JP4299521B2 - Phthalic anhydride compound having ethynyl group and method for producing the same - Google Patents

Phthalic anhydride compound having ethynyl group and method for producing the same Download PDF

Info

Publication number
JP4299521B2
JP4299521B2 JP2002287259A JP2002287259A JP4299521B2 JP 4299521 B2 JP4299521 B2 JP 4299521B2 JP 2002287259 A JP2002287259 A JP 2002287259A JP 2002287259 A JP2002287259 A JP 2002287259A JP 4299521 B2 JP4299521 B2 JP 4299521B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
general formula
compound represented
groups
alkyl group
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2002287259A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2004123572A (en
Inventor
桂三 木村
一義 山川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Corp filed Critical Fujifilm Corp
Priority to JP2002287259A priority Critical patent/JP4299521B2/en
Publication of JP2004123572A publication Critical patent/JP2004123572A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4299521B2 publication Critical patent/JP4299521B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Furan Compounds (AREA)
  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、熱硬化性樹脂、液晶材料、非線形光学材料、写真用添加剤またはそれらの合成中間体として有用な新規な芳香族アセチレン化合物(エチニル基を有する無水フタル酸化合物)およびその製造法に関する。
【0002】
【従来の技術】
芳香族アセチレン化合物の合成は、近年、パラジウム触媒を用いる芳香族ハロゲン化合物とアセチレン化合物とのカップリング反応が開発され、特に銅塩を共存させる萩原−園頭らの方法が反応の収率が良く、多用されるようになってきている(例えば非特許文献1、非特許文献2、特許文献2等)。
一方、非特許文献3には、萩原−園頭らの方法を用い、下記反応ルートにより下記化合物(5)を合成することが記載されている。
【0003】
【化5】
【0004】
しかしながら、上記化合物(5)である、エチニル置換の無水フタル酸化合物を合成するのに、上記のカップリング反応条件下で安定なフタル酸のジメチルエステルを使用し、得られたジメチルエステルの化合物(3)を加水分解した後にフタル酸無水物に導いているため、反応工程が3工程と多く、多量合成を行なう場合、効率、製造コストの面で不利である。しかも、上記反応において、カップリング部位以外に不安定な基を有する化合物の場合、収率低下が予想された。
一方、熱硬化性樹脂、液晶材料、非線形光学材料、写真用添加剤としては、より優れた性能を示す化合物またはこれらの化合物を合成するための中間体の開発が望まれている。特に、熱硬化性樹脂においては、ポリイミド樹脂が使用されており、熱硬化性の優れた樹脂原料の開発が望まれている。
【0005】
【特許文献1】
特開平10−114691号明細書
【非特許文献1】
Tetrahedron Lett.,1975、4467、J.Org.Chem.,59、5818(1994)
【非特許文献2】
J.Org.Chem.,59、5818(1994)
【非特許文献3】
J.Org.Chem.,48、5135(1983)
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
発明の目的は、熱硬化性樹脂、液晶材料、非線形光学材料、写真用添加剤またはそれらの合成中間体として有用な新規な芳香族アセチレン化合物(エチニル基を有する無水フタル酸化合物)を提供するものであり、更に、エチニル基を有する無水フタル酸化合物を高効率、低コストで製造する製造方法を提供するものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は鋭意検討した結果、以下の化合物および製造方法により、上記目的が達成されることを見出した。すなわち、
(1)下記一般式(I)で表される化合物。
【0008】
【化6】
【0009】
一般式(I)において、R、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ホスフィノ基及びシリル基よりなる群より選ばれる置換基を表し、nは0から3の整数を表す。nが2または3のとき、複数のRは互いに同一でも異なってもよい。Rはα位にヒドロキシ基を有するアルキル基、または下記一般式(II)で表される基を表す。
【0010】
【化7】
【0011】
一般式(II)において、R、RおよびRは各々独立にアルキル基またはアリール基を表す。
(2) が水素原子、又はアルキル基、アリール基、アルコキシ基及びシリル基よりなる群より選ばれる置換基である(1)に記載の一般式(I)で表される化合物。
(3) R が水素原子、アルキル基、又はアリール基である(2)に記載の一般式(I)で表される化合物。
(4) n が0,1,又は2である(1)〜(3)のいずれかに記載の一般式(I)で表される化合物。
(5) n が0又は1である(4)に記載の一般式(I)で表される化合物。
(6) n が0である(5)に記載の一般式(I)で表される化合物。
(7) 下記一般式(III)で表される化合物と下記一般式(IV)で表される化合物を使用することを特徴とする下記一般式(I)で表される化合物の製造方法。
【0012】
【化8】
【0013】
一般式(I)、(III)において、R、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ホスフィノ基及びシリル基よりなる群より選ばれる置換基を表し、nは0から3の整数を表す。nが2または3のとき、複数のRは互いに同一でも異なってもよい。一般式(III)において、Xはハロゲン原子を表す。一般式(I)、(IV)において、Rはα位にヒドロキシ基を有するアルキル基または下記一般式(II)で表される基を表す。
【0014】
【化9】
【0015】
一般式(II)において、R、RおよびRは各々独立にアルキル基またはアリール基を表す。
(8) R が水素原子、又はアルキル基、アリール基、アルコキシ基及びシリル基よりなる群より選ばれる置換基である(7)に記載の製造方法。
(9) R が水素原子、アルキル基、又はアリール基である(8)に記載の製造方法。
(10) n が0,1,又は2である(7)〜(9)のいずれかに記載の製造方法。
(11) n が0又は1である(10)に記載の製造方法。
(12) n が0である(11)に記載の製造方法。
13)パラジウム触媒、銅塩、および塩基の存在下に反応させることを特徴とする(7)〜(12)に記載の製造方法。
14)前記塩基が有機塩基であることを特徴とする(13)に記載の製造方法。
15) ハロゲンイオン放出可能化合物の存在下で反応させることを特徴とする(7)〜(14)に記載の製造方法。
16)非水反応媒体を用いることを特徴とする前記(7)〜(15)のいずれかに記載の製造方法。
17)前記一般式(III)におけるXが臭素原子または塩素原子であることを特徴とする()〜(16)のいずれかに記載の製造方法。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下に本発明を詳細に説明する。
最初に、本発明の一般式(I)で表される化合物を説明する。
【0017】
一般式(I)において、R で表される置換基の例としては、アルキル基〔直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルキル基を表す。それらは、アルキル基(好ましくは炭素数1から30のアルキル基、例えばメチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、t−ブチル、n−オクチル、エイコシル、2−クロロエチル、2−シアノエチル、2―エチルヘキシル)、シクロアルキル基(好ましくは、炭素数3から30の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル、シクロペンチル、4−n−ドデシルシクロヘキシル)、ビシクロアルキル基(好ましくは、炭素数5から30の置換もしくは無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数5から30のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ[2,2,1]ヘプタン−2−イル、ビシクロ[2,2,2]オクタン−3−イル)、更に環構造が多いトリシクロ構造なども包含するものである。以下に説明する置換基の中のアルキル部位(例えばアルキルチオ基のアルキル基)もこのような概念のアルキル基を表す。]、
【0018】
アリール基(好ましくは炭素数6から30の置換もしくは無置換のアリール基、例えばフェニル、p−トリル、ナフチル、m−クロロフェニル、o−ヘキサデカノイルアミノフェニル)、アルコキシ基(好ましくは、炭素数1から30の置換もしくは無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、t−ブトキシ、n−オクチルオキシ、2−メトキシエトキシ)、アリールオキシ基(好ましくは、炭素数6から30の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ、2−メチルフェノキシ、4−t−ブチルフェノキシ、3−ニトロフェノキシ、2−テトラデカノイルアミノフェノキシ)、
【0019】
シリルオキシ基(好ましくは、炭素数3から20のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ、t−ブチルジメチルシリルオキシ)、
【0021】
アルキルチオ基(好ましくは、炭素数1から30の置換もしくは無置換のアルキルチオ基、例えばメチルチオ、エチルチオ、n−ヘキサデシルチオ)、アリールチオ基(好ましくは炭素数6から30の置換もしくは無置換のアリールチオ、例えば、フェニルチオ、p−クロロフェニルチオ、m−メトキシフェニルチオ)、
【0023】
ホスフィノ基(好ましくは、炭素数2から30の置換もしくは無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ、ジフェニルホスフィノ、メチルフェノキシホスフィノ)、及びシリル基(好ましくは、炭素数3から30の置換もしくは無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル、t−ブチルジメチルシリル、フェニルジメチルシリル)が挙げられる
【0024】
上記の官能基の中で、水素原子を有するものは、これを取り去り更に上記の基で置換されていても良い。そのような官能基の例としては、アルキルカルボニルアミノスルホニル基、アリールカルボニルアミノスルホニル基、アルキルスルホニルアミノカルボニル基、アリールスルホニルアミノカルボニル基が挙げられる。その例としては、メチルスルホニルアミノカルボニル、p−メチルフェニルスルホニルアミノカルボニル、アセチルアミノスルホニル、ベンゾイルアミノスルホニル基が挙げられる。
