JP4125205B2 - Edge exposure apparatus and substrate processing apparatus having the same - Google Patents

Edge exposure apparatus and substrate processing apparatus having the same Download PDF

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Description

本発明は、基板の周縁部を露光するエッジ露光装置およびそれを備える基板処理装置に関する。   The present invention relates to an edge exposure apparatus that exposes a peripheral portion of a substrate and a substrate processing apparatus including the edge exposure apparatus.

半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板または光ディスク用ガラス基板等の各種基板の処理工程において、基板上に回路パターンを形成するためレジスト塗布処理が行われる。   In processing steps of various substrates such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a photomask, a glass substrate for a liquid crystal display device, or a glass substrate for an optical disk, a resist coating process is performed to form a circuit pattern on the substrate.

レジスト塗布処理後の基板にはその全面にレジスト膜が形成される。ここで、基板周縁部に形成されたレジスト膜は、基板搬送時の機械的な接触により剥離され、パーティクルとなる場合がある。パーティクルの発生等を防止するため、基板周縁部に形成されたレジスト膜を予め除去する処理が行われている。   A resist film is formed on the entire surface of the substrate after the resist coating process. Here, the resist film formed on the peripheral edge of the substrate may be peeled off by mechanical contact during substrate transportation to become particles. In order to prevent generation of particles and the like, a process of previously removing the resist film formed on the peripheral edge of the substrate is performed.

レジスト膜の除去は、例えば、レジスト塗布処理後の基板を回転させつつ周縁部に形成されたレジスト膜を露光(エッジ露光処理)し、現像することにより行われる。   The removal of the resist film is performed, for example, by exposing and developing the resist film formed on the peripheral portion while rotating the substrate after the resist coating process (edge exposure process).

エッジ露光処理は、エッジ露光装置により行われる。図9は、従来の一般的なエッジ露光装置を示す模式図である。   The edge exposure process is performed by an edge exposure apparatus. FIG. 9 is a schematic diagram showing a conventional general edge exposure apparatus.

図9のエッジ露光装置900Aは、スピンモータ910、回転軸911、スピンチャック912および投光装置950を備える。投光装置950は、鏡筒901、遮光マスク902およびライトガイド904を備える。さらに、鏡筒901は、内部にレンズ903を備える。   The edge exposure apparatus 900A of FIG. 9 includes a spin motor 910, a rotating shaft 911, a spin chuck 912, and a light projecting device 950. The light projecting device 950 includes a lens barrel 901, a light shielding mask 902, and a light guide 904. Further, the lens barrel 901 includes a lens 903 inside.

基板周縁部のエッジ露光処理時において、スピンチャック912上には基板Wが載置される。スピンチャック912は載置された基板Wを吸着保持する。スピンモータ910が回転軸911を回転させる。それにより、スピンチャック912が回転し、基板Wが回転する。   The substrate W is placed on the spin chuck 912 at the time of edge exposure processing at the peripheral edge of the substrate. The spin chuck 912 sucks and holds the placed substrate W. The spin motor 910 rotates the rotation shaft 911. Thereby, the spin chuck 912 rotates and the substrate W rotates.

一方、投光装置950のライトガイド904には図示しない露光用光源から、エッジ露光を行うための光が導入される。ライトガイド904に導入された光は、さらに鏡筒901内に導入される。   On the other hand, light for edge exposure is introduced into the light guide 904 of the light projector 950 from an exposure light source (not shown). The light introduced into the light guide 904 is further introduced into the lens barrel 901.

鏡筒901内に導入された光は、1または複数のレンズ903を通じて基板Wの周縁部表面に照射される。これにより、基板Wの周縁部のみが露光される。   The light introduced into the lens barrel 901 is irradiated onto the peripheral surface of the substrate W through one or a plurality of lenses 903. Thereby, only the peripheral part of the substrate W is exposed.

なお、基板Wの周縁部表面に照射された光の一部は投光装置950側に反射するが、その反射光は遮光マスク902により吸収される。これにより、基板Wと投光装置950間での光の散乱が防止される。   Note that part of the light irradiated on the peripheral surface of the substrate W is reflected toward the light projecting device 950 side, but the reflected light is absorbed by the light shielding mask 902. Thereby, scattering of the light between the board | substrate W and the light projector 950 is prevented.

ところで、エッジ露光処理時において、レジスト膜に紫外光等の露光用の光が照射されると、レジスト膜の内部に気泡が発生する場合がある。この場合、気泡がレジスト膜の表面を突き破り、パーティクルが飛散する。また、レジスト膜に紫外光等の露光用の光が照射されることにより、レジストの昇華物が発生する場合がある。   By the way, in the edge exposure process, when exposure light such as ultraviolet light is irradiated to the resist film, bubbles may be generated inside the resist film. In this case, bubbles break through the surface of the resist film and particles are scattered. Further, when the resist film is irradiated with exposure light such as ultraviolet light, a resist sublimate may be generated.

このようなレジストのパーティクルおよび昇華物の発生は、基板の現像処理時における歩留まりの低下等を引き起こす要因となることから従来より問題視されてきた。   Such generation of resist particles and sublimates has been regarded as a problem since it causes a decrease in yield during the development processing of the substrate.

そこで、パーティクルおよびレジストの昇華物等を排除することが可能な各種エッジ露光装置が提案されている(例えば、特許文献1および特許文献2参照)。   Therefore, various edge exposure apparatuses capable of eliminating particles and resist sublimates have been proposed (see, for example, Patent Document 1 and Patent Document 2).

図10は、パーティクルの排除を可能とする従来のエッジ露光装置を示す模式図である。   FIG. 10 is a schematic diagram showing a conventional edge exposure apparatus that can eliminate particles.

図10のエッジ露光装置900Bは、スピンモータ910、スピンチャック912、光源931、露光手段960、排気手段970およびガス吹き付け手段980を備える。露光手段960は、光通路932および光射出部933を備える。露光手段960にはガス吹き付け手段980が取り付けられている。また、排気手段970は排気ノズル940および排気通路941を備え、ガス吹き付け手段980は噴出ノズル921およびガス供給通路920を備える。   The edge exposure apparatus 900B of FIG. 10 includes a spin motor 910, a spin chuck 912, a light source 931, an exposure unit 960, an exhaust unit 970, and a gas blowing unit 980. The exposure unit 960 includes a light path 932 and a light emitting unit 933. A gas blowing unit 980 is attached to the exposure unit 960. The exhaust means 970 includes an exhaust nozzle 940 and an exhaust passage 941, and the gas blowing means 980 includes an ejection nozzle 921 and a gas supply passage 920.

露光装置900Bにおいて、スピンチャック912の下端部には、回転機構としてスピンモータ910が連結されている。スピンチャック912は基板Wを吸着保持する。スピンモータ910によりスピンチャック912が回転され、基板Wが回転される。   In the exposure apparatus 900B, a spin motor 910 is connected to the lower end portion of the spin chuck 912 as a rotation mechanism. The spin chuck 912 holds the substrate W by suction. The spin chuck 912 is rotated by the spin motor 910, and the substrate W is rotated.

露光手段960においては、光源931から光通路932を通して、光射出部933へ、例えば紫外線が伝搬される。それにより、伝搬された光が基板Wの周縁部に照射される。   In the exposure unit 960, for example, ultraviolet light is propagated from the light source 931 to the light emitting unit 933 through the light path 932. Thereby, the propagated light is irradiated to the peripheral portion of the substrate W.

ガス吹き付け手段980において、噴出ノズル921の先端は基板W周縁部である露光部に向けて開口されており、この部分にガスを吹き付けるようになっている。特に噴出ノズル921は、露光手段960に対してスピンチャック912の半径方向の内側に設けられている。これにより、ガス吹き付け時には、基板Wの内側から半径方向外側に向けて下向き傾斜で不活性ガスを吹き付けるように構成されている。   In the gas blowing means 980, the tip of the ejection nozzle 921 is opened toward the exposure part which is the peripheral edge of the substrate W, and gas is blown onto this part. In particular, the ejection nozzle 921 is provided inside the spin chuck 912 in the radial direction with respect to the exposure unit 960. Thereby, at the time of gas blowing, it is comprised so that an inert gas may be sprayed by the downward inclination toward the radial direction outer side from the inner side of the board | substrate W. FIG.

排気手段970は、露光手段960のわずか下方であって、保持された基板Wの側方に設けられている。排気手段970において、排気ノズル940は、基板Wの表面か、それよりわずかに上方に位置されて上記噴出ノズル921に対向させて設けられている。排気ノズル940は、排気配管941を介して排気ポンプに接続されている。   The exhaust unit 970 is provided slightly below the exposure unit 960 and on the side of the held substrate W. In the exhaust unit 970, the exhaust nozzle 940 is provided on the surface of the substrate W or slightly above it so as to face the ejection nozzle 921. The exhaust nozzle 940 is connected to an exhaust pump via an exhaust pipe 941.

これにより、排気ポンプを駆動することにより、上記噴射ノズル921から吹き出された不活性ガスは、基板Wの周縁部と接触した後、効率的にこの排気ノズル940へ吸引導入される。その結果、基板Wの周縁部の露光時に発生するパーティクルが散乱することなく排除される。
特開平6−216025号公報 特開平7−201717号公報
Accordingly, by driving the exhaust pump, the inert gas blown from the injection nozzle 921 comes into contact with the peripheral edge of the substrate W and is then efficiently sucked into the exhaust nozzle 940. As a result, particles generated during exposure of the peripheral edge of the substrate W are eliminated without being scattered.
Japanese Patent Laid-Open No. 6-216025 JP 7-201717 A

ところで、基板周縁部のエッジ露光処理時には、光学系のレンズの汚れが発生する。この光学系のレンズの汚れは、エッジ露光処理時に発生するレジストのパーティクルおよび昇華物により発生する。調査の結果、本発明者は、このような光学系のレンズの汚れが露光に用いる光の照度低下を招くことを発見した。照度低下が起きた場合、十分なエッジ露光処理を行うために、露光時間を長くする必要がある。   By the way, at the time of edge exposure processing on the peripheral edge of the substrate, contamination of the lens of the optical system occurs. The contamination of the lens of the optical system is caused by resist particles and sublimates generated during the edge exposure process. As a result of the investigation, the present inventor has discovered that such contamination of the lens of the optical system causes a decrease in the illuminance of light used for exposure. When the illuminance decreases, it is necessary to lengthen the exposure time in order to perform sufficient edge exposure processing.

さらに、本発明者は、光学系のレンズの汚れが、光の照度低下のみならず、レンズを透過する光の屈折率を変化させることを発見した。特に、レンズを透過する光の屈折率が変化すると、基板周縁部への光の焦点が合わない場合がある。   Furthermore, the present inventor has discovered that contamination of the lens of the optical system changes not only the illuminance of light but also the refractive index of the light transmitted through the lens. In particular, when the refractive index of light transmitted through the lens changes, the light may not be focused on the peripheral edge of the substrate.

このような問題の対策としては、エッジ露光装置自体を停止させ、メンテナンスを行うことにより、レンズの汚れをクリーニングする方法がとられているが、クリーニングに要する人件費および装置のダウンタイム等の問題が指摘されている。   As a countermeasure against such a problem, a method of cleaning the lens dirt by stopping the edge exposure apparatus itself and performing maintenance is taken, but there are problems such as labor cost required for cleaning and apparatus downtime. Has been pointed out.

上記のエッジ露光装置900Bによれば、露光対象となるエッジ周縁部に不活性ガスを吹き付けるので、光学系のレンズの汚れを防止することができる。   According to the edge exposure apparatus 900B described above, the inert gas is blown to the edge peripheral edge to be exposed, so that contamination of the lens of the optical system can be prevented.

しかしながら、エッジ露光処理時に常に露光対象となるエッジ周縁部に不活性ガスを吹き付けるので、不活性ガスの消費量が多くなり、噴出される不活性ガスの利用効率が悪い。また、それにともない、基板Wの製造コストも高くなる。   However, since the inert gas is always blown to the edge peripheral edge to be exposed during the edge exposure process, the consumption amount of the inert gas is increased, and the use efficiency of the injected inert gas is poor. Along with this, the manufacturing cost of the substrate W also increases.

本発明の目的は、簡単な構成で、かつ、効率的に光学部材の汚染を防止可能なエッジ露光装置およびそれを備える基板処理装置を提供することである。   An object of the present invention is to provide an edge exposure apparatus and a substrate processing apparatus including the edge exposure apparatus that can efficiently prevent contamination of an optical member with a simple configuration.

上記のような、光学系のレンズの汚れにともなう各種問題を解決すべく、本発明者は、以下に示すエッジ露光装置およびそれを備える基板処理装置を案出した。   In order to solve the various problems associated with the contamination of the lens of the optical system as described above, the present inventor has devised an edge exposure apparatus and a substrate processing apparatus including the edge exposure apparatus described below.

第1の発明に係るエッジ露光装置は、基板の周縁部を露光するエッジ露光装置であって、基板を保持する基板保持手段と、光を発生する光源と、光源により発生された光を基板保持手段により保持された基板に導く経路を形成する光学系と、光学系により形成された光の経路中に設けられた光学部材と、光学系により形成された光の経路中の空間の周囲を光学部材とともに取り囲み、光が通過する開口部を有する第1の空間形成部材と、第1の空間形成部材により形成される空間内に不活性ガスを供給する気体供給手段とを備え、光学系は、光源により発生された光を集光する集光手段を含み、光学部材は、集光手段により集光された光を受ける端面を有し、光を伝達する光伝達部材を含み、第1の空間形成部材は、集光手段により光伝達部材の端面に入射する光の経路中の空間の周囲を光伝達部材の端面とともに取り囲むものである。 An edge exposure apparatus according to a first aspect of the present invention is an edge exposure apparatus that exposes a peripheral portion of a substrate, the substrate holding means that holds the substrate, the light source that generates light, and the light generated by the light source that holds the substrate. An optical system that forms a path that leads to the substrate held by the means, an optical member that is provided in the path of light formed by the optical system, and a space around the space in the path of light formed by the optical system. A first space forming member that surrounds the member and has an opening through which light passes; and a gas supply unit that supplies an inert gas into a space formed by the first space forming member. A light collecting unit configured to collect light generated by the light source; and the optical member includes a light transmitting member configured to transmit light and having an end surface that receives the light collected by the light collecting unit. The forming member is a light transmitting portion by the light collecting means. The surrounding space in the path of the light incident on the end surface is intended to surround with the end face of the optical transmission member.

第1の発明に係るエッジ露光装置においては、基板保持手段により基板が保持される。光源により発生された光が集光手段により集光され、第1の空間形成部材と光伝達部材の端面とにより形成される空間を通過して光伝達部材の端面に入射する。光伝達部材の端面に入射した光は、光伝達部材により伝達され、基板保持手段により保持された基板に導かれ、基板の周縁部が露光される。第1の空間形成部材と光伝達部材の端面とにより形成される空間内には気体供給手段により不活性ガスが供給される。 In the edge exposure apparatus according to the first invention, the substrate is held by the substrate holding means. The light generated by the light source is collected by the light collecting means, passes through the space formed by the first space forming member and the end face of the light transmission member, and enters the end face of the light transmission member. The light incident on the end face of the light transmission member is transmitted by the light transmission member, guided to the substrate held by the substrate holding means, and the peripheral portion of the substrate is exposed. An inert gas is supplied into the space formed by the first space forming member and the end face of the light transmission member by the gas supply means.

これにより、その空間内に不活性ガスが充填され、空間内に不活性ガスが充満すると、開口部から不活性ガスが漏れ出る。その結果、空間から開口部を通して外部へ形成される不活性ガスの流れにより、汚染物が空間内に入りこむことが防止される。したがって、光伝達部材の端面の汚染が防止される。その結果、長時間の使用時においても、光伝達部材の端面の汚れによる光の伝達効率の低下が十分に防止される。また、不活性ガスが用いられるので、大気中の物質による汚染物質の発生が十分に防止される。 Thus, the inert gas is filled in that space, the inert gas is filled in the space, leaving the inert gas leaks from the opening. As a result, contaminants are prevented from entering the space due to the flow of the inert gas formed from the space to the outside through the opening. Therefore, contamination of the end face of the light transmission member is prevented. As a result, even when used for a long time, a decrease in light transmission efficiency due to contamination of the end face of the light transmission member is sufficiently prevented. Moreover, since inert gas is used, generation | occurrence | production of the pollutant by the substance in air | atmosphere is fully prevented.

また、第1の空間形成部材により形成される空間内に多量の不活性ガスを供給する必要がないので、不活性ガスの消費量が少なくすむ。その結果、低資源化および低コスト化が実現される。 In addition, since it is not necessary to supply a large amount of inert gas into the space formed by the first space forming member, the consumption of the inert gas can be reduced. As a result, low resources and low costs are realized.

さらに、開口部を有する第1の空間形成部材を設けるだけでよいので、簡単な構成で光伝達部材の端面の汚染を防止することができる。 Furthermore, since it is only necessary to provide the first space forming member having the opening, contamination of the end face of the light transmission member can be prevented with a simple configuration.

光学部材は、光伝達部材により伝達された光を基板保持手段により保持された基板の周縁部に集光する集光部材を含み、集光部材から基板への光の経路中の空間の周囲を集光部材とともに取り囲む第2の空間形成部材をさらに備え、気体供給手段は、第2の空間形成部材により形成される空間内に不活性ガスをさらに供給してもよい。 The optical member includes a condensing member that condenses the light transmitted by the light transmitting member on the peripheral portion of the substrate held by the substrate holding means, and surrounds the space in the light path from the condensing member to the substrate. A second space forming member surrounding the light collecting member may be further provided, and the gas supply means may further supply an inert gas into the space formed by the second space forming member.

この場合、光源により発生された光が光伝達部材により伝達され、集光部材により基板の周縁部に集光される。この場合、光は第2の空間形成部材と集光部材とにより形成される空間を通過する。 In this case, the light generated by the light source is transmitted by the light transmission member and is collected on the peripheral edge of the substrate by the light collecting member. In this case, the light passes through the space formed by the second space forming member and the light collecting member.

その空間内に不活性ガスが充填され、空間内に不活性ガスが充満すると、開口部から不活性ガスが漏れ出る。その結果、空間から開口部を通して外部へ形成される不活性ガスの流れにより、汚染物が空間内に入りこむことが防止される。したがって、集光部材の汚染が防止される。 As in the space the inert gas is filled, the inert gas is filled in the space, leaving the inert gas leaks from the opening. As a result, contaminants are prevented from entering the space due to the flow of the inert gas formed from the space to the outside through the opening. Therefore, contamination of the light collecting member is prevented.

集光部材は、レンズを内蔵する筒状部材を含み、第2の空間形成部材は、筒状部材の光出射側の先端部に光の経路中の空間を形成するとともにレンズから基板に照射される光が開口部を通過するように設けられてもよい。 The condensing member includes a cylindrical member containing a lens, and the second space forming member forms a space in the light path at the tip of the cylindrical member on the light emission side and is irradiated from the lens to the substrate. The light may pass through the opening.

この場合、第2の空間形成部材によりレンズを内蔵する筒状部材の光出射側の先端部に空間が形成される。これにより、第2の空間形成部材と筒状部材とにより空間が形成されるので、構成が非常に簡単となる。 In this case, a space is formed at the distal end portion on the light emission side of the cylindrical member containing the lens by the second space forming member. Thereby, since a space is formed by the second space forming member and the tubular member, the configuration becomes very simple.

また、第2の空間形成部材と筒状部材とにより形成される空間内に不活性ガスが充填され、空間内に不活性ガスが充満すると、開口部から不活性ガスが漏れ出る。その結果、空間から開口部を通して外部へ形成される不活性ガスの流れにより、汚染物が空間内に入りこむことが防止される。したがって、レンズの汚染が防止される。 Further, the inert gas into the space formed by the second space forming member and the cylindrical member is filled, the inert gas is filled in the space, leaving the inert gas leaks from the opening. As a result, contaminants are prevented from entering the space due to the flow of the inert gas formed from the space to the outside through the opening. Therefore, contamination of the lens is prevented.

第2の空間形成部材は、レンズから基板への光の経路の周囲を取り囲む筒状の周面部と周面部の端部から漸次径小となるテーパ部とを有してもよい。 The second space forming member may have a cylindrical peripheral surface portion that surrounds the periphery of the light path from the lens to the substrate, and a tapered portion that gradually decreases in diameter from the end portion of the peripheral surface portion.

この場合、基板の表面からの反射光がテーパ部により外方へ反射される。それにより、基板の表面での反射光が第2の空間形成部材と筒状部材とにより形成される空間内に入射することが防止される。また、反射光がテーパ部より外方へ反射されることにより第2の空間形成部材での反射光が基板上に再び照射されることが防止される。 In this case, the reflected light from the surface of the substrate is reflected outward by the tapered portion. Thereby, the reflected light on the surface of the substrate is prevented from entering the space formed by the second space forming member and the cylindrical member. Further, since the reflected light is reflected outward from the taper portion, the reflected light from the second space forming member is prevented from being irradiated again on the substrate.

第2の発明に係る基板処理装置は、基板に処理を行う基板処理装置であって、基板に処理液の塗布処理を行う塗布装置と、塗布装置により処理液が塗布された基板の周縁部を露光する第1の発明に係るエッジ露光装置とを備えるものである。   A substrate processing apparatus according to a second aspect of the present invention is a substrate processing apparatus that performs processing on a substrate, and includes a coating apparatus that applies a processing liquid to the substrate, and a peripheral portion of the substrate on which the processing liquid is applied by the coating apparatus. An edge exposure apparatus according to the first aspect of the invention for exposure is provided.

この場合、塗布装置により基板に処理液の塗布処理が行われ、第1の発明に係るエッジ露光装置により処理液が塗布された基板の周縁部が露光される。   In this case, the coating liquid is applied to the substrate by the coating apparatus, and the edge portion of the substrate to which the processing liquid is applied is exposed by the edge exposure apparatus according to the first aspect of the invention.

これにより、エッジ露光装置において、第1の空間形成部材により形成される空間内に不活性ガスが充填され、空間内に不活性ガスが充満すると、開口部から不活性ガスが漏れ出る。その結果、空間から開口部を通して外部へ形成される不活性ガスの流れにより、汚染物が空間内に入りこむことが防止される。したがって、光伝達部材の端面の汚染が防止される。その結果、長時間の使用時においても、光伝達部材の端面の汚れによる光の伝達効率の低下が十分に防止される。 Accordingly, in the edge exposure apparatus, the inert gas fills the space formed by the first space forming member, and the inert gas leaks from the opening when the inert gas fills the space. As a result, contaminants are prevented from entering the space due to the flow of the inert gas formed from the space to the outside through the opening. Therefore, contamination of the end face of the light transmission member is prevented. As a result, even when used for a long time, a decrease in light transmission efficiency due to contamination of the end face of the light transmission member is sufficiently prevented.

また、第1の空間形成部材により形成される空間内に多量の不活性ガスを供給する必要がないので、不活性ガスの消費量が少なくすむ。その結果、低資源化および低コスト化が実現される。 In addition, since it is not necessary to supply a large amount of inert gas into the space formed by the first space forming member, the consumption of the inert gas can be reduced. As a result, low resources and low costs are realized.

さらに、開口部を有する第1の空間形成部材を設けるだけでよいので、簡単な構成で光伝達部材の端面の汚染を防止することができる。 Furthermore, since it is only necessary to provide the first space forming member having the opening, contamination of the end face of the light transmission member can be prevented with a simple configuration.

本発明に係るエッジ露光装置においては、基板保持手段により基板が保持される。光源により発生された光が集光手段により集光され、第1の空間形成部材と光伝達部材の端面とにより形成される空間を通過して光伝達部材の端面に入射する。光伝達部材の端面に入射した光は、光伝達部材により伝達され、基板保持手段により保持された基板に導かれ、基板の周縁部が露光される。第1の空間形成部材と光伝達部材の端面とにより形成される空間内には気体供給手段により不活性ガスが供給される。 In the edge exposure apparatus according to the present invention, the substrate is held by the substrate holding means. The light generated by the light source is collected by the light collecting means, passes through the space formed by the first space forming member and the end face of the light transmission member, and enters the end face of the light transmission member. The light incident on the end face of the light transmission member is transmitted by the light transmission member, guided to the substrate held by the substrate holding means, and the peripheral portion of the substrate is exposed. An inert gas is supplied into the space formed by the first space forming member and the end face of the light transmission member by the gas supply means.

これにより、その空間内に不活性ガスが充填され、空間内に不活性ガスが充満すると、開口部から不活性ガスが漏れ出る。その結果、空間から開口部を通して外部へ形成される不活性ガスの流れにより、汚染物が空間内に入りこむことが防止される。したがって、光伝達部材の端面の汚染が防止される。その結果、長時間の使用時においても、光伝達部材の端面の汚れによる光の伝達効率の低下が十分に防止される。 Thus, the inert gas is filled in that space, the inert gas is filled in the space, leaving the inert gas leaks from the opening. As a result, contaminants are prevented from entering the space due to the flow of the inert gas formed from the space to the outside through the opening. Therefore, contamination of the end face of the light transmission member is prevented. As a result, even when used for a long time, a decrease in light transmission efficiency due to contamination of the end face of the light transmission member is sufficiently prevented.

また、第1の空間形成部材により形成される空間内に多量の不活性ガスを供給する必要がないので、不活性ガスの消費量が少なくすむ。その結果、低資源化および低コスト化が実現される。 In addition, since it is not necessary to supply a large amount of inert gas into the space formed by the first space forming member, the consumption of the inert gas can be reduced. As a result, low resources and low costs are realized.

さらに、開口部を有する第1の空間形成部材を設けるだけでよいので、簡単な構成で光伝達部材の端面の汚染を防止することができる。 Furthermore, since it is only necessary to provide the first space forming member having the opening, contamination of the end face of the light transmission member can be prevented with a simple configuration.

以下、本発明の一実施の形態に係るエッジ露光装置およびそれを備える基板処理装置について図1〜図8に基づき説明する。   Hereinafter, an edge exposure apparatus and a substrate processing apparatus including the same according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

以下の説明において、基板とは、半導体ウェハ、液晶表示装置用ガラス基板、PDP(プラズマディスプレイパネル)用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等をいう。   In the following description, a substrate refers to a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a PDP (plasma display panel), a glass substrate for a photomask, a substrate for an optical disk, and the like.

