JP4094040B2 - Plasma generator - Google Patents
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Description
この発明は、ICやLCDなど高精度の製造工程においてエッチング・成膜・アッシング等のプラズマ処理を効率よく行うときに好適なプラズマ発生装置に関し、詳しくは、良質なプラズマを均一に供給するプラズマ発生装置に関する。 The present invention relates to a plasma generator suitable for efficiently performing plasma processing such as etching, film formation, and ashing in high-precision manufacturing processes such as IC and LCD, and more specifically, plasma generation that uniformly supplies high-quality plasma. Relates to the device.
従来、CVDやエッチング,アッシング等のプラズマ処理に用いられるプラズマ発生装置として、電界印加だけのプラズマ発生ではプラズマ密度が不足するので磁界も加えてプラズマを封じることで高密度プラズマ(HDP)を発生させるようにしたMRIE(マグネトロンリアクティブイオンエッチャー)等が知られている。また、下記特許文献1に記載の如く平面状コイルを用いた磁場の一様化によってダメージを防止しようとした装置も知られている。
さらに、イオンによる被処理物へのダメージを低減させるとともに発生中の高密度プラズマに被処理物が直接曝されないようにするためにプラズマ空間を互いに連通したプラズマ処理空間とプラズマ発生空間とに分離したECR(電子サイクロトロン共鳴)や下記特許文献2記載のもの等のように両空間を距離的に引き離したもの、ICP(インダクティブカップルプラズマ)等のように強力な磁場で高密度プラズマをプラズマ処理空間に隣接したプラズマ発生空間へ閉じこめるもの、さらにプラズマ処理空間にプラズマ発生空間が隣接している点では同じであるが下記特許文献3記載のもの等のようにリングアンテナからの円偏波電磁波を利用して高密度プラズマを閉じこめるものなども知られている。
一方、液晶基板等の処理対象物の大形化そしてプラズマ処理空間の拡張に伴い単一のプラズマ発生空間ではプラズマの均一な供給が難しいことから、下記特許文献4に記載の如く、プラズマ発生空間を複数個配設するとともに、それぞれに制御弁を設けて反応ガス・処理ガスを供給するものもある。この場合、プラズマ発生空間は、複数化しても開口面積が減少しないように縦の円筒状空間に分けられ、それぞれの側面が励起用の高周波コイルで囲まれるとともに、プラズマを封じるための磁気が円筒の上下端面のところから送り込まれるようになっている。
ところで、これら従来のプラズマ発生装置では、プラズマ空間をプラズマ発生空間とプラズマ処理空間とに分離してプラズマダメージやチャージアップ低減が図られているが、プラズマ発生空間とプラズマ処理空間との距離があまり離れているとイオン種が必要以上に抑制されてしまう一方、両空間が隣接しているとプラズマ処理空間からプラズマ発生空間へ逆流するガスが多くなる。このような逆流ガスには被処理物の処理によって発生等した早急に排出すべき成分も含まれており、これがプラズマ発生空間に入ると高密度プラズマによって激しく分解・電離させられて汚染物等の不所望なものに変質してしまうことも多いので、不都合である。 By the way, in these conventional plasma generators, the plasma space is separated into the plasma generation space and the plasma processing space to reduce plasma damage and charge-up, but the distance between the plasma generation space and the plasma processing space is not so great. If they are separated from each other, ion species are suppressed more than necessary, while if both spaces are adjacent to each other, more gas flows backward from the plasma processing space to the plasma generation space. Such a backflow gas also contains components that should be discharged immediately, such as those generated by processing the object to be processed. When this gas enters the plasma generation space, it is violently decomposed and ionized by the high-density plasma, causing contamination, etc. It is inconvenient because it often changes to an undesirable one.
このことは、プラズマ発生空間を複数化しても、プラズマ発生空間からプラズマ処理空間への開口面積が同じままでは、解消されない。また、プラズマを封じるための静的な磁気バイアスをプラズマ発生空間の上下から印加するために磁石等をプラズマ発生空間とプラズマ処理空間との間に介在させるのでは、高密度プラズマに対して十分な磁力を確保しようとすると、磁性部材の加工や実装などが面倒となる。 This is not solved even if the plasma generation space is made plural, if the opening area from the plasma generation space to the plasma processing space remains the same. Further, it is sufficient for high-density plasma to interpose a magnet or the like between the plasma generation space and the plasma processing space in order to apply a static magnetic bias for sealing the plasma from above and below the plasma generation space. If it is going to secure magnetic force, processing and mounting of a magnetic member will become troublesome.
これに対し、同一出願人は、プラズマ処理空間からプラズマ発生空間への不所望なガス流入を有効に阻止するとともに、磁性部材の実装等も容易に行うことができるように、プラズマ発生空間や磁性部材の構造等にも工夫を凝らしてきた(特願平9−159190号、特願平9−250111号など)。具体的には、プラズマ発生空間をプラズマ処理空間との隣接面に沿って線状に分散させるとともにプラズマ発生空間を挟むように磁性部材を配設したのである。 On the other hand, the same applicant effectively prevents undesired gas inflow from the plasma processing space to the plasma generation space, and can easily mount the magnetic member and the like so that the magnetic member can be easily mounted. The structure of the member has been devised (Japanese Patent Application No. 9-159190, Japanese Patent Application No. 9-250111, etc.). Specifically, the magnetic member is arranged so that the plasma generation space is linearly distributed along the adjacent surface to the plasma processing space and the plasma generation space is sandwiched between them.
しかしながら、プラズマ発生空間を分散させた場合、空間断面形状や磁石形状等を統一したとしても、プラズマの発生効率が一致するとは限らない。線状空間の配置状態や、プラズマを励起させる印加電力のばらつきなど種々の要因によって発生効率が変化するのである。また、例え各所でのプラズマの発生効率が一致したとしても、プラズマ処理空間の何処に排気口を設けたのか等によってもプラズマ密度に斑や傾斜が生じることも多い。 However, when the plasma generation spaces are dispersed, the plasma generation efficiency does not always match even if the spatial sectional shape, the magnet shape, and the like are unified. The generation efficiency varies depending on various factors such as the arrangement state of the linear space and the variation in applied power for exciting the plasma. Further, even if the plasma generation efficiency at the various locations is consistent, the plasma density is often uneven or inclined depending on where the exhaust port is provided in the plasma processing space.
これに対しては、電力の印加やプラズマ生成用ガスの供給も小口に分割して各所ごとに印加電力やプラズマ生成用ガスを調節することも考えられる。
ところが、通常これらの調節にはイオン対ラジカル濃度比の制御など別の役割が課せられることと、その調節に際して変量とプラズマ発生効率の変化とが一般には線形の関係にならないことから、そのような調節が有効に機能しうる状況は僅かな場合しか無い。
For this, it is also conceivable to divide the application of electric power and supply of plasma generating gas into small openings and adjust the applied electric power and plasma generating gas for each place.
However, these adjustments usually have other roles such as control of the ion-to-radical concentration ratio, and the variables and changes in plasma generation efficiency are not generally linearly related to such adjustments. There are only a few situations where the adjustment can work effectively.
そこで、分散したプラズマ発生空間でのプラズマ発生効率のばらつきや、プラズマ処理空間でのプラズマ流等に起因したプラズマ密度の不均一を、印加電力やプラズマ生成用ガスに依ら無いで矯正することが課題となる。
この発明は、このような課題を解決するためになされたものであり、良質のプラズマを均一に供給するプラズマ発生装置を実現することを目的とする。
Therefore, it is an issue to correct the non-uniformity of the plasma density caused by the variation in the plasma generation efficiency in the dispersed plasma generation space and the plasma flow in the plasma processing space without depending on the applied power or plasma generation gas. It becomes.
The present invention has been made to solve such problems, and an object of the present invention is to realize a plasma generator that uniformly supplies high-quality plasma.
このような課題を解決するために発明された解決手段について、その構成および作用効果を以下に説明する。 About the solution means invented in order to solve such a subject, the structure and effect are demonstrated below.
本発明のプラズマ発生装置は、プラズマ処理空間が形成された第1機構と、前記第1機構に取着して又はそれと一体的に設けられプラズマ発生空間が形成された第2機構とを具え、前記プラズマ発生空間が前記プラズマ処理空間に隣接し且つ連通しているプラズマ発生装置において、前記プラズマ発生空間が線状に形成されており、且つ、前記プラズマ発生空間を挟んで磁性部材が付設されているとともに、前記プラズマ発生空間と前記プラズマ処理空間との連通路を延伸させる(単一の又は複数の)連通路延伸部材が前記プラズマ処理空間側に付加されていることを特徴とする。 The plasma generating apparatus of the present invention includes a first mechanism in which a plasma processing space is formed, and a second mechanism in which a plasma generating space is formed by being attached to or integrated with the first mechanism, In the plasma generation apparatus in which the plasma generation space is adjacent to and communicates with the plasma processing space, the plasma generation space is formed in a linear shape, and a magnetic member is attached across the plasma generation space. In addition, a communication path extending member (single or plural) that extends the communication path between the plasma generation space and the plasma processing space is added to the plasma processing space side.
ここで、上記の「線状に形成」とは、単一の直線状,曲線状,破線状などに形成された場合や、これに加えて複数の又はそれらの混在するものがプラズマ処理空間との隣接部・連通部に分布している場合、さらには環状,円状,多角形状、スパイラル状のものが同心で若しくは非同心で多数が列設され又は単独で広く形成されている場合も該当する意味である。
また、上記の「磁性部材」には、永久磁石の他、直流励磁コイルによって形成されたものも該当する。
Here, the above-mentioned “form in a line” means that a single straight line, a curved line, a broken line, etc. are formed, and in addition to this, a plurality or a mixture of them is a plasma processing space. It is also distributed when it is distributed in the adjacent part / communication part, and it is also applicable to the case where a ring, circle, polygon, spiral is concentric or non-concentric, many are arranged in a row, or are widely formed independently. That means
In addition to the permanent magnet, the “magnetic member” includes a member formed by a DC exciting coil.
このようなプラズマ発生装置にあっては、プラズマ空間の分離および隣接連通という条件を維持することにより、プラズマダメージやチャージアップの低減、及びプラズマにおけるラジカル種の成分とイオン種の成分との比率適正化という基本的要請に応えている。しかも、プラズマ発生空間を挟むように付設された磁性部材は必然的にプラズマ発生空間と同じ第2機構側で共にプラズマ処理空間との隣接面に沿って設けられることから、磁力の強化が可能になるとともに、プラズマ処理空間との連通隣接面さらにはその面に沿ったプラズマ発生空間自身の断面積も、少なくとも磁性部材によって占められた分だけは必然的に、プラズマ処理空間のそれより小さくなる。このように双方空間の面積に差があると、連通隣接面の面積とこれに沿ったプラズマ処理空間の断面積との比を第1比とし連通隣接面の面積とこれに沿ったプラズマ発生空間の断面積との比を第2比として、第1比が1未満で且つ第2比よりも小さいことになる。 In such a plasma generator, by maintaining the conditions of plasma space separation and adjacent communication, plasma damage and charge-up are reduced, and the ratio of radical species and ion species components in the plasma is appropriate. We are responding to the basic request of In addition, the magnetic members attached so as to sandwich the plasma generation space are necessarily provided on the same side of the second mechanism as the plasma generation space along the adjacent surface to the plasma processing space, so that the magnetic force can be strengthened. In addition, the cross-sectional area of the plasma generating space itself along the surface adjacent to the plasma processing space and the plasma processing space is necessarily smaller than that of the plasma processing space at least by the amount occupied by the magnetic member. If there is a difference between the areas of the two spaces in this way, the ratio of the area of the communication adjacent surface and the cross-sectional area of the plasma processing space along this is the first ratio, and the area of the communication adjacent surface and the plasma generation space along this The first ratio is less than 1 and smaller than the second ratio, where the ratio of the cross-sectional area is the second ratio.
そして、第1比が1未満の場合、プラズマ処理空間からプラズマ発生空間へ流入するガス量が減少する。一方、第2比が1の場合、プラズマ発生空間からプラズマ処理空間へ流出するガス量は減少しない。また、第2比が1未満で流出ガス量が減少する場合であっても、第2比が第1比より大きければ、減少の程度が小さくて済む。何れにしても、相対的には、プラズマ処理空間からプラズマ発生空間へ流入するガスの割合よりもプラズマ発生空間からプラズマ処理空間へ流出するガスの割合の方が高くなる。これにより、不所望なガスのプラズマ発生空間への流入が抑制されるばかりか、ガスがプラズマ発生空間へ入ってしまったときでもそのガスはプラズマ流とともに速やかにプラズマ処理空間へ出されてしまうので、高密度プラズマによるガス変質を防止・抑制することができる。 When the first ratio is less than 1, the amount of gas flowing from the plasma processing space into the plasma generation space decreases. On the other hand, when the second ratio is 1, the amount of gas flowing out from the plasma generation space to the plasma processing space does not decrease. Further, even when the second ratio is less than 1 and the amount of outflow gas decreases, if the second ratio is greater than the first ratio, the degree of decrease may be small. In any case, the ratio of the gas flowing out from the plasma generation space into the plasma processing space is relatively higher than the ratio of the gas flowing into the plasma generation space from the plasma processing space. This not only suppresses the flow of undesired gas into the plasma generation space, but even when the gas enters the plasma generation space, the gas is quickly discharged into the plasma processing space together with the plasma flow. , Gas alteration due to high-density plasma can be prevented and suppressed.
また、こうして生成された良質のプラズマは、プラズマ発生空間を挟む磁性部材の磁力によってプラズマ発生空間に長時間閉じこめられて密度が高まるが、その磁力は、プラズマ発生空間に集中し、隣接するプラズマ処理空間のところでは弱い。そのため、高密度プラズマは、プラズマ発生空間からプラズマ処理空間へ流れ出るときに両空間の連通路を抜けたところで磁力の束縛から解放され拡散するが、その際、連通路が延伸されているとその連通路延伸部のところで拡散したプラズマ成分が連通路延伸部の壁面すなわち連通路延伸部材に衝突してエネルギーを失う。しかも、このようなプラズマ成分の割合は、連通路延伸部の長さに依存して決まる。 In addition, the high-quality plasma generated in this way is confined in the plasma generation space for a long time by the magnetic force of the magnetic member sandwiching the plasma generation space, and the density increases, but the magnetic force is concentrated in the plasma generation space and adjacent plasma processing It is weak in space. For this reason, when the high-density plasma flows out from the plasma generation space to the plasma processing space, the high-density plasma is released from the magnetic force restriction and diffuses after passing through the communication passages in both spaces. The plasma component diffused at the passage extension portion collides with the wall surface of the communication passage extension portion, that is, the communication passage extension member, and loses energy. In addition, the ratio of such plasma components is determined depending on the length of the communication path extending portion.
これにより、連通路延伸部材の厚さ等に変化をつけておくだけで容易に、各所のプラズマ発生空間からプラズマ処理空間へ供給されるプラズマの量をきめ細かく調節することが可能となる。そこで、印加電力やプラズマ生成用ガスによる調節を行うまでも無く、分散したプラズマ発生空間でのプラズマ発生効率のばらつきや、プラズマ処理空間でのプラズマ流等に起因してのプラズマ密度の不均一を正して、プラズマ処理空間におけるプラズマ密度を均一にすることができる。 Thereby, it is possible to finely adjust the amount of plasma supplied from the plasma generation space to the plasma processing space simply by changing the thickness of the communication path extending member. Therefore, there is no need to adjust the applied power or plasma generation gas, and the plasma generation efficiency varies in the dispersed plasma generation space, and the plasma density is not uniform due to the plasma flow in the plasma processing space. Correctly, the plasma density in the plasma processing space can be made uniform.
さらに、磁性部材は、線状のプラズマ発生空間に沿って小片のものを並べることで足りることから、予め比較的製造容易な棒状の物を作っておいて小片に切断するといったことで加工作業が済むので、磁性部材等の製造が容易となる。しかも、磁性部材が、プラズマ発生空間と同じ第2機構側に設けられることから、プラズマ発生空間とプラズマ処理空間とに介挿する必要が無くなるので、配置設計や、実装作業、さらには後の部品交換等の保守作業も、楽になる。 Furthermore, since it is sufficient to arrange small pieces of magnetic members along the linear plasma generation space, it is sufficient to make a rod-like object that is relatively easy to manufacture in advance and cut it into small pieces. As a result, the manufacture of a magnetic member or the like is facilitated. In addition, since the magnetic member is provided on the same second mechanism side as the plasma generation space, there is no need to interpose between the plasma generation space and the plasma processing space, so that layout design, mounting work, and later components are eliminated. Maintenance work such as replacement is also easier.
したがって、この発明によれば、良質のプラズマを均一に供給するプラズマ発生装置を実現することができる。 Therefore, according to the present invention, it is possible to realize a plasma generator that uniformly supplies high-quality plasma.
また、上記のプラズマ発生装置であって、前記連通路延伸部材が、前記第2機構に対して着脱可能に装着されているものであることも特徴とする。 In the plasma generator, the communication path extending member is detachably attached to the second mechanism.
このようなプラズマ発生装置にあっては、プラズマ処理を施した後の被処理物を調べて処理の均一度が足りないときには連通路延伸部材による連通路の延伸の程度を微調整するのであるが、連通路延伸部材と第2機構とが着脱可能なことから、その調整作業に際し、連通路延伸部材を第2機構から外して、連通路延伸部材に対して単独の状態で追加工等を施すことが可能である。しかも、処理の均一度を平行光の照射によるモアレ像などで被処理物上に現出するようにすれば、被処理物の処理面の状態と連通路延伸部材の調整箇所とが一対一に対応するので、連通路延伸部材に対する調整が局所的であったり散逸していたりしていても追加工等の調整作業は直感的で容易なものとなる。
これにより、連通路延伸部材をプラズマ処理空間側に付加したものであっても、きめ細かな調節を直感に基づいて楽に行うことができることとなる。
したがって、この発明によれば、良質のプラズマを均一に供給するに際して調節の容易なプラズマ発生装置を実現することができる。
In such a plasma generator, the workpiece after the plasma treatment is examined, and when the uniformity of the treatment is insufficient, the degree of extension of the communication passage by the communication passage extension member is finely adjusted. Since the communication path extending member and the second mechanism are detachable, the adjustment process is performed by removing the communication path extending member from the second mechanism and subjecting the communication path extending member to additional processing or the like. It is possible. Moreover, if the processing uniformity appears on the object to be processed as a moire image by irradiation of parallel light, the state of the processing surface of the object to be processed and the adjustment location of the communication path extending member are in a one-to-one relationship. Therefore, even if the adjustment to the communication path extending member is local or dissipated, adjustment work such as additional work is intuitive and easy.
Thereby, even if the communication path extending member is added to the plasma processing space side, fine adjustment can be easily performed based on intuition.
Therefore, according to the present invention, it is possible to realize a plasma generator that can be easily adjusted when uniformly supplying high-quality plasma.
以上のように、本発明のプラズマ発生装置にあっては、プラズマ発生空間と磁性部材との形状や配置を工夫してプラズマ発生空間とプラズマ処理空間との断面積比が変わるとともに磁力の弱まるプラズマ処理空間側でプラズマ供給量を調節するようにしたことにより、プラズマ処理空間からプラズマ発生空間へのガスの流入を阻止して良質のプラズマを供給するとともに連通路の延び具合を調整するだけで容易にきめ細かな調節が行えて、その結果、良質のプラズマを均一に供給するプラズマ発生装置を実現することができたという有利な効果が有る。
また、本発明のプラズマ発生装置にあっては、連通路延伸部材をプラズマ処理空間側に付加したものであっても、きめ細かな調節を直感に基づいて楽に行えるようにしたことにより、良質のプラズマを均一に供給するに際して調節の容易なプラズマ発生装置を実現することができたという有利な効果を奏する。
As described above, in the plasma generator of the present invention, the plasma generation space and the magnetic member are devised to change the cross-sectional area ratio between the plasma generation space and the plasma processing space and the magnetic force is weakened. By adjusting the plasma supply amount on the processing space side, it is easy to prevent the gas flow from the plasma processing space to the plasma generation space, supply high-quality plasma, and adjust the extension of the communication path. Fine adjustment can be performed, and as a result, there is an advantageous effect that a plasma generator that uniformly supplies a high-quality plasma can be realized.
Further, in the plasma generator of the present invention, even if a communication passage extending member is added to the plasma processing space side, fine adjustment can be easily performed based on intuition, so that high-quality plasma can be obtained. This has the advantageous effect of realizing a plasma generator that can be easily adjusted when uniformly supplying the gas.
このような解決手段で達成された本発明のプラズマ発生装置は、一般に適宜の真空チャンバに装着して使用される。そのために、プラズマ処理空間が形成される第1機構やプラズマ発生空間が形成される第2機構などの各機構部は、真空チャンバ内への組み込み等の容易性と真空度の必要性とのバランスを図る等の観点から、別個に形成してから取着されることが多いが、例えば密着して固設されることが多いが、一部又は全部が同一・単一の部材たとえばクラッド材を加工等することで一体的に形成されてもよい。 The plasma generator of the present invention achieved by such a solution is generally used by being mounted in an appropriate vacuum chamber. For this purpose, each mechanism such as the first mechanism in which the plasma processing space is formed and the second mechanism in which the plasma generation space is formed has a balance between the ease of incorporation into the vacuum chamber and the necessity of the degree of vacuum. In many cases, it is attached separately after being formed from the standpoint of, for example, but it is often closely attached and fixed, but part or all of the same or a single member such as a clad material is used. It may be integrally formed by processing or the like.
以下、かかるプラズマ発生装置を実施するための具体的形態を第1実施例,及び第2実施例により説明する。なお、第1実施例は、上述した解決手段を具現化したものである。また、第2実施例は、それに加えて、さらに均一度を高めるために、プラズマ処理空間との隣接面に沿って線状に延びるプラズマ発生空間がプラズマ処理空間へ向けて拡幅しているようになったものである。この場合、プラズマ発生空間で生成されたプラズマは、プラズマ処理空間へ向けて流れ出る際に、絞られた噴流状態になるので無く、扇状・ラッパ状に拡がる。そして、その高密度プラズマはプラズマ処理空間内で直ちに拡散して速やかに均質になるので、プラズマ処理空間におけるプラズマ状態は斑無く一層均一に保たれることとなる。 Hereinafter, specific embodiments for implementing such a plasma generator will be described with reference to the first and second embodiments. In addition, 1st Example embodies the solution means mentioned above. In addition, in the second embodiment, in order to further increase the uniformity, the plasma generation space extending linearly along the adjacent surface to the plasma processing space is widened toward the plasma processing space. It has become. In this case, when the plasma generated in the plasma generation space flows out toward the plasma processing space, it does not become a constricted jet state but expands in a fan shape or a trumpet shape. Then, the high-density plasma immediately diffuses in the plasma processing space and becomes homogeneous quickly, so that the plasma state in the plasma processing space is kept more uniform without unevenness.
本発明のプラズマ発生装置の第1実施例について、その具体的な構成を、図面を引用して説明する。プラズマ発生空間に加えてプラズマ処理空間も含めた主要部の縦断面図であり、図2は、そのプラズマ発生空間周りの縦断面斜視図であり、図3は、そのうち一のプラズマ発生空間についての拡大図である。 A specific configuration of the plasma generator according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 2 is a longitudinal sectional view of the main part including the plasma generation space in addition to the plasma generation space, FIG. 2 is a vertical sectional perspective view around the plasma generation space, and FIG. 3 shows one of the plasma generation spaces. It is an enlarged view.
このプラズマ発生装置は、概ね、プラズマ処理空間を確保するための第1機構およびその付加部と、プラズマ発生空間を確保するための第2機構およびその付加部と、各プラズマに電界又は磁界を印加するための印加回路部とで構成されている。
第1機構,第2機構は、共に、液晶基板等の角形の被処理物を処理する場合には主要部がほぼ長方形状に形成されるが、ここではIC用シリコンウエハ等の丸形の被処理物を処理するために主要部がほぼ丸形状・円筒状・環状に形成される場合について説明する(図2参照)。
This plasma generator generally includes a first mechanism for securing a plasma processing space and its additional portion, a second mechanism for securing a plasma generation space and its additional portion, and an electric field or magnetic field applied to each plasma. And an application circuit section for the purpose.
In both the first mechanism and the second mechanism, when a rectangular object such as a liquid crystal substrate is processed, a main part is formed in a substantially rectangular shape, but here, a round object such as an IC silicon wafer is formed. A case where the main part is formed in a substantially round shape, a cylindrical shape, or an annular shape in order to process a processed object will be described (see FIG. 2).
第1機構は、金属製のアノード部11が上方に配置され、ウエハ等の被処理物1を乗載するために上面の絶縁処理された金属製カソード部12が下方に配置されて、これらに挟まれたところに低温プラズマ10用のプラズマ処理空間13が形成されるものとなっている(図1参照)。また、アノード部11は、予め、多数の連通口14が貫通して穿孔されるとともに、プラズマ処理空間13へ向けて開口した処理ガス供給口15も形成されたものとなっている(図1〜図3参照)。この例では、連通口14の横断面積とプラズマ処理空間13の有効な横断面積との比すなわち第1比が0.05になっている。なお、処理ガス供給口15を介してプラズマ処理空間13へ供給される処理ガスBとしては、CF系ガスやシランガス等の反応ガスに適量の希釈ガスを混合させたもの等が供給されるようにもなっている。
In the first mechanism, a
第2機構は、セラミック等の絶縁物製のプラズマ発生チャンバ21が主体となっており、このプラズマ発生チャンバ21には、プラズマ発生空間22となる複数(図1では4個)の環状溝が同心に彫り込まれて形成されている。これにより、プラズマ発生空間22が線状のものとなって分散されている。そして、プラズマ発生チャンバ21は、プラズマ発生空間22の開口側(縦断面図では下面)をアノード部11の上面に密着した状態で固設される。その際、プラズマ発生空間22の開口がアノード部11の連通口14に重なるように位置合わせがなされる。これにより、プラズマ発生空間22とプラズマ処理空間13とが互いに隣接し且つ連通したものとなり、さらに、プラズマ発生空間22がプラズマ処理空間13との隣接面に沿って線状に延びたものとなる。この例では、連通口14の横断面積とプラズマ発生空間22の横断面積との比すなわち第2比が0.5になっている。なお、これらの比の値は大小関係が逆転しない限り自由に変えてよいものである。
The second mechanism is mainly composed of a
また、プラズマ発生チャンバ21は、プラズマ発生空間22のさらに奥(縦断面図では上方)に取着されたガス配給部材21aによってプラズマ用ガス送給路23がやはり環状・線状に形成され、両者が多数の小穴で連通されていて、プラズマ発生空間22は底部(縦断面図では上方)からプラズマ発生用ガスAの供給を受けて高密度プラズマ20を発生させ連通口14を介してプラズマ処理空間13へそれを送り込むものとなっている。プラズマ発生用ガスAにはアルゴン等の不活性で化学反応しないものが用いられるようにもなっている。
In the
さらに、プラズマ発生チャンバ21は、プラズマ発生空間22を囲む側壁と底部とを残すようにしてプラズマ発生空間22開口側の裏の面(縦断面図では上面)が削り取られる。そして、そこに、一方の永久磁石25b(図3等の縦断面図中下方)とコイル24と他方の永久磁石25a(図3等の縦断面図中上方)とが順に重ねて詰め込まれる。これらの磁性部材25すなわち一対の永久磁石25a,25bは、同心環状のプラズマ発生空間22間に詰め込まれてやはり環状となるが、環状の不所望な誘起電流を断つために小片に分けて形成されている。そして、多数の永久磁石片25がプラズマ発生空間22側壁に沿って列設されることで、プラズマ発生空間22に対応した環状の磁気回路が構成される。これにより、磁性部材25は、第2機構側に設けられてプラズマ発生空間22に付され、プラズマ発生空間22と共にプラズマ発生空間22とプラズマ処理空間13との隣接面に沿って線状に延び、プラズマ発生空間と交互に並んで走るものとなっている。
Further, the back surface (upper surface in the longitudinal sectional view) of the
永久磁石25は、その一対25a,25bにコイル24を加えた高さがプラズマ発生空間22のそれにほぼ等しくされ、且つ横のプラズマ発生空間22方向へ磁極が向くようにされる(図3参照)。下部磁石25bは、断面矩形の単純な形状のものであり、アノード部11やプラズマ発生チャンバ21の削り込んだ上面等と平行になるよう水平に置かれている。その磁化方向も、断面における上下対称軸と同じ水平方向となっている。なお、この下部磁石25bは小さめに作られている。
The
上部磁石25aは、それより大きい。これも同様の単純な矩形形状で水平方向に磁化されたものから作られるが、その両側面が斜めにそぎ落とされて断面が逆さの台形状にされている。そして、その下辺が短いのに対しその上辺は下部磁石25bの幅よりも長くされる。これにより、この磁性部材25aは、プラズマ発生空間22に向けたその側面が、プラズマ発生空間の側壁面と平行で無く、プラズマ発生空間とプラズマ処理空間との隣接面に直交しているものでも無くて、傾斜した形状のものとなっている。なお、磁化方向は傾斜していないが、その傾斜した形状に基づいて、上辺付近からの磁束線26は強く広く張り出すのに対し、下辺付近からの磁束線26および下部磁石25bからの磁束線26は相対的に弱くて狭くなっている。
The
それらの磁力状態について詳述すると、上部磁石25aのほぼ下半分から図中横に出た磁束線26はコイル24の近くを通って図中反対側の横に戻ることから、図中上方の永久磁石25aのほぼ下端を頂上とする磁気の山ができる。また、下部磁石25bの上端のところにもほぼ同様の磁気の山ができる。永久磁石25はプラズマ発生空間22を挟んで両側に付設されているので、プラズマ発生空間22の周りには磁気の山が4つできる。そこで、プラズマ発生空間22には、磁気の山に囲まれた言わば磁気の盆地(磁界強さの極小点)ができる。そして、ここに電子が捕捉されることとなる。なお、ポテンシャル場風に説明したが実際はベクトル場なので正確に述べると複雑になるが、要するに全体としては柱状・梁状のプラズマ発生空間22の中で環状に電子が封じられるようになっているのである。
The magnetic force state will be described in detail. Since the
そして、上部磁石25aのほぼ上半分から図中横に出た磁束線26はプラズマ発生空間22の奥(図では上方)やプラズマ用ガス送給路23のところで密になりながら反対側の横に戻り、さらに上部磁石25aの磁束のうち一部は下方へ延びて下部磁石25bをも包むことから、縦断面における全体的な磁力分布の状態としては、徳利を逆さにしたようなイメージに近いものとなり、プラズマ発生空間22の奥のところで強く締められて閉じプラズマ発生空間22の中間のところで緩められて膨らみプラズマ発生空間22とプラズマ処理空間13との隣接面のところで少し絞られて狭まり最後にプラズマ処理空間13のところで解放されるような状態となっている。
Then, the
なお、上下の磁石25a,25bからの磁束の重なり具合によっては上記の磁気の盆地の他に局所的に小さな磁気の盆地が複数生じることも有り、これらは電子やプラズマを不所望に封じ込めたりプラズマ発生空間22の内壁へ衝突させたりする要因となるが、それらもプラズマ発生空間22の外側に位置することとなる。そして、プラズマ発生空間22中央の大きな磁気の盆地を取り巻く磁気の山について上方の磁界がより強く下方の磁界がより弱く傾斜していることにより、この磁気回路は、質量の小さい電子がプラズマ発生空間22内に封じられるのに対し、イオン化していないものやイオン化していても質量の大きい成分からなる高密度プラズマ20はプラズマ発生空間22からプラズマ処理空間13へ流出しやすいようになっている。
Depending on how the magnetic fluxes from the upper and
アノード部11の両面のうちプラズマ発生チャンバ21との非隣接面(図では下面)には付加プレート110(連通路延伸部材)が取り付けられている。付加プレート110は、アノード部11の電極としての機能を損なわないように金属等の導電性の物が用いられ、アノード部11の下面の中央部分を概ね覆うように一回り小さな円板状に加工形成される(図1参照)。そして、数個のボルト111によってアノード部11に対して密着状態で張り付けたように付加されるが、ボルト111を抜けばアノード部11から剥がれる。これにより、この付加プレート110は、第2機構に対してプラズマ処理空間13側から着脱可能に装着されるものとなっている。
An additional plate 110 (communication path extending member) is attached to the non-adjacent surface (the lower surface in the figure) of the both surfaces of the
付加プレート110には、アノード部11に装着した状態でアノード部11の連通口14と一致するところに同様の連通口が貫通形成される。これにより、この付加プレート110は、プラズマ発生空間22とプラズマ処理空間13との連通路14を連通口延長部114にて延伸させる連通路延伸部材となる。また、アノード部11の処理ガス供給口15と一致するところにも同様の連通口が貫通形成されて、アノード部11の処理ガス供給口15も供給口延長部115にて延伸させるものとなっている。
A similar communication port is formed through the
そして、プラズマ処理空間13における低温プラズマ10の密度が一般に中央部分が高くて周縁部分が低くなりがちなことに基づいて、付加プレート110は、中央部分が厚くて周縁部分が薄くなるよう仕上げられる。これにより、この付加プレート110は、供給口延長部115の長さが中央部分ほど長く中央から周縁にかけて徐々に短くなるよう変化するものとなっている。
Then, based on the fact that the density of the
印加回路部は、RF電源31を中心とする第1印加回路と、RF電源32を中心とする第2印加回路とに分かれる。
RF電源31は、その出力パワーが可変のものであり、接地されたアノード部との間に交番電界を印加するとともにバイアス電圧も発生させるために、その出力はブロッキングキャパシタを介してカソード部12へ送給される(図1参照)。また、これには、周波数500KHz〜2MHzのものがよく用いられる。これにより、第1印加回路は、低温プラズマ10の強化に或る程度寄与する電界をプラズマ処理空間13に印加するものとなっている。
The application circuit unit is divided into a first application circuit centered on the
The
RF電源32は、やはり出力パワーが可変のものであり、プラズマ発生空間22を挟む両コイル24を駆動してプラズマ発生空間22に交番磁界を印加するようになっている(図2参照)。その最大出力パワーは大きく、その周波数は13MHz〜100MHzとされることが多い。これにより、第2印加回路は、高密度プラズマ20の発生および強化に寄与する磁界をプラズマ発生空間22に印加するものとなっている。
The RF power source 32 also has variable output power, and drives both
この第1実施例のプラズマ発生装置について、その使用態様及び動作を、図面を引用して説明する。図4は、真空チャンバへの装着状態を示す縦断面図である。 The use mode and operation of the plasma generator of the first embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 4 is a longitudinal sectional view showing a state where the vacuum chamber is mounted.
使用に先だって、プラズマ発生装置のカソード部12は、上が解放した箱状の真空チャンバ本体部2の中央に設置され支持脚12aによって支持される。真空チャンバ本体部2は、上部に真空チャンバ蓋部3が開閉可能に取着され、底部または側部には真空圧制御用の可変バルブ4を介在させてターボポンプ等の真空ポンプ5が接続されている。真空チャンバ本体部2は、プラズマ発生チャンバ21やアノード部11が取着され、水冷も可能であり、これを閉めると、真空チャンバ本体部2の内部さらにはプラズマ処理空間13及びプラズマ発生空間22も密閉される。そして、真空ポンプ5を作動させるとともに、プラズマ用ガス送給路23を介するプラズマ用ガスAの供給,さらに処理ガス供給口15及び供給口延長部115を介する処理ガスBの供給などを適宜に開始すると、カソード部12上に乗載された被処理物1に対するプラズマ処理の準備が調う。
Prior to use, the
次に、RF電源32を作動させると、プラズマ発生空間22内にコイル24を介してRF電磁界が印加され、プラズマ用ガスAの電子が激しく運動させられる。このとき、電子は、永久磁石片25による磁気回路の働きによってプラズマ発生空間22に長く留まり、環状空間内を螺旋運動しながら飛び回ってプラズマ用ガスAを励起させる。こうして、高密度プラズマ20が発生するが、プラズマ発生空間22に封じられた電子にはイオン種生成に大きく寄与する10〜15eV以上の高いエネルギーのものが多く含まれているので、高密度プラズマ20はイオン種成分の比率が高い。
Next, when the RF power source 32 is operated, an RF electromagnetic field is applied to the
そして、プラズマ発生空間22で膨張した高密度プラズマ20は、特にそのラジカル種およびイオン種成分は、膨張圧力によってプラズマ発生空間22から飛び出そうとするが、永久磁石25の磁力によってプラズマ発生空間22の中央部へ押し戻され、膨張圧力が高まると、相対的に磁力の弱い連通口14のところから流れ出る。さらに膨張圧力が高まると連通口14及び連通口延長部114のところからプラズマ処理空間13へ速やかに流れ出る。その際、相対的に磁力の強いプラズマ発生空間22の側壁内面や底面に対しては押し戻されて衝突が抑制されるので、壁面との衝突によるエネルギー損失が少なくなり、プラズマの発生効率が高まるとともにそのほとんどが連通口14及び連通口延長部114経由で流出する。
In the high-
こうして、プラズマ発生空間22内で発生した高密度プラズマ20は、その膨張圧力および磁力分布の傾きに基づいて効率良くプラズマ処理空間13へ運ばれるが、連通口14のところまでは及んでいた磁束線26による束縛から連通口延長部114のところで解放される。そして、進行方向から横へ即ち水平方向へ広がるのであるが、連通口延長部114の径以上に広がった部分は(図3の二点鎖線部分を参照)、連通口延長部114の内壁に衝突して、プラズマエネルギーを付加プレート110に奪われ、かなりの割合でプラズマから通常のガス状態に戻ってしまう。
Thus, the high-
そして、連通口延長部114が長いとその割合も高まるが、連通口延長部114は中央部が長くて周辺が短くなっているので、プラズマ発生空間22内で発生した高密度プラズマ20は、プラズマ処理空間13への供給に際して、中央部ほど強く抑制されるのに対し周辺部では抑制されずに総て供給される。
こうして、付加プレート110が無ければプラズマ処理空間13における低温プラズマ10の密度に関して中央部分が高く周縁部分が低くなってしまうところが、周縁部分に対して重点的に高密度プラズマ20の供給がなされるので、プラズマ処理空間13内のプラズマ密度は全域に亘って均一化されることとなる。
When the
Thus, if the
また、RF電源31を作動させると、プラズマ処理空間13にもアノード部11及びカソード部12を介してRF電界が印加される。こちらには電子を封じ込める磁気回路等がないので、処理ガスB等が励起されても高密度プラズマができないで、低温プラズマ10となる。RF電源31からのパワーだけの場合、低温プラズマ10は、10〜15eV以上のエネルギーを持った電子が少ないので、ラジカル種成分の比率が高くなる。もっとも、この装置における低温プラズマ10の場合は、上述の高密度プラズマ20が混合されるので、実際のラジカル種成分とイオン種成分との比率は、両者の中間における何れかの比率となる。
When the
そして、RF電源32の出力をアップさせると、プラズマ発生空間22内における10〜15eV以上の電子が増える。そして、高密度プラズマ20の生成量が増加する。その混合の結果、低温プラズマ10は、イオン種成分の割合が引き上げられる。一方、RF電源32の出力をダウンさせると、プラズマ発生空間22内における10〜15eV以上の電子が減ってくる。そして、高密度プラズマ20の生成量が減少する。その混合の結果、低温プラズマ10は、イオン種成分の割合が引き下げられる。
When the output of the RF power source 32 is increased, electrons of 10 to 15 eV or more in the
さらに、RF電源31の出力をアップさせる一方でRF電源32の出力を少しダウンさせると、次のようになる。先ずRF電源31の出力アップによってプラズマ処理空間13における電子密度が高密度および高エネルギー側に移行し、プラズマ処理空間13内の低温プラズマが増える。これによってそこのラジカル濃度が上がるのだが、同時にイオン比率も少し上がる。次に、RF電源32の出力ダウンによってプラズマ発生空間22における電子密度が低密度および低エネルギー側に移行し、プラズマ発生空間22内の高密度プラズマが少し減る。これによってそこのラジカル濃度およびイオン比率が下がるが、こちらは高エネルギー成分が元々大きいので少しの出力ダウンであってもイオン比率が大きく下がる。そして、このような高密度プラズマ20がプラズマ処理空間13内の低温プラズマ10に混合されると、イオン比率の増減が概ね相殺される一方ラジカル濃度は増加する。すなわち、低温プラズマ10は、ラジカル種成分とイオン種成分との比率があまり変わらずにプラズマ濃度が引き上げられる。同様にして、RF電源31,32の出力を逆方向にアップ・ダウンさせると、低温プラズマ10のプラズマ濃度が引き下げられる。
Furthermore, when the output of the RF power supply 32 is slightly lowered while the output of the
こうして、低温プラズマ10は、容易にラジカル種成分とイオン種成分との比率が広範囲に亘って可変制御される。また、この装置では、プラズマ発生空間22の横断面積がプラズマ処理空間13の横断面積よりも遥かに小さくなっていて、第1比が第2比より桁違いに小さいことから、高密度プラズマ20がプラズマ発生空間22からプラズマ処理空間13へ速やかに送り出されるうえに、そもそもプラズマ処理空間13からプラズマ発生空間22へ逆流して入り込むガス量が少ないので、処理ガスBが高密度プラズマ20で直接に励起されて不所望なまで分解・電離するということはほとんど無くなる。
Thus, in the
ところで、このようなプラズマ処理の施された被処理物1を検査した結果、その処理状態に斑等があって均一度が満足できる状態で無い場合は、次のようにして微調整が行われる。
先ず被処理物1の処理面についてプラズマ処理の不足しているところを適宜濃淡等もつけてマーキングする。それから、ボルト111を抜いて付加プレート110をアノード部11から外し、付加プレート110の下面へ被処理物1のマークを転写する。この転写は、拡縮が不要なので、柔らかいフィルム等を用いて簡単に行える。そして、転写マークを目印にして付加プレート110の下面に対して追加工を施し、その後、付加プレート110をアノード部11へ戻す。
By the way, as a result of inspecting the
First, a place where the plasma processing is insufficient on the processing surface of the
こうして、付加プレート110の各所の厚さを調整することで容易に、プラズマの密度分布が均一になるよう調節され、プラズマ処理の均一度が向上する。
また、一回の調整で足りない場合は同様の調整を繰り返すことで確実に、プラズマ処理を均一なものにすることができる。
なお、縦断面台形の上部磁石25aや断面矩形の下部磁石25bは、単純な凸多角形をしているので、加工して形成することも容易である。
Thus, by adjusting the thickness of each part of the
In addition, when one adjustment is not enough, it is possible to ensure uniform plasma processing by repeating the same adjustment.
Note that the trapezoidal
本発明のプラズマ発生装置の第2実施例について説明する。図5は、その要部の縦断面拡大図であり、上述の図3に対応するものである。
このプラズマ発生装置が上記第1実施例のものと相違するのは、上部磁石25aに代えて一対の上部磁石25c,25dが設けられている点と、プラズマ発生空間22の外側壁21bが斜めに形成されプラズマ発生空間22が奥(図では上方)に行くほど狭くなっている点と、これに対応してプラズマ発生空間22の側壁内側も全体が傾斜内側面21cになっている点と、連通口14及び連通口延長部114が大きく拡げられてその内側面が傾斜内側面21cの延長面となっている点である。これにより、プラズマ発生空間が隣接部や連通部も含めてプラズマ処理空間へ向けて拡幅しているものとなっている。
A second embodiment of the plasma generator of the present invention will be described. FIG. 5 is an enlarged vertical cross-sectional view of the main part, and corresponds to FIG. 3 described above.
The plasma generator differs from that of the first embodiment in that a pair of
上部磁石25cは、縦長の単純な矩形形状のものであり、真っ直ぐに立てた状態で磁化方向が水平になるよう磁化されている。上部磁石25dも同様であるが、これらは、同心環状のプラズマ発生空間22間への設置に際し、横に並べられるとともに、V字状に下方が狭くて上方が広くなるように、互いに逆向きで斜めにセットされる。これにより、これらの磁性部材25c,25dは、プラズマ発生空間22に向けたその側面が、プラズマ発生空間の側壁面と平行で無く、プラズマ発生空間とプラズマ処理空間との隣接面に直交しているものでも無く、さらに磁化方向も水平で無くて、形状および磁化方向が共に傾斜したものとなっている。
The
この場合、プラズマ発生空間22を中心に据えてそれを両側から挟む上部磁石25c,25dについて見れば、ハの字状に上方が狭くて下方が広いので、プラズマ発生空間22の奥すなわち上方では磁束線が強くて密になるのに対し、アノード部11側の下方では磁束線が相対的に弱くて粗になる。そして、そのような磁力の傾斜状態は、上部磁石25c,25dから磁束線が斜めに出ることによって一層強調される。
In this case, the
こうして、この場合も、プラズマ発生空間22内で発生した高密度プラズマは、その膨張圧力および磁力分布の傾きに基づいて効率良くプラズマ処理空間13へ運ばれる。
しかも、下部磁石25bばかりか上部磁石25c,25dも断面矩形の単純な形状をしているので、容易に製造することができる。
Thus, also in this case, the high-density plasma generated in the
In addition, since not only the
また、プラズマ発生空間が隣接部や連通部も含めてプラズマ処理空間へ向けて拡幅していることから、上部磁石25c,25dの傾斜が更に大きくなって磁性部材の傾斜によるプラズマ発生空間22からプラズマ処理空間13へのプラズマ供給効率が一層強化されることに加え、高密度プラズマ20がプラズマ発生空間22からプラズマ処理空間13へ流れ出る際に、連通口14及び連通口延長部114によって絞られること無く、傾斜内側面21cや連通口14及び連通口延長部114の拡がりに沿うように当初から広がって運ばれる。
Further, since the plasma generation space is widened toward the plasma processing space including the adjacent portion and the communication portion, the inclination of the
しかも、その際、やはり連通口延長部114のところで磁力の束縛から解放された高密度プラズマ20は、さらに横へ大きく広がるので、連通口延長部114が狭く無くても、連通口延長部114の長さに応じた割合で連通口延長部114の内壁に衝突して、プラズマから通常のガス状態に戻される(図5の二点差線を参照)。
In addition, at that time, the high-
こうして、連通口延長部114の長さに応じてプラズマ発生空間22からプラズマ処理空間13へのプラズマ供給量を各所できめ細かく調節するという機能を損なうこと無く、プラズマ密度の薄い処理ガス供給口15及び供給口延長部115直下のところへも高密度プラズマが斜めに流れ込んで速やかに混合・拡散されるので、プラズマ処理空間13内の低温プラズマ10は、アノード部11付近でも斑が少なく、被処理物1の置かれるカソード部12付近では更に均一な状態となる。
その結果、良質のプラズマが効率良く供給されてもプラズマの分布状態が均一に保たれるので、良質のプラズマ処理が効率良く行われることとなる。
Thus, the processing
As a result, even if a good quality plasma is efficiently supplied, the distribution state of the plasma is kept uniform, so that a good quality plasma treatment is efficiently performed.
なお、以上の実施例では、供給口延長部115の内径が処理ガス供給口15の内径と同じになっているが、供給口延長部115の形状はこれに限定するもので無く、例えば供給口延長部115の内径が処理ガス供給口15の内径より大きくなっていたり、テーパ状・ラッパ状に形成されていても良い。
また、上述の付加プレート110は単板から成っているが、連通路延伸部材は、単一部材に限定されるもので無く、連通路延長部114の形状を確保しうるものであれば、複数個に分割され、各連通口14ごとに分散して設けられていても良い。
In the above embodiment, the inner diameter of the
Moreover, although the above-mentioned
1 被処理物
2 真空チャンバ本体部
3 真空チャンバ蓋部
4 可変バルブ
5 真空ポンプ
10 低温プラズマ
11 アノード部(第1機構;第1印加回路)
12 カソード部(第1機構;第1印加回路)
13 プラズマ処理空間
14 連通口(連通路)
15 処理ガス供給口
20 高密度プラズマ
21 プラズマ発生チャンバ(第2機構)
21a ガス配給部材(第2機構)
21b 傾斜外側面
21c 傾斜内側面
22 プラズマ発生空間
23 プラズマ用ガス送給路
24 コイル(第2印加回路)
25 永久磁石(磁気回路用の磁性部材)
25a 上部磁石
25b 下部磁石
25c 上部磁石
25d 上部磁石
26 磁束線(磁気回路)
31 RF電源(第1印加回路)
32 RF電源(第2印加回路)
110 付加プレート(連通路延伸部材)
111 ボルト(締結具、装着手段)
114 連通口延長部(連通路延長部)
115 供給口延長部
A アルゴンガス(非反応性ガス、プラズマ生成用ガス)
B CF系ガス(反応性ガス、処理ガス)
DESCRIPTION OF
12 Cathode (first mechanism; first application circuit)
13
15 Processing
21a Gas distribution member (second mechanism)
21b Inclined
25 Permanent magnet (Magnetic member for magnetic circuit)
31 RF power supply (first application circuit)
32 RF power supply (second application circuit)
110 Additional plate (communication path extending member)
111 bolts (fasteners, mounting means)
114 Communication port extension (Communication path extension)
115 Supply port extension A Argon gas (non-reactive gas, plasma generating gas)
B CF gas (reactive gas, processing gas)
Claims (2)
前記プラズマ発生空間が線状に形成されており、
前記プラズマ発生空間と前記プラズマ処理空間との連通路を延伸させる連通路延伸部材が前記プラズマ処理空間側に付加され、前記連通路延伸部材が場所によって異なる厚さに調整されていることを特徴とするプラズマ発生装置。 A first mechanism formed with a plasma processing space; and a second mechanism attached to or integrated with the first mechanism to form a plasma generation space, the plasma generation space being the plasma processing space. In a plasma generator adjacent to and communicating with a space,
The plasma generation space is formed in a linear shape,
A communication path extending member for extending a communication path between the plasma generation space and the plasma processing space is added to the plasma processing space side, and the communication path extending member is adjusted to have a different thickness depending on a location. A plasma generator.
2. The plasma generating apparatus according to claim 1, wherein the linear shape is a linear shape, a curved shape, a broken line shape, an annular shape, a circular shape, a polygonal shape, a spiral shape, or a combination of these shapes.
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