ｌ２１に流れるオン期間Ｔｏｎの電流ＩＬ１とオフ期間Ｔｏｆｆに流れる電流ＩＬ１１とを示す。同期整流インダクタンス素子Ｌ２１は、時刻ｔ２２以降、電力を放出し、その電流ＩＬ１１は、時刻ｔ２３で逆方向に流れる。
【００９２】
図１５（１）は直列回路５２のダイオードＤ２１のオン／オフのスイッチング状態を示し、図１５（２）は電圧検出用ダイオードＤ２２のオン／オフのスイッチング状態を示す。さらに図１５（３）はトランジスタＱ５のオン／オフのスイッチング状態を示し、図１５（４）はトランジスタＱ３のオン／オフのスイッチング状態を示し、図１５（５）はトランジスタＱ４のオン／オフのスイッチング状態を示す。さらに図１５（６）は同期整流インダクタンス素子Ｌ２１の接続点Ａにおける電圧を示す。同期整流インダクタンス素子Ｌ２１に流れるオフ期間Ｔｏｆｆの電流ＩＬ１１が時刻ｔ２３で零になった後、主スイッチング素子Ｑ２１が再びオンに戻る時刻ｔ２７では、接続点Ａの電圧は、図１５（６）に示されるように出力電圧Ｖ０未満の負電位となり、これによって電圧検出用ダイオードＤ２２は図１５（２）に示されるようにオンし、そのため同期整流スイッチング素子用制御信号発生回路５４は、同期整流スイッチング素子Ｑ２２の制御端子であるゲートに、トランジスタＱ３のオン（図１５（４）参照）、およびトランジスタＱ１４のオフ（図１５（５）参照）によって、その同期整流スイッチング素子Ｑ２２がオフする電圧を有する制御信号を与える（図１４（２）および図１４（３）参照）。
【００９３】
同期整流インダクタンス素子Ｌ２１に、オン期間Ｔｏｎで流れる電流ＩＬ１は、式１４で示され、同期整流スイッチング素子Ｑ２２のオフ期間Ｔｏｆｆ１で時刻ｔ２２以降、流れる電流ＩＬ１１は、式１５で示される。
ＩＬ１ ＝ (Ｖｉｎ−ＶＦ(Ｄ２１)−Ｖ０)・Ｔｏｎ／Ｌ１ …（14）
ＩＬ１１ ＝ −(Ｖ０＋ＶＦ(Ｄ２１))・Ｔｏｆｆ１／Ｌ１ …（15）
【００９４】
主スイッチング素子Ｑ２１がオンになる時刻ｔ２６よりも前の時刻ｔ２３で、同期整流スイッチング素子Ｑ２２がオフするので、両スイッチング素子Ｑ２１，２２がいずれもオンになる状態を回避することができる。
【００９５】
時刻ｔ２３〜ｔ２６のデッドタイムを図１４（２）の時刻ｔ２３ａ〜ｔ２６のように大きくするには、直列回路５２に備えられダイオードＤ２１の順方向電圧降下ＶＦ（Ｄ２１）を大きくすればよく、そのためには複数のダイオードＤ２１を多段化して直列接続すればよい。こうして得られる特性は、図１４（６）の点線で示される。その他の構成と動作は、前述の実施の形態と同様である。
【００９６】
図１６は、本発明の実施のさらに他の形態のステップダウン形スイッチング電源の具体的な構成を示す電気回路図である。図１６に示される実施の形態は、前述の図１２〜図１５の実施の形態に類似し、対応する部分には同一の参照符を付す。注目すべきは、この実施の形態では、同期整流用制御回路５３に備えられる同期整流スイッチング素子用制御信号発生回路５４に備えられたトランジスタＱ４のコレクタは、ライン５７を介して直流電源６と主スイッチング素子Ｑ２１との間の瀬印４４に、ライン５７を介して接続される。トランジスタＱ４のコレクタには、電源６の出力電圧が常に印加され、このことは前述の図１２〜図１５の実施の形態において平滑コンデンサＣ１の出力電圧Ｖ０が常に与えられることと等価である。
【００９７】
【発明の効果】
本発明によれば、順方向電圧降下ＶＦ（Ｄ１）が比較的大きいダイオードを用いる代りに、金属酸化膜電界効果トランジスタＭＯＳＦＥＴなどによって実現される導通損失が小さい能動素子である同期整流スイッチング素子Ｑ１，Ｑ１２，Ｑ２２を用い、主スイッチング素子Ｑ１，Ｑ１２，Ｑ２１と同期整流スイッチング素子との両者が同時にオンする状態が発生することを確実に防ぐようにしたので、電力損失の増大を防ぎ、主スイッチング素子および同期整流スイッチング素子、その他の電子回路素子の破壊を防ぐことができ、こうして導通損失が小さいという同期整流効果を上首尾に達成することができる。しかも本発明では、同期整流インダクタンス素子Ｌ１，Ｌ１１，Ｌ２１は、商業的に入手容易なチョークコイルなどの簡単な構成で実現され、本発明の実施が容易であり、汎用性に優れたスイッチング電源が実現される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の一形態のフライバック形スイッチング電源の具体的な構成を示す電気回路図である。
【図２】フライバック形スイッチング電源の全体の構成を簡略化して示す電気回路図である。
【図３】主スイッチング素子Ｑ１のオン／オフのスイッチング状態に対応するドレン、ソース間電圧ＶＤＳを示す。
【図４】ダイオードＤ１のスイッチング状態を示す。
【図５】フライバック形スイッチング電源の動作を説明するための波形図であり、
【図６】フライバック形スイッチング電源の動作を説明するための波形図である。
【図７】フライバック形スイッチング電源の動作を説明するための波形図である。
【図８】本発明の実施の他の形態のフォワード形スイッチング電源の具体的な構成を示す電気回路図である。
【図９】フォワード形スイッチング電源の全体の構成を示す簡略化したブロック図である。
【図１０】フォワード形スイッチング電源の動作を説明するための波形図である。
【図１１】フォワード形スイッチング電源の動作を説明するための波形図である。
【図１２】本発明の一形態のステップダウン形スイッチング電源の具体的な電気的構成を示す電気回路図である。
【図１３】ステップダウン形スイッチング電源の全体の構成を簡略化して示す電気回路図である。
【図１４】ステップダウン形スイッチング電源の動作を説明するための波形図である。
【図１５】ステップダウン形スイッチング電源の動作を説明するための波形図である。
【図１６】本発明の実施のさらに他の形態のステップダウン形スイッチング電源の具体的な構成を示す電気回路図である。
【図１７】典型的な先行技術を示す図である。
【符号の説明】
６ 直流電源
９，４８ 主スイッチング制御回路
１５，３４，５１ 同期整流スイッチング制御回路
２６，３７，５２ 直列回路
２７，３８，５３ 同期整流用制御回路
２８，３９，５４ 同期整流スイッチング素子用制御信号発生回路
３５ 第１同期整流スイッチング制御回路
３６ 第２同期整流スイッチング制御回路[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a switching power supply such as a DC / DC converter.
[0002]
[Prior art]
A typical prior art is shown in FIG. In the flyback switching power supply, the output of the
[0003]
In the switching power supply using the secondary side rectifier diode D42 shown in FIG. 17, the secondary side occupies the total loss of the switching power supply as the voltage and current of the electronic equipment using the switching power supply is reduced. The loss of the rectifier diode D42 occupies, for example, 40% or more. Therefore, in order to increase the efficiency of the switching power supply, the reduction of the loss of the diode D42 is an essential theme. For example, when the forward voltage drop VF (D42) of the diode D42 is 0.55V and the output voltage V0 is 5.0V, the forward voltage drop VF (D42) of the diode D42 is 11% ( = 0.55 / 5.0). When the forward current IF flows through the diode D42 at 10 A, the conduction loss Pd of the diode D42 becomes a large value of 5.5 W (= VF × IF = 0.55 V × 10 A). The loss of the secondary side rectifier diode D42 may occupy 25 to 45% depending on the output voltage specification.
[0004]
In the prior art for solving this problem (see Patent Document 1), a metal oxide field effect transistor (abbreviated as MOSFET) is used as the main switching element Q41 in place of the diode D42 in FIG. By using the metal oxide field effect transistor MOSFET as the synchronous rectification switching element Q42, the conduction loss Pd of the MOSFET has an on-resistance value RDS between the drain and the source of 0.01Ω and a drain current ID of 10A. 1.0W (= RDS × ID2= 0.01Ω × 10A2Thus, the loss is reduced to about one fifth of the conduction loss of the diode D42. A circuit that rectifies using such a synchronous rectification switching element is called a synchronous rectification circuit.
[0005]
In the above-described prior art, the configuration using the MOSFET as the synchronous rectification switching element Q42 instead of the diode D42 has a new problem. During the ON period of the main switching element Q41, energy is accumulated in the
[0006]
In the off period of the main switching element Q41, the energy stored when the main switching element Q41 is on is generated as a positive voltage in the
[0007]
[Patent Document 1]
JP-A-5-137326
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
An object of the present invention is to provide a main switching element that periodically turns on and off a DC power supply, and a synchronous rectification switching element that supplies power stored in an energy storage inductance element having an inductance component such as a transformer and a coil to a load. Another object of the present invention is to provide a switching power supply that reliably prevents the ON states at the same time, thereby achieving a synchronous rectification effect with low loss and preventing destruction of electronic components.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
The present invention relates to a main switching element Q connected to a DC power source.1Power that is intermittently turned on / off periodically is supplied to the energy storage inductance element T during the ON period of the main switching element.1Accumulated and synchronous rectification switching element Q2Turn off,
In the switching power supply that turns on the synchronous rectification switching element and supplies the power stored in the energy storage inductance element to the load during the off period of the main switching element.
(A) Connected in parallel to the energy storage inductance elementFirstA series circuit,
Synchronous rectification inductance element L1 and,
Connected in series with the synchronous rectification inductance element and directional coupled to store power in the synchronous rectification inductance element along with the energy storage inductance element during the on-period of the main switching elementFor synchronous rectification inductance elementDiode D1 andincludingFirstA series circuit;
(B)A
(B1)Synchronous rectification inductance element andFor synchronous rectification inductance elementConnection point A with the diodeA voltage detection diode D2 connected to
(B2) a switching element Q5 having a control terminal to which a voltage at a terminal J opposite to the voltage detection diode D2 of the synchronous rectification inductance element L1 is applied;
(B3) A second series circuit in which a pair of transistors Q3 and Q4 having different conductivity types are connected in series,
One end of the second series circuit is connected to one terminal of the energy storage inductance element T1,
The other end of the second series circuit is connected to the other terminal of the energy storage inductance element T1 via the synchronous rectification switching element Q2,
The connection point of the outputs of the pair of transistors Q3 and Q4 is connected to the control terminal G of the synchronous rectification switching element Q2,
Each control terminal of the pair of transistors Q3, Q4 includes a second series circuit that is connected to each other and to which the output of the synchronous rectifying inductance element diode D1 and the output of the switching element Q5 are provided in common,
(B4) The current IL11 due to the energy stored in the synchronous rectification inductance element L1 is attenuated (time t3), and the main switching element is operated by the action of the voltage detection diode D2 due to the reverse voltage at the connection point A and one of the transistors Q3. Prior to turning on Q1 (time t6), the synchronous rectification switching element Q2 is turned off,
The voltage VL1 of the synchronous rectification inductance element L1 is inverted (time t2, t7), and the synchronous rectification switching element Q2 is turned on by the action of the switching element Q5 and the other transistor Q4.Synchronous
[0010]
Briefly describing the present invention, in a synchronous rectifier circuit using a synchronous rectifier switching element, such as a metal oxide field effect transistor MOSFET, for a secondary side rectifier or a commutation diode of a DC / DC converter in a switching power supply, The on / off of the synchronous rectification switching element is controlled so that the turn-on signal of the synchronous rectification switching element does not overlap with the turn-on signal of the main switching element realized by the metal oxide field effect transistor MOSFET or the like. Energy storage inductance element T1 isThe voltage time product S1 generated in the ON period Ton of the main switching element is equal to the voltage time product S2 of the OFF period Toff (S1 = S2), and the synchronous rectification inductance elements L1, L11, L21 are diodes D.1By utilizing the phenomenon that the voltage time product S11 stored in the ON period Ton of the main switching element is equal to the time product releasing this in the OFF period Toff1 (S11 = S12), the energy storage inductance element T1'sBefore the discharge of the stored power is completed, the synchronous rectification inductance element L1'sThe discharge of the stored power is completed, and this synchronous rectification inductance element L1'sDetection of completion of discharge of stored power, next turn-on time t of main switching element6Before tTo 3Ensure that the synchronous rectification switching element is turned off.
[0011]
According to the present invention, the main switching element included in the DC / DC converter of the switching power supply is periodically turned on / off to interrupt the power of the DC power supply. At this time, the synchronous rectification switching element is kept off, and the synchronous rectification switching element is turned on and the electric power stored in the energy storage inductance element is supplied to the load during the off period of the main switching element. .
[0012]
A series circuit is connected in parallel to the energy storage inductance element, and the series circuit includes the synchronous rectification inductance element and a diode, and a voltage or current at a connection point between the synchronous rectification inductance element and the diode in the series circuit. , The synchronous rectification control circuit turns off the synchronous rectification switching element at t3 before the main switching element is turned on. As a result, at the time t6 when the main switching element is turned on, the synchronous rectification switching element is kept off, so that both the main switching element and the synchronous rectification switching element can be prevented from being turned on.
[0013]
In particular, in the present invention, a series circuit is connected in parallel with the energy storage inductance element. Therefore, energy is stored in the energy storage inductance element in the on-period Ton of the main switching element, and at the same time, the voltage VS is applied to the series circuit. Therefore, a voltage (−VF (D1)) lower by the diode forward voltage drop VF (D1) is given to the synchronous rectifying inductance element. The voltage time product S11 (= {VS−VF (D1)} · Ton) of the synchronous rectification inductance element in the on period Ton of the main switching element, and this voltage time product is the synchronous rectification in the off period Toff of the main switching element. The power accumulated in the inductance element is equal to the voltage time product S12 (= {V0 + VF (D1)} · Toff1) supplied to the load through the diode. Toff1 is the time from time t2 when the main switching element is cut off to time t3 when the discharge of the electric power stored in the synchronous rectification inductance element is finished.
[0014]
The voltage time product S1 of the energy storage inductance element is VS · Ton in the on period of the main switching element, and V0 · Toff in the off period, and both voltage time products S2 in the on period and the off period are equal. . The energy storage inductance element and the periodic rectification inductance element operate as long as they are not magnetically saturated.
[0015]
Therefore, in the OFF period of the main switching element, the time Toff1 until the discharge of the accumulated power of the synchronous rectification inductance element is shorter than the time Toff where the accumulated power of the energy storage inductance element ends the discharge. That is, the synchronous rectification inductance element is a diode D.1 isThe synchronous rectification inductance element L1By connecting in series, the time Toff1 for ending the discharge of the electric power stored in the synchronous rectification inductance element is shorter than the time Toff for ending the discharge of the electric power stored in the energy storage inductance element. The change in voltage or current at the connection point A between the synchronous rectification inductance element and the diode is determined by the
[0016]
The main switching element is then turned on again, that is, at time t6 after the power stored in the energy storage inductance element has been released. Thus, at the time t6 when the main switching element is turned on again, the synchronous rectification switching element is already turned off. This prevents the main switching element and the synchronous rectification switching element from being turned on simultaneously. As a result, it is possible to prevent an increase in power loss due to a phenomenon in which the main switching element and the synchronous rectification switching element are turned on at the same time and destruction of electronic circuit components. Can be used to successfully achieve the synchronous rectification effect of reducing the conduction loss. Synchronous rectification inductance elements can be easily realized by using commercially available choke transformers, etc. Therefore, it is not necessary to use custom parts such as drive transformer, current transformer, transformer drive winding addition, etc. The implementation of the invention is very easy.
[0017]
The present invention also provides(A)DC power supply,
(B)A transformer T1 having a primary winding and a secondary winding;
(C)A main switching element Q1 interposed between the DC power supply and the primary winding of the transformer;
(D)A main switching control circuit for periodically turning on and off the main switching element;
(E)Interposed between the secondary winding and the load.Have a control terminal and perform on or off switching operation depending on the voltage of the control terminal.Synchronous rectification switching element Q2,
(F)Connected in parallel to the secondary windingFirstA series circuit,
(F1)A synchronous rectification inductance element L1,
(F2)A diode D1 connected in series with the synchronous rectification inductance element and directionally coupled to store power in the synchronous rectification inductance element together with the transformer during the ON period of the main switching
(G) a synchronous
(G1) a voltage detection diode D2 connected to a connection point A between the synchronous rectification inductance element and the diode D1 and directionally coupled so as to be turned on in the forward direction when the diode D1 is turned off;
(G2) a switching element Q5 having a control terminal to which a voltage at a terminal J opposite to the voltage detection diode D2 of the synchronous rectification inductance element L1 is applied;
(G3) A second series circuit in which a pair of transistors Q3 and Q4 having different conductivity types are connected in series,
One end of the second series circuit is connected to one terminal of the energy storage inductance element T1,
The other end of the second series circuit is connected to the other terminal of the energy storage inductance element T1 via the synchronous rectification switching element Q2,
The connection point of the outputs of the pair of transistors Q3 and Q4 is connected to the control terminal G of the synchronous rectification switching element Q2,
Each control terminal of the pair of transistors Q3, Q4 includes a second series circuit that is connected to each other and to which the output of the synchronous rectifying inductance element diode D1 and the output of the switching element Q5 are provided in common,
(G4) The current IL11 due to the energy stored in the synchronous rectifying inductance element L1 is attenuated (time t3), and the voltage detection diode D2 is turned on by the reverse voltage at the connection point A, and one of the transistors Q3 is turned on. Thus, before the main switching element Q1 is turned on (time t6), the synchronous rectification switching element Q2 is turned off,
The voltage VL1 of the synchronous rectification inductance element L1 is inverted (time t2, t7), the switching element Q5 is turned off, and the other transistor Q4 is turned on, thereby turning on the synchronous rectification switching element Q2.A flyback type switching power supply comprising a
[0019]
According to the present invention, as will be described later with reference to FIGS. 1 to 7, in the flyback type switching power supply, the transformer T1 as the energy storage inductance element is supplied with the power which is the energy during the ON period of the main switching element Q1. Is stored, and the energy stored in the transformer T1 is exhausted in the next off period of the main switching element. In another embodiment of the present invention, the next energy may be stored before all the energy stored in the transformer T1 is released.
[0020]
A series circuit including a synchronous rectification inductance element L1 and a diode D1 is connected in parallel to the secondary winding of the transformer. The synchronous rectification inductance element is connected to the main switching element on / off in the same manner as the transformer. The accumulation / discharge of power is repeated, but the synchronous rectification control circuit turns off the synchronous rectification switching element Q2 at the power discharge completion time t3 (see FIGS. 3 to 7) of the synchronous rectification inductance element by the action of the diode D1. Thereafter, the discharge of the accumulated power is completed and the main switching element is turned on at time t6. This avoids a state in which the main switching element is turned on while the synchronous rectification switching element Q2 is kept off, and thus both the main switching element and the synchronous rectification switching element are simultaneously turned on. Is certain.
[0021]
According to the present invention, as the synchronous rectification switching element, for example, a switching element such as a metal oxide field effect transistor MOSFET may be used. The synchronous
[0022]
The present invention also provides a DC power source,
A transformer T11 having a primary winding and a secondary winding;
A main switching element Q11 interposed between the DC power supply and the primary winding of the transformer;
A main switching control circuit for periodically turning on and off the main switching element;
A first synchronous rectification switching element Q12 connected in parallel to the secondary winding;
A second synchronous rectification switching element Q13 interposed between the secondary winding and the first synchronous rectification switching element;
A second synchronous rectification switching
An energy storage inductance element L10 connected in series with a load on the opposite side of the secondary winding LS with respect to the first synchronous rectification switching element Q12;
A
A synchronous rectification inductance element L11;
A series circuit including a diode D11 connected in series with the synchronous rectification inductance element and directionally coupled to store power with the energy storage inductance element during an on period of the main switching element;
A control circuit for
[0023]
Further, according to the present invention, the first synchronous rectification switching element Q12 has a control terminal, and performs an on or off switching operation depending on the voltage of the control terminal,
The
A voltage detection diode D12 connected to a connection point A between the synchronous rectification inductance element L11 and the diode D11 and directionally coupled so as to be turned on in a forward direction when the diode is turned off;
A control signal generation circuit 39 for a synchronous rectification switching element that provides a control signal having a voltage for turning off to a control terminal of the first synchronous rectification switching element Q12 in response to the on of the voltage detection diode D12. Features.
[0024]
According to the present invention, as will be described later with reference to FIGS. 8 to 11, in the forward type switching power supply, the input and the output are insulated by the transformer T11 and the main switching element Q11 provided in the primary winding In the ON period Ton, the first synchronous rectification switching element Q12 connected in parallel to the secondary winding is turned off, and the second synchronous rectification switching interposed between the secondary winding and the first synchronous rectification switching element Q12 The element Q13 is turned on to store power in the energy storage inductance element L10. At the same time, power is also stored in the synchronous rectification inductance element L11 of the series circuit via the diode D11.
[0025]
The second synchronous rectification switching element Q13 is kept cut off during the OFF period Toff of the main switching element Q11. During the OFF period of the main switching element Q11, the stored power of the synchronous rectification inductance element L11 is discharged through the diode D11, and the discharge completion time t13 is the energy storage inductance element due to the diode D11 being interposed. It is earlier than the discharge completion time t16 of the stored power of L10. The synchronous
[0026]
The synchronous
[0027]
The present invention also provides a DC power source,
A main switching element Q21 connected to one terminal of a DC power supply;
A main switching control circuit for periodically turning on and off the main switching element;
An energy storage inductance element L20 connected between the main switching element and the load;
A
A synchronous rectification inductance element L21;
A series circuit including a diode D21 connected in series with the synchronous rectifying inductance element and directionally coupled to store power with the energy storage inductance element during the on period of the main switching element;
A synchronous rectification switching element Q22 connected to a connection point A between the main switching element and the energy storage inductance element and the other terminal of the DC power supply;
And a
[0028]
Further, according to the present invention, the synchronous rectification switching element Q22 has a control terminal, and performs an on or off switching operation depending on the voltage of the control terminal,
The
A voltage detection diode D22 connected to a connection point between the synchronous rectification inductance element L21 and the diode D21 and directionally coupled so as to be turned on in the forward direction when the diode is turned off;
And a control signal generating circuit for a synchronous rectification switching element that provides a control signal having a voltage for turning off to a control terminal of the synchronous rectification switching element in response to turning on of the voltage detection diode D22. .
[0029]
According to the present invention, as will be described later with reference to FIGS. 12 to 16, in the step-down switching power supply, power is stored in the energy storage inductance element L21 during the on period Ton of the main switching element Q21. The electric power stored in the energy storage inductance element L20 is discharged in the off period Toff, the discharge is completed, and then the main switching element Q21 is turned on again, and the operation is repeated. In the on period Ton, the synchronous rectification switching element Q22 is turned off. In the off period Toff, the synchronous rectification switching element Q22 is turned on, and returns to the off state before the main switching element Q21 is turned on as described below. . A
[0030]
According to the present invention, in order to detect the completion of discharge of the stored power of the synchronous rectification inductance element L21, the
[0031]
In the present invention, not only the configuration for turning off the discharge completion times t3, t13, t23 of the electric power stored in the synchronous rectification inductance elements L1, L11, L21, and the synchronous rectification switching elements Q2, Q12, Q22, but also the energy storage inductance element thereof The configuration is such that the synchronous rectification switching elements Q2, Q12, and Q22 are turned off depending on the voltage or current at the connection point before the discharge completion times t6, t16, and t26 of the power stored in L1, L11, and L21. Also good.
[0032]
The present invention is not only implemented in connection with the above-described flyback, forward and step-down switching power supplies, but also in other forms, such as a ring choke RCC (Ring Choke Converter) type switching power supply and others. It can also be implemented in relation to the configuration.
[0033]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
FIG. 1 is an electric circuit diagram showing a specific configuration of a flyback type switching power supply according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a simplified overall configuration of the flyback type switching power supply shown in FIG. FIG.
[0034]
The synchronous rectification switching element Q2 is intermittently controlled by being turned on / off by the synchronous rectification
[0035]
Referring to FIG. 2, in
[0036]
The voltage
[0037]
As shown in FIG. 1, the synchronous rectification
[0038]
The
[0039]
Transistor Q4 has aDifferent from the conduction type NPN of the transistor Q4A PNP transistor Q3, which is a switching element, is connected between the synchronous rectification switching element Q2 and a
In other words, the transistor Q5 as a switching element has a base as a control terminal to which the voltage of the terminal J opposite to the voltage detection diode D2 of the synchronous rectification inductance element L1 is applied.
One end of a series circuit in which a pair of transistors Q3 and Q4 having different conductivity types are connected in series is connected to one terminal of the energy storage inductance element T1, and the other end of the series circuit is connected to the other terminal of the energy storage inductance element T1. Are connected via a synchronous rectification switching element Q2. An output connection point of the pair of transistors Q3 and Q4 is connected to a gate G as a control terminal of the synchronous rectification switching element Q2. The control terminals of the pair of transistors Q3 and Q4 are connected to each other, and the output of the synchronous rectification inductance element diode D1 and the output of the switching element Q5 are provided in common.
Therefore, in the synchronous
[0040]
FIG. 3A shows the drain and source voltage VDS corresponding to the on / off switching state of the main switching element Q1, which is the same as the waveform shown in FIG. 5A described later. FIG. 3B shows the voltage at the connection point A between the anode of the diode D1 and the rectifying inductance element L1 in the
[0041]
4 (1) shows the switching state of the diode D1, FIG. 4 (2) shows the voltage detection, the switching state of the diode D2, and FIG. 4 (3) shows the switching state of the transistor element Q5. (4) shows the switching state of the transistor Q3, and FIG. 4 (5) shows the switching state of the transistor Q4.
[0042]
FIG. 5 is a waveform diagram for explaining the operation of the flyback type switching power supply shown in FIGS. 5 (1) shows the drain and source voltage VDS corresponding to the on / off switching state of the main switching element Q1, and FIG. 5 (2) shows the drain current ID of the main switching element Q1. The drain current ID is equal to the current ILP of the primary winding LP of the transformer T1, FIG. 5 (3) shows the voltage VS across the secondary winding LS of the transformer T1, and FIG. 5 (4) shows 2 of the transformer T1. The voltage VC of the
[0043]
The basic operation of the flyback switching power supply will be described. When the main switching element Q1 is in the on state at the time t1 to t2, the voltage Vin is applied to the primary winding LP of the transformer T1, and at the time t1 to t2 of the on period Ton, the voltage is applied to the secondary winding LS. Since the synchronous rectification switching element Q2 is in an off state (see FIG. 3 (5)), the generated voltage is a voltage in the opposite direction to the diode built in the metal oxide field effect transistor MOSFET of the synchronous rectification switching element Q2. Since it is generated from the secondary winding LS, no current flows through the
ILP = Vin × Ton / LP (1)
Therefore, electric power E, which is energy, is stored in the transformer T1.
E = 1/2 ・ Vin ・ Ton ・ (Vin ・ Ton / LP)
= 1/2 ・ LP ・ ILP2 ... (2)
[0044]
Next, in the off period Toff in which the main switching element Q1 is in the off state at times t2 to t6, a flyback voltage is generated in the transformer T1, and the generated voltage of the secondary winding LS is inverted. At this time, the synchronous rectification switching element Q2 As shown in FIG. 3 (5), the power is turned on at times t2 to t3, so that the energy accumulated in the primary winding LP in the on-period t1 to t2 is the secondary winding LS and the synchronous rectification switching element Q2. , And is discharged and supplied to the smoothing capacitor C1 and the load.
[0045]
The equiampere-turn law is established between the primary side and the secondary side of the transformer T1. The number of turns of the primary winding LP is NP, and the number of turns of the secondary winding LS is NS.
ILS = NP · ILP / NS (3)
[0046]
Therefore, primary current ILP (see FIG. 5 (2)) having peak current ILP1 at time t2 immediately before turn-off of main switching element Q1 is multiplied by the turns ratio, and secondary current ILS flows as peak current ILS1 (FIG. 5). (See (5)). After the time t2, the secondary current ILS has an attenuation waveform until it becomes zero. Therefore, all of the energy stored in the primary winding LP is released to the secondary winding LS.
0 = ILS− (VS · Toff / LS) (4)
Therefore, the main switching element Q1 is turned on again at time t6 immediately after the stored energy is released from the transformer T1, and becomes zero after the off period Toff (ie, time t2 to t6). Is repeated.
[0047]
The synchronous rectification switching element Q2 must be turned off and non-conductive during the on period Ton (ie, time t1 to t2) of the main switching element Q1, and the off period Toff (time) when the main switching element Q1 is off. Within t2 to t6), the synchronous rectification switching element Q2 must be turned on to make it conductive. In particular, in order to guarantee that the main switching element Q1 is turned on and the synchronous rectification switching element Q2 is turned off, the synchronous rectification switching element at a time t3 prior to the time t6 when the main switching element Q1 is turned on. It is necessary to turn off Q2, and to provide a period during which both Q1 and Q2 are off, that is, dead angles t3 to t6. In the present invention, it is ensured that the control signal applied to the gate for turning off the synchronous rectification switching element Q2 is generated prior to the time t6 when the main switching element Q1 is turned on.
[0048]
FIG. 6 is a waveform diagram for explaining the operation of the flyback type switching power supply shown in FIGS. 1 to 5. FIG. 7 is a diagram showing currents IL1 and IL11 flowing in the synchronous rectification inductance element L1 shown in FIG. It is a wave form diagram which expands and shows time passage of time t3-t6. In FIG. 6 described above, FIG. 6 (1) is a diagram showing the on / off switching state of the main switching element Q1, and FIG. 6 (2) shows the currents IL1 and IL11 flowing through the synchronous rectification inductance element L1. 6 (3) is a diagram showing comparison between the ground potential of one
[0049]
First, after time t1 of the ON period Ton of the main switching element Q1, a voltage VS (see FIG. 5 (3)) is generated in the drain D of the synchronous rectification switching element Q2 by the secondary winding LS.
VS = NS · Vin / NP (5)
[0050]
At this voltage VS, the transistors Q3 and Q4 are quickly turned on, and the gate-source voltage VGS of the synchronous rectification switching element Q2 is clamped to zero so that the synchronous rectification switching element Q2 is not turned on, that is, remains off. So keep. As the voltage on
[0051]
At the same time, the current IL1 flows through this closed loop from the secondary winding LS via the
IL1 = (VS−VF (D1)) · Ton / L1 (6)
[0052]
Here, VF (D1) is a forward voltage drop of the diode D1, and L1 is an inductance of the synchronous rectification inductance element L1.
[0053]
At time t2, the main switching element Q1 is turned off, so that the secondary winding voltage VS (see FIG. 5 (3)) of the secondary winding LS is reduced, and thereby the transistor Q5 is completely turned off. Since the transistor Q3 is turned off and the transistor Q4 is turned on, a control signal having a high voltage is applied to the gate G of the synchronous rectification switching element Q2, and the synchronous rectification switching element Q2 is driven on. Thus, after the main switching element Q1 is turned off, the synchronous rectification switching element Q2 is surely turned on, and both switching elements Q1 and Q2 are not turned on at the same time.
[0054]
When the synchronous rectification switching element Q2 is turned on after time t2, the secondary winding current ILS generated by the power of the secondary winding LS stored in the transformer T1 charges the smoothing capacitor C1 and flows to the load. Supplied. At the same time, at time t2, during the on period Ton of the main switching element Q1, the energy accumulated in the synchronous rectification inductance element L1 follows the closed loop through which the current IL11 in FIG. 1 flows and attenuates. The current IL11 from the synchronous rectification inductance element L1 charges the smoothing capacitor C1, and flows from the
IL11 = − (V0 + VF (D1)) · Toff / L1 (7)
[0055]
This current IL11 flows corresponding to the voltage time product S12 that is the same as the voltage time product S11 accumulated during the on period Ton described above, and returns to zero at time t3.
[0056]
It should be further noted that the current IL11 flowing through the synchronous rectification inductance element L1 in the off period Toff returns to zero at time t3, and then is shown in FIGS. 3 (4), 6 (3), and 7. Thus, after time t3, it flows in the minus direction. As a result, after time t3, a reverse voltage is generated in the synchronous rectification inductance element L1, and the connection point A becomes a negative voltage. The operation for generating the reverse voltage will be described later. Generation of a reverse voltage by the synchronous rectification inductance element L1 at the connection point A1 is detected by turning on the voltage detection diode D2 (see FIG. 4 (2)). Therefore, in the control
[0057]
An operation in which the above-described reverse voltage is generated by the action of the synchronous rectification inductance element L1 at the connection point A of the
[0058]
The current IL1 flowing in the synchronous rectification inductance element L1 in the on period Ton shown in FIG. 6 (3) has an upward slope as time elapses as shown in the above-described
[0059]
After the turn-on time t1 of the main switching element Q1, the current IL1 of the synchronous rectification inductance element L1 increases and flows in proportion to the voltage VS generated in the secondary winding LS of the transformer T1 and the on-time Ton.
[0060]
In the off period Toff from the time t2 to the time t6 of the
[0061]
Thus, in the synchronous rectification inductance element L1, the energized energy expressed by the above-described
VS · Ton = V0 · Toff (8)
[0062]
Assuming that the voltage time product in the on period Ton and the off period Toff with respect to the synchronous rectification inductance element L1 is that the diode D1 is an ideal diode, that is, the forward voltage drop VF (D1) is zero.
(VS−VF (D1)) · Ton = (V0 + VF (D1)) · Toff (9)
Therefore, when it is assumed that the diode D1 is an ideal diode as described above, the
[0063]
However, in practice, the forward voltage drop VF (D1) exists in the diode D1, and the forward voltage drop VF (D1) acts negatively in
[0064]
In the off period Toff of the main switching element Q1, the synchronous rectifying inductance element L1 starts commutation at time t2 from time t2, and then finishes releasing the stored energy and starts to flow in the reverse direction until time t3. The off period Toff1 is
Toff1 = (VS−VF (D1)) · Ton / (V0 + VF (D1)) (10)
It is.
[0065]
When the current IL11 of the synchronous rectification inductance element L1 flows in the reverse direction at time t3, the diode D1 is cut off (see FIG. 4 (1)), and the voltage VL1 at the connection point A is lowered (see FIG. 3 (2)). As a result, the voltage detection diode D2 is turned on (see FIG. 4 (2)), the transistor Q4 is cut off, the transistor Q3 is turned on, and the synchronous rectification switching element Q2 is turned off. During the period from time t3 to t6, the value ΔIL11 (see FIG. 7) of the synchronous rectification inductance element L1 to the current IL11 is substantially equal to the sum of the base currents flowing through the voltage detection diode D2 to the transistor elements Q3 and Q4. For example, about 20 to 30 mA.
[0066]
This backflowing current ΔIL11 is for the base bias of the transistor elements Q3 and Q4, flows through the diode D1, and flows back through the synchronous rectification inductance element L1. If the reverse bias source is capable, current IL11 continues to flow backward as shown by
[0067]
In order to set a longer time t3 to t6 for keeping both switching elements Q1 and Q2 off at times t3 to t6, the forward voltage drop VF (D1) of the diode D1 may be increased. A plurality of D1s may be connected in series in the same direction, whereby the characteristic indicated by the dotted
[0068]
Thus, the gate-source voltage VGS of the synchronous rectification switching element Q2 can be turned off earlier than the time t3 at the time t3a (see FIGS. 3 (5) and 6 (4)).
[0069]
In summary, it can be detected equivalently by the synchronous rectification inductance element L1 that the secondary winding current ILS of the transformer T1 has become zero. Therefore, after time t2 in the off period Toff of the main switching element Q1, at time t3 when the current IL11 flowing through the synchronous rectification inductance element L1 becomes zero, the synchronous rectification switching element Q2 is turned off, and the energy release of the transformer T1 is completed. The timing is theoretically the same as when the synchronous rectification switching element Q2 is turned off at the time when the secondary winding current ILS becomes zero, that is, at the point B in FIG. The main switching element Q1 and the synchronous rectification switching element Q2 do not theoretically overlap with each other, and the ideal synchronous rectification switching element Q2 can be controlled.
[0070]
In the flyback type switching power supply, if the above-described
(ON time / ON voltage) = (OFF time / OFF voltage) (11)
Therefore, the off period Toff is determined by the output voltage V0.
[0071]
In the current IL1 in the ON period Ton of the synchronous rectification inductance element L1, as shown by the above-described
[0072]
Thus, in order to realize the operation of turning off the synchronous rectification switching element Q2 before the main switching element Q1 is turned on, at least the turn-on timing of the main switching element Q1 cannot be predicted and grasped by any means. It is impossible to turn off the synchronous rectification switching element Q2 in advance. According to those skilled in the art to which the present invention pertains, it is easy to adopt a configuration in which the synchronous rectification switching element Q2 is turned off after a predetermined time set by the timer from the time t1 when the main switching element Q1 is turned on. I will be. According to such a configuration, if the ON / OFF cycle of the main switching element Q1 changes, the ON period Ton2 of the synchronous rectification switching element Q2 becomes relatively short, or the turn-on of the synchronous rectification switching element Q2 becomes main switching. Problems such as overlapping with the turn-on of the element Q1 occur.
[0073]
According to a person skilled in the art, it is fundamental to perform PWM conversion by a triangular wave using an oscillator using a pulse width modulation TWM control integrated circuit IC or the like to turn off the synchronous rectification switching element Q2 before turning on the main switching element Q1. Such a configuration would be easily conceivable. This configuration requires an insulation pulse transformer or the like that transmits a control signal for on / off control of the synchronous rectification switching element Q2 to the secondary side. Therefore, versatility is inferior and cost is inferior. The present invention solves all the above-mentioned problems in such a configuration easy for those skilled in the art.
[0074]
FIG. 8 is an electric circuit diagram showing a specific configuration of a forward type switching power supply according to another embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a simplified diagram showing the overall configuration of the forward type switching power source shown in FIG. It is a block diagram. The forward type switching power supply shown in FIGS. 8 and 9 has a similar configuration to the flyback type switching power supply shown in FIGS. 1 to 7, and the same or similar reference numerals are used for the corresponding parts. May be used or indicated as an English subscript. A primary winding LP of a transformer T11 is connected to the
[0075]
The gates which are the control terminals of the first and second synchronous rectification switching elements Q12 and Q13 are turned on / off from the two first and second synchronous rectification
[0076]
The first synchronous rectification
[0077]
The synchronous
[0078]
The connection point F is connected through the resistor R42, and the collector of the transistor Q4 is connected to the
[0079]
The second synchronous rectification
[0080]
10 and 11 are waveform diagrams for explaining the operation of the forward type switching power supply shown in FIGS. FIG. 10A shows the voltage VDS between the drain sources together with the on / off switching state of the main switching element Q11. FIG. 10 (2) is a diagram showing an on / off switching state of the second synchronous rectification switching element Q13, and FIG. 10 (3) is a diagram showing an on / off switching state of the first synchronous rectification switching element Q12. is there. FIG. 10 (4) is a diagram showing a current ILS during energy storage of the energy storage inductance element L10 and a load current If that releases the stored energy. FIG. 10 (5) shows the voltage at the connection point A to the synchronous rectification inductance element L11. FIG. 10 (6) is a diagram showing a potential difference VL1 between both ends of the synchronous rectification inductance element L11. The voltage time product S11 in the on period and the voltage time product S12 in the off period Toff1 are equal. FIG. 10 (7) shows currents IL1 and IL11 flowing through the synchronous rectification inductance element L11. FIG. 10 (8) shows the on / off switching state of the first synchronous rectification switching element Q12 and the gate-source voltage VGS. FIG. 11 (1) shows the on / off switching state of the
[0081]
During the operation, the second synchronous rectification switching element Q13 is turned on during the on period Ton of the main switching element Q11 from time t11 to t12 (see FIG. 10 (2)), and at this time, the first synchronous rectification switching element Q12 is turned off ( In FIG. 10 (3), the power from the transformer T11 is stored in the energy storage inductance element L10, and the voltage time product S11 is shown in FIG. 10 (6) as described above. During this ON period Ton, power is stored in the energy storage inductance element L10, and at the same time, the current flows in the synchronous rectification inductance element L11 through the diode D11 as indicated by the current IL1 (see FIG. 10 (7)). . The current ILS of power supplied to the energy storage inductance element L10 increases with time (see FIG. 10 (4)).
[0082]
In the main switching element Q11, the second synchronous rectification switching element Q13 is turned off in the off period Toff from time t12 to t16 (see FIG. 10 (2)). At this time, after time t12, the first synchronous rectification switching element Q12 is The load current IF of the energy storage inductance element L10 is supplied to the smoothing capacitor C1 and the load. At the same time, the stored power is supplied from the synchronous rectification inductance element L11, and the current IL11 decreases with time.
[0083]
In the off period Toff of the main switching element Q11, the current IL11 of the synchronous rectification inductance element L11 becomes zero at time t13. The currents IL1 and IL11 in the ON period Ton and the OFF period Toff1 (that is, times t12 to t13) flowing through the synchronous rectification inductance element L11 are as follows.
IL1 = (VS−VF (D11) −V0) · Ton / L11 (12)
IL11 = − (V0 + VF (D11)) · Toff1 / L11 (13)
[0084]
Also in the forward type switching power supply, as in the above flyback type switching power supply, the diode D11 is connected in series with the synchronous rectification inductance element L11, and therefore, due to the forward voltage drop VF (D11). At time t13 before time t16 when the switching element Q11 is turned on, the current IL11 becomes zero and the first synchronous rectification switching element Q12 is turned off. This prevents the main switching element Q11 and the first synchronous rectification main switching element Q12 from being turned on simultaneously.
[0085]
A plurality of diodes D11 of the
[0086]
FIG. 12 is an electric circuit diagram showing a specific electrical configuration of the step-down switching power supply according to one embodiment of the present invention, and FIG. 13 is a simplified configuration of the entire step-down switching power supply shown in FIG. FIG. The step-down type switching power supply shown in FIGS. 12 and 13 is similar to each of the embodiments shown in FIGS. 1 to 11 described above, and corresponding portions are denoted by the same reference numerals. The main switching element Q21 is connected to the
[0087]
The synchronous rectification
[0088]
14 and 15 are waveform diagrams for explaining the operation of the step-down switching power supply shown in FIGS. 12 and 13. FIG. 14A shows the potential difference VL1 across the synchronous rectification inductance element L21. The voltage-time product S11 of the on period Ton from time t21 to t22 of the main switching element Q21 is the off period Toff1 in which the main switching element Q21 is off from time t22 to t27 and the synchronous rectification switching element Q22 is off from time t22. It is equal to the voltage time product S12.
[0089]
FIG. 14 (2) shows the gate-source voltage VGS of the synchronous rectification switching element Q22, and FIG. 14 (3) shows the on / off switching state of the synchronous rectification switching element Q22. FIG. 14 (4) shows the on / off switching state of the main switching element Q21.
[0090]
FIG. 14 (5) shows the current ILS during the on period Ton flowing through the energy storage inductance element L20 and the load current If flowing during the off period Toff. The energy storage inductance element L20 releases the energy stored by the increase in the current ILS with the passage of time in the ON period Ton after the load current If has elapsed with the passage of time in the OFF period Toff.
[0091]
FIG. 14 (6) shows the current IL1 in the on period Ton that flows through the synchronous rectification inductance element L21 and the current IL11 that flows in the off period Toff. The synchronous rectification inductance element L21 releases electric power after time t22, and the current IL11 flows in the reverse direction at time t23.
[0092]
FIG. 15 (1) shows the on / off switching state of the diode D21 of the
[0093]
The current IL1 flowing in the synchronous rectification inductance element L21 in the on period Ton is expressed by
IL1 = (Vin−VF (D21) −V0) · Ton / L1 (14)
IL11 = − (V0 + VF (D21)) · Toff1 / L1 (15)
[0094]
Since synchronous rectification switching element Q22 is turned off at time t23 before time t26 when main switching element Q21 is turned on, it is possible to avoid a state in which both switching elements Q21 and Q22 are turned on.
[0095]
In order to increase the dead time at times t23 to t26 as at times t23a to t26 in FIG. 14 (2), the forward voltage drop VF (D21) of the diode D21 provided in the
[0096]
FIG. 16 is an electric circuit diagram showing a specific configuration of a step-down switching power supply according to still another embodiment of the present invention. The embodiment shown in FIG. 16 is similar to the embodiment shown in FIGS. 12 to 15 described above, and corresponding parts are denoted by the same reference numerals. It should be noted that in this embodiment, the collector of the transistor Q4 provided in the synchronous rectification switching element control
[0097]
【The invention's effect】
According to the present invention, instead of using a diode having a relatively large forward voltage drop VF (D1), the synchronous rectification switching element Q1, which is an active element with small conduction loss realized by a metal oxide field effect transistor MOSFET or the like, is used. Since Q12 and Q22 are used to reliably prevent the main switching elements Q1, Q12, and Q21 and the synchronous rectification switching element from being turned on at the same time, an increase in power loss is prevented and the main switching element is prevented. In addition, destruction of the synchronous rectification switching element and other electronic circuit elements can be prevented, and thus the synchronous rectification effect that the conduction loss is small can be achieved successfully. Moreover, in the present invention, the synchronous rectification inductance elements L1, L11, and L21 are realized with a simple configuration such as a commercially available choke coil, and the switching power supply having excellent versatility can be easily implemented. Realized.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an electric circuit diagram showing a specific configuration of a flyback type switching power supply according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an electric circuit diagram showing a simplified overall configuration of a flyback switching power supply.
FIG. 3 shows a drain-source voltage VDS corresponding to the on / off switching state of the main switching element Q1.
FIG. 4 shows a switching state of the diode D1.
FIG. 5 is a waveform diagram for explaining the operation of the flyback type switching power supply;
FIG. 6 is a waveform diagram for explaining the operation of the flyback switching power supply.
FIG. 7 is a waveform diagram for explaining the operation of the flyback switching power supply.
FIG. 8 is an electric circuit diagram showing a specific configuration of a forward type switching power supply according to another embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a simplified block diagram showing the overall configuration of a forward type switching power supply.
FIG. 10 is a waveform diagram for explaining the operation of the forward type switching power supply.
FIG. 11 is a waveform diagram for explaining the operation of the forward type switching power supply.
FIG. 12 is an electric circuit diagram showing a specific electrical configuration of a step-down switching power supply according to an embodiment of the present invention.
FIG. 13 is an electric circuit diagram showing a simplified overall configuration of a step-down switching power supply.
FIG. 14 is a waveform diagram for explaining the operation of the step-down switching power supply.
FIG. 15 is a waveform diagram for explaining the operation of the step-down switching power supply.
FIG. 16 is an electric circuit diagram showing a specific configuration of a step-down switching power supply according to still another embodiment of the present invention.
FIG. 17 shows a typical prior art.
[Explanation of symbols]
6 DC power supply
9,48 Main switching control circuit
15, 34, 51 Synchronous rectification switching control circuit
26, 37, 52 series circuit
27, 38, 53 Control circuit for synchronous rectification
28, 39, 54 Control signal generation circuit for synchronous rectification switching element
35. First synchronous rectification switching control circuit
36 Second synchronous rectification switching control circuit
Claims (6)
主スイッチング素子のオフ期間で、同期整流スイッチング素子をオンしてエネルギ蓄積インダクタンス素子の蓄積された電力を負荷に供給するスイッチング電源において、
（ａ）エネルギ蓄積インダクタンス素子に並列に接続される第１直列回路であって、
同期整流インダクタンス素子と、
同期整流インダクタンス素子に直列接続され、主スイッチング素子のオン期間でエネルギ蓄積インダクタンス素子とともに同期整流インダクタンス素子に電力を蓄積するように、方向性結合された同期整流インダクタンス素子用ダイオードとを含む第１直列回路と、
（ｂ）同期整流用制御回路であって、
（ｂ１）同期整流インダクタンス素子と同期整流インダクタンス素子用ダイオードとの接続点に接続される電圧検出用ダイオードと、
（ｂ２）同期整流インダクタンス素子の電圧検出用ダイオードとは反対側の端子の電圧が与えられる制御端子を有するスイッチング素子と、
（ｂ３）一対の導電形式が異なるトランジスタが直列接続された第２直列回路であって、
この第２直列回路の一端は、エネルギ蓄積インダクタンス素子の一方端子に接続され、
第２直列回路の他端は、エネルギ蓄積インダクタンス素子の他方端子に、同期整流スイッチング素子を介して接続され、
これらの一対のトランジスタの出力の接続点が、同期整流スイッチング素子の制御端子に接続され、
これらの一対のトランジスタの各制御端子は、互いに接続されて、同期整流インダクタンス素子用ダイオードの出力とスイッチング素子の出力とが共通に与えられる第２直列回路とを含み、
（ｂ４）同期整流インダクタンス素子に蓄えられたエネルギによる電流が減衰して接続点の逆電圧による電圧検出用ダイオードと一方の前記トランジスタとの働きによって、主スイッチング素子のオンよりも前に、同期整流スイッチング素子をオフし、
同期整流インダクタンス素子の電圧が反転して、スイッチング素子と他方の前記トランジスタとの働きによって、同期整流スイッチング素子をオンする同期整流用制御回路とを含むことを特徴とするスイッチング電源。Power intermittently the main switching element which is connected to the DC power source is periodically turned on / off, on-period of the main switching element, accumulated in the energy storage inductance element, turns off the synchronous rectification switching element,
In the switching power supply that turns on the synchronous rectification switching element and supplies the power stored in the energy storage inductance element to the load during the off period of the main switching element.
(A) a first series circuit connected in parallel to the energy storage inductance element,
And synchronous rectification inductance element,
Connected in series with the synchronous rectifier inductance elements, to accumulate power in the synchronous rectification inductor with energy storage inductance element in the ON period of the main switching element, the first comprising a diode synchronous rectification inductance element directionally coupled A series circuit;
(B) a synchronous rectification control circuit,
(B1) a voltage detection diode connected to a connection point between the synchronous rectification inductance element and the synchronous rectification inductance element diode;
(B2) a switching element having a control terminal to which a voltage at a terminal opposite to the voltage detection diode of the synchronous rectification inductance element is applied;
(B3) a second series circuit in which a pair of transistors having different conductivity types are connected in series,
One end of the second series circuit is connected to one terminal of the energy storage inductance element,
The other end of the second series circuit is connected to the other terminal of the energy storage inductance element via a synchronous rectification switching element,
The connection point of the output of these pair of transistors is connected to the control terminal of the synchronous rectification switching element,
Each control terminal of the pair of transistors includes a second series circuit that is connected to each other and to which the output of the diode for the synchronous rectification inductance element and the output of the switching element are provided in common,
(B4) The current due to the energy stored in the synchronous rectification inductance element is attenuated, and the voltage detection diode due to the reverse voltage at the connection point and the one of the transistors act to synchronize rectification before the main switching element is turned on. Turn off the switching element,
Synchronous inductance voltage is inverted elements, by the action of the switching element and the other of said transistors, a switching power supply which comprises a synchronous rectification control circuitry to turn on the synchronous rectification switching element.
（ｂ）１次巻線と２次巻線とを有するトランスと、
（ｃ）直流電源とトランスの１次巻線との間に介在される主スイッチング素子と、
（ｄ）主スイッチング素子を、周期的にオン／オフする主スイッチング制御回路と、
（ｅ）２次巻線と負荷との間に介在され、制御端子を有し、この制御端子の電圧に依存してオンまたはオフのスイッチング動作をする同期整流スイッチング素子と、
（ｆ）２次巻線に並列に接続される第１直列回路であって、
（ｆ１）同期整流インダクタンス素子と、
（ｆ２）同期整流インダクタンス素子に直列に接続され、主スイッチング素子のオン期間でトランスとともに同期整流インダクタンス素子に電力を蓄積するように方向性結合されたダイオードとを含む第１直列回路と、
（ｇ）同期整流用制御回路であって、
（ｇ１）同期整流インダクタンス素子とダイオードとの接続点に接続され、前記ダイオードのオフ時に順方向となってオンするように方向性結合された電圧検出用ダイオードと、
（ｇ２）同期整流インダクタンス素子の電圧検出用ダイオードとは反対側の端子の電圧が与えられる制御端子を有するスイッチング素子、
（ｇ３）一対の導電形式が異なるトランジスタが直列接続された第２直列回路であって、
この第２直列回路の一端は、エネルギ蓄積インダクタンス素子の一方端子に接続され、
第２直列回路の他端は、エネルギ蓄積インダクタンス素子の他方端子に、同期整流スイッチング素子を介して接続され、
これらの一対のトランジスタの出力の接続点が、同期整流スイッチング素子の制御端子に接続され、
これらの一対のトランジスタの各制御端子は、互いに接続されて、同期整流インダクタンス素子用ダイオードの出力とスイッチング素子の出力とが共通に与えられる第２直列回路とを含み、
（ｇ４）同期整流インダクタンス素子に蓄えられたエネルギによる電流が減衰して接続点の逆電圧によって電圧検出用ダイオードがオンになり、一方の前記トランジスタがオンになり、これによって主スイッチング素子のオンよりも前に、同期整流スイッチング素子をオフし、
同期整流インダクタンス素子の電圧が反転して、スイッチング素子がオフになり、他方の前記トランジスタがオンになり、これによって同期整流スイッチング素子をオンにする同期整流用制御回路とを含むことを特徴とするフライバック形スイッチング電源。 (A) a DC power supply;
(B) 1 primary winding and a transformer having a secondary winding,
(C) a main switching element interposed between the primary winding of the DC power supply and transformer,
(D) a main switching control circuit for periodically turning on / off the main switching element;
(E) is interposed between the secondary winding and the load, a control terminal, and the synchronous rectifying switching element you the switching operation of the on or off depending on the voltage of the control terminal,
(F) a first series circuit connected in parallel to the secondary winding,
(F1) and synchronous rectification inductance element,
(F2) connected in series with the synchronous rectifier inductance element, a first series circuits comprising a diode which is directionally coupled to accumulate power to the synchronous rectification inductor with the transformer on-period of the main switching element,
(G) a synchronous rectification control circuit,
(G1) a voltage detection diode connected to a connection point between the synchronous rectification inductance element and the diode and directionally coupled so as to be turned on in a forward direction when the diode is turned off;
(G2) a switching element having a control terminal to which a voltage at a terminal opposite to the voltage detection diode of the synchronous rectification inductance element is applied;
(G3) A second series circuit in which a pair of transistors having different conductivity types are connected in series,
One end of the second series circuit is connected to one terminal of the energy storage inductance element,
The other end of the second series circuit is connected to the other terminal of the energy storage inductance element via a synchronous rectification switching element,
The connection point of the output of these pair of transistors is connected to the control terminal of the synchronous rectification switching element,
Each control terminal of the pair of transistors includes a second series circuit that is connected to each other and to which the output of the diode for the synchronous rectification inductance element and the output of the switching element are provided in common,
(G4) The current due to the energy stored in the synchronous rectification inductance element is attenuated, and the voltage detection diode is turned on by the reverse voltage at the connection point, so that one of the transistors is turned on, whereby the main switching element is turned on. Before turning off the synchronous rectification switching element,
Synchronous inductance voltage of the element is inverted, the switching element is turned off, the other of the transistors is turned on, and comprising a synchronous rectification control circuitry which thereby turning on the synchronous rectifying switching element Flyback switching power supply.
１次巻線と２次巻線とを有するトランスと、
直流電源とトランスの１次巻線との間に介在される主スイッチング素子と、
主スイッチング素子を、周期的にオン／オフする主スイッチング制御回路と、
２次巻線に並列に接続される第１同期整流スイッチング素子と、
２次巻線と第１同期整流スイッチング素子との間に介在される第２同期整流スイッチング素子と、
第２同期整流スイッチング素子を、主スイッチング素子のオン期間でオンし、オフ期間でオフする第２同期整流スイッチング素子用制御回路と、
第１同期整流スイッチング素子に関して２次巻線とは反対側で負荷との間に直列に接続されるエネルギ蓄積インダクタンス素子と、
エネルギ蓄積インダクタンス素子に並列に接続される直列回路であって、
同期整流インダクタンス素子と、
同期整流インダクタンス素子に直列に接続され、主スイッチング素子のオン期間でエネルギ蓄積インダクタンス素子とともに電力を蓄積するように、方向性結合されたダイオードとを含む直列回路と、
同期整流インダクタンス素子とダイオードとの接続点の電圧または電流に応答して、主スイッチング素子のオンよりも前に、第１同期整流スイッチング素子をオフする同期整流用制御回路とを含むことを特徴とするフォワード形スイッチング電源。DC power supply,
The primary winding and a transformer having a secondary winding,
A main switching element interposed between the primary winding of the DC power supply and transformer,
A main switching control circuit for periodically turning on and off the main switching element;
A first synchronous rectifying switching element connected in parallel to the secondary winding,
A second synchronous rectifying switching element interposed between the secondary winding and the first synchronous rectifying switching element,
The second synchronous rectifying switching element, is turned on in the ON period of the main switching element, and a second synchronous rectifying switching element control circuits for turning off off period,
And energy storage inductance element connected in series between the load opposite the secondary winding with respect to the first synchronous rectifying switching element,
A series circuits connected in parallel to the energy storage inductance element,
And synchronous rectification inductance element,
Connected in series with the synchronous rectifier inductance element, a series circuit including to accumulate power with energy storage inductance element, and a diode which is directionally coupled with the ON period of the main switching element,
In response to a voltage or current at the connection point of the synchronous rectifier inductance element and a diode, before turning the main switching element, to include a synchronous rectification control circuitry to turn off the first synchronous rectification switching element A forward-type switching power supply.
同期整流用制御回路は、
同期整流インダクタンス素子とダイオードとの接続点に接続され、前記ダイオードのオフ時に順方向となってオンするように方向性結合された電圧検出用ダイオードと、
電圧検出用ダイオードのオンに応答して、第１同期整流スイッチング素子の制御端子に、オフするための電圧を有する制御信号を与える同期整流スイッチング素子用制御信号発生回路とを含むことを特徴とする請求項３記載のフォワード形スイッチング電源。The first synchronous rectification switching element has a control terminal, the switching operation of the on or off depending on the voltage of the control terminal,
Synchronous rectification control circuitry is,
Is connected to the junction of the synchronous rectification inductance element and diode, a diode for voltage detection is directional coupler to turn on a forward during off of the diode,
In response to ON of the voltage detection diode, the control terminal of the first synchronous rectifying switching element, to include a synchronous rectifying switching element control signal generator circuits providing a control signal having a voltage for turning off The forward-type switching power supply according to claim 3 .
直流電源の一端子に接続される主スイッチング素子と、
主スイッチング素子を、周期的にオン／オフする主スイッチング制御回路と、
主スイッチング素子と負荷との間に接続されるエネルギ蓄積インダクタンス素子と、
エネルギ蓄積インダクタンス素子に並列に接続される直列回路であって、
同期整流インダクタンス素子と、
同期整流インダクタンス素子に直列に接続され、主スイッチング素子のオン期間でエネルギ蓄積インダクタンス素子とともに電力を蓄積するように、方向性結合されたダイオードとを含む直列回路と、
主スイッチング素子とエネルギ蓄積インダクタンス素子との接続点と、直流電源の他端子とに、接続される同期整流スイッチング素子と、
同期整流インダクタンス素子とダイオードとの接続点の電圧または電流に応答して、主スイッチング素子のオンよりも前に、同期整流スイッチング素子をオフする同期整流用制御回路とを含むことを特徴とするステップダウン形スイッチング電源。DC power supply,
A main switching element connected to one terminal of the DC power source,
A main switching control circuit for periodically turning on and off the main switching element;
And energy storage inductance element connected between the load and the main switching element,
A series circuits connected in parallel to the energy storage inductance element,
And synchronous rectification inductance element,
Connected in series with the synchronous rectifier inductance element, a series circuit including to accumulate power with energy storage inductance element, and a diode which is directionally coupled with the ON period of the main switching element,
A connection point between the main switching element and the energy storage inductance element, to the other terminal of the DC power source, and connected to the synchronous rectification switching element,
In response to a voltage or current at the connection point of the synchronous rectifier inductance element and a diode, before turning the main switching element, characterized in that it comprises a synchronous rectification control circuitry to turn off the synchronous rectification switching element Step-down switching power supply.
同期整流用制御回路は、
同期整流インダクタンス素子とダイオードとの接続点に接続され、前記ダイオードのオフ時に順方向となってオンするように方向性結合された電圧検出用ダイオードと、
電圧検出用ダイオードのオンに応答して、同期整流スイッチング素子の制御端子に、オフするための電圧を有する制御信号を与える同期整流スイッチング素子用制御信号発生回路とを含むことを特徴とする請求項５記載のステップダウン形スイッチング電源。Synchronous switching element has a control terminal, the switching operation of the on or off depending on the voltage of the control terminal,
Synchronous rectification control circuitry is,
Is connected to the junction of the synchronous rectification inductance element and diode, a diode for voltage detection is directional coupler to turn on a forward during off of the diode,
In response to ON of the voltage detection diode, the control terminal of the synchronous rectifying switching element, characterized in that it comprises a synchronous rectification switching element control signal generator circuits providing a control signal having a voltage for turning off The step-down type switching power supply according to claim 5 .
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