図1は、本発明の一実施の形態に係るエッジ露光装置の一例を示す模式図である。   FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of an edge exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.

本実施の形態に係るエッジ露光装置100は、投光部10、投光部保持ユニット20、基板回転ユニット40、光源ユニット50およびガス供給ユニット60を備える。   The edge exposure apparatus 100 according to the present embodiment includes a light projecting unit 10, a light projecting unit holding unit 20, a substrate rotating unit 40, a light source unit 50, and a gas supply unit 60.

投光部10は、鏡筒11および遮光マスク1を備える。遮光マスク1は鏡筒11の下端に設けられており、遮光マスク1にはガス導入路2が一体形成されている。   The light projecting unit 10 includes a lens barrel 11 and a light shielding mask 1. The light shielding mask 1 is provided at the lower end of the lens barrel 11, and the gas introducing path 2 is integrally formed in the light shielding mask 1.

鏡筒11の上端には、光ファイバケーブル等からなるライトガイド50tが接続されている。これにより、投光部10はライトガイド50tを介して光源ユニット50と接続されている。また、ガス導入路2には、ガス供給管60tが接続されている。これにより、投光部10はガス供給管60tを介してガス供給ユニット60と接続されている。ガス供給ユニット60はガス供給管58を介して光源ユニット50と接続されている。   A light guide 50 t made of an optical fiber cable or the like is connected to the upper end of the lens barrel 11. Thereby, the light projection part 10 is connected with the light source unit 50 via the light guide 50t. A gas supply pipe 60t is connected to the gas introduction path 2. Thereby, the light projection part 10 is connected with the gas supply unit 60 via the gas supply pipe 60t. The gas supply unit 60 is connected to the light source unit 50 through a gas supply pipe 58.

投光部10は、ライトガイド50tを介して光源ユニット50より送られる光を基板Wの周縁部に照射する。この照射時において、投光部10のガス導入路2には、ガス供給管60tを介してガス供給ユニット60より不活性ガスとしてN2 (窒素)ガスが供給される。また、光源ユニット50にも、ガス供給管58を介してガス供給ユニット60よりN2 ガスが供給される。これらの詳細については後述する。 The light projecting unit 10 irradiates the peripheral edge of the substrate W with light transmitted from the light source unit 50 via the light guide 50t. At the time of irradiation, N 2 (nitrogen) gas is supplied as an inert gas from the gas supply unit 60 to the gas introduction path 2 of the light projecting unit 10 through the gas supply pipe 60t. The light source unit 50 is also supplied with N 2 gas from the gas supply unit 60 via the gas supply pipe 58. Details of these will be described later.

ここで、基板回転ユニット40に載置される基板Wに平行な所定の方向をY方向として定義し、Y方向と直交する方向をX方向として定義する。   Here, a predetermined direction parallel to the substrate W placed on the substrate rotating unit 40 is defined as the Y direction, and a direction orthogonal to the Y direction is defined as the X direction.

投光部保持ユニット20は、Y方向駆動モータ21、Y方向ボールネジ22、投光部保持ガイド23、支柱24、X方向駆動モータ31、支柱保持ガイド32および図示しないX方向ボールネジを備える。   The light projecting unit holding unit 20 includes a Y direction drive motor 21, a Y direction ball screw 22, a light projecting unit holding guide 23, a support 24, an X direction drive motor 31, a support holding guide 32, and an X direction ball screw (not shown).

投光部保持ユニット20において、投光部保持ガイド23は投光部10をY方向に移動可能に保持する。また、Y方向ボールネジ22は投光部10に設けられた図示しない連結部に螺合されている。   In the light projecting unit holding unit 20, the light projecting unit holding guide 23 holds the light projecting unit 10 so as to be movable in the Y direction. Further, the Y-direction ball screw 22 is screwed into a connecting portion (not shown) provided in the light projecting portion 10.

Y方向ボールネジ22はY方向駆動モータ21から突出するように設けられており、Y方向駆動モータ21の動作に伴って、矢印R1の方向に回転する。これにより、投光部10は、Y方向ボールネジ22の回転に伴ってY方向に移動する。   The Y direction ball screw 22 is provided so as to protrude from the Y direction drive motor 21, and rotates in the direction of the arrow R <b> 1 as the Y direction drive motor 21 operates. Thereby, the light projecting unit 10 moves in the Y direction as the Y direction ball screw 22 rotates.

Y方向駆動モータ21および投光部保持ガイド23は、支柱24により所定の高さに支持されている。   The Y-direction drive motor 21 and the light projecting unit holding guide 23 are supported at a predetermined height by a support 24.

支柱24は、その下端部が支柱保持ガイド32により保持されている。支柱保持ガイド32は、支柱24をX方向に移動可能に保持する。図示しないX方向ボールネジは、支柱24に設けられた図示しない連結部に螺合されている。   The lower end of the column 24 is held by a column holding guide 32. The column holding guide 32 holds the column 24 so as to be movable in the X direction. An X-direction ball screw (not shown) is screwed into a connection portion (not shown) provided on the column 24.

X方向ボールネジは、X方向駆動モータ31から突出してX方向に延びるように設けられており、X方向駆動モータ31の回転に伴って所定の方向に回転する。これにより、支柱24はX方向駆動モータ31の動作に伴ってX方向に移動する。   The X direction ball screw protrudes from the X direction drive motor 31 and extends in the X direction, and rotates in a predetermined direction as the X direction drive motor 31 rotates. Thereby, the support | pillar 24 moves to a X direction with operation | movement of the X direction drive motor 31. FIG.

このような、投光部保持ユニット20の各部の動作により、投光部10はX方向およびY方向に移動する。   By such operation of each part of the light projecting unit holding unit 20, the light projecting unit 10 moves in the X direction and the Y direction.

なお、投光部保持ユニット20のY方向駆動モータ21およびX方向駆動モータ31は図示しないコントローラに接続されている。コントローラは、Y方向駆動モータ21およびX方向駆動モータ31の動作を制御することにより、投光部10を所望の平面座標位置に移動させる。   The Y direction drive motor 21 and the X direction drive motor 31 of the light projecting unit holding unit 20 are connected to a controller (not shown). The controller moves the light projecting unit 10 to a desired plane coordinate position by controlling the operations of the Y-direction drive motor 21 and the X-direction drive motor 31.

基板回転ユニット40は、基板回転モータ41、基板回転軸42およびスピンチャック43を備える。基板Wの周縁部の露光処理(エッジ露光処理)時において、スピンチャック43上には基板Wが載置される。そこで、スピンチャック43は基板Wを吸着保持する。スピンチャック43は、基板回転モータ41より突出して設けられた基板回転軸42に接続されている。   The substrate rotation unit 40 includes a substrate rotation motor 41, a substrate rotation shaft 42, and a spin chuck 43. The substrate W is placed on the spin chuck 43 at the time of exposure processing (edge exposure processing) of the peripheral edge of the substrate W. Therefore, the spin chuck 43 holds the substrate W by suction. The spin chuck 43 is connected to a substrate rotation shaft 42 provided so as to protrude from the substrate rotation motor 41.

基板回転モータ41が基板回転軸42を矢印R2の方向に回転させる。それにより、スピンチャック43が回転し、吸着保持された基板Wが回転する。   The substrate rotation motor 41 rotates the substrate rotation shaft 42 in the direction of the arrow R2. As a result, the spin chuck 43 rotates and the substrate W held by suction rotates.

なお、基板回転モータ41は、Y方向駆動モータ21およびX方向駆動モータ31と同様に図示しないコントローラに接続されている。コントローラは基板回転モータ41の動作を制御することにより基板Wを回転させる。   The substrate rotation motor 41 is connected to a controller (not shown) similarly to the Y direction drive motor 21 and the X direction drive motor 31. The controller rotates the substrate W by controlling the operation of the substrate rotation motor 41.

光源ユニット50により、基板W上のレジスト膜を露光するための光(以下、露光用光と呼ぶ。)が発生される。光源ユニット50により発生された露光用光は、ライトガイド50tを通じて投光部10に送られる。詳細については後述する。   The light source unit 50 generates light for exposing the resist film on the substrate W (hereinafter referred to as exposure light). The exposure light generated by the light source unit 50 is sent to the light projecting unit 10 through the light guide 50t. Details will be described later.

ガス供給ユニット60は、上述のようにガス供給管60tを介して投光部10のガス導入路2にN2 ガスを供給し、ガス供給管58を介して光源ユニット50にN2 ガスを供給する。 Gas supply unit 60, N 2 gas is supplied to the gas introducing passage 2 of the light projecting unit 10 via the gas supply pipe 60t, as described above, the N 2 gas is supplied to the light source unit 50 through the gas supply pipe 58 To do.

ガス供給ユニット60は、投光部10のガス導入路2および光源ユニット50にN2 ガスを供給することができるのであれば、その構成は特に限定されない。例えば、ガス供給ユニット60は、N2 ガスのタンクおよびポンプ等を備えてもよいし、予め設けられたN2 ガスの設備配管に接続可能な接続部材等であってもよい。 The configuration of the gas supply unit 60 is not particularly limited as long as N 2 gas can be supplied to the gas introduction path 2 and the light source unit 50 of the light projecting unit 10. For example, the gas supply unit 60 may include an N 2 gas tank, a pump, or the like, or may be a connecting member that can be connected to a previously provided facility pipe of N 2 gas.

また、本実施の形態では、ガス供給ユニット60はN2 ガスを投光部10および光源ユニット50に供給するが、供給するガスは粒子が細かく、光の揺らぎを引き起こさない不活性ガスであれば、特に限定されない。 In the present embodiment, the gas supply unit 60 supplies N 2 gas to the light projecting unit 10 and the light source unit 50, but the supplied gas is fine if the particles are fine and the inert gas does not cause fluctuation of light. There is no particular limitation.

本実施の形態に係るエッジ露光装置100は基板Wのエッジ露光処理時に次のように動作する。   The edge exposure apparatus 100 according to the present embodiment operates as follows during the edge exposure processing of the substrate W.

初めに、基板回転ユニット40のスピンチャック43上に基板Wが載置される。そして、スピンチャック43は基板Wを吸着保持する。基板回転モータ41が基板回転軸42を回転させることにより基板Wが回転される。   First, the substrate W is placed on the spin chuck 43 of the substrate rotation unit 40. The spin chuck 43 holds the substrate W by suction. The substrate W is rotated by the substrate rotation motor 41 rotating the substrate rotation shaft 42.

次に、投光部10を保持する投光部保持ユニット20のY方向駆動モータ21およびX方向駆動モータ31が動作することにより投光部10が所定の平面座標位置に移動される。   Next, when the Y direction drive motor 21 and the X direction drive motor 31 of the light projecting unit holding unit 20 that holds the light projecting unit 10 operate, the light projecting unit 10 is moved to a predetermined plane coordinate position.

続いて、基板Wの所望の位置で光源ユニット50により発生された露光用光がライトガイド50tを介して投光部10に送られる。これにより、基板Wのレジスト膜に露光用光が照射される。   Subsequently, the exposure light generated by the light source unit 50 at a desired position on the substrate W is sent to the light projecting unit 10 through the light guide 50t. Thereby, the exposure light is irradiated to the resist film of the substrate W.

一方、露光用光の基板Wへの照射と同時に、ガス供給ユニット60より供給されるN2 ガスがガス供給管60tを介して投光路10のガス導入路2に供給される。これにより、基板Wの露光対象部および投光部10の先端部周辺にN2 ガスが送られる。また、上記の一連の動作時において光源ユニット50にはガス供給管58を介してガス供給ユニット60からN2 ガスが供給されている。 On the other hand, simultaneously with the irradiation of the exposure light onto the substrate W, N 2 gas supplied from the gas supply unit 60 is supplied to the gas introduction path 2 of the projection path 10 through the gas supply pipe 60t. As a result, N 2 gas is sent around the exposure target portion of the substrate W and the periphery of the tip portion of the light projecting portion 10. Further, during the above series of operations, the light source unit 50 is supplied with N 2 gas from the gas supply unit 60 through the gas supply pipe 58.

エッジ露光装置100による上記の一連の動作の結果、対象となる基板Wの周縁部が露光される。   As a result of the above-described series of operations by the edge exposure apparatus 100, the peripheral portion of the target substrate W is exposed.

図2および図3に基づいて図1の投光部10の構成の詳細について説明する。図2は本発明の一実施の形態に係る投光部10の構成を説明するための図であり、図3は図2の投光部10の下端部周辺における縦断面図である。   Details of the configuration of the light projecting unit 10 in FIG. 1 will be described with reference to FIGS. 2 and 3. FIG. 2 is a diagram for explaining the configuration of the light projecting unit 10 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a longitudinal sectional view around the lower end of the light projecting unit 10 in FIG.

図2に示すように、投光部10の鏡筒11の内部にはアパーチャAPおよび複数のレンズLE1,LE2,LE3,LE4が内設されている。   As shown in FIG. 2, an aperture AP and a plurality of lenses LE1, LE2, LE3, and LE4 are provided inside the lens barrel 11 of the light projecting unit 10.

鏡筒11および遮光マスク1は共に筒状に成形されており、鏡筒11の外径は遮光マスク1の内径とほぼ同じ大きさに設計されている。筒状に成形された遮光マスク1の上端および下端は共に開口している。これにより、遮光マスク1の一端側(上端側)に鏡筒11の下端部が挿入される。   The lens barrel 11 and the light shielding mask 1 are both formed into a cylindrical shape, and the outer diameter of the lens barrel 11 is designed to be approximately the same as the inner diameter of the light shielding mask 1. Both the upper end and the lower end of the light shielding mask 1 formed into a cylindrical shape are open. As a result, the lower end portion of the lens barrel 11 is inserted into one end side (upper end side) of the light shielding mask 1.

鏡筒11の下端部が挿入されない遮光マスク1の他端側(下端側)はテーパ形状を有する。換言すれば、遮光マスク1の下端側は、端面に向かって漸次軽少となっている。さらに、遮光マスク1の外周面には、上述のようにガス導入路2が一体形成されている。   The other end side (lower end side) of the light shielding mask 1 into which the lower end portion of the lens barrel 11 is not inserted has a tapered shape. In other words, the lower end side of the light shielding mask 1 is gradually lighter toward the end face. Further, the gas introduction path 2 is integrally formed on the outer peripheral surface of the light shielding mask 1 as described above.

光源ユニット50からライトガイド50tを介して鏡筒11の上端部に送られる露光用光は、アパーチャAPに入射する。アパーチャAPは、スリットを有するマスク等を備え、露光用光の集光径を小さくしたり所定の形状にするためのものである。それにより、アパーチャAPを通過する露光用光は所定の大きさおよび形状(例えば、長方形等)に整形される。   The exposure light sent from the light source unit 50 to the upper end portion of the lens barrel 11 via the light guide 50t is incident on the aperture AP. The aperture AP is provided with a mask having a slit or the like, and is used for reducing the condensing diameter of the exposure light or forming a predetermined shape. Thereby, the exposure light passing through the aperture AP is shaped into a predetermined size and shape (for example, a rectangle).

アパーチャAPを通過した露光用光は、鏡筒11内の複数のレンズLE1〜LE4を通過し、矢印L1に示すように基板Wの所定の位置に照射される。基板W上に照射される露光用光の一部は、基板W上のレジスト膜により矢印L2に示すように投光部10側に反射される場合がある。   The exposure light that has passed through the aperture AP passes through a plurality of lenses LE1 to LE4 in the lens barrel 11, and is irradiated onto a predetermined position of the substrate W as indicated by an arrow L1. A part of the exposure light irradiated on the substrate W may be reflected by the resist film on the substrate W toward the light projecting unit 10 as indicated by an arrow L2.

このような反射が基板Wと投光部10との間で繰り返されると、基板Wおよび投光部10間で露光用光の拡散が生じる。上述の遮光マスク1は、このような露光用光の散乱を防止するために設けられている。遮光マスク1の外表面は、光を吸収しやすいように表面が加工されているので、基板Wからの反射光がさらに反射することが防止されている。また、遮光マスク1の下端側は漸次軽少となっているので、基板Wからの反射光が再び鏡筒11内のレンズLE4に入射することが防止されている。   When such reflection is repeated between the substrate W and the light projecting unit 10, the exposure light is diffused between the substrate W and the light projecting unit 10. The above-described light shielding mask 1 is provided to prevent such scattering of exposure light. Since the outer surface of the light shielding mask 1 is processed so as to easily absorb light, the reflected light from the substrate W is further prevented from being reflected. Further, since the lower end side of the light shielding mask 1 is gradually lighter, the reflected light from the substrate W is prevented from entering the lens LE4 in the lens barrel 11 again.

さらに、遮光マスク1の下端側が漸次軽少となっていることにより、基板Wからの反射光が遮光マスク1の下端側に照射されても、反射光が外方に反射される。   Furthermore, since the lower end side of the light shielding mask 1 is gradually lighter, even if the reflected light from the substrate W is irradiated to the lower end side of the light shielding mask 1, the reflected light is reflected outward.

鏡筒11内で露光用光が最後に通過するレンズLE4から基板W表面までの距離h1は遮光マスク1の下端から基板W表面までの距離h2よりも長い。これにより、レンズLE4から遮光マスク1の下端までの間には、遮光マスク1により外部に開口した所定の半閉塞空間が形成されている。レンズLE4から基板W表面までの距離h1は、例えば、10mmであり、遮光マスク1の下端から基板W表面までの距離h2は、例えば、1mmである。   The distance h1 from the lens LE4 through which the exposure light finally passes in the lens barrel 11 to the surface of the substrate W is longer than the distance h2 from the lower end of the light shielding mask 1 to the surface of the substrate W. Thus, a predetermined semi-closed space opened to the outside by the light shielding mask 1 is formed between the lens LE4 and the lower end of the light shielding mask 1. A distance h1 from the lens LE4 to the surface of the substrate W is, for example, 10 mm, and a distance h2 from the lower end of the light shielding mask 1 to the surface of the substrate W is, for example, 1 mm.

遮光マスク1の外周面に一体形成されているガス導入路2は、上記の半閉塞空間とガス導入路2に接続されているガス供給管60tとを連通する。   The gas introduction path 2 integrally formed on the outer peripheral surface of the light shielding mask 1 communicates the semi-closed space and the gas supply pipe 60 t connected to the gas introduction path 2.

図3において、ガス供給管60tには矢印K1で示すようにガス供給ユニット60からN2 ガスが供給される。これにより、矢印K2で示すように、ガス導入路2を通じてガス供給管60tからのN2 ガスがレンズLE4から遮光マスク1の下端までの間の半閉塞空間1Pに導入される。それにより、半閉塞空間1P内にN2 ガスが充填される。 In FIG. 3, N 2 gas is supplied from the gas supply unit 60 to the gas supply pipe 60t as indicated by an arrow K1. As a result, as indicated by an arrow K2, N 2 gas from the gas supply pipe 60t is introduced into the semi-enclosed space 1P between the lens LE4 and the lower end of the light shielding mask 1 through the gas introduction path 2. Thereby, the N 2 gas is filled in the semi-enclosed space 1P.

半閉塞空間1Pに連続してN2 ガスが供給されることにより、半閉塞空間1Pに充填されたN2 ガスは矢印K3で示すように遮光マスク1の開口部から外部に漏れ出す。 As N 2 gas is continuously supplied to the semi-enclosed space 1P, the N 2 gas filled in the semi-enclosed space 1P leaks out from the opening of the light shielding mask 1 as indicated by an arrow K3.

基板Wのエッジ露光時において、レジスト膜に露光用光が投光されると、レジストの昇華物が発生する場合がある。また、レジスト膜の内部に気泡が発生して、その気泡がレジスト膜の表面を突き破ることによりレジストのパーティクルが飛散する場合がある。   At the time of edge exposure of the substrate W, if exposure light is projected onto the resist film, a resist sublimate may be generated. In addition, bubbles may be generated inside the resist film, and the particles of the resist may be scattered by the bubbles breaking through the surface of the resist film.

このように、基板Wのエッジ露光処理時に発生するレジストの昇華物およびパーティクルは矢印Sで示すように基板W上で飛散する場合、飛散したレジストの昇華物およびパーティクルがレンズLE4の表面に付着すると、露光用光の照度低下およびレンズLE4の屈折率の変化が生じる。   As described above, when the resist sublimates and particles generated during the edge exposure processing of the substrate W scatter on the substrate W as indicated by the arrow S, the scattered resist sublimates and particles adhere to the surface of the lens LE4. As a result, the illuminance of the exposure light decreases and the refractive index of the lens LE4 changes.

レンズLE4による照度低下が生じると、エッジ露光処理の露光時間が長くなる。また、露光用光が屈折率の変化したレンズLE4を通過すると、基板Wへの焦点が合わなくなり露光精度が悪くなる。   When the illuminance decreases due to the lens LE4, the exposure time of the edge exposure process becomes longer. Further, when the exposure light passes through the lens LE4 having a changed refractive index, the focus on the substrate W is not achieved, and the exposure accuracy is deteriorated.

しかしながら、本実施の形態に係るエッジ露光装置100において、基板W上で矢印Sで示すように飛散するレジスト膜の昇華物およびパーティクルは、矢印K3で示すように遮光マスク1の開口部から漏れ出るN2 ガスの流れにより、半閉塞空間1P内部に進入することが防止される。その結果、鏡筒11内のレンズLE4の表面にレジストの昇華物およびパーティクルが付着および堆積することが防止される。 However, in the edge exposure apparatus 100 according to the present embodiment, the sublimates and particles of the resist film scattered on the substrate W as indicated by the arrow S leak from the opening of the light shielding mask 1 as indicated by the arrow K3. The flow of N 2 gas prevents entry into the semi-enclosed space 1P. As a result, resist sublimates and particles are prevented from adhering and depositing on the surface of the lens LE4 in the lens barrel 11.

また、基板Wのエッジ露光処理時においては、大気中に含まれる物質が露光用光を照射されることにより反応し、不要な生成物が発生される場合がある。   In addition, during edge exposure processing of the substrate W, substances contained in the atmosphere may react when exposed to exposure light, and unnecessary products may be generated.

しかしながら、本実施の形態に係るエッジ露光装置100においては、半閉塞空間1Pに不活性ガスであるN2 ガスが充填され、遮光マスク1の下端と基板Wとの間の空間にも常にN2 ガスが漏れ出る。 However, in the edge exposure apparatus 100 according to the present embodiment, the semi-enclosed space 1P is filled with N 2 gas that is an inert gas, and the space between the lower end of the light shielding mask 1 and the substrate W is always N 2. Gas leaks out.

したがって、レンズLE4を通過して基板Wに投光される露光用光が大気中を通過することが防止されるので、大気による不要な生成物の発生が防止される。その結果、レンズLE4の表面に不要な生成物が付着することが防止される。   Accordingly, since the exposure light that passes through the lens LE4 and is projected onto the substrate W is prevented from passing through the atmosphere, generation of unnecessary products due to the atmosphere is prevented. As a result, unnecessary products are prevented from adhering to the surface of the lens LE4.

なお、上記の大気中に含まれる物質としては、硫黄およびシリコン系の物質等が挙げられる。   Note that examples of the substance contained in the atmosphere include sulfur and silicon-based substances.

以上のように、本実施の形態に係るエッジ露光装置100においては、鏡筒11内のレンズLE4にレジストの昇華物およびパーティクルならびに大気中に含まれる物質から生成される生成物が付着および堆積しない。   As described above, in edge exposure apparatus 100 according to the present embodiment, resist sublimates and particles and products generated from substances contained in the atmosphere do not adhere to and accumulate on lens LE4 in lens barrel 11. .

したがって、レンズLE4のメンテナンスを定期的に行う必要がなくなり、それにともなう低コスト化が実現される。また、レンズLE4を通過する露光用光の照度低下も防止されるので、露光時間を長くする必要はなくなる。さらに、レンズLE4の屈折率が常に一定に保たれるので、露光精度が維持され、信頼性の高いエッジ露光処理を行うことができる。   Therefore, it is not necessary to periodically perform the maintenance of the lens LE4, and the cost can be reduced accordingly. Further, since the illuminance reduction of the exposure light passing through the lens LE4 is prevented, it is not necessary to lengthen the exposure time. Further, since the refractive index of the lens LE4 is always kept constant, the exposure accuracy is maintained and the edge exposure process with high reliability can be performed.

図3に示すように、レンズLE4と遮光マスク1の下端部との間に半閉塞空間1Pが形成されている。半閉塞空間1PにN2 ガスを充填することにより、露光用光の通過部に確実に大気を進入させないようにすることができる。ここで、半閉塞空間1Pの周囲を取り囲む部分の面積が開口部の面積よりも大きいことが好ましい。 As shown in FIG. 3, a semi-closed space 1 </ b> P is formed between the lens LE <b> 4 and the lower end portion of the light shielding mask 1. By filling the semi-enclosed space 1P with N 2 gas, it is possible to ensure that the atmosphere does not enter the passage of exposure light. Here, it is preferable that the area of the portion surrounding the periphery of the semi-enclosed space 1P is larger than the area of the opening.

また、開放空間においてレンズLE4と基板Wとの間へN2 ガスを吹き付ける場合に比べて、N2 ガスの消費量が少ないので、低資源化が実現されている。 Further, compared to the case where N 2 gas is blown between the lens LE4 and the substrate W in the open space, the consumption of N 2 gas is small, so that resource saving is realized.

さらに、図3に示すように、半閉塞空間1Pはライトガイド1および鏡筒11により形成されており、非常に簡単な構成となっている。   Further, as shown in FIG. 3, the semi-closed space 1 </ b> P is formed by the light guide 1 and the lens barrel 11 and has a very simple configuration.

図4に基づいて図1の光源ユニット50の構成の詳細について説明する。図4は、本発明の一実施の形態に係る光源ユニット50の構成を説明するための図である。   Details of the configuration of the light source unit 50 of FIG. 1 will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a diagram for explaining the configuration of the light source unit 50 according to the embodiment of the present invention.

図1の光源ユニット50は、リフレクタ51、ランプ52、シャッタモータ53、シャッタ54、絞りモータ55、絞り円板56、半閉塞容器57およびケーシング59を備える。ケーシング59には、外部よりライトガイド50tおよびガス供給管58が接続されている。   The light source unit 50 of FIG. 1 includes a reflector 51, a lamp 52, a shutter motor 53, a shutter 54, a diaphragm motor 55, a diaphragm disk 56, a semi-closed container 57, and a casing 59. A light guide 50t and a gas supply pipe 58 are connected to the casing 59 from the outside.

ランプ52からは、上述の露光用光が発生される。ランプ52は、例えば紫外線ランプである。リフレクタ51は、ランプ52から発生された露光用光の一部を反射して所定位置に集光する。   From the lamp 52, the above-described exposure light is generated. The lamp 52 is, for example, an ultraviolet lamp. The reflector 51 reflects a part of the exposure light generated from the lamp 52 and collects it at a predetermined position.

リフレクタ51による集光位置にはシャッタ54が配置されている。シャッタ54は、シャッタモータ53に回動可能に取り付けられている。シャッタモータ53が動作することによりシャッタ54が開閉される。   A shutter 54 is disposed at a light collecting position by the reflector 51. The shutter 54 is rotatably attached to the shutter motor 53. The shutter 54 is opened and closed by the operation of the shutter motor 53.

また、リフレクタ51による集光位置にはライトガイド50tの露光用光入射部50xが、ケーシング59および図示しないライトガイド50tの接続部により固定されている。   In addition, an exposure light incident portion 50x of the light guide 50t is fixed at a condensing position by the reflector 51 by a connection portion of the casing 59 and a light guide 50t (not shown).

さらに、ランプ52とシャッタ54との間に絞り円板56が配置されている。絞り円板56は開口を有し、絞りモータ55と図示しない駆動機構により連結されている。絞りモータ55が動作することにより絞り円板56の開口面積が調整される。   Further, a diaphragm disk 56 is disposed between the lamp 52 and the shutter 54. The aperture disc 56 has an opening and is connected to the aperture motor 55 by a drive mechanism (not shown). The aperture area of the aperture disc 56 is adjusted by operating the aperture motor 55.

光源ユニット50に接続されるライトガイド50tの一端部(露光用光入射部50x)周辺を取り囲むように半閉塞容器57が配置されている。   A semi-closed container 57 is disposed so as to surround the periphery of one end portion (exposure light incident portion 50x) of the light guide 50t connected to the light source unit 50.

これにより、シャッタモータ53によるシャッタ54の開放時および絞りモータ55による絞り円板56の最大開口時においても、ランプ52により発生された露光用光は十分な光量で露光用光入射部50xに集光される。開口部57hは露光用光入射部50xよりもランプ52側に形成されている。   Thus, even when the shutter 54 is opened by the shutter motor 53 and when the aperture disk 56 is fully opened by the aperture motor 55, the exposure light generated by the lamp 52 is collected in the exposure light incident portion 50x with a sufficient amount of light. Lighted. The opening 57h is formed closer to the lamp 52 than the exposure light incident part 50x.

シャッタモータ53によるシャッタ54の開放時においては、ランプ52からの直接光およびリフレクタ51からの反射光の一部が露光用光入射部50xに入射される。この場合、露光用光入射部50xに入射する露光用光の光量は絞り円板56により調整される。   When the shutter 54 is opened by the shutter motor 53, the direct light from the lamp 52 and a part of the reflected light from the reflector 51 are incident on the exposure light incident part 50x. In this case, the amount of exposure light incident on the exposure light incident portion 50 x is adjusted by the aperture disk 56.

一方、シャッタモータ53によるシャッタ54の閉鎖時(図4の状態)においては、ランプ52からの直接光およびリフレクタ51からの反射光の一部がシャッタ54により阻止される。その結果、露光用光は露光用光入射部50xに入射されない。   On the other hand, when the shutter 54 is closed by the shutter motor 53 (the state shown in FIG. 4), the direct light from the lamp 52 and a part of the reflected light from the reflector 51 are blocked by the shutter 54. As a result, the exposure light is not incident on the exposure light incident portion 50x.

ここで、ケーシング59内部において、外部より接続されているガス供給管58は半閉塞容器57に取り付けられている。これにより、半閉塞容器57の内部空間である半閉塞空間2Pとガス供給管58とが連通されている。   Here, inside the casing 59, the gas supply pipe 58 connected from the outside is attached to the semi-closed container 57. Thereby, the semi-enclosed space 2 </ b> P that is the internal space of the semi-enclosed container 57 and the gas supply pipe 58 are communicated with each other.

ランプ52による露光用光の発生時およびシャッタ54の開放時において、ガス供給管58には、上述のガス供給ユニット60から不活性ガスであるN2 ガスが供給される。 When the exposure light is generated by the lamp 52 and the shutter 54 is opened, the gas supply pipe 58 is supplied with N 2 gas, which is an inert gas, from the gas supply unit 60 described above.

これにより、半閉塞容器57の半閉塞空間2PにN2 ガスが充填される。それにより、露光用光の集光部に大気が存在しなくなり、大気中に含まれる物質が露光用光を照射されることにより反応し、不要な生成物が発生されることが防止される。その結果、露光用光入射部50xに大気中に含まれる物質からの生成物が付着および堆積しない。 Thereby, the N 2 gas is filled in the semi-closed space 2P of the semi-closed container 57. As a result, there is no air in the condensing part of the exposure light, and a substance contained in the air reacts when irradiated with the exposure light, thereby preventing unnecessary products from being generated. As a result, the product from the substance contained in the atmosphere does not adhere to and deposit on the exposure light incident part 50x.

したがって、露光用光入射部50xに入射され、ライトガイド50tを通じて投光部10に送られる露光用光は、長時間使用しても、露光用光入射部50xの汚れによる光量の低下が十分に防止される。   Therefore, the exposure light incident on the exposure light incident part 50x and sent to the light projecting part 10 through the light guide 50t is sufficiently reduced in light quantity due to contamination of the exposure light incident part 50x even if it is used for a long time. Is prevented.

また、上述のようにN2 ガスは半閉塞容器57内部に供給されるので、開放された状態で露光用光入射部50xとリフレクタ51との間にN2 ガスを吹き付けるよりも、非常に低い消費量でN2 ガスを供給することができる。これにより、低資源化が実現されている。 Further, as described above, since the N 2 gas is supplied into the semi-closed container 57, it is much lower than when N 2 gas is blown between the exposure light incident part 50x and the reflector 51 in an open state. N 2 gas can be supplied in consumption. Thereby, resource reduction is realized.

なお、上記において、半閉塞容器57の開口部57hの大きさは、できる限り小さくなるように設計されることが望ましい。   In the above, it is desirable that the size of the opening 57h of the semi-closed container 57 is designed to be as small as possible.

図4に示すように、半閉塞空間2Pは、一部に開口を有する単純な構造の半閉塞容器57により形成されており、非常に簡単な構成となっている。   As shown in FIG. 4, the semi-enclosed space 2P is formed by a semi-enclosed container 57 having a simple structure having an opening in a part thereof, and has a very simple configuration.

本実施の形態において、投光部10より基板Wに照射される露光用光は、基板Wに予め形成されるレジスト膜に応じて決定される。このような露光用光としては、例えば、紫外線領域の波長を有する光等がある。   In the present embodiment, the exposure light applied to the substrate W from the light projecting unit 10 is determined according to a resist film formed in advance on the substrate W. Examples of such exposure light include light having a wavelength in the ultraviolet region.

図1のエッジ露光装置100は、投光部10が投光部保持ユニット20に保持されることにより、X方向およびY方向に移動可能であるが、投光部10を保持する投光部保持ユニット20は、必ずしも投光部10をX方向およびY方向に移動可能に保持する必要はなく、投光部10をX方向またはY方向のいずれかにのみ移動させるものであってもよい。   The edge exposure apparatus 100 in FIG. 1 can move in the X direction and the Y direction by holding the light projecting unit 10 in the light projecting unit holding unit 20, but holds the light projecting unit 10. The unit 20 does not necessarily hold the light projecting unit 10 so as to be movable in the X direction and the Y direction, and may move the light projecting unit 10 only in either the X direction or the Y direction.

以上のように、本実施の形態に係るエッジ露光装置100によれば、簡単な構成で、エッジ露光処理時に発生するパーティクルおよび昇華物が排除可能となっている。   As described above, according to the edge exposure apparatus 100 according to the present embodiment, particles and sublimates generated during the edge exposure process can be eliminated with a simple configuration.

(N2 ガスの半閉塞空間への供給試験)
図5は、N2 ガスの半閉塞空間1Pへの供給試験の概要を示す模式図である。
(Supply test of N 2 gas to semi-enclosed space)
FIG. 5 is a schematic diagram showing an outline of a supply test of N 2 gas to the semi-enclosed space 1P.

図3の半閉塞空間1PにN2 ガスを供給する場合の最適な供給量を得るために、以下の試験(N2 ガス供給量測定試験)を行った。 In order to obtain an optimum supply amount when supplying N 2 gas to the semi-enclosed space 1P of FIG. 3, the following test (N 2 gas supply amount measurement test) was performed.

初めに、図5(a)に示すように、図1の投光部10を駆動型の架台200Xに取り付けた。駆動型の架台200Xは、支柱201a、連結部材201b、駆動台座202およびボールネジ203から構成されている。   First, as shown in FIG. 5A, the light projecting unit 10 of FIG. 1 was attached to a drive type base 200X. The drive-type gantry 200X includes a column 201a, a connecting member 201b, a drive pedestal 202, and a ball screw 203.

駆動台座202はボールネジ203と螺合されている。ボールネジ203が図示しないモータにより回転されることにより、駆動台座202はボールネジ203と平行な方向(矢印Gの方向)に移動する。   The drive base 202 is screwed with the ball screw 203. When the ball screw 203 is rotated by a motor (not shown), the drive base 202 moves in a direction parallel to the ball screw 203 (direction of arrow G).

駆動台座202に垂直となるように取り付けられている支柱201aの上端側には連結部材201bが接続されている。投光部10は連結部材201bに取り付けられることにより、矢印Gの方向に移動可能な状態で架台200Xに保持されている。   A connecting member 201b is connected to the upper end side of the column 201a that is attached so as to be perpendicular to the drive base 202. The light projecting unit 10 is held by the gantry 200X in a state of being movable in the direction of arrow G by being attached to the connecting member 201b.

次に、投光部10の鏡筒11内部に内設されているレンズLE4の下面側にペーハー試験紙PH(赤色)を貼り付けた。レンズLE4の下面側とは、図3の半閉塞空間1Pを取り囲む面の一部である。   Next, the pH test paper PH (red) was attached to the lower surface side of the lens LE4 provided inside the lens barrel 11 of the light projecting unit 10. The lower surface side of the lens LE4 is a part of a surface surrounding the semi-enclosed space 1P in FIG.

そして、図5(a)に示すように、投光部10の下端側に基板Wが投光部10のレンズLE4(ペーハー試験紙PHの貼り付け位置)から10mmの距離となるように配置した。   And as shown to Fig.5 (a), it arrange | positioned so that the board | substrate W might become the distance of 10 mm from the lens LE4 (attachment position of pH test paper PH) of the light projection part 10 in the lower end side of the light projection part 10. FIG. .

その後、鏡筒11の下端部にライトガイド1を取り付けた。ライトガイド1の取り付けは、ライトガイド1の下端から基板Wまでの距離h3が、1mmとなるように行った。   Thereafter, the light guide 1 was attached to the lower end of the lens barrel 11. The light guide 1 was attached such that the distance h3 from the lower end of the light guide 1 to the substrate W was 1 mm.

上記のように投光部10および基板Wを配置した後、塩化水素ガスを噴出する発煙管301を所定の位置に配置する。所定の位置とは、発煙管301により噴出される塩化水素ガスが、ライトガイド1の下端と基板W表面との間の空間に吹き付けられる位置である。   After arranging the light projecting unit 10 and the substrate W as described above, the smoke tube 301 for ejecting hydrogen chloride gas is arranged at a predetermined position. The predetermined position is a position at which the hydrogen chloride gas ejected from the smoke tube 301 is blown into the space between the lower end of the light guide 1 and the surface of the substrate W.

また、ガス供給管60tに流量計601を取り付けた。なお、流量計601の絞りは開放した。   A flow meter 601 was attached to the gas supply pipe 60t. The restrictor of the flow meter 601 was opened.

図1に示すようにガス供給管60tを介してガス導入路2に接続されているガス供給ユニット60には、図示されていないN2 ガスの供給量調整部が設けられている。ガス供給ユニット60のN2 ガスの供給量調整部(本例では、ニードル)を操作することにより、流量計601の計測値に基づいて半閉塞空間1Pに供給するN2 ガスの量を後述の所定の量となるように調整した。 As shown in FIG. 1, the gas supply unit 60 connected to the gas introduction path 2 through the gas supply pipe 60t is provided with an N 2 gas supply amount adjusting unit (not shown). Supplying amount adjuster of N 2 gas in the gas supply unit 60 (in this example, a needle) by operating a flow meter 601 N 2 gas supplied to the semi-closed space 1P based on the measurement values of the amount of later It adjusted so that it might become a predetermined | prescribed amount.

半閉塞空間1PへのN2 ガスの供給量を所定の値に設定した後、発煙管301から塩化水素ガスを噴出させ、ライトガイド1の下端と基板W表面との間の空間(距離h3の1mmの空間)に塩化水素ガスが充満するように吹き付けた。この塩化水素ガスの吹き付けは、3分間連続して行った。 After the supply amount of N 2 gas to the semi-enclosed space 1P is set to a predetermined value, hydrogen chloride gas is ejected from the smoke tube 301, and the space between the lower end of the light guide 1 and the surface of the substrate W (at a distance h3) It sprayed so that hydrogen chloride gas might fill a 1 mm space). The hydrogen chloride gas was sprayed continuously for 3 minutes.

その後、半閉塞空間1PへのN2 ガスの供給および塩化水素ガスの吹き付けを停止し、レンズLE4に貼り付けたペーハー試験紙PHの変色の有無を確認した。 Thereafter, the supply of N 2 gas to the semi-enclosed space 1P and the blowing of hydrogen chloride gas were stopped, and the presence or absence of discoloration of the pH test paper PH attached to the lens LE4 was confirmed.

ここで、半閉塞空間1PへのN2 ガスの所定の供給量(N2 ガス設定流量)は、0、0.25、0.5、0.75、1、1.25、1.5、1.75、2および2.25NL/minである。 Here, the predetermined supply amount (N 2 gas set flow rate) of N 2 gas to the semi-enclosed space 1P is 0, 0.25, 0.5, 0.75, 1, 1.25, 1.5, 1.75, 2 and 2.25 NL / min.

上記の各N2 ガス設定流量におけるペーハー試験紙PHの変色の有無を下表に示す。 The following table shows the presence or absence of discoloration of the pH test paper PH at each N 2 gas set flow rate.

Figure 0004125205
Figure 0004125205

このように、ペーハー試験紙PHは、N2 ガス設定流量が0NL/minの場合以外は変色しなかった。したがって、エッジ露光装置100においては、少なくともN2 ガス設定流量を0.25NL/min以上に設定することにより、投光部10のレンズLE4の汚れが防止されることが明らかとなった。 Thus, the pH test paper PH did not change color except when the N 2 gas set flow rate was 0 NL / min. Therefore, in the edge exposure apparatus 100, it has been clarified that the lens LE4 of the light projecting unit 10 is prevented from being soiled by setting at least the N 2 gas set flow rate to 0.25 NL / min or more.

このように、少ないN2 ガス設定流量でレンズLE4の汚れが防止されるので、低資源化が実現され、効率的にエッジ露光処理時に発生するパーティクルおよび昇華物を排除することが可能となっている。 In this way, since the lens LE4 is prevented from being soiled with a small N 2 gas set flow rate, the resource can be reduced and particles and sublimates generated during the edge exposure process can be efficiently eliminated. Yes.

2 ガスにより露光用光に揺らぎが発生しないか否かを調査するため、以下の試験(N2 ガス揺らぎ測定試験)を行った。 Since fluctuations in the exposure light by the N 2 gas to investigate whether or not occur, the following tests were carried out (N 2 gas fluctuation measurement test).

初めに、図5(b)に示すように、図1の投光部10を駆動型の架台200Xに取り付けた。駆動型の架台200Xの構成および動作はN2 ガス供給量測定試験時と同じである。 First, as shown in FIG. 5B, the light projecting unit 10 of FIG. 1 was attached to the drive type base 200X. The configuration and operation of the drive type base 200X are the same as those in the N 2 gas supply amount measurement test.

そして、投光部10の下端側に紫外線メータ701を配置した。紫外線メータ701の測定面が投光部10のレンズLE4から10mmの距離となるように配置した。   And the ultraviolet meter 701 was arrange | positioned at the lower end side of the light projection part 10. FIG. It arrange | positioned so that the measurement surface of the ultraviolet meter 701 might become the distance of 10 mm from the lens LE4 of the light projection part 10. FIG.

その後、鏡筒11の下端部にライトガイド1を取り付けた。ライトガイド1の取り付けは、ライトガイド1の下端から紫外線メータ701の測定面までの距離h4が、1mmとなるように行った。   Thereafter, the light guide 1 was attached to the lower end of the lens barrel 11. The light guide 1 was attached such that the distance h4 from the lower end of the light guide 1 to the measurement surface of the ultraviolet meter 701 was 1 mm.

次に、ガス供給管60tに流量計601を取り付けた。なお、流量計601の絞りは開放した。   Next, the flow meter 601 was attached to the gas supply pipe 60t. The restrictor of the flow meter 601 was opened.

2 ガス供給量測定試験と同様に、ガス供給ユニット60のN2 ガスの供給量調整部(ニードル)を操作することにより、流量計601の計測値に基づいて半閉塞空間1Pに供給するN2 ガスの量を後述の所定の量となるように調整した。 Similarly to the N 2 gas supply amount measurement test, the N 2 gas supply amount adjusting unit (needle) of the gas supply unit 60 is operated to supply N to the semi-enclosed space 1P based on the measured value of the flow meter 601. 2 The amount of gas was adjusted to a predetermined amount described later.

そこで、露光用光の投光部10から紫外線メータ701の測定面への投光を1分間連続して行った。この操作は、例えば、第1の実施の形態では光源ユニット50のシャッタ54を1分間開放することにより行う。   Therefore, the light projecting unit 10 for exposure light was projected onto the measurement surface of the ultraviolet meter 701 continuously for 1 minute. This operation is performed, for example, by opening the shutter 54 of the light source unit 50 for one minute in the first embodiment.

その後、半閉塞空間1PへのN2 ガスの供給および露光用光の紫外線メータ701の測定面への照射を停止し、露光用光の照射時における紫外線メータ701の計測値の変動を確認した。 Thereafter, the supply of N 2 gas to the semi-enclosed space 1P and the irradiation of the exposure light to the measurement surface of the ultraviolet meter 701 were stopped, and the fluctuation of the measurement value of the ultraviolet meter 701 when the exposure light was irradiated was confirmed.

ここで、半閉塞空間1PへのN2 ガスの所定の供給量(N2 ガス設定流量)は、N2 ガス供給量測定試験と同様に0、0.25、0.5、0.75、1、1.25、1.5、1.75、2および2.25NL/minである。 Here, N 2 predetermined amount of gas supplied into the semi closed space 1P (N 2 gas set flow) is, N 2 gas supply amount measuring test as well as 0,0.25,0.5,0.75, 1, 1.25, 1.5, 1.75, 2 and 2.25 NL / min.

上記の各N2 ガス設定流量における紫外線メータ701の計測値の変動の有無を下表に示す。 The following table shows the presence or absence of fluctuations in the measured value of the ultraviolet meter 701 at each N 2 gas set flow rate.

Figure 0004125205
Figure 0004125205

このように、紫外線メータ701の計測値は、全てのN2 ガス設定流量において変化しなかった。したがって、N2 ガスにより露光用光に揺らぎが発生しないことが明らかとなった。 Thus, the measurement value of the ultraviolet meter 701 did not change at all N 2 gas set flow rates. Therefore, it has become clear that the exposure light does not fluctuate due to the N 2 gas.

これにより、露光用光として紫外線領域の波長を有する光を用いる場合、N2 ガスが、半閉塞空間1Pに充填する不活性ガスとして、好適に用いられることがわかった。 Thus, when using a light having a wavelength in the ultraviolet region as the exposure light, N 2 gas, as an inert gas to fill the semi-closed space 1P, it has been found to be suitably used.

上記の実施の形態に係るエッジ露光装置100を備えた基板処理装置について説明する。   A substrate processing apparatus including the edge exposure apparatus 100 according to the above embodiment will be described.

図6は、本発明の一実施の形態に係るエッジ露光装置100を備える基板処理装置の平面図である。   FIG. 6 is a plan view of a substrate processing apparatus including an edge exposure apparatus 100 according to an embodiment of the present invention.

図6から後述の図8までの各図には、位置関係を明確にするために互いに直交するX方向、Y方向およびZ方向を示す矢印を付している。X方向およびY方向は水平面内で互いに直交し、Z方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を+方向、その反対の方向を−方向とする。また、Z方向を中心とする回転方向をθ方向としている。以下の説明におけるX方向およびY方向は、上記図1の説明に用いたX方向およびY方向と同じであってもよいし、異なってもよい。   In each of the drawings from FIG. 6 to FIG. 8 described later, arrows indicating the X direction, the Y direction, and the Z direction orthogonal to each other are attached in order to clarify the positional relationship. The X direction and the Y direction are orthogonal to each other in the horizontal plane, and the Z direction corresponds to the vertical direction. In each direction, the direction in which the arrow points is the + direction, and the opposite direction is the-direction. Further, the rotation direction around the Z direction is defined as the θ direction. The X direction and Y direction in the following description may be the same as or different from the X direction and Y direction used in the description of FIG.

図6に示すように、基板処理装置500は、インデクサブロック509、反射防止膜用処理ブロック510、レジスト膜用処理ブロック511、現像処理用ブロック512およびインターフェースブロック513を含む。インターフェースブロック513に隣接するようにステッパ部514が配置される。   As shown in FIG. 6, the substrate processing apparatus 500 includes an indexer block 509, an antireflection film processing block 510, a resist film processing block 511, a development processing block 512, and an interface block 513. A stepper unit 514 is disposed adjacent to the interface block 513.

インデクサブロック509は、複数のキャリア載置台560およびインデクサロボットIRを含む。インデクサロボットIRは、基板Wを受け渡すためのハンドIRHを有する。また、インデクサブロック509には、後述する熱処理ユニットの動作を制御するベークユニットコントローラ530が設けられる。反射防止膜用処理ブロック510は、反射防止膜用熱処理部550,551、反射防止膜用塗布処理部570および第1のセンターロボットCR1を含む。反射防止膜用塗布処理部570は、第1のセンターロボットCR1を挟んで反射防止膜用熱処理部550,551に対向して設けられる。第1のセンターロボットCR1は、基板Wを受け渡すためのハンドCRH1を有する。   The indexer block 509 includes a plurality of carrier platforms 560 and an indexer robot IR. The indexer robot IR has a hand IRH for delivering the substrate W. The indexer block 509 is provided with a bake unit controller 530 that controls the operation of a heat treatment unit described later. The anti-reflection film processing block 510 includes anti-reflection film heat treatment units 550 and 551, an anti-reflection film coating processing unit 570, and a first central robot CR1. The antireflection film coating processing unit 570 is provided opposite to the antireflection film heat treatment units 550 and 551 with the first central robot CR1 interposed therebetween. The first center robot CR1 has a hand CRH1 for delivering the substrate W.

レジスト膜用処理ブロック511は、レジスト膜用熱処理部552,553、レジスト膜用塗布処理部580および第2のセンターロボットCR2を含む。レジスト膜用塗布処理部580は、第2のセンターロボットCR2を挟んでレジスト膜用熱処理部552,553に対向して設けられる。第2のセンターロボットCR2は、基板Wを受け渡すためのハンドCRH2を有する。   The resist film processing block 511 includes a resist film heat treatment unit 552, 553, a resist film coating processing unit 580, and a second central robot CR2. The resist film coating processing unit 580 is provided opposite to the resist film heat treatment units 552 and 553 with the second central robot CR2 interposed therebetween. The second center robot CR2 has a hand CRH2 for delivering the substrate W.

現像処理用ブロック512は、現像用熱処理部554,555、現像処理部590および第3のセンターロボットCR3を含む。現像処理部590は、第3のセンターロボットCR3を挟んで現像用熱処理部554,555に対向して設けられる。第3のセンターロボットCR3は、基板Wを受け渡すためのハンドCRH3を有する。   The development processing block 512 includes a development heat treatment unit 554, 555, a development processing unit 590, and a third central robot CR3. The development processing unit 590 is provided to face the development heat treatment units 554 and 555 with the third central robot CR3 interposed therebetween. The third central robot CR3 has a hand CRH3 for delivering the substrate W.

インターフェースブロック513は、第4のセンターロボットCR4、バッファSBF、インターフェース用搬送機構IFRおよび図1のエッジ露光装置100を含む。第4のセンターロボットCR4は、基板Wを受け渡すためのハンドCRH4を有する。インターフェース用搬送機構IFRは、後述する基板載置部PASS8とステッパ部514との間で基板Wの受け渡しを行う。   The interface block 513 includes a fourth central robot CR4, a buffer SBF, an interface transport mechanism IFR, and the edge exposure apparatus 100 of FIG. The fourth central robot CR4 has a hand CRH4 for delivering the substrate W. The interface transport mechanism IFR delivers the substrate W between a substrate platform PASS8 and a stepper unit 514, which will be described later.

本実施の形態に係る基板処理装置500においては、Y方向に沿ってインデクサブロック509、反射防止膜用処理ブロック510、レジスト膜用処理ブロック511、現像処理用ブロック512およびインターフェースブロック513の順に並設されている。   In the substrate processing apparatus 500 according to the present embodiment, an indexer block 509, an antireflection film processing block 510, a resist film processing block 511, a development processing block 512, and an interface block 513 are arranged in parallel along the Y direction. Has been.

以下、インデクサブロック509、反射防止膜用処理ブロック510、レジスト膜用処理ブロック511、現像処理用ブロック512およびインターフェースブロック513の各々を処理ブロックと呼ぶ。   Hereinafter, each of the indexer block 509, the antireflection film processing block 510, the resist film processing block 511, the development processing block 512, and the interface block 513 is referred to as a processing block.

基板処理装置500には、各処理ブロックの動作を制御するメインコントローラ(図示せず)が設けられている。   The substrate processing apparatus 500 is provided with a main controller (not shown) that controls the operation of each processing block.

また、各処理ブロックの間には隔壁が設けられている。この各隔壁には、各処理ブロック間に基板Wの受け渡しを行うための基板載置部PASS1〜PASS6が2個ずつ上下に近接して設けられている。   In addition, a partition is provided between the processing blocks. Each of the partition walls is provided with two substrate platforms PASS1 to PASS6 adjacent to each other in the vertical direction for transferring the substrate W between the processing blocks.

また、現像処理用ブロック512の現像用熱処理部555には、後述するように、基板載置部PASS7が設けられ、インターフェースブロック513のエッジ露光装置100には、後述するように、基板載置部PASS8が設けられている。基板載置部PASS1〜PASS8には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。また、基板載置部PASS1〜PASS8には、基板Wの有無を検出する光学式のセンサ(図示せず)が設けられている。それにより、基板載置部PASS1〜PASS8において基板Wが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。   Further, the development heat treatment section 555 of the development processing block 512 is provided with a substrate platform PASS7 as described later, and the edge exposure apparatus 100 of the interface block 513 includes a substrate platform as described later. PASS8 is provided. The substrate platforms PASS1 to PASS8 are provided with a plurality of support pins fixedly installed. The substrate platforms PASS1 to PASS8 are provided with optical sensors (not shown) that detect the presence or absence of the substrate W. Thereby, it is possible to determine whether or not the substrate W is placed on the substrate platforms PASS1 to PASS8.

基板載置部PASS1,PASS3,PASS5は、未処理の基板Wを受け渡す場合に用いられ、基板載置部PASS2,PASS4,PASS6は、処理済みの基板Wを受け渡す場合に用いられる。   The substrate platforms PASS1, PASS3, and PASS5 are used when delivering an unprocessed substrate W, and the substrate platforms PASS2, PASS4, and PASS6 are used when delivering a processed substrate W.

次に、本実施の形態に係る基板処理装置500の動作について簡潔に説明する。   Next, the operation of the substrate processing apparatus 500 according to the present embodiment will be briefly described.

インデクサブロック509のキャリア載置台560の上には、複数枚の基板Wを多段に収納するキャリアCが搬入される。インデクサロボットIRは、基板Wの受け渡しをするためのハンドIRHを用いてキャリアC内に収納された未処理の基板Wを取り出す。その後、インデクサロボットIRは±X方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Wを基板載置部PASS1に移載する。   On the carrier mounting table 560 of the indexer block 509, a carrier C that stores a plurality of substrates W in multiple stages is loaded. The indexer robot IR takes out the unprocessed substrate W stored in the carrier C by using the hand IRH for delivering the substrate W. Thereafter, the indexer robot IR rotates in the ± θ direction while moving in the ± X direction, and transfers the unprocessed substrate W to the substrate platform PASS1.

また、本実施の形態においては、キャリアCとしてFOUP(front opening unified pod)を採用しているが、これに限定されず、SMIF(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや収納基板Wを外気に曝すOC(open cassette)等を用いてもよい。さらに、インデクサロボットIR、第1〜第4のセンターロボットCR1〜CR4およびインターフェース用搬送機構IFRには、それぞれ基板Wに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。   In the present embodiment, a FOUP (front opening unified pod) is adopted as the carrier C. However, the present invention is not limited to this, and the OC (Standard Mechanical Inter Face) pod and the storage substrate W are exposed to the outside air. open cassette) or the like may be used. Further, the indexer robot IR, the first to fourth center robots CR1 to CR4, and the interface transport mechanism IFR are each provided with a direct-acting transport robot that slides linearly with respect to the substrate W and moves the hand back and forth. Although it is used, the present invention is not limited to this, and an articulated transfer robot that linearly moves the hand back and forth by moving the joint may be used.

基板載置部PASS1に移載された未処理の基板Wは、反射防止膜用処理ブロック510の第1のセンターロボットCR1のハンドCRH1により受け取られる。第1のセンターロボットCR1は、基板Wを反射防止膜用塗布処理部570に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部570では、露光時に発生する在波やハレーションを減少させるためフォトレジスト膜の下部に反射防止膜が後述の塗布ユニットBARCにより塗布形成される。 The unprocessed substrate W transferred to the substrate platform PASS1 is received by the hand CRH1 of the first central robot CR1 of the antireflection film processing block 510. The first center robot CR1 carries the substrate W into the antireflection film coating processing unit 570. In the antireflection film coating unit 570, the anti-reflection film at the bottom of the photoresist film for reducing standing wave and halation generated during the exposure is applied and formed by a coating unit BARC below.

その後、第1のセンターロボットCR1は、反射防止膜用塗布処理部570から基板Wを取り出し、反射防止膜用熱処理部550,551に搬入する。反射防止膜用熱処理部550,551において所定の処理が施された後、第1のセンターロボットCR1は、反射防止膜用熱処理部550,551から基板Wを取り出し、基板載置部PASS3に移載する。   Thereafter, the first central robot CR1 takes out the substrate W from the antireflection film coating processing unit 570 and carries it into the antireflection film heat treatment units 550 and 551. After predetermined processing is performed in the antireflection film heat treatment units 550 and 551, the first central robot CR1 takes out the substrate W from the antireflection film heat treatment units 550 and 551 and transfers it to the substrate platform PASS3. To do.

基板載置部PASS3に移載された基板Wは、レジスト膜用処理ブロック511の第2のセンターロボットCR2のハンドCRH2により受け取られる。第2のセンターロボットCR2は、基板Wをレジスト膜用塗布処理部580に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部580では、反射防止膜が塗布形成された基板W上にフォトレジスト膜が後述の塗布ユニットRESにより塗布形成される。その後、第2のセンターロボットCR2は、レジスト膜用塗布処理部580から基板Wを取り出し、レジスト膜用熱処理部552,553に搬入する。レジスト膜用熱処理部552,553において所定の処理が施された後、第2のセンターロボットCR2は、レジスト膜用熱処理部552,553から基板Wを取り出し、基板載置部PASS5に移載する。   The substrate W transferred to the substrate platform PASS3 is received by the hand CRH2 of the second central robot CR2 of the resist film processing block 511. The second center robot CR2 carries the substrate W into the resist film coating processing unit 580. In the resist film coating processing unit 580, a photoresist film is coated and formed on a substrate W on which an antireflection film is coated by a coating unit RES described later. Thereafter, the second central robot CR2 takes out the substrate W from the resist film coating processing unit 580 and carries it into the resist film heat treatment units 552 and 553. After the predetermined processing is performed in the resist film heat treatment units 552 and 553, the second central robot CR2 takes out the substrate W from the resist film heat treatment units 552 and 553 and transfers it to the substrate platform PASS5.

基板載置部PASS5に移載された基板Wは、現像処理用ブロック512の第3のセンターロボットCR3のハンドCRH3により受け取られる。第3のセンターロボットCR3は、基板Wを基板載置部PASS7に移載する。基板載置部PASS7に移載された基板Wは、インターフェースブロック513の第4のセンターロボットCR4のハンドCRH4により受け取られる。第4のセンターロボットCR4は、基板Wをエッジ露光装置100に搬入する。エッジ露光装置100において所定の処理が施された後、第4のセンターロボットCR4は、エッジ露光装置100から基板Wを取り出し、エッジ露光装置100に設けられた基板載置部PASS8に移載する。   The substrate W transferred to the substrate platform PASS5 is received by the hand CRH3 of the third central robot CR3 of the development processing block 512. The third central robot CR3 transfers the substrate W to the substrate platform PASS7. The substrate W transferred to the substrate platform PASS7 is received by the hand CRH4 of the fourth central robot CR4 of the interface block 513. The fourth center robot CR4 carries the substrate W into the edge exposure apparatus 100. After the predetermined processing is performed in the edge exposure apparatus 100, the fourth central robot CR4 takes out the substrate W from the edge exposure apparatus 100 and transfers it to the substrate platform PASS8 provided in the edge exposure apparatus 100.

基板載置部PASS8に移載された基板Wは、インターフェース用搬送機構IFRにより受け取られる。インターフェース用搬送機構IFRは、基板Wをステッパ部514に搬入する。ステッパ部514において、所定の処理が基板Wに施される。その後、インターフェース用搬送機構IFRは、ステッパ部514より基板Wを受け取り、エッジ露光装置100に設けられた基板載置部PASS8に移載する。   The substrate W transferred to the substrate platform PASS8 is received by the interface transport mechanism IFR. The interface transport mechanism IFR carries the substrate W into the stepper unit 514. A predetermined process is performed on the substrate W in the stepper unit 514. Thereafter, the interface transport mechanism IFR receives the substrate W from the stepper unit 514 and transfers it to the substrate platform PASS8 provided in the edge exposure apparatus 100.

基板載置部PASS8に移載された基板Wは、インターフェースブロック513の第4のセンターロボットCR4のハンドCRH4により受け取られる。第4のセンターロボットCR4は、基板Wを現像用熱処理部555に搬入する。現像用熱処理部555においては、基板Wに対して熱処理が行われる。その後、第4のセンターロボットCR4は、現像用熱処理部555から基板Wを取り出し、基板載置部PASS7に移載する。   The substrate W transferred to the substrate platform PASS8 is received by the hand CRH4 of the fourth central robot CR4 of the interface block 513. The fourth center robot CR4 carries the substrate W into the development heat treatment section 555. In the development heat treatment section 555, the substrate W is subjected to heat treatment. Thereafter, the fourth central robot CR4 takes out the substrate W from the development heat treatment section 555 and transfers it to the substrate platform PASS7.

基板載置部PASS7に移載された基板Wは、現像処理ブロック12の第3のセンターロボットCR3のハンドCRH3により受け取られる。第3のセンターロボットCR3は、基板Wを現像処理部590に搬入する。現像処理部590においては、露光された基板Wに対して現像処理が施される。その後、第3のセンターロボットCR3は、現像処理部590から基板Wを取り出し、現像用熱処理部554に搬入する。現像用熱処理部554において所定の処理が施された後、第3のセンターロボットCR3は、現像用熱処理部554から基板Wを取り出し、レジスト膜用処理ブロック511に設けられた基板載置部PASS6に移載する。   The substrate W transferred to the substrate platform PASS7 is received by the hand CRH3 of the third central robot CR3 of the development processing block 12. The third center robot CR3 carries the substrate W into the development processing unit 590. In the development processing unit 590, the exposed substrate W is subjected to development processing. Thereafter, the third central robot CR3 takes out the substrate W from the development processing unit 590 and carries it into the development heat treatment unit 554. After the predetermined processing is performed in the development heat treatment section 554, the third central robot CR3 takes out the substrate W from the development heat treatment section 554 and puts it on the substrate platform PASS6 provided in the resist film processing block 511. Transfer.

基板載置部PASS6に移載された基板Wは、レジスト膜用処理ブロック511の第2のセンターロボットCR2により基板載置部PASS4に移載される。基板載置部PASS4に移載された基板Wは反射防止膜用処理ブロック510の第1のセンターロボットCR1により基板載置部PASS2に移載される。   The substrate W transferred to the substrate platform PASS6 is transferred to the substrate platform PASS4 by the second central robot CR2 of the resist film processing block 511. The substrate W transferred to the substrate platform PASS4 is transferred to the substrate platform PASS2 by the first central robot CR1 of the antireflection film processing block 510.

基板載置部PASS2に移載された基板Wは、インデクサブロック509のインデクサロボットIRによりキャリアC内に収納される。   The substrate W transferred to the substrate platform PASS2 is stored in the carrier C by the indexer robot IR of the indexer block 509.

次に、図7は、図6の基板処理装置500を−X方向から見た側面図である。   Next, FIG. 7 is a side view of the substrate processing apparatus 500 of FIG. 6 viewed from the −X direction.

インデクサブロック509のキャリア載置台560上に基板Wを収納したキャリアCが載置される。インデクサロボットIRのハンドIRHは、±θ方向に回転または±Y方向に進退してキャリアC内の基板Wを受け取る。   A carrier C storing the substrate W is placed on the carrier placement table 560 of the indexer block 509. The hand IRH of the indexer robot IR receives the substrate W in the carrier C by rotating in the ± θ direction or moving back and forth in the ± Y direction.

反射防止膜用処理ブロック510の反射防止膜用熱処理部550には、2個の受け渡し部付き熱処理ユニットPHP(以下、単に熱処理ユニットと呼ぶ。)と3個のホットプレートHPが上下に積層配置され、反射防止膜用熱処理部551には、2個の密着強化剤塗布処理部AHLおよび4個のクーリングプレートCPが上下に積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部550,551には、最上部に熱処理ユニットPHP、ホットプレートHP、密着強化剤塗布処理部AHLおよびクーリングプレートCPの温度を制御するローカルコントローラLCが各々配置される。   In the antireflection film heat treatment section 550 of the antireflection film processing block 510, two heat treatment units PHP with a transfer section (hereinafter simply referred to as heat treatment units) and three hot plates HP are stacked one above the other. In the heat treatment part 551 for the antireflection film, two adhesion reinforcing agent application treatment parts AHL and four cooling plates CP are stacked one above the other. Further, in the heat treatment units 550 and 551 for the antireflection film, a local controller LC for controlling the temperatures of the heat treatment unit PHP, the hot plate HP, the adhesion strengthening agent application treatment unit AHL, and the cooling plate CP is disposed at the top.

レジスト膜用処理ブロック511のレジスト膜用熱処理部552には、6個の熱処理ユニットPHPが上下に積層配置され、レジスト膜用熱処理部553には、4個のクーリングプレートCPが上下に積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部552,553には、最上部に熱処理ユニットPHPおよびクーリングプレートCPの温度を制御するローカルコントローラLCが各々配置される。   Six heat treatment units PHP are vertically stacked in the resist film heat treatment section 552 of the resist film processing block 511, and four cooling plates CP are vertically stacked in the resist film heat treatment section 553. The The resist film heat treatment units 552 and 553 are each provided with a local controller LC for controlling the temperature of the heat treatment unit PHP and the cooling plate CP at the top.

現像処理用ブロック512の現像用熱処理部554には、4個のホットプレートHPおよび4個のクーリングプレートCPが上下に積層配置され、現像熱処理部555には、基板載置部PASS7、5個の熱処理ユニットPHPおよびクーリングプレートCPが上下に積層配置されている。また、現像用熱処理部554,555には、最上部に熱処理ユニットPHP、ホットプレートHPおよびクーリングプレートCPの温度を制御するローカルコントローラLCが各々配置される。   In the development heat treatment section 554 of the development processing block 512, four hot plates HP and four cooling plates CP are stacked one above the other. The development heat treatment section 555 includes five substrate platforms PASS7 and five pieces. The heat treatment unit PHP and the cooling plate CP are stacked one above the other. Further, in the development heat treatment units 554 and 555, local controllers LC for controlling the temperatures of the heat treatment unit PHP, the hot plate HP, and the cooling plate CP are arranged at the top.

インターフェースブロック513には、2個のエッジ露光装置100、バッファ部BF、基板載置部PASS8が上下に積層配置されるとともに、第4のセンターロボットCR4およびインターフェース搬送機構IFR(図示せず)が配置される。   In the interface block 513, two edge exposure apparatuses 100, a buffer unit BF, and a substrate platform PASS8 are stacked one above the other, and a fourth central robot CR4 and an interface transport mechanism IFR (not shown) are disposed. Is done.

図8は、図6の基板処理装置500を+X方向から見た側面図である。   FIG. 8 is a side view of the substrate processing apparatus 500 of FIG. 6 viewed from the + X direction.

インデクサブロック509の上方には、ベークユニットコントローラ530が配置されている。反射防止膜用処理ブロック510の反射防止膜用塗布処理部570には、3個の塗布ユニットBARCが上下に積層配置されている。レジスト膜用処理ブロック511のレジスト膜用塗布処理部580には、3個の塗布ユニットRESが上下に積層配置されている。現像処理用ブロック512の現像処理部590には、5個の現像処理装置DEVが上下に積層配置されている。   A bake unit controller 530 is disposed above the indexer block 509. In the antireflection film coating processing unit 570 of the antireflection film processing block 510, three coating units BARC are stacked in a vertical direction. Three coating units RES are vertically stacked in the resist film coating processing unit 580 of the resist film processing block 511. In the development processing unit 590 of the development processing block 512, five development processing devices DEV are vertically stacked.

上記のように、基板処理装置500には図1のエッジ露光装置100が設けられている。これにより、基板処理装置500における基板Wのエッジ露光処理時にパーティクルおよび昇華物が各光学系から排除可能となっている。   As described above, the substrate processing apparatus 500 is provided with the edge exposure apparatus 100 of FIG. Thereby, particles and sublimates can be excluded from each optical system during the edge exposure processing of the substrate W in the substrate processing apparatus 500.

以上、本発明の一実施の形態において、エッジ露光装置100はエッジ露光装置に相当し、投光部保持ユニット20は基板保持手段に相当し、光源ユニット50およびランプ52は光源に相当し、光源ユニット50、ライトガイド50tおよび投光部10は光学系に相当する。また、リフレクタ51、ランプ52、ライトガイド50t、アパーチャAPおよび複数のレンズLE1,LE2,LE3,LE4は光学部材に相当し、半閉塞空間1P,2Pは光の経路中の空間に相当し、半閉塞容器57は第1の空間形成部材に相当し、遮光マスク1は第2の空間形成部材に相当し、遮光マスク1の下端部の開口および半閉塞容器57の開口部57hは開口部に相当する。 As described above, in the embodiment of the present invention, the edge exposure apparatus 100 corresponds to the edge exposure apparatus, the light projecting unit holding unit 20 corresponds to the substrate holding unit, the light source unit 50 and the lamp 52 correspond to the light source, The unit 50, the light guide 50t, and the light projecting unit 10 correspond to an optical system. Further, a reflector 51, a lamp 52, a light guide 50t, aperture AP and a plurality of lenses LE1, LE2, LE3, LE4 corresponds to an optical member, a semi-closed space 1P, 2P corresponds to a space in the path of light, half The closed container 57 corresponds to a first space forming member, the light shielding mask 1 corresponds to a second space forming member, and the opening at the lower end of the light shielding mask 1 and the opening 57 h of the semi-closed container 57 correspond to an opening. To do.

さらに、ガス供給管58,60tおよびガス導入路2は気体供給手段に相当し、ライトガイド50tは光伝達部材に相当し、レンズLE1,LE2,LE3,LE4は集光部材に相当し、鏡筒11は筒状部材に相当する。また、遮光マスク1の外周面は集面部に相当し、遮光マスク1のテーパ部がテーパ部に相当し、リフレクタ51は集光手段に相当し、露光用光入射部50xは端面に相当する。   Further, the gas supply pipes 58 and 60t and the gas introduction path 2 correspond to gas supply means, the light guide 50t corresponds to a light transmission member, the lenses LE1, LE2, LE3 and LE4 correspond to light condensing members, and the lens barrel 11 corresponds to a cylindrical member. The outer peripheral surface of the light shielding mask 1 corresponds to a collecting surface portion, the tapered portion of the light shielding mask 1 corresponds to a tapered portion, the reflector 51 corresponds to a condensing means, and the exposure light incident portion 50x corresponds to an end surface.

さらに、N2 ガスは不活性ガスに相当し、基板処理装置500は基板処理装置に相当し、レジスト膜用塗布処理部580は塗布装置に相当する。 Further, the N 2 gas corresponds to an inert gas, the substrate processing apparatus 500 corresponds to a substrate processing apparatus, and the resist film coating processing unit 580 corresponds to a coating apparatus.

本発明は、粉塵または析出物等のレンズ表面への付着を防止して基板の周縁部を露光するエッジ露光装置およびそれを備える基板処理装置として有用である。   INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention is useful as an edge exposure apparatus that exposes a peripheral portion of a substrate while preventing adhesion of dust or deposits to a lens surface and a substrate processing apparatus including the edge exposure apparatus.

本発明の一実施の形態に係るエッジ露光装置の一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of the edge exposure apparatus which concerns on one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態に係る投光部の構成を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the structure of the light projection part which concerns on one embodiment of this invention. 図2の投光部の下端部周辺における縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view in the lower end part periphery of the light projection part of FIG. 本発明の一実施の形態に係る光源ユニットの構成を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the structure of the light source unit which concerns on one embodiment of this invention. 2 ガスの半閉塞空間への供給試験の概要を示す模式図である。Is a schematic diagram showing an outline of supply test to half closed space of N 2 gas. 本発明の一実施の形態に係るエッジ露光装置100を備える基板処理装置の平面図である。1 is a plan view of a substrate processing apparatus including an edge exposure apparatus 100 according to an embodiment of the present invention. 図6の基板処理装置を−X方向から見た側面図である。It is the side view which looked at the substrate processing apparatus of Drawing 6 from the -X direction. 図6の基板処理装置を+X方向から見た側面図である。It is the side view which looked at the substrate processing apparatus of Drawing 6 from the + X direction. 従来の一般的なエッジ露光装置を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the conventional general edge exposure apparatus. パーティクルの排除を可能とする従来のエッジ露光装置を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the conventional edge exposure apparatus which enables exclusion of a particle.

符号の説明Explanation of symbols

1 遮光マスク
1P,2P 半閉塞空間
2 ガス導入路
10 投光部
11 鏡筒
20 投光部保持ユニット
50 光源ユニット
50t ライトガイド
50x 露光用光入射部
51 リフレクタ
52 ランプ
57 半閉塞容器
57h 開口部
58,60t ガス供給管
100 エッジ露光装置
500 基板処理装置
580 レジスト膜用塗布処理部
AP アパーチャ
LE1,LE2,LE3,LE4 レンズ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Light shielding mask 1P, 2P Semi-closed space 2 Gas introduction path 10 Projection part 11 Lens tube 20 Projection part holding unit 50 Light source unit 50t Light guide 50x Exposure light incident part 51 Reflector 52 Lamp 57 Semi-closed container 57h Opening part 58 , 60t Gas supply pipe 100 Edge exposure device 500 Substrate processing device 580 Resist film coating processing section AP aperture LE1, LE2, LE3, LE4 Lens

Claims (5)

基板の周縁部を露光するエッジ露光装置であって、
基板を保持する基板保持手段と、
光を発生する光源と、
前記光源により発生された光を前記基板保持手段により保持された基板に導く経路を形成する光学系と、
前記光学系により形成された光の経路中に設けられた光学部材と、
前記光学系により形成された光の経路中の空間の周囲を前記光学部材とともに取り囲み、光が通過する開口部を有する第1の空間形成部材と、
前記第1の空間形成部材により形成される空間内に不活性ガスを供給する気体供給手段とを備え、
前記光学系は、前記光源により発生された光を集光する集光手段を含み、
前記光学部材は、前記集光手段により集光された光を受ける端面を有し、光を伝達する光伝達部材を含み、
前記第1の空間形成部材は、前記集光手段により前記光伝達部材の端面に入射する光の経路中の空間の周囲を前記光伝達部材の端面とともに取り囲むことを特徴とするエッジ露光装置。
An edge exposure apparatus that exposes a peripheral portion of a substrate,
Substrate holding means for holding the substrate;
A light source that generates light;
An optical system that forms a path for guiding the light generated by the light source to the substrate held by the substrate holding means;
An optical member provided in a light path formed by the optical system;
A first space forming member surrounding the space in the light path formed by the optical system together with the optical member and having an opening through which the light passes;
Gas supply means for supplying an inert gas into the space formed by the first space forming member,
The optical system includes condensing means for condensing light generated by the light source,
The optical member has an end surface that receives the light collected by the light collecting means, and includes a light transmission member that transmits light,
The edge exposure apparatus, wherein the first space forming member surrounds a space in a path of light incident on an end surface of the light transmission member by the condensing unit together with the end surface of the light transmission member.
前記光学部材は、前記光伝達部材により伝達された光を前記基板保持手段により保持された基板の周縁部に集光する集光部材を含み、
前記集光部材から基板への前記光の経路中の空間の周囲を前記集光部材とともに取り囲む第2の空間形成部材をさらに備え、
前記気体供給手段は、前記第2の空間形成部材により形成される空間内に不活性ガスをさらに供給することを特徴とする請求項1記載のエッジ露光装置。
The optical member includes a condensing member that condenses the light transmitted by the light transmitting member on a peripheral edge of the substrate held by the substrate holding means,
A second space forming member surrounding the periphery of the space in the light path from the light collecting member to the substrate together with the light collecting member;
2. The edge exposure apparatus according to claim 1, wherein the gas supply means further supplies an inert gas into a space formed by the second space forming member.
前記集光部材は、レンズを内蔵する筒状部材を含み、
前記第2の空間形成部材は、前記筒状部材の光出射側の先端部に前記光の経路中の空間を形成するとともに前記レンズから基板に照射される光が前記開口部を通過するように設けられたことを特徴とする請求項2記載のエッジ露光装置。
The condensing member includes a cylindrical member containing a lens,
The second space forming member forms a space in the path of the light at a tip portion on the light emitting side of the cylindrical member, and so that light irradiated from the lens to the substrate passes through the opening. The edge exposure apparatus according to claim 2, wherein the edge exposure apparatus is provided.
前記第2の空間形成部材は、前記レンズから基板への光の経路の周囲を取り囲む筒状の周面部と前記周面部の端部から漸次径小となるテーパ部とを有することを特徴とする請求項3記載のエッジ露光装置。 The second space forming member has a cylindrical peripheral surface portion that surrounds the periphery of the light path from the lens to the substrate, and a tapered portion that gradually decreases in diameter from an end portion of the peripheral surface portion. The edge exposure apparatus according to claim 3. 基板に処理を行う基板処理装置であって、
基板に処理液の塗布処理を行う塗布装置と、
前記塗布装置により処理液が塗布された基板の周縁部を露光する請求項1〜のいずれかに記載のエッジ露光装置とを備えたことを特徴とする基板処理装置。
A substrate processing apparatus for processing a substrate,
A coating apparatus for applying a treatment liquid to a substrate;
The substrate processing apparatus characterized by comprising an edge exposure apparatus according to any of claims 1-4 for exposing the periphery of a substrate which the treatment liquid has been applied by the coating apparatus.
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