JP4104820B2 - 電気装置 - Google Patents

Description

【０００１】
（発明の分野）
本発明は、自由空間内を伝播する電磁放射のビームの経路内に位置決めされ、ビームの特性を変化させるデバイスに関する。本発明は、限定するものではないが、特定的にはマイクロ波デバイスに関する。
【０００２】
（従来の技術）
マイクロ波とは、実質的に0.2乃至300ＧＨｚの周波数範囲内の電磁スペクトルの一部のことをいう。これは、ミリメートル波（30乃至300ＧＨｚの範囲内の周波数を有する）と呼ばれるスペクトルの部分を含む。
【０００３】
マイクロ波ビームの方向を制御するための公知デバイスにおいては、マイクロ波ビームは、２つのくさび形片によって形成されている誘電材料の矩形ブロックを通過する。これらの片の一方はフェライト材料であり、一方は非フェライトであって、それらの傾斜面が互いに接している。マイクロ波ビームの伝播の方向に垂直な方向の外部磁場がブロックに印加される。この磁場は、ブロックを横切って実質的に一定である。
【０００４】
印加される磁場は、ブロックを横切って実質的に均一な磁化を材料内に誘起させる。磁化された材料を通過するマイクロ波ビームはそれと相互作用し、この相互作用がビームを横切る相対速度を変化させる。もしマイクロ波ビームがフェライトの厚みを通って走行し、次いで非フェライト材料の厚みを通って走行するようにブロックを通して導かれれば、ビームの若干の部分は、ビームの他の若干の部分に比して異なる長さのフェライト材料を通って走行するので、ブロックにまたがって異なる位相シフトが生ずるようになる。一方のエッジにおける位相が他方のエッジにおける位相に対して遅れ、ビームは偏向する。磁場の方向を変えると、ビームは反対方向に偏向する。
【０００５】
マイクロ波の方向を制御するためのデバイスの別の実施の形態においては、マイクロ波ビームは、２つのくさび形片によって形成されている材料のシリンダを通過する。これらの片の一方はフェライトであり、一方は非フェライト材料であって、それらの傾斜面が互いに接している。このシリンダは外部ソレノイド内に配置される。この外部ソレノイドは、ビームの伝播方向に実質的に平行なシリンダの縦軸に沿って磁場を印加するために使用される。磁場は、シリンダを横切って実質的に一定である。このデバイスはファラデー回転によって動作する。円偏波ビームの場合、このデバイスは、ビーム内に差動位相シフトを含み、従ってビームを偏向させる。直線偏波ビームは、反対方向に回転する２つの円偏波ビームの組合わせと等価であり、従ってこのデバイスは直線偏波ビームを分離した２つの円偏波ビームに分割し、これらのビームは元のビームの伝播方向に対して＋θ及び−θの角度でデバイスから出て行く。
【０００６】
この種類のデバイスは製造するのが難しく、フェライトのくさび形片と非フェライトのくさび形片との接合面におけるビーム反射がもたらすインライン損を生ずるようになる。これらのデバイスは、１つの面内だけにおいてビームを偏向させるので、円錐舵取りを発生させるためには直列にした２つのデバイスが必要である。
【０００７】
マイクロ波の方向を制御するための別のデバイスは、磁気コイルを有するフェライト材料のボディからなり、これらのコイルは、ボディを横切る磁場を印加してボディを横切る磁化に勾配を誘起させる。結果的に、デバイスから出て行くビームの方向は、ボディを横切る磁場の勾配に垂直である。このデバイスは、マイクロ波ビームの幅を横切る全ての部分がフェライト材料の同じ厚みを通過する点が、前述した２つの実施の形態とは異なっている。しかしながら、誘起される磁化は、マイクロ波ビームが通過するフェライト材料を横切って変化する。
【０００８】
このデバイスの欠点は、ボディの厚みがその幅によって支配されることである。もしボディがその幅に比して比較的薄ければ、磁束はコイルの周りに集中してビームが通過する開口の幅を横切って十分に突入しない傾向があり、またボディを通過する磁束は開口の中心を殆ど、または全く通過しない。しかしながら、材料の幅はデバイスが舵取りするビームの幅によって支配され、従って独立的に選択することはできない。その結果、この型のデバイスの厚み及び幅は同じようにする必要がある。これは、デバイスをかさばらせ、重くし、扱い難くし、そして高価にする。更に、厚めの材料はシステムに大きい挿入損をもたらす。
【０００９】
（発明の概要）
本発明の第１の面によれば、放射のビームの方向を制御するためのデバイスが提供され、本デバイスは、放射のビームのための開口を有する磁性材料のボディと、開口を横切って磁化に勾配を印加する手段とを備え、ボディの中心領域内へ突入する磁場の量が、均一な材料組成のボディにおける場合よりも大きくなるように上記ボディの材料組成を変化させたことを特徴としている。
【００１０】
本発明の第１の面によれば、放射のビームの方向を制御するためのデバイスが提供され、本デバイスは、放射のビームのための開口を有する磁性材料のボディと、開口を横切って磁化に勾配を印加する手段とを備え、開口を横切ってボディの前面からボディの後面まで磁気抵抗に変化が存在することを特徴としている。
【００１１】
開口は複数の副開口の１つであることができ、これらの副開口が一緒になってデバイスの１つの完全な開口を形成することができる。
【００１２】
ボディを通して若干の領域内の磁気抵抗及び／または組成に変化が存在し、他の若干の領域内には変化が存在しないことができる。
【００１３】
好ましくは、放射のビームはマイクロ波放射である。
【００１４】
好ましくは、ボディは複合材料製である。好ましくは、ボディの材料組成は、開口の前面から開口の後面まで変化させる。ボディは複数の層を有することができ、これらの層は放射のビームの伝播方向に垂直である。少なくとも１つの層は、開口の第１の側から反対側の第２の側まで伸びていることができる。代替として、ボディの材料組成は、開口を横切って第１の側から反対側の第２の側まで変化させることができる。
【００１５】
磁性材料は、その内部磁化が磁場によって行われるような材料である。磁性材料は、電気的な絶縁体であることが好ましい。それはフェライトであることができる。フェライト材料は、それらが高透磁率と低導電率とを併せ持ち、且つ低損失であるので特に適している。導電率が低いことから、マイクロ波は容易にフェライト材料内に突入する。
【００１６】
好ましくは、デバイスは、少なくとも１つの磁場発生手段を備えている。好ましくは、２つの磁場発生手段が存在する。磁場発生手段は、単一のワイヤーまたはコイルであることができる。磁場発生手段は、開口の両側に１対またはそれ以上の対で設けることが好ましい。好ましくは、この、または各対の磁場発生手段は、反対方向の磁力線を発生して磁化に勾配を誘起させる。もし磁力線がビームの両側において反対方向であれば、ビームの伝播方向に沿って得られる束は、開口の中心において０になる。
【００１７】
好ましくは、互いに直角な方向に２つの磁化勾配を存在させる。これによって、ビームの方向を方位内で、並びに迎角内で制御することができ、円錐形ビームの舵取りを達成することができる。この場合、コイルの対は、放射のビームが通過しないボディの面に近接して配置される。好ましくは、１つまたは複数の磁化勾配は実質的に線形である。
【００１８】
都合よくは、ボディは第１の材料を備え、ボディは第１の材料の透磁率より低い透磁率を有する第２の材料の少なくとも１つの領域を含む。この、または各領域は、各磁場発生手段から伸びていることができる。この、または各領域は、開口の中心に向かって伸びていることができる。
【００１９】
好ましくは、この、または各領域は、２つの磁場発生手段の間の中心点までの半分より大きく伸ばす。最も好ましくは、この、または各領域は、磁場発生手段の間の中心点までの約２/３まで伸ばす。
【００２０】
好ましいことには、比較的低い透磁率を有するこの、または各領域が存在することによって、この、または各領域が存在しない場合よりも多くの磁束が、磁場発生手段から離れるように、そして開口の中心に向かうように偏向させられる。
【００２１】
好ましくは、この、または各領域は第１の材料内にスロットを備え、この、または各スロットは、インサートとして、または充填物として第２の材料を含んでいる。この、または各領域は、開口の中心に最も近い端において薄くなるようにテーパーを付けることができる。この、または各スロットは、線形のテーパーを有することも、または湾曲したテーパーを有することもできる。代替として、スロットは実質的に均一の厚みを有することができる。このような均一の厚みを有するスロットは、一方の側から別の側へボディを横切って全面的に伸びることも、または互いに他方に向かってはいるが出合うことがない１対のスロットであることもできる。
【００２２】
都合よくは、第１の材料及び第２の材料は、整合した誘電率を有している。好ましくは、誘電率は実質的に等しい。
【００２３】
第１の材料の透磁率が第２の材料の相対透磁率よりも高いような実施の形態においては、磁力線はボディ内において磁気的な不連続に遭遇し、それによって影響を受ける。しかしながら、もし第１及び第２の材料の誘電率が実質的に等しければ、放射のビームの伝播は実質的に影響されない。本発明は、材料内の磁気回路には影響を与えるが、マイクロ波の伝送のようなデバイスの性能には影響しない方法を提供する。
【００２４】
以下に、単なる例として、添付図面を参照して本発明によるマイクロ波デバイスの実施の形態を説明する。
【００２５】
（実施の形態）
ビーム舵取りデバイス１０は、中心面１４に関して対称的であるボディ１２を有している。ボディ１２の端１６、１８は、コイル２４、２６を担持している分離した端片２０、２２である。コイル２４、２６は、ボディ１２の前面２８及び後面３０に垂直に配向された平行な軸を有している。コイル２４と２６との間のボディの領域は、マイクロ波ビーム２７を通過させることができる開口１５を構成している。
【００２６】
端片２０、２２は、デバイスのボディの材料とは異なる材料で作られている。これらは、軟鋼またはスウェーデン鉄のような高い磁化を有する材料である。通常はこれらは均一であるが、渦電流を減少させるためにラミネートされたスタックの形状であることができる。現実には、デバイスのボディ自体がラミネートされた形状であることができる。代替として、端片はボディ１２の一体部分であることができる。
【００２７】
ボディ１２は、ボディが受ける磁場に依存する透磁率を有するフェライト材料である。適当なフェライト材料は、Trans-tech Inc.製のTTI-3000である。端１６、１８から中心面１４に向かって伸びているのは、テーパー付きのスロット、または間隙であり、これらのスロットはフェライト材料の誘電率と同一の、または類似の誘電率を有する誘電性インサート３２、３４で満たされている。インサートのための適当な材料は、Trans-tech Inc.製のD13である。フェライト材料及びインサート材料の誘電率は実質的に同一であるが、インサート材料の透磁率はフェライト材料の透磁率より低い。その結果、インサート３２、３４は、コイル２４、２６によって印加される磁場に対してボディ１２を通る比較的高い磁気抵抗路、または障壁を呈する。コイル付近の位置においては、ボディ１２を通る磁気抵抗は、均一組成のボディに比して比較的高い。磁気抵抗は、テーパー付きのインサートに沿って中心面に向かって減衰する。
【００２８】
端片の材料とデバイスのボディの材料とを異ならせたことは、それ自体、特徴的な、そしてスロットまたは間隙を充填することから独立した発明である。
【００２９】
ボディは、その幅に対して比較的薄く保つことが望ましい。厚めのボディは重量、製造の費用及び困難さを増加させる。またデバイス１０の使用によってもたらされるインライン損をも増加させる。しかしながら、ボディを薄くすればする程、磁力線は中心面１４に向かって突入することが困難になり、コイルの周りに集中するようになる。この集中効果を打ち消すために、インサート３２、３４がボディ１２内に設けられる。インサートの透磁率は理想的には１であるが、より高くすることができる。必要なことは、インサートの透磁率をボディのフェライト材料の透磁率よりも小さくすることだけである。インサート材料によって与えられる高磁気抵抗路は磁束に対してある磁気抵抗を呈し、磁力線はテーパーの付いたインサートに沿って、コイルから離れるように、インサートの狭くなっている部分、またはインサート３２、３４が存在しない開口１５の領域に向かって移動する。従ってスロットは、磁力線を、スロットを設けてないデバイスの場合よりも更に内側に中心面１４に向かって押しやり、開口を横切ってより制御され、そして均一な磁化の勾配が得られる。
【００３０】
スロットの長さはデバイスの幅に依存するが、指針としては、各スロットはその関連するコイルから、コイル間の距離の約1/3は伸ばすべきである。図１及び２に関連して上述した実施の形態においては、デバイスは75ｍｍ×75ｍｍの開口寸法を有するボディを有している。ボディの厚みは約25ｍｍである。スロットはほぼ30ｍｍの長さであり、1.0ｍｍから０までテーパーが付けてある。スロットのテーパーは、デバイスの開口を横切って所望の磁束密度の勾配を得るために、その長さに沿ってテーパーの必要な厚みを与えるように数値的に計算することができる。
【００３１】
スロットが存在しない場所でのボディの厚みを横切るボディの磁気抵抗は約９×10^-4Ｈ^-1であることができる。0.1ｍｍ厚の誘電材料インサート（透磁率は１）が存在する場所でのボディの厚みを横切るボディの磁気抵抗は約13×10^-4Ｈ^-1であることができる。
【００３２】
誘電性インサートは、デバイス１０のマイクロ波性能が劣化しないように十分に薄くする。
【００３３】
デバイスの使用中、コイル２４、２６を電流源によって付勢し、ブロック内のコイルにブロックの面２８、３０と概ね垂直な方向の磁場を発生させる。コイル２４が発生する磁場は、コイル２６が発生する磁場とは逆方向である。もし両コイルが等しく付勢されれば、中心面１４を横切る０磁場が存在する。
【００３４】
マイクロ波ビーム２７は円偏波マイクロ波エネルギであり、誘電レンズのような適当なレンズ配列によって、マイクロ波ビーム２７を主にデバイス１０の面２８に垂直な方向からデバイスのその面上に導く。もし電流がコイル内を流れていなければ、ビームは偏向されずに面３０から出て行く。
【００３５】
電流がコイルを通って流れている時は、デバイス１０からのビームは中心面１４に対して角θ°の方向に現れる。ビームの偏向は、コイル間に引かれた線に沿ってビームを横切る差動位相シフトの結果として発生する。この差動位相シフトは、印加された磁場によって誘起された開口を横切る磁化の勾配によって生ずるのである。中心面１４と端１６との間の磁場は第１の方向にあり、中心面１４と端１８との間の磁場は第１の方向とは逆の第２の方向にあり、ビームが受ける位相シフトはその幅を横切って変化し、ビームは偏向される。ビームを反対方向に偏向させるためには、コイル内の電流の流れの方向、及び磁化に対する対応効果を反転させる。これによって、デバイス１０からのビームは中心面１４に対して−θ°の方向に現れる。もし直線偏波ビームを使用すれば、デバイスはこのようなビームを２つのビーム（逆センスの円偏波された）に分割する。一方は中心面１４に対して角θ°にあり、他方は中心面１４に対して角−θ°にある。従って、もしデバイス１０を直線偏波ビームと共に使用すれば、それは電力分割器として、または双ビーム走査配列に使用することができる。
【００３６】
偏向の程度は、コイルへ供給される電流を変化させて印加される磁場の大きさを変化させ、材料の磁化を、従って磁化の勾配を変化させることによって制御される。30ｍｍのビーム幅と、40ＧＨｚの周波数とを有する円形断面のガウスビームは、デバイス１０によって約25°の範囲内で偏向させることができる。
【００３７】
デバイスは、面２８及び３０上の誘電材料の反射防止被膜３６及び３８によって、その入力端及び出力端において自由空間に整合されている。
【００３８】
デバイスの代替実施の形態を図３に示す。これは、図１及び２のデバイスと類似の基本構造のデバイス４０を示しており、高めの透磁率材料の２つの層４６の間にサンドウィッチされている比較的低透磁率の材料の層４４からなっている。重要なことには、デバイス１０とは異なり、層４４は均一な厚みであり、テーパーが付けられていないか、または中心面４８内に間隙を有していないことに注目されたい。しかしながら、たとえコイルを付勢しない時にボディ４２の前面から後面まで測定した透磁率が開口を横切って一定であるとしても、それでも層４４を含ませたことによって磁力線は、均一な組成のボディを有するデバイスにおける場合よりも中心面４８に向かって内側に押しやられる。より均一な磁化の勾配が得られる。この実施の形態の製造は、図１及び２の実施の形態よりも遙かに簡単である。
【００３９】
デバイスのさらなる実施の形態を図４に示す。これは、互いに横に並べてスタックした複数の細長い素子５４からなるボディ５２を有するデバイス５０を示している。細長い素子の透磁率または飽和磁化は、ボディの各側５６、５８における比較的低い値から始まって、ボディ５２の中心面６０に向かってより高い値まで増加するように、開口を横切って変化している。この配列は、図１及び２の開口と類似の形状を有する開口を横切る（前面６２から後面６４までボディを通る方向）透磁率に勾配を与える。従って、デバイス５０内に存在する磁気効果は、デバイス１０に存在する磁気効果と類似である。
【００４０】
図１、２、３、及び４における構造は、コイルによって発生された磁場がアーム領域（図２、３、及び４の番号７０参照）を通して各デバイス内に導入されることに注目されたい。従って磁場は、ボディの面を通してではなく、ボディの側を通して横からボディ内へ走る。磁場を横から導入することは、磁場をボディの面を通して導入するより効率的である。完全な内部磁気回路が達成され、消磁場は誘起されない。
【００４１】
図５は、従来技術のデバイスの開口を横切る磁束密度Ｂyのグラフである。このデバイスは、約75ｍｍの幅を有する開口を有している。従って、ｄ＝０ｍｍ及びｄ＝75ｍｍは開口の周縁を表し、ｄ＝37.5ｍｍは開口の中心を表している。２つの重要な特色が存在していることに注目されたい。第１に、開口の中心（磁束密度がｘ軸を横切る領域）における磁束密度の勾配が浅いことである。第２に、開口の周縁に近づくと磁束密度の勾配が急激に増加することである。このグラフは、コイルの周りに磁束が集中する効果を現している。
【００４２】
これに対して、図６はデバイス１０の開口を横切る磁束密度のグラフを示している。開口の中心における磁束密度の勾配が前よりも高く、開口を横切って勾配がより一定であることから、インサートの効果を明らかに見ることができる。
【００４３】
これら２つの効果により、より強いビーム偏向、及び偏向されたビームのより特別なコヒーレンシーが得られる。図５及び６に示す磁束密度は、一方のコイル２４、２６付近のボディ１２の縁から、ボディ内の中心線に沿って他方のコイル付近のボディの縁までである。
【００４４】
これらの図のｙ軸は、値Ｂyを表している。コイルによって発生された磁束密度は、２つの成分Ｂx及びＢyに分解することができる。Ｂyは、ファラデー回転を生じさせる磁束密度の成分であり、マイクロ波ビームの伝播方向に平行な部分である。
【００４５】
選択するフェライト材料は、関連するマイクロ波周波数における低損失、満足できる電力取扱い能力、良好な温度安定性、及び高い値の飽和磁化を呈するべきであることは理解されよう。後者の基準は、最大可能な最大ビーム偏向を得るために重要である。
【００４６】
本発明によるデバイスのために考えられる１つの特定の応用は、例えばレーダー装置における急速走査アンテナにおけるものであり、デバイスには機械的メカニズムが含まれていないことが従来のアンテナより優れている。代替として、このデバイスはイメージング及び他の応用のための受動受信機に使用することができる。デバイスのためのさらなる用途は、通信システムにおける送信機及び／または受信機の一部としてである。
【００４７】
一般的に言えば、本デバイスは、システムの成分間にマイクロ波の準光学的伝送を使用するどのような装置においても応用を見出すことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 デバイスの斜視図である。
【図２】 図１のデバイスを上から見た平面図である。
【図３】 デバイスの代替実施の形態を上から見た平面図である。
【図４】 デバイスのさらなる実施の形態を上から見た平面図である。
【図５】 従来技術のデバイスの開口を横切る磁束密度のグラフである。
【図６】 図１及び２に示すデバイスの開口を横切る磁束密度のグラフである。

Claims (18)

1. マイクロ波放射の第１のビーム（２７）を受け、デバイス（１０）から出力される対応するマイクロ波放射の第２のビームの方向を制御するためのデバイス（１０）であって、上記第２のビームは上記第１のビームから導出され、上記デバイスは、
   （ａ）上記第１のビーム（２７）を受けて上記第２のビームを出力するためのボディ（１２）と、
   （ｂ）上記ボディ（１２）を通るように上記第１のビーム（２７）を導いて上記第２のビームを発生させるために、上記ボディ（１２）を横切る磁場を印加するための磁化手段（２４、２６）
   を含み、
   上記ボディ（１２）は空間的に非均一な磁気抵抗を呈するように作られ、上記ボディが空間的に均一な磁気抵抗を有するボディを呈するような材料で作られている場合に比して、上記磁場のより多くの割合を上記ボディの中心領域に突入させるように導くことを特徴とするデバイス（１０）。
2. 上記ボディ（４２）は、動作中に上記第１のビームを受ける上記ボディの第１の領域（４６）から、動作中に上記第２のビームを出力する上記ボディの第２の領域まで空間的に変化している材料組成であることを特徴とする請求項１に記載のデバイス（４０）。
3. 上記ボディは複数の層（５４）からなり、上記層は、動作中にそれらの主面が上記ボディ（１２）を通る上記第１のビームの伝播方向と実質的に垂直になるように配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載のデバイス（５０）。
4. 上記層の少なくとも１つは、上記第１の領域から上記第２の領域まで伸びていることを特徴とする請求項３に記載のデバイス（１０）。
5. 上記ボディ（１２）は、動作中の上記ボディ（１２）を通る上記第１のビーム（２７）の伝播方向と実質的に垂直な方向において空間的に変化している材料組成であることを特徴とする請求項３に記載のデバイス（１０）。
6. 上記ボディ（１２）は、フェライト材料で作られていることを特徴とする先行請求項の何れかに記載のデバイス（１０）。
7. 上記磁化手段は、上記ボディを横切る上記磁場を印加するための少なくとも１つの磁化アセンブリを備えていることを特徴とする先行請求項の何れかに記載のデバイス。
8. 上記磁化手段（２０、２２、２４、２６）は、２つの磁化アセンブリからなることを特徴とする請求項７に記載のデバイス。
9. 上記磁化手段（２０、２２、２４、２６）は、上記ボディの相互に反対の側に空間的に分布されていることを特徴とする請求項７または８に記載のデバイス（１０）。
10. 上記磁化手段（２０、２２、２４、２６）は、空間的に均一な磁気抵抗を呈する材料で作られているボディの場合に比してより線形の空間的磁気勾配を有する磁場を発生させるために、上記ボディと共働するように動作可能であることを特徴とする先行請求項の何れかに記載のデバイス（１０）。
11. 上記ボディ（１２）は第１の材料で作られている第１のボディ領域（１２）からなり、上記第１のボディ領域（１２）は、上記第１の材料の透磁率より低い透磁率を有する第２の材料で作られている少なくとも１つのボディ領域（３２、３４）を少なくとも部分的に閉じ込めていることを特徴とする先行請求項の何れかに記載のデバイス（１０）。
12. 各ボディ領域（４４、４６）は、上記磁化手段の一方のアセンブリ（７０）から、上記手段の他方の１つまたはそれ以上のアセンブリ（７０）まで伸びていることを特徴とする請求項１１に記載のデバイス（４０）。
13. 上記磁化手段は２つの磁化アセンブリ（２０、２２、２４、２６）を組み込んでおり、上記２つの磁化アセンブリの間で伸びている各ボディ領域の長さは、上記２つのアセンブリの間の中間点から上記アセンブリ（２０、２２、２４、２６）までの距離の半分よりも長いことを特徴とする請求項１１または１２に記載のデバイス（１０；４０）。
14. 上記少なくとも１つのボディ領域（３２、３４）は上記第２の材料で作られていて上記第１のボディ領域内のスロットの形状であり、上記第１のボディ領域は上記第１の材料で作られていることを特徴とする請求項１１乃至１３の何れか１つに記載のデバイス（１０）。
15. 上記スロット（３２、３４）は、上記中心領域（１４）に向かって薄くなるようにテーパー付けされていることを特徴とする請求項１４に記載のデバイス（１０）。
16. 上記第１及び第２の材料は、実質的に同一である誘電率を呈することを特徴とする請求項１１乃至１５の何れか１つに記載のデバイス（１０）。
17. 上記磁化手段は上記ボディ（１２）の相互に反対の側の２つのアセンブリ（２０、２２、２４、２６）からなり、上記アセンブリは上記ボディ（１２）に磁気的に結合されている部材（２０、２２）上にコイル（２４、２６）を組み込んでおり、上記部材（２０、２２）は上記ボディ（１２）の材料とは相互に異なる材料であることを特徴とする先行請求項の何れかに記載のデバイス（１０）。
18. 上記部材（２０、２２）は金属で作られていることを特徴とする請求項１７に記載のデバイス（１０）。

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