JP4303011B2

JP4303011B2 - Top-emitting organic electroluminescence display element and method for manufacturing the same

Info

Publication number: JP4303011B2
Application number: JP2003069854A
Authority: JP
Inventors: 邦雄増茂
Original assignee: Kyocera Display Corp
Current assignee: Kyocera Display Corp
Priority date: 2003-03-14
Filing date: 2003-03-14
Publication date: 2009-07-29
Anticipated expiration: 2023-03-14
Also published as: JP2004281189A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、上面発光型有機エレクトロルミネセンス（以下、有機エレクトロルミネセンスを有機ＥＬと略記する）表示素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
発光素子の発光の色調（スペクトル）は、発光材料によって異なり、多くの発光材料の中から選択することにより様々な発光色の素子を形成することができる。
【０００３】
しかしながら、発光は薄膜内部で起こるため、外部に取り出される発光色は素子の積層膜界面での多重反射による光干渉の影響を受け、発光材料本来の発光のスペクトルとは異なるものとなる。また、発光強度も光干渉の効果により変化する。
【０００４】
基板上に、透明電極と、発光層と、金属電極とをこの順に積層してなり、発光を、基板側から表示に利用する通常の下面発光（ボトムエミッション）型有機ＥＬ表示素子の場合、この多重反射は、下部にある透明電極と基板ガラスとの間の屈折率差が大きいことにより生じる界面での反射と、上部にある金属電極と発光層との界面での反射とにより起こる。
【０００５】
これに関し、下面発光型有機ＥＬ表示素子を構成する電極間の発光層と透明電極の膜厚による光干渉の効果を利用して、輝度最大化と発光波長の調整とを図る技術が研究されている（たとえば非特許文献１参照。）。
【０００６】
一方、ボトムエミッション型ではアクティブマトリクスデバイスの場合に、金属配線、ＴＦＴ、キャパシタ等の存在により画素の開口率が減少するという問題に対応して、基板上に、金属電極と、発光層と、透明電極とをこの順に積層してなり、発光を、反基板側から表示に利用する上面発光（トップエミッション）型有機ＥＬ表示素子が提案されている（たとえば非特許文献２参照。）。
【０００７】
上面発光型有機ＥＬ表示素子では、通常、上部にある透明電極上に封止気体が配されるため、透明電極と封止気体との間の屈折率差が大きいことにより生じる界面での反射と、金属電極と発光層との界面での反射とにより多重反射が起こる。封止気体の屈折率は基板の屈折率より遙かに低いのが一般的であり、このことに起因して、上面発光型有機ＥＬ表示素子では、下面発光型有機ＥＬ表示素子と比べて光干渉の発光スペクトルへの影響が大きくなる。
【０００８】
上面発光型有機ＥＬ表示素子に関しては、色調毎に光干渉が有利に働くように発光層や透明電極の膜厚等の設計を色調毎に行うことが提案されている（たとえば非特許文献３参照。）。しかしながら、素子の設計には、発光層の発光のための電気光学特性、たとえば電流効率、駆動電圧、寿命等に対しても考慮する必要があり、色調調整と電気光学特性との両方をバランスさせることが困難な場合がある。また、上面発光型有機ＥＬ表示素子を形成する場合、光干渉の効果が強いため、製造上の膜厚等のばらつきにより色調に変化が生じ易い。特に白色の上面発光型有機ＥＬ表示素子を形成する場合には、素子設計が難しく、また、製造上の膜厚等のばらつきにより色調の変化が生じ易い。
【０００９】
【非特許文献１】
Ｙ．Ｆｕｋｕｄａ等，有機ＬＥＤフルカラーパッシブマトリックス（ＯｒｇａｎｉｃＬＥＤＦｕｌｌ−ＣｏｌｏｒＰａｓｓｉｖｅ−Ｍａｔｒｉｘ），エスアイディー９９ダイジェスト（ＳＩＤ９９Ｄｉｇｅｓｔ），米国，ＳｏｃｉｅｔｙｆｏｒＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎＤｉｓｐｌａｙ，１９９９年５月，ｐ．４３０
【００１０】
【非特許文献２】
占部哲夫，「高画質・大画面有機ＥＬディスプレー技術の現状と展望」，講演集，ＪａｐａｎＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃａｎｄＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＩｎｄｕｓｔｒｉｅｓＡｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ（ＪＥＩＴＡ）＆ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＥｑｕｉｐｍｅｎｔａｎｄＭａｔｅｒｉａｌｓＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ（ＳＥＭＩ），２００２年４月１６〜１８日講演（東京ファッションタウン西館ＴＦＴホール），ｐ．４，５
【００１１】
【非特許文献３】
ＪｉｒｏＹａｍａｄａ等，フルカラーＡＭ−ＯＬＥＤ表示装置のためのマイクロキャビティ構造（ＭｉｃｒｏＣａｖｉｔｙＳｔｒｕｃｔｕｒｅｓｆｏｒＦｕｌｌ−ＣｏｌｏｒＡＭ−ＯＬＥＤＤｉｓｐｌａｙｓ），ダイジェストオブテクニカルペーパーズ，ＡＭ−ＬＣＤ（ＤｉｇｅｓｔｏｆＴｅｃｈｎｉｃａｌＰａｐｅｒｓ，ＡＭ−ＬＣＤ），日本，応用物理学会，２００２年７月，ｐ．７７
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記の問題を解決し、色調の変化が生じ難く、素子設計の容易な上面発光型有機ＥＬ表示素子を提供することを目的とする。本発明のさらに他の目的および利点は、以下の説明から明らかになるであろう。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
