JP4091772B2 - Adhesive film peeling tape and adhesive film peeling method using the same - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、粘着フィルム剥離用テープ及びそれを用いる粘着フィルム剥離方法に関する。詳しくは、半導体ウェハ等の平板状部材に貼付された表面保護用粘着フィルムを剥離するための粘着フィルム剥離用テープ及びそれを用いる粘着フィルム剥離方法に関する。更に詳しくは、薄層化、大口径化した半導体ウェハの製造工程において、半導体ウェハの破損防止、生産性向上のために好適である、半導体ウェハ等の平板上部材に貼付された半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを剥離するための粘着フィルム剥離用テープ及びそれを用いる粘着フィルム剥離方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＩＣカード、携帯電話等の普及、或いは電子機器の小型化の影響により半導体チップの更なる薄層化が望まれている。そのため、従来、半導体チップの厚さが３００μｍ程度であったものが、用途によっては３０μｍ程度まで薄層化することが要求されるようになった。
【０００３】
通常、半導体チップは、半導体ウェハの回路形成面に半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを貼着する工程、半導体ウェハの裏面加工により薄層化する工程、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを剥離する工程を経た後、半導体ウェハをダイシングすることにより製造される。
【０００４】
特に、厚みが１００μｍ以下に薄層化された半導体チップを製造する工程において、ウェハの裏面加工は、従来行なわれている研削工程において２００〜１００μｍ程度まで薄層化し、次いで、研磨加工、エッチング加工等により更に薄層化する場合がある。薄層化されたウェハは、剛性が低下しており、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを剥離する際に、割れ、クラック等が発生する等、重大な支障が発生することがある。
【０００５】
従来、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを剥離する工程では、２５〜５０ｍｍ幅の剥離用テープをプレスローラを用いて、半導体ウェハの表面に貼付けられた半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム上に貼付け、この剥離用テープを引っ張ることにより、半導体ウェハ表面から表面保護用粘着フィルムを剥離する方法が採られている。
【０００６】
例えば、特開平１１−１６８６２号公報には、半導体ウェハ等の板状部材に貼付されたシートを接着テープを用いて剥離するシート剥離装置において、前記接着テープを前記シートの端部に接着し、前記テープを引っ張って前記シートを剥離するシートの剥離装置、及び剥離方法が開示されている。この剥離装置には、ポリエチレンテレフタレート等の耐熱性フィルムに感熱性接着剤層を設けた感熱性接着テープ、又は基材自体に感熱性接着性を有する感熱性接着テープが使用されることが記載されている。しかし、感熱性接着テープの詳細については何らの言及もされていない。上記剥離方法は、板状部材に接着されたシートの端部に接着テープを接着することにより、板状部材の全面を押圧することを回避することに特徴がある。そのため、例えば、板状部材が半導体ウェハ等である場合、その破損を防止できるとしている。
【０００７】
しかし、上記方法では、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムが高粘着力を有する場合、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムと剥離用感熱性接着テープの融着箇所の界面破壊や、半導体ウェハに割れが発生することがある。若しくは、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムと剥離用感熱性接着テープの融着箇所の界面破壊等が生じることなく剥離できた場合であっても、剥離速度が従来手法の剥離に比べ遅く、半導体製造工程の製造効率が低下する。
【０００８】
現在、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムの基材フィルムとして、エチレン−酢酸ビニル共重合樹脂フィルムが多く用いられている。この場合、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムに対する剥離用テープの接着力が小さいと、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムの基材背面への接着強度が低く界面破壊が起こり易いという重大な欠点がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、上記問題に鑑み、薄層化された平板状部材の破損、剥離不良なしに、従来手法と同様の剥離速度で、粘着フィルムを剥離することができる剥離用テープ、及びそれを用いる粘着フィルム剥離方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、鋭意検討した結果、剥離用テープの貯蔵弾性率に着目し、粘着フィルムに接着する層を特定の低弾性率樹脂層で形成し、外層を特定の高弾性率樹脂層で形成した少なくとも２層からなる感熱接着性を有する積層体を用いることにより、上記課題が解決できることを見出し、本発明を完成した。
【００１１】
すなわち、本発明は、少なくとも２層の樹脂層からなる粘着フィルム剥離用テープであって、粘着フィルムに接着する層の貯蔵弾性率（Ｅ’）が２３℃において１×１０5〜1×１０8Ｐａ、厚みが１０〜２００μｍ、外層の貯蔵弾性率（Ｅ’）が２３℃において３×１０8〜１×１０10Ｐａ、厚みが１０〜１５０μｍであることを特徴とする粘着フィルム剥離用テープである。
【００１２】
また、本発明の他の発明は、前記粘着フィルム剥離用テープを用いる粘着フィルム剥離方法であって、平板状部材に貼付された粘着フィルムに粘着フィルム剥離用テープを熱融着し、冷却した後、該剥離用テープを引張ることを特徴とする粘着フィルム剥離方法である。
【００１３】
本発明の特徴は、粘着フィルムに接着する層を特定の貯蔵弾性率と厚みを有する低弾性率樹脂層で形成し、外層を特定の貯蔵弾性率と厚みを有する高弾性率樹脂層で形成された粘着フィルム剥離用テープである点にある。かかる構成を採用することにより、粘着フィルムに対して強固に接着することができる。本発明の粘着フィルム剥離用テープを用いることにより、平板状部材に貼付された粘着フィルムを剥離するに際し、剥離用テープの破断、粘着フィルムの剥離不良、粘着フィルムと剥離用テープとの接着面における界面破壊等を発生することなしに容易に剥離することが可能となるのである。
【００１４】
従がって、本発明に係わる粘着フィルム剥離用テープは、平板状部材に貼付された粘着フィルムの剥離、特に、厚みが１００μｍ以下に薄層化された半導体ウェハの回路形成面（以下、ウェハ表面という）に貼着された半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムの剥離用テープとして好適に使用できる。
【００１５】
【発明の実施形態】
以下、本発明について詳細に説明する。本発明の粘着フィルム剥離用テープは、低弾性率樹脂層と高弾性率樹脂層とを積層し、少なくともこれらの２層からなる積層体とすることにより製造される。本発明に係わる粘着フィルム剥離用テープは、平板状部材に貼付された粘着フィルムを剥離する際に使用される。
【００１６】
本発明が適用できる平板状部材としては、半導体ウェハ、アルミニウム板、ステンレススチール板等の金属板、木製板、ポリオレフィンシート、ポリカーボネートシート、ポリエステルシート、ポリ塩化ビニルシート等の樹脂シートが挙げられる。通常、これらの平板状部材は、保管時、流通過程等において、その表面を保護することを目的として、マスキングフィルムと称する表面保護用粘着フィルムが貼着される。本発明は、これらのマスキングフィルム等を剥離する際に適用できる。本発明は、これらの内、半導体ウェハの表面に貼着された表面保護用粘着フィルムを剥離する際に好ましく適用し得る。特に好ましくは、半導体ウェハを薄層化するために裏面加工が施された後、その表面に貼付けられている半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを剥離する際に適用することができる。
【００１７】
先ず、本発明の粘着フィルム剥離用テープについて説明する。本発明の粘着フィルム剥離用テープは少なくとも２層の樹脂層からなり、被着体である平板状部材に貼付された粘着フィルムと接する層が低弾性率樹脂層であり、外層が高弾性率樹脂層である。高弾性率樹脂層は、その剛性により、平板状部材から粘着フィルムを剥離する際、剥離用テープの低弾性率樹脂層が伸びことを抑制する機能を有する。また、粘着フィルムに剥離用テープを熱融着する際、粘着フィルムと低弾性率樹脂層とが加熱されることによって融解状態になったとき、それを支持する機能を有する。
【００１８】
かかる機能を考慮すると、高弾性率樹脂層の貯蔵弾性率（Ｅ’）は、２３℃において３×１０8〜１×１０10Ｐａであることが好ましい。このような特性を有する高弾性率樹脂層を形成し得る樹脂を例示すると、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、ポリイミド、ポリエーテルスルフォン、ポリスチレン等が挙げられる。これらの内、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、及びポリプロピレンが好ましい。更に好ましくは、2軸延伸により剛性を向上させたポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン等の２軸延伸フィルムである。
【００１９】
高弾性率樹脂層の厚みは１０〜１５０μｍであることが好ましい。より好ましくは３０〜１００μｍである。厚みが１０μｍ未満の場合は、剥離用テープの剛性が低下し、粘着フィルムを剥離する際に剥離用テープが破断することがある。また、１５０μｍを超える場合は、粘着フィルムに貼付された剥離用テープを切断する際に切断不良が生じることがある。また、高弾性率樹脂層の貯蔵弾性率（Ｅ’）が１×１０10Ｐａを超える場合は、粘着フィルムに貼付された剥離用テープを切断する際に切断不良が生じたり、粘着フィルムを剥離する際に、剥離用テープの曲げ応力の増加により、粘着フィルムの剥離不良が発生することがある。貯蔵弾性率（Ｅ’）が３×１０8Ｐａ未満である場合は、剥離用テープの剛性が低下し、剥離用テープの破断が発生することがある。
【００２０】
低弾性率樹脂層は、例えば、半導体ウェハ等の平板状部材の表面に貼付けられている表面保護用粘着フィルムに熱融着する層である。そのため、優れた熱融着性と適度の低弾性を有することが好ましい。かかる観点から、低弾性率樹脂層は、２３℃における貯蔵弾弾率（Ｅ’）１×１０5〜１×１０8Ｐａであることが好ましい。低弾性率樹脂層の貯蔵弾性率（Ｅ’）が２３℃において１×１０8Ｐａを超える場合、粘着フィルムに熱融着する際、粘着フィルムと低弾性率樹脂層との熱融着が不十分となる。粘着フィルムと低弾性率樹脂層との熱融着が不十分であると、剥離用テープを引張って粘着フィルムを剥離する際に、熱融着界面で界面破壊が発生することがある。貯蔵弾性率（Ｅ’）が２３℃において１×１０5Ｐａ未満であると、平板状部材から粘着フィルムを剥離するときに、剥離用テープの低弾性率樹脂層で凝集破壊が発生し剥離不良となることがある。
【００２１】
上記特性を有する低弾性率樹脂層を形成し得る樹脂を例示すると、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アルキルアクリレート共重合体(アルキル基の炭素数１〜４)等が挙げられる。これらの内、エチレン−酢酸ビニル共重合が好ましい。更に好ましくは、酢酸ビニル単位の含有率が５〜５０重量%程度のエチレン−酢酸ビニル共重合である。
【００２２】
低弾性率樹脂層の厚みは１０〜２００μｍであることが好ましい。より好ましくは３０〜１５０μｍである。厚みが１０μｍ未満であると、粘着フィルムに充分に熱融着できないことがある。また、２００μｍを超えると、粘着フィルムを剥離することが因難になる場合がある。通常、剥離用テープを粘着フィルムに熱融着する際には、低弾性率樹脂層を粘着フィルムの基材フィルム層に接触させ、外層である高弾性率樹脂層側から加熱することから、低弾性率樹脂層の厚みが厚過ぎると十分に熱融着しないことがある。その場合、上記のように剥離用テープを引張って粘着フィルムを剥離する際に、熱融着界面で界面破壊が発生することがある。
【００２３】
通常、粘着フィルムは、熱可塑性樹脂フィルムの表面に粘着剤層が形成されたものであることから、本発明の剥離用テープを用いて、半導体ウェハ等の平板状部材の表面に貼着された粘着フィルムを剥離する場合、粘着フィルムの基材樹脂フィルム層側に本発明の剥離用テープを熱融着する。本発明に係わる剥離用テープは、粘着フィルムの基材樹脂層へ熱融着力、即ち、粘着フィルムに対する接着力が強い。後述する実施例に記載した方法により測定した、本発明の剥離用テープの粘着フィルムに対する接着力は、通常、１５００〜６０００ｇ／２５ｍｍ程度である。半導体ウェハ等の平板状部材に対する粘着フィルムの粘着力は、平板状部材の種類にもよるが、通常、１０〜３００ｇ／２５ｍｍ程度である。剥離用テープの接着力は、粘着フィルムの粘着力に応じて、上記範囲で適宜選定することができる。従がって、本発明の剥離用テープを用いることにより、半導体ウェハ等の平板状部材の表面に貼着された粘着フィルムを容易に剥離することが可能である。
【００２４】
本発明に係わる剥離用テープの代表的な製造方法として、低弾性率樹脂層を押出機で押出形成しながら、予め用意しておいた高弾性率樹脂層とラミネートする方法が挙げられる。低弾性率樹脂層と高弾性率樹脂層の接着力を高めるために、両者の間に新たに粘着層を設けても良い。各層同士の接着力を高めるために、高弾性率樹脂層と低弾性率樹脂層がそれぞれ接する面の片面、若しくは両面にコロナ放電処理または化学処理等を施すことが好ましい。
【００２５】
本発明に係わる剥離用テープは、上記特性を有する低弾性率樹脂層、及び高弾性率樹脂層を含む少なくとも２層からなる積層体である。前者は粘着フィルムに熱融着する層であり、後者は外層である。ここで、外層とは、粘着フィルムに接着しない側の層を意味する。これらの両層の中間層はなくともよいし、また、他の特性を有する樹脂層で形成してもよい。中間層は複数層あってもよい。他の特性を有する樹脂層で中間層を形成する場合は、中間層の総厚みは２００μｍ以下とすることが好ましい。
【００２６】
本発明の粘着フィルム剥離用テープの製造方法は上記のとおりであるが、半導体ウェハ等の平板状部材の表面の汚染防止の観点から、全ての原料及び資材の製造環境は米国連邦規格２０９ｂに規定されるクラス１,０００以下のクリーン度に維持されていることが好ましい。
【００２７】
次いで、本発明が最も好ましく適用できる、薄層化された半導体ウェハの表面に貼着された半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを剥離する方法について説明する。集積回路が形成された半導体ウェハは、通常、５００〜１０００μｍ程度の厚みを有する。近年、電子機器の小型化、軽量化の影響により半導体チップの薄層化が望まれている。そのため、従来、半導体チップの厚さが３００μｍ程度であったものが、種類等に応じ１００μｍ以下程度まで、時には５０μｍ程度まで薄層化される。用途によっては３０μｍ程度まで薄層化することが要求されるようになった。そのため、通常、集積回路が形成された半導体ウェハは、砥石等による裏面研削、薬剤を用いる化学エッチング加工等により裏面加工が施されて、薄層化される。
【００２８】
半導体ウェハを薄層化する際には、その表面に表面保護用粘着フィルムを貼着して集積回路を保護したり、裏面研削応力等によりウェハが破損することを防止する。裏面加工によって薄層化された半導体ウェハは、その表面に貼着されている表面保護用粘着フィルムが剥離される。本発明の粘着フィルム剥離用テープは、半導体ウェハ表面に貼着されている表面保護用粘着フィルムを剥離する際に使用される。
【００２９】
半導体ウェハ表面から半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを剥離する操作は人手によって行なわれる場合もあるが、一般には自動剥がし機と称される装置によって行なわれる。この様な自動剥がし機としては、リンテック（株）製、形式：ＲＡＤ−３５００Ｆ／８等が挙げられる。
【００３０】
これらの自動剥がし機は、粘着剤が塗布された剥離用テープを平坦なテーブルに真空吸着された半導体ウェハ表面に貼着された半導体ウェハ保護用粘着フィルムに接着させ、剥離用テープを所定の剥離角度で引っ張ることで剥離するのではなく、以下の方法で剥離する装置である。
【００３１】
すなわち、半導体ウェハを平坦なテーブルに真空吸着させ固定した後、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムの外周近くの端部に、剥離用テープを１５０〜２５０℃に加熱されたプレートで約２秒間押し付け、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムと剥離用テープを熱融着させ、５０℃〜室温近傍の温度に冷却した後、半導体ウェハ保護用粘着フィルムに熱融着している剥離用テープの一端を冶具で挟み込み、剥離角度１８０°で引っ張って剥離する。若しくは、剥離用テープを切断せずに引っ張って剥離するものである。このような手法を採用することにより、剥離用テープによる半導体ウェハの回路面へのダメージを少なくすることができる。また、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムの粘着剤が、半導体ウェハ表面回路面に残留して汚染することも防止できる。半導体ウェハを薄肉化した後、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを剥離する前に、予め半導体ウェハをリングフレームに固定されたダイシングテープに貼り付けた後、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを剥離してもよい。
【００３２】
本発明を適用することにより、半導体ウェハが裏面研削等の裏面加工によって、厚みが１００μｍ以下まで薄層化されていても、残留粘着剤による汚染、損傷、ウェハの破損、剥離用テープの破断などなしに、その表面から粘着フィルムを容易に剥離することができる。本発明が適用できる半導体ウェハとして、シリコンウェハのみならず、ゲルマニウム、ガリウム−ヒ素、ガリウム−リン、ガリウム−ヒ素−アルミニウム等のウェハが挙げられる。
【００３３】
【実施例】
以下、実施例を示して本発明についてさらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。以下に示す全ての実施例及び比較例について、米国連邦規格２０９ｂに規格されるクラス１０００以下のクリーン度に維持された環境において、粘着フィルム剥離用テープの作成及び評価を実施した。尚、以下の実施例及び比較例において示した貯蔵弾性率、粘着力、実用評価は下記の方法に従って測定、評価を行なった。
【００３４】
（１） 貯蔵弾性率（Ｐａ）
高弾性率樹脂層、及び低弾性率樹脂層形成用フィルム〔ＭＤ方向長さ：４０ｍｍ、ＴＤ方向長さ（幅）：１０ｍｍ〕をそれぞれ試料として用意する。この試料を動的粘弾性測定装置（レオメトリックス社製、形式；ＲＳＡ−ＩＩ、フィルム引っ張り試験用アタッチメントを使用）を用いて、周波数１Ｈｚにて０〜１５０℃の温度範囲でＭＤ方向の貯蔵弾性率を測定する。具体的には試料を常温にて上記アタッチメントを介して動的粘弾性測定装置にセットし、常温から０℃まで降温した後、３℃／分の昇温速度で昇温しながら貯蔵弾性率を測定する。測定終了後、得られた０〜１５０℃の貯蔵弾性率−温度曲線の中から２３℃における貯蔵弾性率（Ｅ’、単位：Ｐａ）の値を採用する。それぞれ１０枚の試料について測定し、その平均値で示す。
【００３５】
（２）ＳＵＳ３０４−ＢＡ板に対する粘着フィルムの粘着力（ｇ／２５ｍｍ）下記に規定した条件以外は、全てＪＩＳ Ｚ０２３７に規定された方法に準じて測定する。２３℃において、半導体ウェハ保護用粘着フィルムをその粘着層を介して、ＳＵＳ３０４−ＢＡ板(ＪＩＳ Ｇ４３０５規格、縦（ＭＤ方向）：２００ｍｍ、横（ＴＤ方向）：５０ｍm)の表面に貼付し1時間放置する。放置後、試料の一端を挟持し、剥離角度：１８０度、剥離速度：３００ｍｍ／ｍｉｎでＳＵＳ３０４−ＢＡ板の表面から試料をＭＤ方向に引っ張り剥離して、剥離する際の応力を測定してｇ／２５ｍｍに換算する。１０枚の試料について測定し、その平均値で示す。
【００３６】
（３）半導体ウェハ保護用粘着フィルムの基材フィルムに対する剥離用テープの接着力（ｇ／２５ｍｍ）
前項（２）と同様に下記に規定した条件以外は、ＪＩＳ Ｚ０２３７に規定された方法に準じて測定する。縦（ＭＤ方向）２００ｍｍ、横（ＴＤ方向）５０ｍｍにカットした半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムの基材フィルム側に、剥離用テープの低弾性率樹脂層側を加熱用冶具を用い２２０℃で２秒間加熱押圧し、熱融着させる（融着面：MＤ方向１０ｍｍ、ＴＤ方向５０ｍｍ）。室温まで冷却した後、剥離用テープの一端を挟持し、剥離角度：１８０度、剥離速度：３００ｍｍ／ｍｉｎでＭＤ方向に引っ張り、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムから剥離用テープを剥離し、剥離する際の応力を測定してｇ／２５ｍｍに換算する。１０枚の試料について測定し、その平均値で示す。
【００３７】
（４）実用評価
鏡面処理された厚さ７５０μｍ、直径２００ｍｍ（８インチ）の半導体シリコンウェハ表面に半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを貼着し、その粘着フィルムの一端にテープ幅５０ｍｍである剥離用テープの低弾性率樹脂層側を２２０℃の加熱治具で２秒間、高弾性率樹脂層側から加熱押圧し、熱融着させる。室温まで冷却した後、テンシロン型引張り試験機〔（株）島津製作所製、形式；ＡＧＳ−５ｋＮＧ〕を用いて、熱融着した一端と反対方向に剥離用テープを引張って、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを剥離角度１８０度で剥離する。剥離速度は１０００ｍｍ／ｍｉｎと１２０ｍｍ／ｍｉｎの２法を行なう。剥離用テープを用いて、上記方法により半導体シリコンウェハの表面から半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを剥離する際に、ウェハ割れの有無、剥離用テープと半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムとの融着箇所の界面破壊の有無、剥離用テープの破断の有無、伸び等のトラブルの有無を観察する。上記２法の剥離速度でそれぞれ１０枚のシリコンウェハについて測定する。
【００３８】
実施例１
＜剥離用テープの調製＞
２３℃における貯蔵弾性率が３．０×１０7Ｐａであるエチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂〔三井・デュポンポリケミカル（株）製、商品名：エバフレックス〕をＴダイ押出し機を用いて、厚み７０μｍのフィルムに成形した。このフィルムを厚み４０μｍ、２３℃における貯蔵弾性率が２．０×１０9Ｐａである２軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム〔ユニチカ（株）製、商品名：エンブレット〕にラミネートし、２層からなる積層フィルムを形成することにより剥離用テープを製造した。
【００３９】
＜粘着フィルム＞
粘着フィルムとして、三井化学（株）製、商品名：イクロステープＳＢ−１３５Ｓ−ＢＮ−Ｒ２（基材フィルム：厚み１２０μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体フィルム、粘着剤層の厚み：１０μｍ、ＳＵＳ３０４−ＢＡ板に対する粘着力：１７０ｇ／２５ｍｍ、半導体ウェハ表面保護用）を用いた。
【００４０】
＜実用評価＞
上記剥離用テープ及び粘着フィルムを用い、前記（４）項に記載した方法により、１０枚の半導体シリコンウェハについて実用試験を実施した。その結果、半導体ウェハの表面から粘着フィルムを剥離する際に、ウェハの割れ、剥離用テープと粘着フィルムの融着箇所の界面破壊、剥離用テープの破断、伸び等のトラブルは半導体シリコンウェハ１０枚について実施したが１枚も発生しなかった。剥離に要した時間は、剥離速度が１０００ｍｍ／ｍｉｎの場合、１枚当たり２４秒、１２０ｍｍ／ｍｉｎの場合１枚当たり３分を要した。尚、粘着フィルムと剥離用テープの接着力は３０００ｇ／２５ｍｍであった。
【００４１】
実施例2
粘着フィルムとして、三井化学（株）製、商品名：イクロステープＳＢ−１３５Ｈ−ＢＮ２０−Ｒ２（基材フィルム：厚さ１２０μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体フィルム、粘着剤層の厚み：２０μｍ、ＳＵＳ３０４−ＢＡ板に対する粘着力：３００ｇ／２５ｍｍ、半導体ウェハ表面保護用）を用いた以外は、実施例１と同様にして、実用試験を実施した。その結果、粘着フィルムを半導体ウェハの表面から剥離する際に、ウェハの割れ、剥離用テープと粘着フィルムの融着箇所の界面破壊、剥離用テープの破断、伸び等のトラブルは半導体シリコンウェハ１０枚について実施したが１枚も発生しなかった。剥離時間は実施例１と同様、剥離速度が１０００ｍｍ／ｍｉｎの場合は１枚当たり２４秒、１２０ｍｍ／ｍｉｎの場合は１枚当たり３分であった。尚、粘着フィルムと剥離用テープの接着力は３０００ｇ／２５ｍｍであった。
【００４２】
実施例３
剥離用テープの調製において、ポリエチレンテレフタレートフィルムの代わりに、２３℃における貯蔵弾性率が３．０×１０9Ｐａであるポリエチレンナフタレートフィルム〔帝人デュポンフィルム（株）製、商品名：テイジンテトロンフィルム〕を用いた以外は、実施例１と同様にして剥離用テープを調製した。得られた剥離用テープを用い、且つ、実施例２と同様の粘着フィルムを用いた以外は、実施例１と同様にして実用評価を行なった。その結果、粘着フィルムを半導体シリコンウェハ表面から剥離する際に、ウェハの割れ、剥離用テープと粘着フィルムの融着箇所の界面破壊、剥離用テープの破断、伸び等のトラブルは半導体シリコンウェハ１０枚について実施したが１枚も発生しなかった。尚、粘着フィルムと剥離用テープの接着力は６５０ｇ／２５ｍｍであった。剥離時間は実施例１と同様、剥離速度が１０００ｍｍ／ｍｉｎの場合は１枚当たり２４秒、１２０ｍｍ／ｍｉｎの場合は１枚当たり３分であった。粘着フィルムと剥離用テープの接着力は３０００ｇ／２５ｍｍであった。
【００４３】
実施例４
剥離用テープの調製において、ポリエチレンテレフタレートフィルムの代わりに、２３℃における貯蔵弾性率が２．０×１０9Ｐａである２軸延伸ポリプロピレンフィルム〔王子製紙（株）製、商品名：Ｅ−２００Ｎ〕を用いた以外は、実施例１と同様にして剥離用テープを調製した。得られた剥離用テープを用い、且つ、実施例２と同様の粘着フィルムを用いた以外は、実施例１と同様にして実用評価を行なった。その結果、粘着フィルムを半導体シリコンウェハ表面から剥離する際に、ウェハの割れ、剥離用テープと粘着フィルムの融着箇所の界面破壊、剥離用テープの破断、伸び等のトラブルは半導体シリコンウェハ１０枚について実施したが１枚も発生しなかった。しかし、粘着フィルムの一端に剥離用テープを２２０℃の加熱治具で熱融着させる時に加熱冶具と剥離用テープのポリプロピレン層との接着力が上がり、これらが取れ難くなる現象が認められた。尚、粘着フィルムと剥離用テープの接着力は６５０ｇ／２５ｍｍであった。剥離時間は実施例１と同様、剥離速度が１０００ｍｍ／ｍｉｎの場合は１枚当たり２４秒、１２０ｍｍ／ｍｉｎの場合は１枚当たり３分であった。粘着フィルムと剥離用テープの接着力は３０００ｇ／２５ｍｍであった。
【００４４】
比較例１
実施例１の剥離用テープの調製において、エチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂の代わりに低密度ポリエチレン〔三井化学（株）製、商品名：ミラソン〕を用いた以外は、全て実施例１と同様にして剥離用テープを調製した。得られた剥離用テープを用いた以外は、実施例１と同様にして実用評価を行なった。その結果、１７０ｇ／２５ｍｍの粘着力を有する粘着フィルムが貼付けてある半導体シリコンウェハから粘着フィルムを剥離する際、剥離速度を１０００ｍｍ／ｍｉｎにした場合、剥離用テープの粘着フィルムへの熱融着部が界面破壊を起こし、粘着フィルムから剥離用テープが剥離するトラブルが発生した。１０枚の実用評価を行なった内、この熱融着部の界面破壊が７枚で発生した。剥離時間は１枚当たり２４秒。剥離速度を１２０ｍｍ／ｍｉｎにした場合は、前記熱融着部の界面破壊は起こらなかったが、半導体シリコンウェハから粘着フィルムを剥離するのに１枚当たり３分間を要した。粘着フィルムと剥離用テープの接着力は１０００ｇ／２５ｍｍであった。
【００４５】
比較例２
比較例１と同様にして剥離用テープを調製した。得られた剥離用テープを用いた以外は、実施例２と同様にして実用評価を行なった。その結果、３００ｇ／２５ｍｍの粘着力を有する粘着フィルムが貼付けてある半導体シリコンウェハから粘着フィルムを剥離する際、剥離速度を１０００ｍｍ／ｍｉｎにした場合、１０枚評価した全ての評価において剥離用テープと粘着フィルムとの熱融着部の界面破壊が発生した。剥離速度を１２０ｍｍ／ｍｉｎにした場合は、前記熱融着部の界面破壊は１０枚中４枚で発生した。剥離時間は１枚当たり３分間であった。粘着フィルムと剥離用テープの接着力は１０００ｇ／２５ｍｍであった。
【００４６】
比較例３
剥離用テープの調製において、厚みが２５０μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体フィルムを用いた以外は、実施例１と同様にして剥離用テープを調製した。得られた剥離用テープを用いた以外は、実施例２と同様にして実用評価を行なった。その結果、粘着フィルムに対する剥離用テープの接着力は１５００ｇ／２５ｍｍであった。これは、剥離用テープの低弾性率樹脂層（エチレン−酢酸ビニル共重合体層）まで充分に熱が伝わらなかったためと推定する。３００ｇ／２５ｍｍの粘着力を有する粘着フィルムが貼付けてある半導体シリコンウェハから粘着フィルムを剥離する際、剥離速度を１０００ｍｍ／ｍｉｎにした場合、剥離用テープの粘着フィルムへの熱融着部が界面破壊を起こし、粘着フィルムから剥離用テープが剥離するトラブルが発生した。１０枚の実用評価を行なった内、この熱融着部の界面破壊が２枚で発生した。剥離時間は１枚当たり２４秒。剥離速度を１２０ｍｍ／ｍｉｎにした場合は、前記熱融着部の界面破壊は起こらなかったが、半導体シリコンウェハから粘着フィルムを剥離するのに１枚当たり３分間を要した。
【００４７】
比較例４
剥離用テープの調製において、厚みが１２０μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体フィルム単層とした以外は、実施例１と同様にして剥離用テープを調製した。得られた剥離用テープを用いた以外は、実施例１と同様にして実用評価を行なった。その結果、実用評価では１７０ｇ／２５ｍｍの粘着力を有する粘着フィルムが貼付けてある半導体シリコンウェハ表面から剥離速度１０００ｍｍ／ｍｉｎで剥離にした場合、粘着フィルムの剥離時に１０枚中８枚において剥離用テープが破断し、2枚において剥離用テープの伸びに起因する粘着フィルムの剥離不良が発生した。剥離速度を１２０ｍｍ／ｍｉｎにした場合は、１０枚中７において剥離用テープが破断し、２枚において剥離用テープの伸びに起因する粘着フィルムの剥離不良が発生した。これらの結果は、剥離用テープを粘着フィルムに熱融着させる際にエチレン−酢酸ビニル共重合体フィルムが融解したことに起因するものと考える。また剥離できた場合、剥離時間は１枚当たり３分間であった。半導体ウェハ保護用粘着フィルムと剥離用テープの接着力は、加熱用冶具で加熱中に、エチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂が融解し、正確な値を測定できなかった。
【００４８】
比較例５
実施例２と同様の粘着フィルムを用いた以外は、比較例３と同様にして実用評価を行なった。その結果、剥離速度を１０００ｍｍ／ｍｉｎにした場合、１０枚評価したシリコンウェハ全てで剥離用テープと半導体ウェハ保護用粘着フィルムの熱融着部の界面破壊が発生した。剥離速度１２０ｍｍ／ｍｉｎにした場合は、半導体ウェハ保護用粘着フィルムと剥離用テープの熱融着部の界面破壊は１０枚中９枚で発生した。剥離できた場合、剥離時間は１枚当たり３分間であった。半導体ウェハ保護用粘着フィルムと剥離用テープの接着力は、加熱用冶具で加熱中にエチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂が融解し正確な値を測定できなかった。
実施例１〜４、及び比較例１〜５で得られた結果を表１に示す。
【００４９】
【表１】
＜表１の記載の説明＞
ＥＶＡ：エチレン−酢酸ビニル共重合体フィルム、ＰＥＴ：2軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム、ＰＥＮ：２軸延伸ポリエチレンナフタレートフィルム、ＰＰ：２軸延伸ポリプロピレンフィルム、ＰＥ：低密度ポリエチレンフィルム、「−」：データなし、又は測定不能を示す。
【００５１】
【発明の効果】
本発明の粘着フィルム剥離用テープは、粘着フィルムに接着する層を特定の弾性率と厚みを有する樹脂層で形成し、外層を特定の弾性率と厚みを有する樹脂層で形成された剥離用テープである。高弾性率樹脂層の剛性により、平板状部材から粘着フィルムを剥離する際には、剥離用テープの低弾性率樹脂層が伸びことを抑制し、また、粘着フィルムに剥離用テープを熱融着する際には、粘着フィルムと低弾性率樹脂層とが加熱されることによって融解状態になったとき、それを支持する機能を有する。
本発明の粘着フィルム剥離用テープは、粘着フィルムに対する接着性に優れる。従がって、本発明の粘着フィルム剥離用テープを用いることにより、平板状部材に貼付された粘着フィルムを剥離するに際し、剥離用テープの破断、粘着フィルムの剥離不良、粘着フィルムと剥離用テープとの接着面における界面破壊等を発生することなしに容易に剥離することが可能となるのである。そのため、特に、厚みが１００μｍ以下に薄層化された半導体ウェハの表面に貼着された半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムの剥離用テープとして好適に使用できる。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an adhesive film peeling tape and an adhesive film peeling method using the same. Specifically, the present invention relates to a pressure-sensitive adhesive film peeling tape for peeling a surface protective pressure-sensitive adhesive film affixed to a flat member such as a semiconductor wafer and a pressure-sensitive adhesive film peeling method using the same. More specifically, in the manufacturing process of a thinned and large-diameter semiconductor wafer, it is suitable for preventing damage to the semiconductor wafer and improving productivity. The present invention relates to an adhesive film peeling tape for peeling an adhesive film for use and an adhesive film peeling method using the same.
[0002]
[Prior art]
In recent years, there has been a demand for further thinning of semiconductor chips due to the spread of IC cards, mobile phones and the like, or the downsizing of electronic devices. For this reason, a semiconductor chip having a thickness of about 300 μm has been required to be thinned to about 30 μm depending on the application.
[0003]
Usually, a semiconductor chip includes a step of adhering a semiconductor wafer surface protective adhesive film to a circuit forming surface of a semiconductor wafer, a step of thinning the semiconductor wafer by back surface processing, and a step of peeling the semiconductor wafer surface protective adhesive film. After passing, it is manufactured by dicing the semiconductor wafer.
[0004]
In particular, in the process of manufacturing a semiconductor chip thinned to a thickness of 100 μm or less, the back surface processing of the wafer is thinned to about 200 to 100 μm in a conventional grinding process, and then polishing and etching processes are performed. In some cases, the thickness may be further reduced. The thinned wafer has a reduced rigidity, and when the semiconductor wafer surface protecting adhesive film is peeled off, a serious trouble such as a crack or a crack may occur.
[0005]
Conventionally, in the process of peeling the adhesive film for protecting the semiconductor wafer surface, a 25 to 50 mm wide peeling tape is stuck on the adhesive film for protecting the semiconductor wafer surface stuck on the surface of the semiconductor wafer using a press roller. A method of peeling the surface protecting adhesive film from the surface of the semiconductor wafer by pulling the peeling tape is employed.
[0006]
For example, in JP-A-11-16862, in a sheet peeling apparatus that peels off a sheet affixed to a plate-shaped member such as a semiconductor wafer using an adhesive tape, the adhesive tape is bonded to an end of the sheet, A sheet peeling apparatus and a peeling method for peeling the sheet by pulling the tape are disclosed. In this peeling apparatus, it is described that a heat-sensitive adhesive tape in which a heat-sensitive adhesive layer is provided on a heat-resistant film such as polyethylene terephthalate, or a heat-sensitive adhesive tape having a heat-sensitive adhesive property on the substrate itself is used. ing. However, nothing is said about the details of the heat-sensitive adhesive tape. The peeling method is characterized by avoiding pressing the entire surface of the plate-like member by adhering an adhesive tape to the end portion of the sheet bonded to the plate-like member. Therefore, for example, when the plate-like member is a semiconductor wafer or the like, the damage can be prevented.
[0007]
However, in the above method, when the adhesive film for protecting the semiconductor wafer surface has a high adhesive force, the interface breakage of the fused portion of the adhesive film for protecting the semiconductor wafer surface and the heat-sensitive adhesive tape for peeling or cracking in the semiconductor wafer occurs. There are things to do. Or, even if it can be peeled without causing interfacial breakage at the fused part of the adhesive film for protecting the semiconductor wafer surface and the heat-sensitive adhesive tape for peeling, the peeling speed is slower than the peeling of the conventional method, and the semiconductor manufacturing Manufacturing efficiency of the process is reduced.
[0008]
Currently, an ethylene-vinyl acetate copolymer resin film is often used as a base film for an adhesive film for protecting a semiconductor wafer surface. In this case, if the adhesive strength of the peeling tape to the semiconductor wafer surface protecting adhesive film is small, there is a serious drawback that the adhesive strength of the semiconductor wafer surface protecting adhesive film to the back surface of the substrate is low and interface fracture is likely to occur.
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a peeling tape capable of peeling an adhesive film at a peeling speed similar to that of a conventional method, without causing damage or peeling failure of a thin flat plate member, and the same It is in providing the adhesive film peeling method using this.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
As a result of intensive studies, the inventors focused on the storage elastic modulus of the peeling tape, formed a layer that adheres to the adhesive film with a specific low elastic modulus resin layer, and formed an outer layer with a specific high elastic modulus resin layer. The present invention has been completed by finding that the above-mentioned problems can be solved by using a laminate having at least two layers and having heat-sensitive adhesiveness.
[0011]
That is, the present invention is an adhesive film peeling tape comprising at least two resin layers, and the storage elastic modulus (E ′) of the layer adhered to the adhesive film is 1 × 10 at 23 ° C. Five ~ 1 × 10 8 Pa, thickness is 10 to 200 μm, and storage elastic modulus (E ′) of the outer layer is 3 × 10 at 23 ° C. 8 ~ 1x10 Ten The pressure-sensitive adhesive film peeling tape has a Pa and a thickness of 10 to 150 μm.
[0012]
Further, another invention of the present invention is an adhesive film peeling method using the adhesive film peeling tape, wherein the adhesive film peeling tape is heat-sealed to an adhesive film attached to a flat member and cooled. The pressure-sensitive adhesive film peeling method is characterized by pulling the peeling tape.
[0013]
A feature of the present invention is that a layer that adheres to an adhesive film is formed of a low elastic modulus resin layer having a specific storage elastic modulus and thickness, and an outer layer is formed of a high elastic modulus resin layer having a specific storage elastic modulus and thickness. It is in that it is a tape for peeling adhesive films. By employ | adopting this structure, it can adhere | attach firmly with respect to an adhesive film. By using the pressure-sensitive adhesive film peeling tape of the present invention, when peeling the pressure-sensitive adhesive film affixed to the flat plate member, the peeling tape is broken, the pressure-sensitive adhesive film is not peeled properly, and the pressure-sensitive adhesive film and the peeling tape are bonded to each other. It is possible to peel easily without causing interface breakdown or the like.
[0014]
Accordingly, the adhesive film peeling tape according to the present invention peels off the adhesive film affixed to the flat plate member, particularly the circuit forming surface of the semiconductor wafer thinned to a thickness of 100 μm or less (hereinafter referred to as wafer). It can be suitably used as a peeling tape for a semiconductor wafer surface protecting adhesive film adhered to the surface).
[0015]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be described in detail. The adhesive film peeling tape of this invention is manufactured by laminating | stacking a low elastic modulus resin layer and a high elastic modulus resin layer, and setting it as the laminated body which consists of these two layers at least. The adhesive film peeling tape concerning this invention is used when peeling the adhesive film stuck on the flat member.
[0016]
Examples of the flat plate member to which the present invention can be applied include semiconductor wafers, metal plates such as aluminum plates and stainless steel plates, wooden plates, polyolefin sheets, polycarbonate sheets, polyester sheets, and polyvinyl chloride sheets. Usually, these flat members are attached with a surface protective adhesive film called a masking film for the purpose of protecting the surface during storage, during the distribution process, and the like. The present invention can be applied when peeling off these masking films and the like. Among these, the present invention can be preferably applied when peeling the surface-protective adhesive film adhered to the surface of the semiconductor wafer. Particularly preferably, it can be applied when peeling the semiconductor wafer surface protecting adhesive film affixed to the surface after the back surface processing is performed to make the semiconductor wafer thinner.
[0017]
First, the adhesive film peeling tape of this invention is demonstrated. The adhesive film peeling tape of the present invention comprises at least two resin layers, the layer in contact with the adhesive film affixed to the flat plate member to be adhered is a low elastic modulus resin layer, and the outer layer is a high elastic modulus resin. Is a layer. The high elastic modulus resin layer has a function of suppressing the elongation of the low elastic modulus resin layer of the peeling tape when peeling the adhesive film from the flat plate member due to its rigidity. Further, when the peeling tape is heat-sealed to the adhesive film, it has a function of supporting the adhesive film and the low elastic modulus resin layer when they are in a molten state by being heated.
[0018]
Considering this function, the storage elastic modulus (E ′) of the high elastic modulus resin layer is 3 × 10 3 at 23 ° C. 8 ~ 1x10 Ten Pa is preferred. Examples of resins that can form a high-modulus resin layer having such characteristics include polyesters such as polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate, polyolefins such as polypropylene and polymethylpentene, polyimides, polyethersulfone, and polystyrene. . Among these, polyesters such as polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate, and polypropylene are preferable. More preferably, it is a biaxially stretched film of polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polypropylene or the like whose rigidity is improved by biaxial stretching.
[0019]
The thickness of the high elastic modulus resin layer is preferably 10 to 150 μm. More preferably, it is 30-100 micrometers. When the thickness is less than 10 μm, the rigidity of the peeling tape is lowered, and the peeling tape may break when peeling the adhesive film. Moreover, when exceeding 150 micrometers, cutting | disconnection defect may arise when cut | disconnecting the tape for peeling affixed on the adhesive film. Further, the storage elastic modulus (E ′) of the high elastic modulus resin layer is 1 × 10. Ten If it exceeds Pa, a cutting failure may occur when the peeling tape affixed to the adhesive film is cut, or when the adhesive film is peeled off, the peeling stress of the adhesive film may increase due to an increase in bending stress of the peeling tape. May occur. Storage elastic modulus (E ′) is 3 × 10 8 When it is less than Pa, the rigidity of the peeling tape may be reduced, and the peeling tape may be broken.
[0020]
The low elastic modulus resin layer is a layer that is heat-sealed to a surface protective adhesive film that is attached to the surface of a flat plate member such as a semiconductor wafer. Therefore, it is preferable to have excellent heat-fusibility and moderate low elasticity. From this viewpoint, the low elastic modulus resin layer has a storage elasticity (E ′) of 1 × 10 at 23 ° C. Five ~ 1x10 8 Pa is preferred. The storage elastic modulus (E ′) of the low elastic modulus resin layer is 1 × 10 at 23 ° C. 8 When it exceeds Pa, when heat-sealing to the adhesive film, the heat-sealing between the adhesive film and the low elastic modulus resin layer becomes insufficient. Insufficient thermal fusion between the adhesive film and the low elastic modulus resin layer may cause interface failure at the thermal fusion interface when the adhesive tape is peeled off by pulling the peeling tape. Storage modulus (E ′) is 1 × 10 at 23 ° C. Five When it is less than Pa, when the adhesive film is peeled from the flat plate member, cohesive failure may occur in the low elastic modulus resin layer of the peeling tape, resulting in peeling failure.
[0021]
Examples of the resin capable of forming the low elastic modulus resin layer having the above characteristics include ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-alkyl acrylate copolymer (alkyl group having 1 to 4 carbon atoms) and the like. Of these, ethylene-vinyl acetate copolymer is preferred. More preferred is ethylene-vinyl acetate copolymer having a vinyl acetate unit content of about 5 to 50% by weight.
[0022]
The thickness of the low elastic modulus resin layer is preferably 10 to 200 μm. More preferably, it is 30-150 micrometers. If the thickness is less than 10 μm, the adhesive film may not be sufficiently heat-sealed. Moreover, when it exceeds 200 micrometers, it may be difficult to peel an adhesive film. Usually, when heat-sealing the peeling tape to the adhesive film, the low elastic modulus resin layer is brought into contact with the base film layer of the adhesive film and heated from the high elastic modulus resin layer side which is the outer layer. If the elastic modulus resin layer is too thick, it may not be sufficiently heat-sealed. In that case, when the adhesive tape is peeled off by pulling the peeling tape as described above, interfacial breakage may occur at the heat fusion interface.
[0023]
Usually, the pressure-sensitive adhesive film has a pressure-sensitive adhesive layer formed on the surface of a thermoplastic resin film, and thus is attached to the surface of a flat member such as a semiconductor wafer using the peeling tape of the present invention. When peeling an adhesive film, the tape for peeling of this invention is heat-seal | fused to the base-material resin film layer side of an adhesive film. The peeling tape according to the present invention has a high heat-bonding force to the base resin layer of the pressure-sensitive adhesive film, that is, an adhesive force to the pressure-sensitive adhesive film. The adhesive strength of the peeling tape of the present invention to the pressure-sensitive adhesive film, measured by the method described in Examples described later, is usually about 1500 to 6000 g / 25 mm. Although the adhesive force of the adhesive film with respect to flat plate members, such as a semiconductor wafer, is based also on the kind of flat plate member, it is about 10-300 g / 25mm normally. The adhesive strength of the peeling tape can be appropriately selected within the above range depending on the adhesive strength of the adhesive film. Therefore, by using the peeling tape of the present invention, it is possible to easily peel the adhesive film attached to the surface of a flat member such as a semiconductor wafer.
[0024]
As a typical method for producing the peeling tape according to the present invention, there is a method of laminating a previously prepared high elastic modulus resin layer while extruding a low elastic modulus resin layer with an extruder. In order to increase the adhesive force between the low elastic modulus resin layer and the high elastic modulus resin layer, an adhesive layer may be newly provided between them. In order to increase the adhesive strength between the layers, it is preferable to perform corona discharge treatment or chemical treatment on one side or both sides of the surface where the high modulus resin layer and the low modulus resin layer are in contact with each other.
[0025]
The peeling tape according to the present invention is a laminate comprising at least two layers including a low elastic modulus resin layer having the above characteristics and a high elastic modulus resin layer. The former is a layer thermally fused to the adhesive film, and the latter is an outer layer. Here, the outer layer means a layer on the side that does not adhere to the adhesive film. There may be no intermediate layer between these two layers, or a resin layer having other characteristics may be used. There may be a plurality of intermediate layers. When the intermediate layer is formed of a resin layer having other characteristics, the total thickness of the intermediate layer is preferably 200 μm or less.
[0026]
The method for producing the adhesive film peeling tape of the present invention is as described above, but from the viewpoint of preventing contamination of the surface of a flat member such as a semiconductor wafer, the production environment of all raw materials and materials is defined in US Federal Standard 209b. It is preferable to maintain a cleanness of class 1,000 or less.
[0027]
Next, a method of peeling the adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer attached to the surface of a thinned semiconductor wafer, to which the present invention can be applied most preferably, will be described. A semiconductor wafer on which an integrated circuit is formed usually has a thickness of about 500 to 1000 μm. In recent years, it has been desired to reduce the thickness of a semiconductor chip due to the influence of downsizing and weight reduction of electronic devices. Therefore, a conventional semiconductor chip having a thickness of about 300 μm is thinned to about 100 μm or less, and sometimes to about 50 μm, depending on the type or the like. Depending on the application, thinning to about 30 μm has been required. For this reason, a semiconductor wafer on which an integrated circuit is formed is usually subjected to back surface processing by a back surface grinding with a grindstone or the like, a chemical etching process using a chemical agent, or the like, to be thinned.
[0028]
When a semiconductor wafer is thinned, an adhesive film for surface protection is attached to the surface of the semiconductor wafer to protect the integrated circuit, or the wafer is prevented from being damaged by backside grinding stress or the like. The semiconductor wafer thinned by the back surface processing is peeled off from the surface protective adhesive film adhered to the surface. The adhesive film peeling tape of this invention is used when peeling the adhesive film for surface protection stuck on the semiconductor wafer surface.
[0029]
The operation of peeling the adhesive film for protecting the semiconductor wafer surface from the surface of the semiconductor wafer may be performed manually, but is generally performed by an apparatus called an automatic peeling machine. An example of such an automatic peeling machine is Lintec Corporation, model: RAD-3500F / 8.
[0030]
These automatic peeling machines adhere a peeling tape coated with an adhesive to a semiconductor wafer protective pressure-sensitive adhesive film adhered to the surface of a semiconductor wafer vacuum-adsorbed on a flat table, and the peeling tape is peeled off to a predetermined extent. It is an apparatus that does not peel by pulling at an angle, but peels by the following method.
[0031]
That is, after the semiconductor wafer is vacuum-adsorbed and fixed on a flat table, the peeling tape is pressed to the end near the outer periphery of the semiconductor wafer surface protecting adhesive film with a plate heated to 150 to 250 ° C. for about 2 seconds, After the semiconductor wafer surface protecting adhesive film and the peeling tape are thermally fused and cooled to a temperature between 50 ° C. and room temperature, one end of the peeling tape thermally fused to the semiconductor wafer protecting adhesive film is used with a jig. Pinch and peel at a peeling angle of 180 °. Alternatively, the peeling tape is pulled and cut without being cut. By adopting such a method, damage to the circuit surface of the semiconductor wafer by the peeling tape can be reduced. Moreover, it can also prevent that the adhesive of the adhesive film for semiconductor wafer surface protection remains on a semiconductor wafer surface circuit surface, and is contaminated. After thinning the semiconductor wafer and before peeling the adhesive film for protecting the semiconductor wafer surface, stick the semiconductor wafer to the dicing tape fixed to the ring frame in advance, and then peel off the adhesive film for protecting the semiconductor wafer surface. Also good.
[0032]
By applying the present invention, even if the semiconductor wafer is thinned to a thickness of 100 μm or less by back surface processing such as back surface grinding, contamination by the residual adhesive, damage, wafer breakage, breakage of the peeling tape, etc. Without, the adhesive film can be easily peeled off from the surface. Semiconductor wafers to which the present invention can be applied include not only silicon wafers but also wafers of germanium, gallium-arsenic, gallium-phosphorus, gallium-arsenic-aluminum, and the like.
[0033]
【Example】
EXAMPLES Hereinafter, although an Example is shown and this invention is demonstrated further in detail, this invention is not limited to these Examples. For all the examples and comparative examples shown below, a tape for peeling an adhesive film was prepared and evaluated in an environment maintained at a cleanness of class 1000 or less as specified in the US Federal Standard 209b. The storage elastic modulus, adhesive strength, and practical evaluation shown in the following examples and comparative examples were measured and evaluated according to the following methods.
[0034]
(1) Storage elastic modulus (Pa)
A high elastic modulus resin layer and a low elastic modulus resin layer forming film [MD direction length: 40 mm, TD direction length (width): 10 mm] are prepared as samples. This sample was subjected to storage elasticity in the MD direction at a frequency of 1 Hz at a temperature range of 0 to 150 ° C. using a dynamic viscoelasticity measuring device (Rheometrics, model; RSA-II, using a film tensile test attachment). Measure the rate. Specifically, the sample is set in a dynamic viscoelasticity measuring device through the above attachment at room temperature, the temperature is lowered from room temperature to 0 ° C., and then the storage elastic modulus is raised while raising the temperature at a rate of 3 ° C./min. taking measurement. After completion of the measurement, the value of the storage elastic modulus (E ′, unit: Pa) at 23 ° C. is adopted from the obtained storage elastic modulus-temperature curve of 0 to 150 ° C. Each sample is measured for 10 samples, and the average value is shown.
[0035]
(2) Adhesive force of adhesive film to SUS304-BA plate (g / 25 mm) Except for the conditions specified below, all measurements are performed according to the method specified in JIS Z0237. At 23 ° C., an adhesive film for protecting a semiconductor wafer was applied to the surface of a SUS304-BA plate (JIS G4305 standard, vertical (MD direction): 200 mm, horizontal (TD direction): 50 mm) through the adhesive layer for 1 hour. put. After standing, the sample was clamped at one end, the sample was pulled in the MD direction from the surface of the SUS304-BA plate at a peeling angle of 180 degrees and a peeling speed of 300 mm / min, and the stress at the time of peeling was measured. Converted to / 25 mm. Ten samples were measured, and the average value is shown.
[0036]
(3) Adhesive force of peeling tape to base film of adhesive film for protecting semiconductor wafer (g / 25mm)
As in the previous item (2), the measurement is performed according to the method defined in JIS Z0237 except for the conditions defined below. At the substrate film side of the adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer cut into 200 mm in the vertical direction (MD direction) and 50 mm in the horizontal direction (TD direction), the low elastic modulus resin layer side of the peeling tape is heated at 220 ° C. using a heating jig. Heat-press for 2 seconds and heat-seal (fused surface: 10 mm in the MD direction, 50 mm in the TD direction). After cooling to room temperature, one end of the peeling tape is sandwiched and pulled in the MD direction at a peeling angle of 180 degrees and a peeling speed of 300 mm / min, and the peeling tape is peeled off from the adhesive film for protecting the semiconductor wafer surface. The stress at the time is measured and converted to g / 25 mm. Ten samples were measured, and the average value is shown.
[0037]
(4) Practical evaluation
A low-elastic modulus of a peeling tape having a tape width of 50 mm is attached to one end of the adhesive film on the surface of a semiconductor silicon wafer having a mirror-treated thickness of 750 μm and a diameter of 200 mm (8 inches). The resin layer side is heated and pressed from the high elastic modulus resin layer side with a heating jig at 220 ° C. for 2 seconds to be heat-sealed. After cooling to room temperature, using a Tensilon type tensile tester (manufactured by Shimadzu Corp., model: AGS-5kNG), pulling the peeling tape in the opposite direction to the heat-sealed end, for semiconductor wafer surface protection The adhesive film is peeled off at a peeling angle of 180 degrees. The peeling speed is two methods of 1000 mm / min and 120 mm / min. When peeling the semiconductor wafer surface protective adhesive film from the surface of the semiconductor silicon wafer by the above method using the peeling tape, the presence or absence of wafer cracks, the fusion point between the peeling tape and the semiconductor wafer surface protective adhesive film The presence or absence of interfacial breakage, the presence or absence of breakage of the peeling tape, and the presence of troubles such as elongation are observed. Measurement is performed on 10 silicon wafers at the above two peeling rates.
[0038]
Example 1
<Preparation of peeling tape>
Storage elastic modulus at 23 ° C. is 3.0 × 10 7 An ethylene-vinyl acetate copolymer resin (product name: Evaflex, manufactured by Mitsui DuPont Polychemical Co., Ltd.) which is Pa was formed into a film having a thickness of 70 μm using a T-die extruder. The film has a thickness of 40 μm and a storage elastic modulus at 23 ° C. of 2.0 × 10 9 A peeling tape was manufactured by laminating a biaxially stretched polyethylene terephthalate film (product name: Emblet, manufactured by Unitika Ltd.), which is Pa, to form a laminated film consisting of two layers.
[0039]
<Adhesive film>
As an adhesive film, a product name made by Mitsui Chemicals, Inc., trade name: Icros tape SB-135S-BN-R2 (base film: ethylene-vinyl acetate copolymer film having a thickness of 120 μm, thickness of the adhesive layer: 10 μm, SUS304 -Adhesive strength to BA plate: 170 g / 25 mm, for protecting semiconductor wafer surface).
[0040]
<Practical evaluation>
Using the peeling tape and the adhesive film, a practical test was conducted on 10 semiconductor silicon wafers by the method described in the above section (4). As a result, when peeling the adhesive film from the surface of the semiconductor wafer, troubles such as cracking of the wafer, interfacial breakage at the fusion point between the peeling tape and the adhesive film, breaking of the peeling tape, elongation, etc. 10 semiconductor silicon wafers However, no sheet was generated. The time required for peeling took 24 seconds per sheet when the peeling speed was 1000 mm / min, and 3 minutes per sheet when the peeling speed was 120 mm / min. The adhesive force between the pressure-sensitive adhesive film and the peeling tape was 3000 g / 25 mm.
[0041]
Example 2
As an adhesive film, a product name made by Mitsui Chemicals, Inc., trade name: Icros tape SB-135H-BN20-R2 (base film: 120-μm thick ethylene-vinyl acetate copolymer film, adhesive layer thickness: 20 μm, A practical test was conducted in the same manner as in Example 1 except that the adhesive strength to the SUS304-BA plate: 300 g / 25 mm, for protecting the surface of the semiconductor wafer was used. As a result, when peeling the adhesive film from the surface of the semiconductor wafer, troubles such as cracking of the wafer, interfacial breakage at the fusion point between the peeling tape and the adhesive film, breaking of the peeling tape, elongation, etc. 10 semiconductor silicon wafers However, no sheet was generated. As in Example 1, the peeling time was 24 seconds per sheet when the peeling speed was 1000 mm / min, and 3 minutes per sheet when the peeling speed was 120 mm / min. The adhesive force between the pressure-sensitive adhesive film and the peeling tape was 3000 g / 25 mm.
[0042]
Example 3
In the preparation of the release tape, the storage elastic modulus at 23 ° C. is 3.0 × 10 10 instead of the polyethylene terephthalate film. 9 A release tape was prepared in the same manner as in Example 1 except that Pa na polyethylene naphthalate film (manufactured by Teijin DuPont Films, trade name: Teijin Tetron Film) was used. Practical evaluation was performed in the same manner as in Example 1 except that the obtained peeling tape was used and the same adhesive film as in Example 2 was used. As a result, when peeling the adhesive film from the surface of the semiconductor silicon wafer, troubles such as cracking of the wafer, interfacial breakage at the fusion point between the peeling tape and the adhesive film, breaking of the peeling tape, elongation, etc. 10 semiconductor silicon wafers However, no sheet was generated. The adhesive force between the adhesive film and the peeling tape was 650 g / 25 mm. As in Example 1, the peeling time was 24 seconds per sheet when the peeling speed was 1000 mm / min, and 3 minutes per sheet when the peeling speed was 120 mm / min. The adhesive force between the pressure-sensitive adhesive film and the peeling tape was 3000 g / 25 mm.
[0043]
Example 4
In the preparation of the release tape, the storage elastic modulus at 23 ° C. is 2.0 × 10 6 instead of the polyethylene terephthalate film. 9 A peeling tape was prepared in the same manner as in Example 1 except that a biaxially stretched polypropylene film (product name: E-200N, manufactured by Oji Paper Co., Ltd.), which was Pa, was used. Practical evaluation was performed in the same manner as in Example 1 except that the obtained peeling tape was used and the same adhesive film as in Example 2 was used. As a result, when peeling the adhesive film from the surface of the semiconductor silicon wafer, troubles such as cracking of the wafer, interfacial breakage at the fusion point between the peeling tape and the adhesive film, breaking of the peeling tape, elongation, etc. 10 semiconductor silicon wafers However, no sheet was generated. However, when the peeling tape was heat-sealed to one end of the adhesive film with a heating jig at 220 ° C., a phenomenon was observed in which the adhesive strength between the heating jig and the polypropylene layer of the peeling tape was increased, making it difficult to remove them. The adhesive force between the adhesive film and the peeling tape was 650 g / 25 mm. As in Example 1, the peeling time was 24 seconds per sheet when the peeling speed was 1000 mm / min, and 3 minutes per sheet when the peeling speed was 120 mm / min. The adhesive force between the pressure-sensitive adhesive film and the peeling tape was 3000 g / 25 mm.
[0044]
Comparative Example 1
In the preparation of the release tape of Example 1, everything was the same as Example 1 except that low-density polyethylene (Mitsui Chemicals, trade name: Mirason) was used instead of the ethylene-vinyl acetate copolymer resin. A release tape was prepared. Practical evaluation was performed in the same manner as in Example 1 except that the obtained peeling tape was used. As a result, when peeling the adhesive film from the semiconductor silicon wafer to which an adhesive film having an adhesive strength of 170 g / 25 mm is attached, when the peeling speed is 1000 mm / min, the heat-sealed portion of the peeling tape to the adhesive film Caused interfacial breakage, and the peeling tape peeled off from the adhesive film. Of the 10 practical evaluations, the interfacial fracture of this heat-sealed portion occurred in 7 sheets. Peeling time is 24 seconds per sheet. When the peeling speed was set to 120 mm / min, no interfacial destruction occurred in the heat-sealed portion, but it took 3 minutes per sheet to peel the adhesive film from the semiconductor silicon wafer. The adhesive force between the adhesive film and the peeling tape was 1000 g / 25 mm.
[0045]
Comparative Example 2
A peeling tape was prepared in the same manner as in Comparative Example 1. Practical evaluation was performed in the same manner as in Example 2 except that the obtained peeling tape was used. As a result, when peeling off the adhesive film from the semiconductor silicon wafer to which the adhesive film having an adhesive strength of 300 g / 25 mm was attached, the peeling tape was peeled off in all the evaluations when 10 pieces were evaluated when the peeling speed was 1000 mm / min. The interface fracture occurred at the heat-sealed part with the adhesive film. When the peeling speed was 120 mm / min, the interface fracture of the heat-sealed portion occurred in 4 out of 10 sheets. The peeling time was 3 minutes per sheet. The adhesive force between the adhesive film and the peeling tape was 1000 g / 25 mm.
[0046]
Comparative Example 3
In the preparation of the peeling tape, a peeling tape was prepared in the same manner as in Example 1 except that an ethylene-vinyl acetate copolymer film having a thickness of 250 μm was used. Practical evaluation was performed in the same manner as in Example 2 except that the obtained peeling tape was used. As a result, the adhesive force of the peeling tape to the adhesive film was 1500 g / 25 mm. This is presumably because heat was not sufficiently transferred to the low elastic modulus resin layer (ethylene-vinyl acetate copolymer layer) of the peeling tape. When peeling the adhesive film from the semiconductor silicon wafer to which an adhesive film having an adhesive strength of 300 g / 25 mm is attached, when the peeling speed is set to 1000 mm / min, the heat-sealed part of the peeling tape to the adhesive film is interface fracture The trouble that the tape for peeling peeled from the adhesive film occurred. Of the 10 practical evaluations, the interface fracture of the heat-sealed portion occurred in 2 sheets. Peeling time is 24 seconds per sheet. When the peeling speed was set to 120 mm / min, no interfacial destruction occurred in the heat-sealed portion, but it took 3 minutes per sheet to peel the adhesive film from the semiconductor silicon wafer.
[0047]
Comparative Example 4
In the preparation of the peeling tape, a peeling tape was prepared in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the ethylene-vinyl acetate copolymer film was 120 μm. Practical evaluation was performed in the same manner as in Example 1 except that the obtained peeling tape was used. As a result, when the adhesive film is peeled off at a peeling speed of 1000 mm / min from the surface of the semiconductor silicon wafer to which an adhesive film having an adhesive strength of 170 g / 25 mm has been applied in practical evaluation, the peeling tape in 8 out of 10 sheets at the time of peeling of the adhesive film Ruptured, and in two sheets, a peeling failure of the adhesive film due to the elongation of the peeling tape occurred. When the peeling speed was 120 mm / min, the peeling tape broke at 7 out of 10 sheets, and the peeling failure of the adhesive film due to the elongation of the peeling tape occurred at 2 sheets. These results are considered to be caused by melting of the ethylene-vinyl acetate copolymer film when the release tape is heat-sealed to the adhesive film. Moreover, when it was able to peel, the peeling time was 3 minutes per sheet. The adhesive force between the adhesive film for protecting a semiconductor wafer and the peeling tape could not be measured accurately because the ethylene-vinyl acetate copolymer resin melted during heating with the heating jig.
[0048]
Comparative Example 5
Practical evaluation was performed in the same manner as in Comparative Example 3 except that the same adhesive film as in Example 2 was used. As a result, when the peeling speed was set to 1000 mm / min, interface fracture of the heat-sealed portion of the peeling tape and the adhesive film for protecting the semiconductor wafer occurred in all 10 silicon wafers evaluated. When the peeling speed was 120 mm / min, the interface fracture of the heat-sealed portion of the adhesive film for protecting the semiconductor wafer and the peeling tape occurred in 9 out of 10 sheets. When it was able to peel, the peeling time was 3 minutes per sheet. The adhesive force between the adhesive film for protecting a semiconductor wafer and the peeling tape could not be measured accurately because the ethylene-vinyl acetate copolymer resin melted during heating with the heating jig.
Table 1 shows the results obtained in Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 5.
[0049]
[Table 1]
<Description of Table 1>
EVA: ethylene-vinyl acetate copolymer film, PET: biaxially stretched polyethylene terephthalate film, PEN: biaxially stretched polyethylene naphthalate film, PP: biaxially stretched polypropylene film, PE: low density polyethylene film, “-”: data Indicates none or no measurement.
[0051]
【The invention's effect】
The pressure-sensitive adhesive film peeling tape of the present invention is formed by forming a layer that adheres to a pressure-sensitive adhesive film with a resin layer having a specific elastic modulus and thickness, and forming an outer layer with a resin layer having a specific elastic modulus and thickness. It is. Due to the rigidity of the high elastic modulus resin layer, when the adhesive film is peeled from the flat plate member, the low elastic modulus resin layer of the peeling tape is prevented from extending, and the peeling tape is heat-sealed to the adhesive film. In doing so, when the adhesive film and the low elastic modulus resin layer are heated to be in a molten state, they have a function of supporting them.
The tape for peeling an adhesive film of the present invention is excellent in adhesiveness to an adhesive film. Therefore, when the pressure-sensitive adhesive film peeling tape of the present invention is used, when peeling the pressure-sensitive adhesive film affixed to the flat plate member, the peeling tape breaks, the pressure-sensitive adhesive film peels off, the pressure-sensitive adhesive film and the tape for peeling. It is possible to easily peel the film without causing interface breakage or the like on the bonding surface. Therefore, in particular, it can be suitably used as a peeling tape for a semiconductor wafer surface protecting adhesive film adhered to the surface of a semiconductor wafer having a thickness of 100 μm or less.
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