JP4152251B2

JP4152251B2 - Semiconductor laser device

Info

Publication number: JP4152251B2
Application number: JP2003131034A
Authority: JP
Inventors: 浩竹川
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2003-05-09
Filing date: 2003-05-09
Publication date: 2008-09-17
Anticipated expiration: 2023-05-09
Also published as: JP2004334997A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体レーザ装置に関するものであり、特に、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ／ＲＷ、ＭＯ、ＤＶＤ等の光ディスクにデータを記録、或いは、データを再生する光ディスク装置の光ピックアップに用いられる半導体レーザ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般の光ピックアップに使用される半導体レーザ装置は、例えば、図１に示すように構成されている。図１において、５０は半導体レーザ装置を示し、半導体レーザ装置５０は、半導体レーザチップ５１、光学部品であるホログラム素子５２、受光素子５３等が一体に構成されている。半導体レーザチップ５１と受光素子５３がともにステム５９上にダイボンドされて配設され、１つのパッケージ５６内に収められている。そして、ホログラム素子５２はパッケージ５６のキャップ５６ａの上面に接着固定され、半導体レーザチップ５１、受光素子５３とともに一体化されている。
【０００３】
次に、このような構成の半導体レーザ装置５０の動作を説明する。光ディスク５５のデータ再生時、半導体レーザチップ５１から出射されたレーザ光５７が、ホログラム素子５２を透過して、対物レンズ５４等で集光されて、光ディスク５５の記録面５５ａに到達する。そして、記録面５５ａで反射し、情報を得たレーザ光５８は、半導体レーザ装置５０に戻り、ホログラム素子５２によって進路を変えられ、受光素子５３に入射する。このレーザ光５８は、受光素子５３内でフォトダイオード等により電気信号に変換され、この電気信号は再生信号及び光ピックアップ光学系を調整する信号として、図示しないリードピンから光ディスク装置の電気回路等に与えられる。
【０００４】
このような構成の半導体レーザ装置５０に搭載される半導体レーザチップ５１は、ＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ等の光ディスク５５の種類に応じて、その種類（高出力の赤外半導体レーザ、赤色半導体レーザ等）が決められ、光学部品であるホログラム素子５２や受光素子５３は、光ピックアップの光学設計によって、ホログラム素子５２の回折格子や受光素子５３内のフォトダイオードの受光部のパターン形状及びゲイン等が、使用される光ピックアップにおいて最適になるように決められる。そして、このように最適に設計された半導体レーザチップ５１、ホログラム素子５２、受光素子５３等が上述のような構成に組み立てられ、使用される光ピックアップの仕様に応じた半導体レーザ装置５０となる。
【０００５】
このような半導体レーザ装置５０の検査は、回折格子や受光部のパターンの少しの違いなどは外観からは容易に区別することができず、ゲインや周波数特性などの回路定数においても、実際の信号光入力がなければ、即ち、半導体レーザ装置５０を単体で測定しても容易には分からないので、実際に使用する光ピックアップにセットして、レーザ光５７を光ディスク５５の記録面５５ａに照射し、反射したレーザ光５８を実際に受光素子５３で受けて、要求する電気信号が得られるかどうかで検査している。
【０００６】
また、光ディスク装置の光ディスクに対面して配置される光学ピックアップに設けられる受発光素子であって、電流―電圧変換手段を通して第１の受光素子群と第２の受光素子群の各受光素子に関する信号からプッシュプル方式のトラッキングエラーに関する信号を得るための加算手段と、プッシュプル方式のトラッキングエラーに関する信号を補正して、トラッキングエラーに関する信号のＤＣオフセット成分を付加するための補正手段とを内蔵している受発光素子もある（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
【特許文献１】
特開平９−１１５１６８号公報（第４−７頁、第１図）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、図１に示すような半導体レーザ装置５０には、使用される光ピックアップにおいて最適になるように設計された受光素子５３等が用いられている。しかしながら、半導体レーザチップ５１や受光素子５３は、ホログラム素子５２と違って、パッケージ５６の中にダイボンドされているために、完成品の状態ではその外観を確認することは難しい。そのため、間違った種類の受光素子５３が搭載されていた場合であっても、そのことを外観から判別することは、非常に困難である。
【０００９】
現行の半導体レーザ装置５０の検査は、上述したように、実際に使用する光ピックアップにセットして行われているが、一般に使用されている受光素子５３の中には、周波数特性やゲインのみが異なるものが多いため、実際に光ピックアップに組み込んで検査を行っても、例えば、低速で光ディスクを回転させている場合には、要求するものと異なる周波数特性やゲインの受光素子であることを発見できず、低速、高速の両方の検査を行うことが必要であり、検査工数が増大するという問題があった。
【００１０】
また、それぞれの受光素子の仕様範囲が広く、その仕様範囲の一部が重なっている場合には、その一部の使用範囲での検査では、同じ受光素子であるか異なる受光素子であるかを判断できず、要求される受光素子が間違いなく搭載されていることを確認するためには、温度特性等も考慮した全ての仕様範囲で全数検査する必要が生じる。即ち、検査において受光素子の誤搭載を発見するためには、温度特性等の抜き取り検査や設計上で保証されている項目まで全ての特性を検査することになり、膨大な検査項目と測定時間が必要になるという問題があった。
【００１１】
一方、正しい受光素子が搭載されていることを前提に、同じ測定項目であっても周波数特性や温度特性について全ての領域を検査するわけではなく、１点ないしは２点程度の検査を行う場合は、間違った受光素子が搭載された場合であっても、受光素子の種類によっては通常の検査では発見されないばかりでなく、良品と判定される場合も有り得るという問題があった。
【００１２】
また、特許文献１に記載の従来技術では、出射されるレーザ光が１ビーム方式の場合においても、３ビーム方式の場合と同じように、ＤＣオフセット成分を含むプッシュプル方式のトラッキングエラーに関する信号を得ることはできるが、この付加されるＤＣオフセット成分は任意に定められるものではなく、従って、この付加されるＤＣオフセット成分から受光素子の誤搭載を発見することはできない。
【００１３】
本発明は、上記の点に鑑み、搭載されるべき正しい受光素子が搭載されていることを容易に確認することができる半導体レーザ装置を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明は、レーザ光を出射する半導体レーザチップと、該半導体レーザチップから出射されるレーザ光を光ディスク上に通過させる光学部品と、前記光ディスクで反射し前記光学部品を通過した反射レーザ光を受光し該反射レーザ光を電気信号に変換する受光素子を備えた半導体レーザ装置において、前記受光素子が、その出力端子に該受光素子を識別するためのオフセット電圧が印加されるようになっているものである。
【００１５】
このようにすると、前記受光素子から出力される前記オフセット電圧を測定することにより該受光素子を識別することができ、搭載された受光素子の識別が視認によっては困難である場合や半導体レーザ装置単体で検査する場合においても、容易に受光素子を識別することができる。また、搭載されるべき正しい受光素子が搭載されているかどうかの検査において、仕様と異なった受光素子が誤搭載されていることを容易に発見でき、受光素子が誤搭載された半導体レーザ装置であるにも拘わらず、良品として市場に流出するのを防ぐことができる。
【００１６】
また、例えば、前記オフセット電圧として、予め定めた電圧が用いられていると、前記受光素子から出力されるオフセット電圧の電圧値から該受光素子を容易に識別することができる。
【００１７】
また、例えば、前記オフセット電圧として、予め定めた正、負のいずれかの電圧が用いられていると、オフセット電圧の違いが明確になり、受光素子の識別がより容易になるとともに、オフセット電圧を正、負の両方向に２分割することによって、オフセット電圧を大きくしすぎて受光素子のダイナミックレンジを狭めることを防止することができる。
【００１８】
また、例えば、前記受光素子は前記電気信号が出力される複数の出力端子を有し、該複数の出力端子と該複数の出力端子のそれぞれに印加されるオフセット電圧との組み合わせが、前記受光素子を識別するための予め定めた組み合わせであると良い。このようにすると、出力端子の数とオフセット電圧の種類の数とを乗じた数の種類の受光素子を識別することができる。
【００１９】
また、例えば、前記受光素子は複数のフォトダイオードと該複数のフォトダイオードの出力信号を増幅する複数の増幅回路と該複数の増幅回路の各増幅回路からの前記電気信号が出力される複数の出力端子を有し、該複数の出力端子と該複数の出力端子のそれぞれに印加されるオフセット電圧との組み合わせが、前記受光素子を識別するための予め定めた組み合わせであると良い。このようにすると、出力端子の数とオフセット電圧の種類の数とを乗じた数の種類の受光素子を識別することができる。
【００２０】
また、例えば、前記受光素子が、該受光素子の外部から与えられる切替信号に応じて、前記出力端子に前記オフセット電圧を印加するか否かを切り替えるようになっていると、受光素子の識別を必要とするときのみ受光素子からオフセット電圧が出力され、その他の通常時には受光素子からオフセット電圧が重畳していない電気信号が出力されるようにすることができ、通常時に受光素子からの電気信号を処理する他の電気回路等の処理において、オフセット電圧を考慮する必要が無くなる。
【００２１】
また、例えば、前記半導体レーザ装置の検査方法において、該半導体レーザ装置に搭載された受光素子から出力されるオフセット電圧により該受光素子を識別し、搭載されるべき正しい受光素子が搭載されていることを確認した後に、前記半導体レーザ装置の動作検査を行うようにすると、受光素子の誤搭載を判別するための動作検査を行う必要がなくなるので、検査工数を削減することができる。
【００２２】
また、例えば、前記半導体レーザ装置の組立方法において、該半導体レーザ装置に取り付けられた受光素子から出力されるオフセット電圧により該受光素子を識別し、搭載されるべき正しい受光素子が搭載されていることを確認した後に、前記半導体レーザ装置に搭載される光学部品を取り付けるようにすると、受光素子が誤搭載された半導体レーザ装置を光学部品が搭載されていない低付加価値の段階で処理することができ、受光素子の誤搭載による損失を最小限に抑えることができる。
【００２３】
また、例えば、半導体レーザ装置に搭載される受光素子であって、半導体レーザチップから出射されたレーザ光が光学部品を介して光ディスクに照射され、該光ディスクで反射し前記光学部品を通過した反射レーザ光を受光し該反射レーザ光を電気信号に変換する受光素子において、前記電気信号を出力する出力端子に、受光素子を識別するためのオフセット電圧が印加されるようになっていると良い。
【００２４】
このようにすると、前記受光素子から出力される前記オフセット電圧を測定することによって、該受光素子を識別することができ、半導体レーザ装置に搭載され視認によっては識別が困難である場合においても、容易に識別することができる受光素子が実現できる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。尚、本発明の実施形態に係る半導体レーザ装置の概略構成は、図１に示す一般の半導体レーザ装置５０の概略構成と同じであり、その説明は省略する。図２は、本発明の第１実施形態の半導体レーザ装置に搭載された受光素子の電気的構成を示す回路ブロック図である。
【００２６】
図２において、５３は受光素子を示す。受光素子５３は、フォトダイオードＰＤａ〜ＰＤｈと、アンプＡｍｐａ〜Ａｍｐｈと、加算アンプＰＡｍｐと、オフセット電圧印加部１０と、出力端子ＲＦ、Ｖａ〜Ｖｄ、Ｖｔ１〜Ｖｔ４を備えており、オフセット電圧印加部１０は、オフセット電圧印加回路ＯＦＳ０〜ＯＦＳ８から構成されている。フォトダイオードＰＤａ〜ＰＤｈはアノードが接地され、カソードがそれぞれアンプＡｍｐａ〜Ａｍｐｈのそれぞれの入力に接続されている。
【００２７】
これらのフォトダイオードＰＤａ〜ＰＤｈは、図１に示す光ディスク５５の記録面５５ａで反射されたレーザ光５８を受光し、レーザ光５８の光信号を電気信号に変換して出力する。そして、フォトダイオードＰＤａ〜ＰＤｈから出力された電気信号は、それぞれアンプＡｍｐａ〜Ａｍｐｈで増幅され、増幅されたそれぞれの電気信号はオフセット電圧印加回路ＯＦＳ１〜ＯＦＳ８に与えられ、オフセット電圧印加回路ＯＦＳ１〜ＯＦＳ８によってそれぞれ所定のＤＣレベルのオフセット電圧が印加され、このオフセット電圧が重畳されたそれぞれの電気信号が出力端子Ｖａ〜Ｖｄ、Ｖｔ１〜Ｖｔ４から出力される。
【００２８】
複数のフォトダイオードのうち、フォトダイオードＰＤａ〜ＰＤｄは、図１に示すレーザ光５７の焦点位置を光ディスク５５の記録面５５ａに合わせる調整に用いるフォーカスサーボ信号Ｖａ〜Ｖｄ用の電気信号を生成する。一方、フォトダイオードＰＤｅ〜ＰＤｈは、光ディスク５５の記録面５５ａ上のトラックに記録されている情報パターンにレーザ光５７の中心を合わせる調整に用いられるトラッキングサーボ信号Ｖｔ１〜Ｖｔ４用の電気信号を生成する。また、フォトダイオードＰＤａ〜ＰＤｄからの電気信号はアンプＰＡｍｐにより加算増幅され、再生に用いられるＲＦ信号が生成される。そして、このＲＦ信号にはオフセット電圧印加回路ＯＦＳ０によって所定のＤＣレベルのオフセット電圧が印加され、このオフセット電圧が重畳されたＲＦ信号が出力端子ＲＦから出力される。
【００２９】
このとき、オフセット電圧印加回路ＯＦＳ０〜ＯＦＳ８によって印加される前記オフセット電圧は、一般的に、受光素子５３からの初期オフセット電圧が±３０ｍＶ程度あるので、この初期オフセット電圧と区別できるように、±５０ｍＶ以上にすることが望ましい。しかし、印加するオフセット電圧を大きくすると、増幅器が有効に動作する振幅範囲であるダイナミックレンジが狭くなるので、±５０ｍＶ〜±１００ｍＶ程度にすることが望ましい。そして、その範囲内で複数の異なった値のオフセット電圧（例えば、＋５０ｍＶと＋１００ｍＶ）をそれぞれのオフセット電圧印加回路で印加することができる。また、正、負のそれぞれの方向に異なった値のオフセット電圧（例えば、−５０ｍＶと＋１００ｍＶ）を印加することもできる。
【００３０】
このようにして、各種のオフセット電圧が重畳された電気信号の信号波形の一例を図３に示す。図３において、縦軸は電気信号の電圧を示しており、横軸は時間を示している。（ａ）はオフセット電圧＝０Ｖの場合、（ｂ）はオフセット電圧＞０Ｖの場合、（ｃ）はオフセット電圧＜０Ｖの場合の電気信号の信号波形である。（ａ）の場合は、オフセット電圧が印加されておらず、アンプで増幅された電気信号の電圧レベルが実線３０で示されている。（ｂ）の場合は、破線３１が正のオフセット電圧レベル（＋ｄｖ）を示しており、電気信号の電圧レベルはオフセット電圧分だけ正方向にシフトしている。（ｃ）の場合は、破線３２が負のオフセット電圧レベル（−ｄｖ）を示しており、電気信号レベルはオフセット電圧分だけ負方向にシフトしている。また、受光素子５３が光を受光していないときには、オフセット電圧のみが出力される。
【００３１】
このように、受光素子５３から出力される各種電気信号は、受光素子の機種に応じて予め定められた所定のオフセット電圧が重畳されて出力される。通常、これらの各種電気信号が与えられる半導体レーザ装置５０が搭載される光ディスク装置の電気回路等において、このオフセット電圧は除去され、その後演算処理される。また、このオフセット電圧の値を受光素子の機種に応じたものにすることにより、受光素子５３が搭載された半導体レーザ装置５０の検査を行う際には、受光素子５３から出力されるオフセット電圧を測定することにより、搭載されている受光素子５３の機種を一意的に特定することができ、搭載されるべき受光素子と異なった受光素子が搭載されている場合でも、容易にその誤搭載を発見することができる。
【００３２】
また、印加されるオフセット電圧は、各電気信号毎、即ち、出力端子毎に設定することができる。また、印加されるオフセット電圧は、正、負の両方向の電圧、または、同じ正または負の電圧であっても異なる値の電圧にすることができる。従って、出力端子と各出力端子に印加されるオフセット電圧との組み合わせによって、例えば、出力端子と正、０のオフセット電圧の組み合わせ、または、出力端子と正、０、負のオフセット電圧の組み合わせによって受光素子の機種を特定することができる。即ち、オフセット電圧の値の種類×出力端子の数だけ異なった組合せを生成することができ、この異なった組合せのそれぞれを受光素子の機種に対応させることによって、多数の受光素子の識別ができる。
【００３３】
表１は、出力端子と出力端子に印加するオフセット電圧の種類数との組み合わせにより識別できる受光素子の機種数を示した表である。オフセット電圧の種類数が、１行目には２種類の場合（例えば、正と０、即ち、＋５０ｍＶと０Ｖ）、２行目には３種類の場合（例えば、正、０、負、即ち、＋５０ｍＶ、０Ｖ、−５０ｍＶ）が示されている。そして、１列目から６列目は、各種電気信号が出力される出力端子の数が１〜６個の場合であり、それぞれの場合の識別できる受光素子の数が示されている。例えば、オフセット電圧の種類数を３種類とし、出力端子の数を５個とすると、識別できる受光素子の数は、３の５乗、即ち、２４３種類となる。
【００３４】
【表１】

【００３５】
一般に光ピックアップに使用される信号端子の数は、フォーカスサーボ信号に２個、トラッキングサーボに２個、ＲＦ信号に１個と合計５個程度であり、実際、識別しなければならない受光素子の数は、数十〜数百程度である。従って、オフセット電圧の種類数が２種類または３種類程度であっても、多くの受光素子を識別することができ、ダイナミックレンジの観点から、オフセット電圧を正、または負の同一方向に幾種類も設定しない方が好ましい。
【００３６】
また、受光素子の誤搭載は、図1に示すような半導体レーザ５０を完全に組み立てる前に発見することができ、受光素子の誤搭載による損失を最小限にすることができる。以下に、この効果を図 4を参照して説明する。図 4は、本発明の実施形態に係る半導体レーザ装置の組立工程を示すフローチャートである。
【００３７】
先ず、図１に示すステム５９上に半導体レーザチップ５１をダイボンドする（工程Ｋ１）。次に、受光素子５３を同じくステム５９上にダイボンドする（工程Ｋ２）。これにより、半導体レーザチップ５１と受光素子５３との位置関係は極めて安定に保たれる。次に、半導体レーザチップ５１と受光素子５３とをパッケージ５６に電気的に絶縁されて取り付けられたピン（不図示）とつながるリードフレーム（不図示）にワイヤボンドする（工程Ｋ３）。
【００３８】
次に、パッケージ５６の上面を構成するキャップ５６ａをかぶせ、パッケージ５６を密封封止する（工程Ｋ４）。そして、密封封止したパッケージ５６に電気的ストレス等をかけるバーンインを行う（工程Ｋ５）。その後、中間（静特性）検査を行い、バーンインにより初期劣化した不良品を除くとともに、この中間検査において、取り付けられた受光素子５３が搭載されるべき正しい受光素子であるかどうかを、受光素子５３の各出力端子から出力されるオフセット電圧を測定し、予め検査機等に入力されている受光素子の機種毎のオフセット電圧の組み合わせを参照することにより識別して確認する（工程Ｋ６）。正しい受光素子が搭載されている場合（ＯＫの場合）は次工程に進むが、誤搭載である場合（ＮＧの場合）はこの時点で組立を終了する。
【００３９】
次に、中間検査でパスした良品のキャップ５６ａ上にホログラム素子５２をダイボンドして半導体レーザ装置５０が組み立てられる（工程Ｋ７）。そして、最後に、工程Ｋ８において、半導体レーザ装置５０を、光ピックアップに組み入れて実動作での最終（動特性）検査を行い、最終良品を選別する。このとき、既に中間検査で搭載されるべき正しい受光素子が搭載されていることは確認されているので、最終検査で検査する検査項目に、温度特性等の抜き取り検査や設計上保証されている項目の検査を含める必要はなく、検査項目数を低減し、測定時間を短縮することができる。
【００４０】
このように、組立工程の途中の中間検査で、受光素子５３から出力されるオフセット電圧を測定するという簡単な方法で、受光素子５３が、搭載されるべき正しい受光素子であることを確認することにより、最終検査での検査項目及び検査に要する測定時間を低減することができる。また、最終的に組み立てる前に受光素子５３の誤搭載を発見できるので、中間検査以後に組み立てられる部品及びその組立時間を無駄にすることがなくなり、誤搭載による損失を最小限にすることができる。
【００４１】
図５は、本発明の第２実施形態の半導体レーザ装置に搭載された受光素子の電気的構成を示す回路ブロック図である。図５において、図２と同一の部分には同一の符号を付し、その説明を省略する。図５に示す受光素子５３が図２に示す受光素子５３と相違する点は、オフセット電圧印加部１０の代わりにオフセット電圧印加部２０が設けられている点である。オフセット電圧印加部２０は、オフセット電圧印加回路ＯＦＳ０〜ＯＦＳ８と、セレクタＳ０〜Ｓ８と、切替信号ＳＥＬが入力される制御端子ＳＥＬから構成されている。
【００４２】
オフセット電圧印加回路ＯＦＳ０〜ＯＦＳ８は、加算アンプＰＡｍｐ、アンプＡｍｐａ〜Ａｍｐｈの出力信号に予め定められた所定のＤＣレベルのオフセット電圧を印加する。セレクタＳ０〜Ｓ８は、加算アンプＰＡｍｐ、アンプＡｍｐａ〜Ａｍｐｈの出力信号と、その出力信号に前記オフセット電圧を印加した信号とを切替信号ＳＥＬにより選択して出力している。例えば、加算アンプＰＡｍｐの出力信号を信号２１、オフセット電圧印加回路ＯＦＳ０の出力信号を信号２２とすると、切替信号ＳＥＬによって、セレクタＳ０がａ入力端子側に切り替わると、オフセット電圧が印加された信号２２がＲＦ信号として出力される。一方、ｂ入力端子側に切り替わると、オフセット電圧が印加されていない信号２１がＲＦ信号として出力される。以下、セレクタＳ１〜Ｓ８においても同様である。
【００４３】
このような構成により、図 4に示す半導体レーザ装置の組立工程において、受光素子５３を特定する中間検査（工程K6）の際には、切替信号ＳＥＬが入力され、セレクタＳ０〜Ｓ８がa入力端子に切り替わり、オフセット電圧が出力される。そして、このオフセット電圧の測定により搭載されている受光素子５３を特定することができる。一方、半導体レーザ装置５０が実際に使用される際には、切替信号ＳＥＬが入力されず、セレクタＳ０〜Ｓ８がb入力端子側に切り替わり、オフセット電圧が印加されていない各電気信号が出力される。
【００４４】
このようにすることで、受光素子５３からの出力、即ち、半導体レーザ装置５０から出力される各電気信号を用いた演算の際に、半導体レーザ装置５０の外部の電気回路等でオフセット電圧を考慮して演算する必要がなくなり、この外部の電気回路等を簡素化できる。また、実際に光ピックアップ光学系に組み込んで動特性を検査する場合においても、オフセット電圧を印加しない信号を選択して実動作に合わせた信号電圧で検査することができる。
【００４５】
尚、半導体レーザ装置の組立工程外において、従来は、組みあがった半導体レーザ装置の選別において、半導体レーザ装置の外観の僅かな違いを人間の目で確認して選別していたが、受光素子から出力されるオフセット電圧を測定して受光素子の機種を特定することによって、その受光素子が使用されている半導体レーザ装置の機種を特定することも可能となる。
【００４６】
尚、以上説明した本発明の実施形態は、光学系を構成する光学部品としてホログラム素子を使用した半導体レーザ装置であったが、この光学部品にビームスプリッタ等を使用した半導体レーザ装置にも本発明は適用可能である。
【００４７】
【発明の効果】
以上のように、本発明によると、レーザ光を出射する半導体レーザチップと、該半導体レーザチップから出射されるレーザ光を光ディスク上に通過させる光学部品と、前記光ディスクで反射し前記光学部品を通過した反射レーザ光を受光し該反射レーザ光を電気信号に変換する受光素子を備えた半導体レーザ装置において、前記受光素子が、その出力端子に該受光素子を識別するためのオフセット電圧が印加されるようになっているので、前記受光素子から出力されるオフセット電圧を測定することにより受光素子を容易に識別することができ、搭載された受光素子の識別が視認によっては困難である場合や半導体レーザ装置単体で検査する場合においても、搭載されるべき正しい受光素子が搭載されていることを確認できる。
【００４８】
また、半導体レーザ装置の検査において、受光素子の誤搭載を判別するための動作検査を行う必要がなくなるので、検査工数を削減することができる。また、半導体レーザ装置の組立工程において、光学部品等をアッセンブリする前の中間段階での検査によって受光素子の誤搭載を発見できるので、受光素子の誤搭載による損失を最小限にすることができる。
【００４９】
また、半導体レーザ装置に搭載される受光素子であって、半導体レーザチップから出射されたレーザ光が光学部品を介して光ディスクに照射され、該光ディスクで反射し前記光学部品を通過した反射レーザ光を受光し該反射レーザ光を電気信号に変換する受光素子において、前記電気信号を出力する出力端子に受光素子を識別するためのオフセット電圧が印加されるようになっているので、前記受光素子から出力される前記オフセット電圧を測定することによって、該受光素子を識別することができ、半導体レーザ装置に搭載され視認によっては識別が困難である場合においても、容易に識別することができる受光素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】は、本発明の実施形態の半導体レーザ装置の概略構成を示す構成図である。
【図２】は、本発明の第１実施形態の半導体レーザ装置に搭載された受光素子の電気的構成を示す回路ブロック図である。
【図３】は、本発明の実施形態の半導体レーザ装置に搭載された受光素子から出力される電気信号を示す信号波形図である。
【図４】は、本発明の実施形態の半導体レーザ装置の組立工程を示すフローチャートである。
【図５】は、本発明の第２実施形態の半導体レーザ装置に搭載された受光素子の電気的構成を示す回路ブロック図である。
【符号の説明】
１０、２０オフセット電圧印加部
２１、２２信号
３０電気信号の電圧レベル
３１正オフセット電圧レベル
３２負オフセット電圧レベル
５０半導体レーザ装置
５１半導体レーザチップ
５２ホログラム素子（光学部品）
５３受光素子
５４対物レンズ
５５光ディスク
５５ａ記録面
５６パッケージ
５６ａキャップ
５７レーザ光（出射レーザ光）
５８レーザ光（反射レーザ光）
５９ステム
ＰＤａ〜ＰＤｈフォトダイオード
ＰＡｍｐ加算アンプ
Ａｍｐａ〜Ａｍｐｈアンプ
ＯＦＳ０〜ＯＦＳ８オフセット電圧印加回路
ＲＦ再生信号、出力端子
Ｖａ〜Ｖｄフォーカスサーボ信号、出力端子
Ｖｔ１〜Ｖｔ４トラッキングサーボ信号、出力端子
Ｓ０〜Ｓ８セレクタ回路
ＳＥＬ切替信号、制御端子[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a semiconductor laser device, and in particular, a semiconductor used for an optical pickup of an optical disc device that records data on or reproduces data from an optical disc such as a CD-ROM, CD-R / RW, MO, and DVD. The present invention relates to a laser device.
[0002]
[Prior art]
A semiconductor laser device used for a general optical pickup is configured, for example, as shown in FIG. In FIG. 1, reference numeral 50 denotes a semiconductor laser device. The semiconductor laser device 50 includes a semiconductor laser chip 51, a hologram element 52, which is an optical component, a light receiving element 53, and the like. The semiconductor laser chip 51 and the light receiving element 53 are both die-bonded on the stem 59 and housed in one package 56. The hologram element 52 is bonded and fixed to the upper surface of the cap 56 a of the package 56 and integrated with the semiconductor laser chip 51 and the light receiving element 53.
[0003]
Next, the operation of the semiconductor laser device 50 having such a configuration will be described. When reproducing data from the optical disk 55, the laser light 57 emitted from the semiconductor laser chip 51 passes through the hologram element 52 and is condensed by the objective lens 54 and the like, and reaches the recording surface 55 a of the optical disk 55. Then, the laser beam 58 that is reflected by the recording surface 55 a and obtains information returns to the semiconductor laser device 50, the path is changed by the hologram element 52, and enters the light receiving element 53. This laser beam 58 is converted into an electric signal by a photodiode or the like in the light receiving element 53, and this electric signal is given as a reproduction signal and a signal for adjusting the optical pickup optical system from an unillustrated lead pin to an electric circuit of the optical disc apparatus or the like. It is done.
[0004]
The semiconductor laser chip 51 mounted on the semiconductor laser device 50 having such a configuration is of the type (high-power infrared semiconductor laser, red semiconductor laser, etc.) according to the type of the optical disk 55 such as CD-R or DVD. The hologram element 52 and the light receiving element 53, which are optical components, use the diffraction grating of the hologram element 52, the pattern shape and gain of the light receiving portion of the photodiode in the light receiving element 53, etc., depending on the optical design of the optical pickup. The optical pickup is determined so as to be optimal. The semiconductor laser chip 51, the hologram element 52, the light receiving element 53, and the like thus optimally designed are assembled in the above-described configuration, and the semiconductor laser device 50 according to the specification of the optical pickup to be used is obtained.
[0005]
In such an inspection of the semiconductor laser device 50, slight differences in the diffraction grating and the pattern of the light receiving portion cannot be easily distinguished from the appearance, and the actual signal can be obtained even in circuit constants such as gain and frequency characteristics. If there is no optical input, that is, it is not easily understood even if the semiconductor laser device 50 is measured alone, it is set on the optical pickup that is actually used, and the recording surface 55a of the optical disk 55 is irradiated with the laser light 57. The reflected laser beam 58 is actually received by the light receiving element 53 and inspected to determine whether the required electrical signal can be obtained.
[0006]
Also, a light receiving / emitting element provided in an optical pickup arranged to face the optical disk of the optical disk apparatus, and signals relating to the respective light receiving elements of the first light receiving element group and the second light receiving element group through the current-voltage converting means. And an adder for obtaining a signal relating to a push-pull tracking error and a correction means for correcting a signal relating to a push-pull tracking error and adding a DC offset component of the signal relating to the tracking error. There is also a light emitting / receiving element (see, for example, Patent Document 1).
[0007]
[Patent Document 1]
JP-A-9-115168 (page 4-7, FIG. 1)
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
As described above, the semiconductor laser device 50 as shown in FIG. 1 uses the light receiving element 53 and the like designed to be optimal for the optical pickup used. However, unlike the hologram element 52, the semiconductor laser chip 51 and the light receiving element 53 are die-bonded in the package 56, so that it is difficult to confirm the appearance of the finished product. Therefore, even when the wrong type of light receiving element 53 is mounted, it is very difficult to determine this from the appearance.
[0009]
As described above, the current semiconductor laser device 50 is inspected by being set in an optical pickup that is actually used. However, the light receiving element 53 that is generally used has only frequency characteristics and gain. Because there are many different ones, even if they are actually incorporated into the optical pickup and inspected, for example, when the optical disk is rotated at a low speed, it is discovered that the light receiving element has a frequency characteristic and gain different from those required. However, it is necessary to perform both low-speed and high-speed inspections, which increases the number of inspection steps.
[0010]
Also, if the specification range of each light receiving element is wide and a part of the specification range overlaps, in the inspection in that part of the use range, whether the light receiving element is the same light receiving element or different light receiving element In order to confirm that the required light receiving element cannot be determined without fail, it is necessary to inspect all the specifications within the entire specification range in consideration of temperature characteristics and the like. In other words, in order to detect erroneous mounting of the light receiving element in the inspection, it is necessary to inspect all the characteristics up to the sampling inspection such as temperature characteristics and the items guaranteed in the design, and the enormous inspection items and measurement time There was a problem that it was necessary.
[0011]
On the other hand, on the premise that the correct light receiving element is mounted, not all areas are inspected for frequency characteristics and temperature characteristics even if the same measurement item is used. Even when a wrong light receiving element is mounted, there is a problem that depending on the type of the light receiving element, it may not be found by a normal inspection but may be judged as a non-defective product.
[0012]
In the prior art described in Patent Document 1, even when the emitted laser light is a one-beam method, a signal relating to a push-pull tracking error including a DC offset component is generated as in the case of the three-beam method. Although it can be obtained, the added DC offset component is not arbitrarily determined. Therefore, it is not possible to detect the erroneous mounting of the light receiving element from the added DC offset component.
[0013]
In view of the above-described points, an object of the present invention is to provide a semiconductor laser device capable of easily confirming that a correct light receiving element to be mounted is mounted.
[0014]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the present invention provides a semiconductor laser chip that emits laser light, an optical component that allows the laser light emitted from the semiconductor laser chip to pass over the optical disc, and an optical component that is reflected by the optical disc. In a semiconductor laser device including a light receiving element that receives reflected laser light that has passed and converts the reflected laser light into an electrical signal, the light receiving element has an offset voltage applied to its output terminal to identify the light receiving element. It is something that has come to be.
[0015]
In this case, the light receiving element can be identified by measuring the offset voltage output from the light receiving element, and it is difficult to identify the mounted light receiving element depending on visual recognition or the semiconductor laser device alone. Even in the case of inspection by (1), the light receiving element can be easily identified. In addition, in the inspection of whether or not the correct light receiving element to be mounted is mounted, it is easy to find that a light receiving element different from the specification is mounted incorrectly, and this is a semiconductor laser device in which the light receiving element is mounted incorrectly. Nevertheless, it can be prevented from leaking into the market as a good product.
[0016]
For example, when a predetermined voltage is used as the offset voltage, the light receiving element can be easily identified from the voltage value of the offset voltage output from the light receiving element.
[0017]
Also, for example, if a positive or negative voltage that is predetermined is used as the offset voltage, the difference in the offset voltage becomes clear, the light receiving element is more easily identified, and the offset voltage is By dividing into two in both positive and negative directions, it is possible to prevent the offset voltage from being excessively increased and the dynamic range of the light receiving element from being narrowed.
[0018]
Further, for example, the light receiving element has a plurality of output terminals from which the electric signal is output, and a combination of the plurality of output terminals and an offset voltage applied to each of the plurality of output terminals is the light receiving element. It is good that it is a predetermined combination for identifying. Thus, the number of types of light receiving elements obtained by multiplying the number of output terminals and the number of types of offset voltage can be identified.
[0019]
Further, for example, the light receiving element includes a plurality of photodiodes, a plurality of amplifier circuits that amplify output signals of the plurality of photodiodes, and a plurality of outputs from which the electric signals from the amplifier circuits of the plurality of amplifier circuits are output. The combination of the plurality of output terminals and the offset voltage applied to each of the plurality of output terminals may be a predetermined combination for identifying the light receiving element. Thus, the number of types of light receiving elements obtained by multiplying the number of output terminals and the number of types of offset voltage can be identified.
[0020]
For example, when the light receiving element is configured to switch whether to apply the offset voltage to the output terminal in accordance with a switching signal given from the outside of the light receiving element, the light receiving element is identified. It is possible to output an offset voltage from the light receiving element only when necessary, and to output an electrical signal in which the offset voltage is not superimposed from the light receiving element at other normal times. In the processing of other electric circuits to be processed, it is not necessary to consider the offset voltage.
[0021]
Further, for example, in the inspection method of the semiconductor laser device, the light receiving element is identified by the offset voltage output from the light receiving element mounted on the semiconductor laser device, and the correct light receiving element to be mounted is mounted. If the operation inspection of the semiconductor laser device is performed after confirming the above, it is not necessary to perform an operation inspection for discriminating erroneous mounting of the light receiving element, so that the number of inspection steps can be reduced.
[0022]
Also, for example, in the method of assembling the semiconductor laser device, the light receiving element is identified by the offset voltage output from the light receiving element attached to the semiconductor laser device, and the correct light receiving element to be mounted is mounted. If the optical component mounted on the semiconductor laser device is attached after the confirmation, the semiconductor laser device on which the light receiving element is erroneously mounted can be processed at a low added value stage where the optical component is not mounted. The loss due to erroneous mounting of the light receiving element can be minimized.
[0023]
Also, for example, a light-receiving element mounted on a semiconductor laser device, in which a laser beam emitted from a semiconductor laser chip is irradiated onto an optical disc through an optical component, reflected by the optical disc, and reflected laser that has passed through the optical component In a light receiving element that receives light and converts the reflected laser light into an electric signal, an offset voltage for identifying the light receiving element is preferably applied to an output terminal that outputs the electric signal.
[0024]
In this case, the light receiving element can be identified by measuring the offset voltage output from the light receiving element, and even if it is difficult to identify by being mounted on a semiconductor laser device and visually recognized. It is possible to realize a light receiving element that can be identified as follows.
[0025]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. The schematic configuration of the semiconductor laser device according to the embodiment of the present invention is the same as the general configuration of the general semiconductor laser device 50 shown in FIG. FIG. 2 is a circuit block diagram showing the electrical configuration of the light receiving element mounted on the semiconductor laser device of the first embodiment of the present invention.
[0026]
In FIG. 2, reference numeral 53 denotes a light receiving element. The light receiving element 53 includes photodiodes PDa to PDh, amplifiers Ampa to Amph, an addition amplifier PAmp, an offset voltage application unit 10, and output terminals RF, Va to Vd, Vt1 to Vt4, and an offset voltage application unit. 10 includes offset voltage application circuits OFS0 to OFS8. The photodiodes PDa to PDh have their anodes grounded and their cathodes connected to the respective inputs of the amplifiers Ampa to Amph.
[0027]
These photodiodes PDa to PDh receive the laser beam 58 reflected by the recording surface 55a of the optical disk 55 shown in FIG. 1, convert the optical signal of the laser beam 58 into an electrical signal, and output it. The electrical signals output from the photodiodes PDa to PDh are amplified by the amplifiers Ampa to Amph, respectively, and the amplified electrical signals are supplied to the offset voltage application circuits OFS1 to OFS8, and the offset voltage application circuits OFS1 to OFS8. , An offset voltage of a predetermined DC level is applied, and respective electrical signals on which the offset voltage is superimposed are output from the output terminals Va to Vd and Vt1 to Vt4.
[0028]
Among the plurality of photodiodes, the photodiodes PDa to PDd generate electrical signals for focus servo signals Va to Vd used for adjustment to adjust the focal position of the laser beam 57 shown in FIG. On the other hand, the photodiodes PDe to PDh generate electrical signals for tracking servo signals Vt1 to Vt4 that are used to adjust the center of the laser beam 57 to the information pattern recorded on the track on the recording surface 55a of the optical disk 55. . In addition, the electrical signals from the photodiodes PDa to PDd are added and amplified by the amplifier PAmp to generate an RF signal used for reproduction. Then, an offset voltage of a predetermined DC level is applied to this RF signal by the offset voltage application circuit OFS0, and an RF signal on which this offset voltage is superimposed is output from the output terminal RF.
[0029]
At this time, the offset voltage applied by the offset voltage application circuits OFS0 to OFS8 generally has an initial offset voltage of about ± 30 mV from the light receiving element 53, so that it can be distinguished from the initial offset voltage by ± 50 mV. It is desirable to make it above. However, if the offset voltage to be applied is increased, the dynamic range, which is the amplitude range in which the amplifier operates effectively, becomes narrower. Therefore, it is desirable to set the offset voltage to about ± 50 mV to ± 100 mV. Then, a plurality of offset voltages having different values (for example, +50 mV and +100 mV) can be applied by the respective offset voltage application circuits within the range. Also, offset voltages having different values (for example, −50 mV and +100 mV) can be applied in the positive and negative directions.
[0030]
FIG. 3 shows an example of the signal waveform of the electric signal on which various offset voltages are superimposed in this way. In FIG. 3, the vertical axis represents the voltage of the electric signal, and the horizontal axis represents time. (A) is the signal waveform of the electrical signal when the offset voltage = 0V, (b) is the offset voltage> 0V, and (c) is the signal waveform of the electrical signal when the offset voltage <0V. In the case of (a), the offset voltage is not applied, and the voltage level of the electric signal amplified by the amplifier is indicated by a solid line 30. In the case of (b), the broken line 31 indicates a positive offset voltage level (+ dv), and the voltage level of the electric signal is shifted in the positive direction by the offset voltage. In the case of (c), the broken line 32 indicates a negative offset voltage level (−dv), and the electric signal level is shifted in the negative direction by the offset voltage. When the light receiving element 53 is not receiving light, only the offset voltage is output.
[0031]
As described above, the various electrical signals output from the light receiving element 53 are output with a predetermined offset voltage determined in advance according to the model of the light receiving element superimposed. Normally, this offset voltage is removed in an electric circuit of an optical disk device on which the semiconductor laser device 50 to which these various electric signals are applied is mounted, and then arithmetic processing is performed. Further, by making the value of the offset voltage in accordance with the model of the light receiving element, the offset voltage output from the light receiving element 53 is changed when the semiconductor laser device 50 on which the light receiving element 53 is mounted is inspected. By measuring, the model of the mounted light receiving element 53 can be uniquely identified, and even when a light receiving element different from the light receiving element to be mounted is mounted, it is easy to find the wrong mounting can do.
[0032]
Further, the applied offset voltage can be set for each electric signal, that is, for each output terminal. Further, the applied offset voltage can be a voltage in both positive and negative directions, or a voltage having a different value even if it is the same positive or negative voltage. Accordingly, light is received by a combination of the output terminal and the offset voltage applied to each output terminal, for example, a combination of the output terminal and a positive or zero offset voltage, or a combination of the output terminal and a positive, 0, or negative offset voltage. The device model can be specified. That is, combinations different by the type of the value of the offset voltage × the number of output terminals can be generated, and a number of light receiving elements can be identified by making each of these different combinations correspond to the type of light receiving element.
[0033]
Table 1 is a table showing the number of types of light receiving elements that can be identified by a combination of the output terminal and the number of types of offset voltage applied to the output terminal. When there are two types of offset voltage in the first row (for example, positive and 0, that is, +50 mV and 0 V), and in the second row, there are three types (for example, positive, 0, negative, that is, +50 mV, 0 V, -50 mV). The first to sixth columns are cases where the number of output terminals from which various electric signals are output is 1 to 6, and the number of light receiving elements that can be identified in each case is shown. For example, if the number of types of offset voltage is 3 and the number of output terminals is 5, the number of light-receiving elements that can be identified is 3 to the 5th power, that is, 243 types.
[0034]
[Table 1]

[0035]
In general, the number of signal terminals used in the optical pickup is about five in total: two for the focus servo signal, two for the tracking servo, and one for the RF signal, and the number of light receiving elements that must actually be identified. Is about several tens to several hundreds. Therefore, even if the number of types of offset voltage is about two or three types, a large number of light receiving elements can be identified, and from the viewpoint of dynamic range, several types of offset voltage can be set in the same positive or negative direction. It is preferable not to set.
[0036]
Further, the erroneous mounting of the light receiving element can be found before the semiconductor laser 50 as shown in FIG. 1 is completely assembled, and the loss due to the erroneous mounting of the light receiving element can be minimized. Below, this effectFigure FourWill be described with reference to FIG.Figure FourThese are the flowcharts which show the assembly process of the semiconductor laser apparatus which concerns on embodiment of this invention.
[0037]
First, the semiconductor laser chip 51 is die-bonded on the stem 59 shown in FIG. 1 (step K1). Next, the light receiving element 53 is also die-bonded on the stem 59 (step K2). Thereby, the positional relationship between the semiconductor laser chip 51 and the light receiving element 53 is kept extremely stable. Next, the semiconductor laser chip 51 and the light receiving element 53 are wire-bonded to a lead frame (not shown) connected to a pin (not shown) that is electrically insulated and attached to the package 56 (step K3).
[0038]
Next, the cap 56a that constitutes the upper surface of the package 56 is covered, and the package 56 is hermetically sealed (step K4). Then, burn-in for applying electrical stress or the like to the sealed package 56 is performed (step K5). Thereafter, an intermediate (static characteristic) inspection is performed to remove defective products that have initially deteriorated due to burn-in. In this intermediate inspection, whether or not the attached light receiving element 53 is a correct light receiving element to be mounted is determined. The offset voltage output from each of the output terminals is measured, and identified and confirmed by referring to the combination of offset voltages for each type of light receiving element input in advance to the inspection machine or the like (step K6). If the correct light receiving element is mounted (in the case of OK), the process proceeds to the next step. If it is erroneously mounted (in the case of NG), the assembly is terminated at this point.
[0039]
Next, the semiconductor laser device 50 is assembled by die-bonding the hologram element 52 on the non-defective cap 56a passed in the intermediate inspection (step K7). Finally, in step K8, the semiconductor laser device 50 is incorporated into an optical pickup and a final (dynamic characteristic) inspection is performed in actual operation to select a final good product. At this time, since it has been confirmed that the correct light receiving element to be mounted in the intermediate inspection has already been installed, the inspection items to be inspected in the final inspection include sampling inspections such as temperature characteristics and items guaranteed by design Therefore, the number of inspection items can be reduced and the measurement time can be shortened.
[0040]
Thus, it is confirmed that the light receiving element 53 is a correct light receiving element to be mounted by a simple method of measuring the offset voltage output from the light receiving element 53 in the intermediate inspection in the middle of the assembly process. As a result, the inspection items in the final inspection and the measurement time required for the inspection can be reduced. In addition, since the erroneous mounting of the light receiving element 53 can be found before the final assembly, the parts assembled after the intermediate inspection and the assembly time are not wasted, and the loss due to the erroneous mounting can be minimized. .
[0041]
FIG. 5 is a circuit block diagram showing an electrical configuration of a light receiving element mounted on the semiconductor laser device of the second embodiment of the present invention. In FIG. 5, the same parts as those in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted. The light receiving element 53 shown in FIG. 5 is different from the light receiving element 53 shown in FIG. 2 in that an offset voltage application unit 20 is provided instead of the offset voltage application unit 10. The offset voltage application unit 20 includes an offset voltage application circuit OFS0 to OFS8, selectors S0 to S8, and a control terminal SEL to which a switching signal SEL is input.
[0042]
The offset voltage application circuits OFS0 to OFS8 apply a predetermined DC level offset voltage to the output signals of the addition amplifier PAmp and the amplifiers Ampa to Amph. The selectors S0 to S8 select and output the output signal of the addition amplifier PAmp and the amplifiers Ampa to Amph and a signal obtained by applying the offset voltage to the output signal by the switching signal SEL. For example, when the output signal of the addition amplifier PAmp is the signal 21 and the output signal of the offset voltage application circuit OFS0 is the signal 22, the signal 22 to which the offset voltage is applied when the selector S0 is switched to the a input terminal side by the switching signal SEL. Is output as an RF signal. On the other hand, when switching to the b input terminal side, the signal 21 to which no offset voltage is applied is output as an RF signal. The same applies to the selectors S1 to S8.
[0043]
With this configuration,Figure FourIn the process of assembling the semiconductor laser device shown in FIG. 2, in the intermediate inspection (process K6) for specifying the light receiving element 53, the switching signal SEL is input, the selectors S0 to S8 are switched to the a input terminal, and the offset voltage is output. The The mounted light receiving element 53 can be specified by measuring the offset voltage. On the other hand, when the semiconductor laser device 50 is actually used, the switching signal SEL is not input, the selectors S0 to S8 are switched to the b input terminal side, and each electric signal to which no offset voltage is applied is output. .
[0044]
By doing so, the offset voltage is taken into account in an electric circuit or the like outside the semiconductor laser device 50 at the time of calculation using the output from the light receiving element 53, that is, each electric signal output from the semiconductor laser device 50. This eliminates the need for computation and simplifies the external electrical circuit. Even when the dynamic characteristic is inspected by actually incorporating it into the optical pickup optical system, it is possible to select a signal to which no offset voltage is applied and inspect it with a signal voltage adapted to the actual operation.
[0045]
In addition, outside of the assembly process of the semiconductor laser device, in the past, in sorting the assembled semiconductor laser device, a slight difference in the appearance of the semiconductor laser device was confirmed by human eyes. By measuring the output offset voltage and specifying the model of the light receiving element, it is also possible to specify the model of the semiconductor laser device in which the light receiving element is used.
[0046]
Although the embodiment of the present invention described above is a semiconductor laser device using a hologram element as an optical component constituting an optical system, the present invention is also applied to a semiconductor laser device using a beam splitter or the like for this optical component. Is applicable.
[0047]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, a semiconductor laser chip that emits laser light, an optical component that allows the laser light emitted from the semiconductor laser chip to pass over the optical disk, and a light that is reflected by the optical disk and passes through the optical part. In the semiconductor laser device having a light receiving element that receives the reflected laser light and converts the reflected laser light into an electric signal, the light receiving element is applied with an offset voltage for identifying the light receiving element at its output terminal Therefore, it is possible to easily identify the light receiving element by measuring the offset voltage output from the light receiving element, and it is difficult to identify the mounted light receiving element depending on visual recognition or a semiconductor laser. Even when inspecting the device alone, it can be confirmed that the correct light receiving element to be mounted is mounted.
[0048]
In addition, in the inspection of the semiconductor laser device, it is not necessary to perform an operation inspection for determining the erroneous mounting of the light receiving element, so that the number of inspection steps can be reduced. Further, in the assembly process of the semiconductor laser device, it is possible to find the erroneous mounting of the light receiving element by the inspection at the intermediate stage before assembling the optical components and the like, so that the loss due to the erroneous mounting of the light receiving element can be minimized.
[0049]
A light receiving element mounted on the semiconductor laser device, wherein the laser beam emitted from the semiconductor laser chip is irradiated onto the optical disc through the optical component, reflected by the optical disc, and reflected laser beam that has passed through the optical component In the light receiving element that receives light and converts the reflected laser light into an electric signal, an offset voltage for identifying the light receiving element is applied to an output terminal that outputs the electric signal. By measuring the offset voltage, it is possible to identify the light receiving element, and to provide a light receiving element that can be easily identified even when it is mounted on a semiconductor laser device and difficult to identify by visual recognition can do.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a configuration diagram showing a schematic configuration of a semiconductor laser device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a circuit block diagram showing an electrical configuration of a light receiving element mounted on the semiconductor laser device of the first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a signal waveform diagram showing an electrical signal output from a light receiving element mounted in the semiconductor laser device of the embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a flowchart showing an assembly process of the semiconductor laser device according to the embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a circuit block diagram showing an electrical configuration of a light receiving element mounted on a semiconductor laser device according to a second embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
10, 20 Offset voltage application section
21 and 22 signals
30 Voltage level of electrical signal
31 Positive offset voltage level
32 Negative offset voltage level
50 Semiconductor laser device
51 Semiconductor laser chip
52 Hologram element (optical component)
53 Light receiving element
54 Objective lens
55 Optical disc
55a Recording surface
56 packages
56a cap
57 Laser light (emitted laser light)
58 Laser light (reflection laser light)
59 stem
PDa to PDh Photodiode
PAmp summing amplifier
Ampa to Amph amplifier
OFS0 to OFS8 Offset voltage application circuit
RF playback signal, output terminal
Va ~ Vd Focus servo signal, output terminal
Vt1 to Vt4 Tracking servo signal, output terminal
S0-S8 selector circuit
SEL switching signal, control terminal

Claims

A semiconductor laser chip that emits laser light; an optical component that passes the laser light emitted from the semiconductor laser chip onto the optical disc; and a reflected laser beam that is reflected by the optical disc and passes through the optical component; In a semiconductor laser device including a light receiving element that converts light into an electrical signal,
A semiconductor laser device, wherein an offset voltage for identifying the light receiving element is applied to an output terminal of the light receiving element.

The semiconductor laser device according to claim 1, wherein a predetermined voltage is used as the offset voltage.

2. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein a predetermined positive or negative voltage is used as the offset voltage.

The light receiving element has a plurality of output terminals from which the electric signal is output, and a combination of the plurality of output terminals and an offset voltage applied to each of the plurality of output terminals identifies the light receiving element. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein the combination is a predetermined combination.

The light receiving element has a plurality of photodiodes, a plurality of amplifier circuits for amplifying output signals of the plurality of photodiodes, and a plurality of output terminals for outputting the electric signals from the amplifier circuits of the plurality of amplifier circuits. The combination of the plurality of output terminals and the offset voltage applied to each of the plurality of output terminals is a predetermined combination for identifying the light receiving element. 4. The semiconductor laser device according to any one of 3.

The light receiving element is configured to switch whether to apply the offset voltage to the output terminal in accordance with a switching signal given from the outside of the light receiving element. 6. The semiconductor laser device according to any one of 5 above.

In the inspection method of the semiconductor laser device according to any one of claims 1 to 6,
The light receiving element is identified by the offset voltage output from the light receiving element mounted on the semiconductor laser device, and after confirming that the correct light receiving element to be mounted is mounted, the operation inspection of the semiconductor laser device is performed. A method for inspecting a semiconductor laser device.

In the assembly method of the semiconductor laser device according to any one of claims 1 to 6,
The light receiving element is identified by the offset voltage output from the light receiving element mounted on the semiconductor laser device, and after confirming that the correct light receiving element to be mounted is mounted, the light receiving element is mounted on the semiconductor laser device. A method of assembling a semiconductor laser device comprising attaching an optical component.

A light receiving element mounted on a semiconductor laser device, wherein a laser beam emitted from a semiconductor laser chip is irradiated onto an optical disc through an optical component, and the reflected laser beam reflected by the optical disc and passed through the optical component is received. In a light receiving element that converts the reflected laser light into an electrical signal,
A light receiving element, wherein an offset voltage for identifying the light receiving element is applied to an output terminal for outputting the electric signal.