JP4213436B2 - Laser equipment - Google Patents

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光記録媒体に記録される情報の再生および光記録媒体への情報の記録のうち少なくともいずれか一方をするためのレーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１１は従来の技術のレーザ装置５０の主要構成を示すブロック図である。レーザ装置５０は、光記録媒体に記録される情報の再生および光記録媒体への情報の記録うち少なくともいずれか一方をする装置である。レーザ装置５０はレーザ駆動電流供給回路体５１に電気的に接続される。またレーザ装置５０は情報再生装置５２に電気的に接続される。レーザ装置５０は、レーザ光源５３および光集積回路体５４を含んで構成される。光集積回路体５４は、受光素子５５および増幅回路体５６を含んで構成される。
【０００３】
レーザ駆動電流供給回路体５１はレーザ光源５３へレーザ光５７を発するための電流を供給する。レーザ光源５３は、レーザ駆動電流供給回路体５１から供給される電流に応じた発光量を有すレーザ光５７を光記録媒体へ発し、光記録媒体に記録される情報の再生または光記録媒体への情報の記録をする。光記録媒体に記録される情報を再生する場合、レーザ光５７が光記録媒体で反射し、その反射光を受光素子５５が受光する。受光素子５５は反射光の情報に応じた電気信号を増幅回路体５６へ送る。増幅回路体５６は受光素子５５からの電気信号を増幅し、情報再生装置５２へ送る。情報再生装置５２は、光記録媒体に記録される情報を再生する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
従来の技術のレーザ装置５０では、レーザ光源５３の発光量は、レーザ駆動電流供給回路体５１からレーザ光源へ供給される電流によって制御される。レーザ光源の連続発光およびレーザ光源５３の発光量の変化などによって、レーザ光源５３の温度は変化する。レーザ光源５３の温度が変化すると、レーザ光源５３の発光量が変化する。レーザ光源５３の発光量が変化した場合、発光量が一定である場合より、光記録媒体に記録される情報の再生および光記録媒体への情報の記録の精度が低下し、情報の欠落などが発生するおそれがある。
【０００５】
また、従来の技術のレーザ装置５０はレーザ光源５３の温度の変化により、レーザ装置５０の光集積回路体５４の温度が変化する。光集積回路体５４の温度が変化した場合、温度の変化がない場合より、情報再生装置５２へ送る電気信号が変化し再生する情報の欠落などが発生するおそれがある。
【０００６】
したがって本発明の目的は、レーザ光源の温度が変化しても、一定の精度で情報を再生することができるとともに、情報を記録することができるレーザ装置を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、光記録媒体に記録される情報の再生および光記録媒体への情報の記録のうち少なくともいずれか一方をするためのレーザ光を発生するレーザ光源と、
光記録媒体に記録される情報の再生をするために、光記録媒体からの反射光を受光するための受光素子と、
該受光素子と一体の集積回路体に設けられ、レーザ光源の温度を検出するための温度検出手段と、
温度検出手段によって検出される検出温度に基づいて、レーザ光源を制御する制御手段とを含み、
該温度検出手段は、接地電位が与えられる接地部位および正の定電位が与えられる定電位部位間に、直列に接続され、相互に同一の温度特性を有する第 1 〜第３抵抗素子と、
最も定電位部位寄りの第１抵抗素子および中央の第２抵抗素子間の部位にベースが接続され、定電位部位にコレクタが接続されるＮＰＮ形の第１トランジスタと、
第２抵抗素子および最も接地部位寄りの第３抵抗素子間の部位にベースが接続されるＮＰＮ形の第２トランジスタと、
定電位部位および第２トランジスタのコレクタ間に接続され、第１〜第３抵抗素子と同一の温度特性を有する第４抵抗素子と、
第１および第２トランジスタのエミッタにコレクタが共通に接続され、エミッタが接地部位に接続されるＮＰＮ形の第３トランジスタと、
第３トランジスタのベースに、ベースおよびコレクタが接続され、エミッタが接地部位に接続されるＮＰＮ形の第４トランジスタと、
定電位部位および第４トランジスタのコレクタ間に接続され、第１〜第４抵抗素子と同一の温度特性を有する第５抵抗素子とを有することを特徴とするレーザ装置である。
【０００８】
本発明に従えば、レーザ光源は、光記録媒体に記録される情報の再生および光記録媒体への情報の記録うち少なくともいずれか一方をするためのレーザ光を発生することができる。このレーザ光源の温度が温度検出手段によって検出され、検出された検出温度に基づいて、制御手段によってレーザ光源が制御され、発光量を一定にすることができる。また受光素子は光記録媒体に記録される情報を再生するために用いられ、レーザ光源が光記録媒体へレーザ光を入射し、入射されたレーザ光である入射光が光記録媒体にて反射し、反射したレーザ光である反射光を受光素子が受光する。温度検出手段は予め定める温度特性を有する温度検出素子を有し、レーザ装置は少なくとも温度検出素子と受光素子とが一体の集積回路体に設けられる。このように一体の集積回路体に設けられるので、レーザ装置を構成する部品の数を減らすことができる。このため、レーザ装置をより小形にすることができる。さらに、温度検出手段は、第１〜第５抵抗素子と第１〜第４トランジスタとを含んで構成される集積回路体を有す。第１〜第５抵抗素子は温度の変化にともなって電気抵抗値が変化する温度特性を有し、第１〜第５抵抗素子の温度特性は相互に同一である。第１〜第４トランジスタはすべてＮＰＮ形である。第２トランジスタのコレクタ電流値が、温度の変化にともなって変化する。温度検出手段は、第４抵抗素子および第２トランジスタ間の部位と接地部位間の電圧値を求めることによって、温度を検出することができる。第２トランジスタのコレクタ電流値は、トランジスタの特性によって温度の変化にともなって変化するので、温度をより正確に検出することができる。
【００２５】
また本発明は、前記レーザ装置のための集積回路体であって、
前記受光素子と前記温度検出手段とが一体に設けられることを特徴とする集積回路体である。
【００２６】
本発明に従えば、集積回路体は受光素子と温度検出手段とが一体に設けられ、前記集積回路体はレーザ装置に用いられる。集積回路体が受光素子と温度検出手段とを一体に有すことによって、レーザ装置を構成する部品の数を減少させることができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の実施の一形態であるレーザ装置１の主要構成を示すブロック図である。レーザ装置１はレーザ駆動電流供給回路体５、再生処理手段６および制御手段７に電気的に接続される。レーザ装置１はレーザ光源２と光集積回路体３とを含んで構成される。
【００２８】
レーザ駆動電流供給回路体５は、レーザ光源２へ電流を供給する電気回路体である。レーザ光源２は、たとえば半導体レーザ素子などを用いたレーザ光源２であって、レーザ駆動電流供給回路体５から供給される電流に応じた発光量を有すレーザ光１０を光記録媒体へ発し、光記録媒体に記録される情報の再生および光記録媒体への情報の記録のうち少なくともいずれか一方をする。光記録媒体は、光を用いて情報の記録および記録される情報の再生のうち少なくともいずれか一方をする記録媒体であり、たとえばコンパクトディスク（Compact Disk略称：ＣＤ）およびエムオー（Magnet Optical Disk略称：ＭＯ）などである。
【００２９】
光集積回路体３は、温度検出手段４と受光素子８と増幅回路体９とを含んで構成される集積回路体である。温度検出手段４はレーザ光源２の温度を検出し、検出した検出温度に基づく信号を制御手段７へ与える。また温度検出手段４は、予め定める温度特性を有する温度検出素子を有す。受光素子８は、光記録媒体に記録される情報を再生するために、光記録媒体からの反射光を受光して、反射光を電気信号に変換して増幅回路体９へ与える。増幅回路体９は、受光素子８から与えられる電気信号を増幅して、再生処理手段６へ与える。
【００３０】
制御手段７は、温度検出手段４から検出温度に基づく信号が与えられ、レーザ駆動電流供給回路体５および再生処理手段６を検出温度に基づいて制御する。再生処理手段６は、増幅回路体９から与えられた電気信号に基づいて映像および音声など光記録媒体に記録される情報を再生する。
【００３１】
制御手段７は、検出温度に基づいてレーザ光源２の発光量が一定になるようにレーザ光源２を制御する。制御手段７は具体的には、次式に基づいてレーザ光源２の制御を行う。レーザ光源２の温度をレーザ光源温度Ｔとし、レーザ光源２の温度がレーザ光源温度Ｔのときのレーザ光源２の発光量をレーザ光源発光量Ｐ（Ｔ）とし、レーザ光源２へ供給される電流を供給電流ＩＦとし、レーザ光源２の温度が摂氏２５度のときの供給電流ＩＦをレーザ光源発光量Ｐ（Ｔ）に変換する定数を変換定数βとし、摂氏２５度からの温度変化を温度変化値ΔＴとし、βの温度係数を温度係数αとすると次式の関係がある。
Ｐ（Ｔ）＝（β＋α×ΔＴ）×ＩＦ …（１）
【００３２】
式（１）から、αとβは定数であるので、供給電流ＩＦが一定で温度変化値ΔＴの値が変化したとき、温度変化値ΔＴの変化にともなってレーザ光源発光量Ｐ（Ｔ）が変化する。したがって、供給電流ＩＦの値を変化させて、レーザ光源発光量Ｐ（Ｔ）を一定にする。温度検出手段４が、レーザ光源２の温度変化値ΔＴを検出することによって、α×ΔＴ×ＩＦの値を求めることができる。制御手段７は、前記値に基づく電流値を供給電流ＩＦから減らすことを指示する信号をレーザ駆動電流供給回路体５へ与える。式（１）は次式となる。
Ｐ（Ｔ）＝（β＋α×ΔＴ）×ＩＦ−α×ΔＴ×ＩＦ …（２）
【００３３】
式（２）を計算すると次式が導出される。
Ｐ（Ｔ）＝β×ＩＦ …（３）
式（３）からレーザ光源発光量Ｐ（Ｔ）は、温度変化値ΔＴによる影響を受けないで、レーザ光源発光量Ｐ（Ｔ）は供給電流ＩＦの変化にともなって変化し、供給電流ＩＦが一定であれば、レーザ光源発光量Ｐ（Ｔ）も一定となる。
【００３４】
また制御手段７は、増幅回路体９が再生処理手段６に与える電気信号を、検出温度に基づいて温度による影響を受けないように制御する。光集積回路体３は、レーザ装置１にレーザ光源２と一体に設けられているので、レーザ光源２の温度と同一の温度を、光集積回路体３の受光素子８と増幅回路体９は有す。
【００３５】
制御手段７は具体的には次式に基づいて、再生処理手段６を制御する。レーザ光源２の温度がレーザ光源温度Ｔのときの増幅回路体９が再生処理手段６に与える電気信号の電圧値を電圧値ＶＡ（Ｔ）とし、ＶＡの温度係数を温度係数Ｖαとし、摂氏２５度のときの電圧値ＶＡ（Ｔ）の値をＶＡ（２５）とすると次式の関係がある。
ＶＡ（Ｔ）＝（１＋Ｖα×ΔＴ）×ＶＡ（２５） …（４）
【００３６】
式（４）から、温度係数ＶαおよびＶＡ（２５）は定数であるので、温度変化値ΔＴの値の変化にともなって、電圧値ＶＡ（Ｔ）が変化するので、電圧値ＶＡ（Ｔ）を一定にするために、Ｖα×ΔＴ×ＶＡ（２５）の値を求める。温度検出手段４がレーザ光源２の温度変化値ΔＴを検出することによって、前記値を求めることができる。制御手段７は、前記値を式（４）の右辺から減算することを指示する信号を再生処理手段６へ与える。したがって式（４）から次式となる。
ＶＡ（Ｔ）＝（１＋Ｖα×ΔＴ）×
ＶＡ（２５）−Ｖα×ΔＴ×ＶＡ（２５） …（５）
【００３７】
式（５）を計算すると次式となる。
ＶＡ（Ｔ）＝ＶＡ（２５） …（６）
【００３８】
式（６）から電圧値ＶＡ（Ｔ）は、温度変化値ΔＴによる影響を受けないで、電圧値ＶＡ（Ｔ）は一定の値である電圧値ＶＡ（２５）となる。
【００３９】
レーザ光源２は、光記録媒体に記録される情報の再生および光記録媒体への情報の記録うち少なくともいずれか一方をするためのレーザ光を発生することができる。このレーザ光源２の温度が温度検出手段４によって検出され、検出された検出温度に基づいて、制御手段７によってレーザ光源２が制御され、レーザ光源２の発光量を一定にすることができる。したがって光記録媒体に記録される情報の再生および光記録媒体への情報の記録の精度を、発光量が一定でない場合より、高くすることができる。
【００４０】
レーザ光源２は光記録媒体へレーザ光１０を入射し、入射されたレーザ光１０である入射光は光記録媒体にて反射し、反射したレーザ光１０である反射光を受光素子８が受光する。温度検出手段４がレーザ光源２の温度を検出し、検出された検出温度に基づいて、受光素子８が受光した反射光によって情報を再生する再生処理手段６を制御手段７が制御する。これによって、レーザ光源２の温度の変化による影響を再生処理手段６へ与えないようにすることができる。したがって、再生処理手段６は、情報をより高い精度で再生することができる。
【００４１】
温度検出手段４は予め定める温度特性を有する温度検出素子を有し、レーザ装置１は少なくとも温度検出素子と受光素子とが一体の集積回路体に設けられることによって、レーザ装置１を構成する部品の数を減らすことができる。このため、レーザ装置１をより小形にすることができる。またレーザ装置１を製造する場合、部品の数が少ない方が部品の数が多い方より、製造工程を少なくすることができるので、より少ない製造工程でレーザ装置１を製造することができ、製造コストを少なくすることができる。
【００４２】
図２は、本発明の実施の他の形態であって、温度検出手段４に用いることができる電気回路図である。本実施の形態の温度検出手段４は、図１のレーザ装置１の温度検出手段４に用いることができるので、レーザ装置１の実施の形態における対応する構成に同一の参照符号を付し、異なる構成についてだけ説明し、同様の構成については説明を省略する。
【００４３】
温度検出手段４は第１抵抗素子１２〜第５抵抗素子１６と第１トランジスタ１７〜第４トランジスタ２０とバッファ回路体２１とを含んで構成される集積回路体を有す。第１抵抗素子１２〜第５抵抗素子１６は温度の変化にともなって電気抵抗値が変化する温度特性を有し、第１抵抗素子１２〜第５抵抗素子１６の温度特性は相互に同一である。第１トランジスタ１７〜第４トランジスタ２０はすべてＮＰＮ形トランジスタである。ＮＰＮ形トランジスタは、二つのＮ形半導体が同一のＰ形半導体に電気的に接続され、二つのＮ形半導体がＰ形半導体を介して互いに電気的に接続されるトランジスタである。Ｎ形半導体は、真性半導体に第５価の物質、たとえばりん（Ｐ）およびアンチモン（Ｓｂ）など、を混入した半導体である。Ｐ形半導体は、真性半導体に第３価の物質、たとえばガリウム（Ｇａ）およびインジウム（Ｉｎ）など、を混入した半導体である。
【００４４】
第１抵抗素子１２〜第３抵抗素子１４は、接地電位が与えられる接地部位４２および正の定電位が与えられる定電位部位４３間に、直列に接続される。接地部位４２は、面積が十分大きい導電体に接続されており、たとえばレーザ装置１の筐体に接続され接地電位が与えられる。第１トランジスタ１７は、最も定電位寄りの第１抵抗素子１２および中央の第２抵抗素子１３間の部位である第３接続部位３５に第１トランジスタ１７のベース１７ｂが接続され、定電位部位４３に第１トランジスタ１７のコレクタ１７ａが接続される。第２トランジスタ１８は、第２抵抗素子１３および最も接地部位４２寄りの第３抵抗素子１４間の部位である第４接続部位３６に第２トランジスタ１８のベース１８ｂが接続される。第４抵抗素子１５は、定電位部位４３および第２トランジスタ１８のコレクタ１８ａ間に接続される。第３トランジスタ１９は、第１トランジスタ１７のエミッタ１７ｃおよび第２トランジスタ１８のエミッタ１８ｃに第３トランジスタ１９のコレクタ１９ａが共通に接続され、第３トランジスタ１９のエミッタ１９ｃが接地部位４２に接続される。第４トランジスタ２０は、第３トランジスタ１９のベース１９ｂに、第４トランジスタ２０のベース２０ｂおよびコレクタ２０ａが接続され、第４トランジスタ２０のエミッタ２０ｃが接地部位４２に接続される。第５抵抗素子１６は、定電位部位４３および第４トランジスタ２０のコレクタ２０ａ間に接続される。
【００４５】
バッファ回路体２１は、第２トランジスタ１８のコレクタ１８ａおよび第４抵抗素子１５間の部位である第５接続部位３７にバッファ回路体２１の入力端子が接続される。電圧計２２は、光集積回路体３の外部に備えられ、光集積回路体３の外部にある外部接地部位４４およびバッファ回路体２１の出力端子４５間の電圧値を計測する。バッファ回路体２１は、利得が約１のコレクタ接地増幅回路体である。バッファ回路体２１を接続することによって出力インピーダンスが小さくなり、バッファ回路体２１の出力電圧が大きくなる。第３抵抗素子１４、第４トランジスタ２０のエミッタ２０ｃおよび第３トランジスタ１９のエミッタ１９ｃは、接地部位４２に接続される。第１抵抗素子１２、第４抵抗素子１５、第５抵抗素子１６および第１トランジスタ１７のコレクタ１７ａは、定電位部位４３に接続される。
【００４６】
温度検出手段４は、レーザ装置１にレーザ光源２と一体に設けられることによって、レーザ光源２の温度と同一の温度を温度検出手段４を構成する各素子は有す。温度検出手段４は第２トランジスタ１８の温度特性に基づいて、バッファ回路体２１の出力端子４５および外部接地部位４４間の電圧値を求めることで、レーザ光源２の温度を検出する。
【００４７】
第２抵抗素子１３の両端子間の電圧値、つまり第１トランジスタ１７のベース１７ｂと第２トランジスタ１８のベース１８ｂとの間の電圧値を差電圧値ΔＶの２倍の値とし、第１トランジスタ１７のベース１７ｂとエミッタ１７ｃとの間の電圧値を第１ベースエミッタ電圧値ＶＢＥ１とし、第２トランジスタ１８のベース１８ｂとエミッタ１８ｃとの間の電圧値を第２ベースエミッタ電圧値ＶＢＥ２とする。第１ベースエミッタ電圧値ＶＢＥ１と第２ベースエミッタ電圧値ＶＢＥ２との平均値を平均電圧値ＶＢＥ０とする。差電圧値ΔＶ、第１ベースエミッタ電圧値ＶＢＥ１、第２ベースエミッタ電圧値ＶＢＥ２および平均電圧値ＶＢＥ０は次式の関係がある。
ＶＢＥ１＝ＶＢＥ０＋ΔＶ …（７）
ＶＢＥ２＝ＶＢＥ０−ΔＶ …（８）
【００４８】
第１トランジスタ１７のコレクタ１７ａの電流値を第１コレクタ電流値ＩＣ１とし、第２トランジスタ１８のコレクタ１８ａの電流値を第２コレクタ電流値ＩＣ２とし、トランジスタの飽和電流値を飽和電流値ＩＳとし、熱電圧値を熱電圧値ＶＴとし、第１コレクタ電流値ＩＣ１と第２コレクタ電流値ＩＣ２との平均値を平均コレクタ電流値ＩＣ０とすると、式（７）および式（８）から次式の関係がある。ここでｅｘｐ（ ）は、自然対数を底とする指数関数である。
ＩＣ０＝ＩＳ×ｅｘｐ（ＶＢＥ０／ＶＴ） …（９）
ＩＣ１＝ＩＳ×ｅｘｐ（ＶＢＥ１／ＶＴ）
＝ＩＳ×ｅｘｐ（ＶＢＥ０／ＶＴ）×ｅｘｐ（ΔＶ／ＶＴ）
＝ＩＣ０×ｅｘｐ（ΔＶ／ＶＴ） …（10）
ＩＣ２＝ＩＳ×ｅｘｐ（ＶＢＥ２／ＶＴ）
＝ＩＳ×ｅｘｐ（ＶＢＥ０／ＶＴ）×ｅｘｐ（−ΔＶ／ＶＴ）
＝ＩＣ０×ｅｘｐ（−ΔＶ／ＶＴ） …（11）
【００４９】
正の定電位の値を定電位ＶＣＣとし、バッファ回路体２１の出力端子４５および外部接地部位４４間の電圧値を出力電圧値ＶＯとし、第１抵抗素子１２〜第５抵抗素子１６の各電気抵抗値をそれぞれ第１抵抗Ｒ１〜第５抵抗Ｒ５とし、第１抵抗素子１２〜第５抵抗素子１６の両端子間の各電圧値をそれぞれ第１抵抗電圧値ＶＲ１〜第５抵抗電圧値ＶＲ５とすると、式（１１）から次式の関係がある。
ＶＯ＝ＶＣＣ−Ｒ４×ＩＣ２
＝ＶＣＣ−Ｒ４×ＩＣ０×ｅｘｐ（−ΔＶ／ＶＴ） …（12）
【００５０】
平均コレクタ電流値ＩＣ０は、第３トランジスタ１９のコレクタ１９ａの電流値から求められる。第３トランジスタ１９および第４トランジスタ２０はカレントミラー回路を形成しているので、第３トランジスタのコレクタ１９ａの電流値が求められる。
【００５１】
カレントミラー回路は、同一のトランジスタのコレクタとベースとが接続されたトランジスタ、本実施の形態では第４トランジスタ２０、のベースと他のトランジスタ、本実施の形態では第３トランジスタ１９、のベースとが接続されて形成される。
【００５２】
第４トランジスタ２０のコレクタ２０ａとベース２０ｂとが接続された接続導通線のコレクタ寄りの接続部位を第１接続部位４０とし、ベース寄りの接続部位を第２接続部位４１とする。第５抵抗素子１６および第１接続部４０との間のコレクタ電流の値を第４コレクタ電流値ＩＣ４とする。第１接続部４０と第４トランジスタ２０のコレクタとの間の電流の値を第４コレクタ接続電流値ＩＣ４０とする。第１接続部４０および第２接続部４１間の電流の値を第４コレクタベース電流値ＩＣＢとする。次式の関係がある。
ＩＣ４＝ＩＣ４０＋ＩＣＢ …（13）
【００５３】
第４トランジスタ２０のエミッタ電流の値を第４エミッタ電流値ＩＥ４とし、第４トランジスタ２０のベース電流の値を第４ベース電流値ＩＢ４とする。次式の関係がある。
ＩＥ４＝ＩＣ４０＋ＩＢ４ …（14）
【００５４】
第３トランジスタ１９のベース電流の値を第３ベース電流値ＩＢ３とする。次式の関係がある。
ＩＣＢ＝ＩＢ３＋ＩＢ４ …（15）
【００５５】
したがって、式（１３）に式（１４）および式（１５）を代入すると次式となる。
ＩＣ４＝ＩＢ３＋ＩＥ４ …（16）
【００５６】
また、第３トランジスタ１９のエミッタ電流の値を第３エミッタ電流値ＩＥ３とし、コレクタ電流の値を第３コレクタ電流値ＩＣ３とすると、次式の関係がある。
ＩＥ３＝ＩＣ３＋ＩＢ３ …（17）
【００５７】
第３トランジスタ１９のベース１９ｂとエミッタ１９ｃとの間の電圧値を第３ベースエミッタ電圧値ＶＢＥ３とし、第４トランジスタ２０のベース２０ｂとエミッタ２０ｃとの間の電圧値を第４ベースエミッタ電圧値ＶＢＥ４とする。第３ベースエミッタ電圧値ＶＢＥ３と第４ベースエミッタ電圧値ＶＢＥ４とは、ともに一端が接地部位４２で他端が共通な部位間の電圧値であるので、第３ベースエミッタ電圧値ＶＢＥ３と第４ベースエミッタ電圧値ＶＢＥ４とは互いに等しい。したがって次式で表せる。
ＶＢＥ３＝ＶＢＥ４ …（18）
【００５８】
式（１８）から第３エミッタ電流値ＩＥ３と第４エミッタ電流値ＩＥ４の値は互いに等しいので、次式の関係がある。
ＩＥ３＝ＩＥ４ …（19）
【００５９】
したがって、式（１７）および式（１９）から、次式となる。
ＩＥ４＝ＩＣ３＋ＩＢ３ …（20）
【００６０】
したがって、式（１６）および式（２０）から、次式となる。
ＩＣ４＝ＩＣ３＋２×ＩＢ３ …（21）
【００６１】
トランジスタの特性によって、コレクタ電流値は、ベース電流値の１００〜５００倍であるので、第４コレクタ電流値ＩＣ４と、第３コレクタ電流値ＩＣ３とはほぼ等しい。したがって次式となる。
ＩＣ４＝ＩＣ３ …（22）
【００６２】
第４コレクタ電流値ＩＣ４はオームの法則から次式で表せる。
ＩＣ４＝ＶＲ５／Ｒ５ …（23）
【００６３】
式（２２）および式（２３）から次式となる。
ＩＣ３＝ＶＲ５／Ｒ５ …（24）
【００６４】
式（２４）から平均コレクタ電流値ＩＣ０を求めることができる。
ＩＣ０＝ＩＣ３／２
＝（ＶＲ５／Ｒ５）／２
＝２×ＶＲ５／Ｒ５ …（25）
【００６５】
式（２５）の両辺に第４抵抗Ｒ４を掛けると次式となる。
Ｒ４×ＩＣ０＝２×ＶＲ５×Ｒ４／Ｒ５ …（26）
【００６６】
第１抵抗素子１２〜第５抵抗素子１６の温度特性を表す値である各温度係数をそれぞれ第１温度係数ＲＴ１〜第５温度係数ＲＴ５とする。レーザ光源２がレーザ光源温度ＴのときのＲ４×ＩＣ０の値を（Ｒ４×ＩＣ０）（Ｔ）とする。次式の関係がある。
（Ｒ４×ＩＣ０）（Ｔ）＝２×ＶＲ５×（（１＋ＲＴ４×ΔＴ）×
Ｒ４(２５)）／（(１＋ＲＴ５×ΔＴ)×Ｒ５(２５)）…（27）
【００６７】
第４抵抗素子１５および第５抵抗素子１６の温度特性は相互に同一なので、第４温度係数ＲＴ４および第５温度係数ＲＴ５の値は相互に同一である。したがって式（２７）は次式となる。
（Ｒ４×ＩＣ０）(Ｔ)＝２×ＶＲ５×Ｒ４(２５)／Ｒ５(２５)…（28）
【００６８】
式（２８）から（Ｒ４×ＩＣ０）（Ｔ）の値はレーザ光源温度Ｔに依存しない。また２×ΔＶ（Ｔ）の値は次式で表せる。
２×ΔＶ(Ｔ)＝ＶＣＣ×（（１＋ＲＴ２×ΔＴ）×Ｒ２(２５)）／
（（１＋ＲＴ１×ΔＴ）×Ｒ１(２５)＋（１＋ＲＴ２×ΔＴ）×
Ｒ２(２５)＋（１＋ＲＴ３×ΔＴ）×Ｒ３(２５)） …（29）
【００６９】
第１抵抗素子１２〜第３抵抗素子１４の温度特性は相互に同一なので、第１温度係数ＲＴ１〜第３温度係数ＲＴ３の値は相互に同一である。したがって式（２９）は次式となる。
２×ΔＶ（Ｔ）＝ＶＣＣ×Ｒ２（２５）／
（Ｒ１(２５)＋Ｒ２(２５)＋Ｒ３（２５））…（30）
式（３０）から２×ΔＶ（Ｔ）の値はレーザ光源温度Ｔに依存しない。
【００７０】
レーザ光源温度Ｔのときの出力電圧値ＶＯの値をＶＯ（Ｔ）とする。熱電圧値ＶＴの温度特性を表す値である温度係数を熱電圧温度係数ＶＴＴとする。次式の関係がある。
ＶＯ（Ｔ）＝ＶＣＣ−Ｒ４×ＩＣ２
＝ＶＣＣ−Ｒ４×ＩＣ０×
ｅｘｐ（−ΔＶ／((１＋ＶＴＴ×ΔＴ)×ＶＴ)）…（31）
【００７１】
式（３１）からＶＯ（Ｔ）の値が熱電圧値ＶＴの温度特性に依存する。ボルツマン定数をｋ、絶対温度ＴＡおよび電子の電化量をｑとする。次式の関係がある。
ＶＴ＝ｋ×ＴＡ／ｑ …（32）
【００７２】
式（２８）、式（３０）および式（３２）を式（３１）に代入することによって、ＶＯ（Ｔ）から温度変化値ΔＴおよび絶対温度ＴＡを求め、レーザ光源温度Ｔを検出する。
【００７３】
温度検出手段４は、第１抵抗素子１２〜第５抵抗素子１６と第１トランジスタ１７〜第４トランジスタ２０とを含んで構成される集積回路体を有す。第１抵抗素子１２〜第５抵抗素子１６は温度の変化にともなって電気抵抗値が変化する温度特性を有し、第１抵抗素子１２〜第５抵抗素子１６の温度特性は相互に同一である。第１トランジスタ１７〜第４トランジスタ２０はすべてＮＰＮ形トランジスタである。第２トランジスタ１８のコレクタ電流値が、温度の変化にともなって変化する。温度検出手段４は、第５接続部位３７と外部接地部位４４間の電圧値を求めることによって、温度を検出することができる。第１抵抗素子１２〜第５抵抗素子１６の温度特性が、相互に同一であることによって、前記電圧値は、第１抵抗素子１２〜第５抵抗素子１６の温度の変化による影響を受けない。第２トランジスタ１８のコレクタ電流値は、トランジスタの特性によって温度の変化にともなって変化する。したがって、前記電圧値は、温度検出手段４を構成する素子の影響を受けないので、温度検出手段４は温度をより正確に検出することができる。
【００７４】
図３は、本発明の実施のさらに他の形態であって、温度検出手段４に用いることができる電気回路図である。本実施の形態の温度検出手段４は、前述した図１のレーザ装置１の温度検出手段４に用いることができ、また図２の温度検出手段４と類似しているので、図１および図２に対応する構成には同一の参照符号を付し、異なる構成についてだけ説明し、同様の構成については説明を省略する。
【００７５】
温度検出手段４は温度特性が相互に異なる２つの抵抗素子、本実施の形態では第６抵抗素子２３と第７抵抗素子２４とを有す。第６抵抗素子２３および第７抵抗素子２４は、相互に異なる電位を有す第１電位４６および第２電位４７が与えられる部位間に直列に接続される。第６抵抗素子２３および第７抵抗素子２４の間の部位である第６接続部位３８と、光集積回路体３の外部で接地電位が与えられる外部接地部位４４との間の電圧値を出力電圧値ＶＯ３とし、出力電圧値ＶＯ３を電圧計２２によって求めることで、温度検出手段４は温度を検出する。
【００７６】
第６抵抗素子２３の電気抵抗値を第６抵抗Ｒ６とし、第７抵抗素子２４の電気抵抗値を第７抵抗Ｒ７とする。温度が摂氏２５度での第６抵抗Ｒ６および第７抵抗Ｒ７の値をそれぞれＲ６（２５）およびＲ７（２５）とする。第６抵抗素子２３の温度係数を第６温度係数ＲＴ６とし、第７抵抗素子２４の温度係数を第７温度係数ＲＴ７とする。第６抵抗素子２３寄りの定電位を第１定電位値Ｖ６とし、第７抵抗素子２４寄りの定電位を第２定電位値Ｖ７とする。レーザ光源２の温度をレーザ光源温度Ｔとし、温度Ｔの摂氏２５度からの温度変化を温度変化値ΔＴとする。レーザ光源温度Ｔでの出力電圧値ＶＯ３をＶＯ３（Ｔ）とする。ＶＯ３（Ｔ）は次式で表せる。
ＶＯ３（Ｔ）＝Ｖ７＋（（１＋ＲＴ７×ΔＴ）×Ｒ７（２５））／
（（（１＋ＲＴ６×ΔＴ）×Ｒ６（２５））＋
（(１＋ＲＴ７×ΔＴ)×Ｒ７(２５)））×(Ｖ６−Ｖ７)…（33）
【００７７】
式（３３）によって、ＶＯ３（Ｔ）から温度変化値ΔＴを求め、レーザ光源温度Ｔを検出する。
【００７８】
温度検出素子は第６抵抗素子２３と第７抵抗素子２４とであり、集積回路体内で相互に異なる電位が与えられる部位間に、第６抵抗素子２３と第７抵抗素子２４とが直列に接続される。集積回路体内に電位差を有すことによって、集積回路体外のレーザ装置１の構成要素を少なくすることができる。抵抗素子の温度の変化にともなって抵抗素子の電気抵抗値が変化する温度特性を第６抵抗素子２３と第７抵抗素子２４とは有し、第６抵抗素子２３と第７抵抗素子２４との温度特性は相互に異なる。第６抵抗素子２３と第７抵抗素子２４との少なくともいずれか一方の電圧値を求めることによって、温度検出手段４は温度を検出することができる。またレーザ装置１を製造する場合、構成要素の数が少ない方が構成要素の数が多い方より、製造工程を少なくすることができるので、製造時間が短くなりかつ製造コストを少なくすることができる。
【００７９】
図４は、本発明の実施のさらに他の形態であって、温度検出手段４に用いることができる電気回路図である。本実施の形態の温度検出手段４は、前述した図１のレーザ装置１の温度検出手段４に用いることができ、また図２の温度検出手段４と類似しているので、図１および図２に対応する構成には同一の参照符号を付し、異なる構成についてだけ説明し、同様の構成については説明を省略する。
【００８０】
温度検出手段４は、情報の再生用の受光素子とは異なる第１受光素子２５、たとえばフォトダイオードと第８抵抗素子２６とを有す。これら第１受光素子２５と第８抵抗素子２６とは、相互に異なる電位を有す第１電位４６および第２電位４７が与えられる部位間に直列に接続される。電圧計２２は、第１受光素子２５および第８抵抗素子２６の間の部位である第７接続部位３９と、光集積回路体３の外部において接地電位が与えられる外部接地部位４４との間の電圧値を計測する。第１受光素子２５は光を受光することによって、受光した光の光度に応じた電流を流す。
【００８１】
第１受光素子２５および第８抵抗素子２６の間の部位と、光集積回路体３の外部において接地電位が与えられる外部接地部位４４との間の電圧値を出力電圧値ＶＯ４とし、出力電圧値ＶＯ４を求めることで、温度検出手段４は温度を検出する。
【００８２】
第１受光素子２５の受光した光を電流に変換する効率を変換効率Ａとし、第１受光素子２５の温度が摂氏２５度のときの変換効率ＡをＡ（２５）とし、変換効率Ａの温度係数を変換温度係数ＡＴとする。第１受光素子２５の受光した光の光度を光度Ｐとする。第８抵抗素子２６の電気抵抗値を第８抵抗Ｒ８とし、第８抵抗素子２６の温度が摂氏２５度のときの電気抵抗値をＲ８（２５）とし、第８抵抗素子２６の温度係数を第８温度係数ＲＴ８とする。第１受光素子２５寄りの第１定電位４６を第１定電位値ＶＰ、第８抵抗素子２６寄りの第２定電位４７を第２定電位値Ｖ８とする。レーザ光源２の温度をレーザ光源温度Ｔとし、レーザ光源温度Ｔの摂氏２５度からの温度変化を温度変化値ΔＴとする。レーザ光源温度Ｔでの出力電圧値ＶＯ４をＶＯ４（Ｔ）とする。ＶＯ４（Ｔ）は次式で表せる。
ＶＯ４（Ｔ）＝Ｐ×（１＋ＡＴ×ΔＴ）×Ａ（２５）×
（１＋ＲＴ８×ΔＴ）×Ｒ８(２５)＋Ｖ８ …（34）
【００８３】
式（３４）によって、ＶＯ４（Ｔ）から温度変化値ΔＴを求め、レーザ光源温度Ｔを検出する。
【００８４】
温度検出素子は第１受光素子２５と第８抵抗素子２６とであり、集積回路体内で相互に異なる電位が与えられる部位間に、第１受光素子２５と第８抵抗素子２６とが直列に接続される。集積回路体内に電位差を有すことによって、集積回路体外のレーザ装置１の構成要素を少なくすることができる。第１受光素子２５は、情報の再生用の受光素子とは異なる受光素子である。抵抗素子の温度の変化にともなって抵抗素子の電気抵抗値が変化する温度特性を第８抵抗素子２６は有し、受光素子の温度の変化にともなって受光素子の電圧値が変化する温度特性を第１受光素子２５は有す。これによって、第８抵抗素子２６の電圧値を求めることによって温度を検出することができる。レーザ装置１を製造する場合、構成要素の数が少ない方が構成要素の数が多い方より、製造工程を少なくすることができるので、製造時間が短くなりかつ製造コストを少なくすることができる。また温度検出手段４は第１受光素子２５を有すので、第１受光素子２５がレーザ光１０を受光した場合、第１受光素子２５の電気抵抗値が変化し、温度検出手段４は温度を検出する。したがって、レーザ光源２がレーザ光１０を発生した場合のみ温度検出手段４は温度を検出し、レーザ光源２がレーザ光１０を発生していない場合は温度検出手段４は温度を検出しないので、温度検出手段４のスイッチング態様を、いわば自動的に切替えることができ、温度検出手段４に用いられる電気量を少なくすることができることによって、温度検出手段４の稼働コストを少なくすることができる。
【００８５】
図５は、本発明の実施のさらに他の形態であって、温度検出手段４に用いることができる電気回路図である。本実施の形態の温度検出手段４は、前述した図１のレーザ装置１の温度検出手段４に用いることができ、また図２の温度検出手段４と類似しているので、図１および図２に対応する構成には同一の参照符号を付し、異なる構成についてだけ説明し、同様の構成については説明を省略する。
【００８６】
温度検出素子は、第９抵抗素子２７であり、第９抵抗素子２７での両端子間に、出力接続部位４５を介して、光集積回路体３の外部から定電圧源２８によって電圧が印可される。電流計２９は、第９抵抗素子２７を流れる電流値を計測する。電流値を出力電流値ＩＯ５とし、出力電流値ＩＯ５を求めることで、温度検出手段４は温度を検出する。
【００８７】
第９抵抗素子２７の電気抵抗値を第９抵抗Ｒ９とし、第９抵抗素子２７の温度が摂氏２５度のときの電気抵抗値をＲ９（２５）とし、第９抵抗素子２７の温度係数を第９温度係数ＲＴ９とする。定電圧源２８によって印可される電圧の電圧値を定電圧値Ｖ９とする。レーザ光源２の温度をレーザ光源温度Ｔとし、レーザ光源温度Ｔの摂氏２５度からの温度変化を温度変化値ΔＴとする。レーザ光源温度Ｔでの出力電流値ＩＯ５をＩＯ５（Ｔ）とする。ＩＯ５（Ｔ）は次式で表せる。
ＩＯ５（Ｔ）＝Ｖ９／（（１＋ＲＴ９×ΔＴ）×Ｒ９(２５)）…（35）
【００８８】
式（３５）によって、ＩＯ５（Ｔ）から温度変化値ΔＴを求め、レーザ光源温度Ｔを検出する。
【００８９】
温度検出素子は第９抵抗素子２７であり、抵抗素子の温度の変化にともなって抵抗素子の電気抵抗値が変化する温度特性を第９抵抗素子２７は有すので、電気抵抗値を求めることによって、温度検出手段４は温度を検出することができる。温度検出手段４は簡単な構成であるので、温度検出手段４を小形にすることができる。したがってレーザ装置をより小形にすることができる。
【００９０】
図６は、本発明の実施のさらに他の形態であって、温度検出手段４に用いることができる電気回路図である。本実施の形態の温度検出手段４は、前述した図１のレーザ装置１の温度検出手段４に用いることができ、また図２および図５の温度検出手段４と類似しているので、図１、図２および図５に対応する構成には同一の参照符号を付し、異なる構成についてだけ説明し、同様の構成については説明を省略する。
【００９１】
温度検出素子は、第１０抵抗素子３０であり、第１０抵抗素子３０に、光集積回路体３の外部から、出力接続部位４５を介して、定電流源３１によって電流が流される。電圧計２２は、第１０抵抗素子３０の両端子間の電圧値を計測する。電圧値を出力電圧値ＶＯ６とし、出力電圧値ＶＯ６を求めることで、温度検出手段４は温度を検出する。
【００９２】
第１０抵抗素子３０の電気抵抗値を第１０抵抗Ｒ１０とし、第１０抵抗素子３０の温度が摂氏２５度のときの電気抵抗値をＲ１０（２５）とし、第１０抵抗素子３０の温度係数を第１０温度係数ＲＴ１０とする。定電流源３１によって流される電流の電流値を定電流値Ｉ１０とする。レーザ光源２の温度をレーザ光源温度Ｔとし、レーザ光源温度Ｔの摂氏２５度からの温度変化を温度変化値ΔＴとする。レーザ光源温度Ｔでの出力電圧値ＶＯ６をＶＯ６（Ｔ）とする。電圧値ＶＯ６（Ｔ）は次式で表せる。
