JP4100404B2 - Contact support mechanism, contact switch, measuring device and radio - Google Patents
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Description
本発明は、接点支持機構、それを用いた接点開閉器に関し、例えば、ICテスタ、半導体製造装置等の計測装置、無線機等に用いられるものである。 The present invention relates to a contact support mechanism and a contact switch using the contact support mechanism, and is used, for example, in an IC tester, a measuring device such as a semiconductor manufacturing apparatus, a radio device, or the like.
従来、接点支持機構が適用された一例としての静電マイクロリレーとして、図14に示す構成(特開2000−113792に掲載)のものがある。 Conventionally, as an example of an electrostatic micro relay to which a contact support mechanism is applied, there is a configuration shown in FIG. 14 (published in Japanese Patent Laid-Open No. 2000-113792).
この静電マイクロリレー101では、固定基板102の上面に設けた接続パッド102aの上側に可動基板103が弾性支持され、固定基板102の上面に形成した固定電極102bと、可動基板103の下面に形成した可動電極103aとが対向している。なお、可動基板103と可動電極103aは同一部材からなっていてもよい。
In this electrostatic
そして、高周波特性を向上させるため、可動基板103は中央部に支持部104で支持された可動接点部105を持っており、固定基板102上面にある配線102c上の対向する部分にある可動基板103は、支持部104及び可動接点部105以外のところで切り取られている。
In order to improve the high-frequency characteristics, the
そして、前記両電極102b,103a間に電圧を印加して静電引力を発生させ、可動電極103aを固定電極102bに吸引することにより、可動基板103を撓ませて可動接点105aを固定接点102dに閉成するようになっている。可動接点105aは支持部104に揺動支持された可動接点部105の下面に、固定接点102dは配線102cの対向する端部に予め形成されている。
Then, a voltage is applied between the
図14に示す構成の接点構造の場合、可動接点部105を支える両側の支持部104は可動接点部105の中央部の接点重心を通過する同一直線上に配置されていた。この場合、いわゆるダブルブレイク接点両側である一対の固定接点102dに対して力は均等に配分されるものの、支持部104が一対の固定接点102dのどちらからも遠いため接点の接触力・開離力にロスが生じていた。
上記の静電マイクロリレーでは、接点閉成時においては接触力の不足から接触抵抗の増加、接点開成時においては粘着や溶着等が発生するなど、接触信頼性及び耐溶着性に課題がある。 The above-mentioned electrostatic micro relay has problems in contact reliability and welding resistance, such as an increase in contact resistance due to insufficient contact force when the contact is closed, and adhesion and welding occur when the contact is opened.
接触信頼性及び耐溶着性を向上させるためには、確実に接点を閉成・開成できるように、吸着力及び弾性復帰力を大きくしなければならない。 In order to improve the contact reliability and the welding resistance, it is necessary to increase the adsorption force and the elastic return force so that the contact can be reliably closed and opened.
このためには、両電極間に発生させる静電引力を増大させる必要が生じ、駆動電圧(電極間に印加する電圧)や対向する電極面積の拡大、電極の間隙寸法の狭ギャップ化、あるいは、エレクトレットを用いる等により対処しなければならない。この結果、占有体積の増大、接点耐圧の低下、構造及び加工工程の複雑化及びコストアップを招来していた。 For this purpose, it is necessary to increase the electrostatic attractive force generated between the two electrodes, the drive voltage (voltage applied between the electrodes), the expansion of the opposing electrode area, the narrowing of the gap size of the electrode, or It must be dealt with by using electrets. As a result, the occupied volume is increased, the contact withstand voltage is lowered, the structure and the processing process are complicated, and the cost is increased.
本発明は、上記従来技術の課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、簡単な構造で、大型化を招くことなく、安価で簡単に製作できる接点の接触信頼性
・耐溶着性に優れた接点支持機構、接点開閉器、計測装置及び無線機を提供することにある。
The present invention has been made to solve the above-described problems of the prior art, and the object of the present invention is to provide a contact structure with a simple structure, which can be easily and inexpensively manufactured without causing an increase in size. An object of the present invention is to provide a contact support mechanism, a contact switch, a measuring device, and a radio device that have excellent welding resistance.
上記目的を達成するために、本発明の接点支持機構にあっては、固定基板に対向配設した可動基板の、長方形板状であり、2つの固定接点に対向する位置をまたぐ可動接点部を、前記固定基板の固定接点に接離可能に支持する接点支持機構であって、
前記可動接点部の左右両側に設けられた夫々の第1弾性支持部とこの第1弾性支持部によって弾性支持された左右同じ大きさの長方形状の可動電極とをもつ可動基板を設け、前記可動電極は前記可動接点部を両側から第2弾性支持部で弾性支持し、前記可動接点部を開離するときに前記可動接点部の可動接点部重心からずれた位置が第2弾性支持部により支持されていて、前記第2弾性支持部は、前記可動接点部を中央にした左右非対称形状であり、かつ、前記可動接点部の各固定接点に当接する接触部である端部に接続されていることを特徴とする。
In order to achieve the above object, in the contact support mechanism of the present invention, the movable contact portion arranged in a rectangular plate shape of the movable substrate opposed to the fixed substrate and straddling the position facing the two fixed contacts is provided. A contact support mechanism for supporting the fixed contact of the fixed substrate in a detachable manner,
A movable substrate having a first elastic support portion provided on each of the left and right sides of the movable contact portion and a rectangular movable electrode having the same size as the left and right elastically supported by the first elastic support portion; The electrode elastically supports the movable contact portion from both sides with a second elastic support portion, and the second elastic support portion supports a position shifted from the center of the movable contact portion of the movable contact portion when the movable contact portion is separated. The second elastic support portion has a left-right asymmetric shape with the movable contact portion at the center , and is connected to an end portion that is a contact portion that contacts each fixed contact of the movable contact portion. It is characterized by that.
これによると、可動接点部の固定接点に対する接触部近傍を第2弾性支持部が支持することで、接点閉成時には第2弾性支持部から接触力を十分に伝達すると共に、接点開成時には第2弾性支持部から引きはがし力を伝達することが可能になり接触信頼性・耐溶着性が向上する。 According to this, the second elastic support portion supports the vicinity of the contact portion of the movable contact portion with respect to the fixed contact so that the contact force is sufficiently transmitted from the second elastic support portion when the contact is closed, and the second elastic support portion when the contact is opened. The peeling force can be transmitted from the elastic support portion, and the contact reliability and welding resistance are improved.
本発明の接点開閉器にあっては、上記の接点支持機構を備え、前記可動接点部を前記固定接点に接離することにより、前記可動接点部及び前記固定接点間を電気的に開閉することを特徴とする。 The contact switch according to the present invention includes the contact support mechanism described above, and electrically opens and closes the movable contact portion and the fixed contact by bringing the movable contact portion into and out of contact with the fixed contact. It is characterized by.
これによると、電気的な開閉が良好に行える。ここで、接点開閉器としては、有接点のマイクロリレーやスイッチを示す。例えば、マイクロリレーとしては、その駆動方式により静電マイクロリレー、圧電マイクロリレー、熱駆動マイクロリレー、形状記憶合金マイクロリレー、磁気マイクロリレー等が挙げられる。 According to this, electrical opening and closing can be performed satisfactorily. Here, as the contact switch, a contacted microrelay or switch is shown. For example, examples of the micro relay include an electrostatic micro relay, a piezoelectric micro relay, a thermally driven micro relay, a shape memory alloy micro relay, and a magnetic micro relay depending on the driving method.
本発明の計測装置にあっては、上記の接点支持機構を備えることを特徴とする。 The measuring device according to the present invention includes the contact support mechanism described above.
これによると、上記の接点支持機構を有するマイクロリレー等は、例えば、ICテスタ、半導体製造装置等の計測装置に用いられ、測定対象物と計測装置間の信号を開閉することができる。 According to this, the micro relay having the contact support mechanism described above is used in, for example, a measuring device such as an IC tester or a semiconductor manufacturing device, and can open and close a signal between the measuring object and the measuring device.
本発明の無線機にあっては、上記の接点支持機構を備えることを特徴とする。 The wireless device of the present invention includes the contact support mechanism described above.
これによると、上記の接点支持機構を有するマイクロリレー等は、無線機等に用いられ、無線電波信号を開閉することができる。 According to this, the micro relay or the like having the contact support mechanism described above is used for a radio device or the like, and can open and close a radio wave signal.
本発明によれば、簡単な構造で、大型化を招くことなく、安価で簡単に製作できる接点の接触信頼性・耐溶着性に優れた接点支持機構、接点開閉器、計測装置及び無線機を提供することができる。 According to the present invention, there is provided a contact support mechanism, a contact switch, a measuring device, and a radio device that have a simple structure, are inexpensive and can be easily manufactured without causing an increase in size, and have excellent contact reliability and welding resistance. Can be provided.
以下に図面を参照して、この発明の好適な実施形態を例示的に詳しく説明する。ただし、この実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは、特に特定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。 Exemplary embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. However, the dimensions, materials, shapes, relative arrangements, and the like of the components described in this embodiment are not intended to limit the scope of the present invention only to those unless otherwise specified. Absent.
なお、実施形態では、静電マイクロリレー又はスイッチに本発明の接点支持機構を適用した例を説明するが、その他、例えば、圧電マイクロリレー、熱駆動マイクロリレー、形状記憶合金マイクロリレー、磁気マイクロリレー等の有接点の接点開閉器に適用しても同様の効果を発揮する。 In addition, although embodiment demonstrates the example which applied the contact support mechanism of this invention to the electrostatic micro relay or switch, for example, a piezoelectric micro relay, a heat drive micro relay, a shape memory alloy micro relay, a magnetic micro relay The same effect can be achieved even if it is applied to contact switches with contacts such as.
(第1実施形態)図1、図2は本実施形態に係る静電マイクロリレー1を示す。この静電マイクロリレー1は、固定基板2の上面に可動基板3を一体化した構成である。図1では固定基板2と可動基板3とを分離して示しており、図2では固定基板2と可動基板3とが一体化した状態を示している。 (First Embodiment) FIGS. 1 and 2 show an electrostatic microrelay 1 according to this embodiment. The electrostatic micro relay 1 has a configuration in which a movable substrate 3 is integrated with an upper surface of a fixed substrate 2. FIG. 1 shows the fixed substrate 2 and the movable substrate 3 separately, and FIG. 2 shows a state where the fixed substrate 2 and the movable substrate 3 are integrated.
固定基板2は、ガラス基板の上面に、固定電極2aと、2本の信号線2bと、が設けられている。固定電極2aは、信号線2bよりも低い位置に形成されている。
The fixed substrate 2 is provided with a
固定電極2aの表面は絶縁膜で被覆され、配線を介して接続パッドにそれぞれ接続されている。
The surface of the fixed
2本の信号線2bは、同一直線上に配置されている。各信号線2bの所定間隔を有して対向する端部は固定接点2cとなっている。一方、固定接点2cへ引き出される信号線2bの引き出し部は接続パッドに接続されている。この固定接点2cは、引き出し部よりも幅狭形状となっており、第2弾性支持部4と信号線2bのオーバーラップ面積を削減するようにし、良好な高周波特性を確保することができるようになっている。
The two
固定電極2aは、信号線2bの両側に同一距離を有して形成されると共に、高周波GND電極と兼用されることにより、コプレナ構造を構成している。また、信号線2bの両側に位置する固定電極2a同士は、固定接点2cの間で互いに接続されている。これにより、開閉信号の発生する電気力線は、固定接点2c間の高周波GND電極で終端されるので、アイソレーション特性が向上する。
The
ここで、アイソレーション特性は、接点開放時、信号線2b間における信号の漏れがどの程度存在するかを示すものであり、特性が向上することにより信号の漏れが低減される。
Here, the isolation characteristic indicates how much signal leakage exists between the
一方、可動基板3は、略矩形板状のシリコン基板を、アンカにより第1弾性支持部3aを介して可動電極3bを弾性支持し、その中央部に支持部としての第2弾性支持部4を介して可動接点部5を弾性支持する構成としたものである。
On the other hand, the movable substrate 3 elastically supports the
アンカ3cは、可動基板3の下面に2箇所立設され、1つのアンカ3cは固定基板2の上面に設けた配線を介して接続パッドに電気接続されている。 The anchors 3 c are erected at two positions on the lower surface of the movable substrate 3, and one anchor 3 c is electrically connected to a connection pad via wiring provided on the upper surface of the fixed substrate 2.
第1弾性支持部3aは、可動基板3の両側縁部に沿って設けたスリットにより形成され、端部下面に各アンカ3cが一体化されている。
The 1st
可動電極3bは、固定電極2aに対向しており、両電極2a,3b間に電圧を印加することにより発生する静電引力によって固定電極2aに吸引される。また、可動電極3bは、信号線2bに対向する部分が除去されている。したがって、可動電極3bを介した信号線2b間の容量結合が存在しないため、アイソレーション特性が向上する。
The
次に、本発明の特徴部分である第2弾性支持部4及び可動接点部5の構成について説明する。第2弾性支持部4及び可動接点部5の構成の概略を図4に示した。第2弾性支持部4及び可動接点部5は、可動電極3bの間に可動基板3を切欠いて形成される。
Next, the structure of the 2nd
可動接点部5は、長方形板状であり、2つの固定接点2cに対向する位置をまたぐ形状である。可動接点部5の下面には、絶縁膜を介して不図示の可動接点が設けられている。可動接点は、2つの固定接点2cと閉成することにより、信号線2bを電気的に接続するようになっている。
The
第2弾性支持部4は、可動電極3bと可動接点部5とを連結する幅狭の梁である。この第2弾性支持部4は、2つの可動電極3bから可動接点部5の中心からはずれた図4の図示上下端部に接続され、それぞれの位置の相対関係は可動接点部5の中心から点対称な配置である。つまり、2つの第2弾性支持部4は、中心線が一致しない配置構成をとっている。
The second
したがって、可動接点部5を揺動支持する第2弾性支持部4の延びる方向の延長線上に、可動接点部5の接点重心が非存在である。このため、第2弾性支持部4によって可動接点を開離するときの力の作用点が、接点重心からずれ、可動接点が固定接点2cに接触する接触部(図4の可動接点部5の上下端部)の隣接位置となる。
Therefore, the contact center of gravity of the
続いて、上記の構成からなる静電マイクロリレー1の製造方法を説明する。静電マイクロリレー1は、後述するような半導体製造工程を用いて製造することで、容易に製造が可能となる。 Then, the manufacturing method of the electrostatic micro relay 1 which consists of said structure is demonstrated. The electrostatic micro relay 1 can be easily manufactured by manufacturing it using a semiconductor manufacturing process as described later.
まず、パイレックス(登録商標)等のガラス基板に固定電極2a、信号線2b及び固定接点2c等を形成する。そして、固定電極2aの表面を絶縁膜で被覆することにより、固定基板2を完成する。
First, the fixed
一方、Si層、SiO2層及びSi層からなるSOIウエハの下面に接点間ギャップを
形成するため、例えばシリコン酸化膜をマスクとするTMAHによるウエットエッチングを行い、下方側に突出するアンカ3cを形成する。そして、ウエットエッチングにより除去された部分の中央部に絶縁層を介して可動接点を形成する。
On the other hand, in order to form a gap between contacts on the lower surface of the SOI wafer composed of the Si layer, the SiO 2 layer, and the Si layer, for example, wet etching by TMAH using a silicon oxide film as a mask is performed, and an anchor 3c protruding downward is formed. To do. Then, a movable contact is formed through an insulating layer at the center of the portion removed by wet etching.
そして、固定基板2のガラス基板に先のSOIウエハのアンカ3cを陽極接合で接合一体化する。その後、SOIウエハの上面をTMAH、KOH等のアルカリエッチング液で酸化膜までエッチングして薄くする。さらに、フッ素エッチング液で酸化膜を除去して可動電極3bとなるSi層を露出させる。そして、RIE等を用いたドライエッチングで型抜きエッチングを行い、スリット及び切欠きを形成して第1弾性支持部3a、第2弾性支持部4及び可動接点部5を形成し、可動基板3の完成と同時に静電マイクロリレー1を完成する。
Then, the anchor 3c of the previous SOI wafer is bonded and integrated to the glass substrate of the fixed substrate 2 by anodic bonding. Thereafter, the upper surface of the SOI wafer is thinned by etching the oxide film with an alkaline etching solution such as TMAH or KOH. Further, the oxide film is removed with a fluorine etching solution to expose the Si layer that becomes the
次に、上記の構成からなる静電マイクロリレーの動作を図3を参照して説明する。 Next, the operation of the electrostatic micro relay having the above configuration will be described with reference to FIG.
固定電極2aと可動電極3bとの間に電圧を印加していない初期状態では、図3(a)に示すように、固定基板2と可動基板3とは平行を保持し、可動接点が固定接点2cから開離している。
In an initial state where no voltage is applied between the fixed
そして、可動電極3bと固定電極2aとの間に電圧を印加すると、両電極2a,3b間には静電引力が発生する。この結果、図3(b)に示すように、可動基板3が第1弾性支持部3aの弾性力に抗して固定基板2に接近し、可動接点が固定接点に当接する。
When a voltage is applied between the
可動基板3は、その後、図3(c)に示すように、可動接点が固定接点に当接した後も可動電極3bが固定電極2aに当接するまで移動を続ける。
Thereafter, the movable substrate 3 continues to move until the
この時、2つの第2弾性支持部4が可動接点部5の各固定接点2cに当接する接触部である端部に接続されていることから、第2弾性支持部4によって接触圧を高めることができる。したがって、接点閉成時、所望の接触信頼性が得られる。
At this time, since the two second
また、印加電圧を除去すると、第1弾性支持部3a及び第2弾性支持部4の両方の弾性力により、可動基板3は固定基板2から離間する。この時、図3(d)に示すように、可動接点の固定接点2cに対する粘着や溶着等が発生する。
When the applied voltage is removed, the movable substrate 3 is separated from the fixed substrate 2 by the elastic force of both the first
この場合、図3(e)に示すように、第2弾性支持部4が可動接点部5の各固定接点2cに当接する接触部である端部に接続されて、各第2弾性支持部4が接続された端部をそれぞれ逆側に持ち上げようとして、接点に意図的にねじり力を発生させ、真上の方向の引きはがし力だけでなく、真横方向からの引きはがし力を付加することにより、可動接点の各固定接点2cに対する粘着や溶着等を容易に引きはがす。したがって、接点開成時、耐溶着性を向上することができる。
In this case, as shown in FIG. 3 (e), the second
その後、第1弾性支持部3aのみの弾性力によって可動基板3は上動を続けて、可動接点が固定接点から開離した初期状態(図3(a))に復帰する。
Thereafter, the movable substrate 3 continues to move upward by the elastic force of only the first
(その他の実施形態)以下に、本発明の特徴部分である第2弾性支持部4及び可動接点部5の他の構成について説明する。なお、図5〜図11の構成については第1実施形態と同様に可動接点部5の両側に可動電極3bが備えられるものであり、図4と同様に第2弾性支持部4及び可動接点部5の概略を示す。
(Other Embodiments) Other configurations of the second
図5の構成は、第1実施形態と同様に、2つの可動電極3bから各1つの第2弾性支持部4を延ばし、可動接点部5を支持する構成である。第2弾性支持部4は、可動接点部5のそれぞれ異なる端部に接続されており、可動接点部5の中心から点対称となる配置をとっている。すなわち、第1実施形態とは第2弾性支持部4の配置位置が逆となった構成である。
The configuration of FIG. 5 is a configuration in which each one second
図6の構成は、第1実施形態及び図5と同様に、2つの可動電極3bから各1つの第2弾性支持部4を延ばし、可動接点部5を支持する構成である。しかし、第2弾性支持部4は、可動電極3bと可動接点部5との間に直交するように延びるのではなく、可動接点部5の第2弾性支持部4が接続される端部間の略中心線上の可動電極3b位置から延び、可動接点部5の端部に接続されており、可動接点部5の中心から点対称となる配置をとっている。なお、第2弾性支持部4の配置を図4と図5の関係のように逆にすることもできる。
The configuration of FIG. 6 is a configuration in which each one second
図7の構成は、2つの可動電極3bから各2つの第2弾性支持部4を延ばし、可動接点部5を支持する構成である。つまり、第2弾性支持部4を全部で4つ有する構成である。1つの可動電極3bから延びる第2弾性支持部4は、可動接点部5の各端部に接続されており、一方が幅広で他方が幅狭で断面積を異ならせている。そして、4つの第2弾性支持部4は、可動接点部5の中心から点対称となる配置をとっている。また、2つの可動電極3bから延びる第2弾性支持部4の中心線が接続される可動接点部5の各端部ごとに一致しており、この中心線が一致する2つの第2弾性支持部4の断面積が異なる。なお、第2弾性支持部4の配置を図4と図5の関係のように逆にすることもできる。
The configuration in FIG. 7 is a configuration in which each of the two second
図8の構成は、図7と同様であるが、2つの可動電極3bから延びる第2弾性支持部4の中心線が接続される可動接点部5の各端部ごとに一致させないようにしたものである。このように、図7の構成を変形することもできる。なお、第2弾性支持部4の配置を図4
と図5の関係のように逆にすることもできる。
The configuration of FIG. 8 is the same as that of FIG. 7, but the center line of the second
It is also possible to reverse the relationship as shown in FIG.
図9の構成は、図7、図8と同様に、2つの可動電極3bから各2つの第2弾性支持部4を延ばし、可動接点部5を支持する構成である。つまり、第2弾性支持部4を全部で4つ有する構成である。一方の可動電極3bから延びる2つの第2弾性支持部4は、他方の可動電極3bから延びる2つの第2弾性支持部4よりも幅広で断面積が異なっている。そして、図7と同様に、2つの可動電極3bから延びる第2弾性支持部4の中心線が接続される可動接点部5の各端部ごとに一致しており、この中心線が一致する2つの第2弾性支持部4の断面積が異なる。なお、第2弾性支持部4の配置を図4と図5の関係のように逆にすることもできる。
The configuration of FIG. 9 is a configuration in which each of the two second
なお、4つの第2弾性支持部4の幅が等しく断面積が同じような構成をとることもできる。この場合には、可動電極3bと固定電極2aの間に発生する力をより直接的に可動接点部5に伝えることができるので、接触力、開離力ともに向上する。
The four second
図10の構成は、図9と同様であるが、2つの可動電極3bから延びる第2弾性支持部4の中心線が接続される可動接点部5の各端部ごとに一致させないようにしたものである。このように、図9の構成を変形することもできる。なお、第2弾性支持部4の配置を図4と図5の関係のように逆にすることもできる。
The configuration of FIG. 10 is the same as that of FIG. 9, but the center line of the second
図11の構成は、一方の可動電極3bからは1つの第2弾性支持部4を延ばし、他方の可動電極3bからは2つの第2弾性支持部4を延ばし、可動接点部5を支持する構成である。一方の可動電極3bからは1つの第2弾性支持部4を可動接点部5の両端部の中間へ接続し、他方の可動電極3bからは2つの第2弾性支持部4を可動接点部5の両端部へ接続している。このようにしても、意図的にねじり力を発生させることができる。なお、第2弾性支持部4の配置を図4と図5の関係のように逆にすることもできる。
In the configuration of FIG. 11, one second
なお、3つの第2弾性支持部4の断面積は、必ずしも同じ断面積である必要はない。
Note that the cross-sectional areas of the three second
以上説明した他の実施形態の構成であっても、第1実施形態と同様の効果を発揮することができる。 Even in the configuration of the other embodiment described above, the same effect as that of the first embodiment can be exhibited.
(種々の装置への適用)次に、上記実施形態を用いたマイクロリレーやスイッチを種々の装置に適用した場合について説明する。 (Application to Various Devices) Next, the case where the micro relay or switch using the above embodiment is applied to various devices will be described.
(計測装置への適用)上記実施形態のマイクロリレーやスイッチを計測装置に適用した場合について説明する。 (Application to Measuring Device) A case where the micro relay or switch of the above embodiment is applied to a measuring device will be described.
このような計測装置として、例えばICテスタや半導体製造装置がある。ICテスタとしては、これはICの特性を計測する装置である。 Examples of such a measuring device include an IC tester and a semiconductor manufacturing device. As an IC tester, this is a device that measures the characteristics of an IC.
ICテスタは、オシロスコープやマルチメータをさらにアレイ化した大型の設備であり、床面積も畳2、3畳ほどになる。 The IC tester is a large-scale facility in which an oscilloscope and a multimeter are further arrayed, and the floor area is about 2 or 3 tatami mats.
ICテスタに使用されるリレーの数も5000〜10000個と大量になる。 The number of relays used in the IC tester is also large, 5000 to 10,000.
また半導体製造装置は、その装置内において計測部への使用が想定されることから、計測装置に分類される。 In addition, the semiconductor manufacturing apparatus is classified as a measurement apparatus because it is assumed to be used for a measurement unit in the apparatus.
ここで、本発明に係る静電マイクロリレーの一実施形態を用いた計測装置の内部構成に
ついて図12を参照して説明する。図12は、本発明に係る静電マイクロリレーの一実施形態を用いた計測装置の内部構成のブロック図である。
Here, an internal configuration of a measuring apparatus using one embodiment of the electrostatic micro relay according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 12 is a block diagram of an internal configuration of a measuring apparatus using one embodiment of the electrostatic micro relay according to the present invention.
図12に示される計測装置1401は、静電マイクロリレー1403が、内部回路1402から測定対象物(図示せず)にいたる各信号線との途中に接続されており、各静電マイクロリレー1403をオンオフすることにより測定対象を切り替えることができる。
In a
前述のように、上記実施形態のマイクロリレーやスイッチにおいては、接点の接触信頼性・耐溶着性に優れ、その特性を向上させることができる。 As described above, the micro relays and switches according to the above-described embodiments have excellent contact reliability and welding resistance of the contacts, and can improve the characteristics.
したがって、上記実施形態のマイクロリレーやスイッチを計測装置に使用した場合は、これら上記実施形態を用いたマイクロリレーやスイッチの特性の向上に応じて計測装置自体の特性も向上させることができる。 Therefore, when the micro relay or switch of the above embodiment is used in a measuring device, the characteristics of the measuring device itself can be improved in accordance with the improvement of the characteristics of the micro relay or switch using the above embodiment.
(無線機への適用)上記実施形態のマイクロリレーやスイッチを無線機に適用した場合について説明する。 (Application to Radio) The case where the micro relay and switch of the above embodiment are applied to a radio will be described.
このような無線機として、例えば携帯電話やPDAを挙げることができる。 Examples of such a radio device include a mobile phone and a PDA.
前述のように、上記実施形態のマイクロリレーやスイッチにおいては、接点の接触信頼性・耐溶着性に優れ、その特性を向上させることができる。 As described above, the micro relays and switches according to the above-described embodiments have excellent contact reliability and welding resistance of the contacts, and can improve the characteristics.
したがって、上記実施形態のマイクロリレーやスイッチを無線機に使用した場合は、これら上記実施形態のマイクロリレーやスイッチの特性の向上に応じて無線機自体の特性も向上させることができる。 Therefore, when the micro relay or switch of the above embodiment is used for a radio, the characteristics of the radio itself can be improved in accordance with the improvement of the characteristics of the micro relay or switch of the above embodiment.
ここで、本発明に係る静電マイクロリレーの一実施形態を用いた無線機の内部構成について図13を参照して説明する。図13は、前述の本発明に係る静電マイクロリレーの一実施形態を用いた無線機の内部構成のブロック図である。 Here, an internal configuration of a radio using one embodiment of the electrostatic micro relay according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 13 is a block diagram of the internal configuration of a radio using one embodiment of the electrostatic microrelay according to the present invention described above.
この無線機では、静電マイクロリレー1503が、内部回路1501とアンテナ1504との間に接続されており、静電マイクロリレー1504をオンオフすることによって、内部回路1501がアンテナ1504を通じて送受信可能な状態と、送受信できない状態との切り替えられる。
In this wireless device, the
1 静電マイクロリレー
2 固定基板
2a 固定電極
2b 信号線
2c 固定接点
3 可動基板
3a 第1弾性支持部
3b 可動電極
3c アンカ
4 第2弾性支持部
5 可動接点部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Electrostatic micro relay 2 Fixed board |
Claims (4)
前記可動接点部の左右両側に設けられた夫々の第1弾性支持部とこの第1弾性支持部によって弾性支持された左右同じ大きさの長方形状の可動電極とをもつ可動基板を設け、
前記可動電極は前記可動接点部を両側から第2弾性支持部で弾性支持し、
前記可動接点部を開離するときに前記可動接点部の可動接点部重心からずれた位置が第2弾性支持部により支持されていて、
前記第2弾性支持部は、前記可動接点部を中央にした左右非対称形状であり、かつ、前記可動接点部の各固定接点に当接する接触部である端部に接続されていることを特徴とする接点支持機構。 A contact support mechanism for supporting a movable contact portion, which is a rectangular plate shape of a movable substrate opposed to a fixed substrate and straddles a position facing two fixed contacts, so as to be able to contact with and separate from the fixed contact of the fixed substrate. And
A movable substrate having a first elastic support portion provided on each of the left and right sides of the movable contact portion and a rectangular movable electrode of the same size on the left and right elastically supported by the first elastic support portion;
The movable electrode elastically supports the movable contact portion from both sides with a second elastic support portion,
A position shifted from the center of gravity of the movable contact portion of the movable contact portion when the movable contact portion is separated is supported by the second elastic support portion,
The second elastic support part has a left-right asymmetric shape with the movable contact part at the center , and is connected to an end part which is a contact part in contact with each fixed contact of the movable contact part. Contact support mechanism.
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