【0025】
として好ましい置換基、アルキル基、アリール基、アルコキシ基またはシリル基であり、より好ましくはアルキル基またはアリール基である。
【0026】
1は0から3の整数を表し、好ましくは0、1または2であり、更に好ましくは0または1であり、最も好ましくは0である。
1が2または3のとき、複数のR1は互いに同一でも異なってもよい。さらに、n1が2または3のときには、複数のR1は互いに結合し、環構造となっていてもよい(具体例としては、下記に示すI−6,I−19等)。
【0027】
2はα位にヒドロキシ基を有するアルキル基(例えば、1−メチル−1−ヒドロキシエチル、ヒドロキシメチル、1−ヒドロキシエチル、1−フェニル−1−ヒドロキシエチル)、または一般式(II)で表される基を表す。このうち、R2はα位にヒドロキシ基を有するアルキル基が好ましい。該アルキル基には、α位のヒドロキシ基以外に置換基を有していてもよい。置換基としては、前記のR1と同様のものが挙げられる。好ましい置換基は、アルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロ環基、ハロゲン原子であり、より好ましくはアルキル基、アリール基、ハロゲン原子であり、更に好ましくはアルキル基、アリール基である。
一般式(II)において、R3、R4およびR5は各々独立にアルキル基(例えばメチル、エチル、ブチル)またはアリール基(例えば、フェニル)を表す。R3、R4およびR5はいずれもアルキル基が好ましく、最も好ましくは、いずれもメチル基である場合である。
【0028】
2は好ましくは、炭素数の合計が1〜5であってα位にヒドロキシ基を有するアルキル基または炭素数の合計が6以下(即ち、3〜6)のトリアルキルシリル基であり、更に好ましくは1−メチル−1−ヒドロキシエチル基またはトリメチルシリル基であり、最も好ましくは1−メチル−1−ヒドロキシエチル基である。
【0029】
以下に、本発明の一般式(I)で表される化合物の具体例を示すが、本発明の化合物がこれらに限定されるものではない。
【0030】
【化10】
【0031】
【化11】
【0032】
【化12】
【0033】
【化13】
【0034】
【化14】
【0035】
次に、本発明の前記一般式(I)で表される化合物の製造方法について、詳細に説明する。
本発明の前記一般式(I)で表される化合物は、前記一般式(III)で表される化合物と前記一般式(IV)で表される化合物を使用する(即ち、反応させる)ことを特徴とする。
ここで、まず一般式(III)で表される化合物および一般式(IV)で表される化合物を説明する。
一般式(III)において、R1およびn1は一般式(I)におけるR1およびn1と各々同義であり、好ましい範囲も同一である。
【0036】
一般式(III)におけるXはハロゲン原子を表し、好ましくは塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子であり、更に好ましくは塩素原子、臭素原子であり、最も好ましくは臭素原子である。
【0037】
一般式(IV)におけるR2は一般式(I)におけるR2と同義であり、好ましい範囲も同様である。
【0038】
以下に一般式(III)で表される化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0039】
【化15】
【0040】
【化16】
【0041】
【化17】
【0042】
【化18】
【0043】
次に、一般式(III)で表される化合物と一般式(IV)で表される化合物を使用して原料として、一般式(I)で表される化合物を製造する方法について説明する。
本発明の製造方法は、ハロゲン置換のフタル酸無水物を直接エチニル化し、エチニル基が置換したフタル酸無水物を製造すること、並びに製造ルートに特徴を有する。
【0044】
一般式(IV)で表される化合物は一般式(III)で表される化合物1モルに対して、0.1〜20モル、好ましくは0.5〜5モル用いられる。
【0045】
本発明においては、特に反応触媒を使用することが好ましく、該触媒としては、パラジウム触媒と銅触媒を併用するものである。
パラジウム触媒としては、入手可能な0価または2価のパラジウム金属や塩(錯体を含む)などのパラジウム化合物を用いることができ、これらは活性炭などに担持されていてもよい。好ましく用いられるものとして、パラジウム(0)炭素、酢酸パラジウム(II)、塩化パラジウム(II)、ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(II)クロリド、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)などを挙げることができる。このなかでビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(II)クロリドが特に好ましく用いられる。パラジウム触媒は、一般式(III)で表される化合物1モルに対して1×10-6〜10モル、好ましくは1×10-5〜1モル、より好ましくは1×10-4×10-1モル用いられる。
【0046】
銅塩としては1価または2価の銅塩を用いることができるが、好ましくは1価の銅塩が用いられる。特に好ましくはヨウ化銅が用いられる。銅塩は一般式(III)で表される化合物1モルに対して、好ましくは1×10-4〜1×10-1モル用いられる。
【0047】
本発明においては、更にホスフィン系化合物(3価のリン化合物)を加えて反応を行うこともできる。なかでもトリフェニルホスフィンが最もよく用いられるが、リン原子を2個分子内に有する3価のリン化合物も使用することができる。ホスフィン系化合物は、好ましくは一般式(III)で表される化合物1モルに対して1×10-4〜1×10-2モル用いられる。
【0048】
本発明においては、前記触媒に加え、塩基を使用するのが好ましい。
塩基としては、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム、水素化ナトリウム、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、ナトリウム−tert−ブトキシド、カリウム−tert−ブトキシドなどの他、有機塩基であるトリエチルアミン、ジエチルアミン、ピペリジン、ピロリジン、1,8−ジアザビシクロ[5、4、0]−7−ウンデセン(DBU)などを用いることができる。好ましくは、有機塩基が用いられ、特にトリエチルアミン、ジエチルアミンが用いられる。塩基は一般式(III)で表される化合物1モルに対して1〜100モル、好ましくは1〜10モル用いられる。なお、該有機塩基は、以後に説明する反応溶媒として使用するのが好ましい。
【0049】
また、特開平10−114691号に記載のハロゲンイオン放出可能化合物を添加することも好ましい。ハロゲンイオン放出可能化合物は、M+X―として表される。
ここで、Mはアルカリ金属(例えばリチウム、ナトリウム、カリウム)を表すか、または水素原子、アルキル基(例えばメチル、エチル、プロピル、ブチルベンジル)もしくはアリール基(例えばフェニル)を窒素原子、硫黄原子またはリン原子上に有する化合物残基を表し、好ましくはアルカリ金属、または水素原子もしくはアルキル基を窒素原子もしくはリン原子上に有する化合物残基を表し、より好ましくはアルキル基を窒素原子もしくはリン原子上に有する化合物残基を表し、特に好ましくはアルキル基を窒素原子上に有する化合物残基を表す。Xはハロゲン原子上に有する化合物残基を表し、好ましくは塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を表す。
【0050】
上記のハロゲンイオン放出可能な化合物としては、アルカリ金属塩(例えば、LiBr、NaCl、KF)、テトラアルキルアンモニウムハライド(例えば、トリエチルアンモニウムクロライド、ジエチルベンジルアンモニウムブロマイド、テトラブチルアンモニウムブロミドなど)、ホスホニウムハライド(例えば、テトラホスホニウムブロマイドなど)であり、好ましくはテトラアルキルアンモニウムハライドまたはホスホニウムハライドであり、更に好ましくはテトラアルキルアンモニウムハライドである。
より具体的に好ましい化合物としては、テトラアルキルアンモニウムクロリド、テトラアルキルアンモニウムブロミド、テトラアルキルホスホニウムクロリドまたはテトラアルキルホスホニウムブロミドが挙げられる。
ハロゲンイオン放出可能な化合物は、一般式(III)で表される化合物1モルに対して0.01〜10モル、好ましくは0.01〜1モル用いられる。
【0051】
反応溶媒としては非水系溶媒が好ましく、より好ましくは芳香族炭化水素系溶媒(例えばトルエン)、ニトリル系溶媒(例えばアセトニトリル)、アミド系溶媒(例えばN,N−ジメチルアセトアミド)、エーテル系溶媒(例えばTHF)、アミン系溶媒(例えばトリエチルアミン、ピロリジン、ジエチルアミノピペリジン、ピリジン)等が用いられる。
本発明においては、アミン系溶媒を使用するのが更に好ましく、トリエチルアミン、ジエチルアミンピペリジン、ピロリジン等の有機塩基を溶媒量用いることもできる。なお、この場合、アミン系溶媒と他の溶媒を併用することもでき、これらの溶媒としては、前記のアミン系以外の溶媒が挙げられるが、アミン系溶媒のみが好ましい。
【0052】
反応温度は0〜150℃、好ましくは20〜130℃、更に好ましくは20〜100℃である。
【0053】
【実施例】
次に本発明を実施例に基づき、更に詳細に説明する。
実施例1.
下記式に基づき例示化合物(I−1)を合成した。
【0054】
【化19】
【0055】
3ツ口フラスコに化合物(III−1)114g、化合物(11)50.5g、トリフェニルホスフィン0.45g、トリエチルアミン450ml、ビストリフェニルホスフィン塩化パラジウム(II)0.14g、塩化銅(I)1.33gを入れ、4時間加熱還流した。その後、室温まで冷却し、ロータリーエバポレーターにて濃縮して得られた残留物に酢酸エチル1300ml、水1000mlを添加して抽出した。得られた酢酸エチル層を飽和食塩水100mlと水600mlの混合水溶液で4回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ロータリーエバポレーターで濃縮した。得られた残留物に酢酸エチル50mlとヘキサン50mlからなる混合溶液を添加して溶解し、攪拌しながらここへ酢酸エチル80mlとヘキサン600mlからなる混合溶液を1時間かけて滴下した。そのまま3時間攪拌した後、12時間放置し、得られた結晶を濾過して目的の例示化合物(I−1)を43.7g得た(収率38%)。
NMR(CDCl3):δ=8.011(d、J=1.2Hz,1H)、7.956(d、J=8.1Hz,1H)、7.884(dd、J=1.2,8.1Hz,1H)、2.085(brs、1H)、1.656(s、6H)
融点:130〜131℃
【0056】
実施例2.
下記式に基づき例示化合物(I−8)を合成した。
【0057】
【化20】
【0058】
3ツ口フラスコに化合物(III−1)114g、プロパルギルアルコール33.6g、トリフェニルホスフィン0.45g、トリエチルアミン450ml、ビストリフェニルホスフィン塩化パラジウム(II)0.14g、塩化銅(I)1.33g、テトラブチルアンモニウムブロミド80.6gを入れ、4時間加熱還流した。その後、室温まで冷却し、ロータリーエバポレーターにて濃縮して得られた残留物に酢酸エチル1300ml、水1000mlを添加して抽出した。得られた酢酸エチル層を飽和食塩水100mlと水600mlの混合水溶液で4回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ロータリーエバポレーターで濃縮した。得られた残留物に酢酸エチル50mlとヘキサン50mlからなる混合溶液を添加して溶解し、攪拌しながらここへ酢酸エチル80mlとヘキサン500mlからなる混合溶液を1時間かけて滴下した。そのまま3時間攪拌した後、12時間放置し、得られた結晶を濾過して目的の例示化合物(I−8)を31.3g得た(収率31%)。