ＶＯ６（Ｔ）＝Ｉ１０×(１＋ＲＴ１０×ΔＴ)×Ｒ１０(２５)…（36）
【００９３】
式（３６）によって、ＶＯ６（Ｔ）から温度変化値ΔＴを求め、レーザ光源温度Ｔを検出する。
【００９４】
温度検出素子は第１０抵抗素子３０であり、抵抗素子の温度の変化にともなって抵抗素子の電気抵抗値が変化する温度特性を第１０抵抗素子３０は有すので、電気抵抗値を求めることによって、温度検出手段４は温度を検出することができる。温度検出手段４は簡単な構成であるので、温度検出手段４を小形にすることができる。したがってレーザ装置をより小形にすることができる。
【００９５】
図７は、本発明の実施のさらに他の形態であって、温度検出手段４に用いることができる電気回路図である。本実施の形態の温度検出手段４は、前述した図１のレーザ装置１の温度検出手段４に用いることができ、また図２および図５の温度検出手段４と類似しているので、図１、図２および図５に対応する構成には同一の参照符号を付し、異なる構成についてだけ説明し、同様の構成については説明を省略する。
【００９６】
温度検出素子は、第１１抵抗素子３２であり、第１１抵抗素子３２の一方の端子は光集積回路体３の内部の接地電位が与えられる接地部位４２に接続され、他端は、出力接続部位４５を介して、光集積回路体３の外部の定電圧源２８に接続される。定電圧源２８の一端は第１１抵抗素子３２に接続され、他端は外部接地部位４４に接続される。電流計２９は第１１抵抗素子３２を流れる電流値を計測する。電流値を出力電流値ＩＯ７とし、出力電流値ＩＯ７を求めることで、温度検出手段４は温度を検出する。
【００９７】
第１１抵抗素子３２の電気抵抗値を第１１抵抗Ｒ１１とし、第１１抵抗素子３２の温度が摂氏２５度のときの電気抵抗値をＲ１１（２５）とし、第１１抵抗素子３２の温度係数を第１１温度係数ＲＴ１１とする。定電圧源２８によって印可される電圧の電圧値を定電圧値Ｖ１１とする。レーザ光源２の温度をレーザ光源温度Ｔとし、レーザ光源温度Ｔの摂氏２５度からの温度変化を温度変化値ΔＴとする。レーザ光源温度Ｔでの出力電流値ＩＯ７をＩＯ７（Ｔ）とする。ＩＯ７（Ｔ）は次式で表せる。
ＩＯ７（Ｔ）＝Ｖ１１／
（（１＋ＲＴ１１×ΔＴ）×Ｒ１１（２５）） …（37）
【００９８】
式（３７）によって、ＩＯ７（Ｔ）から温度変化値ΔＴを求め、レーザ光源温度Ｔを検出する。
【００９９】
温度検出素子は第１０抵抗素子３０であり、集積回路体の内部において第１０抵抗素子３０の一方の端子に一定の電位が与えられている。他方の端子に一方の電位と異なる電位が与えられることによって、端子間に電位差が発生する。集積回路体の外部から他方の端子に電位を与えることによって、集積回路体の外部と接続する出力接続部位４５の数を少なくすることができる。抵抗素子の温度の変化にともなって抵抗素子の電気抵抗値が変化する温度特性を第１０抵抗素子３０は有すので、電気抵抗値を求めることによって、温度を検出することができる。また出力接続部位４５の数を少なくすることによって、温度検出手段４の製造コストを少なくすることができる。
【０１００】
図８は、本発明の実施のさらに他の形態であって、温度検出手段４に用いることができる電気回路図である。本実施の形態の温度検出手段４は、前述した図１のレーザ装置１の温度検出手段４に用いることができ、また図６の温度検出手段４と類似しているので、図１および図６に対応する構成には同一の参照符号を付し、異なる構成についてだけ説明し、同様の構成については説明を省略する。
【０１０１】
温度検出素子は、第１ダイオード３３であり、第１ダイオード３３の順方向に、光集積回路体３の外部から、出力接続部位４５を介して、定電流源３１によって電流が流される。電圧計２２は、第１ダイオード３３の両端子間の電圧値を計測する。電圧値を出力電圧値ＶＯ８とし、出力電圧値ＶＯ８を求めることで、温度検出手段４は温度を検出する。
【０１０２】
第１ダイオード３３の電圧値の第１ダイオード電圧値ＤＶ１とし、温度が摂氏２５度のときの電圧値をＤＶ１（２５）とし、第１ダイオード電圧値ＤＶ１の温度係数を第１ダイオード温度係数ＤＴ１とする。レーザ光源２の温度をレーザ光源温度Ｔとし、レーザ光源温度Ｔの摂氏２５度からの温度変化を温度変化値ΔＴとする。温度変化値Ｔでの出力電圧値ＶＯ８をＶＯ８（Ｔ）とする。ＶＯ８（Ｔ）は次式で表せる。
ＶＯ８（Ｔ）＝（１＋ＤＴ１×ΔＴ）×ＤＶ１（２５） …（38）
【０１０３】
式（３８）によって、ＶＯ８（Ｔ）から温度変化値ΔＴを求め、レーザ光源温度Ｔを検出する。
【０１０４】
温度検出素子は第１ダイオード３３であり、ダイオードの温度の変化にともなってダイオードの電圧値が変化する温度特性を第１ダイオード３３は有すので、電圧値を求めることによって、温度検出手段４は温度を検出することができる。温度検出手段４は簡単な構成であるので、温度検出手段４を小形にすることができる。したがって、レーザ装置１をより小形にすることができる。
【０１０５】
図９は、本発明の実施のさらに他の形態であって、温度検出手段４に用いることができる電気回路図である。本実施の形態の温度検出手段４は、前述した図１のレーザ装置１の温度検出手段４に用いることができ、また図７および図８の温度検出手段４と類似しているので、図１、図７および図８に対応する構成には同一の参照符号を付し、異なる構成についてだけ説明し、同様の構成については説明を省略する。
【０１０６】
温度検出素子は、第２ダイオード３４であり、第２ダイオード３４の一方の端子は光集積回路体３の内部において接地電位が与えられる接地部位４２に接続され、他端は光集積回路体３の外部に設けられる定電流源３１に、出力端子３８を介して接続される。定電流源３１の一端は第２ダイオード３４に接続され、他端は外部接地部位４４に接続される。第２ダイオード３４の順方向に、光集積回路体３の外部から定電流源３１によって電流が流される。電圧計２２は、第２ダイオード３４の両端子間の電圧値を計測する。電圧値を出力電圧値ＶＯ９とし、出力電圧値ＶＯ９を求めることで、温度検出手段４は温度を検出する。
【０１０７】
第２ダイオード３４の電圧値を第２ダイオード電圧値ＤＶ２とし、温度が摂氏２５度のときの電圧値をＤＶ２（２５）とし、第２ダイオード電圧値ＤＶ２の温度係数を第２ダイオード温度係数ＤＴ２とする。レーザ光源２の温度をレーザ光源温度Ｔとし、レーザ光源温度Ｔの摂氏２５度からの温度変化を温度変化値ΔＴとする。レーザ光源温度Ｔでの出力電圧値ＶＯ９をＶＯ９（Ｔ）とする。ＶＯ９（Ｔ）は次式で表せる。
ＶＯ９（Ｔ）＝（１＋ＤＴ２×ΔＴ）×ＤＶ２（２５） …（39）
【０１０８】
式（３９）によって、ＶＯ９（Ｔ）から温度変化値ΔＴを求め、レーザ光源温度Ｔを検出する。
【０１０９】
温度検出素子は第２ダイオード３４であり、集積回路体の内部において第２ダイオード３４の一方の端子に一定の電位が与えられている。集積回路体の外部から他方の端子に電位を与えることによって、集積回路体の外部と接続する出力接続部位４５の数を少なくすることができる。ダイオードの温度の変化にともなってダイオードの電圧値が変化する温度特性を第２ダイオード３４は有すので、第２ダイオード３４に一定の電流を与えることによって、第２ダイオード３４の電圧値を求め、温度検出手段は温度を検出することができる。また温度検出手段４を小さくすることができる。また出力接続部位４５の数を少なくすることによって、温度検出手段４の製造コストを少なくすることができる。
【０１１０】
図１０は本発明の実施のさらに他の形態のレーザ装置１１の主要構成を示すブロック図である。本実施の形態のレーザ装置１１は前述した図１の実施の形態のレーザ装置１と類似しており、本実施の形態の構成には、図１の実施の形態における対応する構成に同一の参照符号を付し、異なる構成についてだけ説明し、同様の構成については説明を省略する。
【０１１１】
本実施の形態におけるレーザ装置１１は、前述の図１の実施の形態のレーザ装置１に対して、光集積回路体３の構成が異なる。光集積回路体３は、受光素子８および増幅回路体９を含んで構成され、光集積回路体３は温度検出手段４を含まない。温度検出手段４は光集積回路体３の外部であって、レーザ装置１１の内部に配置される。レーザ装置１１も前述の図１のレーザ装置１と同様の効果を得ることができる。
【０１１２】
本発明の実施の形態のレーザ装置１は受光素子８を含んで構成されたが、レーザ装置１が光記録媒体へ情報を記録のみをする場合は、受光素子８を含まなくても本発明は実現できる。
【０１１３】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、検出温度に基づいて制御手段によってレーザ光源が制御され、レーザ光源の発光量を一定にすることができる。したがって光記録媒体に記録される情報の再生および光記録媒体への情報の記録の精度を、発光量が一定でない場合より、高くすることができる。また温度検出素子と受光素子とが、一体の集積回路体に設けられることによって、レーザ装置を構成する部品の数を減らすことができる。したがって、レーザ装置をより小形にすることができる。またレーザ装置を製造する場合、部品の数が少ない方が部品の数が多い方より、製造工程を少なくすることができるので、より少ない製造工程でレーザ装置を製造することができ、製造コストを少なくすることができる。さらに、温度検出手段は、第４抵抗素子および第２トランジスタ間の部位と接地部位間の電圧値を求めることによって、温度を検出することができる。第１〜第５抵抗素子の温度特性が、相互に同一であることによって、前記電圧値は、第１〜第５抵抗素子の温度の変化による影響を受けない。第２トランジスタのコレクタ電流値は、トランジスタの特性によって温度の変化にともなって変化する。したがって、前記電圧値は、温度検出手段を構成する素子の影響を受けないので、温度検出手段は温度をより正確に検出することができる。
【０１２３】
また本発明によれば、集積回路体が受光素子と温度検出手段とを一体に有すことによって、レーザ装置を構成する部品の数を減少させることができる。したがって、レーザ装置をより小形にすることが可能である。またレーザ装置を製造する場合、部品の数が少ない方が部品の数が多い方より、製造工程を少なくすることができるので、製造コストを少なくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の一形態であるレーザ装置１の主要構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施の一形態であるレーザ装置１の温度検出手段４を示す電気回路図である。
【図３】本発明の実施の一形態であるレーザ装置１の温度検出手段４を示す電気回路図である。
【図４】本発明の実施の一形態であるレーザ装置１の温度検出手段４を示す電気回路図である。
【図５】本発明の実施の一形態であるレーザ装置１の温度検出手段４を示す電気回路図である。
【図６】本発明の実施の一形態であるレーザ装置１の温度検出手段４を示す電気回路図である。
【図７】本発明の実施の一形態であるレーザ装置１の温度検出手段４を示す電気回路図である。
【図８】本発明の実施の一形態であるレーザ装置１の温度検出手段４を示す電気回路図である。
【図９】本発明の実施の一形態であるレーザ装置１の温度検出手段４を示す電気回路図である。
【図１０】本発明の実施の一形態であるレーザ装置１１の主要構成を示すブロック図である。
【図１１】従来のレーザ装置５０の主要構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
１，１１ レーザ装置
２ レーザ光源
３ 光集積回路体
４ 温度検出手段
５ レーザ駆動電流供給回路
６ 再生処理手段
７ 制御手段
８ 受光素子
９ 増幅回路体
１０ レーザ光
２２ 電圧計
２８ 定電圧源
２９ 電流計
３１ 定電流源[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a laser apparatus for reproducing at least one of information recorded on an optical recording medium and recording information on the optical recording medium.
[0002]
[Prior art]
FIG. 11 is a block diagram showing a main configuration of a conventional laser apparatus 50. As shown in FIG. The laser device 50 is a device that performs at least one of reproduction of information recorded on the optical recording medium and recording of information on the optical recording medium. The laser device 50 is electrically connected to the laser drive current supply circuit body 51. The laser device 50 is electrically connected to the information reproducing device 52. The laser device 50 includes a laser light source 53 and an optical integrated circuit body 54. The optical integrated circuit body 54 includes a light receiving element 55 and an amplifier circuit body 56.
[0003]
The laser drive current supply circuit body 51 supplies a current for emitting laser light 57 to the laser light source 53. The laser light source 53 emits laser light 57 having a light emission amount corresponding to the current supplied from the laser drive current supply circuit 51 to the optical recording medium, and reproduces information recorded on the optical recording medium or to the optical recording medium. Record the information. When reproducing information recorded on the optical recording medium, the laser light 57 is reflected by the optical recording medium, and the light receiving element 55 receives the reflected light. The light receiving element 55 sends an electric signal corresponding to the information of the reflected light to the amplifier circuit body 56. The amplification circuit body 56 amplifies the electric signal from the light receiving element 55 and sends it to the information reproducing device 52. The information reproducing device 52 reproduces information recorded on the optical recording medium.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
In the conventional laser device 50, the light emission amount of the laser light source 53 is controlled by the current supplied from the laser drive current supply circuit body 51 to the laser light source. The temperature of the laser light source 53 changes due to the continuous light emission of the laser light source and the change in the light emission amount of the laser light source 53. When the temperature of the laser light source 53 changes, the light emission amount of the laser light source 53 changes. When the light emission amount of the laser light source 53 is changed, the accuracy of reproducing information recorded on the optical recording medium and recording information on the optical recording medium is lower than when the light emission amount is constant, and information is missing. May occur.
[0005]
In the conventional laser device 50, the temperature of the optical integrated circuit body 54 of the laser device 50 changes due to the change in the temperature of the laser light source 53. When the temperature of the optical integrated circuit body 54 changes, the electrical signal sent to the information reproducing device 52 may change and a lack of information to be reproduced may occur, compared to when the temperature does not change.
[0006]
Accordingly, an object of the present invention is to provide a laser device capable of reproducing information with a certain accuracy and recording information even when the temperature of the laser light source changes.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
  The present invention relates to a laser light source for generating laser light for reproducing at least one of reproducing information recorded on an optical recording medium and recording information on the optical recording medium;
  A light receiving element for receiving reflected light from the optical recording medium in order to reproduce information recorded on the optical recording medium;
  Provided in an integrated circuit body integrated with the light receiving element;Temperature detecting means for detecting the temperature of the laser light source;
  Control means for controlling the laser light source based on the detected temperature detected by the temperature detecting means.See
  The temperature detecting means is connected in series between a ground portion to which a ground potential is applied and a constant potential portion to which a positive constant potential is applied, and has a temperature characteristic identical to each other. 1 A third resistance element;
  An NPN-type first transistor having a base connected to a portion between the first resistance element closest to the constant potential portion and a central second resistance element, and a collector connected to the constant potential portion;
  An NPN-type second transistor having a base connected to a portion between the second resistance element and the third resistance element closest to the ground portion;
  A fourth resistance element connected between the constant potential region and the collector of the second transistor and having the same temperature characteristics as the first to third resistance elements;
  An NPN-type third transistor having a collector connected in common to the emitters of the first and second transistors, and an emitter connected to the ground portion;
  An NPN-type fourth transistor having a base and a collector connected to a base of the third transistor, and an emitter connected to a ground site;
  A laser device comprising: a fifth resistance element connected between the constant potential region and the collector of the fourth transistor and having the same temperature characteristics as the first to fourth resistance elementsIt is.
[0008]
  According to the present invention, the laser light source can generate a laser beam for reproducing at least one of information recorded on the optical recording medium and recording information on the optical recording medium. The temperature of the laser light source is detected by the temperature detecting means, and based on the detected temperature, the laser light source is controlled by the control means, and the light emission amount can be made constant.The light receiving element is used to reproduce information recorded on the optical recording medium. The laser light source makes the laser light incident on the optical recording medium, and the incident light that is the incident laser light is reflected by the optical recording medium. The light receiving element receives the reflected light that is the reflected laser light. The temperature detecting means includes a temperature detecting element having a predetermined temperature characteristic, and the laser device is provided in an integrated circuit body in which at least the temperature detecting element and the light receiving element are integrated. Since the integrated circuit body is provided in this way, the number of parts constituting the laser device can be reduced. For this reason, a laser apparatus can be made smaller. Further, the temperature detecting means has an integrated circuit body including the first to fifth resistance elements and the first to fourth transistors. The first to fifth resistance elements have temperature characteristics in which the electric resistance value changes with changes in temperature, and the temperature characteristics of the first to fifth resistance elements are the same. The first to fourth transistors are all NPN type. The collector current value of the second transistor changes as the temperature changes. The temperature detecting means can detect the temperature by obtaining a voltage value between the portion between the fourth resistance element and the second transistor and the ground portion. Since the collector current value of the second transistor changes with changes in temperature depending on the characteristics of the transistor, the temperature can be detected more accurately.
[0025]
  The present invention also providesAboveAn integrated circuit body for a laser device,
  The light receiving element;AboveThe integrated circuit body is characterized in that the temperature detecting means is integrally provided.
[0026]
According to the present invention, the integrated circuit body is integrally provided with the light receiving element and the temperature detecting means, and the integrated circuit body is used in the laser device. Since the integrated circuit body integrally includes the light receiving element and the temperature detecting means, the number of components constituting the laser device can be reduced.
[0027]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
FIG. 1 is a block diagram showing a main configuration of a laser apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. The laser device 1 is electrically connected to the laser drive current supply circuit body 5, the reproduction processing means 6 and the control means 7. The laser device 1 includes a laser light source 2 and an optical integrated circuit body 3.
[0028]
The laser drive current supply circuit body 5 is an electric circuit body that supplies current to the laser light source 2. The laser light source 2 is a laser light source 2 using, for example, a semiconductor laser element, and emits a laser beam 10 having a light emission amount corresponding to a current supplied from a laser driving current supply circuit body 5 to an optical recording medium. At least one of reproduction of information recorded on the optical recording medium and recording of information on the optical recording medium is performed. An optical recording medium is a recording medium that uses light to record at least one of information recording and reproduction of recorded information. For example, a compact disk (abbreviated as Compact Disk: CD) and M-O (abbreviated as Magnet Optical Disk: MO).
[0029]
The optical integrated circuit body 3 is an integrated circuit body including a temperature detecting means 4, a light receiving element 8, and an amplifier circuit body 9. The temperature detection means 4 detects the temperature of the laser light source 2 and gives a signal based on the detected temperature to the control means 7. The temperature detecting means 4 has a temperature detecting element having a predetermined temperature characteristic. In order to reproduce information recorded on the optical recording medium, the light receiving element 8 receives reflected light from the optical recording medium, converts the reflected light into an electric signal, and provides the amplified circuit body 9 with the reflected light. The amplifier circuit body 9 amplifies the electric signal given from the light receiving element 8 and gives it to the reproduction processing means 6.
[0030]
The control means 7 receives a signal based on the detected temperature from the temperature detecting means 4, and controls the laser drive current supply circuit body 5 and the regeneration processing means 6 based on the detected temperature. The reproduction processing means 6 reproduces information recorded on an optical recording medium such as video and audio based on the electric signal given from the amplifier circuit body 9.
[0031]
The control means 7 controls the laser light source 2 so that the light emission amount of the laser light source 2 becomes constant based on the detected temperature. Specifically, the control means 7 controls the laser light source 2 based on the following equation. The temperature of the laser light source 2 is defined as the laser light source temperature T, and the light emission amount of the laser light source 2 when the temperature of the laser light source 2 is the laser light source temperature T is defined as the laser light source light emission amount P (T). Is a supply current IF, a constant for converting the supply current IF when the temperature of the laser light source 2 is 25 degrees Celsius into a laser light source emission amount P (T) is a conversion constant β, and a temperature change from 25 degrees Celsius is a temperature change When the value ΔT is used and the temperature coefficient β is a temperature coefficient α, the following relationship is established.
P (T) = (β + α × ΔT) × IF (1)
[0032]
Since α and β are constants from Equation (1), when the supply current IF is constant and the value of the temperature change value ΔT changes, the laser light source emission amount P (T) varies with the change of the temperature change value ΔT. Change. Therefore, the value of the supply current IF is changed to keep the laser light source emission amount P (T) constant. By detecting the temperature change value ΔT of the laser light source 2 by the temperature detecting means 4, a value of α × ΔT × IF can be obtained. The control means 7 gives a signal for instructing to reduce the current value based on the value from the supply current IF to the laser drive current supply circuit body 5. Formula (1) becomes following Formula.
P (T) = (β + α × ΔT) × IF−α × ΔT × IF (2)
[0033]
When equation (2) is calculated, the following equation is derived.
P (T) = β × IF (3)
From equation (3), the laser light source emission amount P (T) is not affected by the temperature change value ΔT, the laser light source emission amount P (T) changes with the change of the supply current IF, and the supply current IF is If it is constant, the laser light source emission amount P (T) is also constant.
[0034]
The control means 7 controls the electric signal given to the reproduction processing means 6 by the amplifier circuit body 9 so as not to be affected by the temperature based on the detected temperature. Since the optical integrated circuit body 3 is provided integrally with the laser light source 2 in the laser device 1, the light receiving element 8 and the amplifier circuit body 9 of the optical integrated circuit body 3 have the same temperature as the temperature of the laser light source 2. The
[0035]
Specifically, the control means 7 controls the reproduction processing means 6 based on the following equation. When the temperature of the laser light source 2 is the laser light source temperature T, the voltage value of the electric signal given to the reproduction processing means 6 by the amplifier circuit body 9 is defined as a voltage value VA (T), the temperature coefficient of VA is defined as a temperature coefficient Vα, and 25 degrees Celsius. When the value of the voltage value VA (T) at the time is VA (25), the following relationship is established.
VA (T) = (1 + Vα × ΔT) × VA (25) (4)
[0036]
Since the temperature coefficients Vα and VA (25) are constants from the equation (4), the voltage value VA (T) changes with the change of the temperature change value ΔT. In order to make it constant, the value of Vα × ΔT × VA (25) is obtained. The temperature detection means 4 can detect the temperature change value ΔT of the laser light source 2 to obtain the value. The control means 7 gives the reproduction processing means 6 a signal instructing to subtract the value from the right side of the equation (4). Therefore, the following equation is obtained from equation (4).
VA (T) = (1 + Vα × ΔT) ×
VA (25) −Vα × ΔT × VA (25) (5)
[0037]
When equation (5) is calculated, the following equation is obtained.
VA (T) = VA (25) (6)
[0038]
From equation (6), the voltage value VA (T) is not affected by the temperature change value ΔT, and the voltage value VA (T) becomes a constant voltage value VA (25).
[0039]
The laser light source 2 can generate a laser beam for reproducing at least one of information recorded on the optical recording medium and recording information on the optical recording medium. The temperature of the laser light source 2 is detected by the temperature detection means 4, and the laser light source 2 is controlled by the control means 7 based on the detected temperature detected, so that the light emission amount of the laser light source 2 can be made constant. Therefore, the accuracy of reproducing information recorded on the optical recording medium and recording information on the optical recording medium can be made higher than when the light emission amount is not constant.
[0040]
The laser light source 2 makes the laser light 10 incident on the optical recording medium, the incident light that is the incident laser light 10 is reflected by the optical recording medium, and the light receiving element 8 receives the reflected light that is the reflected laser light 10. . The temperature detection means 4 detects the temperature of the laser light source 2, and based on the detected temperature, the control means 7 controls the reproduction processing means 6 that reproduces information by the reflected light received by the light receiving element 8. Thereby, it is possible to prevent the reproduction processing means 6 from being affected by the temperature change of the laser light source 2. Therefore, the reproduction processing means 6 can reproduce information with higher accuracy.
[0041]
The temperature detecting means 4 has a temperature detecting element having a predetermined temperature characteristic, and the laser device 1 includes at least a temperature detecting element and a light receiving element in an integrated circuit body, so that components of the laser device 1 are provided. The number can be reduced. For this reason, the laser apparatus 1 can be made smaller. Further, when the laser device 1 is manufactured, the number of parts can be reduced when the number of parts is smaller than the number of parts, so that the laser apparatus 1 can be manufactured with fewer manufacturing processes. Cost can be reduced.
[0042]
FIG. 2 is an electric circuit diagram which is another embodiment of the present invention and can be used for the temperature detecting means 4. Since the temperature detecting means 4 of the present embodiment can be used for the temperature detecting means 4 of the laser apparatus 1 of FIG. 1, the same reference numerals are assigned to the corresponding components in the embodiment of the laser apparatus 1 and are different. Only the configuration will be described, and description of similar configurations will be omitted.
[0043]
The temperature detecting means 4 has an integrated circuit body including a first resistor element 12 to a fifth resistor element 16, a first transistor 17 to a fourth transistor 20, and a buffer circuit body 21. The first resistance element 12 to the fifth resistance element 16 have a temperature characteristic in which the electrical resistance value changes as the temperature changes, and the temperature characteristics of the first resistance element 12 to the fifth resistance element 16 are the same. . The first transistor 17 to the fourth transistor 20 are all NPN type transistors. An NPN transistor is a transistor in which two N-type semiconductors are electrically connected to the same P-type semiconductor, and the two N-type semiconductors are electrically connected to each other via the P-type semiconductor. An N-type semiconductor is a semiconductor in which an intrinsic semiconductor is mixed with a pentavalent substance such as phosphorus (P) and antimony (Sb). A P-type semiconductor is a semiconductor in which an intrinsic semiconductor is mixed with a trivalent substance such as gallium (Ga) and indium (In).
[0044]
The first resistance element 12 to the third resistance element 14 are connected in series between a ground portion 42 to which a ground potential is applied and a constant potential portion 43 to which a positive constant potential is applied. The ground part 42 is connected to a conductor having a sufficiently large area, and is connected to the housing of the laser apparatus 1 and given a ground potential, for example. In the first transistor 17, the base 17 b of the first transistor 17 is connected to a third connection part 35, which is a part between the first resistance element 12 closest to the constant potential and the second resistance element 13 in the center, and the constant potential part 43. Is connected to the collector 17a of the first transistor 17. In the second transistor 18, the base 18 b of the second transistor 18 is connected to a fourth connection part 36 that is a part between the second resistance element 13 and the third resistance element 14 closest to the ground part 42. The fourth resistance element 15 is connected between the constant potential portion 43 and the collector 18 a of the second transistor 18. In the third transistor 19, the collector 19 a of the third transistor 19 is commonly connected to the emitter 17 c of the first transistor 17 and the emitter 18 c of the second transistor 18, and the emitter 19 c of the third transistor 19 is connected to the ground part 42. . In the fourth transistor 20, the base 20 b and the collector 20 a of the fourth transistor 20 are connected to the base 19 b of the third transistor 19, and the emitter 20 c of the fourth transistor 20 is connected to the ground part 42. The fifth resistance element 16 is connected between the constant potential portion 43 and the collector 20 a of the fourth transistor 20.
[0045]
In the buffer circuit body 21, an input terminal of the buffer circuit body 21 is connected to a fifth connection portion 37 that is a portion between the collector 18 a of the second transistor 18 and the fourth resistance element 15. The voltmeter 22 is provided outside the optical integrated circuit body 3 and measures the voltage value between the external grounding portion 44 outside the optical integrated circuit body 3 and the output terminal 45 of the buffer circuit body 21. The buffer circuit body 21 is a collector ground amplifier circuit body having a gain of about 1. By connecting the buffer circuit body 21, the output impedance is reduced, and the output voltage of the buffer circuit body 21 is increased. The third resistance element 14, the emitter 20 c of the fourth transistor 20, and the emitter 19 c of the third transistor 19 are connected to the ground portion 42. The first resistance element 12, the fourth resistance element 15, the fifth resistance element 16, and the collector 17 a of the first transistor 17 are connected to the constant potential portion 43.
[0046]
The temperature detection means 4 is provided integrally with the laser light source 2 in the laser device 1, so that each element constituting the temperature detection means 4 has the same temperature as the temperature of the laser light source 2. The temperature detection means 4 detects the temperature of the laser light source 2 by obtaining the voltage value between the output terminal 45 of the buffer circuit body 21 and the external grounding portion 44 based on the temperature characteristics of the second transistor 18.
[0047]
The voltage value between both terminals of the second resistance element 13, that is, the voltage value between the base 17 b of the first transistor 17 and the base 18 b of the second transistor 18 is set to a value twice the difference voltage value ΔV, and the first transistor The voltage value between the base 17b and the emitter 17c of 17 is the first base emitter voltage value VBE1, and the voltage value between the base 18b and the emitter 18c of the second transistor 18 is the second base emitter voltage value VBE2. An average value of the first base emitter voltage value VBE1 and the second base emitter voltage value VBE2 is defined as an average voltage value VBE0. The difference voltage value ΔV, the first base emitter voltage value VBE1, the second base emitter voltage value VBE2, and the average voltage value VBE0 have the following relationship.
VBE1 = VBE0 + ΔV (7)
VBE2 = VBE0−ΔV (8)
[0048]
The current value of the collector 17a of the first transistor 17 is a first collector current value IC1, the current value of the collector 18a of the second transistor 18 is a second collector current value IC2, the saturation current value of the transistor is a saturation current value IS, Assuming that the thermal voltage value is the thermal voltage value VT and the average value of the first collector current value IC1 and the second collector current value IC2 is the average collector current value IC0, the relationship of the following formula is obtained from the formulas (7) and (8): There is. Here, exp () is an exponential function with the natural logarithm as the base.
IC0 = IS × exp (VBE0 / VT) (9)
IC1 = IS × exp (VBE1 / VT)
= IS × exp (VBE0 / VT) × exp (ΔV / VT)
= IC0 × exp (ΔV / VT) (10)
IC2 = IS × exp (VBE2 / VT)
= IS × exp (VBE0 / VT) × exp (−ΔV / VT)
= IC0 × exp (−ΔV / VT) (11)
[0049]
A positive constant potential value is defined as a constant potential VCC, a voltage value between the output terminal 45 of the buffer circuit body 21 and the external grounding portion 44 is defined as an output voltage value VO, and each of the first resistance element 12 to the fifth resistance element 16 is The resistance values are first resistance R1 to fifth resistance R5, respectively, and the voltage values between both terminals of the first resistance element 12 to the fifth resistance element 16 are first resistance voltage value VR1 to fifth resistance voltage value VR5, respectively. Then, there is a relationship of the following equation from equation (11).
VO = VCC-R4 × IC2
= VCC-R4 × IC0 × exp (−ΔV / VT) (12)
[0050]
The average collector current value IC0 is obtained from the current value of the collector 19a of the third transistor 19. Since the third transistor 19 and the fourth transistor 20 form a current mirror circuit, the current value of the collector 19a of the third transistor is obtained.
[0051]
The current mirror circuit includes a transistor in which the collector and base of the same transistor are connected, the base of the fourth transistor 20 in this embodiment and the base of the third transistor 19 in this embodiment. Connected and formed.
[0052]
A connection part closer to the collector of the connection conduction line where the collector 20a and the base 20b of the fourth transistor 20 are connected is referred to as a first connection part 40, and a connection part closer to the base is referred to as a second connection part 41. The value of the collector current between the fifth resistance element 16 and the first connection portion 40 is defined as a fourth collector current value IC4. The value of the current between the first connection unit 40 and the collector of the fourth transistor 20 is defined as a fourth collector connection current value IC40. The value of the current between the first connection part 40 and the second connection part 41 is defined as a fourth collector base current value ICB. There is a relationship of the following formula.
IC4 = IC40 + ICB (13)
[0053]
The emitter current value of the fourth transistor 20 is a fourth emitter current value IE4, and the base current value of the fourth transistor 20 is a fourth base current value IB4. There is a relationship of the following formula.
IE4 = IC40 + IB4 (14)
[0054]
The value of the base current of the third transistor 19 is defined as a third base current value IB3. There is a relationship of the following formula.
ICB = IB3 + IB4 (15)
[0055]
Therefore, the following formula is obtained by substituting the formula (14) and the formula (15) into the formula (13).
IC4 = IB3 + IE4 (16)
[0056]
Further, when the value of the emitter current of the third transistor 19 is the third emitter current value IE3 and the value of the collector current is the third collector current value IC3, the following relationship is established.
IE3 = IC3 + IB3 (17)
[0057]
The voltage value between the base 19b and the emitter 19c of the third transistor 19 is the third base emitter voltage value VBE3, and the voltage value between the base 20b and the emitter 20c of the fourth transistor 20 is the fourth base emitter voltage value VBE4. And Since the third base emitter voltage value VBE3 and the fourth base emitter voltage value VBE4 are both voltage values between the ground part 42 and the common part at the other end, the third base emitter voltage value VBE3 and the fourth base emitter value VBE3 are the same. The emitter voltage value VBE4 is equal to each other. Therefore, it can be expressed by the following formula.
VBE3 = VBE4 (18)
[0058]
Since the values of the third emitter current value IE3 and the fourth emitter current value IE4 are equal to each other from the equation (18), there is a relationship of the following equation.
IE3 = IE4 (19)
[0059]
Therefore, from the equations (17) and (19), the following equation is obtained.
IE4 = IC3 + IB3 (20)
[0060]
Therefore, from the equations (16) and (20), the following equation is obtained.
IC4 = IC3 + 2 × IB3 (21)
[0061]
Depending on the characteristics of the transistor, the collector current value is 100 to 500 times the base current value, so the fourth collector current value IC4 and the third collector current value IC3 are substantially equal. Therefore, the following equation is obtained.
IC4 = IC3 (22)
[0062]
The fourth collector current value IC4 can be expressed by the following equation from Ohm's law.
IC4 = VR5 / R5 (23)
[0063]
From the equations (22) and (23), the following equation is obtained.
IC3 = VR5 / R5 (24)
[0064]
The average collector current value IC0 can be obtained from the equation (24).
IC0 = IC3 / 2
= (VR5 / R5) / 2
= 2 × VR5 / R5 (25)
[0065]
When the fourth resistor R4 is multiplied on both sides of the equation (25), the following equation is obtained.
R4 × IC0 = 2 × VR5 × R4 / R5 (26)
[0066]
The temperature coefficients that are values representing the temperature characteristics of the first resistance element 12 to the fifth resistance element 16 are defined as a first temperature coefficient RT1 to a fifth temperature coefficient RT5, respectively. The value of R4 × IC0 when the laser light source 2 is at the laser light source temperature T is (R4 × IC0) (T). There is a relationship of the following formula.
(R4 × IC0) (T) = 2 × VR5 × ((1 + RT4 × ΔT) ×
R4 (25)) / ((1 + RT5 × ΔT) × R5 (25)) (27)
[0067]
Since the temperature characteristics of the fourth resistance element 15 and the fifth resistance element 16 are the same, the values of the fourth temperature coefficient RT4 and the fifth temperature coefficient RT5 are the same. Therefore, equation (27) becomes the following equation.
(R4 × IC0) (T) = 2 × VR5 × R4 (25) / R5 (25) (28)
[0068]
The value of (R4 × IC0) (T) from the equation (28) does not depend on the laser light source temperature T. The value of 2 × ΔV (T) can be expressed by the following equation.
2 × ΔV (T) = VCC × ((1 + RT2 × ΔT) × R2 (25)) /
((1 + RT1 × ΔT) × R1 (25) + (1 + RT2 × ΔT) ×
R2 (25) + (1 + RT3 × ΔT) × R3 (25)) (29)
[0069]
Since the temperature characteristics of the first resistance element 12 to the third resistance element 14 are the same, the values of the first temperature coefficient RT1 to the third temperature coefficient RT3 are the same. Therefore, Expression (29) becomes the following expression.
2 × ΔV (T) = VCC × R2 (25) /
(R1 (25) + R2 (25) + R3 (25)) (30)
From Expression (30), the value of 2 × ΔV (T) does not depend on the laser light source temperature T.
[0070]
The value of the output voltage value VO at the laser light source temperature T is assumed to be VO (T). A temperature coefficient representing a temperature characteristic of the thermal voltage value VT is defined as a thermal voltage temperature coefficient VTT. There is a relationship of the following formula.
VO (T) = VCC-R4 × IC2
= VCC-R4 × IC0 ×
exp (−ΔV / ((1 + VTT × ΔT) × VT)) (31)
[0071]
From equation (31), the value of VO (T) depends on the temperature characteristics of the thermal voltage value VT. Let Boltzmann's constant be k, absolute temperature TA and electron charge be q. There is a relationship of the following formula.
VT = k × TA / q (32)
[0072]
By substituting Equation (28), Equation (30), and Equation (32) into Equation (31), the temperature change value ΔT and the absolute temperature TA are obtained from VO (T), and the laser light source temperature T is detected.
[0073]
The temperature detection means 4 has an integrated circuit body that includes the first resistance element 12 to the fifth resistance element 16 and the first transistor 17 to the fourth transistor 20. The first resistance element 12 to the fifth resistance element 16 have a temperature characteristic in which the electrical resistance value changes as the temperature changes, and the temperature characteristics of the first resistance element 12 to the fifth resistance element 16 are the same. . The first transistor 17 to the fourth transistor 20 are all NPN type transistors. The collector current value of the second transistor 18 changes as the temperature changes. The temperature detection means 4 can detect the temperature by obtaining the voltage value between the fifth connection part 37 and the external grounding part 44. Since the temperature characteristics of the first resistance element 12 to the fifth resistance element 16 are the same, the voltage value is not affected by the temperature change of the first resistance element 12 to the fifth resistance element 16. The collector current value of the second transistor 18 changes with changes in temperature depending on the characteristics of the transistor. Therefore, since the voltage value is not affected by the elements constituting the temperature detecting means 4, the temperature detecting means 4 can detect the temperature more accurately.
[0074]
FIG. 3 is still another embodiment of the present invention, and is an electric circuit diagram that can be used for the temperature detecting means 4. The temperature detection means 4 of the present embodiment can be used for the temperature detection means 4 of the laser apparatus 1 of FIG. 1 described above, and is similar to the temperature detection means 4 of FIG. The same reference numerals are assigned to the components corresponding to, and only different components will be described, and description of similar components will be omitted.
[0075]
The temperature detecting means 4 has two resistance elements having different temperature characteristics, in the present embodiment, a sixth resistance element 23 and a seventh resistance element 24. The sixth resistance element 23 and the seventh resistance element 24 are connected in series between the portions to which the first potential 46 and the second potential 47 having different potentials are applied. The voltage value between the sixth connection portion 38 which is a portion between the sixth resistance element 23 and the seventh resistance element 24 and the external ground portion 44 to which the ground potential is applied outside the optical integrated circuit body 3 is output voltage. The temperature detection means 4 detects the temperature by obtaining the output voltage value VO3 by the voltmeter 22 with the value VO3.
[0076]
The electric resistance value of the sixth resistance element 23 is a sixth resistance R6, and the electric resistance value of the seventh resistance element 24 is a seventh resistance R7. The values of the sixth resistor R6 and the seventh resistor R7 at a temperature of 25 degrees Celsius are R6 (25) and R7 (25), respectively. The temperature coefficient of the sixth resistance element 23 is a sixth temperature coefficient RT6, and the temperature coefficient of the seventh resistance element 24 is a seventh temperature coefficient RT7. The constant potential near the sixth resistance element 23 is set as a first constant potential value V6, and the constant potential near the seventh resistance element 24 is set as a second constant potential value V7. The temperature of the laser light source 2 is defined as a laser light source temperature T, and the temperature change from 25 degrees Celsius of the temperature T is defined as a temperature change value ΔT. The output voltage value VO3 at the laser light source temperature T is VO3 (T). VO3 (T) can be expressed by the following equation.
VO3 (T) = V7 + ((1 + RT7 × ΔT) × R7 (25)) /
(((1 + RT6 × ΔT) × R6 (25)) +
((1 + RT7 × ΔT) × R7 (25))) × (V6-V7) (33)
[0077]
Using equation (33), a temperature change value ΔT is obtained from VO3 (T), and the laser light source temperature T is detected.
[0078]
The temperature detection elements are the sixth resistance element 23 and the seventh resistance element 24, and the sixth resistance element 23 and the seventh resistance element 24 are connected in series between portions to which different potentials are applied in the integrated circuit. Is done. By having a potential difference in the integrated circuit body, the components of the laser device 1 outside the integrated circuit body can be reduced. The sixth resistance element 23 and the seventh resistance element 24 have a temperature characteristic in which the electrical resistance value of the resistance element changes as the temperature of the resistance element changes, and the sixth resistance element 23 and the seventh resistance element 24 The temperature characteristics are different from each other. By obtaining the voltage value of at least one of the sixth resistance element 23 and the seventh resistance element 24, the temperature detecting means 4 can detect the temperature. Further, when the laser device 1 is manufactured, the manufacturing process can be reduced when the number of components is smaller than when the number of components is large, and therefore the manufacturing time can be shortened and the manufacturing cost can be reduced. .
[0079]
FIG. 4 is still another embodiment of the present invention, and is an electric circuit diagram that can be used for the temperature detecting means 4. The temperature detection means 4 of the present embodiment can be used for the temperature detection means 4 of the laser apparatus 1 of FIG. 1 described above, and is similar to the temperature detection means 4 of FIG. The same reference numerals are assigned to the components corresponding to, and only different components will be described, and description of similar components will be omitted.
[0080]
The temperature detecting means 4 has a first light receiving element 25 different from the light receiving element for reproducing information, for example, a photodiode and an eighth resistance element 26. The first light receiving element 25 and the eighth resistance element 26 are connected in series between portions to which a first potential 46 and a second potential 47 having different potentials are applied. The voltmeter 22 is between a seventh connection part 39 which is a part between the first light receiving element 25 and the eighth resistance element 26 and an external ground part 44 to which a ground potential is applied outside the optical integrated circuit body 3. Measure the voltage value. The first light receiving element 25 receives light and passes a current according to the light intensity of the received light.
[0081]
A voltage value between a portion between the first light receiving element 25 and the eighth resistance element 26 and an external grounding portion 44 to which a ground potential is applied outside the optical integrated circuit body 3 is defined as an output voltage value VO4. By obtaining VO4, the temperature detecting means 4 detects the temperature.
[0082]
The efficiency of converting the light received by the first light receiving element 25 into a current is defined as a conversion efficiency A, the conversion efficiency A when the temperature of the first light receiving element 25 is 25 degrees Celsius is defined as A (25), and the temperature of the conversion efficiency A The coefficient is defined as a conversion temperature coefficient AT. The luminous intensity of the light received by the first light receiving element 25 is defined as luminous intensity P. The electric resistance value of the eighth resistance element 26 is the eighth resistance R8, the electric resistance value when the temperature of the eighth resistance element 26 is 25 degrees Celsius is R8 (25), and the temperature coefficient of the eighth resistance element 26 is the 8 Temperature coefficient RT8. The first constant potential 46 near the first light receiving element 25 is set as a first constant potential value VP, and the second constant potential 47 near the eighth resistance element 26 is set as a second constant potential value V8. The temperature of the laser light source 2 is a laser light source temperature T, and the temperature change of the laser light source temperature T from 25 degrees Celsius is a temperature change value ΔT. The output voltage value VO4 at the laser light source temperature T is VO4 (T). VO4 (T) can be expressed by the following equation.
VO4 (T) = P × (1 + AT × ΔT) × A (25) ×
(1 + RT8 × ΔT) × R8 (25) + V8 (34)
[0083]
The temperature change value ΔT is obtained from VO4 (T) by the equation (34), and the laser light source temperature T is detected.
[0084]
The temperature detection elements are the first light receiving element 25 and the eighth resistance element 26, and the first light receiving element 25 and the eighth resistance element 26 are connected in series between portions to which different potentials are applied in the integrated circuit. Is done. By having a potential difference in the integrated circuit body, the components of the laser device 1 outside the integrated circuit body can be reduced. The first light receiving element 25 is a light receiving element different from the light receiving element for reproducing information. The eighth resistance element 26 has a temperature characteristic in which the electric resistance value of the resistance element changes as the temperature of the resistance element changes, and the temperature characteristic in which the voltage value of the light receiving element changes as the temperature of the light receiving element changes. The first light receiving element 25 is provided. Thus, the temperature can be detected by obtaining the voltage value of the eighth resistance element 26. When the laser apparatus 1 is manufactured, the number of manufacturing steps can be reduced when the number of constituent elements is smaller than when the number of constituent elements is large. Therefore, the manufacturing time can be shortened and the manufacturing cost can be reduced. Moreover, since the temperature detection means 4 has the 1st light receiving element 25, when the 1st light receiving element 25 receives the laser beam 10, the electrical resistance value of the 1st light receiving element 25 will change, and the temperature detection means 4 will change temperature. To detect. Therefore, the temperature detecting means 4 detects the temperature only when the laser light source 2 generates the laser light 10, and the temperature detecting means 4 does not detect the temperature when the laser light source 2 does not generate the laser light 10. In other words, the switching mode of the detection means 4 can be switched automatically, and the amount of electricity used for the temperature detection means 4 can be reduced, so that the operating cost of the temperature detection means 4 can be reduced.
[0085]
FIG. 5 is still another embodiment of the present invention, and is an electric circuit diagram that can be used for the temperature detecting means 4. The temperature detection means 4 of the present embodiment can be used for the temperature detection means 4 of the laser apparatus 1 of FIG. 1 described above, and is similar to the temperature detection means 4 of FIG. The same reference numerals are assigned to the components corresponding to, and only different components will be described, and description of similar components will be omitted.
[0086]
The temperature detection element is a ninth resistance element 27, and a voltage is applied between the both terminals of the ninth resistance element 27 by the constant voltage source 28 from the outside of the optical integrated circuit body 3 via the output connection portion 45. The The ammeter 29 measures the value of current flowing through the ninth resistance element 27. The temperature detection means 4 detects the temperature by determining the output current value IO5 as the output current value IO5.
[0087]
The electrical resistance value of the ninth resistance element 27 is the ninth resistance R9, the electrical resistance value when the temperature of the ninth resistance element 27 is 25 degrees Celsius is R9 (25), and the temperature coefficient of the ninth resistance element 27 is the 9 Temperature coefficient RT9. The voltage value of the voltage applied by the constant voltage source 28 is defined as a constant voltage value V9. The temperature of the laser light source 2 is a laser light source temperature T, and the temperature change of the laser light source temperature T from 25 degrees Celsius is a temperature change value ΔT. The output current value IO5 at the laser light source temperature T is assumed to be IO5 (T). IO5 (T) can be expressed by the following equation.
IO5 (T) = V9 / ((1 + RT9 × ΔT) × R9 (25)) (35)
[0088]
The temperature change value ΔT is obtained from IO5 (T) by the equation (35), and the laser light source temperature T is detected.
[0089]
The temperature detection element is the ninth resistance element 27. Since the ninth resistance element 27 has a temperature characteristic in which the electrical resistance value of the resistance element changes as the temperature of the resistance element changes, by obtaining the electrical resistance value, The temperature detecting means 4 can detect the temperature. Since the temperature detection means 4 has a simple configuration, the temperature detection means 4 can be made compact. Therefore, the laser device can be made smaller.
[0090]
FIG. 6 is still another embodiment of the present invention, and is an electric circuit diagram that can be used for the temperature detecting means 4. The temperature detection means 4 of the present embodiment can be used for the temperature detection means 4 of the laser device 1 of FIG. 1 described above, and is similar to the temperature detection means 4 of FIGS. 2 and FIG. 5 are denoted by the same reference numerals, only different configurations will be described, and description of similar configurations will be omitted.
[0091]
The temperature detection element is the tenth resistance element 30, and a current is passed through the tenth resistance element 30 from the outside of the optical integrated circuit body 3 by the constant current source 31 via the output connection portion 45. The voltmeter 22 measures a voltage value between both terminals of the tenth resistance element 30. The temperature detection means 4 detects the temperature by determining the output voltage value VO6 as the output voltage value VO6.
[0092]
The electric resistance value of the tenth resistance element 30 is the tenth resistance R10, the electric resistance value when the temperature of the tenth resistance element 30 is 25 degrees Celsius is R10 (25), and the temperature coefficient of the tenth resistance element 30 is the 10 temperature coefficient RT10. The current value of the current passed by the constant current source 31 is defined as a constant current value I10. The temperature of the laser light source 2 is a laser light source temperature T, and the temperature change of the laser light source temperature T from 25 degrees Celsius is a temperature change value ΔT. The output voltage value VO6 at the laser light source temperature T is defined as VO6 (T). The voltage value VO6 (T) can be expressed by the following equation.
VO6 (T) = I10 × (1 + RT10 × ΔT) × R10 (25) (36)
[0093]
The temperature change value ΔT is obtained from VO6 (T) by the equation (36), and the laser light source temperature T is detected.
[0094]
The temperature detection element is the tenth resistance element 30. Since the tenth resistance element 30 has a temperature characteristic in which the electric resistance value of the resistance element changes as the temperature of the resistance element changes, by obtaining the electric resistance value, The temperature detecting means 4 can detect the temperature. Since the temperature detection means 4 has a simple configuration, the temperature detection means 4 can be made compact. Therefore, the laser device can be made smaller.
[0095]
FIG. 7 is still another embodiment of the present invention, and is an electric circuit diagram that can be used for the temperature detecting means 4. The temperature detection means 4 of the present embodiment can be used for the temperature detection means 4 of the laser device 1 of FIG. 1 described above, and is similar to the temperature detection means 4 of FIGS. 2 and FIG. 5 are denoted by the same reference numerals, only different configurations will be described, and description of similar configurations will be omitted.
[0096]
The temperature detection element is an eleventh resistance element 32. One terminal of the eleventh resistance element 32 is connected to a ground part 42 to which a ground potential inside the optical integrated circuit body 3 is applied, and the other end is an output connection part. It is connected to a constant voltage source 28 outside the optical integrated circuit body 3 via 45. One end of the constant voltage source 28 is connected to the eleventh resistance element 32, and the other end is connected to the external ground portion 44. The ammeter 29 measures the current value flowing through the eleventh resistance element 32. The temperature detection means 4 detects the temperature by determining the output current value IO7 as the output current value IO7.
[0097]
The eleventh resistance element 32 has an electric resistance value of the eleventh resistance R11, the electric resistance value when the temperature of the eleventh resistance element 32 is 25 degrees Celsius, and R11 (25). 11 Temperature coefficient RT11. The voltage value of the voltage applied by the constant voltage source 28 is defined as a constant voltage value V11. The temperature of the laser light source 2 is a laser light source temperature T, and the temperature change of the laser light source temperature T from 25 degrees Celsius is a temperature change value ΔT. The output current value IO7 at the laser light source temperature T is assumed to be IO7 (T). IO7 (T) can be expressed by the following equation.
IO7 (T) = V11 /
((1 + RT11 × ΔT) × R11 (25)) (37)
[0098]
The temperature change value ΔT is obtained from the IO 7 (T) by the equation (37), and the laser light source temperature T is detected.
[0099]
The temperature detection element is a tenth resistance element 30, and a constant potential is applied to one terminal of the tenth resistance element 30 inside the integrated circuit body. When a potential different from one potential is applied to the other terminal, a potential difference is generated between the terminals. By applying a potential to the other terminal from the outside of the integrated circuit body, the number of output connection parts 45 connected to the outside of the integrated circuit body can be reduced. Since the tenth resistance element 30 has a temperature characteristic in which the electrical resistance value of the resistance element changes as the temperature of the resistance element changes, the temperature can be detected by obtaining the electrical resistance value. Moreover, the manufacturing cost of the temperature detection means 4 can be reduced by reducing the number of the output connection parts 45.
[0100]
FIG. 8 is still another embodiment of the present invention, and is an electric circuit diagram that can be used for the temperature detecting means 4. The temperature detection means 4 of the present embodiment can be used for the temperature detection means 4 of the laser device 1 of FIG. 1 described above, and is similar to the temperature detection means 4 of FIG. The same reference numerals are assigned to the components corresponding to, and only different components will be described, and description of similar components will be omitted.
[0101]
The temperature detection element is the first diode 33, and a current is passed by the constant current source 31 from the outside of the optical integrated circuit body 3 through the output connection portion 45 in the forward direction of the first diode 33. The voltmeter 22 measures a voltage value between both terminals of the first diode 33. The temperature detection means 4 detects the temperature by determining the output voltage value VO8 as the output voltage value VO8.
[0102]
The first diode voltage value DV1 of the voltage value of the first diode 33 is set to DV1 (25) when the temperature is 25 degrees Celsius, and the temperature coefficient of the first diode voltage value DV1 is set to the first diode temperature coefficient DT1. To do. The temperature of the laser light source 2 is a laser light source temperature T, and the temperature change of the laser light source temperature T from 25 degrees Celsius is a temperature change value ΔT. The output voltage value VO8 at the temperature change value T is defined as VO8 (T). VO8 (T) can be expressed by the following equation.
VO8 (T) = (1 + DT1 × ΔT) × DV1 (25) (38)
[0103]
The temperature change value ΔT is obtained from VO8 (T) by the equation (38), and the laser light source temperature T is detected.
[0104]
The temperature detection element is the first diode 33. Since the first diode 33 has a temperature characteristic in which the voltage value of the diode changes as the temperature of the diode changes, the temperature detection means 4 can be obtained by obtaining the voltage value. The temperature can be detected. Since the temperature detection means 4 has a simple configuration, the temperature detection means 4 can be made compact. Therefore, the laser device 1 can be made smaller.
[0105]
FIG. 9 is still another embodiment of the present invention, and is an electric circuit diagram that can be used for the temperature detecting means 4. The temperature detection means 4 of the present embodiment can be used for the temperature detection means 4 of the laser device 1 of FIG. 1 described above, and is similar to the temperature detection means 4 of FIGS. 7 and 8 are denoted by the same reference numerals, only different configurations will be described, and description of similar configurations will be omitted.
[0106]
The temperature detection element is the second diode 34, one terminal of the second diode 34 is connected to the ground part 42 to which a ground potential is applied inside the optical integrated circuit body 3, and the other end of the optical integrated circuit body 3. An output terminal 38 is connected to a constant current source 31 provided outside. One end of the constant current source 31 is connected to the second diode 34, and the other end is connected to the external ground portion 44. A current is caused to flow from the outside of the optical integrated circuit body 3 by the constant current source 31 in the forward direction of the second diode 34. The voltmeter 22 measures a voltage value between both terminals of the second diode 34. The temperature detection means 4 detects the temperature by determining the output voltage value VO9 as the output voltage value VO9.
[0107]
The voltage value of the second diode 34 is the second diode voltage value DV2, the voltage value when the temperature is 25 degrees Celsius is DV2 (25), and the temperature coefficient of the second diode voltage value DV2 is the second diode temperature coefficient DT2. To do. The temperature of the laser light source 2 is a laser light source temperature T, and the temperature change of the laser light source temperature T from 25 degrees Celsius is a temperature change value ΔT. The output voltage value VO9 at the laser light source temperature T is VO9 (T). VO9 (T) can be expressed by the following equation.
VO9 (T) = (1 + DT2 × ΔT) × DV2 (25) (39)
[0108]
Using equation (39), a temperature change value ΔT is obtained from VO9 (T), and the laser light source temperature T is detected.
[0109]
The temperature detection element is the second diode 34, and a constant potential is applied to one terminal of the second diode 34 inside the integrated circuit body. By applying a potential to the other terminal from the outside of the integrated circuit body, the number of output connection parts 45 connected to the outside of the integrated circuit body can be reduced. Since the second diode 34 has a temperature characteristic in which the voltage value of the diode changes as the diode temperature changes, the voltage value of the second diode 34 is obtained by applying a constant current to the second diode 34. The temperature detecting means can detect the temperature. Moreover, the temperature detection means 4 can be made small. Moreover, the manufacturing cost of the temperature detection means 4 can be reduced by reducing the number of the output connection parts 45.
[0110]
FIG. 10 is a block diagram showing a main configuration of a laser apparatus 11 according to still another embodiment of the present invention. The laser device 11 of the present embodiment is similar to the laser device 1 of the embodiment of FIG. 1 described above, and the same reference is made to the corresponding configuration in the embodiment of FIG. 1 for the configuration of the present embodiment. Only a different configuration will be described with reference numerals, and description of similar configurations will be omitted.
[0111]
The laser device 11 in the present embodiment is different in the configuration of the optical integrated circuit body 3 from the laser device 1 in the embodiment of FIG. The optical integrated circuit body 3 includes a light receiving element 8 and an amplifier circuit body 9, and the optical integrated circuit body 3 does not include the temperature detection means 4. The temperature detecting means 4 is arranged outside the optical integrated circuit body 3 and inside the laser device 11. The laser device 11 can also obtain the same effect as the laser device 1 of FIG.
[0112]
The laser device 1 according to the embodiment of the present invention is configured to include the light receiving element 8. However, when the laser device 1 only records information on the optical recording medium, the present invention does not include the light receiving element 8. realizable.
[0113]
【The invention's effect】
  As described above, according to the present invention, the laser light source is controlled by the control unit based on the detected temperature, and the light emission amount of the laser light source can be made constant. Therefore, the accuracy of reproducing information recorded on the optical recording medium and recording information on the optical recording medium can be made higher than when the light emission amount is not constant.In addition, the temperature detecting element and the light receiving element are provided in an integrated circuit body, so that the number of components constituting the laser device can be reduced. Therefore, the laser device can be made smaller. Also, when manufacturing a laser device, the number of parts can be reduced when the number of parts is smaller than the number of parts, so that the laser apparatus can be manufactured with fewer manufacturing processes and the manufacturing cost can be reduced. Can be reduced. Further, the temperature detecting means can detect the temperature by obtaining a voltage value between the portion between the fourth resistance element and the second transistor and the ground portion. Since the temperature characteristics of the first to fifth resistance elements are the same, the voltage value is not affected by the temperature change of the first to fifth resistance elements. The collector current value of the second transistor varies with changes in temperature depending on the characteristics of the transistor. Therefore, since the voltage value is not affected by the elements constituting the temperature detecting means, the temperature detecting means can detect the temperature more accurately.
[0123]
Further, according to the present invention, the integrated circuit body integrally includes the light receiving element and the temperature detecting means, so that the number of parts constituting the laser device can be reduced. Therefore, the laser device can be made smaller. In the case of manufacturing a laser device, the manufacturing cost can be reduced because the manufacturing process can be reduced when the number of components is smaller than when the number of components is large.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a block diagram showing a main configuration of a laser apparatus 1 according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an electric circuit diagram showing temperature detecting means 4 of the laser apparatus 1 according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is an electric circuit diagram showing temperature detecting means 4 of the laser apparatus 1 according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is an electric circuit diagram showing temperature detecting means 4 of the laser apparatus 1 according to one embodiment of the present invention.
FIG. 5 is an electric circuit diagram showing temperature detecting means 4 of the laser apparatus 1 according to one embodiment of the present invention.
FIG. 6 is an electric circuit diagram showing temperature detecting means 4 of the laser apparatus 1 according to an embodiment of the present invention.
FIG. 7 is an electric circuit diagram showing temperature detecting means 4 of the laser apparatus 1 according to one embodiment of the present invention.
FIG. 8 is an electric circuit diagram showing temperature detecting means 4 of the laser apparatus 1 according to one embodiment of the present invention.
FIG. 9 is an electric circuit diagram showing temperature detecting means 4 of the laser apparatus 1 according to one embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a block diagram showing a main configuration of a laser apparatus 11 according to an embodiment of the present invention.
11 is a block diagram showing a main configuration of a conventional laser device 50. FIG.
[Explanation of symbols]
1,11 Laser equipment
2 Laser light source
3 Optical integrated circuit
4 Temperature detection means
5 Laser drive current supply circuit
6 Reproduction processing means
7 Control means
8 Light receiving element
9 Amplification circuit
10 Laser light
22 Voltmeter
28 constant voltage source
29 Ammeter
31 Constant current source

Claims (2)

光記録媒体に記録される情報の再生および光記録媒体への情報の記録のうち少なくともいずれか一方をするためのレーザ光を発生するレーザ光源と、
光記録媒体に記録される情報の再生をするために、光記録媒体からの反射光を受光するための受光素子と、
該受光素子と一体の集積回路体に設けられ、レーザ光源の温度を検出するための温度検出手段と、
温度検出手段によって検出される検出温度に基づいて、レーザ光源を制御する制御手段とを含み、
該温度検出手段は、接地電位が与えられる接地部位および正の定電位が与えられる定電位部位間に、直列に接続され、相互に同一の温度特性を有する第 1 〜第３抵抗素子と、
最も定電位部位寄りの第１抵抗素子および中央の第２抵抗素子間の部位にベースが接続され、定電位部位にコレクタが接続されるＮＰＮ形の第１トランジスタと、
第２抵抗素子および最も接地部位寄りの第３抵抗素子間の部位にベースが接続されるＮＰＮ形の第２トランジスタと、
定電位部位および第２トランジスタのコレクタ間に接続され、第１〜第３抵抗素子と同一の温度特性を有する第４抵抗素子と、
第１および第２トランジスタのエミッタにコレクタが共通に接続され、エミッタが接地部位に接続されるＮＰＮ形の第３トランジスタと、
第３トランジスタのベースに、ベースおよびコレクタが接続され、エミッタが接地部位に接続されるＮＰＮ形の第４トランジスタと、
定電位部位および第４トランジスタのコレクタ間に接続され、第１〜第４抵抗素子と同一の温度特性を有する第５抵抗素子とを有することを特徴とするレーザ装置。 A laser light source for generating laser light for reproducing at least one of reproducing information recorded on the optical recording medium and recording information on the optical recording medium;
A light receiving element for receiving reflected light from the optical recording medium in order to reproduce information recorded on the optical recording medium;
A temperature detecting means provided in an integrated circuit body integrated with the light receiving element, for detecting the temperature of the laser light source;
Based on the detection temperature detected by the temperature detecting means, seen including a control means for controlling the laser light source,
The temperature detecting means is connected in series between a grounding portion to which a ground potential is applied and a constant potential portion to which a positive constant potential is applied, and first to third resistance elements having the same temperature characteristics .
An NPN-type first transistor having a base connected to a portion between the first resistance element closest to the constant potential portion and a central second resistance element, and a collector connected to the constant potential portion;
An NPN-type second transistor having a base connected to a portion between the second resistance element and the third resistance element closest to the ground portion;
A fourth resistance element connected between the constant potential region and the collector of the second transistor and having the same temperature characteristics as the first to third resistance elements;
An NPN-type third transistor having a collector connected in common to the emitters of the first and second transistors, and an emitter connected to the ground portion;
An NPN-type fourth transistor having a base and a collector connected to a base of the third transistor, and an emitter connected to a ground site;
A laser device comprising a fifth resistance element connected between a constant potential region and a collector of a fourth transistor and having the same temperature characteristics as the first to fourth resistance elements. 請求項１に記載されるレーザ装置のための集積回路体であって、
前記受光素子と前記温度検出手段とが一体に設けられることを特徴とする集積回路体。An integrated circuit body for the laser device according to claim 1 ,
Integrated circuit body and the light receiving element and said temperature detecting means is characterized in that it is formed integrally.
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