すなわち、本発明の態様１は、基板上に、金属電極と、発光層と、透明電極と、屈折率が１．５〜２．３、光透過率が６０％以上の光透過性膜とをこの順に積層してなり、光透過性膜が、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウムおよびフッ化セリウムからなる群から選ばれた少なくとも一つの材料よりなる層と、有機樹脂よりなる層とをこの順で積層した複数の層からなり、その複数の層の全体の膜厚が５〜１５μｍである、上面発光型有機ＥＬ表示素子を提供する。
【００１４】
本発明の態様２は、光透過性膜上に封止気体を配した、上記態様１に記載の上面発光型有機エレクトロルミネセンス表示素子を提供する。
【００１５】
本発明の態様３は、光透過性膜を構成する複数の層はそれぞれ１．５〜２．３の範囲の屈折率である、上記態様１または２に記載の上面発光型有機エレクトロルミネセンス表示素子を提供する。
【００１６】
本発明の態様４は、透明電極の屈折率と光透過性膜の屈折率との差が０．３以内である、上記態様１に記載の上面発光型有機ＥＬ表示素子を提供する。
【００１７】
本発明の態様５は、基板上に、金属電極と、発光層と、透明電極と、屈折率が１．５〜２．３、光透過率が６０％以上の光透過性膜とをこの順に積層し、光透過性膜は、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウムおよびフッ化セリウムからなる群から選ばれた少なくとも一つの材料よりなる層と、有機樹脂よりなる層とをこの順で積層した複数の層から形成し、その複数の層の全体の膜厚を５〜１５μｍとする、上面発光型有機ＥＬ表示素子の製造方法を提供する。
【００１８】
本発明の態様６は、光透過性膜上に封止気体を配する、上記態様５に記載の上面発光型有機エレクトロルミネセンス表示素子の製造方法を提供する。
【００１９】
本発明の態様７は、透明電極の屈折率と光透過性膜の屈折率との差が０．３以内とする、上記態様５に記載の上面発光型有機ＥＬ表示素子の製造方法を提供する。
【００２０】
本発明の態様８は、有機樹脂よりなる層を、スピンコート、スプレーコート、フレキソ印刷、スクリーン印刷のいずれかで形成する、上記態様５に記載の上面発光型有機ＥＬ表示素子の製造方法を提供する。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態を図，表，実施例等を使用して説明する。なお、これらの図，表，実施例等及び説明は本発明を例示するものであり、本発明の範囲を制限するものではない。本発明の趣旨に合致する限り他の実施の形態も本発明の範疇に属し得ることは言うまでもない。
【００２２】
本発明の基礎となる、上面発光型有機ＥＬ表示素子を例示すると、図１，２のようになる。図１は本発明の有機ＥＬ表示素子の基本的な構成例の模式的側断面図である。図１において、有機ＥＬ表示素子は、基板１、金属電極（陽極）２、発光層３、透明電極（陰極）４をこの順に積層してなっている。この構造はもっとも基本的なものである。図２は、より複雑な構造を採用した例で、金属電極２と発光層３との層間に正孔輸送層５と界面層６とが、透明電極４と発光層３との層間に電子輸送層７と界面層８とが設けられている。なお、金属電極２が陰極、透明電極４が陽極の構成も可能である。
【００２３】
本発明における基板１は、有機ＥＬ表示素子の支持体であり、ガラス、プラスチックフィルム等の透明な基板が一般的には使用される。プラスチックの場合には、ポリカーボネート、ポリメタアクリレート、ポリスルホンなどを例示できる。
【００２４】
透明電極４としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）薄膜、錫酸化物の膜を使用することができる。また、仕事関数の大きい銀、金等の金属、ヨウ化銅などの無機導電性物質、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子により構成してもよい。透明電極４の膜厚は、必要とする透明性に依存するが、可視光の透過率が６０％以上、好ましくは８０％以上であり、この場合の膜厚は一般的には５〜１０００ｎｍ、好ましくは１０〜５００ｎｍである。金属電極としてはＡｌ，Ｃｒ等が使用できる。
【００２５】
基本的な構成では、発光層３は、金属電極２の上に設けられる。発光層３に用いる物質としては、蛍光量子収率が高く、透明電極４からの電子注入効率が高く、さらに電子移動度が高い化合物が有効であり、公知の有機発光性物質、たとえば、８−オキシキノリン系錯体、テトラフェニルブタジエン、スチリル系色素、オキサジアゾール系色素などを使用することができる。このような発光層３の膜厚は、通常１０〜２００ｎｍであり、好ましくは、２０〜８０ｎｍである。
【００２６】
正孔輸送層５は、図２に示すように金属電極２と発光層３との層間に必要に応じて設けることができる。この正孔輸送層５に用いる正孔輸送材料としては、金属電極２からの正孔注入障壁が低く、さらに正孔移動度が高い材料が使用できる。このような正孔輸送材料としては、公知の正孔輸送材料が使用できる。正孔輸送層の膜厚は、通常、１０〜２００ｎｍであり、好ましくは、２０〜８０ｎｍである。
【００２７】
金属電極２と正孔輸送層５との層間に、リーク電流の防止、正孔注入障壁の低減、密着性向上等を目的として、界面層６を設けてもよい。この界面層６を設けるときの膜厚は５〜１００ｎｍが好ましい。
【００２８】
電子輸送層７は、発光層３と透明電極４との層間に必要に応じて設けることができる。この電子輸送層７の電子輸送性物質としては、シクロペンタジエン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、ｐ−フェニレン化合物、フェナントロリン誘導体、トリアゾール誘導体などの電子親和力が大きく電子の移動度が大きい物質が好適である。
【００２９】
電子輸送層７と透明電極４との層間に、界面層８を必要に応じて設けることもできる。この界面層を設けることにより、駆動電圧の低減や発光効率の向上、長寿命化を達成することができる。界面層は透明電極からの電子注入を容易にする効果や透明電極との密着性をあげる効果がある。
【００３０】
界面層６，８の材料としては、トリフェニルアミンの誘導体である４，４’，４”−トリス｛Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ｝トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’，４”−トリス｛Ｎ，Ｎジフェニルアミノ｝トリフェニルアミン（ＴＤＡＴＡ）、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）等やアルカリ金属やアルカリ土類金属のフッ化物、酸化物を好ましく使用できる。
【００３１】
本発明に係る薄膜発光表示素子は、上記構成に例示するように、非表示面側に基板を配し、表示面側に封止気体を配するのが一般的である。なお、封止気体としては、二つの基板の一方に凹面を設けて基板の四辺周辺をシール材で囲み、密閉空間を形成し気体を封入する。一般的に乾燥窒素や乾燥アルゴン等の乾燥した不活性な気体が使用される（本明細書では封止気体の図示は省略している。）。また、密閉空間内に乾燥剤を配置することが好ましい。内部に侵入した水分を捕集できるからである。
【００３２】
次に、上面発光型有機ＥＬ表示素子では、下面発光型有機ＥＬ表示素子に比し光干渉の影響が大きいことを図３，４を使用して説明する。
【００３３】
図３は、基板１の上に透明電極２１、発光層３、金属電極４１を積層してなる下面発光型有機ＥＬ表示素子を示す模式的横断面図である。発光は図３中下の方から観察される。この場合、発光層３の任意の点Ａで等方的に発生する光のうち、図３中下方向に向かう成分については、ａ₂₁のようにそのまま有機ＥＬ表示素子外に達する成分、ａ₂₂のように、いったん金属電極４１面で反射してから有機ＥＬ表示素子外に達する成分、さらにａ₂₃のように、透明電極２１と基板１との間の屈折率差が大きいためにその界面で反射し、さらに金属電極４１面で反射してから有機ＥＬ表示素子外に達する成分等が存在し、そのような多重反射の結果光干渉が生じる。
【００３４】
これに対し図４は、基板１の上に金属電極２２、発光層３、透明電極４２を積層してなる上面発光型有機ＥＬ表示素子を示す模式的横断面図である。発光は図４中上の方から観察される。この場合、発光層３の任意の点Ｂで発生する光のうち、図４中上方向に向かう成分については、ｂ₂₁のようにそのまま有機ＥＬ表示素子外に達する成分、ｂ₂₂のように、いったん金属電極２２面で反射してから有機ＥＬ表示素子外に達する成分、さらにｂ₂₃のように、透明電極４２と封止気体の間の屈折率差が大きいためにその界面で反射し、さらに金属電極２２面で反射してから有機ＥＬ表示素子外に達する成分等が存在し、そのような多重反射の結果光干渉が生じる。
【００３５】
具体的には、屈折率１．５のガラス基板、屈折率１．８のＩＴＯ透明電極、屈折率１．０の窒素を封止気体とした場合、ＩＴＯ透明電極の屈折率と窒素の屈折率との差がガラス基板の屈折率とＩＴＯ透明電極の屈折率との差よりかなり大きい。このことに起因して、下面発光型有機ＥＬ表示素子に比べ、上面発光型有機ＥＬ表示素子の方が光干渉の影響が強く現れ、色調が変化する。特に白色の場合は、色調が変化することが白色でなくなることを意味するので重大な問題となる。このため、膜厚を調整する等、素子構造に工夫を凝らして色調変化を抑制する必要が生じる。
【００３６】
透明電極上に屈折率が１．５〜２．３、膜厚が５〜１５μｍ、光透過率が６０％以上の光透過性膜９を備えた、図５に示す構造の上面発光型有機ＥＬ表示素子とすることで、この問題を解決できることが判明した。なお、光透明膜は保護膜としての機能を兼ねてもよい。
【００３７】
このような構成を採用することにより、光干渉の影響が小さくなり、色調の変化が起こりにくくなるため、素子設計において、色調調整に煩わされることが少なくなり、電気光学特性を優先させた素子設計ができる。特に白色の設計がし易い。また、製造上の膜厚等のばらつきによる色調の変化も起こりにくくなるため、製造が容易になる。
【００３８】
透明電極上に屈折率１．５〜２．３の光透過性膜を設けることにより、透明電極上と光透過性膜との界面での反射を減少できる。界面での反射の観点からは、透明電極の屈折率と光透過性膜の屈折率との差は小さい方が好ましい。透明電極の屈折率と光透過性膜の屈折率との差が±０．３以内であることが好ましく、±０．２以内であることがより好ましい。
【００３９】
光透過性膜の膜厚を所定以上に厚くすることにより、光透過性膜が封止気体のように屈折率の差が非常に大きな物質と接していても、その界面における光干渉を効果的に抑制できる。光透過性膜の膜厚が３μｍ以上であれば、光干渉抑制の効果が明確になり、５μｍ以上であれば、ほとんど完全に抑制できる。なお、光透過性膜の膜厚が２０μｍを超えると、成膜時間が長くなる、膜に歪が発生する等の問題が発生する。そのため、本発明では、光透過性膜の膜厚の範囲を５〜１５μｍとした。
【００４０】
この様子を表１を使用して説明する。表１は、次の前提の下に推算したものである。なお、発光材料であるトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ）本来の蛍光スペクトルの色度座標は、（０．３０３６，０．５５７０）であり、干渉された結果の発光スペクトルの色度座標が、この座標値に近いほど、色調の変化が生じ難いことを意味する。
【００４１】
＜前提＞
・金属電極，発光層，透明電極，光透過性膜（存在しない場合もある），窒素からなる層構造とする。
【００４２】
・便宜のため、光源が金属電極内にあるものとする。
【００４３】
・発光層，透明電極，光透過性膜の屈折率は互いに近いので、層間での反射は無視し、金属電極／（発光層＋透明電極）／窒素または、金属電極／（発光層＋透明電極＋光透過性膜）／窒素という構成であると考える。
【００４４】
・金属電極の屈折率を３２．３、（発光層＋透明電極＋光透過性膜）の屈折率を１．８、窒素の屈折率を１．０とする。
【００４５】
・以上を基礎にして波長ごとに求めた光透過率をＡｌｑの蛍光スペクトルと掛け合わせることにより、上記構造で干渉された結果の発光スペクトルを計算し、色度座標を求める。
【００４６】
【表１】