【0059】
【発明の効果】
本発明により、ハロフタル酸無水物から直接芳香族アセチレン化合物を簡便に、高効率で製造することができる。
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a novel aromatic acetylene compound (phthalic anhydride compound having an ethynyl group) useful as a thermosetting resin, a liquid crystal material, a nonlinear optical material, a photographic additive, or a synthetic intermediate thereof, and a method for producing the same. .
[0002]
[Prior art]
As for the synthesis of aromatic acetylene compounds, a coupling reaction between an aromatic halogen compound and an acetylene compound using a palladium catalyst has been developed in recent years. Have been widely used (for example, Non-Patent Document 1, Non-Patent Document 2, Patent Document 2, etc.).
On the other hand, Non-Patent Document 3 describes the synthesis of the following compound (5) by the following reaction route using the method of Sugawara-Sonogami et al.
[0003]
[Chemical formula 5]
[0004]
However, in order to synthesize the ethynyl-substituted phthalic anhydride compound, which is the above compound (5), dimethyl ester of phthalic acid which is stable under the above coupling reaction conditions is used. Since 3) is led to phthalic anhydride after being hydrolyzed, there are many reaction steps, and there are disadvantages in terms of efficiency and production cost when performing large-scale synthesis. In addition, in the above reaction, in the case of a compound having an unstable group other than the coupling site, a decrease in yield was expected.
On the other hand, as thermosetting resins, liquid crystal materials, nonlinear optical materials, and photographic additives, development of compounds exhibiting superior performance or intermediates for synthesizing these compounds is desired. In particular, in thermosetting resins, polyimide resins are used, and development of resin raw materials with excellent thermosetting properties is desired.
[0005]
[Patent Document 1]
JP-A-10-114691 [Non-Patent Document 1]
Tetrahedron Lett. 1975, 4467, J.A. Org. Chem. , 59, 5818 (1994)
[Non-Patent Document 2]
J. et al. Org. Chem. , 59, 5818 (1994)
[Non-Patent Document 3]
J. et al. Org. Chem. , 48, 5135 (1983)
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
The object of the invention is to provide a novel aromatic acetylene compound (phthalic anhydride compound having an ethynyl group) useful as a thermosetting resin, a liquid crystal material, a nonlinear optical material, a photographic additive, or a synthetic intermediate thereof. Furthermore, the present invention provides a production method for producing a phthalic anhydride compound having an ethynyl group with high efficiency and low cost.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
As a result of intensive studies, the present inventors have found that the above object can be achieved by the following compounds and production methods. That is,
(1) A compound represented by the following general formula (I).
[0008]
[Chemical 6]
[0009]
In the general formula (I), R 1 represents a substituent selected from the group consisting of an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group, an aryloxy group, a silyloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, a phosphino group, and a silyl group , n 1 represents an integer of 0 to 3. When n 1 is 2 or 3, the plurality of R 1 may be the same as or different from each other. R 2 represents an alkyl group having a hydroxy group at the α-position or a group represented by the following general formula (II).
[0010]
[Chemical 7]
[0011]
In the general formula (II), R 3 , R 4 and R 5 each independently represents an alkyl group or an aryl group.
(2) The compound represented by the general formula (I) according to (1), wherein R 1 is a hydrogen atom or a substituent selected from the group consisting of an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group, and a silyl group.
(3) The compound represented by the general formula (I) according to (2), wherein R 1 is a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group.
(4) The compound represented by the general formula (I) according to any one of (1) to (3), wherein n 1 is 0, 1, or 2.
(5) The compound represented by the general formula (I) according to (4), wherein n 1 is 0 or 1.
(6) The compound represented by the general formula (I) according to (5), wherein n 1 is 0.
(7) A method for producing a compound represented by the following general formula (I), comprising using a compound represented by the following general formula (III) and a compound represented by the following general formula (IV).
[0012]
[Chemical 8]
[0013]
In the general formulas (I) and (III), R 1 is a substituent selected from the group consisting of an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group, an aryloxy group, a silyloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, a phosphino group, and a silyl group. N 1 represents an integer of 0 to 3. When n 1 is 2 or 3, the plurality of R 1 may be the same as or different from each other. In general formula (III), X represents a halogen atom. In the general formulas (I) and (IV), R 2 represents an alkyl group having a hydroxy group at the α-position or a group represented by the following general formula (II).
[0014]
[Chemical 9]
[0015]
In the general formula (II), R 3 , R 4 and R 5 each independently represents an alkyl group or an aryl group.
(8) The production method according to (7), wherein R 1 is a hydrogen atom or a substituent selected from the group consisting of an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group, and a silyl group.
(9) The production method according to (8), wherein R 1 is a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group.
(10) The production method according to any one of (7) to (9), wherein n 1 is 0, 1, or 2.
(11) The production method according to (10), wherein n 1 is 0 or 1.
(12) The production method according to (11), wherein n 1 is 0.
( 13 ) The production method according to any one of ( 7) to (12) , wherein the reaction is carried out in the presence of a palladium catalyst, a copper salt, and a base.
( 14 ) The method according to ( 13 ), wherein the base is an organic base.
(15) The process according to you comprises reacting in the presence of a halogen ion releasable compound (7) to (14).
( 16 ) The method according to any one of (7) to (15) , wherein a non-aqueous reaction medium is used.
( 17 ) The production method according to any one of ( 7 ) to ( 16 ), wherein X in the general formula (III) is a bromine atom or a chlorine atom.
[0016]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The present invention is described in detail below.
First, the compound represented by the general formula (I) of the present invention will be described.
[0017]
In the general formula (I), examples of the substituent represented by R 1 represents A alkyl group [a straight chain, branched, or cyclic, substituted or unsubstituted alkyl group. They are alkyl groups (preferably alkyl groups having 1 to 30 carbon atoms such as methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, t-butyl, n-octyl, eicosyl, 2-chloroethyl, 2-cyanoethyl, 2-ethylhexyl). A cycloalkyl group (preferably a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms, such as cyclohexyl, cyclopentyl, 4-n-dodecylcyclohexyl), a bicycloalkyl group (preferably having 5 to 30 carbon atoms). A substituted or unsubstituted bicycloalkyl group, that is, a monovalent group obtained by removing one hydrogen atom from a bicycloalkane having 5 to 30 carbon atoms, for example, bicyclo [2,2,1] heptan-2-yl, bicyclo [2,2,2] octane-3-yl), a tricyclo structure with more ring structures Domo is intended to cover. An alkyl moiety in a substituent described below (for example, an alkyl group of an alkylthio group) also represents such an alkyl group. ],
[0018]
Ali Lumpur group (preferably a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, such as phenyl, p- tolyl, naphthyl, m- chlorophenyl, o- hexadecanoylaminophenyl group), an alkoxy group (preferably, A substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms, such as methoxy, ethoxy, isopropoxy, t-butoxy, n-octyloxy, 2-methoxyethoxy), aryloxy group (preferably having 6 to 30 carbon atoms) Substituted or unsubstituted aryloxy groups such as phenoxy, 2-methylphenoxy, 4-t-butylphenoxy, 3-nitrophenoxy, 2-tetradecanoylaminophenoxy),
[0019]
A silyloxy group (preferably a silyloxy group having 3 to 20 carbon atoms, for example, trimethylsilyloxy, t-butyldimethylsilyloxy ),
[0021]
Al Kiruchio group (preferably a substituted or unsubstituted alkylthio group having 1 to 30 carbon atoms, such as methylthio, ethylthio, n- hexadecylthio), an arylthio group (preferably a substituted or unsubstituted arylthio having 6 to 30 carbon atoms, such as , Phenylthio, p-chlorophenylthio, m-methoxyphenylthio ),
[0023]
Phosphino groups (preferably a substituted or unsubstituted phosphino group having 2 to 30 carbon atoms, e.g., dimethylphosphino, diphenylphosphino, methylphenoxy phosphino) and silyl groups (preferably, from 3 to 30 carbon atoms a substituted or unsubstituted silyl group, e.g., trimethylsilyl, t- butyl dimethylsilyl, phenyldimethylsilyl) and the like.
[0024]
Among the above functional groups, those having a hydrogen atom may be substituted with the above groups by removing this. Examples of such functional groups include an alkylcarbonylaminosulfonyl group, an arylcarbonylaminosulfonyl group, an alkylsulfonylaminocarbonyl group, and an arylsulfonylaminocarbonyl group. Examples thereof include methylsulfonylaminocarbonyl, p-methylphenylsulfonylaminocarbonyl, acetylaminosulfonyl, and benzoylaminosulfonyl groups.
[0025]
Substituents have preferred as R 1 is A alkyl group, an aryl group, an alkoxy group or a silyl group, more preferably an alkyl group or an aryl group.
[0026]
n 1 represents an integer of 0 to 3, preferably 0, 1 or 2, more preferably 0 or 1, and most preferably 0.
When n 1 is 2 or 3, the plurality of R 1 may be the same as or different from each other. Furthermore, when n 1 is 2 or 3, a plurality of R 1 may be bonded to each other to form a ring structure (specific examples include I-6 and I-19 shown below).
[0027]
R 2 is an alkyl group having a hydroxy group at the α-position (for example, 1-methyl-1-hydroxyethyl, hydroxymethyl, 1-hydroxyethyl, 1-phenyl-1-hydroxyethyl), or represented by the general formula (II). Represents a group. Of these, R 2 is preferably an alkyl group having a hydroxy group at the α-position. The alkyl group may have a substituent in addition to the α-position hydroxy group. Examples of the substituent include the same as those for R 1 described above. Preferred substituents are an alkyl group, an alkenyl group, an aryl group, a heterocyclic group, and a halogen atom, more preferably an alkyl group, an aryl group, and a halogen atom, and still more preferably an alkyl group and an aryl group.
In the general formula (II), R 3 , R 4 and R 5 each independently represents an alkyl group (eg, methyl, ethyl, butyl) or an aryl group (eg, phenyl). R 3 , R 4 and R 5 are all preferably alkyl groups, and most preferably all are methyl groups.
[0028]
R 2 is preferably an alkyl group having a total number of carbon atoms of 1 to 5 and having a hydroxy group at the α-position or a trialkylsilyl group having a total number of carbon atoms of 6 or less (ie 3 to 6), A 1-methyl-1-hydroxyethyl group or a trimethylsilyl group is preferred, and a 1-methyl-1-hydroxyethyl group is most preferred.
[0029]
Specific examples of the compound represented by the general formula (I) of the present invention are shown below, but the compound of the present invention is not limited thereto.
[0030]
[Chemical Formula 10]
[0031]
Embedded image
[0032]
Embedded image
[0033]
Embedded image
[0034]
Embedded image
[0035]
Next, the manufacturing method of the compound represented by the general formula (I) of the present invention will be described in detail.
The compound represented by the general formula (I) of the present invention uses (that is, reacts) the compound represented by the general formula (III) and the compound represented by the general formula (IV). Features.
Here, the compound represented by the general formula (III) and the compound represented by the general formula (IV) will be described first.
In general formula (III), R 1 and n 1 are each the same meaning as R 1 and n 1 in the general formula (I), the preferable range is also the same.
[0036]
X in the general formula (III) represents a halogen atom, preferably a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom, more preferably a chlorine atom or a bromine atom, and most preferably a bromine atom.
[0037]
R 2 in the general formula (IV) has the same meaning as R 2 in formula (I), and preferred ranges are also the same.
[0038]
Specific examples of the compound represented by the general formula (III) are shown below, but the present invention is not limited thereto.
[0039]
Embedded image
[0040]
Embedded image
[0041]
Embedded image
[0042]
Embedded image
[0043]
Next, a method for producing a compound represented by the general formula (I) as a raw material using the compound represented by the general formula (III) and the compound represented by the general formula (IV) will be described.
The production method of the present invention is characterized in that a halogen-substituted phthalic anhydride is directly ethynylated to produce a phthalic anhydride substituted with an ethynyl group, and a production route.
[0044]
The compound represented by the general formula (IV) is used in an amount of 0.1 to 20 mol, preferably 0.5 to 5 mol, per 1 mol of the compound represented by the general formula (III).
[0045]
In the present invention, it is particularly preferable to use a reaction catalyst. As the catalyst, a palladium catalyst and a copper catalyst are used in combination.
As the palladium catalyst, a commercially available palladium compound such as zero-valent or divalent palladium metal or salt (including a complex) can be used, and these may be supported on activated carbon or the like. Preferred examples include palladium (0) carbon, palladium (II) acetate, palladium (II) chloride, bis (triphenylphosphine) palladium (II) chloride, tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0), and the like. Can do. Of these, bis (triphenylphosphine) palladium (II) chloride is particularly preferably used. The palladium catalyst is 1 × 10 −6 to 10 mol, preferably 1 × 10 −5 to 1 mol, more preferably 1 × 10 −4 × 10 − to 1 mol of the compound represented by the general formula (III). 1 mole is used.
[0046]
As the copper salt, a monovalent or divalent copper salt can be used, and a monovalent copper salt is preferably used. Particularly preferably, copper iodide is used. The copper salt is preferably used in an amount of 1 × 10 −4 to 1 × 10 −1 mol per 1 mol of the compound represented by the general formula (III).
[0047]
In the present invention, the reaction can also be carried out by adding a phosphine compound (trivalent phosphorus compound). Of these, triphenylphosphine is most often used, but trivalent phosphorus compounds having two phosphorus atoms in the molecule can also be used. The phosphine compound is preferably used in an amount of 1 × 10 −4 to 1 × 10 −2 mol with respect to 1 mol of the compound represented by the general formula (III).
[0048]
In the present invention, it is preferable to use a base in addition to the catalyst.
Examples of the base include sodium hydroxide, sodium carbonate, sodium bicarbonate, potassium hydroxide, potassium carbonate, potassium bicarbonate, sodium hydride, sodium methoxide, sodium ethoxide, sodium tert-butoxide, potassium tert-butoxide, etc. In addition, organic bases such as triethylamine, diethylamine, piperidine, pyrrolidine, 1,8-diazabicyclo [5,4,0] -7-undecene (DBU) and the like can be used. Preferably, an organic base is used, particularly triethylamine or diethylamine. The base is used in an amount of 1 to 100 mol, preferably 1 to 10 mol, per 1 mol of the compound represented by the general formula (III). The organic base is preferably used as a reaction solvent described later.
[0049]
It is also preferable to add a halogen ion releasable compound described in JP-A-10-114691. Halogen ion releasable compounds are represented as M + X-.
Here, M represents an alkali metal (for example, lithium, sodium, potassium), or a hydrogen atom, an alkyl group (for example, methyl, ethyl, propyl, butylbenzyl) or an aryl group (for example, phenyl) to a nitrogen atom, a sulfur atom or Represents a compound residue having a phosphorus atom, preferably an alkali metal, or a compound residue having a hydrogen atom or an alkyl group on a nitrogen atom or a phosphorus atom, more preferably an alkyl group on a nitrogen atom or a phosphorus atom. And particularly preferably a compound residue having an alkyl group on the nitrogen atom. X represents a compound residue on the halogen atom, preferably a chlorine atom, a bromine atom, or an iodine atom.
[0050]
Examples of the compound capable of releasing halogen ions include alkali metal salts (for example, LiBr, NaCl, KF), tetraalkylammonium halides (for example, triethylammonium chloride, diethylbenzylammonium bromide, tetrabutylammonium bromide, etc.), phosphonium halides ( For example, tetraphosphonium bromide), preferably tetraalkylammonium halide or phosphonium halide, and more preferably tetraalkylammonium halide.
More specifically preferred compounds include tetraalkylammonium chloride, tetraalkylammonium bromide, tetraalkylphosphonium chloride or tetraalkylphosphonium bromide.
The compound capable of releasing halogen ions is used in an amount of 0.01 to 10 mol, preferably 0.01 to 1 mol, per 1 mol of the compound represented by the general formula (III).
[0051]
The reaction solvent is preferably a non-aqueous solvent, more preferably an aromatic hydrocarbon solvent (eg toluene), a nitrile solvent (eg acetonitrile), an amide solvent (eg N, N-dimethylacetamide), an ether solvent (eg THF), amine solvents (for example, triethylamine, pyrrolidine, diethylaminopiperidine, pyridine) and the like are used.
In the present invention, it is more preferable to use an amine solvent, and an organic base such as triethylamine, diethylaminepiperidine, pyrrolidine or the like can also be used. In this case, an amine solvent and another solvent can be used in combination, and examples of these solvents include solvents other than the above amine solvents, but only amine solvents are preferable.
[0052]
The reaction temperature is 0 to 150 ° C, preferably 20 to 130 ° C, more preferably 20 to 100 ° C.
[0053]
【Example】
Next, the present invention will be described in more detail based on examples.
Example 1.
Exemplified compound (I-1) was synthesized based on the following formula.
[0054]
Embedded image
[0055]
Compound (III-1) 114 g, compound (11) 50.5 g, triphenylphosphine 0.45 g, triethylamine 450 ml, bistriphenylphosphine palladium chloride (II) 0.14 g, copper chloride (I) 1. 33 g was added and heated to reflux for 4 hours. Subsequently, the mixture was cooled to room temperature and concentrated by a rotary evaporator, and extracted by adding 1300 ml of ethyl acetate and 1000 ml of water. The obtained ethyl acetate layer was washed 4 times with a mixed aqueous solution of 100 ml of saturated brine and 600 ml of water, dried over anhydrous magnesium sulfate, and concentrated on a rotary evaporator. A mixed solution consisting of 50 ml of ethyl acetate and 50 ml of hexane was added to the obtained residue to dissolve, and a mixed solution consisting of 80 ml of ethyl acetate and 600 ml of hexane was added dropwise thereto over 1 hour with stirring. After stirring for 3 hours, the mixture was allowed to stand for 12 hours, and the resulting crystals were filtered to obtain 43.7 g of the target exemplified compound (I-1) (yield 38%).
NMR (CDCl 3 ): δ = 8.011 (d, J = 1.2 Hz, 1H), 7.956 (d, J = 8.1 Hz, 1H), 7.884 (dd, J = 1.2, 8.1 Hz, 1H), 2.085 (brs, 1H), 1.656 (s, 6H)
Melting point: 130-131 ° C
[0056]
Example 2
Exemplified compound (I-8) was synthesized based on the following formula.
[0057]
Embedded image
[0058]
In a three-necked flask, 114 g of compound (III-1), 33.6 g of propargyl alcohol, 0.45 g of triphenylphosphine, 450 ml of triethylamine, 0.14 g of bistriphenylphosphine palladium chloride (II), 1.33 g of copper (I) chloride, 80.6 g of tetrabutylammonium bromide was added and heated to reflux for 4 hours. Subsequently, the mixture was cooled to room temperature and concentrated by a rotary evaporator, and extracted by adding 1300 ml of ethyl acetate and 1000 ml of water. The obtained ethyl acetate layer was washed four times with a mixed aqueous solution of 100 ml of saturated brine and 600 ml of water, dried over anhydrous magnesium sulfate, and concentrated on a rotary evaporator. A mixed solution consisting of 50 ml of ethyl acetate and 50 ml of hexane was added to the obtained residue and dissolved, and a mixed solution consisting of 80 ml of ethyl acetate and 500 ml of hexane was added dropwise thereto over 1 hour with stirring. The mixture was stirred for 3 hours as it was, then allowed to stand for 12 hours, and the obtained crystals were filtered to obtain 31.3 g of the target exemplified compound (I-8) (yield 31%).
[0059]
【The invention's effect】
According to the present invention, an aromatic acetylene compound can be easily and efficiently produced directly from halophthalic anhydride.

Claims (17)

下記一般式(I)で表される化合物
一般式(I)において、R、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ホスフィノ基及びシリル基よりなる群より選ばれる置換基を表し、nは0から3の整数を表す。nが2または3のとき、複数のRは互いに同一でも異なってもよい。Rはα位にヒドロキシ基を有するアルキル基、または下記一般式(II)で表される基を表す。);
一般式(II)において、R、RおよびRは各々独立にアルキル基またはアリール基を表す。)。
Compound represented by the following general formula (I) :
(In General Formula (I), R 1 represents a substituent selected from the group consisting of an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group, an aryloxy group, a silyloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, a phosphino group, and a silyl group ; n 1 represents an integer of 0 to 3. When n 1 is 2 or 3, a plurality of R 1 may be the same or different from each other, R 2 is an alkyl group having a hydroxy group at the α-position, or the following general formula Represents a group represented by (II) );
(In the general formula (II), R 3 , R 4 and R 5 each independently represents an alkyl group or an aryl group. )
R 1 が、アルキル基、アリール基、アルコキシ基及びシリル基よりなる群より選ばれる置換基である請求項1に記載の一般式(I)で表される化合物。Is a substituent selected from the group consisting of an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group and a silyl group, The compound represented by formula (I) according to claim 1. R 1 がアルキル基又はアリール基である請求項2に記載の一般式(I)で表される化合物。The compound represented by the general formula (I) according to claim 2, wherein is an alkyl group or an aryl group. n 1 が0,1,又は2である請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の一般式(I)で表される化合物。Is 0, 1, or 2. The compound represented by formula (I) according to any one of claims 1 to 3. n 1 が0又は1である請求項4に記載の一般式(I)で表される化合物。The compound represented by the general formula (I) according to claim 4, wherein is 0 or 1. n 1 が0である請求項5に記載の一般式(I)で表される化合物。Is 0, The compound represented by general formula (I) of Claim 5. 下記一般式(III)で表される化合物と下記一般式(IV)で表される化合物を使用することを特徴とする下記一般式(I)で表される化合物の製造方法
一般式(I)、(III)において、R、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ホスフィノ基及びシリル基よりなる群より選ばれる置換基を表し、nは0から3の整数を表す。nが2または3のとき、複数のRは互いに同一でも異なってもよい。一般式(III)において、Xはハロゲン原子を表す。一般式(I)、(IV)において、Rはα位にヒドロキシ基を有するアルキル基または下記一般式(II)で表される基を表す。);
一般式(II)において、R、RおよびRは各々独立にアルキル基またはアリール基を表す。)。
A method for producing a compound represented by the following general formula (I), which comprises using a compound represented by the following general formula (III) and a compound represented by the following general formula (IV) :
(In the general formulas (I) and (III), R 1 is a substituent selected from the group consisting of alkyl groups, aryl groups, alkoxy groups, aryloxy groups, silyloxy groups, alkylthio groups, arylthio groups, phosphino groups, and silyl groups. Represents a group, and n 1 represents an integer of 0 to 3. When n 1 is 2 or 3, a plurality of R 1 may be the same or different from each other, in formula (III), X represents a halogen atom . formula (I), in (IV), R 2 represents a group represented by alkyl group or a group represented by the general formula having a hydroxyl group at position α (II)).;
(In the general formula (II), R 3 , R 4 and R 5 each independently represents an alkyl group or an aryl group. )
R 1 が、アルキル基、アリール基、アルコキシ基及びシリル基よりなる群より選ばれる置換基である請求項7に記載の製造方法。Is a substituent selected from the group consisting of an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group and a silyl group. R 1 がアルキル基又はアリール基である請求項8に記載の製造方法。The production method according to claim 8, wherein is an alkyl group or an aryl group. n 1 が0,1,又は2である請求項7〜請求項9のいずれか1項に記載の製造方法。Is 0, 1, or 2. The manufacturing method of any one of Claims 7-9. n 1 が0又は1である請求項10に記載の製造方法。The manufacturing method according to claim 10, wherein is 0 or 1. n 1 が0である請求項11に記載の製造方法。The manufacturing method according to claim 11, wherein パラジウム触媒、銅塩、および塩基の存在下で反応させることを特徴とする請求項7〜請求項12のいずれか1項に記載の製造方法。It reacts in presence of a palladium catalyst, copper salt, and a base, The manufacturing method of any one of Claims 7-12 characterized by the above-mentioned. 前記塩基が有機塩基であることを特徴とする請求項13に記載の製造方法。The production method according to claim 13 , wherein the base is an organic base. ハロゲンイオン放出可能化合物の存在下で反応させることを特徴とする請求項7〜請求項14のいずれか1項に記載の製造方法。The method according to any one of claims 7 to 14 , wherein the reaction is carried out in the presence of a compound capable of releasing a halogen ion. 非水反応媒体を用いることを特徴とする請求項7〜請求項15のいずれか1項に記載の製造方法。The production method according to claim 7 , wherein a non-aqueous reaction medium is used. 前記一般式(III)におけるXが臭素原子または塩素原子であることを特徴とする請求項7〜請求項16のいずれか1項に記載の製造方法。The production method according to any one of claims 7 to 16, wherein X in the general formula (III) is a bromine atom or a chlorine atom.
JP2002287259A 2002-09-30 2002-09-30 Phthalic anhydride compound having ethynyl group and method for producing the same Expired - Fee Related JP4299521B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002287259A JP4299521B2 (en) 2002-09-30 2002-09-30 Phthalic anhydride compound having ethynyl group and method for producing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002287259A JP4299521B2 (en) 2002-09-30 2002-09-30 Phthalic anhydride compound having ethynyl group and method for producing the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004123572A JP2004123572A (en) 2004-04-22
JP4299521B2 true JP4299521B2 (en) 2009-07-22

Family

ID=32280120

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002287259A Expired - Fee Related JP4299521B2 (en) 2002-09-30 2002-09-30 Phthalic anhydride compound having ethynyl group and method for producing the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4299521B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010070527A (en) * 2008-09-22 2010-04-02 Fujifilm Corp Phthalic anhydride compound having ethynyl group and method for producing the same
ES2523824T3 (en) * 2012-04-20 2014-12-01 Nexam Chemical Ab Process for the production of (etino-1,2-diyl) bis (isobenzofuran-1,3-dione)

Also Published As

Publication number Publication date
JP2004123572A (en) 2004-04-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2021143712A1 (en) Method for preparing l-glufosinate-ammonium intermediate
JP5737291B2 (en) Method for producing diamine precursor compound
JP4299521B2 (en) Phthalic anhydride compound having ethynyl group and method for producing the same
JP5008404B2 (en) Method for producing methylene disulfonate compound
TWI733108B (en) Crystal of cyclic phosphonate sodium salt and its manufacturing method
JP2008056615A (en) Vinylethynylaryl carboxylic acid, method for producing the same, and method for producing heat cross-linking compound by using the same
TWI652256B (en) Method for producing halogen compound
JP2003335735A (en) Method for producing perfluoroisopropylaniline
CN110724040B (en) Synthetic method of iodo trifluoromethoxy compound
JP6459703B2 (en) Method for producing cyclohexanedicarboxylic acid monoester compound
JP4635251B2 (en) Organic bismuth compound and process for producing the same
CN109970616A (en) A kind of preparation method of N-acylpyrrole derivatives under the catalysis of transition metal ruthenium
JP5373771B2 (en) Method for synthesizing (Z) -3- [2-butoxy-3 '-(3-heptyl-1-methylureido) biphenyl-4-yl] -2-methoxyacrylic acid
JP2008169161A (en) Method for producing methylene disulfonate compound
JP4507398B2 (en) Method for synthesizing 3-halomethyloxetane compounds
JP2003238500A (en) Method for producing fluorine-containing tertiary amine compound and fluorine-containing quaternary ammonium salt
JP6809485B2 (en) Method for producing acid halide solution and method for producing monoester compound
JP4125263B2 (en) Trioxymethylcarboxylic acids of trisphenols and their tertiary cyclopentyl esters
JP2006282587A (en) Manufacturing method of 3-aminophenylacetylene
WO2015177179A1 (en) Improved process for preparing substituted crotonic acids
JP2019034903A (en) Bis(difluoromethyl)zinc reaction agent
JPS63313743A (en) Substituted phenoxyalkylaldehyde dialkylacetals and production thereof
JP2006248905A (en) Method for producing fluorine-containing acrylic ester derivative
JPH107614A (en) 2,2-bishalomethylalkanecarboxylic acid halide compound and its production
JPH03145442A (en) Preparation of (4-methoxycarbonyl-1-butenyl) bicyclo(3,3,0)octene derivative

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050221

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20061215

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081202

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090130

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090414

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090417

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120424

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120424

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130424

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130424

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140424

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees