JP4241205B2

JP4241205B2 - Semiconductor amplifier circuit

Info

Publication number: JP4241205B2
Application number: JP2003170302A
Authority: JP
Inventors: 基範石井
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2003-06-16
Filing date: 2003-06-16
Publication date: 2009-03-18
Anticipated expiration: 2023-06-16
Also published as: JP2005006244A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、主に携帯電話等の高周波を用いた無線通信機器の送信部分に応用され、高周波信号を携帯電話基地局と通信する規定の電力まで高周波の電力を増幅する素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、世界的な携帯電話の普及により、携帯電話の使用台数が加速度的に増加してきた。携帯電話端末に求められる特徴としては種々あるが、端末が小型であること、低価格であること、通話時間が長いことが挙げられる。これらを達成するために、本発明の対象である携帯電話等の送信部分に応用され、高周波信号を携帯電話基地局と通信する規定の電力まで増幅する半導体増幅回路（以下これを単に半導体増幅回路と記す）には次のことが求められる。まず、小型であること、低価格であること、それから、通話時間を長くするために、消費電力が少ないこと、すなわち高効率であることである。
【０００３】
これらのことを達成するために、一般的に半導体増幅回路において適用される手段を述べる。まず、高周波信号を増幅するためにトランジスタが使用される。このトランジスタの入力に整合回路（これを入力整合回路と呼ぶ）を接続する。さらに、このトランジスタの出力に整合回路（これを出力整合回路と呼ぶ）を接続する。入力整合回路および、出力整合回路は、抵抗、インダクタ、キャパシタ、高周波伝送線路などの素子により構成される。トランジスタは、半導体チップ上に構成される。入力整合回路および、出力整合回路は、一部がモノリシックマイクロ波集積回路（以下これをMMICと呼ぶ)として半導体チップ上に構成されることがあるが、通常、半導体チップに接続された外部基板上に構成される。トランジスタの出力電力や、効率は入力整合回路および出力整合回路の構成に大きく依存する。必要な出力電力を得られ、かつ高効率動作するように、入力整合回路および、出力整合回路を構成する素子の回路定数を設定する。
【０００４】
トランジスタが高効率動作するようにするための従来の出力整合回路の構成方法について、図面を参照しながら説明する。文中で同じ番号のものは同じ部分を表す。なお、この図面に示される出力整合回路は、例えば非特許文献１に記載されている。その他、従来の出力整合回路として、特許文献１〜５に記載されているものが知られている。
【０００５】
高効率動作をさせるための出力整合回路として、従来図５の回路が知られている。図５で、１はトランジスタである。１２は第１のインダクタである。１３は第１のキャパシタである。１４は伝送線路である。１５は第２のインダクタである。１６は第２のキャパシタである。第２のインダクタ１５の他端と第２のキャパシタ１６の他端は接続され、かつ接地されている。１７は出力整合回路の出力である。以下、図５の回路の動作原理を説明する。
【０００６】
第１のキャパシタ１３は直流電流阻止用キャパシタであり、第１のインダクタ１２を介して供給される直流バイアス電流が出力側に流れるのを阻止する。１４の伝送線路長は、信号の波長（これをλと記す）の４分の１となるよう設定されている。第２のインダクタ１５と第２のキャパシタ１６は共振器を形成しており、信号周波数で共振し、信号周波数の２倍で短絡するよう値を設定しておく。このとき、信号周波数の偶数倍の周波数成分のみ短絡し、奇数倍の周波数成分は出力整合回路の出力１７に取り出される。信号周波数の以外の周波数成分は、信号周波数の２倍の周波数成分が大きく、これを短絡することにより、効率が大きく改善される。一般に用いられる回路としては、第２のインダクタ１５を省略し、第２のキャパシタ１６を十分大きな値にすることも多い。この場合には、伝送線路１４の長さがλ／４に設定されているので、第２のキャパシタ１６を介して信号周波数の偶数倍の成分が接地される。
【０００７】
【特許文献１】
特開平５−１９１１７４号公報
【特許文献２】
特開平５−１９１１７５号公報
【特許文献３】
特開平８−３７４３３号公報
【特許文献４】
特開平９−４６１４８号公報
【特許文献５】
特開２００１−１６０５３号公報
【非特許文献１】
高山洋一郎著「マイクロ波トランジスタ」の第９章「マイクロ波トランジスタ増幅器」第１９９ページ〜第２００ページ、社団法人電子情報通信学会編、平成１０年１２月１０日初版第１刷発行
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上記に示した従来の技術では、伝送線路１４の長さをλ／４にしなければならない。伝送線路の形状によるが、一般に携帯電話で使用される1GHz〜２GHz程度の信号周波数では、λ／４の長さは数cmになる。これを半導体チップ上に形成することも可能だが、半導体チップが大きくなり、高コストとなってしまう。従って、一般に半導体チップに接続される基板上に伝送線路１４を形成する。このとき、半導体増幅回路全体が大きくなってしまう。いずれにせよ、高コストになる、乃至半導体増幅回路全体が大型化するという問題がある。
【０００９】
上記課題に鑑み、本発明は小型化されて低コストの半導体増幅回路を提供するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明の半導体増幅回路は、トランジスタと、前記トランジスタの出力端子に接続された第１の薄膜バルク波共振子とを有し、前記薄膜バルク波共振子の他端が接地され、前記薄膜バルク波共振子の基本共振周波数が信号周波数の２倍であるものである。
【００１１】
この構成により、薄膜バルク波共振子の基本共振周波数が信号周波数の２倍としているので、信号周波数の２倍の周波数成分が短絡され、高効率化が達成される。また、前記薄膜バルク波共振子と前記トランジスタを同一半導体上に形成し、前記接地を半導体の表面から裏面へのバイアホールによって行うことで、小型化と低価格化が実現する。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の高周波増幅回路の実施の形態について図面を参照しながら以下に説明する。
【００１３】
（実施の形態１）
本発明の実施の形態１における半導体増幅回路について図面を参照しながら説明する。
【００１４】
図１は、本発明の実施の形態１における半導体増幅回路を示す図である。１は、トランジスタである。２は、第１の薄膜バルク波共振子(以下FBARと記す)である。
【００１５】
このFBARは、AlNなどの圧電体の上下を金属電極で挟む構造となっており、圧電体に生じる超音波が電気振動に変換される。このとき、圧電体の厚さに応じ、FBARを通過する周波数(共振周波数)、FBARを通過しない周波数(反共振周波数)が決定される。すなわち、圧電体の厚さにより、共振周波数および反共振周波数を制御できる。
【００１６】
FBARは、半導体チップ上に構成することが出来る。その大きさは、数100μm四方程度と小型にすることが出来る。
【００１７】
図１に示した本発明の実施の形態１における半導体増幅回路は、第１のFBAR２の共振周波数が信号周波数の２倍としている。また、第１のFBAR２の他端が接地されている。そのため、信号周波数の２倍の周波数成分は、第１のFBAR２を介して接地、すなわち短絡され、半導体増幅回路の高効率化という課題が達成できる。また、FBARは半導体チップ上に形成でき、半導体チップ外部には回路がまったく不要であるので、半導体増幅回路を小型化することができる。また、FBARは小型であるので、半導体チップの面積を極度に大きくすることがなく、低コスト化も実現できる。
【００１８】
図２はもう１つの本発明の実施の形態１における半導体増幅回路を示している。１はトランジスタである。２は第１のFBARである。３は第２のFBAR、４は第３のFBAR、５は第４のFBAR、６は第５のFBARである。第１のFBAR２はトランジスタ１の出力に接続され、他端に第２のFBAR３、第３のFBAR４が接続されている。第３のFBAR４の他端には第４のFBAR５、第５のFBAR６が接続されている。第２のFBAR３、第４のFBAR５、第５のFBAR６の他端は接地されている。
【００１９】
第１のFBAR２、第３のFBAR４、第５のFBAR６の共振周波数を信号周波数の２倍とし、第２のFBAR３、第４のFBAR５の反共振周波数を信号周波数の２倍としている。このとき、信号周波数の２倍の周波数成分は、第１のFBAR２、第３のFBAR４、第５のFBAR６を介して接地される。また、第２のFBAR３、第４のFBAR５を介しても接地される。よって信号周波数の２倍の周波数成分が短絡され、半導体増幅回路の高効率化が達成される。図１に示す半導体増幅回路では、FBARが１つしかなく、狭帯域しか共振できないので、信号の周波数帯域が広い場合には適用できない。それに対し、図２に示す半導体増幅回路では、５つのFBARを最適に設計することにより、信号の周波数帯域が広い場合にも対応できる。
【００２０】
（実施の形態２）
図３は、本発明の実施の形態２における半導体増幅回路を示している。トランジスタ１と第１のFBAR２は図１と同様である。７は第６のFBARであり、トランジスタ１の入力に接続されている。
【００２１】
トランジスタ１、第１のFBAR２は実施の形態１と同様の動作である。第６のFBAR７の共振周波数は、信号周波数の２倍としている。トランジスタ１の入力には、通常、トランジスタなどの前置増幅回路が接続される。同様の原理により、前置増幅回路の効率を高める効果を第６のFBAR７は持つことになり、さらなる高効率化が達成できる。
【００２２】
図４は、もう１つの本発明の実施の形態２における半導体増幅回路を示している。１はトランジスタである。２は第１のFBARである。３は第２のFBAR、４は第３のFBAR、５は第４のFBAR、６は第５のFBARである。第１のFBAR２はトランジスタ１の出力に接続され、他端に第２のFBAR３、第３のFBAR４が接続されている。第３のFBAR４の他端には第４のFBAR５、第５のFBAR６が接続されている。第２のFBAR３、第４のFBAR５、第５のFBAR６の他端は接地されている。７は第６のFBARである。８は第７のFBAR、９は第８のFBAR、１０は第９のFBAR、１１は第１０のFBARである。第６のFBAR７はトランジスタ１の入力に接続され、他端に第７のFBAR８、第８のFBAR９が接続されている。第８のFBAR９の他端には第９のFBAR１０、第１０のFBAR１１が接続されている。第７のFBAR８、第９のFBAR１０、第１０のFBAR１１の他端は接地されている。
【００２３】
同様の原理により、信号の周波数帯域が広い場合においても、さらなる高効率化が達成できる。
【００２４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、信号周波数の２倍の周波数成分が短絡され、半導体増幅回路の高効率化が達成されるとともに、半導体増幅回路の小型化と低価格化が実現する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１における半導体増幅回路を示す図
【図２】本発明の実施の形態１における半導体増幅回路を示す図
【図３】本発明の実施の形態２における半導体増幅回路を示す図
【図４】本発明の実施の形態２における半導体増幅回路を示す図
【図５】従来の半導体増幅回路を示す図
【符号の説明】
１トランジスタ
２第１のFBAR
３第２のFBAR
４第３のFBAR
５第４のFBAR
６第５のFBAR
７第６のFBAR
８第７のFBAR
９第８のFBAR
１０第９のFBAR
１１第１０のFBAR
１２第１のインダクタ
１３第１のキャパシタ
１４伝送線路
１５第２のインダクタ
１６第２のキャパシタ
１７出力整合回路の出力[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention is mainly applied to a transmission part of a radio communication device using a high frequency such as a mobile phone, and relates to an element that amplifies high frequency power to a prescribed power for communicating a high frequency signal with a mobile phone base station.
[0002]
[Prior art]
In recent years, with the widespread use of mobile phones worldwide, the number of mobile phones used has increased at an accelerated rate. There are various characteristics required for a mobile phone terminal, but the terminal is small, inexpensive, and has a long talk time. In order to achieve these, a semiconductor amplifying circuit (hereinafter simply referred to as a semiconductor amplifying circuit) that is applied to a transmission part of a mobile phone or the like that is the object of the present invention and amplifies a high-frequency signal to a prescribed power for communicating with a mobile phone base station. The following is required. First, it is small in size, low in price, and has low power consumption, that is, high efficiency in order to lengthen the talk time.
[0003]
In order to achieve these things, the means generally applied in a semiconductor amplifier circuit are described. First, a transistor is used to amplify a high frequency signal. A matching circuit (this is called an input matching circuit) is connected to the input of this transistor. Further, a matching circuit (this is called an output matching circuit) is connected to the output of this transistor. The input matching circuit and the output matching circuit are configured by elements such as resistors, inductors, capacitors, and high-frequency transmission lines. The transistor is configured on a semiconductor chip. The input matching circuit and the output matching circuit are partly configured on a semiconductor chip as a monolithic microwave integrated circuit (hereinafter referred to as MMIC), but are usually on an external substrate connected to the semiconductor chip. Configured. The output power and efficiency of the transistor greatly depend on the configuration of the input matching circuit and the output matching circuit. The circuit constants of the input matching circuit and the elements constituting the output matching circuit are set so that the required output power can be obtained and the device operates with high efficiency.
[0004]
A configuration method of a conventional output matching circuit for allowing a transistor to operate with high efficiency will be described with reference to the drawings. The same number in the sentence represents the same part. The output matching circuit shown in this drawing is described in Non-Patent Document 1, for example. In addition, the conventional output matching circuits described in Patent Documents 1 to 5 are known.
[0005]
As an output matching circuit for high-efficiency operation, the circuit shown in FIG. 5 is conventionally known. In FIG. 5, reference numeral 1 denotes a transistor. Reference numeral 12 denotes a first inductor. Reference numeral 13 denotes a first capacitor. Reference numeral 14 denotes a transmission line. Reference numeral 15 denotes a second inductor. Reference numeral 16 denotes a second capacitor. The other end of the second inductor 15 and the other end of the second capacitor 16 are connected and grounded. Reference numeral 17 denotes an output of the output matching circuit. Hereinafter, the operation principle of the circuit of FIG. 5 will be described.
[0006]
The first capacitor 13 is a direct current blocking capacitor, and prevents the direct current bias current supplied via the first inductor 12 from flowing to the output side. The transmission line length of 14 is set to be a quarter of the signal wavelength (denoted as λ). The second inductor 15 and the second capacitor 16 form a resonator, and values are set so as to resonate at the signal frequency and short-circuit at twice the signal frequency. At this time, only the even frequency component of the signal frequency is short-circuited, and the odd frequency component is extracted to the output 17 of the output matching circuit. The frequency component other than the signal frequency has a frequency component twice as large as the signal frequency, and the efficiency is greatly improved by short-circuiting the frequency component. In a circuit generally used, the second inductor 15 is omitted and the second capacitor 16 is often set to a sufficiently large value. In this case, since the length of the transmission line 14 is set to λ / 4, a component that is an even multiple of the signal frequency is grounded via the second capacitor 16.
[0007]
[Patent Document 1]
JP-A-5-191174 [Patent Document 2]
JP-A-5-191175 [Patent Document 3]
Japanese Patent Laid-Open No. 8-37433 [Patent Document 4]
Japanese Patent Laid-Open No. 9-46148 [Patent Document 5]
JP 2001-16053 A [Non-Patent Document 1]
Yoichiro Takayama Chapter 9 “Microwave Transistor Amplifier”, pages 199-200, edited by The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers, December 10, 1998, first edition published.
[Problems to be solved by the invention]
In the conventional technique described above, the length of the transmission line 14 must be λ / 4. Depending on the shape of the transmission line, the length of λ / 4 is several centimeters at a signal frequency of about 1 GHz to 2 GHz that is generally used in mobile phones. Although it is possible to form this on a semiconductor chip, the semiconductor chip becomes large and expensive. Accordingly, the transmission line 14 is generally formed on a substrate connected to a semiconductor chip. At this time, the entire semiconductor amplifier circuit becomes large. In any case, there is a problem that the cost is high or the entire semiconductor amplifier circuit is enlarged.
[0009]
In view of the above problems, the present invention provides a miniaturized and low-cost semiconductor amplifier circuit.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, a semiconductor amplifier circuit of the present invention includes a transistor and a first thin film bulk acoustic wave resonator connected to an output terminal of the transistor, and the other end of the thin film bulk acoustic wave resonator is The basic resonance frequency of the thin film bulk acoustic wave resonator is grounded and is twice the signal frequency.
[0011]
With this configuration, since the fundamental resonance frequency of the thin film bulk acoustic wave resonator is twice the signal frequency, the frequency component twice the signal frequency is short-circuited, and high efficiency is achieved. Further, the thin film bulk acoustic wave resonator and the transistor are formed on the same semiconductor, and the grounding is performed by a via hole from the front surface to the back surface of the semiconductor, thereby realizing miniaturization and cost reduction.
[0012]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of a high-frequency amplifier circuit according to the present invention will be described below with reference to the drawings.
[0013]
(Embodiment 1)
The semiconductor amplifier circuit according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0014]
FIG. 1 is a diagram showing a semiconductor amplifier circuit according to Embodiment 1 of the present invention. Reference numeral 1 denotes a transistor. Reference numeral 2 denotes a first thin film bulk wave resonator (hereinafter referred to as FBAR).
[0015]
This FBAR has a structure in which a piezoelectric material such as AlN is sandwiched between metal electrodes, and ultrasonic waves generated in the piezoelectric material are converted into electric vibrations. At this time, the frequency that passes through the FBAR (resonance frequency) and the frequency that does not pass through the FBAR (anti-resonance frequency) are determined according to the thickness of the piezoelectric body. That is, the resonance frequency and antiresonance frequency can be controlled by the thickness of the piezoelectric body.
[0016]
The FBAR can be configured on a semiconductor chip. Its size can be as small as several hundred μm square.
[0017]
In the semiconductor amplifier circuit according to the first embodiment of the present invention shown in FIG. 1, the resonance frequency of the first FBAR 2 is twice the signal frequency. The other end of the first FBAR 2 is grounded. Therefore, the frequency component twice the signal frequency is grounded, that is, short-circuited through the first FBAR 2, and the problem of increasing the efficiency of the semiconductor amplifier circuit can be achieved. Further, since the FBAR can be formed on the semiconductor chip and no circuit is required outside the semiconductor chip, the semiconductor amplifier circuit can be miniaturized. In addition, since the FBAR is small, the area of the semiconductor chip is not extremely increased, and the cost can be reduced.
[0018]
FIG. 2 shows another semiconductor amplifier circuit according to the first embodiment of the present invention. Reference numeral 1 denotes a transistor. 2 is the first FBAR. 3 is a second FBAR, 4 is a third FBAR, 5 is a fourth FBAR, and 6 is a fifth FBAR. The first FBAR 2 is connected to the output of the transistor 1, and the second FBAR 3 and the third FBAR 4 are connected to the other end. A fourth FBAR 5 and a fifth FBAR 6 are connected to the other end of the third FBAR 4. The other ends of the second FBAR 3, the fourth FBAR 5, and the fifth FBAR 6 are grounded.
[0019]
The resonance frequency of the first FBAR2, the third FBAR4, and the fifth FBAR6 is twice the signal frequency, and the antiresonance frequency of the second FBAR3 and the fourth FBAR5 is twice the signal frequency. At this time, the frequency component twice the signal frequency is grounded via the first FBAR 2, the third FBAR 4, and the fifth FBAR 6. Further, it is also grounded through the second FBAR 3 and the fourth FBAR 5. Therefore, the frequency component twice the signal frequency is short-circuited, and high efficiency of the semiconductor amplifier circuit is achieved. Since the semiconductor amplifier circuit shown in FIG. 1 has only one FBAR and can resonate only in a narrow band, it cannot be applied when the signal frequency band is wide. On the other hand, the semiconductor amplifier circuit shown in FIG. 2 can cope with a wide signal frequency band by optimally designing five FBARs.
[0020]
(Embodiment 2)
FIG. 3 shows a semiconductor amplifier circuit according to the second embodiment of the present invention. The transistor 1 and the first FBAR 2 are the same as those in FIG. Reference numeral 7 denotes a sixth FBAR, which is connected to the input of the transistor 1.
[0021]
The transistor 1 and the first FBAR 2 operate in the same manner as in the first embodiment. The resonance frequency of the sixth FBAR 7 is twice the signal frequency. A preamplifier circuit such as a transistor is usually connected to the input of the transistor 1. Based on the same principle, the sixth FBAR 7 has the effect of increasing the efficiency of the preamplifier circuit, and a further increase in efficiency can be achieved.
[0022]
FIG. 4 shows another semiconductor amplifier circuit according to the second embodiment of the present invention. Reference numeral 1 denotes a transistor. 2 is the first FBAR. 3 is a second FBAR, 4 is a third FBAR, 5 is a fourth FBAR, and 6 is a fifth FBAR. The first FBAR 2 is connected to the output of the transistor 1, and the second FBAR 3 and the third FBAR 4 are connected to the other end. A fourth FBAR 5 and a fifth FBAR 6 are connected to the other end of the third FBAR 4. The other ends of the second FBAR 3, the fourth FBAR 5, and the fifth FBAR 6 are grounded. 7 is a sixth FBAR. 8 is a seventh FBAR, 9 is an eighth FBAR, 10 is a ninth FBAR, and 11 is a tenth FBAR. The sixth FBAR 7 is connected to the input of the transistor 1, and the seventh FBAR 8 and the eighth FBAR 9 are connected to the other end. A ninth FBAR 10 and a tenth FBAR 11 are connected to the other end of the eighth FBAR 9. The other ends of the seventh FBAR 8, the ninth FBAR 10, and the tenth FBAR 11 are grounded.
[0023]
By the same principle, even higher efficiency can be achieved even when the frequency band of the signal is wide.
[0024]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the frequency component twice the signal frequency is short-circuited, so that the efficiency of the semiconductor amplifier circuit is achieved and the semiconductor amplifier circuit is reduced in size and price. .
[Brief description of the drawings]
1 is a diagram illustrating a semiconductor amplifier circuit according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a diagram illustrating a semiconductor amplifier circuit according to a first embodiment of the present invention. FIG. 3 is a semiconductor amplifier according to a second embodiment of the present invention. FIG. 4 is a diagram showing a semiconductor amplifier circuit according to a second embodiment of the present invention. FIG. 5 is a diagram showing a conventional semiconductor amplifier circuit.
1 Transistor 2 1st FBAR
3 Second FBAR
4 Third FBAR
5th FBAR
6 5th FBAR
7 6th FBAR
8 7th FBAR
9 Eighth FBAR
10 Ninth FBAR
11 Tenth FBAR
12 First inductor 13 First capacitor 14 Transmission line 15 Second inductor 16 Second capacitor 17 Output of output matching circuit

Claims

A transistor, a first thin film bulk acoustic wave resonator connected in parallel to the transistor at the output of the transistor, and a second thin film bulk acoustic wave resonator connected to the other end of the first thin film bulk acoustic wave resonator A third thin film bulk wave resonator connected to the other end of the first thin film bulk wave resonator, and a fourth thin film bulk wave connected to the other end of the third thin film bulk wave resonator. A resonator, and a fifth thin film bulk acoustic wave resonator connected to the other end of the third thin film bulk acoustic wave resonator, the other end of the second thin film bulk acoustic wave resonator, and the fourth thin film bulk acoustic wave resonator. The other end of the thin film bulk acoustic wave resonator and the other end of the fifth thin film bulk acoustic wave resonator are grounded, and the first thin film bulk acoustic wave resonator, the third thin film bulk acoustic wave resonator, and the first The basic resonance frequency of the thin-film bulk acoustic wave resonator 5 is twice the signal frequency, and the second The semiconductor amplifier circuit, wherein the fundamental anti-resonance frequency of the film bulk wave resonator and the fourth film bulk acoustic resonator is twice the signal frequency.

A transistor, a first thin film bulk acoustic wave resonator connected in parallel to the transistor at the output of the transistor, and a second thin film bulk acoustic wave resonator connected to the other end of the first thin film bulk acoustic wave resonator A third thin film bulk wave resonator connected to the other end of the first thin film bulk wave resonator, and a fourth thin film bulk wave connected to the other end of the third thin film bulk wave resonator. A resonator; a fifth thin film bulk wave resonator connected to the other end of the third thin film bulk wave resonator; and a sixth thin film bulk wave resonance connected in parallel to the transistor at the input of the transistor. A seventh thin film bulk wave resonator connected to the other end of the sixth thin film bulk acoustic wave resonator, and an eighth thin film bulk connected to the other end of the sixth thin film bulk acoustic wave resonator. A wave resonator and the other end of the eighth thin film bulk wave resonator. And a tenth thin film bulk acoustic wave resonator connected to the other end of the eighth thin film bulk acoustic wave resonator, and the first thin film bulk acoustic wave resonator. The third thin film bulk wave resonator, the fifth thin film bulk wave resonator, the sixth thin film bulk wave resonator, the eighth thin film bulk wave resonator, and the tenth thin film bulk wave resonator. Of the second thin film bulk wave resonator, the fourth thin film bulk wave resonator, the seventh thin film bulk wave resonator, and the ninth thin film bulk wave. A semiconductor amplifier circuit characterized in that the fundamental antiresonance frequency of the resonator is twice the signal frequency.

The transistor, the first to tenth thin film bulk wave resonators, and the ground portion are formed by via holes from the front surface to the back surface of the semiconductor. 3. The semiconductor amplifier circuit according to claim 2 , wherein the resonator and the via hole are formed on the same semiconductor chip.