JP4184550B2 - Motor control device - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、自動車のパワーウインド等の開閉装置を制御するモータ制御装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
自動車の開閉装置を制御するモータ制御装置としては、コントローラに内蔵され、電気的に書き込み可能にして消去可能な不揮発性メモリに対し、モータの回転信号を位置データとして取り込むことによって、ウインドガラスの現在位置を間接的に検出しているものが知られている。
【０００３】
上記のようなモータ制御装置では、図１２に示されるように、時刻ａにおいて開スイッチ（閉スイッチ）がオンされることによってモータが作動される。モータが作動を開始するとモータ電圧ＶＢは無負荷の状態に対して下がる。モータが作動を開始することによってモータに内蔵された回転センサからのパルス信号がコントローラに取り込まれる。時刻ａの後の時刻ｂにおいてウインドガラスがストローク端に到達すると、コントローラによってモータのロックが検出されることにより、モータに対する通電がカットオフされてモータが作動を停止される。モータが作動を停止されると、時刻ｃにおいてモータの電圧ＶＢは無負荷の状態に復帰する。その後の時刻ｄにおいて電源スイッチがオフされると、モータの電圧ＶＢは時間の経過とともに下がる。やがて、時刻ｄの後の時刻ｅにおいて、モータの電圧ＶＢがメモリ書き込み電圧Ｖ０を下回ると、コントローラは、回転センサから与えられたパルス信号数の不揮発性メモリへの書き込みを始め、時刻ｅの後の時刻ｆにおいて、モータの電圧ＶＢがリセット電圧ＲＥＳを下回るまでの書き込み可能時間ｔ内で書き込みが行われる。メモリ書き込み電圧Ｖ０は、回路内の電源電圧がマイコンのリセット電圧ＲＥＳ以上になるような回路への供給電圧以上であって、しかも、モータがその仕様の最低作動電圧でロックしたときの電圧降下以下である必要がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記のモータ制御装置において、コントローラの電源電圧が遮断された時に、ウインドガラスの位置データを不揮発性メモリに書き込むものでは、モータがロック状態にある際に電源スイッチがオフ切換えされた場合、コントローラの電源電圧が通常の作動電圧より低い電圧値に対し既に低下しているので、書き込みに必要な電荷量が不足し、単一の位置データのみ書き込むようになっていた。そのため、不揮発性メモリにウインドガラスの位置データを書き込むのに十分な時間を確保できるようにするための大容量のバックアップ用コンデンサが用いられており、大容量のバックアップ用コンデンサをコントローラに内蔵することによって、コントローラの外形が大型化するという問題点があった。
【０００５】
また、上記のモータ制御装置では、モータが作動中に電源スイッチがオフ切換えされた場合、モータの回転信号が入力中であるのにも拘らず、コントローラに内蔵されたマイコンの作動電圧が低下することによって書き込みができなくなり、実際のウインドガラスの位置に対してずれた位置データをマイコンが書き込んでしまうことになる。そのため、モータが停止するまで位置データの書き込みを継続して行えるようにするための大容量のバックアップ用コンデンサが用いられており、上記と同様にコントローラの外形が大型化するという問題点があった。
【０００６】
【発明の目的】
この発明に係わるモータ制御装置は、大容量のバックアップ用コンデンサを必要とすることなく複数個の位置データの書き込みが確実にできて、コンパクトな外形を得ることができるモータ制御装置を提供することを目的としている。
【０００７】
【発明の構成】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この発明の請求項１に係わるモータ制御装置では、電源に電気的に接続された電源スイッチと、電源スイッチに電気的に接続されたモータ駆動回路と、モータ駆動回路に電気的に接続されているとともに開閉負荷に結合され、モータ駆動回路の作動により負荷を開側または閉側に駆動するモータと、モータの回転により回転検出信号を発生するモータ回転検出手段と、オン切換えされることにより下降指令信号を発生する開スイッチと、オン切換えされることにより上昇指令信号を発生する閉スイッチと、電源スイッチ、モータ駆動回路、モータ回転検出手段、開スイッチ、閉スイッチにそれぞれ電気的に接続され、開スイッチより下降指令信号が与えられると負荷を開側に駆動するための電流をモータ駆動回路を介しモータに供給する一方、閉スイッチより上昇指令信号が与えられると負荷を閉側に駆動するための電流をモータ駆動回路を介しモータに供給するコントローラと、電源スイッチが閉じられた後に開かれる以前及び開スイッチまたは閉スイッチが閉じられた後に開かれた際毎、モータがロック状態となったとき、モータが負荷を駆動中にモータ電圧が下ってきたときのそれぞれにモータ回転検出手段より与えられた回転信号を位置データに変換して電気的に複数個読み込み及び書き込み可能な不揮発性メモリとを備え、コントローラには、開スイッチまたは閉スイッチが閉じられたとき毎に不揮発性メモリに書き込まれている位置データを消去し、該開スイッチまたは閉スイッチが開かれたとき毎に位置データを上記不揮発性メモリに複数個連続的に書き込み可能な制御ブロックを備えている構成としたことを特徴としている。
【０００９】
この発明の請求項２に係わるモータ制御装置では、コントローラには、モータ回転検出手段より与えられた回転信号の周期を測定するパルス間隔測定ブロックを備えている構成としたことを特徴としている。
【００１０】
この発明の請求項３に係わるモータ制御装置では、コントローラには、パルス間隔測定ブロックより与えられた回転信号の周期と予め定められた判定値との比較により、モータのロック判定を行うモータロック作動判定ブロックを備えている構成としたことを特徴としている。
【００１１】
この発明の請求項４に係わるモータ制御装置では、制御ブロックは、モータが作動中に、電源スイッチがオフ切換えされたときで、電源電圧が予め定められた値以下になったときに、予め定められた時間おきに位置データを不揮発性メモリに連続的に書き込み可能である構成としたことを特徴としている。
【００１２】
この発明の請求項５に係わるモータ制御装置では、コントローラには、電源スイッチがオン切換えされたときに不揮発性メモリに書き込まれている複数個の位置データを読み出し、その中の３個の位置データのそれぞれを比較して、最後に書き込まれた位置データの以後の位置データの算出処理を最終的な位置データが得られるまで複数回行うガラス位置予測ブロックを備えている構成としたことを特徴としている。
【００１３】
この発明の請求項６に係わるモータ制御装置では、コントローラには、開スイッチまたは閉スイッチがオン切換えされている時間が予め定められた値を越えた際に下降指令信号または上昇指令信号を記憶し、その後に、開スイッチまたは閉スイッチがオフ切換えされてからも、制御ブロックに対して下降指令信号または上昇指令信号を連続的に与えるワンタッチ動作記憶ブロックを備えている構成としたことを特徴としている。
【００１４】
【発明の作用】
この発明の請求項１に係わるモータ制御装置において、不揮発性メモリは、電源スイッチが閉じられた後に開かれた際毎にモータ回転検出手段よりの回転信号を位置データに変換して電気的に書き込んでいるため、モータ電圧が低下していないときに位置データの書き込みが既に行われている。また、モータがロック状態になったときに、モータ回転検出手段より与えられた回転信号を位置データに変換して不揮発性メモリに書き込んでいるため、モータ電圧が遮断されていないときに複数個の位置データの書き込みが行われる。そして、開スイッチまたは閉スイッチがオン切換えされ、モータが起動し始めた後、開スイッチまたは閉スイッチがオフ切換えされる以前に電源スイッチがオフ切換えされ、モータ電圧が下がってきたときに、不揮発性メモリに複数個の位置データの書き込みが行われ、電源スイッチがオン切換えされた際に不揮発性メモリに書き込まれた位置データを用いて現在位置が予測される。それ故、位置データの書き込みのための時間を確保する大容量のバックアップ用コンデンサを必要としない。また、この不揮発性メモリは、開スイッチまたは閉スイッチが閉じられたとき毎に不揮発性メモリに書き込まれている位置データが制御ブロックにより消去され、その後に、開スイッチまたは閉スイッチが開かれたとき毎に新たな位置データが制御ブロックによって書き込まれる。
【００１５】
この発明の請求項２に係わるモータ制御装置において、モータ回転検出手段より与えられる回転信号は、モータの回転速度に応じてその周期が変動し、コントローラのパルス間隔測定ブロックは、モータ回転検出手段より与えられたその回転信号の周期を測定する。
【００１６】
この発明の請求項３に係わるモータ制御装置において、コントローラのモータロック作動判定ブロックは、パルス間隔測定ブロックより与えられた周期値と予め定められた判定値とを比較し、パルス間隔測定ブロックより与えられた周期値が予め定められた判定値を越えた際に、制御ブロックにより不揮発性メモリへの書き込みが実行される。
【００１７】
この発明の請求項４に係わるモータ制御装置において、モータが負荷を駆動中に，電源スイッチがオフ切換えされ、モータ電圧が下がり、電源電圧が予め定められた値以下になった時に、予め定められた時間おきに位置データを不揮発性メモリに連続的に書き込む。
【００１８】
この発明の請求項５に係わるモータ制御装置において、コントローラのガラス位置予測ブロックは、電源スイッチがオン切換えされた際に、不揮発性メモリに既に書き込まれている複数個の位置データを読み出し、その中の３個の位置データのそれぞれを比較して、最後に書き込まれた位置データの以後の位置データの算出処理を複数回行うことにより、負荷が最終的に停止した位置データを得る。
【００１９】
この発明の請求項６に係わるモータ制御装置において、コントローラのワンタッチ動作記憶ブロックは、開スイッチまたは閉スイッチが長い時間オン切換えされた際、開スイッチまたは閉スイッチがオン切換えされたときに記憶した下降指令信号または上昇指令信号を制御ブロックに連続的に与える。
【００２０】
【実施例】
図１ないし図１１には、この発明に係わるモータ制御装置の一実施例が示されている。
【００２１】
図示されるモータ制御装置１は、開スイッチ（ＳＷ）２、閉スイッチ（ＳＷ）３、スイッチ（ＳＷ）信号入力ブロック４、モータ５、モータ回転検出手段としての回転センサ６、モータ駆動回路としてのモータ駆動出力ブロック７、パルス信号入力ブロック８、回路電源電圧入力ブロック９、変換ブロック１０（図２に示される。）、コントローラとしての中央処理回路（マイコン）ＭＣＵ、不揮発性メモリとしてのＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ、リセット回路１１（図２に示される。）から構成されており、中央処理回路ＭＣＵに、ワンタッチ動作記憶ブロック１２、ＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴ、クロックジェネレータ１３、制御ブロック１４、入出力制御ブロック１５、パルス間隔測定ブロック１６、パルス間隔測定タイマＴＭ２、モータロック作動判定ブロック１７、ＥＥＰＲＯＭ書き込みインターバルタイマＴＭ１、パルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴ、ガラス位置予測ブロック１８が内蔵されており、予め定められた値のモータ作動判定値（ＸＭＯＶＥ、ＸＬＯＣＫ）をもつ。
【００２２】
図１に示されるモータ制御装置１は、具体的には図２に示される回路図に表される。
【００２３】
開、閉スイッチ２、３は、一方が電源スイッチ（イグニションスイッチ）２０を通じてバッテリである電源２１に電気的に接続され、他方がスイッチ信号入力ブロック４に電気的に接続されている。開スイッチ２は、オン切換えされることによって下降指令信号を発生する。これとは異なり、閉スイッチ３は、オン切換えされることによって上昇指令信号を発生する。
【００２４】
スイッチ信号入力ブロック４は、抵抗Ｒ６、抵抗Ｒ７から構成されており、抵抗Ｒ６が開スイッチ２に電気的に接続され、抵抗Ｒ７が閉スイッチ３に電気的に接続されている。
【００２５】
スイッチ信号入力ブロック４では、電源スイッチ２０がオン状態にある際に、開スイッチ２がオン切換えされると、抵抗Ｒ６を通じ、図示しない電圧クランプ回路を介し下降指令信号（ハイレベル）を中央処理回路ＭＣＵに備えた第１の入力ポートＩＮ１に与える。これとは異なり、電源スイッチ２０がオン状態にある際に、閉スイッチ３がオン切換えされると、抵抗Ｒ７を通じ、図示しない電圧クランプ回路を介し上昇指令信号（ハイレベル）を中央処理回路ＭＣＵに備えた第２の入力ポートＩＮ２に与える。
【００２６】
モータ５には、第１、第２のブラシ端子５ａ、５ｂが備えられているとともに、図示しないアーマチュアに備えたアーマチュアシャフト５ｃが図示しないゴム製のダンパを介し、同じく図示しないガラス昇降器を介してウインドガラス３０に連結されている。
【００２７】
モータ５は、第１のブラシ端子５ａが電源２１に電気的に接続されるとともに第２のブラシ端子５ｂが接地に接続されることによってアーマチュアシャフト５ｃが正回転するため、アーマチュアシャフト５ｃの正回転によってウインドガラス３０を開ける。これに反して、第２のブラシ端子５ｂが電源２１に電気的に接続されるとともに第１のブラシ端子５ａが接地に接続されることによってアーマチュアシャフト５ｃが逆回転するため、アーマチュアシャフト５ｃの逆回転によってウインドガラス３０を閉める。モータ５の第１、第２のブラシ端子５ａ、５ｂは、モータ駆動出力ブロック７に電気的に接続されている
【００２８】
モータ駆動出力ブロック７には、第１のリレーＲＬ１、第１のスイッチングトランジスタＴＲ１、第２のリレーＲＬ２、第２のスイッチングトランジスタＴＲ２が備えられている。
【００２９】
第１のリレーＲＬ１には、第１のリレーコイルＲＬ１−１、第１のリレー常開接点ＲＬ１−２、第１の常閉接点ＲＬ１−３、第１のリレー可動接点ＲＬ１−４が備えられている。第１のリレーコイルＲＬ１−１は、上流側が電源スイッチ２０に接続され、下流側が第１のスイッチングトランジスタＴＲ１のコレクタに接続されている。第１のリレー常開接点ＲＬ１−２は電源スイッチ２０に接続されている。第１のリレー常閉接点ＲＬ１−３は接地に接続されている。第１のリレー可動接点ＲＬ１−４はモータ５の第１のブラシ端子５ａに接続されている。
【００３０】
第１のスイッチングトランジスタＴＲ１は、エミッタ接地のＮＰＮ型トランジスタであり、ベースが図示しない抵抗を通じて中央処理回路ＭＣＵに備えた第１の出力ポートＤ１に接続され、コレクタが前述したように第１のリレーコイルＲＬ１−１の下流側に接続されている。
【００３１】
第２のリレーＲＬ２には、第２のリレーコイルＲＬ２−１、第２のリレー常開接点ＲＬ２−２、第２の常閉接点ＲＬ２−３、第２のリレー可動接点ＲＬ２−４が備えられている。第２のリレーコイルＲＬ２−１は、上流側が電源スイッチ２０に接続され、下流側が第２のスイッチングトランジスタＴＲ２のコレクタに接続されている。第２のリレー常開接点ＲＬ２−２は、電源スイッチ２０に接続されている。第２のリレー常閉接点ＲＬ２−３は、接地に接続されている。第２のリレー可動接点ＲＬ２−４は、モータ５の第２のブラシ端子５ｂに接続されている。
【００３２】
第２のスイッチングトランジスタＴＲ２は、エミッタ接地のＮＰＮ型トランジスタであり、ベースが図示しない抵抗を通じて中央処理回路ＭＣＵに備えた第２の出力ポートＤ２に接続され、コレクタが前述したように第２のリレーコイルＲＬ２−１の下流側に接続されている。
【００３３】
モータ駆動出力ブロック７では、中央処理回路ＭＣＵの第１の出力ポートＤ１からハイレベルが与えられるとともに、中央処理回路ＭＣＵの第２の出力ポートＤ２からローレベルが与えられると、第１のスイッチングトランジスタＴＲ１がオンされ、第１のリレーコイルＲＬ１−１が励磁され、第１のリレー可動接点ＲＬ１−４が第１のリレー常閉接点ＲＬ１−３から第１のリレー常開接点ＲＬ１−２に電気的に接続される。そして、電源２１の電流が、第１のリレー常開接点ＲＬ１−２、第１のリレー可動接点ＲＬ１−４、モータ５の第１のブラシ端子５ａ、モータ５の第２のブラシ端子５ｂ、第２のリレー可動接点ＲＬ２−４、第２のリレー常閉接点ＲＬ２−３、接地に流れるため、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが正回転する。
【００３４】
上記に反して、モータ駆動出力ブロック７では、中央処理回路ＭＣＵの第２の出力ポートＤ２からハイレベルが与えられるとともに、中央処理回路ＭＣＵの第１の出力ポートＤ１からローレベルが与えられると、第２のスイッチングトランジスタＴＲ２がオン切換えされ、第２のリレーコイルＲＬ２−１が励磁され、第２のリレー可動接点ＲＬ２−４が第２のリレー常閉接点ＲＬ２−３から第２のリレー常開接点ＲＬ２−２に電気的に接続される。そして、電源２１の電流が、第２のリレー常開接点ＲＬ２−２、第２のリレー可動接点ＲＬ２−４、モータ５の第２のブラシ端子５ｂ、モータ５の第１のブラシ端子５ａ、第１のリレー可動接点ＲＬ１−４、第１のリレー常閉接点ＲＬ１−３、接地に流れるため、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが逆回転する。
【００３５】
回転センサ６は、ロータリーエンコーダやタコジェネレータなどの回転検出器であって、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃの近くに配置されている。この回転センサ６は、抵抗Ｒ８および抵抗Ｒ９によって分圧され、ツェナダイオードＺＤ３によって制限された電圧レベルが上流側に与えられており、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが回転していると、回転に対応してパルス状の回転信号を発生する。回転センサ６が発生したパルス信号はパルス信号入力ブロック８に与えられる。
【００３６】
パルス信号入力ブロック８は、抵抗Ｒ１０、コンデンサＣ５からなる。このパルス信号入力ブロック８は、回転センサ６から与えられたパルス信号を安定化したうえで、図示しない電圧クランプ回路を通じ中央処理回路ＭＣＵに備えた第３の入力ポートＩＮ３に与える。
【００３７】
回路電源電圧入力ブロック９は、ダイオードＤ１、抵抗Ｒ１、ツェナダイオードＺＤ１、第１のバックアップ用コンデンサＣ１、第２のバックアップ用コンデンサＣ２、発振防止用コンデンサＣ４、電源ＩＣ２２からなる。
【００３８】
回路電源電圧入力ブロック９では、ダイオードＤ１のアノードが電源スイッチ２０に接続され、他端が接地された第２のバックアップ用コンデンサＣ２の一端が電源ライン９ａとともに作動用電源ＶＣＣに接続され、電源ライン９ａが中央処理回路ＭＣＵのレギュレータポートＲＥＧおよびＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロック（不揮発性メモリ）ＭＥＭに接続されている。
【００３９】
回路電源電圧入力ブロック９では、電源スイッチ２０がオン状態にあると、第１のバックアップ用コンデンサＣ１が充電され、電源ＩＣ２２がオンし、第２のバックアップ用コンデンサＣ２が充電されて、中央処理回路ＭＣＵのレギュレータポートＲＥＧ、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭに所定のドライブ電圧を与える。そして、回路電源電圧入力ブロック９では、電源スイッチ２０がオフ切換えされると、第１のバックアップ用コンデンサＣ１、第２のバックアップ用コンデンサＣ２がそれぞれ放電され、放電電圧が、中央処理回路ＭＣＵのレギュレータポートＲＥＧ、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭに与えられる。
【００４０】
ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ（electrically erasable programma-ble ROM ）は、電気的に書き換え可能なＲＯＭであり、非通電状態でも記憶内容が保持される不揮発性メモリである。このＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭは、中央処理回路ＭＣＵに備えたシリアル出力ポートＳＯＵＴより与えられたガラス位置データを所定のメモリエリア内に格納し、所定のメモリエリアよりガラス位置データを取り出し、シリアル入力ポートＳＩＮを介して中央処理回路ＭＣＵに送る。
【００４１】
変換ブロック１０には、抵抗Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、ツェナダイオードＺＤ２、コンデンサＣ３が備えられている。
【００４２】
変換ブロック１０では、抵抗Ｒ２と抵抗Ｒ３とによって分圧され、ツェナダイオードＺＤ２によって制限され、抵抗Ｒ４とコンデンサＣ３によって積分され、抵抗Ｒ５によって調整された電圧レベルの信号を中央処理回路ＭＣＵに備えた変換ポートＡ／Ｄに与える。
【００４３】
リセット回路１１は、ドライブ電圧が低下した際に、中央処理回路ＭＣＵをリセットする。
【００４４】
ワンタッチ動作記憶ブロック１２は、開スイッチ２がオン切換えされることによってスイッチ信号入力ブロック４から第１の入力ポートＩＮ１に与えられた下降指令信号（ハイレベル）、閉スイッチ３がオン切換えされることによってスイッチ信号入力ブロック４から第２の入力ポートＩＮ２に与えられた上昇指令信号（ハイレベル）のそれぞれの入力時間を検出している。
【００４５】
ワンタッチ動作記憶ブロック１２では、開スイッチ２から与えられた下降指令信号、閉スイッチ３から与えられた上昇指令信号のそれぞれの入力信号が予め定められた時間よりも長くなった場合、後述するものとは別に定められたプログラムによってワンタッチフラグがセットされることによりそれぞれの入力信号を記憶し、それぞれの入力信号が与えられなくなってからも、記憶したそれぞれの指令信号を制御ブロック１４に与え続けてワンタッチ動作を行う。
【００４６】
ＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴは、制御ブロック１４とのあいだで番地信号の授与を行うカウンタである。
【００４７】
クロックジェネレータ１３は、実行するプログラムの時間管理を行う。
【００４８】
パルス間隔測定ブロック１６は、パルス信号入力ブロック８より与えられたパルス信号の１つづつの立上がりおよび立下がりを検出する。
【００４９】
パルス間隔測定タイマＴＭ２は、パルス間隔測定ブロック１６によってパルス信号の立上がりが検出されるとタイマがスタートし、パルス信号の立下がりが検出されるとタイマがオフすることによって、パルス信号の１つづつの周期時間を検出する。検出したパルス信号の周期時間は、モータロック作動判定ブロック１７に与えられる。パルス間隔測定タイマＴＭ２では、モータ５のロック検出をモータ５が発生したパルス信号の周期によって直接的に検出している。
【００５０】
モータ作動判定値ＸＬＯＣＫは、予め定められた値であって、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが回転を拘束されたことを検出するために用いられる。このモータ作動判定値ＸＬＯＣＫは、中央処理回路ＭＣＵに内蔵された図示しないＲＯＭ内に保持されている。モータ作動判定値ＸＬＯＣＫは、モータロック作動判定ブロック１７において、パルス間隔測定タイマＴＭ２により検出された周期時間と比較される。モータ作動判定値ＸＭＯＶＥは、ＸＬＯＣＫとは異なり、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが回転していることを検出するのに用いられる。
【００５１】
モータロック作動判定ブロック１７は、パルス間隔測定タイマＴＭ２が検出した周期時間とモータ作動判定値ＸＬＯＣＫとを比較することにより、パルス間隔測定タイマＴＭ２が検出した周期時間がモータ作動判定値ＸＬＯＣＫを越えたときに判定信号を制御ブロック１４に与える。モータロック作動判定ブロック１７が与えた判定信号は、制御ブロック１４においてＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内へのメモリ書き込みタイミングとして用いられる。
【００５２】
ＥＥＰＲＯＭ書き込みインターバルタイマＴＭ１は、制御ブロック１４より入出力制御ブロック１５を通じて行われるＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭへの書き込みを一定の時間毎に行う機能を有する。このとき、ＥＥＰＲＯＭ書き込みインターバルタイマＴＭ１は予め定められた値ＸＭＥＭＷＲと比較することによってインターバル時間の経過を測る。
【００５３】
パルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴは、制御ブロック１４においてＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内へ書き込むためのガラス位置データとなるパルス信号数を計数する。中央処理回路ＭＣＵに備えたリセットポートＲＥＳはリセット回路１１に接続されている。
【００５４】
ガラス位置予測ブロック１８は、電源スイッチ２０がオン切換えされた際、入出力制御ブロック１５、制御ブロック１４を介してＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭに書き込まれている位置データを読み出して、その中の３個の位置データを比較し、最後に書き込まれた位置データ以後の位置データの算出処理を複数回行うことによって、最終的にウインドガラス３０が停止した位置を推測し、その位置データをパルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴに与える。
【００５５】
制御ブロック１４では、スイッチ信号入力ブロック４より下降指令信号が与えられると、中央処理回路ＭＣＵにおいて、第１の出力ポートＤ１がハイレベルに、第２の出力ポートＤ２がローレベルになることによって第１のスイッチングトランジスタＴＲ１をオンする。これに反して、スイッチ信号入力ブロック４より上昇指令信号が与えられると、中央処理回路ＭＣＵにおいて、第２の出力ポートＤ１がハイレベルに、第１の出力ポートＤ２がローレベルになることによって第２のスイッチングトランジスタＴＲ２をオンする。
【００５６】
制御ブロック１４では、スイッチ信号入力ブロック４より与えられた下降指令信号が予め定められた時間よりも長くなってワンタッチ動作記憶ブロック１２により下降指令信号が記憶され、下降指令信号が与えられなくなってからも、ワンタッチ動作記憶ブロック１２により記憶された下降指令信号が与え続けられるため、モータ駆動出力ブロック７の第１のスイッチングトランジスタＴＲ１をオンし続ける。
【００５７】
制御ブロック１４では、スイッチ信号入力ブロック４より与えられた上昇指令信号が予め定められた時間よりも長くなってワンタッチ動作記憶ブロック１２により上昇指令信号が記憶され、上昇指令信号が与えられなくなってからも、ワンタッチ動作記憶ブロック１２により記憶された上昇指令信号が与え続けられるため、モータ駆動出力ブロック７の第２のスイッチングトランジスタＴＲ２をオンし続ける。
【００５８】
制御ブロック１４では、スイッチ信号入力ブロック４より下降指令信号が与えられると、入出力制御ブロック１５を通じてＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭに格納されているガラス位置データのメモリ消去を行う。
【００５９】
制御ブロック１４では、モータロック作動判定ブロック１７より判定信号が与えられたときに入出力制御ブロック１５に書き込み指令を与える。そして、制御ブロック１４は、スイッチ信号入力ブロック４より与えられていた下降指令信号（ハイレベル）および上昇指令信号（ハイレベル）が消滅したときに入出力制御ブロック１５に上書き指令を与える。
【００６０】
制御ブロック１４では、パルス間隔測定タイマＴＭ２が検出した周期時間がモータ作動判定値ＸＬＯＣＫを越えたときにモータロック作動判定ブロック１７から与えられた判定信号によって、モータ５がロック状態にあることを認識し、モータ駆動出力ブロック７に対して停止指令を与える。
【００６１】
制御ブロック１４では、回路電源電圧入力ブロック９に与えられる回路電源電圧（モータ５の電圧ＶＢ）が予め定められた電圧Ｖ２以下になった際に書き込み指令を発生する。この書き込み指令が発生すると、入出力制御ブロック１５を介しＥＥＰＲＯＭ書き込みインターバルタイマＴＭ１によって定められた時間（ＸＭＥＭＷＲ）毎に、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内においてＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴによって定められた番地にパルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴより与えられたパルス信号数（ガラス位置データ）でのメモリ書き込みを複数回行う。
【００６２】
入出力制御ブロック１５は、パラレルデータとシリアルデータとの変換を行うとともに、クロックジェネレータ１３の信号に基づいてＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭへの書き込み及び読み込みのタイミング処理を行うことによって入出力の総括的処理を行う。
【００６３】
また、入出力制御ブロック１５は、制御ブロック１４より与えられた書き込み指令により、ＥＥＰＲＯＭ書き込みインターバルタイマＴＭ１によって定められた時間毎に、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内においてＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴによって定められた番地にパルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴより与えられたパルス信号数（ガラス位置データ）でのメモリ書き込みを行う機能を有する。
【００６４】
また、入出力制御ブロック１５は、制御ブロック１４より与えられた上書き指令により、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内においてＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴによって定められた番地にパルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴより与えられたパルス信号数（ガラス位置データ）でのメモリ書き込みを行う機能を有する。
【００６５】
また、入出力制御ブロック１５は、制御ブロック１４より与えられた読み込み指令により、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内の任意の番地のパルス信号数（ガラス位置データ）を読み込む機能を有する。
【００６６】
中央処理回路ＭＣＵでは、電源スイッチ２０がオンされている状態で、ウインドガラス３０が閉まっていて、図３に示されるように、時刻Ａにおいて開スイッチ２がオン切換えされることによってスイッチ信号入力ブロック４より制御ブロック１４に下降指令信号が与えられると、制御ブロック１４（第１の出力ポートＤ１）よりモータ駆動出力ブロック７の第１のスイッチングトランジスタＴＲ１のベースにハイレベルが与えられるため、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが正回転し、ウインドガラス３０が開く。このとき、開スイッチ２より下降指令信号が制御ブロック１４に与えられるため、制御ブロック１４より入出力制御ブロック１５を通じてＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭに格納されているガラス位置データのメモリ消去が行われる。開スイッチ２より下降指令信号が制御ブロック１４に与えられた際に、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭに格納されているガラス位置データのメモリ消去を行い、既に存在する位置データによる誤作動要因を排除する。
【００６７】
中央処理回路ＭＣＵでは、開スイッチ２が発生した下降指令信号が予め定められた時間よりも長くなった場合、プログラム内でワンタッチ開フラグがセットされるため、ワンタッチ動作記憶ブロック１２において下降指令信号を記憶して制御ブロック１４に与え続ける。中央処理回路ＭＣＵでは、開スイッチ２が発生した下降指令信号の時間によってワンタッチ動作を判別するため、開スイッチ２の他にオートスイッチ等の付加スイッチを必要としない。
【００６８】
図３に示されるように、時刻Ａにおいてモータ５が正回転を開始することによって、回転センサ６はほぼ同一間隔のパルス信号を発生し、パルス信号入力ブロック８、パルス間隔測定ブロック１６、パルス間隔測定タイマＴＭ２が１つづつのパルス信号の周期時間を検出する。
【００６９】
時刻Ａの後の時刻Ｂにおいて、ウインドガラス３０が全開位置Ｆに到達すると、ウインドガラス３０が移動を阻止され、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃは回転速度が下がる。モータ５のアーマチュアシャフト５ｃの回転速度が下がってくると、回転センサ６が発生するパルス信号の周期時間が長くなる。
【００７０】
その後、パルス間隔測定タイマＴＭ２が検出した周期時間がモータ作動判定値ＸＬＯＣＫを越えた時刻Ｃにおいて、モータロック作動判定ブロック１７が判定信号を制御ブロック１４に与えるため、制御ブロック１４より入出力制御ブロック１５に書き込み指令が与えられ、ＥＥＰＲＯＭ書き込みインターバルタイマＴＭ１によって定められた時間毎に、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内においてＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴによって定められた番地にパルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴより与えられた回転信号数（ガラス位置データ）でのメモリ書き込みが繰り返し行われる。
【００７１】
ウインドガラス３０が全開位置Ｆに到達し、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが回転を拘束され、時刻Ｃの後の時刻Ｄにおいて、開スイッチ２がオフ切換えされると、制御ブロック１４より入出力制御ブロック１５に上書き指令が与えられるため、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内においてＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴによって定められた番地にパルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴより与えられたパルス信号数（ガラス位置データ）でのメモリ書き込みが行われる。開スイッチ２がオフ切換えされた際に、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭに位置データが上書きされることによって、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃがわずかに回転を続けているロック状態のときに複数個書き込まれた位置データではなく、開スイッチ２のオフ切換え時に上書きされた位置データによって、ウインドガラス３０が確実にストローク端に到達した位置での位置データが書き込まれるため、ウインドガラス３０の位置推定にずれがなくなる。
【００７２】
そして、時刻Ｄの後の時刻Ｅにおいて電源スイッチ２０がオフ切換えされても、時刻Ｃにおいてメモリ書き込みが行われたガラス位置データまたは時刻Ｄにおいて上書きが行われたガラス位置データを用いてウインドガラス３０の現在位置の検出が行われる。それ故、メモリ書き込みが行われる際のモータ５の電圧ＶＢは、電源スイッチ２０がオフ切換えされてからのように下がったものとならないため、電源スイッチ２０がオフ切換えされてからの短い時間を使ってメモリ書き込みを行うものと比べ、大きな容量のバックアップコンデンサを必要とせずに、回路電源電圧入力ブロック９に備えられた第１のバックアップ用コンデンサＣ１、第２のバックアップ用コンデンサＣ２は容量が小さいものとなる。
【００７３】
中央処理回路ＭＣＵでは、電源スイッチ２０がオン切換えされている状態で、ウインドガラス３０が開いていて、図３に示されるように、時刻Ａにおいて閉スイッチ３がオン切換えされることによってスイッチ信号入力ブロック４より制御ブロック１４に上昇指令信号が与えられると、制御ブロック１４（第２の出力ポートＤ２）よりモータ駆動出力ブロック７の第２のスイッチングトランジスタＴＲ２のベースにハイレベルが与えられるため、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが逆回転し、ウインドガラス３０が閉る。このとき、閉スイッチ３より上昇指令信号が制御ブロック１４に与えられるため、制御ブロック１４より入出力制御ブロック１５を通じてＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭに格納されているガラス位置データのメモリ消去が行われる。閉スイッチ３より上昇指令信号が制御ブロック１４に与えられた際に、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭに格納されているガラス位置データのメモリ消去を行い、既に存在する位置データによる誤作動要因を排除する。
【００７４】
中央処理回路ＭＣＵでは、閉スイッチ３が発生した上昇指令信号が予め定められた時間よりも長くなった場合、プログラム内でワンタッチ閉フラグがセットされるため、ワンタッチ動作記憶ブロック１１において上昇指令信号を記憶して制御ブロック１４に与え続ける。中央処理回路ＭＣＵでは、閉スイッチ３が発生した上昇指令信号の時間によってワンタッチ動作を判別するため、閉スイッチ３の他にオートスイッチ等の付加スイッチを必要としない。
【００７５】
図３に示される時刻Ａにおいて、モータ５が逆回転を開始することによって、回転センサ６はほぼ同一間隔のパルス信号を発生し、パルス信号入力ブロック８、パルス間隔測定ブロック１６、パルス間隔測定タイマＴＭ２が１つづつのパルス信号の周期時間を検出する。
【００７６】
時刻Ａの後の時刻Ｂにおいて、ウインドガラス３０が全閉位置Ｇに到達すると、ウインドガラス３０が移動を阻止され、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃは回転速度が下がる。モータ５のアーマチュアシャフト５ｃの回転速度が下がってくると、回転センサ６が発生するパルス信号の周期時間が長くなる。
【００７７】
その後、パルス間隔測定タイマＴＭ２が検出した周期時間がモータ作動判定値ＸＬＯＣＫを越えた時刻Ｃにおいて、モータロック作動判定ブロック１７が判定信号を制御ブロック１４に与えるため、制御ブロック１４より入出力制御ブロック１５に書き込み指令が与えられ、ＥＥＰＲＯＭ書き込みインターバルタイマＴＭ１によって定められた時間毎に、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内においてＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴによって定められた番地にパルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴより与えられた回転信号数（ガラス位置データ）でのメモリ書き込みが行われる。
【００７８】
ウインドガラス３０が全閉位置Ｇに到達し、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが回転を拘束され、時刻Ｃの後の時刻Ｄにおいて、閉スイッチ３がオフ切換えされると、制御ブロック１４より入出力制御ブロック１５に上書き指令が与えられるため、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内においてＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴによって定められた番地にパルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴより与えられたパルス信号数（ガラス位置データ）でのメモリ書き込みが行われる。閉スイッチ３がオフ切換えされた際に、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭに位置データが上書きされることによって、以前の時刻ＣにおいてＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内に既に書き込まれている位置データではなく、閉スイッチ３のオフ切換え時に上書きされた位置データによって、ウインドガラス３０の位置推定にずれがなくなる。
【００７９】
そして、時刻Ｄの後の時刻Ｅにおいて電源スイッチ２０がオフ切換えされても、時刻Ｃにおいてメモリ書き込みが行われたガラス位置データまたは時刻Ｄにおいて上書きが行われたカラス位置データを用いてウインドガラス３０の現在位置の検出が行われる。それ故、メモリ書き込みが行われる際のモータ５の電圧ＶＢは、電源スイッチ２０がオフ切換えされてからのように下がったものとならないため、電源スイッチ２０がオフ切換えされてからの短い時間を使ってメモリ書き込みを行うものと比べ、大きな容量のバックアップコンデンサを必要とせずに、回路電源電圧入力ブロック９に備えられた第１のバックアップ用コンデンサＣ１、第２のバックアップ用コンデンサＣ２は容量が小さいものとなる。
【００８０】
中央処理回路ＭＣＵでは、電源スイッチ２０がオンされている状態で、ウインドガラス３０が閉まっていて、図４に示されるように、時刻Ｌにおいて開スイッチ２がオン切換えされることによってスイッチ信号入力ブロック４より制御ブロック１４に下降指令信号が与えられると、制御ブロック１４（第１の出力ポートＤ１）よりモータ駆動出力ブロック７の第１のスイッチングトランジスタＴＲ１のベースにハイレベルが与えられるため、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが正回転し、ウインドガラス３０が開く。
【００８１】
モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが正回転を開始することによって、回路電源電圧は無負荷の状態よりも下がったほぼ一定の通常動作での電位を保ち、回転センサ６はほぼ同一間隔のパルス信号を発生し、パルス信号入力ブロック８、パルス間隔測定ブロック１６、パルス間隔測定タイマＴＭ２が１つづつのパルス信号の周期時間を検出する。
【００８２】
図４中の時刻Ｌの後の時刻Ｍにおいて、電源スイッチ２０がオフ切換えされると、回路電源電圧は通常動作での電位よりも急激に下がり始める。ただし、同様の電圧降下はモータロックの時にも発生するが、この時の回転センサ６が発生するパルス信号の周期時間はそれ程長くならない。
【００８３】
図４中の時刻Ｍの以後の時刻Ｎにおいて、回路電源電圧（モータ５の電圧）が予め定められた電圧Ｖ２(メモリ書き込み電圧Ｂ）を越えて下がった時で、モータロック作動判定ブロック内でパルス間隔測定ブロック１６で測定された周期時間とモータ作動判定値ＸＬＯＣＫとの比較でモータロックではないと判断されたときに、制御ブロック１４より入出力制御ブロック１５に書き込み指令が与えられ、ＥＥＰＲＯＭ書き込みインターバルタイマＴＭ１によって定められた時間（ＸＭＥＭＷＲ）毎に、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内においてＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴによって定められた番地にパルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴより与えられた回転信号数（ガラス位置データ）でのメモリ書き込みが繰り返し行われる。
【００８４】
ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭへの書き込みは、ＥＥＰＲＯＭ書き込みインターバルタイマＴＭ１によって定められた時間（ＸＭＥＭＷＲ）毎に、予め定められたリセット電圧ＲＥＳに到達する時刻Ｐ（時刻Ｎから時刻Ｐまでの書き込み可能時間ｔ´）まで複数回行われる。このとき、１番目の位置データＭＥＭ（１）、２番目の位置データＭＥＭ（２）、３番目の位置データＭＥＭ（３）、４番目の位置データＭＥＭ（４）、５番目の位置データＭＥＭ（５）、６番目の位置データＭＥＭ（６）、７番目の位置データＭＥＭ（７）、８番目の位置データＭＥＭ（８）、９番目の位置データＭＥＭ（９）が書き込まれた場合、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭは、１番目の位置データＭＥＭ（１）から９番目の位置データＭＥＭ（９）までの９個の位置データを格納する。
【００８５】
中央処理回路ＭＣＵでは、１番目の位置データＭＥＭ（１）から９番目の位置データＭＥＭ（９）までをＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭに書き込んだ後の時刻Ｐにおいてリセットされることによって書き込みが中止されるが、ウインドガラス３０は最終的に停止していないので、これらの位置データをそのまま用いてウインドガラス３０の停止位置を認識しない。この場合、９個の位置データを書き込んだものを説明したが、位置データは、９個に限らず最低３個書き込めれば、ガラス位置予測ブロック１８により予測を行え、且つ、最初に１個書き込めば、大体の位置の推定は行えるので、メモリ書き込みを行うための時間が短くなる。そのため、大きな容量のバックアップコンデンサを必要としないから、回路電源電圧入力ブロック９に備えられた第１のバックアップ用コンデンサＣ１、第２のバックアップ用コンデンサＣ２は容量が小さいものとなる。
【００８６】
電源スイッチ２０がオフ切換えされた後に、新たに電源スイッチ２０がオン切換えされると、中央処理回路ＭＣＵは、入出力制御ブロック１５を介してＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭに既に書き込まれている３個の位置データをそれぞれ比較して、最後に書き込まれた位置データの以後の位置データの算出処理を複数回行うことによって、最終的に負荷が停止した位置データを予測する。
【００８７】
位置データを予測するに際し、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭには、図４に示されるように、１番目の位置データＭＥＭ（１）、２番目の位置データＭＥＭ（２）、３番目の位置データＭＥＭ（３）、４番目の位置データＭＥＭ（４）、５番目の位置データＭＥＭ（５）、６番目の位置データＭＥＭ（６）、７番目の位置データＭＥＭ（７）、８番目の位置データＭＥＭ（８）、９番目の位置データＭＥＭ（９）が書き込まれているから、１番目の位置データＭＥＭ（１）を最初の位置データとして認識し、５番目の位置データＭＥＭ（５）を中間の位置データとして認識し、９番目の位置データＭＥＭ（９）を最後の位置データとして認識する。
【００８８】
中央処理回路ＭＣＵでは、最初の位置データである１番目の位置データＭＥＭ（１）（ＭＥＭＡ）［ＭＥＭＡはＭＥＭ（Ｎ）の中でＭＥＭＣと比較するためｎ−ａ（ａは２，４，６，８…でｎ−ａ≧１となる最大値）にある位置データである。］と、中間の位置データである５番目の位置データＭＥＭ（５）（ＭＥＭＢ）との偏差Ｒ１（パルスカウント数）を算出するとともに、中間の位置データである５番目の位置データＭＥＭ（５）（ＭＥＭＢ）と、最後の位置データである９番目の位置データＭＥＭ（９）（ＭＥＭＣ）との偏差Ｒ２（パルスカウント数）を算出することによって、減速比ＲＡ＝Ｒ２／Ｒ１を算出する。このとき、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃの回転数は減速中であるから、減速比ＲＡ＜１となる。ＭＥＭ（Ｎ）は連続したメモリブロックであって、Ｎはメモリブロックアドレスの最大値である。
【００８９】
そして、中央処理回路ＭＣＵでは、算出した減速比ＲＡを用いて、最後に得られた９番目の位置データＭＥＭ（９）（ＭＥＭＣ）の以後に、図５、図６に示されるように、ウインドガラス３０が最終的に停止した位置データを予測して得るための予測ループを複数回行う。
【００９０】
予測ループは、大きく２つのブロックに分けられ、最初に前回の電源オフで書き込まれた位置データの中から、比例計算を行う上で、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内のアドレス位置の関係がＭＥＭＡとＭＥＭＢの間隔とＭＥＭＢとＭＥＭＣの間隔が等しく、且つ、最も時間的に長くなる３個を選び出し、その３個のデータより減速比ＲＡを求める。次いで、その減速比ＲＡで収束する位置データを計算する。まず、前回の電源オフで中央処理回路ＭＣＵがリセットした箇所の直前の位置データＭＥＭ（９）を起点として、前回の電源オフで書き込まれた位置データの中から減速比ＲＡを算出するための最も時間的に離れた３点を探し出す。その３点をＭＥＭＡ、ＭＥＭＢ、ＭＥＭＣとすると、それらの条件はメモリ内のアドレスでＭＥＭＡとＭＥＭＢの間とＭＥＭＡとＭＥＭＣの間が同じだけ離れていて、且つ、ＭＥＭＡとＭＥＭＣがＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内にある事である。
【００９１】
選択ループの一回目（ループカウンタＣＴ２＝１）では、図５に示されるように、リセットされる以前に最後に書き込まれている位置データｎに基づき、［ｎ−２」をＭＥＭＡ（最初の位置データ）とし、［ｎ−１］をＭＥＭＢ（中間の位置データ）とし、［ｎ］をＭＥＭＣ（最後の位置データ）として、中央処理回路ＭＣＵに内蔵された記憶手段ＲＡＭ内に格納する。書き込まれている位置データが３個未満でＭＥＭＡまたはＭＥＭＡとＭＥＭＢが設定できない時は、この後の予測ループを行わず、ＭＥＭＣの値をガラス位置とする。
【００９２】
選択ループの二回目では、一回目の予測ループを実行した後、ループカウンタＣＴ２をインクリメントしてＣＴ２＝２として、最後の位置データがメモリの５番目以上であるならば、すなわち、ｎ−（ＣＴ２×２）≧１であるならば、図５に示されるように、［４…ｎ−３］をＭＥＭＡ（ｎ−４）（最初の位置データ）とし、［ｎ−２］をＭＥＭＢ（中間の位置データ）とし、［ｎ］をＭＥＭＣ（最後の位置データ）として、中央処理回路ＭＣＵに内蔵された記憶手段ＲＡＭ内に格納する。
【００９３】
同様に、選択ループの三回目（ループカウンタＣＴ２＝３）では、図５に示されるように、［４…ｎ−３］をＭＥＭＡ（ｎ−６）（最初の位置データ）とし、［ｎ−３］をＭＥＭＢ（中間の位置データ）とし、［ｎ］をＭＥＭＣ（最後の位置データ）として、中央処理回路ＭＣＵに内蔵された記憶手段ＲＡＭ内に格納して減算処理を行う。
【００９４】
そして、選択ループの最終回（ループカウンタＣＴ２＝ｍ、ただしｎ−２ｍ≧１である。）では、図５に示されるように、［２］をＭＥＭＡ（最初の位置データ）とし、［４…ｎ−３］をＭＥＭＢ（中間の位置データ）（ＭＥＭＢ＝ｎ−ＣＴ２）とし、［ｎ］をＭＥＭＣ（最後の位置データ）として、中央処理回路ＭＣＵに内蔵された記憶手段ＲＡＭ内に格納して除算処理を行う。すなわち、減速比ＲＡを求めるために（ＭＥＭＣ−ＭＥＭＢ）／（ＭＥＭＢ−ＭＥＭＡ）を実行する。
【００９５】
次いで、位置データが収束する点の計算を行う。
【００９６】
計算ループの１回目では、前回の電源オフで中央処理回路ＭＣＵ（マイコン）がリセットした箇所の直前の位置データＭＥＭ（９）を起点として次のＭＥＭ（１０）の位置データの計算を行う。
【００９７】
図６に示される予測ループの１回目において、先に算出した減速比ＲＡに、この直前の位置データの差、すなわち、ＭＥＭ（９）−ＭＥＭ（８）を乗ずる。この値がＭＥＭ（９）とＭＥＭ（１０）の推定差である。これをＲＤＩＦとする。もし、このＲＤＩＦの値が１未満であれば、更なる推定値は得られないので、ここでループを抜ける。ＲＤＩＦが１以上であるならば、この値を四捨五入して整数化し、ＭＥＭ（９）に加えた値がＭＥＭ（１０）の推定値となる。この後、先に得られたＲＤＩＦをＲ２に代入し、次のループの新たな位置データの差分として予測ループの１回目を終了する。
【００９８】
図６に示される予測ループの２回目において、前回同様ＲＡＸ（ＭＥＭ（１０）−ＭＥＭ（９））、すなわち、前回ループでＲ２・推定差ＲＤＩＦ（ＭＥＭ（９）とＭＥＭ（１０）の推定差）を代入してあるので、ＲＡＸＲ２を行い、これをＲＤＩＦＦに代入する。この時のＲＤＩＦはＭＥＭ（１０）とＭＥＭ（１１）の推定差である。もし、このＲＤＩＦの値が１未満であれば、更なる推定値は得られないので、ここでループを抜ける。ＲＤＩＦが１以上であるならば、この値を四捨五入して整数化し、ＭＥＭ（１０）に加えた値がＭＥＭ（１１）の推定値となる。この後、得られたＲＤＩＦをＲ２に代入し、次のループの新たな位置データの差分とし予測ループ２回目を終了する。
【００９９】
１回目、２回目と同様に、３回目、４回目と繰り返し、ＲＤＩＦの値が１未満になるまで繰り返し、１未満でループを抜けて最後の推定値、すなわち、前回電源スイッチ２０がオフ切換えされた時のガラス停止位置が得られる。
【０１００】
中央処理回路ＭＣＵでは、ウインドガラス３０が閉まっている状態で、電源スイッチ２０がオン切換えされた場合においても、上述と同様にして、入出力制御ブロック１５を介してＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭに既に書き込まれている位置データから最後に書き込まれた位置データの以後の位置データの算出処理を複数回行うことによって、最終的にウインドガラス３０が停止した位置データを予測する。
【０１０１】
上記のモータ制御装置１は、図７ないし図１１に示されるプログラムに従って制御動作を行う。図７および図８はメインルーチンであり、図９はＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭへの書き込みルーチンであり、図１０および図１１は起動時の位置予測ルーチンである。
【０１０２】
電源スイッチ２０がオン切換えされていて、ウインドガラス３０が全閉位置Ｇ又は全開位置Ｆ又は全閉位置Ｇと全開位置Ｆの間にあるとき、図７に示されるメインルーチンのステップ１０１において『起動時の位置予測』が実行されるため、図１０に示されるステップ１４０に移行して『ループカウンタＣＴ１をクリア』してステップ１４１に移行する。ステップ１４１において『ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭに書き込まれている最終（最後）の位置データがチェック（ｎ←Ｎ−ＣＴ１）』される。ここでのＮは、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭで書き込み可能な最大値のメモリアドレスで、ｎは、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭに書き込まれている位置データの最終値である。この後、ステップ１４２に移行する。
【０１０３】
ステップ１４１から移行したステップ１４２において『ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭの所定のアドレスに位置データが書き込まれているか否か』の判別が行われるため、以前において、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭに位置データが書き込まれていればステップ１４３をスキップしてステップ１４４に移行し、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭに位置データが書き込まれていなければステップ１４３に移行して『ループカウンタＣＴ１をインクリメント（ＣＴ１←ＣＴ１＋１）』してステップ１４１、ステップ１４２を繰り返し実行する。
【０１０４】
ステップ１４２から移行したステップ１４４において『予測に必要な３個以上の位置データがＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内に書き込まれているか否か』が判別される。
【０１０５】
ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内に、予測に必要な３個以上の位置データが書き込まれていないと、ステップ１４４からステップ１６１に移行して『位置データが２個か否か』が判別される。
【０１０６】
ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内に２個の位置データが書き込まれていると、ステップ１６２に移行して『パルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴにＭＥＭ（２）が格納』される。
【０１０７】
ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内に２個の位置データが書き込まれておらず、１個の位置データが書き込まれていると、ステップ１６１においての判別でステップ１６３に移行し、ステップ１６３においての判別でステップ１６４に移行して『パルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴにＭＥＭ（１）が格納』される。
【０１０８】
ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内に１個の位置データが書き込まれていないと、ステップ１６１においての判別でステップ１６３に移行し、ステップ１６３においての判別でステップ１６５に移行して『初期動作モードをセット』する。
【０１０９】
ステップ１４４においての判別でＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内に、予測に必要な３個以上の位置データが書き込まれていると、ステップ１４５に移行して『ＭＥＭ（ｎ）を最終の位置データＭＥＭＣに置き換え』てステップ１４６に移行する。ステップ１４５から移行したステップ１４６では、『ループカウンタＣＴ２の初期セット（ＣＴ２←１）』が行われてステップ１４７に移行する。
【０１１０】
ステップ１４６から移行したステップ１４７において『ＭＥＭ（ｎ−ＣＴ２）を中間の位置データＭＥＭＢに置き換え』てステップ１４８に移行し、ステップ１４８において『ＭＥＭ（ｎ−ＣＴ２×２）を最古の位置データとしてＭＥＭＡに置き換え』てステップ１４９に移行する。
【０１１１】
ステップ１４９において『ループカウンタをインクリメント（ＣＴ２←ＣＴ２＋１）』してステップ１５０に移行し、ステップ１５０において『最古の位置データＭＥＭＡに置き換えたＭＥＭ（ｎ−ＣＴ２×２）の値の判別（ｎ−ＣＴ２×２≧１）』が行われ、ステップ１５０においての値の判別が１を越えている場合はステップ１４７に戻ってステップ１４８、ステップ１４９を実行し、ステップ１５０においての値の判別が１を越えていない場合、ステップ１５１に移行する。
【０１１２】
ステップ１５０から移行したステップ１５１において『［最初の位置データＭＥＭＡ−中間の位置データＭＥＭＢ］によって偏差Ｒ１を算出』してステップ１５２に移行し、ステップ１５２において『［中間の位置データＭＥＭＢ−最後の位置データＭＥＭＣ］によって偏差Ｒ２を算出』してステップ１５３に移行する。
【０１１３】
ステップ１５３において『減速比ＲＡを求め』てステップ１５４に移行し、ステップ１５４において『最新の位置データ、すなわち、ＭＥＭＣのアドレスに入っている位置データ値を初期値としてセット（ＮＳＴＰ←ｎ）』してステップ１５５に移行し、ステップ１５５において『位置データの偏差を求め（ＲＤＩＦ←Ｒ２×ＲＡ）』てステップ１５６に移行する。
【０１１４】
ステップ１５６においてステップ１５５において求めた『偏差ＲＤＩＦの値の判別（ＲＤＩＦ＜１）』が行われるため、偏差ＲＤＩＦの値が１を越えているとステップ１５７に移行し、偏差ＲＤＩＦの値が１を越えていないとステップ１６０に移行する。
【０１１５】
ステップ１５５で求めた偏差ＲＤＩＦの値が１を越えていると、ステップ１５７に移行して『偏差ＲＤＩＦの値が回転数計算のための整数化（小数点以下四捨五入）した値ＲＩＮＴに置き換えられ』てステップ１５８に移行し、ステップ１５８において『初期値ＮＳＴＰの置き換え（初期値ＮＳＴＰ−整数値ＲＩＮＴ）』が行われてステップ１５９に移行し、ステップ１５９において『偏差ＲＤＩＦを偏差Ｒ２に置き換え』てステップ１５５に復帰するルーチンを繰り返す。
【０１１６】
ステップ１５５で求めた偏差ＲＤＩＦの値が１を越えていないと、ステップ１６０に移行して『パルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴに初期値ＮＳＴＰを置き換え』てステップ１０１においての起動時の位置予測ルーチンが終了する。
【０１１７】
ステップ１０１においての起動時の位置予測ルーチンが終了すると、メインルーチンに戻り、ステップ１０２に移行して『メモリ消去フラグ（ＦＭＥＲＡＳＥ）をリセット』してステップ１０３に移行し、ステップ１０３において『メモリ書き込み完了フラグ（ＦＭＷＲＥＮＤ）をリセット』してステップ１０４に移行する。
【０１１８】
そして、開スイッチ２がオン切換えされていると、下降指令信号が制御ブロック１４に取り込まれることによって、モータ駆動出力ブロック７の第１のスイッチングトランジスタＴＲ１にベース電流が与えられるため、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが正回転を始め、ウインドガラス３０が開く側に駆動され、ステップ１０４においての判別で『開スイッチ２がオン』なのでステップ１０８に移行してステップ１０８においての判別が実行される。
【０１１９】
ステップ１０８では『モータオフでの書き込みフラグＦＭＷＲＯＦＦがセットされているか否か』を判別することにより、前回のルーチンでモータ５が停止中にメモリ書き込みを実行したか否かが判別される。ステップ１０８においての判別で『モータオフでの書き込みフラグＦＭＷＲＯＦＦがセットされている』ためステップ１０９に移行し、ステップ１０９においての判別で『メモリ消去フラグＦＭＥＲＡＳＥはセットされていない』のでステップ１１０に移行する。
【０１２０】
ステップ１０９から移行したステップ１１０において『メモリ書き込み中フラグＦＭＷＲＮＯＷをリセット』してステップ１１１に移行し、ステップ１１１において『メモリ書き込み完了フラグＦＭＷＲＥＮＤをリセット』してステップ１１２に移行し、ステップ１１２において『メモリ消去フラグＦＭＥＲＡＳＥをセット』することにより、制御ブロック１４より入出力制御ブロック１５を通じて『ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭに格納されているガラス位置データのメモリ消去』が行われる事を示しステップ１１３に移行する。
【０１２１】
ステップ１１２から移行したステップ１１３において『モータオンでの書き込みフラグＦＭＷＲＯＮをリセット』してステップ１１４に移行し、ステップ１１４において『モータオフでの書き込みフラグＦＭＷＲＯＦＦをリセット』」してステップ１１５に移行し、ステップ１１５において『ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭに格納されているガラス位置データを全数クリア』してステップ１１６に移行して『メイン処理』を行う。
【０１２２】
そして、次の回のルーチンでは、モータオフでの書き込みフラグＦＭＷＲＯＦＦが前回のルーチンでリセットされているため、開スイッチ２がオン切換えされ、ウインドガラス３０が開く側に移動している途中では、ステップ１０４からステップ１０８に移行し、ステップ１０８においての判別でステップ１１７に移行する。
【０１２３】
ステップ１０８から移行したステップ１１７においての判別で『メモリ書き込み中フラグＦＭＷＲＮＯＷはセットされていない』のでステップ１１８に移行し、ステップ１１８においての判別で『パルス間隔測定タイマＴＭ２が検出した周期時間がモータ作動判定値ＸＬＯＣＫを越えていない』のでステップ１１９に移行する。
【０１２４】
ステップ１１８から移行したステップ１１９においての判別で『パルス間隔測定タイマＴＭ２が検出した周期時間がモータ作動判定値ＸＭＯＶＥを越えている』のでステップ１２０に移行し、ステップ１２０においての判別で『回路電源電圧がＶ２
以下ではない』のでステップ１２１に移行し、ステップ１２１において『メモリ書き込み中フラグＦＭＷＲＮＯＷをリセット』してステップ１１６に移行して『メイン処理』を行う。
【０１２５】
モータ５が正回転を開始することによって、回転センサ６はほぼ同一間隔のパルス信号を発生し、パルス信号入力ブロック８、パルス間隔測定ブロック１６、パルス間隔測定タイマＴＭ２が１つづつのパルス信号の周期時間を検出する。
【０１２６】
やがて、ウインドガラス３０が全開位置Ｆに到達すると、ウインドガラス３０が移動を阻止され、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃは回転速度が下がる。モータ５のアーマチュアシャフト５ｃの回転速度が下がってくると、回転センサ６が発生するパルス信号の周期時間が長くなる。
【０１２７】
そして、パルス間隔測定タイマＴＭ２が検出した周期時間がモータ作動判定値ＸＬＯＣＫを越えると、ステップ１０４、ステップ１０８、ステップ１１７に移行してから、ステップ１１８においての判別でステップ１２２に移行し、ステップ１２２においての判別で『メモリ書き込み完了フラグＦＭＷＲＥＮＤはセットされていない』のでステップ１２３に移行する。
【０１２８】
ステップ１１８から移行したステップ１２３において『メモリ消去フラグＦＭＥＲＡＳＥをリセット』してステップ１２４に移行し、ステップ１２４において『モータオンでの書き込みフラグＦＭＷＲＯＮをセットして』ステップ１２５に移行し、ステップ１２５において『モータオフでの書き込みフラグＦＭＷＲＯＦＦをリセット』してステップ１２６に移行し、ステップ１２６において『ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ（Ｎ）に書き込み』が実行される。
【０１２９】
書き込みルーチンが実行されることにより、ステップ１７０においての判別で『メモリ書き込み中フラグＦＭＷＲＮＯＷはリセットされている』のでステップ１７１に移行し、ステップ１７１において『メモリ書き込み完了フラグＦＭＷＲＥＮＤをリセット』してステップ１７２に移行し、ステップ１７２において『ＥＥＰＲＯＭ書き込みインターバルタイマＴＭ１をクリア』してステップ１７３に移行し、ステップ１７３において『ＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴをクリア（メモリ書き込みの初期設定）』してステップ１７４に移行し、ステップ１７４において『メモリ書き込み中フラグＦＭＷＲＮＯＷをセット』してステップ１７５に移行する。
【０１３０】
ステップ１７４から移行したステップ１７５では、『ＥＥＰＲＯＭ書き込みインターバルタイマＴＭ１が予め定められたインターバル時間を越えたか否か』の判別が行われるため、１つ目の書き込みが開始された当初は、ステップ１７６に移行して『ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内でＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴによって定められた番地にパルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴより与えられた回転信号数（ガラス位置データ）でのメモリ書き込み』が行われてステップ１７７に移行し、ステップ１７７において『ＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴをインクリメント』してステップ１７８に移行し、ステップ１７８において『ＥＥＰＲＯＭ書き込みインターバルタイマＴＭ１をクリア』してステップ１７９に移行する。
【０１３１】
ステップ１７８から移行したステップ１７９では『ＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴが最大値Ｎになっているか否か』が判別されるため、１つ目の書き込みが開始された当初はステップ１７０に戻って次の回のルーチンを実行する。
【０１３２】
次の回のルーチンでは、ステップ１７０においての判別で『メモリ書き込み中フラグＦＭＷＲＮＯＷがセットされている』ため、ステップ１７１、ステップ１７２、ステップ１７３、ステップ１７４をスキップしてステップ１７５に移行し、ＥＥＰＲＯＭ書き込みインターバルタイマＴＭ１が予め定められたインターバル時間を越えたら、ステップ１７６、ステップ１７７、ステップ１７８、ステップ１７９からステップ１８０に移行し、ステップ１８０において『メモリ書き込み中フラグＦＭＷＲＮＯＷをリセット』してステップ１８１に移行し、ステップ１８１において『メモリ書き込み完了フラグＦＭＷＲＥＮＤをセット』して次の回に移行する書き込みルーチンが実行される。
【０１３３】
ウインドガラス３０が全開位置Ｆに到達し、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが回転を拘束され、開スイッチ２がオフ切換えされると、制御ブロック１４に取り込まれていた下降指令信号が消滅するため、モータ駆動出力ブロック７の第１のスイッチングトランジスタＴＲ１がオフし、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが回転を停止し、ウインドガラス３０が全開位置Ｆで停止する。
すると、メインルーチンのステップ１０４においての判別で『開スイッチ２がオン切換えされていない』のでステップ１０５に移行し、ステップ１０５においての判別で『閉スイッチ３がオン切換えされていない』のでステップ１０６に移行し、ステップ１０６においての判別で『ワンタッチ開フラグはセットされていない』のでステップ１０７に移行し、ステップ１０７においての判別で『ワンタッチ閉フラグはセットされていない』のでステップ１２７に移行する。
【０１３４】
ステップ１０７から移行したステップ１２７においての判別で『モータオンでの書き込みフラグＦＭＷＲＯＮはセットされている』のでステップ１２８に移行し、ステップ１２８において『メモリ書き込み中フラグＦＭＷＲＮＯＷをリセット』してステップ１２９に移行する。
【０１３５】
ステップ１２８から移行したステップ１２９においての判別で『メモリ書き込み中フラグＦＭＷＲＮＯＷはセットされていない』のでステップ１３０に移行し、ステップ１３０においての判別で『メモリ書き込み完了フラグＦＭＷＲＥＮＤはセットされていない』のでステップ１３１に移行し、ステップ１３１において『メモリ消去フラグＦＭＥＲＡＳＥをリセット』してステップ１３２に移行し、ステップ１３２において『モータオンでの書き込みフラグＦＭＷＲＯＮをリセット』してステップ１３３に移行し、ステップ１３３において『モータオフでの書き込みフラグＦＭＷＲＯＦＦをセット』してステップ１３４に移行し、ステップ１３４において『制御ブロック１４より入出力制御ブロック１５に上書き指令』が与えられる。
【０１３６】
ステップ１３４が実行されることにより、書き込みルーチンが実行され、ステップ１７０において『メモリ書き込み中フラグＦＭＷＲＮＯＷはリセットされている』のでステップ１７１に移行し、ステップ１７１において『メモリ書き込み完了フラグＦＭＷＲＥＮＤをリセット』してステップ１７２に移行し、ステップ１７２において『ＥＥＰＲＯＭ書き込みインターバルタイマＴＭ１をクリア』してステップ１７３に移行し、ステップ１７３において『ＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴをクリア（メモリ書き込みの初期設定）』してステップ１７４に移行し、ステップ１７４において『メモリ書き込み中フラグＦＭＷＲＮＯＷをセット』してステップ１７５に移行する。
【０１３７】
ステップ１７４から移行したステップ１７５では、『ＥＥＰＲＯＭ書き込みインターバルタイマＴＭ１が予め定められたインターバル時間を越えたか否か』の判別が行われるため、１つ目の書き込みが開始された当初は、ステップ１７６に移行して『ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内でＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴによって定められた番地にパルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴより与えられた回転信号数（ガラス位置データ）でのメモリ書き込み』が行われてステップ１７７に移行し、ステップ１７７において『ＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴをインクリメント』してステップ１７８に移行し、ステップ１７８において『ＥＥＰＲＯＭ書き込みインターバルタイマＴＭ１をクリア』してステップ１７９に移行する。
【０１３８】
ステップ１７８から移行したステップ１７９では『ＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴが最大値Ｎになっているか否か』が判別されるため、１つ目の書き込みが開始された当初はステップ１７０に戻って次の回のルーチンを実行する。
【０１３９】
次の回のルーチンでは、ステップ１７０においての判別で『メモリ書き込み中フラグＦＭＷＲＮＯＷがセットされている』ためステップ１７５に移行し、ＥＥＰＲＯＭ書き込みインターバルタイマＴＭ１が予め定められたインターバル時間を越えたら、ステップ１７６、ステップ１７７、ステップ１７８、ステップ１７９からステップ１８０に移行し、ステップ１８０において『メモリ書き込み中フラグＦＭＷＲＮＯＷをリセット』してステップ１８１に移行し、ステップ１８１において『メモリ書き込み完了フラグＦＭＷＲＥＮＤをセット』して次の回に移行する書き込みルーチンが実行される。
【０１４０】
上書きのメモリ書き込みが行われている間、一回目のルーチンが終了すると、次の回からは、ステップ１０４、ステップ１０５、ステップ１０６、ステップ１０７、ステップ１２７、ステップ１２８、ステップ１２９に移行し、ステップ１２９においての判別でステップ１３０をスキップし、ステップ１３１、ステップ１３２、ステップ１３３、ステップ１３４が実行される。
【０１４１】
電源スイッチ２０がオン切換えされていて、ウインドガラス３０が全閉位置Ｇにあるとき、開スイッチ２がオン切換えされ、開スイッチ２のオン時間が予め定められた時間よりも長いと、他のプログラムによってワンタッチ開フラグがセットされたルーチンが実行される。
【０１４２】
開スイッチ２が当初オン切換えされたとき、ステップ１０４での判別でステップ１０８に移行し、ステップ１０８においての判別でステップ１０９に移行し、ステップ１０９においての判別で『メモリ消去フラグＦＭＥＲＡＳＥはセットされていない』のでステップ１１０に移行し、ステップ１１０、ステップ１１１、ステップ１１２、ステップ１１３、ステップ１１４、ステップ１１５を実行する。下降指令信号が制御ブロック１４に取り込まれることによってモータ駆動出力ブロック７の第１のスイッチングトランジスタＴＲ１にベース電流が与えられるため、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが正回転を始め、ウインドガラス３０が開く側に駆動される。
【０１４３】
その後に、開スイッチ２がオフ切換えされても、ワンタッチ開フラグはセットされているため、ステップ１０４においての判別で『開スイッチ２はオン切換えされていない』のでステップ１０５に移行し、ステップ１０５においての判別でステップ１０６に移行し、ステップ１０６においての判別で『ワンタッチ開フラグはセットされている』のでステップ１０８に移行し、以後、ステップ１０９、ステップ１１０、ステップ１１１、ステップ１１２、ステップ１１３、ステップ１１４、ステップ１１５を実行し、制御ブロック１４によりモータ駆動出力ブロック７の第１のスイッチングトランジスタＴＲ１にベース電流が与えられ続けるため、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが正回転をし続け、ウインドガラス３０が開く側に連続的に駆動される。
【０１４４】
モータ５が正回転を開始することによって、回転センサ６はほぼ同一間隔のパルス信号を発生し、パルス信号入力ブロック８、パルス間隔測定ブロック１６、パルス間隔測定タイマＴＭ２が１つづつのパルス信号の周期時間を検出する。
【０１４５】
やがて、ウインドガラス３０が全開位置Ｆに到達すると、ウインドガラス３０が移動を阻止され、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃは回転速度が下がる。
モータ５のアーマチュアシャフト５ｃの回転速度が下がってくると、回転センサ６が発生するパルス信号の周期時間が長くなる。
【０１４６】
パルス間隔測定タイマＴＭ２が検出した周期時間がモータ作動判定値ＸＬＯＣＫを越えると、ステップ１１８においての判別でステップ１２２に移行し、ステップ１２２においての判別で『メモリ書き込み完了フラグＦＭＷＲＥＮＤはセットされていない』のでステップ１２３に移行し、ステップ１２３において『メモリ消去フラグＦＭＥＲＡＳＥをリセット』してステップ１２４に移行し、ステップ１２４において『モータオンでの書き込みフラグＦＭＷＲＯＮをセット』してステップ１２５に移行し、ステップ１２５において『モータオフでの書き込みフラグＦＭＷＲＯＦＦをリセット』してステップ１２６に移行し、ステップ１２６からステップ１１６に移行し、ステップ１１６において『メイン処理』を実行する。メモリ書き込みが行われている間、ステップ１０４、ステップ１０８、ステップ１１７に移行し、ステップ１１７においての判別で『メモリ書き込み中フラグＦＭＷＲＮＯＷはセットされていない』ので、ステップ１１８に移行する。
【０１４７】
ステップ１１８においての判別で『パルス間隔測定タイマＴＭ２が検出した周期時間がモータロック作動判定値ＸＬＯＣＫを越えている』のでステップ１２２に移行し、ステップ１２２においての判別で『メモリ書き込み完了フラグＦＭＷＲＥＮＤはセットされていない』のでステップ１２３に移行する。
【０１４８】
ステップ１２２から移行したステップ１２３において『メモリ消去フラグＦＭＥＲＡＳＥをリセット』してステップ１２４に移行し、ステップ１２４において『モータオンでの書き込みフラグＦＭＷＲＯＮをセットして』ステップ１２５に移行し、ステップ１２５において『モータオフでの書き込みフラグＦＭＷＲＯＦＦをリセット』してステップ１２６に移行し、ステップ１２６において『ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ（Ｎ）に書き込み』が実行される。
【０１４９】
ステップ１２６が実行されることにより、書き込みルーチンが実行され、ステップ１７０においての判別で『メモリ書き込み中フラグＦＭＷＲＮＯＷはリセットされている』のでステップ１７１に移行し、ステップ１７１において『メモリ書き込み完了フラグＦＭＷＲＥＮＤをリセット』してステップ１７２に移行し、ステップ１７２において『ＥＥＰＲＯＭ書き込みインターバルタイマＴＭ１をクリア』してステップ１７３に移行し、ステップ１７３において『ＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴをクリア（メモリ書き込みの初期設定）』してステップ１７４に移行し、ステップ１７４において『メモリ書き込み中フラグＦＭＷＲＮＯＷをセット』してステップ１７５に移行する。
【０１５０】
ステップ１７４から移行したステップ１７５では、『ＥＥＰＲＯＭ書き込みインターバルタイマＴＭ１が予め定められたインターバル時間を越えたか否か』の判別が行われるため、１つ目の書き込みが開始された当初は、ステップ１７６に移行して『ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内でＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴによって定められた番地にパルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴより与えられた回転信号数（ガラス位置データ）でのメモリ書き込み』が行われてステップ１７７に移行し、ステップ１７７において『ＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴをインクリメント』してステップ１７８に移行し、ステップ１７８において『ＥＥＰＲＯＭ書き込みインターバルタイマＴＭ１をクリア』してステップ１７９に移行する。
【０１５１】
ステップ１７９では『ＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴが最大値Ｎになっているか否か』が判別されるため、１つ目の書き込みが開始された当初はステップ１７０に戻って次の回のルーチンを実行する。
【０１５２】
次の回のルーチンでは、ステップ１７０においての判別で『メモリ書き込み中フラグＦＭＷＲＮＯＷがセットされている』ためステップ１７５に移行し、ＥＥＰＲＯＭ書き込みインターバルタイマＴＭ１が予め定められたインターバル時間を越えたら、ステップ１７５、ステップ１７６、ステップ１７７、ステップ１７８、ステップ１７９からステップ１８０に移行し、ステップ１８０において『メモリ書き込み中フラグＦＭＷＲＮＯＷをリセット』してステップ１８１に移行し、ステップ１８１において『メモリ書き込み完了フラグＦＭＷＲＥＮＤをセット』して次の回に移行する書き込みルーチンが実行される。
【０１５３】
ウインドガラス３０が全開位置Ｆに到達し、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが回転を拘束されると、制御ブロック１４に取り込まれていた下降指令信号が消滅するため、モータ駆動出力ブロック７の第１のスイッチングトランジスタＴＲ１がオフし、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが回転を停止し、ウインドガラス３０が全開位置Ｆで停止する。すると、メインルーチンのステップ１０４においての判別で『開スイッチ２がオン切換えされていない』のでステップ１０５に移行し、ステップ１０５においての判別で『閉スイッチ３がオン切換えされていない』のでステップ１０６に移行し、ステップ１０６においての判別で『ワンタッチ開フラグはセットされていない』のでステップ１０７に移行し、ステップ１０７においての判別で『ワンタッチ閉フラグはセットされていない』のでステップ１２７に移行し、ステップ１２７においての判別で『モータオンでの書き込みフラグＦＭＷＲＯＮはセットされている』のでステップ１２８に移行し、ステップ１２８において『メモリ書き込み中フラグＦＭＷＲＮＯＷをリセット』してステップ１２９に移行する。
【０１５４】
ステップ１２８から移行したステップ１２９においての判別で『メモリ書き込み中フラグＦＭＷＲＮＯＷはセットされていない』のでステップ１３０に移行し、ステップ１３０においての判別で『メモリ書き込み完了フラグＦＭＷＲＥＮＤはセットされていない』のでステップ１３１に移行し、ステップ１３１において『メモリ消去フラグＦＭＥＲＡＳＥをリセット』してステップ１３２に移行し、ステップ１３２において『モータオンでの書き込みフラグＦＭＷＲＯＮをリセット』してステップ１３３に移行し、ステップ１３３において『モータオフでの書き込みフラグＦＭＷＲＯＦＦをセット』してステップ１３４に移行し、ステップ１３４において『制御ブロック１４より入出力制御ブロック１５に上書き指令』が与えられる。
【０１５５】
ステップ１３４が実行されることにより、書き込みルーチンが実行され、ステップ１７０において『メモリ書き込み中フラグＦＭＷＲＮＯＷはセットされていない』のでステップ１７１に移行し、ステップ１７１において『メモリ書き込み完了フラグＦＭＷＲＥＮＤをリセット』してステップ１７２に移行し、ステップ１７２において『ＥＥＰＲＯＭ書き込みインターバルタイマＴＭ１をクリア』してステップ１７３に移行し、ステップ１７３において『ＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴをクリア（メモリ書き込みの初期設定）』してステップ１７４に移行し、ステップ１７４において『メモリ書き込み中フラグＦＭＷＲＮＯＷをセット』してステップ１７５に移行する。
【０１５６】
ステップ１７４から移行したステップ１７５では、『ＥＥＰＲＯＭ書き込みインターバルタイマＴＭ１が予め定められたインターバル時間を越えたか否か』の判別が行われるため、１つ目の書き込みが開始された当初は、ステップ１７６に移行して『ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内でＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴによって定められた番地にパルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴより与えられた回転信号数（ガラス位置データ）でのメモリ書き込み』が行われてステップ１７７に移行し、ステップ１７７において『ＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴをインクリメント』してステップ１７８に移行し、ステップ１７８において『書き込みインターバルタイマＴＭ１をクリア』してステップ１７９に移行する。
【０１５７】
ステップ１７９では『ＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴが最大値Ｎになっているか否か』が判別されるため、１つ目の書き込みが開始された当初はステップ１７０に戻って次の回のルーチンを実行する。
【０１５８】
次の回のルーチンでは、ステップ１７０においての判別で『メモリ書き込み中フラグＦＭＷＲＮＯＷがセットされている』ためステップ１７５に移行し、ＥＥＰＲＯＭ書き込みインターバルタイマＴＭ１が予め定められたインターバル時間を越えたら、ステップ１７５、ステップ１７６、ステップ１７７、ステップ１７８、ステップ１７９、ステップ１８０、ステップ１８１から次の回に移行する書き込みルーチンが実行される。
【０１５９】
上書きのメモリ書き込みが行われている間、一回目のルーチンが終了すると、次の回からは、ステップ１０４、ステップ１０５、ステップ１０６、ステップ１０７、ステップ１２７、ステップ１２８、ステップ１２９に移行し、ステップ１２９においての判別でステップ１３１にスキップし、ステップ１３１、ステップ１３２、ステップ１３３、ステップ１３４が実行される。
【０１６０】
電源スイッチ２０がオン切換えされていて、ウインドガラス３０が全開位置Ｆにあるとき、閉スイッチ３がオン切換えされると、上述した開スイッチ２がオン切換えされた場合のルーチンと同様にしてルーチンが実行される。また、電源スイッチ２０がオン切換えされていて、ウインドガラス３０が全開位置Ｆにあるとき、閉スイッチ３がオン切換えされ、閉スイッチ３のオン時間が予め定められた時間よりも長いものとなった際も上述したワンタッチ開フラグがセットされている場合と同様にして制御ルーチンが実行される。
【０１６１】
モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが正回転を続けることによって、ウインドガラス３０が開く側に駆動されているときに、電源スイッチ２０がオフ切換えされると、回路電源電圧が急激に下がり始める。そして、回路電源電圧がメモリ書き込み電圧Ｖ２を越えて下がると、メインルーチンにおいて、ステップ１０４、ステップ１０８、ステッフ１１７、ステップ１１８、ステップ１１９、ステップ１２０においての判別でステップ１２２に移行する。
【０１６２】
ステップ１２０から移行したステップ１２２においての判別で『メモリ書き込み完了フラグＦＭＷＲＥＮＤはセットされていない』のでステップ１２３に移行し、ステップ１２３において『メモリ消去フラグＦＭＥＲＡＳＥをリセット』してステップ１２４に移行し、ステップ１２４において『モータオンでの書き込みフラグＦＭＷＲＯＮをセット』してステップ１２５に移行する。
【０１６３】
ステップ１２４から移行したステップ１２５において『モータオフでの書き込みフラグＦＭＷＲＯＦＦをリセット』してステップ１２６に移行し、ステップ１２６において『ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ（Ｎ）に書き込み』が実行される。
【０１６４】
ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭへの書き込みルーチンは、ステップ１７０においての判別で『メモリ書き込み中フラグＦＭＷＲＮＯＷはリセットされている』のでステップ１７１に移行し、ステップ１７１において『メモリ書き込み完了フラグＦＭＷＲＥＮＤをリセット』してステップ１７２に移行し、ステップ１７２において『ＥＥＰＲＯＭ書き込みインターバルタイマＴＭ１をクリア』してステップ１７３に移行し、ステップ１７３において『ＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴをクリア（メモリ書き込みの初期設定）』してステップ１７４に移行し、ステップ１７４において『メモリ書き込み中フラグＦＭＷＲＮＯＷをセット』してステップ１７５に移行する。
【０１６５】
ステップ１７４から移行したステップ１７５では、『ＥＥＰＲＯＭ書き込みインターバルタイマＴＭ１が予め定められたインターバル時間を越えたか否か』の判別が行われるため、１つ目の書き込みが開始された当初は、ステップ１７６に移行して『ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内でＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴによって定められた番地にパルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴより与えられた回転信号数（ガラス位置データ）でのメモリ書き込み』が行われてステップ１７７に移行し、ステップ１７７において『ＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴをインクリメント』してステップ１７８に移行し、ステップ１７８において『ＥＥＰＲＯＭ書き込みインターバルタイマＴＭ１をクリア』してステップ１７９に移行する。
【０１６６】
ステップ１７８から移行したステップ１７９では『ＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴが最大値Ｎになっているか否か』が判別されるため、１つ目の書き込みが開始された当初はステップ１７０に戻って次の回のルーチンを実行する。
【０１６７】
次の回のルーチンでは、ステップ１７０においての判別で『メモリ書き込み中フラグＦＭＷＲＮＯＷがセットされている』ため、ステップ１７１、ステップ１７２、ステップ１７３、ステップ１７４をスキップしてステップ１７５に移行し、ＥＥＰＲＯＭ書き込みインターバルタイマＴＭ１が予め定められたインターバル時間を越えたら、ステップ１７６、ステップ１７７、ステップ１７８、ステップ１７９からステップ１８０に移行し、ステップ１８０において『メモリ書き込み中フラグＦＭＷＲＮＯＷをリセット』してステップ１８１に移行し、ステップ１８１において『メモリ書き込み完了フラグＦＭＷＲＥＮＤをセット』して次の回に移行する書き込みルーチンが実行される。
【０１６８】
上述したように、モータ制御装置１では、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭへのガラス位置データの書き込みは、電源スイッチ２０がオン切換えされた後にオフ切換えされる以前に、モータ電圧が低下していないときに行われる。
【０１６９】
また、モータ制御装置１では、開スイッチ２がオン切換えされるか、あるいは閉スイッチ３がオン切換えされた際に、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭに書き込まれている位置データを消去し、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃがロック状態となったときに、回転センサ６より与えられた回転信号を位置データに変換してＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭに書き込み、その後に、開スイッチ２がオフ切換えされるか、あるいは閉スイッチ３がオフ切換えされた際に、回転センサ６より与えられた回転信号を位置データに変換してＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭに上書きするため、モータ５の第１、第２のブラシ端子５ａ、５ｂの端子電圧が遮断されていないときに複数個の位置データの書き込みが行われるものとなる。
【０１７０】
そして、モータ制御装置１では、電源スイッチ２０がオン切換えされた時、それ以前に、モータ５がウインドガラス３０を駆動中にモータ５の電圧が下がってきたときにＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭに電気的に複数個書き込まれた位置データがガラス位置予測ブロック１８によりＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭから読み出されてウインドガラス３０が最終的に停止した位置の予測が行われる。それ故、バックアップ用コンデンサにより位置データの書き込みのための時間を延長することなく、複数個の位置データの書き込みが行われ、予測した位置データを用いて現在位置が得られるから、位置データの書き込みのための時間を確保する大容量のバックアップ用コンデンサを必要としないものとなる。
【０１７１】
【発明の効果】
以上説明してきたように、この発明の請求項１に係わるモータ制御装置によれば、不揮発性メモリは、電源スイッチが閉じられた後に開かれる以前にモータ回転検出手段よりの回転信号を位置データに変換して電気的に書き込んでいるため、モータ電圧が低下していないときに位置データの書き込みが既に行われている。また、モータがロック状態になったときに、モータ回転検出手段より与えられた回転信号を位置データに変換して不揮発性メモリに書き込んでいるため、モータ電圧が遮断されていないときに複数個の位置データの書き込みが行われる。そして、開スイッチまたは閉スイッチがオン切換えされ、モータが起動し始めた後、開スイッチまたは閉スイッチがオフ切換えされる以前に電源スイッチがオフ切換えされ、モータ電圧が下がってきたときに、不揮発性メモリに複数個の位置データの書き込みが行われ、電源スイッチがオン切換えされた際に不揮発性メモリに書き込まれた位置データを用いて現在位置が予測される。それ故、位置データの書き込みのための時間を確保する大容量のバックアップ用コンデンサを必要としないという優れた効果を奏する。また、不揮発性メモリは、開スイッチまたは閉スイッチが閉じられたとき毎に不揮発性メモリに書き込まれている位置データが制御ブロックにより消去され、その後に、開スイッチまたは閉スイッチが開かれたとき毎に新たな位置データが制御ブロックによって書き込まれる。それ故、開スイッチ、閉スイッチの動作に応じて常に最新の位置データが得られるという優れた効果を奏する。
【０１７２】
この発明の請求項２に係わるモータ制御装置によれば、モータ回転検出手段より与えられる回転信号は、モータがロックすることによってその周期が大きくなり、コントローラのパルス間隔測定ブロックは、モータ回転検出手段より与えられた回転信号の周期を測定する。それ故、請求項１の効果に加え、パルス間隔測定ブロックにより、回転信号の周期を測定することによってモータの負荷状態が検出されるという優れた効果を奏する。
【０１７３】
この発明の請求項３に係わるモータ制御装置によれば、コントローラのモータロック作動判定ブロックは、パルス間隔測定ブロックより与えられた周期値と予め定められた判定値とを比較し、パルス間隔測定ブロックより与えられた周期値が予め定められた判定値を越えた際に、制御ブロックにより不揮発性メモリへの書き込みが実行される。それ故、請求項２の効果に加え、モータのロック中に電源スイッチがオフ切換えされても、ガラスの位置データは失われないという優れた効果を奏する。
【０１７４】
この発明の請求項４に係わるモータ制御装置によれば、制御ブロックは、モータが負荷を駆動中に、電源スイッチがオフ切換えされ、モータ電圧が下がり、電源電圧が予め定められた値以下になった時に、予め定められた時間おきに位置データを不揮発性メモリに連続的に書き込む。それ故、請求項１の効果に加え、データの書き込みのための時間を確保する大容量のバックアップコンデンサを必要とすることなく複数個の位置データの書き込みが確実にできて、コンパクトな外形を得ることができるという優れた効果を奏する。
【０１７５】
この発明の請求項５に係わるモータ制御装置によれば、コントローラのガラス位置予測ブロックは、電源スイッチがオン切換えされた際に、不揮発性メモリに既に書き込まれている複数個の位置データを読み出し、その中の３個の位置データのそれぞれを比較して、最後に書き込まれた位置データの以後の位置データの算出処理を複数回行うことにより、負荷が最終的に停止した位置データを得る。それ故、請求項１または４の効果に加え、モータ電圧が下がってきたときに、不揮発性メモリに電気的に書き込まれた位置データの数が複数個存在するため、確実に最終的な位置データが得られるという優れた効果を奏する。
【０１７６】
この発明の請求項６に係わるモータ制御装置によれば、コントローラのワンタッチ動作記憶ブロックは、開スイッチまたは閉スイッチが長い時間オン切換えされた後にオフ切換えされた際、開スイッチまたは閉スイッチがオン切換えされたときに記憶した下降指令信号または上昇指令信号を制御ブロックに連続的に与える。それ故、請求項１の効果に加え、ワンタッチ動作記憶ブロックによって、開スイッチまたは閉スイッチより発生した指令信号の保持が行われるため、開スイッチおよび閉スイッチの他にオートスイッチ等の付加スイッチを必要としないという優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明に係わるモータ制御装置の一実施例のブロック構成図である。
【図２】図１に示したモータ制御装置の具体的回路図である。
【図３】図１に示したモータ制御装置においてのタイミングチャートである。
【図４】図１に示したモータ制御装置においてのタイミングチャートである。
【図５】図１に示したモータ制御装置においての位置予測を行う際に用いるメモリの説明図である。
【図６】図１に示したモータ制御装置においてのタイミングチャートである。
【図７】図１に示したモータ制御装置においての制御動作を説明するフローチャートである。
【図８】図１に示したモータ制御装置においての制御動作を説明するフローチャートである。
【図９】図１に示したモータ制御装置においての制御動作を説明するフローチャートである。
【図１０】図１に示したモータ制御装置においての制御動作を説明するフローチャートである。
【図１１】図１に示したモータ制御装置においての制御動作を説明するフローチャートである。
【図１２】従来のモータ制御装置においてのタイミングチャートである。
【符号の説明】
１ モータ制御装置
２ 開スイッチ
３ 閉スイッチ
５ モータ
６ （モータ回転検出手段）回転センサ
７ （モータ駆動回路）モータ駆動出力ブロック
１２ ワンタッチ動作記憶ブロック
１４ 制御ブロック
１６ パルス間隔測定ブロック
１７ モータロック作動判定ブロック
１８ ガラス位置予測ブロック
２０ 電源スイッチ
２１ 電源
ＭＣＵ （コントローラ）中央処理回路
ＭＥＭ （不揮発性メモリ）ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロック
ＶＢ モータ電圧[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a motor control device that controls an opening / closing device such as a power window of an automobile.
[0002]
[Prior art]
As a motor control device for controlling the opening and closing device of an automobile, the current windshield glass is incorporated into the controller, and the motor rotation signal is taken as position data into an electrically writable and erasable nonvolatile memory. Those that detect the position indirectly are known.
[0003]
In the motor control apparatus as described above, as shown in FIG. 12, the motor is operated by turning on the open switch (closed switch) at time a. When the motor starts operating, the motor voltage VB decreases with respect to the no-load state. When the motor starts operation, a pulse signal from a rotation sensor built in the motor is taken into the controller. When the window glass reaches the stroke end at time b after time a, the controller detects the lock of the motor, whereby the power supply to the motor is cut off and the motor is stopped. When the motor is stopped,At time cThe motor voltage VB returns to the no-load state.ThatLater timedWhen the power switch is turned off, the motor voltage VB decreases with time. Eventually timedTime aftereWhen the motor voltage VB falls below the memory write voltage V0, the controller starts writing the number of pulse signals provided from the rotation sensor into the nonvolatile memory,eTime afterf, Writing is performed within the writable time t until the motor voltage VB falls below the reset voltage RES. The memory write voltage V0 is equal to or higher than the supply voltage to the circuit so that the power supply voltage in the circuit is equal to or higher than the reset voltage RES of the microcomputer, and is equal to or lower than the voltage drop when the motor is locked at the minimum operating voltage of the specification. Need to be.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the motor control device described above, when the power supply voltage of the controller is interrupted, the position data of the window glass is written to the nonvolatile memory.When the power switch is turned off when the motor is in the locked state, Since the power supply voltage of the controller has already decreased with respect to a voltage value lower than the normal operating voltage, the amount of charge necessary for writing is insufficient and only a single position data is written. Therefore, a large-capacity backup capacitor is used to ensure sufficient time to write window glass position data to the nonvolatile memory, and a large-capacity backup capacitor must be built in the controller. As a result, there is a problem that the outer shape of the controller is increased.
[0005]
In the motor control device described above, when the power switch is turned off while the motor is operating, the operating voltage of the microcomputer built in the controller is lowered even though the motor rotation signal is being input. As a result, writing cannot be performed, and the microcomputer writes position data shifted from the actual position of the window glass. For this reason, a large-capacity backup capacitor is used so that the position data can be continuously written until the motor stops, and there is a problem that the outer shape of the controller is enlarged as described above. .
[0006]
OBJECT OF THE INVENTION
The motor control device according to the present invention provides a motor control device capable of reliably writing a plurality of position data without requiring a large-capacity backup capacitor and obtaining a compact outer shape. It is aimed.
[0007]
[Structure of the invention]
[0008]
[Means for Solving the Problems]
In the motor control device according to the first aspect of the present invention, the power switch electrically connected to the power source, the motor drive circuit electrically connected to the power switch, and the motor drive circuit are electrically connected. In addition, a motor that is coupled to an open / close load and drives the load to the open side or the closed side by the operation of a motor drive circuit, a motor rotation detection means that generates a rotation detection signal by the rotation of the motor, and a down command by being switched on An open switch for generating a signal, a closed switch for generating a rising command signal when switched on, and a power switch, a motor drive circuit, motor rotation detecting means, an open switch, and a closed switch are electrically connected to each other and opened. When a lowering command signal is given from the switch, a current for driving the load to the open side is supplied to the motor via the motor drive circuit. A controller for supplying a current for driving the load to the closed side to the motor via the motor drive circuit when an up command signal is given from the close switch, and before the power switch is closed and before the open switch or the open switch or the close switch Each time when the motor is locked after being closed, and when the motor voltage drops while the motor is driving the load, the rotation signal given by the motor rotation detection means is used as position data. Non-volatile memory that can convert and electrically read and write multiple dataThe controller erases the position data written in the non-volatile memory every time the open switch or the close switch is closed, and stores the position data every time the open switch or the close switch is opened. A control block capable of continuously writing a plurality of data to the nonvolatile memory.It is characterized by having a configuration equipped with.
[0009]
Claims of the invention2The motor control device according to the above is characterized in that the controller is provided with a pulse interval measurement block for measuring the period of the rotation signal given from the motor rotation detection means.
[0010]
Claims of the invention3In the motor control apparatus according to the above, the controller includes a motor lock operation determination block that determines the lock of the motor by comparing the period of the rotation signal given from the pulse interval measurement block with a predetermined determination value. It is characterized by having a configuration.
[0011]
Claims of the invention4In the motor control device related toControl blockWhen the power switch is turned off while the motor is in operation, the position data is continuously stored in the non-volatile memory every predetermined time when the power supply voltage falls below a predetermined value. WritableInIt is characterized by having a configuration.
[0012]
Claims of the invention5In the motor control apparatus according to the above, the controller reads out a plurality of position data written in the nonvolatile memory when the power switch is turned on, and compares each of the three position data in the position data. The glass position prediction block is characterized in that the position data calculation process after the last written position data is performed a plurality of times until the final position data is obtained.
[0013]
Claims of the invention6In the motor control device according to the above, the controller stores a descending command signal or an ascending command signal when the time during which the open switch or the closed switch is turned on exceeds a predetermined value, and then opens the open switch Alternatively, the present invention is characterized in that a one-touch operation storage block is provided which continuously gives a descending command signal or an ascending command signal to the control block even after the closing switch is turned off.
[0014]
[Effects of the Invention]
In the motor control device according to the first aspect of the present invention, the nonvolatile memory converts the rotation signal from the motor rotation detecting means into position data and electrically writes it every time it is opened after the power switch is closed. Therefore, the position data is already written when the motor voltage is not lowered. In addition, when the motor is locked, the rotation signal given from the motor rotation detection means is converted into position data and written in the nonvolatile memory. The position data is written. Then, after the open or closed switch is turned on and the motor starts to start, the power switch is turned off before the open or closed switch is turned off, and when the motor voltage drops, the non-volatile A plurality of position data are written in the memory, and the current position is predicted using the position data written in the nonvolatile memory when the power switch is turned on. Therefore, there is no need for a large-capacity backup capacitor that secures time for writing position data.This non-volatile memory is also used when the position data written in the non-volatile memory is erased by the control block every time the open or close switch is closed, and then the open or close switch is opened. Each time new position data is written by the control block.
[0015]
Claims of the invention2In the motor control device according to the above, the rotation signal given from the motor rotation detection means varies in its cycle according to the rotation speed of the motor, and the pulse interval measurement block of the controller has its rotation signal given from the motor rotation detection means. Measure the period.
[0016]
Claims of the invention3In the motor control device according to the above, the motor lock operation determination block of the controller compares the cycle value given by the pulse interval measurement block with a predetermined decision value, and the cycle value given by the pulse interval measurement block is determined in advance. When a predetermined determination value is exceeded, writing to the non-volatile memory is executed by the control block.
[0017]
Claims of the invention4When the motor is driving the load, the power switch is turned off, the motor voltage drops, and the power supply voltage falls below a predetermined value. Are continuously written to the nonvolatile memory.
[0018]
Claims of the invention5When the power switch is turned on, the glass position prediction block of the controller reads a plurality of position data already written in the nonvolatile memory, and the three position data among them are Are compared, and position data calculation processing subsequent to the last written position data is performed a plurality of times to obtain position data where the load has finally stopped.
[0019]
Claims of the invention6In the motor control device according to the above, the one-touch operation memory block of the controller has a descending command signal or ascending command signal stored when the open switch or the closed switch is switched on when the open switch or the closed switch is switched on for a long time. Are continuously given to the control block.
[0020]
【Example】
1 to 11 show an embodiment of a motor control device according to the present invention.
[0021]
The illustrated
[0022]
The
[0023]
One of the open /
[0024]
The switch
[0025]
In the switch
[0026]
The
[0027]
In the
[0028]
The motor
[0029]
The first relay RL1 includes a first relay coil RL1-1, a first relay normally open contact RL1-2, a first normally closed contact RL1-3, and a first relay movable contact RL1-4. ing. The first relay coil RL1-1 has an upstream side connected to the
[0030]
The first switching transistor TR1 is an NPN transistor with a common emitter, the base is connected to the first output port D1 provided in the central processing circuit MCU through a resistor (not shown), and the collector is the first relay as described above. It is connected to the downstream side of the coil RL1-1.
[0031]
The second relay RL2 includes a second relay coil RL2-1, a second relay normally open contact RL2-2, a second normally closed contact RL2-3, and a second relay movable contact RL2-4. ing. The second relay coil RL2-1 has an upstream side connected to the
[0032]
The second switching transistor TR2 is an NPN type transistor with a common emitter, the base is connected to the second output port D2 provided in the central processing circuit MCU through a resistor (not shown), and the collector is the second relay as described above. It is connected to the downstream side of the coil RL2-1.
[0033]
In the motor
[0034]
Contrary to the above, in the motor
[0035]
The
[0036]
The pulse
[0037]
The circuit power supply voltage input block 9 includes a diode D1, a resistor R1, a Zener diode ZD1, a first backup capacitor C1, a second backup capacitor C2, an oscillation preventing capacitor C4, and a power supply IC22.
[0038]
In the circuit power supply voltage input block 9, the anode of the diode D1 is connected to the
[0039]
In the circuit power supply voltage input block 9, when the
[0040]
An EEPROM external memory block MEM (electrically erasable programma-ble ROM) is an electrically rewritable ROM, and is a non-volatile memory that retains stored contents even in a non-energized state. The EEPROM external memory block MEM stores the glass position data given from the serial output port SOUT provided in the central processing circuit MCU in a predetermined memory area, takes out the glass position data from the predetermined memory area, and receives the serial input port. Central processing times via SINRoad MSend to CU.
[0041]
The conversion block 10 includes resistors R2, R3, R4, R5, a Zener diode ZD2, and a capacitor C3.
[0042]
In the conversion block 10, the central processing circuit MCU has a voltage level signal divided by the resistors R2 and R3, limited by the Zener diode ZD2, integrated by the resistors R4 and C3, and adjusted by the resistor R5. Give to conversion port A / D.
[0043]
The
[0044]
The one-touch
[0045]
In the one-touch
[0046]
The EEPROM memory address counter ADCT is a counter that gives an address signal to and from the
[0047]
The
[0048]
The pulse interval measurement block 16 detects the rising edge and falling edge of the pulse signal given from the pulse
[0049]
The pulse interval measurement timer TM2 starts when the rising edge of the pulse signal is detected by the pulse interval measuring block 16, and turns off when the falling edge of the pulse signal is detected. Detect cycle time. The detected period time of the pulse signal is given to the motor lock
[0050]
The motor operation determination value XLOCK is a predetermined value, and is used to detect that the armature shaft 5c of the
[0051]
The motor lock
[0052]
The EEPROM write interval timer TM1 has a function of performing writing to the EEPROM external memory block MEM from the
[0053]
The pulse counter glass position memory WINDCT counts the number of pulse signals that are glass position data to be written into the EEPROM external memory block MEM in the
[0054]
When the
[0055]
In the
[0056]
In the
[0057]
In the
[0058]
In the
[0059]
In the
[0060]
The
[0061]
In the
[0062]
The input /
[0063]
In addition, the input /
[0064]
Further, the input /
[0065]
The input /
[0066]
In the central processing circuit MCU, the
[0067]
In the central processing circuit MCU, when the lowering command signal generated by the
[0068]
As shown in FIG. 3, when the
[0069]
When the
[0070]
Thereafter, at time C when the cycle time detected by the pulse interval measurement timer TM2 exceeds the motor operation determination value XLOCK, the motor lock
[0071]
When the
[0072]
Even if the
[0073]
In the central processing circuit MCU, the
[0074]
In the central processing circuit MCU, when the ascending command signal generated by the
[0075]
At time A shown in FIG. 3, when the
[0076]
At time B after time A, when the
[0077]
Thereafter, at time C when the cycle time detected by the pulse interval measurement timer TM2 exceeds the motor operation determination value XLOCK, the motor lock
[0078]
When the
[0079]
Even if the
[0080]
In the central processing circuit MCU, the
[0081]
When the armature shaft 5c of the
[0082]
At time M after time L in FIG. 4, when the
[0083]
At time N after time M in FIG. 4, the circuit power supply voltage (voltage of the motor 5) is a predetermined voltage V.2When the voltage exceeds (memory write voltage B), it is determined that the motor is not locked by comparing the cycle time measured by the pulse interval measurement block 16 with the motor operation determination value XLOCK in the motor lock operation determination block. Sometimes, a write command is given from the
[0084]
Writing to the EEPROM external memory block MEM is performed at a time P (a time T that can be written from time N to time P) reaching a predetermined reset voltage RES every time (XMEMWR) determined by the EEPROM write interval timer TM1. ′) Is repeated several times. At this time, the first position data MEM (1), the second position data MEM (2), the third position data MEM (3), the fourth position data MEM (4), and the fifth position data MEM ( 5), 6th position data MEM (6), 7th position data MEM (7), 8th position data MEM (8), and 9th position data MEM (9) are written outside the EEPROM The memory block MEM stores nine pieces of position data from the first position data MEM (1) to the ninth position data MEM (9).
[0085]
In the central processing circuit MCU, the writing is stopped by resetting at the time P after the first position data MEM (1) to the ninth position data MEM (9) are written in the EEPROM external memory block MEM. However, since the
[0086]
When the
[0087]
When predicting the position data, the EEPROM external memory block MEM includes the first position data MEM (1), the second position data MEM (2), and the third position data MEM ( 3) Fourth position data MEM (4), fifth position data MEM (5), sixth position data MEM (6), seventh position data MEM (7), eighth position data MEM ( 8) Since the ninth position data MEM (9) is written, the first position data MEM (1) is recognized as the first position data, and the fifth position data MEM (5) is the intermediate position. The ninth position data MEM (9) is recognized as the last position data.
[0088]
In the central processing circuit MCU, the first position data MEM (1) (MEMA) which is the first position data [MEMA is compared with MEMC in MEM (N), so that na (a is 2, 4, 6). , 8..., Position data at a maximum value satisfying na ≧ 1). ] And the fifth position data MEM (5) as the intermediate position data, and the deviation R1 (pulse count number) between the fifth position data MEM (5) (MEMB) as the intermediate position data is calculated. A reduction ratio RA = R2 / R1 is calculated by calculating a deviation R2 (pulse count number) between (MEMB) and the ninth position data MEM (9) (MEMC) as the last position data. At this time, since the rotational speed of the armature shaft 5c of the
[0089]
Then, in the central processing circuit MCU, as shown in FIGS. 5 and 6, after the 9th position data MEM (9) (MEMC) finally obtained, the calculated reduction ratio RA is used. A prediction loop for predicting and obtaining position data where the
[0090]
The prediction loop is roughly divided into two blocks, and the relationship between the address positions in the EEPROM external memory block MEM is determined by performing a proportional calculation from the position data that was initially written when the power was turned off. And the interval between MEMB and MEMC that are equal and the longest in time are selected, and the reduction ratio RA is obtained from the three data. Next, position data that converges at the reduction ratio RA is calculated. First, starting from the position data MEM (9) immediately before the location where the central processing circuit MCU was reset at the previous power-off, the most suitable for calculating the reduction ratio RA from the position data written at the previous power-off.
[0091]
In the first selection loop (loop counter CT2 = 1), as shown in FIG. 5, [n−2] is changed to MEMA (first position based on the position data n written last before resetting. Data), [n-1] as MEMB (intermediate position data), and [n] as MEMC (last position data) are stored in the storage means RAM built in the central processing circuit MCU. When the position data written is less than 3 and MEMA or MEMA and MEMB cannot be set, the subsequent prediction loop is not performed and the value of MEMC is set as the glass position.
[0092]
In the second selection loop, after the first prediction loop is executed, the loop counter CT2 is incremented to set CT2 = 2, and if the last position data is the fifth or more in the memory, that is, n− (CT2 X2) If ≧ 1, [4... N-3] is MEMA (n-4) (first position data) and [n-2] is MEMB (intermediate) as shown in FIG. Position data), and [n] is stored as MEMC (last position data) in the storage means RAM built in the central processing circuit MCU.
[0093]
Similarly, in the third selection loop (loop counter CT2 = 3), as shown in FIG. 5, [4... N-3] is set to MEMA (n-6) (first position data), and [n− 3] is set as MEMB (intermediate position data), and [n] is set as MEMC (last position data) in the storage means RAM incorporated in the central processing circuit MCU to perform subtraction processing.
[0094]
In the final round of the selected loop (loop counter CT2 = m, where n−2m ≧ 1), as shown in FIG. 5, [2] is MEMA (first position data), and [4. n-3] is set as MEMB (intermediate position data) (MEMB = n-CT2), and [n] is set as MEMC (last position data) in the storage means RAM incorporated in the central processing circuit MCU. Performs division processing. That is, (MEMC-MEMB) / (MEMB-MEMA) is executed to obtain the reduction ratio RA.
[0095]
Next, the point at which the position data converges is calculated.
[0096]
In the first calculation loop, the position data of the next MEM (10) is calculated from the position data MEM (9) immediately before the point where the central processing circuit MCU (microcomputer) was reset by the previous power-off.
[0097]
In the first iteration of the prediction loop shown in FIG. 6, the previously calculated reduction ratio RA is multiplied by the difference between the immediately preceding position data, that is, MEM (9) −MEM (8). This value is the estimated difference between MEM (9) and MEM (10). This is RDIF. If the value of this RDIF is less than 1, no further estimate can be obtained, so the loop is exited here. If RDIF is 1 or more, this value is rounded to an integer, and the value added to MEM (9) is the estimated value of MEM (10). Thereafter, the previously obtained RDIF is substituted into R2, and the first time of the prediction loop is ended as a difference between new position data of the next loop.
[0098]
In the second time of the prediction loop shown in FIG. 6, RAX (MEM (10) −MEM (9)) as in the previous time, that is, the estimated difference between R2 and the estimated difference RDIF (MEM (9) and MEM (10) in the previous loop. ) Is substituted, RAXR2 is performed and this is substituted into RDIFF. The RDIF at this time is an estimated difference between MEM (10) and MEM (11). If the value of this RDIF is less than 1, no further estimate can be obtained, so the loop is exited here. If RDIF is 1 or more, this value is rounded to an integer, and the value added to MEM (10) is the estimated value of MEM (11). Thereafter, the obtained RDIF is substituted into R2, and the difference between the new position data of the next loop is set, and the second prediction loop is completed.
[0099]
Similar to the 1st and 2nd times, the 3rd and 4th times are repeated until the RDIF value is less than 1, and the last estimated value, i.e., the
[0100]
In the central processing circuit MCU, even when the
[0101]
The
[0102]
When the
[0103]
In
[0104]
In
[0105]
If three or more pieces of position data necessary for prediction are not written in the EEPROM external memory block MEM, the process proceeds from
[0106]
When two pieces of position data are written in the EEPROM external memory block MEM, the process proceeds to step 162, and “MEM (2) is stored in the pulse counter glass position storage WINDCT”.
[0107]
If two pieces of position data are not written in the EEPROM external memory block MEM, and one piece of position data is written, the process proceeds to step 163 in the determination in
[0108]
If one piece of position data is not written in the EEPROM external memory block MEM, the process proceeds to step 163 in the determination in
[0109]
If it is determined in
[0110]
In step 147 transferred from
[0111]
In
[0112]
In
[0113]
In
[0114]
In
[0115]
If the value of the deviation RDIF obtained in step 155 exceeds 1, the process proceeds to step 157 and “the value of the deviation RDIF is replaced with a value RINT that is converted to an integer for rounding speed calculation (rounded off after the decimal point)” The process proceeds to step 158, where “replacement of initial value NSTP (initial value NSTP−integer value RINT)” is performed in
[0116]
If the value of the deviation RDIF obtained in step 155 does not exceed 1, the process proceeds to step 160 and “replaces the initial value NSTP in the pulse counter glass position memory WINDCT” and the position prediction routine at the start in
[0117]
When the position prediction routine at the time of start-up in
[0118]
When the
[0119]
In step 108, it is determined whether or not memory writing is executed while the
[0120]
In
[0121]
In
[0122]
In the next routine, the write flag FMWROFF in the motor off state is reset in the previous routine, so that the
[0123]
In the determination in step 117 that has shifted from step 108, “the memory writing flag FMWRNOW is not set”, the process shifts to step 118, and in the determination in step 118, “the cycle time detected by the pulse interval measurement timer TM2 is activated. Since the judgment value XLOCK is not exceeded, ”the routine proceeds to step 119.
[0124]
In the determination in
Since it is not ", the process proceeds to step 121. In
[0125]
When the
[0126]
Eventually, when the
[0127]
When the cycle time detected by the pulse interval measurement timer TM2 exceeds the motor operation determination value XLOCK, the process proceeds to step 104, step 108, and step 117, and then the process proceeds to step 122 by the determination in step 118. In step S123, “the memory write completion flag FMWREND is not set”, and the process proceeds to step 123.
[0128]
In Step 123, the process proceeds from Step 118 to “Reset Memory Erase Flag FMERRASE” and proceeds to Step 124. In Step 124, “Sets the motor-on write flag FMWRRON” to Step 125, and in
[0129]
When the write routine is executed, it is determined in step 170 that “the memory write flag FMWRNOW is reset”, so the process proceeds to step 171, and in
[0130]
In
[0131]
In
[0132]
In the routine of the next round, because “the memory writing flag FMWRNOW is set” in the determination in step 170,
[0133]
When the
Then, in the determination in
[0134]
In the determination in
[0135]
In the determination in
[0136]
By executing
[0137]
In
[0138]
In
[0139]
In the routine of the next round, because “the memory writing flag FMWRNOW is set” in the determination in step 170, the process proceeds to step 175, and when the EEPROM write
[0140]
When the first routine is completed while the overwriting memory is being written, the process proceeds to step 104, step 105, step 106, step 107,
[0141]
When the
[0142]
When the
[0143]
After that, even if the
[0144]
When the
[0145]
Eventually, when the
When the rotational speed of the armature shaft 5c of the
[0146]
When the cycle time detected by the pulse interval measurement timer TM2 exceeds the motor operation determination value XLOCK, the process proceeds to step 122 in the determination in step 118, and “the memory write completion flag FMWREND is not set” in the determination in
[0147]
In the determination in step 118, “the cycle time detected by the pulse interval measurement timer TM2 exceeds the motor lock operation determination value XLOCK”, the process proceeds to step 122. In the determination in
[0148]
In Step 123, the process proceeds from
[0149]
By executing
[0150]
In
[0151]
In
[0152]
In the next routine, since the determination in step 170 is “the memory write flag FMWRNOW is set”, the process proceeds to step 175, and when the EEPROM write interval timer TM1 exceeds a predetermined interval time,
[0153]
When the
[0154]
In the determination in
[0155]
By executing
[0156]
In
[0157]
In
[0158]
In the next routine, since the determination in step 170 is “the memory write flag FMWRNOW is set”, the process proceeds to step 175, and when the EEPROM write interval timer TM1 exceeds a predetermined interval time,
[0159]
When the first routine is completed while the overwriting memory is being written, the process proceeds to step 104, step 105, step 106, step 107,
[0160]
When the
[0161]
When the armature shaft 5c of the
[0162]
In the determination in
[0163]
In
[0164]
The routine for writing to the EEPROM external memory block MEM proceeds to step 171 because “the memory writing flag FMWRNOW has been reset” as determined in step 170, and “resets the memory write completion flag FMWREND” in
[0165]
In
[0166]
In
[0167]
In the routine of the next round, because “the memory writing flag FMWRNOW is set” in the determination in step 170,
[0168]
As described above, in the
[0169]
Further, in the
[0170]
In the
[0171]
【The invention's effect】
As described above, according to the motor control apparatus of the first aspect of the present invention, the nonvolatile memory uses the rotation signal from the motor rotation detection means as the position data before the power switch is opened after being closed. Since it is converted and electrically written, the position data has already been written when the motor voltage has not dropped. In addition, when the motor is locked, the rotation signal given from the motor rotation detection means is converted into position data and written in the nonvolatile memory. The position data is written. Then, after the open or closed switch is turned on and the motor starts to start, the power switch is turned off before the open or closed switch is turned off, and when the motor voltage drops, the non-volatile A plurality of position data are written in the memory, and the current position is predicted using the position data written in the nonvolatile memory when the power switch is turned on. Therefore, there is an excellent effect that a large-capacity backup capacitor that secures time for writing position data is not required.The non-volatile memory also deletes the position data written in the non-volatile memory by the control block every time the open or close switch is closed, and then opens or closes the open switch. New position data is written by the control block. Therefore, there is an excellent effect that the latest position data can always be obtained according to the operation of the open switch and the closed switch.
[0172]
Claims of the invention2According to the motor control apparatus according to the present invention, the rotation signal given from the motor rotation detection means becomes longer when the motor is locked, and the pulse interval measurement block of the controller is the rotation signal given from the motor rotation detection means. Measure the period. Therefore, the claim1'sIn addition to the effect, the pulse interval measurement block has an excellent effect that the load state of the motor is detected by measuring the period of the rotation signal.
[0173]
Claims of the invention3In the motor control device according to the above, the motor lock operation determination block of the controller compares the cycle value given by the pulse interval measurement block with a predetermined decision value, and the cycle value given by the pulse interval measurement block. When the value exceeds a predetermined determination value, writing to the nonvolatile memory is executed by the control block. Therefore, the claim2In addition to the above effect, even if the power switch is turned off while the motor is locked, the glass position data is not lost.
[0174]
Claims of the invention4According to the motor control device related toThe control block isWhile the motor is driving the load, when the power switch is turned off, the motor voltage drops, and the power supply voltage falls below a predetermined value, the position data is continuously stored in the non-volatile memory every predetermined time. Write to. Therefore,In addition to the effect of
[0175]
Claims of the invention5When the power switch is turned on, the glass position prediction block of the controller reads a plurality of position data already written in the non-volatile memory, and includes three of the position data. Each of the position data is compared, and position data calculation processing subsequent to the last written position data is performed a plurality of times, thereby obtaining position data where the load has finally stopped. Therefore, claim 1Or 4In addition to the above effect, when the motor voltage decreases, there are a plurality of position data electrically written to the non-volatile memory. Play.
[0176]
Claims of the invention6According to the motor control device related to the controller, the one-touch operation memory block of the controller stores when the open switch or the closed switch is turned on when the open switch or the closed switch is turned on after being turned on for a long time. A descending command signal or an ascending command signal is continuously given to the control block. Therefore, in addition to the effect of
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a block diagram of an embodiment of a motor control device according to the present invention.
FIG. 2 is a specific circuit diagram of the motor control device shown in FIG. 1;
FIG. 3 is a timing chart in the motor control device shown in FIG. 1;
4 is a timing chart in the motor control device shown in FIG. 1; FIG.
FIG. 5 is an explanatory diagram of a memory used when performing position prediction in the motor control device shown in FIG. 1;
FIG. 6 is a timing chart in the motor control device shown in FIG. 1;
FIG. 7 is a flowchart illustrating a control operation in the motor control device shown in FIG. 1;
FIG. 8 is a flowchart illustrating a control operation in the motor control device shown in FIG.
FIG. 9 is a flowchart illustrating a control operation in the motor control device shown in FIG. 1;
FIG. 10 is a flowchart illustrating a control operation in the motor control device shown in FIG. 1;
FIG. 11 is a flowchart illustrating a control operation in the motor control device shown in FIG. 1;
FIG. 12 is a timing chart in a conventional motor control device.
[Explanation of symbols]
1 Motor controller
2 Open switch
3 Close switch
5 Motor
6 (Motor rotation detection means) Rotation sensor
7 (Motor drive circuit) Motor drive output block
12 One-touch action memory block
14 Control block
16 Pulse interval measurement block
17 Motor lock operation judgment block
18 Glass position prediction block
20 Power switch
21 Power supply
MCU (Controller) Central processing circuit
MEM (nonvolatile memory) EEPROM external memory block
VB motor voltage
Claims (6)
上記電源スイッチに電気的に接続されたモータ駆動回路と、
上記モータ駆動回路に電気的に接続されているとともに開閉負荷に結合され、モータ駆動回路の作動により該負荷を開側または閉側に駆動するモータと、
上記モータの回転により回転検出信号を発生するモータ回転検出手段と、
オン切換えされることにより下降指令信号を発生する開スイッチと、
オン切換えされることにより上昇指令信号を発生する閉スイッチと、
上記電源スイッチ、モータ駆動回路、モータ回転検出手段、開スイッチ、閉スイッチにそれぞれ電気的に接続され、該開スイッチより下降指令信号が与えられると負荷を開側に駆動するための電流をモータ駆動回路を介しモータに供給する一方、該閉スイッチより上昇指令信号が与えられると負荷を閉側に駆動するための電流をモータ駆動回路を介しモータに供給するコントローラと、
上記電源スイッチが閉じられた後に開かれる以前及び上記開スイッチまたは閉スイッチが閉じられた後に開かれた際毎、上記モータがロック状態となったとき、該モータが負荷を駆動中にモータ電圧が下ってきたときのそれぞれに上記モータ回転検出手段より与えられた回転信号を位置データに変換して電気的に複数個読み込み及び書き込み可能な不揮発性メモリとを備え、
上記コントローラには、開スイッチまたは閉スイッチが閉じられたとき毎に上記不揮発性メモリに書き込まれている位置データを消去し、該開スイッチまたは閉スイッチが開かれたとき毎に位置データを上記不揮発性メモリに複数個連続的に書き込み可能な制御ブロックを備えていることを特徴とするモータ制御装置。A power switch electrically connected to the power source;
A motor drive circuit electrically connected to the power switch;
A motor electrically connected to the motor drive circuit and coupled to an open / close load, and driving the load to the open side or the closed side by the operation of the motor drive circuit;
Motor rotation detection means for generating a rotation detection signal by rotation of the motor;
An open switch that generates a lowering command signal when switched on;
A closed switch that generates an ascending command signal when switched on;
Electrically connected to the power switch, motor drive circuit, motor rotation detection means, open switch, and close switch, respectively, and when a lowering command signal is given from the open switch, a current for driving the load to the open side is driven by the motor. A controller for supplying a current to the motor via a motor drive circuit while driving the load to the closed side when an ascending command signal is given from the close switch while being supplied to the motor via a circuit;
Every time the previous and the opening switch or closed switch is opened after the power switch is closed is opened after being closed, when the motor becomes locked, motors the motor is in driving a load respectively and an electrically plurality read and writable nonvolatile memory a rotational signal supplied from the motor rotation detecting means converts the position data when the voltage came down,
The controller erases the position data written in the nonvolatile memory every time the open switch or the closed switch is closed, and stores the position data in the nonvolatile memory every time the open switch or the closed switch is opened. A motor control device comprising a control block capable of continuously writing a plurality of data in a memory .
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