JP4138143B2

JP4138143B2 - Radiation detection element

Info

Publication number: JP4138143B2
Application number: JP08384899A
Authority: JP
Inventors: 義式畑中; 康弘富田
Original assignee: Hamamatsu Photonics KK
Current assignee: Hamamatsu Photonics KK
Priority date: 1999-03-26
Filing date: 1999-03-26
Publication date: 2008-08-20
Anticipated expiration: 2019-03-26
Also published as: JP2000277789A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、医療用、工業用のＸ線のイメージングに用いられる放射線検出器に適用される放射線検出素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の放射線検出素子を図８に示す。この放射線検出素子はリーク電流を抑制するために、ＣｄＺｎＴｅからなる放射線検出層１１の一方側にｐ型不純物がドープされて形成されたＺｎＴｅ層５３、他方側にｎ型不純物がドープされて形成されたＣｄＳ層５５を備えるＰＩＮ構造となっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記放射線検出素子においては、放射線検出層１１を形成するＣｄＺｎＴｅと、ＺｎＴｅ層５３を形成するＺｎＴｅ及びＣｄＳ層５５を形成するＣｄＳの格子定数が異なることから各層の間の接合部に欠陥が生じ易く、大幅なリーク電流の抑制は困難であった。
【０００４】
そこで、本発明は上記課題を解決した構成の放射線検出素子を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る放射線検出素子は、Ｃｄ、Ｚｎ及びＴｅからなる放射線検出層と、放射線検出層の一方側にｐ型不純物がドープされたＣｄ、Ｚｎ及びＴｅからなるｐ層と、放射線検出層の他方側にｎ型不純物がドープされたＣｄ、Ｓｅ及びＴｅからなるｎ層とを備えることを特徴とする。このようにｐ層及びｎ層に格子定数が放射線検出層に近い材料を用いることにより、各層の間の接合欠陥を減少させることができる。
【０００６】
上記放射線検出素子において、ｎ層はＩ又はＣｌがドープされて形成されていることを特徴としても良い。このようにｎ型不純物としてＩ又はＣｌを用いることにより容易に上記放射線検出素子を製造できる。
【０００７】
上記放射線検出素子において、ｐ層はＮ又はＮａがドープされて形成されていることを特徴としても良い。このようにｐ型不純物としてＮ又はＮａを用いることにより容易に上記放射線検出素子を製造できる。
【０００８】
上記放射線検出素子において、放射線検出層及びｐ層を形成するＣｄとＺｎの成分比率はＣｄ_xＺｎ_1-xＴｅにおいて、０．０１≦ｘ≦０．５であり、ｎ層を形成するＳｅとＴｅの成分比率はＣｄＳｅ_yＴｅ_1-yにおいて、０．０１≦ｙ≦０．５であることを特徴としても良い。このような原子の比率とすることにより容易に格子定数の近いＰＩＮ構造の層を形成できる。
【０００９】
上記放射線検出素子において、ｎ層は化学気相成長法により、２０℃から１７０℃の温度条件下で成長されたことを特徴としても良い。このような構成とすることによりｎ層の特性を良質に保つことができる。
【００１０】
また上記放射線検出素子において、ｐ層に代えて、放射線検出層の一方側にＡｕ又はＰｔを材料とするショットキー電極を設けたことを特徴としても良い。このようにすることにより放射線検出素子を容易に製造できる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明に係る光電変換素子の好適な実施形態を図を用いて説明する。
【００１２】
