JP4131523B2 - Heatable swivel device - Google Patents

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    • C23C14/50Substrate holders

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、真空内で積層されるべき、殊に大平面状の基板を互に位置決めするための旋回装置であって、回転可能に支承された軸部体を備えた旋回アームと、基板受容装置とを有しており、前記旋回アームが、緊締装置によってロック可能、かつ装入乃至取出し位置と積層位置との間で旋回可能であって、該旋回装置が加熱装置を有していて、該加熱装置を用いて基板加熱可能である形式のものに関する。
【0002】
【従来の技術】
例へばカソードスパッタリングの場合に使用されるような、真空条件下で基板を積層するための装置が公知である。この装置の場合には、積層されるべき基板が、基板寸法に適合した装置によって保持され、かつ特に静的に実施される積層方法の場合には、積層されるべきその表面によって積層源とは反対の側の固定した位置に位置決めされている。この側で基板が適当な搬送装置によって積層チャンバ内に装入され、かつ積層カソードの前方に位置させられて積層され、引続いて搬送装置を用いて別の積層ステーションに供給されるか、又は大気環境中に押し出される。積層された基板を、特に個々の積層ステーションの間で搬送するため、基板は主として水平方向に支承されている。この種の搬送の利点は、積層された基板の面が例へば搬送保護装置によって非接触に保持されていて、装着された層が損傷を受けないようになっているという点である。基板が水平方向にだけ配向されている場合には、スパッタ積層プロセスの間及びその後において主に2つの欠点を有している。つまり基板の上方に配置された積層カソードによって、積層カソードから又はカソード周辺に解離された粒子が下方に向って基板上を落下して、層面内に汚染部が形成されるようになるという点である。基板の下方に配置されたカソードによる積層の場合には、基板保持装置が基板を積層側で支持するという欠点を有している。つまり全基板面に亘って均一に延びる積層を行うことは不可能である。
【0003】
水平な積層位置の一般的な欠点は、特に大平面状の薄い基板が撓んで、装着された層内の材料応力が大きくなり、かつ積層プロセスの間基板の加熱が平面的に均等に行われ得ないという点である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、特に大平面状の薄い基板を積層するための装置を改良して、上述の欠点を回避することができるようにすることにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、基板受容装置がベースプレートと支持プレートとを有しており、該ベースプレートと支持プレートとによって形成された内室内に加熱装置が配置されていて、該加熱装置が少なくとも1つの石英ヒータから成っており、旋回アームに基板受容装置が解離可能に結合されていることによって、上記課題を解決することができた。
【0006】
【発明の効果】
基板受容装置の鉛直な位置において、積層されるべき基板面が積層源、つまりスパッタカソードに対しほぼ平行に配置されており、これによって全基板面に亘って均一な層が装着可能である。この鉛直位置において基板は、基板受容装置に固定された支持部材によって積層背面側でその縁部領域に支持されている。基板の鉛直な配置によって積層源、特にスパッタカソードから解離された粒子の推積を阻止することができる。それは、放出された粒子がスパッタカソードと基板との間をチャンバ底部に落下して、不純物として基板面に沈積しないからである。更に鉛直な積層位置は、特に大平面状の基板の場合に撓みが阻止可能であるため、装着された層が材料応力に晒されることがないという利点を有している。更に、基板は支承されて保持されているだけであるので、全基板面を積層することができるという利点を有している。積層を行った後基板受容装置は、基板と共に水平位置に旋回可能であり、該水平位置から専ら水平な配向において、例へば別の積層チャッバ内への基板の更なる搬送が行われる。その場合基板は専ら支持部材上に支承されて搬送され、これによって積層された面を保持装置との接触を有利に阻止することができる。
【0007】
特徴的な積層パラメータに影響を与えるため、基板は積層されている間基板受容装置内に組み込まれた加熱装置を用いて加熱可能である。有利には加熱装置は、基板の背面側に隣接して配置されていて、基板のほぼ全面の広さに亘って延びている。加熱装置として石英ヒータが設けられている。全基板平面に亘る均一な温度分布を達成するために加熱装置は、その熱出力放出に関し相互に無関係に制御可能な個々の加熱セグメント、例えば個々の石英ヒータ乃至個々の抵抗加熱体に分割されている。特に基板の縁部領域においては、加熱セグメントに比較的高い電力を供給することによって熱損失が制御されている。
【0008】
更に加熱装置と基板との間には温度均一化プレートが設けられている。このプレートは有利には、小さな熱容量と高い放射率とを有している材料から成っており、該プレートを用いて加熱セグメントによって発生する局部的な温度差違が補償可能であり、これによって基板面上の温度差違を最小に抑えることができる。
【0009】
この温度均一化プレートの本発明の構成に基いて、温度均一化プレートが2つの層から成っている。その場合第1層は高い熱伝導率を備えた材料から成り、第1層に熱伝導的に接触している第2層は高い放射率の材料から成っている。この層の組合せによって、放射率及び熱伝導を規定している材料パラメータを相互に無関係に選択することができる。材料の組合せとして本発明においては、銅から成る第1層とガラスセラミックから成る第2層とが提案されている。
【0010】
加熱装置として石英ヒータを使用する場合には、温度均一化プレートとして、波長変換器として機能するプレートが提案されている。このように機能するプレートは、石英ヒータから有利には1μmから3μmまでのスペクトル領域内で放射された放射エネルギが、3.5μmよりも大きな長波のスペクトル領域で放射される材料、有利にはニッケル−クロム−鉄−合金から成っている。このことは、特に積層されるべき基板がガラスである場合該基板が長波の放射エネルギをより効果的に吸収できるという利点を有している。
【0011】
放射損失を少なくするため、加熱装置はその背面側を少くとも1つの放射背面薄板で覆っており、これによって加熱器から放射される加熱光線がほぼ基板の方向に放射されるようになる。
【0012】
水平位置と鉛直位置との間で基板受容装置を旋回させることができるように、基板受容装置が旋回アーム上に載置されており、該旋回アームは端面側で回転可能に支承された軸部体、有利には中空軸に結合されている。真空下にある積層チャンバから環境大気中に突出した中空軸は、有利には積層チャンバの外方に配置された駆動装置によって0°から85°までの角度領域に亘って回転可能である。電気的な加熱装置への供給装置として電気導線が設けられており、該電気導線は中空軸内に挿入された真空導通装置によって環境大気中に導かれている。
【0013】
【発明の実施の形態】
次に本発明を、図面に図示された有利な実施例に基いて詳しく説明する。
【0014】
積層チャンバ30内に配置された装置1は主として、基板受容装置6と、旋回アーム12と中空軸10とから成る旋回装置とから構成されている。旋回アーム12は、端側部において中空軸10を取り囲んでいる緊締装置13に解離可能に螺着されている。中空軸10を回転させることによって旋回アーム12は、その水平な装入位置Aからほぼ鉛直な積層位置Bに、又は積層位置Bから水平な装入乃至取出し位置Aに移行させられる。基板受容装置6によって擦過される旋回角度領域は、鎖線で表わされている旋回領域によって示唆されていて、約0°−85°の間にある。
【0015】
基板受容装置6はベースプレート14から成り、該ベースプレート14は、ベースプレート14を平面の中央部で貫通している保持装置20によって旋回アーム12に固定されている。方形のベースプレート14の外方を取り巻いている縁部領域は、コーナ領域に取り付けられた端面11に折り曲げられている。端面11には、水平に配向された夫々1つの案内部材15が不動に挿入されている。夫々の案内部材15において支持プレート16は、一方で縁部領域内の切欠きによって支持され、他方ではほぼ平面の中央部で基板受容装置6に支持されている。ベースプレート14と支持プレート16とによって形成された内室内には、例ば抵抗加熱装置又は石英ヒータから成っている加熱装置8が配置されている。抵抗加熱装置8又は石英ヒータ8から放射される熱出力は、加熱装置8とベースプレート14との間に配置された反射薄板22によって、支持プレート16の方に向いている方向に卓越的に放射される。積層されるべき基板4は、個々に支持プレート16上に載設され支持部材26,26a上に支承されて保持されている。水平位置においては基板4の全重量が支持部材26によって支えられており、これに反しほぼ鉛直な積層位置においては、支持部材26aが主要な負荷を引き受けている。支持部材26及び26aは小さな熱伝導率を有する材料から成っており、これによって支持プレート16と載置された基板4との間の熱の流れが阻止されている。
【0016】
全基板面に亘り可能な限り均一な温度分布を達成するため、図1に図示された実施例にあっては支持プレート16と加熱装置8との間に温度均一化プレート28が設けられている。高い放射率と小さな熱容量とを有する材料から成っているこの温度均一化プレート28は、例へば加熱装置8がセグメント状に分割されているため基板4上に局部的に発生する温度差違を阻止することができる。加熱装置8に電力を供給しうるように、加熱装置8は、中空軸10内に挿入された真空導通装置34によって大気領域に導かれている電気導線32を介して、図面には図示されていない電流供給装置に接続されている。
【0017】
基板受容装置6は基板4と共に、積層チャンバ30のチャンバ壁37内に設けられた閉鎖可能な装入兼取出し開口36を貫通して装入される。その際基板4は有利には、図示されていない水平位置の自動搬送装置を用いて積層チャンバ30内で基板受容装置6上に収容される。積層作業は次のように行われる。つまり基板受容装置6を、該受容装置6上に支承された基板4と共に鉛直な位置Bに移動させ、この方向において、例へば図1には図示されていないスパッタカソード装置を用い矢印で象徴的に示唆されている積層方向a−fで積層を行う。積層された基板4を取り出すため、旋回アーム12をその水平な位置Aに旋回せしめる。その後基板4を、装入兼取出し開口36を介して積層チャンバ30から取り出す。
【図面の簡単な説明】
【図1】 水平な装入位置及び鉛直な積層位置における、旋回テーブルとして構成された、本発明の加熱可能な旋回装置の断面図である。
【図2】 図1に図示された基板受容装置の拡大区分図である。
【符号の説明】
1 装置
4 基板
6 基板受容装置
8 加熱装置、抵抗加熱装置、石英ヒータ
10 軸部体、中空軸
11 端面
12 旋回アーム
13 緊締装置
14 ベースプレート
15 案内部材
16 支持プレート
18 角形縁部
20 保持装置
22 反射薄板
24 支持プレート薄板
26,26a 支持部材
28 プレート、温度均一化プレート
30 積層チャンバ
32 電気導線
34 真空導通装置
36 装入兼取出し開口
37 チャンバ壁
A 装入位置、取出し位置
B 積層位置
a−f 積層方向
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention includes a pivot arm to be laminated in a vacuum, a turning device for particular positioning a large planar substrate Alternating comprises a rotatably mounted shaft portion body, the substrate has a receiving device, wherein the pivot arm is lockable by clamping device, and I pivotable der between the loading or unloading position and a stacking position, the orbiting device has a heating device Tei In addition , the present invention relates to a type in which the substrate can be heated using the heating device.
[0002]
[Prior art]
Devices for laminating substrates under vacuum conditions, such as those used in the case of cathode sputtering, are known. In the case of this device, the substrate to be laminated is held by a device adapted to the substrate dimensions, and in particular in the case of a laminating method carried out statically, the lamination source is defined by its surface to be laminated. It is positioned at a fixed position on the opposite side. On this side, the substrate is loaded into the stacking chamber by a suitable transport device and placed in front of the stack cathode and stacked and subsequently fed to another stacking station using the transport device, or Extruded into the atmospheric environment. In order to transport the stacked substrates, in particular between individual stacking stations, the substrates are mainly supported in the horizontal direction. The advantage of this type of transport is that the surface of the laminated substrate is held in a non-contact manner by a transport protection device, for example, so that the mounted layer is not damaged. If the substrate is oriented only in the horizontal direction, it has two main drawbacks during and after the sputter lamination process. In other words, by the laminated cathode disposed above the substrate, particles dissociated from or around the laminated cathode fall down on the substrate, and a contaminated part is formed in the layer surface. is there. In the case of stacking with a cathode disposed below the substrate, there is a disadvantage that the substrate holding device supports the substrate on the stacking side. That is, it is impossible to perform lamination that extends uniformly over the entire substrate surface.
[0003]
The general disadvantage of horizontal stacking position is that the large planar thin substrate will bend, which will increase the material stress in the mounted layer and the substrate will be heated evenly during the stacking process. It is a point that cannot be obtained.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
An object of the present invention is to improve an apparatus for laminating thin substrates having a particularly large planar shape so that the above-mentioned drawbacks can be avoided.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
According to the present invention, the substrate receiving device has a base plate and a support plate, the heating device is disposed in the inner chamber formed by the base plate and the support plate, and the heating device is at least one quartz. It consists of a heater , and the substrate receiving device is detachably coupled to the swivel arm, thereby solving the above-mentioned problem.
[0006]
【The invention's effect】
In the vertical position of the substrate receiving device, the substrate surface to be laminated is arranged substantially parallel to the lamination source, ie the sputter cathode, so that a uniform layer can be mounted over the entire substrate surface. In this vertical position, the substrate is supported on the edge region on the back side of the stack by a support member fixed to the substrate receiving device. The vertical placement of the substrate can prevent accumulation of particles dissociated from the stacking source, particularly the sputter cathode. This is because the emitted particles fall between the sputter cathode and the substrate to the bottom of the chamber and are not deposited as impurities on the substrate surface. Furthermore, the vertical stacking position has the advantage that the mounted layer is not exposed to material stresses, especially in the case of large planar substrates, since bending can be prevented. Further, since the substrate is only supported and held, the entire substrate surface can be laminated. After laminating, the substrate receiving device can be swiveled to a horizontal position with the substrate, and further transport of the substrate, for example, into another laminating chabber, in a horizontal orientation exclusively from the horizontal position. In that case, the substrate is supported and transported exclusively on the support member, which advantageously prevents the laminated surfaces from contacting the holding device.
[0007]
In order to influence the characteristic lamination parameters, the substrate can be heated using a heating device incorporated in the substrate receiving device while being laminated. The heating device is preferably arranged adjacent to the back side of the substrate and extends over almost the entire area of the substrate. A quartz heater is provided as a heating device. In order to achieve a uniform temperature distribution across the entire substrate plane, the heating device is divided into individual heating segments, for example individual quartz heaters or individual resistance heating elements, which can be controlled independently of each other with respect to their heat output. Yes. Particularly in the edge region of the substrate, heat loss is controlled by supplying relatively high power to the heating segment.
[0008]
Further, a temperature uniformizing plate is provided between the heating device and the substrate. This plate is advantageously made of a material having a small heat capacity and a high emissivity, which can be used to compensate for local temperature differences caused by the heating segment, and thereby the substrate surface. The above temperature difference can be minimized.
[0009]
Based on the present configuration of the temperature homogenizing plate, the temperature homogenizing plate is composed of two layers. In that case, the first layer is made of a material with high thermal conductivity, and the second layer in thermal contact with the first layer is made of a material with high emissivity. This combination of layers allows the material parameters defining emissivity and heat conduction to be selected independently of each other. As a combination of materials, the present invention proposes a first layer made of copper and a second layer made of glass ceramic.
[0010]
When a quartz heater is used as a heating device, a plate that functions as a wavelength converter has been proposed as a temperature uniformizing plate. The plate functioning in this way is a material, preferably nickel, in which the radiant energy emitted from the quartz heater , preferably in the spectral region from 1 μm to 3 μm, is emitted in the long wave spectral region greater than 3.5 μm. -Made of chromium-iron-alloy. This has the advantage that the substrate can be more effectively absorbed long wave radiation energy, especially when the substrate to be laminated is glass.
[0011]
In order to reduce the radiation loss, the heating device has its back side covered with at least one radiant back lamina, so that the heating beam radiated from the heater is emitted almost in the direction of the substrate.
[0012]
The substrate receiving device is mounted on a turning arm so that the substrate receiving device can be turned between a horizontal position and a vertical position, and the turning arm is rotatably supported on the end surface side. Connected to the body, preferably to the hollow shaft. The hollow shaft protruding from the stacking chamber under vacuum into the ambient atmosphere can be rotated over an angular range from 0 ° to 85 °, preferably by means of a drive device arranged outside the stacking chamber. An electric lead is provided as a supply device to the electric heating device, and the electric lead is led to the ambient atmosphere by a vacuum conduction device inserted in the hollow shaft.
[0013]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The invention will now be described in detail on the basis of an advantageous embodiment illustrated in the drawing.
[0014]
The apparatus 1 arranged in the stacking chamber 30 is mainly composed of a substrate receiving device 6 and a swiveling device comprising a swiveling arm 12 and a hollow shaft 10. The swivel arm 12 is detachably screwed to a tightening device 13 surrounding the hollow shaft 10 at the end side portion. By rotating the hollow shaft 10, the swivel arm 12 is moved from the horizontal loading position A to the substantially vertical stacking position B, or from the stacking position B to the horizontal loading or unloading position A. The swivel angle region scraped by the substrate receiving device 6 is suggested by the swirl region represented by the chain line and is between about 0 ° -85 °.
[0015]
The substrate receiving device 6 includes a base plate 14, and the base plate 14 is fixed to the swivel arm 12 by a holding device 20 penetrating the base plate 14 at the center of the plane. The edge region surrounding the outside of the rectangular base plate 14 is bent at the end face 11 attached to the corner region. One end of the guide member 15 that is horizontally oriented is fixedly inserted into the end face 11. In each guide member 15, the support plate 16 is supported on the one hand by a notch in the edge region, and on the other hand is supported on the substrate receiving device 6 at the center of the plane. The room within which is formed by the base plate 14 and the support plate 16, the heating device 8 is arranged which consists of a resistance heating device or quartz heater if example embodiment. The heat output radiated from the resistance heating device 8 or the quartz heater 8 is predominately radiated in the direction facing the support plate 16 by the reflection thin plate 22 disposed between the heating device 8 and the base plate 14. The The substrates 4 to be laminated are individually mounted on the support plate 16 and supported and supported on the support members 26 and 26a. In the horizontal position, the entire weight of the substrate 4 is supported by the support member 26. On the other hand, in the substantially vertical stacking position, the support member 26a takes over the main load. The support members 26 and 26a are made of a material having a small thermal conductivity, thereby preventing a heat flow between the support plate 16 and the substrate 4 placed thereon.
[0016]
In order to achieve as uniform a temperature distribution as possible over the entire substrate surface, in the embodiment illustrated in FIG. 1, a temperature equalizing plate 28 is provided between the support plate 16 and the heating device 8. . High emissivity and small heat capacity and the temperature equalizing plate 28 is made of a material having a can Tatoeba heating device 8 can be prevented local temperature differences occurring on the substrate 4 because it is divided into segments form Can do. In order to be able to supply power to the heating device 8, the heating device 8 is illustrated in the drawing via an electrical lead 32 which is led to the atmosphere by a vacuum conduction device 34 inserted in the hollow shaft 10. Not connected to current supply device.
[0017]
The substrate receiving device 6 is loaded together with the substrate 4 through a closeable loading / unloading opening 36 provided in the chamber wall 37 of the stacking chamber 30. In this case, the substrate 4 is advantageously accommodated on the substrate receiving device 6 in the stacking chamber 30 by means of an automatic conveying device in a horizontal position (not shown). Lamination work is performed as follows. In other words, the substrate receiving device 6 is moved to the vertical position B together with the substrate 4 supported on the receiving device 6, and in this direction, for example, a sputter cathode device not shown in FIG. Stacking is performed in the suggested stacking direction af. In order to take out the laminated substrate 4, the swivel arm 12 is swung to its horizontal position A. Thereafter, the substrate 4 is taken out from the stacking chamber 30 through the loading / unloading opening 36.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view of a heatable swivel device of the present invention configured as a swivel table in a horizontal charging position and a vertical stacking position.
FIG. 2 is an enlarged sectional view of the substrate receiving apparatus shown in FIG.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 apparatus 4 board | substrate 6 board | substrate receiving apparatus 8 heating apparatus, resistance heating apparatus, quartz heater 10 shaft body, hollow shaft 11 end face 12 turning arm 13 tightening apparatus 14 base plate 15 guide member 16 support plate 18 rectangular edge 20 holding apparatus 22 reflection Thin plate 24 Support plate thin plate 26, 26a Support member 28 Plate, temperature equalizing plate 30 Lamination chamber 32 Electrical conductor 34 Vacuum conduction device 36 Loading / extraction opening 37 Chamber wall A Loading position, extraction position B Lamination position af Lamination direction

Claims (11)

真空内で積層されるべき大平面状の基板(4)を交互に位置決めするための旋回装置(1)であって、回転可能に支承された軸部体(10)を備えた旋回アーム(12)と、基板受容装置(6)とを有しており、前記旋回アーム(12)が、緊締装置(13)によってロック可能、かつ装入乃至取出し位置(A)と積層位置(B)との間で旋回可能であって、該旋回装置(1)が加熱装置(8)を有していて、該加熱装置(8)を用いて基板(4)が加熱可能である形式のものにおいて、
基板受容装置(6)がベースプレート(14)と支持プレート(16)とを有しており、該ベースプレート(14)と支持プレート(16)とによって形成された内室内に加熱装置(8)が配置されていて、該加熱装置(8)が少なくとも1つの石英ヒータから成っており、旋回アーム(12)に基板受容装置(6)が解離可能に結合されていることを特徴とする、加熱可能な旋回装置。
A swivel device (1) for alternately positioning large planar substrates (4) to be stacked in a vacuum, and a swivel arm (12) having a shaft body (10) rotatably supported ) And a substrate receiving device (6), the swivel arm (12) can be locked by the tightening device (13), and the loading / unloading position (A) and the stacking position (B) In which the swivel device (1) has a heating device (8) and the substrate (4) can be heated using the heating device (8),
The substrate receiving device (6) has a base plate (14) and a support plate (16), and the heating device (8) is disposed in the inner chamber formed by the base plate (14) and the support plate (16). Wherein the heating device (8) comprises at least one quartz heater , and the substrate receiving device (6) is releasably coupled to the swivel arm (12). Swivel device.
基板受容装置(6)のベースプレート(14)が縁部側で環状に折り曲げられていて、支持プレート(16)が、ベースプレート(14)の折り曲げ縁部(18)上に載置され、かつベースプレート(14)と支持プレート(16)とをほぼ平面の中央部で貫通して旋回アーム(12)に端部側で結合されている保持装置(20)によって解離可能に結合されており、これによって支持プレート(16)が、ベースプレート(14)と旋回アーム(12)とに夫々固定されている、請求項1記載の旋回装置。The base plate (14) of the substrate receiving device (6) is bent in an annular shape on the edge side, the support plate (16) is placed on the bent edge (18) of the base plate (14), and the base plate ( 14) and the support plate (16) are detachably coupled to each other by a holding device (20) that penetrates the central portion of the plane and is coupled to the swivel arm (12) on the end side. plate (16), the base plate (14) and pivot arm (12) and a are respectively fixed claim 1 Symbol placement of the turning device. 加熱装置(8)とベースプレート(14)との間には少なくとも1つの反射薄板(22)が設けられており、これによって、加熱装置(8)から放出される熱出力が、基板受容装置(6)上に支承された基板(4)の方向にほぼ向けられるようになっている、請求項1又は2記載の旋回装置。At least one reflective thin plate (22) is provided between the heating device (8) and the base plate (14), so that the heat output emitted from the heating device (8) is transferred to the substrate receiving device (6). 3. A swivel device according to claim 1 or 2 , wherein the swivel device is adapted to be directed substantially in the direction of the substrate (4) supported thereon. 支持プレート(16)の、旋回アーム(12)とは反対の側の面(24)には支持部材(26,26a)が固定されており、該支持部材(26,26a)上で積層されるべき基板(4)が、水平方向とほぼ鉛直な方向に向けた状態で基板受容装置(6)に支承可能である、請求項1からまでのいずれか1項記載の旋回装置。Support members (26, 26a) are fixed to the surface (24) of the support plate (16) opposite to the swivel arm (12), and are laminated on the support members (26, 26a). The swivel device according to any one of claims 1 to 3 , wherein the power substrate (4) can be supported by the substrate receiving device (6) in a state in which the power substrate (4) is oriented in a direction substantially perpendicular to the horizontal direction. 支持プレート(16)と石英ヒータ(8)との間に、温度均一化プレート(28)が配置されており、これによって、石英ヒータ(8)から温度均一化プレート(28)上に伝達された熱出力が、基板(4)上に搬送された熱エネルギとして、全基板面に亘って均一に配分されるようになっている、請求項1からまでのいずれか1項記載の旋回装置。Between the support plate (16) and a quartz heater (8), temperature equalizing plate (28) is arranged, whereby, transmitted from the quartz heater (8) on the temperature-equalizing plate (28) The swiveling device according to any one of claims 1 to 4 , wherein the heat output is uniformly distributed over the entire surface of the substrate as heat energy conveyed on the substrate (4). . 石英ヒータと基板(4)との間に配置された温度均一化プレート(28)は、1μmから3μmまでの短波スペクトル領域で吸収された放射エネルギが3.5μmよりも大きな長波スペクトル領域に転換可能であるニッケル−クロム−鉄−合金から成っており、これによって一方では、加熱装置(8)から基板(4)上への均等な熱エネルギの伝達が行われるようになり、かつ他方ではカソードからスパッタされた物質による加熱装置(8)の積層が、前記温度均一化プレート(28)による遮断によって阻止可能である、請求項1からまでのいずれか1項記載の旋回装置。The temperature equalizing plate (28) placed between the quartz heater and the substrate (4) can convert the radiant energy absorbed in the short wave spectral region from 1 μm to 3 μm into the long wave spectral region larger than 3.5 μm. The nickel-chromium-iron-alloy , which, on the one hand, allows an even transfer of thermal energy from the heating device (8) onto the substrate (4) and on the other hand from the cathode. laminated to the heating device according sputtered material (8), the possible blocking by the blocking by the temperature equalizing plate (28), the turning device according to any one of claims 1 to 5. 加熱装置(8)がその熱放射出力に関し互いに無関係に制御可能な個々の加熱セグメントから成っており、これによって基板の均等な温度分布が、基板(4)の縁部領域にまで達成可能である、請求項1からまでのいずれか1項記載の旋回装置。The heating device (8) consists of individual heating segments that can be controlled independently of each other with respect to their thermal radiation output, whereby an even temperature distribution of the substrate can be achieved up to the edge region of the substrate (4). The turning device according to any one of claims 1 to 6 . 支持部材(26,26a)がガラスセラミックより成っており、これによって基板(4)上の温度分布が均一化されている、請求項記載の旋回装置。And it made from the support member (26, 26a) Gaga Las ceramic, whereby the temperature distribution on the substrate (4) is uniform, the turning device according to claim 4, wherein. 軸部体(10)が中空軸(10)として構成されており、該中空軸(10)は積層チャンバ(30)の外方に配置された電動機によって駆動可能である、請求項1からまでのいずれか1項記載の旋回装置。Shank member (10) is configured as a hollow shaft (10), the hollow shaft (10) can be driven by the outwardly arranged motor lamination chamber (30), Claims 1 to 8 The turning device according to any one of the above. 一方の端部で加熱装置(8)に、他方の端部で電流供給装置に夫々接続された電気導線(32)が設けられていて、電気導線(32)は、中空軸(10)内を案内され、かつ中空軸(10)内に挿入された真空導通装置(34)を貫いて積層チャンバ(30)の内室内に案内されている、請求項1からまでのいずれか1項記載の旋回装置。An electrical conductor (32) connected to the heating device (8) at one end and to the current supply device at the other end is provided, and the electrical conductor (32) passes through the hollow shaft (10). guided, and vacuum conducting device inserted into the hollow shaft (10) through (34) is guided in the inner chamber of the laminate chamber (30), according to any one of claims 1 to 9 Swivel device. 温度均一化プレート(28)が相互に熱伝導的な接触を行っている2つの層から成り、加熱装置(8)側の層がから成り、かつ基板(4)側の層がガラスセラミックから成っている、請求項から10までのいずれか1項記載の旋回装置。Consists of two layers temperature-equalizing plate (28) is subjected to thermal conduction contact with each other, the layer of the heating device (8) side is made of copper, and a layer of the substrate (4) side from a glass ceramic The swivel device according to any one of claims 5 to 10 , which is configured.
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