JP4268655B1 - Power-on reset circuit and combination IC card - Google Patents

Power-on reset circuit and combination IC card Download PDF

Info

Publication number
JP4268655B1
JP4268655B1 JP2007299355A JP2007299355A JP4268655B1 JP 4268655 B1 JP4268655 B1 JP 4268655B1 JP 2007299355 A JP2007299355 A JP 2007299355A JP 2007299355 A JP2007299355 A JP 2007299355A JP 4268655 B1 JP4268655 B1 JP 4268655B1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
power supply
voltage
level
circuit
reset
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2007299355A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2009123168A (en
Inventor
晴彦 重政
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2007299355A priority Critical patent/JP4268655B1/en
Priority to PCT/JP2008/070442 priority patent/WO2009066575A1/en
Priority to TW097144286A priority patent/TWI382303B/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4268655B1 publication Critical patent/JP4268655B1/en
Publication of JP2009123168A publication Critical patent/JP2009123168A/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06KGRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/24Resetting means
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06KGRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/0701Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips at least one of the integrated circuit chips comprising an arrangement for power management

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

【課題】 複数の電源電圧仕様で動作可能な接触インタフェースと、非接触インタフェースを備えたコンビ型ICカードにおいて、様々な電力供給形態に対して、何れの場合であっても確実で信頼性の高いリセット信号を出力するパワーオンリセット回路を提供する。
【解決手段】 非接触インタフェースまたは接触インタフェースが外部の電源供給源から取得した電源電圧VCCの立ち上がり時にコンビ型ICカードのリセット状態を制御する内部リセット信号PRSTBを出力するとともに、電源電圧が所定の閾値を超えて上昇したことを検出すると内部リセット信号PRSTBを解除するパワーオンリセット回路であって、接触型モードで動作する場合において外部装置から直接供給される外部リセット信号の入力端子RSTBの信号レベルが活性化レベルと非活性化レベルでは、活性化レベル時の方が、非活性化レベル時より所定の閾値が低電圧に設定される構成とする。
【選択図】 図1
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide reliable and highly reliable in any case for various power supply modes in a combination type IC card having a contact interface operable with a plurality of power supply voltage specifications and a non-contact interface. A power-on reset circuit for outputting a reset signal is provided.
An internal reset signal PRSTB for controlling a reset state of a combination IC card is output at the time of rising of a power supply voltage VCC acquired from an external power supply source by a non-contact interface or a contact interface, and the power supply voltage is a predetermined threshold value. Is a power-on reset circuit that cancels the internal reset signal PRSTB when it is detected that the signal level rises above the threshold level, and the signal level of the input terminal RSTB of the external reset signal directly supplied from the external device when operating in the contact type mode is In the activation level and the deactivation level, the predetermined threshold is set to a lower voltage at the activation level than at the deactivation level.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、例えば電磁波等を介して非接触で外部の電力供給源から電力を取得し、当該電源電圧を所定の電圧に変換して非接触通信動作を行う非接触型ICカードのインタフェースと、電源端子等を介して外部の電力供給源から電力を直接取得し、当該電源電圧を所定の電圧に変換して接触通信動作を行う接触型ICカードのインタフェースを併せ持った非接触・接触共用型のコンビ型ICカード等に用いられるパワーオンリセット回路に関する。   The present invention obtains power from an external power supply source in a non-contact manner, for example via electromagnetic waves, and converts the power supply voltage into a predetermined voltage to perform a non-contact communication operation; and Non-contact / contact-shared type that has a contact IC card interface that performs contact communication operation by directly acquiring power from an external power supply source via a power supply terminal, etc., and converting the power supply voltage into a predetermined voltage. The present invention relates to a power-on reset circuit used for a combination type IC card or the like.

近年、カードに半導体集積回路装置を搭載したICカードが普及しつつある。ICカードは、外部のリーダライタ装置と、ICカード内に搭載された半導体集積回路装置との間で情報交換を行うことが可能となっている。これにより、半導体集積回路装置が内蔵している不揮発性メモリへ必要な情報を格納したり、逆に不揮発性メモリから情報を読み出したりというような処理が可能となっている。斯かるICカードによれば、従来の磁気カードによって行われている様々な機能を実現することが可能である。   In recent years, an IC card in which a semiconductor integrated circuit device is mounted on the card is becoming widespread. The IC card can exchange information between an external reader / writer device and a semiconductor integrated circuit device mounted in the IC card. As a result, it is possible to store necessary information in the nonvolatile memory built in the semiconductor integrated circuit device, or to read information from the nonvolatile memory. Such an IC card can realize various functions performed by a conventional magnetic card.

このICカードは、近年の半導体集積回路技術の進歩によって、より容量の大きい不揮発性メモリを内蔵するようになってきている。よって、複数のアプリケーションを1枚のICカードに収納した多目的ICカードも普及しつつある。斯かるICカードでは、アプリケーション毎に使用状況も多彩なものとなっており、例えば1枚のカードで入退室や出退勤管理、鉄道やバス等の乗車券、パーソナルコンピュータのセキュリティやATM(現金自動預け払い機)等への対応が可能となるように、非接触型ICカードのインタフェースと接触型ICカードのインタフェースを併せ持ったコンビ型(非接触・接触共用型)ICカードが開発されている。   This IC card has come to incorporate a non-volatile memory having a larger capacity due to recent advances in semiconductor integrated circuit technology. Therefore, multipurpose IC cards in which a plurality of applications are stored in one IC card are also becoming popular. Such IC cards have a variety of usage conditions for each application. For example, one card can be used for entrance / exit management, attendance / exit management, train and bus tickets, personal computer security and ATM (automatic cash deposit). A combination type (non-contact / contact common type) IC card having both a non-contact type IC card interface and a contact type IC card interface has been developed so as to be compatible with a payment machine).

コンビ型ICカードにおいて、接触型インタフェースを持つことの特徴の一つは、外部の電力供給源から電源端子等を介して直流電圧が直接供給されるため、非接触インタフェースに比べて電力伝導効率が良く、外部通信装置の消費電力を比較的低く抑えることができることである。例えば、小型携帯機器等のように比較的低電力で動作する機器と通信を行う場合では、接触インタフェースを使用することにより、バッテリーの消費を抑える等の効果がある。   One of the characteristics of the combination type IC card is that it has a contact type interface. Since a direct current voltage is directly supplied from an external power supply source through a power supply terminal or the like, the power conduction efficiency is higher than that of a non-contact interface. It is good that the power consumption of the external communication device can be kept relatively low. For example, when communication is performed with a device that operates with relatively low power, such as a small portable device, the use of a contact interface has an effect of suppressing battery consumption.

一方、非接触型インタフェースを持つことの特徴の一つは、接触型インタフェースを使用した場合に比べて、操作が容易で且つ迅速に情報交換処理を行うことが可能なシステムを構成することができることである。例えば、鉄道やバス等の乗車券として非接触型ICカードを用いる場合、改札ゲートに非接触型ICカードをかざしたり(かざし処理)、瞬間的に接触させたり(タッチ&ゴー処理)するのみで改札処理を行うことが可能となる。   On the other hand, one of the features of having a non-contact type interface is that it is possible to configure a system that can be operated easily and perform information exchange processing more quickly than when a contact type interface is used. It is. For example, when using a non-contact type IC card as a ticket for railways, buses, etc., simply hold the non-contact type IC card over the ticket gate (holding process) or touch it momentarily (touch and go process). Ticket gate processing can be performed.

このように、コンビ型ICカードにおいては、ICカードとリーダライタ装置との間での情報交換の形態としては、様々な方法が考えられる。例を挙げると、(1)非接触型リーダライタ装置から数cm程度以内で離れた空間にICカードをかざす方法(かざし処理)、(2)非接触型リーダライタ装置に設置されたカードホルダにICカードを挿入する方法(落とし込み処理)、(3)非接触型リーダライタ装置にカードをセットした後、電源スイッチを投入することによって電力を供給する方法、(4)接触型リーダライタ装置にカードをセットした後、電源スイッチを投入することによって、電源電圧を直接供給する方法等が考えられる。   As described above, in the combination type IC card, various methods can be considered as a form of information exchange between the IC card and the reader / writer device. For example, (1) a method of holding an IC card in a space separated from the non-contact type reader / writer device within a few centimeters (holding process), and (2) a card holder installed in the non-contact type reader / writer device. A method of inserting an IC card (dropping processing), (3) a method of supplying power by turning on a power switch after setting the card in a non-contact type reader / writer device, and (4) a card in the contact type reader / writer device. A method of directly supplying the power supply voltage by turning on the power switch after setting is considered.

これらの方法は、夫々ICカードをリーダライタ装置に挿入または接近させる方法が相互に異なる。よって、リーダライタ装置からICカードに電力を供給する際にも、ICカード内での電源電圧の発生条件も異なることになる。   These methods are different from each other in the method of inserting or approaching the IC card into the reader / writer device. Therefore, when power is supplied from the reader / writer device to the IC card, the conditions for generating the power supply voltage in the IC card are also different.

また、接触型インタフェースを使用した場合は、電源端子等を介して電源電圧が直接供給されるため、電源電圧の電流容量は外部リーダライタ装置によって比較的大きく設定することが可能であるのに対し、非接触型インタフェースを使用した場合は、電磁誘導による給電であり電流容量は限られたものとなるため、電源電圧の安定性も様々である。従って、コンビ型ICカードにおいては、前記様々な電力供給形態に対して、何れの場合であっても確実で信頼性の高いパワーオンリセット動作が要求されている。   In addition, when the contact type interface is used, the power supply voltage is directly supplied via the power supply terminal or the like, so that the current capacity of the power supply voltage can be set relatively large by the external reader / writer device. When a non-contact type interface is used, power supply is performed by electromagnetic induction, and the current capacity is limited. Therefore, the stability of the power supply voltage is various. Therefore, in a combination type IC card, a reliable and highly reliable power-on reset operation is required for any of the various power supply modes.

以下、従来のコンビ型ICカードにおいて、どのようなパワーオンリセット回路が使用されているかについて例示する。例えば、下記の特許文献1には、コンビ型ICカードにおけるパワーオンリセットを行う回路構成が開示されている。   Hereinafter, an example of what power-on reset circuit is used in a conventional combination IC card will be described. For example, Patent Document 1 below discloses a circuit configuration for performing a power-on reset in a combination IC card.

特許文献1に開示されている従来技術では、図5に示すように、ロジック部に供給される電圧VCC2Vの立ち上がりを検出して第1リセット信号RST1を生成する第1リセット回路41と、上記外部の電力供給源から取得した電源電圧を整流する整流回路の出力電圧REGINの立ち上がりを検出して第2リセット信号RST2を生成する第2リセット回路42を備えており、夫々のリセット回路のうち、リセット解除のタイミングが遅い方のリセット信号を出力することにより、非接触動作において様々な電源の立ち上がりタイミングに対応して安定したパワーオンリセット信号PRSTを出力できるようにしている。また、接触型のインタフェースより入力される外部リセット信号RSTBにも基づいてリセット信号を出力することが可能となっている。これにより、非接触型及び接触型の何れの方式で電力が供給されても、システムのリセット状態を的確に制御することが可能なパワーオンリセット回路を提供することができるというものである。   In the prior art disclosed in Patent Document 1, as shown in FIG. 5, the first reset circuit 41 that detects the rising of the voltage VCC2V supplied to the logic unit and generates the first reset signal RST1, and the external And a second reset circuit 42 that generates a second reset signal RST2 by detecting the rise of the output voltage REGIN of the rectifier circuit that rectifies the power supply voltage obtained from the power supply source of the power supply source. By outputting the reset signal with the later release timing, it is possible to output a stable power-on reset signal PRST corresponding to the rising timing of various power sources in the non-contact operation. Further, it is possible to output a reset signal based on an external reset signal RSTB input from a contact type interface. As a result, it is possible to provide a power-on reset circuit capable of accurately controlling the reset state of the system regardless of whether power is supplied by a non-contact type or a contact type.

ここで、接触型ICカードにおけるリセットの方法について説明する。接触型ICカードの場合、2種類のリセットの方法がISO/IEC7816−3に規定されている。その内の一つにコールドリセットという規格がある。コールドリセットとは、外部リセット信号の入力端子であるRSTB端子(端子名の最後の文字Bは、信号レベルが低レベル時にその信号が活性化されることを意味している)の電圧レベルを所定の期間低レベル(活性化レベル)に固定した状態で電源電圧を立ち上げることによってICカード全体をリセット状態に遷移させるものである。他の一つは、ウォームリセットという規格で、電源電圧が立ち上がった状態でRSTB端子を低レベル(活性化レベル)にすることによって、ICカードの一部だけをリセット状態に遷移させるものである。接触型ICカードでは、上述の2種類のリセットを具備することは必須となっている。一般に、接触型ICカードをISO準拠の接触型リーダライタ装置に接続した場合は、最初に必ず、前記コールドリセットが実行されることになる。   Here, a resetting method in the contact IC card will be described. In the case of a contact-type IC card, two types of reset methods are defined in ISO / IEC7816-3. One of them is a standard called cold reset. The cold reset is a predetermined voltage level of an RSTB terminal (the last letter B of the terminal name means that the signal is activated when the signal level is low) which is an input terminal for an external reset signal. The whole IC card is shifted to the reset state by raising the power supply voltage in a state where it is fixed at a low level (activation level) during this period. The other is a standard called warm reset, in which only a part of the IC card is shifted to the reset state by setting the RSTB terminal to a low level (activation level) while the power supply voltage is raised. In the contact IC card, it is essential to have the above-mentioned two types of reset. Generally, when a contact type IC card is connected to an ISO compliant contact type reader / writer device, the cold reset is always executed first.

特開2003−44176号公報JP 2003-44176 A

コンビ型ICカードの場合、その利用形態は様々であり、各使用状況によって非接触型リーダライタ装置や接触型リーダライタ装置から供給される電圧の立ち上がり波形が異なる。近年では、接触型インタフェースで用いる電源電圧も多様化し、CLASS−A(VCC=5V±10%),CLASS−B(VCC=3V±10%)の他に、CLASS−C(VCC=1.8V±10%)という仕様がISO/IEC7816−3で規定されている。従って、非接触インタフェースにおける様々な電源の立ち上がりと、接触インタフェースにおける様々な電源電圧全てにおいて、安定した確実なパワーオンリセット回路が求められている。   In the case of a combination type IC card, its usage forms are various, and the rising waveform of the voltage supplied from the non-contact type reader / writer device or the contact type reader / writer device differs depending on each use situation. In recent years, the power supply voltage used in the contact type interface has also been diversified. In addition to CLASS-A (VCC = 5V ± 10%) and CLASS-B (VCC = 3V ± 10%), CLASS-C (VCC = 1.8V) The specification of ± 10%) is defined in ISO / IEC7816-3. Therefore, there is a need for a stable and reliable power-on reset circuit at the rise of various power sources at the non-contact interface and at all the various power supply voltages at the contact interface.

ここで、上記のような使用状況において、非接触型リーダライタ装置及び接触型リーダライタ装置から給電される電力における電圧と電流の関係、及び、夫々に対して適切なパワーオンリセット電圧について説明する。   Here, the relationship between the voltage and current in the electric power supplied from the non-contact type reader / writer device and the contact type reader / writer device and the power-on reset voltage appropriate for each in the above-described use situation will be described. .

通常、非接触型リーダライタは、アンテナコイルを介して数百kHz〜数十MHz程度のキャリア周波数を用いた一定量の電磁界を放射し、ICカードに対して電力を供給している。ICカードは、リーダライタのアンテナとの距離やアンテナの結合度等によって受電する電力が変動する。例えば、消費電力9mWの非接触型ICカードを非接触型リーダライタ装置に徐々に近づけていった場合、ICカードの受電電力が9mW以上になる位置まで近づけるとICカードが動作する。この場合、ICカード内で電力損失が無く9mWの電力が全て供給されていると仮定すると、ICカード内部の電源電圧が5Vの場合は1.8mA、1.8Vの場合は5mAまで電流を消費することができる。言い換えれば、ICカードが1.8mA消費している場合は、ICカード内部の電源電圧は5Vであるが、5mA消費している場合は1.8Vまで電源電圧が降下することになる。   Usually, a non-contact type reader / writer emits a certain amount of electromagnetic field using a carrier frequency of about several hundred kHz to several tens of MHz via an antenna coil, and supplies power to the IC card. The power received by the IC card varies depending on the distance of the reader / writer from the antenna, the degree of antenna coupling, and the like. For example, when a non-contact type IC card with a power consumption of 9 mW is gradually brought closer to the non-contact type reader / writer device, the IC card operates when it is brought close to a position where the received power of the IC card is 9 mW or more. In this case, assuming that there is no power loss in the IC card and all the power of 9mW is supplied, the current consumption is 1.8mA when the power supply voltage inside the IC card is 5V, and up to 5mA when it is 1.8V. can do. In other words, when the IC card consumes 1.8 mA, the power supply voltage inside the IC card is 5V, but when it consumes 5 mA, the power supply voltage drops to 1.8V.

ICカードに内蔵されているCPUやメモリ回路は、通常、常に一定の消費電流で動作している訳ではない。動作シーケンスや処理内容等によって消費電流は変動する。このため、ICカードが一定の電力を受電して動作している場合、上述のように、消費電流の変動は電源電圧の変動となり、延いては電磁ノイズの原因となる。電磁ノイズが発生すると、リーダライタ装置と通信を行う際にSN比が低下する等、通信品質低下の要因となる。この対策として、シャントレギュレータ等のような電源クランプ回路を使用することが一般的であるが、これらの回路には通常高耐圧のトランジスタが使用され、2V以下では安定した動作が困難となる場合がある。   A CPU and a memory circuit built in an IC card usually do not always operate with a constant current consumption. The current consumption varies depending on the operation sequence and processing contents. For this reason, when the IC card is operating while receiving a certain amount of power, as described above, fluctuations in the current consumption cause fluctuations in the power supply voltage, which in turn causes electromagnetic noise. When electromagnetic noise occurs, it causes a reduction in communication quality, such as a reduction in the SN ratio when communicating with the reader / writer device. As a countermeasure against this, it is common to use a power clamp circuit such as a shunt regulator. However, these circuits usually use high voltage transistors, and stable operation may be difficult at 2 V or less. is there.

また、ISO/IEC14443で規定されている通信方式の一つに10%の振幅変調方式(Type−B)がある。この通信方式では受電電圧と通信信号の振幅は比例関係にあるため、受電電圧が低くなると通信信号の振幅も小さくなる特性を持っている。従って、ICカードが通信信号を受信する際においても、通信信号の振幅が低くなるとSN比が下がり、受信が困難となるため、通信品質を確保するためには電源電圧は2V以上に設定しておく必要がある。   One of the communication systems defined in ISO / IEC14443 is a 10% amplitude modulation system (Type-B). In this communication method, the received voltage and the amplitude of the communication signal are in a proportional relationship, and therefore the communication signal has a characteristic that the amplitude of the communication signal is reduced as the received voltage is lowered. Therefore, even when the IC card receives a communication signal, if the amplitude of the communication signal decreases, the SN ratio decreases and reception becomes difficult. Therefore, in order to ensure communication quality, the power supply voltage should be set to 2 V or higher. It is necessary to keep.

以上のことより、非接触モードで使用する場合、パワーオンリセットの設定電圧は2V以上に設定する必要がある。   From the above, when used in the non-contact mode, it is necessary to set the power-on reset setting voltage to 2 V or higher.

一方、ICカードを接触型リーダライタ装置に接続した場合、電源端子等を介して電源電圧がICカードに直接印加されるため、ICカードはリーダライタ装置の許容電流値(通常数十mA)までは消費できることになる。この場合、ICカードの消費電流が変動しても、リーダライタ装置の許容電流値の範囲であれば電源電圧は一定となる。このような使用形態では、パワーオンリセット電圧は、仕様に合わせて下限電圧以下に設定する必要がある。例えば、CLASS−Aを実装する場合は、パワーオンリセットの設定電圧は4.5V以下に設定する必要があり、また、CLASS−Bを実装する場合は、パワーオンリセットの設定電圧は2.7V以下に設定する必要があり、さらに、CLASS−Cを実装する場合では、パワーオンリセットの設定電圧は1.62V以下に設定する必要がある。   On the other hand, when an IC card is connected to a contact-type reader / writer device, the power supply voltage is directly applied to the IC card via a power supply terminal or the like, so that the IC card has an allowable current value (usually several tens of mA) of the reader / writer device. Can be consumed. In this case, even if the consumption current of the IC card fluctuates, the power supply voltage is constant within the allowable current value range of the reader / writer device. In such a usage pattern, the power-on reset voltage needs to be set to a lower limit voltage or less according to the specification. For example, when CLASS-A is mounted, the power-on reset setting voltage needs to be set to 4.5 V or less. When CLASS-B is mounted, the power-on reset setting voltage is 2.7 V. It is necessary to set the following, and when CLASS-C is mounted, it is necessary to set the power-on reset setting voltage to 1.62 V or less.

従って、非接触インタフェースを使用する場合と、接触インタフェースを使用する場合では、適切なリセット電圧が違うため、従来のパワーオンリセット回路のように、接触/非接触モードにおいてパワーオンリセットの設定電圧を共通にすると、非接触時の設定電圧に律束されてリセット設定電圧は2V以上にしか設定できないことになる。つまり、CLASS−A,CLASS−B、及び非接触インタフェースを備えたコンビカードは実現できるが、CLASS−A,CLASS−B,CLASS−C、及び非接触インタフェース全てを備えることができないという課題があった。   Therefore, since the appropriate reset voltage is different between the non-contact interface and the contact interface, the power-on reset setting voltage in the contact / non-contact mode is different from the conventional power-on reset circuit. If it is common, the reset setting voltage can be set only to 2 V or more, being constrained by the setting voltage at the time of non-contact. That is, although a combination card having CLASS-A, CLASS-B, and a contactless interface can be realized, there is a problem that CLASS-A, CLASS-B, CLASS-C, and a contactless interface cannot be provided. It was.

本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、全ての電源電圧(CLASS−A,CLASS−B,CLASS−C)で動作可能な接触インタフェースと、非接触インタフェースを備えたICカードにおいて、様々な電力供給形態に対して、何れの場合であっても確実で信頼性の高いリセット信号を出力するパワーオンリセット回路、及び、当該パワーオンリセット回路を備えたICカードを提供する点にある。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to include a contact interface operable at all power supply voltages (CLASS-A, CLASS-B, CLASS-C) and a non-contact interface. A power-on reset circuit that outputs a reliable and reliable reset signal in any case for various power supply forms, and an IC card equipped with the power-on reset circuit. The point is to provide.

上記目的を達成するための本発明に係るパワーオンリセット回路は、コンビ型ICカードの非接触インタフェースまたは接触インタフェースが外部の電源供給源から取得した電源電圧の立ち上がり時に前記コンビ型ICカードのリセット状態を制御する内部リセット信号を出力するとともに、前記電源電圧が所定の閾値を超えて上昇したことを検出すると前記内部リセット信号を解除するパワーオンリセット回路であって、前記コンビ型ICカードが接触型ICカードとして機能する場合において外部装置から直接供給される外部リセット信号の入力端子である外部リセット信号端子の信号レベルが活性化レベルと非活性化レベルでは、活性化レベル時の方が、非活性化レベル時より前記所定の閾値が低電圧に設定されることを第1の特徴とする。   In order to achieve the above object, a power-on reset circuit according to the present invention includes a non-contact interface of a combination type IC card or a reset state of the combination type IC card when a power supply voltage acquired from an external power supply source is acquired by the contact interface. Is a power-on reset circuit that outputs an internal reset signal that controls the power supply voltage and that releases the internal reset signal when it is detected that the power supply voltage has risen above a predetermined threshold value. In the case of functioning as an IC card, when the signal level of the external reset signal terminal, which is the input terminal of the external reset signal directly supplied from the external device, is the activation level and the deactivation level, the activation level is inactive. The first feature is that the predetermined threshold is set to a lower voltage than at the time of activation. That.

ここで、上記第1の特徴のパワーオンリセット回路で使用する外部リセット信号端子は、上述の接触型ICカードにおけるリセットの方法についての説明(背景技術の記載参照)で言及したRSTB端子に相当し、ISO/IEC7816−3に規定されているコールドリセット及びウォームリセットに使用可能である。尚、コンビ型ICカードが、非接触型ICカードとして、外部の電力供給源から電磁誘導によって非接触で電源電圧を取得する場合は、外部リセット信号端子(以下、適宜「RSTB端子」と称する)は、外部装置から外部リセット信号が入力されないオープン状態(不定状態)となるのを回避するため、電源電圧が励起していく過渡状態において、プルアップ状態(非活性化レベルの高レベル)となっている。但し、コンビ型ICカードを、ISO規格に準拠した接触型リーダライタ装置に接続した場合は、電源電圧立ち上げ時には、RSTB端子はリーダライタ装置によって必ず低レベル(活性化レベル)に固定され、前記コールドリセットが必ず実行される。 従って、RSTB端子が高レベルの場合は、非接触で給電されている状態か、或いは、ISO規格に準拠しない接触モードで給電されている状態であると判断でき、RSTB端子が低レベルの場合は、ISO規格に準拠した接触モードで給電されている状態であると判断することができる。   Here, the external reset signal terminal used in the power-on reset circuit of the first feature corresponds to the RSTB terminal mentioned in the description of the resetting method in the contact IC card (see the description of the background art). , ISO / IEC7816-3 can be used for cold reset and warm reset. When the combination type IC card is a non-contact type IC card and acquires a power supply voltage from an external power supply source by electromagnetic induction in a non-contact manner, an external reset signal terminal (hereinafter referred to as “RSTB terminal” as appropriate). In order to avoid an open state (indefinite state) in which an external reset signal is not input from an external device, a pull-up state (high level of inactivation level) is entered in a transient state in which the power supply voltage is excited. ing. However, when a combination IC card is connected to a contact reader / writer device conforming to the ISO standard, the RSTB terminal is always fixed to a low level (activation level) by the reader / writer device when the power supply voltage is raised. A cold reset is always executed. Therefore, when the RSTB terminal is at a high level, it can be determined that the power is supplied in a non-contact state or in a contact mode that does not comply with the ISO standard, and when the RSTB terminal is at a low level. It can be determined that the power is supplied in the contact mode in conformity with the ISO standard.

従って、上記第1の特徴のパワーオンリセット回路によれば、RSTB端子の信号レベルが低レベル(活性化レベル)と高レベル(非活性化レベル)では、低レベル時の方が、高レベル時より前記内部リセット信号を解除する電源電圧レベルの閾値が低電圧に設定されるため、RSTB端子の信号レベルが低レベル時には、前記閾値を1.62V以下にすることにより、ISO規格におけるCLASS−A,CLASS−B,CLASS−Cの全ての電源電圧でリセット動作を行い、当該リセット動作を確実に解除することができる。一方、RSTB端子の信号レベルが高レベル時では、非接触で給電されている状態か、或いは、ISO規格に準拠しない接触モードで給電されている状態であるので、少なくともISO規格に準拠したリセット手順でのリセット動作とはならないため、前記閾値を2V以上に設定することにより、非接触モードでのリセット動作を安定させることができる。   Therefore, according to the power-on reset circuit having the first feature, when the signal level of the RSTB terminal is low (activation level) and high (deactivation level), the low level is higher. Further, since the threshold of the power supply voltage level for canceling the internal reset signal is set to a low voltage, when the signal level of the RSTB terminal is low, the threshold is set to 1.62 V or less, so that CLASS-A in the ISO standard is set. , CLASS-B and CLASS-C can be reset with all the power supply voltages, and the reset operation can be reliably canceled. On the other hand, when the signal level of the RSTB terminal is high, it is in a non-contact power supply state or in a contact mode non-compliant with the ISO standard, so at least a reset procedure conforming to the ISO standard. Therefore, the reset operation in the non-contact mode can be stabilized by setting the threshold value to 2 V or higher.

つまり、上記第1の特徴のパワーオンリセット回路によれば、RSTB端子の信号レベルを監視して、低レベル時の方が、高レベル時より前記内部リセット信号を解除する電源電圧レベルの閾値が低電圧になるように切り替えることにより、様々な電力供給形態に対して、何れの電力供給形態であっても確実で信頼性の高いリセット信号を出力するパワーオンリセット回路が実現できる。   That is, according to the power-on reset circuit of the first feature, the signal level of the RSTB terminal is monitored, and the threshold value of the power supply voltage level for canceling the internal reset signal is lower at the low level than at the high level. By switching to a low voltage, it is possible to realize a power-on reset circuit that outputs a reliable and highly reliable reset signal in any power supply form, regardless of the power supply form.

本発明に係るパワーオンリセット回路は、上記第1の特徴に加えて、更に、前記電源電圧を分圧抵抗により分圧して低電圧化した第2電源電圧を生成する抵抗分圧回路と、前記コンビ型ICカード内で前記電源電圧を所定の電圧に変換するレギュレータ回路で用いられる一定電圧の基準電圧と、前記第2電源電圧を比較する比較回路を備え、前記分圧抵抗による分圧比が、前記外部リセット信号端子の信号レベルによって切り替え可能に構成されていることを第2の特徴とする。   In addition to the first feature, the power-on reset circuit according to the present invention further includes a resistance voltage dividing circuit that generates a second power supply voltage by dividing the power supply voltage by a voltage dividing resistor to reduce the voltage, A comparison circuit that compares a reference voltage of a constant voltage used in a regulator circuit that converts the power supply voltage into a predetermined voltage in a combination IC card and the second power supply voltage, and a voltage dividing ratio by the voltage dividing resistor is A second feature is that the external reset signal terminal can be switched according to the signal level.

上記第2の特徴のパワーオンリセット回路によれば、外部リセット信号端子の信号レベルによって分圧抵抗による分圧比を切り替え、その結果として第2電源電圧の電圧レベルを切り替えることで、内部リセット信号を解除する電源電圧レベルの閾値の設定を実質的に切り替えることが可能となり、上記第1の特徴のパワーオンリセット回路を、コンビ型ICカード内のレギュレータ回路で用いられる一定電圧の基準電圧を利用して具体的に実現できるようになる。   According to the power-on reset circuit of the second feature, the internal reset signal is switched by switching the voltage dividing ratio by the voltage dividing resistor according to the signal level of the external reset signal terminal and, as a result, switching the voltage level of the second power supply voltage. It is possible to substantially switch the setting of the threshold value of the power supply voltage level to be released, and the power-on reset circuit having the first feature is used by using a constant voltage reference voltage used in the regulator circuit in the combination type IC card. Can be realized concretely.

本発明に係るパワーオンリセット回路は、上記第1の特徴に加えて、更に、前記外部リセット信号端子の信号レベルが非活性化レベルの場合、前記内部リセット信号が解除されると、前記所定の閾値の設定値が低下することを第3の特徴とする。   In the power-on reset circuit according to the present invention, in addition to the first feature, when the signal level of the external reset signal terminal is an inactive level, the predetermined reset signal is released when the internal reset signal is released. A third feature is that the set value of the threshold value decreases.

本発明に係るパワーオンリセット回路は、上記第2の特徴に加えて、更に、前記外部リセット信号端子の信号レベルが非活性化レベルの場合、前記分圧抵抗による分圧比が、前記比較回路の出力レベルによって切り替わることで、前記内部リセット信号が解除されると、前記所定の閾値の設定値が低下するように構成されていることを第4の特徴とする。   In addition to the second feature, the power-on reset circuit according to the present invention further has a voltage dividing ratio of the voltage dividing resistor when the signal level of the external reset signal terminal is an inactive level. A fourth feature is that the setting value of the predetermined threshold is lowered when the internal reset signal is canceled by switching according to the output level.

上記第3または第4の特徴のパワーオンリセット回路によれば、外部リセット信号端子の信号レベルが非活性化レベル時、つまり、少なくともISO規格に準拠した接触モードで給電されている状態以外の、電源電圧の給電が不安定となる可能性の高い給電状態において、非接触または接触インタフェースを介して外部の電源供給源から取得した電源電圧の変動に対してヒステリシス特性を有するので、電源電圧が閾値を超えて上昇した直後に当該閾値を低く再設定できるので、内部リセット信号の解除を安定化させることができる。   According to the power-on reset circuit of the third or fourth feature, when the signal level of the external reset signal terminal is at an inactive level, that is, at least in a state where power is supplied in a contact mode compliant with the ISO standard, Since the power supply voltage is likely to become unstable, it has hysteresis characteristics against fluctuations in the power supply voltage acquired from an external power supply source via a non-contact or contact interface, so the power supply voltage is the threshold value. Since the threshold value can be reset again immediately after rising beyond the threshold value, the release of the internal reset signal can be stabilized.

一方、外部リセット信号端子の信号レベルが活性化レベル時には、ISO規格に準拠した接触モードで電源電圧が立ち上がるので、電源電圧の変動に対してヒステリシス特性を有しないことで、電源電圧が閾値を超えて上昇したことを検知する前後において閾値の設定を1.62V以下になるように固定でき、CLASS−Cで電源電圧が立ち上がる場合であっても、確実に内部リセット信号によるリセットを解除することができる。   On the other hand, when the signal level of the external reset signal terminal is at the activation level, the power supply voltage rises in the contact mode in conformity with the ISO standard. The threshold setting can be fixed to 1.62 V or less before and after detecting the rise, and even when the power supply voltage rises with CLASS-C, the reset by the internal reset signal can be reliably canceled. it can.

本発明に係るパワーオンリセット回路は、上記第3の特徴に加えて、更に、前記内部リセット信号が解除された後の前記所定の閾値の低下した後の設定値が、接触モードと非接触モードを判別するモード判別信号によって切り替え可能に構成されていることを第5の特徴とする。   In addition to the third feature, the power-on reset circuit according to the present invention further includes a contact mode and a non-contact mode in which the set value after the predetermined threshold is lowered after the internal reset signal is released. A fifth feature is that the mode can be switched by a mode discrimination signal for discriminating between.

本発明に係るパワーオンリセット回路は、上記第4の特徴に加えて、更に、前記外部リセット信号端子の信号レベルが非活性化レベルの場合、前記分圧抵抗による分圧比が、接触モードと非接触モードを判別するモード判別信号によって切り替わることで、前記内部リセット信号が解除された後の前記所定の閾値の低下した後の設定値が、接触モードと非接触モードを判別するモード判別信号によって切り替え可能に構成されていることを第6の特徴とする。   In the power-on reset circuit according to the present invention, in addition to the fourth feature, when the signal level of the external reset signal terminal is an inactive level, the voltage dividing ratio by the voltage dividing resistor is not different from the contact mode. By switching according to a mode determination signal for determining the contact mode, the set value after the predetermined threshold is lowered after the internal reset signal is released is switched by a mode determination signal for determining the contact mode and the non-contact mode. The sixth feature is that the configuration is possible.

上記第5または第6の特徴のパワーオンリセット回路によれば、外部リセット信号端子の信号レベルが非活性化レベル時、つまり、少なくともISO規格に準拠した接触モードで給電されている状態以外において、更に、接触モード及び非接触モードを判別する手段より出力されるモード判別信号の信号レベルに応じて、非接触状態で電源電圧が立ち上がる場合と接触状態で電源電圧が立ち上がる場合を区別して、ヒステリシス特性を切り替えることができる。この結果、非接触状態で電源電圧が立ち上がる場合は、ヒステリシス特性における閾値の上限電圧を3V以上に設定することにより、非接触通信が十分に安定して動作する電圧で、ICカードに起動を掛けることができる。その後、内部リセット信号が解除された状態において、接触モード及び非接触モードを判別する手段より出力されるモード判別信号を監視し、非接触モードと判別された場合は、抵抗分圧回路における分圧抵抗による分圧比を切り替えることにより、ヒステリシス特性における閾値の下限電圧を2V以上、3V未満に設定することができる。これにより、電源電圧が不安定な非接触モードで動作している場合においても、ICカードの消費電流によって電源電圧が変動しても、誤って内部リセット信号が出力されてリセット状態になってしまうことなく、安定した動作を維持することができる。更に、高耐圧トランジスタ回路の動作が不安定となる2V以下まで電源電圧が降下した場合には、誤動作する前に確実にリセット状態に遷移させることが可能となる。   According to the power-on reset circuit of the fifth or sixth feature, when the signal level of the external reset signal terminal is at an inactive level, that is, at least in a state where power is supplied in a contact mode in conformity with the ISO standard, Furthermore, according to the signal level of the mode discrimination signal output from the means for discriminating between the contact mode and the non-contact mode, the hysteresis characteristic is distinguished between the case where the power supply voltage rises in the non-contact state and the case where the power supply voltage rises in the contact state. Can be switched. As a result, when the power supply voltage rises in a non-contact state, the IC card is activated with a voltage at which the non-contact communication operates sufficiently stably by setting the upper limit voltage of the threshold value in the hysteresis characteristic to 3 V or more. be able to. Thereafter, in a state in which the internal reset signal is released, the mode discrimination signal output from the means for discriminating between the contact mode and the non-contact mode is monitored. By switching the voltage dividing ratio by resistance, the lower limit voltage of the threshold value in the hysteresis characteristic can be set to 2 V or more and less than 3 V. As a result, even when operating in the non-contact mode where the power supply voltage is unstable, even if the power supply voltage fluctuates due to the consumption current of the IC card, the internal reset signal is erroneously output and the reset state is entered. Therefore, stable operation can be maintained. Furthermore, when the power supply voltage drops to 2 V or less where the operation of the high-breakdown-voltage transistor circuit becomes unstable, it is possible to surely shift to the reset state before malfunctioning.

本発明に係るコンビ型ICカードは、上記何れかの特徴のパワーオンリセット回路を備えたことを特徴とする。   A combination type IC card according to the present invention includes any one of the above-described power-on reset circuits.

上記特徴のコンビ型ICカードによれば、非接触インタフェースにおける様々な電源電圧の立ち上がりと、接触インタフェースにおける様々な電源電圧の全てにおいて、安定した確実なパワーオンリセットが可能なコンビ型ICカードを実現可能となる。   According to the combination type IC card having the above characteristics, a combination type IC card capable of stable and reliable power-on reset at all the rises of various power supply voltages in the non-contact interface and all the various power supply voltages in the contact interface is realized. It becomes possible.

次に、本発明に係るパワーオンリセット回路(以下、適宜「本発明回路」と称す)とそれを用いたコンビ型ICカードについて、図面を参照して説明する。   Next, a power-on reset circuit according to the present invention (hereinafter appropriately referred to as “the present invention circuit”) and a combination IC card using the same will be described with reference to the drawings.

〈第1実施形態〉
図1は、第1実施形態に係る本発明回路の回路構成を示す回路図である。本発明回路は、コンビ型ICカードの非接触インタフェース(図示せず)または接触インタフェース(図示せず)が外部の電源供給源(図示せず)から取得した電源電圧VCCの立ち上がり時にコンビ型ICカードのリセット状態を制御する内部リセット信号PRSTB(パワーオンリセット信号)を出力するとともに、電源電圧VCCが所定の閾値Vtを超えて上昇したことを検出すると内部リセット信号PRSTBを解除するパワーオンリセット回路であって、電源電圧VCCを分圧抵抗R1、R2、R3により分圧して低電圧化した第2電源電圧VCC2を生成する抵抗分圧回路1と、コンビ型ICカード内で電源電圧VCCを所定の電圧に変換するレギュレータ回路(図示せず)で用いられる一定電圧の基準電圧VREFと第2電源電圧VCC2を比較する比較回路2と、抵抗分圧回路1の分圧抵抗R1、R2、R3による第2電源電圧VCC2を生成に係る分圧比が、外部リセット信号端子RSTBの信号レベル(以下、単に「RSTBレベル」と称す)に基づいて切り替える分圧比切替回路3と、コンビ型ICカードにリセットを掛けるためのシステムリセット信号SRSTBを生成する2入力AND回路4を備えて構成される。尚、電源電圧VCCは上記レギュレータ回路に供給され、上記レギュレータ回路において、コンビ型ICカード内の回路(ロジック回路、不揮発性メモリ等)で供給される所定の内部電源電圧に変換される。また、以下の説明では、信号レベルの「低レベル」と「高レベル」は、正論理における論理値「0」と「1」に夫々対応するものとして説明する。
<First Embodiment>
FIG. 1 is a circuit diagram showing a circuit configuration of a circuit of the present invention according to the first embodiment. The circuit of the present invention is a combination IC card at the time of rising of the power supply voltage VCC acquired from an external power supply source (not shown) by a contactless interface (not shown) or contact interface (not shown) of the combination IC card. An internal reset signal PRSTB (power-on reset signal) for controlling the reset state of the power supply, and a power-on reset circuit that cancels the internal reset signal PRSTB when detecting that the power supply voltage VCC has risen beyond a predetermined threshold Vt The resistance voltage dividing circuit 1 that generates the second power supply voltage VCC2 by dividing the power supply voltage VCC by the voltage dividing resistors R1, R2, and R3, and the power supply voltage VCC in the combination IC card. Constant voltage reference voltage VREF and second power source used in a regulator circuit (not shown) for converting the voltage The voltage dividing ratio relating to the generation of the second power supply voltage VCC2 by the comparison circuit 2 that compares the voltage VCC2 and the voltage dividing resistors R1, R2, and R3 of the resistance voltage dividing circuit 1 is the signal level of the external reset signal terminal RSTB (hereinafter, simply referred to as “reset voltage”). The voltage dividing ratio switching circuit 3 is switched based on “RSTB level” and a 2-input AND circuit 4 that generates a system reset signal SRSTB for resetting the combination IC card. The power supply voltage VCC is supplied to the regulator circuit, and the regulator circuit converts the power supply voltage VCC into a predetermined internal power supply voltage supplied by a circuit (logic circuit, nonvolatile memory, etc.) in the combination IC card. Further, in the following description, the signal levels “low level” and “high level” will be described as corresponding to the logical values “0” and “1” in positive logic, respectively.

抵抗分圧回路1は3つの分圧抵抗R1、R2、R3の直列回路で構成され、分圧抵抗R1の一端が電源電圧VCCに接続し、分圧抵抗R1の他端が分圧抵抗R2の一端及び比較回路2の非反転入力に接続し、分圧抵抗R2の他端が分圧抵抗R3の一端に接続し、分圧抵抗R3の他端が接地電圧に接続して構成される。ここで、第2電源電圧VCC2は、分圧抵抗R1、R2の接続点から比較回路2の非反転入力に出力される。第1実施形態では、第2電源電圧VCC2を生成に係る分圧比は、2つの分圧抵抗R1、R2を使用する場合と、3つの分圧抵抗R1、R2、R3を使用する場合で切り替わることになる。   The resistance voltage dividing circuit 1 is composed of a series circuit of three voltage dividing resistors R1, R2, and R3. One end of the voltage dividing resistor R1 is connected to the power supply voltage VCC, and the other end of the voltage dividing resistor R1 is the voltage dividing resistor R2. One end is connected to the non-inverting input of the comparison circuit 2, the other end of the voltage dividing resistor R2 is connected to one end of the voltage dividing resistor R3, and the other end of the voltage dividing resistor R3 is connected to the ground voltage. Here, the second power supply voltage VCC2 is output from the connection point of the voltage dividing resistors R1 and R2 to the non-inverting input of the comparison circuit 2. In the first embodiment, the voltage dividing ratio for generating the second power supply voltage VCC2 is switched between the case where two voltage dividing resistors R1, R2 are used and the case where three voltage dividing resistors R1, R2, R3 are used. become.

比較回路2は、非反転入力に入力する第2電源電圧VCC2と反転入力に入力する基準電圧VREFを比較して、第2電源電圧VCC2の方が基準電圧VREFより大きい場合に内部リセット信号PRSTBの信号レベルを高レベルとし、逆に、第2電源電圧VCC2の方が基準電圧VREFより小さい場合には内部リセット信号PRSTBの信号レベルを低レベルとする。尚、内部リセット信号PRSTBは低レベルで活性化状態(リセット状態)であり、高レベルで非活性化状態(リセット解除状態)である。   The comparison circuit 2 compares the second power supply voltage VCC2 input to the non-inverting input and the reference voltage VREF input to the inverting input, and if the second power supply voltage VCC2 is greater than the reference voltage VREF, the internal reset signal PRSTB On the contrary, when the second power supply voltage VCC2 is lower than the reference voltage VREF, the signal level of the internal reset signal PRSTB is set to a low level. The internal reset signal PRSTB is in an activated state (reset state) at a low level, and in an inactivated state (reset release state) at a high level.

分圧比切替回路3は、入力が外部リセット信号端子RSTBに接続するインバータ5と、インバータ5の出力と内部リセット信号PRSTBを夫々入力とし各入力の否定論理和を出力する2入力NOR回路6と、ドレインが分圧抵抗R2、R3の接続点に接続し、ソースが接地電圧に接続し、ゲートが2入力NOR回路6の出力と接続するNMOSトランジスタ7を備えて構成される。   The voltage dividing ratio switching circuit 3 includes an inverter 5 whose input is connected to the external reset signal terminal RSTB, a 2-input NOR circuit 6 that outputs the output of the inverter 5 and the internal reset signal PRSTB, and outputs a negative logical sum of the inputs, The drain is connected to the connection point of the voltage dividing resistors R 2 and R 3, the source is connected to the ground voltage, and the gate is connected to the output of the 2-input NOR circuit 6.

2入力AND回路4は、外部リセット信号端子RSTBの信号と内部リセット信号PRSTBを夫々入力とし、その論理積をシステムリセット信号SRSTBとして出力する。従って、システムリセット信号SRSTBは、外部リセット信号端子RSTBによって強制的にリセット可能に構成されている。   The 2-input AND circuit 4 inputs the signal of the external reset signal terminal RSTB and the internal reset signal PRSTB, and outputs the logical product as the system reset signal SRSTB. Therefore, the system reset signal SRSTB can be forcibly reset by the external reset signal terminal RSTB.

次に、第1実施形態に係る本発明回路の回路動作について詳細に説明する。   Next, the circuit operation of the circuit of the present invention according to the first embodiment will be described in detail.

先ず、RSTBレベルが低レベルの場合、内部リセット信号PRSTBの信号レベルに拘わらず、インバータ5とNOR回路6によってNMOSトランジスタ7のゲートレベルは強制的に低レベルに固定され、NMOSトランジスタ7はオフ状態となる。従って、電源電圧VCCから、3つの分圧抵抗R1、R2、R3を介して接地電圧に流れる直流電流経路が形成され、電源電圧VCCは、分圧抵抗R1と、分圧抵抗R2、R3の合成抵抗によって分圧されるため、比較回路2に入力する第2電源電圧VCC2は、以下の数1で与えられる。数1の右辺の(R2+R3)/(R1+R2+R3)は、RSTBレベルが低レベルの場合の分圧比に相当する。   First, when the RSTB level is low, the gate level of the NMOS transistor 7 is forcibly fixed to the low level by the inverter 5 and the NOR circuit 6 regardless of the signal level of the internal reset signal PRSTB, and the NMOS transistor 7 is in the OFF state. It becomes. Accordingly, a direct current path is formed from the power supply voltage VCC to the ground voltage via the three voltage dividing resistors R1, R2, and R3. The power supply voltage VCC is a combination of the voltage dividing resistor R1 and the voltage dividing resistors R2 and R3. Since the voltage is divided by the resistor, the second power supply voltage VCC2 input to the comparison circuit 2 is given by the following equation (1). (R2 + R3) / (R1 + R2 + R3) on the right side of Equation 1 corresponds to the voltage division ratio when the RSTB level is low.

[数1]
VCC2=VCC×(R2+R3)/(R1+R2+R3)
[Equation 1]
VCC2 = VCC × (R2 + R3) / (R1 + R2 + R3)

次に、RSTBレベルが高レベルの場合、電源電圧VCCが所定の閾値Vt以下の場合には、後述するように、比較回路2から出力される内部リセット信号PRSTBの信号レベルが低レベルであるため、NOR回路6の2つの入力は共に低レベルとなって、NMOSトランジスタ7のゲートレベルは高レベルとなり、NMOSトランジスタ7はオン状態となる。従って、電源電圧VCCから、2つの分圧抵抗R1、R2とNMOSトランジスタ7を介して接地電圧に流れる直流電流経路が形成され、分圧抵抗R3の抵抗値に比べてNMOSトランジスタ7のオン抵抗が十分に低抵抗である場合は、電源電圧VCCは、分圧抵抗R1と分圧抵抗R2によって分圧されるため、比較回路2に入力する第2電源電圧VCC2は、以下の数2で与えられる。数2の右辺のR2/(R1+R2)は、RSTBレベルが高レベルで、電源電圧VCCが所定の閾値Vt以下(パワーオンリセット解除前)の場合の分圧比に相当する。   Next, when the RSTB level is high, the signal level of the internal reset signal PRSTB output from the comparison circuit 2 is low as will be described later when the power supply voltage VCC is equal to or lower than the predetermined threshold value Vt. The two inputs of the NOR circuit 6 are both low, the gate level of the NMOS transistor 7 is high, and the NMOS transistor 7 is turned on. Accordingly, a direct current path that flows from the power supply voltage VCC to the ground voltage via the two voltage dividing resistors R1 and R2 and the NMOS transistor 7 is formed, and the on-resistance of the NMOS transistor 7 is larger than the resistance value of the voltage dividing resistor R3. When the resistance is sufficiently low, the power supply voltage VCC is divided by the voltage dividing resistor R1 and the voltage dividing resistor R2, and therefore the second power supply voltage VCC2 input to the comparison circuit 2 is given by the following equation (2). . R2 / (R1 + R2) on the right side of Equation 2 corresponds to a voltage division ratio when the RSTB level is high and the power supply voltage VCC is equal to or lower than a predetermined threshold Vt (before power-on reset is released).

[数2]
VCC2=VCC×R2/(R1+R2)
[Equation 2]
VCC2 = VCC × R2 / (R1 + R2)

数1及び数2において、VCC2=VREFとなる電源電圧VCCを夫々VCCL、VCCHとすると、電圧VCCL、VCCHは、夫々以下の数3と数4で与えられる。   In Equations 1 and 2, if the power supply voltage VCC satisfying VCC2 = VREF is VCCL and VCCH, respectively, the voltages VCCL and VCCH are given by Equations 3 and 4 below.

[数3]
VCCL=VREF×(R1+R2+R3)/(R2+R3)
[数4]
VCCH=VREF×(R1+R2)/R2
[Equation 3]
VCCL = VREF × (R1 + R2 + R3) / (R2 + R3)
[Equation 4]
VCCH = VREF × (R1 + R2) / R2

ここで、電圧VCCLと電圧VCCHは、夫々RSTBレベルが低レベルと高レベルの場合の所定の閾値Vtに相当する。数3と数4において、分圧比の逆数{(R1+R2+R3)/(R2+R3)}と分圧比の逆数{(R1+R2)/R2}の大小関係は、以下の数5に示すように、常に後者が前者より大きいので、VCCH>VCCLとなる。   Here, the voltage VCCL and the voltage VCCH correspond to predetermined threshold values Vt when the RSTB level is a low level and a high level, respectively. In Equations 3 and 4, the magnitude relationship between the reciprocal of the voltage division ratio {(R1 + R2 + R3) / (R2 + R3)} and the reciprocal of the voltage division ratio {(R1 + R2) / R2} is always expressed by the latter as shown in Equation 5 below. Since it is larger, VCCH> VCCL.

[数5]
(R1+R2+R3)/(R2+R3)<(R1+R2)/R2
[Equation 5]
(R1 + R2 + R3) / (R2 + R3) <(R1 + R2) / R2

例えば、基準電圧VREFを1Vとし、3つの分圧抵抗R1、R2、R3の抵抗比R1:R2:R3を2:1:1に設定した場合、電圧VCCLと電圧VCCHは、夫々以下の数6と数7に示すようになる。   For example, when the reference voltage VREF is 1 V and the resistance ratio R1: R2: R3 of the three voltage dividing resistors R1, R2, and R3 is set to 2: 1: 1, the voltage VCCL and the voltage VCCH are expressed by the following Equation 6 And as shown in Equation 7.

[数6]
VCCL=1V×4/2=2V
[数7]
VCCH=1V×3/1=3V
[Equation 6]
VCCL = 1V × 4/2 = 2V
[Equation 7]
VCCH = 1V × 3/1 = 3V

次に、電源電圧VCCが、RSTBレベルが低レベルの場合にはVCCLを超えて、RSTBレベルが高レベルの場合にはVCCHを超えて、電圧上昇すると、数3または数4で与えられる第2電源電圧VCC2が、基準電圧VREFより大きくなるので、内部リセット信号PRSTBは低レベルから高レベルに遷移して、リセット状態(パワーオンリセット)が解除される。   Next, when the power supply voltage VCC rises above VCCL when the RSTB level is low and exceeds VCCH when the RSTB level is high, the second voltage given by Equation 3 or Equation 4 is given. Since the power supply voltage VCC2 becomes larger than the reference voltage VREF, the internal reset signal PRSTB transits from the low level to the high level, and the reset state (power-on reset) is released.

RSTBレベルが高レベルの場合、電源電圧VCCが所定の閾値Vt(=VCCH)を超えた場合には、比較回路2から出力される内部リセット信号PRSTBの信号レベルが高レベルとなるため、NOR回路6によってNMOSトランジスタ7のゲートレベルは低レベルに遷移し、NMOSトランジスタ7はオフ状態となる。従って、電源電圧VCCから、3つの分圧抵抗R1、R2、R3を介して接地電圧に流れる直流電流経路が形成され、電源電圧VCCは、分圧抵抗R1と、分圧抵抗R2、R3の合成抵抗によって分圧されるため、比較回路2に入力する第2電源電圧VCC2は、RSTBレベルが低レベルの場合と同様の数1で与えられる。つまり、所定の閾値VtがVCCHからVCCLに低下し、電源電圧VCCの変化に対してヒステリシス特性を有することになる。従って、電源電圧VCCがVCCHを超えて上昇した後に、VCCHを僅かに下回る変動が生じても、直ぐには解除された内部リセット信号PRSTBの信号レベルが低レベルに戻って不用意にリセット状態に陥ることが回避される。但し、電源電圧VCCがVCCLを下回るまで低下すると、正常に内部リセット信号PRSTBの信号レベルが低レベルに戻ってリセット状態になる。   When the RSTB level is high, the signal level of the internal reset signal PRSTB output from the comparison circuit 2 becomes high when the power supply voltage VCC exceeds a predetermined threshold value Vt (= VCCH). 6, the gate level of the NMOS transistor 7 changes to a low level, and the NMOS transistor 7 is turned off. Accordingly, a direct current path is formed from the power supply voltage VCC to the ground voltage via the three voltage dividing resistors R1, R2, and R3. The power supply voltage VCC is a combination of the voltage dividing resistor R1 and the voltage dividing resistors R2 and R3. Since the voltage is divided by the resistor, the second power supply voltage VCC2 input to the comparison circuit 2 is given by the same equation 1 as when the RSTB level is low. That is, the predetermined threshold value Vt decreases from VCCH to VCCL, and has a hysteresis characteristic with respect to a change in the power supply voltage VCC. Therefore, even if a fluctuation slightly lower than VCCH occurs after the power supply voltage VCC rises above VCCH, the signal level of the internal reset signal PRSTB that has been released immediately returns to a low level and falls into a reset state carelessly. It is avoided. However, when the power supply voltage VCC drops below VCCL, the signal level of the internal reset signal PRSTB normally returns to the low level and enters the reset state.

従って、電圧VCCLは、RSTBレベルが低レベルの場合、または、RSTBレベルが高レベルでパワーオンリセット解除後の所定の閾値Vtに対応し、電圧VCCHは、RSTBレベルが高レベルの場合のパワーオンリセット解除前の所定の閾値Vtに対応することになる。   Therefore, the voltage VCCL corresponds to the predetermined threshold value Vt after the RSTB level is low or the RSTB level is high and the power-on reset is canceled, and the voltage VCCH is the power-on when the RSTB level is high. This corresponds to a predetermined threshold value Vt before reset release.

以上より、所定の閾値Vtを超えて上昇するまでの電源電圧VCCの立ち上がり時においては、VCCH>VCCLであるので、RSTBレベルが低レベルの場合は、RSTBレベルが高レベルの場合よりも低電圧で、内部リセット信号PRSTBが高レベルに遷移し、パワーオンリセットが解除されることになる。   From the above, at the rising of the power supply voltage VCC until it rises above the predetermined threshold Vt, VCCH> VCCL. Therefore, when the RSTB level is low, the voltage is lower than when the RSTB level is high. Thus, the internal reset signal PRSTB transits to a high level, and the power-on reset is released.

〈第2実施形態〉
図2は、第2実施形態に係る本発明回路の回路構成を示す回路図である。本発明回路は、第1実施形態と同様に、コンビ型ICカードの非接触インタフェース(図示せず)または接触インタフェース(図示せず)が外部の電源供給源(図示せず)から取得した電源電圧VCCの立ち上がり時にコンビ型ICカードのリセット状態を制御する内部リセット信号PRSTBを出力するとともに、電源電圧VCCが所定の閾値Vtを超えて上昇したことを検出すると内部リセット信号PRSTBを解除するパワーオンリセット回路であって、抵抗分圧回路11、比較回路2、分圧比切替回路13、及び、2入力AND回路4を備えて構成される。比較回路2と2入力AND回路4は、第1実施形態と同じであるので、重複する説明は割愛する。抵抗分圧回路11と分圧比切替回路13の回路構成が、第1実施形態と異なる。
Second Embodiment
FIG. 2 is a circuit diagram showing a circuit configuration of the circuit of the present invention according to the second embodiment. As in the first embodiment, the circuit of the present invention is a power supply voltage acquired from an external power supply source (not shown) by a non-contact interface (not shown) or a contact interface (not shown) of the combination IC card. A power-on reset that outputs an internal reset signal PRSTB that controls the reset state of the combination IC card at the rise of VCC, and cancels the internal reset signal PRSTB when it is detected that the power supply voltage VCC has risen beyond a predetermined threshold Vt The circuit includes a resistance voltage dividing circuit 11, a comparison circuit 2, a voltage dividing ratio switching circuit 13, and a 2-input AND circuit 4. Since the comparison circuit 2 and the two-input AND circuit 4 are the same as those in the first embodiment, a duplicate description is omitted. The circuit configurations of the resistance voltage dividing circuit 11 and the voltage dividing ratio switching circuit 13 are different from those of the first embodiment.

尚、第2実施形態では、本発明回路とは別に設けられた接触/非接触モード判別回路14が別途必要となる。接触/非接触モード判別回路14は、コンビ型ICカードが接触モードと非接触モードの何れのモードで動作しているかを判別してその判別結果をモード判別信号MODEとして出力する回路である。モード判別信号MODEは、低レベルが接触モードであることを表し、高レベルが非接触モードであることを表している。本第2実施形態では、接触/非接触モード判別回路14の具体的な回路構成については不問であり、コンビ型ICカードが接触モードと非接触モードの何れのモードで動作しているかを判別できれば、どのような回路構成であっても構わない。   In the second embodiment, a contact / non-contact mode determination circuit 14 provided separately from the circuit of the present invention is separately required. The contact / non-contact mode determination circuit 14 is a circuit that determines whether the combination IC card is operating in a contact mode or a non-contact mode, and outputs the determination result as a mode determination signal MODE. The mode discrimination signal MODE indicates that the low level is the contact mode, and the high level indicates the non-contact mode. In the second embodiment, the specific circuit configuration of the contact / non-contact mode discriminating circuit 14 is not questioned, and it can be discriminated whether the combination type IC card is operating in the contact mode or the non-contact mode. Any circuit configuration may be used.

抵抗分圧回路11は、4つの分圧抵抗R1、R2、R3、R4の直列回路で構成され、電源電圧VCCを分圧抵抗R1、R2、R3、R4により分圧して低電圧化した第2電源電圧VCC2を生成する回路である。分圧抵抗R1の一端が電源電圧VCCに接続し、分圧抵抗R1の他端が分圧抵抗R2の一端及び比較回路2の非反転入力に接続し、分圧抵抗R2の他端が分圧抵抗R3の一端に接続し、分圧抵抗R3の他端が分圧抵抗R4の一端に接続し、分圧抵抗R4の他端が接地電圧に接続して構成される。ここで、第2電源電圧VCC2は、分圧抵抗R1、R2の接続点から比較回路2の非反転入力に出力される。第2実施形態では、第2電源電圧VCC2を生成に係る分圧比は、2つの分圧抵抗R1、R2を使用する場合と、3つの分圧抵抗R1、R2、R3を使用する場合と、4つの分圧抵抗R1、R2、R3、R4を使用する場合で切り替わることになる。   The resistance voltage dividing circuit 11 is composed of a series circuit of four voltage dividing resistors R1, R2, R3, and R4, and a second voltage obtained by dividing the power supply voltage VCC by the voltage dividing resistors R1, R2, R3, and R4 to lower the voltage. This is a circuit for generating the power supply voltage VCC2. One end of the voltage dividing resistor R1 is connected to the power supply voltage VCC, the other end of the voltage dividing resistor R1 is connected to one end of the voltage dividing resistor R2 and the non-inverting input of the comparison circuit 2, and the other end of the voltage dividing resistor R2 is divided. The resistor R3 is connected to one end, the other end of the voltage dividing resistor R3 is connected to one end of the voltage dividing resistor R4, and the other end of the voltage dividing resistor R4 is connected to the ground voltage. Here, the second power supply voltage VCC2 is output from the connection point of the voltage dividing resistors R1 and R2 to the non-inverting input of the comparison circuit 2. In the second embodiment, the voltage dividing ratio relating to the generation of the second power supply voltage VCC2 is the case where two voltage dividing resistors R1, R2 are used, the case where three voltage dividing resistors R1, R2, R3 are used, and the case where 4 is used. The voltage divider resistors R1, R2, R3, and R4 are switched when used.

分圧比切替回路13は、2つの回路部で構成され、第1の回路部は第1実施形態の分圧比切替回路と同じである。つまり、第1の回路部は、入力が外部リセット信号端子RSTBに接続するインバータ5と、インバータ5の出力と内部リセット信号PRSTBを夫々入力とし各入力の否定論理和を出力する2入力NOR回路6と、ドレインが分圧抵抗R2、R3の接続点に接続し、ソースが接地電圧に接続し、ゲートが2入力NOR回路6の出力と接続するNMOSトランジスタ7を備えて構成される。第2の回路部は、第2実施形態で新たに追加された回路部で、入力が内部リセット信号PRSTBであるインバータ15と、インバータ15の出力とモード判別信号MODEを夫々入力とし各入力の否定論理和を出力する2入力NOR回路16と、第1の回路部のインバータ5の出力と2入力NOR回路16の出力を夫々入力とし各入力の否定論理和を出力する2入力NOR回路17と、ドレインが分圧抵抗R3、R4の接続点に接続し、ソースが接地電圧に接続し、ゲートが2入力NOR回路17の出力と接続するNMOSトランジスタ18を備えて構成される。   The voltage division ratio switching circuit 13 includes two circuit units, and the first circuit unit is the same as the voltage division ratio switching circuit of the first embodiment. In other words, the first circuit section includes an inverter 5 whose input is connected to the external reset signal terminal RSTB, and a 2-input NOR circuit 6 that receives the output of the inverter 5 and the internal reset signal PRSTB as inputs, and outputs a negative logical sum of the inputs. And an NMOS transistor 7 having a drain connected to the connection point of the voltage dividing resistors R2 and R3, a source connected to the ground voltage, and a gate connected to the output of the two-input NOR circuit 6. The second circuit unit is a circuit unit newly added in the second embodiment, and the inverter 15 whose input is the internal reset signal PRSTB, the output of the inverter 15 and the mode discrimination signal MODE are respectively input, and each input is negated. A two-input NOR circuit 16 that outputs a logical sum; a two-input NOR circuit 17 that outputs a negative logical sum of each input by using the output of the inverter 5 and the output of the two-input NOR circuit 16 of the first circuit unit as inputs; and The drain is connected to the connection point of the voltage dividing resistors R 3 and R 4, the source is connected to the ground voltage, and the gate is connected to the output of the 2-input NOR circuit 17.

次に、第2実施形態に係る本発明回路の回路動作について詳細に説明する。   Next, the circuit operation of the circuit of the present invention according to the second embodiment will be described in detail.

先ず、RSTBレベルが低レベルの場合、内部リセット信号PRSTBの信号レベルに拘わらず、インバータ5とNOR回路6とNOR回路17によってNMOSトランジスタ7、18の各ゲートレベルは強制的に低レベルに固定され、NMOSトランジスタ7、18は夫々オフ状態となる。従って、電源電圧VCCから、4つの分圧抵抗R1、R2、R3、R4を介して接地電圧に流れる直流電流経路が形成され、電源電圧VCCは、分圧抵抗R1と、分圧抵抗R2、R3、R4の合成抵抗によって分圧されるため、比較回路2に入力する第2電源電圧VCC2は、以下の数8で与えられる。数8の右辺の(R2+R3+R4)/(R1+R2+R3+R4)は、RSTBレベルが低レベルの場合の分圧比に相当する。   First, when the RSTB level is low, the gate levels of the NMOS transistors 7 and 18 are forcibly fixed to a low level by the inverter 5, the NOR circuit 6 and the NOR circuit 17, regardless of the signal level of the internal reset signal PRSTB. The NMOS transistors 7 and 18 are turned off. Accordingly, a direct current path that flows from the power supply voltage VCC to the ground voltage via the four voltage dividing resistors R1, R2, R3, and R4 is formed, and the power supply voltage VCC is divided into the voltage dividing resistor R1 and the voltage dividing resistors R2, R3. Therefore, the second power supply voltage VCC2 input to the comparison circuit 2 is given by the following equation (8). (R2 + R3 + R4) / (R1 + R2 + R3 + R4) on the right side of Equation 8 corresponds to the voltage division ratio when the RSTB level is low.

[数8]
VCC2=VCC×(R2+R3+R4)/(R1+R2+R3+R4)
[Equation 8]
VCC2 = VCC × (R2 + R3 + R4) / (R1 + R2 + R3 + R4)

次に、RSTBレベルが高レベルの場合、電源電圧VCCが所定の閾値Vt以下の場合には、比較回路2から出力される内部リセット信号PRSTBの信号レベルが低レベルであるため、NOR回路6の2つの入力は共に低レベルとなって、NMOSトランジスタ7のゲートレベルは高レベルとなり、NMOSトランジスタ7はオン状態となる。また、内部リセット信号PRSTBの信号レベルが低レベルであると、インバータ15の出力が高レベルであるので、モード判別信号MODEの信号レベルに拘わらず、NOR回路16の出力は低レベルとなり、NOR回路17の2つの入力は共に低レベルとなって、NMOSトランジスタ18のゲートレベルは高レベルとなり、NMOSトランジスタ18はオン状態となる。従って、電源電圧VCCから、2つの分圧抵抗R1、R2とNMOSトランジスタ7を介して接地電圧に流れる直流電流経路が形成され、分圧抵抗R3の抵抗値に比べてNMOSトランジスタ7のオン抵抗が十分に低抵抗である場合は、電源電圧VCCは、分圧抵抗R1と分圧抵抗R2によって分圧されるため、比較回路2に入力する第2電源電圧VCC2は、以下の数9で与えられる。数9の右辺のR2/(R1+R2)は、RSTBレベルが高レベルで、電源電圧VCCが所定の閾値Vt以下(パワーオンリセット解除前)の場合の分圧比に相当する。尚、数9は第1実施形態における数2と同じである。   Next, when the RSTB level is high, the signal level of the internal reset signal PRSTB output from the comparison circuit 2 is low when the power supply voltage VCC is equal to or lower than the predetermined threshold Vt. The two inputs are both low, the gate level of the NMOS transistor 7 is high, and the NMOS transistor 7 is turned on. If the signal level of the internal reset signal PRSTB is low, the output of the inverter 15 is high, so that the output of the NOR circuit 16 becomes low regardless of the signal level of the mode determination signal MODE, and the NOR circuit The two inputs 17 are both low, the gate level of the NMOS transistor 18 is high, and the NMOS transistor 18 is turned on. Accordingly, a direct current path that flows from the power supply voltage VCC to the ground voltage via the two voltage dividing resistors R1 and R2 and the NMOS transistor 7 is formed, and the on-resistance of the NMOS transistor 7 is larger than the resistance value of the voltage dividing resistor R3. When the resistance is sufficiently low, the power supply voltage VCC is divided by the voltage dividing resistor R1 and the voltage dividing resistor R2, and therefore the second power supply voltage VCC2 input to the comparison circuit 2 is given by the following equation (9). . R2 / (R1 + R2) on the right side of Equation 9 corresponds to a voltage division ratio when the RSTB level is high and the power supply voltage VCC is equal to or lower than a predetermined threshold Vt (before power-on reset is released). Note that Equation 9 is the same as Equation 2 in the first embodiment.

[数9]
VCC2=VCC×R2/(R1+R2)
[Equation 9]
VCC2 = VCC × R2 / (R1 + R2)

引き続き、RSTBレベルが高レベルの場合、電源電圧VCCが所定の閾値Vtを超えて上昇した場合には、比較回路2から出力される内部リセット信号PRSTBの信号レベルが高レベルとなるため、NOR回路6によってNMOSトランジスタ7のゲートレベルは低レベルに遷移し、NMOSトランジスタ7はオフ状態となる。また、パワーオンリセットが解除され、接触/非接触モード判別回路14によって、コンビ型ICカードが接触モードと非接触モードの何れのモードで動作しているかが判別され、非接触モードで動作している場合は、モード判別信号MODEは高レベルとなる。この場合、NOR回路16の出力が低レベルになり、NOR回路17の出力と接続するNMOSトランジスタ18のゲートレベルが高レベルになるので、NMOSトランジスタ18はオン状態となる。従って、電源電圧VCCから、3つの分圧抵抗R1、R2、R3とNMOSトランジスタ18を介して接地電圧に流れる直流電流経路が形成され、分圧抵抗R4の抵抗値に比べてNMOSトランジスタ18のオン抵抗が十分に低抵抗である場合は、電源電圧VCCは、分圧抵抗R1と分圧抵抗R2、R3の合成抵抗によって分圧されるため、比較回路2に入力する第2電源電圧VCC2は、以下の数10で与えられる。数10の右辺の(R2+R3)/(R1+R2+R3)は、RSTBレベルが高レベルで、電源電圧VCCが所定の閾値Vtを超えて、非接触モードで動作している場合の分圧比に相当する。   Subsequently, when the RSTB level is high, the signal level of the internal reset signal PRSTB output from the comparison circuit 2 becomes high when the power supply voltage VCC rises beyond a predetermined threshold value Vt, and therefore the NOR circuit 6, the gate level of the NMOS transistor 7 changes to a low level, and the NMOS transistor 7 is turned off. In addition, the power-on reset is canceled, and the contact / non-contact mode determination circuit 14 determines whether the combination IC card is operating in the contact mode or the non-contact mode, and operates in the non-contact mode. If so, the mode discrimination signal MODE is at a high level. In this case, the output of the NOR circuit 16 becomes low level, and the gate level of the NMOS transistor 18 connected to the output of the NOR circuit 17 becomes high level, so that the NMOS transistor 18 is turned on. Therefore, a direct current path that flows from the power supply voltage VCC to the ground voltage through the three voltage dividing resistors R1, R2, and R3 and the NMOS transistor 18 is formed, and the NMOS transistor 18 is turned on compared to the resistance value of the voltage dividing resistor R4. When the resistance is sufficiently low, the power supply voltage VCC is divided by the combined resistance of the voltage dividing resistor R1 and the voltage dividing resistors R2 and R3. Therefore, the second power supply voltage VCC2 input to the comparison circuit 2 is It is given by the following formula 10. (R2 + R3) / (R1 + R2 + R3) on the right side of Equation 10 corresponds to the voltage division ratio when the RSTB level is high, the power supply voltage VCC exceeds a predetermined threshold value Vt, and the operation is performed in the non-contact mode.

[数10]
VCC2=VCC×(R2+R3)/(R1+R2+R3)
[Equation 10]
VCC2 = VCC × (R2 + R3) / (R1 + R2 + R3)

また、パワーオンリセットが解除され、接触/非接触モード判別回路14によって、コンビ型ICカードが接触モードと非接触モードの何れのモードで動作しているかが判別され、接触モードで動作している場合は、モード判別信号MODEは低レベルとなる。この場合、NOR回路16の出力が高レベルになり、NOR回路18の出力と接続するNMOSトランジスタ18のゲートレベルが低レベルになるので、NMOSトランジスタ18はオフ状態となる。従って、RSTBレベルが低レベルの場合と同様に、電源電圧VCCから、4つの分圧抵抗R1、R2、R3、R4を介して接地電圧に流れる直流電流経路が形成され、電源電圧VCCは、分圧抵抗R1と、分圧抵抗R2、R3、R4の合成抵抗によって分圧されるため、比較回路2に入力する第2電源電圧VCC2は、上記数8で与えられる。   Further, the power-on reset is canceled, and the contact / non-contact mode determination circuit 14 determines whether the combination IC card is operating in the contact mode or the non-contact mode, and operates in the contact mode. In this case, the mode determination signal MODE is at a low level. In this case, the output of the NOR circuit 16 becomes a high level, and the gate level of the NMOS transistor 18 connected to the output of the NOR circuit 18 becomes a low level, so that the NMOS transistor 18 is turned off. Accordingly, as in the case where the RSTB level is low, a direct current path is formed from the power supply voltage VCC to the ground voltage via the four voltage dividing resistors R1, R2, R3, and R4. Since the voltage is divided by the combined resistance of the voltage resistor R1 and the voltage dividing resistors R2, R3, and R4, the second power supply voltage VCC2 input to the comparison circuit 2 is given by the above equation (8).

数8〜数10において、VCC2=VREFとなる電源電圧VCCを夫々VCCLL、VCCH、VCCLとすると、電圧VCCLL、VCCH、VCCLは、夫々以下の数11〜数13で与えられる。   In Equations 8 to 10, assuming that the power supply voltage VCC satisfying VCC2 = VREF is VCCLL, VCCH, and VCCL, the voltages VCCLL, VCCH, and VCCL are respectively given by Equations 11 to 13 below.

[数11]
VCCLL=VREF×(R1+R2+R3+R4)/(R2+R3+R4)
[数12]
VCCH= VREF×(R1+R2)/R2
[数13]
VCCL= VREF×(R1+R2+R3)/(R2+R3)
[Equation 11]
VCCLL = VREF × (R1 + R2 + R3 + R4) / (R2 + R3 + R4)
[Equation 12]
VCCH = VREF × (R1 + R2) / R2
[Equation 13]
VCCL = VREF × (R1 + R2 + R3) / (R2 + R3)

ここで、電圧VCCLLはRSTBレベルが低レベルの場合の所定の閾値Vtと、RSTBレベルが高レベルで、パワーオンリセット解除後に接触モードで動作している場合の所定の閾値Vtに相当する。電圧VCCHは、RSTBレベルが高レベルで、パワーオンリセット解除前の所定の閾値Vtに相当する。VCCLは、RSTBレベルが高レベルで、パワーオンリセット解除後に非接触モードで動作している場合の所定の閾値Vtに相当する。   Here, the voltage VCCLL corresponds to a predetermined threshold Vt when the RSTB level is low, and a predetermined threshold Vt when the RSTB level is high and the operation is performed in the contact mode after the power-on reset is released. The voltage VCCH corresponds to a predetermined threshold value Vt before the power-on reset is canceled when the RSTB level is high. VCCL corresponds to a predetermined threshold Vt when the RSTB level is high and the operation is performed in the non-contact mode after the power-on reset is canceled.

数11〜数13において、分圧比の逆数{(R1+R2+R3+R4)/(R2+R3+R4)}と分圧比の逆数{(R1+R2)/R2}と分圧比の逆数{(R1+R2+R3)/(R2+R3)}は、以下の数14に示す大小関係となるため、3通りの閾値Vt(VCCLL、VCCH、VCCL)の大小関係は、数15に示すようになる。   In Equations 11 to 13, the reciprocal of the voltage division ratio {(R1 + R2 + R3 + R4) / (R2 + R3 + R4)}, the reciprocal of the voltage division ratio {(R1 + R2) / R2}, and the reciprocal of the voltage division ratio {(R1 + R2 + R3) / (R2 + R3)} Since the magnitude relationship shown in Equation 14 is obtained, the magnitude relationship among the three threshold values Vt (VCCLL, VCCH, and VCCL) is as shown in Equation 15.

[数14]
RLL<RL<RH
但し、
RLL=(R1+R2+R3+R4)/(R2+R3+R4)
RH=(R1+R2+R3)/(R2+R3)
RL=(R1+R2)/R2
[Formula 14]
RLL <RL <RH
However,
RLL = (R1 + R2 + R3 + R4) / (R2 + R3 + R4)
RH = (R1 + R2 + R3) / (R2 + R3)
RL = (R1 + R2) / R2

[数15]
VCCLL<VCCL<VCCH
[Equation 15]
VCCLL <VCCL <VCCH

例えば、基準電圧VREFを1Vとし、4つの分圧抵抗R1、R2、R3、R4の抵抗比R1:R2:R3:R4を2:1:1:2に設定した場合、電圧VCCLLと電圧VCCLと電圧VCCHは、夫々以下の数16〜数18に示すようになる。   For example, when the reference voltage VREF is 1 V and the resistance ratio R1: R2: R3: R4 of the four voltage dividing resistors R1, R2, R3, and R4 is set to 2: 1: 1: 2, the voltage VCCLL and the voltage VCCL The voltage VCCH is as shown in the following equations 16 to 18.

[数16]
VCCLL=1V×6/4=1.5V
[数17]
VCCL=1V×4/2=2V
[数18]
VCCH=1V×3/1=3V
[Equation 16]
VCCLL = 1V × 6/4 = 1.5V
[Equation 17]
VCCL = 1V × 4/2 = 2V
[Equation 18]
VCCH = 1V × 3/1 = 3V

図3は、電源電圧VCCの立ち上がり時(または、立ち下がり時)における電源電圧VCCの電圧レベルと内部リセット信号PRSTBの信号レベルの関係を模式的に示す図である。   FIG. 3 is a diagram schematically showing the relationship between the voltage level of power supply voltage VCC and the signal level of internal reset signal PRSTB when power supply voltage VCC rises (or falls).

図3の上段の内部リセット信号PRSTBは、RSTBレベルが低レベルの場合の内部リセット信号PRSTBの信号レベルの遷移を示しており、電源電圧VCCが閾値VCCLLを超えて上昇すると、低レベルから高レベルに遷移してリセット状態が解除され、逆に、電源電圧VCCが閾値VCCLLより低下すると、高レベルから低レベルに遷移して再度リセット状態となる。   The internal reset signal PRSTB in the upper part of FIG. 3 shows the transition of the signal level of the internal reset signal PRSTB when the RSTB level is low. When the power supply voltage VCC rises above the threshold VCCLL, the internal reset signal PRSTB rises from the low level to the high level. When the power supply voltage VCC drops below the threshold value VCCLL, the transition is made from the high level to the low level and the reset state is entered again.

図3の下段の内部リセット信号PRSTBは、RSTBレベルが高レベルで、パワーオンリセット解除後の動作が非接触モードである場合の内部リセット信号PRSTBの信号レベルの遷移を示しており、電源電圧VCCが閾値VCCHを超えて上昇すると、低レベルから高レベルに遷移してリセット状態が解除され、逆に、電源電圧VCCが閾値VCCLより低下すると、高レベルから低レベルに遷移して再度リセット状態となる。   The lower internal reset signal PRSTB in FIG. 3 shows the transition of the signal level of the internal reset signal PRSTB when the RSTB level is high and the operation after canceling the power-on reset is the non-contact mode. When the voltage rises above the threshold value VCCH, the reset state is canceled by transitioning from the low level to the high level. Conversely, when the power supply voltage VCC falls below the threshold value VCCL, the transition is made from the high level to the low level and the reset state is resumed. Become.

数15に示すように、所定の閾値Vtは、VCCLL<VCCL<VCCHという関係となることより、RSTBレベルが低レベル時には、高レベル時よりも低い電圧で内部リセット信号PRSTBが高レベルに遷移してリセット状態が解除される。   As shown in Equation 15, the predetermined threshold value Vt has a relationship of VCCLL <VCCL <VCCH. Therefore, when the RSTB level is low, the internal reset signal PRSTB transitions to a high level with a voltage lower than that at the high level. The reset state is released.

以上に説明した構成によれば、ISO規格に準拠した接触型リーダライタ装置に接続した場合は、RSTBレベルは必ず低レベルとなるため、閾値Vt(VCCLL)の設定電圧を1.62V以下に設定することによって、ISO規格におけるCLASS−A、CLASS−B、CLASS−Cの全ての電源電圧でリセット動作できる。   According to the configuration described above, the RSTB level is always low when connected to a contact-type reader / writer device that conforms to the ISO standard, so the threshold voltage Vt (VCCLL) is set to 1.62 V or less. By doing so, the reset operation can be performed with all power supply voltages of CLASS-A, CLASS-B, and CLASS-C in the ISO standard.

また、電圧VCCHと電圧VCCLを、非接触モード動作に適切な電圧に設定することにより、非接触モードでのパワーオンリセット動作を安定させることができる。   Moreover, the power-on reset operation in the non-contact mode can be stabilized by setting the voltage VCCH and the voltage VCCL to voltages suitable for the non-contact mode operation.

従って、本発明によれば、電磁波等を介して非接触で外部の電力供給源から電力を取得する非接触型ICカードのインタフェースと、電源端子等を介して直接外部の電力供給源から電力を取得する接触型ICカードのインタフェースを併せ持ったコンビ型ICカードにおいて、非接触インタフェースにおける様々な電源電圧の立ち上がりと、接触インタフェースにおける様々な電源電圧の全てにおいて、安定した確実なパワーオンリセット回路を提供することができる。   Therefore, according to the present invention, an interface of a non-contact type IC card that acquires power from an external power supply source in a non-contact manner via electromagnetic waves or the like, and a power from an external power supply source directly through a power supply terminal or the like. In combination type IC card that has the interface of the contact type IC card to be acquired, it provides a stable and reliable power-on reset circuit for all the rises of various power supply voltages in the non-contact interface and all the various power supply voltages in the contact interface. can do.

〈第3実施形態〉
次に、上記第1実施形態及び第2実施形態で説明した本発明回路を備えたコンビ型ICカード(以下、適宜「本発明装置」と称す)について、図面を参照して説明する。
<Third Embodiment>
Next, a combination type IC card (hereinafter referred to as “the device of the present invention”) provided with the circuit of the present invention described in the first and second embodiments will be described with reference to the drawings.

図4は、本発明装置の一回路構成例を示す概略のブロック図である。図4に示すように、本発明装置は、電磁波を用いた通信を行うRF(Radio Frequency)部20、各種論理演算を行う論理回路を複数備えたロジック部21、不揮発性メモリ部28、電圧制御回路部29等を備えた構成となっている。ロジック部21は、データ処理用のCPU(Central Processing Unit)22、暗号を高速処理するためのセキュリティ用プロセッサ23、演算処理における作業領域としてのワークRAM(Random AccessMemory)24、起動時に用いられるブートROM(ReadOnly Memory)25、プロトコル制御回路26、リセット回路27、バス制御回路30、セレクタ回路31、クロック発生回路32等を備えた構成となっている。   FIG. 4 is a schematic block diagram showing a circuit configuration example of the device of the present invention. As shown in FIG. 4, the device of the present invention includes an RF (Radio Frequency) unit 20 that performs communication using electromagnetic waves, a logic unit 21 that includes a plurality of logic circuits that perform various logical operations, a nonvolatile memory unit 28, and voltage control. The circuit unit 29 and the like are provided. The logic unit 21 includes a CPU (Central Processing Unit) 22 for data processing, a security processor 23 for high-speed encryption processing, a work RAM (Random Access Memory) 24 as a work area in arithmetic processing, and a boot ROM used at startup (ReadOnly Memory) 25, a protocol control circuit 26, a reset circuit 27, a bus control circuit 30, a selector circuit 31, a clock generation circuit 32, and the like are provided.

また、RF部20は、電磁誘導を起動させるアンテナコイル33、アンテナコイル33の接続端子及びショットキーダイオード等から構成される整流回路34、変調回路35、復調回路36、クロック抽出回路37、及び、上記第1実施形態または第2実施形態の本発明回路からなるパワーオンリセット回路19を備えた構成となっている。尚、パワーオンリセット回路19が第2実施形態の本発明回路からなる場合は、図4に示すように、図2に示した接触/非接触モード判別回路14を備えた構成となる。パワーオンリセット回路19が第1実施形態の本発明回路からなる場合は、接触/非接触モード判別回路14は、少なくともパワーオンリセット回路19の動作には必要ないので省略可能である。本発明装置は、パワーオンリセット回路19を備えている点を特徴としている。   The RF unit 20 includes an antenna coil 33 that activates electromagnetic induction, a connection terminal of the antenna coil 33, a Schottky diode, and the like, a modulation circuit 35, a demodulation circuit 36, a clock extraction circuit 37, and The power-on reset circuit 19 comprising the circuit of the present invention according to the first embodiment or the second embodiment is provided. When the power-on reset circuit 19 includes the circuit of the present invention according to the second embodiment, the contact / non-contact mode determination circuit 14 shown in FIG. 2 is provided as shown in FIG. When the power-on reset circuit 19 includes the circuit of the present invention of the first embodiment, the contact / non-contact mode determination circuit 14 can be omitted because it is not necessary for at least the operation of the power-on reset circuit 19. The device according to the present invention is characterized in that a power-on reset circuit 19 is provided.

次に、図4に示す構成における本発明装置の動作の概要を簡単に説明する。非接触モードでの動作の場合、電磁誘導によって生じた電力は、整流回路34によって整流される。尚、接触モードでの動作の場合、電源電圧VCCは、直接電源端子から供給される。整流回路34によって全波整流された、或いは、直接電源電圧端子から供給された電源電圧VCCは、電圧制御回路部29(レギュレータ回路に相当)に入力され、この電圧制御回路部29において各ブロックに最適な電圧(例えば、ロジック部21と不揮発性メモリ部28に共通に供給するVDD、不揮発性メモリ部28に供給するVPP)が生成され、各ブロックに供給される。電圧制御回路部29において、各ブロックに供給される電圧(VDD、VPP)の生成に使用された基準電圧VREFは、パワーオンリセット回路19において使用される。また、非接触モードでの動作の場合、整流回路34からの搬送波形がクロック抽出回路37によって抽出され、クロック信号が生成される。   Next, an outline of the operation of the device of the present invention in the configuration shown in FIG. 4 will be briefly described. In the case of the operation in the non-contact mode, the electric power generated by the electromagnetic induction is rectified by the rectifier circuit 34. In the case of operation in the contact mode, the power supply voltage VCC is directly supplied from the power supply terminal. The power supply voltage VCC that has been full-wave rectified by the rectifier circuit 34 or directly supplied from the power supply voltage terminal is input to a voltage control circuit unit 29 (corresponding to a regulator circuit). Optimal voltages (for example, VDD supplied to the logic unit 21 and the nonvolatile memory unit 28 in common, VPP supplied to the nonvolatile memory unit 28) are generated and supplied to each block. In the voltage control circuit unit 29, the reference voltage VREF used to generate the voltages (VDD, VPP) supplied to each block is used in the power-on reset circuit 19. In the case of the operation in the non-contact mode, the carrier waveform from the rectifier circuit 34 is extracted by the clock extraction circuit 37, and a clock signal is generated.

更に、変調回路35及び復調回路36によって、振幅変調によりデータ通信が行われる。受信した信号は、復調回路36によって復調信号に変換され、セレクタ回路31を介してプロトコル制御回路26に入力され、CPU2によって処理される。またCPU2において送信信号が生成されると、この送信信号がプロトコル制御回路26からセレクタ回路31を介して変調回路35に入力され、変調回路35において送信に適した信号に変換した後に、アンテナコイル33から送信される。   Further, data communication is performed by amplitude modulation by the modulation circuit 35 and the demodulation circuit 36. The received signal is converted into a demodulated signal by the demodulating circuit 36, input to the protocol control circuit 26 via the selector circuit 31, and processed by the CPU 2. When a transmission signal is generated in the CPU 2, the transmission signal is input from the protocol control circuit 26 to the modulation circuit 35 via the selector circuit 31, converted into a signal suitable for transmission by the modulation circuit 35, and then the antenna coil 33. Sent from

尚、図4に示す回路構成の内、RF部20のアンテナコイル33とそれに並列に接続するコンデンサ以外は、1つの集積回路装置としてモジュール化されており、接触モードでの動作で使用する外部端子(図4中、2重丸で表示)が設けられている。これらの外部端子としては、電源電圧VCCの供給を受ける電源端子、接地電圧端子GND、信号端子CL1、CL2、及び、外部リセット信号端子RSTBがある。外部リセット信号端子RSTBは、非接触モード時にはオープン状態とならないように、電源電圧VCCの電圧レベルに高抵抗の抵抗素子を介してプルアップされている。   In the circuit configuration shown in FIG. 4, except for the antenna coil 33 of the RF unit 20 and the capacitor connected in parallel thereto, it is modularized as one integrated circuit device and is used as an external terminal for operation in the contact mode. (Indicated by double circles in FIG. 4) is provided. These external terminals include a power supply terminal that receives supply of the power supply voltage VCC, a ground voltage terminal GND, signal terminals CL1 and CL2, and an external reset signal terminal RSTB. The external reset signal terminal RSTB is pulled up to a voltage level of the power supply voltage VCC via a high-resistance resistor so as not to be in an open state in the non-contact mode.

〈別実施形態〉
次に、本発明回路の別実施形態について説明する。
<Another embodiment>
Next, another embodiment of the circuit of the present invention will be described.

〈1〉本発明回路の回路構成は、上記第1及び第2実施形態において例示した回路構成に限定されるものではない。外部リセット信号端子RSTBの信号レベルによって所定の閾値が、RSTBレベルが低レベル(活性化レベル)時の方が高レベル(活性化レベル)時より低電圧となるように変更可能な回路構成であれば良い。例えば、上記第1及び第2実施形態では、電源電圧VCCを抵抗分圧によって低電圧化した第2電源電圧VCC2と定電圧の基準電圧VREFとを比較回路2で比較して、内部リセット信号PRSTBを生成する回路構成において、第2電源電圧VCC2を生成するための抵抗分圧回路1、11の分圧比を分圧比切替回路3、13で変更するように構成したが、第2電源電圧VCC2を固定して、基準電圧VREFの電圧レベルをRSTBレベルに応じて変化させる構成であっても構わない。また、第2実施形態では、モード判別信号MODEに応じて第2電源電圧VCC2が変化する構成であったが、同様に基準電圧VREFの電圧レベルをモード判別信号MODEに応じて変化させる構成であっても構わない。更に、第2電源電圧VCC2側を変化させる構成においても、必ずしも上記第1及び第2実施形態において例示した回路構成に限定されるものではない。   <1> The circuit configuration of the circuit of the present invention is not limited to the circuit configuration exemplified in the first and second embodiments. The circuit configuration can change the predetermined threshold according to the signal level of the external reset signal terminal RSTB so that the voltage when the RSTB level is low (activation level) is lower than that when the RSTB level is high (activation level). It ’s fine. For example, in the first and second embodiments, the comparison circuit 2 compares the second power supply voltage VCC2 obtained by reducing the power supply voltage VCC by resistance voltage division and the constant reference voltage VREF, and the internal reset signal PRSTB is compared. In the circuit configuration for generating the second power supply voltage VCC2, the voltage dividing ratio of the resistor voltage dividing circuits 1 and 11 for generating the second power supply voltage VCC2 is changed by the voltage dividing ratio switching circuits 3 and 13, but the second power supply voltage VCC2 is The voltage level of the reference voltage VREF may be fixed and changed according to the RSTB level. In the second embodiment, the second power supply voltage VCC2 changes according to the mode determination signal MODE. Similarly, the second power supply voltage VCC2 changes according to the mode determination signal MODE. It doesn't matter. Further, the configuration for changing the second power supply voltage VCC2 side is not necessarily limited to the circuit configuration exemplified in the first and second embodiments.

更に、上記第1実施形態では、RSTBレベルが低レベル(活性化レベル)時の動作において、パワーオンリセット解除前後で、内部リセット信号PRSTBの信号レベルに応じて第2電源電圧VCC2が変化して、電源電圧VCCの変化に対してヒステリシス特性を有する構成としたが、必ずしもヒステリシス特性を設けなくても構わない。   Furthermore, in the first embodiment, in the operation when the RSTB level is low (activation level), the second power supply voltage VCC2 changes according to the signal level of the internal reset signal PRSTB before and after canceling the power-on reset. Although the configuration has hysteresis characteristics with respect to the change in the power supply voltage VCC, the hysteresis characteristics need not necessarily be provided.

〈2〉上記第1及び第2実施形態では、本発明回路は、電源電圧VCCの立ち上がり時にコンビ型ICカードのリセット状態を制御する内部リセット信号PRSTBを出力するとともに、電源電圧VCCが所定の閾値Vtを超えて上昇したことを検出すると内部リセット信号PRSTBを解除する構成として、電源電圧VCCの変化だけを検知する構成であったが、例えば、特許文献1に開示されたようなロジック部21(図4参照)に供給される電圧VDD(図4参照)の立ち上がりを検出して第1リセット信号を生成する第1リセット回路と、外部の電力供給源から取得した電源電圧VCC(またはそれを整流する整流回路の出力電圧)の立ち上がりを検出して第2リセット信号を生成する第2リセット回路を備え(図5参照)、当該第2リセット回路に本発明回路を適用する構成とするのも好ましい。   <2> In the first and second embodiments, the circuit of the present invention outputs the internal reset signal PRSTB for controlling the reset state of the combination IC card at the rising of the power supply voltage VCC, and the power supply voltage VCC is a predetermined threshold value. As a configuration for canceling the internal reset signal PRSTB when it is detected that the voltage has risen beyond Vt, only the change in the power supply voltage VCC is detected. For example, the logic unit 21 (disclosed in Patent Document 1) A first reset circuit that detects a rising edge of a voltage VDD (see FIG. 4) supplied to the power supply voltage VCC (see FIG. 4) and generates a first reset signal, and a power supply voltage VCC acquired from an external power supply source (or rectifies it) A second reset circuit for generating a second reset signal by detecting the rise of the output voltage of the rectifier circuit (see FIG. 5), Also preferable to be configured to apply the present invention circuit the reset circuit.

本発明は、電磁波等を介して非接触で外部の電力供給源から電力を取得し、当該電源電圧を所定の電圧に変換して非接触通信動作を行う非接触型ICカードのインタフェースと、電源端子等を介して外部の電力供給源から電力を直接取得し、当該電源電圧を所定の電圧に変換して接触通信動作を行う接触型ICカードのインタフェースを併せ持った非接触・接触共用型のコンビ型ICカード、及び、それに使用するパワーオンリセット回路に利用可能である。   The present invention relates to an interface of a non-contact type IC card that acquires power from an external power supply source in a non-contact manner via electromagnetic waves, etc., converts the power source voltage into a predetermined voltage, and performs a non-contact communication operation, and a power source Non-contact / contact-combined combination that has a contact IC card interface that directly acquires power from an external power supply source via a terminal, etc., converts the power supply voltage to a predetermined voltage, and performs contact communication operation. It can be used for a type IC card and a power-on reset circuit used therefor.

本発明に係るパワーオンリセット回路の第1実施形態における概略の回路構成を示す回路図1 is a circuit diagram showing a schematic circuit configuration in a first embodiment of a power-on reset circuit according to the present invention; 本発明に係るパワーオンリセット回路の第2実施形態における概略の回路構成を示す回路図The circuit diagram which shows the schematic circuit structure in 2nd Embodiment of the power-on reset circuit which concerns on this invention. 本発明に係るパワーオンリセット回路の第2実施形態における動作を説明するための電源電圧の変化と内部リセット信号の信号レベルの関係を模式的に示す図The figure which shows typically the relationship between the change of the power supply voltage, and the signal level of an internal reset signal for demonstrating the operation | movement in 2nd Embodiment of the power-on reset circuit which concerns on this invention. 本発明に係るコンビ型ICカードの一回路構成例を示す概略のブロック図Schematic block diagram showing one circuit configuration example of a combination type IC card according to the present invention 従来のパワーオンリセット回路の概略の回路構成を示す回路ブロック図Circuit block diagram showing schematic circuit configuration of conventional power-on reset circuit

符号の説明Explanation of symbols

1、11: 抵抗分圧回路
2: 比較回路
3、13: 分圧比切替回路
4: 2入力AND回路
5、15: インバータ
6、16、17: 2入力NOR回路
7、18: NMOSトランジスタ
14: 接触/非接触モード判別回路
19: 本発明に係るパワーオンリセット回路
20: RF部
21: ロジック部
22: CPU
23: セキュリティ用プロセッサ
24: ワークRAM
25: ブートROM
26: プロトコル制御回路
27: リセット回路
28: 不揮発性メモリ部
29: 電圧制御回路部(レギュレータ回路)
30: バス制御回路
31: セレクタ回路
32: クロック発生回路
33: アンテナコイル
34: 整流回路
35: 変調回路
36: 復調回路
37: クロック抽出回路
CL1、CL2: 信号端子
GND: 接地電圧端子
PRSTB: 内部リセット信号(パワーオンリセット信号)
R1、R2、R3、R3: 分圧抵抗
RSTB: 外部リセット信号端子
SRSTB: システムリセット信号
VCC: 電源電圧
VCC2: 第2電源電圧
VDD: ロジック部と不揮発性メモリ部に供給される電圧
VPP: 不揮発性メモリ部に供給される電圧
VREF: 基準電圧
1, 11: Resistance voltage dividing circuit 2: Comparison circuit 3, 13: Voltage division ratio switching circuit 4: 2-input AND circuit 5, 15: Inverter 6, 16, 17: 2-input NOR circuit 7, 18: NMOS transistor 14: Contact / Non-contact mode discriminating circuit 19: Power-on reset circuit 20: RF unit 21: Logic unit 22: CPU
23: Security processor 24: Work RAM
25: Boot ROM
26: Protocol control circuit 27: Reset circuit 28: Non-volatile memory unit 29: Voltage control circuit unit (regulator circuit)
30: Bus control circuit 31: Selector circuit 32: Clock generation circuit 33: Antenna coil 34: Rectifier circuit 35: Modulation circuit 36: Demodulation circuit 37: Clock extraction circuit CL1, CL2: Signal terminal GND: Ground voltage terminal PRSTB: Internal reset Signal (Power-on reset signal)
R1, R2, R3, R3: Voltage dividing resistor RSTB: External reset signal terminal SRSTB: System reset signal VCC: Power supply voltage VCC2: Second power supply voltage VDD: Voltage supplied to the logic part and the non-volatile memory part VPP: Non-volatile Voltage supplied to memory VREF: reference voltage

Claims (7)

コンビ型ICカードの非接触インタフェースまたは接触インタフェースが外部の電源供給源から取得した電源電圧の立ち上がり時に前記コンビ型ICカードのリセット状態を制御する内部リセット信号を出力するとともに、前記電源電圧が所定の閾値を超えて上昇したことを検出すると前記内部リセット信号を解除するパワーオンリセット回路であって、
前記コンビ型ICカードが接触型ICカードとして機能する場合において外部装置から直接供給される外部リセット信号の入力端子である外部リセット信号端子の信号レベルが活性化レベルと非活性化レベルでは、活性化レベル時の方が、非活性化レベル時より前記所定の閾値が低電圧に設定されることを特徴とするパワーオンリセット回路。
An internal reset signal for controlling the reset state of the combination IC card is output at the time of rising of the power supply voltage acquired by the contactless interface or the contact interface of the combination IC card from the external power supply source, and the power supply voltage is set to a predetermined value. A power-on reset circuit that cancels the internal reset signal when it detects that the threshold value has been exceeded.
When the combination type IC card functions as a contact type IC card, it is activated when the signal level of the external reset signal terminal which is an input terminal of the external reset signal directly supplied from the external device is the activation level and the deactivation level. The power-on reset circuit characterized in that the predetermined threshold is set to a lower voltage at the level than at the inactivation level.
前記外部リセット信号端子の信号レベルが非活性化レベルの場合、前記内部リセット信号が解除されると、前記所定の閾値の設定値が低下することを特徴とする請求項1に記載のパワーオンリセット回路。   2. The power-on reset according to claim 1, wherein when the signal level of the external reset signal terminal is an inactivation level, the set value of the predetermined threshold decreases when the internal reset signal is released. circuit. 前記内部リセット信号が解除された後の前記所定の閾値の低下した後の設定値が、接触モードと非接触モードを判別するモード判別信号によって切り替え可能に構成されていることを特徴とする請求項2に記載のパワーオンリセット回路。   The setting value after the predetermined threshold value after the internal reset signal is released is configured to be switchable by a mode determination signal for determining a contact mode and a non-contact mode. 3. A power-on reset circuit according to 2. 前記電源電圧を分圧抵抗により分圧して低電圧化した第2電源電圧を生成する抵抗分圧回路と、
前記コンビ型ICカード内で前記電源電圧を所定の電圧に変換するレギュレータ回路で用いられる一定電圧の基準電圧と、前記第2電源電圧を比較する比較回路を備え、
前記分圧抵抗による分圧比が、前記外部リセット信号端子の信号レベルによって切り替え可能に構成されていることを特徴とする請求項1に記載のパワーオンリセット回路。
A resistance voltage dividing circuit for generating a second power supply voltage by dividing the power supply voltage by a voltage dividing resistor to reduce the voltage;
A comparison circuit that compares the second power supply voltage with a constant voltage reference voltage used in a regulator circuit that converts the power supply voltage into a predetermined voltage in the combination IC card;
2. The power-on reset circuit according to claim 1, wherein a voltage dividing ratio by the voltage dividing resistor is configured to be switchable according to a signal level of the external reset signal terminal.
前記外部リセット信号端子の信号レベルが非活性化レベルの場合、前記分圧抵抗による分圧比が、前記比較回路の出力レベルによって切り替わることで、前記内部リセット信号が解除されると、前記所定の閾値の設定値が低下するように構成されていることを特徴とする請求項4に記載のパワーオンリセット回路。   When the signal level of the external reset signal terminal is an inactivation level, the voltage dividing ratio by the voltage dividing resistor is switched according to the output level of the comparison circuit, so that when the internal reset signal is released, the predetermined threshold value The power-on reset circuit according to claim 4, wherein the set value is reduced. 前記外部リセット信号端子の信号レベルが非活性化レベルの場合、前記分圧抵抗による分圧比が、接触モードと非接触モードを判別するモード判別信号によって切り替わることで、前記内部リセット信号が解除された後の前記所定の閾値の低下した後の設定値が、接触モードと非接触モードを判別するモード判別信号によって切り替え可能に構成されていることを特徴とする請求項5に記載のパワーオンリセット回路。   When the signal level of the external reset signal terminal is an inactivation level, the voltage dividing ratio by the voltage dividing resistor is switched by a mode determination signal for determining a contact mode and a non-contact mode, thereby releasing the internal reset signal. 6. The power-on reset circuit according to claim 5, wherein a setting value after the predetermined threshold value is lowered can be switched by a mode discrimination signal for discriminating between a contact mode and a non-contact mode. . 請求項1〜6の何れか1項に記載のパワーオンリセット回路を備えたことを特徴とするコンビ型ICカード。
A combination-type IC card comprising the power-on reset circuit according to claim 1.
JP2007299355A 2007-11-19 2007-11-19 Power-on reset circuit and combination IC card Expired - Fee Related JP4268655B1 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007299355A JP4268655B1 (en) 2007-11-19 2007-11-19 Power-on reset circuit and combination IC card
PCT/JP2008/070442 WO2009066575A1 (en) 2007-11-19 2008-11-11 Power-on reset circuit, and combination type ic card
TW097144286A TWI382303B (en) 2007-11-19 2008-11-14 Power supply reset circuit and combination IC card

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007299355A JP4268655B1 (en) 2007-11-19 2007-11-19 Power-on reset circuit and combination IC card

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP4268655B1 true JP4268655B1 (en) 2009-05-27
JP2009123168A JP2009123168A (en) 2009-06-04

Family

ID=40667400

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007299355A Expired - Fee Related JP4268655B1 (en) 2007-11-19 2007-11-19 Power-on reset circuit and combination IC card

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP4268655B1 (en)
TW (1) TWI382303B (en)
WO (1) WO2009066575A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102244508A (en) * 2010-04-28 2011-11-16 三美电机株式会社 Power-on reset circuit

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8531194B2 (en) * 2011-03-24 2013-09-10 Freescale Semiconductor, Inc. Selectable threshold reset circuit
EP3226333B1 (en) 2014-11-25 2019-06-05 Zeon Corporation Binder for nonaqueous secondary batteries, composition for nonaqueous secondary battery functional layers, functional layer for nonaqueous secondary batteries, and nonaqueous secondary battery
JP7075715B2 (en) * 2016-10-28 2022-05-26 ラピスセミコンダクタ株式会社 Semiconductor device and power-on reset signal generation method
JP6746659B2 (en) 2018-11-09 2020-08-26 華邦電子股▲ふん▼有限公司Winbond Electronics Corp. Memory device and built-in self-test method
JP7494610B2 (en) 2020-07-10 2024-06-04 セイコーエプソン株式会社 Circuit device and real-time clock device

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3922501B2 (en) * 1998-12-10 2007-05-30 ソニー株式会社 Power supply device and card-like storage medium
JP3885922B2 (en) * 2000-03-07 2007-02-28 株式会社ルネサステクノロジ Semiconductor chip and IC card and RFID using the same
JP3904859B2 (en) * 2001-07-30 2007-04-11 シャープ株式会社 Power-on reset circuit and IC card having the same
JP4124692B2 (en) * 2003-04-25 2008-07-23 シャープ株式会社 Nonvolatile semiconductor memory device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102244508A (en) * 2010-04-28 2011-11-16 三美电机株式会社 Power-on reset circuit
CN102244508B (en) * 2010-04-28 2015-04-22 三美电机株式会社 Power-on reset circuit

Also Published As

Publication number Publication date
TWI382303B (en) 2013-01-11
JP2009123168A (en) 2009-06-04
TW200933353A (en) 2009-08-01
WO2009066575A1 (en) 2009-05-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3904859B2 (en) Power-on reset circuit and IC card having the same
JP4238265B2 (en) Semiconductor integrated circuit and non-contact information system equipped with the same
US8138893B2 (en) Semiconductor integrated circuit device
JP4268655B1 (en) Power-on reset circuit and combination IC card
EP2235839B1 (en) Near field rf communicators
US8301915B2 (en) Semiconductor integrated circuit device and IC card using the same
US20090011706A1 (en) Near field RF communicators and near field communications-enabled devices
JP4854604B2 (en) Semiconductor integrated circuit, card equipped with the same, and operation method thereof
JP5215154B2 (en) Semiconductor integrated circuit device, non-contact / contact electronic device using the same, and portable information terminal
US20070246546A1 (en) Information Processing Terminal, IC Card, Portable Communication Device, Wireless Communication Method, and Program
JP2009130896A (en) Id tag
US6659352B1 (en) Semiconductor integrated circuit, a contactless information medium having the semiconductor integrated circuit, and a method of driving the semiconductor integrated circuit
JP2002319007A (en) Semiconductor integrated circuit and noncontact information medium mounted therewith
JP2003346113A (en) Combination type ic card
JP2000172806A (en) Non-contact ic card
EP3736662A1 (en) Power supply management for a data storage device
WO2007135434A1 (en) Near field rf communicators and near field communications-enabled devices
JP4977090B2 (en) Load modulation circuit, integrated circuit, and IC card
JP2001043327A (en) Presence/absence detection circuit for proximity ic card
JP3904860B2 (en) Power supply device, semiconductor circuit device, and IC card
JP2019047714A (en) Power supply method and electronic card using the same
JP2005293597A (en) Semiconductor integrated circuit and contactless type information medium with it mounted
JP4260165B2 (en) Non-contact IC card presence / absence detection circuit
JP2005222278A (en) Inlet for non-contact ic medium, non-contact ic medium, and communication system using it
JP2009295046A (en) Contactless ic card, communication method, program, and communication system

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090127

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090220

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120227

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120227

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130227

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130227

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140227

Year of fee payment: 5

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees