JP4131684B2 - Single crystal laminating method and single crystal laminating apparatus - Google Patents

Single crystal laminating method and single crystal laminating apparatus Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばタービン等の鋳造品に複雑張出し形状を簡易に付与することができる単結晶積層方法及び単結晶積層装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、航空機用ジェットエンジンのタービンの動翼や静翼に、単結晶ブレードが使用されている。単結晶鋳造に用いる合金は、結晶粒界が無いことを前提に開発されており、C、B、Zr等の結晶粒界強化元素を含んでいないので、単結晶合金中に結晶粒界が生じるとその部分が非常に弱くなり、鋳物の一部でも単結晶になっていないとブレードとして使用することができない。従って、単結晶ブレードをガスタービンの翼として用いるためには、鋳物全体を単結晶化することが必要である。
【0003】
単結晶鋳物は、一般に一方向凝固法で製造されており、この方法は、加熱した炉の中から鋳型を下方に引出し、鋳型中の溶融金属を下端から上方に漸次凝固させる方法である(特許文献1、2)。
【0004】
一方、発電用ガスタービンに用いる翼は、航空機用ジェットエンジンの翼に比べて非常に大きく、またシャンク部の側面に突設された、プラットホーム部やシール部など凝固進行方向に対して、横方向に大きく張り出した部分があり、鋳物全体を単結晶化することが容易でなかったので、鋳型内に結晶成長促進路を形成し、張り出し部を一体成形した後、該結晶成長促進部を除去するようにしていた(特許文献3)。
【0005】
この方法の概略を図16に示す。
図16に示すように、ヒータ10内に設けられた鋳型11には結晶成長促進路12が形成されており、この鋳型11内に熔融金属を流しこみ、徐々に鋳型11を下方に引き下げて水冷プレート13により凝固させている。
その後、鋳型11から製品本体14を取り出し、張出し部であるプラットホーム部16と製品本体14から結晶成長促進部17を除去するようにしている。
【0006】
【特許文献1】
特公昭51−41851号公報
【特許文献2】
特公告平1−26796号公報
【特許文献3】
特開平7−247802号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した図16に示す方法では、鋳造の引下げ速度を低速にする必要があるとともに、製品から不要品である結晶成長促進部を除去する必要がある、という問題がある。
【0008】
このため、図17に示すように、張出し部21を有する鋳型22を用いて鋳造する場合には、張出し部21内において、多結晶部23が発生し、製品24の歩留まりが悪いという問題がある。
【0009】
また、溶接による接合や形状付与を行う場合には、結晶制御が不可能であり、単結晶積層体を形成することは困難であるという問題がある。
【0010】
本発明は、前記問題に鑑み、簡易な方法でしかも迅速に張出し部を形成することができる単結晶積層方法及び単結晶積層装置を提供する。
【0011】
【課題を解決するための手段】
前述した課題を解決する第1の発明は、単結晶体本体に張出し単結晶積層部を形成する単結晶積層方法であって、単結晶体本体に対し、張出し単結晶積層部を形成させる場所に形状付与鋳型を当接し、その後前記形状付与鋳型内に結晶を制御しながら単結晶体本体と同一の単結晶を積層することを特徴とする単結晶積層方法にある。
【0012】
第2の発明は、単結晶体本体に張出し単結晶積層部を形成する単結晶積層方法であって、単結晶体本体の一部に凸部を形成し、前記単結晶体本体に形成された凸部に形状付与鋳型を当接し、その後前記形状付与鋳型内に結晶を制御しながら単結晶体本体と同一の単結晶を積層することを特徴とする単結晶積層方法にある。
【0013】
第3の発明は、第1又は2の発明において、前記形状付与鋳型を徐々に積層させつつ結晶成長させることを特徴とする単結晶積層方法にある。
【0014】
第4の発明は、第3の発明において、前記形状付与鋳型を徐々に積層させる際、鋳型に代えて接合材を積層させつつ結晶成長させることを特徴とする単結晶積層方法にある。
【0015】
第5の発明は、第1又は2の発明において、前記単結晶体本体に単結晶の一次積層部を形成した後、次いで一次積層部に単結晶の二次積層部を形状することを特徴とする単結晶積層方法にある。
【0016】
第6の発明は、第1又は2の発明において、前記形状付与鋳型内の熔融池を鋳型全体に広げながら徐々に結晶積層させることを特徴とする単結晶積層方法にある。
【0018】
の発明は、第1乃至のいずれか一つの単結晶積層方法により形成されてなる単結晶積層体にある。
【0019】
の発明は、単結晶体本体に張出し単結晶積層部を形成する単結晶積層装置であって、単結晶体本体に対し、張出し単結晶積層部を形成させる場所に設置した形状付与鋳型と、該鋳型内に溶化材を供給する材料供給手段と、供給された溶化材を加熱する加熱源とを具備してなり、鋳型内に結晶を制御しながら単結晶体本体と同一の単結晶の張出し部を積層してなることを特徴とする単結晶積層装置にある。
【0020】
の発明は、第の発明において、前記形状付与鋳型が単結晶体本体に形成された凸部に嵌合してなることを特徴とする単結晶積層装置にある。
【0021】
10の発明は、第8又は9の発明において、前記形状付与鋳型が移動可能であることを特徴とする単結晶積層装置にある。
【0022】
11の発明は、第8又は9の発明において、前記形状付与鋳型が積み上げ可能であることを特徴とする単結晶積層装置にある。
【0023】
【発明の実施の形態】
本発明の形態を以下に説明するが、本発明はこれらの実施の形態に限定されるものではない。
【0024】
図1を参照して本発明にかかる単結晶積層方法について説明する。
本発明にかかる単結晶積層方法は、図1に示すように、単結晶体本体に張出し単結晶積層部を形成する単結晶積層方法であって、予め単結晶体本体を結晶積層して単結晶体本体100を製造しておき、次いで単結晶体本体100に対し、張出し単結晶積層部を形成させる場所に形状付与鋳型101を当接し、その後、前記形状付与鋳型101内に結晶を制御しながら単結晶体本体100と同一の単結晶を積層するものである。その後鋳型101を外し、張出し部102を有する製品本体を取り出すようにしている。
【0025】
本実施の形態にかかる単結晶積層装置は、図2に示すように、単結晶体本体100に対し、張出し単結晶積層部を形成させる場所に設置した形状付与鋳型101と、該鋳型101内に溶化材を供給する材料供給手段である溶化材ガイド112と、供給された溶化材を加熱する加熱源111とを具備してなり、鋳型101内に結晶を制御しながら単結晶体本体と同一の単結晶の張出し部102を積層してなるものである。
【0026】
ここで、単結晶体本体100は通常に製造された単結晶物又は一方向凝固物である。
また、鋳型101は例えばセラミック材であり、液体金属と濡れ性の良好なものが好ましい。濡れ性が良好な材質を選定することで、鋳型面からの別の結晶の発生を防止することができる。
【0027】
また、鋳型をセラミック材とすることで、張出し部102を積層した後、破壊することが容易である。
【0028】
結晶を制御しながら積層させる方法は、例えばレーザ等の加熱手段により、結晶を制御して積層する公知の方法を用いることができる。
また、溶化材は粉末、ワイヤ等の公知の材料を用いることができる。
また、製品本体と同一の単結晶を積層させる解析手段としては例えば特開2003−33864号公報等に掲載されている公知の解析手段を用いることができる。
【0029】
本発明を用いて製造する対象物は鋳造物に所望の張出し形状を付与する場合であれば、いずれの場合にも適用することができ、例えば図15に示すようなタービンの動翼200のプラットホーム部201、タービンの静翼210のシュラウド部211等の張出し部を母材と同一の単結晶で形成することができる。
【0030】
以下、本発明にかかる種々の実施の形態について説明するが、製品本体100の全体部分は一部省略し、張出し部の積層個所の図面に基づき内容を説明する。
【0031】
[第1の実施の形態]
図2は本発明にかかる第1の実施の形態の単結晶積層方法を実施する概略図である。
そして、図2に示すように、従来と同様に予め鋳造法により形成された単結晶体本体(母材)100に対し、張出し単結晶積層部を形成させる場所に形状付与鋳型101を当接し、その後、前記形状付与鋳型101内に溶融池110を加熱源111により形成しつつ結晶を制御しながら単結晶体本体100と同一の単結晶を積層するものである。その後鋳型101を外し、母材と同一の単結晶の張出し部102を有する製品本体を取り出すようにしている。
【0032】
これにより、簡易な方法でしかも迅速に母材と同一の単結晶からなる張出し部を形成することができる。また、従来においては、結晶成長促進路に単結晶を成長させるので、その引下げ速度を遅くしていたが、本実施の形態では、引下げ速度を速くすることができるので、製造効率の向上を図ることができる。
【0033】
図3(a)は、本実施の形態の変形例であり、鋳型101の開口部を上方にいくにつれて広げるようにしたものである。これにより、一部及び全周をテーパ状に積層させることもできる。また、鋳型は複数の形状の異なるものを徐々に積層させることで、張出し部の形状の自由度が向上する。
【0034】
また、図2に示す実施の形態においては、単結晶体本体100と張出し部102の積層方向が直行する方向としていたが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば図3(b)に示すように、単結晶体本体100と張出し部102の積層方向が異なるようにしてもよい。これにより、積層方向の自由度が向上し、種々の張出し部を形成することができる。
【0035】
[第2の実施の形態]
図4は本発明にかかる第2の実施の形態の単結晶積層方法を実施する概略図である。
図4に示すように、単結晶体本体(母材)100に凸部100aを一体に形成したものを予め用意する。該凸部100aは張出し部102の基礎となる部分である。次いで、該単結晶体本体100の凸部100aに形状付与鋳型101を嵌合し、その後、前記形状付与鋳型101内に溶融池110を加熱源111により形成しつつ結晶を制御しながら単結晶体本体100と同一の単結晶を積層するものである。
なお、上記凸部100aの高さは単一結晶の歩留まりが良好な高さとすればよく、凸部の大きさ又は形状により適宜設定されるが、好ましくは5mm以下、より好ましくは1〜2mmとするのがよい。
【0036】
これにより、図4中、符号Xで囲んだ部分における他の結晶の発生を防止できる。これにより、簡易な方法でしかも迅速に母材と同一の単結晶からなる張出し部を形成することができる。
【0037】
[第3の実施の形態]
図5本発明にかかる第3の実施の形態の単結晶積層方法を実施する概略図である。
図5に示すように、予め形成された単結晶体本体(母材)100を用意し、該単結晶体本体100に対し、張出し単結晶積層部を形成させる場所に形状付与鋳型101―1を当接し、その後、形状付与鋳型101−1内に溶融池110を加熱源111により形成しつつ結晶を制御しながら単結晶体本体100と同一の単結晶を積層する。この際、鋳型101−1、101−2、103−1・・・と複数鋳型を用いて徐々に積層高さを高くしている。
このように、鋳型を積層高さに応じて、溶融池110が鋳型高さよりも高くならない程度に適宜積み上げながら、積層するので、溶加材供給ガイド112と鋳型との干渉を防ぐことができる。
【0038】
また両者の干渉が少なくなるので、図6に示すような斜めに鋳型を積層させつつ傾斜した張り出し部102を積層することが容易となる。また、鋳型が個別となっているので、鋳型への熱の逃げを抑え、結晶制御を容易することができ、より安定した単結晶積層が可能となる。
また、鋳型を複数積層するので、加熱源からの距離は常に一定とすることができ、また積層段数を増やすことで積層高さを任意とすることができる。
【0039】
[第4の実施の形態]
図7は本発明にかかる第4の実施の形態の単結晶積層方法を実施する概略図である。
図7に示すように、予め形成された単結晶体本体(母材)100を用意し、該単結晶体本体100に対し、張出し単結晶積層部を形成させる場所に形状付与鋳型101―1を当接し、その後、形状付与鋳型101−1内に溶融池110を加熱源111により形成しつつ結晶を制御しながら単結晶体本体100と同一の単結晶を積層する。その後、該鋳型101−1を上方(積層方向)に移動させ、次の単結晶積層を行うようにしている。
【0040】
このように、鋳型を徐々に移動させるので、第3の実施の形態と同様に溶加材ガイド112と鋳型の干渉を防ぐことができる。また、鋳型への熱の逃げを抑え、結晶制御を容易にすることができる。また、鋳型の移動に伴い、鋳型の下側を冷却することができ、熱が逃げるので、結晶制御が容易となる。
【0041】
[第5の実施の形態]
図8本発明にかかる第5の実施の形態の単結晶積層方法を実施する概略図である。
図8に示すように、予め形成された単結晶体本体(母材)100を用意し、該単結晶体本体100に対し、張出し単結晶積層部を形成させる場所に形状付与鋳型101―1を当接し、その後、形状付与鋳型101−1内に溶融池110を加熱源111により形成しつつ結晶を制御しながら単結晶体本体100と同一の単結晶を積層する。その後、該鋳型101−1を上方(積層方向)に接合材120を載置させ、次の単結晶積層を行うようにしている。この接合材120を鋳型の代わりに設置することで、張出し部102にさらに、別の形状の接合材を接合することができる。なお、この接合材は母材と同一の単結晶である。
このように、鋳型の代わりに接合材を用いることで、凹凸のある形状を積層することができる。
【0042】
[第6の実施の形態]
図9は本発明にかかる第6の実施の形態の単結晶積層方法を実施する概略図である。
図9に示すように、予め形成された単結晶体本体(母材)100を用意し、該単結晶体本体100に対し、張出し単結晶積層部を形成させる場所に形状付与鋳型101を当接するとともに、鋳型101の内部にさらに鋳型101aを配置させている。その後、形状付与鋳型101、101a、101内に溶融池110を加熱源111により形成しつつ結晶を制御しながら単結晶体本体100と同一の単結晶を積層する。
このように、鋳型101の内部にさらに鋳型101aを設置することにより、溝、ネジ穴等の凹部を形成することができる。
【0043】
[第7の実施の形態]
図10は本発明にかかる第7の実施の形態の単結晶積層方法を実施する概略図である。
図10に示すように、先ず、第1の実施の形態等の方法により、単結晶体本体(母材)100に対し、一次の張出し部102を形成する。その後一次の張出し部102の単結晶積層部を形成させる場所に形状付与鋳型101を当接する。その後、形状付与鋳型101内に溶融池110を加熱源111により形成しつつ結晶を制御しながら単結晶体本体100及び一次張出し部102−1と同一の単結晶を積層させ、二次張出し部102−2を形成する。
このように、一次張出し部102−1にさらに二次張出し部102−2を形成することで、三次元の複雑な形状を容易に形成することができる。
【0044】
[第8の実施の形態]
図11は本発明にかかる第8の実施の形態の単結晶積層方法を実施する概略図である。
図11に示すように、予め形成された単結晶体本体(母材)100を用意し、該単結晶体本体100に対し、張出し単結晶積層部を形成させる場所に形状付与鋳型101を当接し、その後、前記形状付与鋳型101内に溶融池110を加熱源111により鋳型101の全面に亙って形成しつつ結晶を制御しながら単結晶体本体100と同一の単結晶を積層するものである。全面に溶融池110を広げるには例えばマルチビームによる加熱源111を用いるようにしている。
【0045】
これにより、積層速度の向上を図ることができる。
【0046】
[第9の実施の形態]
図12は本発明にかかる第9の実施の形態の単結晶積層方法を実施する概略図である。
図12に示すように、第1の実施の形態と同様に操作して、鋳型内には単結晶体本体100と同一の単結晶を積層させる。通常はその後鋳型101を外しているが、本実施の形態ではこの鋳型を残し、複合材(例えば表面改質材)としている。
【0047】
これにより、機械的密着性に優れた強度の高い複合材を得ることができる。
【0048】
なお、一体化による強度を向上させるために、鋳型101の内部に細かな凹凸を形成するようにしてもよい。
【0049】
[第10の実施の形態]
図13は本実施の形態の単結晶積層方法の全体を実施する概略図である。
先ず、図13に示すように、従来と同様に、(a)溶解・鋳造を行い(図13(a)参照)、(b)結晶制御凝固をし(図13(b)参照)、(c)型をばらし(図13(c)参照)、(d)その後、不要品を除去して単結晶体本体100を得ている(図13(d)参照)。そして、上述した第2の実施の形態と同様に、凸部100aに形状付与鋳型101を嵌合・当接し、その後、前記形状付与鋳型101内に溶融池110を加熱源111であるレーザ加熱により出力をコントロールしつつ結晶を制御しながら単結晶体本体100と同一の単結晶を積層凝固するものである。その後鋳型101を外し、母材と同一の単結晶の張出し部102を有する製品本体を取り出すようにしている。
【0050】
[第11の実施の形態]
図14は本発明にかかる第11の実施の形態の単結晶積層方法を実施する装置の概略図である。
図14に示すように、本実施の形態にかかる積層装置は、クランプ300を有する姿勢制御装置301と、クランプ300に把持された翼210のシュラウド211に設けられた鋳型101を加熱する加熱源である加熱ヘッド302と溶化材を供給する材料供給装置303とを備えたマニュピュレータ304と、これらを集中制御する制御装置305とから構成されている。
【0051】
そして、この装置を用い、制御装置305及びマニュピュレータ304の操作により、鋳型101内に同一の単結晶を積層させ、張出し部を形成するようにしている。
なお、制御方法は集中制御方式のほかに、ここの装置を個別に制御するようにしてもよい。
【0052】
【発明の効果】
本発明によれば、予め形成された単結晶体本体(母材)に対し、張出し単結晶積層部を形成させる場所に形状付与鋳型を当接し、その後、前記形状付与鋳型内に溶融池を加熱源により形成しつつ結晶を制御しながら単結晶体本体と同一の単結晶を積層するので、簡易・迅速に母材と同一の単結晶からなる張出し部を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の単結晶積層方法の概略図である。
【図2】第1の実施の形態にかかる単結晶積層方法を実施する概略図である。
【図3】第1の実施の形態にかかる他の単結晶積層方法を実施する概略図である。
【図4】第2の実施の形態にかかる単結晶積層方法を実施する概略図である。
【図5】第3の実施の形態にかかる単結晶積層方法を実施する概略図である。
【図6】第3の実施の形態にかかる他の単結晶積層方法を実施する概略図である。
【図7】第4の実施の形態にかかる単結晶積層方法を実施する概略図である。
【図8】第5の実施の形態にかかる単結晶積層方法を実施する概略図である。
【図9】第6の実施の形態にかかる単結晶積層方法を実施する概略図である。
【図10】第7の実施の形態にかかる単結晶積層方法を実施する概略図である。
【図11】第8の実施の形態にかかる単結晶積層方法を実施する概略図である。
【図12】第9の実施の形態にかかる単結晶積層方法を実施する概略図である。
【図13】第10の実施の形態にかかる単結晶積層方法を実施する工程図である。
【図14】第11の実施の形態にかかる単結晶積層方法を実施する概略図である。
【図15】タービンの動翼と静翼の斜視図である。
【図16】従来の単結晶積層方法を実施する工程図である。
【図17】従来の単結晶積層方法を実施する概略図である。
【符号の説明】
100 単結晶体本体(母材)
101 形状付与鋳型
110 溶融池
111 加熱源
112 溶融材供給ガイド
200 動翼
210 静翼
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to single crystal laminate side Ho及 beauty single crystal laminate device capable of imparting a complicated overhang shape easily to casting, such as the turbine.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, single crystal blades have been used for moving blades and stationary blades of turbines of aircraft jet engines. Alloys used for single crystal casting have been developed on the assumption that there are no crystal grain boundaries, and do not contain grain boundary strengthening elements such as C, B, Zr, etc., so that crystal grain boundaries occur in the single crystal alloy. The part becomes very weak, and even if a part of the casting is not a single crystal, it cannot be used as a blade. Therefore, in order to use a single crystal blade as a blade of a gas turbine, it is necessary to make the entire casting into a single crystal.
[0003]
Single crystal castings are generally manufactured by a unidirectional solidification method, in which the mold is drawn downward from a heated furnace, and the molten metal in the mold is gradually solidified upward from the lower end (patent) References 1, 2).
[0004]
On the other hand, the blades used for power generation gas turbines are very large compared to the wings of aircraft jet engines, and are transverse to the direction of solidification, such as the platform and seal, protruding from the side of the shank. Since there was a large overhanging part and it was not easy to single crystalize the entire casting, a crystal growth promoting path was formed in the mold, and after the overhanging part was integrally formed, the crystal growth promoting part was removed. (Patent Document 3).
[0005]
An outline of this method is shown in FIG.
As shown in FIG. 16, a crystal growth promoting path 12 is formed in the mold 11 provided in the heater 10, and a molten metal is poured into the mold 11, and the mold 11 is gradually lowered to be water-cooled. It is solidified by the plate 13.
After that, the product main body 14 is taken out from the mold 11, and the crystal growth promoting part 17 is removed from the platform part 16 and the product main body 14 which are overhanging parts.
[0006]
[Patent Document 1]
Japanese Patent Publication No. 51-41851 [Patent Document 2]
Japanese Patent Publication No. 1-26796 [Patent Document 3]
Japanese Patent Laid-Open No. 7-247802
[Problems to be solved by the invention]
However, the above-described method shown in FIG. 16 has a problem that it is necessary to reduce the casting pulling speed and to remove the unnecessary crystal growth promoting portion from the product.
[0008]
For this reason, as shown in FIG. 17, when casting is performed using the mold 22 having the overhanging portion 21, there is a problem that the polycrystalline portion 23 is generated in the overhanging portion 21 and the yield of the product 24 is poor. .
[0009]
In addition, when joining or shape imparting by welding, there is a problem that crystal control is impossible and it is difficult to form a single crystal laminate.
[0010]
In view of the above problems, even only a simple method to provide a fast it is possible to form the overhang single crystal laminate side Ho及 beauty monocrystalline laminator.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
A first invention for solving the above-mentioned problem is a single crystal lamination method for forming an overhanging single crystal laminated portion on a single crystal body, wherein the overhanging single crystal laminated portion is formed on the single crystal body. The single crystal laminating method is characterized in that a single crystal identical to a single crystal body is laminated while contacting a shape-imparting template and then controlling the crystal in the shape-imparting template.
[0012]
A second invention is a single crystal laminating method for forming a single crystal multilayer portion projecting on a single crystal main body, wherein a convex portion is formed on a part of the single crystal main body, and is formed on the single crystal main body. A single crystal laminating method is characterized in that a shape-imparting template is brought into contact with a convex portion, and then the same single crystal as the single crystal body is laminated while controlling the crystal in the shape-imparting template.
[0013]
A third invention is the single crystal lamination method according to the first or second invention, wherein the shape-imparting template is crystallized while being gradually laminated.
[0014]
A fourth invention is the single crystal lamination method according to the third invention, wherein, when the shape-imparting mold is gradually laminated, crystal growth is performed while laminating a bonding material instead of the mold.
[0015]
A fifth invention is characterized in that, in the first or second invention, a single crystal primary laminated portion is formed in the single crystal body, and then a single crystal secondary laminated portion is formed in the primary laminated portion. There is a single crystal lamination method.
[0016]
A sixth invention is the single crystal lamination method according to the first or second invention, wherein the crystal is gradually laminated while expanding the molten pool in the shape-imparting mold over the entire mold.
[0018]
A seventh invention is a single crystal laminated body formed by any one of the first to sixth single crystal lamination methods.
[0019]
An eighth invention is a single crystal laminating apparatus for forming an overhanging single crystal laminated portion on a single crystal body, wherein the shape-imparting mold is installed in a place where the overhanging single crystal laminated portion is formed with respect to the single crystal body. And a material supply means for supplying the solubilizing material into the mold, and a heating source for heating the supplied solubilizing material. A single crystal laminating apparatus characterized by laminating overhang portions.
[0020]
According to a ninth aspect of the present invention, in the eighth aspect of the invention, the shape-imparting template is fitted to a convex portion formed on the single crystal body.
[0021]
A tenth invention is the single crystal stacking apparatus according to the eighth or ninth invention, wherein the shape-imparting template is movable.
[0022]
An eleventh invention is the single crystal laminating apparatus according to the eighth or ninth invention, wherein the shape-imparting molds can be stacked.
[0023]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Although the form of this invention is demonstrated below, this invention is not limited to these embodiment.
[0024]
A single crystal lamination method according to the present invention will be described with reference to FIG.
As shown in FIG. 1, the single crystal lamination method according to the present invention is a single crystal lamination method in which a single crystal multilayer portion is formed on a single crystal body, and the single crystal body is crystallized in advance. The body main body 100 is manufactured, and then the shape-imparting mold 101 is brought into contact with the single crystal body 100 at a place where the overhanging single crystal laminated portion is formed, and then the crystal is controlled in the shape-imparting mold 101. The same single crystal as the single crystal body 100 is laminated. Thereafter, the mold 101 is removed, and the product main body having the overhanging portion 102 is taken out.
[0025]
As shown in FIG. 2, the single crystal laminating apparatus according to the present embodiment includes a shape-imparting mold 101 installed at a place where an overhanging single crystal laminated portion is formed with respect to the single crystal body 100, It comprises a solubilizing material guide 112 which is a material supplying means for supplying the solubilizing material, and a heating source 111 for heating the supplied solubilizing material, and is the same as the single crystal body while controlling the crystal in the mold 101. A single crystal overhang 102 is laminated.
[0026]
Here, the single crystal body 100 is a normally manufactured single crystal or unidirectionally solidified material.
Further, the mold 101 is, for example, a ceramic material, and preferably has a good wettability with a liquid metal. By selecting a material with good wettability, generation of another crystal from the mold surface can be prevented.
[0027]
In addition, by using a ceramic material as the mold, it is easy to break after laminating the overhanging portion 102.
[0028]
As a method of laminating while controlling the crystal, a known method of laminating while controlling the crystal by a heating means such as a laser can be used.
Moreover, well-known materials, such as a powder and a wire, can be used for a solubilizing material.
Moreover, as an analysis means for laminating the same single crystal as the product main body, for example, a well-known analysis means described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-33864 can be used.
[0029]
The object to be manufactured using the present invention can be applied to any case as long as a desired overhanging shape is imparted to the casting. For example, the platform of the turbine rotor blade 200 as shown in FIG. The overhanging portions such as the portion 201 and the shroud portion 211 of the turbine stationary blade 210 can be formed of the same single crystal as the base material.
[0030]
Hereinafter, various embodiments according to the present invention will be described. However, a part of the entire product main body 100 will be omitted, and the contents will be described based on the drawings of the stacked portions of the overhanging portion.
[0031]
[First Embodiment]
FIG. 2 is a schematic view for carrying out the single crystal laminating method according to the first embodiment of the present invention.
Then, as shown in FIG. 2, the shape-imparting mold 101 is brought into contact with the single crystal body (base material) 100 formed in advance by a casting method in the same manner as in the prior art, at the place where the overhanging single crystal laminated portion is formed, Thereafter, the same single crystal as the single crystal body 100 is laminated while controlling the crystal while forming the molten pool 110 with the heating source 111 in the shape imparting mold 101. Thereafter, the mold 101 is removed, and the product main body having the same single crystal protruding portion 102 as the base material is taken out.
[0032]
Thereby, the overhang | projection part which consists of the same single crystal as a base material can be rapidly formed by a simple method. Conventionally, since the single crystal is grown on the crystal growth promoting path, the pulling speed is slow. However, in the present embodiment, the pulling speed can be increased, so that the manufacturing efficiency is improved. be able to.
[0033]
FIG. 3A shows a modification of the present embodiment, in which the opening of the mold 101 is expanded as it goes upward. Thereby, a part and the whole periphery can be laminated in a tapered shape. In addition, the mold is gradually laminated with a plurality of different shapes, so that the degree of freedom of the shape of the overhanging portion is improved.
[0034]
In the embodiment shown in FIG. 2, the stacking direction of the single crystal body 100 and the overhanging portion 102 is the orthogonal direction, but the present invention is not limited to this. For example, FIG. 3 (b) As shown in FIG. 4, the stacking direction of the single crystal body 100 and the overhang portion 102 may be different. Thereby, the freedom degree of a lamination direction improves and various overhang | projection parts can be formed.
[0035]
[Second Embodiment]
FIG. 4 is a schematic view for carrying out the single crystal lamination method according to the second embodiment of the present invention.
As shown in FIG. 4, a single crystal body (base material) 100 in which convex portions 100 a are integrally formed is prepared in advance. The convex portion 100 a is a portion that is the basis of the overhang portion 102. Next, the shape-imparting mold 101 is fitted into the convex portion 100a of the single-crystal body 100, and then the single crystal body is controlled while controlling the crystal while forming the molten pool 110 with the heating source 111 in the shape-imparting mold 101. The same single crystal as the main body 100 is laminated.
In addition, the height of the convex part 100a may be a height at which the yield of the single crystal is good and is appropriately set according to the size or shape of the convex part, but is preferably 5 mm or less, more preferably 1-2 mm. It is good to do.
[0036]
Thereby, generation | occurrence | production of the other crystal | crystallization in the part enclosed with the code | symbol X in FIG. 4 can be prevented. Thereby, the overhang | projection part which consists of the same single crystal as a base material can be rapidly formed by a simple method.
[0037]
[Third Embodiment]
5 is a schematic diagram for carrying out the single crystal lamination method of the third embodiment according to the present invention.
As shown in FIG. 5, a preformed single crystal body (base material) 100 is prepared, and the shape-imparting template 101-1 is placed on the single crystal body 100 at a place where an overhanging single crystal laminated portion is formed. Then, the same single crystal as the single crystal body 100 is laminated while controlling the crystal while forming the molten pool 110 with the heating source 111 in the shape imparting mold 101-1. At this time, the stacking height is gradually increased by using the molds 101-1, 101-2, 103-1,.
As described above, since the molds are stacked while being appropriately stacked according to the stacking height so that the molten pool 110 does not become higher than the mold height, interference between the filler supply guide 112 and the mold can be prevented.
[0038]
Further, since the interference between the two is reduced, it is easy to stack the inclined protruding portions 102 while stacking the molds obliquely as shown in FIG. Further, since the molds are individual, the escape of heat to the mold can be suppressed, crystal control can be facilitated, and more stable single crystal lamination can be achieved.
In addition, since a plurality of molds are stacked, the distance from the heating source can always be constant, and the stacking height can be made arbitrary by increasing the number of stacking steps.
[0039]
[Fourth Embodiment]
FIG. 7 is a schematic view for carrying out the single crystal lamination method of the fourth embodiment according to the present invention.
As shown in FIG. 7, a preformed single crystal body (base material) 100 is prepared, and a shape-imparting template 101-1 is placed on the single crystal body 100 at a place where an overhanging single crystal laminated portion is formed. Then, the same single crystal as the single crystal body 100 is laminated while controlling the crystal while forming the molten pool 110 with the heating source 111 in the shape imparting mold 101-1. Thereafter, the mold 101-1 is moved upward (stacking direction) to perform the next single crystal stacking.
[0040]
As described above, since the mold is gradually moved, it is possible to prevent the filler material guide 112 and the mold from interfering with each other as in the third embodiment. In addition, the escape of heat to the mold can be suppressed, and crystal control can be facilitated. Further, as the mold moves, the lower side of the mold can be cooled, and heat is released, so that the crystal control becomes easy.
[0041]
[Fifth Embodiment]
8 is a schematic diagram for carrying out the single crystal lamination method of the fifth embodiment according to the present invention.
As shown in FIG. 8, a preformed single crystal body (base material) 100 is prepared, and the shape-imparting template 101-1 is placed on the single crystal body 100 at a place where an overhanging single crystal laminated portion is to be formed. Then, the same single crystal as the single crystal body 100 is laminated while controlling the crystal while forming the molten pool 110 with the heating source 111 in the shape imparting mold 101-1. Thereafter, the bonding material 120 is placed on the mold 101-1 (in the stacking direction), and the next single crystal stacking is performed. By installing the bonding material 120 in place of the mold, another shape of the bonding material can be bonded to the projecting portion 102. This bonding material is the same single crystal as the base material.
Thus, by using a bonding material instead of a mold, it is possible to stack uneven shapes.
[0042]
[Sixth Embodiment]
FIG. 9 is a schematic view for carrying out the single crystal laminating method according to the sixth embodiment of the present invention.
As shown in FIG. 9, a preformed single crystal body (base material) 100 is prepared, and the shape-imparting mold 101 is brought into contact with the single crystal body 100 at a place where an overhanging single crystal laminated portion is formed. At the same time, a mold 101 a is further arranged inside the mold 101. Thereafter, the same single crystal as the single crystal body 100 is laminated while controlling the crystal while forming the molten pool 110 with the heating source 111 in the shape-imparting molds 101, 101 a, 101.
In this way, by further installing the mold 101a inside the mold 101, recesses such as grooves and screw holes can be formed.
[0043]
[Seventh embodiment]
FIG. 10 is a schematic view for carrying out the single crystal lamination method according to the seventh embodiment of the present invention.
As shown in FIG. 10, first, a primary overhang portion 102 is formed on the single crystal body (base material) 100 by the method of the first embodiment or the like. Thereafter, the shape-imparting mold 101 is brought into contact with a place where the single crystal laminated portion of the primary overhang portion 102 is formed. Then, the single crystal identical to the single crystal body 100 and the primary overhanging portion 102-1 is laminated while forming the molten pool 110 in the shape-imparting mold 101 by the heating source 111 and controlling the crystals, and the secondary overhanging portion 102 is formed. -2.
Thus, by forming the secondary overhanging portion 102-2 in the primary overhanging portion 102-1, a three-dimensional complicated shape can be easily formed.
[0044]
[Eighth Embodiment]
FIG. 11 is a schematic view for carrying out the single crystal lamination method according to the eighth embodiment of the present invention.
As shown in FIG. 11, a preformed single crystal body (base material) 100 is prepared, and a shape-imparting mold 101 is brought into contact with the single crystal body 100 at a place where an overhanging single crystal laminated portion is formed. Then, the same single crystal as the single crystal body 100 is laminated while controlling the crystal while forming the molten pool 110 over the entire surface of the mold 101 by the heating source 111 in the shape imparting mold 101. . In order to spread the molten pool 110 over the entire surface, for example, a multi-beam heating source 111 is used.
[0045]
Thereby, the improvement of a lamination speed can be aimed at.
[0046]
[Ninth Embodiment]
FIG. 12 is a schematic view for carrying out the single crystal lamination method according to the ninth embodiment of the present invention.
As shown in FIG. 12, the same single crystal as the single crystal body 100 is stacked in the mold by operating in the same manner as in the first embodiment. Usually, the mold 101 is removed thereafter, but in the present embodiment, this mold is left and used as a composite material (for example, a surface modifying material).
[0047]
Thereby, a high strength composite material having excellent mechanical adhesion can be obtained.
[0048]
In order to improve the strength by integration, fine irregularities may be formed inside the mold 101.
[0049]
[Tenth embodiment]
FIG. 13 is a schematic diagram for implementing the entire single crystal lamination method of the present embodiment.
First, as shown in FIG. 13, (a) melting and casting (see FIG. 13 (a)), (b) crystal controlled solidification (see FIG. 13 (b)), and (c) ) Disengage the mold (see FIG. 13C), (d) Then, unnecessary products are removed to obtain the single crystal body 100 (see FIG. 13D). Then, similarly to the second embodiment described above, the shape-imparting mold 101 is fitted and brought into contact with the convex portion 100a, and then the molten pool 110 is placed in the shape-imparting mold 101 by laser heating as the heating source 111. The single crystal identical to the single crystal body 100 is laminated and solidified while controlling the crystal while controlling the output. Thereafter, the mold 101 is removed, and the product main body having the same single crystal protruding portion 102 as the base material is taken out.
[0050]
[Eleventh embodiment]
FIG. 14 is a schematic view of an apparatus for carrying out the single crystal lamination method according to the eleventh embodiment of the present invention.
As shown in FIG. 14, the laminating apparatus according to the present embodiment is a heating source that heats the attitude control device 301 having the clamp 300 and the mold 101 provided on the shroud 211 of the blade 210 held by the clamp 300. It comprises a manipulator 304 having a heating head 302 and a material supply device 303 for supplying a solubilizing material, and a control device 305 for centrally controlling them.
[0051]
Then, using this device, the same single crystal is laminated in the mold 101 by the operation of the control device 305 and the manipulator 304 to form the overhanging portion.
In addition to the centralized control method, the devices here may be controlled individually.
[0052]
【The invention's effect】
According to the present invention, a shape-imparting mold is brought into contact with a preformed single crystal body (base material) at a place where an overhanging single-crystal laminated portion is to be formed, and then the molten pool is heated in the shape-imparting mold. Since the same single crystal as the single crystal body is laminated while controlling the crystal while being formed by the source, an overhang portion made of the same single crystal as the base material can be formed easily and quickly.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic diagram of a single crystal lamination method of the present invention.
FIG. 2 is a schematic view for carrying out the single crystal lamination method according to the first embodiment.
FIG. 3 is a schematic view for carrying out another single crystal lamination method according to the first embodiment.
FIG. 4 is a schematic view for carrying out a single crystal stacking method according to a second embodiment.
FIG. 5 is a schematic view for carrying out a single crystal stacking method according to a third embodiment.
FIG. 6 is a schematic view for carrying out another single crystal lamination method according to the third embodiment.
FIG. 7 is a schematic view for carrying out a single crystal stacking method according to a fourth embodiment.
FIG. 8 is a schematic view for carrying out a single crystal stacking method according to a fifth embodiment.
FIG. 9 is a schematic view for carrying out a single crystal stacking method according to a sixth embodiment.
FIG. 10 is a schematic view for carrying out a single crystal lamination method according to a seventh embodiment.
FIG. 11 is a schematic view for carrying out a single crystal stacking method according to an eighth embodiment.
FIG. 12 is a schematic view for carrying out a single crystal stacking method according to a ninth embodiment.
FIG. 13 is a process diagram for carrying out the single crystal stacking method according to the tenth embodiment;
FIG. 14 is a schematic view for carrying out a single crystal lamination method according to an eleventh embodiment.
FIG. 15 is a perspective view of a moving blade and a stationary blade of a turbine.
FIG. 16 is a process diagram for carrying out a conventional single crystal stacking method.
FIG. 17 is a schematic view for carrying out a conventional single crystal stacking method.
[Explanation of symbols]
100 Single crystal body (base material)
101 Shape imparting mold 110 Molten pool 111 Heat source 112 Molten material supply guide 200 Rotor blade 210 Stator blade

Claims (11)

単結晶体本体に張出し単結晶積層部を形成する単結晶積層方法であって、
単結晶体本体に対し、張出し単結晶積層部を形成させる場所に形状付与鋳型を当接し、その後前記形状付与鋳型内に結晶を制御しながら単結晶体本体と同一の単結晶を積層することを特徴とする単結晶積層方法。
A single crystal laminating method for forming a single crystal laminating portion overhanging on a single crystal body,
The shape-imparting mold is brought into contact with the single crystal body at a place where the overhanging single crystal laminate is formed, and then the same single crystal as the single crystal body is laminated while controlling the crystal in the shape-imparting template. A single crystal lamination method characterized by the above.
単結晶体本体に張出し単結晶積層部を形成する単結晶積層方法であって、
単結晶体本体の一部に凸部を形成し、前記単結晶体本体に形成された凸部に形状付与鋳型を当接し、その後前記形状付与鋳型内に結晶を制御しながら単結晶体本体と同一の単結晶を積層することを特徴とする単結晶積層方法。
A single crystal laminating method for forming a single crystal laminating portion overhanging on a single crystal body,
A convex portion is formed on a part of the single crystal body, a shape-imparting mold is brought into contact with the convex portion formed on the single-crystal body, and then the single-crystal body main body is controlled while controlling the crystal in the shape-imparting template. A single crystal laminating method, comprising laminating identical single crystals.
請求項1又は2において、
前記形状付与鋳型を徐々に積層させつつ結晶成長させることを特徴とする単結晶積層方法。
In claim 1 or 2,
A method of laminating a single crystal, wherein the crystal is grown while gradually laminating the shape-imparting template.
請求項3において、
前記形状付与鋳型を徐々に積層させる際、鋳型に代えて接合材を積層させつつ結晶成長させることを特徴とする単結晶積層方法。
In claim 3,
A method of laminating a single crystal, characterized in that when the shape-imparting mold is gradually laminated, a crystal is grown while laminating a bonding material instead of the mold.
請求項1又は2において、
前記単結晶体本体に単結晶の一次積層部を形成した後、次いで一次積層部に単結晶の二次積層部を形状することを特徴とする単結晶積層方法。
In claim 1 or 2,
A single crystal stacking method comprising: forming a single crystal primary stack on the single crystal body, and then forming a single crystal secondary stack on the primary stack.
請求項1又は2において、
前記形状付与鋳型内の熔融池を鋳型全体に広げながら徐々に結晶積層させることを特徴とする単結晶積層方法。
In claim 1 or 2,
A method of laminating a single crystal, comprising gradually laminating crystals in the shape-imparting mold while spreading the molten pool over the entire mold.
請求項1乃至6のいずれか一つにおいて、
前記形状付与鋳型を除去することを特徴とする単結晶積層方法。
In any one of Claims 1 thru | or 6,
A method of laminating a single crystal, wherein the shape-imparting template is removed.
単結晶体本体に張出し単結晶積層部を形成する単結晶積層装置であって、
単結晶体本体に対し、張出し単結晶積層部を形成させる場所に設置した形状付与鋳型と、該鋳型内に溶化材を供給する材料供給手段と、供給された溶化材を加熱する加熱源とを具備してなり、鋳型内に結晶を制御しながら単結晶体本体と同一の単結晶の張出し部を積層してなることを特徴とする単結晶積層装置。
A single crystal laminating apparatus for forming a single crystal laminating portion overhanging on a single crystal body,
A shape-imparting mold installed at a place where an overhanging single crystal laminated portion is formed with respect to the single crystal body, a material supply means for supplying a solubilizing material into the mold, and a heating source for heating the supplied solubilizing material. A single crystal laminating apparatus comprising: a single crystal overhanging portion that is the same as the single crystal body while controlling the crystal in a mold.
請求項において、
前記形状付与鋳型が単結晶体本体に形成された凸部に嵌合してなることを特徴とする単結晶積層装置。
In claim 8 ,
A single crystal laminating apparatus, wherein the shape-imparting mold is fitted to a convex portion formed on a single crystal body.
請求項8又は9において、
前記形状付与鋳型が移動可能であることを特徴とする単結晶積層装置。
In claim 8 or 9 ,
The single crystal stacking apparatus, wherein the shape imparting mold is movable.
請求項8又は9において、
前記形状付与鋳型が積み上げ可能であることを特徴とする単結晶積層装置。
In claim 8 or 9 ,
A single crystal laminating apparatus, wherein the shape-imparting molds can be stacked.
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