JP4243975B2

JP4243975B2 - Ion beam etching method and ion beam etching apparatus

Info

Publication number: JP4243975B2
Application number: JP2003142967A
Authority: JP
Inventors: 勉西橋; 宏之柘植; 寿浩寺澤
Original assignee: Ulvac Inc
Current assignee: Ulvac Inc
Priority date: 2003-05-21
Filing date: 2003-05-21
Publication date: 2009-03-25
Anticipated expiration: 2023-05-21
Also published as: JP2004349367A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、イオンビームを用いて被エッチング膜をエッチングするイオンビームエッチング方法及びイオンビームエッチング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、半導体基板上に形成されるＬＳＩ等の能動素子の製造工程においては、絶縁層や配線層を所定の形状にパターニングするためにイオンビームエッチング法あるいはイオンミリング法が用いられている。これらのエッチング法によるパターン形成を行うにあたっては、一般に、半導体基板の被加工面に対して有機材料でなるレジストマスクを形成する必要があった（例えば下記特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開平１１−２９７９５６号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、半導体基板上にレジストマスクを形成してエッチングを行う方法では、レジストマスクを形成するにあたり、半導体基板上へのレジストの塗布、ベーキング、露光、現像、洗浄の各工程を行い、エッチング工程の終了後はレジストマスクを基板上から除去する工程が必要となる。従来ではこれらの処理を各層毎に繰り返し行う必要があったので、製造プロセスの複雑化による生産性の悪化、プロセス管理負担の増大を免れないという問題があった。
【０００５】
また、液晶パネル用のガラス基板に透明電極パターンを形成する場合や、高解像度撮像管に用いられる光導電性ターゲットの透明電極をパターニングする場合においては、従来では透明電極材料層の表面にレジストマスクを形成してパターンエッチングを行っていた。ところが、この方法ではレジストマスクの除去後、透明電極の表面性状が劣化して所望とする光透過率が得られなくなるという問題がある。このため従来のエッチング法では、光学デバイスに要求される高品質化に十分に対応することができない。
【０００６】
本発明は上述の問題に鑑みてなされ、製造プロセスを簡素化して生産性の大きな向上を図ることができ、また、光学デバイスの製造に用いて好適なイオンビームエッチング方法及びイオンビームエッチング装置を提供することを課題とする。
【０００７】
以上の課題は、透明基板上に形成したＩＴＯ膜をイオンビームによって所定の形状にパターニングするイオンビームエッチング方法であって、前記ＩＴＯ膜の加工領域を定める開口が形成された導電性のマスク部材を前記透明基板上に対向配置する工程と、前記マスク部材を接地する工程と、前記マスク部材を介して前記ＩＴＯ膜に、エネルギーが３００ｅＶ〜２ｋｅＶ、ドーズ量が１×１０の１６乗（個／ｃｍ ² ）以上のイオンビームを照射することで、前記加工領域をエッチングする工程とを有するイオンビームエッチング方法、によって解決される。
【０００８】
また、以上の課題は、表面に被エッチング膜が形成された基板を支持し、接地回路に接続されたステージと、前記ステージに支持された基板の表面に対してイオンビームを照射するイオンビーム照射源と、前記基板の表面に間隙をおいて配置され、前記被エッチング膜の加工領域を定める開口が形成された導電性のマスク部材と、前記基板の表面に前記間隙を介して前記マスク部材を支持し、かつ、前記マスク部材を前記ステージへ電気的に接続するマスク支持具とを具備するイオンビームエッチング装置、によって解決される。
【０００９】
本発明では、被エッチング膜の加工領域を定める開口が形成されたマスク部材を基板上に対向配置し、マスク部材を介して被エッチング膜にイオンビームを照射しエッチングするようにしている。マスク部材は従来のレジストマスクと同等の機能を有しながら、基板上へのレジスト塗布、ベーキング、露光、現像等の各処理を施す必要は一切なくなるので、エッチング工程のための基板処理工程数を大幅に削減でき、生産性の増大を図ることができる。
【００１０】
更に、エッチング終了後の基板表面からのマスク除去工程が不要となるので、例えばパターニングした透明電極層の光学的特性の劣化を回避して、高品質の光学デバイスの製造にも十分に対応することが可能となる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。本実施の形態では、例えば、液晶表示装置用パネルや高解像度撮像管用光導電性ターゲット等の製造に用いられる、ガラス基板表面の透明電極膜のパターニング方法を例に挙げて説明する。
【００１２】
図１は本発明の実施の形態を示している。被処理基板１０は図示しない真空チャンバ内のステージ１上に載置されており、その上に本発明に係るマスク部材２０が所定の間隙Ｇをおいて対向配置されている。マスク部材２０には被処理基板１０表面の被エッチング膜の加工領域を定める開口２１が形成されている。
【００１３】
図２Ａは被処理基板１０とマスク部材２０とを示す拡大図である。被処理基板１０は、透明なガラス基板１１の表面に透明電極膜としてＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜１２が形成されてなるもので、このＩＴＯ膜１２がイオンビームＩＢによって加工される被エッチング膜に対応する。
【００１４】
マスク部材２０は導電性で、例えばシリコンやステンレスの板等で構成される。マスク部材２０は、図示しないイオンビーム照射源から照射されるイオンビームＩＢの照射領域に対応して凹所２２が形成されることによって、凹所２２の形成領域のマスク厚が他の領域よりも薄厚化されている。この薄厚化された領域が、被処理基板１０に対するイオンビームＩＢの照射を制限するマスク部２３を構成している。凹部２２は、被処理基板１０の外径と同等以上の大きさに形成されている。
【００１５】
マスク部２３に形成される開口２１は、被処理基板１０のＩＴＯ膜１２の加工領域を定めるためのもので、開口２１を通過するイオンビームによって、図２Ｂに示すように上記開口２１に対応するＩＴＯ膜１２の領域のみがエッチングされるようになっている。開口２１は、被処理基板１０の全ての加工領域に対応して形成されており、一度のイオンビーム照射工程で被処理基板１０の全ての加工領域をエッチングすることができるようになっている。。
【００１６】
すなわち、マスク部材２０のマスク部２３は、従来のレジストマスクと同様な作用を行うものであるが、従来のレジストマスクと異なる点は、被処理基板１０の表面に直接形成されないで、被処理基板１０の表面の上方に対向配置されている点にある。
【００１７】
マスク部２３を被処理基板１０の表面に対向配置させる手法として、本実施の形態では、図１に示すように、ステージ１上に被処理基板１０と同等の厚さのマスク支持部材２を配置し、このマスク支持部材２の上に所定厚のテープ部材３を介してマスク部材２０を支持するようにしている。
【００１８】
マスク支持部材２は、被処理基板１０の周囲を囲むように環状に形成されている。テープ部材３は被処理基板１０とマスク部２３との間の間隙Ｇを調整するためのもので、本実施の形態では１００μｍ厚のアルミニウム製テープ部材３を設けている。本実施形態では、マスク支持部材２及びテープ部材３によって、マスク支持具が構成される。
【００１９】
なお、テープ部材３をアルミニウム等の金属製とし、このテープ部材３の周縁部をステージ１を介して図示しない接地回路へ接続するようにすれば、イオンビームの照射によるマスク部材２０の帯電を抑制することが可能となる。
【００２０】
次に、以上のように構成される本実施の形態の作用について説明する。
【００２１】
表面にＩＴＯ膜１２が形成された被処理基板１０をその表面側を上方へ向けてステージ１上へ配置する。その後、マスク部材２０をステージ１上のマスク支持部材２の上にテープ部材３を介して配置し、そのマスク部２３と被処理基板１０表面とをアライメントする。そして、図示しないイオンビーム照射源からのイオンビームＩＢをマスク部２３を介して被処理基板１０表面のＩＴＯ膜１２に照射しエッチングする。
【００２２】
図２Ａに示したように、イオンビームＩＢは、マスク部材２０のマスク部２３によって被処理基板１０への照射領域が制限され、開口２１の形成部位に対応するＩＴＯ膜１２の領域のみイオンビームＩＢが照射される。これにより、被処理基板１０表面のＩＴＯ膜１２は図２Ｂに示したようにマスク部２３の開口２１に対応したパターンにエッチングされる。
【００２３】
本実施の形態によれば、開口２１を有するマスク部材２０を被処理基板１０表面に対向配置させるだけで所望のエッチングパターンを得ることができるので、従来のレジストマスクを用いるエッチング法に比べてレジストマスクの形成工程が不要となり、したがって、エッチング工程の大幅な簡素化を図ることができる。また、マスク部材２０の交換のみで基板上に異なるパターンの層を容易に形成することができる。これにより、従来に比べて生産性の大幅な向上を図ることができる。
【００２４】
しかも、レジストの形成及び除去工程を伴わないので、ＩＴＯ膜１２の表面性状が劣化するという問題も解消できる。したがって、光学的特性の優れた透明電極を形成できるので、特に高解像度の撮像管用ターゲットの製造プロセスに好適に採用することができる。
【００２５】
本発明者らは、基板上にＩＴＯ膜を３０ｎｍの厚さに形成し、本発明のイオンビームエッチング法によってＩＴＯ膜の回路パターンを形成した。イオンビームを生成するイオンはアルゴンイオン（Ａｒ⁺）とし、加速エネルギーは３００ｅＶ〜５ｋｅＶとした。そして、互いに開放関係にある２つのパターン上に端子を配置して基板表面の電気抵抗を測定したところ、表１に示すような実験結果を得た。
【００２６】
【表１】

【００２７】
表１から明らかなように、パターンを適正に形成することができるイオンの照射量（ドーズ量）は、３００ｅＶ〜２ｋｅＶの加速エネルギーで１×１０の１６乗以上であることがわかる。
【００２８】
イオンビームの種類としては、Ａｒ、Ｘｅ等の不活性ガスの他、酸素やメタノール等アルコール系ガスも使用可能である。酸素を用いた場合は、酸化反応も期待され、より絶縁性が改善される。アルコールを用いた場合は、分子状イオンが生成されるため、より少ないドーズ量でのパターン加工が可能となる。
【００２９】
なお、イオンの加速エネルギーが大きくなると、ＩＴＯ膜の構成分子がガラス基板表面に埋没するノックオン現象が生じることが確認されている。この現象が生じると、パターンが完全に分断されていても基板表面を介してパターン間が短絡し配線不良を引き起こす原因となる。
したがって、イオンの加速エネルギーは２ｋｅＶ以下が好ましく、また、加速エネルギーがあまりにも低いとチャージアップ効果によりイオン照射量が不安定となるため３００ｅＶ以上が好ましい。
【００３０】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、勿論、本発明はこれに限定されることなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【００３１】
例えば以上の実施の形態では、被処理基板１０とマスク部材２０との間に所定の間隙Ｇを形成するのに、ステージ１上に配置したマスク支持部材２でマスク部材２０を支持するようにしたが、これに限らず、例えば図３に示すように、マスク部材２０の上面を保持するマスクホルダ４を用いて、マスク部材２０と被処理基板１０との間の間隙Ｇを形成するようにしてもよい。
【００３２】
また、以上の実施の形態では、透明電極材料のパターニング工程に本発明を適用した例について説明したが、勿論これに限らず、例えば半導体基板上に形成される絶縁層や配線層等のパターンエッチングにも、本発明は適用可能である。
【００３３】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、被エッチング膜の加工領域を定める開口が形成されたマスク部材を基板上に対向配置し、このマスク部材を介して被エッチング膜にイオンビームを照射しエッチングするようにしているので、基板上へレジストマスクを形成することなく所望のパターンエッチングを行うことが可能となり、これによりエッチングのための基板処理工程数を大幅に削減でき、生産性の増大を図ることができる。
【００３４】
また、本発明によれば、被エッチング膜表面へのレジストマスクの形成及びその除去工程が不要となるので、例えばパターニングした透明電極層の光学的特性の劣化を回避して、高品質の光学デバイスの製造にも十分に対応することが可能となる
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態によるイオンビームエッチング装置の要部の構成を示す側断面図である。
【図２】被処理基板とマスク部材との関係を拡大して示す側断面図である。
【図３】図１の構成の変形例を示す側断面図である。
【符号の説明】
１ステージ
２マスク支持部材
３テープ部材
４マスクホルダ
１０被処理基板
１１ガラス基板
１２ＩＴＯ膜
２０マスク部材
２１開口
２２凹所
２３マスク部
Ｇ間隙
ＩＢイオンビーム[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an ion beam etching method and an ion beam etching apparatus for etching a film to be etched using an ion beam.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, in the manufacturing process of active elements such as LSI formed on a semiconductor substrate, an ion beam etching method or an ion milling method is used to pattern an insulating layer or a wiring layer into a predetermined shape. In performing pattern formation by these etching methods, it is generally necessary to form a resist mask made of an organic material on the processing surface of a semiconductor substrate (see, for example, Patent Document 1 below).
[0003]
[Patent Document 1]
[Patent Document 1] Japanese Patent Laid-Open No. 11-297956
[Problems to be solved by the invention]
However, in the method of performing etching by forming a resist mask on a semiconductor substrate, the resist coating, baking, exposure, development, and cleaning steps are performed on the semiconductor substrate to form the resist mask. After completion, a step of removing the resist mask from the substrate is required. Conventionally, it has been necessary to repeatedly perform these processes for each layer, and thus there has been a problem that it is inevitable that the productivity deteriorates due to the complexity of the manufacturing process and the process management burden increases.
[0005]
In the case of forming a transparent electrode pattern on a glass substrate for a liquid crystal panel or patterning a transparent electrode of a photoconductive target used for a high-resolution image pickup tube, a resist mask is conventionally used on the surface of the transparent electrode material layer. Pattern etching was performed. However, this method has a problem that after the resist mask is removed, the surface properties of the transparent electrode deteriorate and the desired light transmittance cannot be obtained. Therefore, the conventional etching method cannot sufficiently cope with the high quality required for the optical device.
[0006]
The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and can simplify the manufacturing process and greatly improve the productivity, and also provides an ion beam etching method and an ion beam etching apparatus suitable for use in manufacturing an optical device. The task is to do.
[0007]
An object of the present invention is to provide an ion beam etching method for patterning an ITO film formed on a transparent substrate into a predetermined shape using an ion beam, and comprising a conductive mask member having an opening for defining a processing region of the ITO film. The step of opposingly arranging on the transparent substrate , the step of grounding the mask member, and the ITO film through the mask member with an energy of 300 eV to 2 keV and a dose of 1 × 10 16 (pieces / cm ² ) It is solved by an ion beam etching method including a step of etching the processing region by irradiating the above ion beam.
[0008]
In addition, the above-described problem is that an ion beam irradiation is performed to support a substrate having a film to be etched formed on the surface , and to irradiate an ion beam onto a stage connected to a ground circuit and the surface of the substrate supported on the stage. A source , a conductive mask member disposed with a gap on the surface of the substrate, and having an opening for defining a processing region of the film to be etched, and the mask member on the surface of the substrate via the gap This is solved by an ion beam etching apparatus that includes a mask support that supports and electrically connects the mask member to the stage .
[0009]
In the present invention, a mask member in which an opening for defining a processing region of the film to be etched is disposed oppositely on the substrate, and the film to be etched is irradiated with an ion beam through the mask member for etching. While the mask member has the same function as a conventional resist mask, there is no need to perform resist coating, baking, exposure, development, etc. on the substrate, so the number of substrate processing steps for the etching process can be reduced. It can be greatly reduced and productivity can be increased.
[0010]
Furthermore, since the mask removal process from the substrate surface after the etching is not required, the deterioration of the optical characteristics of the patterned transparent electrode layer, for example, can be avoided, and the high-quality optical device can be sufficiently manufactured. Is possible.
[0011]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In this embodiment, for example, a method for patterning a transparent electrode film on the surface of a glass substrate, which is used for manufacturing a panel for a liquid crystal display device, a photoconductive target for a high-resolution imaging tube, and the like will be described as an example.
[0012]
FIG. 1 shows an embodiment of the present invention. A substrate 10 to be processed is placed on a stage 1 in a vacuum chamber (not shown), and a mask member 20 according to the present invention is disposed on the stage 1 with a predetermined gap G therebetween. The mask member 20 is formed with an opening 21 that defines a processing region of a film to be etched on the surface of the substrate 10 to be processed.
[0013]
FIG. 2A is an enlarged view showing the substrate 10 to be processed and the mask member 20. The substrate to be processed 10 is formed by forming an ITO (Indium Tin Oxide) film 12 as a transparent electrode film on the surface of a transparent glass substrate 11, and this ITO film 12 is an etching target film processed by the ion beam IB. Correspond.
[0014]
The mask member 20 is conductive and is made of, for example, a silicon or stainless steel plate. The mask member 20 is formed with a recess 22 corresponding to the irradiation region of the ion beam IB irradiated from an ion beam irradiation source (not shown), so that the mask thickness of the formation region of the recess 22 is larger than that of other regions. Thinned. This thinned region constitutes a mask portion 23 that restricts irradiation of the ion beam IB to the substrate 10 to be processed. The recess 22 is formed to have a size equal to or greater than the outer diameter of the substrate 10 to be processed.
[0015]
The opening 21 formed in the mask portion 23 is for defining a processing region of the ITO film 12 of the substrate 10 to be processed, and corresponds to the opening 21 as shown in FIG. 2B by an ion beam passing through the opening 21. Only the region of the ITO film 12 is etched. The openings 21 are formed corresponding to all the processing regions of the substrate 10 to be processed, and all the processing regions of the substrate 10 to be processed can be etched by one ion beam irradiation process. .
[0016]
That is, the mask portion 23 of the mask member 20 performs the same function as a conventional resist mask, but is different from the conventional resist mask in that it is not directly formed on the surface of the substrate 10 to be processed. 10 is located opposite to the upper surface of the surface.
[0017]
In the present embodiment, as shown in FIG. 1, a mask support member 2 having a thickness equivalent to that of the substrate to be processed 10 is disposed on the stage 1 as a method of disposing the mask portion 23 on the surface of the substrate 10 to be processed. The mask member 20 is supported on the mask support member 2 via a tape member 3 having a predetermined thickness.
[0018]
The mask support member 2 is formed in an annular shape so as to surround the periphery of the substrate 10 to be processed. The tape member 3 is for adjusting the gap G between the substrate 10 to be processed and the mask portion 23, and in this embodiment, the aluminum tape member 3 having a thickness of 100 μm is provided. In this embodiment, the mask support member is constituted by the mask support member 2 and the tape member 3.
[0019]
If the tape member 3 is made of a metal such as aluminum and the peripheral portion of the tape member 3 is connected to a ground circuit (not shown) via the stage 1, charging of the mask member 20 due to ion beam irradiation is suppressed. It becomes possible to do.
[0020]
Next, the operation of the present embodiment configured as described above will be described.
[0021]
The substrate 10 to be processed having the ITO film 12 formed on the surface is disposed on the stage 1 with the surface side facing upward. Thereafter, the mask member 20 is disposed on the mask support member 2 on the stage 1 via the tape member 3, and the mask portion 23 and the surface of the substrate to be processed 10 are aligned. Then, an ion beam IB from an ion beam irradiation source (not shown) is irradiated to the ITO film 12 on the surface of the substrate to be processed 10 through the mask portion 23 to be etched.
[0022]
As shown in FIG. 2A, in the ion beam IB, the irradiation region of the substrate to be processed 10 is limited by the mask portion 23 of the mask member 20, and only the region of the ITO film 12 corresponding to the formation site of the opening 21 is the ion beam IB. Is irradiated. Thereby, the ITO film 12 on the surface of the substrate to be processed 10 is etched into a pattern corresponding to the opening 21 of the mask portion 23 as shown in FIG. 2B.
[0023]
According to the present embodiment, a desired etching pattern can be obtained simply by disposing the mask member 20 having the opening 21 on the surface of the substrate to be processed 10, so that the resist can be compared with an etching method using a conventional resist mask. A mask formation process is not required, and therefore the etching process can be greatly simplified. Further, it is possible to easily form layers having different patterns on the substrate only by replacing the mask member 20. Thereby, the productivity can be significantly improved as compared with the conventional case.
[0024]
In addition, since the resist formation and removal steps are not involved, the problem that the surface properties of the ITO film 12 deteriorate can be solved. Therefore, since a transparent electrode having excellent optical characteristics can be formed, it can be suitably used for a manufacturing process of a high-resolution imaging tube target.
[0025]
The inventors of the present invention formed an ITO film with a thickness of 30 nm on a substrate, and formed a circuit pattern of the ITO film by the ion beam etching method of the present invention. The ions that generate the ion beam were argon ions (Ar ⁺ ), and the acceleration energy was 300 eV to 5 keV. Then, terminals were placed on two patterns in an open relationship with each other, and the electrical resistance on the surface of the substrate was measured. The experimental results shown in Table 1 were obtained.
[0026]
[Table 1]

[0027]
As is apparent from Table 1, the ion irradiation amount (dose amount) capable of properly forming the pattern is 1 × 10 16 or more with acceleration energy of 300 eV to 2 keV.
[0028]
As the type of ion beam, in addition to an inert gas such as Ar or Xe, an alcohol-based gas such as oxygen or methanol can be used. When oxygen is used, an oxidation reaction is also expected, and the insulation is further improved. When alcohol is used, since molecular ions are generated, pattern processing with a smaller dose becomes possible.
[0029]
It has been confirmed that when the acceleration energy of ions increases, a knock-on phenomenon occurs in which the constituent molecules of the ITO film are buried in the glass substrate surface. When this phenomenon occurs, even if the pattern is completely divided, the pattern is short-circuited through the substrate surface, causing a wiring defect.
Therefore, the ion acceleration energy is preferably 2 keV or less, and if the acceleration energy is too low, the ion irradiation amount becomes unstable due to the charge-up effect, and therefore 300 eV or more is preferable.
[0030]
The embodiment of the present invention has been described above. Of course, the present invention is not limited to this, and various modifications can be made based on the technical idea of the present invention.
[0031]
For example, in the above embodiment, the mask member 20 is supported by the mask support member 2 disposed on the stage 1 in order to form the predetermined gap G between the substrate 10 to be processed and the mask member 20. However, the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 3, a gap G between the mask member 20 and the substrate to be processed 10 is formed using the mask holder 4 that holds the upper surface of the mask member 20. Also good.
[0032]
In the above embodiment, the example in which the present invention is applied to the patterning process of the transparent electrode material has been described. However, the present invention is not limited to this. For example, pattern etching of an insulating layer, a wiring layer, or the like formed on a semiconductor substrate. In addition, the present invention is applicable.
[0033]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the mask member in which the opening for defining the processing region of the film to be etched is disposed oppositely on the substrate, and the film to be etched is irradiated with the ion beam through the mask member. Since etching is performed, it is possible to perform a desired pattern etching without forming a resist mask on the substrate, thereby greatly reducing the number of substrate processing steps for etching and increasing productivity. Can be planned.
[0034]
Further, according to the present invention, the formation of a resist mask on the surface of the film to be etched and the step of removing the resist mask are not required. It will be possible to fully support the manufacturing of the product. [Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a side sectional view showing a configuration of a main part of an ion beam etching apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an enlarged side sectional view showing a relationship between a substrate to be processed and a mask member.
FIG. 3 is a side sectional view showing a modification of the configuration of FIG.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Stage 2 Mask support member 3 Tape member 4 Mask holder 10 Substrate 11 Glass substrate 12 ITO film 20 Mask member 21 Opening 22 Recess 23 Mask part G Gap IB Ion beam

Claims

An ion beam etching method for patterning an ITO film formed on a transparent substrate into a predetermined shape by an ion beam,
A step of opposingly placing a conductive mask member formed with an opening for defining a processing region of the ITO film on the transparent substrate ;
Grounding the mask member;
Etching the processing region by irradiating the ITO film with an ion beam having an energy of 300 eV to 2 keV and a dose of 1 × 10 16 (pieces / cm ² ) or more through the mask member; An ion beam etching method comprising:

A stage that supports a substrate with a film to be etched formed on the surface and is connected to a ground circuit;
An ion beam irradiation source for irradiating the surface of the substrate supported by the stage with an ion beam;
A conductive mask member disposed with a gap on the surface of the substrate and having an opening for defining a processing region of the film to be etched;
An ion beam etching apparatus comprising: a mask support that supports the mask member on the surface of the substrate through the gap and electrically connects the mask member to the stage.