図１は、実施形態の放射線検出素子１０を示す断面図である。放射線検出層１１は、厚さ１ｍｍ、抵抗１０¹⁰Ω・ｃｍの単結晶Ｃｄ_0.9Ｚｎ_0.1Ｔｅから形成され、その一方側、すなわち図１における上面にはｐ型不純物をドープすることでｐ型のＣｄ_0.9Ｚｎ_0.1Ｔｅ層１３が形成されており、放射線検出層１１の他方側、すなわち図１における下面にはｎ型不純物をドープすることでｎ型のＣｄＳｅ_0.1Ｔｅ_0.9層１５が形成されている。
【００１３】
図２は、各物質の格子定数を示した図である。図２に示すように放射線検出層１１を形成するＣｄ_0.9Ｚｎ_0.1ＴｅとＣｄＳｅ_0.1Ｔｅ_0.9とは近い格子定数を有することがわかる。従って、ＣｄＳｅ_0.1Ｔｅ_0.9を用いてｎ層を形成し、放射線検出層１１と同じ材料でｐ層を形成することにより、格子定数の相違による接合欠陥を減少させることができ、大幅にリーク電流を抑制できる。
【００１４】
図３は、印加電圧に対するリーク電流量を本実施形態と従来品を比較して示した図である。図３において、実線２１は本実施形態の放射線検出素子１０の印加電圧に対するリーク電流量、点線２２はｐ層、ｎ層を有しない放射線検出素子１０の印加電圧に対するリーク電流量を示す。図３に示すように本実施形態の放射線検出素子１０は、ｐ層、ｎ層を有していない放射線検出素子１０に比べて大幅にリーク電流を抑制していることがわかる。
【００１５】
次に、本実施形態の放射線検出素子１０の作動について図を用いて説明する。図４は、本実施形態の放射線検出素子１０をＣＡＮパッケージに実装した放射線検出器３０の例を示す図である。放射線検出器３０は、図４に示すように上部に放射線入射窓４５を有するパッケージ４３の底面にセラミック基板４１が配置され、このセラミック基板４１の上面に、両側に電極を有する放射線検出素子１０が配置され構成されている。放射線検出素子１０のセラミック基板４１側に設けられたＡｌ電極１９はＡｕワイヤ４７により＋電位リードピン３９に接続されており、放射線検出素子１０のセラミック基板４１と反対側に設けられたＡｕ電極１７はＡｕワイヤ４７により−電位リードピン３７に接続されている。
【００１６】
この放射線検出器３０は、＋電位リードピン３９と−電位リードピン３７との間に高電圧を印加し、放射線入射窓４５から入射した放射線により励起された電子が両リードピンの間に流れる電気信号変化を読み取るものである。本実施形態の放射線検出素子１０を用いてリーク電流を減少させることにより読み取りの精度向上を図ることができる。
【００１７】
以上、本発明に係る放射線検出素子の実施形態について詳細に説明してきたが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、ｐ型のＣｄ_0.9Ｚｎ_0.1Ｔｅ層に代えて、放射線検出層の一方側にＡｕ又はＰｔを材料とするショットキー電極を設けても良い。このようにすることによって、放射線検出素子を容易に製造することができる。
【００１８】
次に、上記実施形態の放射線検出素子１０の製造方法について説明する。図５は水素プラズマＭＯＣＶＤ装置を示す図、図６はレーザー照射用チャンバーを示す図、図７はレーザーアニール装置を示す図であり、これらは本実施形態に係る放射線検出素子１０の製造プロセスに用いられる。
【００１９】
まず、表面をエッチング処理した厚さ１ｍｍ、抵抗１０¹⁰Ω・ｃｍの単結晶Ｃｄ_0.9Ｚｎ_0.1Ｔｅ基板上に、プラズマを利用した水素ラジカル励起ＭＯＣＶＤ法によりＣｄＳｅ_0.1Ｔｅ_0.9層を成長させる。具体的には、まず単結晶Ｃｄ_0.9Ｚｎ_0.1Ｔｅ基板１１を図５に示すＭＯＣＶＤ装置１００のサセプタ１１７上にセットし、ガス導入管１０１からＤＭＣｄ、ＤＥＴｅを、ガス導入管１０３からＳｅＨ₂、ｎ−ＢｔＩを材料ガスとしてＭＯＣＶＤ装置１００内に導入する。なお、それぞれのガス導入速度は、ＤＭＣｄ＝２４μｍｏｌ／ｍｉｎ、ＤＥＴｅ＝１２μｍｏｌ／ｍｉｎ、ＳｅＨ₂＝６μｍｏｌ／ｍｉｎ、ｎ−ＢｔＩ＝１μｍｏｌ／ｍｉｎとし、ＭＯＣＶＤ装置１００内のガス圧力は０．２Ｔｏｒｒになるように排気管１０５からのガスの排気速度を調整する。
【００２０】
次に、ＭＯＣＶＤ装置１００に接続されたノズル１１３から、１０ｓｃｃｍの流量で水素ガスを導入する。導入された水素ガスは、高周波コイル１１５でプラズマ励起され水素ラジカルとなってＣｄ_0.9Ｚｎ_0.1Ｔｅ基板１１表面に到達し、そこで材料ガスと反応する。このようにして反応したガスによりＣｄ_0.9Ｚｎ_0.1Ｔｅ基板１１表面にｎ型不純物をドープされたＣｄＳｅ_0.1Ｔｅ_0.9からなるｎ層が形成される。この時、Ｃｄ_0.9Ｚｎ_0.1Ｔｅ基板１１表面に形成されるｎ層の膜圧を制御するために、レーザー１０７より光を出射しＣｄ_0.9Ｚｎ_0.1Ｔｅ基板１１での反射光をフォトダイオード１０９で受光することにより、形成されるｎ層の膜圧を測定している。この反応中におけるＣｄ_0.9Ｚｎ_0.1Ｔｅ基板１１の温度はヒーター１２１により２０℃〜１７０℃に保たれる。これは１７０℃以上の基板温度ではＣｄ_0.9Ｚｎ_0.1Ｔｅ基板１１の特性が劣化し、リーク電流が増大する結果となってしまうためである。
【００２１】
次に、レーザードーピングによりｐ型のＣｄ_0.9Ｚｎ_0.1Ｔｅ層を形成する。具体的には上記ＣｄＳｅ_0.1Ｔｅ_0.9を堆積した面とは反対側の面に真空蒸着法によりＮａ₂Ｔｅを３０ｎｍ蒸着する。その後、基板１１を図６に示ような上部に光を導入するための窓１３３を有するレーザー照射用チャンバー１３０のサセプタ１３１上に移動すると共にレーザー照射時にＮａ₂Ｔｅが蒸発しない様に、Ｎａ₂Ｔｅを蒸着した面には石英ガラスを置き、レーザー照射用チャンバー１３０内は窒素雰囲気で３気圧に保つ。
【００２２】
次に、ＫｒＦエキシマレーザー１４３を用いてＮａ₂Ｔｅ蒸着面をレーザーアニーリングする。図７に示すようにＫｒＦエキシマレーザー１４３から発光される光はミラー１４５及びレンズ１４７を介してレーザー照射用チャンバー１３０に導入される。またエキシマレーザー１４３の制御はコントローラー１４１によって行われる。エキシマレーザー１４３を利用したレーザーアニーリングによりＣｄ_0.9Ｚｎ_0.1Ｔｅ基板の表面にはＮａがドープされ、ｐ型のＣｄ_0.9Ｚｎ_0.1Ｔｅ層が形成され、上記実施形態の放射線検出素子１０が完成される。なお、ここで用いるＫｒＦエキシマレーザー１４３はλ＝２４８ｎｍ、パルス幅＝２０ｎｓのレーザー光を発光する。
【００２３】
【発明の効果】
本発明によれば、放射線検出層であるＣｄＺｎＴｅの格子定数とほぼ同じ格子定数を持つＣｄＳｅＴｅ及びＣｄＺｎＴｅをｎ層、ｐ層にそれぞれ用いることにより、各層間の接合部分の欠陥を減少させ、ひいてはリーク電流を大幅に減少させる構成の放射線検出素子を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態の放射線検出素子を示す図である。
【図２】各物質の格子定数を示した図である。
【図３】印加電圧に対するリーク電流量を示す図である。
【図４】実施形態の放射線検出素子を実装した放射線検出器を示す図である。
【図５】水素プラズマＭＯＣＶＤ装置を示す図である。
【図６】レーザー照射用チャンバーを示す図である。
【図７】レーザーアニール装置を示す図である。
【図８】従来の放射線検出素子を示す図である。
【符号の説明】
１０・・・放射線検出素子、１１・・・放射線検出層、１３・・・ｐ型のＣｄ_0.9Ｚｎ_0.1Ｔｅ層、１５・・・ｎ型のＣｄＳｅ_0.1Ｔｅ_0.9層、１７・・・Ａｕ電極、１９・・・Ａｌ電極、２１・・・本実施形態の放射線検出素子の印加電圧に対するリーク電流量、２２・・・ｐ層、ｎ層を有しない放射線検出素子の印加電圧に対するリーク電流量、３０・・・放射線検出器、３７・・・−電位リードピン、３９・・・＋電位リードピン、４１・・・セラミック基板、４３・・・パッケージ、４５・・・放射線入射窓、４７・・・Ａｕワイヤ、５３・・・ＺｎＴｅ層、５５・・・ＣｄＳ層、１００・・・ＭＯＣＶＤ装置、１０１、１０３・・・ガス導入管、１０５・・・ガス排出管、１０７・・・レーザー、１０９・・・フォトダイオード、１１３・・・ノズル、１１５・・・高周波コイル、１１７・・・サセプタ、１２１・・・ヒーター、１３０・・・レーザー照射用チャンバー、１３１・・・サセプタ、１３３・・・窓、１４１・・・コントローラー、１４３・・・ＫｒＦエキシマレーザー、１４５・・・ミラー、１４７・・・レンズ。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a radiation detection element applied to a radiation detector used for medical and industrial X-ray imaging.
[0002]
[Prior art]
A conventional radiation detection element is shown in FIG. This radiation detection element is formed by doping a p-type impurity on one side of a radiation detection layer 11 made of CdZnTe with a ZnTe layer 53 and n-type impurity on the other side in order to suppress leakage current. A PIN structure having a CdS layer 55 is formed.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the radiation detection element, since the lattice constants of CdZnTe forming the radiation detection layer 11, ZnTe forming the ZnTe layer 53, and CdS forming the CdS layer 55 are different, there is a defect at the junction between the layers. It is easy to occur, and it is difficult to suppress the leak current greatly.
[0004]
Therefore, an object of the present invention is to provide a radiation detection element having a configuration that solves the above problems.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
A radiation detection element according to the present invention includes a radiation detection layer made of Cd, Zn, and Te, a p layer made of Cd, Zn, and Te doped with a p-type impurity on one side of the radiation detection layer, and a radiation detection layer And an n layer made of Cd, Se, and Te doped with an n-type impurity on the other side. Thus, by using a material having a lattice constant close to that of the radiation detection layer for the p layer and the n layer, junction defects between the layers can be reduced.
[0006]
In the radiation detection element, the n layer may be formed by being doped with I or Cl. Thus, the radiation detecting element can be easily manufactured by using I or Cl as the n-type impurity.
[0007]
In the radiation detection element, the p layer may be formed by doping N or Na. Thus, the radiation detecting element can be easily manufactured by using N or Na as the p-type impurity.
[0008]
In the radiation detection element, the component ratio of Cd and Zn forming the radiation detection layer and the p layer is 0.01 ≦ x ≦ 0.5 in Cd _x Zn _1-x Te, and Se forming the n layer The component ratio of Te may be 0.01 ≦ y ≦ 0.5 in CdSe _y Te _1-y . By using such an atomic ratio, a PIN structure layer having a close lattice constant can be easily formed.
[0009]
In the radiation detection element, the n layer may be grown under a temperature condition of 20 ° C. to 170 ° C. by chemical vapor deposition. By adopting such a configuration, the characteristics of the n layer can be kept high.
[0010]
In the radiation detection element, a Schottky electrode made of Au or Pt may be provided on one side of the radiation detection layer instead of the p layer. By doing in this way, a radiation detection element can be manufactured easily.
[0011]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
A preferred embodiment of a photoelectric conversion element according to the present invention will be described with reference to the drawings.
[0012]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a radiation detection element 10 of the embodiment. The radiation detection layer 11 is formed of a single crystal Cd _0.9 Zn _0.1 Te having a thickness of 1 mm and a resistance of 10 ¹⁰ Ω · cm, and one side thereof, that is, the upper surface in FIG. A Cd _0.9 Zn _0.1 Te layer 13 is formed, and an n-type CdSe _0.1 Te _0.9 layer 15 is formed by doping an n-type impurity on the other side of the radiation detection layer 11, that is, the lower surface in FIG. .
[0013]
FIG. 2 shows the lattice constant of each substance. As can be seen from FIG. 2, Cd _0.9 Zn _0.1 Te and CdSe _0.1 Te _0.9 forming the radiation detection layer 11 have close lattice constants. Therefore, by forming the n layer using CdSe _0.1 Te _0.9 and forming the p layer with the same material as the radiation detection layer 11, junction defects due to the difference in lattice constant can be reduced, and the leakage current is greatly reduced. Can be suppressed.
[0014]
FIG. 3 is a diagram showing the amount of leakage current with respect to the applied voltage in comparison between the present embodiment and the conventional product. In FIG. 3, the solid line 21 indicates the leakage current amount with respect to the applied voltage of the radiation detection element 10 of the present embodiment, and the dotted line 22 indicates the leakage current amount with respect to the application voltage of the radiation detection element 10 having no p-layer and n-layer. As shown in FIG. 3, it can be seen that the radiation detection element 10 of this embodiment significantly suppresses the leakage current compared to the radiation detection element 10 that does not have the p layer and the n layer.
[0015]
Next, the operation of the radiation detection element 10 of this embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a radiation detector 30 in which the radiation detection element 10 of the present embodiment is mounted on a CAN package. As shown in FIG. 4, the radiation detector 30 has a ceramic substrate 41 disposed on the bottom surface of a package 43 having a radiation incident window 45 on the top, and the radiation detection element 10 having electrodes on both sides on the upper surface of the ceramic substrate 41. Arranged and configured. The Al electrode 19 provided on the ceramic substrate 41 side of the radiation detection element 10 is connected to the + potential lead pin 39 by the Au wire 47, and the Au electrode 17 provided on the opposite side of the radiation detection element 10 from the ceramic substrate 41 is An Au wire 47 is connected to the negative potential lead pin 37.
[0016]
The radiation detector 30 applies a high voltage between the + potential lead pin 39 and the − potential lead pin 37, and changes an electric signal in which electrons excited by radiation incident from the radiation incident window 45 flow between the two lead pins. Read. Reading accuracy can be improved by reducing the leakage current using the radiation detection element 10 of the present embodiment.
[0017]
As mentioned above, although embodiment of the radiation detection element which concerns on this invention has been described in detail, this invention is not limited to the said embodiment. For example, instead of the p-type Cd _0.9 Zn _0.1 Te layer, a Schottky electrode made of Au or Pt may be provided on one side of the radiation detection layer. By doing in this way, a radiation detection element can be manufactured easily.
[0018]
Next, the manufacturing method of the radiation detection element 10 of the said embodiment is demonstrated. FIG. 5 is a view showing a hydrogen plasma MOCVD apparatus, FIG. 6 is a view showing a laser irradiation chamber, and FIG. 7 is a view showing a laser annealing apparatus, which are used in the manufacturing process of the radiation detection element 10 according to the present embodiment. It is done.
[0019]
First, a CdSe _0.1 Te _0.9 layer is grown on a single-crystal Cd _0.9 Zn _0.1 Te substrate having a thickness of 1 mm and a resistance of 10 ¹⁰ Ω · cm by etching the surface by hydrogen radical excitation MOCVD using plasma. Specifically, first, the single crystal Cd _0.9 Zn _0.1 Te substrate 11 is set on the susceptor 117 of the MOCVD apparatus 100 shown in FIG. 5, and DMCd and DETe are supplied from the gas introduction pipe 101 and SeH ₂ , n from the gas introduction pipe 103. -BtI is introduced into the MOCVD apparatus 100 as a material gas. The respective gas introduction rates are DMCd = 24 μmol / min, DETe = 12 μmol / min, SeH ₂ = 6 μmol / min, n-BtI = 1 μmol / min, and the gas pressure in the MOCVD apparatus 100 is 0.2 Torr. Thus, the exhaust speed of the gas from the exhaust pipe 105 is adjusted.
[0020]
Next, hydrogen gas is introduced from the nozzle 113 connected to the MOCVD apparatus 100 at a flow rate of 10 sccm. The introduced hydrogen gas is plasma-excited by the high-frequency coil 115 to become hydrogen radicals and reaches the surface of the Cd _0.9 Zn _0.1 Te substrate 11 where it reacts with the material gas. An n layer made of CdSe _0.1 Te _0.9 doped with an n-type impurity is formed on the surface of the Cd _0.9 Zn _0.1 Te substrate 11 by the gas thus reacted. At this time, in order to control the membrane pressure of the n layer formed on the Cd _0.9 Zn _0.1 Te substrate 11 surface, receiving reflected light by the photodiode 109 in Cd _0.9 Zn _0.1 Te substrate 11 emits light from the laser 107 Thus, the film pressure of the n layer to be formed is measured. During this reaction, the temperature of the Cd _0.9 Zn _0.1 Te substrate 11 is maintained at 20 ° C. to 170 ° C. by the heater 121. This is because when the substrate temperature is 170 ° C. or higher, the characteristics of the Cd _0.9 Zn _0.1 Te substrate 11 deteriorate and the leakage current increases.
[0021]
Next, a p-type Cd _0.9 Zn _0.1 Te layer is formed by laser doping. Specifically, Na ₂ Te is vapor-deposited with a thickness of 30 nm by a vacuum vapor deposition method on the surface opposite to the surface on which the CdSe _0.1 Te _0.9 is deposited. Thereafter, as Na ₂ Te does not evaporate during laser irradiation while moving on the susceptor 131 of the laser irradiation chamber 130 having a window 133 for introducing light to the substrate 11 to the upper shown as in FIG. 6, Na ₂ Quartz glass is placed on the surface on which Te is deposited, and the inside of the laser irradiation chamber 130 is kept at 3 atm in a nitrogen atmosphere.
[0022]
Next, laser annealing is performed on the Na ₂ Te deposition surface using a KrF excimer laser 143. As shown in FIG. 7, the light emitted from the KrF excimer laser 143 is introduced into the laser irradiation chamber 130 via the mirror 145 and the lens 147. The excimer laser 143 is controlled by the controller 141. By laser annealing using an excimer laser 143, Na is doped on the surface of the Cd _0.9 Zn _0.1 Te substrate to form a p-type Cd _0.9 Zn _0.1 Te layer, and the radiation detecting element 10 of the above embodiment is completed. Note that the KrF excimer laser 143 used here emits laser light having λ = 248 nm and a pulse width = 20 ns.
[0023]
【The invention's effect】
According to the present invention, by using CdSeTe and CdZnTe, which have substantially the same lattice constant as that of CdZnTe, which is the radiation detection layer, in the n layer and the p layer, respectively, the defects at the junctions between the respective layers are reduced, and hence the leakage. A radiation detection element having a configuration that greatly reduces the current can be realized.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram illustrating a radiation detection element according to an embodiment.
FIG. 2 is a diagram showing lattice constants of each substance.
FIG. 3 is a diagram illustrating a leakage current amount with respect to an applied voltage.
FIG. 4 is a view showing a radiation detector on which the radiation detection element of the embodiment is mounted.
FIG. 5 is a diagram showing a hydrogen plasma MOCVD apparatus.
FIG. 6 is a view showing a laser irradiation chamber.
FIG. 7 is a diagram showing a laser annealing apparatus.
FIG. 8 is a diagram showing a conventional radiation detection element.
[Explanation of symbols]
10 ... radiation detecting element, 11 ... radiation detection layer, 13 ... p-type Cd _0.9 Zn _0.1 Te layer, 15 ... n-type CdSe _0.1 Te _0.9 layer, 17 ... Au electrode, 19 ... Al electrode, 21 ... Leakage current amount with respect to the applied voltage of the radiation detection element of the present embodiment, 22 ... Leakage current amount with respect to the applied voltage of the radiation detection element having no p-layer and n-layer, 30 ... Radiation detector, 37 ...-Potential lead pin, 39 ... + Potential lead pin, 41 ... Ceramic substrate, 43 ... Package, 45 ... Radiation entrance window, 47 ... Au wire 53 ... ZnTe layer, 55 ... CdS layer, 100 ... MOCVD apparatus, 101, 103 ... gas introduction pipe, 105 ... gas discharge pipe, 107 ... laser, 109 ... Photodiode, 11 3 ... nozzle, 115 ... high frequency coil, 117 ... susceptor, 121 ... heater, 130 ... chamber for laser irradiation, 131 ... susceptor, 133 ... window, 141 ... Controller, 143 ... KrF excimer laser, 145 ... mirror, 147 ... lens.

Claims

A radiation detection layer comprising Cd, Zn and Te;
A p layer made of Cd, Zn and Te doped with a p-type impurity on one side of the radiation detection layer;
An n layer made of Cd, Se and Te doped with an n-type impurity on the other side of the radiation detection layer;
Equipped with a,
The component ratio of Cd and Zn forming the radiation detection layer and the p layer is Cd _1-x Zn _x Te.
0.01 ≦ x ≦ 0.5,
The component ratio of Se and Te forming the n layer is CdSe _y Te _1-y .
0.01 <y <0.5, The radiation detection element characterized by the above-mentioned.

The radiation detection element according to claim 1, wherein the n layer is formed by doping with I or Cl.

The radiation detection element according to claim 1, wherein the p layer is doped with N or Na.

The n-layer is a chemical vapor phase growth method, a radiation detection element according to any one of claims 1 to 3, characterized in that it is grown at a temperature of 170 ° C. from 20 ° C..

Wherein instead of the p-layer, the radiation detecting element according to claim 1, any one of 4, characterized in that a Schottky electrode and one of Au or Pt on the side material of the radiation detection layer.