JP4126367B2 - 酸化物高温超伝導ジョセフソン磁束線素子及びその素子におけるジョセフソン磁束線フロー電圧の制御方法 - Google Patents
酸化物高温超伝導ジョセフソン磁束線素子及びその素子におけるジョセフソン磁束線フロー電圧の制御方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4126367B2 JP4126367B2 JP2001255084A JP2001255084A JP4126367B2 JP 4126367 B2 JP4126367 B2 JP 4126367B2 JP 2001255084 A JP2001255084 A JP 2001255084A JP 2001255084 A JP2001255084 A JP 2001255084A JP 4126367 B2 JP4126367 B2 JP 4126367B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- josephson
- flux line
- magnetic flux
- temperature superconductor
- oxide high
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000004907 flux Effects 0.000 title claims description 114
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 claims description 74
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 11
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 7
- 229910004247 CaCu Inorganic materials 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 claims description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 18
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 17
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 8
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 4
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000005668 Josephson effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009812 interlayer coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012771 pancakes Nutrition 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この出願の発明は、酸化物高温超伝導ジョセフソン磁束線素子及びその素子におけるジョセフソン磁束線フロー電圧の制御方法に関するものである。さらに詳しくは、この出願の発明は、超伝導ミリ波・サブミリ波発振、受信器、超伝導コンピュータ等に使用する超伝導素子として有用な酸化物高温超伝導ジョセフソン磁束線素子及びその素子におけるジョセフソン磁束線フロー電圧の制御方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術とその課題】
従来より、超伝導体を用いた超伝導素子としては、ジョセフソン効果を利用したジョセフソン接合素子が一般的に使用されている。しかしながら、ジョセフソン接合素子を超伝導ミリ波・サブミリ波発振、受信器、超伝導コンピュータ等に用いるためには、ジョセフソン接合の積層膜を形成する必要があり、その積層膜を形成するために数千個の超伝導層及び絶縁層（半導体層）を積層しなければならず、その作業は極めて困難なものとなっていた。
【０００３】
また従来のジョセフソン接合素子のほとんどは、液体ヘリウム温度（４．２Ｋ）以下で動作するため、それらを上記のような機器に利用するためにはジョセフソン接合素子の温度を液体ヘリウム温度以下に保つ必要があり、高価な液体ヘリウムを用いなくてはならず、コストが非常にかかるという問題もあった。また、従来の高温超伝導体を利用した超伝導素子においても、超伝導転移温度が数十 Ｋ〜百数十Ｋと高いにも関わらず、超伝導転移温度より遥かに低い温度での動作条件が必要であった。
【０００４】
ところで、最近の研究において、酸化物高温超伝導体単結晶の結晶構造が層状であり、超伝導層が絶縁層ないし半導体層で隔てられた構造となっていることから、その構造そのものにジョセフソン接合が存在することが明らかになり、理論的、実験的にジョセフソンプラズマの存在が注目され応用が可能な現象として注目されてきた。
【０００５】
しかしながら、酸化物高温超伝導体単結晶内に存在する固有のジョセフソン接合構造のような積層状態のジョセフソン接合構造に特有なジョセフソン磁束線を利用した動作原理は完全には解明されておらず、またその動作原理を有する超伝導素子も存在していなかった。
【０００６】
そこで、この出願の発明は、以上のとおりの事情に鑑みてなされたものであり、従来技術の問題点を解消し、ビスマス２２１２系酸化物高温超伝導体単結晶等を用い、酸化物高温超伝導体単結晶内に存在する積層状態のジョセフソン接合構造に特有なジョセフソン磁束線を利用した新たな動作原理による酸化物高温超伝導体ジョセフソン磁束線素子及びその素子におけるジョセフソン磁束線フロー電圧の制御方法を提供することを課題としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この出願の発明は、上記の課題を解決するものとして、まず第１には、酸化物高温超伝導体を微細加工して形成されたジョセフソン接合部を有し、ジョセフソン接合面に垂直に電流が流され、且つジョセフソン接合面に平行且つ一定方向に磁場が印加されたときにジョセフソン磁束線フロー電圧（ジョセフソン磁束線フロー抵抗）を生じ、量子化されたジョセフソン磁束線のジョセフソン接合内への出入りによってジョセフソン磁束線フロー電圧（ジョセフソン磁束線フロー抵抗）に周期的な振動が発生することを特徴とする酸化物高温超伝導体ジョセフソン磁束線素子を提供する。
【０００８】
また、第２には、上記第１の発明において、酸化物高温超伝導体として、Ｂｉ2Ｓｒ2ＣａＣｕ2ＯX化合物系酸化物高温超伝導体が用いられることを特徴とする酸化物高温超伝導体ジョセフソン磁束線素子を提供する。
【０００９】
また、第３には、上記第１または第２の発明において、ジョセフソン接合面に印加する磁場の一定方向及び電流の方向に垂直な方向のジョセフソン接合面の幅によりジョセフソン磁束線フロー電圧（ジョセフソン磁束線フロー抵抗）の振動の周期が決定され、その周期がジョセフソン接合面の幅に反比例することを特徴とする酸化物高温超伝導体ジョセフソン磁束線素子を、 第４には、上記第１ないし第３のいずれかの発明において、ジョセフソン接合面に垂直に流れる電流の電流密度が、１００Ａ／ｃｍ2以下であることを特徴とする酸化物高温超伝導体ジョセフソン磁束線素子を、 第５には、上記第１ないし第４のいずれいかの発明において、印加する磁場の一定方向のジョセフソン接合面に対しての傾きが、０．１度以内であることを特徴とする酸化物高温超伝導体ジョセフソン磁束線素子を、 第６には、上記第１ないし第５のいずれかの発明において、酸化物高温超伝導体が、特性を損なわない範囲で組成調整、元素添加或いは元素置換を行ったもの、酸素濃度を制御したもの、準粒子或いはクーパー対を注入したもの、又は積層状態の固有のジョセフソン接合構造を有する他の高温超伝導体に置換可能なものであることを特徴とする酸化物高温超伝導体ジョセフソン磁束線素子を、 第７には、上記第１ないし第６のいずれかの発明において、酸化物高温超伝導体が、従来の超伝導体から成る超伝導層−絶縁層−超伝導層構造の超伝導多層構造に置換可能なものであることを特徴とする酸化物高温超伝導体ジョセフソン磁束線素子を、 第８には、上記第１ないし第７のいずれかの発明において、動作温度が超伝導転移温度以下であることを特徴とする酸化物高温超伝導体ジョセフソン磁束線素子を提供する。
【００１０】
また、この出願の発明によれば、酸化物高温超伝導体を微細加工して形成されたジョセフソン接合部のジョセフソン接合面に垂直に電流を流し、且つジョセフソン接合面に平行且つ一定方向に磁場を印加することによりジョセフソン磁束線フロー電圧（ジョセフソン磁束線フロー抵抗）を生じさせ、量子化されたジョセフソン磁束線のジョセフソン接合内への出入りによってジョセフソン磁束線フロー電圧（ジョセフソン磁束線フロー抵抗）に周期的な振動を発生させることを特徴とするジョセフソン磁束線フロー電圧の制御方法を提供する。
【００１１】
さらに、第１０には、上記第９の発明において、酸化物高温超伝導体として、Ｂｉ2Ｓｒ2ＣａＣｕ2ＯX化合物系酸化物高温超伝導体を用いることを特徴とするジョセフソン磁束線フロー電圧の制御方法を、 第１１には、上記第９または第１０の発明において、ジョセフソン接合面に印加する磁場の一定方向及び電流の方向に垂直な方向のジョセフソン接合面の幅を調整することによりジョセフソン磁束線フロー電圧（ジョセフソン磁束線フロー抵抗）の振動の周期を変化させ、その周期はジョセフソン接合面の幅に反比例することを特徴とするジョセフソン磁束線フロー電圧の制御方法を、 第１２には、上記第９ないし第１１のいずれかの発明において、ジョセフソン接合面に垂直に流す電流の電流密度を、１００Ａ／ｃｍ2以下とすることを特徴とするジョセフソン磁束線フロー電圧の制御方法を、 第１３には、上記第９ないし第１２のいずれかの発明において、印加する磁場の一定方向のジョセフソン接合面に対しての傾きを、０．１度以内とすることを特徴とするジョセフソン磁束線フロー電圧の制御方法を、 第１４には、上記第９ないし第１３のいずれかの発明において、酸化物高温超伝導体として、特性を損なわない範囲で組成調整、元素添加或いは元素置換を行ったもの、酸素濃度を制御したもの、準粒子或いはクーパー対を注入したもの、又は積層状態の固有のジョセフソン接合構造を有する他の高温超伝導体に置換可能なものを用いることを特徴とするジョセフソン磁束線フロー電圧の制御方法を、 第１５には、上記第９ないし第１４のいずれかの発明において、酸化物高温超伝導体として、従来の超伝導体から成る超伝導層−絶縁層−超伝導層構造の超伝導多層構造に置換可能なものを用いることを特徴とするジョセフソン磁束線フロー電圧の制御方法を、 第１６には、上記第９ないし第１５のいずれかの発明において、酸化物高温超伝導体として、動作温度が超伝導転移温度以下であるものを用いることを特徴とするジョセフソン磁束線フロー電圧の制御方法を提供する。
以上
【００１２】
【発明の実施の形態】
この出願の発明の酸化物高温超伝導体ジョセフソン磁束線素子は、ビスマス２２１２系酸化物高温超伝導体単結晶等の酸化物高温超伝導体単結晶を用いており、その酸化物高温超伝導体単結晶内に存在する積層状態のジョセフソン接合構造に特有なジョセフソン磁束線を利用した新たな動作原理による超伝導素子である。
【００１３】
具体的には、ジョセフソン接合面に対してほぼ平行に侵入したジョセフソン磁束線を利用したものであり、ジョセフソン接合面に垂直に流した電流によってジョセフソン磁束線を駆動することでジョセフソン磁束線フロー電圧（ジョセフソン磁束線フロー抵抗）が生じ、量子化されたジョセフソン磁束線１本１本のジョセフソン接合内への出入りによって、そのジョセフソン磁束線フロー電圧（ジョセフソン磁束線フロー抵抗）において周期的な振動が観測されることを利用した新しい動作原理に基づいた超伝導素子である。尚、量子化されたジョセフソン磁束線１本の物理量は、２．０７×１０-7Ｇａｕｓｓ・ｃｍ2である。
【００１４】
またジョセフソン磁束線フロー電圧（ジョセフソン磁束線フロー抵抗）に現れる振動の周期は１つのジョセフソン接合にジョセフソン磁束線が１本入った時の磁場の増加分に比例するため、ジョセフソン接合面に印加する磁場の方向及び電流の方向に垂直な方向のジョセフソン接合面の幅に反比例することが分かっており、その幅を限定することでその振動の周期を制御することができる。
