JP4129911B2 - Wavelength filter and tunable filter - Google Patents
Wavelength filter and tunable filter Download PDFInfo
- Publication number
- JP4129911B2 JP4129911B2 JP2002309228A JP2002309228A JP4129911B2 JP 4129911 B2 JP4129911 B2 JP 4129911B2 JP 2002309228 A JP2002309228 A JP 2002309228A JP 2002309228 A JP2002309228 A JP 2002309228A JP 4129911 B2 JP4129911 B2 JP 4129911B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- wavelength
- output
- input
- filter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、波長多重大容量光通信を支える重要な光部品である波長フィルタおよび波長可変フィルタに関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、インターネットにおける爆発的なトラヒックの増加により、ノード間を結ぶ伝送には波長多重を用いて伝送容量を増加させている。波長フィルタあるいは波長可変フィルタは、このような波長多重伝送において欠かすことのできない重要な光部品である。
【0003】
このような中で、図13に示されるように、アレイ導波路グレーティングフィルタ(AWGF)を用いた波長可変フィルタが提案されている。図13において、AWG(アレイ導波路グレーティング)は、入力側のフリースペース領域を形成するスラブ導波路101と出力側のフリースペース領域を形成するスラブ導波路102とを導波路アレイ103で結んだものであり、導波路アレイ103内では隣り合う導波路104間で光路長差が或る一定の長さずつ異なっている。従って、入力光105がスラブ導波路101に入射すると、スラブ導波路101で広がって導波路アレイ103の個々の導波路104に入射し、その後、各導波路104から出力側スラブ導波路102に入射し、スラブ導波路102で、光路長差によって生じた位相差により干渉し、光路長差に応じた特定波長の光だけが出力光106となる。そして、導波路アレイ103上に電極107を形成して電流注入を行い、電極下の個々の導波路104の屈折率を変化させることで、選択波長を可変にすることができる。
【0004】
【非特許文献1】
ELECTRONICS LERTTERS Vol.36, No.7, pp.658-660(2000), Fig.1
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
アレイ導波路グレーティングフィルタでは、導波路アレイ103内の隣り合う導波路104間で光路長差が或る一定の長さずつ異なることにより波長フィルタとして動作させるため、波長チューニングのための電極107の長さも、隣り合う導波路104間で一定の長さΔsずつ変化させる必要がある。このため選択波長可変用の電極107の長さは導波路アレイ103の導波路数をNとすると、最も長いもので(N−1)×Δsとなり、フィルタ全体での電極長はN×(N−1)×Δs/2と大きくなる。
【0006】
そのため、消費電力が大きくなって発熱の問題が生じたり、静電容量が大きくなって高速応答ができないという問題が生じたり、さらには、フィルタの歩留まりが低下するという問題が生じる。
【0007】
本発明は上記背景のもとでなされたものであり、本発明の課題は、フィルタ特性を損なうことなく、フィルタ全体での電極長さを従来よりも減少でき、波長可変範囲が大きい波長可変フィルタを提供することである。また、本発明の課題は、このような波長可変フィルタの基礎となる高消光比で、低損失かつ低コストな波長フィルタを提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
第1発明は波長フィルタであり、入力導波路と、出力導波路と、前記入力導波路に一定間隔で配置された複数の入力導波路側の光結合器と、前記出力導波路に前記一定間隔と異なるか同じ一定間隔で配置された複数の出力導波路側の光結合器と、前記入力導波路と前記出力導波路との間を入力導波路側の前記光結合器と出力導波路側の前記光結合器とを介して接続する複数の接続導波路とを備え、前記入力導波路の入射端から前記接続導波路を通り前記出力導波路の出射端に至る複数の光路長が、前記入射端に近い接続導波路を通る経路から順番に同じ長さの差で増加あるいは減少しており、かつ前記接続導波路の長さが前記入射端に近い接続導波路から順番に同じ長さの差で増加あるいは減少していることにより、出力導波路側の前記複数の光結合器の各々が、前記接続導波路から入射する光と前記出力導波路から入射する光とを干渉させて、前記入力導波路側の光結合器の間隔と前記出力導波路側の光結合器の間隔と前記接続導波路の長さの差とによって決まる同一の波長の光のみを前記出力導波路を伝搬させることを特徴としている。これにより、高消光比、低損失かつ低コストな波長フィルタの実現が可能である。
【0009】
第2発明の波長フィルタは、第1発明において、入力導波路側の前記光結合器の結合係数が前記入射端に近いものほど小さく、かつ、出力導波路側の前記光結合器の結合係数が前記出射端に近いものほど小さいことを特徴とする。これにより、出力スペクトルの消光比等、フィルタ特性が改善される。
【0010】
第3発明は波長可変フィルタであり、第1発明または第2発明において、前記入力導波路と前記出力導波路とのうち、少なくとも一方の屈折率熱、電流注入、電圧印加により変化させる屈折率変化手段を備えることを特徴とする。これにより、従来より短い電極長さで、大きな波長可変範囲を実現することが可能である。この場合、入力導波路または出力導波路に加えて、入力導波路側の光結合器または出力導波路側の光結合器または両方の光結合器を構成する導波路の屈折率も屈折率変化手段で変化させるようにすることにより、波長可変範囲がより大きくなる。
【0011】
第4発明の波長可変フィルタは、出力波長間隔の大きな第1波長可変フィルタと、出力波長間隔の小さな第2波長可変フィルタとが組み合わされた波長可変フィルタであって、少なくとも前記第1波長可変フィルタが第3発明の波長可変フィルタであることを特徴とする。これにより、波長可変域が大きく、かつ、選択波長の透過帯域幅が狭くなる。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
【0013】
本発明では、通常のアレイ導波路グレーティングフィルタ(AWGF)で行われているような入力光を入射側スラブ導波路で広げて導波路アレイに入射させるのではなく、詳細は後述するが、入力光を共通の入力導波路から複数の光結合器を用いて1本ずつ複数の接続導波路に分岐し、それぞれを複数の光結合器を用いて共通の出力導波路に合流することで、波長フィルタを構成する。また、詳細は後述するが、入力導波路または出力導波路の両方あるいは片方の屈折率を変化させることにより、入射端から出射端に至る複数の経路の光路長が順次変化し、波長可変フィルタとして動作する。
【0014】
[第1実施例]
図1に、請求項1に係る発明に関連する波長フィルタの実施例を示す。
【0015】
図1に示される波長フィルタは、例えばInP系の化合物半導体に波長フィルタを構成する導波路を形成したものであり、入力導波路1と、入力導波路1側の複数n個の光結合器3と、出力導波路5と、出力導波路5側の同じく複数n個の光結合器7と、接続導波路アレイ9とを備えている。接続導波路アレイ9は、同じく複数n本の接続導波路11がアレイ状に構成されものである。
【0016】
図1では、入力導波路1と出力導波路5とはわずかながら非平行であり、右側方向に例えば5度などと平行からわずかに開いており、入力導波路1においては左右両端13、15のうち左端13を入射端とし、出力導波路5においては左右両端17、19のうち右端19を出射端としている。従って、光は、入力導波路1では入射端13に入射して矢印21で示すように左から右方向に伝搬し、出力導波路5では矢印23で示すように同じく左から右方向に伝搬して出射端19から出射する。
【0017】
n個の光結合器3は入力導波路1上に一定の等間隔ΔL1で配置されており、n個の光結合器7は出力導波路5上に一定の等間隔ΔL2で配置されている。本例では、入力導波路1側の光結合器3の結合係数を全て同一の値k1とし、また、出力導波路5側の光結合器7の結合係数を全て同一値k2としている。結合係数k1と結合係数k2は互いに異なっていても、あるいは同じでも良い。また、間隔ΔL1と間隔ΔL2は互いに異なっていても、あるいは同じでも良い。
【0018】
接続導波路アレイ9の個々の接続導波路11は入力導波路1と出力導波路5との間を、1つの光結合器3と1つの光結合器7を介して接続している。
【0019】
詳しくは、n個の光結合器3に対し、入射端13に最も近いものを1番目として順に番号i(i:1〜n)を付し、また、n個の光結合器7に対し、出射端19に最も遠いものを1番目として順に番号iを付し、n本の接続導波路11に対し、入射端13に最も近いものを1番目として順に番号iを付すとき、i番目の接続導波路11はi番目の光結合器3とi番目の光結合器7を介して、入力導波路1と出力導波路5との間を接続している。
【0020】
また、i番目の接続導波路11の長さをLiとするとき、本例では、長さLiはi−1番目の接続導波路11の長さLi−1よりもΔLだけ長くしている。
【0021】
従って、入射端13と1番目の光結合器3との距離をLin、出射端19と1番目の光結合器7との距離をLout とすると、入射端13から出射端19までの光路長のうち、i番目の接続導波路11を通る経路の光路長Si はLin+(i−1)ΔL1+Li +Lout −(i−1)ΔL2であるから、i−1番目の接続導波路11を通る経路の光路長Si-1 (=Lin+(i−2)ΔL1+Li-1 +Lout −(i−2)ΔL2)よりも、ΔS(=ΔL1+Li −Li-1 −ΔL2=ΔL1−ΔL2+ΔL)だけ長い。つまり、本例では、入力導波路1の入射端13から各接続導波路11を通り出力導波路5の出射端19に至る複数の光路長は、入射端13に近い接続導波路11を通る経路から順番に同じ長さΔSの差で増加する。なお、ΔL1とΔL2は任意の長さであるが、ΔL1=ΔL2とすれば、ΔS=ΔLとなる。
【0022】
次に、波長フィルタの動作原理を図1を参照して説明する。
【0023】
まず、入射端13から出射端19までの光の伝搬を説明すると、入射端13に入射した入力光は共通の入力導波路1から複数の光結合器3により1本ずつ複数の接続導波路11に分岐し、それぞれが複数の光結合器7により共通の出力導波路5に合流し、出射端19から出射する。
【0024】
そして、図1中、入力導波路1上の左から1番目の光結合器3の配置場所をA点、出力導波路5上の左から2番目の光結合器7の配置場所をB点とすると、A点からB点まで光が進む経路には、入射端13から1番目の接続導波路11を通る経路と、入射端13から2番目の接続導波路11を通る経路との2通りある。この時の距離の差ΔSは次式(1)で与えられる。
ΔS=ΔL1+L2−L1−ΔL2=ΔL1−ΔL2+ΔL ・・・式(1)
【0025】
出力導波路5上の各光結合器7では、接続導波路11から入射する光と出力導波路5から入射する光とが光路長差により干渉し、位相の等しい波長の光のみが出力導波路5を伝搬して次の光結合器7へ至り、それ以外の波長の光は放射損失を受ける。従って、隣り合う接続導波路11間において、入射端13に近い方の接続導波路11から順にΔLずつ長さを増加させていくと、ΔSが常にΔS=ΔL1−ΔL2+ΔLと一定であるから常に同じ波長の光が出力導波路5を伝搬し、それ以外の波長の光は放射損失を受けるため、良好な波長フィルタとして動作する。このとき、出力光となり得る光の波長λ0 は次式(2)を満足する。
λ0 =neff ΔS/m ・・・式(2)
ここで、mは式(2)を満足する任意の整数、neff は実効屈折率である。実効屈折率neff は導波路材料で決まる。ΔSとmは、所望の波長λ0 に対し、比ΔS/mが一定である限り任意の値とすることができる。
【0026】
図1の構成で作製した波長フィルタの透過特性を図2に示す。この場合、接続導波路11を50本、整数mを30とした。また、中心波長が1.55μmとするために、ΔLを13.7μmとし、ΔL1とΔL2を同じ値とした。結局、ΔSは13.7μmである。この時、中心波長での透過率−2.95dB、出力スペクトルの消光比13.2dBが得られ、低損失かつ高消光比の波長フィルタが低コストで実現した。ΔL1=ΔL2であれば、これらの値は任意でよいが、一例として、100μmとされる。ΔL1≠ΔL2の場合は、ΔSは式(1)を満たす。
【0027】
本例では、入射端13から距離が遠くなるに従って隣り合う接続導波路11の長さをΔLずつ増加するように設定したが、逆にΔLずつ減少するように設定しても同様の効果を得ることができる。この場合、入射端13から各接続導波路11を通り出射端19に至る複数の光路長は、入射端13に近い接続導波路11を通る経路から順番に同じ長さΔSの差で減少する。
【0028】
また、図1において、入力導波路1を出力導波路と、出力導波路5を入力導波路と、右端19を入力端と、左端13を出力端とそれぞれ読み替えても、同様の効果を持つ波長フィルタとして動作する。この場合、入射端19から距離が遠くなるに従って隣り合う接続導波路11の長さがΔLずつ減少または増加することになるので、入射端19から各接続導波路11を通り出射端13に至る複数の光路長は、入射端19に近い接続導波路11を通る経路から順番に同じ長さΔSの差で減少または増加する。
【0029】
[第2実施例]
図1では入力導波路1と出力導波路3の中での光の伝搬方向が矢印21、23で示すように同じであるが、逆向きであっても、入射端に入射した入力光が共通の入力導波路1から1本ずつ複数の接続導波路11に分岐し、それぞれが共通の出力導波路5に合流して出射端から出射するように、複数の光結合器3および複数の光結合器7を構成する限り、同様の効果を得ることができる。例えば、入射端を入力導波路1の左端13とし、かつ、出射端を出力導波路5の左端18とするなど、入射端と出射端を左右同じ側とすることにより、入力導波路1と出力導波路3の中での光の伝搬方向が逆向きになる。この態様の一例を図3に示す。
【0030】
図3に示す波長フィルタでは、入力導波路1と出力導波路5とが非平行であり、入力導波路1は出力導波路5よりも上方にて右下がりに位置し、出力導波路5は左下がりに位置しており、入力導波路1と出力導波路5とのうちで間隔が広がっている左側の端13、17をそれぞれ入射端、出射端としている。従って、光は、入力導波路1では入射端13に入射して左から右下がりの方向21に伝搬し、出力導波路5では右から左下がりの方向23に伝搬して出射端17から出射する。
【0031】
そして、図3において、n個の光結合器3については、入射端13に最も遠いものを1番目として順に番号i(i:1〜n)を付し、n個の光結合器4については、出射端17に最も遠いものを1番目として順に番号iを付し、n本の接続導波路11については、入射端13に最も遠いものを1番目として順に番号iを付すとき、i番目の接続導波路11は、i番目の光結合器3とi番目の光結合器7を介して、入力導波路1と出力導波路5との間を接続している。
【0032】
また、図3では、i番目の接続導波路11の長さをLiとするとき、この長さLiはi−1番目の接続導波路11の長さLi−1よりもΔLだけ長くしている。
【0033】
ただし、図3の場合、波長フィルタとして満足する式は、前記式(1)に代えて次式(3)となる。出力光となる光の波長λ0 は前式(2)で与えられる。
ΔS=ΔL1+ΔL2+L1−L2=ΔL1+ΔL2−ΔL ・・・式(3)
【0034】
図3の波長フィルタでは、隣り合う接続導波路11間において入射端13に遠い方の接続導波路11から順にΔLずつ長さが増加しているので、入射端13から各接続導波路11を通り出射端18に至る複数の光路長についていえば、ΔS=ΔL1+ΔL2−ΔL>0の場合は入射端13に近い接続導波路11を通る経路から順番に同じ長さΔSの差で増加し、ΔL1+ΔL2−ΔL<0の場合は入射端13に近い接続導波路11を通る経路から順番に同じ長さの差ΔSで減少する。いずれの場合も、常にλ0 =neff |ΔS|/mを満足する波長λ0 の光が出力導波路5を伝搬し、それ以外の波長の光は放射損失を受けるため、良好な波長フィルタとして動作する。
【0035】
なお、図3において、入力導波路1を出力導波路と、出力導波路5を入力導波路と、左端17を入力端と、左端13を出力端とそれぞれ読み替えても、同様の効果を持つ波長フィルタとして動作する。
【0036】
また、図3では、入射端13に距離が近づくに従って隣り合う接続導波路5の長さをΔLずつ増加するように設定したが、逆にΔLずつ減少するように設定しても同様の効果を得ることができる。
【0037】
さらに、入射端13に距離が近づくに従って隣り合う接続導波路5の長さがΔLずつ減少する態様は、例えば、図3において、入力導波路1の右端15を入射端とし、出力導波路5の右端19を出射端とし、さらに、入射端15に入射した光が共通の入力導波路1から1本ずつ複数の接続導波路11に分岐し、それぞれが共通の出力導波路5に合流して出射端19から出射するように、複数の光結合器3および複数の光結合器7を構成することで、実現できる。ただし、この場合に波長フィルタとして満足する式は、前記式(3)に代えて次式(4)となる。出力光となる光の波長λ0 は前式(2)で与えられる。そして、入射端15から距離が遠くなるに従って隣り合う接続導波路11の長さをΔLずつ増加すれば、入射端15から各接続導波路11を通り出射端19に至る複数の光路長は、入射端15に近い接続導波路11を通る経路から順番に、次式(4)で与えられる同じ長さΔSの差で増加する。
ΔS=ΔL1+ΔL2+ΔL ・・・式(4)
【0038】
[第3実施例]
次に、請求項2に係る発明に関連する波長フィルタを図4に示す。
【0039】
図4に示される波長フィルタは、図1に示した波長フィルタと比べると、入力導波路1に配置した光結合器3の結合係数が左端(入射端)13に近いものほど小さく、かつ、出力導波路5に配置した光結合器4の結合係数が右端(出射端)19に近いものほど小さい点と、これらの光結合器3、4として方向性結合器を用いている点が異なり、他は同じである。図4中で、図1と同じ機能部分には同じ符号を付して説明の重複を省く。
【0040】
方向性結合器は2つの導波路の間隔が狭いほど、また、近接して光が進行している部分の距離が長いほど、結合係数が大きくなる。
【0041】
図4においては、光結合器3および光結合器7ともに、C部中の1つの導波路を拡大して示すように、ストリップ装架型導波路25を用いて構成した方向性結合器を用いている。これは、短い距離で大きな結合係数を得るためである。
【0042】
ストリップ装架型導波路25はコア層27と、コア層27の直上までエッチングされて光伝搬方向に沿って凹凸形状をなす上部クラッド層29と、下部クラッド層31で構成される。
【0043】
図4の波長フィルタでは、光結合器3に相当する位置毎に、接続導波路11の端部が入力導波路1に近接しており、この近接領域では、接続導波路11の端部と入力導波路1はともにストリップ装架型導波路25となり、かつ、上部クラッド層29の凹部どうしが並んでいる。従って、入力導波路1の上部クラッド層29の凹部から接続導波路11の上部クラッド層29の凹部へ光が漏れ、短い距離で大きな結合が得られる。
【0044】
同様に、光結合器7に相当する位置毎に、接続導波路11の端部が出力導波路5に近接しており、近接した領域では、接続導波路11の端部と出力導波路5はともにストリップ装架型導波路25となり、かつ、上部クラッド層29の凹部どうしが並んでいる。従って、接続導波路11の上部クラッド層29の凹部から出力導波路5の上部クラッド層29の凹部へ光が漏れ、短い距離で大きな結合が得られる。
【0045】
そして、入力導波路1側の光結合器3について、入射端13から離れるものほど結合係数を大きくなるように、導波路間隔を狭く、かつ、近接している部分の距離を長くしている。また、出力導波路5側の光結合器7についても、出射端19から離れるものほど結合係数が大きくなるように、導波路間隔を狭く、かつ、近接している部分の距離を長くしている。言い換えれば、入射端13に近づくものほど光結合器3の結合係数が小さくなり、出射端19に近づくものほど光結合器4の結合係数が小さくなっている。
【0046】
詳細には、以下のようにして、光結合器3、7の結合係数を変えている。
(1) 仮に、結合係数が同じ、つまり近接した導波路長さが同じ方向性結合器で全ての光結合器3、7を作製したと考えた場合に、隣り合う光結合器3どうしがΔL1の一定間隔で、また、隣り合う光結合器7どうしがΔL2の一定間隔となるように方向性結合器を構成する接続導波路11を配置することを考える。この時の接続導波路11の各先端位置Po を基準位置とする。
(2) そして、結合係数が小さいものほど、光結合器3については、それの接続導波路11の先端位置を基準位置Po よりも入力端13から離し、入力導波路1との近接部分の長さを短くする。同様に、光結合器7については、結合係数が小さいものほど、それの接続導波路11の先端位置を基準位置Po よりも出力端19から離し、出力導波路5との近接部分の長さを短くする。
(3) 一方、結合係数が大きいものほど、光結合器3については、それの接続導波路11の先端位置を基準位置Po よりも入力端13に近づけ、入力導波路1との近接部分の長さを長くする。同様に、光結合器7については、結合係数が大きいものほど、それの接続導波路11の先端位置を基準位置Po よりも出力端19に近づけ、出力導波路5との近接部分の長さを長くする。
【0047】
このように、入射端13に近づくものほど光結合器3の結合係数が小さく、かつ、出射端19に近づくものほど光結合器7の結合係数が小さくなっていることにより、出力スペクトルの消光比等、波長フィルタの特性が改善される。
【0048】
その理由を以下に示す。
(1) 前述のように、出力導波路5側の光結合器7では、出力導波路5を伝搬してきた光と入力導波路1から光結合器3で分岐されて接続導波路11を伝搬してきた光とが干渉を起こし、このとき、位相の合った波長の光のみが出力導波路5を伝搬して次の光結合器7に向かって伝搬し、これが繰り返すことにより強い共振ピークを持つ波長フィルタとして動作する。
(2) しかし、この共振を起こすときの2つの導波路(図4では、出力導波路5と接続導波路)からの入力光の強度比が各光結合器7毎に急激に変化していくと、図2に示すようにサイドローブが発生する。
(3) そこで、入射端13に近い光結合器3ほどその結合係数を小さく、かつ、出射端19に近い光結合器7ほどその結合係数を小さくすることにより、共振を起こすときの2つの導波路から入力光の強度比が各光結合器で変化しなかったり、徐々に変化するようにでき、サイドローブが小さくなる。つまり、消光比が改善される。
【0049】
図5に、図4の構成で作製した波長フィルタの透過特性33を実線で示す。なお、接続導波路11を50本、整数mが30とした。また、中心波長が1.55μmとなるようにΔLを13.7μm、ΔL1=ΔL2とした。参考のために結合係数を全ての光結合器で同じにした場合の透過特性35を破線で示しているが、上記のように光結合器3、7の結合係数を変えて設定した波長フィルタの方が消光比が20dB以上改善されていることが判る。
【0050】
消光比改善のためには、本例のように、入射端13に近い光結合器3ほどその結合係数を小さく、かつ、出射端19に近い光結合器7ほどその結合係数を小さくすることが好ましいが、光結合器3についてのみ入射端13に近いものほどどの結合係数を小さくしたり、あるいは、光結合器7についてのみ出射端19に近いものほどその結合係数を小さくすることでも、一定の消光比改善効果が得られる。
【0051】
[第4実施例]
次に、請求項2に係る発明に関連する別の波長フィルタを図6に示す。
【0052】
図6に示す波長フィルタは、図4に示した波長フィルタと比べると、方向性結合器に代えて、マルチモードカップラー37、39を用いたマッハツェンダー干渉計で、入力導波路1側の光結合器3および出力導波路5側の光結合器7を構成した点が異なり、光結合器3の結合係数が入射端13に近いものほど小さく、かつ、光結合器7の結合係数が出射端19に近いものほど小さい点など、他は同じである。図6中で、図4と同じ機能部分には同じ符号を付して説明の重複を省く。
【0053】
通常、マッハツェンダー干渉計では2本のアーム41、43の光路長が等しい場合にはクロスポート45に全ての光が出力し、バーポート47に出力はない。これは、光結合器3、7の結合係数が0の場合に相当する。
【0054】
図6に示す各マッハツェンダー干渉計では、ともにテーパ導波路を持っている2本のアーム41、43のうち片方のアーム43のみに、もう片方のアーム41とは幅が異なる細い導波路49を接続している。ただし、2本のアーム41、43の長さは物理的には同じにされている。
【0055】
詳細には、アーム41、43にはともに、太い導波路に連なり幅が次第に細くなるテーパ導波路と、幅が次第に太くなって太い導波路に連なるテーパ導波路とがついている。そして、アーム41では、2つのテーパ導波路を細い部分どうしで直接、言い換えれば長さ0の導波路で接続している。アーム43では、2つのテーパ導波路の細い部分どうしを、2本のアーム41、43の物理的な長さが同じであることを条件に、細い導波路49で接続している。この導波路49の幅は、アーム41における2つのテーパ導波路の接続点での幅と同じにしている。
【0056】
このように、2本のアーム41、43のうち片方のアーム43のみ幅が異なる細い導波路49を接続したマッハツェンダー干渉計は、光結合器として動作する。つまり、導波路幅が異なることにより、2本のアーム41、43間で実効屈折率が異なるため、物理的には同じ長さのアーム41、43でも光路長が異なり、バーポート47にもアーム41、43間の光路長差に応じて光が出力する。
【0057】
さらに、入力導波路1側の各光結合器3を構成するマッハツェンダー干渉計では、導波路49の長さD1を光結合器3が入射端13から離れるに従って長くし、これによって入射端13に近い光結合器3ほど結合係数を小さくしている。同様に、出力導波路5上の各光結合器7を構成するマッハツェンダー干渉計でも、導波路49の長さD2を光結合器7が出射端19から離れるに従って長くし、これによって出射端19に近い光結合器7ほど結合係数を小さくしている。なお、導波路49が接続されたアーム43全体の物理的長さは変えていない。
【0058】
図7に、幅の細い導波路49の長さD1、D2と、バーポート47へ出力する光の振幅(光結合器の結合係数に相当する)との関係を示す。図7から明らかなように、結合係数が長さD1、D2にほぼ比例して増加することが判る。
【0059】
図6では、このようなマッハツェンダー干渉計を入力導波路1および出力導波路5にそれぞれ配置して光結合器3、光結合器7とし、入力導波路1側のマッハツェンダー干渉計のバーポート47と、出力導波路5側のマッハツェンダー干渉計のバーポート47とを接続導波路11により接続している。
【0060】
つまり、入力導波路1においては、導波路49の長さD1をマッハツェンダー干渉計が入射端13から離れるに従って長くしたことにより、光結合器3の結合係数が入射端13に近いものほど小さくなっている。同様に、出力導波路5においては、導波路49の長さD2をマッハツェンダー干渉計が出射端19から離れるに従って長くしたことにより、光結合器7の結合係数が出射端19に近いものほど小さくなっている。
【0061】
そのため、図6に示した波長フィルタも、図5と同様の消光比が高い透過特性が得られた。
【0062】
本例では、アーム41の2つの導波路が細い部分どうしで直接で接続されているが、これに代えて一定長さの細い導波路で接続されていても良い。
【0063】
[第5実施例]
次に、請求項3に係る発明に関連する波長可変フィルタを図8に示す。
【0064】
図8に示す波長可変フィルタは、図1あるいは図4に示した波長フィルタと比べると、導波路構造は同じであるが、入力導波路1の屈折率を屈折率変化手段51と、出力導波路5の屈折率変化させる屈折率変化手段53とを設けた点が異なる。52は屈折率変化手段51に対する給電路、54は屈折率変化手段53に対する給電路である。図8中で、図1あるいは図4と同じ機能部分には同じ符号を付して説明の重複を省く。
【0065】
入力導波路1の屈折率のみが変化しても、出力導波路5の屈折率のみが変化しても、あるいは、両方の屈折率が変化しても、以下に述べるように選択波長が変化するので、波長可変フィルタとして動作する。また、入力導波路1や出力導波路5だけでなく、それらの光結合器3、7を含めて、つまり、入力導波路1や出力導波路5と光結合する光結合器3、7側の導波路にも屈折率変化手段51、屈折率変化手段53を設けることにより、同様に選択波長が変化する。
【0066】
本例では、屈折率変化手段51を入力導波路1に対して、左端の光結合器3から右端の光結合器3に至る間の全長にわたって設けている。同様に、屈折率変化手段53も出力導波路5に対して、左端の光結合器7から右端の光結合器7に至る間の全長にわたって設けている。
【0067】
従って、図1あるいは図4と導波路構造が同じ図8の波長フィルタでは、入力導波路1の屈折率がneff からΔneff だけ変化したとすると、波長変化分Δλは、前述の式(1)、式(2)より、次式(5)で与えられる。
Δλ=Δneff ΔL1/m ・・・式(5)
【0068】
また、図1あるいは図4と導波路構造が同じ図8の波長フィルタでは、出力導波路5の屈折率がneff からΔneff だけ変化したとすると、波長変化分Δλは、前述の式(1)、式(2)より、次式(6)で与えられる。
Δλ=−Δneff ΔL2/m ・・・式(6)
【0069】
図3と導波路構造が同じ波長フィルタでは、入力導波路1の屈折率がneff からΔneff だけ変化した場合は、波長変化分Δλは前述の式(5)で与えられるが、出力導波路5の屈折率がneff からΔneff だけ変化した場合は、波長変化分Δλは前述の式(6)に変えて、次式(7)で与えられる。
Δλ=Δneff ΔL2/m ・・・式(7)
【0070】
式(5)、式(6)、式(7)から明らかなように、屈折率変化手段51、53を備えた波長可変フィルタでは、その波長可変量がΔL1、ΔL2に比例することが判る。この場合、ΔL1、ΔL2は任意の値をとることが可能であるため、通常のグレーティングなどと比較して、大きな波長可変範囲を持つことができる。
【0071】
光結合器3を含めて屈折率変化手段51により入力導波路1の屈折率を変化させる場合は、式(5)中のΔL1に光結合器3の長さが含められる。従って、その分、波長変化分Δλが大きくなる。また、光結合器7を含めて屈折率変化手段53により出力導波路5の屈折率を変化させる場合は、式(6),式(7)中のΔL2に光結合器7の長さが含められる。従って、その分、波長変化分Δλが大きくなる。
【0072】
なお、屈折率変化手段51を入力導波路1に対して、光結合器3間毎に一定長さΔL3(ΔL3<ΔL1)ずつ間欠的に設けることもできる。この場合、波長変化分Δλは、式(5)中のΔL1をΔL3と読み替えれることで与えられる。同様に、屈折率変化手段53も出力導波路5に対して、光結合器7間毎に一定長さΔL4(ΔL4<ΔL2)ずつ間欠的に設けることもできる。この場合、波長変化分Δλは、式(6)、式(7)中のΔL2をΔL4と読み替えれることで与えられる。
【0073】
本例では、図9に示す構造のエピタキシャル半導体基板55により波長フィルタを構成する導波路を形成し、さらに、電流注入により入力導波路1の屈折率を変化させるために電極を入力導波路1に対して左端の光結合器3から右端の光結合器3に至る間の全長にわたって設けてダイオードとすることで、屈折率変化手段51を構成し、また、電流注入により出力導波路5の屈折率を変化させるために電極を出力導波路5に対して左端の光結合器7から右端の光結合器7に至る間の全長にわたって設けてダイオードとすることで、屈折率変化手段53を構成している。電流注入により、入力導波路1および/または出力導波路5の屈折率が変化するため、選択波長が変化し、波長可変フィルタとして動作する。なお、波長フィルタを形成する半導体基板がPIN構造であれば、電極を設けるだけでダイオードが構成される。
【0074】
詳細には、エピタキシャル半導体基板55はn型InP基板57上に、nドープしたInP層59、ノンドープのInGaAsP層61、P- ドープしたInP層63、P+ ドープしたInP層65およびP+ ドープしたInGaAs層67を積層したものである。
【0075】
nドープのInP層59はクラッド層であり、ドーピング濃度を1×1018cm-3としている。ノンドープのInGaAsP層61はコア層であり、膜厚を0.5μmとしている。P- ドープのInP層63はクラッド層であり、膜厚1.2μm、ドーピング濃度5×1017cm-3としている。P+ ドープのInP層65はクラッド層であり、膜厚0.3μm、ドーピング濃度1×1018cm-3としている。P+ ドープのInGaAs層67はコンタクト層であり、膜厚30μm、ドーピング濃度8×1018cm-3としている。
【0076】
このエピタキシャル半導体基板55により、入力導波路1、入力導波路1側のΔL1等間隔の複数の光結合器3、出力導波路5、出力導波路2側のΔL2等間隔の複数の光結合器7、および、光結合器3と光結合器7を介して入力導波路1と出力導波路3との間を接続する複数の接続導波路11が形成されている。
【0077】
そして、エピタキシャル半導体基板55のP+ ドープされたInGaAs層67の表面のうち、入力導波路1に対応する部分および各光結合器3の入力導波路1と結合する部分の上にAuZnNi電極層を形成し、これに対向してn型InP基板57の裏面にAuGeNi電極層を形成することで、屈折率変化手段51としている。
【0078】
同様に、P+ ドープされたInGaAs層67の表面のうち、出力導波路5に対応する部分および各光結合器7の出力導波路5と結合する部分の上にAuZnNi電極層を形成し、これに対向してn型InP基板57の裏面に長さAuGeNi電極層を形成することで、屈折率変化手段53としている。
【0079】
図10に、上述した電流注入による屈折率変化手段51、53を備えた波長可変フィルタのチューニング特性を示す。図10中、特性69は電流注入しない場合の透過特性を示し、特性71は屈折率変化手段51で電流注入により入力導波路1の屈折率を−0.1%変化させた場合の透過特性を示し、特性73は屈折率変化手段53で電流注入により出力導波路5の屈折率を−0.1%変化させた場合の透過特性を示している。
【0080】
以下に、電流注入による屈折率変化手段51、53を備えた場合について、図8の波長可変フィルタにおける波長可変量Δλを説明する。
【0081】
前述したように、図8の導波路構成の波長可変フィルタでは、電流注入により屈折率がΔneff 変化すると波長可変量Δλは前述の式(5)で与えられ、電流注入により屈折率がΔneff 変化すると波長可変量Δλは前述の式(6)で与えられる。
Δλ=Δneff ΔL1/m ・・・式(5)
Δλ=−Δneff ΔL2/m ・・・式(6)
【0082】
これらの式(5)、式(6)から明らかなように、図8に示した波長可変フィルタでは、その波長可変量がΔL1、ΔL2に比例することが判る。この場合、ΔL1、ΔL2は任意の値をとることが可能であるため、通常のグレーティングなどと比較して、大きな波長可変範囲を持つことができる。
【0083】
そして、電流注入により屈折率を変化させた場合は、電流量に従って屈折率が減少するため屈折率変化量Δneff は負の値になるので、入力導波路1側の電極から電流注入した場合は中心波長は図10の透過特性71のように短波長側にシフトし、出力導波路5側の電極から電流注入した場合は中心波長は図10の透過特性73のように長波長側にシフトする。この場合、屈折率変化率(Δneff /neff )が0.1%では、30nm以上の大きな波長可変範囲が得られた。電流注入量は50mA程度で良く、従来例に比べて大幅な低消費電力化が可能である。
【0084】
すなわち、従来のグレーティングやリング共振器での波長可変量Δλは、Δλ/λo =Δneff /nで表され、Δneff /nが電流注入では0.3%程度なので、中心波長λo が1.55μmの場合は5nm程度と小さいのに対し、0.1%のΔneff /neff で30nmという大きな波長可変量が得られた。
【0085】
また、従来のAWGFの電極全長に比べ、屈折率変化手段51を構成する電極の全長は、接続導波路11の数(光結合器3の数)をNとするとΔL1×(N−1)となり、また、屈折率変化手段53を構成する電極の全長は、接続導波路11の数(光結合器7の数)をNとするとΔL2×(N−1)となるから、電極全長が短縮する。
【0086】
このような作用効果の相違は、判り易くいうと次の通りである。すなわち、グレーティングやリング共振器では共振波長を決める部分が直接屈折率変化させているのに対し、本例では、共振波長(中心波長)を決めるのは式(1)等から判るように主として隣り合う接続導波路11の長さの差ΔLであり、波長を変えるのは入力導波路1あるいは出力導波路5の屈折率であるというように、役割が異
【0087】
以上により、従来では実現できなかったアレイ導波路グレーティング型の半導体波長可変フィルタが実現可能である。
【0088】
上記説明では、屈折率変化手段51、53として電流注入により屈折率を変化させる手段を用いたが、これに限らず、熱で屈折率を変化させる手段や電圧印加(電界)で屈折率を変化させる手段などを用いることができる。
【0089】
熱により屈折率を変化させる場合は、図9のエピタキシャル基板25の5つの層59〜67を全てドーピングを行わない”ノンドープ層”とした基板(InP基板上に、ノンドープのInP層、ノンドープのInGaAsP層、ノンドープのInP層、ノンドープのInP層およびノンドープのInGaAs層を積層した基板)により図8の波長フィルタを形成する。そして、電極に代えてヒータとして入力導波路1および/または出力導波路5(必要あれば、これらと結合する各光結合器3、7の導波路部分)の上に例えばクロム膜を蒸着して屈折率変化手段51、53とする。この場合、ヒータにより熱を加えて導波路の温度が上昇すると、上述した半導体の屈折率変化とは異なり、屈折率が大きくなるので、中心波長は逆方向にシフトする。つまり、入力導波路1を加熱した場合は中心波長が長波長側にシフトし、出力導波路5を加熱した場合は中心波長は短波長側にシフトする。
【0090】
電圧印加により屈折率を変化させる場合は、コア層(ノンドープのInGaAsP層)61を除いて図9と同じ構成のエピタキシャル基板により図8の波長フィルタを形成する。コア層には、例えばInGaAlAs(8.6nm)/InAlAs(5nm)が30層繰り返して積層されたノンドープ多重量子井戸構造を用いる。すなわち、InP基板57上に、nドープInP層59、上記ノンドープ多重量子井戸構造層、P- ドープInP層63、P+ ドープInP層65およびP+ ドープInGaAs層67を積層したエピタキシャル基板により、図8の波長フィルタを形成する。そして、電流注入の場合と同様に、入力導波路1および/または出力導波路5(必要あれば、これらと結合する各光結合器3、7の導波路部分)の表裏に電極を形成して屈折率変化手段51、53とする。表裏の電極間には逆バイアス電圧を印加する。この場合、エキシトンピーク波長は1.44μmである。逆バイアス電圧が大きくなるに従って屈折率が大きくなるため、中心波長は逆方向にシフトする。つまり、入力導波路1に電圧印加した場合は中心波長が長波長側にシフトし、出力導波路5に電圧印加した場合は中心波長は短波長側にシフトする。
【0091】
[第6実施例]
次に、請求項4に係る発明に関連する波長可変フィルタを図11に示す。
【0092】
図11に示す波長可変フィルタは、波長間隔(FSR)の大きな第1波長可変フィルタ75aと、波長間隔(FSR)の小さな第2波長可変フィルタ75bとを組み合わせるものであり、このような組み合わせにより、大きな波長可変域を持ち、かつ、選択波長の透過帯域を狭くすることが可能である。このため、波長多重伝送する場合の信号光の周波数間隔を狭めることが可能となり、多くの波長数を一度に伝送可能である。
【0093】
詳細は後述するが、本例では、第1波長可変フィルタ75aにはm=30(FSR50nm)とした請求項3に係る発明に関連する波長可変フィルタを使用し、第2波長可変フィルタ75bにはm=300(FSR5nm)とした請求項3に係る発明に関連する波長可変フィルタを使用し、第1波長可変フィルタ75aを前段、第2波長可変フィルタ75bを後段にして従続接続している。
【0094】
第1波長可変フィルタ75aの導波路構造は、入力導波路1と出力導波路5とが非平行で左側で狭まっている点を除いて、図8に示した波長フィルタと同様であり、入力導波路側の屈折率変化手段(例えば電流注入による屈折率変化手段)51と、出力導波路側の屈折率変化手段(例えば電流注入による屈折率変化手段)53を備える。
【0095】
従って、図11に示す第1波長可変フィルタ75aは、左下の入射端13に入射した入力光は共通の入力導波路1から複数の光結合器3により1本ずつ複数の接続導波路11に分岐し、それぞれが複数の光結合器7により共通の出力導波路5に合流し、右上の出射端19から出射することで波長フィルタとして動作し、さらに、屈折率変化手段51で入力導波路1の屈折率を変化させたり、屈折率変化手段53で出力導波路5の屈折率を変化させることで、選択波長が可変となっている。
【0096】
図12に、m=30、FSR=50nm、屈折率を変化させないときの中心波長1.55μmとした場合の第1波長可変フィルタ75aの透過特性77aを破線で示す。
【0097】
第2波長可変フィルタ75bの導波路構造も、入力導波路1と出力導波路5とが非平行で左側で狭まっている点を除いて、図8に示した波長フィルタと同様であり、入力導波路側の屈折率変化手段(例えば電流注入による屈折率変化手段)51と、出力導波路側の屈折率変化手段(例えば電流注入による屈折率変化手段)53を備える。
【0098】
従って、第2波長可変フィルタ75bも、図11に示すように、左下の入射端13に入射した入力光は共通の入力導波路1から複数の光結合器3により1本ずつ複数の接続導波路11に分岐し、それぞれが複数の光結合器7により共通の出力導波路5に合流し、出射端19から出射することで波長フィルタとして動作し、さらに、屈折率変化手段51で入力導波路1の屈折率を変化させたり、屈折率変化手段53で出力導波路5の屈折率を変化させることで、選択波長が可変となっている。
【0099】
図12に、m=300、FSR=5nm、屈折率を変化させないときの中心波長1.55μmとした場合の第2波長可変フィルタ75bの透過特性77bを破線で示す。
【0100】
そして、第1波長可変フィルタ75aの右上の出射端19に第2波長可変フィルタ75bの左上の入射端13を接続することにより、全体として、大きな波長可変域を持ち、かつ、選択波長の透過帯域が狭い波長可変フィルタを構成している。第1波長可変フィルタ75aの右上の出射端19と第2波長可変フィルタ75bの左上の入射端13とは、適宜な導波路で接続しても良く、あるいは、一致させて形成しても良い。
【0101】
図12に、図11に示す波長可変フィルタ全体の透過特性79を示す。
【0102】
図12に示されるように、測定した波長範囲で、だだ1つの波長(1.55μm)のみを選択できていることが判る。言い換えれば、m=30の第1波長可変フィルタ75aのFSR50nmのうち、だだ1つの波長が選択できていることになる。
【0103】
図11において、第1波長可変フィルタ75aに比べて第2波長可変フィルタ75bの方が大きな角度で入出力導波路間が広がっているが、これは、式(2)より中心波長λo が同じでmを大きくするにはΔSも大きくする必要があり、その結果隣り合う接続導波路11間の長さの差ΔLが大ききなるからである。
【0104】
図11に示す波長可変フィルタにおいては、FSRの大きな第1波長可変フィルタ75aを前段とし、FSRの小さな第2波長可変フィルタ75bを後段として従続接続しているが、これとは逆に、FSRの小さな第2波長可変フィルタ75bを前段とし、FSRの大きな第1波長可変フィルタ75aを後段として従続接続しても良く、同様の効果が得られる。
【0105】
図11に示す波長可変フィルタにおいては、FSRの小さな第2波長可変フィルタ75bは、請求項3に係る発明の波長可変フィルタだけなく、例えば、グレーティングやリング共振器などでも実現可能である。
【0106】
ただし、FSRの大きな第1波長可変フィルタ75aを実現できるのは、請求項3に係る発明の波長可変フィルタのみである。
【0107】
上記各実施例の説明では、InP系の化合物半導体により形成される導波路を波長フィルタおよび波長可変フィルタの構成に用いたが、GaAs系の化合物半導体で形成した導波路や、SiとSiO2 やポリイミド等とで構成されるシリコン細線導波路でも、同様に波長フィルタおよび波長可変フィルタを実現することができる。さらに、半導体光アンプを入力導波路1や出力導波路5に集積して備えることにより、波長フィルタおよび波長可変フィルタの損失をなくすことができる。また、波長フィルタおよび波長可変フィルタの出射端に受光素子を集積して備えることが可能であり、この場合は、波長フィルタまたは波長可変フィルタを透過した光信号を電気信号に変換して取り出すことができる。
【0108】
上記各実施例の説明では、入力導波路1と出力導波路5が非平行であるが、発明の原理上は、入力導波路1と出力導波路5は平行であっても何ら差し支えない。入力導波路1と出力導波路5とが非平行であると、各接続導波路11の形状を長さを除いてほとんど変えることなく、隣り合う接続導波路11を同じ長さの差ΔLで順に増加あるいは減少させることができるという利点があり、接続導波路アレイ5の形成が容易になる。言い換えれば、長さを除いてほぼ同一形状の接続導波路11を長さの順に並べれば、ΔL、ΔL1およびΔL2に応じた角度で、入力導波路1と出力導波路5が非平行になる。入力導波路1と出力導波路5が平行の場合には、接続導波路11毎に形状を異ならせることで、隣り合う接続導波路11を同じ長さの差ΔLで順に増加あるいは減少させることができる。
【0109】
【発明の効果】
本発明によれば、以上の説明から判るように、波長フィルタおよび波長可変フィルタを、高消光比、低損失かつ低コストで実現することが可能である。また、本発明の波長可変フィルタは、大きな波長可変範囲を実現することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例に係る波長フィルタを示す図。
【図2】図1の波長フィルタの透過特性を示す図。
【図3】本発明の第2実施例に係る波長フィルタを示す図。
【図4】本発明の第3実施例に係る波長フィルタを示す図。
【図5】図4の波長フィルタの透過特性を示す図。
【図6】本発明の第4実施例に係る波長フィルタを示す図。
【図7】図6に用いた光結合器の特性を示す図。
【図8】本発明の第5実施例に係る波長可変フィルタを示す図。
【図9】図8の波長可変フィルタで用いたエピタキシャル基板の構成を示す図。
【図10】図8の波長可変フィルタの波長チューニング特性を示す図。
【図11】本発明の第6実施例に係る波長可変フィルタを示す図。
【図12】図11の波長可変フィルタの透過特性を示す図。
【図13】従来の波長可変フィルタの構成を示す図。
【符号の説明】
1 入力導波路
3 入力導波路側の光結合器
5 出力導波路
7 出力導波路側の光結合器
9 接続導波路アレイ
11 接続導波路アレイの個々の接続導波路
13 入力導波路の左端
15 入力導波路の右端
17 出力導波路の左端
19 出力導波路の右端
21 入力導波路上の光伝搬方向を示す矢印
23 出力導波路上の光伝搬方向を示す矢印
25 ストリップ装架型導波路
27 コア層
29 上部クラッド層
31 下部クラッド層
33 図4の構成で作製した波長フィルタの透過特性
35 結合係数を全ての光結合器で同じにした場合の透過特性
37、39 マルチモードカップラー
41、43 マッハツェンダー干渉計の2本のアーム
45 クロスポート
47 バーポート
49 片方のアームに接続した細い導波路
51 入力導波路側の屈折率変化手段
52 給電路
53 出力導波路側の屈折率変化手段
54 給電路
55 エピタキシャル基板
57 n型InP基板
59 nドープのInP層
61 ノンドープのInGaAsP層
63 P- ドープのInP層
65 P+ ドープのInP層
67 P+ ドープのInGaAs層
69 図8の構成で作製した波長可変フィルタの透過特性
71 入力導波路に電流注入した場合の透過特性
73 出力導波路に電流注入した場合の透過特性
75a 第1波長可変フィルタ(波長間隔の大きな波長可変フィルタ)
75b 第2波長可変フィルタ(波長間隔の小さな波長可変フィルタ)
77a 第1波長可変フィルタの透過特性
77b 第2波長可変フィルタの透過特性
79 図11の構成で作製した波長可変フィルタの透過特性[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a wavelength filter and a wavelength tunable filter, which are important optical components that support wavelength-multiplexed large-capacity optical communication.
[0002]
[Prior art]
In recent years, due to the explosive increase in traffic on the Internet, transmission capacity has been increased using wavelength multiplexing for transmission between nodes. A wavelength filter or a wavelength tunable filter is an important optical component indispensable in such wavelength division multiplexing transmission.
[0003]
Under such circumstances, as shown in FIG. 13, a tunable filter using an arrayed waveguide grating filter (AWGF) has been proposed. In FIG. 13, an AWG (arrayed waveguide grating) is formed by connecting a
[0004]
[Non-Patent Document 1]
ELECTRONICS LERTTERS Vol.36, No.7, pp.658-660 (2000), Fig.1
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
In the arrayed waveguide grating filter, since the optical path length difference between adjacent waveguides 104 in the waveguide array 103 is different by a certain length, the arrayed waveguide grating filter is operated as a wavelength filter. In addition, it is necessary to change by a certain length Δs between the adjacent waveguides 104. For this reason, the length of the selective wavelength variable electrode 107 is the longest (N−1) × Δs, where N is the number of waveguides of the waveguide array 103, and the electrode length of the entire filter is N × (N− 1) It becomes large with xΔs / 2.
[0006]
For this reason, there is a problem that the power consumption increases and the problem of heat generation occurs, the problem that the electrostatic capacity increases and the high-speed response cannot be performed, and the yield of the filter decreases.
[0007]
The present invention has been made under the above background, and an object of the present invention is to provide a wavelength tunable filter that can reduce the electrode length of the entire filter without impairing the filter characteristics, and has a large wavelength tunable range. Is to provide. Another object of the present invention is to provide a low-loss and low-cost wavelength filter with a high extinction ratio that is the basis of such a wavelength tunable filter.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
A first invention is a wavelength filter, an input waveguide, an output waveguide, a plurality of input waveguide side optical couplers arranged at regular intervals in the input waveguide, and the regular intervals in the output waveguide. A plurality of optical couplers on the output waveguide side, which are arranged at regular intervals different from each other, and between the input waveguide and the output waveguide, the optical couplers on the input waveguide side and the output waveguide side A plurality of connection waveguides connected via the optical coupler, and a plurality of optical path lengths from the incident end of the input waveguide to the output end of the output waveguide through the connection waveguide The length of the connection waveguide is increased or decreased in order from the path passing through the connection waveguide near the end, and the length of the connection waveguide is the same difference in order from the connection waveguide near the incident end. Increase or decrease in Thus, each of the plurality of optical couplers on the output waveguide side causes the light incident from the connection waveguide to interfere with the light incident from the output waveguide, so that the optical coupler on the input waveguide side Propagate only light of the same wavelength determined by the interval, the interval between the optical couplers on the output waveguide side, and the difference between the lengths of the connection waveguides. It is characterized by. As a result, it is possible to realize a wavelength filter with a high extinction ratio, low loss, and low cost.
[0009]
The wavelength filter of the second invention is the wavelength filter according to the first invention, wherein the coupling coefficient of the optical coupler on the input waveguide side is smaller as it is closer to the incident end, and the coupling coefficient of the optical coupler on the output waveguide side is smaller. The closer to the exit end, the smaller. This improves the filter characteristics such as the extinction ratio of the output spectrum.
[0010]
A third invention is a wavelength tunable filter. In the first or second invention, at least one of the refractive index heat, the current injection, and the voltage sign of the input waveguide and the output waveguide. In addition Refractive index changing means for changing it further is provided. As a result, it is possible to realize a large wavelength variable range with a shorter electrode length than before. In this case, in addition to the input waveguide or the output waveguide, the refractive index of the waveguide constituting the optical coupler on the input waveguide side or the optical coupler on the output waveguide side or both optical couplers is also changed by the refractive index changing means. By making it change at, the wavelength variable range becomes larger.
[0011]
A wavelength tunable filter according to a fourth aspect of the present invention is a wavelength tunable filter in which a first wavelength tunable filter having a large output wavelength interval and a second wavelength tunable filter having a small output wavelength interval are combined, and at least the first wavelength tunable filter. Is the wavelength tunable filter of the third invention. Thereby, the wavelength variable range is large and the transmission bandwidth of the selected wavelength is narrowed.
[0012]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
[0013]
In the present invention, the input light, which is performed by a normal arrayed waveguide grating filter (AGFF), is not expanded by the incident-side slab waveguide and is incident on the waveguide array. Is branched from a common input waveguide into a plurality of connection waveguides one by one using a plurality of optical couplers, and each is joined to a common output waveguide using a plurality of optical couplers. Configure. Although details will be described later, by changing the refractive index of both or one of the input waveguide and the output waveguide, the optical path lengths of a plurality of paths from the incident end to the output end are sequentially changed, and the wavelength variable filter is obtained. Operate.
[0014]
[First embodiment]
FIG. 1 shows an embodiment of a wavelength filter related to the invention according to
[0015]
The wavelength filter shown in FIG. 1 is formed, for example, by forming a waveguide constituting a wavelength filter on an InP-based compound semiconductor, and includes an
[0016]
In FIG. 1, the
[0017]
The n
[0018]
Each connection waveguide 11 of the connection waveguide array 9 connects the
[0019]
Specifically, the number i (i: 1 to n) is sequentially assigned to the n
[0020]
Further, when the length of the i-th connection waveguide 11 is Li, in this example, the length Li is longer than the length Li-1 of the i-1th connection waveguide 11 by ΔL.
[0021]
Therefore, if the distance between the
[0022]
Next, the operation principle of the wavelength filter will be described with reference to FIG.
[0023]
First, the propagation of light from the
[0024]
In FIG. 1, the placement location of the first
ΔS =
[0025]
In each
λ 0 = N eff ΔS / m (2)
Here, m is an arbitrary integer satisfying the formula (2), n eff Is the effective refractive index. Effective refractive index n eff Is determined by the waveguide material. ΔS and m are the desired wavelengths λ 0 On the other hand, any value can be used as long as the ratio ΔS / m is constant.
[0026]
FIG. 2 shows the transmission characteristics of the wavelength filter manufactured with the configuration of FIG. In this case, the number of connection waveguides 11 is 50, and the integer m is 30. In order to set the center wavelength to 1.55 μm, ΔL was set to 13.7 μm, and ΔL1 and ΔL2 were set to the same value. After all, ΔS is 13.7 μm. At this time, a transmittance of 2.95 dB at the center wavelength and an extinction ratio of 13.2 dB of the output spectrum were obtained, and a low-loss and high extinction ratio wavelength filter was realized at low cost. If ΔL1 = ΔL2, these values may be arbitrary, but as an example, it is set to 100 μm. When ΔL1 ≠ ΔL2, ΔS satisfies Expression (1).
[0027]
In this example, the length of the adjacent connection waveguides 11 is set to increase by ΔL as the distance from the
[0028]
Further, in FIG. 1, even if the
[0029]
[Second Embodiment]
In FIG. 1, the light propagation directions in the
[0030]
In the wavelength filter shown in FIG. 3, the
[0031]
In FIG. 3, n
[0032]
In FIG. 3, when the length of the i-th connection waveguide 11 is Li, the length Li is longer than the length Li-1 of the i-1th connection waveguide 11 by ΔL. .
[0033]
However, in the case of FIG. 3, the expression satisfied as the wavelength filter is the following expression (3) instead of the expression (1). Wavelength λ of output light 0 Is given by equation (2).
ΔS = ΔL1 + ΔL2 + L1-L2 = ΔL1 + ΔL2-ΔL (3)
[0034]
In the wavelength filter of FIG. 3, the length increases by ΔL in order from the connection waveguide 11 that is farther from the
[0035]
In FIG. 3, even if the
[0036]
In FIG. 3, the length of the
[0037]
Furthermore, the aspect in which the length of the
ΔS = ΔL1 + ΔL2 + ΔL (4)
[0038]
[Third embodiment]
Next, a wavelength filter related to the invention according to claim 2 is shown in FIG.
[0039]
Compared with the wavelength filter shown in FIG. 1, the wavelength filter shown in FIG. 4 has a smaller coupling coefficient of the
[0040]
In the directional coupler, the coupling coefficient increases as the distance between the two waveguides is narrowed and as the distance between the portions where the light travels close to each other is longer.
[0041]
In FIG. 4, both the
[0042]
The strip-mounted
[0043]
In the wavelength filter of FIG. 4, the end of the connection waveguide 11 is close to the
[0044]
Similarly, for each position corresponding to the
[0045]
In the
[0046]
Specifically, the coupling coefficients of the
(1) If it is assumed that all the
(2) As the coupling coefficient is smaller, the tip position of the connection waveguide 11 of the
(3) On the other hand, as the coupling coefficient is larger, the tip position of the connection waveguide 11 of the
[0047]
Thus, the closer to the
[0048]
The reason is as follows.
(1) As described above, in the
(2) However, the intensity ratio of the input light from the two waveguides (in FIG. 4, the
(3) Therefore, by reducing the coupling coefficient of the
[0049]
FIG. 5 shows the
[0050]
In order to improve the extinction ratio, as shown in this example, the coupling coefficient closer to the
[0051]
[Fourth embodiment]
Next, another wavelength filter related to the invention of claim 2 is shown in FIG.
[0052]
The wavelength filter shown in FIG. 6 is a Mach-Zehnder interferometer using
[0053]
Normally, in the Mach-Zehnder interferometer, when the optical path lengths of the two
[0054]
In each Mach-Zehnder interferometer shown in FIG. 6, a
[0055]
Specifically, both the
[0056]
As described above, the Mach-Zehnder interferometer in which only one of the two
[0057]
Further, in the Mach-Zehnder interferometer constituting each
[0058]
FIG. 7 shows the relationship between the lengths D1 and D2 of the
[0059]
In FIG. 6, such a Mach-Zehnder interferometer is arranged in the
[0060]
In other words, in the
[0061]
Therefore, the wavelength filter shown in FIG. 6 also has a transmission characteristic with a high extinction ratio similar to that in FIG.
[0062]
In this example, the two waveguides of the
[0063]
[Fifth embodiment]
Next, a wavelength tunable filter related to the invention according to
[0064]
The wavelength tunable filter shown in FIG. 8 has the same waveguide structure as the wavelength filter shown in FIG. 1 or FIG. 4, but the refractive index of the
[0065]
Even if only the refractive index of the
[0066]
In this example, the refractive
[0067]
Therefore, in the wavelength filter of FIG. 8 having the same waveguide structure as FIG. 1 or FIG. 4, the refractive index of the
Δλ = Δn eff ΔL1 / m (5)
[0068]
Further, in the wavelength filter of FIG. 8 having the same waveguide structure as FIG. 1 or FIG. 4, the refractive index of the
Δλ = −Δn eff ΔL2 / m Expression (6)
[0069]
In a wavelength filter having the same waveguide structure as that in FIG. 3, the refractive index of the
Δλ = Δn eff ΔL2 / m (7)
[0070]
As apparent from the equations (5), (6), and (7), it can be seen that the wavelength variable amount is proportional to ΔL1 and ΔL2 in the wavelength tunable filter including the refractive
[0071]
When the refractive index changing means 51 including the
[0072]
Note that the refractive index changing means 51 can be intermittently provided with respect to the
[0073]
In this example, a waveguide constituting a wavelength filter is formed by the epitaxial semiconductor substrate 55 having the structure shown in FIG. 9, and an electrode is used as the
[0074]
Specifically, the epitaxial semiconductor substrate 55 is formed on an n-type InP substrate 57, an n-doped
[0075]
The n-doped
[0076]
By this epitaxial semiconductor substrate 55, the
[0077]
Then, P of the epitaxial semiconductor substrate 55 + An AuZnNi electrode layer is formed on the surface of the doped InGaAs layer 67 on the portion corresponding to the
[0078]
Similarly, P + An AuZnNi electrode layer is formed on a portion of the surface of the doped InGaAs layer 67 corresponding to the
[0079]
FIG. 10 shows tuning characteristics of the wavelength tunable filter provided with the refractive
[0080]
Hereinafter, the wavelength variable amount Δλ in the wavelength tunable filter of FIG. 8 will be described in the case where the refractive
[0081]
As described above, in the wavelength tunable filter having the waveguide configuration in FIG. 8, the refractive index is Δn by current injection. eff When the wavelength is changed, the wavelength variable Δλ is given by the above-described equation (5), and the refractive index becomes Δn by current injection. eff If it changes, the wavelength variable amount Δλ is given by the above-described equation (6).
Δλ = Δn eff ΔL1 / m (5)
Δλ = −Δn eff ΔL2 / m Expression (6)
[0082]
As is apparent from these equations (5) and (6), it can be seen that the wavelength variable amount shown in FIG. 8 is proportional to ΔL1 and ΔL2. In this case, since ΔL1 and ΔL2 can take arbitrary values, they can have a large wavelength variable range as compared with a normal grating or the like.
[0083]
When the refractive index is changed by current injection, the refractive index decreases according to the amount of current. eff Is negative, so that when the current is injected from the electrode on the
[0084]
That is, the wavelength variable amount Δλ in the conventional grating or ring resonator is Δλ / λ. o = Δn eff / N, and Δn eff Since / n is about 0.3% for current injection, the center wavelength λ o Is 1.55 μm, which is as small as about 5 nm, whereas 0.1% Δn eff / N eff A large wavelength tunable amount of 30 nm was obtained.
[0085]
Further, the total length of the electrodes constituting the refractive
[0086]
The difference between such effects is as follows. That is, in the grating and the ring resonator, the part that determines the resonance wavelength directly changes the refractive index, whereas in this example, the resonance wavelength (center wavelength) is mainly determined adjacent to the equation (1). The difference in the length of the matching connecting waveguide 11 is ΔL, and the wavelength is changed by the refractive index of the
[0087]
As described above, it is possible to realize an arrayed waveguide grating type semiconductor wavelength tunable filter that could not be realized conventionally.
[0088]
In the above description, means for changing the refractive index by current injection is used as the refractive
[0089]
In the case of changing the refractive index by heat, the five
[0090]
When the refractive index is changed by voltage application, the wavelength filter shown in FIG. 8 is formed using an epitaxial substrate having the same configuration as that shown in FIG. 9 except for the core layer (non-doped InGaAsP layer) 61. For the core layer, for example, a non-doped multiple quantum well structure in which 30 layers of InGaAlAs (8.6 nm) / InAlAs (5 nm) are repeatedly stacked is used. That is, on the InP substrate 57, the n-doped
[0091]
[Sixth embodiment]
Next, a wavelength tunable filter related to the invention according to claim 4 is shown in FIG.
[0092]
The wavelength tunable filter shown in FIG. 11 is a combination of a first wavelength tunable filter 75a having a large wavelength interval (FSR) and a second wavelength
[0093]
Although details will be described later, in this example, a wavelength tunable filter related to the invention according to
[0094]
The waveguide structure of the first wavelength tunable filter 75a is the same as that of the wavelength filter shown in FIG. 8 except that the
[0095]
Therefore, in the first wavelength tunable filter 75a shown in FIG. 11, the input light incident on the lower
[0096]
In FIG. 12, the transmission characteristic 77a of the first wavelength tunable filter 75a when m = 30, FSR = 50 nm, and the center wavelength when the refractive index is not changed is 1.55 μm is indicated by a broken line.
[0097]
The waveguide structure of the second wavelength
[0098]
Accordingly, as shown in FIG. 11, the second wavelength
[0099]
In FIG. 12, the transmission characteristic 77b of the second wavelength
[0100]
By connecting the upper
[0101]
FIG. 12 shows the
[0102]
As shown in FIG. 12, it can be seen that only one wavelength (1.55 μm) can be selected in the measured wavelength range. In other words, only one wavelength can be selected from the
[0103]
In FIG. 11, the second wavelength
[0104]
In the wavelength tunable filter shown in FIG. 11, the first wavelength tunable filter 75a having a large FSR is connected to the front stage and the second wavelength
[0105]
In the wavelength tunable filter shown in FIG. 11, the second wavelength
[0106]
However, only the wavelength tunable filter of the invention according to
[0107]
In the description of each of the above embodiments, the waveguide formed by the InP-based compound semiconductor is used for the configuration of the wavelength filter and the wavelength tunable filter. However, the waveguide formed by the GaAs-based compound semiconductor, or Si and SiO 2 Similarly, a wavelength filter and a wavelength tunable filter can also be realized by using a silicon thin wire waveguide composed of, for example, polyimide. Further, by integrating the semiconductor optical amplifier in the
[0108]
In the description of the above embodiments, the
[0109]
【The invention's effect】
According to the present invention, as can be seen from the above description, the wavelength filter and the wavelength tunable filter can be realized with a high extinction ratio, low loss, and low cost. The wavelength tunable filter of the present invention can realize a large wavelength tunable range.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a wavelength filter according to a first embodiment of the present invention.
2 is a graph showing the transmission characteristics of the wavelength filter of FIG.
FIG. 3 is a diagram showing a wavelength filter according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a diagram showing a wavelength filter according to a third embodiment of the present invention.
5 is a graph showing the transmission characteristics of the wavelength filter of FIG.
FIG. 6 is a view showing a wavelength filter according to a fourth embodiment of the present invention.
7 is a graph showing the characteristics of the optical coupler used in FIG. 6. FIG.
FIG. 8 is a diagram showing a wavelength tunable filter according to a fifth embodiment of the present invention.
9 is a diagram showing a configuration of an epitaxial substrate used in the wavelength tunable filter of FIG.
10 is a diagram showing wavelength tuning characteristics of the wavelength tunable filter in FIG. 8. FIG.
FIG. 11 is a diagram showing a wavelength tunable filter according to a sixth embodiment of the present invention.
12 is a graph showing the transmission characteristics of the wavelength tunable filter shown in FIG.
FIG. 13 is a diagram showing a configuration of a conventional wavelength tunable filter.
[Explanation of symbols]
1 Input waveguide
3 Optical coupler on the input waveguide side
5 Output waveguide
7 Optical coupler on the output waveguide side
9 Connection waveguide array
11 Individual connection waveguides in a connection waveguide array
13 Left end of input waveguide
15 Right end of input waveguide
17 Left end of output waveguide
19 Right end of output waveguide
21 Arrow indicating light propagation direction on input waveguide
23 Arrow indicating light propagation direction on output waveguide
25 Strip-mounted waveguide
27 Core layer
29 Upper cladding layer
31 Lower cladding layer
33 Transmission characteristics of wavelength filter fabricated in the configuration of FIG.
35 Transmission characteristics when the coupling coefficient is the same for all optical couplers
37, 39 Multimode coupler
41, 43 Two arms of Mach-Zehnder interferometer
45 Crossport
47 Barport
49 Thin waveguide connected to one arm
51 Refractive index changing means on the input waveguide side
52 Feeding path
53 Refractive Index Changing Means on Output Waveguide Side
54 Feeding path
55 Epitaxial substrate
57 n-type InP substrate
59 n-doped InP layer
61 Non-doped InGaAsP layer
63 P - Doped InP layer
65 P + Doped InP layer
67 P + Doped InGaAs layer
69 Transmission characteristics of wavelength tunable filter fabricated with the configuration of FIG.
71 Transmission characteristics when current is injected into the input waveguide
73 Transmission characteristics when current is injected into the output waveguide
75a First wavelength tunable filter (wavelength tunable filter having a large wavelength interval)
75b Second wavelength tunable filter (wavelength tunable filter with a small wavelength interval)
77a Transmission characteristics of the first variable wavelength filter
77b Transmission characteristics of the second variable wavelength filter
79 Transmission characteristics of wavelength tunable filter manufactured with the configuration of FIG.
Claims (4)
出力導波路と、
前記入力導波路に一定間隔で配置された複数の光結合器(以下、入力導波路側の光結合器)と、
前記出力導波路に前記一定間隔と異なるか同じ一定間隔で配置された複数の光結合器(以下、出力導波路側の光結合器)と、
前記入力導波路と前記出力導波路との間を入力導波路側の前記光結合器と出力導波路側の前記光結合器とを介して接続する複数の接続導波路とを備え、
前記入力導波路の入射端から前記接続導波路を通り前記出力導波路の出射端に至る複数の光路長が、前記入射端に近い接続導波路を通る経路から順番に同じ長さの差で増加あるいは減少しており、かつ前記接続導波路の長さが前記入射端に近い接続導波路から順番に同じ長さの差で増加あるいは減少していることにより、出力導波路側の前記複数の光結合器の各々が、前記接続導波路から入射する光と前記出力導波路から入射する光とを干渉させて、前記入力導波路側の光結合器の間隔と前記出力導波路側の光結合器の間隔と前記接続導波路の長さの差とによって決まる同一の波長の光のみを前記出力導波路を伝搬させることを特徴とする波長フィルタ。An input waveguide;
An output waveguide;
A plurality of optical couplers (hereinafter referred to as optical couplers on the input waveguide side) disposed at regular intervals in the input waveguide;
A plurality of optical couplers (hereinafter referred to as optical couplers on the output waveguide side) disposed in the output waveguide at regular intervals different from or equal to the regular intervals;
A plurality of connection waveguides connecting the input waveguide and the output waveguide via the optical coupler on the input waveguide side and the optical coupler on the output waveguide side;
A plurality of optical path lengths from the input end of the input waveguide through the connection waveguide to the output end of the output waveguide increase in order of the same length from the path passing through the connection waveguide close to the input end. Alternatively, the plurality of lights on the output waveguide side are decreased and the length of the connection waveguide is increased or decreased in order from the connection waveguide close to the incident end by the same length difference. Each of the couplers causes the light incident from the connection waveguide to interfere with the light incident from the output waveguide, so that the distance between the optical couplers on the input waveguide side and the optical coupler on the output waveguide side A wavelength filter characterized by propagating only light having the same wavelength determined by the distance between the two and the length of the connection waveguide through the output waveguide .
入力導波路側の前記光結合器の結合係数が前記入射端に近いものほど小さく、かつ、出力導波路側の前記光結合器の結合係数が前記出射端に近いものほど小さいことを特徴とする波長フィルタ。In claim 1,
The coupling coefficient of the optical coupler on the input waveguide side is smaller as it is closer to the incident end, and the coupling coefficient of the optical coupler on the output waveguide side is smaller as it is closer to the emission end. Wavelength filter.
前記入力導波路と前記出力導波路とのうち、少なくとも一方の屈折率を熱、電流注入、電圧印加により変化させる屈折率変化手段を備えることを特徴とする波長可変フィルタ。In claim 1 or 2,
Among said output waveguide and said input waveguide, a wavelength tunable filter, characterized in that it comprises at least one of the refractive index of heat, current injection, the refractive index change means to further change the voltage application pressure.
少なくとも前記第1波長可変フィルタが請求項3記載の波長可変フィルタであることを特徴とする波長可変フィルタ。A wavelength tunable filter in which a first tunable filter having a large output wavelength interval and a second tunable filter having a small output wavelength interval are combined,
The tunable filter according to claim 3, wherein at least the first tunable filter is the tunable filter according to claim 3.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002309228A JP4129911B2 (en) | 2002-10-24 | 2002-10-24 | Wavelength filter and tunable filter |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002309228A JP4129911B2 (en) | 2002-10-24 | 2002-10-24 | Wavelength filter and tunable filter |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004144963A JP2004144963A (en) | 2004-05-20 |
JP4129911B2 true JP4129911B2 (en) | 2008-08-06 |
Family
ID=32455117
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002309228A Expired - Fee Related JP4129911B2 (en) | 2002-10-24 | 2002-10-24 | Wavelength filter and tunable filter |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4129911B2 (en) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007183429A (en) * | 2006-01-06 | 2007-07-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Wavelength variable filter and wavelength variable laser |
JP5310511B2 (en) | 2009-12-01 | 2013-10-09 | 富士通株式会社 | Optical device, optical hybrid circuit, optical receiver |
JP5720354B2 (en) | 2011-03-25 | 2015-05-20 | 富士通株式会社 | Optical waveguide device and optical hybrid circuit |
JP5772989B2 (en) | 2012-01-31 | 2015-09-02 | 富士通株式会社 | Laser element |
-
2002
- 2002-10-24 JP JP2002309228A patent/JP4129911B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004144963A (en) | 2004-05-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7440643B2 (en) | Variable light controlling device and variable light controlling method | |
JP5811273B2 (en) | Optical element, optical transmitter element, optical receiver element, hybrid laser, optical transmitter | |
CN103457155B (en) | Hybrid integrated Compound Cavity tunable wave length generating laser | |
JP5458194B2 (en) | Semiconductor tunable laser | |
US10126501B2 (en) | Tunable reflectors based on multi-cavity interference | |
JP5304158B2 (en) | Optical resonator and tunable laser | |
US8451872B2 (en) | Wavelength tunable filter and wavelength tunable laser module | |
JP2008066318A (en) | Semiconductor wavelength variable laser | |
JPH09105826A (en) | Optical waveguide device | |
CN107078459A (en) | Outside cavity gas laser comprising photonic crystal | |
US20170201070A1 (en) | Compact lasers with extended tunability | |
JP6141839B2 (en) | Laser apparatus with loop cavity that can be functionalized | |
JP2009200091A (en) | Integrated optical element | |
JP2011142191A (en) | Semiconductor wavelength tunable laser | |
JP4129911B2 (en) | Wavelength filter and tunable filter | |
JP2006330104A (en) | Waveguide type filter and semiconductor laser element using the same | |
JP2021071575A (en) | Optical wavelength filter | |
JP6335238B2 (en) | Wavelength filter | |
JP5609135B2 (en) | Tunable laser light source | |
JP2003207665A (en) | Optical waveguide | |
JP6943150B2 (en) | Semiconductor optical device | |
JP6965816B2 (en) | Semiconductor optical device | |
JP5880087B2 (en) | Grating element and optical element | |
JP2557966B2 (en) | Optical multiplexer / demultiplexer | |
JP3445226B2 (en) | Directional coupler, optical modulator, and wavelength selector |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050118 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060410 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070123 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070326 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070828 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071023 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080513 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7426 Effective date: 20080515 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20080515 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20080515 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080515 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4129911 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110530 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120530 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130530 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140530 Year of fee payment: 6 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |