JP4201933B2 - Radiation-excited phosphor screen processing method and processing apparatus, and image intensifier thereby - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、イメージインテンシファイアの技術に関し、特に、イメージインテンシファイアの放射線励起蛍光面であるシンチレータ面の平坦化技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般にイメージインテンシファイアは、真空外囲器内の入力側に入力面が形成された入力ユニットが設けられ、出力側に陽極及び出力面が設けられている。更に、真空外囲器内の側壁に沿い入力側から出力側にかけて、集束電極が配設されている。ところで、入力ユニットは図9及び図10に示すように構成されている。なお、図9は図10で示した入力ユニットの周辺部を拡大模式化したものである。
【0003】
即ち、入力ユニット71は、表面が平滑な入力基板72と、この入力基板72上に低真空度の下に蒸着法で形成され、Naで活性化されたCsI(沃化セシウム)を母体とする第1蛍光層73と、この第1蛍光層73上に高真空度の下に蒸着法で形成された第2蛍光層74と、これら第1蛍光層73、第2蛍光層74及び入力基板72のそれぞれ各周縁部を覆うように形成された環状金属薄膜75と、第2蛍光層74上に直接又は他の薄層を介して間接的に形成された光電面(図示せず)とから形成されている。そして、第1蛍光層73と第2蛍光層74とにより、いわゆる入力蛍光層76が構成されている。
【0004】
環状金属簿膜75は、第2蛍光層74上の光電面と、入力ユニット71に形成されている金属薄板電極(不図示)との間を電気的に接続するための機能を有している。又、環状金属薄膜75の内径は、ほぼ入力面の有効径の値に設定される。環状金属薄膜75の他の機能として、入力蛍光層76の有効径外の部分からの蛍光による電子放出を遮断する機能も有している。
【0005】
第1蛍光層73は5μm〜50μmの平均直径を有し、かつ、入力基板72に対しほぼ垂直に成長したCsIの柱状結晶の集合体であり、代表的な膜厚は約400μmである。このように、隣接し合ったCsIの柱状結晶は、互いに微細な隙間によって分離しているため、高い解像特性を有する半面その表面に直接光電面が形成された場合には、光電面も同様に分離した微小島状に区画されてしまい、光電面の面に平行な方向の電気的な導通が得られない。その結果、光電面から放出される光電子の数の増加に伴い、光電面の電位を一定に保つことが出来なくなり、イメージインテンシファイアの電子光学的な均一性が著しく損なわれ、出力像の歪みや解像特性の劣化が引起こされる。
【0006】
そのため、第1蛍光層73の表面には、10μm〜30μmの膜厚の第2蛍光層74が形成されている。この第2蛍光層74は、比較的連続した表面を有しているため、この表面に形成される光電面の面に平行な方向の電気的導通を確保することが出来る。
【0007】
なお、入力ユニットの光電面を平坦化する技術として、ステンレスボールを用いたタンブラー方式で平坦化する技術が特開平57−136744号公報に開示されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように、イメージインテンシファイアの入力ユニットは、半球状に入力基板となる金属板を凹面に成形し、その凹面にCsIなどの放射線励起蛍光物質を真空蒸着することで光電面であるシンチレータ面を製造していた。また、シンチレータのチャンネルセパレーションを向上させるため、CsIを柱状結晶に成長させ、その壁面をセパレータに用いている。
【0009】
そのため、シンチレータ面には柱状結晶の先端部分の凹凸が残っており、それがX線画像の解像度低下の原因となっていた。なお、CsIはモース硬度が0.2程度で脆い材質であるため、除去加工で平坦化することは困難であるので、塑性変形により平坦化加工を行っている。それらは、例えば上述のようなステンレスボールを用いたタンブラー方式で平坦化する方法であるが、この方法では、加工面の全面に亘って均質に平坦化することは困難である。
【0010】
本発明はそれらの事情に基づいて成されたもので、イメージインテンシファイアの光電面であるシンチレータ面に平坦化処理を施して平坦化することにより、X線画像の解像度の向上をを図り、高速で安定して画像処理を行えるようにすることを目的としている。
【0011】
【課題を解決するための手段】
請求項1の発明による手段によれば、表面に放射線励起蛍光物質による膜面が形成された被加工体の前記膜面を、ローラを使用して平坦に形成する放射線励起蛍光面の加工方法であって、
前記膜面は、前記ローラを保持すると共に支点を中心に回動可能に配設されたアームの先端が描く円弧形状に対応した凹面形状を呈しており、
前記ローラはその内部にヒータが装着され、
前記被加工体を加熱状態とし、前記ヒータによる熱風を前記ローラに吹きかけながら前記ローラで加圧する工程を具備することを特徴とする放射線励起蛍光面の加工方法である。
【0012】
また請求項2の発明による手段によれば、前記被加工体の裏面が、真空吸着により固定されることを特徴とする放射線励起蛍光面の加工方法である。
【0013】
また請求項3の発明による手段によれば、前記被加工体の裏面は固定体で固定され、前記固定体は、表面に前記被加工体の裏面と等しい球状面が形成されて、前記固定体が前記球状面を貫く軸線まわりに回転している際に、この球状面に対向した位置に設けられた前記ローラが前記被加工体の表面の曲面に沿って移動して前記被加工体を加圧することを特徴とする放射線励起蛍光面の加工方法である。
【0014】
また請求項4の発明による手段によれば、前記ローラは、樽状ローラであることを特徴とする放射線励起蛍光面の加工方法である。
【0015】
また請求項5の発明による手段によれば、前記ローラは、空気ばねにより被加工体に付勢されていることを特徴とする放射線励起蛍光面の加工方法である。
【0016】
また請求項6の発明による手段によれば、前記空気ばねは、ベローズを用いることを特徴とする放射線励起蛍光面の加工方法である。
【0017】
また請求項7の発明による手段によれば、前記ローラは、非接触センサにより被加工体の加工面との距離を測定した結果にもとづき前記被加工体に接触することを特徴とする放射線励起蛍光面の加工方法である。
【0018】
また請求項8の発明による手段によれば、前記ローラは、振動付与手段により振動が印加された状態で前記被加工体を加工することを特徴とする放射線励起蛍光面の加工方法である。
【0019】
また請求項9の発明による手段によれば、表面に放射線励起蛍光物質による膜面が形成された被加工体の前記膜面を、ローラを使用して平坦に形成する放射線励起蛍光面の加工装置であって、前記被加工体の裏面を固定すると共に回転する固定体と、前記ローラを保持すると共に支点を中心に回動可能に配設されたアームと、前記ローラの内部に装着されるヒータと、このヒータの熱風を前記ローラに吹き付けるためのノズルと、前記ローラを前記被加工体の前記膜面に接触させて移動させる膜面追従手段とを有し、前記ローラは、前記固定体に対向した位置に配置され前記膜面を加圧して平坦化することを特徴とする放射線励起蛍光面の加工装置である。
【0020】
また請求項10の発明による手段によれば、上記の放射線励起蛍光面の加工方法によって加工された放射線励起蛍光面を有することを特徴とするイメージインテンシファイアである。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
【0022】
図1は、イメージインテンシファイアの概要を示す断面図で、イメージインテンシファイアは、真空外囲器1の内部の入力側にX線の入力面2が形成された入力ユニット3が設けられ、出力側に陽極4及び出力面5が設けられている。更に、真空外囲器1内の側壁に沿い入力側から出力側にかけて、集束電極6が配設されている。したがって、X線を受光し励起した入力ユニット3のシンチレータ(放射線励起蛍光)物質の光電面7から出射した光電子を、集束電極6で収束させて出力面に入射させている。
【0023】
入力ユニット3は、図2及び図3に示すように構成されている。なお、図3は図2の入力ユニット3の内部構造を拡大した模式図である。
【0024】
図2に示すように表面が平滑な入力基板8の上に、シンチレータ物質の層が形成されている。それらは、低真空度の下に蒸着法で形成されNaで活性化されたCsIを母体とする第1蛍光層9と、この第1蛍光層9上に高真空度の下に蒸着法で形成された第2蛍光層10等である。
【0025】
第1蛍光層9は5μm〜50μmの平均直径を有し、かつ、入力基板8に対しほぼ垂直に成長したCsIの柱状結晶の集合体であり、代表的な膜厚は約400μmである。このように、隣接したCsIの柱状結晶は、互いに微細な隙間によって分離しているため、高い解像特性を有する半面その表面に直接光電面7aが形成された場合には、光電面7aも同様に分離した微小島状に区画されてしまい、光電面7aの面に平行な方向の電気的な導通が得られない。
【0026】
その結果、光電面7aから放出される光電子の数の増加に伴い、光電面7aの電位を一定に保つことが出来なくなり、イメージインテンシファイアの電子光学的な均一性が著しく損なわれ、出力像の歪みや解像特性の劣化が引起こされる。
【0027】
そのため、第1蛍光層9の表面には、10μm〜30μmの膜厚の第2蛍光層10が形成される。この第2蛍光層10は、比較的連続した表面を有しているため、この表面に形成される光電面7の面に平行な方向の電気的導通を確保することが出来るようにしている。
【0028】
また、CsIなどのシンチレータ物質は、最大発光波長、減衰時間、反射係数、密度、光出力比や蛍光効率の温度依存性等が異なるのでそれぞれの装置の特性に応じて選定される。また、それぞれ選定された材料でも、事前に、異物の混入、寸法精度、表面粗さや加工変質層の有無等がチェックされる。
【0029】
次に、入力ユニット3のシンチレータ面(光電面7)の平坦化について説明する。
【0030】
先ず、予め、図示しない蒸着装置の上蒸着槽内で、図2で示した入力基板8を自転させながら低真空度の下でCsI蛍光体を蒸発させ、入力基板8上に第1蛍光層9を約400μmの膜厚で成膜する。その後、蒸着槽を大気圧に戻さず、高真空度の下でCsI蛍光体を蒸発させ、第1蛍光層9上に5〜20μmの膜厚で、第2蛍光層10を成膜させて入力ユニット3を形成させ、この入力ユニット3を平坦化装置に装着する。
【0031】
平坦化装置は図4に側面を模式図で示すように、入力ユニット3を固定して回転する固定体31と、この固定体31に対向して設けられた加工部32とで構成されている。
【0032】
固定体31には入力ユニット3を吸着固定する球面状の固定面30が形成され、この固定面30には全面に亘り球面にそって吸着孔31a、31b、31c…31nが設けられている。この吸着孔31a、31b、31c…31nは図示しない真空ポンプ等の真空源に配管により接続されている。また、固定面30の反対側には固定体31を回転させる回転駆動機構33が設けられている。
【0033】
一方、加工部32としては、固定体31の固定面30の対向位置に、シンチレータ追従機構34に保持された平坦化ローラ41が配置されている。シンチレータ追従機構34は軸線方向にスライド自在なアーム35が支点36を中心に回動自在な構成で、支点36はモータ37の回転軸(不図示)に枢着されている。アーム35のスライド構造はパイプ状の中空軸38の内径にスライド軸39が摺動自在に嵌合している。このスライド軸39は中空軸38内に設けられた図示しないソレノイドにより吸引される構造で、ソレノイドに吸引された場合は支点36の方向に移動する。また、このソレノイドに抗してばね(不図示)が設けられているので、ソレノイドが作動しない状態(ソレノイドに吸引されない状態)では、このスライド軸39はばねにより、常時、固定体31側へ付勢されている。
【0034】
スライド軸39の先端部にはローラ保持部40が設けられ、このローラ保持部40にステンレス製の平坦化ローラ41が回転自在に保持されている。この平坦化ローラ41の外形は加工する入力ユニット3の内径に合わせた曲率に形成され、また、内部にはヒータ(不図示)が装着されている。
【0035】
これらの構成による装置の動作を図5(a)〜(c)を用いて説明する。上述のように、まず、図5(a)に示すように、入力ユニット3を固定体31の固定面30に装着し、吸着孔31a、31b、31c…31nに真空ポンプを作動させて吸着する。この状態では入力ユニット3のシンチレータ面7は球状の凹面に蒸着して形成されているが、金属製の入力基板8の球面誤差は大きいため、シンチレータ面7もそれに倣った誤差が生じている。そのため、入力ユニット3を固定体31の精密に加工せれている半球状凹面に形成された吸着孔31a、31b、31c…31nで真空を用いて固定することにより、球面誤差を矯正する。
【0036】
次に図5(b)に示すように、固定体回転機構33を100rpm程度で回転し、入力ユニット3を吸着固定している固定体31を回転させる。一方、シンチレータ面追従機構34が駆動して入力ユニット3の外縁部より、徐々にシンチレータ面7に接近し、シンチレータ面追従機構34の先端に装着されている平坦化ローラ41が回転しているシンチレータ面7に接触する。その接触圧(数100mg/inch程度)により、回転しているシンチレータ面7を平坦化ローラ41がシンチレータ面7に沿って矢印A方向に移動して、シンチレータ面7の中心部分まで進みシンチレータ面7の平坦化加工を行う。
【0037】
なお、平坦化ローラ41は内部に装着されているヒータ(不図示)の作用で、常時150℃程度に加熱されているので、平坦化加工は加熱状態での加圧によって行なわれることになる。
【0038】
また、平坦化加工する際の平坦化ローラ41のシンチレータ面7上での軌跡は、スパイラル状になり、シンチレータ面7の中心部分まで進んだ後、図5(c)に示すように、平坦化ローラ41をシンチレータ面7からリフトして分離し、平坦化加工を終了する。
【0039】
なお、シンチレータ面追従機構34の追従方式は、ばねによる受動的な力制御や、シンチレータ面との距離を測定し、それによる能動的に位置制御を行う方法を用いることで行うことができる。
【0040】
すなわち、ばねによる受動的な力制御は図6に示すように、シンチレータ面追従機構34aのアーム35aの先端に、リンク機構45を介して平坦化ローラ41aを設けたもので、リンク機構45を構成しているリンク46は空気ばねであるベローズ47で付勢してシンチレータ面(不図示)に一定の力を加える。空気ばねはストロークに関係なく一定の力を付与することができる。また、このベローズ47は管48を介してバッファタンク49に接続し、バッファータンク49は図示しない真空ポンプに接続されている。またべローズ47を空気ばねに用いることで、空圧ピストンの摺動抵抗を無くすことができる。
【0041】
また、図7に示す方法は位置制御による方法である。すなわち、シンチレータ面追従機構34bのアーム35bの先端には取付台51が設けられ、この取付台51には積層圧電体52上に取付けられた平坦化ローラ41bと、シンチレータ面との距離のを非接触で測定する、例えば超音波センサの測定端子53が設置されている。それらにより、測定端子53により測定装置(不図示)がシンチレータ面(不図示)との距離を測定し、その結果に基づいて制御装置54により積層圧電体52を伸縮作動させて平坦化ローラ41bの位置を制御して平坦化加工を行う。
【0042】
また、平坦化ローラ41による平坦化方式は、図8(a)〜(c)に示すいずれかを単独又は組合せて用いることもできる。いずれの方式でも、シンチレータ層の柱状結晶は破壊せずに表面のみ平坦化する。
【0043】
図8(a)には、平坦化ローラ41に樽状ローラ41cを用いた平坦化方式を示す。樽状ローラ41cには、図示しないシンチレータ面追従機構より一定の力または、一定の押し込み量が与えられ、シンチレータ面7を平坦にする。樽状ローラ41cはその曲率半径がシンチレータ面7の曲率半径と等しいか又は小さく形成されている。なお、平坦化ローラ41cの曲率が小さ過ぎると、シンチレータ面7に規則的な凹凸が発生し、撮像した画像にモアレを発生させるおそれがあるので好ましくない。
【0044】
図8(b)には、加熱による平坦化方式を示す。平坦化ローラ41dに内蔵されたヒータ42で平坦化ローラ41dを加熱すると共に、ノズル55により熱風をシンチレータ面7に吹きかけることにより、シンチレータ面7を加熱、軟化させ表面を平坦化する。なお、熱風が平坦化ローラ41dに吹きかかる位置にノズル55を配置すれば、平坦化ローラ41dのクリーニングも併せて行うことができる。
【0045】
図8(c)には、振動を印加したによる平坦化方式を示す。平坦化ローラ41eを保持するローラ受け56の部分に振動子57を設置したもので、この振動子57により平坦化ローラ41eに振動を与えてシンチレータ面7を平坦化する。この場合、衝撃的な力を加えることにより、第1蛍光層9の柱状結晶の表面のみを押し潰し平坦化することができる。
【0046】
また、上述の場合には、加工の際の加熱を平坦化ローラ41、41dの中にヒータ42設けて、平坦化ローラ41〜41dにより行ったが、固定体31の内部にヒータ(不図示)を埋設してそれにより加熱してもよい。
【0047】
また、上述の各場合は、シンチレータ面が曲面であったが、シンチレータ面が平面の場合には、シンチレータ面追従機構を極座標系に置くのではなく、XYステージを用いて平面軸上で走査して行うことができる。
【0048】
以上に述べたように、本発明によれば、タンブリングによる平坦化方法に比べ、平坦化面が安定した均質な仕上がりが期待できる。また、バフ加工のような除去加工に比べて、ダストが発生しないので良好な加工面が得られる。
【0049】
【発明の効果】
本発明によれば、イメージインテンシファイアのシンチレータ面に良好な平坦面が得られることにより、X線画像の解像度の向上をを図ることができる。
【0050】
また、そのイメージインテンシファイアを搭載した各種装置は、高速で安定して画像処理を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】イメージインテンシファイアの概要を示す断面図。
【図2】入力ユニットの構成を示す模式図。
【図3】入力ユニットの内部構造の拡大模式図。
【図4】本発明の平坦化装置の側面の模式図。
【図5】(a)〜(c)本発明の平坦化装置による平坦化動作の説明図。
【図6】本発明の平坦化装置のシンチレータ面追従機構の説明図。
【図7】本発明の平坦化装置の別のシンチレータ面追従機構の説明図。
【図8】(a)〜(c)いずれも本発明の平坦化装置の加圧機構の説明図。
【図9】入力ユニットの構成を示す説明図。
【図10】入力ユニットの周辺部を拡大した模式図。
【符号の説明】
3…入力ユニット、7…光電面(シンチレータ面)、9…第1蛍光層、10…第2蛍光層、31…固定体、34…シンチレータ追従機構、41、41a、41b、41c、41d、41e…平坦化ローラ、42…ヒータ[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an image intensifier technique, and more particularly to a flattening technique of a scintillator surface that is a radiation-excited fluorescent surface of an image intensifier.
[0002]
[Prior art]
In general, an image intensifier is provided with an input unit having an input surface formed on the input side in the vacuum envelope, and an anode and an output surface provided on the output side. Further, a focusing electrode is disposed from the input side to the output side along the side wall in the vacuum envelope. By the way, the input unit is configured as shown in FIGS. FIG. 9 is an enlarged schematic view of the periphery of the input unit shown in FIG.
[0003]
That is, the
[0004]
The
[0005]
The first
[0006]
Therefore, a second
[0007]
As a technique for flattening the photocathode of the input unit, Japanese Patent Laid-Open No. 57-136744 discloses a technique for flattening by a tumbler method using a stainless ball.
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
As described above, the input unit of the image intensifier is a scintillator that is a photocathode by forming a hemispherical metal plate as an input substrate into a concave surface and vacuum-depositing a radiation-excited fluorescent material such as CsI on the concave surface. The surface was being manufactured. In order to improve the channel separation of the scintillator, CsI is grown into a columnar crystal and its wall surface is used as a separator.
[0009]
Therefore, irregularities at the tip of the columnar crystal remain on the scintillator surface, which causes a reduction in resolution of the X-ray image. Since CsI is a brittle material having a Mohs hardness of about 0.2, it is difficult to flatten by removal processing, and thus flattening processing is performed by plastic deformation. These are, for example, methods of flattening by a tumbler method using stainless balls as described above. However, it is difficult to uniformly flatten the entire processed surface by this method.
[0010]
The present invention was made based on those circumstances, and by applying a flattening process to the scintillator surface, which is the photoelectric surface of the image intensifier, to improve the resolution of the X-ray image, The object is to enable high-speed and stable image processing.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
According to the first aspect of the present invention, there is provided a radiation-excited phosphor screen processing method in which the film surface of a workpiece having a film surface formed of a radiation-excited phosphor on the surface is formed flat using a roller. There ,
The film surface has a concave shape corresponding to an arc shape drawn by a tip of an arm arranged to hold the roller and turn around a fulcrum,
The roller is equipped with a heater inside,
A method for processing a radiation-excited phosphor screen, comprising the step of bringing the workpiece into a heated state and applying pressure with the roller while blowing hot air from the heater onto the roller .
[0012]
According to a second aspect of the present invention, there is provided the radiation-excited phosphor screen processing method, wherein the back surface of the workpiece is fixed by vacuum suction.
[0013]
According to a third aspect of the present invention , the back surface of the workpiece is fixed by a fixed body, and the fixed body has a spherical surface equal to the back surface of the workpiece to be formed on the front surface. when There being rotated about an axis passing through the spherical surface, pressing the workpiece the roller provided at a position opposed to the spherical surface is moved along the curved surface of the workpiece A method of processing a radiation-excited phosphor screen, characterized by pressing.
[0014]
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the radiation-excited phosphor screen processing method, wherein the roller is a barrel roller.
[0015]
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided the radiation-excited phosphor screen processing method, wherein the roller is biased to the workpiece by an air spring .
[0016]
According to the means of the invention of claim 6, the air spring uses a bellows as a method for processing a radiation-excited phosphor screen.
[0017]
According to a seventh aspect of the present invention, the roller is in contact with the workpiece based on a result of measuring a distance from the workpiece surface by a non-contact sensor. This is a surface processing method.
[0018]
Further, according to the means according to the invention of claim 8, there is provided a radiation-excited phosphor screen processing method, wherein the roller processes the workpiece while vibration is applied by the vibration applying means.
[0019]
According to the means of the invention of
[0020]
According to the means of the invention of
[0021]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[0022]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an outline of an image intensifier. The image intensifier is provided with an
[0023]
The
[0024]
As shown in FIG. 2, a layer of scintillator material is formed on the input substrate 8 having a smooth surface. The
[0025]
The
[0026]
As a result, as the number of photoelectrons emitted from the photocathode 7a increases, the electric potential of the photocathode 7a cannot be kept constant, the electro-optical uniformity of the image intensifier is significantly impaired, and the output image Distortion and degradation of resolution characteristics are caused.
[0027]
Therefore, the
[0028]
In addition, scintillator materials such as CsI are selected according to the characteristics of each device because the maximum emission wavelength, attenuation time, reflection coefficient, density, light output ratio, temperature dependence of fluorescence efficiency, and the like are different. In addition, even with each selected material, the presence of foreign matter, dimensional accuracy, surface roughness, presence of a work-affected layer, and the like are checked in advance.
[0029]
Next, planarization of the scintillator surface (photoelectric surface 7) of the
[0030]
First, the CsI phosphor is evaporated under low vacuum while rotating the input substrate 8 shown in FIG. 2 in an upper vapor deposition tank (not shown) in advance, and the
[0031]
As shown in the schematic side view of FIG. 4, the flattening device is composed of a fixed
[0032]
The fixed
[0033]
On the other hand, as the
[0034]
A
[0035]
The operation of the apparatus having these configurations will be described with reference to FIGS. As described above, first, as shown in FIG. 5 (a), the
[0036]
Next, as shown in FIG. 5B, the fixed
[0037]
Since the flattening
[0038]
Further, the locus on the
[0039]
In addition, the follow-up method of the scintillator surface follow-
[0040]
That is, as shown in FIG. 6, the passive force control by the spring is such that the flattening roller 41 a is provided at the tip of the arm 35 a of the scintillator surface following mechanism 34 a via the
[0041]
The method shown in FIG. 7 is a method based on position control. That is, a mounting
[0042]
Further, as the flattening method by the flattening
[0043]
FIG. 8A shows a flattening method using a barrel roller 41 c as the flattening
[0044]
FIG. 8B shows a planarization method by heating. The flattening roller 41d is heated by the heater 42 built in the flattening roller 41d, and hot air is blown onto the
[0045]
FIG. 8C shows a planarization method by applying vibration. A
[0046]
In the above-described case, the heater 42 is provided in the flattening
[0047]
In each of the above cases, the scintillator surface is a curved surface. However, when the scintillator surface is a flat surface, the scintillator surface following mechanism is not placed in the polar coordinate system, but is scanned on a plane axis using an XY stage. Can be done.
[0048]
As described above, according to the present invention, a uniform finish with a stable flat surface can be expected as compared with the flat method using tumbling. Moreover, since a dust does not generate | occur | produce compared with the removal process like a buff process, a favorable processed surface is obtained.
[0049]
【The invention's effect】
According to the present invention, it is possible to improve the resolution of an X-ray image by obtaining a good flat surface on the scintillator surface of the image intensifier.
[0050]
Also, various devices equipped with the image intensifier can perform image processing stably at high speed.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an outline of an image intensifier.
FIG. 2 is a schematic diagram showing a configuration of an input unit.
FIG. 3 is an enlarged schematic diagram of the internal structure of the input unit.
FIG. 4 is a schematic side view of the flattening device of the present invention.
FIGS. 5A to 5C are explanatory diagrams of a planarization operation by the planarization apparatus of the present invention.
FIG. 6 is an explanatory view of a scintillator surface following mechanism of the flattening device of the present invention.
FIG. 7 is an explanatory diagram of another scintillator surface following mechanism of the flattening device of the present invention.
8A to 8C are explanatory views of a pressurizing mechanism of the flattening device of the present invention.
FIG. 9 is an explanatory diagram showing a configuration of an input unit.
FIG. 10 is an enlarged schematic view of the periphery of the input unit.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
Claims (10)
前記膜面は、前記ローラを保持すると共に支点を中心に回動可能に配設されたアームの先端が描く円弧形状に対応した凹面形状を呈しており、
前記ローラはその内部にヒータが装着され、
前記被加工体を加熱状態とし、前記ヒータによる熱風を前記ローラに吹きかけながら前記ローラで加圧する工程を具備することを特徴とする放射線励起蛍光面の加工方法。A method of processing a radiation-excited fluorescent surface, wherein the film surface of a workpiece having a film surface formed of a radiation-excited fluorescent material on a surface is formed flat using a roller ,
The film surface has a concave shape corresponding to an arc shape drawn by a tip of an arm arranged to hold the roller and turn around a fulcrum,
The roller is equipped with a heater inside,
A method of processing a radiation-excited phosphor screen, comprising the step of bringing the workpiece into a heated state and applying pressure with the roller while blowing hot air from the heater onto the roller .
前記被加工体の裏面を固定すると共に回転する固定体と、
前記ローラを保持すると共に支点を中心に回動可能に配設されたアームと、
前記ローラの内部に装着されるヒータと、
このヒータの熱風を前記ローラに吹き付けるためのノズルと、
前記ローラを前記被加工体の前記膜面に接触させて移動させる膜面追従手段とを有し、
前記ローラは、前記固定体に対向した位置に配置され前記膜面を加圧して平坦化することを特徴とする放射線励起蛍光面の加工装置。 A radiation-excited phosphor screen processing apparatus for forming the film surface of a workpiece, on which a film surface of a radiation-excited phosphor material is formed , using a roller,
A fixed body that rotates with fixing the back surface of the workpiece,
An arm that holds the roller and is arranged to be rotatable around a fulcrum;
A heater mounted inside the roller;
A nozzle for blowing hot air from the heater to the roller;
Possess a membrane surface following means for moving the roller in contact with the membrane surface of the workpiece,
The said roller is arrange | positioned in the position facing the said fixed body, pressurizes and planarizes the said film surface, The processing apparatus of the radiation excitation fluorescent screen characterized by the above-mentioned .
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