JP4273659B2 - Crystalline silicon production equipment - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリコン融液を冷却して一方向に徐々に凝固させる結晶シリコン製造装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
多結晶シリコン太陽電池は、今日最も多く製造されている太陽電池である。多結晶シリコン太陽電池の発電素子(ソーラー・セル)の最も重要な性能は、エネルギー変換効率である。このエネルギー変換効率は、基板が有する結晶粒界および結晶粒内の結晶の配向性に大きく左右される。これらは、ソーラー・セル内のキャリアの寿命の短縮や移動度の低下の原因となって、エネルギー変換効率を低下させるためである。そのため、エネルギー変換効率を向上させるためには、多結晶シリコンの製造において、その結晶粒界をできるだけ少なくする、言い換えると、結晶粒径をできるだけ大きな結晶粒に成長させること、そして、その結晶粒内の配向性を向上させることが重要である。
【0003】
多結晶シリコンを製造する方法で代表的なものに、一方向凝固法がある。この方法では、例えば、アルゴンガス雰囲気中において、図3に示すように、ほぼ直方体状に形成された鋳型51にシリコン原料Sを収容し、鋳型51から離間した上部ヒータ52および下部ヒータ53によってこのシリコン原料Sを溶融させて溶湯54とし、次いで下部ヒータ53による加熱を解き、鋳型51を冷却板55によってその底面側から抜熱して凝固させることにより生成される。このとき生成されるインゴットは、冷却板55や各ヒータ52、53を調節して溶湯54内に鋳型51の底部から上部方向へ正の温度勾配を付与して、溶湯54を底部から徐々に冷却・凝固させることにより、結晶を上方へと成長させていく。この方法によれば、太陽電池用ウェハとして十分な数ミリ以上の結晶粒径を有する多結晶シリコンインゴットが得られることが知られている。
【0004】
このとき、一方向凝固性の良好なインゴットを生成するため、鋳型51の全ての抜熱は底面側から行われ、側壁面51a側からは抜熱されないのが理想的である。そのため、鋳型51の側壁面51a外側には、冷却板55上に断熱材56が周設されている。
ここで、シリコン原料Sを鋳型51に収容する場合に、シリコン原料Sの頂上部が側壁部51aを越えて可能な限り山盛りにして収容しても、シリコン原料Sがチップ状の固体シリコンであるため、溶融させた際に溶湯54の液面は鋳型51の側壁部51aの上端には至らない状態であった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の一方向凝固法を採用する従来の結晶シリコン製造装置50においては、結晶シリコン製造装置50を大型化することなく、一度に製造される多結晶シリコンインゴットを増量したいという要求が存在し、このため、鋳型51の側壁部51aの上端部近傍まで溶湯54の液面が存在するようにシリコン原料Sを供給したいという要求が存在していた。
また、同時に鋳型51にシリコン原料Sを供給する場合であっても、シリコン原料Sの加熱溶解時にはアルゴンガス雰囲気を維持した状態としたいという要求があった。
【0006】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、以下の目的を達成しようとするものである。
▲1▼ 鋳型を大型化することなく一度に供給するシリコン原料の増量を図ること。
▲2▼ 一度に製造可能な多結晶シリコンインゴットの増大を図ること。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明の結晶シリコン製造装置においては、チャンバ内に、シリコン原料を溶融した溶湯を収容する鋳型と、この鋳型が載置されるチルプレートと、このチルプレートの下方位置に設けられた吸熱板と、前記鋳型の上方位置および下方位置に配置され、シリコン原料を加熱して前記溶湯を生成する上加熱部および下加熱部と、前記溶湯を増量するために前記鋳型の上側に設けられて加熱前にシリコン原料が載置されるとともに加熱に伴って載置されたシリコン原料が鋳型内に落下するよう鋳型内に向かう傾斜面を有する増量板と、を備え、この増量板は、前記鋳型の側壁部の周囲に配設された断熱材の上に設けられており、前記上加熱部および前記下加熱部を作動させて前記溶湯を生成した後に、上加熱部を作動させたまま下加熱部の作動を停止して前記吸熱板によって吸熱し、前記鋳型内の前記溶湯の凝固を開始させ、その後上加熱部の作動を停止することにより、前記鋳型内の前記溶湯を下部から上部にかけて徐々に凝固させることにより上記課題を解決した。
本発明において、前記増量板には、前記鋳型以外にシリコン原料が落下することを防止する落下防止板が設けられることが望ましい。
また、本発明において、前記増量板が前記鋳型を挟んで対向するよう一対設けられてなる手段を採用することもできる。
【0008】
本発明の結晶シリコン製造装置においては、前記鋳型の上側に、加熱前にシリコン原料が載置されるとともに加熱に伴って載置されたシリコン原料が鋳型内に落下するよう鋳型内に向かう傾斜面を有する増量板が設けられることにより、鋳型内部のみならず、加熱前の前記鋳型だけでは収容できない量のシリコン原料増量板に載置して、これを加熱して溶湯として前記鋳型に収容することができるため、溶湯を増量することが可能となる。この結果、鋳型を大型化することなく多結晶シリコンインゴットを大型化することができる。
この際、前記増量板が鋳型の上側に設けられることにより、前記鋳型内部のシリコン原料に比べて増量板上のシリコン原料が、前記鋳型の上側に設けられる加熱手段までの距離を短くすることができ、前記鋳型内部のシリコン原料の溶解よりも前記増量板上のシリコン原料を速やかに加熱することが可能となる。ここで、増量板は、前記傾斜面を有するものであれば板状に限るものではない。
【0009】
本発明において、前記増量板の傾斜面において、鋳型から離間する方向の端部側にはこの傾斜面よりも上側に突出する落下防止板が設けられることにより、前記鋳型以外に載置されたシリコン原料が落下することを防止できる。同時に、この落下防止板により、増量板に載置できるシリコン原料をさらに増量することが可能となる。ここで、落下防止板は、前記傾斜面よりも上方に突出していればよく、板状に限定されるものではない。
【0010】
本発明において、前記増量板が前記鋳型を挟んで対向するよう一対設けられてなることにより、鋳型の片側のみに増量板が設けられた場合よりも多量のシリコン原料を供給することが可能となる。これによりさらに鋳型に収容する溶湯を増量することが可能となり、鋳型を大型化することなく多結晶シリコンインゴットをより一層大型化することができる。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る結晶シリコン製造装置の一実施形態を図面に基づいて説明する。
図1は本実施形態における結晶シリコン製造装置の一実施形態を示す正断面図であり、図2は図1の増量板付近を示す拡大図であり、図において符号1は、結晶シリコン製造装置である。
【0012】
結晶シリコン製造装置1は、図1に示すように、チャンバ2内に、シリコン融液3を収容するルツボ(鋳型)4と、そのルツボ4を収容する収容体5と、ルツボ4の収容された収容体5を載置するチルプレート8と、ルツボ4、収容体5、およびチルプレート8を包囲する包囲炉6と、包囲炉6内でルツボ4の上方位置および、下方位置に配置され、固体シリコン(シリコン原料)3a,3bを加熱してシリコン融液(溶湯)3を生成する上加熱部7a,下加熱手段7bと、一対の増量板9,9とを有する構成とされている。
【0013】
チャンバ2を構成する壁の内部には中空部2aが形成され、そこに冷却水を流すことによって、固体シリコン3aの溶融後のチャンバ2およびその内部の冷却を効率的に行えるようになっている。
【0014】
包囲炉6は、複数の断熱材により天板部と底板部とそれらの周囲を囲む側板部とを有して形成され、例えば正面から見て図1に示す如き円筒状で、かつ側面から見て四角の形状をなしている。また、包囲炉6の下部には支持部64が相対向して設けられ、この支持部64上にチルプレート8を介し収容体5を支持している。
包囲炉6の天板部には、この天板部を貫通して流入ノズルが配管されている。流入ノズルは不活性ガスであるアルゴンガスを包囲炉6内に流入させるものであり、チャンバ2の外部に設置された昇降機構の駆動により、シリコン融液3に対する距離を変更できるようになっている。
【0015】
上加熱部7aは、ルツボ4の長さ方向に沿って複数配設されたヒータで構成されている。また、下加熱部7bは、チルプレート8より下方位置にあって、かつ包囲炉6の支持部64の間に配設されている。これら上加熱部7aおよび下加熱部7bは加熱手段を形成している。
チルプレート8上には、このチルプレート8と密着する状態に収容体5が載置されている。このカーボンからなる収容体5は、側壁部5aと底部5bとを有する桶状とされ、その内部に、ルツボ4が収容されている。この側壁部5aは、ルツボ4の側壁部の周囲を囲むように設けられ、その上端が、少なくともシリコン融液3の液面よりも高い位置まであるよう設定されている。底部5bはチルプレート8とルツボ4の底部と密着されている。
【0016】
そして、包囲炉6のチルプレート8の下方位置に吸熱板13が設けられている。吸熱板13は、シリコン融液3の冷却時に包囲炉6内の輻射熱を吸熱するためのものであって、チャンバ2の下部においてチルプレート8と対向する位置に取付けられ、カーボンで形成されている。包囲炉6には載置台5の下方位置に下開口が形成され、その下開口には開閉可能なシャッターが設けられる。このシャッターは、固体シリコン3aの加熱時、下開口を閉じた状態にしておき、シリコン融液3の冷却時、シャッターを開くようにしている。
【0017】
また、吸熱板13は、チャンバ2内を流通する冷却水用の冷却水路14を形成している。即ち、吸熱板13はチャンバ2の底面と適宜の空間をもって配置されており、冷却水路14は、チャンバ2内の中空部2a及びチャンバ2の底面と吸熱板13との間の空間によりチャンバ2内全体を包囲するように形成されている。
なお、チャンバ2の底部にはチャンバ2及び吸熱板13を貫通する冷却ノズル21が設けられている。冷却ノズル21は、シリコン融液3の冷却時、アルゴンガスをチルプレート8に向けて吹き付けるように包囲炉6内に下方から流入する。
【0018】
ルツボ4の側壁部4bの上側には、図1,図2に示すように、このルツボ4を挟んで対向する位置に一対の増量板9,9が設けられている。カーボンからなるこの増量板9には、それぞれ、加熱前に個体シリコン3bが載置されるとともに加熱に伴って載置された固体シリコン3bがルツボ4内に落下するようルツボ4内側に向かう傾斜面9aが設けられる。また、増量板9の傾斜面9aにおいてルツボ4から離間する方向の端部側、つまり、傾斜面9aの上端側には、傾斜面9aよりも上側に突出する落下防止板9bが設けられている。傾斜面9a,9aのルツボ4側の先端部はいずれも平面視してルツボ4の内側に位置する。
【0019】
一対の増量板9,9において、対向する傾斜面9a,9aのルツボ4側の先端部どうしの間隔は、対向するルツボ4の側壁部4b,4bどうしの間隔よりも小さく設定され、また、対向する落下防止板9b,9bどうしの間隔が、対向するルツボ4の側壁部4b,4bどうしの間隔より大きく設定される。
これら増量板9,9は、ルツボ4の側壁部4b周囲の断熱材10,10上に設けられている。なお、図1においては、断熱材10を省略してある。
【0020】
さらに、包囲炉6の側板部の上部には、上開口が設けられ、この上開口を開閉する上部開閉機構をも有している。この上部開閉機構は、開閉扉と、この開閉扉に連結されたアクチュエータとを具備している。そして、固体シリコン3aの加熱時には、開閉扉が上開口を閉じた状態にしておき、シリコン融液3の冷却時、アクチュエータの駆動により、開閉扉を開くようにしている。またさらに、包囲炉6およびチャンバ2の上部には排気ポート22が配管されている。この排気ポート22は、シリコン融液3の冷却時、下方の冷却ノズル21等から包囲炉6内にアルゴンガスが流入したとき、そのガスを排気するためのものである。なお、包囲炉6には、観察用のビューポート、温度センサー、加熱手段7a,7bの配線類を通すポート等が設けられる。
【0021】
上記構成の結晶シリコン製造装置1を用いて、結晶シリコンを製造する場合には、まず、原料のチップ状の固体シリコン3aをルツボ4内に収容するとともに、続いて原料のチップ状の固体シリコン3bを増量板9,9上に載置する。
次いで、シャッターおよび上部の開閉扉を閉じて包囲炉6内に流入ポート20からアルゴンガスを流入し、所定圧のガス雰囲気に保ち、その状態で上加熱部7a,下加熱部7bを作動して包囲炉6内を昇温させる。
すると、ルツボ4内の固体シリコン3aが昇温し、溶融してシリコン融液3’が生成されて固体シリコン3aに比べて体積が縮小するとともに、上加熱部7aによって昇温した増量板9上の固体シリコン3bが傾斜面9aにそって落下し、ルツボ4内に収容される。同時に、溶融温度に達した時点でルツボ4内の固体シリコン3bが溶融することにより、シリコン融液3が生成される。シリコンの溶解温度は1480℃である。このシリコン融液3,3’の生成は同時におこなわれる。
【0022】
そして、シリコン融液3が生成されると、上加熱部7aを作動状態のままとして下加熱部7bの作動を停止し、シャッターを開くと、包囲炉6内の熱が下開口から吸熱板13に吸熱される。これにより、包囲炉6内はシリコンの溶融温度から1000℃程度まで降下する。そうして包囲炉6内の下部が1000℃以下に降下すると、ルツボ4内のシリコン融液3が凝固し始める。このシリコン融液3が凝固し始めて、上加熱部7aの作動も停止することにより、ルツボ4内のシリコン融液3が下部から上部にかけて徐々に凝固する。
このように、ルツボ4の底部から上部方向へ正の温度勾配を付与するとともに、シリコン融液3を冷却することにより、シリコンが凝固して結晶化されることとなる。
【0023】
本実施形態では、ルツボ4内に収容した固体シリコン3aのみが溶融することにより生成するシリコン融液3’に対して、増量板9上の固体シリコン3bをも溶融してより液面の上昇したシリコン融液3を生成することができる。例えば、増量板9,9のない場合に100kgのシリコン融液3’を生成可能な結晶シリコン製造装置の場合、増量板9,9を設けることにより、150kgのシリコン融液3を生成することが可能となった。これにより、シリコン製造装置1全体の大型化を要求するルツボ4の大型化をおこなうことなく生成する多結晶シリコンインゴットを大型化することができる。
この際、前記増量板9がルツボ4の上側に設けられることにより、前記ルツボ4内部の固体シリコン3aに比べて、増量板9上の固体シリコン3bからルツボ4の上側に設けられる上加熱部7aまでの距離が短くなり、前記ルツボ4内部の固体シリコン3aよりも増量板9上の固体シリコン3bを速やかに加熱することが可能となる。このため、加熱時間を短縮することができる。
【0024】
このとき、前記増量板9の傾斜面9aの上端部に、落下防止板9bが設けられることにより、ルツボ4の外側に固体シリコン3bが落下することを防止できる。同時に、この落下防止板9bにより、増量板9に載置できるシリコン原料をさらに増加することが可能となる。なお、落下防止板9bは、傾斜面9aがなだらかに立ち上がるように増量板9本体と一体とされる構造等、ルツボ4以外に固体シリコン3bが落下することを防止するものであれば他の構造も可能である。
【0025】
また、ルツボ4を挟んでその両側に一対の増量板9,9が設けられていることにより、ルツボ4の片側のみにしか増量板9が設けられていない場合に比べて、図1に示すように、一対の落下防止板9b,9bによって規定される高さまで固体シリコン3cを載置することが可能となり、より多くの固体シリコン3cをルツボ4に供給することができる。
【0026】
【発明の効果】
本発明の結晶シリコン製造装置によれば、以下の効果を奏する。
(1) 前記鋳型の上側に、加熱前にシリコン原料が載置されるとともに加熱に伴って載置されたシリコン原料が鋳型内に落下するよう鋳型内に向かう傾斜面を有する増量板が設けられることにより、鋳型内部のみならず、加熱前の前記鋳型だけでは収容できない量のシリコン原料増量板に載置して、これを加熱して溶湯として前記鋳型に収容することができるため、生成する溶湯を増量することが可能となる。この結果、鋳型を大型化することなく多結晶シリコンインゴットを大型化することができる。
(2) 前記増量板の傾斜面において、鋳型から離間する方向の端部側にはこの傾斜面よりも上側に突出する落下防止板が設けられることにより、前記鋳型以外に載置されたシリコン原料が落下することを防止できる。同時に、この落下防止板により、増量板に載置できるシリコン原料をさらに増加することが可能となる。
(3) 前記増量板が前記鋳型を挟んで対向するよう一対設けられてなることにより、鋳型の片側のみに増量板が設けられた場合よりも多量のシリコン原料を供給することが可能となる。これによりさらに鋳型に収容する溶湯を増量することが可能となり、鋳型を大型化することなく多結晶シリコンインゴットをより一層大型化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係る結晶シリコン製造装置の一実施形態を示す正断面図である。
【図2】 図1の結晶シリコン製造装置の増量板付近を示す拡大断面図である。
【図3】 従来の結晶シリコン製造装置を示す模式図である。
【符号の説明】
1…結晶シリコン製造装置
2…チャンバ
3…シリコン融液(溶湯)
3a,3b…固体シリコン(シリコン原料)
4…ルツボ(鋳型)
5…収容体
5a…側壁部
6…包囲炉
8…チルプレート
9…増量板
9a…傾斜面
9b…落下防止板[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a crystalline silicon manufacturing apparatus that cools and gradually solidifies a silicon melt in one direction.
[0002]
[Prior art]
Polycrystalline silicon solar cells are the most commonly produced solar cells today. The most important performance of a power generation element (solar cell) of a polycrystalline silicon solar cell is energy conversion efficiency. This energy conversion efficiency greatly depends on the crystal grain boundaries of the substrate and the crystal orientation in the crystal grains. These are for reducing the energy conversion efficiency due to the shortening of the life of the carrier in the solar cell and the decrease of the mobility. Therefore, in order to improve the energy conversion efficiency, in the manufacture of polycrystalline silicon, the crystal grain boundary is reduced as much as possible, in other words, the crystal grain size is grown as large as possible, and It is important to improve the orientation.
[0003]
A typical method for producing polycrystalline silicon is a unidirectional solidification method. In this method, for example, in an argon gas atmosphere, as shown in FIG. 3, the silicon raw material S is accommodated in a
[0004]
At this time, in order to generate an ingot having good unidirectional solidification, it is ideal that all the heat removal from the
Here, when the silicon raw material S is accommodated in the
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the conventional crystalline
Further, even when the silicon raw material S is supplied to the
[0006]
The present invention has been made in view of the above circumstances, and intends to achieve the following object.
(1) To increase the amount of silicon material to be supplied at one time without increasing the size of the mold.
(2) To increase the number of polycrystalline silicon ingots that can be manufactured at one time.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In the crystalline silicon manufacturing apparatus of the present invention, a mold for containing a molten metal obtained by melting a silicon raw material in a chamber, a chill plate on which the mold is placed, and an endothermic plate provided below the chill plate, An upper heating part and a lower heating part that are disposed above and below the mold and that heat the silicon raw material to generate the molten metal, and are provided above the mold to increase the amount of the molten metal before heating. And an increase plate having an inclined surface toward the inside of the mold so that the silicon material placed with heating falls into the mold, and the increase plate has a side wall of the mold. Is provided on a heat insulating material disposed around the part, and after the upper heating part and the lower heating part are operated to generate the molten metal, the upper heating part is operated and the lower heating part is operated. Operation Absorbs heat by seals to the heat absorbing plate, the coagulation of the molten metal in the mold is initiated, by stopping the operation of the subsequent over heating unit, thereby gradually solidified toward the top of the molten metal in said mold from the bottom The above problem was solved.
In the present invention, it is desirable that the increase plate is provided with a fall prevention plate for preventing the silicon raw material from dropping in addition to the mold.
In the present invention, it is also possible to adopt a means in which a pair of the increasing plates are provided so as to face each other with the mold interposed therebetween.
[0008]
In the crystalline silicon manufacturing apparatus of the present invention, on the upper side of the mold, a silicon raw material is placed before heating, and an inclined surface which faces the mold so that the silicon raw material placed with heating falls into the mold Is provided on the silicon raw material increase plate in an amount that cannot be accommodated only by the mold before heating, and is heated to be accommodated in the mold as a molten metal. Therefore, the amount of molten metal can be increased. As a result, the polycrystalline silicon ingot can be enlarged without increasing the size of the mold.
At this time, by providing the increasing plate on the upper side of the mold, the silicon raw material on the increasing plate can be shortened to the heating means provided on the upper side of the mold as compared with the silicon raw material inside the mold. It is possible to heat the silicon material on the expansion plate more rapidly than the melting of the silicon material inside the mold. Here, the increase plate is not limited to a plate shape as long as it has the inclined surface.
[0009]
In the present invention, on the inclined surface of the increasing plate, a silicon plate placed other than the mold is provided on the end side in the direction away from the mold by providing a fall prevention plate protruding above the inclined surface. The raw material can be prevented from falling. At the same time, it is possible to further increase the amount of silicon raw material that can be placed on the weight increase plate by the fall prevention plate. Here, the fall prevention plate should just protrude above the said inclined surface, and is not limited to plate shape.
[0010]
In the present invention, by providing a pair of the increasing plates so as to face each other with the mold interposed therebetween, it becomes possible to supply a larger amount of silicon raw material than when the increasing plate is provided only on one side of the mold. . Thereby, it is possible to further increase the amount of molten metal accommodated in the mold, and it is possible to further increase the size of the polycrystalline silicon ingot without increasing the size of the mold.
[0011]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, an embodiment of a crystalline silicon manufacturing apparatus according to the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a front sectional view showing an embodiment of a crystalline silicon manufacturing apparatus according to the present embodiment. FIG. 2 is an enlarged view showing the vicinity of the weight increasing plate of FIG. 1. In FIG. is there.
[0012]
As shown in FIG. 1, the crystalline
[0013]
A
[0014]
The surrounding
An inflow nozzle is piped through the top plate portion of the surrounding
[0015]
The upper heating unit 7 a is composed of a plurality of heaters arranged along the length direction of the crucible 4. Further, the
On the chill plate 8, the container 5 is placed in close contact with the chill plate 8. The container 5 made of carbon has a bowl shape having a
[0016]
A
[0017]
Further, the
A cooling
[0018]
As shown in FIGS. 1 and 2, a pair of increasing plates 9 and 9 are provided on the upper side of the
[0019]
In the pair of increasing plates 9, 9, the distance between the tip portions on the crucible 4 side of the opposed
These increasing plates 9 and 9 are provided on the
[0020]
Furthermore, an upper opening is provided in the upper part of the side plate portion of the surrounding
[0021]
When crystal silicon is manufactured using the crystal
Next, the shutter and the upper opening / closing door are closed, and argon gas flows into the surrounding
Then, the temperature of the solid silicon 3a in the crucible 4 is raised and melted to produce a silicon melt 3 ', the volume of the solid silicon 3a is reduced compared to that of the solid silicon 3a, and the increase plate 9 heated by the upper heating unit 7a is heated. The
[0022]
When the
As described above, by applying a positive temperature gradient from the bottom of the crucible 4 to the upper side and cooling the
[0023]
In this embodiment, the
At this time, by providing the increasing plate 9 on the upper side of the crucible 4, the upper heating part 7 a provided on the upper side of the crucible 4 from the
[0024]
At this time, the
[0025]
Further, since the pair of increasing plates 9 are provided on both sides of the crucible 4 as shown in FIG. 1, as compared with the case where the increasing plate 9 is provided only on one side of the crucible 4 as shown in FIG. In addition, the solid silicon 3c can be placed up to a height defined by the pair of
[0026]
【The invention's effect】
The crystalline silicon manufacturing apparatus of the present invention has the following effects.
(1) On the upper side of the mold, there is provided an increasing plate having an inclined surface directed into the mold so that the silicon material is placed before heating and the silicon material placed with heating falls into the mold. Therefore, not only the inside of the mold but also the silicon raw material increasing plate in an amount that cannot be accommodated only by the mold before heating, and this can be heated and accommodated in the mold as a molten metal. Can be increased. As a result, the polycrystalline silicon ingot can be enlarged without increasing the size of the mold.
(2) A silicon raw material placed other than the mold is provided on the inclined surface of the increasing plate by providing a fall prevention plate protruding above the inclined surface on the end side in the direction away from the mold. Can be prevented from falling. At the same time, this drop prevention plate can further increase the silicon raw material that can be placed on the weight increase plate.
(3) By providing a pair of the increase plates so as to face each other with the mold interposed therebetween, it becomes possible to supply a larger amount of silicon raw material than when the increase plate is provided only on one side of the mold. Thereby, it is possible to further increase the amount of molten metal accommodated in the mold, and it is possible to further increase the size of the polycrystalline silicon ingot without increasing the size of the mold.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a front sectional view showing an embodiment of an apparatus for producing crystalline silicon according to the present invention.
2 is an enlarged cross-sectional view showing the vicinity of an increase plate in the crystalline silicon manufacturing apparatus of FIG. 1. FIG.
FIG. 3 is a schematic view showing a conventional crystalline silicon manufacturing apparatus.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
3a, 3b ... Solid silicon (silicon raw material)
4 ... Crucible (mold)
5 ...
Claims (3)
前記上加熱部および前記下加熱部を作動させて前記溶湯を生成した後に、上加熱部を作動させたまま下加熱部の作動を停止して前記吸熱板によって吸熱し、前記鋳型内の前記溶湯の凝固を開始させ、その後上加熱部の作動を停止することにより、前記鋳型内の前記溶湯を下部から上部にかけて徐々に凝固させることを特徴とする結晶シリコン製造装置。 In the chamber, a mold for containing a molten material obtained by melting silicon raw material, a chill plate on which the mold is placed, a heat absorption plate provided at a lower position of the chill plate, and an upper position and a lower position of the mold. An upper heating unit and a lower heating unit that are arranged to heat the silicon raw material to generate the molten metal, and are provided on the upper side of the mold to increase the amount of the molten metal. with in the and a bulking plate placed silicon raw material has an inclined surface toward the inside mold to fall into the mold, the bulking plate, heat insulating material arranged around the side wall of the mold It is provided on the
After the upper heating unit and the lower heating unit are operated to generate the molten metal, the operation of the lower heating unit is stopped while the upper heating unit is operated to absorb heat by the heat absorbing plate, and the molten metal in the mold An apparatus for producing crystalline silicon , characterized in that solidification of the molten metal in the mold is gradually solidified from the lower part to the upper part by starting solidification of the upper part and then stopping the operation of the upper heating unit .
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