【００４７】
表１の番号１，６の結果より、光透過性膜が存在しない場合には、その発光スペクトルの色度座標はＡｌｑ本来の蛍光スペクトルの色度座標とは大きく異なり、また、（発光層＋透明電極）の厚さが変化すると、かなりの色調変化が生じることが理解できる。
【００４８】
これに対し、番号２，３，４，５を番号１と比較してみると、光透過性膜を設けることにより、Ａｌｑ本来の蛍光スペクトルの色度座標に近い色度座標となること、光透過性膜の厚さが３μｍ以上であれば光干渉の効果が明確になること、５μｍ以上であれば、Ａｌｑ本来の蛍光スペクトルの色度座標とほぼ同一であると言えることが理解できる。この事情は、番号７，８，９，１０と番号６との比較でも同様である。すなわち、表１の結果は、光透過性膜を設けることにより、（発光層＋透明電極）の厚さの変化に無関係に、Ａｌｑ本来の蛍光スペクトルの色調とほぼ同一の色調を実現できることを示している。
【００４９】
光透過性膜の光透過性は、一般的に高い方が好ましい。本発明では、実用性を考慮して６０％以上とした。これより低いと外部に達する光量の減少が大きく、実用的に困難性を生じる場合があるからである。
【００５０】
光透過性膜は複数の層からなっている。その場合、その複数の層の膜のそれぞれの屈折率は１．５〜２．３である。その複数の層の全体の膜厚は５〜１５μｍであり、光透過率は６０％以上である。
【００５１】
本発明の効果は、透明電極上に封止気体を配した構造の上面発光型有機ＥＬ表示素子について、その透明電極と封止気体との間に光透過性膜を設ける場合に特に効果的である。低い屈折率との界面で生じる光の反射による干渉効果を効果的に抑制できるからである。
【００５２】
光透過性膜を形成するための材料としては、光透過性が良好で均質な膜形成が容易であるところから、材質的には、有機樹脂よりなる層と、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウムおよびフッ化セリウムからなる群から選ばれた少なくとも一つの材料よりなる層とを含む。
【００５３】
有機樹脂は、本発明の趣旨に反しない限りどのようなものでもよく、屈折率が１．５〜２．３で光透過率が６０％以上のものから選択する。このような物性を示す材料として、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等を例示することができる。
【００５４】
有機樹脂を使用するのは、光透過性膜全体としての膜厚を確保するのが容易なためであり、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウムおよびフッ化セリウムからなる群から選ばれた少なくとも一つの材料よりなる層を併用するのは、有機樹脂の形成時に溶剤、水分から有機ＥＬ素子を保護するためである。
【００５５】
本発明に係る上面発光型有機ＥＬ表示素子は、基板上に、金属電極と、発光層と、透明電極と、屈折率が１．５〜２．３、膜厚が５〜１５μｍ、光透過率が６０％以上の光透過性膜とをこの順に積層することによって製造できる。通常、光透過性膜上に封止気体が配される。
【００５６】
光透過性膜は、有機樹脂よりなる層と、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウムおよびフッ化セリウムからなる群から選ばれた少なくとも一つの材料よりなる層とを積層して形成する。そのための成膜方法としては、上記の条件を満たす膜を形成できる方法であれば、どのようなものでもよいが、有機樹脂層については、スピンコート、スプレーコート、フレキソ印刷、スクリーン印刷等が好ましく、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウムおよびフッ化セリウムからなる層については、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＭＢＥ法、レーザーアブレーション法等の物理的気相成長法（ＰＶＤ）や、熱ＣＶＤ、ＭＯＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、ＥＣＲプラズマＣＶＤ、光ＣＶＤ、レーザーＣＶＤ等の化学的気相法（ＣＶＤ）が好ましい。この場合、光透過性膜が、透明電極形成と連続して成膜できる場合があると工程が簡略化でき好ましい。なお、光透過性膜の成膜時に、発光層等の有機ＥＬ表示素子の要素に損傷を与えることがないよう、成膜温度等への配慮が必要である。
【００５７】
【実施例】
次に本発明の実施例を詳述する。例１〜４はすべて実施例である。なお、色度測定は、ミノルタ（株）製色彩輝度計ＣＳ−１０００によった。
【００５８】
［例１］
ガラス基板上にメタルマスクを介して真空蒸着し、電極の形状にＡｌを４０ｎｍの膜厚で成膜した。ついで、同一真空中で、０．５ｎｍ膜厚のＬｉＦ、６０ｎｍ膜厚のＡｌｑ、８０ｎｍ膜厚の４，４’−ビス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（α−ＮＰＤ）、３０ｎｍ膜厚のＣｕＰｃを連続して成膜し、さらにＡｌ電極と直交する電極形状に、６０ｎｍ膜厚のＩＴＯ膜を成膜した。成膜は、接地されたグリッドを介してイオン衝撃による発光層へのダメージを軽減したＲＦスパッタ法によって行った。
【００５９】
光透過性膜として、まずプラズマＣＶＤ法により、０．５μｍ膜厚の窒化ケイ素膜を成膜し、さらにスピンコートにより、５μｍの新日鐵化学（株）製カルドアクリレートＶ２５９ＰＡの層を形成した。光透過性膜上の封止気体としては乾燥窒素を使用した。
【００６０】
この構造体について、Ａｌ電極を陰極、ＩＴＯ電極を陽極として直流電流を流して発光させ、スペクトルを測定した。この結果、表１の番号９と同等のデータが得られた。なお、窒化ケイ素の屈折率は１．８、Ｖ２５９ＰＡの屈折率は１．７、窒化ケイ素とＶ２５９ＰＡとの二層を合わせたときの光透過率は８５％であった。
【００６１】
［例２］
ガラス基板上にＤＣスパッタリングにより４０ｎｍ膜厚のＣｒ膜を成膜し、フォトリソグラフィーにより電極の形状に形成した。この上に、３０ｎｍ膜厚のＣｕＰｃ、８０ｎｍ膜厚のα−ＮＰＤ、６０ｎｍ膜厚のＡｌｑ、５ｎｍ膜厚のＣｕＰｃを連続して成膜し、さらにＡｌ電極と直交する電極形状に、６０ｎｍ膜厚のＩＴＯ膜を成膜した。成膜は、接地されたグリッドを介してイオン衝撃による発光層へのダメージを軽減したＲＦスパッタ法によって行った。
【００６２】
光透過性膜として、まずスパッタリングにより、０．５μｍ膜厚の窒化ケイ素膜を成膜し、さらにスピンコートにより、５μｍの東京応化工業（株）製クリヤレジストＣＦＰＲ−ＣＬ０１６Ｓの層を形成した。光透過性膜上の封止気体としては乾燥窒素を使用した。
【００６３】
この構造体について、Ｃｒ電極を陽極、ＩＴＯ電極を陰極として直流電流を流して発光させ、スペクトルを測定した。この結果、表１の番号９と同等のデータが得られた。なお、ＣＦＰＲ−ＣＬ０１６Ｓはアクリル系の有機樹脂であり、屈折率は１．６、光透過率は８０％以上であった。
【００６４】
［例３］
５μｍのＶ２５９ＰＡの層に代えて１０μｍのＶ２５９ＰＡの層とした以外は例１と同じ条件として、例１と同様の構造体を作製し、スペクトルを測定した。この結果、表１の番号１０と同等のデータが得られた。
【００６５】
［例４］
５μｍのＣＦＰＲ−ＣＬ０１６Ｓの層に代えて１０μｍのＣＦＰＲ−ＣＬ０１６Ｓの層とした以外は例２と同じ条件として、例２と同様の構造体を作製し、スペクトルを測定した。この結果、表１の番号１０と同等のデータが得られた。
【００６６】
【発明の効果】
本発明により、色調の変化が生じ難く、素子設計の容易な上面発光型有機ＥＬ表示素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の基礎となる上面発光型有機ＥＬ表示素子の模式的側断面図である。
【図２】本発明の基礎となる上面発光型有機ＥＬ表示素子の他の模式的側断面図である。
【図３】下面発光型有機ＥＬ表示素子において光の反射の様子を示す模式的横断面図である。
【図４】上面発光型有機ＥＬ表示素子において光の反射の様子を示す模式的横断面図である。
【図５】本発明に係る上面発光型有機ＥＬ表示素子の模式的側断面図である。
【符号の説明】
１基板
２金属電極
３発光層
４透明電極
５正孔輸送層
６界面層
７電子輸送層
８界面層
９光透過性膜
２１透明電極
２２金属電極
４１金属電極
４２透明電極[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a top emission organic electroluminescence (hereinafter, organic electroluminescence is abbreviated as organic EL) display element.
[0002]
[Prior art]
The color tone (spectrum) of light emission of a light emitting element varies depending on the light emitting material, and various light emitting color elements can be formed by selecting from among many light emitting materials.
[0003]
However, since light emission occurs inside the thin film, the emitted color extracted to the outside is affected by light interference due to multiple reflection at the interface of the laminated film of the element, and is different from the original emission spectrum of the light emitting material. The light emission intensity also changes due to the effect of light interference.
[0004]
In the case of a normal bottom emission organic EL display element in which a transparent electrode, a light emitting layer, and a metal electrode are laminated in this order on a substrate and light emission is used for display from the substrate side, Multiple reflection occurs due to reflection at the interface caused by a large difference in refractive index between the transparent electrode at the bottom and the substrate glass, and reflection at the interface between the metal electrode at the top and the light emitting layer.
[0005]
In this regard, a technique for maximizing the luminance and adjusting the emission wavelength by utilizing the effect of optical interference due to the film thickness of the light emitting layer between the electrodes constituting the bottom emission organic EL display element and the transparent electrode has been studied. (See, for example, Non-Patent Document 1).
[0006]
On the other hand, in the case of the bottom emission type, in the case of an active matrix device, a metal electrode, a light emitting layer, and a transparent layer are formed on the substrate in response to the problem that the aperture ratio of the pixel decreases due to the presence of metal wiring, TFT, capacitor, etc. There has been proposed a top emission organic EL display element in which electrodes are laminated in this order and light emission is used for display from the side opposite to the substrate (see, for example, Non-Patent Document 2).
[0007]
In the top emission type organic EL display element, since the sealing gas is usually disposed on the transparent electrode on the upper side, reflection at the interface caused by a large refractive index difference between the transparent electrode and the sealing gas Multiple reflection occurs due to reflection at the interface between the metal electrode and the light emitting layer. The refractive index of the sealing gas is generally much lower than the refractive index of the substrate, and as a result, the top emission organic EL display element is lighter than the bottom emission organic EL display element. The influence of interference on the emission spectrum is increased.
[0008]
With respect to the top emission type organic EL display element, it has been proposed to design the light emitting layer and the thickness of the transparent electrode for each color tone so that light interference works advantageously for each color tone (for example, see Non-Patent Document 3). .) However, in designing the element, it is necessary to consider electro-optical characteristics for light emission of the light-emitting layer, for example, current efficiency, driving voltage, life, and the like, and balance both color tone adjustment and electro-optical characteristics. It can be difficult. In the case of forming a top emission type organic EL display element, since the effect of optical interference is strong, the color tone is likely to change due to variations in manufacturing film thickness and the like. In particular, when a white top-emitting organic EL display element is formed, it is difficult to design the element, and a change in color tone is likely to occur due to variations in manufacturing film thickness and the like.
[0009]
[Non-Patent Document 1]
Y. Fukuda et al., Organic LED Full-Color Passive-Matrix, SID99 Digest, USA, Society for Information Display, May 1999, p. 430
[0010]
[Non-Patent Document 2]
Tetsuo Urabe, “Current Status and Prospects of High-Quality / Large Screen Organic EL Display Technology”, Lectures, Japan Electronic and Information Technology Association (JEITA) & Semiconductor Incorporation 16 Japanese lecture (Tokyo Fashion Town West Hall TFT Hall), p. 4,5
[0011]
[Non-Patent Document 3]
Jiro Yamada et al., Micro Cavity Structure for Full-Color AM-OLED Displays, Digest of Technical Papers, AM-LCD (Digest of Technical Pa- lical LCD) Japan, Japan Society for Applied Physics, July 2002, p. 77
[0012]
[Problems to be solved by the invention]
An object of the present invention is to solve the above-described problems, and to provide a top emission organic EL display element that is less likely to cause a change in color tone and that can be easily designed. Still other objects and advantages of the present invention will become apparent from the following description.
[0013]
[Means for Solving the Problems]
That is, according to the first aspect of the present invention, a metal electrode, a light emitting layer, a transparent electrode, and a refractive index of 1.5-2. 3, the light transmittance Ri the name by laminating a 60% light transmissive film in this order, a light transmissive film, silicon nitride, silicon oxide, silicon oxynitride, aluminum oxide, magnesium oxide and cerium fluoride and at least one formed from a material layer selected from the group consisting, of a plurality of layers formed by laminating a layer made of an organic resin in this order, the total thickness of the plurality of layers Ru 5~15μm der, A top emission organic EL display element is provided.
[0014]
Aspect 2 of the present invention provides the top emission organic electroluminescence display element according to Aspect 1, wherein a sealing gas is disposed on the light transmissive film .
[0015]
Aspect 3 of the present invention is the top emission organic electroluminescence display according to the aspect 1 or 2, wherein the plurality of layers constituting the light-transmitting film each have a refractive index in the range of 1.5 to 2.3. An element is provided.
[0016]
Aspect 4 of the present invention provides the top emission organic EL display element according to Aspect 1, wherein the difference between the refractive index of the transparent electrode and the refractive index of the light transmissive film is within 0.3 .
[0017]
According to the fifth aspect of the present invention, a metal electrode, a light emitting layer, a transparent electrode, and a refractive index of 1.5-2. 3. A light transmissive film having a light transmittance of 60% or more is laminated in this order, and the light transmissive film is selected from the group consisting of silicon nitride, silicon oxide, silicon oxynitride, aluminum oxide, magnesium oxide and cerium fluoride. A top emission type in which a layer made of at least one selected material and a layer made of an organic resin are formed from a plurality of layers laminated in this order, and the total thickness of the plurality of layers is 5 to 15 μm. A method for producing an organic EL display element is provided.
[0018]
Aspect 6 of the present invention provides a method for producing a top emission organic electroluminescence display element according to Aspect 5, wherein a sealing gas is disposed on the light transmissive film .
[0019]
Aspect 7 of the present invention provides a method for manufacturing a top emission organic EL display element according to Aspect 5, wherein the difference between the refractive index of the transparent electrode and the refractive index of the light transmissive film is within 0.3. .
[0020]
Aspect 8 of the present invention provides a method for producing a top emission organic EL display element according to Aspect 5, wherein the layer made of an organic resin is formed by any one of spin coating, spray coating, flexographic printing, and screen printing. To do.
[0021]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, tables, examples and the like. In addition, these figures, tables, examples, etc., and explanations are only examples of the present invention, and do not limit the scope of the present invention. It goes without saying that other embodiments may belong to the category of the present invention as long as they match the gist of the present invention.
[0022]
Examples of the top emission type organic EL display element that is the basis of the present invention are shown in FIGS. FIG. 1 is a schematic sectional side view of a basic configuration example of an organic EL display element of the present invention. In FIG. 1, the organic EL display element has a substrate 1, a metal electrode (anode) 2, a light emitting layer 3, and a transparent electrode (cathode) 4 laminated in this order. This structure is the most basic. FIG. 2 shows an example in which a more complicated structure is adopted, in which a hole transport layer 5 and an interface layer 6 are provided between the metal electrode 2 and the light emitting layer 3, and an electron transport is provided between the transparent electrode 4 and the light emitting layer 3. Layer 7 and interface layer 8 are provided. The metal electrode 2 may be a cathode and the transparent electrode 4 may be an anode.
[0023]
The substrate 1 in the present invention is a support for an organic EL display element, and a transparent substrate such as glass or plastic film is generally used. In the case of plastic, polycarbonate, polymethacrylate, polysulfone and the like can be exemplified.
[0024]
As the transparent electrode 4, an indium tin oxide (ITO) thin film or a tin oxide film can be used. Further, it may be composed of a metal such as silver or gold having a high work function, an inorganic conductive material such as copper iodide, or a conductive polymer such as poly (3-methylthiophene), polypyrrole, or polyaniline. The film thickness of the transparent electrode 4 depends on the required transparency, but the visible light transmittance is 60% or more, preferably 80% or more. In this case, the film thickness is generally 5 to 1000 nm, Preferably it is 10-500 nm. Al, Cr, etc. can be used as the metal electrode.
[0025]
In the basic configuration, the light emitting layer 3 is provided on the metal electrode 2. As a material used for the light emitting layer 3, a compound having a high fluorescence quantum yield, a high electron injection efficiency from the transparent electrode 4 and a high electron mobility is effective, and a known organic light emitting material such as 8- An oxyquinoline complex, tetraphenylbutadiene, a styryl dye, an oxadiazole dye, or the like can be used. The film thickness of such a light emitting layer 3 is 10-200 nm normally, Preferably it is 20-80 nm.
[0026]
The hole transport layer 5 can be provided between the metal electrode 2 and the light emitting layer 3 as required, as shown in FIG. As a hole transport material used for the hole transport layer 5, a material having a low hole injection barrier from the metal electrode 2 and a high hole mobility can be used. As such a hole transport material, a known hole transport material can be used. The film thickness of a positive hole transport layer is 10-200 nm normally, Preferably it is 20-80 nm.
[0027]
An interface layer 6 may be provided between the metal electrode 2 and the hole transport layer 5 for the purpose of preventing leakage current, reducing a hole injection barrier, improving adhesion, and the like. The film thickness when the interface layer 6 is provided is preferably 5 to 100 nm.
[0028]
The electron transport layer 7 can be provided between the light emitting layer 3 and the transparent electrode 4 as necessary. Examples of the electron transporting substance of the electron transporting layer 7 include substances having high electron affinity and high electron mobility, such as cyclopentadiene derivatives, oxadiazole derivatives, bisstyrylbenzene derivatives, p-phenylene compounds, phenanthroline derivatives, and triazole derivatives. Is preferred.
[0029]
An interface layer 8 can be provided between the electron transport layer 7 and the transparent electrode 4 as necessary. By providing this interface layer, it is possible to reduce the driving voltage, improve the light emission efficiency, and extend the life. The interface layer has an effect of facilitating electron injection from the transparent electrode and an effect of increasing the adhesion with the transparent electrode.
[0030]
Examples of materials for the interface layers 6 and 8 include 4,4 ′, 4 ″ -tris {N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino} triphenylamine (MTDATA), which is a derivative of triphenylamine, 4 ', 4 "-tris {N, N diphenylamino} triphenylamine (TDATA), copper phthalocyanine (CuPc), etc., fluorides and oxides of alkali metals and alkaline earth metals can be preferably used.
[0031]
In the thin film light emitting display device according to the present invention, as exemplified in the above configuration, a substrate is generally disposed on the non-display surface side and a sealing gas is disposed on the display surface side. As the sealing gas, a concave surface is provided on one of the two substrates, and the periphery of the four sides of the substrate is surrounded by a sealing material to form a sealed space and enclose the gas. In general, a dry inert gas such as dry nitrogen or dry argon is used (the sealing gas is not shown in the present specification). Moreover, it is preferable to arrange | position a desiccant in sealed space. This is because moisture that has entered inside can be collected.
[0032]
Next, it will be described with reference to FIGS. 3 and 4 that the influence of light interference is larger in the top emission type organic EL display element than in the bottom emission type organic EL display element.
[0033]
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a bottom emission organic EL display element in which a transparent electrode 21, a light emitting layer 3, and a metal electrode 41 are laminated on a substrate 1. Luminescence is observed from the bottom in FIG. In this case, among the light isotropically generated at an arbitrary point A of the light emitting layer 3, a component that goes downward in FIG. 3 is a component that reaches the outside of the organic EL display element as is a ₂₁ , a ₂₂ as in, once component from reflected at 41 surface metal electrode reaches outside the organic EL display device, further as a _23, at the interface due to the large refractive index difference between the transparent electrode 21 and the substrate 1 There are components that are reflected and further reflected from the surface of the metal electrode 41 and then reach the outside of the organic EL display element, and optical interference occurs as a result of such multiple reflection.
[0034]
On the other hand, FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a top emission type organic EL display element in which the metal electrode 22, the light emitting layer 3, and the transparent electrode 42 are laminated on the substrate 1. Luminescence is observed from the top in FIG. In this case, of the light generated at an arbitrary point B of the light emitting layer 3, the component that goes upward in FIG. 4 is a component that reaches the outside of the organic EL display element as b ₂₁ , and b ₂₂ . A component that once reflects from the surface of the metal electrode 22 and reaches the outside of the organic EL display element, and like b ₂₃ , the refractive index difference between the transparent electrode 42 and the sealing gas is large, so that it is reflected at the interface. There are components that are reflected from the surface of the metal electrode 22 and then reach the outside of the organic EL display element, and optical interference occurs as a result of such multiple reflection.
[0035]
Specifically, when a glass substrate with a refractive index of 1.5, an ITO transparent electrode with a refractive index of 1.8, and nitrogen with a refractive index of 1.0 are used as the sealing gas, the refractive index of the ITO transparent electrode and the refractive index of nitrogen. Is significantly larger than the difference between the refractive index of the glass substrate and the refractive index of the ITO transparent electrode. Due to this, the influence of light interference appears more strongly in the top emission organic EL display element than in the bottom emission organic EL display element, and the color tone changes. In particular, in the case of white, changing the color tone means that the color is not white, which is a serious problem. For this reason, it is necessary to devise the device structure, such as adjusting the film thickness, to suppress the color tone change.
[0036]
5 is a top-emitting organic material having a structure shown in FIG. 5 and comprising a light-transmitting film 9 having a refractive index of 1.5 to 2.3, a film thickness of 5 to 15 μm, and a light transmittance of 60% or more on a transparent electrode. It has been found that this problem can be solved by using an EL display element. The light transparent film may also serve as a protective film.
[0037]
By adopting such a configuration, the influence of light interference is reduced and the change in color tone is less likely to occur.Therefore, there is less trouble with color tone adjustment in device design, and device design gives priority to electro-optical characteristics. Can do. In particular, white design is easy. Further, since the color tone is less likely to change due to variations in film thickness during manufacturing, manufacturing is facilitated.
[0038]
By providing a light transmissive film having a refractive index of 1.5 to 2.3 on the transparent electrode, reflection at the interface between the transparent electrode and the light transmissive film can be reduced. From the viewpoint of reflection at the interface, the difference between the refractive index of the transparent electrode and the refractive index of the light-transmitting film is preferably small. The difference between the refractive index of the transparent electrode and the refractive index of the light transmissive film is preferably within ± 0.3, and more preferably within ± 0.2.
[0039]
By making the film thickness of the light transmissive film more than a predetermined value, even if the light transmissive film is in contact with a substance having a very large difference in refractive index such as a sealing gas, it is effective for optical interference at the interface. Can be suppressed. If the thickness of the light-transmitting film is 3 μm or more, the effect of suppressing optical interference becomes clear, and if it is 5 μm or more, it can be almost completely suppressed. When the thickness of the light transmissive film exceeds 20 μm, problems such as a long film formation time and distortion in the film occur. Therefore, in the present invention, and the range of thickness of the light transmitting film as a 5 to 15 [mu] m.
[0040]
This will be described with reference to Table 1. Table 1 is estimated based on the following assumptions. Note that the chromaticity coordinate of the original fluorescence spectrum of tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq), which is the luminescent material, is (0.3036, 0.5570), and the chromaticity coordinate of the emission spectrum resulting from the interference is This means that the closer to this coordinate value, the less likely the color tone changes.
[0041]
<Premise>
A layer structure consisting of a metal electrode, a light emitting layer, a transparent electrode, a light transmissive film (may not exist), and nitrogen.
[0042]
• For convenience, the light source is assumed to be in the metal electrode.
[0043]
・ Because the refractive indexes of the light emitting layer, transparent electrode, and light transmissive film are close to each other, the reflection between layers is ignored, and metal electrode / (light emitting layer + transparent electrode) / nitrogen or metal electrode / (light emitting layer + transparent electrode) + Light-transmitting film) / nitrogen.
[0044]
The refractive index of the metal electrode is 32.3, the refractive index of (light emitting layer + transparent electrode + light transmitting film) is 1.8, and the refractive index of nitrogen is 1.0.
[0045]
By multiplying the light transmittance determined for each wavelength based on the above with the fluorescence spectrum of Alq, the emission spectrum resulting from the interference in the above structure is calculated, and the chromaticity coordinates are obtained.
[0046]
[Table 1]

[0047]
From the results of numbers 1 and 6 in Table 1, when the light-transmitting film is not present, the chromaticity coordinates of the emission spectrum are greatly different from the chromaticity coordinates of the Alq original fluorescence spectrum, and (light emitting layer + It can be understood that when the thickness of the transparent electrode) changes, a considerable color change occurs.
[0048]
On the other hand, comparing the

numbers

2, 3, 4, and 5 with the number 1, the provision of the light transmissive film makes the chromaticity coordinates close to the chromaticity coordinates of the original fluorescence spectrum of Alq. It can be understood that if the thickness of the transmissive film is 3 μm or more, the effect of light interference becomes clear, and if it is 5 μm or more, it can be said that the chromaticity coordinates of the original fluorescence spectrum of Alq are almost the same. This situation is the same when comparing Nos. 7, 8, 9, 10 and No. 6. That is, the results in Table 1 indicate that by providing a light-transmitting film, it is possible to achieve a color tone that is almost the same as the color tone of the original Alq fluorescence spectrum, regardless of the change in the thickness of (light emitting layer + transparent electrode). ing.
[0049]
In general, the light transmissive film preferably has a high light transmittance. In the present invention, it was 60% or more in consideration of practicality. If the temperature is lower than this, the amount of light reaching the outside is greatly reduced, which may cause practical difficulties.
[0050]
Light transmissive film has a plurality of layers. In that case, each refractive index of the film | membrane of the several layer is 1.5-2.3 . The total thickness of the plurality of layers is 5 to 15 μm, and the light transmittance is 60% or more.
[0051]
The effect of the present invention is particularly effective when a light-transmitting film is provided between the transparent electrode and the sealing gas in a top emission organic EL display element having a structure in which the sealing gas is disposed on the transparent electrode. is there. This is because the interference effect due to the reflection of light generated at the interface with the low refractive index can be effectively suppressed.
[0052]
As a material for forming a light-transmitting film, it is easy to form a uniform film with good light transmission. From the viewpoint of material, a layer made of an organic resin, silicon nitride, silicon oxide, oxynitriding silicon, aluminum oxide, including at least one made of a material layer selected from the group consisting of magnesium oxide and cerium fluoride.
[0053]
The organic resin may be any one as long as it does not contradict the gist of the present invention, and is selected from those having a refractive index of 1.5 to 2.3 and a light transmittance of 60% or more. Examples of materials exhibiting such physical properties include acrylic resins and epoxy resins.
[0054]
The organic resin is used because it is easy to ensure the film thickness of the light transmissive film as a whole, and the group consisting of silicon nitride, silicon oxide, silicon oxynitride, aluminum oxide, magnesium oxide and cerium fluoride. The reason why the layer made of at least one material selected from the above is used in combination is to protect the organic EL element from the solvent and moisture during the formation of the organic resin.
[0055]
The top emission type organic EL display device according to the present invention has a metal electrode, a light emitting layer, a transparent electrode, a refractive index of 1.5 to 2.3, a film thickness of 5 to 15 μm, and a light transmittance on a substrate. Can be manufactured by laminating 60% or more of a light transmissive film in this order. Usually, a sealing gas is disposed on the light transmissive film.
[0056]
The light transmissive film is formed by laminating a layer made of an organic resin and a layer made of at least one material selected from the group consisting of silicon nitride, silicon oxide, silicon oxynitride, aluminum oxide, magnesium oxide and cerium fluoride. It forms Te. As a film forming method therefor, any method can be used as long as it can form a film satisfying the above conditions. For the organic resin layer, spin coating, spray coating, flexographic printing, screen printing, etc. are preferable. For a layer composed of silicon nitride, silicon oxide, silicon oxynitride, aluminum oxide, magnesium oxide and cerium fluoride, a physical vapor phase such as vacuum deposition, sputtering, ion plating, MBE, laser ablation, etc. A chemical vapor deposition (CVD) method such as a growth method (PVD), thermal CVD, MOCVD, plasma CVD, ECR plasma CVD, photo CVD, or laser CVD is preferable. In this case, it is preferable that the light transmissive film can be formed continuously with the formation of the transparent electrode because the process can be simplified. It is necessary to consider the film formation temperature and the like so as not to damage the elements of the organic EL display element such as the light emitting layer when forming the light transmissive film.
[0057]
【Example】
Next, examples of the present invention will be described in detail. Examples 1-4 are all examples. In addition, chromaticity measurement was based on Minolta Co., Ltd. product color luminance meter CS-1000.
[0058]
[Example 1]
It vacuum-deposited through the metal mask on the glass substrate, and formed Al into the shape of the electrode with the film thickness of 40 nm. Next, in the same vacuum, 0.5 nm thick LiF, 60 nm thick Alq, 80 nm thick 4,4′-bis (N- (1-naphthyl) -N-phenylamino) biphenyl (α-NPD) ), A 30 nm thick CuPc film was continuously formed, and a 60 nm thick ITO film was formed in an electrode shape orthogonal to the Al electrode. Film formation was performed by an RF sputtering method in which damage to the light emitting layer due to ion bombardment was reduced through a grounded grid.
[0059]
As the light transmissive film, a silicon nitride film having a thickness of 0.5 μm was first formed by plasma CVD, and a 5 μm layer of cardoacrylate V259PA manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd. was formed by spin coating. Dry nitrogen was used as the sealing gas on the light transmissive film.
[0060]
With respect to the structure, the Al electrode was used as a cathode and the ITO electrode was used as an anode, and a direct current was passed to emit light, and the spectrum was measured. As a result, data equivalent to number 9 in Table 1 was obtained. The refractive index of silicon nitride was 1.8, the refractive index of V259PA was 1.7, and the light transmittance when the two layers of silicon nitride and V259PA were combined was 85%.
[0061]
[Example 2]
A Cr film having a thickness of 40 nm was formed on a glass substrate by DC sputtering, and formed into an electrode shape by photolithography. A 30 nm thick CuPc film, an 80 nm thick α-NPD film, a 60 nm thick Alq film, and a 5 nm thick CuPc film are continuously formed thereon, and an electrode shape orthogonal to the Al electrode is formed to a 60 nm film thickness. An ITO film was formed. Film formation was performed by an RF sputtering method in which damage to the light emitting layer due to ion bombardment was reduced through a grounded grid.
[0062]
As a light-transmitting film, a silicon nitride film having a thickness of 0.5 μm was first formed by sputtering, and further a 5 μm clear resist CFPR-CL016S layer made by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. was formed by spin coating. Dry nitrogen was used as the sealing gas on the light transmissive film.
[0063]
About this structure, the Cr electrode was used as an anode, the ITO electrode was used as a cathode, a direct current was passed through to emit light, and the spectrum was measured. As a result, data equivalent to number 9 in Table 1 was obtained. CFPR-CL016S is an acrylic organic resin having a refractive index of 1.6 and a light transmittance of 80% or more.
[0064]
[Example 3]
A structure similar to that of Example 1 was prepared under the same conditions as Example 1 except that a layer of 10 μm V259PA was used instead of the 5 μm layer of V259PA, and the spectrum was measured. As a result, data equivalent to the number 10 in Table 1 was obtained.
[0065]
[Example 4]
A structure similar to that of Example 2 was fabricated under the same conditions as Example 2 except that a layer of 10 μm CFPR-CL016S was used instead of the 5 μm CFPR-CL016S layer, and the spectrum was measured. As a result, data equivalent to the number 10 in Table 1 was obtained.
[0066]
【The invention's effect】
According to the present invention, it is possible to provide a top-emission organic EL display element that hardly changes in color tone and is easy to design.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic cross-sectional side view of a top emission organic EL display element that is the basis of the present invention.
FIG. 2 is another schematic cross-sectional side view of a top-emitting organic EL display element that is the basis of the present invention.
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing how light is reflected in a bottom emission organic EL display element.
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing how light is reflected in a top emission organic EL display element.
FIG. 5 is a schematic sectional side view of a top emission type organic EL display device according to the present invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Metal electrode 3 Light emitting layer 4 Transparent electrode 5 Hole transport layer 6 Interface layer 7 Electron transport layer 8 Interface layer 9 Light transmissive film 21 Transparent electrode 22 Metal electrode 41 Metal electrode 42 Transparent electrode

Claims

A metal electrode, a light emitting layer, a transparent electrode, and a refractive index of 1.5-2. 3, Ri light transmittance name by laminating a 60% light transmissive film in this order,
The light-transmitting film includes a layer made of at least one material selected from the group consisting of silicon nitride, silicon oxide, silicon oxynitride, aluminum oxide, magnesium oxide and cerium fluoride, and a layer made of an organic resin in this order. in a plurality of layers laminated, the total thickness of the plurality of layers Ru 5~15μm der, top emission type organic electroluminescent display device.

The top emission organic electroluminescence display element according to claim 1, wherein a sealing gas is disposed on the light transmissive film .

The top emission organic electroluminescence display element according to claim 1 or 2, wherein each of the plurality of layers constituting the light transmissive film has a refractive index in a range of 1.5 to 2.3 .

The top emission organic electroluminescence display element according to claim 1, wherein the difference between the refractive index of the transparent electrode and the refractive index of the light transmissive film is within 0.3 .

A metal electrode, a light emitting layer, a transparent electrode, and a refractive index of 1.5-2. 3. Laminate a light transmissive film having a light transmittance of 60% or more in this order ,
The light transmissive film includes a layer made of at least one material selected from the group consisting of silicon nitride, silicon oxide, silicon oxynitride, aluminum oxide, magnesium oxide and cerium fluoride, and a layer made of an organic resin in this order. A method for producing a top-emission organic electroluminescence display element , which is formed from a plurality of layers laminated in a step, and has a total film thickness of 5 to 15 μm .

6. The method for producing a top emission organic electroluminescence display element according to claim 5, wherein a sealing gas is disposed on the light transmissive film .

6. The method for manufacturing a top emission organic electroluminescence display element according to claim 5, wherein a difference between the refractive index of the transparent electrode and the refractive index of the light transmissive film is within 0.3 .

6. The method for producing a top emission organic electroluminescence display element according to claim 5, wherein the layer made of an organic resin is formed by any one of spin coating, spray coating, flexographic printing, and screen printing .