JP4065880B2 - Laser apparatus and sum frequency generation method - Google Patents
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Description
本発明は、レーザー装置或いは和周波発生方法に係り、例えば、半導体製造に用いるマスクや製造されるウェハの検査に用いる光源及びその光の発生方法に関する。 The present invention relates to a laser device or a sum frequency generation method, and, for example, to a light source used for inspection of a mask used for semiconductor manufacturing or a manufactured wafer and a method for generating the light.
近年、LSIの高集積化及び大容量化に伴い、半導体素子に要求される回路線幅はますます狭くなってきている。これらの半導体素子は、回路パターンが形成された原画パターン(フォトマスク、マスク或いはレチクルともいう。以下、マスクと総称する)を用いて、いわゆるステッパと呼ばれる縮小投影露光装置でウェハ上にパターンを露光転写して回路形成することにより製造される。よって、かかる微細な回路パターンをウェハに転写するためのマスクの製造には、微細な回路パターンを描画することができるパターン描画装置を用いる。かかるパターン描画装置を用いてウェハに直接パターン回路を描画することもある。電子ビーム描画装置については、文献にも記載されている(例えば、特許文献1参照)。或いは、電子ビーム以外にもレーザービームを用いて描画するレーザービーム描画装置の開発が試みられており、文献に開示されている(例えば、特許文献2参照)。 In recent years, the circuit line width required for a semiconductor element has been increasingly narrowed as LSI is highly integrated and has a large capacity. These semiconductor elements use an original pattern pattern (also called a photomask, mask, or reticle; hereinafter collectively referred to as a mask) on which a circuit pattern is formed to expose the pattern on the wafer by a so-called reduction projection exposure apparatus called a stepper. It is manufactured by transferring and forming a circuit. Therefore, a pattern drawing apparatus capable of drawing a fine circuit pattern is used for manufacturing a mask for transferring such a fine circuit pattern onto a wafer. A pattern circuit may be directly drawn on a wafer using such a pattern drawing apparatus. The electron beam drawing apparatus is also described in the literature (see, for example, Patent Document 1). Alternatively, development of a laser beam drawing apparatus for drawing using a laser beam in addition to an electron beam has been attempted and disclosed in the literature (for example, see Patent Document 2).
ここで、1ギガビット級のDRAM(ランダムアクセスメモリ)に代表されるように、大規模集積回路(LSI)を構成するパターンは、サブミクロンからナノメータのオーダーになろうとしている。このLSIの製造における歩留まりの低下の大きな原因の一つとして、半導体ウェハ上に超微細パターンをフォトリソグラフィ技術で露光、転写する際に使用されるマスクの欠陥があげられる。特に、半導体ウェハ上に形成されるLSIのパターン寸法の微細化に伴って、パターン欠陥として検出しなければならない寸法も極めて小さいものとなっている。よって、かかる欠陥を検査する装置の開発が行われている。この装置は、マスクを照明する照明光学系と、マスクの像を検出して画像信号を出力するためのセンサと、出力された画像信号に基づいてマスクパターンを検査する検査装置を有している。 Here, as represented by a 1 gigabit class DRAM (Random Access Memory), a pattern constituting a large scale integrated circuit (LSI) is going to be on the order of submicron to nanometer. One of the major causes of a decrease in yield in the manufacture of LSI is a defect of a mask used when an ultrafine pattern is exposed and transferred onto a semiconductor wafer by a photolithography technique. In particular, with the miniaturization of the pattern dimensions of LSIs formed on semiconductor wafers, the dimensions that must be detected as pattern defects have become extremely small. Therefore, an apparatus for inspecting such a defect has been developed. This apparatus includes an illumination optical system that illuminates a mask, a sensor that detects an image of the mask and outputs an image signal, and an inspection apparatus that inspects a mask pattern based on the output image signal. .
上述したように、半導体装置の高性能化に伴い、マスクのマスクパターンはますます微細化・高集積化している。これに伴い検査装置には高い分解能を発揮することが求められている。高分解能を実現するためには照明光の波長を短波長化する必要があるため、深紫外域の検査波長をもつレーザー光源を用いる必要がある。 As described above, the mask pattern of the mask is increasingly miniaturized and highly integrated as the performance of semiconductor devices increases. Along with this, inspection apparatuses are required to exhibit high resolution. In order to realize high resolution, it is necessary to shorten the wavelength of the illumination light, and therefore it is necessary to use a laser light source having an inspection wavelength in the deep ultraviolet region.
一般的に、短波長のレーザー遷移ほど蛍光寿命が短く、基本波で発振する深紫外レーザーはほとんどパルスレーザーである。もっとも短波長な、連続出力光源としては、アルゴンイオンレーザーが知られているが、実用的には350.7nmにとどまっている。検査に必要な深紫外領域で、連続光源を得るためには、連続発振する長波長レーザーを基本波とする短波長側への波長変換を行わなければならない。すなわち、連続出力で、所定の波長より長波長の複数のレーザーを基本波とした、和周波発生を行なわなければならない。しかしながら波長変換は、非線形過程であり、変換効率を高めるために高電界が必要である。一方、連続発振は、本質的に低電界を与えるので、その波長変換には特別な変換技術を要する。ここで、非線形媒質中で電界強度を高めるためには、非線形結晶に基本波を閉じ込める共振器構成を採用しなければならない。和周波発生のための共振器構成には、レーザー増幅媒体を共振器内に設置する内部共振器による方法と、基本波発生源を和周波発生用の共振器と独立させた外部共振器による方法とがある。 In general, the deep UV laser that oscillates at the fundamental wave is almost a pulsed laser because the shorter wavelength laser transition has a shorter fluorescence lifetime. As a continuous output light source having the shortest wavelength, an argon ion laser is known, but it is practically only 350.7 nm. In order to obtain a continuous light source in the deep ultraviolet region necessary for inspection, it is necessary to perform wavelength conversion to the short wavelength side using a continuous wave long wavelength laser as a fundamental wave. That is, it is necessary to perform sum frequency generation using a plurality of lasers having a wavelength longer than a predetermined wavelength as a fundamental wave with continuous output. However, wavelength conversion is a non-linear process and requires a high electric field to increase conversion efficiency. On the other hand, since continuous oscillation essentially provides a low electric field, a special conversion technique is required for wavelength conversion. Here, in order to increase the electric field strength in the nonlinear medium, a resonator configuration in which the fundamental wave is confined in the nonlinear crystal must be employed. The resonator configuration for sum frequency generation includes an internal resonator method in which the laser amplification medium is installed in the resonator, and an external resonator method in which the fundamental wave source is independent of the sum frequency generation resonator. There is.
外部共振器による深紫外光発生の方法として、波長373nmの紫外光と波長780nmの赤外光とを、非線形結晶BBOにおいて相互作用させ、波長254nmの光を発生させるものがある。373nm光に関しては共振器長制御で共振器にロックし、780nm光に関しては、発振周波数を共振器長に同調させ、ひとつの共振器で2つの波長のコヒレント光を共鳴させている例がある(例えば、非特許文献1参照)。また、波長266nmの紫外光と波長780nmの赤外光の和周波発生により深紫外波長領域の196.5nmで2.3mWの出力が得られた例が、2001年に米国シアトルで、国際会議Advanced Solid−State Lasers(講演番号WA6)で報告されている。この例は、赤外光として780nmのチタニウムサファイアレーザーを用い、この共振器に非線形結晶を置き、かつこの非線形結晶に対して、紫外光266nmの外部共振器を組んだものである。その他、波長1064nmNd:YAGレーザーを外部共振器で強調させ、この共振器内の非線形結晶CLBOに、共振器外部から波長244nmのアルゴンレーザーの2倍波を注入し、波長199nmの連続光を得た例がある(例えば、特許文献3参照)。以上これらの例では、基本波は全て単一縦モード発振に制御されている。 As a method of generating deep ultraviolet light by an external resonator, there is a method in which ultraviolet light having a wavelength of 373 nm and infrared light having a wavelength of 780 nm are caused to interact in a nonlinear crystal BBO to generate light having a wavelength of 254 nm. There is an example in which the 373 nm light is locked to the resonator by the resonator length control, and for the 780 nm light, the oscillation frequency is tuned to the resonator length, and the coherent light of two wavelengths is resonated by one resonator ( For example, refer nonpatent literature 1). In addition, an example in which 2.3 mW output was obtained in 196.5 nm in the deep ultraviolet wavelength region by generating a sum frequency of ultraviolet light with a wavelength of 266 nm and infrared light with a wavelength of 780 nm was shown in 2001 in Seattle, USA at the International Conference Advanced It is reported in Solid-State Lasers (lecture number WA6). In this example, a 780 nm titanium sapphire laser is used as infrared light, a nonlinear crystal is placed in this resonator, and an external resonator of 266 nm ultraviolet light is assembled to this nonlinear crystal. In addition, a 1064 nm wavelength Nd: YAG laser was emphasized by an external resonator, and a double wave of an argon laser having a wavelength of 244 nm was injected into the nonlinear crystal CLBO inside the resonator from the outside of the resonator to obtain continuous light having a wavelength of 199 nm There is an example (for example, refer to Patent Document 3). In these examples, the fundamental waves are all controlled to single longitudinal mode oscillation.
ここで、単一縦モード発振である基本波では、和周波発生された深紫外光も単一縦モード(縦シングルモード)となる。縦シングルモードの深紫外光は、その発振線幅を反映して、光源の線幅が狭帯化されている。照明用光源としては、線幅が狭帯化されている方が、光学系の色収差による悪影響が少ない一方で、照明系の各光学部品において、可干渉性から一定の干渉パターン(スペックル)が干渉ノイズ(スペックルノイズ)として発生してしまうということがある。干渉ノイズが生じると、照明効果が著しく悪化することがある。そこで、縦モード(周波数領域)についてスペクトル幅の広いマルチモードを用いた和周波発生が望まれる。しかし、マルチモードを用いた場合には、複数の周波数に発振モードが分裂しているので、同一出力でも各モードの電界強度が低下してしまうため、周波数変換する際に、縦シングルモードによる周波数変換に比べ著しく変換効率が悪くなってしまうため、光学装置、特に検査装置として必要な光量の深紫外光が得られず、和周波発生させる光源は実用化されていない。ここで、スペクトル幅の広いマルチモードを用いた和周波発生の従来例としては、和周波のきわめて特殊な条件である、二つの同一波長のマルチモード光による和周波発生(第二高調波発生)を行なっている例がある(例えば、特許文献4参照)。この例では、同一波長の和周波発生のため、ひとつの外部共振器で第二高調波を発生させている。
上述したように、照明用光源としては、線幅が狭帯化されている方が、光学系の色収差による悪影響が少ない一方で、照明系の各光学部品において、干渉ノイズが生じ、照明効果が著しく悪化することがある。この干渉ノイズは、ある程度計測系に対策手段を講じることもできるが、計測系設計上大きな制限となり、装置成立上障害となっていた。一方、特許文献4に記載されているようなきわめて特殊な場合を除いて、スペクトル幅の広いマルチモードを用いた和周波発生機構は実用化されていない。 As described above, as the light source for illumination, the narrower line width has less adverse effect due to chromatic aberration of the optical system, while interference noise occurs in each optical component of the illumination system, and the illumination effect is improved. May be significantly worse. Although this interference noise can take measures against the measurement system to some extent, it has become a major limitation on the design of the measurement system and has become an obstacle to the establishment of the apparatus. On the other hand, except for a very special case as described in Patent Document 4, a sum frequency generation mechanism using a multimode with a wide spectrum width has not been put into practical use.
本発明は、上述した問題点を克服し、マルチモードを用いた和周波発生方法を提供し、さらに、かかる和周波を発生させるレーザー光源となるレーザー装置を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to overcome the above-mentioned problems, to provide a sum frequency generation method using a multimode, and to provide a laser device that serves as a laser light source that generates such a sum frequency.
本発明の一態様の和周波発生方法は、
第1のレーザー光源を用いて、第1の波長を有する第1のレーザー光を発生する第1のレーザー光発生工程と、
内部に定在波型の共振器を有する第2のレーザー光源を用いて、前記第1の波長とは異なる第2の波長を有する第2のレーザー光を縦マルチモード光で発生する第2のレーザー光発生工程と、
前記第1のレーザー光発生工程により発生された第1のレーザー光を第1の外部共振器内に取込んで共振させ、取込まれた第1のレーザー光に非線形結晶を通過させる第1の共振工程と、
前記第2のレーザー光発生工程により発生された第2のレーザー光を前記第2のレーザー光源内の共振器長の2n倍(但し、nは整数)の共振器長に構成された第2の外部共振器内に取込んで共振させ、取込まれた前記第2のレーザー光に前記非線形結晶を通過させる第2の共振工程と、
を備えたことを特徴とする。
The sum frequency generation method of one embodiment of the present invention includes:
A first laser light generating step for generating a first laser light having a first wavelength by using a first laser light source ;
A second laser light source having a standing wave type resonator inside thereof is used to generate a second laser light having a second wavelength different from the first wavelength as a longitudinal multimode light. Laser light generation process;
The first laser light generated by the first laser light generation step is taken into the first external resonator to resonate, and the first laser light taken through the nonlinear crystal is passed through the first crystal A resonance process;
The second laser light generated by the second laser light generation step is configured to have a resonator length that is 2n times (where n is an integer) the resonator length in the second laser light source. A second resonance step in which the second laser light is taken in and resonated in an external resonator, and the taken-in second laser light passes through the nonlinear crystal;
It is provided with.
そして、かかる和周波発生方法を利用した本発明の一態様のレーザー装置は、
第1の波長を有する第1のレーザー光を発生する第1のレーザー光源と、
前記第1の波長とは異なる第2の波長を有する第2のレーザー光を縦マルチモード光で発生する第2のレーザー光源と、
前記第1のレーザー光源から発生された第1のレーザー光を取込んで共振させる第1の外部共振器と、
前記第1の外部発振器内に設けられた非線形結晶と、
前記第2のレーザー光源から発生された第2のレーザー光を取込んで共振させ、取込まれた前記第2のレーザー光が前記非線形結晶を通過するように配置された第2の外部共振器と、
を備え、
前記第2のレーザー光源は、内部に定在波型の共振器を有し、
前記第2の外部共振器は、前記第2のレーザー光源内の共振器長の2n倍(但し、nは整数)の共振器長に構成されたことを特徴とする。
And the laser device of one aspect of the present invention using such a sum frequency generation method,
A first laser light source for generating a first laser light having a first wavelength;
A second laser light source for generating a second laser beam having a second wavelength different from the first wavelength as a longitudinal multimode light;
A first external resonator that takes in and resonates with the first laser light generated from the first laser light source;
A non-linear crystal provided in the first external oscillator;
A second external resonator arranged so that the second laser light generated from the second laser light source is taken in and resonated, and the taken-in second laser light passes through the nonlinear crystal; When,
With
The second laser light source has a standing wave type resonator inside,
The second external resonator is configured to have a resonator length 2n times (where n is an integer) the resonator length in the second laser light source .
本発明によれば、第1の外部共振器と第2の外部共振器とを別々に備えたことにより、マルチモード光を第2の外部共振器で共振させることができ、電界強度を高めることができる。よって、和周波発生時のマルチモード光の変換効率を高めることができ、異なる周波数のレーザー光を用いた場合でもマルチモードの和周波を得ることができる。 According to the present invention, since the first external resonator and the second external resonator are separately provided, the multimode light can be resonated by the second external resonator, and the electric field strength is increased. Can do. Therefore, the conversion efficiency of the multimode light when the sum frequency is generated can be increased, and a multimode sum frequency can be obtained even when laser beams having different frequencies are used.
実施の形態1.
以下、図面を用いて説明する。
図1は、実施の形態1におけるレーザー装置の構成を示す概念図である。
図1において、レーザー装置100は、縦シングルモードのレーザー光である基本波1として、波長が、238nm〜400nmの赤外光を発生するレーザー光源200と、縦モード(周波数領域)についてマルチモードのレーザー光である基本波2として、波長が、750nm〜1300nmの紫外光を発生するレーザー光源300と、レーザー光源200から発生した基本波1を取込んで共振させる外部共振器400と、レーザー光源300から発生された基本波2を取込んで共振させる外部共振器500と、外部共振器400,500内に設けられた非線形結晶600とを備えている。すなわち、実施の形態1では、縦モード(周波数領域)について、シングルモード基本波1とマルチモード基本波2を採用し、それぞれに独立な電界強調共振器となる外部共振器400と外部共振器500とを構成する。
外部共振器400は、インピーダンス整合ミラー412、高反射ミラー414,416,418を有し、リング共振器を構成している。そして、外部共振器500は、インピーダンス整合ミラー512、高反射ミラー514,516,518を有し、リング共振器を構成し、さらに、高反射ミラー522,524を有している。各ミラーは、可動ミラーである。
Hereinafter, it demonstrates using drawing.
FIG. 1 is a conceptual diagram showing the configuration of the laser apparatus in the first embodiment.
In FIG. 1, a
The
図2は、基本波1用の外部共振器と基本波2用の外部共振器とを別々に示した図である。
図2では、図1の構成を理解し易くするため、基本波1用の外部共振器と基本波2用の外部共振器とを別々に示した。
FIG. 2 is a diagram showing the external resonator for the
In FIG. 2, the external resonator for the
まず、基本波1のレーザー光発生工程として、レーザー光源200から基本波1を発生する。
一方、基本波2のレーザー光発生工程として、レーザー光源300から基本波2を発生する。
First, the
On the other hand, the
そして、基本波1の共振工程として、基本波1を外部共振器400内に取込んで共振させ、取込まれた基本波1に非線形結晶600を通過させる。外部共振器400では、レーザー光源200から出力された基本波1をインピーダンス整合ミラー412から外部共振器400内に取込み、高反射ミラー414,416,418で反射させ、さらに、インピーダンス整合ミラー412でも反射させることで共振器を構成している。また、ここでは、高反射ミラー416と高反射ミラー418との間の光路上に非線形結晶600を配置している。
Then, as a resonance process of the
同様に、基本波2の共振工程として、基本波2を外部共振器500内に取込んで共振させ、取込まれた基本波2に非線形結晶600を通過させる。外部共振器500では、レーザー発振器300から発振された基本波2をインピーダンス整合ミラー512から外部共振器500内に取込み、高反射ミラー514,516,518で反射させ、さらに、インピーダンス整合ミラー512でも反射させることで共振器を構成している。また、ここでは、インピーダンス整合ミラー512と高反射ミラー514との間の光路上に非線形結晶600を配置している。さらに、外部共振器500では、一対の高反射ミラー522と高反射ミラー524とのミラーペアにより、高反射ミラー516で反射された基本波2を繰り返し反射させてから、本来の光路となる高反射ミラー518に基本波2を戻している。
Similarly, as the resonance process of the
そして、和周波発生工程として、共振させられ、電界強度が上がった基本波1と基本波2とを非線形結晶600を通過させて和周波発生させて、外部に出力としてかかる和周波を取り出している。
Then, as the sum frequency generation process, the
図3は、基本波と和周波との関係を示す図である。
図3(a)に示すように、縦シングルモード光同士の基本波を用いて和周波発生を行なった場合には、出力される和周波も縦シングルモード光となる。従来は、かかる縦シングルモード光同士の基本波を用いて和周波発生を行なっていたため、出力された和周波も線幅が狭帯化され、干渉ノイズが問題となっていた。図3(b)では、縦シングルモード光の基本波とマルチモードの基本波とを用いて和周波発生を行なった場合を示している。かかる場合には、出力される和周波がマルチモード光となり、スペクトル幅を広くすることができる。同様に、図3(c)に示すように、マルチモードの基本波同士を用いて和周波発生を行なった場合も、出力される和周波がマルチモード光となり、スペクトル幅を広くすることができる。
ここで、計測用照明用光源として和周波のような非線形変換による光源を用いた場合には、単一縦モード発振である基本波では、その発振線幅を反映して、光源の線幅が狭帯化される。例えば、波長1064nmNd:YAGレーザーの発振線幅は、1MHzである。また、波長244nmのアルゴンレーザーの2倍波の線幅は14MHzである。これらの和周波による光源の線幅は(142+12)1/2から14MHzとなる。いっぽう、マルチモード発振のレーザー光源の場合には、発振線幅は光源により大きく異なるが通常1GHzから30GHzと広い。よって、スペクトル幅が広く、制御し易いマルチモードを発生するレーザー光源が望まれる。
FIG. 3 is a diagram showing the relationship between the fundamental wave and the sum frequency.
As shown in FIG. 3A, when the sum frequency is generated using the fundamental wave between the longitudinal single mode lights, the output sum frequency is also the longitudinal single mode light. Conventionally, since the sum frequency was generated using the fundamental wave of the longitudinal single mode light, the line width of the output sum frequency was narrowed, and interference noise was a problem. FIG. 3B shows a case where sum frequency generation is performed using a fundamental wave of longitudinal single mode light and a fundamental wave of multimode. In such a case, the output sum frequency becomes multimode light, and the spectrum width can be widened. Similarly, as shown in FIG. 3C, when the sum frequency is generated using the multimode fundamental waves, the output sum frequency becomes multimode light, and the spectrum width can be widened. .
Here, when a light source by non-linear conversion such as sum frequency is used as the illumination light source for measurement, the fundamental wave which is single longitudinal mode oscillation reflects the oscillation line width, and the line width of the light source is It is narrowed. For example, the oscillation line width of a 1064 nm Nd: YAG laser is 1 MHz. The line width of the second harmonic of the argon laser having a wavelength of 244 nm is 14 MHz. The line width of the light source by these sum frequencies is from (142 + 12) 1/2 to 14 MHz. On the other hand, in the case of a laser light source of multimode oscillation, the oscillation line width varies greatly depending on the light source, but is usually as wide as 1 GHz to 30 GHz. Therefore, a laser light source that generates a multimode that has a wide spectral width and is easy to control is desired.
図4は、マルチモード基本波をシングルパスさせて和周波発生を行なった場合を説明するための図である。
図4では、縦シングルモード光の基本波とマルチモードの基本波とを用いて和周波発生を行なった場合を示している。そして、後述するように共振構成が組みにくいマルチモード光については、共振器を組まずに非線形結晶を通過させるシングルパスにより、外部共振器により共振させた縦シングルモード光と和周波発生を行なうと、出力光は、電界が小さいマルチモード光に合わせて微量光となってしまう。これでは、光源として用いるレーザー装置としては、不十分となる。よって、マルチモード光についても電界強度を向上させる必要がある。
FIG. 4 is a diagram for explaining a case where sum frequency generation is performed by single-passing a multimode fundamental wave.
FIG. 4 shows a case where sum frequency generation is performed using a fundamental wave of longitudinal single mode light and a fundamental wave of multimode. For multimode light that is difficult to assemble as will be described later, sum frequency generation is performed with longitudinal single-mode light resonated by an external resonator using a single path that passes through a nonlinear crystal without assembling the resonator. The output light becomes a minute amount of light in accordance with the multimode light having a small electric field. This is insufficient as a laser device used as a light source. Therefore, it is necessary to improve the electric field strength for multimode light.
本実施の形態1では、図1で示すように外部共振器500を用いてマルチモード光についても電界強度を向上させることにより、必要な光量の和周波出力を得ることができるようにしている。
In the first embodiment, as shown in FIG. 1, a sum frequency output of a necessary light amount can be obtained by improving the electric field strength of multimode light using an
本実施の形態1では、基本波のひとつとして、単一縦モードレーザーであるネオジウムを活性物質YAGレーザー(Nd:YAG)の4倍波(波長266nm)を基本波1とする。これは、単一縦モードNd:YAGレーザーを基本波として、2回の2倍高調波発生により得られたものである。この光源の線幅は、10kHzである。
図5は、Nd:YAGの4倍波(波長266nm)を発生させるレーザー光源の構成を示す概念図である。
基本波1を発生するレーザー光源200内では、まず、レーザー光源210から1064nmの波長をもつNd:YAGレーザーを発振し、インピーダンス整合ミラー221と高反射ミラー222,223,224とで構成されるリング共振器220を用いて共振させ、非線形結晶225を通過させる。これにより2倍高調波(532nm)を得ることができる。さらに、2倍高調波(532nm)をインピーダンス整合ミラー231と高反射ミラー232,233,234とで構成されるリング共振器230を用いて共振させ、非線形結晶235を通過させる。これにより4倍高調波(266nm)を得ることができる。
In the first embodiment, as one of the fundamental waves, neodymium, which is a single longitudinal mode laser, is used as a
FIG. 5 is a conceptual diagram showing a configuration of a laser light source that generates a fourth harmonic of Nd: YAG (wavelength 266 nm).
In the
次に、他のひとつの基本波として、広帯域(マルチモード)のNd:YAGレーザー(波長1064nm)を用いる。これを基本波2とする。基本波2を発振するレーザー光源300内の共振器内にエタロンをいれて周波数制御を行い、発振線幅を10GHzとした。
Next, a broadband (multimode) Nd: YAG laser (wavelength: 1064 nm) is used as another fundamental wave. This is the
図1に示すように、波長266nmの外部共振器400を構成し、外部共振器400内に波長266nmと波長1064nmとにおいて和周波発生条件を満たす位相整合条件下にある非線形結晶600としてCLBO(CsLiB6O10:cesium lithium borate)を設置した。さらに、このCLBOの光路と重なるように、広帯域のNd:YAGレーザー用の外部共振器500を構成し、図1に示すような二重共振器構成をおこなった。広帯域の光源の線幅は、10GHzであった。
ここで、例えば、1064nmを常光、266nmを常光として、和周波213nmを異常光とすると、結晶温度160度のときに、和周波発生条件としてエネルギー保存則:1064(o)+266(o)=213(e)が成立させ、かつ、位相整合条件、すなわち角運動量保存則としての位相整合角θ(結晶入射時の方位角、内角)は、68.5度となる。
As shown in FIG. 1, an
Here, for example, assuming that 1064 nm is ordinary light, 266 nm is ordinary light, and the sum frequency 213 nm is abnormal light, the energy conservation law is 1064 (o) +266 (o) = 213 as a sum frequency generation condition at a crystal temperature of 160 degrees. (E) is satisfied, and the phase matching condition, that is, the phase matching angle θ (azimuth angle and internal angle at the time of crystal incidence) as an angular momentum conservation law is 68.5 degrees.
図6は、波長変換の式を示す図である。
基本波1の波長をλ1、基本波2の波長をλ2、和周波の波長をλ3とすると、波長λ1、λ2、λ3との間には、図6に示すような関係が成り立つ。よって、これらの2つの基本波の和周波発生により、深紫外光となるマルチモードのNd:YAGの5倍波(波長213nm)を得ることができる。
FIG. 6 is a diagram illustrating an equation for wavelength conversion.
When the wavelength of the
ここで、広帯域のマルチモード基本波に対して、外部共振器を構成するためには、外部共振器500が当該基本波2のレーザー光源300内にある共振器の共振器長(実効的光学長)の整数倍の共振器長(実効的光学長)をもつことにより達成することができる。すなわち、外部共振器500とレーザー光源300内にある共振器との二つの共振器が、同等の周波数間隔を持つ共振器長を持てばよい。しかしながら、マルチモード基本波2を発振するレーザー光源300内の共振器が定在波型の共振器であり、共振器光学長がLであるならば、この基本波2に対応する波長変換用の外部共振器500は、図1に示すようなリング共振器にしたい。そこで、少なくとも2Lの整数倍(2nL)の光学共振器長を持つ共振器を構成することにより外部共振器500をリング共振器にすることを達成することができる。
Here, in order to form an external resonator for a broadband multimode fundamental wave, the resonator length (effective optical length) of the resonator in which the
ところで、通常、リング共振器は、共振器長として数10cm、例えば、22cmで構成される。一方、マルチモードレーザーとして用いる1W以上の出力をもつレーザーは、共振器の光学長が1m以上であることが多い。とすれば、外部共振器500の共振器長は、少なくとも2m以上となってしまう。しかしながら、共振器長を伸ばすためにリング共振器のミラーの間隔を広げることは光学系の機械的安定性の観点から困難である。すなわち、このような光学長の長い共振器を安定に実現することは、一般的には困難である。そこで、本実施の形態では、共振器長調整手段として、高反射ミラーペアを外部共振器500内に設置し、設置角の調整により、多重反射を生じさせ、実質的な共振器長を調整することができるようにした。これにより、小型で堅牢な、長共振器長を持つ、外部共振器を実現することができる。
By the way, the ring resonator is usually configured with a resonator length of several tens of cm, for example, 22 cm. On the other hand, a laser having an output of 1 W or more used as a multimode laser often has an optical length of the resonator of 1 m or more. If this is the case, the resonator length of the
図7は、高反射ミラーペアの動作を説明するための図である。
外部共振器500では、一対の高反射ミラー522と高反射ミラー524とのミラーペアにより、高反射ミラー516で反射された基本波2の光束を取込み、互いに相手に繰り返し反射させて光路長を長くしてから、本来の光路となる高反射ミラー518に基本波2を戻している。例えば、図7(a)に示すように、反射回数の少ない状態から、高反射ミラー524の角度θ1と高反射ミラー522の角度θ2とを、図7(b)に示すように、反射回数の多い状態になるように調整することにより、基本波2が共振する設置角に合わせることができる。
例えば、高反射ミラーペアの一例として、基板は、合成石英を用い、形状は、円板上に形成する。但し、矩形でも構わない。また、構成は、反射面同士が向かいあい、平行設置から、数度まで調整できるものであれば好適である。さらに、反射率は当該波長で、99.999%程度のものがより望ましい。また、面精度当該波長で、1/50λ以下がより望ましい。
FIG. 7 is a diagram for explaining the operation of the high reflection mirror pair.
In the
For example, as an example of a highly reflective mirror pair, the substrate is made of synthetic quartz and the shape is formed on a disk. However, it may be rectangular. Further, the configuration is suitable as long as the reflecting surfaces face each other and can be adjusted from parallel installation to several degrees. Further, the reflectance is more preferably about 99.999% at the wavelength. Further, the surface accuracy is more preferably 1 / 50λ or less at the wavelength.
図8は、実施の形態1におけるレーザー装置の別の構成を示す概念図である。
図8におけるレーザー装置100では、レーザー光源200を配置する位置を図1の構成と異なっている。そのため、外部共振器400を構成するインピーダンス整合ミラー412、高反射ミラー414,416,418を配置する位置も図1の構成と異なっている。図8では、レーザー光源200を配置する位置が図1における位置と比べ、非線形結晶600を軸に約180°回転した場合と同等となっている。かかる構成でも同様に和周波発生を行なうことができる。
FIG. 8 is a conceptual diagram showing another configuration of the laser apparatus in the first embodiment.
In the
以上のように、本実施の形態1の構成によれば、縦シングルモード基本波とマルチモード基本波とにより、複雑な構成をとらずに、和周波発生を行なうことができる。その結果、干渉ノイズをもたらさない線幅を制御した高出力な深紫外光を得ることができる。 As described above, according to the configuration of the first embodiment, the sum frequency generation can be performed by using the longitudinal single mode fundamental wave and the multimode fundamental wave without taking a complicated configuration. As a result, it is possible to obtain high-power deep ultraviolet light with a controlled line width that does not cause interference noise.
実施の形態2.
実施の形態1では、基本波2のすべてのモードに対して、和周波用に外部共振器を形成したが、実施の形態2では、その一部のモードに対して、和周波用に外部共振器を形成する場合について説明する。
まず、実施の形態2では、基本波2としてマルチモードアルゴンレーザーを用いた例を説明する。1W以上の出力をもつアルゴンレーザーは、共振器の光学長は1m以上であることが多い。横モード(空間領域)がシングルモードであっても、周波数制限をおこなわない限り、縦モードはマルチモードとなる。ここで、光学長が1mである共振器の縦モード間隔は、光速/2×1mであり、約150MHzである。使用するアルゴンレーザーの利得幅が15GHzであったとき、約100の縦モードが存在することになる。このすべてのモードに対して、和周波用に外部共振器を形成するには、この外部共振器をリング共振器で構成すると、共振器の光学長を2mにしなければならない。かかる場合には、実施の形態1で説明したような共振器長調整手段を必要とする。
しかし、共振器形成に伴う光学損失を考慮すると、必ずしもすべてのモードに対して共振器で強調する必要が無いこともある。発明者は、基本波2のマルチモードのうち、複数の一部のモードについて、共振させることでも十分な基本波強調が得られる場合があることを見出した。例えば、モード間隔が900MHzの共振器を用いても、十分な基本波強調が得られる結果を得た。かかる場合、リング共振器として、約33cmの共振器長で形成することができ、小型の共振器を形成することができた。
In the first embodiment, the external resonator is formed for the sum frequency for all the modes of the
First, in
However, considering the optical loss associated with the formation of the resonator, it may not always be necessary to emphasize all the modes with the resonator. The inventor has found that sufficient fundamental wave emphasis may be obtained by resonating a plurality of partial modes among the multimodes of the
図9は、実施の形態2におけるレーザー装置の構成を示す概念図である。
図9において、レーザー装置110は、図1の構成から一対の高反射ミラー522,524とを除いた以外は、図1の構成と同様である。すなわち、レーザー装置110は、縦シングルモードのレーザー光である基本波1を発生するレーザー光源200と、マルチモードのレーザー光である基本波2を発生するレーザー光源300と、レーザー光源200から発生された基本波1を取込んで共振させる外部共振器400と、レーザー光源300から発生された基本波2を取込んで共振させる外部共振器500と、外部発振器400,500内に設けられた非線形結晶600とを備えている。すなわち、実施の形態1では、シングルモード基本波1とマルチモード基本波2を採用し、それぞれに独立な電界強調共振器となる外部共振器400と外部共振器500とを構成する。
外部共振器400は、インピーダンス整合ミラー412、高反射ミラー414,416,418を有し、リング共振器を構成している。そして、外部共振器500は、インピーダンス整合ミラー512、高反射ミラー514,516,518を有し、リング共振器を構成している。
FIG. 9 is a conceptual diagram showing the configuration of the laser apparatus in the second embodiment.
9, the laser device 110 is the same as the configuration of FIG. 1 except that the pair of high reflection mirrors 522 and 524 is excluded from the configuration of FIG. 1. That is, the laser device 110 is generated from the
The
図10は、モード間隔と共振器長との関係を説明するための図である。
図10(a)には、マルチモードのレーザー光である基本波2のスペクトルを示している。ここで、モード間隔は、光速c/共振器長Lで示すことができる。したがって、全縦モードのうち、数本ずつ間引くこと、言い換えれば、数本ずつおきに共振させれば、モード間隔が広がることになり、その分、共振器長Lを小さくすることができる。図10(b)に示すように、全縦モードを6本おきに共振させることにより、モード間隔が6倍となり、共振器長Lを1/6にすることができる。よって、本来必要な共振器長2mを約33cmにすることができる。
FIG. 10 is a diagram for explaining the relationship between the mode interval and the resonator length.
FIG. 10A shows a spectrum of the
発明者は、実験の結果、マルチモード光を用いて干渉ノイズをもたらさない線幅を制御した高出力な深紫外光を得るための外部共振器500の効果は、少なくとも、全縦モード本数の1/10以上のモードを強調すると好適であることを見出した。
As a result of experiments, the inventor has found that the effect of the
例えば、縦シングルモード基本波同士の和周波で得られた光源の線幅が、10kHzであり、実施の形態1のようにマルチモード基本波を用いて全縦モードを共振させた和周波で得られた光源の線幅が10GHzとすると、本実施の形態2のように全縦モード本数の1/10以上共振させることにより、光源の線幅が1GHz以上となり、十分、干渉ノイズを抑制することができる。 For example, the line width of the light source obtained at the sum frequency of the longitudinal single mode fundamental waves is 10 kHz, and obtained at the sum frequency obtained by resonating all longitudinal modes using the multimode fundamental wave as in the first embodiment. If the line width of the light source is 10 GHz, the line width of the light source becomes 1 GHz or more by sufficiently resonating the number of all longitudinal modes as in the second embodiment, and the interference noise is sufficiently suppressed. Can do.
実施の形態3.
図11は、検査装置の構成を示す概念図である。
図11では、実施の形態1或いは実施の形態2の光源となるレーザー装置100を搭載した照明系を持つ検査装置で、70nmレベルのマスク欠陥を検査する画像入力装置を含んだ検査装置の構成例を示す。検査装置は、実施の形態1或いは実施の形態2により構成されるレーザー装置である光源100と、光源100から照射された干渉ノイズをもたらさない線幅を制御した高出力な深紫外光をハーフミラー610で基板630側に反射させて、対物レンズ620を介して、マスクやウェハといった被測定物である反射型被検査パターンが形成された基板630に照明する。基板630から反射された光は、対物レンズ620を介してハーフミラー610を透過して、投影レンズ640を介してセンサ650で受光する。そして、プロセッサー660により画像処理を行なうことにより被検査パターンの画像を取得する。言い換えれば、既述の和周波出力をハーフミラーを介して被検査パターンに照射、照明し、その画像をセンサに取り込み、プロセッサーによる信号処理で欠陥の有無を検査している。
FIG. 11 is a conceptual diagram showing the configuration of the inspection apparatus.
In FIG. 11, a configuration example of an inspection apparatus including an image input apparatus that inspects a mask defect at a level of 70 nm in an inspection apparatus having an illumination system on which the
70nmレベルのマスク欠陥を検査するには、200〜257nmの波長のレーザーが必要とされるが、光源となる実施の形態1或いは実施の形態2により構成されるレーザー装置では、波長213nmのである干渉ノイズをもたらさない線幅を制御した高出力な深紫外光を照射することができるので、70nmレベルのマスク欠陥を検査することができる。 In order to inspect the mask defect at the 70 nm level, a laser having a wavelength of 200 to 257 nm is required. In the laser apparatus configured according to the first embodiment or the second embodiment serving as a light source, interference having a wavelength of 213 nm is required. Since high-power deep ultraviolet light with a controlled line width that does not cause noise can be irradiated, it is possible to inspect mask defects at the 70 nm level.
以上のように、実施の形態1或いは実施の形態2によれば、計測用照明として、干渉ノイズを生じさせない、高出力で、発振線幅を制御した光源を得ることができる。さらに、実施の形態3によれば、安定な深紫外光源を搭載した照明装置または検査装置を供し、高速かつ精密な測定を可能とすることができる。また、ここでは、被検査パターンの画像を反射光を用いて取得する反射型の検査装置を説明しているが、被検査パターンの画像を透過光を用いて取得する透過型の検査装置であっても構わないことは言うまでもない。 As described above, according to the first embodiment or the second embodiment, it is possible to obtain a light source with high output and controlled oscillation line width that does not generate interference noise as measurement illumination. Furthermore, according to the third embodiment, it is possible to provide an illumination device or an inspection device equipped with a stable deep ultraviolet light source, thereby enabling high-speed and precise measurement. In addition, here, a reflection type inspection apparatus that acquires an image of a pattern to be inspected using reflected light is described, but this is a transmission type inspection apparatus that acquires an image of an inspected pattern using transmitted light. It goes without saying that it doesn't matter.
以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。 The embodiments have been described above with reference to specific examples. However, the present invention is not limited to these specific examples.
さらに、波長の異なるマルチモード基本波同士であっても、それぞれが、反射ミラーペアを搭載した外部共振器を用いれば、同様に、複雑な構成をとらずに、和周波発生を行なうことができる。その結果、干渉ノイズをもたらさない線幅を制御した高出力な深紫外光を得ることができる。 Furthermore, even if multi-mode fundamental waves having different wavelengths are used, if each uses an external resonator equipped with a reflecting mirror pair, sum frequency generation can be similarly performed without taking a complicated configuration. As a result, it is possible to obtain high-power deep ultraviolet light with a controlled line width that does not cause interference noise.
また、インピーダンス整合ミラーや高反射ミラーの制御手法等については説明を省略したが、必要とされる制御手法を適宜選択して用いることができる。同様に、光学系の構成についても必要とされるものを適宜選択して用いることができる。 Further, the description of the control method of the impedance matching mirror and the high reflection mirror is omitted, but the required control method can be appropriately selected and used. Similarly, what is required for the configuration of the optical system can be appropriately selected and used.
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての反射ミラー或いは試料検査装置は、本発明の範囲に包含される。 In addition, all reflection mirrors or sample inspection apparatuses that include the elements of the present invention and whose design can be appropriately changed by those skilled in the art are included in the scope of the present invention.
100 レーザー装置
200,300 レーザー光源
400,500 外部共振器
412,512 インピーダンス整合ミラー
600 非線形結晶
414,416,418,514,516,518,522,524 高反射ミラー
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記第1の波長とは異なる第2の波長を有する第2のレーザー光を縦マルチモード光で発生する第2のレーザー光源と、
前記第1のレーザー光源から発生された第1のレーザー光を取込んで共振させる第1の外部共振器と、
前記第1の外部発振器内に設けられた非線形結晶と、
前記第2のレーザー光源から発生された第2のレーザー光を取込んで共振させ、取込まれた前記第2のレーザー光が前記非線形結晶を通過するように配置された第2の外部共振器と、
を備え、
前記第2のレーザー光源は、内部に定在波型の共振器を有し、
前記第2の外部共振器は、前記第2のレーザー光源内の共振器長の2n倍(但し、nは整数)の共振器長に構成されたことを特徴とするレーザー装置。 A first laser light source for generating a first laser light having a first wavelength;
A second laser light source for generating a second laser beam having a second wavelength different from the first wavelength as a longitudinal multimode light;
A first external resonator that takes in and resonates with the first laser light generated from the first laser light source;
A non-linear crystal provided in the first external oscillator;
A second external resonator arranged so that the second laser light generated from the second laser light source is taken in and resonated, and the taken-in second laser light passes through the nonlinear crystal; When,
With
The second laser light source has a standing wave type resonator inside,
The laser device, wherein the second external resonator is configured to have a resonator length 2n times (where n is an integer) the resonator length in the second laser light source .
内部に定在波型の共振器を有する第2のレーザー光源を用いて、前記第1の波長とは異なる第2の波長を有する第2のレーザー光を縦マルチモード光で発生する第2のレーザー光発生工程と、
前記第1のレーザー光発生工程により発生された第1のレーザー光を第1の外部共振器内に取込んで共振させ、取込まれた第1のレーザー光に非線形結晶を通過させる第1の共振工程と、
前記第2のレーザー光発生工程により発生された第2のレーザー光を前記第2のレーザー光源内の共振器長の2n倍(但し、nは整数)の共振器長に構成された第2の外部共振器内に取込んで共振させ、取込まれた前記第2のレーザー光に前記非線形結晶を通過させる第2の共振工程と、
を備えたことを特徴とする和周波発生方法。 A first laser light generating step for generating a first laser light having a first wavelength by using a first laser light source ;
A second laser light source having a standing wave type resonator inside thereof is used to generate a second laser light having a second wavelength different from the first wavelength as a longitudinal multimode light. Laser light generation process;
The first laser light generated by the first laser light generation step is taken into the first external resonator to resonate, and the first laser light taken through the nonlinear crystal is passed through the first crystal A resonance process;
The second laser light generated by the second laser light generation step is configured to have a resonator length that is 2n times (where n is an integer) the resonator length in the second laser light source. A second resonance step in which the second laser light is taken in and resonated in an external resonator, and the taken-in second laser light passes through the nonlinear crystal;
A sum frequency generation method comprising:
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