JP4244920B2 - Semiconductor sensor - Google Patents

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Description

本発明は、半導体センサに関するものである。   The present invention relates to a semiconductor sensor.

従来、パッケージと蓋とによって封止される半導体センサとして特許文献１に示すものがあった。図６は、特許文献１に示す半導体センサ１００の概略構成を示すブロック図である。   Conventionally, there has been one disclosed in Patent Document 1 as a semiconductor sensor sealed by a package and a lid. FIG. 6 is a block diagram showing a schematic configuration of the semiconductor sensor 100 disclosed in Patent Document 1. As shown in FIG.

図６に示すように、特許文献１における半導体センサ１００は、パッケージ部材１、接着フィルム２、ＩＣチップ３、接着フィルム４、半導体センサチップ５、ワイヤ６ａ、６ｂ、蓋７、金属部材８、パッド１ａ、３ａ、５ａなどを備える。   As shown in FIG. 6, the semiconductor sensor 100 in Patent Document 1 includes a package member 1, an adhesive film 2, an IC chip 3, an adhesive film 4, a semiconductor sensor chip 5, wires 6a and 6b, a lid 7, a metal member 8, and a pad. 1a, 3a, 5a and the like.

パッケージ部材１は、各部材を収納する凹部１ｂが形成されており、この凹部１ｂの底面上には、接着フィルム２を介してＩＣチップ３が搭載される。そして、ＩＣチップ３の上には、接着フィルム４を介して梁構造体からなるセンシング部５６を備える半導体センサチップ５が搭載される。   The package member 1 is formed with a recess 1b for housing each member, and an IC chip 3 is mounted on the bottom surface of the recess 1b via an adhesive film 2. Then, on the IC chip 3, the semiconductor sensor chip 5 including the sensing unit 56 made of a beam structure is mounted via the adhesive film 4.

また、パッケージ部材１、ＩＣチップ３及び半導体センサチップ５にはそれぞれ、アルミ等よりなるワイヤボンディング用のパッド１ａ、３ａ、５ａが形成される。そして、パッケージ部材１とＩＣチップ３は、パッド１ａと３ａをつなぐワイヤ６ａによって電気的に接続され、ＩＣチップ３と半導体センサチップ５は、パッド３ａと５ａをつなぐワイヤ６ｂによって電気的に接続される。そして、パッケージ部材１は、パッケージ部材１にろう付けされた金属部材８に対して蓋７を溶接することによって、パッケージ部材１の開口部を覆うように蓋７が取付固定される。
特開２００３−２７０２６４号公報 The package member 1, the IC chip 3 and the semiconductor sensor chip 5 are respectively formed with wire bonding pads 1a, 3a and 5a made of aluminum or the like. The package member 1 and the IC chip 3 are electrically connected by a wire 6a that connects the pads 1a and 3a, and the IC chip 3 and the semiconductor sensor chip 5 are electrically connected by a wire 6b that connects the pads 3a and 5a. The The package member 1 is attached and fixed so as to cover the opening of the package member 1 by welding the lid 7 to the metal member 8 brazed to the package member 1.
JP 2003-270264 A

上記特許文献１に示す半導体センサにおいては、半導体センサチップ５をパッケージ部材１と蓋７とによって封止することで外部からの異物の進入を遮断することは可能である。   In the semiconductor sensor disclosed in Patent Document 1, it is possible to block the entry of foreign matter from the outside by sealing the semiconductor sensor chip 5 with the package member 1 and the lid 7.

しかしながら、パッケージ部材１内に異物が存在している状態でパッケージ部材１の開口部に蓋７を固定すると、パッケージ部材１と蓋７とによって異物を閉じ込めてしまうこととなる。そのため、閉じ込められた異物が移動し、半導体センサチップ５のセンシング部５６に付着することによって、半導体センサチップ５の特性不良が発生する可能性があった。   However, if the lid 7 is fixed to the opening of the package member 1 in a state where the foreign matter is present in the package member 1, the foreign matter is confined by the package member 1 and the lid 7. For this reason, the trapped foreign matter moves and adheres to the sensing unit 56 of the semiconductor sensor chip 5, which may cause a characteristic defect of the semiconductor sensor chip 5.

本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、半導体センサチップの特性不良の発生を抑制することができる半導体センサを提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a semiconductor sensor capable of suppressing the occurrence of defective characteristics of a semiconductor sensor chip.

上記目的を達成するために請求項１に記載の半導体センサは、センシング部を備える半導体センサチップと、半導体センサチップを搭載する搭載面を有するパッケージ部材と、パッケージ部材と接合することによって半導体センサチップを封止する蓋部材と、パッケージ部材と蓋部材とによって形成される空間において、半導体センサチップの上部空間とその上部空間の周辺空間とを仕切る仕切部材とを備え、仕切部材は、蓋部材に設けられており、センシング部周囲に達することを特徴とするものである。 In order to achieve the above object, a semiconductor sensor according to claim 1 is a semiconductor sensor chip including a semiconductor sensor chip having a sensing portion, a package member having a mounting surface on which the semiconductor sensor chip is mounted, and the package member. a lid member for sealing, in a space formed by the package member and the lid member, and a partition member that partitions the upper space of the semiconductor sensor chip and the peripheral space of the upper space, the partition member, the lid member provided, it is characterized in Rukoto to reach around the sensing portion.

このように、半導体センサチップの上部空間とその上部空間の周辺空間とを仕切る仕切部材を備えることによって、パッケージ部材と蓋部材とによって閉じ込められた異物がセンシング部に付着することを低減し、半導体センサチップの特性不良の発生を抑制することができる。また、仕切部材は蓋部材に設けられ、半導体センサチップにおけるセンシング部周囲に達することによって、半導体センサチップと仕切部材との隙間を略なくすことができるため、異物がセンシング部に付着することをより一層抑制することがきる。 As described above, by providing the partition member that partitions the upper space of the semiconductor sensor chip and the peripheral space of the upper space, it is possible to reduce the adhesion of the foreign matter confined by the package member and the lid member to the sensing unit. It is possible to suppress the occurrence of sensor chip characteristic defects. Further, the partition member is provided on the lid member, and by reaching the periphery of the sensing part in the semiconductor sensor chip, the gap between the semiconductor sensor chip and the partition member can be substantially eliminated, so that foreign matter can be prevented from adhering to the sensing part. It can be further suppressed.

また、請求項２に示すように、仕切部材と半導体センサチップとを接続する接着剤を備えることによっても半導体センサチップと仕切部材との隙間を略なくすことができる。Further, as shown in claim 2, the gap between the semiconductor sensor chip and the partition member can be substantially eliminated by providing an adhesive for connecting the partition member and the semiconductor sensor chip.

また、センシング部としては、請求項３に示すように、可動電極と固定電極とを備え、可動電極と固定電極との間の静電容量を検出信号として出力するものとすることができる。このように可動電極と固定電極との間の静電容量の変化によって検出する場合、異物が可動電極と固定電極との間に入り込むことによって生じる静電容量の変化を抑制することができる。 Further, as shown in claim 3, the sensing unit includes a movable electrode and a fixed electrode, and outputs a capacitance between the movable electrode and the fixed electrode as a detection signal. Thus, when detecting by the change of the electrostatic capacitance between a movable electrode and a fixed electrode, the change of the electrostatic capacitance which arises when a foreign material enters between a movable electrode and a fixed electrode can be suppressed.

さらに、請求項４に示すように、仕切部材は、半導体センサチップにおけるセンシング部周囲に対向する領域に形成されることを特徴とするものである。このように、仕切部材を半導体センサチップにおけるセンシング部周囲に対向する領域に設けることによって、半導体センサチップと仕切部材との隙間を小さくすることができるため、異物がセンシング部に付着することをより一層抑制することがきる。Further, according to a fourth aspect of the present invention, the partition member is formed in a region facing the periphery of the sensing portion in the semiconductor sensor chip. In this way, by providing the partition member in the region facing the periphery of the sensing part in the semiconductor sensor chip, the gap between the semiconductor sensor chip and the partition member can be reduced, so that foreign matter can be prevented from adhering to the sensing part. It can be further suppressed.

また、請求項５に示すように、半導体センサでは、半導体センサチップから出力される検出信号を処理するための処理回路が形成された処理回路チップを、パッケージ部材と蓋部材とによって封止される空間内に収容することができる。また、半導体センサチップは、請求項６に示すように処理回路チップ上に搭載することができる。 Further, as shown in claim 5, in the semiconductor sensor, a processing circuit chip processing circuit for processing the detection signal output from the semiconductor sensor chip is formed, it is sealed by a package member and the lid member It can be accommodated in a space. The semiconductor sensor chip can be mounted on the processing circuit chip as shown in claim 6 .

以下、本発明の実施の形態について図面に基づいて説明する。図１は、本発明の実施の形態における半導体センサ１００の概略構成を示すブロック図である。なお、本実施の形態に示す半導体センサ１００は、静電容量式の加速度センサに適用した例を用いて説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a semiconductor sensor 100 according to an embodiment of the present invention. Note that the semiconductor sensor 100 described in this embodiment is described using an example applied to a capacitance-type acceleration sensor.

図１に示すように、半導体センサ１００は、パッケージ部材１０、ＩＣチップ３０（本発明でいう処理回路チップ）、半導体センサチップ５０、蓋７０などを備える。   As shown in FIG. 1, the semiconductor sensor 100 includes a package member 10, an IC chip 30 (a processing circuit chip referred to in the present invention), a semiconductor sensor chip 50, a lid 70, and the like.

パッケージ部材１０は、ＩＣチップ３０、半導体センサチップ５０などを収納するものであり、セラミックなどからなる。パッケージ部材１０は、アルミなどからなるワイヤボンディング用のパッド１０ａ、開口部周辺に鉄系金属等よりなる蓋７０を溶接するための金属からなる接続部材８０などを備える。この接続部材８０と蓋７０とを溶接することによって、パッケージ部材１０は封止され、外部からパッケージ部材１０内に異物が進入することを防止している。なお、パッド１０ａは、図示しない配線などによってパッケージ部材１０の外部と電気的に接続可能となっている。   The package member 10 houses the IC chip 30, the semiconductor sensor chip 50, etc., and is made of ceramic or the like. The package member 10 includes a wire bonding pad 10a made of aluminum or the like, a connection member 80 made of metal for welding a lid 70 made of iron-based metal or the like around the opening, and the like. By welding the connecting member 80 and the lid 70, the package member 10 is sealed, and foreign matter is prevented from entering the package member 10 from the outside. Note that the pad 10a can be electrically connected to the outside of the package member 10 by wiring or the like (not shown).

上記蓋７０は、半導体センサチップ５０の梁構造体５１（本発明でいうセンシング部）を囲う仕切部材９０を備える。この仕切部材９０は、パッケージ部材１０に付着している異物Ｄが移動することによって、梁構造体５１に付着するのを抑制するためのものである。なお、蓋７０は、金型内に鉄系金属等の溶湯を射出するなどによって成形されるものである。   The lid 70 includes a partition member 90 that surrounds the beam structure 51 (the sensing unit referred to in the present invention) of the semiconductor sensor chip 50. This partition member 90 is for suppressing the foreign matter D adhering to the package member 10 from adhering to the beam structure 51 due to movement. The lid 70 is formed by injecting a molten metal such as an iron-based metal into a mold.

ＩＣチップ３０は、半導体センサチップ５０から出力される検出信号（容量信号）を電圧等の信号に変換するなどの処理を行うための処理回路である。また、ＩＣチップ３０は、アルミなどからなるワイヤボンディング用のパッド３０ａ、３０ｂを備える。   The IC chip 30 is a processing circuit for performing processing such as converting a detection signal (capacitance signal) output from the semiconductor sensor chip 50 into a signal such as a voltage. The IC chip 30 includes wire bonding pads 30a and 30b made of aluminum or the like.

半導体センサチップ５０は、容量変化に基づいて加速度を検出する静電容量式加速度センサチップである。この半導体センサチップ５０は、第１シリコン基板と第２シリコン基板とを酸化膜を介して貼り合わせてなるＳＯＩ（シリコン・オン・インシュレータ）基板により構成される。そして、半導体センサチップ５０は、一方のシリコン基板に形成される可動電極と固定電極とからなる梁構造体５１を備える。   The semiconductor sensor chip 50 is a capacitive acceleration sensor chip that detects acceleration based on a change in capacitance. The semiconductor sensor chip 50 is composed of an SOI (silicon-on-insulator) substrate in which a first silicon substrate and a second silicon substrate are bonded together via an oxide film. The semiconductor sensor chip 50 includes a beam structure 51 including a movable electrode and a fixed electrode formed on one silicon substrate.

この半導体センサチップ５０は、半導体センサチップ５０に印加される加速度によって可動電極が変位し、この可動電極の変位量に基づいて可動電極と固定電極との間の静電容量が変化する。そして、半導体センサチップ５０は、静電容量の変化を検出信号（容量信号）として出力する。   In the semiconductor sensor chip 50, the movable electrode is displaced by the acceleration applied to the semiconductor sensor chip 50, and the capacitance between the movable electrode and the fixed electrode changes based on the displacement amount of the movable electrode. Then, the semiconductor sensor chip 50 outputs a change in capacitance as a detection signal (capacitance signal).

ＩＣチップ３０、半導体センサチップ５０をパッケージ部材１０内に収納する場合、ＩＣチップ３０は、パッケージ部材１０内の底面におけるチップ搭載部に、フィルム状接着材（以下、接着フィルムとも称する）２０を介して搭載（接合）される。そして、ＩＣチップ３０の上に、フィルム状接着材４０を介して半導体センサチップ５０が搭載（接合）される。なお、接着フィルム４０は、熱硬化性樹脂もしくは熱可塑性樹脂よりなるフィルムを採用することができる。例えば、ポリイミド系樹脂やアクリル系樹脂が採用できる。   When the IC chip 30 and the semiconductor sensor chip 50 are housed in the package member 10, the IC chip 30 is placed on a chip mounting portion on the bottom surface in the package member 10 via a film adhesive (hereinafter also referred to as an adhesive film) 20. Mounted (joined). Then, the semiconductor sensor chip 50 is mounted (bonded) on the IC chip 30 via the film adhesive 40. The adhesive film 40 may be a film made of a thermosetting resin or a thermoplastic resin. For example, a polyimide resin or an acrylic resin can be employed.

また、パッケージ部材１０とＩＣチップ３０は、パッド１０ａと３０ａをつなぐワイヤ６０ａによって電気的に接続され、ＩＣチップ３０と半導体センサチップ５０は、パッド３０ｂと５０ａをつなぐワイヤ６０ｂによって電気的に接続されている。なお、これらワイヤ６０ａ、６０ｂは金やアルミ等により形成される。   The package member 10 and the IC chip 30 are electrically connected by a wire 60a that connects the pads 10a and 30a, and the IC chip 30 and the semiconductor sensor chip 50 are electrically connected by a wire 60b that connects the pads 30b and 50a. ing. The wires 60a and 60b are formed of gold, aluminum, or the like.

このように蓋７０に梁構造体５１を囲う仕切部材９０を設けることによって、パッケージ部材１０の表面などに異物Ｄが存在していた場合でも、異物Ｄの移動を仕切部材９０で抑制することができる。したがって、異物Ｄが内部に残った状態で蓋７０にてパッケージ部材１０の開口を塞いだとしても、パッケージ部材１０内における異物Ｄの移動を低減することができ、梁構造体５１に異物Ｄが付着することによって生じる半導体センサチップ１０の特性不良を抑制することができる。   By providing the partition member 90 that surrounds the beam structure 51 in the lid 70 as described above, even when the foreign material D exists on the surface of the package member 10 or the like, the movement of the foreign material D can be suppressed by the partition member 90. it can. Therefore, even if the opening of the package member 10 is closed with the lid 70 with the foreign matter D remaining inside, the movement of the foreign matter D in the package member 10 can be reduced, and the foreign matter D is present in the beam structure 51. The characteristic defect of the semiconductor sensor chip 10 caused by the adhesion can be suppressed.

ここで、半導体センサ１００の製造方法について説明する。図２（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１の実施の形態における半導体センサ１００の製造方法を示す工程別断面図である。   Here, a method for manufacturing the semiconductor sensor 100 will be described. 2 (a) to 2 (c) are cross-sectional views illustrating the method of manufacturing the semiconductor sensor 100 according to the first embodiment of the present invention.

まず、図２（ａ）に示すように、裏面（パッケージ部材１０に対向する面）に接着フィルム２０が貼り付いた状態のＩＣチップ３０をパッケージ部材１０におけるチップ搭載部上に搭載する。このＩＣチップ３０をパッケージ部材１０に搭載する場合、ＩＣチップ３０が実装されたパッケージ部材１０を所定の温度（約２３０℃）に加熱されたステージ（図示せず）上に置く。次に、接着フィルム２０が貼り付いた状態のＩＣチップ３０を、パッケージ部材１０上に加熱圧着する。その後、オーブン等を用いて接着フィルム２０を本硬化する（約１９０℃、１時間）。このようにして、ＩＣチップ３０が接着フィルム２０を介してパッケージ部材１０と接合される。なお、パッケージ部材１０には、予めワイヤボンディング用のパッド１０ａ、接続部材８０が形成されている。   First, as shown in FIG. 2A, the IC chip 30 with the adhesive film 20 attached to the back surface (the surface facing the package member 10) is mounted on the chip mounting portion of the package member 10. When the IC chip 30 is mounted on the package member 10, the package member 10 on which the IC chip 30 is mounted is placed on a stage (not shown) heated to a predetermined temperature (about 230 ° C.). Next, the IC chip 30 with the adhesive film 20 attached thereto is heat-pressed on the package member 10. Thereafter, the adhesive film 20 is fully cured using an oven or the like (about 190 ° C., 1 hour). In this way, the IC chip 30 is bonded to the package member 10 via the adhesive film 20. The package member 10 is formed with wire bonding pads 10a and connection members 80 in advance.

次に、図２（ｂ）に示すように、ワイヤボンディング用のパッド５０ａが形成され、裏面（梁構造体５１の反対面）に接着フィルム４０が貼り付いた状態の半導体センサチップ５０を、ＩＣチップ３０の上に搭載する。この半導体センサチップ５０をＩＣチップ３０の上に搭載する場合、ＩＣチップ３０が実装されたパッケージ部材１０を所定の温度（約２３０℃）に加熱されたステージ（図示せず）上に置く。次に、接着フィルム４０が貼り付いた状態の半導体センサチップ５０を、ＩＣチップ３０上に加熱圧着する。その後、オーブン等を用いて接着フィルム４０を本硬化する（約１９０℃、１時間）。このようにして、半導体センサチップ５０が接着フィルム４０を介してＩＣチップ３０と接合される。   Next, as shown in FIG. 2B, the semiconductor sensor chip 50 in a state where the wire bonding pad 50a is formed and the adhesive film 40 is attached to the back surface (opposite surface of the beam structure 51) is formed as an IC. Mounted on the chip 30. When the semiconductor sensor chip 50 is mounted on the IC chip 30, the package member 10 on which the IC chip 30 is mounted is placed on a stage (not shown) heated to a predetermined temperature (about 230 ° C.). Next, the semiconductor sensor chip 50 with the adhesive film 40 attached thereto is heat-pressed on the IC chip 30. Thereafter, the adhesive film 40 is fully cured using an oven or the like (about 190 ° C., 1 hour). In this way, the semiconductor sensor chip 50 is bonded to the IC chip 30 via the adhesive film 40.

続いて、ワイヤボンダ（図示せず）によってワイヤ６０ａをパッド１０ａと３０ａ、ワイヤ６０ｂをパッド３０ｂと５０ａとにワイヤボンディングする。このようにして、パッド１０ａとパッド３０ａ、パッド３０ｂとパッド５０ａとが電気的に接続され、パッケージ部材１０とＩＣチップ３０、ＩＣチップ３０と半導体センサチップ５０とが電気的に接続される。   Subsequently, the wire 60a is wire-bonded to the pads 10a and 30a and the wire 60b is wire-bonded to the pads 30b and 50a by a wire bonder (not shown). In this way, the pad 10a and the pad 30a, the pad 30b and the pad 50a are electrically connected, and the package member 10 and the IC chip 30, and the IC chip 30 and the semiconductor sensor chip 50 are electrically connected.

次に、図２（ｃ）に示すように、ＩＣチップ３０、半導体センサチップ５０などが搭載されたパッケージ部材１０及び蓋７０をクリーンな状態に維持しつつ、接続部材８０と仕切部材９０を備える蓋７０とを溶接することによって、パッケージ部材１０を封止する。   Next, as shown in FIG. 2C, the connection member 80 and the partition member 90 are provided while maintaining the package member 10 and the lid 70 on which the IC chip 30, the semiconductor sensor chip 50, etc. are mounted in a clean state. The package member 10 is sealed by welding the lid 70.

（第２の実施の形態）
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。図３は、本発明の第２の実施の形態における半導体センサ１００の概略構成を示すブロック図である。 (Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 3 is a block diagram showing a schematic configuration of the semiconductor sensor 100 according to the second embodiment of the present invention.

第２の実施の形態における半導体センサ１００は、上述の第１の実施の形態によるものと共通するところが多いので、以下、共通部分についての詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。第２の実施の形態において、上述の第１の実施の形態と異なる点は、仕切部材９０の形成位置を変更する点である。   Since the semiconductor sensor 100 according to the second embodiment is often in common with that according to the first embodiment described above, a detailed description of common parts will be omitted, and different parts will be described mainly. The second embodiment is different from the first embodiment described above in that the formation position of the partition member 90 is changed.

図３に示すように、仕切部材９０を半導体センサチップ３０に対向する位置に設ける。このように、仕切部材９０を半導体センサチップ３０に対向する位置に設けることによって、仕切部材９０と半導体センサチップ３０との間隔を小さくすることができ、異物Ｄが梁構造体５１に付着することをより一層抑制することができる。   As shown in FIG. 3, the partition member 90 is provided at a position facing the semiconductor sensor chip 30. Thus, by providing the partition member 90 at a position facing the semiconductor sensor chip 30, the distance between the partition member 90 and the semiconductor sensor chip 30 can be reduced, and the foreign matter D adheres to the beam structure 51. Can be further suppressed.

また、仕切部材９０は、半導体センサチップ３０に対向する位置において、梁構造体５１に近い領域に設けるとさらに好ましい。   The partition member 90 is more preferably provided in a region near the beam structure 51 at a position facing the semiconductor sensor chip 30.

（第３の実施の形態）
次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。図４は、本発明の第３の実施の形態における半導体センサ１００の概略構成を示すブロック図である。 (Third embodiment)
Next, a third embodiment of the present invention will be described. FIG. 4 is a block diagram showing a schematic configuration of the semiconductor sensor 100 according to the third embodiment of the present invention.

第３の実施の形態における半導体センサ１００は、上述の第１及び第２の実施の形態によるものと共通するところが多いので、以下、共通部分についての詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。第３の実施の形態において、上述の第１及び第２の実施の形態と異なる点は、仕切部材９０の長さを変更する点である。   Since the semiconductor sensor 100 according to the third embodiment is common in common with those according to the first and second embodiments described above, a detailed description of common parts will be omitted below, and different parts will be emphasized. explain. The third embodiment is different from the first and second embodiments described above in that the length of the partition member 90 is changed.

図４に示すように、仕切部材９０を半導体センサチップ３０に達するように設ける。このように、仕切部材９０を半導体センサチップ３０に達するように設けることによって、仕切部材９０と半導体センサチップ３０との間隔を略なくすことができ、異物Ｄが梁構造体５１に付着することをより一層抑制することができる。   As shown in FIG. 4, the partition member 90 is provided so as to reach the semiconductor sensor chip 30. Thus, by providing the partition member 90 so as to reach the semiconductor sensor chip 30, the interval between the partition member 90 and the semiconductor sensor chip 30 can be substantially eliminated, and the foreign matter D adheres to the beam structure 51. Further suppression can be achieved.

（第４の実施の形態）
次に、本発明の第４の実施の形態について説明する。図５は、本発明の第４の実施の形態における半導体センサ１００の概略構成を示すブロック図である。 (Fourth embodiment)
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described. FIG. 5 is a block diagram showing a schematic configuration of the semiconductor sensor 100 according to the fourth embodiment of the present invention.

第４の実施の形態における半導体センサ１００の製造方法は、上述の第１乃至第３の実施の形態によるものと共通するところが多いので、以下、共通部分についての詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。第４の実施の形態において、上述の第１乃至第３の実施の形態と異なる点は、接着剤９１を用いる点である。   Since the manufacturing method of the semiconductor sensor 100 according to the fourth embodiment is often the same as that according to the first to third embodiments described above, the detailed description of the common parts will be omitted below, and the different parts will be omitted. Explain mainly. The fourth embodiment is different from the first to third embodiments described above in that an adhesive 91 is used.

図５に示すように、仕切部材９０と半導体センサチップ３０とを接着剤９１にて接続する。このように、仕切部材９０と半導体センサチップ３０とを接着剤９１にて接続することによっても、仕切部材９０と半導体センサチップ３０との間隔を略なくすことができ、異物Ｄが梁構造体５１に付着することをより一層抑制することができる。   As shown in FIG. 5, the partition member 90 and the semiconductor sensor chip 30 are connected by an adhesive 91. As described above, by connecting the partition member 90 and the semiconductor sensor chip 30 with the adhesive 91, the distance between the partition member 90 and the semiconductor sensor chip 30 can be substantially eliminated, and the foreign matter D becomes the beam structure 51. It can suppress further that it adheres to.

なお、上述の第１乃至第４の実施の形態においては、半導体センサ１００を加速度センサに適用した例を用いて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、半導体センサ１００は、圧力センサ、ヨーレイトセンサ、赤外線センサなどであってもよい。   In the first to fourth embodiments described above, the example in which the semiconductor sensor 100 is applied to an acceleration sensor has been described. However, the present invention is not limited to this. For example, the semiconductor sensor 100 may be a pressure sensor, a yaw rate sensor, an infrared sensor, or the like.

また、上述の第１乃至第４実施の形態においては、半導体センサチップ５０をＩＣチップ３０上に搭載する例を用いて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。半導体センサチップ５０とＩＣチップ３０とを並列に搭載してもよい。さらに、パッケージ部材１０内には、半導体センサチップ５０のみを搭載するようにしてもよい。   In the first to fourth embodiments, the semiconductor sensor chip 50 is mounted on the IC chip 30. However, the present invention is not limited to this. The semiconductor sensor chip 50 and the IC chip 30 may be mounted in parallel. Further, only the semiconductor sensor chip 50 may be mounted in the package member 10.

また、上述の第１乃至第４実施の形態においては、パッケージ部材１０内に半導体センサチップ５０などを収容する例を用いて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。半導体センサチップ５０などが搭載された略平面形状のパッケージ部材１０に箱状の蓋７０を被せるようにしてもよい。   In the first to fourth embodiments described above, the example has been described in which the semiconductor sensor chip 50 is accommodated in the package member 10, but the present invention is not limited to this. A box-shaped lid 70 may be placed on the substantially planar package member 10 on which the semiconductor sensor chip 50 or the like is mounted.

本発明の第１の実施の形態における半導体センサ１００の概略構成を示すブロック図である。1 is a block diagram showing a schematic configuration of a semiconductor sensor 100 according to a first embodiment of the present invention. （ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１の実施の形態における半導体センサ１００の製造方法を示す工程別断面図である。(A)-(c) is sectional drawing according to process which shows the manufacturing method of the semiconductor sensor 100 in the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施の形態における半導体センサ１００の概略構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows schematic structure of the semiconductor sensor 100 in the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第３の実施の形態における半導体センサ１００の概略構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows schematic structure of the semiconductor sensor 100 in the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第４の実施の形態における半導体センサ１００の概略構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows schematic structure of the semiconductor sensor 100 in the 4th Embodiment of this invention. 従来技術における半導体センサ１００の概略構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows schematic structure of the semiconductor sensor 100 in a prior art.

符号の説明Explanation of symbols

１０ パッケージ部材、１０ａ パッド、２０ 接着フィルム、３０ ＩＣチップ、３０ａ、３０ｂ パッド、４０ 接着フィルム、５０ 半導体センサチップ、５１ 梁構造体、５０ａ パッド、６０ａ、６０ｂ ワイヤ、７０ 蓋、８０ 接続部材、９０ 仕切部材、９１ 接着剤、１００ 半導体センサ 10 package member, 10a pad, 20 adhesive film, 30 IC chip, 30a, 30b pad, 40 adhesive film, 50 semiconductor sensor chip, 51 beam structure, 50a pad, 60a, 60b wire, 70 lid, 80 connecting member, 90 Partition member, 91 adhesive, 100 semiconductor sensor

Claims (6)

センシング部を備える半導体センサチップと、
前記半導体センサチップを搭載する搭載面を有するパッケージ部材と、
前記パッケージ部材と接合することによって前記半導体センサチップを封止する蓋部材と、
前記パッケージ部材と前記蓋部材とによって形成される空間において、前記半導体センサチップの上部空間と当該上部空間の周辺空間とを仕切る仕切部材とを備え、
前記仕切部材は、前記蓋部材に設けられており、前記センシング部周囲に達することを特徴とする半導体センサ。 A semiconductor sensor chip including a sensing unit;
A package member having a mounting surface on which the semiconductor sensor chip is mounted;
A lid member for sealing the semiconductor sensor chip by bonding to the package member;
In the space formed by the said cover member and the package member, and a partition member for partitioning a space around the upper space and the upper space of the semiconductor sensor chip,
The partition member are provided on the lid member, a semiconductor sensor according to claim Rukoto to reach around the sensing portion. 前記仕切部材と前記半導体センサチップとを接続する第１の接着剤を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体センサ。 The semiconductor sensor according to claim 1, characterized in Rukoto comprises a first adhesive for connecting the semiconductor sensor chip and the partition member. 前記センシング部は、可動電極と固定電極とを備え、当該可動電極と固定電極との間の静電容量を検出信号として出力することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体センサ。 The sensing portion is provided with a fixed electrode and the movable electrode, a semiconductor according to claim 1 or claim 2, wherein also be output from the electrostatic capacity between said movable electrode and the fixed electrode as a detection signal Sensor. 前記仕切部材は、前記半導体センサチップにおける前記センシング部周囲に対向する領域に形成されることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の半導体センサ。 The partition member is a semiconductor sensor according to any of claims 1 to 3, characterized in that it is formed in a region facing around the sensing portion in the semiconductor sensor chip. 前記半導体センサチップから出力される検出信号を処理するための処理回路が形成された処理回路チップを備え、当該処理回路チップは、前記パッケージ部材と前記蓋部材とによって封止される空間内に収容されることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の半導体センサ。 A processing circuit chip on which a processing circuit for processing a detection signal output from the semiconductor sensor chip is formed, and the processing circuit chip is accommodated in a space sealed by the package member and the lid member are semiconductor sensor according to any one of claims 1 to 4, characterized in Rukoto. 前記半導体センサチップは、前記処理回路チップ上に搭載されることを特徴とする請求項５に記載の半導体センサ。 The semiconductor sensor chip, a semiconductor sensor according to claim 5, characterized in Rukoto mounted on the processing circuit chip.
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