JP4110879B2

JP4110879B2 - Optical components

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Publication number: JP4110879B2
Application number: JP2002240863A
Authority: JP
Inventors: 均畑山; 龍彦蔀
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 2002-08-21
Filing date: 2002-08-21
Publication date: 2008-07-02
Anticipated expiration: 2022-08-21
Also published as: JP2004078002A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は光学部品に関し、より詳細には光増幅器の励起用光源として好適な光学部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、波長多重伝送（ＷＤＭ）システムは長距離系の大容量伝送だけでなく、メトロアクセス系での実用化も進んでいる。このとき、図５に示すように、ＯＡＤＭ（Optical Add-Drop Multiplexer）システム１００内に光増幅器１０２を並列に配置し、各チャンネルを増幅し、かつパワーを均一化することが考えられる。
【０００３】
このようなシステム１００において、従来では１つの光増幅器１０２に対して１つかもしくはそれ以上の励起用の半導体レーザ（ＬＤ）を使用していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記したような波長分波後にそれぞれのチャンネルに光増幅器を配置するシステムにおいて、１つの光増幅器に対して１つかもしくはそれ以上の励起用の半導体レーザを使用すると、システム的に非常に高価なものとなる。
【０００５】
本発明は、上記課題を解決するために為されたものであり、少ない半導体レーザの使用個数で、パワー制御自在なより多くの光出力を得ることを可能とする光学部品を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る光学部品は、半導体レーザとマッハツェンダ干渉計とを基板上に集積してなる複数の出力ポートを備える光学部品であって、半導体レーザへの注入電流とマッハツェンダ干渉計のアーム部の温度とを調整することで、複数の出力ポートそれぞれから出力される光の強度を調整することを特徴とする。
【０００７】
この光学部品では、半導体レーザとマッハツェンダ干渉計とを基板上に集積して構成されているため、半導体レーザへの注入電流とマッハツェンダ干渉計のアーム部の温度とを調整することで、複数の出力ポートそれぞれから出力される光の強度を調整することができる。このように、この光学部品によれば、少ない半導体レーザの使用個数で、パワー制御自在なより多くの光出力を得ることが可能となる。
【０００８】
本発明に係る光学部品は、一の半導体レーザと、一のマッハツェンダ干渉計とを基板上に集積してなり、二つの出力ポートを備えることを特徴としてもよい。このようにすれば、一つの半導体レーザに対し、パワーを任意に制御することができる二つの光出力を得ることが可能となる。
【０００９】
本発明に係る光学部品は、一の半導体レーザと、三つのマッハツェンダ干渉計とを基板上に集積してなり、四つの出力ポートを備えることを特徴としてもよい。このようにすれば、一つの半導体レーザに対し、パワーを任意に制御することができる四つの光出力を得ることが可能となる。
【００１０】
本発明に係る光学部品は、一対の入力端と一の出力端とを有する一組の非対称マッハツェンダ干渉計を備え、一組の非対称マッハツェンダ干渉計それぞれの一対の入力端の一方は、マッハツェンダ干渉計の一対の出力端のそれぞれと接続されていることを特徴としてもよい。このようにすれば、半導体レーザからの光（励起光）と他の光（信号光）との合波機能を有する二入力二出力の回路を、一つの基板上に小型に形成することができる。
【００１１】
本発明に係る光学部品は、光増幅器の励起用光源として用いられることを特徴としてもよい。このように、この光学部品は、光増幅器の励起用光源として好適に用いることができる。特に、波長分波後にそれぞれのチャンネルに光増幅器を配置するシステムにおいて、１つの光増幅器に対して１つかもしくはそれ以上の励起用の半導体レーザを使用する必要がなく、半導体レーザの使用個数の低減が図られ、コストの低減を図ることが可能となる。
【００１２】
本発明に係る光学部品は、（１）第１光導波路と、（２）第１光カプラ及び第２光カプラそれぞれを介して第１光導波路と光結合され、第１光導波路と共にマッハツェンダ干渉計を構成する第２光導波路と、（３）第１光カプラと第２光カプラとの間における第１光導波路及び第２光導波路の少なくとも一方に設けられた第１ヒータと、（４）第１光導波路の入力端と光学的に結合された半導体レーザと、を備え、第１〜第２光導波路、第１ヒータ、及び半導体レーザは同一の基板上に集積されていることを特徴とする。
【００１３】
この光学部品では、半導体レーザへの注入電流と第１ヒータの温度とを調整することで、第１及び第２光導波路の出力端それぞれから出力される光の強度を調整することができる。このように、この光学部品によれば、一つの半導体レーザに対し、パワーを任意に制御することができる二つの光出力を得ることができ、少ない半導体レーザの使用個数で、パワー制御自在なより多くの光出力を得ることが可能となる。
【００１４】
本発明に係る光学部品は、（１）第１光導波路と、（２）第１光カプラ及び第２光カプラそれぞれを介して第１光導波路と光結合され、第１光導波路と共にマッハツェンダ干渉計を構成する第２光導波路と、（３）第１光カプラと前記第２光カプラとの間における第１光導波路及び第２光導波路の少なくとも一方に設けられた第１ヒータと、（４）第１光導波路の入力端と光学的に結合された半導体レーザと、（５）第３光導波路と、（６）第３光カプラ及び第４光カプラそれぞれを介して第３光導波路と光結合され、第３光導波路と共にマッハツェンダ干渉計を構成する第４光導波路と、（７）第３光カプラと第４光カプラとの間における第３光導波路及び第４光導波路の少なくとも一方に設けられた第２ヒータと、（８）第５光導波路と、（９）第５光カプラ及び第６光カプラそれぞれを介して第５光導波路と光結合され、第５光導波路と共にマッハツェンダ干渉計を構成する第６光導波路と、（１０）第５光カプラと第６光カプラとの間における第５光導波路及び第６光導波路の少なくとも一方に設けられた第３ヒータと、を備え、第１〜第６光導波路、第１〜第３ヒータ、及び半導体レーザは同一の基板上に集積され、第１光導波路の出力端と第４光導波路の入力端とは光学的に結合され、第２光導波路の出力端と第５光導波路の入力端とは光学的に結合されていることを特徴とする。
【００１５】
この光学部品では、半導体レーザへの注入電流と第１〜第３ヒータの温度とを調整することで、第３〜第６光導波路の出力端それぞれから出力される光の強度を調整することができる。このように、この光学部品によれば、一つの半導体レーザに対し、パワーを任意に制御することができる四つの光出力を得ることができ、少ない半導体レーザの使用個数で、パワー制御自在なより多くの光出力を得ることを可能となる。
【００１６】
本発明に係る光学部品は、（１）第１光導波路と、（２）第１光カプラ及び第２光カプラそれぞれを介して第１光導波路と光結合され、第１光導波路と共にマッハツェンダ干渉計を構成する第２光導波路と、（３）第１光カプラと前記第２光カプラとの間における第１光導波路及び第２光導波路の少なくとも一方に設けられた第１ヒータと、（４）第１光導波路の入力端と光学的に結合された半導体レーザと、（５）第３光導波路と、（６）第３光カプラ及び第４光カプラそれぞれを介して第３光導波路と光結合され、第３光導波路と共に非対称マッハツェンダ干渉計を構成する第４光導波路と、（７）第５光導波路と、（８）第５光カプラ及び第６光カプラそれぞれを介して第５光導波路と光結合され、第５光導波路と共に非対称マッハツェンダ干渉計を構成する第６光導波路と、を備え、第１〜第６光導波路、第１ヒータ、及び半導体レーザは同一の基板上に集積され、第１光導波路の出力端と第４光導波路の入力端とは光学的に結合され、第２光導波路の出力端と第５光導波路の入力端とは光学的に結合されていることを特徴とする。
【００１７】
この光学部品では、半導体レーザへの注入電流と第１ヒータの温度とを調整することで、第１〜第２光導波路の出力端それぞれから出力される光の強度を調整することができる。このように、この光学部品によれば、一つの半導体レーザに対し、パワーを任意に制御することができる二つの光出力を得ることができ、少ない半導体レーザの使用個数で、パワー制御自在なより多くの光出力を得ることを可能となる。また、第１〜第２光導波路の出力端それぞれから出力された光と、第３及び第６光導波路の入力端それぞれから入力された光との合波機能を有する二入力二出力の回路を、一つの基板上に小型に形成することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１９】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る光学部品を示す平面図である。図１に示すように、本実施形態に係る光学部品１０は、シリコン等からなる基板１２上に集積された、第１光導波路１４、第２光導波路１６、ヒータ（第１ヒータ）１８、及び半導体レーザ２０を備えている。
【００２０】
第１光導波路１４は、光入力端２２と基板１２の一端面に設けられた光出力端２４とを有している。第２光導波路１６は、基板１２の一端面に設けられた光出力端２６を有している。第２光導波路１６は、基板１２上において第１光導波路１４に沿うように設けられている。これら第１及び第２光導波路１４，１６は、２箇所で近接するように設けられて光学的な結合が図られており、これら近接部分により第１光カプラ２８及び第２光カプラ３０が構成されている。そして、これら第１及び第２光導波路１４，１６と第１及び第２光カプラ２８，３０とで、マッハツェンダ干渉計が構成されている。
【００２１】
これら第１及び第２光導波路１４，１６は、積層型の平面導波路であり、基板１２上に設けられたコア領域として設けられている。そして、このコア領域は、コア領域よりも屈折率の低いクラッド領域により覆われている。コア領域は、例えば、石英（ＳｉＯ₂）中にゲルマニウム（Ｇｅ）を添加して形成されており、石英（ＳｉＯ₂）のみからなるクラッド領域に対し高屈折率とされている。
【００２２】
ヒータ１８は、第１光カプラ２８と第２光カプラ３０との間における第１光導波路１４上（第１光導波路１４のアーム部上）と、第１光カプラ２８と第２光カプラ３０との間における第２光導波路１６上（第２光導波路１６のアーム部上）とに設けられている。ただし、ヒータ１８は第１及び第２光導波路１４，１６上のいずれかにのみ設けてもよい。このヒータ１８は、例えば、第１及び第２光導波路１４，１６上にタンタルシリサイド（ＴａＳｉ₂）等の金属を蒸着してなる、いわゆる薄膜ヒータと呼ばれるものである。このヒータ１８は、光導波路の温度を調整して屈折率を調整することにより、光導波路を伝搬する光の位相を調整する。
【００２３】
半導体レーザ２０は、第１光導波路１４の光入力端２２が設けられている側に配置されており、光入力端２２と光学的な結合が図られている。
【００２４】
この光学部品１０では、半導体レーザ２０から出射され光入力端２２から第１光導波路１４に入力された光は、第１光カプラ２８において分岐されて第１及び第２光導波路１４，１６内をそれぞれ伝搬し、第２光カプラ３０で干渉された後、出力ポートとしての第１及び第２光導波路１４，１６の光出力端２４，２６それぞれから、所定のパワーで出力される。このとき、外部に設けられた制御部３２により、半導体レーザ２０の注入電流とヒータ１８の温度とを制御することにより、光出力端２４，２６それぞれから出力される光のパワーを任意に制御することができる。
【００２５】
ここで、第１及び第２光カプラ２８，３０の結合率をＣとしたとき、光出力端２４，２６それぞれから出力される光のパワーＰ₁，Ｐ₂は、次の（１）式及び（２）式により表される。
Ｐ₁／Ｐ₀＝４・Ｃ・（１−Ｃ）・ｃｏｓ²（Δφ／２）・・・（１）
Ｐ₂＝Ｐ₀−Ｐ₁ ・・・（２）
【００２６】
ここで、Ｐ₀は半導体レーザ２０から出力され第１光導波路１４の光入力端２２に入力される光のパワーを示し、Δφは第２光カプラ３０に到達した第１及び第２光導波路１４，１６を伝搬してきた光の位相差（位相シフト量）を示す。
【００２７】
図２は、上記した（１）式及び（２）式に基づいて、第１及び第２光カプラ２８，３０の結合率Ｃを０．５として、光パワーＰ₀と位相シフト量Δφとを種々に変えたときの出力光の光パワーＰ₁，Ｐ₂を計算した結果を示すグラフである。図２において、Ｌ１及びＬ２はそれぞれ光パワーＰ₀が５００ｍＷのときの結果を示し、Ｌ３及びＬ４はそれぞれ光パワーＰ₀が３５０ｍＷのときの結果を示し、Ｌ５及びＬ６はそれぞれ光パワーＰ₀が２００ｍＷのときの結果を示している。
【００２８】
図２に示すように、光パワーＰ₁，Ｐ₂をそれぞれ１００ｍＷとしたいときには、半導体レーザ２０への注入電流を調整して光パワーＰ₀を２００ｍＷとし、ヒータ１８の温度を調整して位相シフト量Δφを９０度とすればよい。また、光パワーＰ₁，Ｐ₂をそれぞれ２５０ｍＷ，１００ｍＷとしたいときには、半導体レーザ２０への注入電流を調整して光パワーＰ₀を３５０ｍＷとし、ヒータ１８の温度を調整して位相シフト量Δφを６４．６度とすればよい。さらに、光パワーＰ₁，Ｐ₂をそれぞれ４００ｍＷ，１００ｍＷとしたいときには、半導体レーザ２０への注入電流を調整して光パワーＰ₀を５００ｍＷとし、ヒータ１８の温度を調整して位相シフト量Δφを５３．１度とすればよい。
【００２９】
このように、本実施形態に係る光学部品１０によれば、ヒータ１８の電力供給により調整可能なΔφと、半導体レーザ２０の注入電流により調整可能な光パワーＰ₀とを制御することにより、出力ポートとしての第１及び第２光導波路１４，１６の光出力端２４，２６それぞれから出力される光のパワーを任意に調整することができる。従って、この光学部品１０を図示しない光増幅器の励起用光源として利用したとき、一つの半導体レーザだけで二つの光増幅器へ入力する励起光のパワーを調整することができる。その結果、従来のように一つの光増幅器に対して１つかもしくはそれ以上の励起用の半導体レーザを使用する必要がなく、半導体レーザの使用個数の低減が図られる。例えば、８チャンネルのシステムに適用するとき、本実施形態に係る光学部品を使用すれば、必要な半導体レーザの個数は８個から４個へと低減され、コストの低減を図ることが可能となる。
【００３０】
（第２実施形態）
次に、本発明に係る光学部品の第２実施形態について説明する。なお、上記した第１実施形態において説明した要素と同一の要素には同一の符号を附し、重複する説明を省略する。
【００３１】
上記した第１実施形態では二出力の光学部品１０について説明したが、本実施形態では四出力の光学部品４０について説明する。
【００３２】
本実施形態に係る光学部品４０は、図３に示すように、シリコン等からなる基板１２上に集積された、第１光導波路１４、第２光導波路１６、ヒータ（第１ヒータ）１８、及び半導体レーザ２０を備えている他に、更に、第３〜第６光導波路４２〜４８、ヒータ（第２ヒータ）５０、及びヒータ（第３ヒータ）５２を備えている。
【００３３】
第４光導波路４４は、光入力端５４と基板１２の一端面に設けられた光出力端５６とを有している。そして、第１光導波路１４の光出力端２４と第４光導波路４４の光入力端５４とは光学的に結合されている。第３光導波路４２は、基板１２の一端面に設けられた光出力端５８を有している。第３光導波路４２は、基板１２上において第４光導波路４４に沿うように設けられている。これら第３及び第４光導波路４２，４４は、２箇所で近接するように設けられて光学的な結合が図られており、これら近接部分により第３光カプラ６０及び第４光カプラ６２が構成されている。そして、これら第３及び第４光導波路４２，４４と第３及び第４光カプラ６０，６２とで、マッハツェンダ干渉計が構成されている。
【００３４】
ヒータ５０は、第３光カプラ６０と第４光カプラ６２との間における第３光導波路４２上（第３光導波路４２のアーム部上）と、第３光カプラ６０と第４光カプラ６２との間における第４光導波路４４上（第４光導波路４４のアーム部上）とに設けられている。ただし、ヒータ５０は第３及び第４光導波路４２，４４上のいずれかにのみ設けてもよい。
【００３５】
第５光導波路４６は、光入力端６４と基板１２の一端面に設けられた光出力端６６とを有している。そして、第２光導波路１６の光出力端２６と第５光導波路４６の光入力端６４とは光学的に結合されている。第６光導波路４８は、基板１２の一端面に設けられた光出力端６８を有している。第６光導波路４８は、基板１２上において第５光導波路４６に沿うように設けられている。これら第５及び第６光導波路４６，４８は、２箇所で近接するように設けられて光学的な結合が図られており、これら近接部分により第５光カプラ７０及び第６光カプラ７２が構成されている。そして、これら第５及び第６光導波路４６，４８と第５及び第６光カプラ７０，７２とで、マッハツェンダ干渉計が構成されている。
【００３６】
ヒータ５２は、第５光カプラ７０と第６光カプラ７２との間における第５光導波路４６上（第５光導波路４６のアーム部上）と、第５光カプラ７０と第６光カプラ７２との間における第６光導波路４８上（第６光導波路４８のアーム部上）とに設けられている。ただし、ヒータ５２は第５及び第６光導波路４６，４８上のいずれかにのみ設けてもよい。
【００３７】
この光学部品４０では、半導体レーザ２０から出射され光入力端２２から第１光導波路１４に入力された光は、第１光カプラ２８において分岐されて第１及び第２光導波路１４，１６内をそれぞれ伝搬し、第２光カプラ３０で干渉された後、第１及び第２光導波路１４，１６の光出力端２４，２６それぞれに至る。そして、第４光導波路４４の光入力端５４に入力された光は、第３光カプラ６０において分岐されて第３及び第４光導波路４２，４４内をそれぞれ伝搬し、第４光カプラ６２で干渉された後、出力ポートとしての第３及び第４光導波路４２，４４の光出力端５８，５６から、所定のパワーで出力される。また、第５光導波路４６の光入力端６４に入力された光は、第５光カプラ７０において分岐されて第５及び第６光導波路４６，４８内をそれぞれ伝搬し、第６光カプラ７２で干渉された後、出力ポートとしての第５及び第６光導波路４６，４８の光出力端６６，６８から、所定のパワーで出力される。
【００３８】
このとき、外部に設けられた制御部３２により、半導体レーザ２０の注入電流とヒータ１８，５０，５２の温度とを制御することにより、光出力端６８，６６，５６，５８それぞれから出力される光のパワーＰ₁〜Ｐ₄を任意に制御することができる。
【００３９】
このように、本実施形態に係る光学部品４０においても、ヒータ１８，５０，５２の電力供給により調整可能な位相シフト量Δφと、半導体レーザ２０の注入電流により調整可能な光パワーＰ₀とを制御することにより、出力ポートとしての第３〜第６光導波路４２〜４８の光出力端５８，５６，６６，６８それぞれから出力される光のパワーを任意に調整することができる。従って、この光学部品４０を図示しない光増幅器の励起用光源として利用したとき、一つの半導体レーザだけで四つの光増幅器へ入力する励起光のパワーを調整することができる。その結果、従来のように一つの光増幅器に対して１つかもしくはそれ以上の励起用の半導体レーザを使用する必要がなく、半導体レーザの使用個数の低減が図られる。例えば、８チャンネルのシステムに適用するとき、本実施形態に係る光学部品４０を使用すれば、必要な半導体レーザの個数は８個から２個へと低減され、コストの低減を図ることが可能となる。
【００４０】
（第３実施形態）
次に、本発明に係る光学部品の第３実施形態について説明する。なお、上記した第１実施形態において説明した要素と同一の要素には同一の符号を附し、重複する説明を省略する。
【００４１】
上記した第１及び第２実施形態では任意のパワーの光を出力可能な複数の出力ポートを有する光学部品１０，４０について説明したが、本実施形態では更に外部からの入力光の合波機能を有する二入力二出力の光学部品８０について説明する。
【００４２】
本実施形態に係る光学部品８０は、図４に示すように、シリコン等からなる基板１２上に集積された、第１光導波路１４、第２光導波路１６、ヒータ（第１ヒータ）１８、及び半導体レーザ２０を備えている他に、更に、第３〜第６光導波路４２〜４８を備えている。
【００４３】
第４光導波路４４は、光入力端５４を有している。そして、第１光導波路１４の光出力端２４と第４光導波路４４の光入力端５４とは光学的に結合されている。第３光導波路４２は、基板１２の一端面に設けられた光入力端８２と、他端面に設けられた光出力端５８を有している。第３光導波路４２は、基板１２上において第１及び第４光導波路１４，４４に沿うように設けられている。これら第３及び第４光導波路４２，４４は、２箇所で近接するように設けられて光学的な結合が図られており、これら近接部分により第３光カプラ６０及び第４光カプラ６２が構成されている。そして、これら第３及び第４光導波路４２，４４と第３及び第４光カプラ６０，６２とで、非対称マッハツェンダ干渉計が構成されている。ここで非対称マッハツェンダ干渉計とは、第３光カプラ６０と第４光カプラ６２との間の第３及び第４光導波路４２，４４の長さが異なるものを指す。
【００４４】
第５光導波路４６は、光入力端６４を有している。そして、第２光導波路１６の光出力端２６と第５光導波路４６の光入力端６４とは光学的に結合されている。第６光導波路４８は、基板１２の一端面に設けられた光入力端８４と、他端面に設けられた光出力端６８を有している。第６光導波路４８は、基板１２上において第２及び第５光導波路１６，４６に沿うように設けられている。これら第５及び第６光導波路４６，４８は、２箇所で近接するように設けられて光学的な結合が図られており、これら近接部分により第５光カプラ７０及び第６光カプラ７２が構成されている。そして、これら第５及び第６光導波路４６，４８と第５及び第６光カプラ７０，７２とで、非対称マッハツェンダ干渉計が構成されている。ここで非対称マッハツェンダ干渉計とは、第５光カプラ７０と第６光カプラ７２との間の第５及び第６光導波路４６，４８の長さが異なるものを指す。
【００４５】
この光学部品８０では、半導体レーザ２０から出射され光入力端２２から第１光導波路１４に入力された光は、第１光カプラ２８において分岐されて第１及び第２光導波路１４，１６内をそれぞれ伝搬し、第２光カプラ３０で干渉された後、第１及び第２光導波路１４，１６の光出力端２４，２６それぞれに至る。そして、第４光導波路４４の光入力端５４に入力された光は、第３光カプラ６０及び第４カプラ６２を介して光入力端８２から入力され第３光導波路４２を伝搬してきた波長λ₂の光と合波され、出力ポートとしての第３光導波路４２の光出力端５８から出力される。また、第５光導波路４６の光入力端６４に入力された光は、第５光カプラ７０及び第６カプラ７２を介して光入力端８４から入力され第６光導波路４８を伝搬してきた波長λ₁の光と合波され、出力ポートとしての第６光導波路４８の光出力端６８から出力される。
【００４６】
このとき、外部に設けられた制御部３２により、半導体レーザ２０の注入電流とヒータ１８の温度とを制御することにより、光出力端５８，６８それぞれから出力される半導体レーザ２０からの光のパワーＰ₁，Ｐ₂を任意に制御することができる。
【００４７】
このように、本実施形態に係る光学部品８０においても、ヒータ１８の電力供給により調整可能な位相シフト量Δφと、半導体レーザ２０の注入電流により調整可能な光パワーＰ₀とを制御することにより、出力ポートとしての第３及び第６光導波路４２，４８の光出力端５８，６８それぞれから出力される光のパワーＰ₂，Ｐ₁任意に調整することができる。従って、この光学部品８０を図示しない光増幅器の励起用光源として利用したとき、一つの半導体レーザだけで二つの光増幅器へ入力する励起光のパワーを調整することができる。その結果、従来のように一つの光増幅器に対して１つかもしくはそれ以上の励起用の半導体レーザを使用する必要がなく、半導体レーザの使用個数の低減が図られる。
【００４８】
特に、この光学部品８０では、光入力端８２，８４から入力された光を合波する合波機能を有するため、二入力二出力の光回路を小型に形成することが可能となる。
【００４９】
尚、本発明は上記した実施形態に限定されることなく、種々の変形が可能である。
【００５０】
例えば、上記した第１及び第２実施形態では、マッハツェンダ干渉計を一段で構成した二出力の光学部品１０、及びマッハツェンダ干渉計を二段縦列で構成した四出力の光学部品４０について説明したが、マッハツェンダ干渉計を更に多段化して出力ポートを増やすことが可能である。
【００５１】
また、上記した第３実施形態に係る光学部品８０では、第３及び第６光導波路４２，４８の光出力端５８，６８から光を取り出すように構成したが、第４及び第５光導波路４４，４６から光を取り出すように構成してもよい。
【００５２】
【発明の効果】
本発明によれば、少ない半導体レーザの使用個数で、パワー制御自在なより多くの光出力を得ることを可能とする光学部品が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態に係る光学部品の構成を示す平面図である。
【図２】光パワーＰ₀と位相シフト量Δφとを種々に変えたときの出力光の光パワーＰ₁，Ｐ₂を計算した結果を示すグラフである（第１及び第２光カプラの結合率Ｃを０．５とした）。
【図３】第２実施形態に係る光学部品の構成を示す平面図である。
【図４】第３実施形態に係る光学部品の構成を示す平面図である。
【図５】波長分波後にそれぞれのチャンネルに光増幅器が配置されたＯＡＤＭ（Optical Add-Drop Multiplexer）システムを示す図である。
【符号の説明】
１０，４０，８０…光学部品、１２…基板、１４…第１光導波路、１６…第２光導波路、１８…第１ヒータ、２０…半導体レーザ、２８…第１光カプラ、３０…第２光カプラ、４２…第３光導波路、４４…第４光導波路、４６…第５光導波路、４８…第６光導波路、５０…第２ヒータ、５２…第３ヒータ、６０…第３光カプラ、６２…第４光カプラ、７０…第５光カプラ、７２…第６光カプラ。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an optical component, and more particularly to an optical component suitable as an excitation light source for an optical amplifier.
[0002]
[Prior art]
In recent years, wavelength division multiplexing (WDM) systems have been put to practical use not only in long-distance large-capacity transmission but also in metro access systems. At this time, as shown in FIG. 5, it is conceivable to arrange optical amplifiers 102 in parallel in an OADM (Optical Add-Drop Multiplexer) system 100 to amplify each channel and equalize the power.
[0003]
In such a system 100, one or more pumping semiconductor lasers (LDs) have been conventionally used for one optical amplifier 102.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the system in which an optical amplifier is arranged in each channel after wavelength demultiplexing as described above, if one or more pumping semiconductor lasers are used for one optical amplifier, the system is very expensive. It will be something.
[0005]
The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide an optical component that can obtain more power output that can be power controlled with a small number of semiconductor lasers used. And
[0006]
[Means for Solving the Problems]
An optical component according to the present invention is an optical component having a plurality of output ports formed by integrating a semiconductor laser and a Mach-Zehnder interferometer on a substrate, and includes an injection current to the semiconductor laser and a temperature of an arm portion of the Mach-Zehnder interferometer. And adjusting the intensity of light output from each of the plurality of output ports.
[0007]
In this optical component, a semiconductor laser and a Mach-Zehnder interferometer are integrated on a substrate. Therefore, by adjusting the injection current to the semiconductor laser and the temperature of the arm part of the Mach-Zehnder interferometer, multiple outputs can be obtained. The intensity of light output from each port can be adjusted. As described above, according to this optical component, it is possible to obtain more light output that can be power-controlled with a small number of semiconductor lasers used.
[0008]
The optical component according to the present invention may be characterized in that one semiconductor laser and one Mach-Zehnder interferometer are integrated on a substrate and provided with two output ports. In this way, it is possible to obtain two light outputs whose power can be arbitrarily controlled with respect to one semiconductor laser.
[0009]
The optical component according to the present invention may be characterized in that one semiconductor laser and three Mach-Zehnder interferometers are integrated on a substrate and provided with four output ports. In this way, it is possible to obtain four light outputs whose power can be arbitrarily controlled with respect to one semiconductor laser.
[0010]
An optical component according to the present invention includes a pair of asymmetric Mach-Zehnder interferometers having a pair of input ends and one output end, and one of the pair of input ends of each of the pair of asymmetric Mach-Zehnder interferometers is a Mach-Zehnder interferometer. It may be characterized by being connected to each of the pair of output terminals. In this way, a two-input two-output circuit having a function of combining light from the semiconductor laser (excitation light) and other light (signal light) can be formed on a single substrate. .
[0011]
The optical component according to the present invention may be used as an excitation light source of an optical amplifier. Thus, this optical component can be suitably used as an excitation light source for an optical amplifier. In particular, in a system in which an optical amplifier is arranged in each channel after wavelength demultiplexing, it is not necessary to use one or more pumping semiconductor lasers for one optical amplifier, and the number of semiconductor lasers used is reduced. As a result, the cost can be reduced.
[0012]
The optical component according to the present invention includes (1) a first optical waveguide and (2) an optical coupling with the first optical waveguide via the first optical coupler and the second optical coupler, respectively, and a Mach-Zehnder interferometer together with the first optical waveguide. (3) a first heater provided in at least one of the first optical waveguide and the second optical waveguide between the first optical coupler and the second optical coupler; and (4) a second optical waveguide. A semiconductor laser optically coupled to an input end of one optical waveguide, wherein the first to second optical waveguides, the first heater, and the semiconductor laser are integrated on the same substrate. .
[0013]
In this optical component, the intensity of light output from each of the output ends of the first and second optical waveguides can be adjusted by adjusting the injection current to the semiconductor laser and the temperature of the first heater. As described above, according to this optical component, it is possible to obtain two optical outputs whose power can be arbitrarily controlled with respect to one semiconductor laser, and the power can be controlled with a small number of semiconductor lasers used. A lot of light output can be obtained.
[0014]
The optical component according to the present invention includes (1) a first optical waveguide and (2) an optical coupling with the first optical waveguide via the first optical coupler and the second optical coupler, respectively, and a Mach-Zehnder interferometer together with the first optical waveguide. (3) a first heater provided in at least one of the first optical waveguide and the second optical waveguide between the first optical coupler and the second optical coupler; and (4) A semiconductor laser optically coupled to the input end of the first optical waveguide; (5) a third optical waveguide; and (6) an optical coupling with the third optical waveguide via the third optical coupler and the fourth optical coupler, respectively. A fourth optical waveguide that constitutes a Mach-Zehnder interferometer together with the third optical waveguide; and (7) provided at least one of the third optical waveguide and the fourth optical waveguide between the third optical coupler and the fourth optical coupler. A second heater, and (8) a fifth optical waveguide. (9) a sixth optical waveguide optically coupled to the fifth optical waveguide via the fifth optical coupler and the sixth optical coupler, respectively, and constituting a Mach-Zehnder interferometer together with the fifth optical waveguide; (10) a fifth optical coupler; A third heater provided in at least one of the fifth optical waveguide and the sixth optical waveguide between the sixth optical coupler, the first to sixth optical waveguides, the first to third heaters, and the semiconductor laser Are integrated on the same substrate, the output end of the first optical waveguide and the input end of the fourth optical waveguide are optically coupled, and the output end of the second optical waveguide and the input end of the fifth optical waveguide are optically coupled. It is characterized by being connected.
[0015]
In this optical component, the intensity of light output from each of the output ends of the third to sixth optical waveguides can be adjusted by adjusting the injection current to the semiconductor laser and the temperatures of the first to third heaters. it can. As described above, according to this optical component, it is possible to obtain four optical outputs capable of arbitrarily controlling power with respect to one semiconductor laser, and it is possible to control power with a small number of semiconductor lasers used. A lot of light output can be obtained.
[0016]
The optical component according to the present invention includes (1) a first optical waveguide and (2) an optical coupling with the first optical waveguide via the first optical coupler and the second optical coupler, respectively, and a Mach-Zehnder interferometer together with the first optical waveguide. (3) a first heater provided in at least one of the first optical waveguide and the second optical waveguide between the first optical coupler and the second optical coupler; and (4) A semiconductor laser optically coupled to the input end of the first optical waveguide; (5) a third optical waveguide; and (6) an optical coupling with the third optical waveguide via the third optical coupler and the fourth optical coupler, respectively. A fourth optical waveguide that forms an asymmetric Mach-Zehnder interferometer with the third optical waveguide, (7) a fifth optical waveguide, and (8) a fifth optical waveguide through the fifth optical coupler and the sixth optical coupler, respectively. Optically coupled and asymmetric Mach's with fifth optical waveguide A first optical waveguide, a first heater, and a semiconductor laser integrated on the same substrate, and an output end of the first optical waveguide and a fourth optical waveguide. The input end of the waveguide is optically coupled, and the output end of the second optical waveguide and the input end of the fifth optical waveguide are optically coupled.
[0017]
In this optical component, the intensity of light output from each of the output ends of the first to second optical waveguides can be adjusted by adjusting the injection current to the semiconductor laser and the temperature of the first heater. As described above, according to this optical component, it is possible to obtain two optical outputs whose power can be arbitrarily controlled with respect to one semiconductor laser, and it is possible to control power with a small number of semiconductor lasers used. A lot of light output can be obtained. Also, a two-input two-output circuit having a function of combining light output from the output ends of the first to second optical waveguides and light input from the input ends of the third and sixth optical waveguides. , It can be formed small on one substrate.
[0018]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In the description of the drawings, the same elements are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.
[0019]
(First embodiment)
FIG. 1 is a plan view showing an optical component according to the first embodiment. As shown in FIG. 1, the optical component 10 according to the present embodiment includes a first optical waveguide 14, a second optical waveguide 16, a heater (first heater) 18 integrated on a substrate 12 made of silicon or the like, and A semiconductor laser 20 is provided.
[0020]
The first optical waveguide 14 has a light input end 22 and a light output end 24 provided on one end face of the substrate 12. The second optical waveguide 16 has a light output end 26 provided on one end surface of the substrate 12. The second optical waveguide 16 is provided along the first optical waveguide 14 on the substrate 12. The first and second optical waveguides 14 and 16 are provided so as to be close to each other at two locations and optically coupled, and the first optical coupler 28 and the second optical coupler 30 are configured by these close portions. Has been. The first and second optical waveguides 14 and 16 and the first and second optical couplers 28 and 30 constitute a Mach-Zehnder interferometer.
[0021]
The first and second optical waveguides 14 and 16 are stacked planar waveguides and are provided as core regions provided on the substrate 12. The core region is covered with a cladding region having a refractive index lower than that of the core region. The core region is, for example, quartz (SiO ₂ ) In which germanium (Ge) is added, and quartz (SiO ₂ ) Is a high refractive index with respect to the clad region consisting only of.
[0022]
The heater 18 includes a first optical coupler 28 and a second optical coupler 30 on the first optical waveguide 14 (on the arm portion of the first optical waveguide 14) between the first optical coupler 28 and the second optical coupler 30. It is provided on the second optical waveguide 16 (on the arm portion of the second optical waveguide 16) between the two. However, the heater 18 may be provided only on one of the first and second optical waveguides 14 and 16. For example, the heater 18 includes tantalum silicide (TaSi) on the first and second optical waveguides 14 and 16. ₂ ) Or the like is vapor-deposited, so-called thin film heater. The heater 18 adjusts the phase of light propagating through the optical waveguide by adjusting the refractive index by adjusting the temperature of the optical waveguide.
[0023]
The semiconductor laser 20 is disposed on the side of the first optical waveguide 14 where the light input end 22 is provided, and is optically coupled to the light input end 22.
[0024]
In this optical component 10, the light emitted from the semiconductor laser 20 and input to the first optical waveguide 14 from the optical input end 22 is branched by the first optical coupler 28 and passes through the first and second optical waveguides 14 and 16. After propagating and interfering with the second optical coupler 30, the optical output ends 24 and 26 of the first and second optical waveguides 14 and 16 serving as output ports are output at a predetermined power. At this time, the control unit 32 provided outside controls the injection current of the semiconductor laser 20 and the temperature of the heater 18 to arbitrarily control the power of light output from the light output terminals 24 and 26, respectively. be able to.
[0025]
Here, when the coupling rate of the first and second optical couplers 28 and 30 is C, the light power P output from the optical output terminals 24 and 26, respectively. ₁ , P ₂ Is expressed by the following equations (1) and (2).
P ₁ / P ₀ = 4 ・ C ・ (1-C) ・ cos ² (Δφ / 2) (1)
P ₂ = P ₀ -P ₁ (2)
[0026]
Where P ₀ Indicates the power of light output from the semiconductor laser 20 and input to the optical input end 22 of the first optical waveguide 14, and Δφ propagates through the first and second optical waveguides 14 and 16 that have reached the second optical coupler 30. The phase difference (phase shift amount) of the measured light is shown.
[0027]
FIG. 2 shows the optical power P based on the above formulas (1) and (2), where the coupling ratio C of the first and second optical couplers 28 and 30 is 0.5. ₀ And the optical power P of the output light when the phase shift amount Δφ is changed variously ₁ , P ₂ It is a graph which shows the result of having calculated. In FIG. 2, L1 and L2 are optical powers P, respectively. ₀ Shows the result when is 500 mW, and L3 and L4 represent the optical power P ₀ Shows the result when is 350 mW, and L5 and L6 are the optical power P ₀ Shows the results when is 200 mW.
[0028]
As shown in FIG. ₁ , P ₂ To 100 mW respectively, the injection power to the semiconductor laser 20 is adjusted to adjust the optical power P ₀ Is set to 200 mW, and the temperature of the heater 18 is adjusted to set the phase shift amount Δφ to 90 degrees. Optical power P ₁ , P ₂ To 250 mW and 100 mW, respectively, the optical power P is adjusted by adjusting the injection current to the semiconductor laser 20. ₀ May be set to 350 mW, and the temperature of the heater 18 may be adjusted to set the phase shift amount Δφ to 64.6 degrees. Furthermore, optical power P ₁ , P ₂ Are 400 mW and 100 mW, respectively, by adjusting the injection current into the semiconductor laser 20 to adjust the optical power P ₀ Is set to 500 mW, and the temperature of the heater 18 is adjusted to set the phase shift amount Δφ to 53.1 degrees.
[0029]
Thus, according to the optical component 10 according to the present embodiment, Δφ that can be adjusted by supplying power from the heater 18 and optical power P that can be adjusted by the injection current of the semiconductor laser 20. ₀ By controlling the above, it is possible to arbitrarily adjust the power of light output from the optical output ends 24 and 26 of the first and second optical waveguides 14 and 16 as output ports. Therefore, when the optical component 10 is used as a pumping light source for an optical amplifier (not shown), the power of pumping light input to the two optical amplifiers can be adjusted with only one semiconductor laser. As a result, it is not necessary to use one or more pumping semiconductor lasers for one optical amplifier as in the prior art, and the number of semiconductor lasers used can be reduced. For example, when applied to an eight-channel system, if the optical component according to the present embodiment is used, the number of necessary semiconductor lasers can be reduced from eight to four, and the cost can be reduced. .
[0030]
(Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the optical component according to the present invention will be described. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the element same as the element demonstrated in above-mentioned 1st Embodiment, and the overlapping description is abbreviate | omitted.
[0031]
Although the two-output optical component 10 has been described in the first embodiment, the four-output optical component 40 will be described in the present embodiment.
[0032]
As shown in FIG. 3, the optical component 40 according to this embodiment includes a first optical waveguide 14, a second optical waveguide 16, a heater (first heater) 18 integrated on a substrate 12 made of silicon or the like, and In addition to the semiconductor laser 20, the semiconductor laser 20 further includes third to sixth optical waveguides 42 to 48, a heater (second heater) 50, and a heater (third heater) 52.
[0033]
The fourth optical waveguide 44 has a light input end 54 and a light output end 56 provided on one end face of the substrate 12. The optical output end 24 of the first optical waveguide 14 and the optical input end 54 of the fourth optical waveguide 44 are optically coupled. The third optical waveguide 42 has a light output end 58 provided on one end surface of the substrate 12. The third optical waveguide 42 is provided along the fourth optical waveguide 44 on the substrate 12. The third and fourth optical waveguides 42 and 44 are provided so as to be close to each other at two locations and optically coupled, and the third optical coupler 60 and the fourth optical coupler 62 are configured by these adjacent portions. Has been. The third and fourth optical waveguides 42 and 44 and the third and fourth optical couplers 60 and 62 constitute a Mach-Zehnder interferometer.
[0034]
The heater 50 is provided between the third optical coupler 60 and the fourth optical coupler 62 on the third optical waveguide 42 (on the arm portion of the third optical waveguide 42), the third optical coupler 60, and the fourth optical coupler 62. And on the fourth optical waveguide 44 (on the arm portion of the fourth optical waveguide 44). However, the heater 50 may be provided only on one of the third and fourth optical waveguides 42 and 44.
[0035]
The fifth optical waveguide 46 has a light input end 64 and a light output end 66 provided on one end face of the substrate 12. The optical output end 26 of the second optical waveguide 16 and the optical input end 64 of the fifth optical waveguide 46 are optically coupled. The sixth optical waveguide 48 has a light output end 68 provided on one end surface of the substrate 12. The sixth optical waveguide 48 is provided along the fifth optical waveguide 46 on the substrate 12. The fifth and sixth optical waveguides 46 and 48 are provided so as to be close to each other at two locations and are optically coupled, and the fifth optical coupler 70 and the sixth optical coupler 72 are configured by these adjacent portions. Has been. The fifth and sixth optical waveguides 46 and 48 and the fifth and sixth optical couplers 70 and 72 constitute a Mach-Zehnder interferometer.
[0036]
The heater 52 is provided on the fifth optical waveguide 46 (on the arm portion of the fifth optical waveguide 46) between the fifth optical coupler 70 and the sixth optical coupler 72, and on the fifth optical coupler 70 and the sixth optical coupler 72. And on the sixth optical waveguide 48 (on the arm portion of the sixth optical waveguide 48). However, the heater 52 may be provided only on one of the fifth and sixth optical waveguides 46 and 48.
[0037]
In this optical component 40, the light emitted from the semiconductor laser 20 and input to the first optical waveguide 14 from the light input end 22 is branched by the first optical coupler 28 and passes through the first and second optical waveguides 14 and 16. After propagating and interfering with the second optical coupler 30, they reach the optical output ends 24 and 26 of the first and second optical waveguides 14 and 16, respectively. The light input to the optical input end 54 of the fourth optical waveguide 44 is branched by the third optical coupler 60 and propagates through the third and fourth optical waveguides 42 and 44, respectively. After the interference, the light is output at a predetermined power from the light output ends 58 and 56 of the third and fourth optical waveguides 42 and 44 as output ports. The light input to the optical input end 64 of the fifth optical waveguide 46 is branched by the fifth optical coupler 70 and propagates through the fifth and sixth optical waveguides 46 and 48, respectively. After the interference, the light is output at a predetermined power from the optical output ends 66 and 68 of the fifth and sixth optical waveguides 46 and 48 as output ports.
[0038]
At this time, the control unit 32 provided outside controls the injection current of the semiconductor laser 20 and the temperature of the heaters 18, 50, 52 to output from the light output ends 68, 66, 56, 58, respectively. Light power P ₁ ~ P _Four Can be controlled arbitrarily.
[0039]
Thus, also in the optical component 40 according to the present embodiment, the phase shift amount Δφ that can be adjusted by supplying power from the heaters 18, 50, and 52 and the optical power P that can be adjusted by the injection current of the semiconductor laser 20. ₀ By controlling the above, it is possible to arbitrarily adjust the power of light output from each of the light output ends 58, 56, 66, and 68 of the third to sixth optical waveguides 42 to 48 as output ports. Therefore, when the optical component 40 is used as a pumping light source of an optical amplifier (not shown), the power of pumping light input to the four optical amplifiers can be adjusted with only one semiconductor laser. As a result, it is not necessary to use one or more pumping semiconductor lasers for one optical amplifier as in the prior art, and the number of semiconductor lasers used can be reduced. For example, when applied to an 8-channel system, if the optical component 40 according to the present embodiment is used, the number of necessary semiconductor lasers can be reduced from eight to two, and the cost can be reduced. Become.
[0040]
(Third embodiment)
Next, a third embodiment of the optical component according to the present invention will be described. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the element same as the element demonstrated in above-mentioned 1st Embodiment, and the overlapping description is abbreviate | omitted.
[0041]
In the first and second embodiments described above, the optical components 10 and 40 having a plurality of output ports capable of outputting light of an arbitrary power have been described. However, in this embodiment, a function of combining input light from the outside is further provided. The two-input / two-output optical component 80 will be described.
[0042]
As shown in FIG. 4, the optical component 80 according to this embodiment includes a first optical waveguide 14, a second optical waveguide 16, a heater (first heater) 18 integrated on a substrate 12 made of silicon or the like, and In addition to the semiconductor laser 20, third to sixth optical waveguides 42 to 48 are further provided.
[0043]
The fourth optical waveguide 44 has an optical input end 54. The optical output end 24 of the first optical waveguide 14 and the optical input end 54 of the fourth optical waveguide 44 are optically coupled. The third optical waveguide 42 has a light input end 82 provided on one end face of the substrate 12 and a light output end 58 provided on the other end face. The third optical waveguide 42 is provided on the substrate 12 along the first and fourth optical waveguides 14 and 44. The third and fourth optical waveguides 42 and 44 are provided so as to be close to each other at two locations and optically coupled, and the third optical coupler 60 and the fourth optical coupler 62 are configured by these adjacent portions. Has been. The third and fourth optical waveguides 42 and 44 and the third and fourth optical couplers 60 and 62 constitute an asymmetric Mach-Zehnder interferometer. Here, the asymmetric Mach-Zehnder interferometer refers to those in which the lengths of the third and fourth optical waveguides 42 and 44 between the third optical coupler 60 and the fourth optical coupler 62 are different.
[0044]
The fifth optical waveguide 46 has an optical input end 64. The optical output end 26 of the second optical waveguide 16 and the optical input end 64 of the fifth optical waveguide 46 are optically coupled. The sixth optical waveguide 48 has a light input end 84 provided on one end face of the substrate 12 and a light output end 68 provided on the other end face. The sixth optical waveguide 48 is provided along the second and fifth optical waveguides 16 and 46 on the substrate 12. The fifth and sixth optical waveguides 46 and 48 are provided so as to be close to each other at two locations and are optically coupled, and the fifth optical coupler 70 and the sixth optical coupler 72 are configured by these adjacent portions. Has been. The fifth and sixth optical waveguides 46 and 48 and the fifth and sixth optical couplers 70 and 72 constitute an asymmetric Mach-Zehnder interferometer. Here, the asymmetric Mach-Zehnder interferometer refers to those in which the lengths of the fifth and sixth optical waveguides 46 and 48 between the fifth optical coupler 70 and the sixth optical coupler 72 are different.
[0045]
In this optical component 80, the light emitted from the semiconductor laser 20 and input to the first optical waveguide 14 from the optical input end 22 is branched by the first optical coupler 28 and passes through the first and second optical waveguides 14 and 16. After propagating and interfering with the second optical coupler 30, they reach the optical output ends 24 and 26 of the first and second optical waveguides 14 and 16, respectively. The light input to the optical input end 54 of the fourth optical waveguide 44 is input from the optical input end 82 via the third optical coupler 60 and the fourth coupler 62 and propagates through the third optical waveguide 42. ₂ And output from the light output end 58 of the third optical waveguide 42 as an output port. Further, the light input to the optical input end 64 of the fifth optical waveguide 46 is input from the optical input end 84 via the fifth optical coupler 70 and the sixth coupler 72 and propagates through the sixth optical waveguide 48. ₁ And output from the light output end 68 of the sixth optical waveguide 48 serving as an output port.
[0046]
At this time, by controlling the injection current of the semiconductor laser 20 and the temperature of the heater 18 by the control unit 32 provided outside, the power of the light from the semiconductor laser 20 output from the light output ends 58 and 68 respectively. P ₁ , P ₂ Can be controlled arbitrarily.
[0047]
Thus, also in the optical component 80 according to the present embodiment, the phase shift amount Δφ that can be adjusted by supplying power from the heater 18 and the optical power P that can be adjusted by the injection current of the semiconductor laser 20. ₀ , And the power P of the light output from the optical output ends 58 and 68 of the third and sixth optical waveguides 42 and 48 as output ports. ₂ , P ₁ It can be adjusted arbitrarily. Therefore, when the optical component 80 is used as a pumping light source for an optical amplifier (not shown), the power of pumping light input to the two optical amplifiers can be adjusted with only one semiconductor laser. As a result, it is not necessary to use one or more pumping semiconductor lasers for one optical amplifier as in the prior art, and the number of semiconductor lasers used can be reduced.
[0048]
In particular, since the optical component 80 has a multiplexing function for multiplexing the light input from the optical input ends 82 and 84, a two-input two-output optical circuit can be formed in a small size.
[0049]
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made.
[0050]
For example, in the first and second embodiments described above, the two-output optical component 10 in which the Mach-Zehnder interferometer is configured in one stage and the four-output optical component 40 in which the Mach-Zehnder interferometer is configured in two stages are described. It is possible to increase the number of output ports by further increasing the number of Mach-Zehnder interferometers.
[0051]
In the optical component 80 according to the third embodiment, light is extracted from the light output ends 58 and 68 of the third and sixth optical waveguides 42 and 48. However, the fourth and fifth optical waveguides 44 are used. , 46 may be configured to extract light.
[0052]
【The invention's effect】
According to the present invention, it is possible to provide an optical component that can obtain more light output that can be power controlled with a small number of semiconductor lasers used.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view showing a configuration of an optical component according to a first embodiment.
FIG. 2 Optical power P ₀ And the optical power P of the output light when the phase shift amount Δφ is changed variously ₁ , P ₂ Is a graph showing the result of calculating (the coupling ratio C of the first and second optical couplers is 0.5).
FIG. 3 is a plan view showing a configuration of an optical component according to a second embodiment.
FIG. 4 is a plan view showing a configuration of an optical component according to a third embodiment.
FIG. 5 is a diagram showing an OADM (Optical Add-Drop Multiplexer) system in which an optical amplifier is arranged in each channel after wavelength demultiplexing.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10,40,80 ... Optical component, 12 ... Board | substrate, 14 ... 1st optical waveguide, 16 ... 2nd optical waveguide, 18 ... 1st heater, 20 ... Semiconductor laser, 28 ... 1st optical coupler, 30 ... 2nd light Coupler 42 ... third optical waveguide 44 ... fourth optical waveguide 46 ... fifth optical waveguide 48 ... sixth optical waveguide 50 ... second heater 52 ... third heater 60 ... third optical coupler 62 ... 4th optical coupler, 70 ... 5th optical coupler, 72 ... 6th optical coupler.

Claims

An optical component that combines and outputs each of the two signal lights and the excitation light,
One semiconductor laser that outputs excitation light;
A Mach-Zehnder interferometer that splits the excitation light into two;
Two optical input terminals for inputting each of the two signal lights;
Two asymmetric Mach-Zehnder interferometers for multiplexing one of the two signal lights and one of the two branched excitation lights;
Two optical output terminals for outputting light combined by the two asymmetric Mach-Zehnder interferometers;
With
By adjusting the injection current to the semiconductor laser and the temperature of the arm part of the Mach-Zehnder interferometer by external control , the power of the pump light split into two can be adjusted to an arbitrary magnitude. Features optical components.

An optical component that combines and outputs each of the two signal lights and the excitation light,
One semiconductor laser that outputs pumping light whose power is adjusted by adjusting the injection current by external control ;
A first optical waveguide having a light input end for inputting the excitation light and optically coupled to the semiconductor laser;
A second optical waveguide optically coupled to the first optical waveguide through a first optical coupler and a second optical coupler, respectively, and constituting a Mach-Zehnder interferometer together with the first optical waveguide;
Provided in at least one of the first optical waveguide and the second optical waveguide between the first optical coupler and the second optical coupler, and the first optical waveguide and the second optical waveguide are controlled by an external control. A first heater capable of adjusting at least one temperature ,
The pumping light is branched in the first optical coupler, propagates through the first and second optical waveguides, interferes with the second optical coupler, and then the optical output ends of the first and second optical waveguides. Are output with an arbitrary amount of power from each of the
The optical component is
A third optical waveguide having an optical input end for inputting one of the signal lights;
The third optical waveguide has an optical input end optically coupled to the optical output end of the first optical waveguide, and is optically coupled to the third optical waveguide via a third optical coupler and a fourth optical coupler, respectively. A fourth optical waveguide constituting an asymmetric Mach-Zehnder interferometer together with the waveguide,
The pumping light input from the light output end of the first optical waveguide to the light input end of the fourth optical waveguide is combined with one of the signal lights via the third and fourth optical couplers, Output from the light output end of the third optical waveguide,
The optical component is
A fifth optical waveguide having a light input end for inputting the other of the signal light;
The fifth optical waveguide has an optical input end optically coupled to the optical output end of the second optical waveguide, and is optically coupled to the fifth optical waveguide via a fifth optical coupler and a sixth optical coupler, respectively. A sixth optical waveguide constituting an asymmetric Mach-Zehnder interferometer together with the waveguide, and
The pumping light input from the light output end of the second optical waveguide to the light input end of the fifth optical waveguide is combined with the other of the signal light via the third and fourth optical couplers, Output from the light output end of the fifth optical waveguide,
The optical component, wherein the first to sixth optical waveguides, the first heater, and the semiconductor laser are integrated on the same substrate.