【００１５】
また、ジョセフソン接合面に垂直に流される電流の電流密度が１００Ａ／ｃｍ2以下であり且つジョセフソン接合面に対して磁場の傾きが０．１度以内である場合に、ジョセフソン磁束線フロー電圧（ジョセフソン磁束線フロー抵抗）に周期的な振動が観測される。
【００１６】
またこの出願の発明では、酸化物高温超伝導体単結晶内に存在する積層状態の固有のジョセフソン接合構造を、ジョセフソン接合の積層膜と同様のものとみなすことができ、従来の積層膜製造方法のように数千個の超伝導層及び絶縁層（半導体層）を積層する必要がなくなる。
【００１７】
さらにまた従来のジョセフソン接合素子のほとんどが液体ヘリウム温度（４．２Ｋ）以下で動作するのに対し、この出願の発明における酸化物高温超伝導体ジョセフソン磁束線素子は、超伝導転移温度から数Ｋ直下から動作し、液体窒素温度（７７Ｋ）でも十分に動作する点で、従来のジョセフソン接合素子と根本的に異なっている。
【００１８】
また、この出願の発明における酸化物高温超伝導体ジョセフソン磁束線素子の動作原理は、超伝導層間の結合の大きさと関係している。超伝導層間の結合を決定しているキャリア濃度を制御する方法としては、素子内への準粒子注入法或いはクーパー対注入法が有効であり、これをジョセフソン磁束線フロー電圧（ジョセフソン磁束線フロー抵抗）の振動の周期の制御方法とすることも可能である。またこの出願の発明における動作原理は積層状態の固有のジョセフソン接合構造を有するビスマス２２１２系酸化物高温超伝導体以外の高温超伝導体、そしてジョセフソン接合を有する従来の超伝導体から成る多層構造の接合においても適用可能である。
【００１９】
この出願の発明における酸化物高温超伝導体ジョセフソン磁束線素子の動作原理は、人工的な超伝導層−絶縁層−超伝導層から成る積層膜を作成する必要もなく、酸化物高温超伝導体単結晶をそのまま用いることができる。また酸化物高温超伝導体単結晶の微細加工において、従来から用いられているイオンビーム等による微細加工技術を踏襲でき、さらに制御用の電極形成等も従来の方法で可能なこと等から、技術的な問題点の多くが解決されている。
【００２０】
また素子面積を数μｍ2程度に縮小できることから超伝導素子の集積化も可能であり、この出願の発明の動作原理を利用して新機能特性を有した全く新しい超伝導素子を作成することも可能となる。従って、例えば磁束線１本を信号源として入力することによって、現在コンピュータ等で使われている０と１の２進法の入力だけでなく、０〜ｎまでの（ｎ＋１）進法の入力によるコンピュータ素子にも成り得るといったように、情報通信用の超伝導素子開発が促進される等、応用分野への拡大が期待される。
【００２１】
以下、添付した図面に沿って実施例を示し、この発明の実施の形態についてさらに詳しく説明する。もちろん、この発明は以下の例に限定されるものではなく、細部については様々な態様が可能であることは言うまでもない。
【００２２】
【実施例】
ビスマス２２１２系酸化物高温超伝導体単結晶を用いて、この出願の発明における酸化物高温超伝導体ジョセフソン磁束線素子の性質を評価した。
【００２３】
まず、ビスマス２２１２系酸化物高温超伝導体単結晶（１）を図１（Ａ）に示すように短冊状に切断加工した後、図１（Ｂ）に詳しく示すように収束イオンビームにより固有ジョセフソン接合部（２）を加工した。また図１（Ｃ）は固有ジョセフソン接合部（２）の切断面図であり、図１（Ｃ）中の矢印は、上下方向の矢印が電流の方向、左右方向の矢印が磁場の方向を示している。
【００２４】
図２は微細加工後の固有ジョセフソン接合部（２）の写真であり、接合部の大きさは幅：１８（挿入図中におけるＷ）×奥行き：１６（挿入図中におけるｌ）×高さ：２（挿入図中におけるｔ）μｍ3である。電流は高さ方向、つまりジョセフソン接合面（超伝導層面）と垂直な方向に流し、磁場はジョセフソン接合面にほぼ平行に印加した。
【００２５】
図２の挿入図は実施例に用いた固有ジョセフソン接合部（２）の概略図を示しており、ジョセフソン接合面はｃ軸に垂直である。磁場の方向は、実際にはジョセフソン接合面から約０．０２度傾いており、またジョセフソン接合面に垂直に流した電流の大きさは１μＡである。
【００２６】
図１（Ａ）に示しているように、交流抵抗ブリッジＬＲ−７００を用いた四端子測定法によってジョセフソン磁束線フロー抵抗（ジョセフソン磁束線フロー電圧）を測定した。温度６５Ｋにおいて、磁場を増加させたときのジョセフソン磁束線フロー抵抗の変化を図３に示す。ここで、図３の横軸は磁場の大きさであり、縦軸は抵抗の大きさである。
【００２７】
磁場の大きさが３ｋＯｅ付近になったところでジョセフソン磁束線フロー抵抗が現れ始め、７ｋＯｅ付近からジョセフソン磁束線フロー抵抗に周期的な振動が現れている。図３の挿入図に示しているように、ジョセフソン磁束線フロー抵抗の振動は一定の周期約０．４ｋＯｅを有し、２５ｋＯｅ付近までの広範囲の磁場で周期的な振動が現れている。２５ｋＯｅ付近で振動が止まるのは、ジョセフソン接合面に対する磁場の若干の傾きによってジョセフソン接合面に垂直に磁束線が侵入することでパンケーキ磁束線が生じ、パンケーキ磁束線によるピン止めのためにジョセフソン磁束線フローが停止するためである。
【００２８】
振動の周期が約０．４ｋＯｅであるのはビスマス２２１２系酸化物高温超伝導体単結晶内に存在するジョセフソン接合２個に対してジョセフソン磁束線１本が入ったことに相当している。即ち、ジョセフソン磁束線１本がジョセフソン接合内に出入りすることによってジョセフソン磁束フロー抵抗が大きく変化していることになる。
【００２９】
この実験事実は磁束線本数を入力信号として利用することで、大きな出力を得ることが可能であることを示している。またジョセフソン磁束線フロー抵抗の振動の周期がジョセフソン接合面の幅に反比例することを確認しており、その幅を変化させることでジョセフソン磁束線フロー抵抗の振動の周期を変えることも可能である。
【００３０】
さらに、この実施例のビスマス２２１２系酸化物高温超伝導体単結晶の特性は、ジョセフソン磁束線の素子内での分布により決定されていると考えることができ、したがって、超伝導層間の結合の強さを変えることによってもジョセフソン磁束線分布に影響を与えることから、超伝導層内へ準粒子或いはクーパー対を注入することにより超伝導層間結合を制御してジョセフソン磁束線フロー抵抗に周期性を持たせることも可能である。
【００３１】
【発明の効果】
以上詳しく説明したとおり、この発明によって、酸化物高温超伝導体単結晶内に存在する積層状態のジョセフソン接合構造に特有なジョセフソン磁束線を利用した新たな動作原理による酸化物高温超伝導体ジョセフソン磁束線素子が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施例における酸化物高温超電導体ジョセフソン磁束線素子を例示した概略図である。
【図２】この発明の実施例における酸化物高温超電導体ジョセフソン磁束線素子を例示した写真及び概略図である。
【図３】この発明における動作原理を示すジョセフソン磁束線フロー抵抗−磁場測定結果を示した図である。
【符号の説明】
１ ビスマス２２１２系酸化物高温超伝導体単結晶
２ ジョセフソン接合部
【発明の属する技術分野】
この出願の発明は、酸化物高温超伝導ジョセフソン磁束線素子及びその素子におけるジョセフソン磁束線フロー電圧の制御方法に関するものである。さらに詳しくは、この出願の発明は、超伝導ミリ波・サブミリ波発振、受信器、超伝導コンピュータ等に使用する超伝導素子として有用な酸化物高温超伝導ジョセフソン磁束線素子及びその素子におけるジョセフソン磁束線フロー電圧の制御方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術とその課題】
従来より、超伝導体を用いた超伝導素子としては、ジョセフソン効果を利用したジョセフソン接合素子が一般的に使用されている。しかしながら、ジョセフソン接合素子を超伝導ミリ波・サブミリ波発振、受信器、超伝導コンピュータ等に用いるためには、ジョセフソン接合の積層膜を形成する必要があり、その積層膜を形成するために数千個の超伝導層及び絶縁層（半導体層）を積層しなければならず、その作業は極めて困難なものとなっていた。
【０００３】
また従来のジョセフソン接合素子のほとんどは、液体ヘリウム温度（４．２Ｋ）以下で動作するため、それらを上記のような機器に利用するためにはジョセフソン接合素子の温度を液体ヘリウム温度以下に保つ必要があり、高価な液体ヘリウムを用いなくてはならず、コストが非常にかかるという問題もあった。また、従来の高温超伝導体を利用した超伝導素子においても、超伝導転移温度が数十 Ｋ〜百数十Ｋと高いにも関わらず、超伝導転移温度より遥かに低い温度での動作条件が必要であった。
【０００４】
ところで、最近の研究において、酸化物高温超伝導体単結晶の結晶構造が層状であり、超伝導層が絶縁層ないし半導体層で隔てられた構造となっていることから、その構造そのものにジョセフソン接合が存在することが明らかになり、理論的、実験的にジョセフソンプラズマの存在が注目され応用が可能な現象として注目されてきた。
【０００５】
しかしながら、酸化物高温超伝導体単結晶内に存在する固有のジョセフソン接合構造のような積層状態のジョセフソン接合構造に特有なジョセフソン磁束線を利用した動作原理は完全には解明されておらず、またその動作原理を有する超伝導素子も存在していなかった。
【０００６】
そこで、この出願の発明は、以上のとおりの事情に鑑みてなされたものであり、従来技術の問題点を解消し、ビスマス２２１２系酸化物高温超伝導体単結晶等を用い、酸化物高温超伝導体単結晶内に存在する積層状態のジョセフソン接合構造に特有なジョセフソン磁束線を利用した新たな動作原理による酸化物高温超伝導体ジョセフソン磁束線素子及びその素子におけるジョセフソン磁束線フロー電圧の制御方法を提供することを課題としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この出願の発明は、上記の課題を解決するものとして、まず第１には、酸化物高温超伝導体を微細加工して形成されたジョセフソン接合部を有し、ジョセフソン接合面に垂直に電流が流され、且つジョセフソン接合面に平行且つ一定方向に磁場が印加されたときにジョセフソン磁束線フロー電圧（ジョセフソン磁束線フロー抵抗）を生じ、量子化されたジョセフソン磁束線のジョセフソン接合内への出入りによってジョセフソン磁束線フロー電圧（ジョセフソン磁束線フロー抵抗）に周期的な振動が発生することを特徴とする酸化物高温超伝導体ジョセフソン磁束線素子を提供する。
【０００８】
また、第２には、上記第１の発明において、酸化物高温超伝導体として、Ｂｉ2Ｓｒ2ＣａＣｕ2ＯX化合物系酸化物高温超伝導体が用いられることを特徴とする酸化物高温超伝導体ジョセフソン磁束線素子を提供する。
【０００９】
また、第３には、上記第１または第２の発明において、ジョセフソン接合面に印加する磁場の一定方向及び電流の方向に垂直な方向のジョセフソン接合面の幅によりジョセフソン磁束線フロー電圧（ジョセフソン磁束線フロー抵抗）の振動の周期が決定され、その周期がジョセフソン接合面の幅に反比例することを特徴とする酸化物高温超伝導体ジョセフソン磁束線素子を、 第４には、上記第１ないし第３のいずれかの発明において、ジョセフソン接合面に垂直に流れる電流の電流密度が、１００Ａ／ｃｍ2以下であることを特徴とする酸化物高温超伝導体ジョセフソン磁束線素子を、 第５には、上記第１ないし第４のいずれいかの発明において、印加する磁場の一定方向のジョセフソン接合面に対しての傾きが、０．１度以内であることを特徴とする酸化物高温超伝導体ジョセフソン磁束線素子を、 第６には、上記第１ないし第５のいずれかの発明において、酸化物高温超伝導体が、特性を損なわない範囲で組成調整、元素添加或いは元素置換を行ったもの、酸素濃度を制御したもの、準粒子或いはクーパー対を注入したもの、又は積層状態の固有のジョセフソン接合構造を有する他の高温超伝導体に置換可能なものであることを特徴とする酸化物高温超伝導体ジョセフソン磁束線素子を、 第７には、上記第１ないし第６のいずれかの発明において、酸化物高温超伝導体が、従来の超伝導体から成る超伝導層−絶縁層−超伝導層構造の超伝導多層構造に置換可能なものであることを特徴とする酸化物高温超伝導体ジョセフソン磁束線素子を、 第８には、上記第１ないし第７のいずれかの発明において、動作温度が超伝導転移温度以下であることを特徴とする酸化物高温超伝導体ジョセフソン磁束線素子を提供する。
【００１０】
また、この出願の発明によれば、酸化物高温超伝導体を微細加工して形成されたジョセフソン接合部のジョセフソン接合面に垂直に電流を流し、且つジョセフソン接合面に平行且つ一定方向に磁場を印加することによりジョセフソン磁束線フロー電圧（ジョセフソン磁束線フロー抵抗）を生じさせ、量子化されたジョセフソン磁束線のジョセフソン接合内への出入りによってジョセフソン磁束線フロー電圧（ジョセフソン磁束線フロー抵抗）に周期的な振動を発生させることを特徴とするジョセフソン磁束線フロー電圧の制御方法を提供する。
【００１１】
さらに、第１０には、上記第９の発明において、酸化物高温超伝導体として、Ｂｉ2Ｓｒ2ＣａＣｕ2ＯX化合物系酸化物高温超伝導体を用いることを特徴とするジョセフソン磁束線フロー電圧の制御方法を、 第１１には、上記第９または第１０の発明において、ジョセフソン接合面に印加する磁場の一定方向及び電流の方向に垂直な方向のジョセフソン接合面の幅を調整することによりジョセフソン磁束線フロー電圧（ジョセフソン磁束線フロー抵抗）の振動の周期を変化させ、その周期はジョセフソン接合面の幅に反比例することを特徴とするジョセフソン磁束線フロー電圧の制御方法を、 第１２には、上記第９ないし第１１のいずれかの発明において、ジョセフソン接合面に垂直に流す電流の電流密度を、１００Ａ／ｃｍ2以下とすることを特徴とするジョセフソン磁束線フロー電圧の制御方法を、 第１３には、上記第９ないし第１２のいずれかの発明において、印加する磁場の一定方向のジョセフソン接合面に対しての傾きを、０．１度以内とすることを特徴とするジョセフソン磁束線フロー電圧の制御方法を、 第１４には、上記第９ないし第１３のいずれかの発明において、酸化物高温超伝導体として、特性を損なわない範囲で組成調整、元素添加或いは元素置換を行ったもの、酸素濃度を制御したもの、準粒子或いはクーパー対を注入したもの、又は積層状態の固有のジョセフソン接合構造を有する他の高温超伝導体に置換可能なものを用いることを特徴とするジョセフソン磁束線フロー電圧の制御方法を、 第１５には、上記第９ないし第１４のいずれかの発明において、酸化物高温超伝導体として、従来の超伝導体から成る超伝導層−絶縁層−超伝導層構造の超伝導多層構造に置換可能なものを用いることを特徴とするジョセフソン磁束線フロー電圧の制御方法を、 第１６には、上記第９ないし第１５のいずれかの発明において、酸化物高温超伝導体として、動作温度が超伝導転移温度以下であるものを用いることを特徴とするジョセフソン磁束線フロー電圧の制御方法を提供する。
以上
【００１２】
【発明の実施の形態】
この出願の発明の酸化物高温超伝導体ジョセフソン磁束線素子は、ビスマス２２１２系酸化物高温超伝導体単結晶等の酸化物高温超伝導体単結晶を用いており、その酸化物高温超伝導体単結晶内に存在する積層状態のジョセフソン接合構造に特有なジョセフソン磁束線を利用した新たな動作原理による超伝導素子である。
【００１３】
具体的には、ジョセフソン接合面に対してほぼ平行に侵入したジョセフソン磁束線を利用したものであり、ジョセフソン接合面に垂直に流した電流によってジョセフソン磁束線を駆動することでジョセフソン磁束線フロー電圧（ジョセフソン磁束線フロー抵抗）が生じ、量子化されたジョセフソン磁束線１本１本のジョセフソン接合内への出入りによって、そのジョセフソン磁束線フロー電圧（ジョセフソン磁束線フロー抵抗）において周期的な振動が観測されることを利用した新しい動作原理に基づいた超伝導素子である。尚、量子化されたジョセフソン磁束線１本の物理量は、２．０７×１０-7Ｇａｕｓｓ・ｃｍ2である。
【００１４】
またジョセフソン磁束線フロー電圧（ジョセフソン磁束線フロー抵抗）に現れる振動の周期は１つのジョセフソン接合にジョセフソン磁束線が１本入った時の磁場の増加分に比例するため、ジョセフソン接合面に印加する磁場の方向及び電流の方向に垂直な方向のジョセフソン接合面の幅に反比例することが分かっており、その幅を限定することでその振動の周期を制御することができる。
【００１５】
また、ジョセフソン接合面に垂直に流される電流の電流密度が１００Ａ／ｃｍ2以下であり且つジョセフソン接合面に対して磁場の傾きが０．１度以内である場合に、ジョセフソン磁束線フロー電圧（ジョセフソン磁束線フロー抵抗）に周期的な振動が観測される。
【００１６】
またこの出願の発明では、酸化物高温超伝導体単結晶内に存在する積層状態の固有のジョセフソン接合構造を、ジョセフソン接合の積層膜と同様のものとみなすことができ、従来の積層膜製造方法のように数千個の超伝導層及び絶縁層（半導体層）を積層する必要がなくなる。
【００１７】
さらにまた従来のジョセフソン接合素子のほとんどが液体ヘリウム温度（４．２Ｋ）以下で動作するのに対し、この出願の発明における酸化物高温超伝導体ジョセフソン磁束線素子は、超伝導転移温度から数Ｋ直下から動作し、液体窒素温度（７７Ｋ）でも十分に動作する点で、従来のジョセフソン接合素子と根本的に異なっている。
【００１８】
また、この出願の発明における酸化物高温超伝導体ジョセフソン磁束線素子の動作原理は、超伝導層間の結合の大きさと関係している。超伝導層間の結合を決定しているキャリア濃度を制御する方法としては、素子内への準粒子注入法或いはクーパー対注入法が有効であり、これをジョセフソン磁束線フロー電圧（ジョセフソン磁束線フロー抵抗）の振動の周期の制御方法とすることも可能である。またこの出願の発明における動作原理は積層状態の固有のジョセフソン接合構造を有するビスマス２２１２系酸化物高温超伝導体以外の高温超伝導体、そしてジョセフソン接合を有する従来の超伝導体から成る多層構造の接合においても適用可能である。
【００１９】
この出願の発明における酸化物高温超伝導体ジョセフソン磁束線素子の動作原理は、人工的な超伝導層−絶縁層−超伝導層から成る積層膜を作成する必要もなく、酸化物高温超伝導体単結晶をそのまま用いることができる。また酸化物高温超伝導体単結晶の微細加工において、従来から用いられているイオンビーム等による微細加工技術を踏襲でき、さらに制御用の電極形成等も従来の方法で可能なこと等から、技術的な問題点の多くが解決されている。
【００２０】
また素子面積を数μｍ2程度に縮小できることから超伝導素子の集積化も可能であり、この出願の発明の動作原理を利用して新機能特性を有した全く新しい超伝導素子を作成することも可能となる。従って、例えば磁束線１本を信号源として入力することによって、現在コンピュータ等で使われている０と１の２進法の入力だけでなく、０〜ｎまでの（ｎ＋１）進法の入力によるコンピュータ素子にも成り得るといったように、情報通信用の超伝導素子開発が促進される等、応用分野への拡大が期待される。
【００２１】
以下、添付した図面に沿って実施例を示し、この発明の実施の形態についてさらに詳しく説明する。もちろん、この発明は以下の例に限定されるものではなく、細部については様々な態様が可能であることは言うまでもない。
【００２２】
【実施例】
ビスマス２２１２系酸化物高温超伝導体単結晶を用いて、この出願の発明における酸化物高温超伝導体ジョセフソン磁束線素子の性質を評価した。
【００２３】
まず、ビスマス２２１２系酸化物高温超伝導体単結晶（１）を図１（Ａ）に示すように短冊状に切断加工した後、図１（Ｂ）に詳しく示すように収束イオンビームにより固有ジョセフソン接合部（２）を加工した。また図１（Ｃ）は固有ジョセフソン接合部（２）の切断面図であり、図１（Ｃ）中の矢印は、上下方向の矢印が電流の方向、左右方向の矢印が磁場の方向を示している。
【００２４】
図２は微細加工後の固有ジョセフソン接合部（２）の写真であり、接合部の大きさは幅：１８（挿入図中におけるＷ）×奥行き：１６（挿入図中におけるｌ）×高さ：２（挿入図中におけるｔ）μｍ3である。電流は高さ方向、つまりジョセフソン接合面（超伝導層面）と垂直な方向に流し、磁場はジョセフソン接合面にほぼ平行に印加した。
【００２５】
図２の挿入図は実施例に用いた固有ジョセフソン接合部（２）の概略図を示しており、ジョセフソン接合面はｃ軸に垂直である。磁場の方向は、実際にはジョセフソン接合面から約０．０２度傾いており、またジョセフソン接合面に垂直に流した電流の大きさは１μＡである。
【００２６】
図１（Ａ）に示しているように、交流抵抗ブリッジＬＲ−７００を用いた四端子測定法によってジョセフソン磁束線フロー抵抗（ジョセフソン磁束線フロー電圧）を測定した。温度６５Ｋにおいて、磁場を増加させたときのジョセフソン磁束線フロー抵抗の変化を図３に示す。ここで、図３の横軸は磁場の大きさであり、縦軸は抵抗の大きさである。
【００２７】
磁場の大きさが３ｋＯｅ付近になったところでジョセフソン磁束線フロー抵抗が現れ始め、７ｋＯｅ付近からジョセフソン磁束線フロー抵抗に周期的な振動が現れている。図３の挿入図に示しているように、ジョセフソン磁束線フロー抵抗の振動は一定の周期約０．４ｋＯｅを有し、２５ｋＯｅ付近までの広範囲の磁場で周期的な振動が現れている。２５ｋＯｅ付近で振動が止まるのは、ジョセフソン接合面に対する磁場の若干の傾きによってジョセフソン接合面に垂直に磁束線が侵入することでパンケーキ磁束線が生じ、パンケーキ磁束線によるピン止めのためにジョセフソン磁束線フローが停止するためである。
【００２８】
振動の周期が約０．４ｋＯｅであるのはビスマス２２１２系酸化物高温超伝導体単結晶内に存在するジョセフソン接合２個に対してジョセフソン磁束線１本が入ったことに相当している。即ち、ジョセフソン磁束線１本がジョセフソン接合内に出入りすることによってジョセフソン磁束フロー抵抗が大きく変化していることになる。
【００２９】
この実験事実は磁束線本数を入力信号として利用することで、大きな出力を得ることが可能であることを示している。またジョセフソン磁束線フロー抵抗の振動の周期がジョセフソン接合面の幅に反比例することを確認しており、その幅を変化させることでジョセフソン磁束線フロー抵抗の振動の周期を変えることも可能である。
【００３０】
さらに、この実施例のビスマス２２１２系酸化物高温超伝導体単結晶の特性は、ジョセフソン磁束線の素子内での分布により決定されていると考えることができ、したがって、超伝導層間の結合の強さを変えることによってもジョセフソン磁束線分布に影響を与えることから、超伝導層内へ準粒子或いはクーパー対を注入することにより超伝導層間結合を制御してジョセフソン磁束線フロー抵抗に周期性を持たせることも可能である。
【００３１】
【発明の効果】
以上詳しく説明したとおり、この発明によって、酸化物高温超伝導体単結晶内に存在する積層状態のジョセフソン接合構造に特有なジョセフソン磁束線を利用した新たな動作原理による酸化物高温超伝導体ジョセフソン磁束線素子が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施例における酸化物高温超電導体ジョセフソン磁束線素子を例示した概略図である。
【図２】この発明の実施例における酸化物高温超電導体ジョセフソン磁束線素子を例示した写真及び概略図である。
【図３】この発明における動作原理を示すジョセフソン磁束線フロー抵抗−磁場測定結果を示した図である。
【符号の説明】
１ ビスマス２２１２系酸化物高温超伝導体単結晶
２ ジョセフソン接合部
Claims (16)
- 酸化物高温超伝導体を微細加工して形成されたジョセフソン接合部を有し、ジョセフソン接合面に垂直に電流が流され、且つジョセフソン接合面にほぼ平行且つ一定方向に磁場が印加されたときにジョセフソン磁束線フロー電圧（ジョセフソン磁束線フロー抵抗）を生じ、量子化されたジョセフソン磁束線のジョセフソン接合内への出入りによってジョセフソン磁束線フロー電圧（ジョセフソン磁束線フロー抵抗）に周期的な振動が発生することを特徴とする酸化物高温超伝導体ジョセフソン磁束線素子。
- 酸化物高温超伝導体として、Ｂｉ2Ｓｒ2ＣａＣｕ2ＯX化合物系酸化物高温超伝導体が用いられることを特徴とする請求項１の酸化物高温超伝導体ジョセフソン磁束線素子。
- 請求項１または２の酸化物高温超伝導体ジョセフソン磁束線素子において、前記磁場の方向及び電流の方向に垂直な方向でのジョセフソン接合面の幅によりジョセフソン磁束線フロー電圧（ジョセフソン磁束線フロー抵抗）の振動の周期が決定され、その周期がジョセフソン接合面の幅に反比例することを特徴とする。
- ジョセフソン接合面に垂直に流れる電流の電流密度が、１００Ａ／ｃｍ2以下であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかの酸化物高温超伝導体ジョセフソン磁束線素子。
- 印加する一定方向磁場のジョセフソン接合面に対しての傾きが、０．１度以内であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかの酸化物高温超伝導体ジョセフソン磁束線素子。
- 酸化物高温超伝導体が、特性を損なわない範囲で組成調整、元素添加或いは元素置換を行ったもの、酸素濃度を制御したもの、準粒子或いはクーパー対を注入したもの、又は積層状態の固有のジョセフソン接合構造を有する他の高温超伝導体に置換可能なものであることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかの酸化物高温超伝導体ジョセフソン磁束線素子。
- 酸化物高温超伝導体が、従来の超伝導体から成る超伝導層−絶縁層−超伝導層構造の超伝導多層構造に置換可能なものであることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかの酸化物高温超伝導体ジョセフソン磁束線素子。
- 動作温度が超伝導転移温度以下であることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかの酸化物高温超伝導体ジョセフソン磁束線素子。
- 酸化物高温超伝導体を微細加工して形成されたジョセフソン接合部のジョセフソン接合面に垂直に電流を流し、且つジョセフソン接合面に平行且つ一定方向に磁場を印加することによりジョセフソン磁束線フロー電圧（ジョセフソン磁束線フロー抵抗）を生じさせ、量子化されたジョセフソン磁束線のジョセフソン接合内への出入りによってジョセフソン磁束線フロー電圧（ジョセフソン磁束線フロー抵抗）に周期的な振動を発生させることを特徴とするジョセフソン磁束線フロー電圧の制御方法。
- 酸化物高温超伝導体として、Ｂｉ2Ｓｒ2ＣａＣｕ2ＯX化合物系酸化物高温超伝導体を用いることを特徴とする請求項９のジョセフソン磁束線フロー電圧の制御方法。
- ジョセフソン接合面に印加する磁場の一定方向及び電流の方向に垂直な方向のジョセフソン接合面の幅を調整することによりジョセフソン磁束線フロー電圧（ジョセフソン磁束線フロー抵抗）の振動の周期を変化させ、その周期はジョセフソン接合面の幅に反比例することを特徴とする請求項９または１０のジョセフソン磁束線フロー電圧の制御方法。
- ジョセフソン接合面に垂直に流す電流の電流密度を、１００Ａ／ｃｍ2以下とすることを特徴とする請求項９ないし１１のいずれかのジョセフソン磁束線フロー電圧の制御方法。
- 印加する磁場の方向のジョセフソン接合面に対しての傾きを、０．１度以内とすることを特徴とする請求項９ないし１２のいずれかのジョセフソン磁束線フロー電圧の制御方法。
- 酸化物高温超伝導体として、特性を損なわない範囲で組成調整、元素添加或いは元素置換を行ったもの、酸素濃度を制御したもの、準粒子或いはクーパー対を注入したもの、又は積層状態の固有のジョセフソン接合構造を有する他の高温超伝導体に置換可能なものを用いることを特徴とする請求項９ないし１３のいずれかのジョセフソン磁束線フロー電圧の制御方法。
- 酸化物高温超伝導体として、従来の超伝導体から成る超伝導層−絶縁層−超伝導層構造の超伝導多層構造に置換可能なものを用いることを特徴とする請求項９ないし１４のいずれかのジョセフソン磁束線フロー電圧の制御方法。
- 酸化物高温超伝導体として、動作温度が超伝導転移温度以下であるものを用いることを特徴とする請求項１ないし１５のいずれかのジョセフソン磁束線フロー電圧の制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001255084A JP4126367B2 (ja) | 2001-08-24 | 2001-08-24 | 酸化物高温超伝導ジョセフソン磁束線素子及びその素子におけるジョセフソン磁束線フロー電圧の制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001255084A JP4126367B2 (ja) | 2001-08-24 | 2001-08-24 | 酸化物高温超伝導ジョセフソン磁束線素子及びその素子におけるジョセフソン磁束線フロー電圧の制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003069098A JP2003069098A (ja) | 2003-03-07 |
| JP4126367B2 true JP4126367B2 (ja) | 2008-07-30 |
Family
ID=19083122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001255084A Expired - Lifetime JP4126367B2 (ja) | 2001-08-24 | 2001-08-24 | 酸化物高温超伝導ジョセフソン磁束線素子及びその素子におけるジョセフソン磁束線フロー電圧の制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4126367B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011233825A (ja) * | 2010-04-30 | 2011-11-17 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 固有ジョセフソン接合素子、及び、これを用いた量子ビット、超伝導量子干渉素子、テラヘルツ検出器、テラヘルツ発振器、電圧標準装置、ミリ波・サブミリ波受信機、並びに、固有ジョセフソン接合素子の製造方法 |
-
2001
- 2001-08-24 JP JP2001255084A patent/JP4126367B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2003069098A (ja) | 2003-03-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Nadeem et al. | The superconducting diode effect | |
| Latyshev et al. | Dimensional Crossover for Intrinsic dc Josephson Effect in B i 2 S r 2 CaC u 2 O 8 2212 Single Crystal Whiskers | |
| JP2023016729A (ja) | 高温超伝導量子ビットおよび製造方法 | |
| US5346882A (en) | Josephson contacts in high temperature superconductors and method of fabrication thereof | |
| Mannhart et al. | High-T c bicrystal grain boundaries | |
| Li et al. | Josephson current in ferromagnet-superconductor tunnel junctions | |
| JP4126367B2 (ja) | 酸化物高温超伝導ジョセフソン磁束線素子及びその素子におけるジョセフソン磁束線フロー電圧の制御方法 | |
| Evetts et al. | Relation of the N-value of the resistive transition to microstructure and inhomogeneity for YBa/sub 2/Cu/sub 3/O/sub 7/wires | |
| Takano et al. | A cross-whiskers junction as a novel fabrication process for intrinsic Josephson junctions | |
| Kim et al. | Characteristics of two-stacked intrinsic Josephson junctions with a submicron loop on a Bi2Sr2CaCu2O8+ δ (Bi-2212) single crystal whisker | |
| Mao et al. | Consequences of d-wave superconductivity for high frequency applications of cuprate superconductors | |
| Moeckly et al. | Josephson properties of basal‐plane‐faced tilt boundaries in YBa2Cu3O7− δ thin films | |
| JPH0783144B2 (ja) | 酸化物超伝導体を用いたジヨセフソン素子 | |
| CN102694117B (zh) | 一种基于超导纳米线的高频振荡器及其制备方法 | |
| Hyart | A magnetic-field-free exciton condensate | |
| Kinase et al. | The incommensurate character of the 2d electron system and its relation with ferroelectricity and superconductivity | |
| Ovsyannikov et al. | YBCO bicrystal junctions on sapphire: d-wave impact and possible applications | |
| Khene | Critical Currents and Superconductivity: Ferromagnetism Coexistence in High-Tc Oxides | |
| Kleiner | Intrinsic Josephson junctions in high temperature superconductors | |
| JPH02181983A (ja) | 超伝導トンネル接合素子 | |
| Irie et al. | Influence of spin injection on the in-plane and out-of-plane transport properties of BSCCO single crystal | |
| Venditti et al. | Superfluid response of two-dimensional filamentary superconductors | |
| Kim et al. | Fabrication of ultra-small and long intrinsic Josephson junctions on Bi-2212 single crystal whiskers | |
| Seidel | High-Tc Josephson junctions | |
| JP2768276B2 (ja) | 酸化物超電導接合素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050906 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051104 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070424 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070621 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080415 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4126367 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |